CN108682729A - Csp led的封装方法及csp led的封装结构 - Google Patents

Csp led的封装方法及csp led的封装结构 Download PDF

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Huarui Photoelectric (huizhou) Co Ltd
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Abstract

一种CSP LED的封装方法及CSP LED的封装结构,其中方法包括:在基板上设置LED倒装晶片的步骤;在LED倒装晶片的远离基板的表面上设置白色挡光层的步骤;在LED倒装晶片的周围形成荧光胶层的步骤;去除基板的步骤。上述CSP LED的封装方法及CSP LED的封装结构,与传统的CSP LED结构相比,不需要再使用透镜,即可使光线在侧面经过荧光胶层的作用转化为白光发射出来,使得在背光模组内经过底板和扩散板等的折射和反射作用后能够均匀地发射出来,同时避免出现光源在轴向光亮度过高,在扩散板上出现黄斑的问题。

Description

CSP LED的封装方法及CSP LED的封装结构
技术领域
本发明涉及LED封装技术领域,特别是涉及一种CSP LED的封装方法及CSP LED的封装结构。
背景技术
背光模组为显示器件的关键零组件之一,用于给显示器件提供发光的背光源。目前的背光模组为反射式背光结构,具体地:使用含碗杯状支架的直射型LED灯珠,通过SMT(Surface Mount Technology,表面贴装技术)工艺将该LED灯珠贴设于PCB(PrintedCircuit Board,印制电路板)板上制成LED光源,再在该LED光源上盖设反射式透镜,制成该反射式背光结构。其中,该反射式背光结构发出的大部分光将通过反射式透镜的作用射往侧面,使得射往背光模组中的扩散板中时达到均匀发光的目的。
目前的背光模组中使用的LED光源,具有热阻高的缺点。且目前使用的反射式背光结构,由于需要将LED光源直射的大部分光转换为侧面出光,需要使用反射式透镜,这增加了物料的使用,另外需将透镜盖设在LED光源上,增加了生产工序,最终造成了物料、人工与设备的投入;另外由于直射型的LED光源在轴向光亮度过高,经过反射式透镜的反射后在扩散板上也会出现黄斑的问题。
基于倒装芯片的新型的CSP(芯片级封装,Chip Scale Package)封装LED(LightEmitting Diode,发光二极管)技术,是在芯片底面设有电极,仅在芯片的上表面和侧面封装上封装胶体,使底面的电极外露,形成CSP LED封装结构,从而这种结构可以直接焊接到电路板等其它器件中使用。由于这种封装结构不需要使用支架或基板,有效地降低了封装成本。
现有的CSP LED封装结构,虽然不需要再使用碗杯状支架,但其结构最终仍为直射型发光,与LED光源一样,使用CSP LED封装结构的背光模组仍然需要反射性透镜的使用,同样会造成物料、人工与设备的投入,以及出现黄斑的问题。
发明内容
基于此,有必要针对现有给背光模组提供光源的封装结构为直射型发光,需要反射性透镜的使用,造成物料、人工与设备的投入,以及出现黄斑的技术问题,提供一种CSPLED的封装方法及CSP LED的封装结构。
一种CSP LED的封装方法,包括:在基板上设置LED倒装晶片的步骤;在所述LED倒装晶片的远离所述基板的表面上设置白色挡光层的步骤,其中,所述LED倒装晶片在所述白色挡光层上的投影位于所述白色挡光层的边缘之内,且所述LED倒装晶片在所述白色挡光层上的投影面积小于所述白色挡光层的面积;在所述LED倒装晶片的周围形成荧光胶层的步骤,其中,所述荧光胶层远离基板的表面至少与所述LED倒装晶片的远离所述基板的表面齐平;去除所述基板的步骤。
在其中一个实施例中,所述在所述LED倒装晶片的远离所述基板的表面上设置白色挡光层的步骤的执行顺序先于所述在所述LED倒装晶片的周围形成荧光胶层的步骤。
在其中一个实施例中,所述荧光胶层远离基板的表面完全覆盖所述白色挡光层远离基板的表面。
在其中一个实施例中,所述荧光胶层远离基板的表面与所述白色挡光层远离基板的表面齐平。
在其中一个实施例中,所述在所述LED倒装晶片的周围形成荧光胶层的步骤的执行顺序先于所述在所述LED倒装晶片的远离所述基板的表面上设置白色挡光层的步骤。
在其中一个实施例中,所述荧光胶层远离基板的表面完全覆盖所述LED倒装晶片远离所述基板的表面,所述白色挡光层设置在所述荧光胶层上。
在其中一个实施例中,所述荧光胶层远离基板的表面与所述LED倒装晶片远离基板的表面齐平,所述白色挡光层设置在所述LED倒装晶片的远离所述基板的表面上。
一种CSP LED封装结构,包括:LED倒装晶片、白色挡光层和荧光胶层;所述荧光胶层设置在所述LED倒装晶片的周围,并且,所述荧光胶层的表面至少与LED倒装晶片的远离所述基板的表面齐平;所述白色挡光层设置在所述LED倒装晶片的远离所述基板的表面或所述LED倒装晶片的远离所述基板的表面的荧光胶层上,并且,所述LED倒装晶片在所述白色挡光层上的投影位于所述白色挡光层的边缘之内,且所述LED倒装晶片在所述白色挡光层上的投影面积小于所述白色挡光层的面积。
在其中一个实施例中,所述白色挡光层设置在所述LED倒装晶片的远离所述基板的表面上,所述荧光胶层的表面至少与所述LED倒装晶片的远离所述基板的表面齐平。
在其中一个实施例中,所述白色挡光层设置在所述荧光胶层上。
上述CSP LED的封装方法及CSP LED的封装结构,通过在LED倒装晶片的远离所述基板的表面上设置白色挡光层,且使白色挡光层的边缘凸出于LED倒装晶片的边缘,并在LED倒装晶片的周围设置荧光胶层,且LED倒装晶片发出的光在轴向被白色挡光层阻挡,与传统的CSP LED结构相比,不需要再使用透镜,即可使光线在侧面经过荧光胶层的作用转化为白光发射出来,使得在背光模组内经过底板和扩散板等的折射和反射作用后能够均匀地发射出来,同时避免出现光源在轴向光亮度过高,在扩散板上出现黄斑的问题。
附图说明
图1为一个实施例中CSP LED的封装方法的流程示意图;
图2A-图2G、图3和图4为图1所示的CSP LED的封装方法制作过程中的各步骤的结构示意图;
图5为另一个实施例中CSP LED的封装方法的流程示意图;
图6A-图6F、图7和图8为图1所示的CSP LED的封装方法制作过程中的各步骤的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进,因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触,或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
需要说明的是,当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“上”、“下”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的,并不表示是唯一的实施方式。
例如,一种CSP LED的封装方法,包括:在基板上设置LED倒装晶片的步骤;在所述LED倒装晶片的远离所述基板的表面上设置白色挡光层的步骤,其中,所述LED倒装晶片在所述白色挡光层上的投影位于所述白色挡光层的边缘之内,且所述LED倒装晶片在所述白色挡光层上的投影面积小于所述白色挡光层的面积;在所述LED倒装晶片的周围形成荧光胶层的步骤,其中,所述荧光胶层远离基板的表面至少与所述LED倒装晶片的远离所述基板的表面齐平;去除所述基板的步骤。例如,所述LED倒装晶片的数量为多个,多个所述LED倒装晶片呈矩形阵列设置在所述基板上。
例如,CSP LED的封装方法具体包括如下步骤:在基板上设置LED倒装晶片;在所述LED倒装晶片的远离所述基板的表面上设置白色挡光层;在所述LED倒装晶片的周围形成荧光胶层;去除所述基板。所述荧光胶层远离基板的表面完全覆盖所述白色挡光层远离基板的表面。又例如,所述荧光胶层的表面与所述白色挡光层的表面齐平。
例如,CSP LED的封装方法具体包括如下步骤:在基板上设置LED倒装晶片;在所述LED倒装晶片的周围形成荧光胶层;在所述LED倒装晶片的远离所述基板的表面或荧光胶层上设置白色挡光层;去除所述基板。例如,所述荧光胶层远离基板的表面完全覆盖所述LED倒装晶片远离所述基板的表面,所述白色挡光层设置在所述荧光胶层上。又例如,所述荧光胶层远离基板的表面与所述LED倒装晶片远离基板的表面齐平,所述白色挡光层设置在所述LED倒装晶片的远离所述基板的表面上。
上述CSP LED的封装方法及CSP LED的封装结构,通过在LED倒装晶片的远离基板的表面上设置白色挡光层,且使白色挡光层的边缘凸出于LED倒装晶片的边缘,并在LED倒装晶片的周围设置荧光胶层,且LED倒装晶片发出的光在轴向被白色挡光层阻挡,与传统的CSP LED结构相比,不需要再使用透镜,即可使光线在侧面经过荧光胶层的作用转化为白光发射出来,使得在背光模组内经过底板和扩散板等的折射和反射作用后能够均匀地发射出来,同时避免出现光源在轴向光亮度过高,在扩散板上出现黄斑的问题。
本发明的CSP封装方法按实际工艺步骤顺序的不一样,可以采用如下两种实施例的方法;
第一实施例的方法包括:在LED倒装晶片的远离基板的表面上设置白色挡光层的步骤的执行顺序先于在LED倒装晶片的周围形成荧光胶层的步骤。
第二实施例的方法包括:在LED倒装晶片的周围形成荧光胶层的步骤的执行顺序先于在LED倒装晶片的远离基板的表面上设置白色挡光层的步骤。
其中,请参阅图1,第一实施例的方法,其具体包括如下步骤:
S110:在基板上设置LED倒装晶片。
请参阅图2A,例如,基板100为透明基板。例如,基板100为玻璃、钢板或PCB板。
具体地,在基板上设置LED倒装晶片,使LED倒装晶片的正电极和负电极设置在基板上,而LED倒装晶片的发光中心背向基板设置。其中,LED倒装晶片的发光中心即指其在导电后光线射出的表面。例如,LED倒装晶片的数量为多个,多个LED倒装晶片呈矩形阵列设置在基板上。本实施例对应的所有附图中,即以LED倒装晶片的数量为多个为例。
例如,在基板上设置LED倒装晶片,具体包括以下步骤:在基板上设置双面均具有黏性的薄膜,在薄膜上设置LED倒装晶片。这样,通过使用薄膜将LED倒装晶片设置在基板上比通过使用胶水更容易在最后加工后将产品从薄膜上取下来。具体地,请参阅图2B,在基板100上设置双面均具有黏性的薄膜200,请参阅图2C,在薄膜200上设置LED倒装晶片300。
例如,薄膜为UV(Ultraviolet Rays,紫外线)膜。UV膜具有很好的张力,通过将UV膜扩张,使UV膜变薄、黏性降低,能较好地将黏贴在UV膜上的结构从UV膜上取下来。例如,还可通过UV光照射UV膜的方式以去除UV膜。这样,通过UV光照射UV膜,使UV膜的黏性降低,更加方便的将黏贴在UV膜上的结构从UV膜上解下来。例如,薄膜完全覆盖基板。这样,可以设置LED晶片的面积增大,增加了基板的工作面积。又例如,薄膜为热剥离薄膜。热剥离薄膜在常温下有粘合力,但加热到合适的温度粘性就会消失,能较好地将黏贴在热剥离薄膜上的结构从热剥离薄膜上取下来。
S130:在LED倒装晶片的远离基板的表面上设置白色挡光层。
具体地,在LED倒装晶片的远离基板的表面上设置白色挡光层,其中,LED倒装晶片在白色挡光层上的投影位于白色挡光层的边缘之内,且LED倒装晶片在白色挡光层上的投影面积小于白色挡光层的面积。这样,白色挡光层的边缘凸出于LED倒装晶片的边缘,遮挡LED倒装晶片正向发出的光,避免出现LED光源在轴向光亮度过高,在扩散板上有黄斑的问题。例如,LED倒装晶片在白色挡光层上的投影的边缘到白色挡光层的边缘的距离为0.1mm~0.3mm。
例如,在LED倒装晶片的远离基板的表面上设置白色挡光层,具体包括以下步骤:在LED倒装晶片的远离基板的表面上设置具有粘性的硅胶层,在硅胶层上设置白色挡光层。这样,通过使用硅胶将白色挡光层设置在LED倒装晶片的远离基板的表面上,使白色挡光层牢固地黏贴在LED倒装晶片的远离基板的表面上。具体地,请参阅图2D,在LED倒装晶片300的远离基板的表面上设置具有粘性的硅胶层400,请参阅图2E,在硅胶层400上设置白色挡光层500。例如,白色挡光层为透明胶水和二氧化钛的混合物。例如,白色胶水中的透明胶水为环氧树脂、硅胶、硅树脂等。例如,将透明胶水和二氧化钛的胶状混合物固化成膜以形成白色挡光层。
又例如,在LED倒装晶片的远离基板的表面上设置白色挡光层,具体包括以下步骤:在LED倒装晶片的远离基板的表面上形成白色挡光胶状物,将白色挡光胶状物固化形成白色挡光层。例如,白色挡光胶状物为透明胶水和二氧化钛的混合物。例如,白色胶水中的透明胶水可由环氧树脂、硅胶、硅树脂等制成。这样,白色挡光胶状物仍具有粘性,通过点胶的方式覆盖在LED倒装晶片的上方,在固化形成白色挡光层后可以牢固地黏贴在LED倒装晶片上。
例如,当LED倒装晶片的数量为多个,多个LED倒装晶片呈矩形阵列设置在基板上时,为了防止白色挡光层的阻挡,使在LED倒装晶片的周围形成荧光胶层方便,步骤S130:在LED倒装晶片的远离基板的表面上设置白色挡光层之后,在LED倒装晶片的周围形成荧光胶层之前,还包括:
将白色挡光层进行切割,使每一LED倒装晶片的远离基板的表面上的白色挡光层与其任一相邻的LED倒装晶片的远离基板的表面上的白色挡光层之间具有间隙,同时将白色挡光层进行切割之后,LED倒装晶片在白色挡光层上的投影位于白色挡光层的边缘之内,且LED倒装晶片在白色挡光层上的投影面积小于白色挡光层的面积。例如,切割后,LED倒装晶片在白色挡光层上的投影的边缘到白色挡光层在基板上的投影的边缘的距离为0.1mm~0.3mm。具体地,步骤S140之后的示意图请参阅图2F。
S150:在LED倒装晶片的周围形成荧光胶层。
具体地,在LED倒装晶片的周围形成荧光胶层,其中,荧光胶层远离基板的表面至少与白色挡光层远离基板的表面齐平。即荧光胶层远离基板的表面距离该基板的高度应大于或等于白色挡光层远离基板的表面距离该基板的高度,这样,能够确保LED倒装晶片发射的所有光,必须经过荧光胶层形成白光后,才能发射出来,避免LED倒装晶片发射的蓝光直接不经过荧光胶层而发射出来。
需要说明的是,在本实施例中,由于先在LED倒装晶片上设置白色挡光层,为了实际操作中形成荧光胶层的方便,荧光胶层远离基板的表面至少与白色挡光层远离基板的表面齐平,包括荧光胶层远离基板的表面与白色挡光层远离基板的表面齐平,以及荧光胶层远离基板的表面凸出于白色挡光层远离基板的表面两种情况。例如,请参阅图2G1,荧光胶层远离基板的表面完全覆盖白色挡光层远离基板的表面。这样,操作较简单,不需要精确的控制荧光胶水的用量。例如,请参阅2G2,荧光胶层远离基板的表面与白色挡光层远离基板的表面齐平。这样,需要精确的控制荧光胶水的用量,操作较复杂,但能够节省荧光胶水的用量。
例如,在LED倒装晶片的周围形成荧光胶层,具体包括以下步骤:在LED倒装晶片的外围设置一围堰治具,在围堰治具内填充荧光胶水以包围LED倒装晶片,并使荧光胶水远离基板的表面至少与LED倒装晶片的远离基板的表面齐平,将荧光胶水固化形成荧光胶层,去除围堰治具。围堰治具为环形治具,用于形成一临时空间包围LED倒装晶片并且在空间内填充胶状的荧光胶水包围该LED倒装晶片。例如,通过加热固化的方式将荧光胶水固化形成荧光胶层。
例如,荧光胶层为透明胶水和荧光粉颗粒的混合物。例如,透明胶水可由环氧树脂、硅胶、硅树脂等制成。例如,荧光粉颗粒可为黄色荧光粉颗粒、红色荧光粉颗粒、绿色荧光粉颗粒或其混合物。例如,黄色荧光粉颗粒的可由硅酸盐、YAG、氮化物等制成,绿色荧光粉可由为SiAlON等制成,红色荧光粉颗粒可由为氮化物、硅酸盐、KSF、KGF等制成。
例如,围堰治具设置在基板上,即在LED倒装晶片的周围形成保荧光胶层的步骤,具体包括以下步骤:在基板设置一围堰治具,在围堰治具内填充荧光胶水以包围LED晶片,并使荧光胶水远离基板的表面至少与LED倒装晶片远离基板的表面齐平,去除围堰治具。即荧光胶层设置在基板上且包围LED倒装晶片。
又例如,将LED倒装晶片通过双面均具有黏性的薄膜设置在基板上,围堰治具设置在薄膜上,即在LED晶片的周围形成荧光胶层的步骤,具体包括以下步骤:在薄膜上设置一围堰治具,在围堰治具内填充荧光胶水以包围LED倒装晶片,并使荧光胶水远离基板的表面至少与LED倒装晶片远离基板的表面齐平,去除围堰治具。
S170:去除基板。
将在基板上方形成的结构从基板中取下,以去除基板。基板可以重复使用。
例如,在基板上设置双面均具有黏性的薄膜,在薄膜上设置LED倒装晶片,去除基板,且同时去除薄膜。例如,薄膜为UV膜。例如,通过UV光照射UV膜的方式以去除UV膜。
例如,当LED倒装晶片的数量为多个时,在去除基板的步骤之前,还包括:将位于基板上方的荧光胶层进行切割,并去除基板,或去除基板之时还去除薄膜,以得到一颗颗的CSP LED封装结构。例如,LED倒装晶片通过薄膜设置在基板上时,去除基板之时,还包括去除薄膜,以得到一颗颗的CSP LED封装结构。例如,对齐白色挡光层对荧光胶层进行切割,以得到边缘整齐的CSP LED封装结构。请分别参阅图3和图4,其分别为图2G1和图2G2在切割后以及去除基板之后得到的CSP LED封装结构的示意图。
第二实施例的方法,其具体包括如下步骤:
S210:在基板上设置LED倒装晶片。
请参阅图6A,例如,基板100为透明基板。例如,基板100为玻璃、钢板或PCB板。
具体地,在基板上设置LED倒装晶片,使LED倒装晶片的正电极和负电极设置在基板上,而LED倒装晶片的远离基板的表面背向基板设置。其中,LED倒装晶片的远离基板的表面即指其在导电后光线射出的表面。例如,LED倒装晶片的数量为多个,多个LED倒装晶片呈矩形阵列设置在基板上。本实施例对应的所有附图中,即以LED倒装晶片的数量为多个为例。
例如,在基板上设置LED倒装晶片,具体包括以下步骤:在基板上设置双面均具有黏性的薄膜,在薄膜上设置LED倒装晶片。这样,通过使用薄膜将LED倒装晶片设置在基板上比通过使用胶水更容易在最后加工后将产品从薄膜上取下来。具体地,请参阅图6B,在基板100上设置双面均具有黏性的薄膜200,请参阅图6C,在薄膜200上设置LED倒装晶片300。
例如,薄膜为UV(Ultraviolet Rays,紫外线)膜。UV膜具有很好的张力,通过将UV膜扩张,使UV膜变薄、黏性降低,能较好地将黏贴在UV膜上的结构从UV膜上取下来。例如,还可通过UV光照射UV膜的方式以去除UV膜。这样,通过UV光照射UV膜,使UV膜的黏性降低,更加方便的将黏贴在UV膜上的结构从UV膜上解下来。例如,薄膜完全覆盖基板。这样,可以设置LED晶片的面积增大,增加了基板的工作面积。又例如,薄膜为热剥离薄膜。热剥离薄膜在常温下有粘合力,但加热到合适的温度粘性就会消失,能较好地将黏贴在热剥离薄膜上的结构从热剥离薄膜上取下来。
S230:在LED倒装晶片的周围形成荧光胶层。
具体地,在LED倒装晶片的周围形成荧光胶层,其中,荧光胶层远离基板的表面至少与LED倒装晶片的远离基板的表面齐平。即荧光胶层远离基板的表面距离该基板的高度应大于或等于LED倒装晶片的远离基板的表面距离该基板的高度,这样,在LED倒装晶片上方形成白色挡光层之后,能够使LED倒装晶片发射的所有光,必须经过荧光胶层形成白光后,才能发射出来,避免LED倒装晶片发射的蓝光直接不经过荧光胶层而发射出来。例如,在LED倒装晶片的周围形成荧光胶层,其中,荧光胶层远离基板的表面距离该基板的高度大于LED倒装晶片的远离基板的表面距离该基板的高度;通过研磨的方式,使荧光胶层远离基板的表面距离该基板的高度等于LED倒装晶片的远离基板的表面距离该基板的高度。例如,请参阅图6D1,其为在LED倒装晶片的周围形成荧光胶层,其中,荧光胶层远离基板的表面距离该基板的高度大于LED倒装晶片的远离基板的表面距离该基板的高度的示意图;又例如,请参阅图6D2,其为LED倒装晶片的周围形成荧光胶层,其中,荧光胶层远离基板的表面距离该基板的高度等于LED倒装晶片的远离基板的表面距离该基板的高度的示意图。
例如,在LED倒装晶片的周围形成荧光胶层,具体包括以下步骤:在LED倒装晶片的外围设置一围堰治具,在围堰治具内填充荧光胶水以包围LED倒装晶片,并使荧光胶水远离基板的表面至少与LED倒装晶片的远离基板的表面齐平,将荧光胶水固化形成荧光胶层,去除围堰治具。围堰治具为环形治具,用于形成一临时空间包围LED倒装晶片并且在空间内填充胶状的荧光胶水包围该LED倒装晶片。例如,通过加热固化的方式将荧光胶水固化形成荧光胶层。
例如,荧光胶层为透明胶水和荧光粉颗粒的混合物。例如,透明胶水可由环氧树脂、硅胶、硅树脂等制成。例如,荧光粉颗粒可为黄色荧光粉颗粒、红色荧光粉颗粒、绿色荧光粉颗粒或其混合物。例如,黄色荧光粉颗粒的可由硅酸盐、YAG、氮化物等制成,绿色荧光粉可由为SiAlON等制成,红色荧光粉颗粒可由为氮化物、硅酸盐、KSF、KGF等制成。
例如,围堰治具设置在基板上,即在LED倒装晶片的周围形成保荧光胶层的步骤,具体包括以下步骤:在基板设置一围堰治具,在围堰治具内填充荧光胶水以包围LED晶片,并使荧光胶水远离基板的表面至少与LED倒装晶片远离基板的表面齐平,去除围堰治具。即荧光胶层设置在基板上且包围LED倒装晶片。
又例如,将LED倒装晶片通过双面均具有黏性的薄膜设置在基板上,围堰治具设置在薄膜上,即在LED晶片的周围形成荧光胶层的步骤,具体包括以下步骤:在薄膜上设置一围堰治具,在围堰治具内填充荧光胶水以包围LED倒装晶片,并使荧光胶水远离基板的表面至少与LED倒装晶片远离基板的表面齐平,去除围堰治具。
S250:在LED倒装晶片的远离基板的表面或荧光胶层上设置白色挡光层。
具体地,在LED倒装晶片的远离基板的表面或荧光胶层上设置白色挡光层,其中,LED倒装晶片在白色挡光层上的投影位于白色挡光层的边缘之内,且LED倒装晶片在白色挡光层上的投影面积小于白色挡光层的面积。这样,白色挡光层的边缘凸出于LED倒装晶片的边缘,遮挡LED倒装晶片正向发出的光,避免出现LED光源在轴向光亮度过高,在扩散板上有黄斑的问题。例如,LED倒装晶片在白色挡光层上的投影的边缘到白色挡光层的边缘的距离为0.1mm~0.3mm。
例如,在LED倒装晶片的远离基板的表面或荧光胶层上设置白色挡光层,具体包括以下步骤:在LED倒装晶片的远离基板的表面或荧光胶层上设置具有粘性的硅胶层,在硅胶层上设置白色挡光层。这样,通过使用硅胶将白色挡光层设置在LED倒装晶片的远离基板的表面或荧光胶层上,使白色挡光层牢固地黏贴在LED倒装晶片的远离基板的表面或荧光胶层上。具体地,请参阅图2E1,在LED倒装晶片的远离基板的表面上设置具有粘性的硅胶层,请参阅图2F1,在硅胶层上设置白色挡光层。请参阅图2E2,在荧光胶层上设置具有粘性的硅胶层,请参阅图2F2,在硅胶层上设置白色挡光层。例如,白色挡光层为透明胶水和二氧化钛的混合物。例如,白色胶水中的透明胶水为环氧树脂、硅胶、硅树脂等。例如,将透明胶水和二氧化钛的胶状混合物固化成膜以形成白色挡光层。
又例如,在LED倒装晶片远离基板的一面设置白色挡光层,具体包括以下步骤:在LED倒装晶片上形成白色挡光胶状物,将白色挡光胶状物固化形成白色挡光层。例如,白色挡光胶状物为透明胶水和二氧化钛的混合物。例如,白色胶水中的透明胶水可由环氧树脂、硅胶、硅树脂等制成。这样,白色挡光胶状物仍具有粘性,通过点胶的方式覆盖在LED倒装晶片的上方,在固化形成白色挡光层后可以牢固地黏贴在LED倒装晶片上。
需要说明的是,在本实施例中,荧光胶层远离基板的表面至少与LED倒装晶片的远离基板的表面齐平,根据实际需要,可以有两种情况,使LED倒装晶片的远离基板的表面的上方设置白色挡光层也可以具有两种情况。例如,荧光胶层远离基板的表面完全覆盖LED倒装晶片的远离基板的表面,白色挡光层设置在荧光胶层上,如图2F1所示。这样,操作较简单,不需要精确的控制荧光胶水的用量。例如,荧光胶层远离基板的表面与LED倒装晶片的远离基板的表面齐平,白色挡光层设置在LED倒装晶片的远离基板的表面上,如图2F2所示。这样,需要精确的控制荧光胶水的用量,操作较复杂,但能够节省荧光胶水的用量。
S270:去除基板。
将在基板上方形成的结构从基板中取下,以去除基板。基板可以重复使用。
例如,在基板上设置双面均具有黏性的薄膜,在薄膜上设置LED倒装晶片,去除基板,且同时去除薄膜。例如,薄膜为UV膜。例如,通过UV光照射UV膜的方式以去除UV膜。
例如,当LED倒装晶片的数量为多个时,在去除基板的步骤之前,还包括:将位于基板上方的荧光胶层和白色挡光层进行切割,并去除基板,或去除基板之时还去除薄膜,以得到一颗颗的CSP LED封装结构。例如,LED倒装晶片通过薄膜设置在基板上时,去除基板之时,还包括去除薄膜,以得到一颗颗的CSP LED封装结构。例如,对齐白色挡光层对荧光胶层和白色挡光层进行切割,以得到边缘整齐的CSP LED封装结构。具体地,请分别参阅图7和图8,其分别为图6F1和图6F2在切割后以及去除基板之后得到的CSP LED封装结构的示意图。
例如,将白色挡光层进行切割,使每一LED倒装晶片的远离基板的表面上的白色挡光层与其任一相邻的LED倒装晶片的远离基板的表面上的白色挡光层之间具有间隙,同时需使得将白色挡光层进行切割之后,LED倒装晶片在白色挡光层上的投影位于白色挡光层的边缘之内,且LED倒装晶片在白色挡光层上的投影面积小于白色挡光层的面积。例如,切割后,LED倒装晶片在白色挡光层上的投影的边缘到白色挡光层在基板上的投影的边缘的距离为0.1mm~0.3mm。
本发明还公开一种CSP LED封装结构,其采用上述任一实施例所述的CSP LED的封装方法制得。例如,CSP LED封装结构包括:LED倒装晶片、白色挡光层和荧光胶层;所述荧光胶层设置在所述LED倒装晶片的周围,并且,所述荧光胶层的表面至少与LED倒装晶片的远离基板的表面齐平;所述白色挡光层设置在所述LED倒装晶片的远离基板的表面或所述LED倒装晶片的出光面上的荧光胶层上,并且,所述LED倒装晶片在所述白色挡光层上的投影位于所述白色挡光层的边缘之内,且所述LED倒装晶片在所述白色挡光层上的投影面积小于所述白色挡光层的面积。
例如,白色挡光层设置在LED倒装晶片的远离基板的表面上,荧光胶层的表面至少与LED倒装晶片的远离基板的表面齐平。例如,请参阅图3,荧光胶层的表面与白色挡光层的表面齐平;又如,请参阅图4,荧光胶层远离基板的表面完全覆盖白色挡光层远离基板的表面;又如,请参阅图8,荧光胶层的表面与LED倒装晶片的远离基板的表面齐平。请参阅图7,例如,白色挡光层设置在荧光胶层上。
例如,LED倒装晶片在白色挡光层上的投影的边缘到白色挡光层的边缘的距离为0.1mm~0.3mm。例如,CSP LED封装结构还包括硅胶层,白色挡光层通过硅胶层设置在LED倒装晶片的远离基板的表面上,或者,白色挡光层通过硅胶层设置在荧光胶层上。例如,在LED倒装晶片的远离基板的表面上设置具有粘性的硅胶层,在硅胶层上设置白色挡光层;又例如,在荧光胶层上设置具有粘性的硅胶层,在硅胶层上设置白色挡光层。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种CSP LED的封装方法,其特征在于,包括:
在基板上设置LED倒装晶片的步骤;
在所述LED倒装晶片的远离所述基板的表面上设置白色挡光层的步骤,其中,所述LED倒装晶片在所述白色挡光层上的投影位于所述白色挡光层的边缘之内,且所述LED倒装晶片在所述白色挡光层上的投影面积小于所述白色挡光层的面积;
在所述LED倒装晶片的周围形成荧光胶层的步骤,其中,所述荧光胶层远离基板的表面至少与所述LED倒装晶片的远离所述基板的表面齐平;
去除所述基板的步骤。
2.根据权利要求1所述的CSP LED的封装方法,其特征在于,所述在所述LED倒装晶片的远离所述基板的表面上设置白色挡光层的步骤的执行顺序先于所述在所述LED倒装晶片的周围形成荧光胶层的步骤。
3.根据权利要求2所述的CSP LED的封装方法,其特征在于,所述荧光胶层远离基板的表面完全覆盖所述白色挡光层远离基板的表面。
4.根据权利要求2所述的CSP LED的封装方法,其特征在于,所述荧光胶层远离基板的表面与所述白色挡光层远离基板的表面齐平。
5.根据权利要求1所述的CSP LED的封装方法,其特征在于,所述在所述LED倒装晶片的周围形成荧光胶层的步骤的执行顺序先于所述在所述LED倒装晶片的远离所述基板的表面上设置白色挡光层的步骤。
6.根据权利要求5所述的CSP LED的封装方法,其特征在于,所述荧光胶层远离基板的表面完全覆盖所述LED倒装晶片远离所述基板的表面,所述白色挡光层设置在所述荧光胶层上。
7.根据权利要求5所述的CSP LED的封装方法,其特征在于,所述荧光胶层远离基板的表面与所述LED倒装晶片远离基板的表面齐平,所述白色挡光层设置在所述LED倒装晶片的远离所述基板的表面上。
8.一种CSP LED封装结构,其特征在于,包括:LED倒装晶片、白色挡光层和荧光胶层;
所述荧光胶层设置在所述LED倒装晶片的周围,并且,所述荧光胶层的表面至少与LED倒装晶片的远离所述基板的表面齐平;
所述白色挡光层设置在所述LED倒装晶片的远离所述基板的表面或所述LED倒装晶片的远离所述基板的表面的荧光胶层上,并且,所述LED倒装晶片在所述白色挡光层上的投影位于所述白色挡光层的边缘之内,且所述LED倒装晶片在所述白色挡光层上的投影面积小于所述白色挡光层的面积。
9.根据权利要求8所述的CSP LED的封装结构,其特征在于,所述白色挡光层设置在所述LED倒装晶片的远离基板的表面上,所述荧光胶层的表面至少与所述LED倒装晶片的远离基板的表面齐平。
10.根据权利要求8所述的CSP LED的封装结构,其特征在于,所述白色挡光层设置在所述荧光胶层上。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110131599A (zh) * 2019-05-21 2019-08-16 厦门市东太耀光电子有限公司 一种水平反光白墙的csp led
WO2020098503A1 (zh) * 2018-11-16 2020-05-22 吴裕朝 发光装置封装制程
CN111640737A (zh) * 2020-06-02 2020-09-08 上海九山电子科技有限公司 一种模具及背光源的封装方法
WO2021169999A1 (zh) * 2020-02-28 2021-09-02 深圳市聚飞光电股份有限公司 Led 芯片组件、 led 器件及其制作方法
CN113823726A (zh) * 2021-01-21 2021-12-21 江苏欧密格光电科技股份有限公司 一种csp光源及其制备方法
WO2022173005A1 (ja) * 2021-02-12 2022-08-18 味の素株式会社 発光素子パッケージ及びその製造方法
CN116344723A (zh) * 2023-05-31 2023-06-27 硅能光电半导体(广州)有限公司 一种蝙蝠翼光型led灯珠结构及其制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105006510A (zh) * 2015-07-29 2015-10-28 广州市鸿利光电股份有限公司 一种csp led的封装方法
CN106932951A (zh) * 2017-04-14 2017-07-07 深圳市华星光电技术有限公司 Led灯源及其制造方法、背光模组
US20180114884A1 (en) * 2016-10-25 2018-04-26 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package and display apparatus including the same
CN208315595U (zh) * 2018-05-04 2019-01-01 Tcl华瑞照明科技(惠州)有限公司 Csp led的封装结构

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105006510A (zh) * 2015-07-29 2015-10-28 广州市鸿利光电股份有限公司 一种csp led的封装方法
US20180114884A1 (en) * 2016-10-25 2018-04-26 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package and display apparatus including the same
CN106932951A (zh) * 2017-04-14 2017-07-07 深圳市华星光电技术有限公司 Led灯源及其制造方法、背光模组
CN208315595U (zh) * 2018-05-04 2019-01-01 Tcl华瑞照明科技(惠州)有限公司 Csp led的封装结构

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020098503A1 (zh) * 2018-11-16 2020-05-22 吴裕朝 发光装置封装制程
CN110131599A (zh) * 2019-05-21 2019-08-16 厦门市东太耀光电子有限公司 一种水平反光白墙的csp led
WO2021169999A1 (zh) * 2020-02-28 2021-09-02 深圳市聚飞光电股份有限公司 Led 芯片组件、 led 器件及其制作方法
CN111640737A (zh) * 2020-06-02 2020-09-08 上海九山电子科技有限公司 一种模具及背光源的封装方法
CN113823726A (zh) * 2021-01-21 2021-12-21 江苏欧密格光电科技股份有限公司 一种csp光源及其制备方法
CN113823726B (zh) * 2021-01-21 2024-02-23 江苏欧密格光电科技股份有限公司 一种csp光源及其制备方法
WO2022173005A1 (ja) * 2021-02-12 2022-08-18 味の素株式会社 発光素子パッケージ及びその製造方法
CN116344723A (zh) * 2023-05-31 2023-06-27 硅能光电半导体(广州)有限公司 一种蝙蝠翼光型led灯珠结构及其制备方法
CN116344723B (zh) * 2023-05-31 2023-08-29 硅能光电半导体(广州)有限公司 一种蝙蝠翼光型led灯珠结构及其制备方法

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