KR100621154B1 - 발광 다이오드 제조방법 - Google Patents

발광 다이오드 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100621154B1
KR100621154B1 KR1020050078784A KR20050078784A KR100621154B1 KR 100621154 B1 KR100621154 B1 KR 100621154B1 KR 1020050078784 A KR1020050078784 A KR 1020050078784A KR 20050078784 A KR20050078784 A KR 20050078784A KR 100621154 B1 KR100621154 B1 KR 100621154B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
molding
emitting diode
manufacturing
agent
Prior art date
Application number
KR1020050078784A
Other languages
English (en)
Inventor
이상민
김원일
Original Assignee
서울반도체 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to KR1020050078784A priority Critical patent/KR100621154B1/ko
Application filed by 서울반도체 주식회사 filed Critical 서울반도체 주식회사
Priority to JP2008527836A priority patent/JP4878053B2/ja
Priority to EP10190796.2A priority patent/EP2284913B1/en
Priority to EP06783634.6A priority patent/EP1922762B1/en
Priority to EP17162555.1A priority patent/EP3200246A1/en
Priority to CNB2006800363831A priority patent/CN100570913C/zh
Priority to US12/064,950 priority patent/US7704761B2/en
Priority to PCT/KR2006/003227 priority patent/WO2007024069A1/en
Priority to TW095131318A priority patent/TWI307976B/zh
Application granted granted Critical
Publication of KR100621154B1 publication Critical patent/KR100621154B1/ko
Priority to US12/718,465 priority patent/US8053259B2/en

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
    • B29C45/26—Moulds
    • B29C45/27—Sprue channels ; Runner channels or runner nozzles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
    • B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
    • B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/16—Making multilayered or multicoloured articles
    • B29C45/1671—Making multilayered or multicoloured articles with an insert
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/0053—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor combined with a final operation, e.g. shaping
    • B29C45/0055—Shaping
    • B29C2045/0058—Shaping removing material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
    • B29C45/26—Moulds
    • B29C45/27—Sprue channels ; Runner channels or runner nozzles
    • B29C45/2701—Details not specific to hot or cold runner channels
    • B29C45/2708—Gates
    • B29C2045/2712—Serial gates for moulding articles in successively filled serial mould cavities
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/0053—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor combined with a final operation, e.g. shaping
    • B29C45/0055—Shaping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/02—Transfer moulding, i.e. transferring the required volume of moulding material by a plunger from a "shot" cavity into a mould cavity
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
    • B29K2995/00—Properties of moulding materials, reinforcements, fillers, preformed parts or moulds
    • B29K2995/0018—Properties of moulding materials, reinforcements, fillers, preformed parts or moulds having particular optical properties, e.g. fluorescent or phosphorescent
    • B29K2995/0025—Opaque
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
    • B29K2995/00—Properties of moulding materials, reinforcements, fillers, preformed parts or moulds
    • B29K2995/0018—Properties of moulding materials, reinforcements, fillers, preformed parts or moulds having particular optical properties, e.g. fluorescent or phosphorescent
    • B29K2995/0026—Transparent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/32257—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic the layer connector connecting to a bonding area disposed in a recess of the surface of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12042—LASER
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)

Abstract

본 발명은 발광 다이오드의 제조방법에 관한 것이며, 특히 백라이트용 광원으로 사용하기에 적절한 발광 다이오드로서, 종래의 제조 방법을 개선하여 발광 다이오드의 두께를 보다 얇게 형성할 수 있는 발광 다이오드 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 제조 방법은 기판을 준비하는 단계와, 기판의 소정 위치에 발광칩을 실장하는 단계와, 발광칩을 덮도록 투명 몰딩제로 1차 몰딩하는 단계와, 투명 몰딩제를 덮도록 불투명 몰딩제로 2차 몰딩하는 단계와, 투명 몰딩제가 드러나도록 불투명 몰딩제를 연마가공하는 단계 및 개별 발광 다이오드로 소잉(sawing)하는 단계를 포함한다.
발광 다이오드, 리플렉터형, 칩형, 제조 방법

Description

발광 다이오드 제조방법{Manufacturing method of light emitting diode}
도1은 종래의 리플렉터 타입 사이드 뷰(side view)용 발광 다이오드의 사시도를 나타낸다.
도2는 종래의 칩 타입 탑 뷰(top view)용 발광 다이오드의 사시도를 나타낸다.
도3a 내지 도3e는 본 발명에 따른 사이드 뷰용 발광 다이오드 제조방법을 나타낸다.
도4는 본 발명의 제조방법에 따른 발광 다이오드의 소잉전 평면도를 나타낸다.
도5 및 도6은 각각 본 발명의 제조방법에 따라 소잉 공정이 완료된 발광 다이오드의 단면도 및 평면도를 나타낸다.
도7은 본 발명의 제조방법에 따라 제조된 사이드 뷰용 발광용 발광 다이오드의 사시도를 나타낸다.
*도면의 주요 부분에 대한 설명*
31 : 인쇄회로기판 32 : 발광칩
33 : 와이어 34 : 투명 몰딩제
35 : 불투명 몰딩제
본 발명은 발광 다이오드(LED)의 제조방법에 관한 것이다.
보다 구체적으로, 본 발명은 발광 다이오드의 제조방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 백라이트용 광원으로 사용하기에 적절한 발광 다이오드로서, 종래의 제조 방법을 개선하여 발광 다이오드의 두께를 보다 얇게 형성할 수 있는 발광 다이오드 제조방법에 관한 것이다.
종래의 백라이트 광원용 발광 다이오드로는 도1에 도시된 바와 같은 리플렉터(reflector) 타입과 도2에 도시된 바와 같은 칩(chip) 타입이 있다.
도1의 리플렉터 타입은 리드 프레임에 합성수지 등의 재질로 리플렉터, 즉 반사부를 형성하고 발광칩을 실장하고, 발광칩을 와이어 본딩 한 후 그 위에 발광칩 및 와이어를 보호하기 위한 투명 몰딩부, 예컨대 액상 에폭시 또는 실리콘 수지를 몰딩 또는 성형함으로써 형성하였다.
도2의 칩 타입은 전극들이 형성되어 있는 발광 다이오드용 인쇄회로기판의 소정 위치에 발광칩을 실장하고, 발광칩과 인쇄회로기판의 전극들을 와이어 본딩으로 연결한 후 트랜스퍼 몰딩(transfer molding), 또는 인젝션 몰딩(injection molding)에 의해 발광칩과 와이어를 보호하기 위한 투명 몰딩부를 형성한 후 소잉(sawing) 공정을 통해 개별 발광 다이오드로 절단함으로써 제조하게 된다.
그러나, 도1의 리플렉터 타입은, 반사부에 의해 방사각이 좁혀져 광효율을 높일 수 있다는 장점이 있으나, 제조 방법 측면에서 생산성이 떨어져 비용과 양산성 측면에서 칩 타입에 비해 불리하다. 또한, 리플렉터의 사출금형의 한계로 인하여 제품의 두께를 줄이는데는 한계가 있다.
또한, 도2의 칩 타입은, 그 제조 방법 측면에서 비용이 적게 들고 대량생산이 쉽다는 장점이 있는 반면에, 방사각이 넓어 빛이 정면뿐만 아니라 측면으로도 퍼지기 때문에 정면으로 향하는 빛의 양이 리플렉터 타입보다 적어 광효율이 떨어지는 단점이 있다. 또한, 도2의 칩 타입에 접착 방식으로 리플렉터를 기판에 접착할 경우 그 틈새로 빛이 샐 수 있고, 접착제 신뢰성에 따라 리플로우(reflow) 중에 가해지는 고열에서 접착력이 저하되어 불량이 발생할 가능성이 높아진다.
이와 관련하여, 특허공개번호 2004-92838호는 방사각을 좁혀 광이용효율을 높이기 위한 리플렉터형 발광 다이오드 및 그 제조 방법을 개시하고 있다. 여기에 개시된 제조 방법 역시 제품의 두께를 줄이는 데는 한계가 있다.
본 발명은 발광 다이오드, 그 중에서도 특히 사이드뷰용 제품의 두께를 얇게 하여 0.4t 이하의 두께를 갖는 사이드 뷰용 발광다이오드를 대량생산할 수 있는 발광 다이오드 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 스크린 인쇄와 트랜스퍼 몰딩으로 몰딩 공정을 수행함으로써 접착의 신뢰성을 확보하고, 생산성이 대폭 향상된 발광 다이오드 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 측면에 따른 발광 다이오드 제조 방법은, 기판을 준비하는 단계; 상기 기판의 소정 위치에 발광칩을 실장하는 단계; 상기 발광칩을 덮도록 투명 몰딩제로 1차 몰딩하는 단계; 상기 투명 몰딩제를 덮도록 불투명 몰딩제로 2차 몰딩하는 단계; 상기 투명 몰딩제가 드러나도록 상기 불투명 몰딩제를 제거하는 단계 및 개별 발광 다이오드로 소잉(sawing)하는 단계를 포함한다.
본 발명의 다른 측면에 따른 발광 다이오드 제조 방법은, 기판을 준비하는 단계; 상기 기판의 소정 위치에 발광칩을 실장하는 단계; 상기 발광칩을 덮도록 투명 몰딩제로 1차 몰딩하는 단계; 상기 투명 몰딩제의 상부면을 덮지 않도록 불투명 몰딩제를 2차 몰딩하는 단계 및 개별 발광 다이오드로 소잉(sawing)하는 단계를 포함한다.
본 발명의 또 다른 측면에 따른 발광 다이오드 제조 방법은 기판을 준비하는 단계; 상기 기판의 소정 위치에 발광칩을 실장하는 단계; 상기 발광칩 둘레에 소정 측벽을 형성하도록 불투명 몰딩제로 1차 몰딩하는 단계; 상기 측벽 내에 위치한 상기 발광칩을 봉지하도록 투명 몰딩제로 2차 몰딩하는 단계 및 개별 발광 다이오드로 소잉(sawing)하는 단계를 포함한다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다.
도3a 내지 도3e는 본 발명에 따른 발광 다이오드 제조방법을 나타낸다.
도3a와 같이, 발광 다이오드용 인쇄회로기판(31)을 준비한다. 인쇄회로기판(31)에는 발광칩(32)의 전기 접속을 위한 전극(미도시)이 소정 위치에 형성되어 있 어야 한다.
그리고 나서, 도3b와 같이, 인쇄회로기판(31)의 전극 위치에 각각 발광칩(32)들을 실장하고, 발광칩(32) 들을 와이어 본딩에 의해 인쇄회로기판(31) 상의 대응하는 전극과 각각 연결시킨다.
도3c에서, 발광칩(32)과 와이어(33)를 봉지하기 위하여, 투명 몰딩제(34)로 1차 몰딩을 실시한다. 이때 1차 몰딩에 사용되는 투명 몰딩제(34)는 에폭시나 실리콘 수지를 사용할 수 있다. 또한, 투명 몰딩제(34)에 백색광을 형성할 수 있도록 형광체나 확산제를 일부 섞어서 사용할 수 있다.
투명 몰딩제(34)는 열이나 UV 조사 등에 의해 경화가 되는 수지를 사용하며, 마스크를 이용하거나 스크린 인쇄로 필요한 형태로 성형한 뒤에 열이나 UV 조사를 통해 경화시킨다. 한편, 상기 투명 몰딩제는 트랜스퍼 몰딩 또는 인젝션 몰딩에 의할 수도 있다.
그리고 나서, 도3d와 같이, 투명 몰딩제(34)를 포함한 기판 전체를 덮도록, 불투명 몰딩제(35)를 도포한다. 불투명 몰딩제(35)로는 PPA와 같은 불투명한 내열성 수지가 사용될 수 있다.
불투명 몰딩제(35)의 성형 방법으로는 스크린 인쇄, 트랜스퍼 몰딩이나 인젝션 몰딩 방법으로 형성하거나, 또는 격벽을 가진 성형기로 몰딩제의 상부를 누른 후 경화시켜 불투명 몰딩제(35)를 형성하고, 성형 후에 열이나 UV에 의해 경화하는 방법을 사용할 수 있다.
트랜스퍼 몰딩은 고체 형태의 태블릿을 고온 고압에서 가공하는 방법이고, 인젝션 몰딩은 틀에 액상 수지를 주입한 뒤에 열경화시키는 가공 방법이다.
그리고 나서, 도3e에 도시된 바와 같이, 불투명 몰딩제(35)의 상면을 투명 몰딩제(34)가 드러날 때까지 연마 혹은 폴리싱 가공 한다.
실시예에 따라서는 불투명 몰딩제(35)를 몰딩할 때, 트랜스퍼 몰딩 또는 인젝션 몰딩에 의해 투명 몰딩제(34)의 상부면을 덮지 않도록 몰딩하면 연마 또는 폴리싱 공정을 생략할 수도 있다.
상기 실시예에서는 1차 몰딩시 투명 몰딩제를 이용하여, 발광칩과 와이어를 봉지한 후, 2차 몰딩시 불투명 몰딩제를 도포하는 것을 설명하고 있으나, 이와는 반대로, 1차 몰딩시 불투명 몰딩제를 이용하여 발광칩과 와이어의 둘레에 측벽을 형성한 후, 2차 몰딩시 투명 몰딩제를 이용하여 발광칩과 와이어를 봉지할 수도 있다.
도4는 연마 또는 폴리싱 공정이 완료된 기판의 상면도를 나타낸다. 상면에는 발광칩(32)를 덮고 있는 투명 몰딩제(34)와 기타 부분을 덮고 있는 불투명 몰딩제(35)가 보인다. 제조 공정에 따라 한 기판에서 생산될 수 있는 발광 다이오드의 수는 가변적이다.
그리고 나서, 기판을 개별 발광 다이오드로 소잉(sawing) 공정에 의해 절단한다. 소잉 공정은 블레이드 또는 레이저를 사용하여 수행할 수 있다.
소잉 공정 후에는 커팅된 면을 클리닝하는 공정이 필수적이다.
도5 및 도6은 각각 소잉 공정이 완료된 본 발명에 따른 발광 다이오드의 단면도 및 평면도이다.
도5와 도6를 참조하면, 불투명 몰딩제(35)는 반사부를 구성하며, 발광칩(32)에서 발광되는 빛 중 측면으로 방사된 빛은 불투명 몰딩제(35)에 의해 반사되고 상방으로 방사된 빛은 직접 발광 다이오드의 상방으로 출력된다.
도7은 본 발명에 따른 제조방법에 의해 제조된 발광 다이오드의 발광 형태를 나타내며, 도7에 도시된 바와 같이 발광칩(32)에서 방사되는 빛의 방사각이 약 120도 정도로 좁혀져 광효율이 향상된다.
본 발명에 따른 발광 다이오드를 사이드 뷰용으로 사용하기 위해서는 이와 같이 제조된 발광 다이오드를 기판상에 도7에 도시된 형태로 옆으로 눕혀서 실장한다.
실시예에 따라서는, 도7과 달리 기판상에 본 발명에 따른 발광 다이오드를 실장할 때 발광부가 인쇄회로기판의 상방을 향하도록 실장하여 사이드 뷰가 아닌 탑 뷰 방식으로 사용할 수도 있다. 이때도 방사각이 120도 정도가 되기 때문에 상방으로의 광 출력이 일반적인 칩형 탑 뷰용 발광다이오드보다 높은 광도를 얻을 수 있다.
실시예에 따라서는, 발광칩(32)으로 블루칩을 사용하고 투명 몰딩제(34)에 형광체를 섞어서 백색광을 출력하는 발광 다이오드를 만들 수 있고 레드, 그린, 블 루 등의 칩을 사용해 다양한 컬러를 출력하는 발광 다이오드를 구현할 수도 있다.
발광칩(32)으로 블루칩을 사용하는 경우는 발광하는 발광칩 위에 그 광의 일부를 여기원으로서 황록색 또는 황색 발광하는 형광체를 부착시켜 발광칩의 청색 발광과 형광체의 황록색 또는 황색 발광에 의해 백색을 얻을 수 있다.
또한, 실시예에 따라서는, 발광칩(32)으로 레드, 그린, 블루 등의 칩을 복수개 사용할 수도 있는데 이 경우는 일부와 형광체에 의해 파장 변환된 2차 발광이 혼색되어 백색광을 구현할 수 있다.
본 발명에 따라 제조되는 발광 다이오드는 종래의 칩 타입 사이드 뷰용 발광 다이오드에 비해 방사각을 100~130도로 줄여 필요 없는 부분으로까지 발광되는 빛의 양을 줄여 발광 다이오드의 광이용 효율을 높일 수 있다.
본 발명의 발광 다이오드 제조방법에 따르면, 종래의 제조 방법에 의할 경우 리플렉터형 사이드 뷰용 발광 다이오드에서는 사출 금형에서의 한계 때문에 두께를 낮출 수 없었던 것을 제품을 블레이드 또는 레이저로 소잉 공정에 의해 처리함으로써 두께를 0.35t 이하로 줄일 수 있다.
본 발명의 발광 다이오드 제조방법에 따르면, 발광 다이오드의 두께를 줄임으로써 완제품인 백라이트용 장치의 두께를 줄일 수 있다.
실시예에 따라서는 투명 몰딩제(34)에 형광체를 혼합하여 다양한 색의 광을 출력하는 발광 다이오드를 만들 수 있고 발광칩은 예컨대 적색, 녹색, 청색 등의 다양한 색의 발광칩을 사용하여 발광 다이오드를 구현할 수도 있다. 발광칩(32)으로 청색 발광칩을 사용하는 경우에는 발광칩 위에 황록색 또는 황색 발광하는 형광체를 부착시켜 발광칩의 청색 발광과 형광체의 황록색 또는 황색 발광이 혼합되어 백색광을 얻을 수 있다.
　 또한, 실시예에 따라서는 발광칩으로 적색, 녹색, 청색 등의 칩을 복수개 사용할 수도 있으며 이 경우에 형광체를 더 포함하여 다양한 색의 광을 얻을 수도 있다. 본 발명의 발광 다이오드 제조방법에 따르면, 몰딩제를 도팅하는 방법이 아닌 트랜스퍼 몰딩, 혹은 인젝션 몰딩에 의해 한 번의 공정으로 수행함으로써 대량 생산에 훨씬 유리하다.
이상 본 발명을 실시예를 참조하여 설명하였으나, 이상의 설명한 실시예들은 하나의 예시로서, 본 발명의 범위는 이하의 특허청구범위에 의해 정해지고, 당업자들은 본 발명의 범위에 속하는 범위 내에서 위 실시예 들에 다양한 변형 가할 수 있음을 이해할 것이며, 이들은 모두 본 발명의 범위에 포함된다.

Claims (5)

  1. 기판을 준비하는 단계;
    상기 기판의 소정 위치에 발광칩을 실장하는 단계;
    상기 발광칩을 덮도록 투명 몰딩제로 1차 몰딩하는 단계;
    상기 투명 몰딩제를 덮도록 불투명 몰딩제로 2차 몰딩하는 단계;
    상기 투명 몰딩제가 드러나도록 상기 불투명 몰딩제를 제거하는 단계 및
    개별 발광 다이오드로 소잉(sawing)하는 단계를 포함하는 발광 다이오드 제조 방법.
  2. 기판을 준비하는 단계;
    상기 기판의 소정 위치에 발광칩을 실장하는 단계;
    상기 발광칩을 덮도록 투명 몰딩제로 1차 몰딩하는 단계;
    상기 투명 몰딩제의 상부면을 덮지 않도록 불투명 몰딩제를 2차 몰딩하는 단계 및
    개별 발광 다이오드로 소잉(sawing)하는 단계를 포함하는 발광 다이오드 제조 방법.
  3. 기판을 준비하는 단계;
    상기 기판의 소정 위치에 발광칩을 실장하는 단계;
    상기 발광칩 둘레에 소정 측벽을 형성하도록 불투명 몰딩제로 1차 몰딩하는 단계;
    상기 측벽 내에 위치한 상기 발광칩을 봉지하도록 투명 몰딩제로 2차 몰딩하는 단계 및
    개별 발광 다이오드로 소잉(sawing)하는 단계를 포함하는 발광 다이오드 제조 방법.
  4. 제1항 내지 제3항중 어느 한 항에 있어서,
    상기 1차 몰딩은 스크린 인쇄, 트랜스퍼 몰딩 또는 인젝션 몰딩으로 하는 발광 다이오드 제조 방법.
  5. 제1항 내지 제3항중 어느 한 항에 있어서,
    상기 2차 몰딩은 스크린 인쇄, 트랜스퍼 몰딩 또는 인젝션 몰딩으로 몰딩하는 발광 다이오드 제조 방법.
KR1020050078784A 2005-08-26 2005-08-26 발광 다이오드 제조방법 KR100621154B1 (ko)

Priority Applications (10)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050078784A KR100621154B1 (ko) 2005-08-26 2005-08-26 발광 다이오드 제조방법
EP10190796.2A EP2284913B1 (en) 2005-08-26 2006-08-17 Manufacturing method of light emitting diode
EP06783634.6A EP1922762B1 (en) 2005-08-26 2006-08-17 Manufacturing method of light emitting diode
EP17162555.1A EP3200246A1 (en) 2005-08-26 2006-08-17 Manufacturing method of light emitting diode
JP2008527836A JP4878053B2 (ja) 2005-08-26 2006-08-17 発光ダイオードの製造方法
CNB2006800363831A CN100570913C (zh) 2005-08-26 2006-08-17 发光二极管的制造方法
US12/064,950 US7704761B2 (en) 2005-08-26 2006-08-17 Manufacturing method of light emitting diode
PCT/KR2006/003227 WO2007024069A1 (en) 2005-08-26 2006-08-17 Manufacturing method of light emitting diode
TW095131318A TWI307976B (en) 2005-08-26 2006-08-25 Manufacturing method of light emitting diode
US12/718,465 US8053259B2 (en) 2005-08-26 2010-03-05 Manufacturing method of light emitting diode

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050078784A KR100621154B1 (ko) 2005-08-26 2005-08-26 발광 다이오드 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100621154B1 true KR100621154B1 (ko) 2006-09-07

Family

ID=37624488

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050078784A KR100621154B1 (ko) 2005-08-26 2005-08-26 발광 다이오드 제조방법

Country Status (6)

Country Link
US (2) US7704761B2 (ko)
EP (3) EP3200246A1 (ko)
JP (1) JP4878053B2 (ko)
KR (1) KR100621154B1 (ko)
CN (1) CN100570913C (ko)
WO (1) WO2007024069A1 (ko)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008100991A1 (en) * 2007-02-13 2008-08-21 3M Innovative Properties Company Led devices having lenses and methods of making same
KR101037371B1 (ko) 2009-03-16 2011-05-26 이익주 엘이디 제조방법
KR101155968B1 (ko) 2009-09-28 2012-06-18 선문대학교 산학협력단 엘이디 램프 및 그 제조방법
KR101317952B1 (ko) 2013-02-15 2013-10-16 주식회사 썬엘이디 트랜스퍼 몰드 방식을 이용한 ｌｅｄ모듈의 칩온보드 댐 제조방법 및 그 제조방법에 의한 ｌｅｄ 모듈
KR101837043B1 (ko) * 2015-09-08 2018-03-12 (주)플렉스컴 이중 몰드를 이용하여 곡률반경을 제어하는 연성 패키지
WO2020101188A1 (en) * 2018-11-16 2020-05-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Display module, display apparatus, and manufacturing method of display apparatus

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8999736B2 (en) 2003-07-04 2015-04-07 Epistar Corporation Optoelectronic system
KR100621154B1 (ko) * 2005-08-26 2006-09-07 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 제조방법
US9944031B2 (en) 2007-02-13 2018-04-17 3M Innovative Properties Company Molded optical articles and methods of making same
MY149763A (en) * 2008-08-27 2013-10-14 Fuji Polymer Ind Light-emitting device and method for manufacturing same.
DE102008054029A1 (de) * 2008-10-30 2010-05-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil
JP5368809B2 (ja) 2009-01-19 2013-12-18 ローム株式会社 Ｌｅｄモジュールの製造方法およびｌｅｄモジュール
CN102339925B (zh) * 2010-07-22 2015-11-18 赛恩倍吉科技顾问（深圳）有限公司 发光元件封装方法
JP2012109291A (ja) * 2010-11-15 2012-06-07 Citizen Electronics Co Ltd Ｌｅｄ照明装置
TWI441361B (zh) * 2010-12-31 2014-06-11 Interlight Optotech Corp 發光二極體封裝結構及其製造方法
CN102147064B (zh) * 2011-01-05 2014-03-26 深圳市众明半导体照明有限公司 一种led模组及照明装置
JP2012227346A (ja) * 2011-04-19 2012-11-15 Citizen Electronics Co Ltd 半導体発光装置
KR101186559B1 (ko) * 2011-06-24 2012-10-08 포항공과대학교 산학협력단 발광 다이오드의 형광체 도포방법
CN103165765A (zh) * 2011-12-17 2013-06-19 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管制造方法
CN103531669B (zh) * 2012-07-05 2016-09-07 北京时代浩鼎科技股份有限公司 发光二极管封装结构的制造方法
JP6208967B2 (ja) * 2013-04-03 2017-10-04 アピックヤマダ株式会社 Ｌｅｄ装置の製造方法
CN104347785A (zh) * 2013-08-07 2015-02-11 广州众恒光电科技有限公司 一种模具法荧光粉胶层涂覆工艺
JP6185432B2 (ja) * 2014-06-24 2017-08-23 株式会社フジミインコーポレーテッド シリコンウェーハ研磨用組成物
JP6940784B2 (ja) * 2014-09-26 2021-09-29 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
DE102015100575A1 (de) 2015-01-15 2016-07-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen und optoelektronisches Halbleiterbauelement
WO2017126160A1 (ja) * 2016-01-19 2017-07-27 三菱電機株式会社 Ｌｅｄ表示パネル、ｌｅｄ表示装置およびｌｅｄ表示パネルの製造方法
US10431514B2 (en) * 2017-11-20 2019-10-01 Stmicroelectronics (Malta) Ltd Semiconductor packages having dual encapsulation material
CN108109993A (zh) * 2017-11-20 2018-06-01 鸿利智汇集团股份有限公司 一种csp的制造方法
CN108091749A (zh) * 2017-12-22 2018-05-29 鸿利智汇集团股份有限公司 一种csp的制造方法
CN109449274A (zh) * 2018-12-14 2019-03-08 佛山市国星光电股份有限公司 一种led器件及其制造方法
KR102579748B1 (ko) * 2019-05-08 2023-09-19 삼성전자주식회사 디스플레이 모듈 및 디스플레이 모듈 몰딩 방법
US11742437B2 (en) 2020-03-27 2023-08-29 Stmicroelectronics Ltd WLCSP with transparent substrate and method of manufacturing the same

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6276747A (ja) 1985-09-30 1987-04-08 Shindengen Electric Mfg Co Ltd 樹脂封止型半導体装置
JP2001111115A (ja) 1999-10-12 2001-04-20 Rohm Co Ltd 半導体発光装置
JP2003031854A (ja) 2001-07-13 2003-01-31 Stanley Electric Co Ltd ７セグメントｌｅｄ数字表示器およびその製造方法

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3650648A (en) * 1970-02-25 1972-03-21 Union Carbide Corp System for molding electronic components
GB2104827B (en) * 1981-07-01 1985-09-11 Kras Corp Molding of electronic components
JPS611067A (ja) * 1984-06-13 1986-01-07 Stanley Electric Co Ltd プリント基板に装着されたｌｅｄチツプのモ−ルド方法
JPH0753384B2 (ja) * 1986-07-04 1995-06-07 株式会社日立製作所 モ−ルド金型
JPS63143824A (ja) * 1986-12-08 1988-06-16 Hitachi Ltd 成形金型
JPH04111768A (ja) 1990-08-30 1992-04-13 Yamaha Corp ロボットの仕上げ加工制御装置
JPH04111768U (ja) * 1991-03-14 1992-09-29 株式会社小糸製作所 モジユールタイプｌｅｄのモールド構造
DE4204285A1 (de) * 1992-02-13 1993-08-19 Siemens Ag Herstellverfahren und spritzwerkzeug fuer auf einem metallgitterband (lead frame) angeordnete kunststoffgehaeuse von elektronikelementen
US5409362A (en) * 1992-11-24 1995-04-25 Neu Dynamics Corp. Encapsulation molding equipment
EP0632511A3 (en) * 1993-06-29 1996-11-27 Mitsubishi Cable Ind Ltd Light emitting diode module and method for its manufacture.
DE19502468A1 (de) * 1995-01-27 1996-08-01 Orga Kartensysteme Gmbh Kartennutzen für das Bedrucken von Ausweiskarten, Telefonkarten, Scheckkarten o. dgl.
JP2851589B2 (ja) * 1996-08-15 1999-01-27 日本レック株式会社 光電子部品の製造方法
JP3494586B2 (ja) * 1999-03-26 2004-02-09 アピックヤマダ株式会社 樹脂封止装置及び樹脂封止方法
JP2001009863A (ja) * 1999-06-30 2001-01-16 Rhythm Watch Co Ltd Ｉｃ及びｃｏｂの２色樹脂封止方法
JP2001168400A (ja) * 1999-12-09 2001-06-22 Rohm Co Ltd ケース付チップ型発光装置およびその製造方法
JP2002344030A (ja) * 2001-05-18 2002-11-29 Stanley Electric Co Ltd 横方向発光型面実装ｌｅｄ及びその製造方法
US6642652B2 (en) * 2001-06-11 2003-11-04 Lumileds Lighting U.S., Llc Phosphor-converted light emitting device
JP4789350B2 (ja) * 2001-06-11 2011-10-12 シチズン電子株式会社 発光ダイオードの製造方法
KR100439402B1 (ko) * 2001-12-24 2004-07-09 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지
JP2003218399A (ja) * 2002-01-22 2003-07-31 Rohm Co Ltd 反射ケース付半導体発光装置
JP4177049B2 (ja) * 2002-08-28 2008-11-05 シャープ株式会社 表面実装型側面発光ダイオードおよびその製造方法
US6682331B1 (en) * 2002-09-20 2004-01-27 Agilent Technologies, Inc. Molding apparatus for molding light emitting diode lamps
US6822326B2 (en) * 2002-09-25 2004-11-23 Ziptronix Wafer bonding hermetic encapsulation
JP5138145B2 (ja) * 2002-11-12 2013-02-06 日亜化学工業株式会社 蛍光体積層構造及びそれを用いる光源
WO2005048363A2 (en) * 2003-11-12 2005-05-26 Cree, Inc. Methods of processing semiconductor wafer backsides having light emitting devices (leds) thereon and leds so formed
JP2005223216A (ja) * 2004-02-06 2005-08-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光光源、照明装置及び表示装置
KR100621154B1 (ko) * 2005-08-26 2006-09-07 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 제조방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6276747A (ja) 1985-09-30 1987-04-08 Shindengen Electric Mfg Co Ltd 樹脂封止型半導体装置
JP2001111115A (ja) 1999-10-12 2001-04-20 Rohm Co Ltd 半導体発光装置
JP2003031854A (ja) 2001-07-13 2003-01-31 Stanley Electric Co Ltd ７セグメントｌｅｄ数字表示器およびその製造方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008100991A1 (en) * 2007-02-13 2008-08-21 3M Innovative Properties Company Led devices having lenses and methods of making same
KR101037371B1 (ko) 2009-03-16 2011-05-26 이익주 엘이디 제조방법
KR101155968B1 (ko) 2009-09-28 2012-06-18 선문대학교 산학협력단 엘이디 램프 및 그 제조방법
KR101317952B1 (ko) 2013-02-15 2013-10-16 주식회사 썬엘이디 트랜스퍼 몰드 방식을 이용한 ｌｅｄ모듈의 칩온보드 댐 제조방법 및 그 제조방법에 의한 ｌｅｄ 모듈
KR101837043B1 (ko) * 2015-09-08 2018-03-12 (주)플렉스컴 이중 몰드를 이용하여 곡률반경을 제어하는 연성 패키지
WO2020101188A1 (en) * 2018-11-16 2020-05-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Display module, display apparatus, and manufacturing method of display apparatus
KR20200057202A (ko) * 2018-11-16 2020-05-26 삼성전자주식회사 디스플레이 모듈, 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 제조 방법
US11152548B2 (en) 2018-11-16 2021-10-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Display module and display apparatus
KR102676868B1 (ko) 2018-11-16 2024-06-21 삼성전자주식회사 디스플레이 모듈, 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20100159620A1 (en) 2010-06-24
US8053259B2 (en) 2011-11-08
WO2007024069A1 (en) 2007-03-01
JP2009506530A (ja) 2009-02-12
JP4878053B2 (ja) 2012-02-15
EP1922762A1 (en) 2008-05-21
US20090004778A1 (en) 2009-01-01
US7704761B2 (en) 2010-04-27
CN100570913C (zh) 2009-12-16
EP1922762B1 (en) 2017-05-31
EP2284913A3 (en) 2012-10-17
CN101278415A (zh) 2008-10-01
EP2284913A2 (en) 2011-02-16
EP1922762A4 (en) 2010-05-19
EP3200246A1 (en) 2017-08-02
EP2284913B1 (en) 2016-11-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100621154B1 (ko) 발광 다이오드 제조방법
JP4676386B2 (ja) 側面発光型ｌｅｄパッケージ及びその製造方法
KR100723247B1 (ko) 칩코팅형 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
CN105448939A (zh) 图像模块封装及其制作方法
WO2009072786A2 (en) Led package and method for fabricating the same
JP2007005801A (ja) 金属反射層を形成したｌｅｄパッケージ及びその製造方法
JP2016532152A (ja) カバー要素の製造方法、オプトエレクトロニクス部品の製造方法、オプトエレクトロニクス部品のカバー要素およびオプトエレクトロニクス部品
US20130037826A1 (en) Led package module and manufacturing method thereof
KR20120084554A (ko) 발광소자 패키지 및 그 제조 방법
KR20140127457A (ko) 반도체 소자 구조물 및 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법
KR20150127657A (ko) 광전자 컴포넌트
JP6823262B2 (ja) 光学モジュールの製造方法及び光学モジュール
KR100462394B1 (ko) 백색 발광다이오드 및 그 제조방법
KR20110071332A (ko) Ｌｅｄ 패키지 및 그의 제조 방법
KR20090073598A (ko) Ｌｅｄ 패키지
KR100757825B1 (ko) 발광 다이오드 제조방법
KR101140081B1 (ko) Ｌｅｄ 패키지 제조방법 및 그에 의한 ｌｅｄ 패키지
US11709310B2 (en) Surface-emitting light source and method of manufacturing the same
US20130065332A1 (en) Method for manufacturing led with an encapsulant having a flat top face
KR100593161B1 (ko) 백색 발광 다이오드 및 그 제조 방법
KR100628884B1 (ko) 백색 발광다이오드 및 그 제조방법
US20240170617A1 (en) Light-emitting diode package structure and manufacturing method thereof
JP2024049207A (ja) 発光装置の製造方法及び発光装置
KR101549383B1 (ko) Led 패키지 및 그 제조방법
KR101423455B1 (ko) Led 패키지 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130604

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140619

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150608

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160601

Year of fee payment: 11