CN108109993A - 一种csp的制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种CSP的制造方法,包括以下步骤:(1)以底板为载板,在底板上贴高温膜;(2)在高温膜上放置垫片,所述垫片上设有若干镂空孔,所述镂空孔与底部的高温膜围成容置腔体;(3)将晶片固定在容置腔体内,晶片的底部与高温膜粘结;(4)在垫片上铺上荧光材料;(5)利用压板压在荧光材料,使荧光材料挤入容置腔体内并覆盖在晶片的四周;(6)取下垫片,在高温膜上形成若干独立分离的CSP。本发明的CSP采用模压成型,成型工艺简单;利用垫片上的镂空孔成型CSP的荧光胶,成型的形状更精确,所以生产的产品一致性好,而且荧光胶的表面光滑度好,有助于提高出光效率和出光均匀度;模压时,垫片可以将CSP分离,免去切割的步骤,另外可以通过镂空的造型成型不同形状的荧光胶层。
Description
技术领域
本发明涉及LED领域,尤其是一种CSP的制造方法。
背景技术
基于倒装晶片的新型的芯片级封装LED,是在芯片底面设有电极,直接在芯片的上表面和侧面封装上封装胶体,使底面的电极外露,由于这种封装结构并无支架或基板,可降低了封装成本。现有的芯片级封装LED通常是采取五面发光,即LED的顶面和四个侧面均能发光,该种LED的封装工艺相对比较简单。随着人们对产品出光的角度、一致性等要求的提高,目前的芯片级封装LED结构已经满足不了人们的需求,人们渴望具有单面发光的芯片级封装LED的出现。如中国专利,公开号为105006510的一种CSP LED的封装方法,包括以下步骤:(1)在载板上设置一层用于固定LED芯片位置的固定膜;(2)在所述固定膜表面分布若干LED芯片,且所述LED芯片呈阵列分布,相邻LED芯片之间留有间隙;(3)在LED芯片阵列上覆盖一层挡光胶;(4)挡光胶固化后,研磨去除挡光胶的表层,使LED芯片的顶面能够裸露;(5)在LED芯片顶面上覆盖一层荧光胶层;(6)沿相邻LED芯片之间的间隙进行切割,切割的深度至固定膜,使荧光胶层和挡光胶层能够被切断。该种工艺方法虽然也能得到单面CSP,但是其制造过程中需要切割,工序复杂,而且效率低,切割成型的荧光胶表面粗糙,降低了出光效率。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种CSP的制造方法,简化制造工艺,提高生产效率,提高出光效率和出光均匀度。
为解决上述技术问题,本发明的技术方案是:一种CSP的制造方法,包括以下步骤:
(1)以底板为载板,在底板上贴固定膜;
(2)在固定膜上放置垫片,所述垫片上设有若干镂空孔,所述镂空孔与底部的固定膜围成容置腔体;
(3)将晶片固定在容置腔体内,晶片的底部与固定膜粘结;
(4)在垫片上铺上荧光材料;
(5)利用压板压在荧光材料上,使荧光材料挤入容置腔体内并覆盖在晶片的四周,使荧光材料的上表面与垫片上表面齐平;
(6)取下垫片,在固定膜上形成若干独立分离的CSP。
本发明的CSP采用模压成型,成型工艺简单;利用垫片上的镂空孔成型CSP的荧光胶,成型的形状更精确,所以生产的产品一致性好,而且荧光胶的表面光滑度好,有助于提高出光效率和出光均匀度;模压时,垫片可以将CSP分离,免去切割的步骤,另外可以通过镂空的造型成型不同形状的荧光胶层。
作为改进,所述固定膜为双面高温膜或UV膜。
作为改进,所述底板的形状为矩形,固定膜的形状与底板的形状相似。
作为改进,所述垫片上的镂空孔呈矩阵分布。
作为改进,所述晶片通过人工或固晶设备固定在容置腔体内。
作为改进,所述荧光材料为荧光膜。
作为改进,所述容置腔体的深度大于晶片的厚度。
作为改进,所述镂空孔呈方形,镂空孔的其中两个相邻的角为圆角,另两个角为直角,晶片的两个电极分别位于圆角一侧和直角一侧。
作为改进,所述垫片的边缘设有容胶槽。
本发明与现有技术相比所带来的有益效果是:
本发明的CSP采用模压成型,成型工艺简单;利用垫片上的镂空孔成型CSP的荧光胶,成型的形状更精确,所以生产的产品一致性好,而且荧光胶的表面光滑度好,有助于提高出光效率和出光均匀度;模压时,垫片可以将CSP分离,免去切割的步骤,另外可以通过镂空的造型成型不同形状的荧光胶层。
附图说明
图1为本发明制造流程图。
图2为模压示意图。
图3为垫片俯视图。
图4为晶片放入垫片后的示意图。
图5为CSP的底面示意图。
具体实施方式
下面结合说明书附图对本发明作进一步说明。
实施例1
如图1至4所示,一种CSP的制造方法,包括以下步骤:
(1)以底板1为载板,所述底板1的形状为矩形,可根据CSP的数量设计底板1的面积,底板1的表面应该平整;
(2)在底板1上贴固定膜2,该固定膜2为双面高温膜,使其能够粘住底板1和晶片,固定膜2的形状与底板1的形状相同,固定膜2刚好覆盖在底板1上;另外,由于生产工艺有烘烤作业,要求在烘烤作业过程中相关辅助物料需具备耐高温性能。
(3)在固定膜2上放置垫片4,垫片4呈矩形,其面积稍小于固定膜的面积,双面的固定膜可以粘住垫片4,确保垫片4在制造过程不会发生偏离,所述垫片4上设有若干呈矩阵分布的镂空孔5,所述镂空孔5与底部的固定膜围成容置腔体,所述容置腔体的深度大于晶片6的厚度;
(4)利用人工或固晶设备将晶片6固定在容置腔体内,晶片6的底部与固定膜粘结,晶片6需放置在容置腔体的中间位置,晶片6的电极朝向应该相同;
(5)在垫片4上铺上荧光膜,利用压板3压在荧光膜上,施加压力使荧光膜挤入容置腔体内并覆盖在晶片6的四周;压板3贴紧垫片4后表示完成模压的动作;荧光膜可以是半固态或固态状,荧光膜是半固态状时,压板3可以直接将其压入容置腔体内,当荧光膜是固态时,需要将其进行加热压入;
(6)取下垫片4,在固定膜上形成若干独立分离的CSP ;
(7)加热底板1使得固定膜失去粘性即可将CSP取下。
如图3所示,所述镂空孔5呈方形,镂空孔5的其中两个相邻的角为圆角,另两个角为直角,晶片6的两个电极分别位于圆角一侧和直角一侧,如图5所示,这样一来成型后的荧光胶8对应的两个角为圆周81,另两个角为直角82,用于区分电极83的位置,免去传统CSP在成型后另需对其边角进行切割的工序。
如图3所示,垫片4的四周边缘设有容胶槽7,当压板3挤压荧光膜时,荧光膜向四周扩散后可以掉落在容胶槽7内。
本发明的CSP采用模压成型,成型工艺简单;利用垫片4上的镂空孔5成型CSP的荧光胶,成型的形状更精确,所以生产的产品一致性好,而且荧光胶的表面光滑度好,有助于提高出光效率和出光均匀度;模压时,垫片4可以将CSP分离,免去切割的步骤,另外可以通过镂空的造型成型不同形状的荧光胶层。
实施例2
如图1至4所示,一种CSP的制造方法,包括以下步骤:
(1)以底板1为载板,底板1为金属板,所述底板1的形状为矩形,可根据CSP的数量设计底板1的面积,底板1的表面应该平整;
(2)在底板1上贴UV膜2,该UV膜为双面UV膜,使其能够粘住底板1和晶片6,UV膜的形状与底板1的形状相同,UV膜刚好覆盖在底板1上;
(3)在UV膜上放置垫片4,垫片4呈矩形,其面积稍小于UV膜的面积,双面的UV膜可以粘住垫片4,确保垫片4在制造过程不会发生偏离,所述垫片4上设有若干呈矩阵分布的镂空孔5,所述镂空孔5与底部的UV膜围成容置腔体,所述容置腔体的深度大于晶片6的厚度;
(4)利用人工或固晶设备将晶片6固定在容置腔体内,晶片6的底部与UV膜粘结,晶片6需放置在容置腔体的中间位置,晶片6的电极朝向应该相同;
(5)在垫片4上铺上固态的热熔荧光胶板,利用压板3压在热熔荧光胶板上,同时利用压板3和底板1上的加热装置进行加热,施加压一定的压力使热熔荧光胶板挤入容置腔体内并覆盖在晶片6的四周;压板3贴紧垫片4后表示完成模压的动作;加热热熔荧光胶板时可以将其加热至半固态或液态;
(6)取下垫片4,在UV膜上形成若干独立分离的CSP;
(7)照射解UV即可将CSP取下。
如图3所示,所述镂空孔5呈方形,镂空孔5的其中两个相邻的角为圆角,另两个角为直角,晶片6的两个电极分别位于圆角一侧和直角一侧,如图5所示,这样一来成型后的荧光胶8对应的两个角为圆周81,另两个角为直角82,用于区分电极83的位置,免去传统CSP在成型后另需对其边角进行切割的工序。
本发明的热熔荧光胶板由热熔胶与荧光粉混合后冷却成型。
如图3所示,垫片4的四周边缘设有容胶槽7,当压板3挤压荧光膜时,荧光膜向四周扩散后可以掉落在容胶槽7内。
本发明的CSP采用模压成型,成型工艺简单;利用垫片4上的镂空孔5成型CSP的荧光胶,成型的形状更精确,所以生产的产品一致性好,而且荧光胶的表面光滑度好,有助于提高出光效率和出光均匀度;模压时,垫片4可以将CSP分离,免去切割的步骤,另外可以通过镂空的造型成型不同形状的荧光胶层。
Claims (9)
1.一种CSP的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)以底板为载板,在底板上贴固定膜;
(2)在固定膜上放置垫片,所述垫片上设有若干镂空孔,所述镂空孔与底部的固定膜围成容置腔体;
(3)将晶片固定在容置腔体内,晶片的底部与固定膜粘结;
(4)在垫片上铺上荧光材料;
(5)利用压板压在荧光材料上,使荧光材料挤入容置腔体内并覆盖在晶片的四周,使荧光材料的上表面与垫片上表面齐平;
(6)取下垫片,在固定膜上形成若干独立分离的CSP。
2.根据权利要求1所述的一种CSP的制造方法,其特征在于:所述固定膜为双面高温膜或UV膜。
3.根据权利要求1所述的一种CSP的制造方法,其特征在于:所述底板的形状为矩形,固定膜的形状与底板的形状相似。
4.根据权利要求1所述的一种CSP的制造方法,其特征在于:所述垫片上的镂空孔呈矩阵分布。
5.根据权利要求1所述的一种CSP的制造方法,其特征在于:所述晶片通过人工或固晶设备固定在容置腔体内。
6.根据权利要求1所述的一种CSP的制造方法,其特征在于:所述荧光材料为荧光膜。
7.根据权利要求1所述的一种CSP的制造方法,其特征在于:所述容置腔体的深度大于晶片的厚度。
8.根据权利要求1所述的一种CSP的制造方法,其特征在于:所述镂空孔呈方形,镂空孔的其中两个相邻的角为圆角,另两个角为直角,晶片的两个电极分别位于圆角一侧和直角一侧。
9.根据权利要求1所述的一种CSP的制造方法,其特征在于:所述垫片的边缘设有容胶槽。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108598248A (zh) * | 2018-06-13 | 2018-09-28 | 广东恒润光电有限公司 | 一种具有量子点膜片的新型发光二极管结构 |
CN110767791A (zh) * | 2019-09-10 | 2020-02-07 | 江西省晶能半导体有限公司 | Led灯珠制备方法 |
CN110854108A (zh) * | 2019-11-06 | 2020-02-28 | 安晟技术(广东)有限公司 | 一种倒装led芯片csp制造方法 |
CN110854109A (zh) * | 2019-11-06 | 2020-02-28 | 安晟技术(广东)有限公司 | 一种正装led芯片的封装方法 |
CN117317078A (zh) * | 2023-11-28 | 2023-12-29 | 天津德高化成新材料股份有限公司 | 一种适用于垂直芯片的白光csp制备方法及其应用 |
CN117317078B (zh) * | 2023-11-28 | 2024-04-19 | 天津德高化成新材料股份有限公司 | 一种适用于垂直芯片的白光csp制备方法及其应用 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100570913C (zh) * | 2005-08-26 | 2009-12-16 | 首尔半导体株式会社 | 发光二极管的制造方法 |
CN103943764A (zh) * | 2014-04-18 | 2014-07-23 | 立达信绿色照明股份有限公司 | 模压一体化封装led光源的成型模具及成型方法 |
CN105161598A (zh) * | 2015-07-27 | 2015-12-16 | 广州市鸿利光电股份有限公司 | 一种基于注塑件的csp封装结构及制造工艺 |
US20160293815A1 (en) * | 2015-03-31 | 2016-10-06 | Lumens Co., Ltd. | Light emitting device package strip |
-
2017
- 2017-11-20 CN CN201711156432.1A patent/CN108109993A/zh active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100570913C (zh) * | 2005-08-26 | 2009-12-16 | 首尔半导体株式会社 | 发光二极管的制造方法 |
CN103943764A (zh) * | 2014-04-18 | 2014-07-23 | 立达信绿色照明股份有限公司 | 模压一体化封装led光源的成型模具及成型方法 |
US20160293815A1 (en) * | 2015-03-31 | 2016-10-06 | Lumens Co., Ltd. | Light emitting device package strip |
CN105161598A (zh) * | 2015-07-27 | 2015-12-16 | 广州市鸿利光电股份有限公司 | 一种基于注塑件的csp封装结构及制造工艺 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108598248A (zh) * | 2018-06-13 | 2018-09-28 | 广东恒润光电有限公司 | 一种具有量子点膜片的新型发光二极管结构 |
CN110767791A (zh) * | 2019-09-10 | 2020-02-07 | 江西省晶能半导体有限公司 | Led灯珠制备方法 |
CN110854108A (zh) * | 2019-11-06 | 2020-02-28 | 安晟技术(广东)有限公司 | 一种倒装led芯片csp制造方法 |
CN110854109A (zh) * | 2019-11-06 | 2020-02-28 | 安晟技术(广东)有限公司 | 一种正装led芯片的封装方法 |
CN110854109B (zh) * | 2019-11-06 | 2021-08-27 | 安晟技术(广东)有限公司 | 一种正装led芯片的封装方法 |
CN110854108B (zh) * | 2019-11-06 | 2021-08-27 | 安晟技术(广东)有限公司 | 一种倒装led芯片csp制造方法 |
CN117317078A (zh) * | 2023-11-28 | 2023-12-29 | 天津德高化成新材料股份有限公司 | 一种适用于垂直芯片的白光csp制备方法及其应用 |
CN117317078B (zh) * | 2023-11-28 | 2024-04-19 | 天津德高化成新材料股份有限公司 | 一种适用于垂直芯片的白光csp制备方法及其应用 |
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