JPS61148883A - 光半導体装置用リ−ドフレ−ム - Google Patents
光半導体装置用リ−ドフレ−ムInfo
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- JPS61148883A JPS61148883A JP59271118A JP27111884A JPS61148883A JP S61148883 A JPS61148883 A JP S61148883A JP 59271118 A JP59271118 A JP 59271118A JP 27111884 A JP27111884 A JP 27111884A JP S61148883 A JPS61148883 A JP S61148883A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、例えばＧａ Ｐ （リン・ガリウム）から
なる半導体発光素子を用いた発光ダイオード関する。
なる半導体発光素子を用いた発光ダイオード関する。
［発明の技術的背景］
一般にＧａ Ｐを用いた半導体発光素子は、主発光面だ
けでなく素子全体に渡って発光することが知られている
。このような半導体発光素子は、通常４００ ｎｉｌ〜
９５０ｎ１ｍの発光波長を有し、青色ないしは赤色まで
の領域にある光を発光するもので、この半導体発光素子
を組込んだ光半導体装置においては、一般にその輝度を
高めるための反射板を用いている。第２図は上記半導体
発光素子１１を用いた光半導体装置の断面構成を示すも
ので、すなわち、上記半導体発光素子１１をリードフレ
ーム１２の端部に形成された皿状反射板１３の中央部に
装着し、その電極を・ポンディングワイヤ１４により導
出する。そして上記リードフレーム１２の反射板１３を
中心とする周囲全体を、ボンディングワイヤ１４をて構
成している。
けでなく素子全体に渡って発光することが知られている
。このような半導体発光素子は、通常４００ ｎｉｌ〜
９５０ｎ１ｍの発光波長を有し、青色ないしは赤色まで
の領域にある光を発光するもので、この半導体発光素子
を組込んだ光半導体装置においては、一般にその輝度を
高めるための反射板を用いている。第２図は上記半導体
発光素子１１を用いた光半導体装置の断面構成を示すも
ので、すなわち、上記半導体発光素子１１をリードフレ
ーム１２の端部に形成された皿状反射板１３の中央部に
装着し、その電極を・ポンディングワイヤ１４により導
出する。そして上記リードフレーム１２の反射板１３を
中心とする周囲全体を、ボンディングワイヤ１４をて構
成している。
第３図は上記第２図における光半導体装置に組このリー
ドフレーム１２の表面には、その表面全体に導電性を良
くするための銅メツーキ１１１６が被着形成され、この
銅メッキ１１１１６の表面には、例えば樹脂外囲器１５
にて封止される部分に対応して銀メッキ層１７が被着形
成されている。この銀メッキ層１７は、特に上記反射板
１３による光の反射を強くするためと、リードフレーム
１２自体に発生する錆びを極力抑えるために必要とされ
るもので、この場合、上記銀メッキ層１７はその全体に
渡って２〜４μｍの層厚で形成されている。
ドフレーム１２の表面には、その表面全体に導電性を良
くするための銅メツーキ１１１６が被着形成され、この
銅メッキ１１１１６の表面には、例えば樹脂外囲器１５
にて封止される部分に対応して銀メッキ層１７が被着形
成されている。この銀メッキ層１７は、特に上記反射板
１３による光の反射を強くするためと、リードフレーム
１２自体に発生する錆びを極力抑えるために必要とされ
るもので、この場合、上記銀メッキ層１７はその全体に
渡って２〜４μｍの層厚で形成されている。
［背景技術の問題点〕
しかし上記のように構成される光半導体装置のリードフ
レーム１２では、２〜４μｍという比較的厚めの銀メッ
キ層１７を略全面に渡って形成しているため、生産コス
トが高くなるという欠点がある。
レーム１２では、２〜４μｍという比較的厚めの銀メッ
キ層１７を略全面に渡って形成しているため、生産コス
トが高くなるという欠点がある。
ここで、銀メッキ層１７を反射板１３付近にのみ限って
形成し生産コストを下げることが考えられるが、反面、
銅メツキ部分が広範囲に渡って露出してしまい、錆びに
よる品質の低下を招いてしまう。
形成し生産コストを下げることが考えられるが、反面、
銅メツキ部分が広範囲に渡って露出してしまい、錆びに
よる品質の低下を招いてしまう。
［発明の目的］
この発明は上記のような問題点に鑑みなされたもので、
錆びの発生により品質の低下を招くことなく、生産コス
トを下げることができるようになる反射効率の高い光半
導体装置用リードフレームを提供することを目的とする
。
錆びの発生により品質の低下を招くことなく、生産コス
トを下げることができるようになる反射効率の高い光半
導体装置用リードフレームを提供することを目的とする
。
［発明の概要］
すなわちこの発明に係わる光半導体装置用リードフレー
ムは、半導体発光素子の装着される反射板付近にのみ対
応してまず一層目の銀メッキ層を被着形成し、この一層
目の銀メッキ層を含む上記反射板付近およびその周囲全
体に二層目の一メッキ層を被着形成し、この二層目の銀
メッキ層を極めて薄く形成するようにしたものである。
ムは、半導体発光素子の装着される反射板付近にのみ対
応してまず一層目の銀メッキ層を被着形成し、この一層
目の銀メッキ層を含む上記反射板付近およびその周囲全
体に二層目の一メッキ層を被着形成し、この二層目の銀
メッキ層を極めて薄く形成するようにしたものである。
［発明の実施例コ
以下図面によりこの発明の一実施例を説明する。
第１図はその構成を示すもので、このリードフレーム２
１は例、えば一枚の金属板体に打抜き加工を施すか、ま
たはエツチング加工を施して形成する。
１は例、えば一枚の金属板体に打抜き加工を施すか、ま
たはエツチング加工を施して形成する。
このリードフレーム２１の端部には、例えばプレス加工
により皿状反射板２２を形成する。この反射板２２の中
央部には、青色ないしは赤色の光を発光するＧａ Ｐを
用いた半導体発光素子（図示せず）が装着されるもので
、この皿状反射板２２を含むフレーム全体の表面には、
まず、銅メッキ層２３を被着形成する。次に、この銅メ
ッキ層２３の表面には、上記反射板２２付近にのみ対応
して一層目の銀メッキ層２４を被着形成する。この一層
目の銀メッキ層２４は、例えばその層厚を１μｍとして
極めて薄く形成されるもので、この一層目の銀メッキ層
２４を含む上記反射板２２付近およびその周囲全体の表
面には、二層目の銀メッキ層□゛２５をその層厚′１μ
ｍとして極めて薄（形成する。゛この場合、上記反射板
２２付・近には、一層目と二層目と力しらなる層厚、２
μｍの銀メッキ層２４．２５が重層形成され・るよ”う
になる。
により皿状反射板２２を形成する。この反射板２２の中
央部には、青色ないしは赤色の光を発光するＧａ Ｐを
用いた半導体発光素子（図示せず）が装着されるもので
、この皿状反射板２２を含むフレーム全体の表面には、
まず、銅メッキ層２３を被着形成する。次に、この銅メ
ッキ層２３の表面には、上記反射板２２付近にのみ対応
して一層目の銀メッキ層２４を被着形成する。この一層
目の銀メッキ層２４は、例えばその層厚を１μｍとして
極めて薄く形成されるもので、この一層目の銀メッキ層
２４を含む上記反射板２２付近およびその周囲全体の表
面には、二層目の銀メッキ層□゛２５をその層厚′１μ
ｍとして極めて薄（形成する。゛この場合、上記反射板
２２付・近には、一層目と二層目と力しらなる層厚、２
μｍの銀メッキ層２４．２５が重層形成され・るよ”う
になる。
すなわちこのように構成されるリードフレームにおいて
は、反射板２２付近のフレーム表面のみ層厚２μｍの重
層銀メッキ層２４．２５とし、その他全体的な表面を極
めて薄い二層目の銀メッキ層２５のみで覆うようにした
ので、前記第３図における従来例のように、フレーム表
面の略全体が２μｍという層厚の厚い銀メッキ層１１を
形成せずに済むため、銀メッキの使用量を調節すること
ができ、生産コストの低減化が図れるようになる。一方
、上記二層目の銀メッキ層２５は、その層厚が薄いなが
らもフレーム表面を広範囲に渡って覆っているので、錆
び等により品質の劣化を招くことはない。
は、反射板２２付近のフレーム表面のみ層厚２μｍの重
層銀メッキ層２４．２５とし、その他全体的な表面を極
めて薄い二層目の銀メッキ層２５のみで覆うようにした
ので、前記第３図における従来例のように、フレーム表
面の略全体が２μｍという層厚の厚い銀メッキ層１１を
形成せずに済むため、銀メッキの使用量を調節すること
ができ、生産コストの低減化が図れるようになる。一方
、上記二層目の銀メッキ層２５は、その層厚が薄いなが
らもフレーム表面を広範囲に渡って覆っているので、錆
び等により品質の劣化を招くことはない。
また上述したように、銀メッキの使用量を制限しても、
上記反射板２２付近のみ二重構造としてその層厚を厚く
しているので、充分な反射効率を確保することができる
。
上記反射板２２付近のみ二重構造としてその層厚を厚く
しているので、充分な反射効率を確保することができる
。
［発明の効果コ ・
以上のようにこの発明によれば、半導体発光素子の装着
される反射板付近にのみ対応してまず一層目の銀メッキ
層を被着形成し、この一層目の銀メッキ層を含む上記反
射板付近およびその周囲全体に二層目の銀メッキ層を被
着形成し、上記反射板付近のみ二重構造としてその他の
領域の銀メッキ層を極めて薄く形成するようにしたので
、錆びの発生等の品質低下を招くことなく、生産コスト
の低減化が可能となる反射効率の高い光半導体装置用リ
ードフレームを提供できるー。
される反射板付近にのみ対応してまず一層目の銀メッキ
層を被着形成し、この一層目の銀メッキ層を含む上記反
射板付近およびその周囲全体に二層目の銀メッキ層を被
着形成し、上記反射板付近のみ二重構造としてその他の
領域の銀メッキ層を極めて薄く形成するようにしたので
、錆びの発生等の品質低下を招くことなく、生産コスト
の低減化が可能となる反射効率の高い光半導体装置用リ
ードフレームを提供できるー。
第１図（Ａ）および（Ｂ）はそれぞれこの発明の一実施
例に係わる光半導体装置用リードフレ−ムを示す外観斜
視図およびそのＩＶ−ＩＶ線断面構成図、第２図はＧａ
Ｐからなる半導体発光素子を用いた光半導体装置を示す
断面構成図、第３図（Ａ）および（Ｂ）は従来の光半導
体装置用リードフレームを示す外観斜視図およびそのｒ
Ｖ−ＴＶ線断面構成図である。 １１・・・半導体発光素子、２１・・・リードフレーム
、２２・・・反射板、２４・・・下層銀メッキ層、２５
・・・上層銀メッキ層。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦＠１図 第２図 １人 第３ （Ａ） （Ｂ）
例に係わる光半導体装置用リードフレ−ムを示す外観斜
視図およびそのＩＶ−ＩＶ線断面構成図、第２図はＧａ
Ｐからなる半導体発光素子を用いた光半導体装置を示す
断面構成図、第３図（Ａ）および（Ｂ）は従来の光半導
体装置用リードフレームを示す外観斜視図およびそのｒ
Ｖ−ＴＶ線断面構成図である。 １１・・・半導体発光素子、２１・・・リードフレーム
、２２・・・反射板、２４・・・下層銀メッキ層、２５
・・・上層銀メッキ層。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦＠１図 第２図 １人 第３ （Ａ） （Ｂ）
Claims (1)
- 青色ないしは赤色の光を発光する光半導体装置用リード
フレームにおいて、半導体発光素子の装着される反射板
付近にのみ被着形成される下層銀メッキ層と、この下層
銀メッキ層を含む上記反射板付近およびその周囲全体に
被着形成される上層銀メッキ層とを具備したことを特徴
とする光半導体装置用リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59271118A JPS61148883A (ja) | 1984-12-22 | 1984-12-22 | 光半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59271118A JPS61148883A (ja) | 1984-12-22 | 1984-12-22 | 光半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61148883A true JPS61148883A (ja) | 1986-07-07 |
Family
ID=17495581
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59271118A Pending JPS61148883A (ja) | 1984-12-22 | 1984-12-22 | 光半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61148883A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2011004711A1 (ja) | 2009-07-10 | 2011-01-13 | 古河電気工業株式会社 | 光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用リードフレームの製造方法および光半導体装置 |
| WO2011158811A1 (ja) | 2010-06-15 | 2011-12-22 | 古河電気工業株式会社 | 光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用リードフレームの製造方法、および光半導体装置 |
| WO2013045196A1 (de) * | 2011-09-29 | 2013-04-04 | Osram Gmbh | Optoelektronisches halbleiterbauteil |
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| KR20160051729A (ko) | 2013-08-30 | 2016-05-11 | 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 | 광반도체장치용 리드 프레임용 기체와 그 제조방법, 이것을 이용한 광반도체장치용 리드 프레임과 그 제조방법, 및 광반도체장치 |
| US9812624B2 (en) | 2008-01-17 | 2017-11-07 | Nichia Corporation | Method for producing conductive material, conductive material obtained by the method, electronic device containing the conductive material, light-emitting device, and method for producing light-emitting device |
| KR20180097697A (ko) | 2016-02-05 | 2018-08-31 | 가부시키가이샤 코베루코 카겐 | 자외선 반사막 및 스퍼터링 타깃 |
| KR20190024757A (ko) | 2017-08-31 | 2019-03-08 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 리드 프레임, 발광 장치용 패키지, 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법 |
-
1984
- 1984-12-22 JP JP59271118A patent/JPS61148883A/ja active Pending
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