JP2002368286A - 発光ダイオード及びその製造方法 - Google Patents

発光ダイオード及びその製造方法

Info

Publication number
JP2002368286A
JP2002368286A JP2001176355A JP2001176355A JP2002368286A JP 2002368286 A JP2002368286 A JP 2002368286A JP 2001176355 A JP2001176355 A JP 2001176355A JP 2001176355 A JP2001176355 A JP 2001176355A JP 2002368286 A JP2002368286 A JP 2002368286A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
light
led
substrate
emitting diode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001176355A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4789350B2 (ja
Inventor
Yoshio Murano
由夫 村野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Citizen Electronics Co Ltd
Original Assignee
Citizen Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Citizen Electronics Co Ltd filed Critical Citizen Electronics Co Ltd
Priority to JP2001176355A priority Critical patent/JP4789350B2/ja
Priority to US10/164,557 priority patent/US6707247B2/en
Priority to CNB021243298A priority patent/CN1201411C/zh
Publication of JP2002368286A publication Critical patent/JP2002368286A/ja
Priority to US10/677,229 priority patent/US7026661B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4789350B2 publication Critical patent/JP4789350B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01039—Yttrium [Y]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/1026—Compound semiconductors
    • H01L2924/1032—III-V
    • H01L2924/10329—Gallium arsenide [GaAs]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203—Rectifying Diode
    • H01L2924/12036—PN diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 発光色を容易に調整できて歩留が向上し量産
に適するＬＥＤ及びその製造方法。 【解決手段】 １０はチップタイプのＬＥＤである。基
板１の両面にわたって電極２が形成されており、下面側
の電極２は外部接続端子となっている。基板１上に搭載
されたＬＥＤ素子３と各電極２との間はＡｕ、Ａｌ等の
ワイヤで配線されている。ＬＥＤ素子３を封止している
直方体形状の外形をした第一の樹脂４の外側を直方体形
状の外形をした第二の樹脂５が覆っている。第二の樹脂
５にはＬＥＤの発光色を変化させる蛍光物質や着色剤が
含まれている。第二の樹脂５の４方向の側面に反射率の
高いＡｇやＡｌなどの金属のメッキ層からなる反射部が
被覆してある。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光ダイオード
（以下ＬＥＤと略記する）及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＥＤはＧａＰやＧａＡｓ等のIII−V族
の化合物半導体ウエハ上にＰＮ接合を形成し、これに順
方向電流を通じて可視光又は近赤外光の発光を得るもの
であり、近年表示、通信、計測、制御等に広く応用され
ている。しかし、このような従来のＬＥＤの発光色は限
られた色調のものしか存在しない。そこで、所望のカラ
ー光源を得ようと、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の
封止樹脂中に蛍光物質を混入させる試みがあった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
このようなＬＥＤでは、蛍光物質は、封止樹脂よりも比
重が大きいために、樹脂に混入後キュアー炉で樹脂を硬
化させる過程において蛍光物質が沈殿してしまい、均一
に拡散させることができない。量産上色調や輝度のバラ
ツキが避けられずコストアップを招くので、これらのバ
ラツキをいかに少なくしてコストを押さえるかが課題で
あった。
【０００４】上記発明は、このような従来の問題を解決
するためになされたものであり、その目的は、歩留が向
上して量産に適するＬＥＤ及びその製造方法を提供する
ことである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前述した目的を達成する
ために、本発明のうちで請求項１記載の発明は、外部接
続端子を有する基板上に発光素子を実装して樹脂封止し
た発光ダイオードにおいて、前記発光素子を封止した第
一の樹脂の外側を第二の樹脂で覆うと共に、前記樹脂の
いずれか一方に蛍光物質又は蛍光物質及び着色剤を混入
させ、又は、前記樹脂のいずれか一方には前記蛍光物質
を、他方には前記着色剤を振り分けて混入させ、前記第
二の樹脂の側面には反射部を形成したことを特徴とす
る。
【０００６】また請求項２記載の発明は、請求項１記載
の発明の構成のうち、前記第一の樹脂及び第二の樹脂の
外形はそれぞれ直方体形状をなすことを特徴とする。
【０００７】また請求項３記載の発明は、請求項１記載
の発明の構成のうち、前記第一の樹脂の外形は直方体形
状をなし、前記第二の樹脂の外形は基板から厚み方向に
離れるに従って外側に開いた倒立台形形状をなすことを
特徴とする
【０００８】また請求項４記載の発明は、請求項１乃至
請求項３のいずれかに記載の発明の構成のうち、前記第
一の樹脂の一部にレンズ形状部を形成したことを特徴と
する。
【０００９】また請求項５記載の発明は、発光ダイオー
ドを製造する方法において、前記発光ダイオードを多数
個取りできる集合基板上に発光素子を実装し第一の樹脂
で封止する工程と、ハーフダイシングにより前記集合基
板上の前記第一の樹脂を個々に分割し、前記第一の樹脂
全体を包み込むように第二の樹脂を被覆する工程と、ハ
ーフダイシングにより前記集合基板上の前記第二の樹脂
を個々に分割した後の前記第二の樹脂の側面にメッキに
よる反射部を形成する工程と、フルダイシングにより前
記集合基板を個々の発光ダイオードに分割する工程とを
有すると共に、前記樹脂のいずれか一方に蛍光物質又は
蛍光物質及び着色剤を混入させ、又は、前記樹脂のいず
れか一方には前記蛍光物質を、他方には前記着色剤を振
り分けて混入させたことを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。まず、第一の実施の形態で
あるＬＥＤの構成について説明する。図１は本発明の第
一の実施の形態であるＬＥＤの斜視図、図２及び図３は
このＬＥＤの製造方法を示す断面図である。
【００１１】図１において、１０はチップタイプのＬＥ
Ｄである。１はエポキシ樹脂等の絶縁材料から成る基板
であり、２は基板１の両面にわたって形成された一対の
電極であり、下面側の電極は外部接続端子となってい
る。３は青色発光素子であるＬＥＤ素子であり、基板１
上に搭載されて各電極２との間にＡｕ、Ａｌ等のボンデ
ィングワイヤで配線されている。４は直方体形状の外形
をしたエポキシ樹脂である第一の樹脂であり、ＬＥＤ素
子３を封止している。５は第一の樹脂４の外側を覆って
いる直方体形状の外形をしたシリコーン樹脂である第二
の樹脂である。第二の樹脂５には蛍光物質（ＹＡＧ蛍光
体）及び着色剤が含まれている。６は第二の樹脂５の４
方向の側面に被覆した反射率の高いＡｇやＡｌなどの金
属のメッキ層である反射部である。
【００１２】次に、第一の実施の形態の作用を説明す
る。ＬＥＤ素子３を発して第一の樹脂４から外に向かっ
た光は、第二の樹脂５の中で蛍光物質（ＹＡＧ蛍光体）
に当たった光は黄色に変化して出射し、蛍光物質に当た
らなかった光は青色のまま出射することになるため、こ
れら黄色と青色が混色することにより白色に見える光と
なる。従って、第二の樹脂５内に蛍光物質の他に着色剤
を混入させることにより所望の発光色を得ることができ
る。
【００１３】なお、このような作用によるのであるか
ら、白の発光色を得るには蛍光物質を第一の樹脂４と第
二の樹脂５との少なくともいずれか一方に混入させれば
よいし、所望の発光色を得るには、第一の樹脂４と第二
の樹脂５とのいずれか一方に蛍光物質及び着色剤を一緒
に混入させるか、第一の樹脂４と第二の樹脂５とのいず
れか一方には前記蛍光物質を、他方には前記着色剤を振
り分けて混入させるようにしても良いことになる。ま
た、必要に応じて、酸化防止剤や老化防止剤を適宜少な
くとも一方の樹脂へ混入させてもよい。側面に向かった
光は第二の樹脂５の反射部６により反射され樹脂内部に
戻ることになり、やがては光の出射面側である上方へ向
かうため輝度が向上する。
【００１４】次に、本実施の形態であるＬＥＤの製造方
法について説明する。この方法はチップタイプのＬＥＤ
を多数個同時に加工する集合基板方式の製造方法であ
る。まず、図２（ａ）に示すように、両面銅箔張基板に
スルーホール１ａ加工を施し無電界Ｃｕメッキを施して
両面の銅箔を電気的に接続した上で、ドライフィルムを
貼着してフォトエッチングによりパターン形成し、更に
Ｎｉ、Ａｕの電解メッキにより電極２を形成した基板１
を基板メーカから調達する。ここで、スルーホール１ａ
周辺に貼着したドライフィルム１ｂは残しておく。
【００１５】次に、図２（ｂ）に示すように、ＬＥＤ素
子３をダイボンディングにより搭載し、図２（ｃ）に示
すように、基板１上の電極２との配線をＡｕ、Ａｌ線等
によるワイヤーボンディングで行う。次に、図２（ｄ）
に示すように、第一の樹脂４であるエポキシ系樹脂でＬ
ＥＤ素子３側全体を封止する。次に図２（ｅ）に示すよ
うに、スルーホール１ａ上で第一の樹脂４をハーフダイ
シングにより切り分ける。
【００１６】次に、図３（ｆ）に示すように、第二の樹
脂５である蛍光物質の入ったシリコーン樹脂で第一の樹
脂４を被覆する。次に、図３（ｇ）に示すように、スル
ーホール１ａ上で第二の樹脂５をハーフダイシングによ
り切り分ける。次に、図３（ｈ）に示すように、第二の
樹脂５の上面及び基板１下面にメッキレジストを印刷塗
布する。なお、第二の樹脂５の上面へのメッキレジスト
塗布は、図３（ｇ）のハーフダイシングをする前に予め
塗布しておくようにしてもよい。つまり、第二の樹脂５
をハーフダイシングする前にメッキレジストを印刷塗布
してもよい。次に、図３（ｉ）に示すように、第二の樹
脂５の側面にメッキ処理を施して反射部６を形成する。
次に、図３（ｊ）に示すように、メッキレジストを除去
した後、チップ部品に分割するためのフルダイシングを
施して、図１のＬＥＤ１０が完成する。
【００１７】次に、本実施の形態であるＬＥＤの効果に
ついて説明する。第二の樹脂５の側面（直方体の周囲４
面）の外側を光反射材料であるメッキ層６で覆ったの
で、基板１の内部から外へ出ようとする光も内部に戻せ
るので、必要な方向である上方への光の取り出し効率
（輝度）が向上する。多数個取りのできる集合基板を用
いて同時多数個の処理ができるので、製造コストの削減
ができる。
【００１８】次に、本発明の第二の実施の形態であるＬ
ＥＤについて図面により説明する。図４は第二の実施の
形態であるＬＥＤの側断面図である。図４において、第
一の樹脂４の一部には凸レンズ形状部４ａが形成されて
いる。他の構成は第一の実施の形態と同様である。この
ようなＬＥＤを製造するには、上述した図２の（ｄ）の
工程において、第一の樹脂４による封止成形時に凸レン
ズ形状とは逆の形状である凹形状部を有する型枠を使用
して形成する。
【００１９】第一の樹脂４のレンズ形状部４ａを通過し
た光はレンズ作用により集光されるので出射面側の集光
効率が向上して発光色の輝度が増加する。
【００２０】次に、本発明の第三の実施の形態であるＬ
ＥＤについて図面により説明する。図５は第三の実施の
形態であるＬＥＤの斜視図である。図５において、２０
はチップタイプのＬＥＤである。１１はエポキシ樹脂等
から成る絶縁基板であり、１２は基板１１の両面にわた
って形成された一対の電極であり、下面側の電極は外部
接続端子となっている。１３は青色発光素子であるＬＥ
Ｄ素子であり、基板１１上に搭載されて各電極１２との
間にＡｕ、Ａｌ等のワイヤで配線されている。
【００２１】１４は直方体形状の外形をしたエポキシ樹
脂である第一の樹脂であり、ＬＥＤ素子１３を封止して
いる。１５は基板１１から厚み方向に離れるに従って広
がった倒立台形形状の外形をして第一の樹脂１４の外側
を覆っているシリコーン樹脂である第二の樹脂である。
第二の樹脂１５には蛍光物質及び着色剤が含まれてい
る。１６は第二の樹脂１５の４方向の側面に被覆した反
射率の高いＡｇやＡｌなどの金属のメッキ層である反射
部である。なお、蛍光物質及び着色剤等の混入のさせ方
は第一の実施の形態で説明したものと同様である。
【００２２】次に、本実施の形態のＬＥＤの製造方法を
図面を用いて説明する。この方法はチップタイプのＬＥ
Ｄを多数個同時に加工する集合基板方式の製造方法であ
り、まず、図６（ａ）から（ｅ）までの前半の工程は基
本的に第一の実施の形態で図２（ａ）から（ｅ）を用い
て説明したものと同様であるから説明を省略する。
【００２３】次に、図７（ｆ）に示すように、第二の樹
脂１５である蛍光物質、の入ったシリコーン樹脂で第一
の樹脂１４を被覆する。次に、図７（ｇ）に示すよう
に、基板１１全体を反転させ、ＬＥＤ素子１３の間の第
二の樹脂１５をＶ字形の刃先を有したカッターを用いて
ハーフダイシングし、切り落とす寸前まで切り込む。次
に、図７（ｈ）に示すように、基板１１全体を反転し、
基板１１が下方に位置するように元に戻して（戻さなく
ても可）第二の樹脂１５の上面及び基板１１の下面側に
メッキレジストを印刷塗布する。次に、図７（ｉ）に示
すように、基板１１及び第二の樹脂１５の側面にメッキ
処理を施し反射部１６を形成する。次に、図７（ｊ）に
示すように、メッキレジストを除去した後、チップ部品
に分割するためのフルダイシングを施して、図５のＬＥ
Ｄ２０が完成する。
【００２４】本実施の形態では、第二の樹脂１５の側面
が光の出射面側に開いて傾斜しているために、ＬＥＤ素
子１３から出射された光を必要な方向である上方へ反射
させて光取り出し効率（輝度）を一層向上させる。ま
た、第一の実施の形態の場合と同様に、着色剤を混入さ
せることにより、所望の発光色が得られる。本実施の形
態の第一の樹脂１４の一部に第二の実施形態と同様なレ
ンズ形状部を形成して輝度向上の効果をあげることもで
きる。なお、以上各々の実施の形態において、メッキレ
ジストの代わりに、フィルムやシート類を貼着、剥離し
て代用しても良い。また、ＬＥＤについては、もっぱら
チップタイプとして設明してきたが、本発明は、チップ
タイプ、ＳＭＤタイプに限定されず、有効なものであ
る。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ＬＥＤ素子を封止した第一の樹脂の外側を第二の樹脂で
覆うと共に、前記樹脂のいずれか一方に蛍光物質又は蛍
光物質及び着色剤を混入させ、又は、前記樹脂のいずれ
か一方には前記蛍光物質を、他方には前記着色剤を振り
分けて混入させ、前記第二の樹脂の側面には反射部を形
成したので、白色を含めＬＥＤの発光色を所望の色に変
化させることができ、かつ輝度も向上させることができ
た。
【００２６】ＬＥＤから放射される波長を蛍光物質によ
って励起させて発光色を変化させるため、単一のＬＥＤ
で安定した色調バランスを得ることができる。
【００２７】簡単な製法で大量生産ができるので、安価
でしかも信頼性が高く、薄型化小型化にも対応できるＬ
ＥＤの製造方法が得られた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第一の実施の形態であるＬＥＤの斜視
図である。
【図２】本発明の第一の実施の形態であるＬＥＤの製造
方法を示す断面図である。
【図３】本発明の第一の実施の形態であるＬＥＤの製造
方法を示す断面図である。
【図４】本発明の第二の実施の形態であるＬＥＤの断面
図である。
【図５】本発明の第三の実施の形態であるＬＥＤの斜視
図である。
【図６】本発明の第三の実施の形態であるＬＥＤの製造
方法を示す断面図である。
【図７】本発明の第三の実施の形態であるＬＥＤの製造
方法を示す断面図である。
【符号の説明】
１、１１ 基板 ２、１２ 電極 ３、１３ ＬＥＤ素子 ４、１４ 第一の樹脂 ４ａ レンズ形状部 ５、１５ 第二の樹脂 ６、１６ 反射部 １０、２０ 発光ダイオード

