TWI778103B - 發光裝置封裝 - Google Patents
發光裝置封裝 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI778103B TWI778103B TW107125226A TW107125226A TWI778103B TW I778103 B TWI778103 B TW I778103B TW 107125226 A TW107125226 A TW 107125226A TW 107125226 A TW107125226 A TW 107125226A TW I778103 B TWI778103 B TW I778103B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- emitting device
- light emitting
- disposed
- opening
- lead frame
- Prior art date
Links
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 735
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 735
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 440
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 440
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 93
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 561
- 239000000463 material Substances 0.000 description 257
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 169
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 134
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 134
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 134
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 104
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 98
- -1 polysiloxane Polymers 0.000 description 93
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 90
- 238000000034 method Methods 0.000 description 89
- 230000008569 process Effects 0.000 description 84
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 73
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 41
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 40
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 39
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 38
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 34
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 34
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 25
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 25
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 23
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 22
- 229920006336 epoxy molding compound Polymers 0.000 description 22
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 22
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 19
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 19
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 19
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 19
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 18
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 17
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 16
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 15
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 12
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 12
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 12
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L terephthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=C(C([O-])=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 12
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 11
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 10
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 10
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000006089 photosensitive glass Substances 0.000 description 10
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- VRIVJOXICYMTAG-IYEMJOQQSA-L iron(ii) gluconate Chemical compound [Fe+2].OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O.OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O VRIVJOXICYMTAG-IYEMJOQQSA-L 0.000 description 9
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 9
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 8
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 8
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 8
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910019897 RuOx Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 6
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 5
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 5
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 238000011160 research Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 3
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N nickel(II) oxide Inorganic materials [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 3
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001954 sterilising effect Effects 0.000 description 3
- 238000004659 sterilization and disinfection Methods 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 1
- 238000004887 air purification Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000005202 decontamination Methods 0.000 description 1
- 230000003588 decontaminative effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Supplying Of Containers To The Packaging Station (AREA)
- Telephone Function (AREA)
- Container Filling Or Packaging Operations (AREA)
Abstract
一種發光裝置封裝包括：一第一引線框架及一第二引線框架，其安置成彼此間隔開；一主體，其安置於該第一引線框架與該第二引線框架之間且包含一凹槽；該凹槽上之一第一黏著劑；該第一黏著劑上之一發光裝置；一第二黏著劑，其安置於該第一引線框架及該第二引線框架與該發光裝置之間；及一樹脂部分，其安置成環繞該第二黏著劑及該發光裝置之一部分區。
Description
實施例係關於一種半導體裝置封裝、一種製造半導體裝置封裝之方法及一種光源設備。
包括諸如GaN及AlGaN之化合物的半導體裝置具有許多優勢，諸如寬且可易於調整之帶隙能量，因此裝置可不同地用作發光裝置、光接收裝置及各種二極體。
特定而言，由於薄膜生長技術及裝置材料之開發，藉由使用第III-V族或第II-VI族化合物半導體物質獲得的諸如發光二極體及雷射二極體之發光裝置可實施具有各種波長帶之光，諸如紅光、綠光、藍光及紫外線。此外，藉由使用第III-V族或第II-VI族化合物半導體物質獲得的諸如發光二極體及雷射二極體之發光裝置可藉由使用螢光物質或組合色彩而實施具有高效率之白光源。相較於諸如螢光燈及白熾燈之習知光源，此發光裝置具有諸如低電力消耗、半永久壽命、快速回應速度、安全性及環境友好之優點。
此外，在使用第III-V族或第II-VI族化合物半導體物質製造諸如光電偵測器或太陽能電池之光接收裝置時，隨著裝置材料之開發，藉由吸收具有各種波長域之光來產生光電電流，使得可使用具有各種波長域之光，諸如自伽瑪射線至無線電波。此外，上文之光接收裝置具有諸如快速回應速度、安全性、環境友好及易於控制裝置材料之優點，使得光接收裝置可易於用於電力控制件、超高頻電路或通信模組。
因此，半導體裝置已應用且擴展至光學通信工具之傳輸模
組、替換構成液晶顯示器(LCD)之背光的冷陰極螢光燈(CCFL)的發光二極體背光、可替換螢光燈或白熾燈泡的發白光二極體照明設備、車輛前燈、交通信號燈及用於偵測氣體或火之感測器。此外，半導體裝置之應用可擴展至高頻應用電路、電力控制設備或通信模組。
舉例而言，發光裝置可提供為具有藉由使用元素週期表中之第III-V族元素或第II-VI族元素將電能轉換成光能之特性的p-n接面二極體，且可藉由調整化合物半導體物質之組成比率來實現各種波長。
舉例而言，由於氮化物半導體具有高熱穩定性及寬帶隙能量，因此其在光學裝置及高功率電子裝置之開發領域中受到極大關注。特定而言，使用氮化物半導體之藍色發光裝置、綠色發光裝置、紫外(UV)發光裝置及紅色發光裝置已商業化且廣泛地被使用。
舉例而言，紫外發光裝置係指產生分佈於200nm至400nm之波長範圍中之光的發光二極體。在上文之波長範圍中，短波長可用於滅菌、淨化或其類似者且長波長可用於步進器、固化設備或其類似者。
紫外線可按長波長之次序分為UV-A(315nm至400nm)、UV-B(280nm至315nm)及UV-C(200nm至280nm)。UV-A(315nm至400nm)域應用於各種領域，諸如工業UV固化、印刷油墨之固化、曝光機器、偽造金錢之鑑別、光催化滅菌、特殊照明(諸如，水族箱/農業)，UV-B(280nm至315nm)域應用於醫療用途，且UV-C(200nm至280nm)域應用於空氣淨化、水淨化、滅菌產品及其類似者。
同時，由於已請求能夠提供高輸出之半導體裝置，因此已進行對能夠藉由應用高功率源來增加輸出電力之半導體裝置的研究。
此外，關於半導體裝置封裝，已進行對改良半導體裝置之光提取效率及改良封裝階段中之光強度之方法的研究。此外，關於半導體裝置封裝，已進行對改良封裝電極與半導體裝置之間的結合強度之方法的研究。
此外，關於半導體裝置封裝，已進行對藉由改良製程效率及改變結構來減小製造成本且改良製造良率之方法的研究。
實施例可提供一種能夠改良光提取效率及電特性之半導體裝置封裝、一種製造半導體裝置封裝之方法及一種光源設備。
實施例可提供一種能夠減小製造成本且改良製造良率之半導體裝置封裝、一種製造半導體裝置封裝之方法及一種光源設備。
實施例提供可防止在將半導體裝置封裝重新結合至基板或其類似者之製程期間在半導體裝置封裝之結合區中發生重新熔融現象的一種半導體裝置封裝及一種製造半導體裝置封裝之方法。
根據一實施例，一種製造一發光裝置封裝之方法包含：形成一第一引線框架，其包含穿過其一上表面及一下表面之一第一開口；一第二引線框架，其包含穿過其一上表面及一下表面之一第二開口；及一主體，其安置於該第一引線框架與該第二引線框架之間且包含設置為自其一上表面朝向一下表面凹入之一凹槽；將一黏著劑設置至該凹槽；提供一發光裝置，其包含該主體上之一第一結合部分及一第二結合部分，其中該第一結合部分安置於該第一開口上且該第二結合部分安置於該第二開口上，且該發光裝置之一下表面與該黏著劑接觸地附接；使該黏著劑固化；在該第一引線框架及該第二引線框架上圍繞該第一結合部分及該第二結合部分設置一樹脂部分；及將第一導電層及第二導電層分別設置於該第一開口及該第二開口處。
根據該實施例，該樹脂部分可設置於一第一上部凹槽及一第二上部凹槽處，該第一上部凹槽可安置成與該第一開口間隔開且設置為自該第一引線框架之該上表面朝向該第一引線框架之一下表面凹入，且該第二上部凹槽可安置成與該第二開口間隔開且設置為自該第二引線框架之該上表面朝向該第二引線框架之該下表面凹入。
根據該實施例，製造一發光裝置封裝之該方法可進一步包含在該設置該樹脂部分之後將一模製部分設置於該發光裝置上。
根據該實施例，製造一發光裝置封裝之該方法可進一步包含在該將該第一導電層及該第二導電層分別設置於該第一開口及該第二開口處之後將一模製部分設置於該發光裝置上。
根據該實施例，該第一導電層及該第二導電層可按一導電膏之形式設置於該第一開口及該第二開口中。
根據該實施例，該將該第一導電層及該第二導電層設置於該第一開口及該第二開口處可包含：將一第一導電膏設置於該第一開口及該第二開口中；及進一步將一第二導電膏設置於該第一開口及該第二開口中，其中該第一導電膏及該第二導電膏可包含不同材料。
根據該實施例，該第一導電層可設置於該第一開口中並可與該第一結合部分之一下表面直接接觸，且該第二導電層可設置於該第二開口中並可與該第二結合部分之一下表面直接接觸。
根據該實施例，該將該第一導電層設置於該第一開口處可包含將一第一上部導電層及一第一下部導電層設置於該第一開口中，且該第一上部導電層及該第一下部導電層可包含不同材料。
根據該實施例，該第一上部導電層可設置為與該第一結合部分直接接觸，且該第一下部導電層可設置為與該第一上部導電層直接接觸。
根據該實施例，該樹脂部分可包含一白色聚矽氧。
根據該實施例，該第一導電層及該第二導電層可安置成在該主體之該下表面上彼此間隔開。
根據該實施例，該第一結合部分及該第二結合部分可具備選自由以下各者組成之群的至少一種材料：Ti、Al、In、Ir、Ta、Pd、Co、Cr、Mg、Zn、Ni、Si、Ge、Ag、Ag合金、Au、Hf、Pt、Ru、Rh、Sn、Cu、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au及Ni/IrOx/Au/ITO或其合金。
根據該實施例，該第一導電層及該第二導電層可具備選自由以下各者組成之群的至少一種材料：Ag、Au、Pt、Sn及Cu、SAC(Sn-Ag-Cu)或其合金。
根據該實施例，該黏著劑可設置為與該主體之該上表面及該發光裝置之該下表面直接接觸。
根據一實施例，一種製造一發光裝置封裝之方法包含：形成一第一引線框架，其包含一第一開口；一第二引線框架，其包含一第二開口；
及一主體，其安置於該第一引線框架與該第二引線框架之間且包含設置為自其一上表面朝向一下表面凹入之一凹槽；將一黏著劑設置至該凹槽；提供一發光裝置，其包含該主體上之一第一結合部分及一第二結合部分，其中該第一結合部分安置於該第一開口上且該第二結合部分安置於該第二開口上，且該發光裝置之一下表面與該黏著劑接觸地附接；使該黏著劑固化；圍繞該第一結合部分及該第二結合部分設置一樹脂部分；及藉由提供一導電膏將第一導電層及第二導電層分別形成於該第一開口及該第二開口處。
根據該實施例，該第一導電層可設置於該第一開口中並形成為與該第一結合部分之一下表面直接接觸，且該第二導電層可設置於該第二開口中並形成為該第二結合部分之一下表面直接接觸。
根據該實施例，該將該第一導電層形成於該第一開口處可包含將一第一上部導電層及一第一下部導電層形成於該第一開口中，且該第一上部導電層及該第一下部導電層可包含不同材料。
根據該實施例，該第一上部導電層可形成為與該第一結合部分直接接觸，且該第一下部導電層可形成為與該第一上部導電層直接接觸。
根據該實施例，該樹脂部分可包含一白色聚矽氧。
根據該實施例，該第一導電層及該第二導電層可具備選自由以下各者組成之群的至少一種材料：Ag、Au、Pt、Sn、Cu及SAC(Sn-Ag-Cu)或其合金。
根據一實施例，一種製造一發光裝置封裝之方法包含：提供一第一引線框架，其包含穿過其一上表面及一下表面之一第一開口；一第二引線框架，其包含穿過其一上表面及一下表面之一第二開口；及一封裝主體，其包含安置於該第一引線框架與該第二引線框架之間且包含設置為自其一上表面朝向一下表面凹入之一凹槽的一主體；將一黏著劑設置至該主體之該凹槽；提供一發光裝置，其包含該封裝主體上之其一下表面上的一第一結合部分及一第二結合部分，其中該第一結合部分安置於該第一開口上且該第二結合部分安置於該第二開口上，且該發光裝置之該下表面與該黏著劑接觸地附接；將一樹脂部分設置於該第一引線框架之該上表面與該第
一結合部分之一側表面之間及該第二引線框架之該上表面與該第二結合部分之一側表面之間；及將一第一導電層設置於該第一開口處且將一第二導電層設置於該第二開口處。
根據該實施例，該樹脂部分可形成於一第一上部凹槽處，且可形成於一第二上部凹槽處，該第一上部凹槽安置成與該第一開口間隔開且設置為自該第一引線框架之該上表面朝向該第一引線框架之該下表面凹入，該第二上部凹槽安置成與該第二開口間隔開且設置為自該第二引線框架之該上表面朝向該第二引線框架之該下表面凹入。
根據該實施例，製造一發光裝置封裝之該方法可進一步包含在該設置該樹脂部分之後將一模製部分設置於該發光裝置上。
根據該實施例，製造一發光裝置封裝之該方法可進一步包含在該將該第一導電層設置於該第一開口處及該將該第二導電層設置於該第二開口處之後將一模製部分設置於該發光裝置上。
根據該實施例，該第一導電層及該第二導電層可按一導電膏之形式設置於該第一開口及該第二開口處。
根據該實施例，該將該第一導電層設置於該第一開口處及該將該第二導電層設置於該第二開口處可包含：將一第一導電膏設置於該第一開口及該第二開口中；及進一步將一第二導電膏設置於該第一開口及該第二開口中，其中該第一導電膏及該第二導電膏可包含不同材料。
根據一實施例，一種發光裝置封裝包含：一第一引線框架及一第二引線框架，其安置成彼此間隔開且分別包含第一開口及第二開口；一主體，其安置於該第一引線框架與該第二引線框架之間且包含一凹槽；該凹槽上之一黏著劑；一發光裝置，其在該黏著劑上且包含第一結合部分及第二結合部分；及分別在該第一結合部分及該第二結合部分上之第一導體及第二導體，其中該第一結合部分及該第二結合部分分別安置於該第一開口及該第二開口上，該第一導體及該第二導體分別安置至該第一開口及該第二開口中，該第一開口及該第二開口進一步包含該第一引線框架及該第二引線框架中之每一者之一上表面上的一第一區及該第一引線框架及該第二引
線框架中之每一者之一下表面上的一第二區，且該第一區之一上表面的一寬度小於該第二區之一下表面的一寬度。
根據一實施例，一種發光裝置封裝包含：一第一引線框架及一第二引線框架，其安置成彼此間隔開；一主體，其安置於該第一引線框架與該第二引線框架之間；一發光裝置，其包含一第一結合部分及一第二結合部分；及一黏著劑，其安置於該主體與該發光裝置之間，其中該第一引線框架包含穿過該第一引線框架之一上表面及一下表面的一第一開口及安置成與該第一開口間隔開且設置為自該第一引線框架之該上表面朝向該第一引線框架之該下表面凹入的一第一上部凹槽，該第二引線框架包含穿過該第二引線框架之一上表面及一下表面的一第二開口及安置成與該第二開口間隔開且設置為自該第二引線框架之該上表面朝向該第二引線框架之該下表面凹入的一第二上部凹槽，該主體包含設置為自其一上表面朝向一下表面凹入之一凹槽，該黏著劑安置於該凹槽上，該第一結合部分安置於該第一開口上且該第二結合部分安置於該第二開口上，且一樹脂部分安置於該第一上部凹槽與該第一結合部分之一側表面之間及該第二上部凹槽與該第二結合部分之一側表面之間。
根據該實施例，該發光裝置封裝可進一步包含：一第一導電層，其設置於該第一開口中且安置成與該第一結合部分之一下表面直接接觸；及一第二導電層，其設置於該第二開口中且安置成與該第二結合部分之一下表面直接接觸。
根據該實施例，該第一導電層可包含設置於該第一開口之一上部區處的一第一上部導電層及設置於該第一開口之一下部區處的一第一下部導電層，且該第一上部導電層及該第一下部導電層可包含不同材料。
根據該實施例，該樹脂部分可包含一白色聚矽氧。
根據該實施例，該發光裝置封裝可進一步包含：一第一導體，其安置於該第一結合部分下方且電連接至該第一結合部分；一第二導體，其安置於該第二結合部分下方且電連接至該第二結合部分；一第一導電層，其設置於該第一開口處且安置成與該第一導體之一下表面及一側表面直接接
觸；及一第二導電層，其設置於該第二開口處且安置成與該第二導體之一下表面及一側表面直接接觸。
根據該實施例，該第一導電層可安置成與該第一結合部分之一下表面直接接觸，且該第二導電層可安置成與該第二結合部分之一下表面直接接觸。
根據該實施例，該第一導體可安置於該第一開口中，且該第二導體可安置於該第二開口中。
根據該實施例，該第一開口可設置為使得一上部區之一寬度小於一下部區之一寬度，且可包含一傾斜表面，其中一寬度自該下部區至該上部區逐漸減小。
根據一實施例，一種發光裝置封裝包含：一第一引線框架及一第二引線框架，其安置成彼此間隔開；一主體，其安置於該第一引線框架與該第二引線框架之間且包含一凹槽；該凹槽上之一第一黏著劑；該第一黏著劑上之一發光裝置；一第二黏著劑，其安置於該第一引線框架及該第二引線框架與該發光裝置之間；及一樹脂部分，其安置成環繞該第二黏著劑及該發光裝置之一部分區；其中該發光裝置包含：一發光結構，其包含一第一導電型半導體層、一第二導電型半導體層及安置於該第一導電型半導體層與該第二導電型半導體層之間的一作用層；一第一結合部分，其在該發光結構上且電連接至該第一導電型半導體層；及一第二結合部分，其在該發光結構上安置成與該第一結合部分間隔開且電連接至該第二導電型半導體層，其中該第一引線框架包含安置有該第二黏著劑及該第一結合部分之一第一區及安置成環繞該第一區之一部分的一第一上部凹槽，且該第二引線框架包含安置有該第二黏著劑及該第二結合部分之一第二區及安置成環繞該第二區之一部分的一第二上部凹槽，其中該樹脂部分安置於該第一上部凹槽及該第二上部凹槽上，其中該第一上部凹槽包含在垂直於該發光結構之一下表面且平行於該發光結構之一側表面的一第一方向上與該發光結構重疊的一第一內側表面，當該發光結構之該側表面與該第一結合部分之一側表面之間的在一第二方向上的一第一距離等於或大於40微米時，該發光結構之
該側表面與該第一內側表面之間的在該第二方向上的一距離小於該第一距離，當該發光結構之該側表面與該第一結合部分之該側表面之間的在該第二方向上的該第一距離小於40微米時，該發光結構之該側表面與該第一內側表面之間的在該第二方向上的該距離大於該第一距離，且該第二方向提供為垂直於該第一方向。
根據一實施例，一種發光裝置封裝包含：一第一引線框架及一第二引線框架，其安置成彼此間隔開；一主體，其安置於該第一引線框架與該第二引線框架之間且包含一凹槽；該凹槽上之一第一黏著劑；一發光裝置，其在該第一黏著劑上且包含第一結合部分及第二結合部分；及一第二黏著劑，其安置於該第一引線框架及該第二引線框架與該發光裝置之間，其中該第一結合部分及該第二結合部分分別電連接至該第一引線框架及該第二引線框架，且該第一引線框架及該第二引線框架中之每一者包含設置於該發光裝置之一周邊區中的第一上部凹槽及第二上部凹槽，且該第二黏著劑安置於該第一上部凹槽及該第二上部凹槽上，其中該第二黏著劑安置於該第一上部凹槽及該第二上部凹槽上，且自該發光裝置之一側表面至安置於該發光裝置之一下表面下方的該第一上部凹槽之一側表面的一第一距離大於自該發光裝置之該側表面至該第一結合部分之一側表面的一第二距離。
根據一實施例，一種發光裝置封裝包含：一第一引線框架及一第二引線框架，其安置成彼此間隔開；一主體，其安置於該第一引線框架與該第二引線框架之間；一發光裝置，其包含電連接至該第一引線框架之一第一結合部分及電連接至該第二引線框架之一第二結合部分；一第一黏著劑，其安置於該主體與該發光裝置之間；及一第二黏著劑，其安置於該第一引線框架及該第二引線框架與該發光裝置之間，其中該第一引線框架及該第二引線框架中之每一者包含設置為在自其一上表面朝向一下表面之一第一方向上凹入的第一上部凹槽及第二上部凹槽，該第二黏著劑安置於該第一上部凹槽及該第二上部凹槽中，該第一黏著劑安置於形成於該主體之一上表面中的一凹槽中，且當自該發光裝置之上方向觀看時，自該發光裝置之一側表面至安置於該發光裝置之一下表面下方的該第一上部凹槽之一側表
面的一第一距離大於自該發光裝置之該側表面至該第一結合部分之一側表面的一第二距離。
根據該實施例，自該發光裝置之該側表面至該第一結合部分之該側表面的該第二距離可提供為幾十微米。
根據該實施例，自該發光裝置之該側表面至該第一結合部分之該側表面的該第二距離可提供為40至50微米。
根據該實施例，該第一上部凹槽之一部分區可安置成在該第一方向上與該第一結合部分之一下表面重疊。
根據該實施例，該第一黏著劑可係一絕緣黏著劑，且該第二黏著劑可提供為一導電黏著劑。
根據該實施例，該第一黏著劑可與該主體之一上表面直接接觸並與該發光裝置之一下表面直接接觸，且該第二黏著劑可與該第一引線框架之一上表面直接接觸並與該第一結合部分之一下表面直接接觸。
根據該實施例，該發光裝置封裝可包含安置於該第一上部凹槽及該第二上部凹槽中且與該第二黏著劑接觸之一第一樹脂部分。
根據該實施例，該第一樹脂部分可與該發光裝置之一下表面直接接觸且與該第二黏著劑之一側表面直接接觸。
根據該實施例，該第一黏著劑可安置成基於該第一方向與該發光裝置重疊，且該第二黏著劑可安置成基於該第一方向與該第一結合部分重疊。
根據該實施例，該第一黏著劑可安置於該第一結合部分與該第二結合部分之間。
根據一實施例，一種發光裝置封裝包含：一第一引線框架及一第二引線框架，其安置成彼此間隔開；一主體，其安置於該第一引線框架與該第二引線框架之間且包含一凹槽；該凹槽上之一第一黏著劑；一發光裝置，其在該第一黏著劑上且包含第一結合部分及第二結合部分；及一第二黏著劑，其安置於該第一引線框架及該第二引線框架與該發光裝置之間，其中該第一結合部分及該第二結合部分分別電連接至該第一引線框架及該第二
引線框架，且該第一引線框架及該第二引線框架中之每一者包含設置於該發光裝置之一周邊區中的第一上部凹槽及第二上部凹槽，且該第二黏著劑安置於該第一上部凹槽及該第二上部凹槽上，其中該第二黏著劑安置於該第一上部凹槽及該第二上部凹槽上，且自該發光裝置之一側表面至安置於該發光裝置之一下表面下方的該第一上部凹槽之一側表面的一第一距離提供為小於自該發光裝置之該側表面至該第一結合部分之一側表面的一第二距離，且自該發光裝置之該側表面至該第一結合部分之該側表面的該第二距離可提供為大於40微米。
根據一實施例，一種發光裝置封裝包含：一第一引線框架及一第二引線框架，其安置成彼此間隔開；一主體，其安置於該第一引線框架與該第二引線框架之間；一發光裝置，其包含電連接至該第一引線框架之一第一結合部分及電連接至該第二引線框架之一第二結合部分；一第一黏著劑，其安置於該主體與該發光裝置之間；及一第二黏著劑，其安置於該第一引線框架及該第二引線框架與該發光裝置之間，其中該第一引線框架及該第二引線框架中之每一者包含設置為在自其一上表面朝向一下表面之一第一方向上凹入的第一上部凹槽及第二上部凹槽，該第二黏著劑安置於該第一上部凹槽及該第二上部凹槽中，該第一黏著劑安置於形成於該主體之一上表面中的一凹槽中，且當自該發光裝置之上方向觀看時，自該發光裝置之一側表面至安置於該發光裝置之一下表面下方的該第一上部凹槽之一側表面的一第一距離提供為小於自該發光裝置之該側表面至該第一結合部分之一側表面的一第二距離，且自該發光裝置之該側表面至該第一結合部分之該側表面的該第二距離可提供為大於40微米。
根據該實施例，自該發光裝置之該側表面至該第一結合部分之該側表面的該第二距離可提供為50至90微米。
根據該實施例，該第一上部凹槽之一部分區可安置成在該第一方向上與該第一結合部分之一下表面重疊。
根據該實施例，該第一黏著劑可係一絕緣黏著劑，且該第二黏著劑可提供為一導電黏著劑。
根據該實施例的該半導體裝置封裝及製造該半導體裝置封裝之該方法可改良光提取效率、電特性及可靠性。
根據該實施例的該半導體裝置封裝及製造該半導體裝置封裝之該方法可改良製程效率且提議新的封裝結構，藉此減小製造成本且改良製造良率。
根據實施例，該半導體裝置封裝具備具有高反射比之主體，使得可防止反射體變色，藉此改良該半導體裝置封裝之可靠性。
根據實施例，該半導體裝置封裝及製造半導體裝置之該方法可防止在將該半導體裝置封裝重新結合至基板或其類似者或熱處理該半導體裝置封裝之製程期間在該半導體裝置封裝之結合區中發生重新熔融現象。
100:發光裝置封裝
110:封裝主體
111:第一引線框架
112:第二引線框架
111a:第一鍍敷層
112a:第二鍍敷層
113:主體
120:發光裝置
121:第一結合部分/第一襯墊電極
122:第二結合部分/第二襯墊電極
123:發光結構
124:基板
130:黏著劑
135:樹脂部分
140:模製部分
221:第一導體
222:第二導體
300:發光裝置封裝
310:電路板
311:第一襯墊
312:第二襯墊
313:支撐基板
321:第一導電層
321a:第一上部導電層
321b:第一下部導電層
322:第二導電層
322a:第二上部導電層
322b:第二下部導電層
400:發光裝置封裝
410:電路板
411:第一襯墊
412:第二襯墊
413:支撐基板
1100:發光裝置封裝
1110:封裝主體
1111:第一引線框架
1112:第二引線框架
1113:主體
1120:發光裝置
1121:第一結合部分
1122:第二結合部分/第二襯墊電極
1123:發光結構
1124:基板
1221:第一導體
1222:第二導體
1130:第一黏著劑
1133:第二黏著劑
1135:第一樹脂部分
1140:第二樹脂部分
1300:發光裝置封裝
1310:電路板
1311:第一襯墊
1312:第二襯墊
1313:支撐基板
C:空腔
D1:第一距離
D2:第二距離
L1:長度
L2:長度
R:凹槽
R10:第一上部凹槽
R20:第二上部凹槽
R3:第一上部凹槽
R4:第二上部凹槽
T1:深度
T2:深度
TH1:第一開口
TH2:第二開口
W1:寬度
W2:寬度
W3:寬度
W4:寬度
圖1係根據本發明之實施例的發光裝置封裝之平面圖。
圖2係圖1中所展示之發光裝置封裝之仰視圖。
圖3係圖1中所展示之發光裝置封裝的沿線D-D截取之橫截面圖。
圖4係解釋應用於根據本發明之實施例的發光裝置封裝之第一引線框架、第二引線框架及主體的配置關係之視圖。
圖5a至圖5b係解釋藉由製造根據本發明之實施例的發光裝置封裝之方法來提供封裝主體的狀態之視圖。
圖6a至圖6b係解釋藉由製造根據本發明之實施例的發光裝置封裝之方法來提供發光裝置的狀態之視圖。
圖7a至圖7b係解釋藉由製造根據本發明之實施例的發光裝置封裝之方法將導電層設置於開口處的狀態之視圖。
圖8a至圖8b係解釋藉由製造根據本發明之實施例的發光裝置封裝之方法來提供模製部分的狀態之視圖。
圖9係說明根據本發明之實施例的發光裝置封裝之另一實例的視圖。
圖10係說明根據本發明之實施例的發光裝置封裝之又一實例的視圖。
圖11係說明根據本發明之實施例的發光裝置封裝之又一實例的視圖。
圖12係說明根據本發明之實施例的發光裝置封裝之又一實例的視圖。
圖13係說明根據本發明之實施例的發光裝置封裝之又一實例的視圖。
圖14係說明根據本發明之實施例的發光裝置封裝之又一實例的視圖。
圖15係根據本發明之實施例的發光裝置封裝之平面圖。
圖16係圖15中所展示之發光裝置封裝之仰視圖。
圖17係圖15中所展示之發光裝置封裝的沿線F-F截取之橫截面圖。
圖18係解釋應用於根據本發明之實施例的發光裝置封裝之第一引線框架、第二引線框架及主體的配置關係之視圖。
圖19係解釋應用於根據本發明之實施例的發光裝置封裝之發光裝置、第一引線框架及第二黏著劑的配置關係之視圖。
圖20至圖23係解釋製造根據本發明之實施例之發光裝置封裝的方法之視圖。
圖24係說明根據本發明之實施例的發光裝置封裝之另一實例的視圖。
圖25係說明根據本發明之實施例的發光裝置封裝之另一實例的視圖。
圖26係說明根據本發明之實施例的發光裝置封裝之另一實例的視圖。
在下文中，將參看隨附圖式描述實施例。在實施例之描述中，將理解，當一層(或膜)、區、圖案或結構被稱作「在」另一層(或膜)、區、圖案或結構「上」或「下方」時，術語「上」及「下方」包含「直接」或「藉由插入另一層(間接)」兩個含義。此外，關於「在」每一層「上」及「下方」之參考係基於圖式進行，但實施例不限於此。
在下文中，將參看隨附圖式詳細描述根據本發明之實施例的半導體裝置封裝及製造半導體裝置封裝之方法。在下文中，其將基於將發光裝置應用為半導體裝置之實例的狀況進行描述。
首先，將參看圖1至圖4描述根據本發明之實施例的發光裝置封裝。
圖1係根據本發明之實施例的發光裝置封裝之平面圖，圖2
係根據本發明之實施例的發光裝置封裝之仰視圖，圖3係發光裝置封裝之沿線D-D截取的橫截面圖，圖4係解釋應用於根據本發明之實施例的發光裝置封裝之第一引線框架、第二引線框架及主體的配置關係之視圖。
根據實施例之發光裝置封裝100可包含封裝主體110及發光裝置120，如圖1至圖4中所展示。
封裝主體110可包含第一引線框架111及第二引線框架112。第一引線框架111及第二引線框架112可安置成彼此間隔開。
封裝主體110可包含主體113。主體113可安置於第一引線框架111與第二引線框架112之間。主體113可充當一種電極分離線。主體113亦可被稱作絕緣部件。
主體113可安置於第一引線框架111上。此外，主體113可安置於第二引線框架112上。
