JP2001111115A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 自動実装に制約を受けることなく実装方向と
平行な方向の光度を向上させる構成としたチップ型発光
装置を提供すること。 【解決手段】 半導体発光装置１０は、両端に切欠き７
Ｘ、８Ｘを形成した基板２と、基板上に形成され、一端
３Ｘ、４Ｘが前記切欠きを覆う一対の電極パターン３、
４と、基板表面の略中央部に搭載される発光ダイオ−ド
（ＬＥＤ）チップ１と、前記ＬＥＤチップを封止するド
−ム状の第１の透光性樹脂モールド６ａと、その外側に
配置される矩形状の第２の透光性樹脂モールド６ｂとを
備える。第１の透光性樹脂の屈折率を第２の透光性樹脂
の屈折率よりも大きく選定すると共に、第２の透光性樹
脂モールドの両端部を基板２の端部に延在させる。
平行な方向の光度を向上させる構成としたチップ型発光
装置を提供すること。 【解決手段】 半導体発光装置１０は、両端に切欠き７
Ｘ、８Ｘを形成した基板２と、基板上に形成され、一端
３Ｘ、４Ｘが前記切欠きを覆う一対の電極パターン３、
４と、基板表面の略中央部に搭載される発光ダイオ−ド
（ＬＥＤ）チップ１と、前記ＬＥＤチップを封止するド
−ム状の第１の透光性樹脂モールド６ａと、その外側に
配置される矩形状の第２の透光性樹脂モールド６ｂとを
備える。第１の透光性樹脂の屈折率を第２の透光性樹脂
の屈折率よりも大きく選定すると共に、第２の透光性樹
脂モールドの両端部を基板２の端部に延在させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、自動実装に制約を
受けることなく実装面と平行方向の光度を向上させる構
成としたチップ型発光装置に関する。
受けることなく実装面と平行方向の光度を向上させる構
成としたチップ型発光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、発光源として発光ダイオ−ド（Ｌ
ＥＤ）チップを用いた小型の半導体発光装置が知られて
いる。図３はこのような半導体発光装置５０の一例を一
部透視して示す斜視図である。図３において、基板２に
銅箔等の導電材料よりなる一対の電極パターン３、４が
形成される。基板２の両端には長穴状の切欠きが形成さ
れており、当該切欠きの内周面にメッキ層等の導電膜で
側面電極を形成して基板２の裏面に延在させている。裏
面側の電極はプリント基板の配線パタ−ンと電気的に接
続される。
ＥＤ）チップを用いた小型の半導体発光装置が知られて
いる。図３はこのような半導体発光装置５０の一例を一
部透視して示す斜視図である。図３において、基板２に
銅箔等の導電材料よりなる一対の電極パターン３、４が
形成される。基板２の両端には長穴状の切欠きが形成さ
れており、当該切欠きの内周面にメッキ層等の導電膜で
側面電極を形成して基板２の裏面に延在させている。裏
面側の電極はプリント基板の配線パタ−ンと電気的に接
続される。
【０００３】電極パターン３、４には、それぞれパッド
部３ａ、４ａを形成する。このようなパッド部３ａ、４
ａは、例えば基板２の表面に貼り付けた銅箔をエッチン
グ処理することにより所定の形状で銅箔を除去して形成
される。パッド部３ａにＬＥＤ素子１をダイボンデング
により搭載する。
部３ａ、４ａを形成する。このようなパッド部３ａ、４
ａは、例えば基板２の表面に貼り付けた銅箔をエッチン
グ処理することにより所定の形状で銅箔を除去して形成
される。パッド部３ａにＬＥＤ素子１をダイボンデング
により搭載する。
【０００４】また、ＬＥＤチップ１の電極１ａに金属線
５の一方端子をワイヤボンデングにて電気的に接続し、
金属線５の他方端子をパッド部４ａにワイヤボンデング
にて電気的に接続する。ＬＥＤチップ１をダイボンデン
グおよびワイヤボンデングにより電極パターン３、４と
電気的に接続する際に、電気的接続が良好になされるよ
うに、パッド部３ａ、４ａの部分には金（Ａｕ）メッキ
を施している。
５の一方端子をワイヤボンデングにて電気的に接続し、
金属線５の他方端子をパッド部４ａにワイヤボンデング
にて電気的に接続する。ＬＥＤチップ１をダイボンデン
グおよびワイヤボンデングにより電極パターン３、４と
電気的に接続する際に、電気的接続が良好になされるよ
うに、パッド部３ａ、４ａの部分には金（Ａｕ）メッキ
を施している。
【０００５】ダイボンデングにより基板２の一方の電極
パターン３のパッド部３ａに搭載されたＬＥＤチップ１
と、ＬＥＤチップ１の電極１ａおよび他方の電極パター
ン４のパッド部４ａにワイヤボンデングにて電気的に接
続された金属線５は、透光性樹脂モールド６により封止
される。透光性樹脂モールド６は、前記長穴状の切欠き
内を通過して裏面側に流出しないように、基板２の両側
の端面の位置よりも内側にその端面の位置が配置され
る。
パターン３のパッド部３ａに搭載されたＬＥＤチップ１
と、ＬＥＤチップ１の電極１ａおよび他方の電極パター
ン４のパッド部４ａにワイヤボンデングにて電気的に接
続された金属線５は、透光性樹脂モールド６により封止
される。透光性樹脂モールド６は、前記長穴状の切欠き
内を通過して裏面側に流出しないように、基板２の両側
の端面の位置よりも内側にその端面の位置が配置され
る。
【０００６】図４は、別の形態の半導体発光装置５０ａ
を示す斜視図である。図４の半導体発光装置５０ａが図
３の半導体発光装置５０と相違するところは、基板２の
両端に半円状の切欠き７、８を形成し、一対の電極パタ
ーン３、４の側面電極３ｂ、側面電極４ｂを半円状の切
欠き７、８の内周面にメッキ層等の導電膜で形成し、基
板の裏面側まで延在させている点にある。
を示す斜視図である。図４の半導体発光装置５０ａが図
３の半導体発光装置５０と相違するところは、基板２の
両端に半円状の切欠き７、８を形成し、一対の電極パタ
ーン３、４の側面電極３ｂ、側面電極４ｂを半円状の切
欠き７、８の内周面にメッキ層等の導電膜で形成し、基
板の裏面側まで延在させている点にある。
【０００７】図５は、図３の矢視Ａ−Ａ断面、図４の矢
視Ｂ−Ｂ断面でみた正面図である。図５において、ＬＥ
Ｄチップ１から左右の斜め上方向に発射される出力光
は、透光性樹脂モールド６と大気との界面で屈折し、矢
視Ｒａ、Ｒｂ方向に拡散して進行する。このため、ＬＥ
Ｄチップ１の真上方向（実装面と平行な方向）に進行す
る出力光Ｒｃの光量は少なくなる。
視Ｂ−Ｂ断面でみた正面図である。図５において、ＬＥ
Ｄチップ１から左右の斜め上方向に発射される出力光
は、透光性樹脂モールド６と大気との界面で屈折し、矢
視Ｒａ、Ｒｂ方向に拡散して進行する。このため、ＬＥ
Ｄチップ１の真上方向（実装面と平行な方向）に進行す
る出力光Ｒｃの光量は少なくなる。
【０００８】図７は、図３、図４の構成の半導体発光装
置における光度分布を示す特性図である。図７に示すよ
うに光源Ｓ（ＬＥＤ素子）を中心とする光度Ｉの分布は
球状に形成され、光源Ｓの真上方向であるＣｏ方向の指
向性が拡開している。このため、Ｃｏ方向の光度が向上
しないという問題がある。
置における光度分布を示す特性図である。図７に示すよ
うに光源Ｓ（ＬＥＤ素子）を中心とする光度Ｉの分布は
球状に形成され、光源Ｓの真上方向であるＣｏ方向の指
向性が拡開している。このため、Ｃｏ方向の光度が向上
しないという問題がある。
【０００９】図６は、このような問題に対処するために
考案された半導体発光装置５０ｂの縦断正面図である。
図６の半導体発光装置５０ｂは、ＬＥＤチップ１を基板
２の略中央の位置に搭載し、透光性樹脂モールド６ａを
ド−ム状に形成している。
考案された半導体発光装置５０ｂの縦断正面図である。
図６の半導体発光装置５０ｂは、ＬＥＤチップ１を基板
２の略中央の位置に搭載し、透光性樹脂モールド６ａを
ド−ム状に形成している。
【００１０】このため、透光性樹脂モールド６ａは集光
レンズとして作用し、透光性樹脂モールド６ａと大気と
の界面で反射する出力光を集光して外部に放射するので
光量が増大する。また、発光源のＬＥＤチップ１に対し
て外部向けてに凸部を形成する凸レンズとして作用する
ので、ＬＥＤチップ１から左右の斜め上方向に発射され
る出力光も、ＬＥＤチップ１の真上方向に放射される出
力光ｒｃと平行な出力光ｒａ、ｒｂとして形成される。
レンズとして作用し、透光性樹脂モールド６ａと大気と
の界面で反射する出力光を集光して外部に放射するので
光量が増大する。また、発光源のＬＥＤチップ１に対し
て外部向けてに凸部を形成する凸レンズとして作用する
ので、ＬＥＤチップ１から左右の斜め上方向に発射され
る出力光も、ＬＥＤチップ１の真上方向に放射される出
力光ｒｃと平行な出力光ｒａ、ｒｂとして形成される。
【００１１】図８は、図６の構成の半導体発光装置にお
ける光度分布を示す特性図である。図８に示すように光
源Ｓ（ＬＥＤチップ）を中心とする光度Ｉの分布は、上
向きの楕円状に形成され、光源Ｓの真上であるＣｏ方向
の指向性が狭くなり、Ｃｏ方向の光度が向上する。
ける光度分布を示す特性図である。図８に示すように光
源Ｓ（ＬＥＤチップ）を中心とする光度Ｉの分布は、上
向きの楕円状に形成され、光源Ｓの真上であるＣｏ方向
の指向性が狭くなり、Ｃｏ方向の光度が向上する。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
このように、図６の構成の半導体発光
装置は、透光性樹脂モールドをド−ム状に形成している
ので、ＬＥＤチップの真上方向の出力光の光量が増大
し、指向性も真上方向に狭く取れるので光度が向上する
という利点がある。しかしながら、半導体発光装置を基
板に自動実装する際には、マウンタ−の吸着ノズルを透
光性樹脂モールドの形状に合わせて特殊な形状とした専
用の治具が必要になるので製造コストが高くなり、自動
実装に制約を受けるという問題があった。
このように、図６の構成の半導体発光
装置は、透光性樹脂モールドをド−ム状に形成している
ので、ＬＥＤチップの真上方向の出力光の光量が増大
し、指向性も真上方向に狭く取れるので光度が向上する
という利点がある。しかしながら、半導体発光装置を基
板に自動実装する際には、マウンタ−の吸着ノズルを透
光性樹脂モールドの形状に合わせて特殊な形状とした専
用の治具が必要になるので製造コストが高くなり、自動
実装に制約を受けるという問題があった。
【００１３】本発明はこのような問題に鑑みてなされた
ものであり、自動実装に制約を受けることなく実装方向
と平行な方向の光度を向上させる構成とした半導体発光
装置の提供を目的とする。
ものであり、自動実装に制約を受けることなく実装方向
と平行な方向の光度を向上させる構成とした半導体発光
装置の提供を目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は、半
導体発光装置を、両端に切欠きを形成した基板と、基板
上に形成され、一端が前記切欠きを覆う一対の電極パタ
ーンと、基板表面の略中央部に搭載される発光ダイオ−
ド（ＬＥＤ）チップと、前記ＬＥＤチップを封止する透
光性樹脂モールドとを備える半導体発光装置において、
前記透光性樹脂モールドを、ＬＥＤチップを覆うド−ム
状の第１の透光性樹脂モールドと、前記ド−ム状の第１
の透光性樹脂モールドの外側に配置される矩形状の第２
の透光性樹脂モールドで形成し、第１の透光性樹脂の屈
折率を第２の透光性樹脂の屈折率よりも大きく選定する
と共に、第２の透光性樹脂モールドの両端部を基板端部
に延在させた構成とすることにより達成できる。
導体発光装置を、両端に切欠きを形成した基板と、基板
上に形成され、一端が前記切欠きを覆う一対の電極パタ
ーンと、基板表面の略中央部に搭載される発光ダイオ−
ド（ＬＥＤ）チップと、前記ＬＥＤチップを封止する透
光性樹脂モールドとを備える半導体発光装置において、
前記透光性樹脂モールドを、ＬＥＤチップを覆うド−ム
状の第１の透光性樹脂モールドと、前記ド−ム状の第１
の透光性樹脂モールドの外側に配置される矩形状の第２
の透光性樹脂モールドで形成し、第１の透光性樹脂の屈
折率を第２の透光性樹脂の屈折率よりも大きく選定する
と共に、第２の透光性樹脂モールドの両端部を基板端部
に延在させた構成とすることにより達成できる。
【００１５】本発明の上記特徴によれば、ＬＥＤチップ
をド−ム状の第１の透光性樹脂モールドで覆い、第１の
透光性樹脂の屈折率を第２の透光性樹脂の屈折率よりも
大きく選定しているので、ＬＥＤチップから発射される
出力光を外部に拡散させることなく実装方向と平行な方
向の光量を増大させることができ、また、この方向の指
向性を狭くして光度を向上させることができる。
をド−ム状の第１の透光性樹脂モールドで覆い、第１の
透光性樹脂の屈折率を第２の透光性樹脂の屈折率よりも
大きく選定しているので、ＬＥＤチップから発射される
出力光を外部に拡散させることなく実装方向と平行な方
向の光量を増大させることができ、また、この方向の指
向性を狭くして光度を向上させることができる。
【００１６】また、矩形状に形成された第２の透光性樹
脂モールドの両端部を基板端部に延在させているので、
第２の透光性樹脂モールドの長さ方向の寸法が増大し、
自動実装する際の処理が容易となる
脂モールドの両端部を基板端部に延在させているので、
第２の透光性樹脂モールドの長さ方向の寸法が増大し、
自動実装する際の処理が容易となる
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図を参照して説明する。図２は本発明の実施の形態に
係る半導体発光装置１０ａの縦断正面図である。図６に
示した従来例の半導体発光装置と同じ部分または対応す
る部分については同一の符号を付しており、詳細な説明
は省略する。
て図を参照して説明する。図２は本発明の実施の形態に
係る半導体発光装置１０ａの縦断正面図である。図６に
示した従来例の半導体発光装置と同じ部分または対応す
る部分については同一の符号を付しており、詳細な説明
は省略する。
【００１８】図２において、ＬＥＤチップ１を基板２の
中央付近に搭載し、ＬＥＤチップ１の外周をド−ム状に
形成した第１の透光性樹脂モールド６ａで覆う。また、
第１の透光性樹脂モールド６ａの外周を、矩形状に形成
した第２の透光性樹脂モールド６ｂで覆う。
中央付近に搭載し、ＬＥＤチップ１の外周をド−ム状に
形成した第１の透光性樹脂モールド６ａで覆う。また、
第１の透光性樹脂モールド６ａの外周を、矩形状に形成
した第２の透光性樹脂モールド６ｂで覆う。
【００１９】ここで、第１の透光性樹脂の材料の屈折率
をＮ１、第２の透光性樹脂の屈折率をＮ２とするとき
に、Ｎ１＞Ｎ２となるように各透光性樹脂モールドの材
料を選定する。一例として、第１の透光性樹脂を屈折率
Ｎ１が１．５５のエポキシ樹脂で形成する。また、第２
の透光性樹脂として屈折率Ｎ２が１．５２のポリエステ
ルを使用する。その他の第１の透光性樹脂と第２の透光
性樹脂の組み合わせ例を表１に示す。エポキシ樹脂、ポ
リエステル以外の物質の屈折率は、例えばポリスチレン
は１．５８、ポリメタクリ酸メチルは１．４７である。
をＮ１、第２の透光性樹脂の屈折率をＮ２とするとき
に、Ｎ１＞Ｎ２となるように各透光性樹脂モールドの材
料を選定する。一例として、第１の透光性樹脂を屈折率
Ｎ１が１．５５のエポキシ樹脂で形成する。また、第２
の透光性樹脂として屈折率Ｎ２が１．５２のポリエステ
ルを使用する。その他の第１の透光性樹脂と第２の透光
性樹脂の組み合わせ例を表１に示す。エポキシ樹脂、ポ
リエステル以外の物質の屈折率は、例えばポリスチレン
は１．５８、ポリメタクリ酸メチルは１．４７である。
【００２０】
【表１】
【００２１】次に、図２の構成の半導体発光装置におけ
る出力光の特性について説明する。例えば、ＬＥＤチッ
プ１から左斜め上方向に発射された出力光は、第１の透
光性樹脂モールド６ａと第２の透光性樹脂モールド６ｂ
との界面で屈折して第２の透光性樹脂モールド６ｂ内を
進行し、更に第２の透光性樹脂モールド６ｂと大気との
界面で屈折して外部に出力光ｒｐとして放射される。
る出力光の特性について説明する。例えば、ＬＥＤチッ
プ１から左斜め上方向に発射された出力光は、第１の透
光性樹脂モールド６ａと第２の透光性樹脂モールド６ｂ
との界面で屈折して第２の透光性樹脂モールド６ｂ内を
進行し、更に第２の透光性樹脂モールド６ｂと大気との
界面で屈折して外部に出力光ｒｐとして放射される。
【００２２】ここで、第１の透光性樹脂モールド６ａ
は、基板２の略中央部に搭載された発光源のＬＥＤチッ
プ１に対して、外側に凸状に突出したド−ム状に形成さ
れている。このため、第１の透光性樹脂モールド６ａと
第２の透光性樹脂モールド６ｂとの界面の入射角θｘ
（法線Ｃａと出力光とのなす角）が小さくなる。
は、基板２の略中央部に搭載された発光源のＬＥＤチッ
プ１に対して、外側に凸状に突出したド−ム状に形成さ
れている。このため、第１の透光性樹脂モールド６ａと
第２の透光性樹脂モールド６ｂとの界面の入射角θｘ
（法線Ｃａと出力光とのなす角）が小さくなる。
【００２３】第１の透光性樹脂モールド６ａを構成する
材料の屈折率Ｎ１は、第２の透光性樹脂モールド６ｂを
構成する材料の屈折率Ｎ２よりも大きいので、第１の透
光性樹脂モールド６ａの形状によっては、第１の透光性
樹脂モールド６ａと第２の透光性樹脂モールド６ｂとの
界面で出力光が全反射することが有りうる。
材料の屈折率Ｎ１は、第２の透光性樹脂モールド６ｂを
構成する材料の屈折率Ｎ２よりも大きいので、第１の透
光性樹脂モールド６ａの形状によっては、第１の透光性
樹脂モールド６ａと第２の透光性樹脂モールド６ｂとの
界面で出力光が全反射することが有りうる。
【００２４】しかしながら、図２の構成では第１の透光
性樹脂モールド６ａは外側に凸状に突出したド−ム状に
形成しているので、前記のように両者の界面の入射角θ
ｘが小さくなる。このため、ＬＥＤチップ１の出力光は
全反射することなく第２の透光性樹脂モールド６ｂ内を
進行し、第２の透光性樹脂モールド６ｂ内に取り出され
る光量が増大する。
性樹脂モールド６ａは外側に凸状に突出したド−ム状に
形成しているので、前記のように両者の界面の入射角θ
ｘが小さくなる。このため、ＬＥＤチップ１の出力光は
全反射することなく第２の透光性樹脂モールド６ｂ内を
進行し、第２の透光性樹脂モールド６ｂ内に取り出され
る光量が増大する。
【００２５】また、発光源のＬＥＤチップ１に対して外
側に凸部を形成する凸レンズとして作用するので、ＬＥ
Ｄチップ１から左斜め上方向に発射される出力光も、Ｌ
ＥＤチップ１の真上に放射される出力光ｒｃとほぼ平行
な出力光ｒｐとして形成される。ＬＥＤチップ１から右
斜め上方向に発射される出力光も、同様にＬＥＤ素子１
の真上に放射される出力光ｒｃとほぼ平行な出力光ｒｑ
として形成される。
側に凸部を形成する凸レンズとして作用するので、ＬＥ
Ｄチップ１から左斜め上方向に発射される出力光も、Ｌ
ＥＤチップ１の真上に放射される出力光ｒｃとほぼ平行
な出力光ｒｐとして形成される。ＬＥＤチップ１から右
斜め上方向に発射される出力光も、同様にＬＥＤ素子１
の真上に放射される出力光ｒｃとほぼ平行な出力光ｒｑ
として形成される。
【００２６】このように、図２の構成のチップ型発光装
置１０ａにおいては、内側に形成される第１の透光性樹
脂モールド６ａを構成する材料の屈折率Ｎ１を、外側に
形成される第２の透光性樹脂モールド６ｂを構成する材
料の屈折率Ｎ２よりも大きくしているので、ＬＥＤチッ
プ１の出力光は外側に拡散しない。このため、光度分布
の特性は、図８の特性のようにＬＥＤチップ１の真上方
向（実装面と平行な方向）の指向性が狭く形成され、こ
の方向の光度を向上させることができる。
置１０ａにおいては、内側に形成される第１の透光性樹
脂モールド６ａを構成する材料の屈折率Ｎ１を、外側に
形成される第２の透光性樹脂モールド６ｂを構成する材
料の屈折率Ｎ２よりも大きくしているので、ＬＥＤチッ
プ１の出力光は外側に拡散しない。このため、光度分布
の特性は、図８の特性のようにＬＥＤチップ１の真上方
向（実装面と平行な方向）の指向性が狭く形成され、こ
の方向の光度を向上させることができる。
【００２７】また、図２の構成の半導体発光装置１０ａ
は、外側に形成される第２の透光性樹脂モールド６ｂの
形状を矩形状としているので、自動実装の際にマウンタ
−の吸着ノズルを特殊な形状とする必要がなく、この点
では製造コストの上昇を抑制することができ、自動実装
を制約なく実施することができる。
は、外側に形成される第２の透光性樹脂モールド６ｂの
形状を矩形状としているので、自動実装の際にマウンタ
−の吸着ノズルを特殊な形状とする必要がなく、この点
では製造コストの上昇を抑制することができ、自動実装
を制約なく実施することができる。
【００２８】なお、半導体発光装置１０ａを製造する際
には、ＬＥＤチップ１を電極パタ−ン３のパッド部３ａ
にダイボンデングで搭載し、ＬＥＤチップ１の電極と接
続されている金属線５を電極パタ−ン４のパッド部４ａ
にワイヤボンデングする。次に、適宜の金型を用いてド
−ム状の第１の透光性樹脂モールド６ａをモ−ルド成型
してＬＥＤチップ１を封止し、続いて第１の透光性樹脂
モールド６ａの外側に矩形状の第２の透光性樹脂モール
ド６ｂをモ−ルド成型する。
には、ＬＥＤチップ１を電極パタ−ン３のパッド部３ａ
にダイボンデングで搭載し、ＬＥＤチップ１の電極と接
続されている金属線５を電極パタ−ン４のパッド部４ａ
にワイヤボンデングする。次に、適宜の金型を用いてド
−ム状の第１の透光性樹脂モールド６ａをモ−ルド成型
してＬＥＤチップ１を封止し、続いて第１の透光性樹脂
モールド６ａの外側に矩形状の第２の透光性樹脂モール
ド６ｂをモ−ルド成型する。
【００２９】図１は、本発明の別の実施の形態に係る半
導体発光装置１０を示す縦断正面図である。図１の半導
体発光装置１０においては、第１、第２の電極パターン
３、４の一端３Ｘ、４Ｘは、基板２の両端に形成されて
いる切欠き７Ｘ、８Ｘを覆い、第２の透光性樹脂モール
ド６ｂの両端面は、基板２の端面の位置まで延在されて
いる。この切欠き７Ｘ、８Ｘは、長穴状のものでも、ま
た、図４に示したような半円状のものでも良い。
導体発光装置１０を示す縦断正面図である。図１の半導
体発光装置１０においては、第１、第２の電極パターン
３、４の一端３Ｘ、４Ｘは、基板２の両端に形成されて
いる切欠き７Ｘ、８Ｘを覆い、第２の透光性樹脂モール
ド６ｂの両端面は、基板２の端面の位置まで延在されて
いる。この切欠き７Ｘ、８Ｘは、長穴状のものでも、ま
た、図４に示したような半円状のものでも良い。
【００３０】図１の構成の半導体発光装置１０は、切欠
き７Ｘ、８Ｘを第１、第２の電極パターン３、４の一端
３Ｘ、４Ｘで覆うので、第２の透光性樹脂モールド６ｂ
をモ−ルド成型する際に、切欠き７Ｘ、８Ｘ内への樹脂
の流入を防止することができる。また、第２の透光性樹
脂モールド６ｂの長さ方向の寸法が増大するので、特に
超小型の半導体発光装置を自動実装する際の処理が容易
となる利点がある。
き７Ｘ、８Ｘを第１、第２の電極パターン３、４の一端
３Ｘ、４Ｘで覆うので、第２の透光性樹脂モールド６ｂ
をモ−ルド成型する際に、切欠き７Ｘ、８Ｘ内への樹脂
の流入を防止することができる。また、第２の透光性樹
脂モールド６ｂの長さ方向の寸法が増大するので、特に
超小型の半導体発光装置を自動実装する際の処理が容易
となる利点がある。
【００３１】なお、図１、図２の例では、ＬＥＤチップ
の真上方向（実装面と平行な方向）の指向性を狭くし
て、この方向の光度を向上させているが、半導体発光装
置１０を図１、図２の位置から９０度回転した方向で実
装する場合には、ＬＥＤチップの真横方向（実装面と平
行な方向）の指向性を狭くして、この方向の光度を向上
させることができる。
の真上方向（実装面と平行な方向）の指向性を狭くし
て、この方向の光度を向上させているが、半導体発光装
置１０を図１、図２の位置から９０度回転した方向で実
装する場合には、ＬＥＤチップの真横方向（実装面と平
行な方向）の指向性を狭くして、この方向の光度を向上
させることができる。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の特徴によ
れば、ＬＥＤチップをド−ム状の第１の透光性樹脂モー
ルドで覆い、第１の透光性樹脂の屈折率を第２の透光性
樹脂の屈折率よりも大きく選定しているので、ＬＥＤチ
ップから発射される出力光を外部に拡散させることなく
実装方向と平行な方向の光量を増大させることができ、
また、この方向の指向性を狭くして光度を向上させるこ
とができる。
れば、ＬＥＤチップをド−ム状の第１の透光性樹脂モー
ルドで覆い、第１の透光性樹脂の屈折率を第２の透光性
樹脂の屈折率よりも大きく選定しているので、ＬＥＤチ
ップから発射される出力光を外部に拡散させることなく
実装方向と平行な方向の光量を増大させることができ、
また、この方向の指向性を狭くして光度を向上させるこ
とができる。
【００３３】また、矩形状に形成された第２の透光性樹
脂モールドの両端部を基板端部に延在させているので、
第２の透光性樹脂モールドの長さ方向の寸法が増大し、
自動実装する際の処理が容易となる
脂モールドの両端部を基板端部に延在させているので、
第２の透光性樹脂モールドの長さ方向の寸法が増大し、
自動実装する際の処理が容易となる
【図１】本発明の実施の形態に係る半導体発光装置を示
す縦断正面図である。
す縦断正面図である。
【図２】本発明の別の実施の形態に係る半導体発光装置
を示す縦断正面図である。
を示す縦断正面図である。
【図３】従来例の半導体発光装置の概略の斜視図であ
る。
る。
【図４】従来例の半導体発光装置の概略の斜視図であ
る。
る。
【図５】図３の矢視Ａ−Ａ方向でみた縦断正面図であ
る。
る。
【図６】従来例の半導体発光装置の縦断正面図である。
【図７】図３の半導体発光装置の光度分布を示す特性図
である。
である。
【図８】図６の半導体発光装置の光度分布を示す特性図
である。
である。
１ ＬＥＤチップ ２ 基板 ３、４ 一対の電極パターン ３Ｘ、４Ｘ 一対の電極パターンの張り出し部 ５ 金属線 ６ａ 第１の透光性樹脂モールド ６ｂ 第２の透光性樹脂モールド ７Ｘ、８Ｘ 切欠き １０ チップ型発光装置
Claims (1)
- 【請求項１】 両端に切欠きを形成した基板と、基板上
に形成され、一端が前記切欠きを覆う一対の電極パター
ンと、基板表面の略中央部に搭載される発光ダイオ−ド
（ＬＥＤ）チップと、前記ＬＥＤチップを封止する透光
性樹脂モールドとを備える半導体発光装置において、前
記透光性樹脂モールドを、ＬＥＤチップを覆うド−ム状
の第１の透光性樹脂モールドと、前記ド−ム状の第１の
透光性樹脂モールドの外側に配置される矩形状の第２の
透光性樹脂モールドで形成し、第１の透光性樹脂の屈折
率を第２の透光性樹脂の屈折率よりも大きく選定すると
共に、第２の透光性樹脂モールドの両端部を基板端部に
延在させたことを特徴とするチップ型発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28960699A JP2001111115A (ja) | 1999-10-12 | 1999-10-12 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28960699A JP2001111115A (ja) | 1999-10-12 | 1999-10-12 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001111115A true JP2001111115A (ja) | 2001-04-20 |
Family
ID=17745428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28960699A Pending JP2001111115A (ja) | 1999-10-12 | 1999-10-12 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001111115A (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| KR20040044701A (ko) * | 2002-11-21 | 2004-05-31 | 삼성전기주식회사 | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 |
| KR20050054468A (ko) * | 2003-12-04 | 2005-06-10 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 광학 반도체 장치 |
| KR100621154B1 (ko) | 2005-08-26 | 2006-09-07 | 서울반도체 주식회사 | 발광 다이오드 제조방법 |
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| KR100634302B1 (ko) | 2004-09-09 | 2006-10-16 | 서울반도체 주식회사 | 발광 다이오드 |
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| KR100731678B1 (ko) | 2006-05-08 | 2007-06-22 | 서울반도체 주식회사 | 칩형 발광 다이오드 패키지 및 그것을 갖는 발광 장치 |
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| WO2012092808A1 (zh) * | 2011-01-05 | 2012-07-12 | 深圳市众明半导体照明有限公司 | 一种led模组及照明装置 |
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| US10340424B2 (en) | 2002-08-30 | 2019-07-02 | GE Lighting Solutions, LLC | Light emitting diode component |
-
1999
- 1999-10-12 JP JP28960699A patent/JP2001111115A/ja active Pending
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