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 外部接続端子を有する基板上に発光素子
    を実装して樹脂封止した発光ダイオードにおいて、前記
    発光素子を封止した第一の樹脂の外側を第二の樹脂で覆
    うと共に、前記樹脂のいずれか一方に蛍光物質又は蛍光
    物質及び着色剤を混入させ、又は、前記樹脂のいずれか
    一方には前記蛍光物質を、他方には前記着色剤を振り分
    けて混入させ、前記第二の樹脂の側面には反射部を形成
    したことを特徴とする発光ダイオード。
  2. 【請求項２】 前記第一の樹脂及び第二の樹脂の外形は
    それぞれ直方体形状をなすことを特徴とする請求項１記
    載の発光ダイオード。
  3. 【請求項３】 前記第一の樹脂の外形は直方体形状をな
    し、前記第二の樹脂の外形は基板から厚み方向に離れる
    に従って外側に開いた倒立台形形状をなすことを特徴と
    する請求項１記載の発光ダイオード。
  4. 【請求項４】 前記第一の樹脂の一部にレンズ形状部を
    形成したことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいず
    れかに記載の発光ダイオード。
  5. 【請求項５】 発光ダイオードを製造する方法におい
    て、前記発光ダイオードを多数個取りできる集合基板上
    に発光素子を実装し第一の樹脂で封止する工程と、ハー
    フダイシングにより前記集合基板上の前記第一の樹脂を
    個々に分割し、前記第一の樹脂全体を包み込むように第
    二の樹脂を被覆する工程と、ハーフダイシングにより前
    記集合基板上の前記第二の樹脂を個々に分割した後の前
    記第二の樹脂の側面にメッキによる反射部を形成する工
    程と、フルダイシングにより前記集合基板を個々の発光
    ダイオードに分割する工程とを有すると共に、前記樹脂
    のいずれか一方に蛍光物質又は蛍光物質及び着色剤を混
    入させ、又は、前記樹脂のいずれか一方には前記蛍光物
    質を、他方には前記着色剤を振り分けて混入させたこと
    を特徴とする発光ダイオードの製造方法。
JP2001176355A 2001-06-11 2001-06-11 発光ダイオードの製造方法 Expired - Fee Related JP4789350B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001176355A JP4789350B2 (ja) 2001-06-11 2001-06-11 発光ダイオードの製造方法
US10/164,557 US6707247B2 (en) 2001-06-11 2002-06-10 Light emitting device and manufacturing method thereof
CNB021243298A CN1201411C (zh) 2001-06-11 2002-06-11 发光器件及其制造方法
US10/677,229 US7026661B2 (en) 2001-06-11 2003-10-03 Light emitting device and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001176355A JP4789350B2 (ja) 2001-06-11 2001-06-11 発光ダイオードの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002368286A true JP2002368286A (ja) 2002-12-20
JP4789350B2 JP4789350B2 (ja) 2011-10-12

Family

ID=19017357

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001176355A Expired - Fee Related JP4789350B2 (ja) 2001-06-11 2001-06-11 発光ダイオードの製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (2) US6707247B2 (ja)
JP (1) JP4789350B2 (ja)
CN (1) CN1201411C (ja)

Cited By (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006080312A (ja) * 2004-09-09 2006-03-23 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置およびその製造方法
JP2006216753A (ja) * 2005-02-03 2006-08-17 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置およびその製造方法
JP2006339651A (ja) * 2005-06-01 2006-12-14 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 側面発光型ｌｅｄパッケージおよびその製造方法
JP2007142085A (ja) * 2005-11-17 2007-06-07 Agilent Technol Inc 発光装置、及び発光装置の製造方法
JP2007158009A (ja) * 2005-12-05 2007-06-21 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2007242882A (ja) * 2006-03-08 2007-09-20 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置の製造方法および発光装置
JP2007329444A (ja) * 2006-06-09 2007-12-20 Itswell Co Ltd 発光素子およびその製法
JP2009027103A (ja) * 2007-07-24 2009-02-05 Citizen Electronics Co Ltd スルーホール付回路基板及びその製造方法
JP2009506530A (ja) * 2005-08-26 2009-02-12 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド 発光ダイオードの製造方法
WO2009093498A1 (ja) * 2008-01-22 2009-07-30 Alps Electric Co., Ltd. Ｌｅｄパッケージおよびその製造方法
WO2010044240A1 (ja) * 2008-10-15 2010-04-22 株式会社小糸製作所 発光モジュール、発光モジュールの製造方法、および灯具ユニット
US7842526B2 (en) 2004-09-09 2010-11-30 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting device and method of producing same
JP2012064962A (ja) * 2003-04-30 2012-03-29 Cree Inc 高出力固体発光素子パッケージ
US8294160B2 (en) 2005-01-20 2012-10-23 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting device including a sealing portion, and method of making the same
US8617909B2 (en) 2004-07-02 2013-12-31 Cree, Inc. LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same
WO2014091914A1 (ja) * 2012-12-10 2014-06-19 シチズンホールディングス株式会社 Ｌｅｄ装置及びその製造方法
US8858004B2 (en) 2005-12-22 2014-10-14 Cree, Inc. Lighting device
US8901585B2 (en) 2003-05-01 2014-12-02 Cree, Inc. Multiple component solid state white light
KR20150030169A (ko) * 2013-09-11 2015-03-19 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 소자 및 이를 포함하는 백라이트 유닛과 이의 제조 방법
KR20160063459A (ko) * 2014-11-26 2016-06-07 엘지디스플레이 주식회사 Led 어레이 및 이를 포함하는 백라이트 유닛
US9431589B2 (en) 2007-12-14 2016-08-30 Cree, Inc. Textured encapsulant surface in LED packages
JP2017510061A (ja) * 2014-01-29 2017-04-06 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． 封止材で充填した蛍光体変換ｌｅｄのための浅底反射器カップ
JP2017079311A (ja) * 2015-10-22 2017-04-27 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
JP2017092449A (ja) * 2015-11-05 2017-05-25 アクロラックス・インコーポレーテッド パッケージ構造及びその製造方法
US10615324B2 (en) 2013-06-14 2020-04-07 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Tiny 6 pin side view surface mount LED
WO2023054199A1 (ja) * 2021-09-28 2023-04-06 京セラ株式会社 発光装置及び照明装置

Families Citing this family (83)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3844196B2 (ja) * 2001-06-12 2006-11-08 シチズン電子株式会社 発光ダイオードの製造方法
US6890781B2 (en) * 2002-06-25 2005-05-10 Uni Light Technology Inc. Transparent layer of a LED device and the method for growing the same
JP3910171B2 (ja) * 2003-02-18 2007-04-25 シャープ株式会社 半導体発光装置、その製造方法および電子撮像装置
WO2004077580A2 (en) 2003-02-26 2004-09-10 Cree, Inc. White light source using emitting diode and phosphor and method of fabrication
US20040183081A1 (en) * 2003-03-20 2004-09-23 Alexander Shishov Light emitting diode package with self dosing feature and methods of forming same
JP4138586B2 (ja) * 2003-06-13 2008-08-27 スタンレー電気株式会社 光源用ｌｅｄランプおよびこれを用いた車両用前照灯
US7919787B2 (en) * 2003-06-27 2011-04-05 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Semiconductor device with a light emitting semiconductor die
US7256486B2 (en) * 2003-06-27 2007-08-14 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Packaging device for semiconductor die, semiconductor device incorporating same and method of making same
US7279355B2 (en) * 2003-06-27 2007-10-09 Avago Technologies Ecbuip (Singapore) Pte Ltd Method for fabricating a packaging device for semiconductor die and semiconductor device incorporating same
JP4140042B2 (ja) * 2003-09-17 2008-08-27 スタンレー電気株式会社 蛍光体を用いたｌｅｄ光源装置及びｌｅｄ光源装置を用いた車両前照灯
JP4402425B2 (ja) * 2003-10-24 2010-01-20 スタンレー電気株式会社 車両前照灯
TWI291770B (en) * 2003-11-14 2007-12-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Surface light source device and light emitting diode
JP4516320B2 (ja) * 2004-01-08 2010-08-04 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄ基板
US7086756B2 (en) * 2004-03-18 2006-08-08 Lighting Science Group Corporation Lighting element using electronically activated light emitting elements and method of making same
US7824065B2 (en) * 2004-03-18 2010-11-02 Lighting Science Group Corporation System and method for providing multi-functional lighting using high-efficiency lighting elements in an environment
US20050227394A1 (en) * 2004-04-03 2005-10-13 Bor-Jen Wu Method for forming die protecting layer
JP2005294733A (ja) * 2004-04-05 2005-10-20 Nitto Denko Corp 光半導体素子封止用シートおよび該シートを用いた光半導体装置の製造方法
US7215086B2 (en) * 2004-04-23 2007-05-08 Lighting Science Group Corporation Electronic light generating element light bulb
JP5004410B2 (ja) * 2004-04-26 2012-08-22 Ｔｏｗａ株式会社 光素子の樹脂封止成形方法および樹脂封止成形装置
US7367692B2 (en) * 2004-04-30 2008-05-06 Lighting Science Group Corporation Light bulb having surfaces for reflecting light produced by electronic light generating sources
US7319293B2 (en) * 2004-04-30 2008-01-15 Lighting Science Group Corporation Light bulb having wide angle light dispersion using crystalline material
DE202004011015U1 (de) * 2004-07-14 2004-11-11 Tridonic Optoelectronics Gmbh LED-Strahler mit trichterförmiger Linse
JP4547569B2 (ja) * 2004-08-31 2010-09-22 スタンレー電気株式会社 表面実装型ｌｅｄ
JP5128047B2 (ja) * 2004-10-07 2013-01-23 Ｔｏｗａ株式会社 光デバイス及び光デバイスの生産方法
JP4627177B2 (ja) * 2004-11-10 2011-02-09 スタンレー電気株式会社 Ｌｅｄの製造方法
KR100580753B1 (ko) * 2004-12-17 2006-05-15 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
US7710016B2 (en) 2005-02-18 2010-05-04 Nichia Corporation Light emitting device provided with lens for controlling light distribution characteristic
KR100638868B1 (ko) * 2005-06-20 2006-10-27 삼성전기주식회사 금속 반사 층을 형성한 엘이디 패키지 및 그 제조 방법
US7985357B2 (en) * 2005-07-12 2011-07-26 Towa Corporation Method of resin-sealing and molding an optical device
DE102005034793B3 (de) * 2005-07-21 2007-04-19 G.L.I. Global Light Industries Gmbh Lichtemittierende Halbleiterdiode hoher Lichtleistung
US7365371B2 (en) * 2005-08-04 2008-04-29 Cree, Inc. Packages for semiconductor light emitting devices utilizing dispensed encapsulants
KR100618943B1 (ko) * 2005-12-13 2006-09-01 김성규 투명전광판 및 이에 사용되는 칩 엘이디
US9780268B2 (en) 2006-04-04 2017-10-03 Cree, Inc. Submount based surface mount device (SMD) light emitter components and methods
US20080029774A1 (en) * 2006-08-04 2008-02-07 Acol Technologies S.A. Semiconductor light source packages with broadband and angular uniformity support
US20100224890A1 (en) * 2006-09-18 2010-09-09 Cree, Inc. Light emitting diode chip with electrical insulation element
CN101536197A (zh) * 2006-11-06 2009-09-16 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有反射边缘的波长转换元件
US20080197369A1 (en) * 2007-02-20 2008-08-21 Cree, Inc. Double flip semiconductor device and method for fabrication
JP4205135B2 (ja) 2007-03-13 2009-01-07 シャープ株式会社 半導体発光装置、半導体発光装置用多連リードフレーム
JP5006102B2 (ja) * 2007-05-18 2012-08-22 株式会社東芝 発光装置およびその製造方法
CN101855735A (zh) * 2007-11-19 2010-10-06 松下电器产业株式会社 半导体发光装置及半导体发光装置的制造方法
JP5336071B2 (ja) * 2007-12-21 2013-11-06 ローム株式会社 有機発光装置
US20100328925A1 (en) * 2008-01-22 2010-12-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. Illumination device with led and a transmissive support comprising a luminescent material
US10008637B2 (en) 2011-12-06 2018-06-26 Cree, Inc. Light emitter devices and methods with reduced dimensions and improved light output
CN101939668A (zh) * 2008-02-08 2011-01-05 皇家飞利浦电子股份有限公司 光学元件及其制造方法
DE102008014927A1 (de) * 2008-02-22 2009-08-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von strahlungsemittierenden Bauelementen und strahlungsemittierendes Bauelement
CN101338865A (zh) * 2008-05-23 2009-01-07 段永成 一种低衰减高光效led照明装置及制备方法
JP5152502B2 (ja) * 2008-06-09 2013-02-27 スタンレー電気株式会社 灯具
DE102008064956B3 (de) 2008-07-29 2023-08-24 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements
TWI463708B (zh) * 2009-02-24 2014-12-01 Advanced Optoelectronic Tech 側面出光型發光元件封裝結構及其製造方法
US20110057557A1 (en) * 2009-09-08 2011-03-10 Hong Kong Applied Science And Technology Research Institute Co. Ltd. Projection led module and method of making a projection led module
US8122597B2 (en) * 2010-05-07 2012-02-28 Digital Graphics Incorporation Method for fabricating light emitting diode signboard
JP2011253882A (ja) * 2010-06-01 2011-12-15 Toshiba Corp 発光装置及びその製造方法
CN102420222B (zh) * 2010-09-28 2014-10-15 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管组合
CN102420218B (zh) * 2010-09-28 2015-07-01 赛恩倍吉科技顾问（深圳）有限公司 发光二极管组合
US9140429B2 (en) 2010-10-14 2015-09-22 Cree, Inc. Optical element edge treatment for lighting device
CN102451808B (zh) * 2010-10-18 2015-01-07 展晶科技(深圳)有限公司 荧光粉涂布方法
EP2540795B1 (en) 2011-06-28 2014-12-17 Recticel Fluorescent polyurethane composite and applications thereof
US10211380B2 (en) * 2011-07-21 2019-02-19 Cree, Inc. Light emitting devices and components having improved chemical resistance and related methods
US10490712B2 (en) 2011-07-21 2019-11-26 Cree, Inc. Light emitter device packages, components, and methods for improved chemical resistance and related methods
US10686107B2 (en) 2011-07-21 2020-06-16 Cree, Inc. Light emitter devices and components with improved chemical resistance and related methods
CN102903705B (zh) 2011-07-27 2015-02-04 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
US9496466B2 (en) 2011-12-06 2016-11-15 Cree, Inc. Light emitter devices and methods, utilizing light emitting diodes (LEDs), for improved light extraction
CN103165763B (zh) * 2011-12-14 2015-07-08 赛恩倍吉科技顾问（深圳）有限公司 发光二极管的制造方法
US9240530B2 (en) 2012-02-13 2016-01-19 Cree, Inc. Light emitter devices having improved chemical and physical resistance and related methods
US9343441B2 (en) 2012-02-13 2016-05-17 Cree, Inc. Light emitter devices having improved light output and related methods
TWI590494B (zh) 2012-02-14 2017-07-01 信越化學工業股份有限公司 Optical semiconductor device package, its manufacturing method, and optical semiconductor device and its manufacturing method
US10134961B2 (en) 2012-03-30 2018-11-20 Cree, Inc. Submount based surface mount device (SMD) light emitter components and methods
US10222032B2 (en) 2012-03-30 2019-03-05 Cree, Inc. Light emitter components and methods having improved electrical contacts
US9735198B2 (en) * 2012-03-30 2017-08-15 Cree, Inc. Substrate based light emitter devices, components, and related methods
CN105702830B (zh) * 2012-04-27 2018-06-08 江门市江海区康欣电子科技有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
CN105742468B (zh) * 2012-04-27 2018-07-06 宁波港波电子有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
CN103378279B (zh) * 2012-04-27 2016-08-31 上海力锐网络科技有限公司 发光二极管封装结构制造方法
CN105742460B (zh) * 2012-04-27 2018-07-13 上海光纳电子科技有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
US8901831B2 (en) 2012-05-07 2014-12-02 Lighting Science Group Corporation Constant current pulse-width modulation lighting system and associated methods
JP2013239644A (ja) * 2012-05-16 2013-11-28 Toshiba Corp 半導体発光装置
DE102013204291A1 (de) * 2013-03-12 2014-10-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
US9557015B2 (en) 2013-08-16 2017-01-31 Lighting Science Group Corporation Lighting device with flexible circuits having light-emitting diodes positioned thereupon and associated methods
US9464788B2 (en) * 2013-08-16 2016-10-11 Lighting Science Group Corporation Method of assembling a lighting device with flexible circuits having light-emitting diodes positioned thereon
DE102014102810A1 (de) * 2014-03-04 2015-09-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Herstellung optoelektronischer Bauelemente
US9087973B1 (en) * 2014-06-20 2015-07-21 Grote Industries, Llc Egress and/or flicker-free lighting device with persistent luminescence
DE112018000656T5 (de) 2017-02-02 2019-10-24 Citizen Electronics Co., Ltd. LED-Baugruppe und Verfahren zur Herstellung derselben
US10672957B2 (en) 2017-07-19 2020-06-02 Cree, Inc. LED apparatuses and methods for high lumen output density
CN108039126B (zh) * 2017-12-07 2021-04-23 大连海事大学 一种led阵列走线方法及显示屏系统

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56117562U (ja) * 1980-02-08 1981-09-08
JPS60246685A (ja) * 1984-05-22 1985-12-06 Nec Corp 半導体装置
JPH0463162U (ja) * 1990-10-02 1992-05-29
JP2000200928A (ja) * 1998-12-29 2000-07-18 Citizen Electronics Co Ltd 表面実装型発光ダイオ―ド
JP2001111115A (ja) * 1999-10-12 2001-04-20 Rohm Co Ltd 半導体発光装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5358880A (en) * 1993-04-12 1994-10-25 Motorola, Inc. Method of manufacturing closed cavity LED
JPH09258893A (ja) * 1996-03-25 1997-10-03 Toshiba Corp 座標入力装置、およびこれを備えた入力表示装置
KR100629544B1 (ko) * 1996-06-26 2006-09-27 오스람 게젤샤프트 미트 베쉬랭크터 하프퉁 발광 변환 소자를 포함하는 발광 반도체 소자
US6316283B1 (en) * 1998-03-25 2001-11-13 Asulab Sa Batch manufacturing method for photovoltaic cells
EP0967014B1 (fr) * 1998-06-25 2006-03-15 Institut Français du Pétrole Catalyseur d'hydrocraquage comprenant une zéolite beta et un élément du groupe VB
JP2000156528A (ja) 1998-11-19 2000-06-06 Sharp Corp 発光素子
EP1104799A1 (en) * 1999-11-30 2001-06-06 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Red emitting luminescent material
US6345903B1 (en) * 2000-09-01 2002-02-12 Citizen Electronics Co., Ltd. Surface-mount type emitting diode and method of manufacturing same
JP2002164934A (ja) 2000-11-27 2002-06-07 Matsushita Electric Works Ltd 高齢者用情報バリアフリーサービスシステム
JP3844196B2 (ja) * 2001-06-12 2006-11-08 シチズン電子株式会社 発光ダイオードの製造方法
JP3694255B2 (ja) * 2001-06-19 2005-09-14 株式会社シチズン電子 Ｓｍｄ部品の構造および製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56117562U (ja) * 1980-02-08 1981-09-08
JPS60246685A (ja) * 1984-05-22 1985-12-06 Nec Corp 半導体装置
JPH0463162U (ja) * 1990-10-02 1992-05-29
JP2000200928A (ja) * 1998-12-29 2000-07-18 Citizen Electronics Co Ltd 表面実装型発光ダイオ―ド
JP2001111115A (ja) * 1999-10-12 2001-04-20 Rohm Co Ltd 半導体発光装置

Cited By (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012064962A (ja) * 2003-04-30 2012-03-29 Cree Inc 高出力固体発光素子パッケージ
US9666772B2 (en) 2003-04-30 2017-05-30 Cree, Inc. High powered light emitter packages with compact optics
US8901585B2 (en) 2003-05-01 2014-12-02 Cree, Inc. Multiple component solid state white light
US8617909B2 (en) 2004-07-02 2013-12-31 Cree, Inc. LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same
JP4590994B2 (ja) * 2004-09-09 2010-12-01 豊田合成株式会社 発光装置およびその製造方法
US7842526B2 (en) 2004-09-09 2010-11-30 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting device and method of producing same
JP2006080312A (ja) * 2004-09-09 2006-03-23 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置およびその製造方法
US8294160B2 (en) 2005-01-20 2012-10-23 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting device including a sealing portion, and method of making the same
JP4492378B2 (ja) * 2005-02-03 2010-06-30 豊田合成株式会社 発光装置およびその製造方法
JP2006216753A (ja) * 2005-02-03 2006-08-17 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置およびその製造方法
JP2006339651A (ja) * 2005-06-01 2006-12-14 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 側面発光型ｌｅｄパッケージおよびその製造方法
JP4878053B2 (ja) * 2005-08-26 2012-02-15 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド 発光ダイオードの製造方法
JP2009506530A (ja) * 2005-08-26 2009-02-12 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド 発光ダイオードの製造方法
US8053259B2 (en) 2005-08-26 2011-11-08 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Manufacturing method of light emitting diode
JP2007142085A (ja) * 2005-11-17 2007-06-07 Agilent Technol Inc 発光装置、及び発光装置の製造方法
JP2007158009A (ja) * 2005-12-05 2007-06-21 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
US8858004B2 (en) 2005-12-22 2014-10-14 Cree, Inc. Lighting device
JP2007242882A (ja) * 2006-03-08 2007-09-20 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置の製造方法および発光装置
JP2007329444A (ja) * 2006-06-09 2007-12-20 Itswell Co Ltd 発光素子およびその製法
JP2009027103A (ja) * 2007-07-24 2009-02-05 Citizen Electronics Co Ltd スルーホール付回路基板及びその製造方法
US9431589B2 (en) 2007-12-14 2016-08-30 Cree, Inc. Textured encapsulant surface in LED packages
WO2009093498A1 (ja) * 2008-01-22 2009-07-30 Alps Electric Co., Ltd. Ｌｅｄパッケージおよびその製造方法
WO2010044240A1 (ja) * 2008-10-15 2010-04-22 株式会社小糸製作所 発光モジュール、発光モジュールの製造方法、および灯具ユニット
US8669575B2 (en) 2008-10-15 2014-03-11 Koito Manufacturing Co., Ltd. Light emitting module, method of manufacturing the light emitting module, and lamp unit
JP5226077B2 (ja) * 2008-10-15 2013-07-03 株式会社小糸製作所 発光モジュール、発光モジュールの製造方法、および灯具ユニット
JP5611492B1 (ja) * 2012-12-10 2014-10-22 シチズンホールディングス株式会社 Ｌｅｄ装置及びその製造方法
WO2014091914A1 (ja) * 2012-12-10 2014-06-19 シチズンホールディングス株式会社 Ｌｅｄ装置及びその製造方法
US9490398B2 (en) 2012-12-10 2016-11-08 Citizen Holdings Co., Ltd. Manufacturing method of light emitting device in a flip-chip configuration with reduced package size
US10615324B2 (en) 2013-06-14 2020-04-07 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Tiny 6 pin side view surface mount LED
KR20150030169A (ko) * 2013-09-11 2015-03-19 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 소자 및 이를 포함하는 백라이트 유닛과 이의 제조 방법
KR102242660B1 (ko) * 2013-09-11 2021-04-21 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 소자 및 이를 포함하는 백라이트 유닛과 이의 제조 방법
JP2017510061A (ja) * 2014-01-29 2017-04-06 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． 封止材で充填した蛍光体変換ｌｅｄのための浅底反射器カップ
KR20160063459A (ko) * 2014-11-26 2016-06-07 엘지디스플레이 주식회사 Led 어레이 및 이를 포함하는 백라이트 유닛
KR102303533B1 (ko) * 2014-11-26 2021-09-17 엘지디스플레이 주식회사 Led 어레이 및 이를 포함하는 백라이트 유닛
JP2017079311A (ja) * 2015-10-22 2017-04-27 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
JP2017092449A (ja) * 2015-11-05 2017-05-25 アクロラックス・インコーポレーテッド パッケージ構造及びその製造方法
WO2023054199A1 (ja) * 2021-09-28 2023-04-06 京セラ株式会社 発光装置及び照明装置

Also Published As

Publication number Publication date
US6707247B2 (en) 2004-03-16
CN1201411C (zh) 2005-05-11
US7026661B2 (en) 2006-04-11
CN1393942A (zh) 2003-01-29
JP4789350B2 (ja) 2011-10-12
US20020185966A1 (en) 2002-12-12
US20040069993A1 (en) 2004-04-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4789350B2 (ja) 発光ダイオードの製造方法
JP3768864B2 (ja) 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
JP4279388B2 (ja) 光半導体装置及びその形成方法
JP4673986B2 (ja) 表面実装方発光ダイオードの製造方法
TWI381559B (zh) 具有多階反射表面結構之發光二極體封裝件及其製造方法
US6345903B1 (en) Surface-mount type emitting diode and method of manufacturing same
JP3993736B2 (ja) チップ部品型発光素子の製造方法とチップ部品型発光素子用パッケージの製造方法
US7598528B2 (en) High power light emitting diode package and method of producing the same
US7863642B2 (en) Light emitting diodes and lasers diodes with color converters
JP2012134531A (ja) 発光装置
JPH07288341A (ja) Ｌｅｄディスプレイ
JP2002335020A (ja) 発光装置
JP2004128424A (ja) 白色発光装置
JP2007324417A (ja) 半導体発光装置とその製造方法
KR20070012501A (ko) 발광장치 및 그 제조방법
JP6100778B2 (ja) スロット内に形成される反射壁部を備えるｌｅｄ混合チャンバ
JP2005005604A (ja) 白色発光の発光ダイオード素子を製造する方法
KR20050097926A (ko) 반도체 장치용 리드 프레임
JP2003008074A (ja) 表面実装型発光装置及びその製造方法
JP4003866B2 (ja) 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
JP5097372B2 (ja) 大電流高効率の表面実装型発光ダイオードランプおよびその製造方法
KR101775428B1 (ko) 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법
JP2002270901A (ja) 発光ダイオードとその製造方法
JP4039552B2 (ja) 表面実装型発光ダイオードの製造方法
KR100866879B1 (ko) 발광 소자 패키지 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080507

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20101207

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101221

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110217

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110427

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110527

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110712

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110719

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140729

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4789350

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees