CN110854108B - 一种倒装led芯片csp制造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims abstract description 130
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 55
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 43
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 43
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 34
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 claims description 26
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 19
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 17
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- -1 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 16
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 claims description 15
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 15
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 claims description 13
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 13
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 12
- QYLFHLNFIHBCPR-UHFFFAOYSA-N 1-ethynylcyclohexan-1-ol Chemical compound C#CC1(O)CCCCC1 QYLFHLNFIHBCPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- DSVRVHYFPPQFTI-UHFFFAOYSA-N bis(ethenyl)-methyl-trimethylsilyloxysilane;platinum Chemical compound [Pt].C[Si](C)(C)O[Si](C)(C=C)C=C DSVRVHYFPPQFTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims description 8
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims description 8
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 claims description 8
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 claims description 7
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N acetic acid trimethyl ester Natural products COC(C)=O KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 16
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 15
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 15
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 5
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 4
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 230000001795 light effect Effects 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 1
- 150000004645 aluminates Chemical class 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 229910019990 cerium-doped yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 108010025899 gelatin film Proteins 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000000475 sunscreen effect Effects 0.000 description 1
- 239000000516 sunscreening agent Substances 0.000 description 1
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L25/0655—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next to each other
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
- H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
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- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
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- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
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- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
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Abstract
本发明涉及一种倒装LED芯片CSP制造方法，包括以下步骤：步骤1：在载板上贴第一热解膜，在第一热解膜上贴第一双面膜；步骤2：在第一双面膜上排布倒装LED芯片的矩阵阵列；步骤3：在矩阵阵列上涂覆遮光胶；步骤4：将第一压件压在遮光胶上，使得遮光胶填充空隙；步骤5：固化遮光胶；步骤6：剥离第一压件，除去倒装LED芯片上表面的遮光胶；步骤7：在矩阵阵列上涂覆荧光胶；步骤8：在矩阵阵列周围放置支撑块，支撑块的高度大于倒装LED芯片的高度；步骤9：将第二压件放置在支撑块上，第二压件在矩阵阵列上方压平荧光胶；步骤10：固化荧光胶；步骤11：剥离第二压件，剥离载板，切割矩阵阵列。本发明能够大规模制备单面发光芯片CSP封装件且厚度可控。
Description
技术领域
本发明涉及LED芯片封装技术领域，具体涉及一种倒装LED芯片CSP制造方法。
背景技术
在LED灯的制造过程中，需要对LED芯片进行封装。传统的LED芯片封装工艺是对LED芯片逐个点胶，较为费时，生产成本高，而且难以控制并且减少LED芯片封装的体积以及厚度。新型的芯片级封装技术即CSP能够减少封装体积，使封装件更薄，有助于散热。现有的CSP LED通常是五面发光，即LED芯片的顶面和四个侧面均能发光，五面发光的工艺相对比较简单，但满足不了对产品出光的角度、一致性等要求。而目前单面发光的LED芯片CSP制造方法较为复杂，且难以控制荧光层厚度，导致生产成本高，发光效果难以控制。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明的目的是提供一种倒装LED芯片CSP制造方法，该方法较为简单，能够同时制备多个单面发光LED芯片CSP封装件，且能够控制荧光层厚度。
为实现本发明的目的，本发明提供了一种倒装LED芯片CSP制造方法，其包括以下步骤：
步骤1：在载板上贴第一热解膜，在所述第一热解膜上贴第一双面膜；
步骤2：在第一双面膜上排布倒装LED芯片的矩阵阵列，相邻的倒装LED芯片之间具有空隙；第一双面膜包括涂胶区域以及在涂胶区域之外的第一空余区域，矩阵阵列设置在涂胶区域内；
步骤3：在矩阵阵列上涂覆遮光胶；
步骤4：将第一压件压在遮光胶上，使得遮光胶填充空隙，遮光胶不超出涂胶区域；
步骤5：固化遮光胶；
步骤6：剥离第一压件，除去倒装LED芯片上表面的遮光胶；
步骤7：在矩阵阵列上涂覆荧光胶；
步骤8：在第一空余区域放置支撑块，支撑块的高度大于倒装LED芯片的高度；步骤8在步骤7之前或之后进行；
步骤9：将第二压件放置在支撑块上，第二压件在矩阵阵列上方压平荧光胶；
步骤10：固化荧光胶；
步骤11：剥离第二压件，剥离载板，切割矩阵阵列，得到倒装LED芯片的CSP封装件。
由上可见，本发明提供了一种倒装LED芯片CSP制造方法，该方法包括多个步骤，各步骤操作较为简单，通过排布倒装LED芯片的矩阵阵列，在芯片间的空隙填充遮光胶并固化，在芯片的上表面涂覆荧光胶并固化，同时制备了多个单面发光LED芯片CSP封装件，切割后即可获得单个封装件，提高了生产效率，降低了生产成本。同时，本发明通过第一双面膜、支撑块和第二压件的设置，能够控制芯片封装厚度。
进一步的技术方案是，第一压件包括第一压板和保护膜，保护膜与遮光胶接触，第一压板设置在保护膜上，第一压板平行于载板。
由上可见，本发明的第一压件通过第一压板将遮光胶压入空隙中，保护膜与遮光胶接触，能够提高遮光胶固化表面的光滑度和洁净度。
进一步的技术方案是，在步骤4中，将第一压板下压，使保护膜靠近倒装LED芯片的上表面。
由上可见，本发明通过第一压板将保护膜压向芯片上表面，尽量减少芯片上表面的遮光胶残余量。
进一步的技术方案是，第二压件包括第二压板、第二热解膜、第二双面膜和高温膜，第二热解膜贴在第二压板上，第二双面膜贴在第二热解膜上，第二双面膜包括贴合区域以及在贴合区域之外的第二空余区域，贴合区域与涂胶区域对应设置，第二空余区域与第一空余区域对应设置，高温膜贴在贴合区域上。更进一步的技术方案是，在步骤9中，第二压件以第二压板朝上、高温膜朝下的方式放置在支撑块上，高温膜与荧光胶接触，第二双面膜与支撑块接触。
由上可见，本发明通过高温膜与荧光胶接触，提高荧光胶表面的光滑度，避免荧光胶表面粘结。
进一步的技术方案是，第一空余区域设置在涂胶区域的周围，对应地第二空余区域设置在贴合区域周围；支撑块的数目为至少两个，支撑块具有相同的高度且至少两个支撑块对称地设置在涂胶区域两侧。
由上可见，本发明的支撑块均匀设置在涂胶区域周围，从而更好地支撑第二压件，保证荧光胶的平整和均匀。
进一步的技术方案是，根据CSP封装件的厚度要求，选择合适的支撑块的高度以及高温膜的厚度，CSP封装件的厚度等于支撑块的高度减去高温膜的厚度。
由上可见，本发明通过支撑块和高温膜，能够准确控制封装件的厚度，并且能够根据需要制备不同厚度的封装件。
进一步的技术方案是，载板上设有倒装LED芯片的矩阵定位标记；在步骤2中，根据矩阵定位标记在第一双面膜上排布倒装LED芯片的矩阵阵列。
由上可见，本发明可以在载板上设置矩阵定位标记，使得倒装LED芯片的矩阵定位排列更加准确。
进一步的技术方案是，在步骤5和步骤10中，固化条件为：在75℃至90℃下固化45min至80min，然后在115℃至125℃下固化15min至45min。
由上可见，本发明的遮光胶和荧光胶固化条件温和，时间较短，有利于提高生产效率。
进一步的技术方案是，第一热解膜或第一双面膜上设有切割标记；在步骤11中，根据切割标记切割矩阵阵列。
由上可见，本发明还可以设置切割标记，从而更加方便更加准确地对封装后的矩阵阵列进行切割。
进一步的技术方案是，在步骤6中，使用消膜剂除去倒装LED芯片上表面的遮光胶；更进一步的技术方案是，消膜剂沾在无纺布上，使用无纺布拭擦倒装LED芯片上表面。
由上可见，本发明使用消膜剂消除遮光胶残余膜，具体采用无纺布拭擦，能够避免刮花芯片表面。
进一步的技术方案是，消膜剂包括以下质量份的组分：
稀释剂：50质量份至70质量份；
工业酒精：30质量份至40质量份；
丙酮：10至30质量份；
其中稀释剂包括醋酸甲酯和工业酒精。
更进一步的技术方案是，消膜剂由以下质量份的组分组成：
稀释剂：60质量份；
工业酒精：30质量份；
丙酮：10质量份。
更进一步的技术方案是，稀释剂包括60wt％至90wt％的醋酸甲酯以及10wt％至40wt％的工业酒精。
更进一步的技术方案是，工业酒精浓度为98wt％。
更进一步的技术方案是，拭擦时间为60s至90s。
更进一步的技术方案是，消膜剂的制备方法包括以下步骤：添加各组分原料；搅拌分散；放置待用。更进一步的技术方案是，消膜剂的制备方法包括以下步骤：按照丙酮、工业酒精、稀释剂的顺序依次添加各组分原料；通过玻璃棒顺时针或逆时针搅拌3至5分钟；将所得混合液放置到阴凉处储存待用。
由上可见，本发明提供了用于上述倒装LED芯片CSP制造方法的消膜剂，采用上述消膜剂能够有效清除芯片表面多余的残膜，且清除残膜后，后续烘烤不会发泡，加强了芯片与荧光膜的粘结度。具体地，稀释剂用量可以在50质量份至70质量份范围内，高于该用量会导致无法清除残膜，低于该用量会导致后续烘烤发泡；工业酒精用量可以在30质量份至40质量份的范围内，高于该用量会导致无法清除残膜，低于该用量会导致后续烘烤发泡；丙酮用量可以在20质量份至30质量份范围内，高于该用量会导致容易清除芯片间空隙的遮光胶，低于该用量会导致无法清除芯片表面残膜。本发明还提供了消膜剂的制备方法，制备方法简单，搅拌均匀后阴凉处放置以减少挥发。
进一步的技术方案是，遮光胶包括以下质量份的组分：
硅胶：90质量份至110质量份；
二氧化硅粉末：1质量份至5质量份；
氧化铝粉末：1质量份至5质量份；
二氧化钛粉末：50质量份至80质量份。
更进一步的技术方案是，遮光胶由以下质量份的组分组成：
硅胶：100质量份；
二氧化硅粉末：1.5质量份；
氧化铝粉末：3质量份；
二氧化钛粉末：60质量份。
更进一步的技术方案是，遮光胶中的硅胶由A胶和B胶组成，A胶包含乙烯基封端甲基苯基聚硅氧烷和铂二乙烯基四甲基二硅氧烷溶液，B胶包含苯基硅树脂、苯基含氢聚硅氧烷和乙炔基环己醇。更进一步的技术方案是，A胶与B胶的质量比为1：5，相对于硅胶质量百分数为100wt％，A胶由16wt％至17wt％的乙烯基封端甲基苯基聚硅氧烷和0.03wt％至0.05wt％的铂二乙烯基四甲基二硅氧烷溶液组成，B胶由63wt％至64wt％的苯基硅树脂、19wt％至20wt％的苯基含氢聚硅氧烷和0.05wt％至0.07wt％的乙炔基环己醇组成。更进一步的技术方案是，相对于硅胶质量百分数为100wt％，A胶由16.63wt％的乙烯基封端甲基苯基聚硅氧烷和0.04wt％的铂二乙烯基四甲基二硅氧烷溶液组成，B胶由63.5wt％的苯基硅树脂、19.77wt％的苯基含氢聚硅氧烷和0.06wt％的乙炔基环己醇组成。更进一步的技术方案是，A胶在80rpm下粘度为5700至8400mPa·s，B胶在80rpm下粘度为4600至7000mPa·s。
更进一步的技术方案是，遮光胶的制备方法包括以下步骤：添加物料；搅拌分散；脱泡。更进一步的技术方案是，遮光胶的制备方法包括以下步骤：按照二氧化硅、氧化铝、二氧化钛、硅胶的顺序依次添加物料；通过玻璃棒顺时针或逆时针搅拌3至5分钟；放入真空脱泡机公转、自转5至8分钟进行搅拌脱泡。
由上可见，本发明提供了用于上述倒装LED芯片CSP制造方法的遮光胶，遮光胶的作用是填充倒装LED芯片之间的空隙，遮挡倒装LED芯片的侧面，从而实现倒装LED芯片的单面发光。当采用包括上述组分的遮光胶时，能够有效填充空隙，在起到遮光效果的同时，不影响胶水的粘合度，加强散热效果并且防止粉状物料的过快沉淀。具体地，硅胶用量可以在90质量份至110质量份范围内，高于该用量会导致遮光胶容易裂膜，低于该用量会导致遮光胶不能成型；二氧化硅粉末用量可以在1质量份至5质量份范围内，高于该用量会导致遮光胶粘稠度过高，低于该用量会导致氧化铝沉淀过快沉淀；氧化铝粉末用量可以在1质量份至5质量份范围内，高于该用量会增加硅胶膜硬度，低于该用量会导致散热效果差；二氧化钛粉末的用量可以在50质量份至80质量份范围内，高于该用量会影响粘合度，低于该组分则遮光效果差。本发明还提供了遮光胶的制备方法，制备方法简单，并且各组分按一定顺序添加能够使得各组分更好地分散，真空脱泡搅拌有利于除去遮光胶中的气泡。
进一步的技术方案是，荧光胶包括以下质量份的组分：
硅胶：90质量份至110质量份；
荧光粉：40质量份至60质量份；
二氧化硅粉末：1质量份至5质量份；
DP胶：1质量份至3质量份。
更进一步的技术方案是，荧光胶由以下质量份的组分组成：
硅胶：110质量份；
荧光粉：58.3质量份；
二氧化硅粉末：1.5质量份；
DP胶：1.5质量份。
更进一步的技术方案是，荧光胶中的硅胶由A胶和B胶组成，A胶包含乙烯基封端甲基苯基聚硅氧烷和铂二乙烯基四甲基二硅氧烷溶液，B胶包含苯基硅树脂、苯基含氢聚硅氧烷和乙炔基环己醇。更进一步的技术方案是，A胶与B胶的质量比为1：5，相对于硅胶质量百分数为100wt％，A胶由16wt％至17wt％的乙烯基封端甲基苯基聚硅氧烷和0.03wt％至0.05wt％的铂二乙烯基四甲基二硅氧烷溶液组成，B胶由63wt％至64wt％的苯基硅树脂、19wt％至20wt％的苯基含氢聚硅氧烷和0.05wt％至0.07wt％的乙炔基环己醇组成。更进一步的技术方案是，相对于硅胶质量百分数为100wt％，A胶由16.63wt％的乙烯基封端甲基苯基聚硅氧烷和0.04wt％的铂二乙烯基四甲基二硅氧烷溶液组成，B胶由63.5wt％的苯基硅树脂、19.77wt％的苯基含氢聚硅氧烷和0.06wt％的乙炔基环己醇组成。更进一步的技术方案是，A胶在80rpm下粘度为5700至8400mPa·s，B胶在80rpm下粘度为4600至7000mPa·s。
更进一步的技术方案是，DP胶包括环氧树脂和光扩散剂。更进一步的技术方案是，环氧树脂为双酚A型环氧树脂。更进一步的技术方案是，DP胶为DF－090。
更进一步的技术方案是，荧光粉为石榴石荧光粉、铝酸盐荧光粉、硫化锌荧光粉、氮氧化硅荧光粉、氮化物荧光粉、氟化物荧光粉和硅酸盐荧光粉中的至少一种。
更进一步的技术方案是，荧光胶的制备方法包括以下步骤：添加物料；搅拌分散；脱泡。更进一步的技术方案是，荧光胶的制备方法包括以下步骤：按照荧光粉、二氧化硅、DP胶、硅胶的顺序依次添加物料；通过玻璃棒顺时针或逆时针搅拌3至5分钟；放入真空脱泡机公转、自转5至8分钟进行搅拌脱泡。更进一步的技术方案是，硅胶按照A胶、B胶的顺序依次添加。
由上可见，本发明提供了用于上述倒装LED芯片CSP制造方法的荧光胶，该荧光胶能够提高光效，加强粘结力，更好控制荧光膜的厚薄度，并且提高后续的切割效率。具体地，硅胶用量可以在90质量份至110质量份范围内，高于该用量会导致荧光胶容易裂膜，低于该用量会导致荧光胶不能成型；荧光粉用量可以在40质量份至60质量份范围内，高于该用量会导致颜色偏黄，低于该用量会导致颜色偏蓝；二氧化硅粉末用量可以在1质量份至5质量份的范围内，高于该用量会导致荧光胶粘稠度增加，低于该用量会导致荧光粉沉淀过快；DP胶用量可以在1质量份至3质量份的范围内，高于该用量会导致光效降低，高于该用量会导致模糊效果差，能够看到CSP内部结构。本发明还提供了荧光胶的制备方法，制备方法简单，并且各组分按一定顺序添加能够使得各组分更好地分散，真空脱泡搅拌有利于除去荧光胶中的气泡。
附图说明
图1是本发明倒装LED芯片CSP制造方法实施例的示意图。
图2是本发明倒装LED芯片CSP制造方法的载板、第一热解膜和第一双面膜结合的结构示意图。
图3是本发明倒装LED芯片CSP制造方法的封装厚度调整结构的结构示意图。
图4是本发明倒装LED芯片CSP制造方法的封装厚度调整结构的结构分解示意图。
具体实施方式
本实施例的倒装LED芯片CSP制造方法包括以下步骤：
步骤1：如图1的(a)和图2所示，在载板10上贴第一热解膜11，在第一热解膜11上贴第一双面膜12。其中，载板10为钢板，载板10上设有倒装LED芯片20的矩阵定位标记13；第一热解膜11具有粘结性，在加热后粘结性消失，易于剥离；第一双面膜12可以是硅胶双面膜，其双面具有粘性。载板10、第一热解膜11和第一双面膜12共同构成倒装LED芯片20的载体，载板10、第一热解膜11和第一双面膜12可以通过具有压膜辊的冷裱机进行贴合。
步骤2：如图1的(b)所示，在第一双面膜12上排布倒装LED芯片20的矩阵阵列，具体地，由于第一热解膜11和第一双面膜12具有一定的透明度，可以在第一双面膜12上方确定载板10上的矩阵定位标记13，例如可以通过视觉检测仪器进行定位，再根据矩阵定位标记13在第一双面膜12上排布倒装LED芯片20的矩阵阵列，排布可以通过排片机等装置进行。相邻的倒装LED芯片20之间具有空隙21。第一双面膜12包括涂胶区域以及在涂胶区域之外的第一空余区域，矩阵阵列设置在涂胶区域内。在本实施例中，第一空余区域设置在涂胶区域的四周。
步骤3：在矩阵阵列上涂覆遮光胶30。遮光胶30的涂覆过程可以将带有倒装LED芯片20的载体用夹具固定，采用涂胶机进行覆膜。
步骤4：如图1的(c)所示，将第一压件压在遮光胶30上，使得遮光胶30填充空隙21，遮光胶30不超出涂胶区域。其中，第一压件包括第一压板40和保护膜41，保护膜41与遮光胶30接触，第一压板40设置在保护膜41上，第一压板40平行于载板10。保护膜41可以保持遮光胶30固化表面的光滑洁净，第一压板40可以是玻璃板，用来提供一定的压力。将第一压板40下压，使保护膜41靠近倒装LED芯片20的上表面，减少倒装LED芯片20上表面的残留遮光胶30。
步骤5：固化遮光胶30。固化条件可以是在75℃至90℃下固化45min至80min，在115℃至125℃下固化15min至45min。具体在本实施例中，固化过程可以在烘箱内进行，80℃下烘烤1h，120℃下烘烤0.5h。
步骤6：如图1的(d)所示，剥离第一压件，除去倒装LED芯片20上表面的遮光胶30。具体地，可以使用消膜剂除去倒装LED芯片20上表面的遮光胶30，将消膜剂沾在无纺布上，手动使用镊子夹紧无纺布拭擦倒装LED芯片20上表面。
步骤7：在矩阵阵列上涂覆荧光胶50。荧光胶50的涂覆过程可以将带有倒装LED芯片20的载体用夹具固定，采用涂胶机进行覆膜。
步骤8：如图1的(e)和图3至4所示，在第一空余区域放置支撑块60，支撑块60的高度大于倒装LED芯片20的高度。在本实施例中，支撑块60的数目为4个，每一个支撑块60的高度相同，4个支撑块分别设置在涂胶区域四周的第一空余区域上。步骤8在步骤7之前或之后进行。
步骤9：如图1的(e)和图3至4所示，将第二压件放置在支撑块60上，第二压件在矩阵阵列上方压平荧光胶50。第二压件包括第二压板70、第二热解膜71、第二双面膜72和高温膜73，第二热解膜71贴在第二压板70上，第二双面膜72贴在第二热解膜71上，第二双面膜72包括贴合区域以及在贴合区域之外的第二空余区域，贴合区域与涂胶区域对应设置，第二空余区域与第一空余区域对应设置，高温膜73贴在贴合区域上。第二压件以第二压板70朝上、高温膜73朝下的方式放置在支撑块60上，高温膜73与荧光胶50接触，第二双面膜72与支撑块60接触。其中，第二热解膜71具有粘结性，在加热后粘结性消失，易于剥离；第二双面膜72可以是硅胶双面膜，其双面具有粘性；高温膜73没有粘性，表面光滑，避免粘荧光层或导致荧光层表面粗糙。第二压板70、第二热解膜71、第二双面膜72和高温膜73可以通过具有压膜辊的冷裱机进行贴合。支撑块60支撑在第一双面膜12和第二双面膜72之间，第一双面膜12和第二双面膜72对支撑块60有一定的粘结作用，避免固化等过程中第二压件相对于载体位移而导致封装厚度变化。本发明可以根据CSP封装件的厚度要求，选择合适的支撑块60的高度以及高温膜73的厚度，CSP封装件的厚度等于支撑块60的高度减去高温膜73的厚度。具体在本实施例中，支撑块60的高度为0.55mm，高温膜的厚度为0.15mm，可以得到厚度为0.4mm的封装芯片。
步骤10：固化所述荧光胶50；固化条件为：在75℃至90℃下固化45min至80min，在115℃至125℃下固化15min至45min；具体在本实施例中，固化可以在烘箱中进行，固化条件为80℃烘烤1h，120℃烘烤0.5h。
步骤11：剥离第二压件，剥离载板10，切割矩阵阵列，得到倒装LED芯片20的CSP封装件。第一热解膜11或第一双面膜12上可以设有切割标记，根据切割标记切割矩阵阵列。
上述实施例中使用的遮光胶包括以下组分：硅胶在90质量份至110质量份，二氧化硅粉末1质量份至5质量份，氧化铝粉末1质量份至5质量份，二氧化钛粉末50质量份至80质量份。采用上述组分时能够有效填充空隙，起到遮光作用，不影响胶水的粘合度，加强散热效果并且防止粉状物料的过快沉淀。遮光胶的制备步骤包括：按照二氧化硅、氧化铝粉、二氧化钛、硅胶的先后顺序依次添加物料，通过玻璃棒顺时针或逆时针搅拌3至5分钟，放入真空脱泡机公转、自转5至8分钟进行搅拌脱泡。采用上述制备方法制得的不同组分用量的遮光胶的实施例和对比例及其性能参数如下表1所示。
表1遮光胶实施例及对比例组分及性能
由上可见，在本发明限定的遮光胶组分用量范围内，实施例1至3能够达到抗沉淀，加强散热，遮光，且不影响粘合度和硬度的效果，其中实施例1综合效果更佳。而对比例1中二氧化钛用量过低，有明显的芯片蓝光透出，不符合遮光要求。对比例2中氧化铝粉用量过多，导致胶膜硬度过大，后期有裂膜现象，同时大大增加了胶液的粘稠度，导致粉状不均匀。
上述实施例中使用的荧光胶包括以下组分：硅胶在90质量份至110质量份，荧光粉40质量份至60质量份，二氧化硅粉末1质量份至5质量份，DP胶1质量份至3质量份。采用上述组分能够提高荧光胶的光效，加强粘结力，更好控制荧光膜的厚薄度，并且提高后续的切割效率。荧光胶的制备步骤包括：按照荧光粉、二氧化硅、DP胶、硅胶A、硅胶B的先后顺序依次添加物料，通过玻璃棒顺时针或逆时针搅拌3至5分钟，放入真空脱泡机公转、自转5至8分钟进行搅拌脱泡。采用上述制备方法制得的不同组分用量的荧光胶的实施例和对比例及其性能参数如下表2所示。其中，模糊度通过对比确定。在表2的实施例和对比例中，荧光粉由黄绿粉和氮化物红粉按0.48：0.033质量比配合组成，其中，黄绿粉的发射波长为530nm至540nm，组成成分为Y3AI(Ga，Gd)5O12：Ce3+(YAG：Ce3+)；氮化物红粉的发射波长为620nm至635nm，组成成分为(Sr，Ca)AISiN3：Eu2+。
表2荧光胶实施例及对比例组分及性能
由上可见，在本发明限定的荧光胶组分用量范围内，实施例1至3能够达到抗沉淀、高光效、颜色一致性稳定并且能够达到所需模糊度，其中实施例1综合效果更佳。而对比例1中荧光粉用量过低，DP胶用量过高，模糊度过高，严重影响光效。对比例2中荧光粉用量过高，颜色偏移过大。此外，本发明的荧光胶具有适中的粘度，配合本发明的制造方法能够很好控制荧光膜的厚薄度。且本发明的荧光胶具有适合的力学性能，具有较高的强度和柔韧性，能够提高切割效率，减少切割破坏，避免切割时变形或破裂。
上述实施例中使用的消膜剂包括以下组分：稀释剂50质量份至70质量份，工业酒精30质量份至40质量份，丙酮10质量份至30质量份。采用该消膜剂能够有效清除芯片表面多余的残膜，且清除残膜后，后续烘烤不会发泡，加强了芯片与荧光膜的粘结度。消膜剂的制备步骤包括：按照丙酮、工业酒精、稀释剂的先后顺序依次添加物料，通过玻璃棒顺时针或逆时针搅拌5分钟，放到阴凉处储存待用。采用上述制备方法制得的不同组分用量的消膜剂的实施例和对比例及其性能参数如下表3所示。表3的实施例和对比例中稀释剂由80wt％的醋酸甲酯和20wt％的工业酒精组成。
表3消膜剂实施例及对比例组分及性能
由上可见，在本发明限定的消膜剂组分用量范围内，实施例1至3能够有效清除芯片表面残余膜，且烘烤不会发泡，其中实施例1清除效果更佳。而对比例1中稀释剂用量过高，难以清除残余膜，且后续烘烤发泡严重。对比例2不使用稀释剂，无法清除残膜。
最后需要强调的是，以上所述仅为本发明的优选实施例，并不用于限制本发明。凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种倒装LED芯片CSP制造方法，其特征在于包括以下步骤：
步骤1：在载板上贴第一热解膜，在所述第一热解膜上贴第一双面膜；
步骤2：在所述第一双面膜上排布倒装LED芯片的矩阵阵列，相邻的所述倒装LED芯片之间具有空隙；所述第一双面膜包括涂胶区域以及在所述涂胶区域之外的第一空余区域，所述矩阵阵列设置在所述涂胶区域内；
步骤3：在所述矩阵阵列上涂覆遮光胶；
步骤4：将第一压件压在所述遮光胶上，使得所述遮光胶填充所述空隙，所述遮光胶不超出所述涂胶区域；
步骤5：固化所述遮光胶；
步骤6：剥离所述第一压件，除去所述倒装LED芯片上表面的遮光胶；
步骤7：在所述矩阵阵列上涂覆荧光胶；
步骤8：在所述第一空余区域放置支撑块，所述支撑块的高度大于所述倒装LED芯片的高度；所述步骤8在所述步骤7之前或之后进行；
步骤9：将第二压件放置在所述支撑块上，所述第二压件在所述矩阵阵列上方压平所述荧光胶；
步骤10：固化所述荧光胶；
步骤11：剥离所述第二压件，剥离所述载板，切割所述矩阵阵列，得到所述倒装LED芯片的CSP封装件；
在所述步骤9中，所述第二压件包括第二压板、第二热解膜、第二双面膜和高温膜，所述第二热解膜贴在所述第二压板上，所述第二双面膜贴在所述第二热解膜上，所述第二双面膜包括贴合区域以及在所述贴合区域之外的第二空余区域，所述贴合区域与所述涂胶区域对应设置，所述第二空余区域与所述第一空余区域对应设置，所述高温膜贴在所述贴合区域上；所述第二压件以所述第二压板朝上、所述高温膜朝下的方式放置在所述支撑块上，所述高温膜与所述荧光胶接触，所述第二双面膜与所述支撑块接触；根据CSP封装件的厚度要求，选择合适的所述支撑块的高度以及所述高温膜的厚度，所述CSP封装件的厚度等于所述支撑块的高度减去所述高温膜的厚度；
所述第一热解膜和所述第二热解膜分别具有粘结性且在加热后粘结性消失；所述第一双面膜和所述第二双面膜分别双面具有粘性；所述高温膜没有粘性且表面光滑。
2.根据权利要求1所述的一种倒装LED芯片CSP制造方法，其特征在于：
所述第一压件包括第一压板和保护膜，所述保护膜与所述遮光胶接触，所述第一压板设置在所述保护膜上，所述第一压板平行于所述载板；
在所述步骤4中，将所述第一压板下压，使所述保护膜靠近所述倒装LED芯片的上表面。
3.根据权利要求1所述的一种倒装LED芯片CSP制造方法，其特征在于：
所述第一空余区域设置在所述涂胶区域的周围，对应地所述第二空余区域设置在所述贴合区域周围；
所述支撑块的数目为至少两个，所述支撑块具有相同的高度且至少两个所述支撑块对称地设置在所述涂胶区域两侧。
4.根据权利要求1至3任一项所述的一种倒装LED芯片CSP制造方法，其特征在于：
所述载板上设有所述倒装LED芯片的矩阵定位标记；在所述步骤2中，根据所述矩阵定位标记在所述第一双面膜上排布倒装LED芯片的矩阵阵列；
在所述步骤5和所述步骤10中，固化条件为：在75℃至90℃下固化45min至80min，然后在115℃至125℃下固化15min至45min；
所述第一热解膜或所述第一双面膜上设有切割标记；在所述步骤11中，根据所述切割标记切割所述矩阵阵列。
5.根据权利要求1至3任一项所述的一种倒装LED芯片CSP制造方法，其特征在于：
在所述步骤6中，使用消膜剂除去所述倒装LED芯片上表面的遮光胶；所述消膜剂沾在无纺布上，使用所述无纺布拭擦所述倒装LED芯片上表面。
6.根据权利要求5所述的一种倒装LED芯片CSP制造方法，其特征在于：
所述消膜剂包括以下质量份的组分：
稀释剂：50质量份至70质量份；
工业酒精：30质量份至40质量份；
丙酮：10至30质量份；
所述稀释剂包括60wt％至90wt％的醋酸甲酯以及10wt％至40wt％的工业酒精；所述工业酒精浓度为98wt％。
7.根据权利要求1至3任一项所述的一种倒装LED芯片CSP制造方法，其特征在于：
所述遮光胶包括以下质量份的组分：
硅胶：90质量份至110质量份；
二氧化硅粉末：1质量份至5质量份；
氧化铝粉末：1质量份至5质量份；
二氧化钛粉末：50质量份至80质量份；
所述硅胶由A胶和B胶组成，所述A胶包含乙烯基封端甲基苯基聚硅氧烷和铂二乙烯基四甲基二硅氧烷溶液，所述B胶包含苯基硅树脂、苯基含氢聚硅氧烷和乙炔基环己醇。
8.根据权利要求1至3任一项所述的一种倒装LED芯片CSP制造方法，其特征在于：
所述荧光胶包括以下质量份的组分：
硅胶：90质量份至110质量份；
荧光粉：40质量份至60质量份；
二氧化硅粉末：1质量份至5质量份；
DP胶：1质量份至3质量份；
所述硅胶由A胶和B胶组成，所述A胶包含乙烯基封端甲基苯基聚硅氧烷和铂二乙烯基四甲基二硅氧烷溶液，所述B胶包含苯基硅树脂、苯基含氢聚硅氧烷和乙炔基环己醇；
所述DP胶包括环氧树脂和光扩散剂。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911080159.8A CN110854108B (zh) | 2019-11-06 | 2019-11-06 | 一种倒装led芯片csp制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911080159.8A CN110854108B (zh) | 2019-11-06 | 2019-11-06 | 一种倒装led芯片csp制造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110854108A CN110854108A (zh) | 2020-02-28 |
| CN110854108B true CN110854108B (zh) | 2021-08-27 |
Family
ID=69598527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911080159.8A Active CN110854108B (zh) | 2019-11-06 | 2019-11-06 | 一种倒装led芯片csp制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110854108B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112310265A (zh) * | 2020-10-30 | 2021-02-02 | 杭州数通光电有限公司 | 用于植物照明的光源及其制作方法 |
| TWI802190B (zh) * | 2021-12-29 | 2023-05-11 | 友達光電股份有限公司 | 一種發光裝置的製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104916763A (zh) * | 2015-05-29 | 2015-09-16 | 广州市鸿利光电股份有限公司 | 一种芯片级封装led的封装方法 |
| CN105006512A (zh) * | 2015-08-06 | 2015-10-28 | 广州市鸿利光电股份有限公司 | 一种led封装结构及制造方法 |
| CN108109993A (zh) * | 2017-11-20 | 2018-06-01 | 鸿利智汇集团股份有限公司 | 一种csp的制造方法 |
| CN109285938A (zh) * | 2018-10-10 | 2019-01-29 | 华中科技大学 | 一种高热稳定的芯片级led封装方法及其产品 |
-
2019
- 2019-11-06 CN CN201911080159.8A patent/CN110854108B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104916763A (zh) * | 2015-05-29 | 2015-09-16 | 广州市鸿利光电股份有限公司 | 一种芯片级封装led的封装方法 |
| CN105006512A (zh) * | 2015-08-06 | 2015-10-28 | 广州市鸿利光电股份有限公司 | 一种led封装结构及制造方法 |
| CN108109993A (zh) * | 2017-11-20 | 2018-06-01 | 鸿利智汇集团股份有限公司 | 一种csp的制造方法 |
| CN109285938A (zh) * | 2018-10-10 | 2019-01-29 | 华中科技大学 | 一种高热稳定的芯片级led封装方法及其产品 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110854108A (zh) | 2020-02-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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