主體113可提供第一引線框架111及第二引線框架112上之傾斜表面。空腔C可藉由主體113之傾斜表面設置於第一引線框架111及第二引線框架112上。
根據實施例，封裝主體110可提供為具有空腔C之結構，或可提供為具有平坦上表面而無空腔C之結構。
舉例而言，主體113可由選自由以下各者組成之群的至少一者形成：聚鄰苯二甲醯胺(PPA)、聚氯三苯基(PCT)、液晶聚合物(LCP)、聚醯胺9T(PA9T)、聚矽氧、環氧樹脂模製化合物(EMC)、聚矽氧模製化合物(SMC)、陶瓷、光敏性玻璃(PSG)、藍寶石(Al2O3)及其類似者。此外，主體113可包含諸如TiO2或SiO2之高折射率填料。
第一引線框架111及第二引線框架112可提供為絕緣框架。第一引線框架111及第二引線框架112可穩定地提供封裝主體110之結構強度。
此外，第一引線框架111及第二引線框架112可提供為導電框架。第一引線框架111及第二引線框架112可穩定地提供封裝主體110之結構強度，且可電連接至發光裝置120。
稍後將描述將第一引線框架111及第二引線框架112形成為絕緣框架之狀況與將第一引線框架111及第二引線框架112形成為導電框架之狀況之間的差異。
根據實施例，發光裝置120可包含第一結合部分121、第二結合部分122、發光結構123及基板124。
發光裝置120可包含安置於基板124下方之發光結構123，如圖3中所展示。第一結合部分121及第二結合部分122可安置於發光結構123與封裝主體110之間。
發光結構123可包含第一導電型半導體層、第二導電型半導體層及安置於第一導電型半導體層與第二導電型半導體層之間的作用層。第一結合部分121可電連接至第一導電型半導體層。此外，第二結合部分122可電連接至第二導電型半導體層。
發光裝置120可安置於封裝主體110上。發光裝置120可安置於第一引線框架111及第二引線框架112上。發光裝置120可安置於由封裝主體110提供之空腔C中。
第一結合部分121可安置於發光裝置120之下表面上。第二結合部分122可安置於發光裝置120之下表面上。第一結合部分121及第二結合部分122可安置成在發光裝置120之下表面上彼此間隔開。
第一結合部分121可安置於第一引線框架111上。第二結合部分122可安置於第二引線框架112上。
第一結合部分121可安置於發光結構123與第一引線框架111之間。第二結合部分122可安置於發光結構123與第二引線框架112之間。
第一結合部分121及第二結合部分122可藉由使用選自由以下各者組成之群的至少一種材料形成為多層中之單層：Ti、Al、In、Ir、Ta、Pd、Co、Cr、Mg、Zn、Ni、Si、Ge、Ag、Ag合金、Au、Hf、Pt、Ru、Rh、Sn、Cu、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO及Ni/IrOx/Au、Ni/IrOx/Au/ITO或其合金。
同時，根據實施例之發光裝置封裝100可包含第一開口TH1及第二開口TH2，如圖1至圖4中所展示。第一引線框架111可包含第一開口TH1。第二引線框架112可包含第二開口TH2。
第一開口TH1可設置於第一引線框架111處。第一開口TH1可設置為穿過第一引線框架111。第一開口TH1可設置為在第一方向上穿過第一引線框架111之上表面及下表面。
第一開口TH1可安置於發光裝置120之第一結合部分121下方。第一開口TH1可設置為在自第一引線框架111之上表面朝向其下表面的第一方向上與發光裝置120之第一結合部分121重疊。
第二開口TH2可設置於第二引線框架112處。第二開口TH2可設置為穿過第二引線框架112。第二開口TH2可設置為在第一方向上穿過第二引線框架112之上表面及下表面。
第二開口TH2可安置於發光裝置120之第二結合部分122下方。第二開口TH2可設置為在自第二引線框架112之上表面朝向其下表面的第一方向上與發光裝置120之第二結合部分122重疊。
第一開口TH1及第二開口TH2可安置成彼此間隔開。第一開口TH1及第二開口TH2可安置成在發光裝置120之下表面下方彼此間隔開。
根據實施例，第一開口TH1之上部區的寬度W1可提供為小於或等於第一結合部分121之寬度。此外，第二開口TH2之上部區的寬度可提供為小於或等於第二結合部分122之寬度。
因此，發光裝置120之第一結合部分121與第一引線框架111可更牢固地附接。此外，發光裝置120之第二結合部分122與第二引線框架112可更牢固地附接。
此外，第一開口TH1之上部區的寬度W1可提供為小於或等於第一開口TH1之下部區的寬度W2。另外，第二開口TH2之上部區的寬度可提供為小於或等於第二開口TH2之下部區的寬度。
舉例而言，第一開口TH1之上部區的寬度W1可提供為幾
十微米至幾百微米。另外，第一開口TH1之下部區的寬度W2可提供為比第一開口TH1之上部區的寬度W1大幾十微米至幾百微米。
此外，第二開口TH2之上部區的寬度可提供為幾十微米至幾百微米。另外，第二開口TH2之下部區的寬度可提供為比第二開口TH2之上部區的寬度大幾十微米至幾百微米。
此外，第一開口TH1之下部區的寬度W2可提供為寬於第一開口TH1之上部區的寬度W1。第一開口TH1可按預定寬度設置於上部區中預定深度處，且可設置為朝向下部區呈傾斜形狀。
此外，第二開口TH2之下部區的寬度可提供為寬於第二開口TH2之上部區的寬度。第二開口TH2可按預定寬度設置於上部區中預定深度處，且可設置為朝向下部區呈傾斜形狀。
舉例而言，第一開口TH1可設置為寬度自下部區朝向上部區逐漸減小之傾斜形狀。另外，第二開口TH2可設置為寬度自下部區朝向上部區逐漸減小之傾斜形狀。
根據實施例，如圖33中所展示，第一開口TH1之下部區及第二開口TH2之下部區兩者可包含傾斜表面。
然而，本發明不限於此，且第一開口TH1及第二開口TH2之上部區與下部區之間的傾斜表面可具有具不同斜度之複數個傾斜表面，且傾斜表面可按一定曲率安置。
稍後將描述第一開口TH1及第二開口TH2的上部區之寬度W1及下部區之寬度W2的變化之效應。
在第一引線框架111及第二引線框架112之下表面區中的第一開口TH1與第二開口TH2之間的寬度W3可提供為幾百微米。作為實例，在第一引線框架111及第二引線框架112之下表面區中的第一開口TH1與第二開口TH2之間的寬度W3可提供為100至150微米。
在第一引線框架111及第二引線框架112之下表面區中的第一開口TH1與第二開口TH2之間的寬度W3可經選擇以提供為超過預定距離，以便在稍後將根據實施例之發光裝置封裝100安裝於電路板、子基板或
其類似者上時防止在襯墊之間發生短路。
根據實施例之發光裝置封裝100可包含黏著劑130。
黏著劑130可安置於封裝主體110與發光裝置120之間。黏著劑130可安置於封裝主體110之上表面與發光裝置120之下表面之間。黏著劑130可安置於主體113之上表面與發光裝置120之下表面之間。
此外，根據實施例之發光裝置封裝100可包含凹槽R，如圖1至圖4中所展示。
凹槽R可設置於主體113處。凹槽R可設置於第一開口TH1與第二開口TH2之間。凹槽R可設置為自主體113之上表面朝向其下表面凹入。凹槽R可安置於發光裝置120下方。凹槽R可設置為在第一方向上與發光裝置120重疊。
根據實施例，黏著劑130可安置於凹槽R中。黏著劑130可安置於發光裝置120與主體113之間。黏著劑130可安置於第一結合部分121與第二結合部分122之間。作為實例，黏著劑130可安置成與第一結合部分121之側表面及第二結合部分122之側表面接觸。
此外，黏著劑130可安置於發光裝置120與封裝主體110之間。黏著劑130可安置於發光裝置120與第一引線框架111之間。黏著劑130可安置於發光裝置120與第二引線框架112之間。
黏著劑130可提供發光裝置120與封裝主體110之間的穩定的固定力。黏著劑130可提供發光裝置120與主體113之間的穩定的固定力。作為實例，黏著劑130可安置成與主體113之上表面直接接觸。此外，黏著劑130可安置成與發光裝置120之下表面直接接觸。
作為實例，黏著劑130可包含環氧樹脂基材料、聚矽氧基材料以及包含環氧樹脂基材料及聚矽氧基材料之混合材料中的至少一者。另外，作為實例，當黏著劑130包含反射功能時，黏著劑130可包含白色聚矽氧。
當光發射至發光裝置120之下表面時，黏著劑130可提供主體113與發光裝置120之間的穩定的固定力，且可提供發光裝置120與主
體113之間的光漫射功能。當光自發光裝置120發射至發光裝置120之下表面時，黏著劑130可藉由提供光漫射功能來改良發光裝置封裝100之光提取效率。
此外，黏著劑130可反射自發光裝置120發射之光。當黏著劑130包含反射功能時，黏著劑130可由包含TiO2、聚矽氧及其類似者之材料形成，且黏著劑130可由白色聚矽氧形成。
根據實施例，凹槽R之深度T1可提供為小於第一開口TH1之深度T2或第二開口TH2之深度T2。
可考慮黏著劑130之黏著力來判定凹槽R之深度T1。此外，可藉由考慮主體113之穩定強度及/或發光裝置封裝100不會由於自發光裝置120發射之熱而發生破裂來判定凹槽R之深度T1。
凹槽R可提供適當的空間，在該空間中，可在發光裝置120之下部部分處執行一種底部填充製程。此處，底部填充製程可係將發光裝置120安裝於封裝主體110上且接著將黏著劑130安置於發光裝置120之下部部分處的製程，且可係將黏著劑130安置於凹槽R中且接著安置發光裝置120以便在安裝發光裝置120之製程中藉由黏著劑130安裝至封裝主體110上的製程。凹槽R可設置為第一深度或大於第一深度，使得黏著劑130可足夠地設置於發光裝置120之下表面與主體113之上表面之間。此外，凹槽R可設置於第二深度或小於第二深度處以提供主體113之穩定強度。
凹槽R之深度T1及寬度W4可影響黏著劑130之形成位置及固定力。可判定凹槽R之深度T1及寬度W4，使得安置於主體113與發光裝置120之間的黏著劑130可提供足夠固定力。
作為實例，凹槽R之深度T1可提供為幾十微米。凹槽R之深度T1可提供為40至60微米。
此外，凹槽R之寬度W4可提供為幾十微米至幾百微米。此處，可在發光裝置120之長軸方向上提供凹槽R之寬度W4以便確保發光裝置120與封裝主體110之間的固定力。
凹槽R之寬度W4可窄於第一結合部分121與第二結合部
分122之間的間隙。凹槽R之寬度W4可相對於發光裝置120之長軸長度提供為5%或大於5%至80%或小於80%。當凹槽R之寬度W4提供為發光裝置120之長軸長度的5%或大於5%時，可確保發光裝置120與封裝主體110之間的穩定的固定力，且當凹槽R之寬度W4提供為80%或小於80%時，黏著劑130可安置於凹槽R與第一開口TH1及第二開口TH2之間的第一引線框架111及第二引線框架112中之每一者上。因此，可確保發光裝置120與第一引線框架111及第二引線框架112之間的固定力，第一引線框架及第二引線框架處於凹槽R與第一開口TH1及第二開口TH2之間。
第一開口TH1之深度T2可提供為對應於第一引線框架111之厚度。第一開口TH1之深度T2可提供為能夠維持第一引線框架111之穩定強度的厚度。
第二開口TH2之深度T2可提供為對應於第二引線框架112之厚度。第二開口TH2之深度T2可提供為能夠維持第二引線框架112之穩定強度的厚度。
第一開口TH1之深度T2及第二開口TH2之深度T2可提供為對應於主體113的厚度。第一開口TH1之深度T2及第二開口TH2之深度T2可提供為能夠維持主體113之穩定強度的厚度。
作為實例，第一開口TH1之深度T2可提供為幾百微米。第一開口TH1之深度T2可提供為180至500微米。作為實例，第一開口TH1之深度T2可提供為500微米。
作為實例，厚度T2-T1可選擇為至少100微米或大於100微米。此考慮到能夠提供無破裂之主體113的注入製程之厚度。
根據實施例，厚度T2與厚度T1之比率(T2/T1)可提供為二至十。作為實例，當T2之厚度提供為200微米時，T1之厚度可提供為20至100微米。當厚度T1與厚度T2之比率(T2/T1)係二或大於二時，可確保機械強度使得在主體113中不會發生破裂或斷裂。此外，當厚度T1與厚度T2之比率(T2/T1)係十或小於十時，可足夠地配置安置於凹槽R中之黏著劑130的量，因此可改良發光裝置120與封裝主體110之間的固定力。
此外，根據實施例之發光裝置封裝100可包含模製部分140，如圖3中所展示。
作為參考，在圖1之圖示中，未展示模製部分140使得可良好地展示第一引線框架111、第二引線框架112及主體113之配置關係。
模製部分140可設置於發光裝置120上。模製部分140可安置於第一引線框架111及第二引線框架112上。模製部分140可安置於由封裝主體110提供之空腔C中。
模製部分140可包含絕緣材料。此外，模製部分140可包含經組態以入射自發光裝置120發射之光且提供波長轉換光的波長轉換部分。作為實例，模製部分140可包含選自由以下各者組成之群的至少一者：磷光體、量子點及其類似者。
此外，如圖1至圖4中所展示，根據實施例之發光裝置封裝100可包含第一導電層321及第二導電層322。第一導電層321可安置成與第二導電層322間隔開。
第一導電層321可設置於第一開口TH1處。第一導電層321可安置於第一結合部分121下方。第一導電層321可具有垂直於第一方向之第二方向的寬度。第一導電層321之寬度可提供為小於第一結合部分121之寬度。第一導電層321之上部區的寬度可提供為小於第一結合部分121之寬度。
第一結合部分121可具有垂直於形成第一開口TH1所在之第一方向的第二方向的寬度。第一結合部分121之寬度可提供為大於第一開口TH1之上部區的第二方向之寬度。
第一導電層321可安置成與第一結合部分121之下表面直接接觸。第一導電層321可電連接至第一結合部分121。第一導電層321可安置成由第一引線框架111環繞。
第二導電層322可設置於第二開口TH2處。第二導電層322可安置於第二結合部分122下方。第二導電層322之寬度可提供為小於第二結合部分122之寬度。第二導電層322之上部區的寬度可提供為小於第
二結合部分122之寬度。
第二結合部分122可具有垂直於形成第二開口TH2所在之第一方向的第二方向的寬度。第二結合部分122之寬度可提供為大於第二開口TH2之上部區之第二方向的寬度。
第二導電層322可安置成與第二結合部分122之下表面直接接觸。第二導電層322可電連接至第二結合部分122。第二導電層322可安置成由第二引線框架112環繞。
第一導電層321及第二導電層322可包含選自由以下各者組成之群的一種材料：Ag、Au及Pt或其合金。然而，本發明不限於此，且可在第一導電層321及第二導電層322中使用能夠確保導電功能之材料。
作為實例，第一導電層321及第二導電層322可藉由使用導電膏形成。導電膏可包含焊錫膏、銀膏或其類似者，且可由以下各者構成：由不同材料構成之多層或由其合金構成之多層或單層。
根據實施例，如圖3中所展示，第一導電層321及第二導電層322可分別設置於第一開口TH1及第二開口TH2處。
如上文所描述，第一開口TH1及第二開口TH2可具有第一區及第二區，且第一區之上表面的寬度W1可提供為小於第二區之下表面的寬度W2。因此，設置於第一開口TH1及第二開口TH2處之第一導電層321及第二導電層322的體積可提供為使得第一區之體積小於第一開口TH1及第二開口TH2之第二區的體積。
作為實例，第一開口TH1及第二開口TH2之第一區可對應於第一開口TH1及第二開口TH2之上部區。此外，第一開口TH1及第二開口TH2之第二區可對應於第一開口TH1及第二開口TH2之下部區。
如上文所描述，由於第一開口TH1及第二開口TH2之上部區的寬度提供為窄的，因此可減小第一結合部分121及第二結合部分122與第一導電層321及第二導電層322之間的接觸面積。因此，有可能防止第一導電層321及第二導電層322自第一結合部分121及第二結合部分122之下表面在發光裝置120之側表面方向上擴散。
當第一導電層321及第二導電層322自第一結合部分121及第二結合部分122之下表面在側表面方向上擴散時，擴散的第一導電層321及第二導電層322可與發光裝置120之作用層接觸，藉此造成由於短路而發生的故障。
然而，根據實施例，藉由減小第一結合部分121及第二結合部分122與第一導電層321及第二導電層322之間的接觸面積，有可能防止第一導電層321及第二導電層322自第一結合部分121及第二結合部分122之下表面在發光裝置120之側表面方向上擴散，且有可能防止由於發光裝置120而發生之短路，藉此改良發光裝置封裝之可靠性。
此外，根據實施例，由於第一開口TH1及第二開口TH2之第二區的下表面之寬度提供為寬於其第一區之上表面的寬度，因此可易於執行經由第二區之下表面將第一導電層321及第二導電層322安置於第一開口TH1及第二開口TH2中的製程。
另外，根據實施例，由於第一開口TH1及第二開口TH2之上部區的寬度提供為窄的，因此可減小設置於第一開口TH1及第二開口TH2之上部區處的第一導電層321及第二導電層322的體積。
因此，由於可減小第一導電層321及第二導電層322之使用量，因此可穩定地執行電連接且可減小製造成本。
此外，根據實施例之發光裝置封裝可包含第一上部凹槽R3及第二上部凹槽R4，如圖1、圖3及圖4中所展示。
第一上部凹槽R3可設置於第一引線框架111之上表面上。第一上部凹槽R3可設置為自第一引線框架111之上表面在下表面方向上凹入。第一上部凹槽R3可安置成在封裝主體110之外部方向上與第一開口TH1間隔開。
此外，根據實施例，第一上部凹槽R3之側表面可具有傾斜表面及曲率。另外，第一上部凹槽R3可形成為球形形狀，且其側表面可形成為圓形形狀。稍後將描述根據上文之效應。
如圖4中所展示，當自其上方向觀看時，第一上部凹槽R3
可包含封裝主體110之外側表面、封裝主體之內側表面及連接其外側表面與內側表面且平行於凹槽R之延伸方向安置的擴展側表面。內側表面可設置為鄰近於第一結合部分121之三側。此外，第一上部凹槽R3之外表面可設置於在封裝主體110之短軸方向上面向彼此的兩個短側及在長軸方向上之外部周邊區中。舉例而言，第一上部凹槽R3可具有三個外側表面、三個內側表面、兩個擴展側表面，且可按「[」形狀設置於第一結合部分121之周邊中。當第一引線框架111具有第一開口TH1時，可在第一上部凹槽R3經組態以與第一開口TH1具有分離的距離時確保用於支撐發光裝置120及其類似者之第一引線框架111的機械強度。因此，第一上部凹槽R3之組態可包含上文所描述之組態以便安置成環繞第一結合部分121之部分區。此處，稍後將描述當第一上部凹槽R3安置成環繞第一結合部分121之部分區時獲得的效應。
第二上部凹槽R4可設置於第二引線框架112之上表面上。第二上部凹槽R4可設置為自第二引線框架112之上表面在下表面方向上凹入。第二上部凹槽R4可安置成在封裝主體110之外部方向上與第二開口TH2間隔開。
此外，根據實施例，第二上部凹槽R4之側表面可具有傾斜表面及曲率。另外，第二上部凹槽R4可形成為球形形狀，且其側表面可形成為圓形形狀。稍後將描述根據上文之效應。
如圖4中所展示，當自其上方向觀看時，第二上部凹槽R4可包含封裝主體110之外側表面、封裝主體之內側表面及連接其外側表面與內側表面且平行於凹槽R之延伸方向安置的擴展側表面。內側表面可設置為鄰近於第二結合部分122之三側。此外，第二上部凹槽R4之外表面可設置於在封裝主體110之短軸方向上面向彼此的兩個短側及在長軸方向上之外部周邊區中。舉例而言，第二上部凹槽R4可具有三個外側表面、三個內側表面、兩個擴展側表面，且可按「]」形狀設置於第二結合部分122之周邊中。當第二引線框架112具有第二開口TH2時，可在第二上部凹槽R4經組態以與第二開口TH2具有分離的距離時確保用於支撐發光裝置120及
其類似者之第二引線框架112的機械強度。因此，第二上部凹槽R4之組態可包含上文所描述之組態以便安置成環繞第二結合部分122之部分區。此處，稍後將描述當第二上部凹槽R4安置成環繞第二結合部分122之部分區時獲得的效應。
舉例而言，第一上部凹槽R3及第二上部凹槽R4可具備幾十微米至幾百微米之寬度，且可根據發光裝置120及/或發光裝置封裝100之大小而不同地加以設置。
此外，根據實施例之發光裝置封裝100可包含樹脂部分135，如圖1、圖3及圖4中所展示。
樹脂部分135可安置於第一引線框架111與發光裝置120之間。樹脂部分135可安置於第二引線框架112與發光裝置120之間。樹脂部分135可設置於空腔C之底表面處，該空腔設置於封裝主體110中。
樹脂部分135可設置於第一上部凹槽R3及第二上部凹槽R4處。
樹脂部分135可安置於第一結合部分121之側表面上。樹脂部分135可設置於第一上部凹槽R3處，且可設置為延伸至安置有第一結合部分121之區。樹脂部分135可安置於發光結構123下方處於第一結合部分121之外側與發光裝置120之外側表面之間。
此外，樹脂部分135可安置於第二結合部分122之側表面上。樹脂部分135可設置於第二上部凹槽R4處，且可設置為延伸至安置有第二結合部分122之區。樹脂部分135可安置於發光結構123下方處於第一結合部分121之外側與發光裝置120之外側表面之間。
此外，在根據實施例之發光裝置封裝中，如圖4中所展示，當自其上方向觀看時，第一上部凹槽R3之部分區可在第一方向上與發光裝置120之部分區重疊。作為實例，第一上部凹槽R3之鄰近於第一結合部分121的內側表面可設置於發光結構123之內側處。
此外，在根據實施例之發光裝置封裝中，如圖4中所展示，當自其上方向觀看時，第二上部凹槽R4之部分區可在豎直方向上與發光結
構123之部分區重疊。作為實例，第二上部凹槽R4之鄰近於第二結合部分122的側表面區可設置為在發光結構123下方延伸。
此外，第一上部凹槽R3及第二上部凹槽R4可提供足夠的空間，在該空間中，樹脂部分135可設置於發光裝置120下方。第一上部凹槽R3及第二上部凹槽R4可提供適當的空間，在該空間中，可在發光裝置120之下部部分處執行一種底部填充製程。
因此，填充於第一上部凹槽R3及第二上部凹槽R4處之樹脂部分135可有效地密封第一結合部分121及第二結合部分122之周邊。
此外，在發光裝置120及封裝主體110經由安置於主體113之凹槽中的黏著劑130固定之後，有可能藉由將樹脂部分135安置於第一上部凹槽R3及第二上部凹槽R4處來密封第一結合部分121及第二結合部分122之周邊。如上文所描述，當將第一上部凹槽R3及第二上部凹槽R4安置成環繞第一結合部分121及第二結合部分122之部分區，且根據製造序列執行製程時，有可能更有效地改良當第一導電層321及第二導電層322在後續製程中延伸至發光裝置120之側表面時由於與作用層接觸而可能發生的短路問題。
作為實例，樹脂部分135可包含環氧樹脂基材料、聚矽氧基材料以及包含環氧樹脂基材料及聚矽氧基材料之混合材料中的至少一者。此外，樹脂部分135可係反射自發光裝置120發射之光的反射部分，作為實例，其可係含有諸如TiO2之反射性材料的樹脂，或可包含白色聚矽氧。
樹脂部分135可安置於發光裝置120下方且可執行密封功能。此外，樹脂部分135可改良發光裝置120與第一引線框架111之間的黏著力。樹脂部分135可改良發光裝置120與第二引線框架112之間的黏著力。
此外，如上文所描述，當第一引線框架111具有球形形狀且其側端面具有圓形形狀時，樹脂部分之直接及/或間接接觸第一引線框架的面積增加，因此可進一步改良發光裝置120與第一引線框架111之間的黏著強度。此處，直接接觸可指第一引線框架111與樹脂部分135彼此直接接
觸，間接接觸可指用不同於構成第一引線框架111之材料的材料塗佈第一引線框架111的實施例，且可指另一材料安置於樹脂部分135與第一引線框架111之間的實施例。
當第一引線框架111與樹脂部分135之間的黏著強度不足時，另一材料可安置於第一引線框架111與樹脂部分135之間，且第一引線框架111可用對樹脂部分135及第一引線框架111具有良好黏著之材料塗佈。
當第一導電層321及第二導電層322在發光裝置120之外側表面方向上擴散且移動時，第一導電層321及第二導電層322可與發光裝置120之作用層接觸，藉此造成由於短路而發生的故障。因此，藉由在安置樹脂部分135之後安置第一導電層321及第二導電層322之製造製程，有可能防止由於第一導電層321及第二導電層322以及及作用層而發生之短路，藉此改良根據實施例之發光裝置封裝的可靠性。
此外，當樹脂部分135包含諸如TiO2或白色聚矽氧之具有反射特性的材料以便反射自發光裝置120發射之光時，樹脂部分135可朝向封裝主體110之上方向反射自發光裝置120發射之光，藉此改良發光裝置封裝100之光提取效率。此外，當樹脂部分135經安置以填充第一上部凹槽R3及第二上部凹槽R4(如上文所描述之第一上部凹槽R3及第二上部凹槽R4)時，由於第一上部凹槽R3及第二上部凹槽R4安置成環繞發光裝置120之部分區，因此可增加安置有第一上部凹槽R3及第二上部凹槽R4之區中的反射比。因此，可改良發光裝置封裝100之光提取效率。
此外，根據實施例，模製部分140可安置於樹脂部分135上。
同時，根據根據本發明之實施例的發光裝置封裝之另一實例，可能不會分離地設置樹脂部分135，且可將模製部分140安置成與第一引線框架111及第二引線框架112直接接觸。
此外，根據實施例，發光結構123可提供為化合物半導體。作為實例，發光結構123可提供為第II-VI族或第III-V族化合物半導體。舉例而言，發光結構123可具備選自鋁(Al)、鎵(Ga)、銦(In)、磷(P)、砷(As)
及氮(N)之至少兩種或大於兩種元素。
發光結構123可包含第一導電型半導體層、作用層及第二導電型半導體層。
第一及第二導電型半導體層可實施為第II-VI族或第III-V族化合物半導體中之至少一者。第一及第二導電型半導體層可由具有InxAlyGa1-x-yN(0
x
1、0
y
1、0
x+y
1)之實驗式的半導體材料形成。舉例而言，第一及第二導電型半導體層可包含選自由以下各者組成之群的至少一者：GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInP及其類似者。第一導電型半導體層可係摻雜有諸如Si、Ge、Sn、Se或Te之n型摻雜物的n型半導體層。第二導電型半導體層可係摻雜有諸如Mg、Zn、Ca、Sr或Ba之p型摻雜物的p型半導體層。
作用層可實施為化合物半導體。作用層可實施為第III-V族或第II-VI族化合物半導體中之至少一者。當作用層實施為多阱結構時，作用層可包含交替安置之複數個阱層及複數個障壁層，且作用層可安置成具有InxAlyGa1-x-yN(0
x
1、0
y
1、0
x+y
1)之實驗式的半導體材料。舉例而言，作用層可包含選自由以下各者組成之群的至少一者：InGaN/GaN、GaN/AlGaN、AlGaN/AlGaN、InGaN/AlGaN、InGaN/InGaN、AlGaAs/GaAs、InGaAs/GaAs、InGaP/GaP、AlInGaP/InGaP及InP/GaAs。
在根據實施例之發光裝置封裝100中，電力可經由第一開口TH1連接至第一結合部分121，且電力可經由第二開口TH2連接至第二結合部分122。
因此，發光裝置120可藉由經由第一結合部分121及第二結合部分122供應之驅動電力驅動。此外，可在封裝主體110之上方向上提供自發光裝置120發射之光。
同時，上文所描述的根據實施例之發光裝置封裝100可被供應且安裝於子基板、電路板或其類似者上。
然而，當將習知發光裝置封裝安裝於子基板、電路板或其類似者上時，可應用諸如回焊之高溫製程。此時，在回焊製程中，在引線框架
與設置於發光裝置封裝處的發光裝置之間的結合區中會發生重新熔融現象，使得可減弱電連接及實體耦接之穩定性。
然而，根據根據實施例之發光裝置封裝及製造發光裝置封裝之方法，可藉由安置於開口處之導電層向根據實施例之發光裝置的第一電極及第二電極提供驅動電力。此外，安置於開口中之導電層的熔點可選擇為具有高於一般結合材料之熔點的值。
因此，由於根據實施例之發光裝置封裝100即使在藉由回焊製程將發光裝置封裝100結合至主基板時仍不會造成重新熔融現象，因此電連接及實體結合力可能不會惡化。
此外，根據根據實施例之發光裝置封裝100及製造發光裝置封裝之方法，封裝主體110在發光裝置封裝之製造製程中無需曝露於高溫。因此，根據實施例，有可能防止封裝主體110由於曝露於高溫而受損或變色。
因此，可擴寬形成主體113之材料的選擇範圍。根據實施例，可藉由不僅使用諸如陶瓷之昂貴材料而且使用相對便宜之樹脂材料來提供主體113。
舉例而言，主體113可包含選自由以下各者組成之群的至少一種材料：聚鄰苯二甲醯胺(PPA)樹脂、聚對苯二甲酸環己烷二甲醇酯(PCT)樹脂、環氧樹脂模製化合物(EMC)樹脂及聚矽氧模製化合物(SMC)樹脂。
接著，參看隨附圖式，將描述製造根據本發明之實施例的發光裝置封裝的方法。
在參看隨附圖式描述製造根據本發明之實施例的發光裝置封裝的方法時，可省略對與參看圖1至圖4所描述之內容重疊的內容之描述。
首先，根據製造根據本發明之實施例的發光裝置封裝之方法，如圖5a及圖5b中所展示，可提供封裝主體110。
圖5a及圖5b係說明如下狀態之平面圖及橫截面圖：藉由製造根據本發明之實施例的發光裝置封裝的方法來提供封裝主體。
如圖5a及圖5b中所展示，封裝主體110可包含第一引線框架111及第二引線框架112。第一引線框架111及第二引線框架112可安置成彼此間隔開。
封裝主體110可包含主體113。主體113可安置於第一引線框架111與第二引線框架112之間。
主體113可安置於第一引線框架111上。此外，主體113可安置於第二引線框架112上。
主體113可提供第一引線框架111及第二引線框架112上之傾斜表面。空腔C可藉由主體113之傾斜表面設置於第一引線框架111及第二引線框架112上。
另外，第一引線框架111可包含第一開口TH1。第二引線框架112可包含第二開口TH2。
第一開口TH1可設置於第一引線框架111處。第一開口TH1可設置為穿過第一引線框架111。第一開口TH1可設置為在第一方向上穿過第一引線框架111之上表面及下表面。
第二開口TH2可設置於第二引線框架112處。第二開口TH2可設置為穿過第二引線框架112。第二開口TH2可設置為在第一方向上穿過第二引線框架112之上表面及下表面。
封裝主體110可包含設置於主體113中之凹槽R。
凹槽R可設置於主體113處。凹槽R可設置於第一開口TH1與第二開口TH2之間。凹槽R可設置為自主體113之上表面朝向其下表面凹入。
根據實施例，凹槽R之長度L2可提供為大於第一開口TH1之長度L1或第二開口TH2之長度L1。
接下來，在製造根據實施例之發光裝置封裝的方法中，黏著劑130可設置於凹槽R處，如圖5a及圖5b中所展示。
可經由點漬法或其類似者在凹槽區處設置黏著劑130。舉例而言，可將黏著劑130以預定量設置至形成凹槽R之區，且可將其設置為
溢出凹槽R。
此外，根據實施例，如圖5a中所展示，凹槽R之長度L2可大於第二開口TH2之長度L1。第二開口TH2之長度L1可小於發光裝置120在短軸方向上的長度。此外，凹槽R之長度L2可大於發光裝置120在短軸方向上的長度。
在根據實施例之發光裝置封裝的製造製程中，當設置於發光裝置120下方之黏著劑130的量大時，設置於凹槽R處的黏著劑130之溢出部分在黏附至發光裝置120之下部部分時可在凹槽R之長度L2方向上移動。因此，即使在所塗覆之黏著劑130的量大於設計量時，發光裝置120仍可被穩定地固定而不會自主體113提昇。
此外，根據實施例之發光裝置封裝可包含第一上部凹槽R3及第二上部凹槽R4，如圖5a及圖5b中所展示。
第一上部凹槽R3可設置於第一引線框架111之上表面上。第一上部凹槽R3可設置為自第一引線框架111之上表面在下表面方向上凹入。第一上部凹槽R3可安置成在封裝主體110之外部方向上與第一開口TH1間隔開。
此外，根據實施例，第一上部凹槽R3之側表面可具有傾斜表面及曲率。另外，第一上部凹槽R3可形成為球形形狀，且其側表面可形成為圓形形狀。
當自其上方向觀看時，第一上部凹槽R3可包含封裝主體110之外側表面、封裝主體之內側表面及連接其外側表面與內側表面且平行於凹槽R之延伸方向安置的擴展側表面。內側表面可設置為鄰近於第一開口TH1之三側。此外，第一上部凹槽R3之外表面可設置於在封裝主體110之短軸方向上面向彼此的兩個短側及在長軸方向上之外部周邊區中。舉例而言，第一上部凹槽R3可按「[」形狀設置於第一開口TH1之周邊中。當第一引線框架111具有第一開口TH1時，可在第一上部凹槽R3經組態以與第一開口TH1具有分離的距離時確保用於支撐發光裝置120及其類似者之第一引線框架111的機械強度。因此，第一上部凹槽R3之組態可包含上文所
描述之組態以便安置成環繞第一開口TH1之部分區。
第二上部凹槽R4可設置於第二引線框架112之上表面上。第二上部凹槽R4可設置為自第二引線框架112之上表面在下表面方向上凹入。第二上部凹槽R4可安置成在封裝主體110之外部方向上與第二開口TH2間隔開。
此外，根據實施例，第二上部凹槽R4之側表面可具有傾斜表面及曲率。另外，第二上部凹槽R4可形成為球形形狀，且其側表面可形成為圓形形狀。稍後將描述根據上文之效應。
當自其上方向觀看時，第二上部凹槽R4可包含封裝主體110之外側表面、封裝主體之內側表面及連接其外側表面與內側表面且平行於凹槽R之延伸方向安置的擴展側表面。內側表面可設置為鄰近於第二開口TH2之三側。此外，第二上部凹槽R4之外表面可設置於在封裝主體110之短軸方向上面向彼此的兩個短側及在長軸方向上之外部周邊區中。舉例而言，第二上部凹槽R4可具有三個外側表面、三個內側表面、兩個擴展側表面，且可按「]」形狀設置於第二開口TH2之周邊中。當第二引線框架112具有第二開口TH2時，可在第二上部凹槽R4經組態以與第二開口TH2具有分離的距離時確保用於支撐發光裝置120及其類似者之第二引線框架112的機械強度。因此，第二上部凹槽R4之組態可包含上文所描述之組態以便安置成環繞第二開口TH2之部分區。此處，稍後將描述當第二上部凹槽R4安置成環繞第二結合部分122之部分區時獲得的效應。
此外，根據製造根據實施例之發光裝置封裝的方法，如圖6a及圖6b中所展示，發光裝置120可設置於封裝主體110上。
圖6a及圖6b係說明如下狀態之平面圖及橫截面圖：藉由製造根據本發明之實施例的發光裝置封裝的方法來提供發光裝置。
根據實施例，在將發光裝置120安置於封裝主體110上之製程中，凹槽R亦可用以充當一種對準關鍵部(align key)。
發光裝置120可藉由黏著劑130固定於主體113處。設置於凹槽R處的黏著劑130之一部分可在發光裝置120之第一襯墊電極121及
第二襯墊電極122的方向上移動且可固化。
因此，可將黏著劑130設置於發光裝置120之下表面與主體113之上表面之間的寬的區處，且可改良發光裝置120與主體113之間的固定力。
根據實施例，如參看圖3所描述，第一開口TH1可安置於發光裝置120之第一結合部分121下方。第一開口TH1可設置為與發光裝置120之第一結合部分121重疊。第一開口TH1可設置為在自第一引線框架111之上表面朝向其下表面的第一方向上與發光裝置120之第一結合部分121重疊。
第二開口TH2可安置於發光裝置120之第二結合部分122下方。第二開口TH2可設置為與發光裝置120之第二結合部分122重疊。第二開口TH2可設置為在自第二引線框架112之上表面朝向其下表面的第一方向上與發光裝置120之第二結合部分122重疊。
此外，根據製造根據實施例之發光裝置封裝的方法，如圖6a及圖6b中所展示，可形成樹脂部分135。
樹脂部分135可安置於第一引線框架111與發光裝置120之間。樹脂部分135可安置於第二引線框架112與發光裝置120之間。樹脂部分135可設置於空腔C之底表面處，該空腔設置於封裝主體110中。
樹脂部分135可設置於第一上部凹槽R3及第二上部凹槽R4處。
樹脂部分135可安置於第一結合部分121之側表面上。樹脂部分135可設置於第一上部凹槽R3處，且可設置為延伸至安置有第一結合部分121之區。樹脂部分135可安置於發光結構123下方。
此外，樹脂部分135可安置於第二結合部分122之側表面上。樹脂部分135可設置於第二上部凹槽R4處，且可設置為延伸至安置有第二結合部分122之區。樹脂部分135可安置於發光結構123下方。
第一上部凹槽R3及第二上部凹槽R4可提供足夠的空間，在該空間中可設置樹脂部分135。
因此，填充於第一上部凹槽R3及第二上部凹槽R4處之樹脂部分135可有效地密封第一結合部分121及第二結合部分122之周邊。
作為實例，樹脂部分135可包含環氧樹脂基材料、聚矽氧基材料以及包含環氧樹脂基材料及聚矽氧基材料之混合材料中的至少一者。舉例而言，樹脂部分135可係反射自發光裝置120發射之光的反射部分，作為實例，其可係含有諸如TiO2之反射性材料的樹脂。樹脂部分135可包含白色聚矽氧。
樹脂部分135可安置於發光裝置120下方且可執行密封功能。此外，樹脂部分135可改良發光裝置120與第一引線框架111之間的黏著力。樹脂部分135可改良發光裝置120與第二引線框架112之間的黏著力。
此外，當樹脂部分135包含諸如白色聚矽氧之具有反射特性的材料時，樹脂部分135可朝向封裝主體110之上方向反射自發光裝置120發射之光，藉此改良發光裝置封裝100之光提取效率。
根據實施例，發光裝置120可安置於封裝主體110上，且接著黏著劑130可固化。此外，執行黏著劑130之固化，接著可形成樹脂135且可分離地固化樹脂135。
另外，根據另一實施例，形成樹脂部分135且接著可同時執行黏著劑130及樹脂部分135之固化。
接下來，根據製造根據實施例之發光裝置封裝的方法，如圖7a及圖7b中所展示，可形成第一導電層321及第二導電層322.
圖7a及圖7b係說明如下狀態之平面圖及橫截面圖：藉由製造根據本發明之實施例的發光裝置封裝之方法將導電層設置於開口處。
在根據實施例之發光裝置封裝100中，可經由第一開口TH1曝露第一結合部分121之下表面。此外，可經由第二開口TH2曝露第二結合部分122之下表面。
根據實施例，可在第一開口TH1處形成第一導電層321。此外，可在第二開口TH2處形成第二導電層322。
第一導電層321可設置於第一開口TH1處。第一導電層321可安置於第一結合部分121下方。第一導電層321之寬度可提供為小於第一結合部分121之寬度。第一導電層321可安置成與第一結合部分121之下表面直接接觸。第一導電層321可電連接至第一結合部分121。第一導電層321可安置成由第一引線框架111環繞。
第二導電層322可設置於第二開口TH2處。第二導電層322可安置於第二結合部分122下方。第二導電層322之寬度可提供為小於第二結合部分122之寬度。第二導電層322可安置成與第二結合部分之下表面直接接觸。第二導電層322可電連接至第二結合部分122。第二導電層322可安置成由第二引線框架112環繞。
作為實例，第一導電層321及第二導電層322亦可藉由使用導電膏形成。第一導電層321及第二導電層322可由焊錫膏、銀膏或其類似者形成。
同時，根據實施例，可設置第一開口TH1及第二開口TH2使得第一區之上表面的寬度小於第二區之下表面的寬度。因此，設置於第一開口TH1及第二開口TH2處之第一導電層321及第二導電層322的量亦可在第一開口TH1及第二開口TH2之上部區中提供為小於其下部區中之量。
如上文所描述，由於第一開口TH1及第二開口TH2之上部區的寬度提供為窄的，因此可減小第一結合部分121及第二結合部分122與第一導電層321及第二導電層322之間的接觸面積。因此，有可能防止第一導電層321及第二導電層322自第一結合部分121及第二結合部分122之下表面在其側表面方向上擴散。
當第一導電層321及第二導電層322自第一結合部分121及第二結合部分122之下表面在其側表面方向上擴散時，擴散的第一導電層321及第二導電層322可與發光裝置120之作用層接觸，藉此導致由於短路而發生的故障。
然而，根據實施例，藉由減小第一結合部分121及第二結合部分122與第一導電層321及第二導電層322接觸之面積，有可能防止第
一導電層321及第二導電層322自第一及第二結合部分之下表面在其側表面方向上擴散且可防止由於發光裝置120之短路而發生的故障，藉此改良可靠性。
此外，如上文所描述，當在樹脂部分135安置於第一及第二凹槽上之後安置第一導電層321及第二導電層322時，樹脂部分135可防止導電層321及322在發光裝置120之側表面中擴散或溢出。
此外，根據實施例，由於第一開口TH1及第二開口TH2之下部區之寬度提供為寬於其上部區之寬度，因此可易於執行經由第一開口TH1及第二開口TH2形成第一導電層321及第二導電層322的製程。
另外，根據實施例，由於第一開口TH1及第二開口TH2之上部區的寬度提供為窄的，因此可減小設置於第一開口TH1及第二開口TH2之上部區處的第一導電層321及第二導電層322的量。
因此，由於可減小第一導電層321及第二導電層322之使用量，因此可穩定地執行電連接且可減小製造成本。
接下來，根據製造根據實施例之發光裝置封裝的方法，如圖8a及圖8b中所展示，模製部分140可設置於發光裝置120上.
圖8a及圖8b係說明如下狀態之平面圖及橫截面圖：藉由製造根據本發明之實施例的發光裝置封裝之方法來提供模製部分。
模製部分140可設置於發光裝置120上。模製部分140可安置於第一引線框架111及第二引線框架112上。模製部分140可安置於由封裝主體110提供之空腔C中。模製部分140可安置於樹脂部分135上。
模製部分140可包含絕緣材料。此外，模製部分140可包含經組態以入射自發光裝置120發射之光且提供波長轉換光的波長轉換部分。作為實例，模製部分140可包含選自由以下各者組成之群的至少一者：磷光體、量子點及其類似者。
如上文所描述，根據製造根據實施例之發光裝置封裝的方法，第一結合部分121及第二結合部分122之周邊可藉由黏著劑130及樹脂部分135穩定地密封。
因此，在經由第一開口TH1及第二開口TH2形成第一導電層321及第二導電層322之製程中，有可能有效地防止第一導電層321及第二導電層322在第一結合部分121及第二結合部分122之側表面方向上擴散。
因此，根據製造根據實施例之發光裝置封裝的方法，可防止第一導電層321及第二導電層322自第一及第二結合部分之下表面在其側表面方向上擴散且可防止由於發光裝置120之短路而發生的故障，藉此改良可靠性。
同時，在上文描述中，如圖7a及圖7b中所展示，首先係首先形成第一導電層321及第二導電層322之狀況，且其係基於形成模製部分140之狀況進行描述，如圖8a及圖8b中所展示。
然而，根據製造根據實施例之發光裝置封裝的方法之另一實例，可首先形成樹脂部分135及模製部分140，且可稍後形成第一導電層321及第二導電層322。
此外，根據製造根據實施例之發光裝置封裝的方法之另一實例，樹脂部分135可能未形成且僅模製部分140可形成於封裝主體110之空腔中。
此外，根據另一實施例，可首先形成第一導電層321及第二導電層322，且可稍後形成樹脂部分135及模製部分140。
在根據實施例之發光裝置封裝100中，電力可經由第一開口TH1連接至第一結合部分121，且電力可經由第二開口TH2連接至第二結合部分122。
因此，發光裝置120可藉由經由第一結合部分121及第二結合部分122供應之驅動電力驅動。此外，可在封裝主體110之上方向上提供自發光裝置120發射之光。
同時，上文所描述的根據實施例之發光裝置封裝100可被供應且安裝於子基板、電路板或其類似者上。
然而，當將習知發光裝置封裝安裝於子基板、電路板或其類
似者上時，可應用諸如回焊之高溫製程。此時，在回焊製程中，在框架與設置於發光裝置封裝處的發光裝置之間的結合區中會發生重新熔融現象，使得可減弱電連接及實體耦接之穩定性。因此，發光裝置之位置可發生改變，且發光裝置封裝之光學及電特性與可靠性可惡化。
然而，根據根據實施例之發光裝置封裝及製造發光裝置封裝之方法，可藉由安置於開口處之導電層向根據實施例之發光裝置的第一結合部分及第二結合部分提供驅動電力。因此，由於發光裝置與封裝主體110之間的黏著材料以及發光裝置120與封裝主體110之間及發光裝置封裝與電路基板之間的黏著材料彼此不同，因此有可能防止重新熔融之問題。此外，由於發光裝置120經由封裝主體110之第一開口TH1及第二開口TH2電連接至電路板，因此有可能防止重新熔融之問題。另外，可選擇安置於開口處之導電層的熔點，以便具有高於一般結合材料之熔點的值。
因此，由於根據實施例之發光裝置封裝100即使在藉由回焊製程將發光裝置封裝100結合至主基板時仍不會造成重新熔融現象，因此電連接及實體結合力可能不會惡化。
此外，根據根據實施例之發光裝置封裝100及製造發光裝置封裝之方法，封裝主體110在發光裝置封裝之製造製程中無需曝露於高溫。因此，根據實施例，有可能防止封裝主體110由於曝露於高溫而受損或變色。
因此，可擴寬形成主體113之材料的選擇範圍。根據實施例，可藉由不僅使用諸如陶瓷之昂貴材料而且使用相對便宜之樹脂材料來提供主體113。
舉例而言，主體113可包含選自由以下各者組成之群的至少一種材料：聚鄰苯二甲醯胺(PPA)樹脂、聚對苯二甲酸環己烷二甲醇酯(PCT)樹脂、環氧樹脂模製化合物(EMC)樹脂及聚矽氧模製化合物(SMC)樹脂。
接下來，將參看圖9描述根據本發明之實施例的發光裝置封裝之另一實例。
在參看圖9描述根據實施例之發光裝置封裝時，可省略對與
參看圖1至圖8所描述之內容重疊的內容的描述。
根據實施例之發光裝置封裝可包含封裝主體110及發光裝置120，如圖9中所展示。
封裝主體110可包含第一引線框架111及第二引線框架112。第一引線框架111及第二引線框架112可安置成彼此間隔開。
封裝主體110可包含主體113。主體113可安置於第一引線框架111與第二引線框架112之間。主體113可充當一種電極分離線。
第一引線框架111及第二引線框架112可提供為絕緣框架。第一引線框架111及第二引線框架112可穩定地提供封裝主體110之結構強度。
此外，第一引線框架111及第二引線框架112可提供為導電框架。第一引線框架111及第二引線框架112可穩定地提供封裝主體110之結構強度，且可電連接至發光裝置120。
稍後將描述將第一引線框架111及第二引線框架112形成為絕緣框架之狀況與將第一引線框架111及第二引線框架112形成為導電框架之狀況之間的差異。
根據實施例，發光裝置120可包含第一結合部分121、第二結合部分122、發光結構123及基板124。
發光裝置120可包含安置於基板124下方之發光結構123，如圖9中所展示。第一結合部分121及第二結合部分122可安置於發光結構123與封裝主體110之間。
第一結合部分121可安置於發光裝置120之下表面上。第二結合部分122可安置於發光裝置120之下表面上。第一結合部分121及第二結合部分122可安置成在發光裝置120之下表面上彼此間隔開。
第一結合部分121可安置於第一引線框架111上。第二結合部分122可安置於第二引線框架112上。
第一結合部分121可安置於發光結構123與第一引線框架111之間。第二結合部分122可安置於發光結構123與第二引線框架112之
間。
同時，根據實施例之發光裝置封裝可包含第一開口TH1及第二開口TH2，如圖9中所展示。第一引線框架111可包含第一開口TH1。第二引線框架112可包含第二開口TH2。
第一開口TH1可設置於第一引線框架111處。第一開口TH1可設置為穿過第一引線框架111。第一開口TH1可設置為在第一方向上穿過第一引線框架111之上表面及下表面。
第一開口TH1可安置於發光裝置120之第一結合部分121下方。第一開口TH1可設置為與發光裝置120之第一結合部分121重疊。第一開口TH1可設置為在自第一引線框架111之上表面朝向其下表面的第一方向上與發光裝置120之第一結合部分121重疊。
第二開口TH2可設置於第二引線框架112處。第二開口TH2可設置為穿過第二引線框架112。第二開口TH2可設置為在第一方向上穿過第二引線框架112之上表面及下表面。
第二開口TH2可安置於發光裝置120之第二結合部分122下方。第二開口TH2可設置為與發光裝置120之第二結合部分122重疊。第二開口TH2可設置為在自第二引線框架112之上表面朝向其下表面的第一方向上與發光裝置120之第二結合部分122重疊。
第一開口TH1及第二開口TH2可安置成彼此間隔開。第一開口TH1及第二開口TH2可安置成在發光裝置120之下表面下方彼此間隔開。
根據實施例，第一開口TH1之上部區的寬度W1可提供為小於或等於第一結合部分121之寬度。此外，第二開口TH2之上部區的寬度可提供為小於或等於第二結合部分122之寬度。
因此，發光裝置120之第一結合部分121與第一引線框架111可更牢固地附接。此外，發光裝置120之第二結合部分122與第二引線框架112可更牢固地附接。
此外，第一開口TH1之上部區的寬度W1可提供為小於或
等於第一開口TH1之下部區的寬度W2。另外，第二開口TH2之上部區的寬度可提供為小於或等於第二開口TH2之下部區的寬度。
舉例而言，第一開口TH1之上部區的寬度W1可提供為幾十微米至幾百微米。另外，第一開口TH1之下部區的寬度W2可提供為比第一開口TH1之上部區的寬度W1大幾十微米至幾百微米。
此外，第二開口TH2之上部區的寬度可提供為幾十微米至幾百微米。另外，第二開口TH2之下部區的寬度可提供為比第二開口TH2之上部區的寬度大幾十微米至幾百微米。
此外，第一開口TH1之下部區的寬度W2可提供為寬於第一開口TH1之上部區的寬度W1。第一開口TH1可按預定寬度設置於上部區中預定深度處，且可設置為朝向下部區呈傾斜形狀。
此外，第二開口TH2之下部區的寬度可提供為寬於第二開口TH2之上部區的寬度。第二開口TH2可按預定寬度設置於上部區中預定深度處，且可設置為朝向下部區呈傾斜形狀。
舉例而言，第一開口TH1可設置為寬度自下部區朝向上部區逐漸減小之傾斜形狀。另外，第二開口TH2可設置為寬度自下部區朝向上部區逐漸減小之傾斜形狀。
然而，本發明不限於此，且第一開口TH1及第二開口TH2之上部區與下部區之間的傾斜表面可具有具不同斜度之複數個傾斜表面，且傾斜表面可按一定曲率安置。
在第一引線框架111及第二引線框架112之下表面區中的第一開口TH1與第二開口TH2之間的寬度W3可提供為幾百微米。作為實例，在第一引線框架111及第二引線框架112之下表面區中的第一開口TH1與第二開口TH2之間的寬度W3可提供為100至150微米。
在第一引線框架111及第二引線框架112之下表面區中的第一開口TH1與第二開口TH2之間的寬度W3可經選擇以提供為超過預定距離，以便在稍後將根據實施例之發光裝置封裝100安裝於電路板、子基板或其類似者上時防止在襯墊之間發生短路。
根據實施例之發光裝置封裝可包含黏著劑130，如圖9中所展示。
黏著劑130可安置於封裝主體110與發光裝置120之間。黏著劑130可安置於封裝主體110之上表面與發光裝置120之下表面之間。黏著劑130可安置於主體113之上表面與發光裝置120之下表面之間。
此外，根據實施例之發光裝置封裝可包含凹槽R，如圖9中所展示。
凹槽R可設置於主體113處。凹槽R可設置於第一開口TH1與第二開口TH2之間。凹槽R可設置為自主體113之上表面朝向其下表面凹入。凹槽R可安置於發光裝置120下方。凹槽R可設置為在第一方向上與發光裝置120重疊。
舉例而言，黏著劑130可安置於凹槽R中。黏著劑130可安置於發光裝置120與主體113之間。黏著劑130可安置於第一結合部分121與第二結合部分122之間。作為實例，黏著劑130可安置成與第一結合部分121之側表面及第二結合部分122之側表面接觸。
此外，黏著劑130可安置於發光裝置120與封裝主體110之間。黏著劑130可安置於發光裝置120與第一引線框架111之間。黏著劑130可安置於發光裝置120與第二引線框架112之間。
黏著劑130可提供發光裝置120與封裝主體110之間的穩定的固定力。黏著劑130可提供發光裝置120與主體113之間的穩定的固定力。作為實例，黏著劑130可安置成與主體113之上表面直接接觸。此外，黏著劑130可安置成與發光裝置120之下表面直接接觸。
作為實例，黏著劑130可包含環氧樹脂基材料、聚矽氧基材料以及包含環氧樹脂基材料及聚矽氧基材料之混合材料中的至少一者。另外，作為實例，黏著劑130可包含白色聚矽氧。
當光發射至發光裝置120之下表面時，黏著劑130可提供主體113與發光裝置120之間的穩定的固定力，且可提供發光裝置120與主體113之間的光漫射功能。當光自發光裝置120發射至發光裝置120之下
表面時，黏著劑130可藉由提供光漫射功能來改良發光裝置封裝100之光提取效率。
此外，黏著劑130可反射自發光裝置120發射之光。當黏著劑130包含反射功能時，黏著劑130可由包含TiO2、聚矽氧及其類似者之材料形成。
凹槽R可提供適當的空間，在該空間中，可在發光裝置120之下部部分處執行一種底部填充製程。凹槽R可設置為第一深度或大於第一深度，使得黏著劑130可足夠地設置於發光裝置120之下表面與主體113之上表面之間。此外，凹槽R可設置於第二深度或小於第二深度處以提供主體113之穩定強度。
另外，如圖9中所展示，根據實施例之發光裝置封裝可包含第一導電層321及第二導電層322。第一導電層321可安置成與第二導電層322間隔開。
第一導電層321可設置於第一開口TH1處。第一導電層321可安置於第一結合部分121下方。第一導電層321之寬度可提供為小於第一結合部分121之寬度。第一導電層321之上部區的寬度可提供為小於第一結合部分121之寬度。
第一結合部分121可具有垂直於形成第一開口TH1所在之第一方向的第二方向的寬度。第一結合部分121之寬度可提供為大於第一開口TH1之上部區的第二方向之寬度。
第一導電層321可安置成與第一結合部分121之下表面直接接觸。第一導電層321可電連接至第一結合部分121。第一導電層321可安置成由第一引線框架111環繞。
第二導電層322可設置於第二開口TH2處。第二導電層322可安置於第二結合部分122下方。第二導電層322之寬度可提供為小於第二結合部分122之寬度。第二導電層322之上部區的寬度可提供為小於第二結合部分122之寬度。
第二結合部分122可具有垂直於形成第二開口TH2所在之
第一方向的第二方向的寬度。第二結合部分122之寬度可提供為大於第二開口TH2之上部區之第二方向的寬度。
第二導電層322可安置成與第二結合部分122之下表面直接接觸。第二導電層322可電連接至第二結合部分122。第二導電層322可安置成由第二引線框架112環繞。
第一導電層321及第二導電層322可包含選自由以下各者組成之群的一種材料：Ag、Au及Pt或其合金。然而，本發明不限於此，且可在第一導電層321及第二導電層322中使用能夠確保導電功能之材料。
作為實例，第一導電層321及第二導電層322可藉由使用導電膏形成。導電膏可包含焊錫膏、銀膏或其類似者。
同時，如圖18中所展示，根據實施例之第一導電層321及第二導電層322可具備多層。
作為實例，第一導電層321可包含第一上部導電層321a及第一下部導電層321b。第一上部導電層321a可設置於第一開口TH1之上部區處。第一下部導電層321b可設置於第一開口TH1之下部區處。
此外，第二導電層322可包含第二上部導電層322a及第二下部導電層322b。第二上部導電層322a可設置於第二開口TH2之上部區處。第二下部導電層322b可設置於第二開口TH2之下部區處。
根據實施例，第一上部導電層321a及第一下部導電層321b可包含不同材料。第一上部導電層321a及第一下部導電層321b可具有不同熔點。作為實例，第一上部導電層321a之熔點可選擇為高於第一下部導電層321b之熔點。
舉例而言，可不同地提供形成第一上部導電層321a之導電膏及形成第一下部導電層321b之導電膏。根據實施例，例如，第一上部導電層321a可藉由使用銀膏形成，且第一下部導電層321b可藉由使用焊錫膏形成。
根據實施例，當第一上部導電層321a形成為具有銀膏時，設置於第一開口TH1處之銀膏在第一結合部分121與第一引線框架111之
間擴散及滲透的程度被偵測為弱的或不存在該擴散及滲透。
因此，當第一上部導電層321a形成為具有銀膏時，有可能防止發光裝置120短路或惡化。
此外，當用銀膏形成第一上部導電層321a且用焊錫膏形成第一下部導電層321b時，相較於整個第一導電層321形成為具有銀膏之狀況，可減小製造成本。
類似地，可不同地提供形成第二上部導電層322a之導電膏及形成第二下部導電層322b之導電膏。根據實施例，例如，第二上部導電層322a可藉由使用銀膏形成，且第二下部導電層322b可藉由使用焊錫膏形成。
根據實施例，當用銀膏形成第二上部導電層322a時，設置於第二開口TH2處之銀膏在第二結合部分122與第二引線框架112之間擴散及滲透的程度被偵測為弱的或不存在該擴散及滲透。
因此，當用銀膏形成第二上部導電層322a時，有可能防止發光裝置120短路或惡化。
此外，當用銀膏形成第二上部導電層322a且用焊錫膏形成第二下部導電層322b時，相較於整個第二導電層322形成為具有銀膏之狀況，可減小製造成本。
根據實施例，如圖9中所展示，第一導電層321及第二導電層322可分別設置於第一開口TH1及第二開口TH2處。
如上文所描述，可設置第一開口TH1及第二開口TH2使得上部區之寬度W1小於下部區之寬度W2。因此，設置於第一開口TH1及第二開口TH2中之第一導電層321及第二導電層322的量亦可在第一開口TH1及第二開口TH2之上部區中提供為小於其下部區中之量。
如上文所描述，由於第一開口TH1及第二開口TH2之上部區的寬度提供為窄的，因此可減小第一結合部分121及第二結合部分122與第一導電層321及第二導電層322之間的接觸面積。因此，有可能防止第一導電層321及第二導電層322自第一結合部分121及第二結合部分122之
下表面在其側表面方向上擴散。
當第一導電層321及第二導電層322自第一結合部分121及第二結合部分122之下表面在其側表面方向上擴散時，擴散的第一導電層321及第二導電層322可與發光裝置120之作用層接觸，藉此導致由於短路而發生的故障。
然而，根據實施例，藉由減小第一結合部分121及第二結合部分122與第一導電層321及第二導電層322接觸之面積，有可能防止第一導電層321及第二導電層322自第一及第二結合部分的下表面在其側表面方向上擴散且可防止由於發光裝置120之短路而發生的故障，藉此改良可靠性。
此外，根據實施例，由於第一開口TH1及第二開口TH2之下部區之寬度提供為寬於其上部區之寬度，因此可易於執行在第一開口TH1及第二開口TH2處形成第一導電層321及第二導電層322的製程。
另外，根據實施例，由於第一開口TH1及第二開口TH2之上部區的寬度提供為窄的，因此可減小設置於第一開口TH1及第二開口TH2之上部區處的第一導電層321及第二導電層322的量。
因此，由於可減小第一導電層321及第二導電層322之使用量，因此可穩定地執行電連接且可減小製造成本。
此外，根據實施例之發光裝置封裝可包含第一上部凹槽R3及第二上部凹槽R4，如圖9中所展示。
第一上部凹槽R3可設置於第一引線框架111之上表面上。第一上部凹槽R3可設置為自第一引線框架111之上表面在下表面方向上凹入。第一上部凹槽R3可安置成與第一開口TH1間隔開。
第二上部凹槽R4可設置於第二引線框架112之上表面上。第二上部凹槽R4可設置為自第二引線框架112之上表面在下表面方向上凹入。第二上部凹槽R4可安置成與第二開口TH2間隔開。
此外，根據實施例之發光裝置封裝可包含樹脂部分135，如圖9中所展示。
樹脂部分135可安置於第一引線框架111與發光裝置120之間。樹脂部分135可安置於第二引線框架112與發光裝置120之間。樹脂部分135可設置於空腔C之底表面處，該空腔設置於封裝主體110中。
樹脂部分135可設置於第一上部凹槽R3及第二上部凹槽R4處。
樹脂部分135可安置於第一結合部分121之側表面上。樹脂部分135可設置於第一上部凹槽R3處，且可設置為延伸至安置有第一結合部分121之區。樹脂部分135可安置於發光結構123下方。
此外，樹脂部分135可安置於第二結合部分122之側表面上。樹脂部分135可設置於第二上部凹槽R4處，且可設置為延伸至安置有第二結合部分122之區。樹脂部分135可安置於發光結構123下方。
此外，第一上部凹槽R3及第二上部凹槽R4可提供足夠的空間，在該空間中，樹脂部分135可設置於發光裝置120下方。第一上部凹槽R3及第二上部凹槽R4可提供適當的空間，在該空間中，可在發光裝置120之下部部分處執行一種底部填充製程。
因此，填充於第一上部凹槽R3及第二上部凹槽R4處之樹脂部分135可有效地密封第一結合部分121及第二結合部分122之周邊。
作為實例，樹脂部分135可包含環氧樹脂基材料、聚矽氧基材料以及包含環氧樹脂基材料及聚矽氧基材料之混合材料中的至少一者。舉例而言，樹脂部分135可係反射自發光裝置120發射之光的反射部分，作為實例，其可係含有諸如TiO2之反射性材料的樹脂。樹脂部分135可包含白色聚矽氧。
樹脂部分135可安置於發光裝置120下方且可執行密封功能。此外，樹脂部分135可改良發光裝置120與第一引線框架111之間的黏著力。樹脂部分135可改良發光裝置120與第二引線框架112之間的黏著力。
樹脂部分135可圍繞第一結合部分121及第二結合部分122進行密封。樹脂部分135可防止第一導電層321及第二導電層322與第一
開口TH1區及第二開口TH2區分離且在發光裝置120之方向上擴散且移動。
當第一導電層321及第二導電層322在發光裝置120之外側表面方向上擴散且移動時，第一導電層321及第二導電層322可與發光裝置120之作用層接觸，藉此造成由於短路而發生的故障。因此，當已安置樹脂部分135時，有可能防止由於第一導電層321及第二導電層322以及作用層而發生之短路，藉此改良根據實施例之發光裝置封裝的可靠性。
此外，當樹脂部分135包含諸如白色聚矽氧之具有反射特性的材料時，樹脂部分135可朝向封裝主體110之上方向反射自發光裝置120發射之光，藉此改良發光裝置封裝100之光提取效率。
此外，根據實施例之發光裝置封裝100可包含模製部分140，如圖9中所展示。
模製部分140可設置於發光裝置120上。模製部分140可安置於第一引線框架111及第二引線框架112上。模製部分140可安置於由封裝主體110提供之空腔C中。模製部分140可安置於樹脂部分135上。
在根據實施例之發光裝置封裝中，電力可經由第一開口TH1連接至第一結合部分121，且電力可經由第二開口TH2連接至第二結合部分122。
因此，發光裝置120可藉由經由第一結合部分121及第二結合部分122供應之驅動電力驅動。此外，可在封裝主體110之上方向上提供自發光裝置120發射之光。
同時，上文所描述的根據實施例之發光裝置封裝100可被供應且安裝於子基板、電路板或其類似者上。
然而，當將習知發光裝置封裝安裝於子基板、電路板或其類似者上時，可應用諸如回焊之高溫製程。此時，在回焊製程中，在引線框架與設置於發光裝置封裝處的發光裝置之間的結合區中會發生重新熔融現象，使得可減弱電連接及實體耦接之穩定性。
然而，根據根據實施例之發光裝置封裝及製造發光裝置封裝
之方法，可藉由安置於開口處之導電層向根據實施例之發光裝置的第一電極及第二電極提供驅動電力。此外，安置於開口中之導電層的熔點可選擇為具有高於一般結合材料之熔點的值。
因此，由於根據實施例之發光裝置封裝100即使在藉由回焊製程將發光裝置封裝100結合至主基板時仍不會造成重新熔融現象，因此電連接及實體結合力可能不會惡化。
此外，根據根據實施例之發光裝置封裝100及製造發光裝置封裝之方法，封裝主體110在發光裝置封裝之製造製程中無需曝露於高溫。因此，根據實施例，有可能防止封裝主體110由於曝露於高溫而受損或變色。
因此，可擴寬形成主體113之材料的選擇範圍。根據實施例，可藉由不僅使用諸如陶瓷之昂貴材料而且使用相對便宜之樹脂材料來提供主體113。
舉例而言，主體113可包含選自由以下各者組成之群的至少一種材料：聚鄰苯二甲醯胺(PPA)樹脂、聚對苯二甲酸環己烷二甲醇酯(PCT)樹脂、環氧樹脂模製化合物(EMC)樹脂及聚矽氧模製化合物(SMC)樹脂。
同時，上文參看圖1至圖9所描述的根據實施例之發光裝置封裝100可被供應且安裝於子基板、電路板或其類似者上。
接著，將參看圖10描述根據本發明之實施例的發光裝置封裝之又一實例。
圖10中所展示的根據本發明之實施例的發光裝置封裝300經展示為參看圖1至圖9所描述之發光裝置封裝安裝於電路板310上且被供應的實例。
在參看圖10描述製造根據本發明之實施例的發光裝置封裝300的方法時，可省略與參看圖1至圖9所描述之內容重疊的描述。
根據實施例之發光裝置封裝300可包含電路板310、封裝主體110及發光裝置120，如圖10中所展示。
電路板310可包含第一襯墊311、第二襯墊312及支撐基板
313。支撐基板313可具備經組態以控制發光裝置120之驅動的電力供應電路。
封裝主體110可安置於電路板310上。第一襯墊311與第一結合部分121可彼此電連接。第二襯墊312與第二結合部分122可彼此電連接。
第一襯墊311及第二襯墊312可包含導電材料。舉例而言，第一襯墊311及第二襯墊312可包含選自由以下各者組成之群的一種材料：Ti、Cu、Ni、Au、Cr、Ta、Pt、Sn、Ag、P、Fe、Sn、Zn及Al或其合金。第一襯墊311及第二襯墊312可提供為單層或多層。
封裝主體110可包含第一引線框架111及第二引線框架112。第一引線框架111及第二引線框架112可安置成彼此間隔開。
封裝主體110可包含主體113。主體113可安置於第一引線框架111與第二引線框架112之間。主體113可充當一種電極分離線。
第一引線框架111及第二引線框架112可提供為絕緣框架。第一引線框架111及第二引線框架112可穩定地提供封裝主體110之結構強度。
此外，第一引線框架111及第二引線框架112可提供為導電框架。第一引線框架111及第二引線框架112可穩定地提供封裝主體110之結構強度，且可電連接至發光裝置120。
封裝主體110可包含在第一方向上自封裝主體110之上表面穿透至下表面的第一開口TH1及第二開口TH2。第一引線框架111可包含第一開口TH1。第二引線框架112可包含第二開口TH2。
第一開口TH1可設置於第一引線框架111處。第一開口TH1可設置為穿過第一引線框架111。第一開口TH1可設置為在第一方向上穿過第一引線框架111之上表面及下表面。
第一開口TH1可安置於發光裝置120之第一結合部分121下方。第一開口TH1可設置為與發光裝置120之第一結合部分121重疊。第一開口TH1可設置為在自第一引線框架111之上表面朝向其下表面的第
一方向上與發光裝置120之第一結合部分121重疊。
第二開口TH2可設置於第二引線框架112處。第二開口TH2可設置為穿過第二引線框架112。第二開口TH2可設置為在第一方向上穿過第二引線框架112之上表面及下表面。
第二開口TH2可安置於發光裝置120之第二結合部分122下方。第二開口TH2可設置為與發光裝置120之第二結合部分122重疊。第二開口TH2可設置為在自第二引線框架112之上表面朝向其下表面的第一方向上與發光裝置120之第二結合部分122重疊。
第一開口TH1及第二開口TH2可安置成彼此間隔開。第一開口TH1及第二開口TH2可安置成在發光裝置120之下表面下方彼此間隔開。
根據實施例，第一開口TH1之上部區的寬度W1可提供為小於或等於第一結合部分121之寬度。此外，第二開口TH2之上部區的寬度可提供為小於或等於第二結合部分122之寬度。
因此，發光裝置120之第一結合部分121與第一引線框架111可更牢固地附接。此外，發光裝置120之第二結合部分122與第二引線框架112可更牢固地附接。
此外，第一開口TH1之上部區的寬度W1可提供為小於或等於第一開口TH1之下部區的寬度W2。另外，第二開口TH2之上部區的寬度可提供為小於或等於第二開口TH2之下部區的寬度。
舉例而言，第一開口TH1之上部區的寬度W1可提供為幾十微米至幾百微米。另外，第一開口TH1之下部區的寬度W2可提供為比第一開口TH1之上部區的寬度W1大幾十微米至幾百微米。
此外，第二開口TH2之上部區的寬度可提供為幾十微米至幾百微米。另外，第二開口TH2之下部區的寬度可提供為比第二開口TH2之上部區的寬度大幾十微米至幾百微米。
此外，第一開口TH1之下部區的寬度W2可提供為寬於第一開口TH1之上部區的寬度W1。第一開口TH1可按預定寬度設置於上部
區中預定深度處，且可設置為朝向下部區呈傾斜形狀。
此外，第二開口TH2之下部區的寬度可提供為寬於第二開口TH2之上部區的寬度。第二開口TH2可按預定寬度設置於上部區中預定深度處，且可設置為朝向下部區呈傾斜形狀。
舉例而言，第一開口TH1可設置為寬度自下部區朝向上部區逐漸減小之傾斜形狀。另外，第二開口TH2可設置為寬度自下部區朝向上部區逐漸減小之傾斜形狀。
然而，本發明不限於此，且第一開口TH1及第二開口TH2之上部區與下部區之間的傾斜表面可具有具不同斜度之複數個傾斜表面，且傾斜表面可按一定曲率安置。
根據實施例之發光裝置封裝300可包含黏著劑130，如圖10中所展示。
黏著劑130可安置於封裝主體110與發光裝置120之間。黏著劑130可安置於封裝主體110之上表面與發光裝置120之下表面之間。黏著劑130可安置於主體113之上表面與發光裝置120之下表面之間。
此外，根據實施例之發光裝置封裝300可包含凹槽R，如圖10中所展示。
凹槽R可設置於主體113處。凹槽R可設置於第一開口TH1與第二開口TH2之間。凹槽R可設置為自主體113之上表面朝向其下表面凹入。凹槽R可安置於發光裝置120下方。凹槽R可設置為在第一方向上與發光裝置120重疊。
舉例而言，黏著劑130可安置於凹槽R中。黏著劑130可安置於發光裝置120與主體113之間。黏著劑130可安置於第一結合部分121與第二結合部分122之間。作為實例，黏著劑130可安置成與第一結合部分121之側表面及第二結合部分122之側表面接觸。
此外，黏著劑130可安置於發光裝置120與封裝主體110之間。黏著劑130可安置於發光裝置120與第一引線框架111之間。黏著劑130可安置於發光裝置120與第二引線框架112之間。
黏著劑130可提供發光裝置120與封裝主體110之間的穩定的固定力。黏著劑130可提供發光裝置120與主體113之間的穩定的固定力。作為實例，黏著劑130可安置成與主體113之上表面直接接觸。此外，黏著劑130可安置成與發光裝置120之下表面直接接觸。
作為實例，黏著劑130可包含環氧樹脂基材料、聚矽氧基材料以及包含環氧樹脂基材料及聚矽氧基材料之混合材料中的至少一者。另外，作為實例，黏著劑130可包含白色聚矽氧。
當光發射至發光裝置120之下表面時，黏著劑130可提供主體113與發光裝置120之間的穩定的固定力，且可提供發光裝置120與主體113之間的光漫射功能。當光自發光裝置120發射至發光裝置120之下表面時，黏著劑130可藉由提供光漫射功能來改良發光裝置封裝300之光提取效率。
此外，黏著劑130可反射自發光裝置120發射之光。當黏著劑130包含反射功能時，黏著劑130可由包含TiO2、聚矽氧及其類似者之材料形成。
此外，如圖10中所展示，根據實施例之發光裝置封裝300可包含第一導電層321及第二導電層322。第一導電層321可安置成與第二導電層322間隔開。
第一導電層321可設置於第一開口TH1處。第一導電層321可安置於第一結合部分121下方。第一導電層321之寬度可提供為小於第一結合部分121之寬度。第一導電層321之上部區的寬度可提供為小於第一結合部分121之寬度。
第一結合部分121可具有垂直於形成第一開口TH1所在之第一方向的第二方向的寬度。第一結合部分121之寬度可提供為大於第一開口TH1之上部區的第二方向之寬度。
第一導電層321可安置成與第一結合部分121之下表面直接接觸。第一導電層321可電連接至第一結合部分121。第一導電層321可安置成由第一引線框架111環繞。
第二導電層322可設置於第二開口TH2處。第二導電層322可安置於第二結合部分122下方。第二導電層322之寬度可提供為小於第二結合部分122之寬度。第二導電層322之上部區的寬度可提供為小於第二結合部分122之寬度。
第二結合部分122可具有垂直於形成第二開口TH2所在之第一方向的第二方向的寬度。第二結合部分122之寬度可提供為大於第二開口TH2之上部區之第二方向的寬度。
第二導電層322可安置成與第二結合部分122之下表面直接接觸。第二導電層322可電連接至第二結合部分122。第二導電層322可安置成由第二引線框架112環繞。
第一導電層321及第二導電層322可包含選自由以下各者組成之群的一種材料：Ag、Au及Pt或其合金。然而，本發明不限於此，且可在第一導電層321及第二導電層322中使用能夠確保導電功能之材料。
根據實施例，電路板310之第一襯墊311與第一導電層321可彼此電連接。此外，電路板310之第二襯墊312與第二導電層322可彼此電連接。
同時，根據實施例，單獨的結合層可另外設置於第一襯墊311與第一導電層321之間。另外，單獨的結合層可另外設置於第二襯墊312與第二導電層322之間。
此外，根據另一實施例，第一導電層321及第二導電層322可藉由共晶結合安裝於電路板310上。
參看圖10所描述的根據實施例之發光裝置封裝300經組態以使得經由第一導電層321及第二導電層322將自電路板310供應之電力分別供應至第一結合部分121及第二結合部分122。此時，電路板310之第一襯墊311與第一導電層321彼此直接接觸，且電路板310之第二襯墊312與第二導電層322直接接觸。
因此，根據圖10中所展示的根據實施例之發光裝置封裝300，第一引線框架111及第二引線框架112可形成為具有絕緣框架。此外，
根據圖10中所展示的根據實施例之發光裝置封裝300，第一引線框架111及第二引線框架112可形成為具有導電框架。
如上文所描述，根據根據實施例之發光裝置封裝及製造發光裝置封裝之方法，可藉由安置於開口處之導電層向根據實施例之發光裝置的第一結合部分及第二結合部分提供驅動電力。此外，安置於開口中之導電層的熔點可選擇為具有高於一般結合材料之熔點的值。
因此，由於根據實施例之發光裝置封裝即使在藉由回焊製程將發光裝置封裝結合至主基板時仍不會造成重新熔融現象，因此電連接及實體結合力可能不會惡化。
此外，根據根據實施例之發光裝置封裝及製造發光裝置封裝之方法，封裝主體110在發光裝置封裝之製造製程中無需曝露於高溫。因此，根據實施例，有可能防止封裝主體110由於曝露於高溫而受損或變色。
因此，可擴寬形成主體113之材料的選擇範圍。根據實施例，可藉由不僅使用諸如陶瓷之昂貴材料而且使用相對便宜之樹脂材料來提供主體113。
舉例而言，主體113可包含選自由以下各者組成之群的至少一種材料：聚鄰苯二甲醯胺(PPA)樹脂、聚對苯二甲酸環己烷二甲醇酯(PCT)樹脂、環氧樹脂模製化合物(EMC)樹脂及聚矽氧模製化合物(SMC)樹脂。
同時，圖11中所展示的根據本發明之實施例的發光裝置封裝400經展示為參看圖1至圖9所描述之發光裝置封裝安裝於電路板410上且被供應的實例。
在參看圖11描述製造根據本發明之實施例的發光裝置封裝400的方法時，可省略與參看圖1至圖10所描述之內容重疊的描述。
根據實施例之發光裝置封裝400可包含電路板410、封裝主體110及發光裝置120，如圖11中所展示。
電路板410可包含第一襯墊411、第二襯墊412及支撐基板413。支撐基板413可具備經組態以控制發光裝置120之驅動的電力供應電路。
封裝主體110可安置於電路板410上。第一襯墊411與第一結合部分121可彼此電連接。第二襯墊412與第二結合部分122可彼此電連接。
第一襯墊411及第二襯墊412可包括導電材料。舉例而言，第一襯墊411及第二襯墊412可包含選自由以下各者組成之群的一種材料：Ti、Cu、Ni、Au、Cr、Ta、Pt、Sn、Ag、P、Fe、Sn、Zn及Al或其合金。第一襯墊411及第二襯墊412可提供為單層或多層。
封裝主體110可包含第一引線框架111及第二引線框架112。第一引線框架111及第二引線框架112可安置成彼此間隔開。
封裝主體110可包含主體113。主體113可安置於第一引線框架111與第二引線框架112之間。主體113可充當一種電極分離線。
此外，第一引線框架111及第二引線框架112可提供為導電框架。第一引線框架111及第二引線框架112可穩定地提供封裝主體110之結構強度，且可電連接至發光裝置120。
封裝主體110可包含在第一方向上自封裝主體110之上表面穿透至下表面的第一開口TH1及第二開口TH2。第一引線框架111可包含第一開口TH1。第二引線框架112可包含第二開口TH2。
第一開口TH1可設置於第一引線框架111處。第一開口TH1可設置為穿過第一引線框架111。第一開口TH1可設置為在第一方向上穿過第一引線框架111之上表面及下表面。
第一開口TH1可安置於發光裝置120之第一結合部分121下方。第一開口TH1可設置為與發光裝置120之第一結合部分121重疊。第一開口TH1可設置為在自第一引線框架111之上表面朝向其下表面的第一方向上與發光裝置120之第一結合部分121重疊。
第二開口TH2可設置於第二引線框架112處。第二開口TH2可設置為穿過第二引線框架112。第二開口TH2可設置為在第一方向上穿過第二引線框架112之上表面及下表面。
第二開口TH2可安置於發光裝置120之第二結合部分122
下方。第二開口TH2可設置為與發光裝置120之第二結合部分122重疊。第二開口TH2可設置為在自第二引線框架112之上表面朝向其下表面的第一方向上與發光裝置120之第二結合部分122重疊。
第一開口TH1及第二開口TH2可安置成彼此間隔開。第一開口TH1及第二開口TH2可安置成在發光裝置120之下表面下方彼此間隔開。
根據實施例，第一開口TH1之上部區的寬度W1可提供為小於或等於第一結合部分121之寬度。此外，第二開口TH2之上部區的寬度可提供為小於或等於第二結合部分122之寬度。
因此，發光裝置120之第一結合部分121與第一引線框架111可更牢固地附接。此外，發光裝置120之第二結合部分122與第二引線框架112可更牢固地附接。
此外，第一開口TH1之上部區的寬度W1可提供為小於或等於第一開口TH1之下部區的寬度W2。另外，第二開口TH2之上部區的寬度可提供為小於或等於第二開口TH2之下部區的寬度。
舉例而言，第一開口TH1之上部區的寬度W1可提供為幾十微米至幾百微米。另外，第一開口TH1之下部區的寬度W2可提供為比第一開口TH1之上部區的寬度W1大幾十微米至幾百微米。
此外，第二開口TH2之上部區的寬度可提供為幾十微米至幾百微米。另外，第二開口TH2之下部區的寬度可提供為比第二開口TH2之上部區的寬度大幾十微米至幾百微米。
此外，第一開口TH1之下部區的寬度W2可提供為寬於第一開口TH1之上部區的寬度W1。第一開口TH1可按預定寬度設置於上部區中預定深度處，且可設置為朝向下部區呈傾斜形狀。
此外，第二開口TH2之下部區的寬度可提供為寬於第二開口TH2之上部區的寬度。第二開口TH2可按預定寬度設置於上部區中預定深度處，且可設置為朝向下部區呈傾斜形狀。
舉例而言，第一開口TH1可設置為寬度自下部區朝向上部
區逐漸減小之傾斜形狀。另外，第二開口TH2可設置為寬度自下部區朝向上部區逐漸減小之傾斜形狀。
然而，本發明不限於此，且第一開口TH1及第二開口TH2之上部區與下部區之間的傾斜表面可具有具不同斜度之複數個傾斜表面，且傾斜表面可按一定曲率安置。
根據實施例之發光裝置封裝400可包含黏著劑130，如圖11中所展示。
黏著劑130可安置於封裝主體110與發光裝置120之間。黏著劑130可安置於封裝主體110之上表面與發光裝置120之下表面之間。黏著劑130可安置於主體113之上表面與發光裝置120之下表面之間。
此外，根據實施例之發光裝置封裝400可包含凹槽R，如圖11中所展示。
凹槽R可設置於主體113處。凹槽R可設置於第一開口TH1與第二開口TH2之間。凹槽R可設置為自主體113之上表面朝向其下表面凹入。凹槽R可安置於發光裝置120下方。凹槽R可設置為在第一方向上與發光裝置120重疊。
舉例而言，黏著劑130可安置於凹槽R中。黏著劑130可安置於發光裝置120與主體113之間。黏著劑130可安置於第一結合部分121與第二結合部分122之間。作為實例，黏著劑130可安置成與第一結合部分121之側表面及第二結合部分122之側表面接觸。
此外，黏著劑130可安置於發光裝置120與封裝主體110之間。黏著劑130可安置於發光裝置120與第一引線框架111之間。黏著劑130可安置於發光裝置120與第二引線框架112之間。
黏著劑130可提供發光裝置120與封裝主體110之間的穩定的固定力。黏著劑130可提供發光裝置120與主體113之間的穩定的固定力。作為實例，黏著劑130可安置成與主體113之上表面直接接觸。此外，黏著劑130可安置成與發光裝置120之下表面直接接觸。
作為實例，黏著劑130可包含環氧樹脂基材料、聚矽氧基材
料以及包含環氧樹脂基材料及聚矽氧基材料之混合材料中的至少一者。另外，作為實例，黏著劑130可包含白色聚矽氧。
當光發射至發光裝置120之下表面時，黏著劑130可提供主體113與發光裝置120之間的穩定的固定力，且可提供發光裝置120與主體113之間的光漫射功能。當光自發光裝置120發射至發光裝置120之下表面時，黏著劑130可藉由提供光漫射功能來改良發光裝置封裝400之光提取效率。
此外，黏著劑130可反射自發光裝置120發射之光。當黏著劑130包含反射功能時，黏著劑130可由包含TiO2、聚矽氧及其類似者之材料形成。
此外，如圖11中所展示，根據實施例之發光裝置封裝400可包含第一導電層321及第二導電層322。第一導電層321可安置成與第二導電層322間隔開。
第一導電層321可設置於第一開口TH1處。第一導電層321可安置於第一結合部分121下方。第一導電層321之寬度可提供為小於第一結合部分121之寬度。第一導電層321之上部區的寬度可提供為小於第一結合部分121之寬度。
第一結合部分121可具有垂直於形成第一開口TH1所在之第一方向的第二方向的寬度。第一結合部分121之寬度可提供為大於第一開口TH1之上部區的第二方向之寬度。
第一導電層321可安置成與第一結合部分121之下表面直接接觸。第一導電層321可電連接至第一結合部分121。第一導電層321可安置成由第一引線框架111環繞。
第二導電層322可設置於第二開口TH2處。第二導電層322可安置於第二結合部分122下方。第二導電層322之寬度可提供為小於第二結合部分122之寬度。第二導電層322之上部區的寬度可提供為小於第二結合部分122之寬度。
第二結合部分122可具有垂直於形成第二開口TH2所在之
第一方向的第二方向的寬度。第二結合部分122之寬度可提供為大於第二開口TH2之上部區之第二方向的寬度。
第二導電層322可安置成與第二結合部分122之下表面直接接觸。第二導電層322可電連接至第二結合部分122。第二導電層322可安置成由第二引線框架112環繞。
第一導電層321及第二導電層322可包含選自由以下各者組成之群的一種材料：Ag、Au及Pt或其合金。然而，本發明不限於此，且可在第一導電層321及第二導電層322中使用能夠確保導電功能之材料。
根據實施例，電路板410之第一襯墊411及第一導電層321可彼此電連接。此外，電路板410之第二襯墊412與第二導電層322可彼此電連接。
第一襯墊411可電連接至第一引線框架111。此外，第二襯墊412可電連接至第二引線框架112。
同時，根據實施例，單獨的結合層可另外設置於第一襯墊411與第一引線框架111之間。此外，單獨的結合層可另外設置於第二襯墊412與第二引線框架112之間。
參看圖11所描述的根據實施例之發光裝置封裝400經組態以使得經由第一導電層321及第二導電層322將自電路板410供應之電力分別供應至第一結合部分121及第二結合部分122。此時，電路板410之第一襯墊411與第一引線框架111彼此直接接觸，且電路板410之第二襯墊412與第二引線框架112直接接觸。
如上文所描述，根據根據實施例之發光裝置封裝及製造發光裝置封裝之方法，可藉由安置於開口處之導電層向根據實施例之發光裝置的第一結合部分及第二結合部分提供驅動電力。此外，安置於開口中之導電層的熔點可選擇為具有高於一般結合材料之熔點的值。
因此，由於根據實施例之發光裝置封裝即使在藉由回焊製程將發光裝置封裝結合至主基板時仍不會造成重新熔融現象，因此電連接及實體結合力可能不會惡化。
此外，根據根據實施例之發光裝置封裝及製造發光裝置封裝之方法，封裝主體110在發光裝置封裝之製造製程中無需曝露於高溫。因此，根據實施例，有可能防止封裝主體110由於曝露於高溫而受損或變色。
因此，可擴寬形成主體113之材料的選擇範圍。根據實施例，可藉由不僅使用諸如陶瓷之昂貴材料而且使用相對便宜之樹脂材料來提供主體113。
舉例而言，主體113可包含選自由以下各者組成之群的至少一種材料：聚鄰苯二甲醯胺(PPA)樹脂、聚對苯二甲酸環己烷二甲醇酯(PCT)樹脂、環氧樹脂模製化合物(EMC)樹脂及聚矽氧模製化合物(SMC)樹脂。
同時，在上文所描述的根據實施例之發光裝置封裝的狀況下，發光裝置封裝係基於一個開口設置於每一結合部分下方之狀況進行解釋。
然而，根據根據另一實施例之發光裝置封裝，複數個開口可設置於每一結合部分下方。另外，複數個開口可設置為具有不同寬度或相同寬度之開口。
此外，根據上文所描述的根據實施例之發光裝置封裝，封裝主體110僅包含上表面平坦之支撐部件，且可能不具備安置成傾斜之反射部分。
作為另一表示，根據根據實施例之發光裝置封裝，封裝主體110可具備設置有空腔C之結構。另外，封裝主體110可具備上表面平坦而未設置有空腔C之結構。
此外，根據上文所描述的根據實施例之發光裝置封裝，儘管係基於第一開口TH1及第二開口TH2設置於封裝主體110之第一引線框架111及第二引線框架112處的狀況進行描述，但第一開口TH1及第二開口TH2可設置於封裝主體110之主體113處。
當如上文所描述，第一開口TH1及第二開口TH2設置於封裝主體110之主體113處時，根據發光裝置120之長軸方向的主體113之上表面的長度可提供為大於發光裝置120之第一結合部分121及第二結合部
分122之間的長度。
此外，當第一開口TH1及第二開口TH2設置於封裝主體110之主體113處時，根據實施例之發光裝置封裝可能不包含第一引線框架111及第二引線框架112。
接下來，將參看圖12描述根據本發明之實施例的發光裝置封裝之另一實例。
在參看圖12描述根據實施例之發光裝置封裝時，可省略對與參看圖1至圖11所描述之內容重疊的內容的描述。
根據實施例之發光裝置封裝可包含封裝主體110及發光裝置120，如圖12中所展示。
封裝主體110可包含第一引線框架111及第二引線框架112。第一引線框架111及第二引線框架112可安置成彼此間隔開。
封裝主體110可包含主體113。主體113可安置於第一引線框架111與第二引線框架112之間。主體113可充當一種電極分離線。主體113亦可被稱作絕緣部件。
主體113可安置於第一引線框架111上。此外，主體113可安置於第二引線框架112上。
主體113可提供第一引線框架111及第二引線框架112上之傾斜表面。空腔C可藉由主體113之傾斜表面設置於第一引線框架111及第二引線框架112上。
根據實施例，封裝主體110可提供為具有空腔C之結構，或可提供為具有平坦上表面而無空腔C之結構。
舉例而言，主體113可由選自由以下各者組成之群的至少一者形成：聚鄰苯二甲醯胺(PPA)、聚氯三苯基(PCT)、液晶聚合物(LCP)、聚醯胺9T(PA9T)、聚矽氧、環氧樹脂模製化合物(EMC)、聚矽氧模製化合物(SMC)、陶瓷、光敏性玻璃(PSG)、藍寶石(Al2O3)及其類似者。此外，主體113可包含諸如TiO2或SiO2之高折射率填料。
根據實施例，發光裝置120可包含第一結合部分121、第二
結合部分122、發光結構123及基板124。
發光裝置120可包含安置於基板124下方之發光結構123，如圖12中所展示。第一結合部分121及第二結合部分122可安置於發光結構123與主體113之間。
發光結構123可包含第一導電型半導體層、第二導電型半導體層及安置於第一導電型半導體層與第二導電型半導體層之間的作用層。第一結合部分121可電連接至第一導電型半導體層。此外，第二結合部分122可電連接至第二導電型半導體層。
發光裝置120可安置於封裝主體110上。發光裝置120可安置於第一引線框架111及第二引線框架112上。發光裝置120可安置於由封裝主體110提供之空腔C中。
封裝主體110可包含在第一方向上自封裝主體110之上表面穿透至下表面的第一開口TH1及第二開口TH2。第一引線框架111可包含第一開口TH1。第二引線框架112可包含第二開口TH2。
第一開口TH1可設置於第一引線框架111處。第一開口TH1可設置為穿過第一引線框架111。第一開口TH1可設置為在第一方向上穿過第一引線框架111之上表面及下表面。
第一開口TH1可安置於發光裝置120之第一結合部分121下方。第一開口TH1可設置為與發光裝置120之第一結合部分121重疊。第一開口TH1可設置為在自第一引線框架111之上表面朝向其下表面的第一方向上與發光裝置120之第一結合部分121重疊。
第二開口TH2可設置於第二引線框架112處。第二開口TH2可設置為穿過第二引線框架112。第二開口TH2可設置為在第一方向上穿過第二引線框架112之上表面及下表面。
第二開口TH2可安置於發光裝置120之第二結合部分122下方。第二開口TH2可設置為與發光裝置120之第二結合部分122重疊。第二開口TH2可設置為在自第二引線框架112之上表面朝向其下表面的第一方向上與發光裝置120之第二結合部分122重疊。
第一開口TH1及第二開口TH2可安置成彼此間隔開。第一開口TH1及第二開口TH2可安置成在發光裝置120之下表面下方彼此間隔開。
根據實施例，發光裝置120之第一結合部分121及第二結合部分122之大小可安置成小於圖21中所展示之發光裝置120之大小，以便改良光提取效率。第一開口TH1之上部區的寬度W1可提供為小於或等於第一襯墊電極121之寬度。另外，第二開口TH2之上部區的寬度可提供為小於或等於第二襯墊電極122之寬度。
此外，第一開口TH1之上部區的寬度W1可提供為小於或等於第一開口TH1之下部區的寬度W2。另外，第二開口TH2之上部區的寬度可提供為小於或等於第二開口TH2之下部區的寬度。
舉例而言，第一開口TH1之上部區的寬度W1可提供為幾十微米至幾百微米。另外，第一開口TH1之下部區的寬度W2可提供為比第一開口TH1之上部區的寬度W1大幾十微米至幾百微米。
此外，第二開口TH2之上部區的寬度可提供為幾十微米至幾百微米。另外，第二開口TH2之下部區的寬度可提供為比第二開口TH2之上部區的寬度大幾十微米至幾百微米。
此外，第一開口TH1之下部區的寬度W2可提供為寬於第一開口TH1之上部區的寬度W1。第一開口TH1可按預定寬度設置於上部區中預定深度處，且可設置為朝向下部區呈傾斜形狀。
此外，第二開口TH2之下部區的寬度可提供為寬於第二開口TH2之上部區的寬度。第二開口TH2可按預定寬度設置於上部區中預定深度處，且可設置為朝向下部區呈傾斜形狀。
舉例而言，第一開口TH1可設置為寬度自下部區朝向上部區逐漸減小之傾斜形狀。另外，第二開口TH2可設置為寬度自下部區朝向上部區逐漸減小之傾斜形狀。
然而，本發明不限於此，且第一開口TH1及第二開口TH2之上部區與下部區之間的傾斜表面可具有具不同斜度之複數個傾斜表面，
且傾斜表面可按一定曲率安置。
如圖12中所展示，根據實施例之發光裝置封裝可包含第一導體221及第二導體222。此外，根據實施例之發光裝置封裝可包含第一導電層321及第二導電層322。第一導電層321可安置成與第二導電層322間隔開。
第一導體221可安置於第一結合部分121下方。第一導體221可電連接至第一結合部分121。第一導體221可安置成在第一方向上與第一結合部分121重疊。
第一導體221可設置於第一開口TH1處。第一導體221可安置於第一結合部分121與第一導電層321之間。第一導體221可電連接至第一結合部分121及第一導電層321。
第一導體221之下表面可安置成低於第一開口TH1之上表面。第一導體221之下表面可安置成低於第一導電層321之上表面。
第一導體221可安置於第一開口TH1上。此外，第一導體221可安置成自第一結合部分121延伸至第一開口TH1之內部。
此外，第二導體222可安置於第二結合部分122下方。第二導體222可電連接至第二結合部分122。第二導體222可安置成在第一方向上與第二結合部分122重疊。
第二導體222可設置於第二開口TH2處。第二導體222可安置於第二結合部分122與第二導電層322之間。第二導體222可電連接至第二結合部分122及第二導電層322。
第二導體222之下表面可安置成低於第二開口TH2之上表面。第二導體222之下表面可安置成低於第二導電層322之上表面。
第二導體222可設置於第二開口TH2上。此外，第二導體222可安置成自第二結合部分122延伸至第二開口TH2之內部。
根據實施例，第一導電層321可安置於第一導體221之下表面及側表面上。第一導電層321可安置成與第一導體221之下表面及側表面直接接觸。
第一導電層321可設置於第一開口TH1處。第一導電層321可安置於第一結合部分121下方。第一導電層321之寬度可提供為大於第一結合部分121之寬度。
如上文所描述，根據根據實施例之發光裝置封裝，第一導電層321與第一結合部分121之間的電連接可由第一導體221更穩定地提供。
此外，根據實施例，第二導電層322可安置於第二導體222之下表面及側表面上。第二導電層322可安置成與第二導體222之下表面及側表面直接接觸。
第二導電層322可設置於第二開口TH2處。第二導電層322可安置於第二結合部分122下方。第二導電層322之寬度可提供為大於第二結合部分122之寬度。
如上文所描述，根據根據實施例之發光裝置封裝200，第二導電層322與第二結合部分122之間的電連接可由第二導體222更穩定地提供。
舉例而言，第一導體221及第二導體222可經由單獨的結合材料分別穩定地結合至第一結合部分121及第二結合部分122。此外，第一導體221及第二導體222之側表面及下表面可分別與第一導電層321及第二導電層322接觸。
因此，相較於第一導電層321及第二導電層322分別直接接觸第一結合部分121及第二結合部分122之下表面的狀況，可進一步增加第一導電層321及第二導電層322分別與第一導體221及第二導體222接觸之面積。
因此，可經由第一導體221及第二導體222將電力自第一導電層321及第二導電層322穩定地提供至第一結合部分121及第二結合部分122。
第一導電層321及第二導電層322可包含選自由以下各者組成之群的至少一種材料：Ag、Au及Pt等或其合金。然而，本發明不限於此，且能夠確保導電功能之材料可用於第一導電層321及第二導電層322。
作為實例，第一導電層321及第二導電層322可藉由使用導電膏形成。導電膏可包含焊錫膏、銀膏或其類似者，且可由以下各者構成：由不同材料構成之多層或由其合金構成之多層或單層。
此外，第一導體221及第二導體222可包含選自由以下各者組成之群的至少一種材料：Ag、Au、Pt、Sn、Al等或其合金。然而，本發明不限於此，且能夠確保導電功能之材料可用於第一導體221及第二導體222。
根據實施例之發光裝置封裝可包含黏著劑130。
黏著劑130可安置於封裝主體110與發光裝置120之間。黏著劑130可安置於封裝主體110之上表面與發光裝置120之下表面之間。黏著劑130可安置於主體113之上表面與發光裝置120之下表面之間。
此外，根據實施例之發光裝置封裝可包含凹槽R，如圖12中所展示。
凹槽R可設置於主體113處。凹槽R可設置於第一開口TH1與第二開口TH2之間。凹槽R可設置為自主體113之上表面朝向其下表面凹入。凹槽R可安置於發光裝置120下方。凹槽R可設置為在第一方向上與發光裝置120重疊。
舉例而言，黏著劑130可安置於凹槽R中。黏著劑130可安置於發光裝置120與主體113之間。黏著劑130可安置於第一結合部分121與第二結合部分122之間。作為實例，黏著劑130可安置成與第一結合部分121之側表面及第二結合部分122之側表面接觸。
此外，黏著劑130可安置於發光裝置120與封裝主體110之間。黏著劑130可安置於發光裝置120與第一引線框架111之間。黏著劑130可安置於發光裝置120與第二引線框架112之間。
黏著劑130可提供發光裝置120與封裝主體110之間的穩定的固定力。黏著劑130可提供發光裝置120與主體113之間的穩定的固定力。作為實例，黏著劑130可安置成與主體113之上表面直接接觸。此外，黏著劑130可安置成與發光裝置120之下表面直接接觸。
作為實例，黏著劑130可包含環氧樹脂基材料、聚矽氧基材料以及包含環氧樹脂基材料及聚矽氧基材料之混合材料中的至少一者。另外，作為實例，當黏著劑130包含反射功能時，黏著劑130可包含白色聚矽氧。
當光發射至發光裝置120之下表面時，黏著劑130可提供主體113與發光裝置120之間的穩定的固定力，且可提供發光裝置120與主體113之間的光漫射功能。當光自發光裝置120發射至發光裝置120之下表面時，黏著劑130可藉由提供光漫射功能來改良發光裝置封裝之光提取效率。
此外，黏著劑130可反射自發光裝置120發射之光。當黏著劑130包含反射功能時，黏著劑130可由包含TiO2、聚矽氧及其類似者之材料形成。
根據實施例，凹槽R之深度T1可提供為小於第一開口TH1之深度T2或第二開口TH2之深度T2。
可考慮黏著劑130之黏著力來判定凹槽R之深度T1。此外，可藉由考慮主體113之穩定強度及/或發光裝置封裝不會由於自發光裝置120發射之熱而發生破裂來判定凹槽R之深度T1。
凹槽R可提供適當的空間，在該空間中，可在發光裝置120之下部部分處執行一種底部填充製程。此處，底部填充製程可係將發光裝置120安裝於封裝主體110上且接著將黏著劑130安置於發光裝置120之下部部分處的製程，且可係將黏著劑130安置於凹槽R中且接著安置發光裝置120以便在安裝發光裝置120之製程中藉由黏著劑130安裝至封裝主體110上的製程。
凹槽R之深度T1及寬度W4可影響黏著劑130之形成位置及固定力。可判定凹槽R之深度T1及寬度W4，使得安置於主體113與發光裝置120之間的黏著劑130可提供足夠固定力。
作為實例，凹槽R之深度T1可提供為幾十微米。凹槽R之深度T1可提供為40至60微米。
此外，凹槽R之寬度W4可提供為幾十微米至幾百微米。此處，可在發光裝置120之長軸方向上提供凹槽R之寬度W4。
凹槽R之寬度W4可提供為窄於第一結合部分121與第二結合部分122之間的間隙。凹槽R之寬度W4可提供為比第一結合部分121及第二結合部分122之寬度或直徑大幾百微米。作為實例，凹槽R之寬度W4可提供為300至400微米。
第一開口TH1之深度T2可提供為對應於第一引線框架111之厚度。第一開口TH1之深度T2可提供為能夠維持第一引線框架111之穩定強度的厚度。
第二開口TH2之深度T2可提供為對應於第二引線框架112之厚度。第二開口TH2之深度T2可提供為能夠維持第二引線框架112之穩定強度的厚度。
第一開口TH1之深度T2及第二開口TH2之深度T2可提供為對應於主體113的厚度。第一開口TH1之深度T2及第二開口TH2之深度T2可提供為能夠維持主體113之穩定強度的厚度。
作為實例，第一開口TH1之深度T2可提供為幾百微米。第一開口TH1之深度T2可提供為180至220微米。作為實例，第一開口TH1之深度T2可提供為200微米。
作為實例，厚度T2-T1可選擇為至少100微米或大於100微米。此考慮到能夠提供無破裂之主體113的注入製程之厚度。
根據實施例，厚度T2與厚度T1之比率(T2/T1)可提供為二至十。作為實例，當T2之厚度提供為200微米時，T1之厚度可提供為20至100微米。
此外，根據實施例，基於基板124之上表面的面積，第一結合部分121及第二結合部分122之面積的總和可提供為10%或小於10%。根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上表面的面積，第一結合部分121及第二結合部分122之面積的總和可設定為10%或小於10%，以便確保自發光裝置發射之發光面積且增加光提取效率。
此外，根據實施例，基於基板124之上表面的面積，第一結合部分121及第二結合部分122之面積的總和可提供為0.7%或大於0.7%。根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上表面的面積，第一結合部分121及第二結合部分122之面積的總和可設定為0.7%或大於0.7%，以便向待安裝之發光裝置提供穩定的結合力。
另外，根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上表面的面積，第一結合部分121及第二結合部分122之面積的總和可設定為0.7%或大於0.7%，使得第一導體221及第二導體222可按合適的方式被安置。
根據實施例，黏著劑130基於第一方向與發光裝置120重疊的面積可提供為大於第一開口TH1及第二開口TH2與第一結合部分121及第二結合部分122重疊所在之區的面積。
如上文所描述，由於第一結合部分121及第二結合部分122之面積提供為小的，因此可增加透射至發光裝置120之下表面的光之量。此外，具有良好反射特性之黏著劑130可設置於發光裝置120下方。因此，在發光裝置120之下方向上發射的光在黏著劑130處被反射，且被朝向發光裝置封裝100之上方向有效地發射，使得可改良光提取效率。
此外，根據實施例之發光裝置封裝可包含模製部分140，如圖12中所展示。
模製部分140可設置於發光裝置120上。模製部分140可安置於第一引線框架111及第二引線框架112上。模製部分140可安置於由封裝主體110提供之空腔C中。
模製部分140可包含絕緣材料。此外，模製部分140可包含經組態以入射自發光裝置120發射之光且提供波長轉換光的波長轉換部分。作為實例，模製部分140可包含選自由以下各者組成之群的至少一者：磷光體、量子點及其類似者。
此外，根據實施例之發光裝置封裝可包含第一上部凹槽R3及第二上部凹槽R4，如圖12中所展示。
第一上部凹槽R3可設置於第一引線框架111之上表面上。第一上部凹槽R3可設置為自第一引線框架111之上表面在下表面方向上凹入。第一上部凹槽R3可安置成與第一開口TH1間隔開。
第二上部凹槽R4可設置於第二引線框架112之上表面上。第二上部凹槽R4可設置為自第二引線框架112之上表面在下表面方向上凹入。第二上部凹槽R4可安置成與第二開口TH2間隔開。
舉例而言，第一上部凹槽R3及第二上部凹槽R4可具備幾十微米至幾百微米的寬度。
此外，根據實施例之發光裝置封裝可包含樹脂部分135，如圖12中所展示。
樹脂部分135可安置於第一引線框架111與發光裝置120之間。樹脂部分135可安置於第二引線框架112與發光裝置120之間。樹脂部分135可設置於空腔C之底表面處，該空腔設置於封裝主體110中。
樹脂部分135可設置於第一上部凹槽R3及第二上部凹槽R4處。
樹脂部分135可安置於第一結合部分121之側表面上。樹脂部分135可設置於第一上部凹槽R3處，且可設置為延伸至安置有第一結合部分121之區。樹脂部分135可安置於發光結構123下方。
此外，樹脂部分135可安置於第二結合部分122之側表面上。樹脂部分135可設置於第二上部凹槽R4處，且可設置為延伸至安置有第二結合部分122之區。樹脂部分135可安置於發光結構123下方。
此外，在根據實施例之發光裝置封裝中，當自其上方向觀看時，第一上部凹槽R3之部分區可在豎直方向上與發光結構123之部分區重疊。作為實例，第一上部凹槽R3之鄰近於第一結合部分121的側表面區可設置為在發光結構123下方延伸。
此外，在根據實施例之發光裝置封裝中，當自其上方向觀看時，第二上部凹槽R4之部分區可在豎直方向上與發光結構123之部分區重疊。作為實例，第二上部凹槽R4之鄰近於第二結合部分122的側表面區可
設置為在發光結構123下方延伸。
此外，第一上部凹槽R3及第二上部凹槽R4可提供足夠的空間，在該空間中，樹脂部分135可設置於發光裝置120下方。第一上部凹槽R3及第二上部凹槽R4可提供適當的空間，在該空間中，可在發光裝置120之下部部分處執行一種底部填充製程。
因此，填充於第一上部凹槽R3及第二上部凹槽R4處之樹脂部分135可有效地密封第一結合部分121及第二結合部分122之周邊。
作為實例，樹脂部分135可包含環氧樹脂基材料、聚矽氧基材料以及包含環氧樹脂基材料及聚矽氧基材料之混合材料中的至少一者。此外，樹脂部分135可係反射自發光裝置120發射之光的反射部分，作為實例，其可係含有諸如TiO2之反射性材料的樹脂，或可包含白色聚矽氧。
樹脂部分135可安置於發光裝置120下方且可執行密封功能。此外，樹脂部分135可改良發光裝置120與第一引線框架111之間的黏著力。樹脂部分135可改良發光裝置120與第二引線框架112之間的黏著力。
樹脂部分135可圍繞第一結合部分121及第二結合部分122進行密封。樹脂部分135可防止第一導電層321及第二導電層322與第一開口TH1區及第二開口TH2區分離且在發光裝置120之外側表面的方向上擴散且移動。
當第一導電層321及第二導電層322在發光裝置120之外側表面方向上擴散且移動時，第一導電層321及第二導電層322可與發光裝置120之作用層接觸，藉此造成由於短路而發生的故障。因此，當已安置樹脂部分135時，有可能防止由於第一導電層321及第二導電層322以及作用層而發生之短路，藉此改良根據實施例之發光裝置封裝的可靠性。
此外，根據實施例，保護層可設置於發光裝置120之下表面及周邊處。在此狀況下，由於絕緣保護層設置於作用層之表面處，因此即使在第一導電層321及第二導電層322在發光裝置120之外側表面方向上擴散且移動時，仍有可能防止第一導電層321及第二導電層322電連接至發
光裝置120之作用層。
同時，在絕緣保護層安置於發光裝置120之下表面及周邊處的狀況下，絕緣保護層可能不安置於發光裝置120之上側表面或基板124之周邊上。此時，當基板124具備導電材料時，當第一導電層321及第二導電層322接觸發光裝置120或基板124之上側表面時，可能會發生由於短路之故障。因此，當已安置樹脂部分135時，有可能防止由於第一導電層321及第二導電層322以及發光裝置120或基板124之上側表面而發生的短路，藉此改良根據實施例之發光裝置封裝的可靠性。
此外，當樹脂部分135包含諸如白色聚矽氧之具有反射特性的材料時，樹脂部分135可朝向封裝主體110之上方向反射自發光裝置120發射之光，藉此改良發光裝置封裝之光提取效率。
同時，根據根據本發明之實施例的發光裝置封裝之另一實例，可能不會分離地設置樹脂部分135，且可將模製部分140安置成與第一引線框架111及第二引線框架112直接接觸。
在根據實施例之發光裝置封裝中，電力可經由第一開口TH1連接至第一結合部分121，且電力可經由第二開口TH2連接至第二結合部分122。
因此，發光裝置120可藉由經由第一結合部分121及第二結合部分122供應之驅動電力驅動。此外，可在封裝主體110之上方向上提供自發光裝置120發射之光。
同時，上文所描述的根據實施例之發光裝置封裝可被供應且安裝於子基板、電路板或其類似者上。
然而，當將習知發光裝置封裝安裝於子基板、電路板或其類似者上時，可應用諸如回焊之高溫製程。此時，在回焊製程中，在引線框架與設置於發光裝置封裝處的發光裝置之間的結合區中會發生重新熔融現象，使得可減弱電連接及實體耦接之穩定性。
然而，根據根據實施例之發光裝置封裝及製造發光裝置封裝之方法，可藉由安置於開口處之導電層向根據實施例之發光裝置的第一結
合部分及第二結合部分提供驅動電力。此外，安置於開口中之導電層的熔點可選擇為具有高於一般結合材料之熔點的值。
因此，由於根據實施例之發光裝置封裝即使在藉由回焊製程將發光裝置封裝結合至主基板時仍不會造成重新熔融現象，因此電連接及實體結合力可能不會惡化。
此外，根據根據實施例之發光裝置封裝及製造發光裝置封裝之方法，封裝主體110在發光裝置封裝之製造製程中無需曝露於高溫。因此，根據實施例，有可能防止封裝主體110由於曝露於高溫而受損或變色。
因此，可擴寬形成主體113之材料的選擇範圍。根據實施例，可藉由不僅使用諸如陶瓷之昂貴材料而且使用相對便宜之樹脂材料來提供主體113。
舉例而言，主體113可包含選自由以下各者組成之群的至少一種材料：聚鄰苯二甲醯胺(PPA)樹脂、聚對苯二甲酸環己烷二甲醇酯(PCT)樹脂、環氧樹脂模製化合物(EMC)樹脂及聚矽氧模製化合物(SMC)樹脂。
此外，根據實施例，基於基板124之上表面的面積，第一結合部分121及第二結合部分122之面積的總和可提供為10%或小於10%。根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上表面的面積，第一結合部分121及第二結合部分122之面積的總和可設定為10%或小於10%，以便確保自發光裝置發射之發光面積且增加光提取效率。
此外，根據實施例，基於基板124之上表面的面積，第一結合部分121及第二結合部分122之面積的總和可提供為0.7%或大於0.7%。根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上表面的面積，第一結合部分121及第二結合部分122之面積的總和可設定為0.7%或大於0.7%，以便向待安裝之發光裝置提供穩定的結合力。
另外，根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上表面的面積，第一結合部分121及第二結合部分122之面積的總和可設定為0.7%或大於0.7%，使得第一導體221及第二導體222可按合適的方式被安置。
根據實施例，黏著劑130基於第一方向與發光裝置120重疊的面積可提供為大於第一開口TH1及第二開口TH2與第一結合部分121及第二結合部分122重疊所在之區的面積。
如上文所描述，由於第一結合部分121及第二結合部分122之面積提供為小的，因此可增加透射至發光裝置120之下表面的光之量。此外，具有良好反射特性之黏著劑130可設置於發光裝置120下方。因此，在發光裝置120之下方向上發射的光在黏著劑130處被反射，且被朝向發光裝置封裝100之上方向有效地發射，使得可改良光提取效率。
接下來，將參看圖13描述根據本發明之實施例的發光裝置封裝之另一實例。
在參看圖13描述根據實施例之發光裝置封裝時，可省略對與參看圖1至圖12所描述之內容重疊的內容的描述。
根據實施例之發光裝置封裝可包含封裝主體110及發光裝置120。
封裝主體110可包含第一引線框架111及第二引線框架112。第一引線框架111及第二引線框架112可安置成彼此間隔開。
封裝主體110可包含主體113。主體113可安置於第一引線框架111與第二引線框架112之間。主體113可充當一種電極分離線。主體113亦可被稱作絕緣部件。
主體113可安置於第一引線框架111上。此外，主體113可安置於第二引線框架112上。
主體113可提供第一引線框架111及第二引線框架112上之傾斜表面。空腔C可藉由主體113之傾斜表面設置於第一引線框架111及第二引線框架112上。
根據實施例，封裝主體110可提供為具有空腔C之結構，或可提供為具有平坦上表面而無空腔C之結構。
舉例而言，主體113可由選自由以下各者組成之群的至少一者形成：聚鄰苯二甲醯胺(PPA)、聚氯三苯基(PCT)、液晶聚合物(LCP)、聚
醯胺9T(PA9T)、聚矽氧、環氧樹脂模製化合物(EMC)、聚矽氧模製化合物(SMC)、陶瓷、光敏性玻璃(PSG)、藍寶石(Al2O3)及其類似者。此外，主體113可包含諸如TiO2或SiO2之高折射率填料。
第一引線框架111及第二引線框架112可提供為絕緣框架。第一引線框架111及第二引線框架112可穩定地提供封裝主體110之結構強度。
此外，第一引線框架111及第二引線框架112可提供為導電框架。第一引線框架111及第二引線框架112可穩定地提供封裝主體110之結構強度，且可電連接至發光裝置120。
根據實施例，發光裝置120可包含第一結合部分121、第二結合部分122、發光結構123及基板124。
發光裝置120可包含安置於基板124下方之發光結構123，如圖13中所展示。第一結合部分121及第二結合部分122可安置於發光結構123與封裝主體110之間。
第一結合部分121可安置於發光裝置120之下表面上。第二結合部分122可安置於發光裝置120之下表面上。第一結合部分121及第二結合部分122可安置成在發光裝置120之下表面上彼此間隔開。
第一結合部分121可安置於第一引線框架111上。第二結合部分122可安置於第二引線框架112上。
第一結合部分121可安置於發光結構123與第一引線框架111之間。第二結合部分122可安置於發光結構123與第二引線框架112之間。
同時，根據實施例之發光裝置封裝可包含第一開口TH1及第二開口TH2，如圖13中所展示。第一引線框架111可包含第一開口TH1。第二引線框架112可包含第二開口TH2。
第一開口TH1可設置於第一引線框架111處。第一開口TH1可設置為穿過第一引線框架111。第一開口TH1可設置為在第一方向上穿過第一引線框架111之上表面及下表面。
第一開口TH1可安置於發光裝置120之第一結合部分121下方。第一開口TH1可設置為在自第一引線框架111之上表面朝向其下表面的第一方向上與發光裝置120之第一結合部分121重疊。
第二開口TH2可設置於第二引線框架112處。第二開口TH2可設置為穿過第二引線框架112。第二開口TH2可設置為在第一方向上穿過第二引線框架112之上表面及下表面。
第二開口TH2可安置於發光裝置120之第二結合部分122下方。第二開口TH2可設置為在自第二引線框架112之上表面朝向其下表面的第一方向上與發光裝置120之第二結合部分122重疊。
第一開口TH1及第二開口TH2可安置成彼此間隔開。第一開口TH1及第二開口TH2可安置成在發光裝置120之下表面下方彼此間隔開。
在形成第一開口TH1及第二開口TH2之製程中，圖13中所展示之發光裝置封裝展示分別在第一引線框架111及第二引線框架112之上表面及下表面的方向上執行蝕刻的狀況。
由於蝕刻在第一引線框架111及第二引線框架112之上表面及下表面的方向上進行，因此第一開口TH1及第二開口TH2之形狀可提供為一種雪人形狀。
第一開口TH1及第二開口TH2之寬度自下部區至中間區可逐漸增加且接著再次減小。另外，該寬度自寬度減小所在之中間區至上部區可逐漸增加且接著再次減小。
第一開口TH1及第二開口TH2可包含第一引線框架111及第二引線框架112中之每一者的上表面上之第一區，及第一引線框架111及第二引線框架112中之每一者的下表面上之第二區。第一區之上表面的寬度可提供為小於第二區之下表面的寬度。
此外，第一開口TH1之下部區的寬度可提供為寬於第一開口TH1之上部區的寬度。第一開口TH1可包含以預定寬度設置於上部區之預定深度處的第一區及設置為朝向下部區呈傾斜形狀之第二區。此外，第一
區及第二區可形成為側表面具有一定曲率之圓形形狀，且第一區之上表面的寬度可窄於第二區之上表面寬度。第一區與第二區彼此接觸之部分可具有彎曲部分。
另外，根據實施例，完成用於形成第一開口TH1及第二開口TH2之蝕刻製程，且接著執行用於第一引線框架111及第二引線框架112之鍍敷製程。因此，第一鍍敷層111a及第二鍍敷層112a可分別形成於第一引線框架111及第二引線框架112之表面處。
第一鍍敷層111a及第二鍍敷層112a可分別設置於第一引線框架111及第二引線框架112之上表面及下表面處。另外，第一鍍敷層111a及第二鍍敷層112a可設置於邊界區處，該邊界區與第一開口TH1及第二開口TH2接觸。
作為實例，第一引線框架111及第二引線框架112可具備Cu層作為基本支撐部件。此外，第一鍍敷層111a及第二鍍敷層112a可包含Ni層、Ag層及其類似者中之至少一者。
當第一鍍敷層111a及第二鍍敷層112a包含Ni層時，由於關於Ni層之熱膨脹的改變係小的，因此即使在封裝主體之大小或配置位置由熱膨脹改變時，安置於上部部分上之發光裝置的位置仍可藉由Ni層穩定地固定。當第一鍍敷層111a及第二鍍敷層112a包含Ag層時，Ag層可高效地反射自安置於上部部分上之發光裝置發射的光且改良光強度。
根據實施例，當發光裝置120之第一結合部分121及第二結合部分122的大小可安置成小的以改良光提取效率時，第一開口TH1之上部區的寬度可提供為大於或等於第一結合部分121之寬度。另外，第二開口TH2之上部區的寬度可提供為大於或等於第二結合部分122之寬度。
此外，第一開口TH1之上部區的寬度可提供為小於或等於第一開口TH1之下部區的寬度。另外，第二開口TH2之上部區的寬度可提供為小於或等於第二開口TH2之下部區的寬度。
舉例而言，第一開口TH1之上部區的寬度可提供為幾十微米至幾百微米。另外，第一開口TH1之下部區的寬度可提供為比第一開口
TH1之上部區的寬度大幾十微米至幾百微米。
此外，第二開口TH2之上部區的寬度可提供為幾十微米至幾百微米。另外，第二開口TH2之下部區的寬度可提供為比第二開口TH2之上部區的寬度大幾十微米至幾百微米。
此外，第一開口TH1之下部區的寬度可提供為寬於第一開口TH1之上部區的寬度。第一開口TH1可按預定寬度設置於上部區中預定深度處，且可設置為朝向下部區呈傾斜形狀。
此外，第二開口TH2之下部區的寬度可提供為寬於第二開口TH2之上部區的寬度。第二開口TH2可按預定寬度設置於上部區中預定深度處，且可設置為朝向下部區呈傾斜形狀。
舉例而言，第一開口TH1可設置為寬度自下部區朝向上部區逐漸減小之傾斜形狀。另外，第二開口TH2可設置為寬度自下部區朝向上部區逐漸減小之傾斜形狀。
然而，本發明不限於此，且第一開口TH1及第二開口TH2之上部區與下部區之間的傾斜表面可具有具不同斜度之複數個傾斜表面，且傾斜表面可按一定曲率安置。
如圖13中所展示，在根據實施例之發光裝置封裝中，當第一結合部分121及第二結合部分122之面積小時，第一結合部分121及第二結合部分122可安置於第一開口TH1及第二開口TH2中。
此時，由於第一結合部分121及第二結合部分122之面積係小的，因此難以確保第一導電層321及第二導電層322與第一結合部分121及第二結合部分122之間的黏著力。因此，根據實施例之發光裝置封裝可包含第一導體221及第二導體222以進一步確保第一導電層321及第二導電層322與第一結合部分121及第二結合部分122接觸之面積。
此外，根據實施例之發光裝置封裝可包含第一導電層321及第二導電層322。第一導電層321可安置成與第二導電層322間隔開。
第一導體221可安置於第一結合部分121下方。第一導體221可電連接至第一結合部分121。第一導體221可安置成在第一方向上與
第一結合部分121重疊。
第一導體221可設置於第一開口TH1處。第一導體221可安置於第一結合部分121與第一導電層321之間。第一導體221可電連接至第一結合部分121及第一導電層321。
第一導體221之下表面可安置成低於第一開口TH1之上表面。第一導體221之下表面可安置成低於第一導電層321之上表面。
第一導體221可安置於第一開口TH1上。此外，第一導體221可安置成自第一結合部分121延伸至第一開口TH1之內部。
此外，第二導體222可安置於第二結合部分122下方。第二導體222可電連接至第二結合部分122。第二導體222可安置成在第一方向上與第二結合部分122重疊。
第二導體222可設置於第二開口TH2處。第二導體222可安置於第二結合部分122與第二導電層322之間。第二導體222可電連接至第二結合部分122及第二導電層322。
第二導體222之下表面可安置成低於第二開口TH2之上表面。第二導體222之下表面可安置成低於第二導電層322之上表面。
第二導體222可設置於第二開口TH2上。此外，第二導體222可安置成自第二結合部分122延伸至第二開口TH2之內部。
根據實施例，第一導電層321可安置於第一導體221之下表面及側表面上。第一導電層321可安置成與第一導體221之下表面及側表面直接接觸。
第一導電層321可設置於第一開口TH1處。第一導電層321可安置於第一結合部分121下方。第一導電層321之寬度可提供為大於第一結合部分121之寬度。
如上文所描述，根據根據實施例之發光裝置封裝，第一導電層321與第一結合部分121之間的電連接可由第一導體221更穩定地提供。
此外，根據實施例，第二導電層322可安置於第二導體222之下表面及側表面上。第二導電層322可安置成與第二導體222之下表面
及側表面直接接觸。
第二導電層322可設置於第二開口TH2處。第二導電層322可安置於第二結合部分122下方。第二導電層322之寬度可提供為大於第二結合部分122之寬度。
如上文所描述，根據根據實施例之發光裝置封裝，第二導電層322與第二結合部分122之間的電連接可由第二導體222更穩定地提供。
舉例而言，第一導體221及第二導體222可經由單獨的結合材料分別穩定地結合至第一結合部分121及第二結合部分122。此外，第一導體221及第二導體222之側表面及下表面可分別與第一導電層321及第二導電層322接觸。
因此，相較於第一導電層321及第二導電層322分別直接接觸第一結合部分121及第二結合部分122之下表面的狀況，可進一步增加第一導電層321及第二導電層322分別與第一導體221及第二導體222接觸之面積。
因此，可經由第一導體221及第二導體222將電力自第一導電層321及第二導電層322穩定地提供至第一結合部分121及第二結合部分122。
第一導電層321及第二導電層322可包含選自由以下各者組成之群的至少一種材料：Ag、Au及Pt等或其合金。然而，本發明不限於此，且能夠確保導電功能之材料可用於第一導電層321及第二導電層322。
作為實例，第一導電層321及第二導電層322可藉由使用導電膏形成。導電膏可包含焊錫膏、銀膏或其類似者，且可由以下各者構成：由不同材料構成之多層或由其合金構成之多層或單層。
此外，第一導體221及第二導體222可包含選自由以下各者組成之群的至少一種材料：Ag、Au、Pt、Sn、Al等或其合金。然而，本發明不限於此，且能夠確保導電功能之材料可用於第一導體221及第二導體222。
根據實施例之發光裝置封裝可包含黏著劑130。
黏著劑130可安置於封裝主體110與發光裝置120之間。黏著劑130可安置於封裝主體110之上表面與發光裝置120之下表面之間。黏著劑130可安置於主體113之上表面與發光裝置120之下表面之間。
此外，根據實施例之發光裝置封裝可包含凹槽R，如圖13中所展示。
凹槽R可設置於主體113處。凹槽R可設置於第一開口TH1與第二開口TH2之間。凹槽R可設置為自主體113之上表面朝向其下表面凹入。凹槽R可安置於發光裝置120下方。凹槽R可設置為在第一方向上與發光裝置120重疊。
凹槽R之側表面可具有傾斜表面及曲率。另外，凹槽R可形成為球形形狀，且其側表面可形成為圓形形狀。
作為實例，黏著劑130可安置於凹槽R處。黏著劑130可安置於發光裝置120與主體113之間。黏著劑130可安置於第一結合部分121與第二結合部分122之間。此外，黏著劑130可安置成在第一結合部分121及第二結合部分122自凹槽R安置所沿之方向上擴散。舉例而言，黏著劑130可安置成與第一結合部分121之側表面及第二結合部分122之側表面接觸。
此外，黏著劑130可安置於發光裝置120與封裝主體110之間。黏著劑130可安置於發光裝置120與第一引線框架111之間。黏著劑130可安置於發光裝置120與第二引線框架112之間。
黏著劑130可提供發光裝置120與封裝主體110之間的穩定的固定力。黏著劑130可提供發光裝置120與主體113之間的穩定的固定力。作為實例，黏著劑130可安置成與主體113之上表面直接接觸。此外，黏著劑130可安置成與發光裝置120之下表面直接接觸。
作為實例，黏著劑130可包含環氧樹脂基材料、聚矽氧基材料以及包含環氧樹脂基材料及聚矽氧基材料之混合材料中的至少一者。另外，作為實例，當黏著劑130包含反射功能時，黏著劑130可包含白色聚矽氧。
當光發射至發光裝置120之下表面時，黏著劑130可提供主體113與發光裝置120之間的穩定的固定力，且可提供發光裝置120與主體113之間的光漫射功能。當光自發光裝置120發射至發光裝置120之下表面時，黏著劑130可藉由提供光漫射功能來改良發光裝置封裝之光提取效率。
此外，黏著劑130可反射自發光裝置120發射之光。當黏著劑130包含反射功能時，黏著劑130可由包含TiO2、聚矽氧及其類似者之材料形成。
凹槽R可提供適當的空間，在該空間中，可在發光裝置120之下部部分處執行一種底部填充製程。此處，底部填充製程可係將發光裝置120安裝於封裝主體110上且接著將黏著劑130安置於發光裝置120之下部部分處的製程，且可係將黏著劑130安置於凹槽R中且接著安置發光裝置120以便在安裝發光裝置120之製程中藉由黏著劑130安裝至封裝主體110上的製程。
此外，根據實施例，基於基板124之上表面的面積，第一結合部分121及第二結合部分122之面積的總和可提供為10%或小於10%。根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上表面的面積，第一結合部分121及第二結合部分122之面積的總和可設定為10%或小於10%，以便確保自發光裝置發射之發光面積且增加光提取效率。
此外，根據實施例，基於基板124之上表面的面積，第一結合部分121及第二結合部分122之面積的總和可提供為0.7%或大於0.7%。根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上表面的面積，第一結合部分121及第二結合部分122之面積的總和可設定為0.7%或大於0.7%，以便向待安裝之發光裝置提供穩定的結合力。
另外，根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上表面的面積，第一結合部分121及第二結合部分122之面積的總和可設定為0.7%或大於0.7%，使得第一導體221及第二導體222可按合適的方式被安置。
根據實施例，黏著劑130基於第一方向與發光裝置120重疊的面積可提供為大於第一開口TH1及第二開口TH2與第一結合部分121及第二結合部分122重疊所在之區的面積。
如上文所描述，由於第一結合部分121及第二結合部分122之面積提供為小的，因此可增加透射至發光裝置120之下表面的光之量。此外，具有良好反射特性之黏著劑130可設置於發光裝置120下方。因此，在發光裝置120之下方向上發射的光在黏著劑130處被反射，且被朝向發光裝置封裝100之上方向有效地發射，使得可改良光提取效率。
此外，根據實施例之發光裝置封裝可包含模製部分140，如圖13中所展示。
模製部分140可設置於發光裝置120上。模製部分140可安置於第一引線框架111及第二引線框架112上。模製部分140可安置於由封裝主體110提供之空腔C中。
模製部分140可包含絕緣材料。此外，模製部分140可包含經組態以入射自發光裝置120發射之光且提供波長轉換光的波長轉換部分。作為實例，模製部分140可包含選自由以下各者組成之群的至少一者：磷光體、量子點及其類似者。
此外，根據實施例之發光裝置封裝可包含第一上部凹槽R3及第二上部凹槽R4，如圖13中所展示。
第一上部凹槽R3可設置於第一引線框架111之上表面上。第一上部凹槽R3可設置為自第一引線框架111之上表面在下表面方向上凹入。第一上部凹槽R3可安置成與第一開口TH1間隔開。舉例而言，第一上部凹槽R3之末端部分可具有修圓形狀。
第二上部凹槽R4可設置於第二引線框架112之上表面上。第二上部凹槽R4可設置為自第二引線框架112之上表面在下表面方向上凹入。第二上部凹槽R4可安置成與第二開口TH2間隔開。舉例而言，第二上部凹槽R4之末端部分可具有修圓形狀。
舉例而言，第一上部凹槽R3及第二上部凹槽R4可具備幾
十微米至幾百微米的寬度。
此外，根據實施例之發光裝置封裝可包含樹脂部分135，如圖13中所展示。
樹脂部分135可安置於第一引線框架111與發光裝置120之間。樹脂部分135可安置於第二引線框架112與發光裝置120之間。樹脂部分135可設置於空腔C之底表面處，該空腔設置於封裝主體110中。
樹脂部分135可設置於第一上部凹槽R3及第二上部凹槽R4處。
樹脂部分135可設置於第一上部凹槽R3處且設置為擴散至安置有第一結合部分121之區。樹脂部分135可安置於發光結構123下方。樹脂部分135可安置成在第一結合部分121之側表面處延伸。
此外，樹脂部分135可設置於第二上部凹槽R4處且設置為擴散至安置有第二結合部分122之區。樹脂部分135可安置於發光結構123下方。樹脂部分135可安置成在第二結合部分122之側表面處延伸。
此外，在根據實施例之發光裝置封裝中，當自其上方向觀看時，第一上部凹槽R3之部分區可在豎直方向上與發光結構123之部分區重疊。作為實例，第一上部凹槽R3之鄰近於第一結合部分121的側表面區可設置為在發光結構123下方延伸。
此外，在根據實施例之發光裝置封裝中，當自其上方向觀看時，第二上部凹槽R4之部分區可在豎直方向上與發光結構123之部分區重疊。作為實例，第二上部凹槽R4之鄰近於第二結合部分122的側表面區可設置為在發光結構123下方延伸。
此外，第一上部凹槽R3及第二上部凹槽R4可提供足夠的空間，在該空間中，樹脂部分135可設置於發光裝置120下方。第一上部凹槽R3及第二上部凹槽R4可提供適當的空間，在該空間中，可在發光裝置120之下部部分處執行一種底部填充製程。
因此，填充於第一上部凹槽R3及第二上部凹槽R4處之樹脂部分135可有效地密封第一結合部分121及第二結合部分122之周邊。
作為實例，樹脂部分135可包含環氧樹脂基材料、聚矽氧基材料以及包含環氧樹脂基材料及聚矽氧基材料之混合材料中的至少一者。此外，樹脂部分135可係反射自發光裝置120發射之光的反射部分，作為實例，其可係含有諸如TiO2之反射性材料的樹脂，或可包含白色聚矽氧。
樹脂部分135可安置於發光裝置120下方且可執行密封功能。此外，樹脂部分135可改良發光裝置120與第一引線框架111之間的黏著力。樹脂部分135可改良發光裝置120與第二引線框架112之間的黏著力。
樹脂部分135可圍繞第一結合部分121及第二結合部分122進行密封。樹脂部分135可防止第一導電層321及第二導電層322與第一開口TH1區及第二開口TH2區分離且在發光裝置120之外側表面的方向上擴散且移動。
當第一導電層321及第二導電層322在發光裝置120之外側表面方向上擴散且移動時，第一導電層321及第二導電層322可與發光裝置120之作用層接觸，藉此造成由於短路而發生的故障。因此，當已安置樹脂部分135時，有可能防止由於第一導電層321及第二導電層322以及作用層而發生之短路，藉此改良根據實施例之發光裝置封裝的可靠性。
此外，根據實施例，保護層可設置於發光裝置120之下表面及周邊處。在此狀況下，由於絕緣保護層設置於作用層之表面處，因此即使在第一導電層321及第二導電層322在發光裝置120之外側表面方向上擴散且移動時，仍有可能防止第一導電層321及第二導電層322電連接至發光裝置120之作用層。
同時，在絕緣保護層安置於發光裝置120之下表面及周邊處的狀況下，絕緣保護層可能不安置於發光裝置120之上側表面或基板124之周邊上。此時，當基板124具備導電材料時，當第一導電層321及第二導電層322接觸發光裝置120或基板124之上側表面時，可能會發生由於短路之故障。因此，當已安置樹脂部分135時，有可能防止由於第一導電層321及第二導電層322以及發光裝置120或基板124之上側表面而發生的短路，
藉此改良根據實施例之發光裝置封裝的可靠性。
此外，當樹脂部分135包含諸如白色聚矽氧之具有反射特性的材料時，樹脂部分135可朝向封裝主體110之上方向反射自發光裝置120發射之光，藉此改良發光裝置封裝之光提取效率。
同時，根據根據本發明之實施例的發光裝置封裝之另一實例，可能不會分離地設置樹脂部分135，且可將模製部分140安置成與第一引線框架111及第二引線框架112直接接觸。
在根據實施例之發光裝置封裝中，電力可經由第一開口TH1連接至第一結合部分121，且電力可經由第二開口TH2連接至第二結合部分122。
因此，發光裝置120可藉由經由第一結合部分121及第二結合部分122供應之驅動電力驅動。此外，可在封裝主體110之上方向上提供自發光裝置120發射之光。
同時，上文所描述的根據實施例之發光裝置封裝可被供應且安裝於子基板、電路板或其類似者上。
然而，當將習知發光裝置封裝安裝於子基板、電路板或其類似者上時，可應用諸如回焊之高溫製程。此時，在回焊製程中，在引線框架與設置於發光裝置封裝處的發光裝置之間的結合區中會發生重新熔融現象，使得可減弱電連接及實體耦接之穩定性。
然而，根據根據實施例之發光裝置封裝及製造發光裝置封裝之方法，可藉由安置於開口處之導電層向根據實施例之發光裝置的第一結合部分及第二結合部分提供驅動電力。此外，安置於開口中之導電層的熔點可選擇為具有高於一般結合材料之熔點的值。
因此，由於根據實施例之發光裝置封裝即使在藉由回焊製程將發光裝置封裝結合至主基板時仍不會造成重新熔融現象，因此電連接及實體結合力可能不會惡化。
此外，根據根據實施例之發光裝置封裝及製造發光裝置封裝之方法，封裝主體110在發光裝置封裝之製造製程中無需曝露於高溫。因
此，根據實施例，有可能防止封裝主體110由於曝露於高溫而受損或變色。
因此，可擴寬形成主體113之材料的選擇範圍。根據實施例，可藉由不僅使用諸如陶瓷之昂貴材料而且使用相對便宜之樹脂材料來提供主體113。
舉例而言，主體113可包含選自由以下各者組成之群的至少一種材料：聚鄰苯二甲醯胺(PPA)樹脂、聚對苯二甲酸環己烷二甲醇酯(PCT)樹脂、環氧樹脂模製化合物(EMC)樹脂及聚矽氧模製化合物(SMC)樹脂。
此外，根據實施例，基於基板124之上表面的面積，第一結合部分121及第二結合部分122之面積的總和可提供為10%或小於10%。根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上表面的面積，第一結合部分121及第二結合部分122之面積的總和可設定為10%或小於10%，以便確保自發光裝置發射之發光面積且增加光提取效率。
此外，根據實施例，基於基板124之上表面的面積，第一結合部分121及第二結合部分122之面積的總和可提供為0.7%或大於0.7%。根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上表面的面積，第一結合部分121及第二結合部分122之面積的總和可設定為0.7%或大於0.7%，以便向待安裝之發光裝置提供穩定的結合力。
另外，根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上表面的面積，第一結合部分121及第二結合部分122之面積的總和可設定為0.7%或大於0.7%，使得第一導體221及第二導體222可按合適的方式被安置。
根據實施例，黏著劑130基於第一方向與發光裝置120重疊的面積可提供為大於第一開口TH1及第二開口TH2與第一結合部分121及第二結合部分122重疊所在之區的面積。
如上文所描述，由於第一結合部分121及第二結合部分122之面積提供為小的，因此可增加透射至發光裝置120之下表面的光之量。此外，具有良好反射特性之黏著劑130可設置於發光裝置120下方。因此，在發光裝置120之下方向上發射的光在黏著劑130處被反射，且被朝向發光
裝置封裝100之上方向有效地發射，使得可改良光提取效率。
接下來，將參看圖15至圖19描述根據本發明之實施例的發光裝置封裝之另一實例。
在參看圖15至圖19描述根據實施例之發光裝置封裝時，可省略對與參看圖1至圖14所描述之內容重疊的內容的描述。
根據實施例之發光裝置封裝1100可包含封裝主體1110及發光裝置1120，如圖15至圖19中所展示。
封裝主體1110可包含第一引線框架1111及第二引線框架1112。第一引線框架1111及第二引線框架1112可安置成彼此間隔開。
封裝主體1110可包含主體1113。主體1113可安置於第一引線框架1111與第二引線框架1112之間。主體1113可充當一種電極分離線。主體1113亦可被稱作絕緣部件。
主體1113可安置於第一引線框架1111上。此外，主體1113可安置於第二引線框架1112上。
主體1113可提供第一引線框架1111及第二引線框架1112上之傾斜表面。空腔C可藉由主體1113之傾斜表面設置於第一引線框架1111及第二引線框架1112上。
根據實施例，封裝主體1110可提供為具有空腔C之結構，或可提供為具有平坦上表面而無空腔C之結構。
舉例而言，主體1113可由選自由以下各者組成之群的至少一者形成：聚鄰苯二甲醯胺(PPA)、聚氯三苯基(PCT)、液晶聚合物(LCP)、聚醯胺9T(PA9T)、聚矽氧、環氧樹脂模製化合物(EMC)、聚矽氧模製化合物(SMC)、陶瓷、光敏性玻璃(PSG)、藍寶石(Al2O3)及其類似者。此外，主體1113可包含諸如TiO2或SiO2之高折射率填料。
第一引線框架1111及第二引線框架1112可提供為導電框架。第一引線框架1111及第二引線框架1112可穩定地提供封裝主體1110之結構強度，且可電連接至發光裝置1120。
根據實施例，發光裝置1120可包含第一結合部分1121、第
二結合部分1122、發光結構1123及基板1124。
發光裝置1120可包含安置於基板1124下方之發光結構1123，如圖17中所展示。第一結合部分1121及第二結合部分1122可安置於發光結構1123與封裝主體1110之間。
發光裝置1120可安置於封裝主體1110上。發光裝置1120可安置於第一引線框架1111及第二引線框架1112上。發光裝置1120可安置於由封裝主體1110提供之空腔C中。發光裝置120可安置於主體1113上。
第一結合部分1121可安置於發光裝置1120之下表面上。第二結合部分1122可安置於發光裝置1120之下表面上。第一結合部分1121及第二結合部分1122可安置成在發光裝置1120之下表面上彼此間隔開。
第一結合部分1121可安置於第一引線框架1111上。第二結合部分1122可安置於第二引線框架1112上。
第一結合部分1121可安置於發光結構1123與第一引線框架1111之間。第二結合部分1122可安置於發光結構1123與第二引線框架1112之間。
第一結合部分1121及第二結合部分1122可藉由使用選自由以下各者組成之群的至少一種材料形成為多層中之單層：Ti、Al、In、Ir、Ta、Pd、Co、Cr、Mg、Zn、Ni、Si、Ge、Ag、Ag合金、Au、Hf、Pt、Ru、Rh、Sn、Cu、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO及Ni/IrOx/Au、Ni/IrOx/Au/ITO或其合金。
根據實施例之發光裝置封裝1100可包含第一黏著劑1130，如圖17中所展示。
第一黏著劑1130可安置於主體1113與發光裝置1120之間。第一黏著劑1130可安置於主體1113之上表面與發光裝置1120之下表面之間。
第一黏著劑1130可安置成在第一方向上與發光裝置1120重疊。第一黏著劑1130可安置成基於自主體1113之下表面朝向其上表面的方
向與發光裝置1120重疊。
此外，根據實施例之發光裝置封裝1100可包含凹槽R，如圖15至圖19中所展示。
凹槽R可設置於主體1113處。凹槽R可設置為在自主體1113之上表面朝向其下表面的第一方向上凹入。凹槽R可安置於發光裝置1120下方。凹槽R可設置為在第一方向上與發光裝置1120重疊。
凹槽R可安置於第一結合部分1121與第二結合部分1122之間。凹槽R可設置為在第一方向上不與第一結合部分1121重疊。凹槽R可設置為在第一方向上不與第二結合部分1122重疊。
作為實例，第一黏著劑1130可安置於凹槽R處。第一黏著劑1130可安置於發光裝置1120與主體1113之間。第一黏著劑1130可安置於第一結合部分1121與第二結合部分1122之間。作為實例，第一黏著劑1130可安置成與第一結合部分1121之側表面及第二襯墊電極1122之側表面接觸。
第一黏著劑1130可提供發光裝置1120與封裝主體1110之間的穩定的固定力。第一黏著劑1130可提供發光裝置1120與主體1113之間的穩定的固定力。作為實例，第一黏著劑1130可安置成與主體1113之上表面直接接觸。此外，第一黏著劑1130可安置成與發光裝置1120之下表面直接接觸。
第一黏著劑1130可提供為絕緣黏著劑。作為實例，第一黏著劑1130可包含環氧樹脂基材料、聚矽氧基材料以及包含環氧樹脂基材料及聚矽氧基材料之混合材料中的至少一者。另外，作為實例，當第一黏著劑1130包含反射功能時，第一黏著劑1130可包含白色聚矽氧。
當光發射至發光裝置1120之下表面時，第一黏著劑1130可提供主體1113與發光裝置1120之間的穩定的固定力，且可提供發光裝置1120與主體1113之間的光漫射功能。當光自發光裝置1120發射至發光裝置1120之下表面時，第一黏著劑1130可藉由提供光漫射功能來改良發光裝置封裝1100之光提取效率。此外，第一黏著劑1130可反射自發光裝置
1120發射之光。當第一黏著劑1130包含反射功能時，第一黏著劑1130可由包含TiO2、聚矽氧及其類似者之材料形成。
根據實施例，凹槽R之深度T1可提供為小於第一引線框架1111之厚度T2或第二引線框架1112之厚度T2。
可考慮第一黏著劑1130之黏著力來判定凹槽R之深度T1。此外，可藉由考慮主體1113之穩定強度及/或發光裝置封裝1100不會由於自發光裝置1120發射之熱而發生破裂來判定凹槽R之深度T1。
凹槽R可提供適當的空間，在該空間中，可在發光裝置1120之下部部分處執行一種底部填充製程。此處，底部填充製程可係將發光裝置1120安裝於封裝主體1110上且接著將第一黏著劑1130安置於發光裝置1120之下部部分處的製程，且可係將第一黏著劑1130安置於凹槽R中且接著安置發光裝置1120以便在安裝發光裝置1120之製程中藉由第一黏著劑1130安裝至封裝主體1110上的製程。
凹槽R可提供為第一深度或大於第一深度使得第一黏著劑1130可足夠地設置於發光裝置1120之下表面與主體1113之上表面之間。此外，凹槽R可設置於第二深度或小於第二深度處以提供主體1113之穩定強度。
凹槽R之深度T1及寬度W4可影響第一黏著劑1130之形成位置及固定力。可判定凹槽R之深度T1及寬度W4，使得安置於主體1113與發光裝置1120之間的第一黏著劑1130可提供足夠固定力。
作為實例，第一引線框架1111之厚度T2可提供為幾百微米。第一引線框架1111之厚度T2可提供為180至500微米。作為實例，第一引線框架1111之厚度T2可提供為500微米。
作為實例，厚度T2-T1可選擇為至少100微米或大於100微米。此考慮到能夠提供無破裂之主體1113的注入製程之厚度。
根據實施例，厚度T2與厚度T1之比率(T2/T1)可提供為二至十。作為實例，當T2之厚度提供為200微米時，T1之厚度可提供為20至100微米。當厚度T1與厚度T2之比率(T2/T1)係二或大於二時，可確保
機械強度使得在主體1113中不會發生破裂或斷裂。此外，當厚度T1與厚度T2之比率(T2/T1)係十或小於十時，可足夠地配置安置於凹槽R中之第一黏著劑1130的量，因此可改良發光裝置1120與封裝主體1110之間的固定力。
同時，根據實施例之發光裝置封裝1100可包含第二黏著劑1133，如圖17及圖18中所展示。
第二黏著劑1133可安置於第一引線框架1111與發光裝置1120之間。此外，第二黏著劑1133可安置於第二引線框架1112與發光裝置1120之間。
第二黏著劑1133可安置於封裝主體1110之上表面與發光裝置1120之下表面之間。第二黏著劑1133可安置成與封裝主體1110之上表面直接接觸。第二黏著劑1133可安置成與發光裝置1120之下表面直接接觸。
第二黏著劑1133可安置成與第一結合部分1121之下表面直接接觸。另外，第二黏著劑1133可安置成與第二結合部分1122之下表面直接接觸。
作為實例，第二黏著劑1133可提供為導電黏著劑。第一引線框架1111及第一結合部分1121可藉由第二黏著劑1133電連接。第二引線框架1112及第二結合部分1122可藉由第二黏著劑1133電連接。
作為實例，第二導體1222可包含選自由以下各者組成之群的至少一種材料：Ag、Au、Pt等或其合金。然而，本發明不限於此，且能夠確保導電功能之材料可用於第二導體1222。
作為實例，第二黏著劑1133可藉由使用導電膏形成。導電膏可選自由以下各者組成之群：焊錫膏、銀膏及其類似者。
根據實施例，第一黏著劑1130及第二黏著劑1133可包含不同材料。作為實例，第一黏著劑1130可提供為絕緣黏著劑，且第二黏著劑1133可提供為導電黏著劑。
此外，根據實施例之發光裝置封裝可包含第一上部凹槽R10
及第二上部凹槽R20，如圖15至圖19中所展示。
第一上部凹槽R10可設置於第一引線框架1111之上表面處。第一上部凹槽R10可設置為自第一引線框架1111之上表面在下表面方向上凹入。第一上部凹槽R10可安置成與凹槽R間隔開。
第一上部凹槽R10可在基於自第一引線框架1111之下表面朝向其上表面之方向的第一方向上與第一結合部分1121之部分區重疊。基於第一方向，第一上部凹槽R10可與發光結構1123之部分區重疊。
如圖18中所展示，當自發光裝置1120之上方向觀看時，第一上部凹槽R10可包含封裝主體1110之外側表面、封裝主體之內側表面及連接其外側表面與內側表面且平行於凹槽R之延伸方向安置的擴展側表面。內側表面可設置為自第一結合部分1121之三個側表面在向內方向上延伸。另外，第一上部凹槽R10之外側表面可設置於封裝主體1110之短軸方向的面向彼此之兩側及長軸方向之外部周邊區處。舉例而言，第一上部凹槽R10可具有三個外側表面、三個內側表面及兩個擴展側表面，且可按「[」形狀設置於第一結合部分1121之周邊處。
此外，如圖18中所展示，當自發光裝置1120之上方向觀看時，第一上部凹槽R10可經設置使得封裝主體1110之內側表面鄰近於第二黏著劑1133之三側。另外，第一上部凹槽R10之外側表面可設置於封裝主體1110之短軸方向的面向彼此之兩側及長軸方向之外部周邊區處。舉例而言，第一上部凹槽R10可具有三個外側表面、三個內側表面及兩個擴展側表面，且可按「[」形狀設置於第二黏著劑1133之周邊處。
第一引線框架1111可包含安置成自安置有主體1113之區在第一上部凹槽R10沿發光裝置1120之長軸方向設置的方向上延伸的第一區。作為實例，第二黏著劑1133可安置於第一引線框架1111之第一區上。第二黏著劑1133可安置成基於第一方向與第一結合部分1121重疊。
根據實施例，第一區可提供為平坦表面。第一區可對應於由三個內側界定之區域。
在根據實施例之發光裝置封裝中，如圖18中所展示，當自
發光裝置1120之上方向觀看時，第一上部凹槽R10之部分區可在豎直方向上與發光結構1123重疊。作為實例，第一上部凹槽R10之鄰近於第一結合部分1121的三個內側表面區可設置為在發光結構1123下方延伸。第一上部凹槽R10可安置成在豎直方向上與第一結合部分1121重疊。
根據實施例，第二上部凹槽R20可設置於第二引線框架1112之上表面上。第二上部凹槽R20可設置為自第二引線框架1112之上表面在下表面方向上凹入。第二上部凹槽R20可安置成與凹槽R間隔開。第二上部凹槽R20可安置成與第一上部凹槽R10間隔開。
第二上部凹槽R20可在基於自第二引線框架1112之下表面朝向其上表面之方向的第一方向上與第二結合部分1122之部分區重疊。第二上部凹槽R20可基於第一方向與發光結構1123之部分區重疊。
如圖18中所展示，當自發光裝置1120之上方向觀看時，第二上部凹槽R20可包含封裝主體1110之外側表面、封裝主體之內側表面及連接其外側表面與內側表面且平行於凹槽R之延伸方向安置的擴展側表面。內側表面可設置為自第二結合部分1122之三個側表面在向內方向上延伸。作為實例，第二上部凹槽R20可具有三個外側表面、三個內側表面及兩個擴展側表面，且可按「]」形狀設置於第二結合部分1122之周邊處。
此外，如圖18中所展示，當自發光裝置1120之上方向觀看時，第二上部凹槽R20可經設置使得封裝主體1110之內側表面鄰近於第二黏著劑1133之三側。另外，第二上部凹槽R20之外側表面可設置於封裝主體1110之短軸方向的面向彼此之兩側及長軸方向之外部周邊區處。舉例而言，第二上部凹槽R20可具有三個外側表面、三個內側表面及兩個擴展側表面，且可按「]」形狀設置於第二黏著劑1133之周邊處。
第二引線框架1112可包含安置成自安置有主體1113之區在第二上部凹槽R20沿發光裝置1120之長軸方向設置的方向上延伸的第一區。作為實例，第二黏著劑1133可安置於第二引線框架1112之第一區上。第二黏著劑1133可安置成基於第一方向與第二結合部分1122重疊。
根據實施例，第一區可提供為平坦表面。第一區可對應於由
三個內側界定之區域。
此外，在根據實施例之發光裝置封裝中，如圖18中所展示，當自發光裝置1120之上方向觀看時，第二上部凹槽R20之部分區可在豎直方向上與發光結構1123重疊。作為實例，第二上部凹槽R20之鄰近於第二結合部分1122的三個內側表面區可設置為在發光結構1123下方延伸。第二上部凹槽R20可安置成在豎直方向上與第二結合部分1122重疊。
舉例而言，第一上部凹槽R10及第二上部凹槽R20可具備幾十微米至幾百微米的寬度。
此外，根據實施例，第一上部凹槽R10及第二上部凹槽R20之側表面可具有傾斜表面及曲率。另外，第一上部凹槽R10及及第二上部凹槽R20可形成為球形形狀，且其側表面可形成為圓形形狀。
根據根據實施例之發光裝置封裝1100，如圖15至圖19中所展示，第二黏著劑1133可安置於第一引線框架1111及第二引線框架1112處。
第二黏著劑1133可設置於第一引線框架1111之第一區上且安置於第一結合部分1121與第一引線框架1111之間。第二黏著劑1133可安置成與第一結合部分1121之下表面直接接觸。
第二黏著劑1133可設置於第二引線框架1112處且安置於第二結合部分1122下方。第二黏著劑1133可安置成與第二結合部分1122之下表面直接接觸。
根據實施例，第二黏著劑1133可設置於第一引線框架1111處，且發光裝置1120之第一結合部分1121可安裝於第二黏著劑1133上。
此時，在將發光裝置1120之第一結合部分1121安裝於第二黏著劑1133上的製程中，第二黏著劑1133之一部分可擴散至第一上部凹槽R10之區中且擴散至發光結構1123之側面以電連接至作用層，藉此造成短路。
然而，根據實施例，如圖17至圖19中所展示，自發光裝置1120之側表面至第一結合部分1121之側表面的第二距離D2可提供為小於
自發光裝置1120之側表面至安置於發光裝置1120之下表面下方的第一上部凹槽R10之側表面的第一距離D1。
此外，自發光裝置1120之側表面至第一結合部分1121之側表面的第二距離D2可對應於自發光結構1123之側表面至第一結合部分1121之側表面的距離。自發光裝置1120之側表面至安置於發光裝置1120之下表面下方的第一上部凹槽R10之側表面的第一距離D1可對應於自發光結構1123之側表面至安置於發光結構1123之下表面下方的第一上部凹槽R10之內側表面的距離。
作為實例，自發光裝置1120之側表面至第一結合部分1121之側表面的第二距離D2可提供為幾十微米。自發光裝置1120之側表面至第一結合部分1121之側表面的第二距離D2可提供為40至50微米。
此外，自發光裝置1120之側表面至發光裝置1120之下表面下方且在豎直方向上與發光裝置1120重疊的第一上部凹槽R10之側表面的第一距離D1可提供為比第二距離D2大幾微米或幾十微米。
因此，根據本實施例，第一上部凹槽R10之部分區可安置成在第一方向上與第一結合部分1121之第一區重疊。因此，即使在第二黏著劑1133被過度提供且擴散至周邊時，第二黏著劑1133仍可擴散至第一上部凹槽R10之區中而非沿第一結合部分1121之側表面在向上方向上移動。
因此，根據本實施例，由於可防止第二黏著劑1133沿第一結合部分1121之側表面在發光結構1123之方向上擴散，因此有可能防止發光裝置1120由於第二黏著劑1133之擴散而電短路，該第二黏著劑係導電材料。
此外，類似於上文所描述之內容，第二黏著劑1133可設置於第二引線框架1112處，發光裝置1120之第二結合部分1122可安裝於第二黏著劑1133上。
此時，在將發光裝置1120之第二結合部分1122安裝於第二黏著劑1133上的製程中，第二黏著劑1133之一部分可擴散至第二上部凹槽R20之區中且可沿第二結合部分1122之側表面擴散。
此外，根據實施例，如圖17至圖19中所展示，當自發光裝置1120之上部部分的方向觀看時，自發光裝置1120之側表面至第二結合部分1122之側表面的距離可提供為小於自發光裝置1120之側表面至安置於發光裝置1120之下表面下方的第二上部凹槽R20之側表面的距離。
第二上部凹槽R20之部分區可安置成在豎直方向上與第二結合部分1122之下表面重疊。因此，即使在第二黏著劑1133被過度提供且擴散至周邊時，第二黏著劑1133仍可擴散至第二上部凹槽R20之區中而非沿第二結合部分1122之側表面在向上方向上移動。
根據實施例，由於可防止第二黏著劑1133沿第二結合部分1122之側表面在發光結構1123之方向上擴散，因此有可能防止發光裝置1120由於第二黏著劑1133之擴散而電短路，該第二黏著劑係導電材料。
如上文所描述，由於可防止第二黏著劑1133沿發光裝置1120之側表面上升，因此可防止構成發光裝置1120之第一導電型半導體層及第二導電型半導體層電短路。此外，由於可防止第二黏著劑1133安置於構成發光裝置1120之作用層的側表面上，因此有可能改良發光裝置1120之光提取效率。
此外，根據實施例之發光裝置封裝1100可包含第一樹脂部分1135，如圖15至圖19中所展示。
第一樹脂部分1135可安置於第一引線框架1111與發光裝置1120之間。第一樹脂部分1135可安置於第二引線框架1112與發光裝置1120之間。
第一樹脂部分1135可安置於第一給合部分1121之側表面上。第一樹脂部分1135可安置於第二結合部分1122之側表面上。第一樹脂部分1135可安置於發光結構1123下方。第一樹脂部分1135可安置於第二黏著劑1133之側表面上。
此外，第一樹脂部分1135可與發光裝置1120之下表面直接接觸。第一樹脂部分1135可安置成與第二黏著劑1133之側表面直接接觸。第一樹脂部分1135可安置於第一上部凹槽R10處。第一樹脂部分1135可
安置於第二上部凹槽R20處。
此外，根據實施例，第二黏著劑1133可溢出至第一上部凹槽R10。因此，第一樹脂部分1135可在第一上部凹槽R10中安置於第二黏著劑1133上。
根據實施例，即使在第二黏著劑1133藉由第一樹脂部分1135擴散至第一上部凹槽R10之區中或擴散至第一結合部分1121之側表面，仍可防止第二黏著劑1133在發光結構1123之側表面方向上移動。
第一樹脂部分1135可安置於第一上部凹槽R10中且與第二黏著劑1133接觸。第一樹脂部分1135可安置於第一上部凹槽R10中且設置於第二黏著劑1133之周邊處。第一樹脂部分1135可安置於第一上部凹槽R10中且設置於第一結合部分1121之周邊處。
第二黏著劑1133可安置成由第一黏著劑1130及第一樹脂部分1135環繞。因此，由於由不同材料形成之第一及第二黏著劑及樹脂部分安置於發光裝置1120與封裝主體1110之間，因此有可能改良發光裝置封裝1100之可靠性。
此外，根據實施例，第二黏著劑1133可溢出至第二上部凹槽R20。因此，第一樹脂部分1135可在第二上部凹槽R20中安置於第二黏著劑1133上。
根據實施例，即使在第二黏著劑1133藉由第一樹脂部分1135擴散至第二上部凹槽R20之區中或擴散至第二結合部分1122之側表面，仍可防止第二黏著劑1133在發光結構1123之側表面方向上移動。
第一樹脂部分1135可安置於第二上部凹槽R20中且與第二黏著劑1133接觸。第一樹脂部分1135可安置於第二上部凹槽R20中且設置於第二黏著劑1133之周邊處。第一樹脂部分1135可安置於第二上部凹槽R20中且設置於第二結合部分1122之周邊處。
因此，填充於第一上部凹槽R10及第二上部凹槽R20處之第一樹脂部分1135可有效地密封第一結合部分1121及第二結合部分1122之周邊。
作為實例，第一樹脂部分1135可包含環氧樹脂基材料、聚矽氧基材料以及包含環氧樹脂基材料及聚矽氧基材料之混合材料中的至少一者。此外，第一樹脂部分1135可係反射自發光裝置1120發射之光的反射部分，作為實例，其可係含有諸如TiO2之反射性材料的樹脂，或可包含白色聚矽氧。
第一樹脂部分1135可安置於發光裝置1120下方以執行密封功能。另外，第一樹脂部分1135可改良發光裝置1120與第一引線框架1111之間的黏著力。第一樹脂部分1135可改良發光裝置1120與第二引線框架1112之間的黏著力。
第一樹脂部分1135可圍繞第一結合部分1121及第二結合部分1122進行密封。第一樹脂部分1135可防止第二黏著劑1133在發光裝置1120之側表面方向上擴散且移動。
當第二黏著劑1133在發光裝置1120之側表面方向上擴散且移動時，第二黏著劑1133可與發光裝置1120之作用層接觸，藉此造成由於短路而發生的故障。因此，當已安置第一樹脂部分1135時，有可能防止由於第二黏著劑1133及作用層而發生之短路，藉此改良根據實施例之發光裝置封裝的可靠性。
此外，當第一樹脂部分1135包含諸如白色聚矽氧之具有反射特性的材料時，第一樹脂部分1135可朝向封裝主體1110之上方向反射自發光裝置1120發射之光，藉此改良發光裝置封裝1100之光提取效率。
此外，根據實施例之發光裝置封裝1100可包含第二樹脂部分1140，如圖17中所展示。
為供參考，如圖15中所展示，並未展示第二樹脂部分1140，使得可良好地顯示第一引線框架1111、第二引線框架1112及主體1113的配置關係。
第二樹脂部分1140可設置於發光裝置1120上。第二樹脂部分1140可安置於第一引線框架1111及第二引線框架1112上。第二樹脂部分1140可安置於由封裝主體1110提供之空腔C上。第二樹脂部分1140可
安置於第一樹脂部分1135上。
第二樹脂部分1140可包含絕緣材料。此外，第二樹脂部分1140可包含經組態以入射自發光裝置1120發射之光且提供波長轉換光的波長轉換部分。作為實例，第二樹脂部分1140可包含選自由以下各者組成之群的至少一者：磷光體、量子點及其類似者。
同時，根據根據本發明之實施例的發光裝置封裝之另一實例，可能不會分離地設置第一樹脂部分1135，且可將第二樹脂部分1140安置成與第一引線框架1111及第二引線框架1112直接接觸。作為實例，第二樹脂部分1140可安置於第一上部凹槽R10及第二上部凹槽R20處。
此外，根據實施例，發光結構1123可提供為化合物半導體。舉例而言，發光結構1123可提供為第II-VI族或第III-V族化合物半導體。作為實例，發光結構1123可具備選自鋁(Al)、鎵(Ga)、銦(In)、磷(P)、砷(As)及氮(N)之至少兩種或大於兩種元素。
在根據實施例之發光裝置封裝1100中，電力可經由設置於第一引線框架1111上之第二黏著劑1133連接至第一結合部分1121，且電力可經由設置於第二引線框架1112上之第二黏著劑1133連接至第二結合部分1122。
因此，發光裝置1120可藉由經由第一結合部分1121及第二結合部分1122供應之驅動電力驅動。此外，可在封裝主體1110之上方向上提供自發光裝置1120發射之光。
同時，上文所描述的根據實施例之發光裝置封裝1100可被供應且安裝於子基板、電路板或其類似者上。
然而，當將習知發光裝置封裝安裝於子基板、電路板或其類似者上時，可應用諸如回焊之高溫製程。此時，在回焊製程中，在引線框架與設置於發光裝置封裝處的發光裝置之間的結合區中會發生重新熔融現象，使得可減弱電連接及實體耦接之穩定性。
然而，根據根據實施例之發光裝置封裝及製造發光裝置封裝之方法，根據實施例之發光裝置1120的第一結合部分1121及第二結合部
分1122可藉由第二黏著劑1133接收驅動電力。此外，第二黏著劑1133之熔點可選擇為具有高於常用結合材料之熔點的值。
因此，由於根據實施例之發光裝置封裝1100即使在藉由回焊製程將發光裝置封裝1100結合至主基板時仍不會造成重新熔融現象，因此電連接及實體結合力可能不會惡化。
此外，根據根據實施例之發光裝置封裝1100及製造發光裝置封裝之方法，由於發光裝置1120藉由使用導電膏安裝於封裝主體1110上，因此封裝主體1110在發光裝置封裝之製造製程中無需曝露於高溫。因此，根據實施例，有可能防止封裝主體1110由於曝露於高溫而受損或變色。
因此，可擴寬形成主體1113之材料的選擇範圍。根據實施例，可藉由不僅使用諸如陶瓷之昂貴材料而且使用相對便宜之樹脂材料來提供主體1113。
舉例而言，主體1113可包含選自由以下各者組成之群的至少一種材料：聚鄰苯二甲醯胺(PPA)樹脂、聚對苯二甲酸環己烷二甲醇酯(PCT)樹脂、環氧樹脂模製化合物(EMC)樹脂及聚矽氧模製化合物(SMC)樹脂。
接著參看圖20至圖23，將描述製造根據本發明之實施例的發光裝置封裝之方法。
在參看圖20至圖23描述製造根據本發明之實施例的發光裝置封裝的方法時，可省略對與參看圖1至圖19所描述之內容重疊的內容之描述。
根據製造根據本發明之實施例的發光裝置封裝之方法，如圖20中所展示，可提供封裝主體1110。
封裝主體1110可包含第一引線框架1111及第二引線框架1112。第一引線框架1111及第二引線框架1112可安置成彼此間隔開。
封裝主體1110可包含主體1113。主體1113可安置於第一引線框架1111與第二引線框架1112之間。主體1113可充當一種電極分離線。主體1113亦可被稱作絕緣部件。
主體1113可安置於第一引線框架1111上。此外，主體1113可安置於第二引線框架1112上。
主體1113可提供第一引線框架1111及第二引線框架1112上之傾斜表面。空腔C可藉由主體1113之傾斜表面設置於第一引線框架1111及第二引線框架1112上。
根據實施例，封裝主體1110可提供為具有空腔C之結構，或可提供為具有平坦上表面而無空腔C之結構。
封裝主體1110可包含設置於主體1113處之凹槽R。凹槽R可設置於主體1113處。凹槽R可設置為自主體1113之上表面朝向其下表面凹入。
此外，第一引線框架1111可包含第一上部凹槽R10。第二引線框架1112可包含第二上部凹槽R20。
第一上部凹槽R10可設置於第一引線框架1111之上表面上。第一上部凹槽R10可設置為自第一引線框架1111之上表面在下表面方向上凹入。第一上部凹槽R10可安置成與凹槽R間隔開。
第二上部凹槽R20可設置於第二引線框架1112之上表面上。第二上部凹槽R20可設置為自第二引線框架1112之上表面在下表面方向上凹入。第二上部凹槽R20可安置成與凹槽R間隔開。
接下來，根據製造根據實施例之發光裝置封裝的方法，第二黏著劑1133設置於第一引線框架1111及第二引線框架1112處，如圖20中所展示。
舉例而言，第二黏著劑1133可經由點漬法或其類似者設置於鄰近於第一上部凹槽R10之部分區及鄰近於第二上部凹槽R20之部分區上。
第二黏著劑1133可具備導電黏著劑。舉例而言，第二黏著劑1133可包含選自由以下各者組成之群的至少一種材料：Ag、Au、Pt等或其合金。然而，本發明不限於此，且能夠確保導電功能之材料可用於第二黏著劑1133。
舉例而言，第二黏著劑1133可藉由使用導電膏形成。導電膏可選自由以下各者組成之群：焊錫膏、銀膏或其類似者。
此外，根據製造根據實施例之發光裝置封裝的方法，發光裝置1120可設置於封裝主體1110上，如圖20中所展示。
根據實施例，在將發光裝置1120安置於封裝主體1110上之製程中，凹槽R亦可用以充當一種對準關鍵部。
發光裝置1120可藉由第二黏著劑1133固定於主體1113處。設置於第一引線框架1111處之第二黏著劑1133可黏附至發光裝置1120之第一結合部分1121。設置於第二引線框架1112處之第二黏著劑1133可黏附至發光裝置1120之第二結合部分1122。
此外，根據實施例，第一黏著劑1130可設置於凹槽R處。
第一黏著劑1130可注入至凹槽R區中。舉例而言，第一黏著劑1130可按預定量設置至形成凹槽R所在的區，且可提供為溢出凹槽R。
此外，根據實施例，如圖21中所展示，凹槽R之長度L2可提供為大於發光裝置1120在短軸方向上之長度。因此，根據實施例，第一黏著劑1130可經由凹槽R注入至發光裝置1120之下部區中。
在根據實施例之發光裝置封裝製造製程中，當設置於發光裝置1120下方之第一黏著劑1130的量大時，設置於凹槽R處的第一黏著劑1130之溢出部分在黏附至發光裝置1120之下部部分時可在凹槽R之長度L2方向上移動。
第一黏著劑1130可安置成在設置於發光裝置1120中之第一結合部分1121及第二結合部分1122的方向上移動。因此，即使在所塗覆之第一黏著劑1130的量大於設計量，發光裝置1120仍可被穩定地固定而不會自主體1113提昇。
根據實施例，可將第一黏著劑1130設置於發光裝置1120之下表面與主體1113之上表面之間的寬的區處，且可改良發光裝置1120與主體1113之間的固定力。
發光裝置1120可藉由第一黏著劑1130及第二黏著劑1133固定至封裝主體1110之上表面。第一黏著劑1130可提供為絕緣黏著劑，且第二黏著劑1133可提供為導電黏著劑。
接下來，根據製造根據實施例之發光裝置封裝的方法，如圖22中所展示，可形成樹脂部分135。
第一樹脂部分1135可安置於第一引線框架1111與發光裝置1120之間，如參看圖17至圖19所描述。第一樹脂部分1135可安置於第二引線框架1112與發光裝置1120之間。
第一樹脂部分1135可安置於第一結合部分1121之側表面上。第一樹脂部分1135可安置於第二結合部分1122之側表面上。第一樹脂部分1135可安置於發光結構1123下方。
此外，第一樹脂部分1135可與發光裝置1120之下表面直接接觸。第一樹脂部分1135可與第二黏著劑1133之側表面直接接觸。
第一樹脂部分1135可安置於第一上部凹槽R10中。第一樹脂部分1135可安置於第一上部凹槽R10中且可與第二黏著劑1133接觸。第一樹脂部分1135可安置於第一上部凹槽R10中且可圍繞第二黏著劑1133而設置。第一樹脂部分1135可安置於第一上部凹槽R10中且可圍繞第一結合部分1121而設置。
第一樹脂部分1135可安置於第二上部凹槽R20中。第一樹脂部分1135可安置於第二上部凹槽R20中且可與第二黏著劑1133接觸。第一樹脂部分1135可安置於第二上部凹槽R20中且可圍繞第二黏著劑1133而設置。第一樹脂部分1135可安置於第二上部凹槽R20中且可圍繞第二結合部分1122而設置。
作為實例，第一樹脂部分1135可包含環氧樹脂基材料、聚矽氧基材料以及包含環氧樹脂基材料及聚矽氧基材料之混合材料中的至少一者。此外，第一樹脂部分1135可係反射自發光裝置1120發射之光的反射部分，作為實例，其可係含有諸如TiO2之反射性材料的樹脂，或可包含白色聚矽氧。
第一樹脂部分1135可安置於發光裝置1120下方以執行密封功能。此外，第一樹脂部分1135可改良發光裝置1120與第一引線框架1111之間的黏著力。此外，第一樹脂部分1135可改良發光裝置1120與第二引線框架1112之間的黏著力。
第一樹脂部分1135可密封第一結合部分1121及第二結合部分1122之周邊。第一樹脂部分1135可防止第二黏著劑1133在發光裝置1120之側表面方向上擴散且移動。
當第二黏著劑1133在發光裝置1120之側表面方向上擴散且移動時，第二黏著劑1133可與發光裝置1120之作用層接觸，藉此造成由於短路而發生的故障。因此，當已安置第一樹脂部分1135時，有可能防止由於第二黏著劑1133及作用層而發生之短路，藉此改良根據實施例之發光裝置封裝的可靠性。
此外，當第一樹脂部分1135包含諸如白色聚矽氧之具有反射特性的材料時，第一樹脂部分1135可朝向封裝主體1110之上方向反射自發光裝置1120發射之光，藉此改良發光裝置封裝1100之光提取效率。
接下來，根據製造根據實施例之發光裝置封裝的方法，如圖23中所展示，第二樹脂部分1140可形成於發光裝置1120上。
第二樹脂部分1140可形成於發光裝置1120上。第二樹脂部分1140可安置於第一引線框架1111及第二引線框架1112上。第二樹脂部分1140可安置於由封裝主體1110提供之空腔C上。第二樹脂部分1140可安置於第一樹脂部分1135上。
第二樹脂部分1140可包含絕緣材料。此外，第二樹脂部分1140可包含經組態以入射自發光裝置1120發射之光且提供波長轉換光的波長轉換構件。作為實例，第二樹脂部分1140可包含選自由以下各者組成之群的至少一者：磷光體、量子點及其類似者。
同時，在上文描述中，如參看圖20及圖21所描述，參考第一黏著劑1130在發光裝置1120安裝於封裝主體1110上之後形成於發光裝置1120下方的狀況來進行描述。
然而，根據製造根據實施例之發光裝置封裝的方法之另一實例，如圖20中所展示，第二黏著劑1133設置於第一引線框架1111及第二引線框架1112上，且在第一黏著劑1130形成於凹槽R上之後，發光裝置1120可設置且固定於第一黏著劑1130及第二黏著劑1133上。
此外，根據製造根據實施例之發光裝置封裝的方法之又一實例，第一樹脂部分1135可能未形成且僅第二樹脂部分1140可形成於封裝主體1110之空腔處。
在根據實施例之發光裝置封裝1100中，電力可經由設置於第一引線框架1111處之第二黏著劑1133連接至第一結合部分1121，且電力可經由設置於第二引線框架1112處之第二黏著劑1133連接至第二結合部分1122。
因此，發光裝置1120可藉由經由第一結合部分1121及第二結合部分1122供應之驅動電力驅動。此外，可在封裝主體1110之上方向上提供自發光裝置1120發射之光。
同時，上文所描述的根據實施例之發光裝置封裝1100可被供應且安裝於子基板、電路板或其類似者上。
然而，當將習知發光裝置封裝安裝於子基板、電路板或其類似者上時，可應用諸如回焊之高溫製程。此時，在回焊製程中，在框架與設置於發光裝置封裝處的發光裝置之間的結合區中會發生重新熔融現象，使得可減弱電連接及實體耦接之穩定性。因此，發光裝置之位置可發生改變，且發光裝置封裝之光學及電特性與可靠性可惡化。
然而，根據根據實施例之發光裝置封裝及製造發光裝置封裝之方法，根據實施例之發光裝置1120的第一結合部分1121及第二結合部分1122可藉由第二黏著劑1133接收驅動電力。此外，第二黏著劑1133之熔點可選擇為具有高於常用結合材料之熔點的值。
因此，由於根據實施例之發光裝置封裝1100即使在藉由回焊製程將發光裝置封裝1100結合至主基板時仍不會造成重新熔融現象，因此電連接及實體結合力可能不會惡化。
此外，根據根據實施例之發光裝置封裝1100及製造發光裝置封裝之方法，由於發光裝置1120藉由使用導電膏安裝於封裝主體1110上，因此封裝主體1110在發光裝置封裝之製造製程中無需曝露於高溫。因此，根據實施例，有可能防止封裝主體1110由於曝露於高溫而受損或變色。
因此，可擴寬形成主體1113之材料的選擇範圍。根據實施例，可藉由不僅使用諸如陶瓷之昂貴材料而且使用相對便宜之樹脂材料來提供主體1113。
舉例而言，主體1113可包含選自由以下各者組成之群的至少一種材料：聚鄰苯二甲醯胺(PPA)樹脂、聚對苯二甲酸環己烷二甲醇酯(PCT)樹脂、環氧樹脂模製化合物(EMC)樹脂及聚矽氧模製化合物(SMC)樹脂。
接下來，將參看圖24描述根據本發明之實施例的發光裝置封裝之另一實例。
在參看圖24描述根據實施例之發光裝置封裝時，可省略對與參看圖1至圖23所描述之內容重疊的內容的描述。
根據實施例之發光裝置封裝1100可包含封裝主體1110及發光裝置1120，如圖24中所展示。
封裝主體1110可包含第一引線框架1111及第二引線框架1112。第一引線框架1111及第二引線框架1112可安置成彼此間隔開。
封裝主體1110可包含主體1113。主體1113可安置於第一引線框架1111與第二引線框架1112之間。主體1113可充當一種電極分離線。主體1113亦可被稱作絕緣部件。
第一引線框架1111及第二引線框架1112可提供為導電框架。第一引線框架1111及第二引線框架1112可穩定地提供封裝主體1110之結構強度，且可電連接至發光裝置1120。
舉例而言，主體1113可由選自由以下各者組成之群的至少一者形成：聚鄰苯二甲醯胺(PPA)、聚氯三苯基(PCT)、液晶聚合物(LCP)、聚醯胺9T(PA9T)、聚矽氧、環氧樹脂模製化合物(EMC)、聚矽氧模製化合
物(SMC)、陶瓷、光敏性玻璃(PSG)、藍寶石(Al2O3)及其類似者。此外，主體1113可包含諸如TiO2或SiO2之高折射率填料。
根據實施例，發光裝置1120可包含第一結合部分1121、第二結合部分1122、發光結構1123及基板1124。
發光裝置1120可安置於封裝主體1110上。發光裝置1120可安置於第一引線框架1111及第二引線框架1112上。發光裝置1120可安置於由封裝主體1110提供之空腔C中。發光裝置1120可安置於主體1113上。
第一結合部分1121可安置於發光裝置1120之下表面上。第二結合部分1122可安置於發光裝置1120之下表面上。第一結合部分1121及第二結合部分1122可安置成在發光裝置1120之下表面上彼此間隔開。
第一結合部分1121可安置於第一引線框架1111上。第二結合部分1122可安置於第二引線框架1112上。
第一結合部分1121可安置於發光結構1123與第一引線框架1111之間。第二結合部分1122可安置於發光結構1123與第二引線框架1112之間。
根據實施例之發光裝置封裝可包含第一黏著劑1130。
第一黏著劑1130可安置於主體1113與發光裝置1120之間。第一黏著劑1130可安置於主體1113之上表面與發光裝置1120之下表面之間。
第一黏著劑1130可安置成在第一方向上與發光裝置1120重疊。第一黏著劑1130可安置成基於自主體1113之下表面朝向其上表面的方向與發光裝置1120重疊。
此外，根據實施例之發光裝置封裝可包含凹槽R。
凹槽R可設置於主體1113處。凹槽R可設置為在自主體1113之上表面朝向其下表面的第一方向上凹入。凹槽R可安置於發光裝置1120下方。凹槽R可設置為在第一方向上與發光裝置1120重疊。
凹槽R可安置於第一結合部分1121與第二結合部分1122
之間。凹槽R可設置為在第一方向上不與第一結合部分1121重疊。凹槽R可設置為在第一方向上不與第二結合部分1122重疊。
作為實例，第一黏著劑1130可安置於凹槽R處。第一黏著劑1130可安置於發光裝置1120與主體1113之間。第一黏著劑1130可安置於第一結合部分1121與第二結合部分1122之間。作為實例，第一黏著劑1130可安置成與第一結合部分1121之側表面及第二襯墊電極1122之側表面接觸。
第一黏著劑1130可提供發光裝置1120與封裝主體1110之間的穩定的固定力。第一黏著劑1130可提供發光裝置1120與主體1113之間的穩定的固定力。作為實例，第一黏著劑1130可安置成與主體1113之上表面直接接觸。此外，第一黏著劑1130可安置成與發光裝置1120之下表面直接接觸。
第一黏著劑1130可提供為絕緣黏著劑。作為實例，第一黏著劑1130可包含環氧樹脂基材料、聚矽氧基材料以及包含環氧樹脂基材料及聚矽氧基材料之混合材料中的至少一者。另外，作為實例，當第一黏著劑1130包含反射功能時，第一黏著劑1130可包含白色聚矽氧。
當光發射至發光裝置1120之下表面時，第一黏著劑1130可提供主體1113與發光裝置1120之間的穩定的固定力，且可提供發光裝置1120與主體1113之間的光漫射功能。當光自發光裝置1120發射至發光裝置1120之下表面時，第一黏著劑1130可藉由提供光漫射功能來改良發光裝置封裝1100之光提取效率。此外，第一黏著劑1130可反射自發光裝置1120發射之光。當第一黏著劑1130包含反射功能時，第一黏著劑1130可由包含TiO2、聚矽氧及其類似者之材料形成。
同時，根據實施例之發光裝置封裝1100可包含第二黏著劑1133，如圖24中所展示。
第二黏著劑1133可安置於第一引線框架1111與發光裝置1120之間。此外，第二黏著劑1133可安置於第二引線框架1112與發光裝置1120之間。
第二黏著劑1133可安置於主體1113之上表面與發光裝置1120之下表面之間。第二黏著劑1133可安置成與主體1113之上表面直接接觸。第二黏著劑1133可安置成與發光裝置1120之下表面直接接觸。
第二黏著劑1133可安置成與第一結合部分1121之下表面直接接觸。另外，第二黏著劑1133可安置成與第二結合部分1122之下表面直接接觸。
作為實例，第二黏著劑1133可提供為導電黏著劑。第一引線框架1111及第一結合部分1121可藉由第二黏著劑1133電連接。第二引線框架1112及第二結合部分1122可藉由第二黏著劑1133電連接。
作為實例，第二導體1222可包含選自由以下各者組成之群的至少一種材料：Ag、Au、Pt等或其合金。然而，本發明不限於此，且能夠確保導電功能之材料可用於第二導體1222。
作為實例，第二黏著劑1133可藉由使用導電膏形成。導電膏可選自由以下各者組成之群：焊錫膏、銀膏及其類似者。
根據實施例，第一黏著劑1130及第二黏著劑1133可包含不同材料。作為實例，第一黏著劑1130可提供為絕緣黏著劑，且第二黏著劑1133可提供為導電黏著劑。
此外，根據實施例之發光裝置封裝可包含第一上部凹槽R10及第二上部凹槽R20，如圖24中所展示。
第一上部凹槽R10可設置於第一引線框架1111之上表面處。第一上部凹槽R10可設置為自第一引線框架1111之上表面在下表面方向上凹入。第一上部凹槽R10可安置成與凹槽R間隔開。
第一上部凹槽R10可在基於自第一引線框架1111之下表面朝向其上表面之方向的第一方向上與第一結合部分1121重疊。基於第一方向，第一上部凹槽R10可與發光結構1123重疊。
如參看圖18所描述，當自發光裝置1120之上方向觀看時，第一上部凹槽R10可設置為自第一結合部分1121之三側向內延伸。舉例而言，第一上部凹槽R10可按「[」形狀設置於第一結合部分1121之周邊中。
如參看圖18所描述，當自發光裝置1120之上方向觀看時，第一上部凹槽R10可設置為鄰近於第二黏著劑1133之三側。舉例而言，第一上部凹槽R10可按「[」形狀設置於第二黏著劑1133之周邊中。
第一引線框架1111可包含在第一上部凹槽R10之設置方向上延伸的第一區。作為實例，第二黏著劑1133可安置於第一引線框架1111之第一區中。第二黏著劑1133可安置成基於第一方向與第一結合部分1121重疊。
在根據實施例之發光裝置封裝中，如上文參看圖18所描述，當自發光裝置1120之上方向觀看時，第一上部凹槽R10之部分區可在豎直方向上與發光結構1123重疊。作為實例，第一上部凹槽R10之鄰近於第一結合部分1121的側表面區可設置為在發光結構1123下方延伸。第一上部凹槽R10可安置成在豎直方向上與第一結合部分1121重疊。
根據實施例，第二上部凹槽R20可設置於第二引線框架1112之上表面上。第二上部凹槽R20可設置為自第二引線框架1112之上表面在下表面方向上凹入。第二上部凹槽R20可安置成與凹槽R間隔開。第二上部凹槽R20可安置成與第一上部凹槽R10間隔開。
第二上部凹槽R20可在基於自第二引線框架1112之下表面朝向其上表面之方向的第一方向上與第二結合部分1122重疊。第二上部凹槽R20可基於第一方向與發光結構1123重疊。
如參看圖18所描述，當自發光裝置1120之上方向觀看時，第二上部凹槽R20可設置為自第一結合部分1121之三側向內延伸。舉例而言，第二上部凹槽R20可按「]」形狀設置於第二結合部分1122之周邊中。
此外，如參看圖18所描述，當自發光裝置1120之上方向觀看時，第二上部凹槽R20可設置為鄰近於第二黏著劑1133之三側。舉例而言，第二上部凹槽R20可按「]」形狀設置於第二黏著劑1133之周邊中。
第二引線框架1112可包含在第二上部凹槽R20之設置方向上延伸的第一區。作為實例，第二黏著劑1133可安置於第二引線框架1112之第一區中。第二黏著劑1133可安置成基於第一方向與第二結合部分1122
重疊。
此外，在根據實施例之發光裝置封裝中，如上文參看圖18所描述，當自發光裝置1120之上方向觀看時，第二上部凹槽R20之部分區可在豎直方向上與發光結構1123重疊。作為實例，第二上部凹槽R20之鄰近於第二結合部分1122的側表面區可設置為在發光結構1123下方延伸。第二上部凹槽R20可安置成在豎直方向上與第二結合部分1122重疊。
舉例而言，第一上部凹槽R10及第二上部凹槽R20可具備幾十微米至幾百微米的寬度。
根據根據實施例之發光裝置封裝1100，如圖24中所展示，第二黏著劑1133可安置於第一引線框架1111及第二引線框架1112處。
第二黏著劑1133可設置於第一引線框架1111上且安置於第一結合部分1121下方。第二黏著劑1133可安置成與第一結合部分1121之下表面直接接觸。
第二黏著劑1133可設置於第二引線框架1112上且安置於第二結合部分1122下方。第二黏著劑1133可安置成與第二結合部分1122之下表面直接接觸。
根據實施例，第二黏著劑1133可設置於第一引線框架1111處，且發光裝置1120之第一結合部分1121可安裝於第二黏著劑1133上。
此時，在將發光裝置1120之第一結合部分1121安裝於第二黏著劑1133上的製程中，第二黏著劑1133之一部分可擴散至第一上部凹槽R10之區中且擴散至第一結合部分1121之側面。
然而，根據實施例，如圖24中所展示，當自發光裝置1120之上方向觀看時，當足夠地提供自發光裝置1120之側表面至第一結合部分1121之側表面的第二距離D2時，有可能防止第二黏著劑1133之一部分在第一結合部分1121之側表面上擴散且向發光裝置1120之側表面方向移動。
舉例而言，自發光裝置1120之側表面至第一結合部分1121之側表面的第二距離D2可提供為幾十微米。自發光裝置1120之側表面至第一結合部分1121之側表面的第二距離D2可提供為40微米或大於40微
米。作為實例，自發光裝置1120之側表面至第一結合部分1121之側表面的第二距離D2可提供為50至90微米。
因此，當足夠地提供自發光裝置1120之側表面至第一結合部分1121之側表面的第二距離D2時，自發光裝置1120之側表面至安置於發光裝置1120之下表面下方的第一上部凹槽R10之側表面的第一距離D1可提供為小於第二距離D2。
此外，自發光裝置1120之側表面至安置成在豎直方向上與發光裝置1120重疊的第一上部凹槽R10之側表面的第一距離D1可提供為比第二距離D2小幾微米或幾十微米。
根據實施例，第一上部凹槽R10之部分區可安置成在豎直方向上與第一結合部分1121之下表面重疊。因此，即使在第二黏著劑1133被過度提供且擴散至周邊時，第二黏著劑1133仍可擴散至第一上部凹槽R10區中而非沿第一結合部分1121之側表面在上方向上移動。
根據實施例，由於可防止第二黏著劑1133沿第一結合部分1121之側表面在發光結構1123之方向上擴散，因此有可能防止發光裝置1120由於第二黏著劑1133之擴散而電短路，該第二黏著劑係導電材料。
此外，當足夠地提供自發光裝置1120之側表面至第一結合部分1121之側表面的第二距離D2時，自發光裝置1120之側表面至安置於發光裝置1120之下表面下方的第一上部凹槽R10之側表面的第一距離D1可具備負值。亦即，發光裝置1120可安置成在豎直方向上不與第一上部凹槽R10重疊。
此外，類似於上文所描述之內容，第二黏著劑1133可設置於第二引線框架1112處，發光裝置1120之第二結合部分1122可安裝於第二黏著劑1133上。
此時，在將發光裝置1120之第二結合部分1122安裝於第二黏著劑1133上的製程中，第二黏著劑1133之一部分可擴散至第二上部凹槽R20之區中且可沿第二結合部分1122之側表面擴散。
然而，根據實施例，如圖24中所展示，當自發光裝置1120
之上方向觀看時，當足夠地提供自發光裝置1120之側表面至第二結合部分1122之側表面的第二距離時，有可能防止第二黏著劑1133之一部分在第二結合部分1122之側表面上擴散且向發光裝置1120之側表面方向移動。
舉例而言，自發光裝置1120之側表面至第二結合部分1122之側表面的第二距離可提供為幾十微米。自發光裝置1120之側表面至第二結合部分1122之側表面的第二距離可提供為40微米或大於40微米。作為實例，自發光裝置1120之側表面至第二結合部分1122之側表面的第二距離可提供為50至90微米。
因此，當足夠地提供自發光裝置1120之側表面至第二結合部分1122之側表面的第二距離時，自發光裝置1120之側表面至安置於發光裝置1120之下表面下方的第二上部凹槽R20之內側表面的第一距離可提供為小於第二距離。
此外，自發光裝置1120之側表面至安置成在豎直方向上與發光裝置1120重疊的第二上部凹槽R20之內側表面的第一距離D1可提供為比第二距離小幾微米或幾十微米。
根據實施例，第二上部凹槽R20之部分區可安置成在豎直方向上與第二結合部分1122之下表面重疊。因此，即使在第二黏著劑1133被過度提供且擴散至周邊時，第二黏著劑1133仍可擴散至第二上部凹槽R20區中而非沿第二結合部分1122之側表面在上方向上移動。
根據實施例，由於可防止第二黏著劑1133沿第二結合部分1122之側表面在發光結構1123之方向上擴散，因此有可能防止發光裝置1120由於第二黏著劑1133之擴散而電短路，該第二黏著劑係導電材料。
此外，當足夠地提供自發光裝置1120之側表面至第二結合部分1122之側表面的第二距離時，自發光裝置1120之側表面至安置於發光裝置1120之下表面下方的第二上部凹槽R20之內側表面的第一距離可具備負值。亦即，發光裝置1120可安置成在豎直方向上不與第二上部凹槽R20重疊。
如上文所描述，由於可防止第二黏著劑1133沿發光裝置
1120之側表面上升，因此可防止構成發光裝置1120之第一導電型半導體層及第二導電型半導體層電短路。此外，由於可防止第二黏著劑1133安置於構成發光裝置1120之作用層的側表面上，因此有可能改良發光裝置1120之光提取效率。
此外，根據實施例之發光裝置封裝1100可包含第一樹脂部分1135，如圖24中所展示。
第一樹脂部分1135可安置於第一引線框架1111與發光裝置1120之間。第一樹脂部分1135可安置於第二引線框架1112與發光裝置1120之間。
第一樹脂部分1135可安置於第一結合部分1121之側表面上。第一樹脂部分1135可安置於第二結合部分1122之側表面上。第一樹脂部分1135可安置於發光結構1123下方。第一樹脂部分1135可安置於第二黏著劑1133之側表面上。
此外，第一樹脂部分1135可與發光裝置1120之下表面直接接觸。第一樹脂部分1135可安置成與第二黏著劑1133之側表面直接接觸。第一樹脂部分1135可安置於第一上部凹槽R10處。第一樹脂部分1135可安置於第二上部凹槽R20處。
此外，根據實施例，第二黏著劑1133可溢出至第一上部凹槽R10。因此，第一樹脂部分1135可在第一上部凹槽R10中安置於第二黏著劑1133上。
根據實施例，即使在第二黏著劑1133藉由第一樹脂部分1135擴散至第一上部凹槽R10之區中或擴散至第一結合部分1121之側表面，仍可防止第二黏著劑1133在發光結構1123之側表面方向上移動。
第一樹脂部分1135可安置於第一上部凹槽R10中且與第二黏著劑1133接觸。第一樹脂部分1135可安置於第一上部凹槽R10中且設置於第二黏著劑1133之周邊處。第一樹脂部分1135可安置於第一上部凹槽R10中且設置於第一結合部分1121之周邊處。
此外，根據實施例，第二黏著劑1133可溢出至第二上部凹
槽R20。因此，第一樹脂部分1135可在第二上部凹槽R20中安置於第二黏著劑1133上。
根據實施例，即使在第二黏著劑1133藉由第一樹脂部分1135擴散至第二上部凹槽R20之區中或擴散至第二結合部分1122之側表面，仍可防止第二黏著劑1133在發光結構1123之側表面方向上移動。
第一樹脂部分1135可安置於第二上部凹槽R20中且與第二黏著劑1133接觸。第一樹脂部分1135可安置於第二上部凹槽R20中且設置於第二黏著劑1133之周邊處。第一樹脂部分1135可安置於第二上部凹槽R20中且設置於第二結合部分1122之周邊處。
因此，填充於第一上部凹槽R10及第二上部凹槽R20處之第一樹脂部分1135可有效地密封第一結合部分1121及第二結合部分1122之周邊。
作為實例，第一樹脂部分1135可包含環氧樹脂基材料、聚矽氧基材料以及包含環氧樹脂基材料及聚矽氧基材料之混合材料中的至少一者。舉例而言，第一樹脂部分1135可係反射自發光裝置1120發射之光的反射部分，作為實例，其可係含有諸如TiO2之反射性材料的樹脂。樹脂部分1135可包含白色聚矽氧。
第一樹脂部分1135可安置於發光裝置1120下方以執行密封功能。另外，第一樹脂部分1135可改良發光裝置1120與第一引線框架1111之間的黏著力。第一樹脂部分1135可改良發光裝置1120與第二引線框架1112之間的黏著力。
第一樹脂部分1135可圍繞第一結合部分1121及第二結合部分1122進行密封。第一樹脂部分1135可防止第二黏著劑1133在發光裝置1120之側表面方向上擴散且移動。
當第二黏著劑1133在發光裝置1120之側表面方向上擴散且移動時，第二黏著劑1133可與發光裝置1120之作用層接觸，藉此造成由於短路而發生的故障。因此，當已安置第一樹脂部分1135時，有可能防止由於第二黏著劑1133及作用層而發生之短路，藉此改良根據實施例之發光
裝置封裝的可靠性。
此外，當第一樹脂部分1135包含諸如白色聚矽氧之具有反射特性的材料時，第一樹脂部分1135可朝向封裝主體1110之上方向反射自發光裝置1120發射之光，藉此改良發光裝置封裝1100之光提取效率。
此外，根據實施例之發光裝置封裝可包含第二樹脂部分1140。
第二樹脂部分1140可設置於發光裝置1120上。第二樹脂部分1140可安置於第一引線框架1111及第二引線框架1112上。第二樹脂部分1140可安置於由封裝主體1110提供之空腔C上。第二樹脂部分1140可安置於第一樹脂部分1135上。
在根據實施例之發光裝置封裝1100中，電力可經由設置於第一引線框架1111上之第二黏著劑1133連接至第一結合部分1121，且電力可經由設置於第二引線框架1112上之第二黏著劑1133連接至第二結合部分1122。
因此，發光裝置1120可藉由經由第一結合部分1121及第二結合部分1122供應之驅動電力驅動。此外，可在封裝主體1110之上方向上提供自發光裝置1120發射之光。
同時，上文所描述的根據實施例之發光裝置封裝1100可被供應且安裝於子基板、電路板或其類似者上。
然而，當將習知發光裝置封裝安裝於子基板、電路板或其類似者上時，可應用諸如回焊之高溫製程。此時，在回焊製程中，在引線框架與設置於發光裝置封裝處的發光裝置之間的結合區中會發生重新熔融現象，使得可減弱電連接及實體耦接之穩定性。
然而，根據根據實施例之發光裝置封裝及製造發光裝置封裝之方法，根據實施例之發光裝置1120的第一結合部分1121及第二結合部分1122可藉由第二黏著劑1133接收驅動電力。此外，第二黏著劑1133之熔點可選擇為具有高於常用結合材料之熔點的值。
因此，由於根據實施例之發光裝置封裝1100即使在藉由回
焊製程將發光裝置封裝1100結合至主基板時仍不會造成重新熔融現象，因此電連接及實體結合力可能不會惡化。
此外，根據根據實施例之發光裝置封裝1100及製造發光裝置封裝之方法，由於發光裝置1120藉由使用導電膏安裝於封裝主體1110上，因此封裝主體1110在發光裝置封裝之製造製程中無需曝露於高溫。因此，根據實施例，有可能防止封裝主體1110由於曝露於高溫而受損或變色。
因此，可擴寬形成主體1113之材料的選擇範圍。根據實施例，可藉由不僅使用諸如陶瓷之昂貴材料而且使用相對便宜之樹脂材料來提供主體1113。
舉例而言，主體1113可包含選自由以下各者組成之群的至少一種材料：聚鄰苯二甲醯胺(PPA)樹脂、聚對苯二甲酸環己烷二甲醇酯(PCT)樹脂、環氧樹脂模製化合物(EMC)樹脂及聚矽氧模製化合物(SMC)樹脂。
接下來，將參看圖25描述根據本發明之實施例的發光裝置封裝之另一實例。
圖25中所展示的根據本發明之實施例的發光裝置封裝1300經展示為參看圖15至圖24所描述之發光裝置封裝1100安裝於電路板1310上且被供應的實例。
在參看圖25描述根據實施例之發光裝置封裝1300時，可省略對與參看圖1至圖24所描述之內容重疊的內容的描述。
根據實施例之發光裝置封裝1300可包含電路板1310、封裝主體1110及發光裝置1120，如圖25中所展示。
電路板1310可包含第一襯墊1311、第二襯墊1312及支撐基板1313。支撐基板1313可具備經組態以控制發光裝置1120之驅動的電力供應電路。
封裝主體1110可安置於電路板1310上。第一襯墊1311與第一結合部分1121可彼此電連接。第二襯墊1312與第二結合部分1122可彼此電連接。
第一襯墊1311及第二襯墊1312可包括導電材料。舉例而言，第一襯墊1311及第二襯墊1312可包含選自由以下各者組成之群的一種材料：Ti、Cu、Ni、Au、Cr、Ta、Pt、Sn、Ag、P、Fe、Sn、Zn及Al或其合金。第一襯墊1311及第二襯墊1312可提供為單層或多層。
封裝主體1110可包含第一引線框架1111及第二引線框架1112。第一引線框架1111及第二引線框架1112可安置成彼此間隔開。
封裝主體1110可包含主體1113。主體1113可安置於第一引線框架1111與第二引線框架1112之間。主體1113可充當一種電極分離線。
第一引線框架1111及第二引線框架1112可提供為導電框架。第一引線框架1111及第二引線框架1112可穩定地提供封裝主體1110之結構強度，且可電連接至發光裝置1120。
根據實施例，發光裝置1120可包含第一結合部分1121、第二結合部分1122、發光結構1123及基板1124。
發光裝置1120可安置於封裝主體1110上。發光裝置1120可安置於第一引線框架1111及第二引線框架1112上。發光裝置1120可安置於由封裝主體1110提供之空腔C中。發光裝置1120可安置於主體1113上。
第一結合部分1121可安置於發光裝置1120之下表面上。第二結合部分1122可安置於發光裝置1120之下表面上。第一結合部分1121及第二結合部分1122可安置成在發光裝置1120之下表面上彼此間隔開。
第一結合部分1121可安置於第一引線框架1111上。第二結合部分1122可安置於第二引線框架1112上。
第一結合部分1121可安置於發光結構1123與第一引線框架1111之間。第二結合部分1122可安置於發光結構1123與第二引線框架1112之間。
根據實施例之發光裝置封裝1300可包含第一黏著劑1130，如圖25中所展示。
第一黏著劑1130可安置於封裝主體1110與發光裝置1120
之間。第一黏著劑1130可安置於封裝主體1110之上表面與發光裝置1120之下表面之間。
第一黏著劑1130可安置成在第一方向上與發光裝置1120重疊。第一黏著劑1130可安置成基於自主體1113之下表面朝向其上表面的方向與發光裝置1120重疊。
此外，根據實施例之發光裝置封裝1300可包含凹槽R，如圖25中所展示。
凹槽R可設置於主體1113處。凹槽R可設置為在自主體1113之上表面朝向其下表面的第一方向上凹入。凹槽R可安置於發光裝置1120下方。凹槽R可設置為在第一方向上與發光裝置1120重疊。
凹槽R可安置於第一結合部分1121與第二結合部分1122之間。凹槽R可設置為在第一方向上不與第一結合部分1121重疊。凹槽R可設置為在第一方向上不與第二結合部分1122重疊。
作為實例，第一黏著劑1130可安置於凹槽R處。第一黏著劑1130可安置於發光裝置1120與主體1113之間。第一黏著劑1130可安置於第一結合部分1121與第二結合部分1122之間。作為實例，第一黏著劑1130可安置成與第一結合部分1121之側表面及第二襯墊電極1122之側表面接觸。
第一黏著劑1130可提供發光裝置1120與封裝主體1110之間的穩定的固定力。第一黏著劑1130可提供發光裝置1120與主體1113之間的穩定的固定力。作為實例，第一黏著劑1130可安置成與主體1113之上表面直接接觸。此外，第一黏著劑1130可安置成與發光裝置1120之下表面直接接觸。
第一黏著劑1130可提供為絕緣黏著劑。作為實例，第一黏著劑1130可包含環氧樹脂基材料、聚矽氧基材料以及包含環氧樹脂基材料及聚矽氧基材料之混合材料中的至少一者。另外，作為實例，當第一黏著劑1130包含反射功能時，第一黏著劑1130可包含白色聚矽氧。
當光發射至發光裝置1120之下表面時，第一黏著劑1130可
提供主體1113與發光裝置1120之間的穩定的固定力，且可提供發光裝置1120與主體1113之間的光漫射功能。當光自發光裝置1120發射至發光裝置1120之下表面時，第一黏著劑1130可藉由提供光漫射功能來改良發光裝置封裝1100之光提取效率。此外，第一黏著劑1130可反射自發光裝置1120發射之光。當第一黏著劑1130包含反射功能時，第一黏著劑1130可由包含TiO2、聚矽氧及其類似者之材料形成。
同時，根據實施例之發光裝置封裝1300可包含第二黏著劑1133，如圖25中所展示。
第二黏著劑1133可安置於第一引線框架1111與發光裝置1120之間。此外，第二黏著劑1133可安置於第二引線框架1112與發光裝置1120之間。
第二黏著劑1133可安置於封裝主體1110之上表面與發光裝置1120之下表面之間。第二黏著劑1133可安置成與封裝主體1110之上表面直接接觸。第二黏著劑1133可安置成與發光裝置1120之下表面直接接觸。
第二黏著劑1133可安置成與第一結合部分1121之下表面直接接觸。另外，第二黏著劑1133可安置成與第二結合部分1122之下表面直接接觸。
作為實例，第二黏著劑1133可提供為導電黏著劑。第一引線框架1111及第一結合部分1121可藉由第二黏著劑1133電連接。第二引線框架1112及第二結合部分1122可藉由第二黏著劑1133電連接。
作為實例，第二導體1222可包含選自由以下各者組成之群的至少一種材料：Ag、Au、Pt等或其合金。然而，本發明不限於此，且能夠確保導電功能之材料可用於第二導體1222。
作為實例，第二黏著劑1133可藉由使用導電膏形成。導電膏可選自由以下各者組成之群：焊錫膏、銀膏及其類似者。
根據實施例，第一黏著劑1130及第二黏著劑1133可包含不同材料。作為實例，第一黏著劑1130可提供為絕緣黏著劑，且第二黏著劑
1133可提供為導電黏著劑。
此外，根據實施例之發光裝置封裝1300可包含第一上部凹槽R10及第二上部凹槽R20，如圖25中所展示。
第一上部凹槽R10可設置於第一引線框架1111之上表面處。第一上部凹槽R10可設置為自第一引線框架1111之上表面在下表面方向上凹入。第一上部凹槽R10可安置成與凹槽R間隔開。
第一上部凹槽R10可在基於自第一引線框架1111之下表面朝向其上表面之方向的第一方向上與第一結合部分1121重疊。基於第一方向，第一上部凹槽R10可與發光結構1123重疊。
如參看圖18所描述，當自發光裝置1120之上方向觀看時，第一上部凹槽R10可設置為自第一結合部分1121之三側向內延伸。舉例而言，第一上部凹槽R10可按「[」形狀設置於第一結合部分1121之周邊中。
如參看圖18所描述，當自發光裝置1120之上方向觀看時，第一上部凹槽R10可設置為鄰近於第二黏著劑1133之三側。舉例而言，第一上部凹槽R10可按「[」形狀設置於第二黏著劑1133之周邊中。
第一引線框架1111可包含在第一上部凹槽R10之設置方向上延伸的第一區。作為實例，第二黏著劑1133可安置於第一引線框架1111之第一區中。第二黏著劑1133可安置成基於第一方向與第一結合部分1121重疊。
在根據實施例之發光裝置封裝中，如上文參看圖18所描述，當自發光裝置1120之上方向觀看時，第一上部凹槽R10之部分區可在豎直方向上與發光結構1123重疊。作為實例，第一上部凹槽R10之鄰近於第一結合部分1121的側表面區可設置為在發光結構1123下方延伸。第一上部凹槽R10可安置成在豎直方向上與第一結合部分1121重疊。
根據實施例，第二上部凹槽R20可設置於第二引線框架1112之上表面上。第二上部凹槽R20可設置為自第二引線框架1112之上表面在下表面方向上凹入。第二上部凹槽R20可安置成與凹槽R間隔開。第二上部凹槽R20可安置成與第一上部凹槽R10間隔開。
第二上部凹槽R20可在基於自第二引線框架1112之下表面朝向其上表面之方向的第一方向上與第二結合部分1122重疊。第二上部凹槽R20可基於第一方向與發光結構1123重疊。
如參看圖18所描述，當自發光裝置1120之上方向觀看時，第二上部凹槽R20可設置為自第一結合部分1121之三側向內延伸。舉例而言，第二上部凹槽R20可按「]」形狀設置於第二結合部分1122之周邊中。
此外，如參看圖18所描述，當自發光裝置1120之上方向觀看時，第二上部凹槽R20可設置為鄰近於第二黏著劑1133之三側。舉例而言，第二上部凹槽R20可按「]」形狀設置於第二黏著劑1133之周邊中。
第二引線框架1112可包含在第二上部凹槽R20之設置方向上延伸的第一區。作為實例，第二黏著劑1133可安置於第二引線框架1112之第一區中。第二黏著劑1133可安置成基於第一方向與第二結合部分1122重疊。
此外，在根據實施例之發光裝置封裝中，如上文參看圖18所描述，當自發光裝置1120之上方向觀看時，第二上部凹槽R20之部分區可在豎直方向上與發光結構1123重疊。作為實例，第二上部凹槽R20之鄰近於第二結合部分1122的側表面區可設置為在發光結構1123下方延伸。第二上部凹槽R20可安置成在豎直方向上與第二結合部分1122重疊。
舉例而言，第一上部凹槽R10及第二上部凹槽R20可具備幾十微米至幾百微米的寬度。
根據根據實施例之發光裝置封裝，如圖25中所展示，第二黏著劑1133可安置於第一引線框架1111及第二引線框架1112處。
第二黏著劑1133可設置於第一引線框架1111上且安置於第一結合部分1121下方。第二黏著劑1133可安置成與第一結合部分1121之下表面直接接觸。
第二黏著劑1133可設置於第二引線框架1112上且安置於第二結合部分1122下方。第二黏著劑1133可安置成與第二結合部分1122之下表面直接接觸。
根據實施例，第二黏著劑1133可設置於第一引線框架1111處，且發光裝置1120之第一結合部分1121可安裝於第二黏著劑1133上。
此時，在將發光裝置1120之第一結合部分1121安裝於第二黏著劑1133上的製程中，第二黏著劑1133之一部分可擴散至第一上部凹槽R10之區中且擴散至第一結合部分1121之側面。
然而，根據實施例，如上文參看圖17至圖19所描述，當自發光裝置1120之上方向觀看時，自發光裝置1120之側表面至第一結合部分1121之側表面的第二距離D2可提供為小於自發光裝置1120之側表面至安置於發光裝置1120之下表面下方的第一上部凹槽R10之側表面的第一距離D1。
作為實例，自發光裝置1120之側表面至第一結合部分1121之側表面的第二距離D2可提供為幾十微米。自發光裝置1120之側表面至第一結合部分1121之側表面的第二距離D2可提供為40至50微米。
此外，自發光裝置1120之側表面至發光裝置1120之下表面下方且在豎直方向上與發光裝置1120重疊的第一上部凹槽R10之側表面的第一距離D1可提供為比第二距離D2大幾微米或幾十微米。
第一上部凹槽R10之部分區可安置成在豎直方向上與第一結合部分1121之下表面重疊。因此，即使在第二黏著劑1133被過度提供且擴散至周邊時，第二黏著劑1133仍可擴散至第一上部凹槽R10之區中而非沿第一結合部分1121之側表面在向上方向上移動。
根據本實施例，由於可防止第二黏著劑1133沿第一結合部分1121之側表面在發光結構1123之方向上擴散，因此有可能防止發光裝置1120由於第二黏著劑1133之擴散而電短路，該第二黏著劑係導電材料。
此外，類似於上文所描述之內容，第二黏著劑1133可設置於第二引線框架1112處，發光裝置1120之第二結合部分1122可安裝於第二黏著劑1133上。
此時，在將發光裝置1120之第二結合部分1122安裝於第二黏著劑1133上的製程中，第二黏著劑1133之一部分可擴散至第二上部凹
槽R20之區中且可沿第二結合部分1122之側表面擴散。
根據實施例，如上文參看圖17至圖19所描述，當自發光裝置1120之上部部分的方向觀看時，自發光裝置1120之側表面至第二結合部分1122之側表面的距離可提供為小於自發光裝置1120之側表面至安置於發光裝置1120之下表面下方的第二上部凹槽R20之側表面的距離。
第二上部凹槽R20之部分區可安置成在豎直方向上與第二結合部分1122之下表面重疊。因此，即使在第二黏著劑1133被過度提供且擴散至周邊時，第二黏著劑1133仍可擴散至第二上部凹槽R20之區中而非沿第二結合部分1122之側表面在向上方向上移動。
根據實施例，由於可防止第二黏著劑1133沿第二結合部分1122之側表面在發光結構1123之方向上擴散，因此有可能防止發光裝置1120由於第二黏著劑1133之擴散而電短路，該第二黏著劑係導電材料。
如上文所描述，由於可防止第二黏著劑1133沿發光裝置1120之側表面上升，因此可防止構成發光裝置1120之第一導電型半導體層及第二導電型半導體層電短路。此外，由於可防止第二黏著劑1133安置於構成發光裝置1120之作用層的側表面上，因此有可能改良發光裝置1120之光提取效率。
此外，根據實施例之發光裝置封裝1300可包含第一樹脂部分1135，如圖25中所展示。
第一樹脂部分1135可安置於第一引線框架1111與發光裝置1120之間。第一樹脂部分1135可安置於第二引線框架1112與發光裝置1120之間。
第一樹脂部分1135可安置於第一結合部分1121之側表面上。第一樹脂部分1135可安置於第二結合部分1122之側表面上。第一樹脂部分1135可安置於發光結構1123下方。第一樹脂部分1135可安置於第二黏著劑1133之側表面上。
此外，第一樹脂部分1135可與發光裝置1120之下表面直接接觸。第一樹脂部分1135可安置成與第二黏著劑1133之側表面直接接觸。
第一樹脂部分1135可安置於第一上部凹槽R10處。第一樹脂部分1135可安置於第二上部凹槽R20處。
此外，根據實施例，第二黏著劑1133可溢出至第一上部凹槽R10。因此，第一樹脂部分1135可在第一上部凹槽R10中安置於第二黏著劑1133上。
根據實施例，即使在第二黏著劑1133藉由第一樹脂部分1135擴散至第一上部凹槽R10之區中或擴散至第一結合部分1121之側表面，仍可防止第二黏著劑1133在發光結構1123之側表面方向上移動。
第一樹脂部分1135可安置於第一上部凹槽R10中且與第二黏著劑1133接觸。第一樹脂部分1135可安置於第一上部凹槽R10中且設置於第二黏著劑1133之周邊處。第一樹脂部分1135可安置於第一上部凹槽R10中且設置於第一結合部分1121之周邊處。
此外，根據實施例，第二黏著劑1133可溢出至第二上部凹槽R20。因此，第一樹脂部分1135可在第二上部凹槽R20中安置於第二黏著劑1133上。
根據實施例，即使在第二黏著劑1133藉由第一樹脂部分1135擴散至第二上部凹槽R20之區中或擴散至第二結合部分1122之側表面，仍可防止第二黏著劑1133在發光結構1123之側表面方向上移動。
第一樹脂部分1135可安置於第二上部凹槽R20中且與第二黏著劑1133接觸。第一樹脂部分1135可安置於第二上部凹槽R20中且設置於第二黏著劑1133之周邊處。第一樹脂部分1135可安置於第二上部凹槽R20中且設置於第二結合部分1122之周邊處。
因此，填充於第一上部凹槽R10及第二上部凹槽R20處之第一樹脂部分1135可有效地密封第一結合部分1121及第二結合部分1122之周邊。
作為實例，第一樹脂部分1135可包含環氧樹脂基材料、聚矽氧基材料以及包含環氧樹脂基材料及聚矽氧基材料之混合材料中的至少一者。此外，第一樹脂部分1135可係反射自發光裝置1120發射之光的反射
部分，作為實例，其可係含有諸如TiO2之反射性材料的樹脂，或可包含白色聚矽氧。
第一樹脂部分1135可安置於發光裝置1120下方以執行密封功能。另外，第一樹脂部分1135可改良發光裝置1120與第一引線框架1111之間的黏著力。第一樹脂部分1135可改良發光裝置1120與第二引線框架1112之間的黏著力。
第一樹脂部分1135可圍繞第一結合部分1121及第二結合部分1122進行密封。第一樹脂部分1135可防止第二黏著劑1133在發光裝置1120之側表面方向上擴散且移動。
當第二黏著劑1133在發光裝置1120之側表面方向上擴散且移動時，第二黏著劑1133可與發光裝置1120之作用層接觸，藉此造成由於短路而發生的故障。因此，當已安置第一樹脂部分1135時，有可能防止由於第二黏著劑1133及作用層而發生之短路，藉此改良根據實施例之發光裝置封裝的可靠性。
此外，當第一樹脂部分1135包含諸如白色聚矽氧之具有反射特性的材料時，第一樹脂部分1135可朝向封裝主體1110之上方向反射自發光裝置1120發射之光，藉此改良發光裝置封裝之光提取效率。
此外，根據實施例之發光裝置封裝1300可包含第二樹脂部分1140，如圖25中所展示。
第二樹脂部分1140可設置於發光裝置1120上。第二樹脂部分1140可安置於第一引線框架1111及第二引線框架1112上。第二樹脂部分1140可安置於由封裝主體1110提供之空腔C上。第二樹脂部分1140可安置於第一樹脂部分1135上。
第二樹脂部分1140可包含絕緣材料。此外，第二樹脂部分1140可包含經組態以入射自發光裝置1120發射之光且提供波長轉換光的波長轉換部分。作為實例，第二樹脂部分1140可包含選自由以下各者組成之群的至少一者：磷光體、量子點及其類似者。
根據實施例，電路板1310之第一襯墊1311可電連接至第一
引線框架1111。此外，電路板1310之第二襯墊1312可電連接至第二引線框架112。
第一襯墊1311及第二襯墊1312可被稱作第三黏著劑。作為實例，第一襯墊1311及第二襯墊1312可形成導電黏著劑。
根據實施例，第一黏著劑1130可提供為絕緣黏著劑，且第二黏著劑1133及第三黏著劑可提供為導電黏著劑。此外，第二黏著劑1133及第三黏著劑可包含不同材料。
作為實例，第二黏著劑1133之熔點可選擇為高於第三黏著劑之熔點。因此，有可能防止在藉由第三黏著劑將封裝主體1110安裝於電路板1310上之製程中發生第二黏著劑1133之重新熔融現象。
因此，由於即使在根據實施例之發光裝置封裝1300藉由回焊製程結合至主基板時仍不會發生重新熔融現象，因此電連接及實體結合力可能不會惡化。
同時，根據實施例，單獨的結合層可另外設置於第一襯墊1311與第一引線框架1111之間。此外，單獨的結合層可另外設置於第二襯墊1312與第二引線框架1112之間。
如上文所描述，根據根據實施例之發光裝置封裝及製造發光裝置封裝之方法，根據實施例之發光裝置1120的第一結合部分1121及第二結合部分1122可藉由第二黏著劑1133接收驅動電力。此外，第二黏著劑1133之熔點可選擇為具有高於常用結合材料之熔點的值。
因此，由於根據實施例之發光裝置封裝即使在藉由回焊製程將發光裝置封裝1100結合至主基板時仍不會造成重新熔融現象，因此電連接及實體結合力可能不會惡化。
此外，根據根據實施例之發光裝置封裝1100及製造發光裝置封裝之方法，由於發光裝置1120藉由使用導電膏安裝於封裝主體1110上，因此封裝主體1110在發光裝置封裝之製造製程中無需曝露於高溫。因此，根據實施例，有可能防止封裝主體1110由於曝露於高溫而受損或變色。
因此，可擴寬形成主體1113之材料的選擇範圍。根據實施
例，可藉由不僅使用諸如陶瓷之昂貴材料而且使用相對便宜之樹脂材料來提供主體1113。
舉例而言，主體1113可包含選自由以下各者組成之群的至少一種材料：聚鄰苯二甲醯胺(PPA)樹脂、聚對苯二甲酸環己烷二甲醇酯(PCT)樹脂、環氧樹脂模製化合物(EMC)樹脂及聚矽氧模製化合物(SMC)樹脂。
同時，根據上文所描述之根據實施例的發光裝置封裝，封裝主體1110僅包含支撐部件，其中上表面係平坦的且可能不具備安置成傾斜之反射部分。
作為另一表示，根據根據實施例之發光裝置封裝，封裝主體1110可具備設置有空腔C之結構。另外，封裝主體1110可具備上表面平坦而未設置有空腔C之結構。
同時，作為實例，覆晶發光裝置可設置於上文所描述之發光裝置封裝中。
作為實例，覆晶發光裝置可提供為在六個表面方向上發射光之透射型覆晶發光裝置，或可提供為在五個表面方向上發射光之反射型覆晶發光裝置。
在五個表面方向上發射光之反射型覆晶發光裝置可具有反射層在接近於封裝主體之方向上安置的結構。舉例而言，反射型覆晶發光裝置可包含第一及第二結合部分1121、1122與發光結構之間的絕緣反射層(例如，分散式布瑞格反射體、全向反射體等)及/或導電型反射層(例如，Ag、Al、Ni、Au等)。
此外，覆晶發光裝置可包含電連接至第一導電型半導體層之第一結合部分1121及電連接至第二導電型半導體層之第二結合部分1122，且可提供為在第一結合部分1121與第二結合部分1122發射光之一般水平發光裝置。
另外，在六個表面方向上發射光之覆晶發光裝置可提供為透射型覆晶發光裝置，其包含反射層安置於第一結合部分1121與第二結合部
分1122之間的反射區，及發射光之透射區。
此處，透射型覆晶發光裝置意謂將光發射至一上表面、四個側表面及一下表面六個表面的裝置。此外，反射型覆晶發光裝置意謂將光發射至上表面及四個側表面之裝置。
同時，基於第一結合部分1121及第二結合部分1122與第二黏著劑1133直接接觸之狀況來描述上文所描述之根據實施例的發光裝置封裝。
然而，根據根據實施例之發光裝置封裝的又一實例，另一導電組件可進一步安置於第一結合部分1121及第二結合部分1122與第二黏著劑1133之間。
接下來，將參看圖26描述根據實施例之發光裝置封裝的另一實例。
在參看圖26描述根據實施例之發光裝置封裝時，可省略對與參看圖1至圖25所描述之內容重疊的內容的描述。
根據實施例之發光裝置封裝可包含封裝主體1110、發光裝置1120、第一導體1221及第二導體1222，如圖12中所展示。
封裝主體1110可包含第一引線框架1111及第二引線框架1112。第一引線框架1111及第二引線框架1112可安置成彼此間隔開。
封裝主體1110可包含主體1113。主體1113可安置於第一引線框架1111與第二引線框架1112之間。主體1113可充當一種電極分離線。
第一引線框架1111及第二引線框架1112可提供為導電框架。第一引線框架1111及第二引線框架1112可穩定地提供封裝主體1110之結構強度，且可電連接至發光裝置1120。
根據實施例，發光裝置1120可包含第一結合部分1121、第二結合部分1122、發光結構1123及基板1124。
發光裝置1120可安置於封裝主體1110上。發光裝置1120可安置於第一引線框架1111及第二引線框架1112上。發光裝置1120可安置於由封裝主體1110提供之空腔C中。發光裝置1120可安置於主體1113
上。
第一結合部分1121可安置於發光裝置1120之下表面上。第二結合部分1122可安置於發光裝置1120之下表面上。第一結合部分1121及第二結合部分1122可安置成在發光裝置1120之下表面上彼此間隔開。
根據實施例，第一導體1221可安置於第一結合部分1121下方。第一導體1221可電連接至第一結合部分1121。第一導體1221可安置成在第一方向上與第一結合部分1121重疊。
此外，第二導體1222可安置於第二結合部分1122下方。第二導體1222可電連接至第二結合部分1122。第二導體1222可安置成在第一方向上與第二結合部分1122重疊。
根據實施例之發光裝置封裝可包含第一黏著劑1130，如圖26中所展示。
第一黏著劑1130可安置於封裝主體1110與發光裝置1120之間。第一黏著劑1130可安置於封裝主體1110之上表面與發光裝置1120之下表面之間。
第一黏著劑1130可安置成在第一方向上與發光裝置1120重疊。第一黏著劑1130可安置成基於自主體1113之下表面朝向其上表面的方向與發光裝置1120重疊。
此外，根據實施例之發光裝置封裝可包含凹槽R，如圖26中所展示。
凹槽R可設置於主體1113處。凹槽R可設置為在自主體1113之上表面朝向其下表面的第一方向上凹入。凹槽R可安置於發光裝置1120下方。凹槽R可設置為在第一方向上與發光裝置1120重疊。
凹槽R可安置於第一結合部分1121與第二結合部分1122之間。凹槽R可設置為在第一方向上不與第一結合部分1121重疊。凹槽R可設置為在第一方向上不與第二結合部分1122重疊。
作為實例，第一黏著劑1130可安置於凹槽R處。第一黏著劑1130可安置於發光裝置1120與主體1113之間。第一黏著劑1130可安置
於第一結合部分1121與第二結合部分1122之間。作為實例，第一黏著劑1130可安置成與第一結合部分1121之側表面及第二襯墊電極1122之側表面接觸。
第一黏著劑1130可提供發光裝置1120與封裝主體1110之間的穩定的固定力。第一黏著劑1130可提供發光裝置1120與主體1113之間的穩定的固定力。作為實例，第一黏著劑1130可安置成與主體1113之上表面直接接觸。此外，第一黏著劑1130可安置成與發光裝置1120之下表面直接接觸。
第一黏著劑1130可提供為絕緣黏著劑。作為實例，第一黏著劑1130可包含環氧樹脂基材料、聚矽氧基材料以及包含環氧樹脂基材料及聚矽氧基材料之混合材料中的至少一者。另外，作為實例，當第一黏著劑1130包含反射功能時，第一黏著劑1130可包含白色聚矽氧。
當光發射至發光裝置1120之下表面時，第一黏著劑1130可提供主體1113與發光裝置1120之間的穩定的固定力，且可提供發光裝置1120與主體1113之間的光漫射功能。當光自發光裝置1120發射至發光裝置1120之下表面時，第一黏著劑1130可藉由提供光漫射功能來改良發光裝置封裝1100之光提取效率。此外，第一黏著劑1130可反射自發光裝置1120發射之光。當第一黏著劑1130包含反射功能時，第一黏著劑1130可由包含TiO2、聚矽氧及其類似者之材料形成。
同時，根據實施例之發光裝置封裝可包含第二黏著劑1133，如圖26中所展示。
第二黏著劑1133可安置於第一引線框架1111與發光裝置1120之間。此外，第二黏著劑1133可安置於第二引線框架1112與發光裝置1120之間。
根據實施例，第一導體1221可電連接至第一結合部分1121。第二導體1222可電連接至第二結合部分1122。第一導體1221及第二導體1222可分別安置於第一結合部分1121及第二結合部分1122與第二黏著劑1133之間。
根據實施例，第二黏著劑1133可安置於第一導體1221之下表面及側表面上，第二黏著劑1133可安置成與第一導體1221之下表面及側表面直接接觸。
如上文所描述，根據根據實施例之發光裝置封裝，第二黏著劑1133與結合部分1121之間的電連接可由第一導體1221更穩定地提供。
此外，根據實施例，第二黏著劑1133可安置於第二導體1222之下表面及側表面上，第二黏著劑1133可安置成與第二導體1222之下表面及側表面直接接觸。
如上文所描述，根據根據實施例之發光裝置封裝，第二黏著劑1133與第二結合部分1122之間的電連接可由第二導體1222更穩定地提供。
舉例而言，第一導體1221及第二導體1222可經由單獨的結合材料分別穩定地結合至第一結合部分1121及第二結合部分1122。此外，第一導體1221及第二導體1222之側表面及下表面可分別與第二黏著劑1133接觸。
因此，相較於第二黏著劑1133分別直接接觸第一導體1221及第二導體1222之下表面的狀況，可進一步增加第二黏著劑1133分別與第一導體1221及第二導體1222接觸之面積。因此，電力可經由第一導體1221及第二導體1222自第二黏著劑1133穩定地提供至第一結合部分1121及第二結合部分1122。
舉例而言，第二黏著劑1133可提供為導電黏著劑。作為實例，第二導體1222可包含選自由以下各者組成之群的至少一種材料：Ag、Au、Pt等或其合金。然而，本發明不限於此，且能夠確保導電功能之材料可用於第二導體1222。
作為實例，第二黏著劑1133可藉由使用導電膏形成。導電膏可選自由以下各者組成之群：焊錫膏、銀膏及其類似者。
根據實施例，第一黏著劑1130及第二黏著劑1133可包含不同材料。作為實例，第一黏著劑1130可提供為絕緣黏著劑，且第二黏著劑
1133可提供為導電黏著劑。
此外，第一導體1221及第二導體1222可包含選自由以下各者組成之群的至少一種材料：Ag、Au、Pt、Sn、Al等或其合金。然而，本發明不限於此，且能夠確保導電功能之材料可用於第一導體1221及第二導體1222。
此外，根據實施例之發光裝置封裝可包含第一上部凹槽R3及第二上部凹槽R4，如圖26中所展示。
第一上部凹槽R3可設置於第一引線框架1111之上表面上。第一上部凹槽R3可設置為自第一引線框架1111之上表面在下表面方向上凹入。第一上部凹槽R3可安置成與凹槽R間隔開。
第一上部凹槽R10可在基於自第一引線框架1111之下表面朝向其上表面之方向的第一方向上與第一結合部分1121重疊。基於第一方向，第一上部凹槽R10可與發光結構1123重疊。
如參看圖18所描述，當自發光裝置1120之上方向觀看時，第一上部凹槽R10可設置為自第一結合部分1121之三側向內延伸。舉例而言，第一上部凹槽R10可按「[」形狀設置於第一結合部分1121之周邊中。
如參看圖18所描述，當自發光裝置1120之上方向觀看時，第一上部凹槽R10可設置為鄰近於第二黏著劑1133之三側。舉例而言，第一上部凹槽R10可按「[」形狀設置於第二黏著劑1133之周邊中。
第一引線框架1111可包含在第一上部凹槽R10之設置方向上延伸的第一區。作為實例，第二黏著劑1133可安置於第一引線框架1111之第一區中。第二黏著劑1133可安置成基於第一方向與第一結合部分1121重疊。
在根據實施例之發光裝置封裝中，如上文參看圖18所描述，當自發光裝置1120之上方向觀看時，第一上部凹槽R10之部分區可在豎直方向上與發光結構1123重疊。作為實例，第一上部凹槽R10之鄰近於第一結合部分1121的側表面區可設置為在發光結構1123下方延伸。第一上部凹槽R10可安置成在豎直方向上與第一結合部分1121重疊。
根據實施例，第二上部凹槽R20可設置於第二引線框架1112之上表面上。第二上部凹槽R20可設置為自第二引線框架1112之上表面在下表面方向上凹入。第二上部凹槽R20可安置成與凹槽R間隔開。第二上部凹槽R20可安置成與第一上部凹槽R10間隔開。
第二上部凹槽R20可在基於自第二引線框架1112之下表面朝向其上表面之方向的第一方向上與第二結合部分1122重疊。第二上部凹槽R20可基於第一方向與發光結構1123重疊。
如參看圖18所描述，當自發光裝置1120之上方向觀看時，第二上部凹槽R20可設置為自第一結合部分1121之三側向內延伸。舉例而言，第二上部凹槽R20可按「]」形狀設置於第二結合部分1122之周邊中。
此外，如參看圖18所描述，當自發光裝置1120之上方向觀看時，第二上部凹槽R20可設置為鄰近於第二黏著劑1133之三側。舉例而言，第二上部凹槽R20可按「]」形狀設置於第二黏著劑1133之周邊中。
第二引線框架1112可包含在第二上部凹槽R20之設置方向上延伸的第一區。作為實例，第二黏著劑1133可安置於第二引線框架1112之第一區中。第二黏著劑1133可安置成基於第一方向與第二結合部分1122重疊。
此外，在根據實施例之發光裝置封裝中，如上文參看圖18所描述，當自發光裝置1120之上方向觀看時，第二上部凹槽R20之部分區可在豎直方向上與發光結構1123重疊。作為實例，第二上部凹槽R20之鄰近於第二結合部分1122的側表面區可設置為在發光結構1123下方延伸。第二上部凹槽R20可安置成在豎直方向上與第二結合部分1122重疊。
舉例而言，第一上部凹槽R10及第二上部凹槽R20可具備幾十微米至幾百微米的寬度。
根據根據實施例之發光裝置封裝，如圖26中所展示，第二黏著劑1133可安置於第一引線框架1111及第二引線框架1112處。
第二黏著劑1133可設置於第一引線框架1111上且安置於第一結合部分1121下方。第二黏著劑1133可安置成與第一導體1221之下表
面直接接觸。
第二黏著劑1133可設置於第二引線框架1112上且安置於第二結合部分1122下方。第二黏著劑1133可安置成與第二導體1222之下表面直接接觸。
根據實施例，第二黏著劑1133可設置於第一引線框架1111處，且發光裝置1120之第一結合部分1121及第一導體1221可安裝於第二黏著劑1133上。
此時，在將發光裝置1120之第一結合部分1121及第一導體1221安裝於第二黏著劑1133上的製程中，第二黏著劑1133之一部分可擴散至第一上部凹槽R10之區中且擴散至第一導體1221之側面。
然而，根據實施例，如上文參看圖17至圖19所描述，當自發光裝置1120之上方向觀看時，自發光裝置1120之側表面至第一結合部分1121之側表面的第二距離D2可提供為小於自發光裝置1120之側表面至安置於發光裝置1120之下表面下方的第一上部凹槽R10之側表面的第一距離D1。
作為實例，自發光裝置1120之側表面至第一結合部分1121之側表面的第二距離D2可提供為幾十微米。自發光裝置1120之側表面至第一結合部分1121之側表面的第二距離D2可提供為40至50微米。
此外，自發光裝置1120之側表面至發光裝置1120之下表面下方且在豎直方向上與發光裝置1120重疊的第一上部凹槽R10之側表面的第一距離D1可提供為比第二距離D2大幾微米或幾十微米。
第一上部凹槽R10之部分區可安置成在豎直方向上與第一結合部分1121之下表面重疊。因此，即使在第二黏著劑1133被過度提供且擴散至周邊時，第二黏著劑1133仍可擴散至第一上部凹槽R10之區中而非沿第一導體1221之側表面在向上方向上移動。
此外，根據實施例，由於第一導體1221設置於第一結合部分1121與第二黏著劑1133之間，因此有可能防止第二黏著劑1133沿第一結合部分1121之側表面在上方向上移動。
根據實施例，由於可防止第二黏著劑1133沿第一結合部分1121之側表面在發光結構1123之方向上擴散，因此有可能防止發光裝置1120由於第二黏著劑1133之擴散而電短路，該第二黏著劑係導電材料。
此外，如上文所描述，第二黏著劑1133設置於第二引線框架1112處，且發光裝置1120之第二結合部分1122可安裝於第二黏著劑1133上。
此時，在將發光裝置1120之第二結合部分1122及第二導體1222安裝於第二黏著劑1133上的製程中，第二黏著劑1133之一部分可擴散至第二上部凹槽R20且可沿第二導體1222之側表面擴散。
此外，根據實施例，如圖17至圖19中所展示，當自發光裝置1120之上方向觀看時，自發光裝置1120之側表面至第二結合部分1122之側表面的第二距離D2可提供為小於自發光裝置1120之側表面至安置於發光裝置1120之下表面下方的第二上部凹槽R20之側表面的第一距離D1。
第二上部凹槽R20之部分區可安置成在豎直方向上與第二結合部分1122之下表面重疊。因此，即使在第二黏著劑1133被過度提供且擴散至周邊時，第二黏著劑1133仍可擴散至第二上部凹槽R20區中而非沿第二結合部分1122之側表面在上方向上移動。
此外，根據實施例，由於第二導體1222設置於第二結合部分1122與第二黏著劑1133之間，因此有可能防止第二黏著劑1133沿第二結合部分1122之側表面在上方向上移動。
根據本實施例，由於可防止第二黏著劑1133沿第一結合部分1121之側表面在發光結構1123之方向上擴散，因此有可能防止發光裝置1120由於第二黏著劑1133之擴散而電短路，該第二黏著劑係導電材料。
如上文所描述，由於可防止第二黏著劑1133沿發光裝置1120之側表面上升，因此可防止構成發光裝置1120之第一導電型半導體層及第二導電型半導體層電短路。此外，由於可防止第二黏著劑1133安置於構成發光裝置1120之作用層的側表面上，因此有可能改良發光裝置1120之光提取效率。
此外，根據實施例之發光裝置封裝可包含第一樹脂部分1135，如圖26中所展示。
第一樹脂部分1135可安置於第一引線框架1111與發光裝置1120之間。第一樹脂部分1135可安置於第二引線框架1112與發光裝置1120之間。
第一樹脂部分1135可安置於第一結合部分1121之側表面上。第一樹脂部分1135可安置於第二結合部分1122之側表面上。第一樹脂部分1135可安置於發光結構1123下方。第一樹脂部分1135可安置於第二黏著劑1133之側表面上。
樹脂部分1135可安置於第一導體1221之側表面上。樹脂部分1135可安置於第二導體1222之側表面上。
此外，第一樹脂部分1135可與發光裝置1120之下表面直接接觸。第一樹脂部分1135可安置成與第二黏著劑1133之側表面直接接觸。第一樹脂部分1135可安置於第一上部凹槽R10處。第一樹脂部分1135可安置於第二上部凹槽R20處。
此外，根據實施例，第二黏著劑1133可溢出至第一上部凹槽R10。因此，第一樹脂部分1135可在第一上部凹槽R10中安置於第二黏著劑1133上。
根據實施例，即使在第二黏著劑1133藉由第一樹脂部分1135擴散至第一上部凹槽R10之區中或擴散至第一結合部分1121之側表面，仍可防止第二黏著劑1133在發光結構1123之側表面方向上移動。
第一樹脂部分1135可安置於第一上部凹槽R10中且與第二黏著劑1133接觸。第一樹脂部分1135可安置於第一上部凹槽R10中且設置於第二黏著劑1133之周邊處。第一樹脂部分1135可安置於第一上部凹槽R10中且設置於第一結合部分1121之周邊處。第一樹脂部分1135可安置於第一上部凹槽R10中且設置於第一導體1221之周邊處。
此外，根據實施例，第二黏著劑1133可溢出至第二上部凹槽R20。因此，第一樹脂部分1135可在第二上部凹槽R20中安置於第二黏
著劑1133上。
根據實施例，即使在第二黏著劑1133藉由第一樹脂部分1135擴散至第二上部凹槽R20之區中或擴散至第二結合部分1122之側表面，仍可防止第二黏著劑1133在發光結構1123之側表面方向上移動。
第一樹脂部分1135可安置於第二上部凹槽R20中且與第二黏著劑1133接觸。第一樹脂部分1135可安置於第二上部凹槽R20中且設置於第二黏著劑1133之周邊處。第一樹脂部分1135可安置於第二上部凹槽R20中且設置於第二結合部分1122之周邊處。第一樹脂部分1135可安置於第二上部凹槽R20中且設置於第二導體1222之周邊處。
因此，填充於第一上部凹槽R10及第二上部凹槽R20處之第一樹脂部分1135可有效地密封第一結合部分1121及第二結合部分1122之周邊。
作為實例，第一樹脂部分1135可包含環氧樹脂基材料、聚矽氧基材料以及包含環氧樹脂基材料及聚矽氧基材料之混合材料中的至少一者。此外，第一樹脂部分1135可係反射自發光裝置1120發射之光的反射部分，作為實例，其可係含有諸如TiO2之反射性材料的樹脂，或可包含白色聚矽氧。
第一樹脂部分1135可安置於發光裝置1120下方以執行密封功能。另外，第一樹脂部分1135可改良發光裝置1120與第一引線框架1111之間的黏著力。第一樹脂部分1135可改良發光裝置1120與第二引線框架1112之間的黏著力。
第一樹脂部分1135可圍繞第一結合部分1121及第二結合部分1122進行密封。第一樹脂部分1135可防止第二黏著劑1133在發光裝置1120之側表面方向上擴散且移動。
當第二黏著劑1133在發光裝置1120之側表面方向上擴散且移動時，第二黏著劑1133可與發光裝置1120之作用層接觸，藉此造成由於短路而發生的故障。因此，當已安置第一樹脂部分1135時，有可能防止由於第二黏著劑1133及作用層而發生之短路，藉此改良根據實施例之發光
裝置封裝的可靠性。
此外，當第一樹脂部分1135包含諸如白色聚矽氧之具有反射特性的材料時，第一樹脂部分1135可朝向封裝主體1110之上方向反射自發光裝置1120發射之光，藉此改良發光裝置封裝之光提取效率。
此外，根據實施例之發光裝置封裝可包含第二樹脂部分1140，如圖26中所展示。
第二樹脂部分1140可設置於發光裝置1120上。第二樹脂部分1140可安置於第一引線框架1111及第二引線框架1112上。第二樹脂部分1140可安置於由封裝主體1110提供之空腔C上。第二樹脂部分1140可安置於第一樹脂部分1135上。
第二樹脂部分1140可包含絕緣材料。此外，第二樹脂部分1140可包含經組態以入射自發光裝置1120發射之光且提供波長轉換光的波長轉換部分。作為實例，第二樹脂部分1140可包含選自由以下各者組成之群的至少一者：磷光體、量子點及其類似者。
在根據實施例之發光裝置封裝中，電力可經由設置於第一引線框架1111上之第二黏著劑1133連接至第一結合部分1121，且電力可經由設置於第二引線框架1112上之第二黏著劑1133連接至第二結合部分1122。
因此，發光裝置1120可藉由經由第一結合部分1121及第二結合部分1122供應之驅動電力驅動。此外，可在封裝主體1110之上方向上提供自發光裝置1120發射之光。
同時，上文所描述的根據實施例之發光裝置封裝可被供應且安裝於子基板、電路板或其類似者上。
然而，當將習知發光裝置封裝安裝於子基板、電路板或其類似者上時，可應用諸如回焊之高溫製程。此時，在回焊製程中，在引線框架與設置於發光裝置封裝處的發光裝置之間的結合區中會發生重新熔融現象，使得可減弱電連接及實體耦接之穩定性。
然而，根據根據實施例之發光裝置封裝及製造發光裝置封裝
之方法，根據實施例之發光裝置1120的第一結合部分1121及第二結合部分1122可藉由第二黏著劑1133接收驅動電力。此外，第二黏著劑1133之熔點可選擇為具有高於常用結合材料之熔點的值。
因此，由於根據實施例之發光裝置封裝1100即使在藉由回焊製程將發光裝置封裝1100結合至主基板時仍不會造成重新熔融現象，因此電連接及實體結合力可能不會惡化。
此外，根據根據實施例之發光裝置封裝1100及製造發光裝置封裝之方法，由於發光裝置1120藉由使用導電膏安裝於封裝主體1110上，因此封裝主體1110在發光裝置封裝之製造製程中無需曝露於高溫。因此，根據實施例，有可能防止封裝主體1110由於曝露於高溫而受損或變色。
因此，可擴寬形成主體1113之材料的選擇範圍。根據實施例，可藉由不僅使用諸如陶瓷之昂貴材料而且使用相對便宜之樹脂材料來提供主體1113。
舉例而言，主體1113可包含選自由以下各者組成之群的至少一種材料：聚鄰苯二甲醯胺(PPA)樹脂、聚對苯二甲酸環己烷二甲醇酯(PCT)樹脂、環氧樹脂模製化合物(EMC)樹脂及聚矽氧模製化合物(SMC)樹脂。
同時，根據上文所描述之根據實施例的發光裝置封裝，封裝主體1110僅包含支撐部件，其中上表面係平坦的且可能不具備安置成傾斜之反射部分。
作為另一表示，根據根據實施例之發光裝置封裝，封裝主體1110可具備設置有空腔C之結構。另外，封裝主體1110可具備上表面平坦而未設置有空腔C之結構。
同時，如上文參看圖1至圖26所描述之根據實施例的發光裝置封裝可應用於光源設備。
另外，基於工業領域，光源設備可包括顯示設備、照明設備、頭燈及其類似者。
作為光源設備之實例，顯示設備包括：底部蓋罩；反射板，
其安置於底部蓋罩上；發光模組，其發射光且包括發光裝置；光導板，其安置於反射板之前部上且導引自發光模組發射之光；光學薄片，其包括安置於光導板前方之稜鏡薄片；顯示面板，其安置於光學薄片之前方；影像信號輸出電路，其連接至顯示面板且將影像信號供應至顯示面板；及彩色濾光片，其安置於顯示面板之前方。在本文中，底部蓋罩、反射板、發光模組、光導板及光學薄片可形成背光單元。此外，顯示裝置可具有結構，其中安置各自發射紅光、綠光及藍光之發光裝置而不包括彩色濾光片。
作為光源設備之另一實例，頭燈可包括：發光模組，其包括安置於基板上之發光裝置封裝；反射體，其用於在預定方向上，例如在前向方向上反射自發光模組發射之光；透鏡，其用於向前折射光；及遮光物，其用於阻擋或反射由反射體反射且引導至透鏡的光之一部分以形成設計者所需要的光分佈圖案。
作為另一光源設備之照明設備可包括蓋罩、光源模組、散熱片、電源供應器、內殼及插槽。此外，根據實施例之光源設備可進一步包括部件及固持器中的至少一者。光源模組可包括根據實施例之發光裝置封裝。
上文實施例中所描述之特徵、結構、效應及其類似者包括於至少一個實施例中且不限於僅一個實施例。另外，關於實施例中所描述之特徵、結構、效應及其類似者，一般熟習此項技術者可藉由組合或修改進行其他實施例。因此，與組合及修改相關之內容應視為包括在實施例之範圍中。
儘管已在前述描述中提出並闡述較佳實施例，但不應將本發明視為限於此。一般熟習此項技術者將顯而易見，在不脫離本發明之實施例的固有特徵的情況下，可在範圍內進行未說明之各種變形及修改。舉例而言，可藉由修改來進行實施例中特定地展示之每一組件。此外，顯而易見的係，與修改及變形相關之差異包括在本發明之隨附申請專利範圍中設定的實施例之範圍中。
100:發光裝置封裝
110:封裝主體
111:第一引線框架
112:第二引線框架
113:主體
120:發光裝置
135:樹脂部分
R:凹槽
R3:第一上部凹槽
R4:第二上部凹槽
Claims (10)
- 一種發光裝置封裝，其包含：一第一引線框架及一第二引線框架，該第一引線框架及該第二引線框架安置成彼此間隔開；一主體，其安置於該第一引線框架與該第二引線框架之間且包含一凹槽；一第一黏著劑，位於該凹槽上；一發光裝置，位於該第一黏著劑上；一第二黏著劑，其安置於該第一引線框架及該第二引線框架與該發光裝置之間；及一樹脂部分，其環繞安置該第二黏著劑及該發光裝置之一部分區。
- 如請求項1之發光裝置封裝，其中該發光裝置包含：一發光結構，其包含一第一導電型半導體層、一第二導電型半導體層及安置於該第一導電型半導體層與該第二導電型半導體層之間的一作用層；一第一結合部分，其在該發光結構上且電連接至該第一導電型半導體層；及一第二結合部分，其在該發光結構上安置成與該第一結合部分間隔開且電連接至該第二導電型半導體層，其中該第一引線框架包含安置有該第二黏著劑及該第一結合部分之一第一區及環繞安置該第一區之一部分的一第一上部凹槽，且其中該第二引線框架包含安置有該第二黏著劑及該第二結合部分之一第二區及環繞安置該第二區之一部分的一第二上部凹槽。
- 如請求項2之發光裝置封裝，其中該樹脂部分安置於該第一上部凹槽及該第二上部凹槽上。
- 如請求項2之發光裝置封裝，其中該第一上部凹槽包含在垂直於該發光結構之一下表面且平行於該發光結構之一側表面的一第一方向上與該發光結構重疊的一第一內側表面，其中，當該發光結構之該側表面與該第一結合部分之一側表面之間的在 一第二方向上的一第一距離等於或大於40微米時，該發光結構之該側表面與該第一內側表面之間的在該第二方向上的一距離小於該第一距離，其中，當該發光結構之該側表面與該第一結合部分之該側表面之間的在該第二方向上的該第一距離小於40微米時，該發光結構之該側表面與該第一內側表面之間的在該第二方向上的該距離大於該第一距離，且其中該第二方向提供為垂直於該第一方向。
- 如請求項4之發光裝置封裝，其中該第一上部凹槽之一部分區安置成在該第一方向上與該第一結合部分之一下表面重疊。
- 如請求項1之發光裝置封裝，其中該第一黏著劑係一絕緣黏著劑，且該第二黏著劑提供為一導電黏著劑。
- 如請求項2之發光裝置封裝，其中該第一黏著劑與該主體之一上表面直接接觸並與該發光裝置之一下表面直接接觸，且其中該第二黏著劑與該第一引線框架之一上表面直接接觸並與該第一結合部分之一下表面直接接觸。
- 如請求項2之發光裝置封裝，其中該樹脂部分安置於該第一上部凹槽及該第二上部凹槽中且與該第二黏著劑接觸。
- 如請求項1之發光裝置封裝，其中該樹脂部分與該發光裝置之一下表面直接接觸且與該第二黏著劑之一側表面直接接觸。
- 如請求項4之發光裝置封裝，其中該第一黏著劑安置成基於該第一方向與該發光裝置重疊，且其中該第二黏著劑安置成基於該第一方向與該第一結合部分重疊。
Applications Claiming Priority (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020170093031A KR102359818B1 (ko) | 2017-07-21 | 2017-07-21 | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 |
| ??10-2017-0093031 | 2017-07-21 | ||
| KR10-2017-0093032 | 2017-07-21 | ||
| KR1020170093032A KR102369245B1 (ko) | 2017-07-21 | 2017-07-21 | 발광소자 패키지 |
| KR10-2017-0093031 | 2017-07-21 | ||
| ??10-2017-0093032 | 2017-07-21 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201909451A TW201909451A (zh) | 2019-03-01 |
| TWI778103B true TWI778103B (zh) | 2022-09-21 |
Family
ID=65023148
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW107125226A TWI778103B (zh) | 2017-07-21 | 2018-07-20 | 發光裝置封裝 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10497827B2 (zh) |
| CN (2) | CN109285932B (zh) |
| TW (1) | TWI778103B (zh) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102455086B1 (ko) * | 2017-09-12 | 2022-10-17 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광소자 패키지 및 광원장치 |
| KR102392013B1 (ko) * | 2017-09-15 | 2022-04-28 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광소자 패키지 |
| KR102471693B1 (ko) * | 2017-12-05 | 2022-11-28 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광소자 패키지 및 광원 장치 |
| KR102473424B1 (ko) * | 2018-01-03 | 2022-12-02 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광소자 패키지 |
| DE102018125138A1 (de) * | 2018-10-11 | 2020-04-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes bauteil und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden bauteils |
| US10811578B1 (en) * | 2019-03-27 | 2020-10-20 | Lextar Electronics Corporation | LED carrier and LED package having the same |
| DE102020118693A1 (de) * | 2020-07-15 | 2022-01-20 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Bauelement und verfahren zur herstellung eines bauelements |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20120211789A1 (en) * | 2011-02-22 | 2012-08-23 | Samsung Led Co., Ltd. | Light emitting device package |
| US20140335635A1 (en) * | 2013-05-10 | 2014-11-13 | Osram Sylvania Inc. | Electronic assemblies including a subassembly film and methods of producing the same |
| US20150155441A1 (en) * | 2012-06-15 | 2015-06-04 | Andrei Alexeev | LED package and method for producing the same |
| US20160079507A1 (en) * | 2011-11-16 | 2016-03-17 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and lighting apparatus having the same |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2666228B2 (ja) * | 1991-10-30 | 1997-10-22 | 豊田合成株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| US6936855B1 (en) * | 2002-01-16 | 2005-08-30 | Shane Harrah | Bendable high flux LED array |
| JP4295525B2 (ja) * | 2003-01-28 | 2009-07-15 | 京セラ株式会社 | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 |
| TW570301U (en) * | 2003-02-13 | 2004-01-01 | Shang-Hua You | Adhesive type LED lead frame |
| US20080237814A1 (en) * | 2007-03-26 | 2008-10-02 | National Semiconductor Corporation | Isolated solder pads |
| JP5137059B2 (ja) * | 2007-06-20 | 2013-02-06 | 新光電気工業株式会社 | 電子部品用パッケージ及びその製造方法と電子部品装置 |
| KR101997247B1 (ko) * | 2012-11-14 | 2019-07-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치 |
| KR102199991B1 (ko) * | 2014-05-28 | 2021-01-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 이를 구비한 라이트 유닛 |
| CN105428508B (zh) * | 2015-12-02 | 2018-08-24 | 开发晶照明（厦门）有限公司 | 封装基板以及led倒装封装结构 |
-
2018
- 2018-07-20 US US16/041,081 patent/US10497827B2/en active Active
- 2018-07-20 TW TW107125226A patent/TWI778103B/zh active
- 2018-07-23 CN CN201810811647.0A patent/CN109285932B/zh active Active
- 2018-07-23 CN CN202311244096.1A patent/CN117374190A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20120211789A1 (en) * | 2011-02-22 | 2012-08-23 | Samsung Led Co., Ltd. | Light emitting device package |
| US20160079507A1 (en) * | 2011-11-16 | 2016-03-17 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and lighting apparatus having the same |
| US20150155441A1 (en) * | 2012-06-15 | 2015-06-04 | Andrei Alexeev | LED package and method for producing the same |
| US20140335635A1 (en) * | 2013-05-10 | 2014-11-13 | Osram Sylvania Inc. | Electronic assemblies including a subassembly film and methods of producing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201909451A (zh) | 2019-03-01 |
| US10497827B2 (en) | 2019-12-03 |
| CN117374190A (zh) | 2024-01-09 |
| CN109285932B (zh) | 2023-10-20 |
| US20190027641A1 (en) | 2019-01-24 |
| CN109285932A (zh) | 2019-01-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109964323B (zh) | 发光器件封装和包括该发光器件封装的光源设备 | |
| TWI778103B (zh) | 發光裝置封裝 | |
| JP7182782B2 (ja) | 発光素子パッケージ及び光源装置 | |
| CN109256457B (zh) | 发光器件和发光器件封装 | |
| TWI790248B (zh) | 發光裝置封裝 | |
| CN109244224B (zh) | 发光器件封装 | |
| CN109994589B (zh) | 发光器件封装 | |
| US11302846B2 (en) | Light emitting device package and light source unit | |
| JP6964345B2 (ja) | 発光素子パッケージ及び光源装置 | |
| TWI775911B (zh) | 發光裝置封裝 | |
| JP2020532851A (ja) | 発光素子パッケージ | |
| KR20190066519A (ko) | 발광소자 패키지 및 광원 장치 | |
| KR20190034016A (ko) | 발광소자 패키지 및 조명 모듈 | |
| KR102501888B1 (ko) | 반도체 소자 및 반도체 소자 패키지 | |
| KR102610607B1 (ko) | 발광소자 패키지 | |
| KR102644793B1 (ko) | 발광소자 패키지 | |
| KR102459103B1 (ko) | 발광소자 패키지 및 광원 장치 | |
| KR102509064B1 (ko) | 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 조명장치 | |
| US20210193877A1 (en) | Light emitting device package | |
| KR20190093413A (ko) | 발광소자 패키지 및 광원 장치 | |
| KR20190028014A (ko) | 발광소자 패키지 | |
| KR20190087249A (ko) | 발광소자 패키지 및 광원 장치 | |
| KR20190010352A (ko) | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 | |
| KR20190025330A (ko) | 발광소자 패키지 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent |