CN109244224B - 发光器件封装 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种发光器件封装。根据实施例的发光器件封装包括：主体，包括穿过主体的上表面和主体的下表面的第一和第二开口；发光器件，被布置在主体上并包括第一和第二结合部；以及第一导电层和第二导电层，分别被布置在主体下面并且电连接到第一和第二结合部，其中第一和第二结合部中的每个包括在第一和第二开口内在向下方向中突出并且延伸的突出部分。

Description

发光器件封装
技术领域
本实施例涉及半导体器件封装、制造半导体器件封装的方法和光源装置。
背景技术
包括诸如GaN和AlGaN的化合物的半导体器件具有许多优点，诸如宽且易于调节的带隙能量，因此该器件能够以各种方式用作发光器件、光接收器件和各种二极管。
特别地，由于薄膜生长技术和器件材料的发展，通过使用III-V族或II-VI族化合物半导体物质获得的诸如发光二极管和激光二极管的发光器件能够实现具有各种波段的光，诸如红色、绿色、蓝色和紫外线。另外，通过使用III-V族或II-VI族化合物半导体物质获得的诸如发光二极管和激光二极管的发光器件能够通过使用荧光物质或组合颜色来实现具有高效率的白光源。与诸如荧光灯和白炽灯的传统光源相比，这种发光器件具有诸如低功耗、半永久寿命、快速响应速度、安全性和环境友好性的优点。
此外，当使用III-V族或II-VI族化合物半导体物质制造诸如光电探测器或太阳能电池的光接收器件时，随着器件材料的发展，通过吸收具有各种波长域的光来产生光电流，使得能够使用具有各种波长域的光，例如从伽马射线到无线电波。另外，上述光接收器件具有诸如响应速度快、安全、环保、易于控制器件材料等优点，使得光接收器件能够方便地用于电源控制、超高频电路或通信模块。
因此，半导体器件已经应用并扩展到光通信工具的传输模块、替换构成液晶显示器(LCD)的背光的冷阴极荧光灯(CCFL)的发光二极管背光源、可替换荧光灯或白炽灯泡的白色发光二极管照明装置、车辆前灯、交通灯和用于检测气体或火的传感器。另外，半导体器件的应用能够被扩展到高频应用电路、功率控制装置或通信模块。
例如，发光器件可以被提供作为具有通过使用元素周期表中的III-V族元素或II-VI族元素将电能转换成光能的特性的pn结二极管，并且能够通过调节化合物半导体物质的组分比实现各种波长。
例如，因为氮化物半导体具有高热稳定性和宽带隙能量，所以在光学器件和高功率电子设备的开发领域中已经受到极大关注。特别地，使用氮化物半导体的蓝色发光器件、绿色发光器件、紫外(UV)发光器件和红色发光器件被商业化并广泛使用。
例如，紫外发光器件指的是产生分布在200nm至400nm的波长范围内的光的发光二极管。在上述波长范围中，短波长可以被用于灭菌、纯化等，并且长波长可以被用于光刻机、固化装置等。
紫外线可以按照长波长的顺序被分类成UV-A(315nm至400nm)、UV-B(280nm至315nm)和UV-C(200nm至280nm)。UV-A(315nm至400nm)领域被应用于各种领域，诸如工业UV固化、印刷油墨固化、曝光机、鉴别假币、光催化灭菌、特殊照明(诸如水族箱/农业)，UV-B(280nm至315nm)域被应用于医疗用途，并且UV-C(200nm至280nm)域被应用于空气净化、水净化、灭菌产品等。
同时，由于已经要求能够提供高输出的半导体器件，因此正在进行能够通过施加高功率源来增加输出功率的半导体器件的研究。
另外，对于半导体器件封装，已经进行改进半导体器件的光提取效率和改进封装阶段中的光强度的方法的研究。另外，关于半导体器件封装，已经进行改进封装电极和半导体器件之间的结合强度的方法的研究。
另外，对于半导体器件封装，已经进行通过改进工艺效率和改变结构来降低制造成本和改进制造产量的方法的研究。
发明内容
实施例可以提供能够改进光提取效率和电特性的半导体器件封装、制造半导体器件封装的方法和光源装置。
实施例可以提供能够降低制造成本并且改进制造产量的半导体器件封装、制造半导体器件封装的方法和光源装置。
实施例提供半导体器件封装和制造半导体器件封装的方法，其能够防止在将半导体器件重新结合到衬底等等的工艺期间在半导体器件封装的结合区域中发生再熔化现象。
根据实施例的发光器件封装包括：主体，其包括穿过主体的上表面和主体的下表面的第一开口和第二开口；发光器件，其布置在主体上并且包括第一和第二结合部；以及第一导电层和第二导电层，其分别被布置在主体下面并且电连接到第一和第二结合部，其中第一和第二结合部中的每个包括在第一和第二开口内在向下方向中分别突出和延伸的突出部分。
根据实施例的发光器件封装还可以包括被布置在主体和发光器件之间的树脂。
根据实施例，第一结合部和第二结合部的突出部分可以分别布置在第一开口和第二开口中。
根据实施例，第一结合部的突出部分的下表面可以布置为低于第一开口的上表面。
根据实施例，第一结合部的突出部分可以设置为圆柱形(cylindrical shape)或多边柱形(polygonal column shape)。
根据实施例，可以对应于第一开口和第二开口的上部区域的形状来设置第一和第二结合部的形状。
根据实施例，第一导电层和第二导电层可以被布置为在主体的下表面上彼此隔开。
根据实施例，第一结合部和第二结合部的突出部分的宽度可以设置为小于第一开口和第二开口的上部区域的宽度。
根据实施例，第一导电层的上表面的第一区域被布置在第一开口的下面，并且第一导电层的上表面的第二区域可以被布置在主体的下表面的下面。
根据实施例，第一导电层的上表面的第一区域可以被布置为在垂直方向上与第一开口重叠。
根据实施例，第一导电层的上表面上的第二区域可以被布置为在垂直方向上与主体的下表面重叠。
根据实施例，第一导电层的一部分可以被布置在第一结合部的突出部分的外围处。
根据实施例，第一和第二结合部可以包括从由Ti、Al、In、Ir、Ta、Pd、Co、Cr、Mg、Zn、Ni、Si、Ge、Ag、Ag合金、Au、Hf、Pt、Ru、Rh、Sn、Cu、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、Ni/IrOx/Au/ITO或其合金组成的组中选择的至少一种材料。
根据实施例，第一和第二导电层可以包括从由Ag、Au、Pt、Sn、Cu、SAC(Sn-Ag-Cu)或其合金组成的组中选择的至少一种材料。
根据实施例，树脂可以包括白色硅酮(silicone)。
根据实施例，树脂可以设置成与主体的上表面和发光器件的下表面直接接触。
根据实施例，树脂可以设置在第一和第二结合部的外围处。
根据实施例，主体还可以包括凹部，该凹部设置成从主体的上表面朝向其下表面凹进，并且树脂可以设置到凹部。
根据实施例，主体的侧表面和第一导电层的侧表面可以设置在同一平面中。
根据实施例，主体的上表面可以在整个区域中以平坦形状设置。
根据实施例的发光器件封装包括：主体，其包括穿过主体的上表面和主体的下表面的第一开口和第二开口；发光器件，其被布置在主体上；粘合剂，其包括反射材料，其中主体包括布置在第一开口和第二开口之间的第一凹部，并且粘合剂被布置在第一凹部中，并且其中发光器件包括：布置在第一开口上的第一电极；布置在第二开口上的第二电极；半导体结构，其包括电连接到第一电极的第一半导体层、电连接到第二电极的第二半导体层以及被布置在第一和第二半导体层之间的有源层；以及衬底，其被布置在半导体结构上，并且其中第一电极包括在第一方向上与第一开口重叠的第一结合部和从第一结合部延伸的第一分支电极，并且第二电极包括在第一方向上重叠第二开口的第二结合部，并且其中第一方向是从主体的下表面朝向主体的上表面的方向，并且基于衬底的上表面的面积第一和第二结合部的面积之和可以被设置为10％或者更小。
根据实施例，可以将粘合剂基于第一方向与发光器件重叠的面积设置为大于第一和第二开口与第一和第二结合部重叠的区域的面积。
根据实施例，粘合剂可以被布置为与主体的上表面和发光器件的下表面直接接触。
根据实施例的发光器件封装包括：第一导电层，其被设置在第一开口中并且被布置成与第一结合部的下表面直接接触；第二导电层，其被设置在第二开口中并且被布置成与第二结合部的下表面直接接触。
根据实施例，第一导电层包括设置在第一开口的上部区域中的第一上部导电层和设置在第一开口的下部区域中的第一下部导电层，并且第一上部导电层和第一下导电层可以包括彼此不同的材料。
根据实施例的发光器件封装包括：第一上凹部，其设置在主体的上表面上并且被布置为与第一开口隔开；以及第二上凹部，其被设置在主体的上表面上并被布置成与第二开口隔开。
根据实施例的发光器件封装可以包括设置在第一上凹部上的第一树脂部分和设置在第二上凹部上的第二树脂部分，并且第一树脂部分和第二树脂部分可以包括白色硅酮。
根据实施例的发光器件封装包括：第一下凹部，其设置在主体的下表面上并且被布置为与第一开口隔开；以及第二下凹部，其设置在主体的下表面上并被布置成与第二开口隔开。
根据实施例的发光器件封装包括设置在第一下凹部上的第一树脂部分和设置在第二下凹部上的第二树脂部分，并且第一树脂部分和第二树脂部分可以包括与主体相同的材料。
根据实施例的发光器件封装包括：主体，其包括穿过上表面和下表面的第一开口和第二开口；以及第一凹部，其被布置在第一开口和第二开口之间；粘合剂，其被布置在第一凹部上；发光器件，其被布置在粘合剂上；以及第一和第二导体，其被布置在主体和发光器件之间，其中发光器件包括：第一电极，其被布置在第一开口上；第二电极，其被布置在第二开口上；半导体结构，其包括电连接到第一电极的第一导电类型半导体层、电连接到第二电极的第二导电类型半导体层、以及被布置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层；以及衬底，其被布置在半导体结构上，并且其中第一导体可以被布置成从第一电极到第一开口的内部，第二导体可以被布置成从第二电极到第二开口的内部。
根据实施例，第一电极包括在第一方向上与第一开口重叠的第一结合部和从第一结合部延伸的第一分支电极，并且第二电极包括在第一方向中与第二开口重叠的第二结合部，并且其中第一方向是从主体的下表面朝向主体的上表面的方向，并且基于衬底的上表面的面积，第一和第二结合部的面积之和可以被设置为10％或更小。
根据实施例的发光器件封装包括：主体，其包括穿过上表面和下表面的第一开口和第二开口；发光器件，其被布置在主体上并且包括第一电极和第二电极；粘合剂，其包括反射材料并且被布置在主体和发光器件之间；第一导体，其被布置在主体的第一开口处，并电连接到发光器件的第一电极；第二导体，其被布置在主体的第二开口处并电连接到发光器件的第二电极；第一导电层，其被布置在第一开口处并电连接到第一导体；第二导电层，其被布置在第二开口处并电连接到第二导体，其中发光器件包括：衬底；有源层，其被布置在于主体上布置的第一半导体层和第二半导体层之间；以及第一和第二半导体层之间；第一电极，其被布置在第一半导体层上，并且包括第一焊盘电极和从第一焊盘电极延伸的第一分支电极；并且第二电极被布置在第二半导体层上并包括第二焊盘电极，其中主体包括布置在第一开口和第二开口之间的第一凹部，粘合剂被布置在第一凹部处，基于从主体的下表面朝着主体的上表面的第一方向第一开口与第一焊盘电极重叠，第二开口基于第一方向与第二焊盘电极重叠，第一导电层布置为与第一导体的下表面和侧表面直接接触，第二导电层可以被布置为与第二导体的下表面和侧表面直接接触。
根据实施例，基于衬底的上表面的面积，第一和第二焊盘电极的面积之和可以被设置为10％或更小。
根据实施例，粘合剂基于第一方向与发光器件重叠的面积可以被设置为大于第一和第二开口与第一和第二焊盘电极重叠的区域的面积。
根据实施例的发光器件封装包括：第一导电层，其被设置在第一开口中并且被布置为与第一结合部的侧表面和下表面直接接触；以及第二导电层，其被设置在第二开口中，并且布置成与第二结合部的侧表面和下表面直接接触。
根据实施例，第一导电层包括设置在第一开口的上部区域中的第一上部导电层和设置在第一开口的下部区域中的第一下部导电层，并且第一上部导电层和第一下导电层可以包括彼此不同的材料。
根据实施例的半导体器件封装和制造半导体器件封装的方法可以改进光提取效率、电特性和可靠性。
根据实施例的半导体器件封装和制造半导体器件封装的方法能够改进工艺效率并提出新的封装结构，从而降低制造成本并提高制造产量。
根据实施例，半导体器件封装被设置有具有高反射率的主体，从而能够防止反射体变色，从而改进半导体器件封装的可靠性。
根据实施例，半导体器件封装和制造半导体器件的方法能够防止在将半导体器件封装重新结合到衬底等等的工艺期间在半导体器件封装的结合区域中发生再熔化现象。
附图说明
图1是根据本发明的实施例的发光器件封装的平面图。
图2是在图1中示出的发光器件封装的底视图。
图3是沿着图1中示出的发光器件封装的线D-D截取的横截面图。
图4至图8是解释根据本发明的实施例的发光器件封装的制造方法的视图。
图9至图11是解释应用于图3中示出的发光器件封装的主体的修改示例的视图。
图12至图14是解释被应用于图3中示出的发光器件封装的主体的另一修改示例的视图。
图15至17是解释应用于图3中示出的发光器件封装的主体的又一个修改例的视图。
图18是图示根据本发明的实施例的发光器件封装的另一示例的视图。
图19是解释应用于图18中示出的发光器件封装的第一框架、第二框架和主体的排列关系的视图。
图20是图示根据本发明的实施例的发光器件封装的另一示例的视图。
图21是图示根据本发明的实施例的发光器件封装的另一示例的视图。
图22是图示根据本发明的实施例的发光器件封装的又一示例的视图。
图23是图示根据本发明的实施例的发光器件封装的又一示例的视图。
图24是图示根据本发明的实施例的发光器件封装的又一示例的视图。
图25至图27是解释被应用于根据本发明的实施例的发光器件封装的开口的修改示例的视图。
图28是图示根据本发明的实施例的发光器件封装的又一示例的视图。
图29是图示根据本发明的实施例的发光器件封装的又一示例的视图。
图30是图示根据本发明的实施例的发光器件封装的又一示例的视图。
图31是图示根据本发明的实施例的发光器件封装的又一示例的视图。
图32是图示根据本发明的实施例的发光器件封装的又一示例的视图。
图33是解释被应用于根据本发明的实施例的发光器件封装的发光器件的电极排列的平面图。
图34是沿着图33中所示的发光器件的线F-F截取的横截面图。
图35是图示根据本发明的实施例的发光器件封装的又一示例的图。
图36是图示根据本发明的实施例的发光器件封装的又一示例的视图。
图37是图示根据本发明的实施例的发光器件封装的又一示例的视图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图描述实施例。在实施例的描述中，将会理解当层(或膜)、区域、图案或结构被称为在另一层(或膜)、区域、图案或结构“上”或“下”时、“上”和“下”的术语包括“直接”或“通过插入另一层(间接)”的含义。此外，将基于附图作为关于每层“上”和“下”的引用，但是实施例不限于此。
在下文中，将参考附图详细描述根据本发明的实施例的半导体器件封装和制造半导体器件封装的方法。在下文中，将基于应用发光器件作为半导体器件的示例的情况进行描述。
首先，将参考图1至图3描述根据本发明的实施例的发光器件封装。
图1是根据本发明的实施例的发光器件封装的平面图，图2是根据本发明的实施例的发光器件封装的底视图，图3是沿着发光器件封装的线D-D截取的横截面图。
根据实施例的发光器件封装100可以包括封装主体110和发光器件120，如图1至3中所示。
封装主体110可以包括第一框架111和第二框架112。第一框架111和第二框架112可以被布置为彼此隔开。
封装主体110可以包括主体113。主体113可以被布置在第一框架111和第二框架112之间。主体113可以执行作为一种电极分离线的功能。主体113也可以称为绝缘构件。
主体113可以被布置在第一框架111上。另外，主体113可以被布置在第二框架112上。
主体113可以提供被布置在第一框架111和第二框架112上的倾斜表面。腔体C可以通过主体113的倾斜表面被布置在第一框架111和第二框架112上。
根据实施例，封装主体110可以被设置为具有腔体C的结构，或者可以被设置为具有平坦上表面而没有腔体C的结构。
例如，主体113可以由从由聚邻苯二甲酰胺(PPA)、多氯三联苯(PCT)、液晶聚合物(LCP)、聚酰胺9T(PA9T)、硅酮、环氧模制化合物(EMC)、硅酮模制化合物(SMC)、陶瓷、光敏玻璃(PSG)、蓝宝石(Al2O3)等组成的组中选择的至少一种形成。另外，主体113可以包括高折射率填料(filler)，诸如TiO2和SiO2。
第一框架111和第二框架112可以设置为绝缘框架。第一框架111和第二框架112可以稳定地提供封装主体110的结构强度。
另外，第一框架111和第二框架112可以设置为导电框架。第一框架111和第二框架112可以稳定地提供封装主体110的结构强度，并且可以电连接到发光器件120。
稍后将描述将第一框架111和第二框架112形成为绝缘框架的情况与将第一框架111和第二框架112形成为导电框架的情况之间的不同。
根据实施例，发光器件120可以包括第一焊盘电极121、第二焊盘电极122、半导体结构123和衬底124。
发光器件120可以包括被布置在衬底124下面的半导体结构123，如图3中所示。第一焊盘电极121和第二焊盘电极122可以被布置在半导体结构123和主体113之间。
第一焊盘电极121和第二焊盘电极122可以被称为结合部。例如，第一焊盘电极121可以被称为第一结合部，并且第二焊盘电极122可以被称为第二结合部。
半导体结构123可以包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及被布置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层。第一焊盘电极121可以电连接到第一导电类型半导体层。另外，第二焊盘电极122可以电连接到第二导电类型半导体层。
发光器件120可以被布置在封装主体110上。发光器件120可以被布置在第一框架111和第二框架112上。发光器件120可以被布置在由封装主体110提供的腔体C中。
第一焊盘电极121可以被布置在发光器件120的下表面上。第二焊盘电极122可以被布置在发光器件120的下表面上。第一焊盘电极121和第二焊盘电极122可以被布置为在发光器件120的下表面上彼此隔开。
第一焊盘电极121可以被布置在第一框架111上。第二焊盘电极122可以被布置在第二框架112上。
第一焊盘电极121可以被布置在半导体结构123和第一框架111之间。第二焊盘电极122可以被布置在半导体结构123和第二框架112之间。
第一焊盘电极121和第二焊盘电极122可以通过使用从由Ti、Al、In、Ir、Ta、Pd、Co、Cr、Mg、Zn、Ni、Si、Ge、Ag、Ag合金、Au、Hf、Pt、Ru、Rh、Sn、Cu、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、Ni/IrOx/Au/ITO或其合金组成的组中选择的至少一种材料被形成为单层或多层。
同时，根据实施例的发光器件封装100可以包括第一开口TH1和第二开口TH2，如图1至图3中所示。第一框架111可以包括第一开口TH1。第二框架112可以包括第二开口TH2。
第一开口TH1可以设置在第一框架111处。第一开口TH1可以通过穿过第一框架111来被设置。第一开口TH1可以通过在第一方向中穿过第一框架111的上表面和下表面被设置。
第一开口TH1可以被布置在发光器件120的第一焊盘电极121下面。第一开口TH1可以设置为与发光器件120的第一焊盘电极121重叠。第一开口TH1可以设置为从第一框架111的上表面朝向其下表面在第一方向上与发光器件120的第一焊盘电极121重叠。
第二开口TH2可以设置在第二框架112处。第二开口TH2可以通过穿过第二框架112来设置。第二开口TH2可以通过在第一方向中穿过第二框架112的上表面和下表面被设置。
第二开口TH2可以被布置在发光器件120的第二焊盘电极122下面。第二开口TH2可以设置为与发光器件120的第二焊盘电极122重叠。第二开口TH2可以设置为在第一方向上从第二框架112的上表面朝向其下表面与发光器件120的第二焊盘电极122重叠。
第一开口TH1和第二开口TH2可以被布置为彼此隔开。第一开口TH1和第二开口TH2可以被布置为在发光器件120的下表面下面彼此隔开。
根据实施例，第一开口TH1的上部区域的宽度W1可以大于第一焊盘电极121的宽度。另外，第二开口TH2的上部区域的宽度可以大于第二焊盘电极122的宽度。
根据实施例，第一焊盘电极121的下部可以被布置在第一开口TH1的上部区域中。第一焊盘电极121的底表面可以被布置为低于第一框架111的上表面。
另外，第二焊盘电极122的下部可以被布置在第二开口TH2的上部区域中。第二焊盘电极122的底表面可以被布置为低于第二框架112的上表面。
另外，第一开口TH1的上部区域的宽度W1可以小于或等于第一开口TH1的下部区域的宽度W2。第二开口TH2的上部区域的宽度可以小于或等于第二开口TH2的下部区域的宽度。
第一开口TH1可以以倾斜的形状设置，其中宽度从下部区域到上部区域逐渐减小。第二开口TH2可以以倾斜的形状设置，其中宽度从下部区域到上部区域逐渐减小。
然而，本发明不限于此，并且第一开口TH1和第二开口TH2的上部区域和下部区域之间的倾斜表面可以具有多个有不同斜率的倾斜表面，并且倾斜表面可以被布置有曲率。
第一框架111和第二框架112的下表面区域中的第一开口TH1和第二开口TH2之间的宽度W3可以设置为数百微米。作为示例，第一框架111和第二框架112的下表面区域中的第一开口TH1和第二开口TH2之间的宽度W3可以设置为100至150微米。
第一框架111和第二框架112的下表面区域中的第一开口TH1和第二开口TH2之间的宽度W3可以被选择以被设置为超过预定距离，以防止当根据实施例的发光器件封装100之后被安装电路板、子基板(submount)等上时焊盘之间的电短路。
此外，根据实施例的发光器件封装100可以包括粘合剂130。
粘合剂130可以被布置在主体113和发光器件120之间。粘合剂130可以被布置在主体113的上表面和发光器件120的下表面之间。
另外，根据实施例的发光器件封装100可以包括凹部R，如图1至图3中所示。
凹部R可以设置在主体113处。凹部R可以设置在第一开口TH1和第二开口TH2之间。凹部R可以设置成从主体113的上表面朝向其下表面凹进。凹部R可以布置在发光器件120下面。凹部R可以设置为在第一方向上与发光器件120重叠。
作为示例，粘合剂130可以布置在凹部R中。粘合剂130可以布置在发光器件120和主体113之间。粘合剂130可以布置在第一焊盘电极121和第二焊盘电极121之间。作为示例，粘合剂130可以布置为与第一焊盘电极121的侧表面和第二焊盘电极122的侧表面接触。
粘合剂130可以在发光器件120和封装主体110之间提供稳定的固定力。粘合剂130可以在发光器件120和主体113之间提供稳定的固定力。作为示例，可以布置粘合剂130与主体113的上表面直接接触。另外，粘合剂130可以被布置为与发光器件120的下表面直接接触。
作为示例，粘合剂130可以包括环氧基材料、硅酮基材料和包含环氧基材料和硅酮基材料的混合材料中的至少一种。而且，作为示例，当粘合剂130包括反射功能时，粘合剂130可以包括白色硅酮。粘合剂130可以被称为第一树脂作为另一种表示。
粘合剂130可以在主体113和发光器件120之间提供稳定的固定力。当光发射到发光器件120的下表面时，粘合剂130可以在发光器件120和主体113之间提供光扩散功能。当光从发光器件120发射到发光器件120的下表面时，粘合剂130可以通过提供光来改进发光器件封装100的光提取效率。另外，粘合剂130可以反射从发光器件120发射的光。当粘合剂130包括反射功能时，粘合剂130可以由包括TiO2、硅酮等的材料形成。
根据实施例，凹部R的深度T1可以被设置为小于第一开口TH1的深度T2或第二开口TH2的深度T2。
可以考虑粘合剂130的粘附力来确定凹部R的深度T1。此外，可以通过考虑主体113的稳定强度以及/或者不会由于从发光器件120发射的热量而在发光器件封装100中出现裂缝来确定凹部R的深度T1。
凹部R可以提供适当的空间，其中可以在发光器件120下面执行一种下填充(under-filling)工艺。这里，下填充工艺可以是将发光器件120安装在封装主体110上并且然后将粘合剂130布置在发光器件120下面的工艺，并且可以是将粘合剂130布置在凹部R中并且然后布置发光器件120以便于在将发光器件120安装在封装主体110的工艺中通过粘合剂130安装的工艺。凹部R可以设置在第一深度或更大，使得粘合剂130可以充分地设置在发光器件120的下表面和上表面之间。另外，凹部R可以设置在第二深度或更小的深度，以提供主体113的稳定强度。
凹部R的深度T1和宽度W4可能影响粘合剂130的形成位置和固定力。凹部R的深度T1和宽度W4可以被确定，使得可以通过被布置在主体113和发光器件120之间的粘合剂130充分地提供固定力。
作为示例，凹部R的深度T1可以设置为数十微米。凹部R的深度T1可以设置为40至60微米。
另外，凹部R的宽度W4可以设置为数十微米到数百微米。这里，凹部R的宽度W4可以设置在发光器件120的长轴方向上。
凹部R的宽度W4可以窄于第一焊盘电极121和第二焊盘电极122之间的距离。凹部R的宽度W4可以设置为140至160微米。作为示例，凹部R的宽度W4可以设置为150微米。
第一开口TH1的深度T2可以被设置为对应于第一框架111的厚度。第一开口TH1的深度T2可以以能够保持第一框架111的稳定强度的厚度被设置。
第二开口TH2的深度T2可以被设置为对应于第二框架112的厚度。第二开口TH2的深度T2可以设置在能够保持第二框架112的稳定强度的厚度。
可以提供第一开口TH1的深度T2和第二开口TH2的深度T2以对应于主体113的厚度。第一开口TH1的深度T2和第二开口TH2的深度T2可以以能够保持主体113的稳定强度的厚度设置。
作为示例，第一开口TH1的深度T2可以被设置为数百微米。第一开口TH1的深度T2可以设置为180至220微米。作为示例，第一开口TH1的深度T2可以设置为200微米。
作为示例，T2-T1的厚度可以选择为至少100微米或更大。这是考虑到能够提供主体113的无裂缝的注入工艺的厚度。
根据实施例，厚度T2与厚度T1的比率，T2/T1可以设置为2至10。例如，当T2的厚度设置为200微米时，T1的厚度可以被设置在20至100微米。
另外，根据实施例，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以设置为10％或更小。按照根据实施例的发光器件封装，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以设置为10％或更小，以便于确保从发光器件发射的发光区域并增加光提取效率。
另外，根据实施例，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以设置为0.7％或更大。按照根据实施例的发光器件封装，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以设置为0.7％或更大，以便于对要被安装的发光器件提供稳定的结合力。
根据实施例，粘合剂130基于第一方向与发光器件120重叠的面积可以被设置为大于第一开口TH1和第二开口TH2与第一和第二焊盘电极121和122重叠的区域的面积。
如上所述，当第一和第二焊盘电极121和122的面积设置为小时，可以增加透射到发光器件120的下表面的光量。另外，可以在发光器件120下面提供具有良好反射特性的粘合剂130。因此，在发光器件120的向下方向上发射的光在粘合剂130处被反射，并且朝着发光器件封装100的向上方向被有效地发射，使得可以改进光提取效率。
另外，根据实施例的发光器件封装100可以包括模制部(molding part)140，如图1至图3中所示。
模制部140可以设置在发光器件120上。模制部140可以被布置在第一框架111和第二框架112上。模制部140可以被布置在由封装主体110提供的腔体C处。
模制部140可以包括绝缘材料。另外，模制部140可以包括波长转换装置，该波长转换装置被配置成是从发光器件120发射的入射光并提供波长转换的光。作为示例，模制部140可以包括从由荧光体、量子点等组成的组中选择的至少一种。
另外，如图1至图3中所示，根据实施例的发光器件封装100可以包括第一导电层321和第二导电层322。第一导电层321可以被布置以与第二导电层322隔开。
第一导电层321可以设置在第一开口TH1处。第一导电层321可以布置在第一焊盘电极121下面。第一导电层321的宽度可以设置为大于第一焊盘电极121的宽度。
第一焊盘电极121可以具有与形成第一开口TH1的第一方向垂直的第二方向的宽度。第一焊盘电极121的宽度可以设置为小于第一开口TH1的第二方向的宽度。
第一导电层321可以布置为与第一焊盘电极121的下表面直接接触。第一导电层321可以电连接到第一焊盘电极121。第一导电层321可以布置为被第一框架111包围。
在第一开口TH1的上部区域中，第一导电层321的上部可以布置在第一焊盘电极121的下部的外围处。第一导电层321的上表面可以是布置为高于第一焊盘电极121的下表面。
第二导电层322可以设置在第二开口TH2处。第二导电层322可以布置在第二焊盘电极122下面。第二导电层322的宽度可以设置为大于第二焊盘电极122的宽度。
第二焊盘电极122可以具有垂直于形成第二开口TH2的第一方向的第二方向的宽度。第二焊盘电极122的宽度可以设置为小于第二开口TH2的第二方向的宽度。
第二导电层322可以布置为与第二焊盘电极122的下表面直接接触。第二导电层322可以电连接到第二焊盘电极122。第二导电层322可以布置为被第二框架112包围。
在第二开口TH2的上部区域中，第二导电层322的上部可以布置在第二焊盘电极122的下部的外围处。第二导电层322的上表面可以被布置为高于第二焊盘电极122的下表面。
第一导电层321和第二导电层322可以包括从由Ag、Au、Pt、Sn、Cu或其合金组成的组中选择的一种材料。然而，本发明不限于此，并且可以在第一导电层321和第二导电层322中使用能够确保导电功能的材料。
作为示例，第一导电层321和第二导电层322可以通过使用导电膏形成。导电膏可以包括焊膏、银膏等，并且可以由多层或由多层组成的单层或由不同材料组成的合金组成。作为示例，第一导电层321和第二导电层322可以包括SAC(Sn-Ag-Cu)材料。
另外，如图1至图3中所示，根据实施例的发光器件封装100可以包括第一下凹部R10和第二下凹部R20。第一下凹部R10和第二下凹部R20可以被布置为彼此隔开。
第一下凹部R10可以设置在第一框架111的下表面处。第一下凹部R10可以设置成从第一框架111的下表面朝向其上表面凹进。第一下凹部R10可以布置为与第一开口TH1隔开。
第一下凹部R10可以设置有数微米到数十微米的宽度。树脂部分可以设置在第一下凹部R10处。填充在第一下凹部R10处的树脂部分可以例如设置有与主体113相同的材料。
然而，本发明不限于此，并且树脂部分可以设置有从与第一和第二导电层321和322具有差的粘附力和润湿性的材料选择的材料。可替选地，树脂部分可以被设置并且从相对于第一和第二导电层321和322具有低表面张力的材料中选择。
作为示例，可以在通过注入工艺等形成第一框架111、第二框架112和主体113的工艺中提供填充在第一下凹部R10处的树脂部分。
填充在第一下凹部R10处的树脂部分可以被布置在第一框架111的下表面区域周围，其中第一开口TH1被设置。其中设置第一开口TH1的第一框架111的下表面区域可以被布置为以岛的形状与形成其周围的第一框架111的下表面分离。
作为示例，如图2中所示，通过填充在第一下凹部R10和主体113处的树脂部分，在其中设置有第一开口TH1的第一框架111的下表面区域可以与其周围的第一框架111隔离。
因此，当树脂部分由与第一和第二导电层321和322具有差的粘附力和润湿性的材料或在树脂部分与第一和第二导电层321之间具有低表面张力的材料布置而成时，能够防止设置在第一开口TH1中的第一导电层321从第一开口TH1移动并且在填充在第一下凹部R10或主体113处的树脂部分上扩散。
这是基于第一导电层321与树脂部分和主体113之间的粘附关系，或树脂部分与第一导电层321和第二导电层321和322之间的润湿性、表面张力等不好的事实。也就是说，可以选择形成第一导电层321的材料以与第一框架111具有良好的粘附性。另外，可以选择形成第一导电层321的材料以与树脂部分和主体113具有差的粘附性。
因为第一导电层321不会从第一开口TH1朝向其中设置树脂部分或主体113的区域溢出，所以能够防止第一导电层321溢出或延伸到其中设置树脂部分或者主体113的区域的外部，使得第一导电层321可以稳定地布置在设置第一开口TH1的区域中。因此，当第一导电层321布置在第一开口TH1中时，能够防止第一导电层321延伸到设置有树脂部分或主体113的第一下凹部R10的外部。另外，第一导电层321可以稳定地连接到第一开口TH1中的第一焊盘电极121的下表面。
因此，当发光器件封装安装在电路板上时，能够防止第一导电层321和第二导电层322彼此接触并且短路的问题，并且在布置第一导电层321和第二导电层322的工艺中很容易控制第一导电层321和第二导电层322的数量。
另外，第一导电层321可以被布置以从第一开口TH1延伸到第一下凹部R10。因此，第一导电层321和/或树脂部分可以布置在第一下凹部R10中。
另外，第二下凹部R20可以设置在第二框架112的下表面处。第二下凹部R20可以设置成从第二框架112的下表面朝向其上表面凹进。第二下凹部R20可以被布置为与第二开口TH2隔开。
第二下凹部R20可以设置有数微米到数十微米的宽度。树脂部分可以设置在第二下凹部R20处。填充在第二下凹部R20处的树脂部分可以设置有例如与主体113相同的材料。
然而，本发明不限于此，并且树脂部分可以设置有从与第一和第二导电层321和322具有差的粘附力和润湿性的材料中选择的材料。可替选地，树脂部分可以被提供并且从相对于第一和第二导电层321和322具有低表面张力的材料中被选择。
作为示例，填充在第二下凹部R20处的树脂部分可以在通过注入工艺等形成第一框架111、第二框架112和主体113的工艺中被设置。
填充在第二下凹部R20处的树脂部分可以布置在第二框架112的下表面区域周围，其中第二开口TH2被设置。其中设置有第二开口TH2的第二框架112的下表面区域可以布置为以岛的形状与形成在其周围的第二框架112的下表面分离。
作为示例，如图2中所示，通过填充在第二下凹部R20和主体113处的树脂部分，其中设置有第二开口TH2的第二框架112的下表面区域可以与其周围的第二框架112隔离。
因此，当树脂部分由与第一和第二导电层321和322具有差的粘附力和润湿性的材料或在树脂部分与第一和第二导电层321之间具有低表面张力的材料布置而成时，能够防止其中设置有第二开口TH2的第一导电层322和第二导电层322从第二开口TH2移动并且在填充在第二下凹部R20或主体113处的树脂部分上扩散。
这是基于第二导电层322与树脂部分和主体113之间的粘附关系、或树脂部分与第一和第二导电层321和322之间的润湿性、表面张力等不好的事实。也就是说，可以选择形成第二导电层322的材料以与第二框架112具有良好的粘附性。另外，可以选择形成第二导电层322的材料以与树脂部分和主体113具有差的粘附性。
因为第二导电层322不会从第二开口TH2朝向其中设置有树脂部分或主体113的区域溢出，所以能够防止第二导电层322溢出或延伸到其中设置树脂部分或主体113的区域的外部，使得第二导电层322可以稳定地布置在设置第二开口TH2的区域中。因此，当第二导电层322布置在第二开口TH2中时，能够防止第二导电层322延伸到设置有树脂部分或主体113的第二下凹部R20的外部。另外，第二导电层322可以稳定地连接到第二开口TH2中的第二焊盘电极122的下表面。
因此，当发光器件封装安装在电路板上时，能够防止第一导电层321和第二导电层322彼此接触并且短路的问题，并且在布置第一导电层321和第二导电层322的工艺中，很容易控制第一导电层321和第二导电层322的数量。
另外，第二导电层322可以布置为从第二开口TH2延伸到第二下凹部R20。因此，第二导电层322和/或树脂部分可以布置在第二下凹部R20中。
另外，根据实施例的发光器件封装100可以包括树脂部分135，如图3中所示。
作为参考，如图1中所示，未示出树脂部分135和模制部140，使得可以很好地显示第一框架111、第二框架112和主体113的排列关系。
树脂部分135可以布置在第一框架111和发光器件120之间。树脂部分135可以布置在第二框架112和发光器件120之间。树脂部分135可以设置在于封装主体110中设置的腔体C的底表面处。
树脂部分135可以布置在第一焊盘电极121的侧表面上。树脂部分135可以布置在第二焊盘电极122的侧表面上。树脂部分135可以布置在半导体结构123下面。
作为示例，树脂部分135可以包括环氧基材料、硅酮基材料和包含环氧基材料和硅酮基材料的混合材料中的至少一种。另外，树脂部分135可以是反射从发光器件120发射的光的反射部分，例如，包含诸如TiO2的反射材料的树脂，或者可以包括白色硅酮。
树脂部分135可以布置在发光器件120下面以执行密封功能。另外，树脂部分135可以改进发光器件120和第一框架111之间的粘附力。另外，树脂部分135可以改进发光器件120和第二框架112之间的粘附力。
树脂部分135可以围绕第一焊盘电极121和第二焊盘电极122密封。树脂部分135能够防止第一导电层321和第二导电层322从第一开口TH1区域和第二开口TH2区域移动并且在发光器件120的外侧表面的方向上扩散和移动。当第一导电层321和第二导电层322在发光器件120的外侧表面方向上扩散和移动时，第一导电层321和第二导电层322可以与发光器件120的有源层接触，从而导致由于短路引起的故障。因此，当布置树脂部分135时，能够防止由于第一导电层321和第二导电层322以及有源层引起的短路，从而改进根据实施例的发光器件封装的可靠性。
另外，根据实施例，可以在发光器件120的下表面和外围上提供保护层。在这种情况下，因为在有源层的表面上提供绝缘保护层，即使当第一导电层321和第二导电层322在发光器件120的外侧表面方向上扩散和移动时，也能够防止第一导电层321和第二导电层322电连接到发光器件120的有源层。
同时，在绝缘保护层布置在发光器件120的下表面和外围上的情况下，绝缘保护层可以不布置在发光器件的衬底124的外围处。此时，当衬底124设置有导电材料时，当第一导电层321和第二导电层322与衬底124接触时，可能发生由于短路引起的故障。因此，当布置树脂部分135时，能够防止由于第一导电层321和第二导电层322以及衬底124引起的短路，从而改进根据实施例的发光器件封装的可靠性。
另外，当树脂部分135包括诸如白色硅酮的具有反射特性的材料时，树脂部分135可以将从发光器件120发射的光朝向封装主体110的向上方向反射，从而改进发光器件封装100的光提取效率。
同时，按照根据本发明的实施例的发光器件封装的另一示例，树脂部分135可以不单独设置，并且模制部140可以被布置使得直接接触第一框架111和第二框架112。
另外，按照根据本发明的实施例的发光器件封装的另一示例，树脂部分135可以不单独设置，并且粘合剂130可以设置在第一和第二焊盘电极121和122的外围处。
此时，粘合剂130可以被称为第一树脂，并且第一和第二焊盘电极121和122可以分别被称为第一和第二结合部。
同时，粘合剂130可以布置在第一开口TH1和第二开口TH2的上部区域处。在发光器件120设置在封装主体110上的工艺中，粘合剂130的一部分可以移动到第一和第二开口TH1和TH2。粘合剂130的一部分可以布置在第一和第二开口TH1和TH2中的第一和第二焊盘电极121和122的侧表面区域处。粘合剂130的一部分可以布置在第一开口TH1和第二开口TH2中的第一导电层321和第二导电层322上。
粘合剂130可以密封第一开口TH1和第二开口TH2的上部区域，并且防止湿气或异物从外部流入其中通过第一开口TH1和第二开口TH2布置发光器件120的区域中。
另外，当充分确保用于在发光器件120和封装主体110之间提供粘合剂130的空间时，凹部R可以不设置在封装主体110的上表面上。
此外，根据实施例，半导体结构123可以被设置为化合物半导体。半导体结构123可以被设置为，例如，II-VI族或III-V族化合物半导体。作为示例，半导体结构123可以设置有从铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)、磷(P)、砷(As)和氮(N)中选择的至少两种或更多种元素。
半导体结构123可以包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。
第一和第二导电类型半导体层可以被实现为II-VI族或III-V族化合物半导体中的至少一种。第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层可以由具有经验式InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的半导体材料形成。例如，第一和第二导电类型半导体层可以包括从由GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInP等组成的组中选择的至少一种。第一导电类型半导体层可以是掺杂有诸如Si、Ge、Sn、Se或Te的n型掺杂剂的n型半导体层。第二导电类型半导体层可以是掺杂有诸如Mg、Zn、Ca、Sr或Ba的p型掺杂剂的p型半导体层。
有源层可以被实现为化合物半导体。有源层可以实现为III-V族或II-VI族化合物半导体中的至少一种。当有源层实现为多阱结构时，有源层可以包括交替布置的多个阱层和多个势垒层，并且有源层可以被布置成具有具有经验式InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的半导体材料。例如，有源层可以包括从由InGaN/GaN、GaN/AlGaN、AlGaN/AlGaN、InGaN/AlGaN、InGaN/InGaN、AlGaAs/GaAs、InGaAs/GaAs、InGaP/GaP、AlInGaP/InGaP和InP/GaAs组成的组中选择的至少一种。
在根据实施例的发光器件封装100中，电力可以通过第一开口TH1的区域连接到第一焊盘电极121，并且电力可以通过第二开口TH2的区域连接到第二焊盘电极122。
因此，发光器件120可以由通过第一焊盘电极121和第二焊盘电极122供应的驱动电力来驱动。另外，从发光器件120发射的光可以设置在封装主体110的向上方向中。
同时，可以将根据上述实施例的发光器件封装100供应并且安装在子基板、电路板等上。
然而，当传统的发光器件封装安装在子基板、电路板等上时，可以应用诸如回流的高温工艺。此时，在回流工艺中，在引线框架和设置在发光器件封装中的发光器件之间的结合区域中发生再熔化现象，使得可能削弱电连接和物理耦合的稳定性。
然而，按照根据实施例的发光器件封装和发光器件封装的制造方法，根据实施例的发光器件的第一焊盘电极和第二焊盘电极可以通过布置在开口中的导电层被提供有驱动电力。另外，可以选择布置在开口中的导电层的熔点，使得具有比一般结合材料更高的值。
因此，因为根据实施例的发光器件封装100即使当通过回流工艺将发光器件封装100结合到主基板时也不会引起再熔化现象，所以电连接和物理结合力可能不会劣化。
此外，根据实施例的发光器件封装100和发光器件封装的制造方法，封装主体110在发光器件封装的制造工艺中不需要暴露于高温。因此，根据实施例，能够防止封装主体110由于暴露于高温而被损坏或变色。
因此，可以扩宽形成主体113的材料的选择范围。根据实施例，可以通过不仅使用诸如陶瓷的昂贵材料而且使用相对便宜的树脂材料提供主体113。
例如，主体113可以包括从由聚对苯二甲酰胺(PPA)树脂、聚对苯二甲酸环己烷二甲酯(PCT)树脂、环氧模制化合物(EMC)树脂和硅酮模制化合物(SMC)树脂组成的组中选择的至少一种材料。
然后，参考图4至图8，将描述根据本发明的实施例的发光器件封装的制造方法。
在参考图4至图8描述根据本发明的实施例的发光器件封装的制造方法中，可以省略与参考图1至图3描述的内容重叠的内容的描述。
首先，按照根据本发明的实施例的发光器件封装的制造方法，如图4中所示，可以提供封装主体110。
封装主体110可以包括第一框架111和第二框架112。第一框架111和第二框架112可以被布置成彼此隔开。
封装主体110可以包括主体113。主体113可以被布置在第一框架111和第二框架112之间。
主体113可以布置在第一框架111上。另外，主体113可以布置在第二框架112上。
主体113可以提供布置在第一框架111和第二框架112上的倾斜表面。腔体C可以通过主体113的倾斜表面布置在第一框架111和第二框架112上。
另外，第一框架111可以包括第一开口TH1。第二框架112可以包括第二开口TH2。
第一开口TH1可以设置在第一框架111处。第一开口TH1可以通过穿过第一框架111来设置。第一开口TH1可以通过在第一方向中穿过第一框架111的上表面和下表面来设置。
第二开口TH2可以设置在第二框架112处。第二开口TH2可以通过穿过第二框架112来设置。第二开口TH2可以通过在第一方向中穿过第二框架112的上表面和下表面来设置。
封装主体110可以包括设置在主体113中的凹部R。
凹部R可以设置在主体113处。凹部R可以设置在第一开口TH1和第二开口TH2之间。凹部R可以设置成从主体113的上表面朝向其下表面凹进。
根据实施例，凹部R的长度L2可以大于第一开口TH1的长度L1或第二开口TH2的长度L1。
接下来，在根据实施例的发光器件封装的制造方法中，粘合剂130可以设置在凹部R处，如图4中所示。
粘合剂130可以通过点标法(dotting method)等设置在凹部区域处。例如，粘合剂130可以以预定量设置到形成凹部R的区域，并且可以设置为溢出凹部R。
另外，根据实施例，如图4中所示，凹部R的长度L2可以大于第二开口TH2的长度L1。第二开口TH2的长度L1可以小于发光器件120在短轴方向上的长度。另外，凹部R的长度L2可以大于发光器件120在短轴方向上的长度。
在根据实施例的发光器件封装制造工艺中，当设置在发光器件120下面的粘合剂130的量大时，设置在凹部R处同时粘合到发光器件120的下部的粘合剂130的溢出部分可以在凹部R的长度L2方向上移动。因此，即使当施加粘合剂130的量大于设计的量时，发光器件120也可以被稳定地固定而没有从主体113抬起。
此外，根据实施例的发光器件封装的制造方法，如在图5中所示，发光器件120可以布置在封装主体110上。
根据实施例，在将发光器件120布置在封装主体110上的工艺中，凹部R也可以用作一种对准键。
发光器件120可以通过粘合剂130固定在主体113处。设置在凹部R处的粘合剂130的一部分可以在发光器件120的第一焊盘电极121和第二焊盘电极122的方向上移动。
因此，粘合剂130可以设置在发光器件120的下表面和主体113的上表面之间的宽的区域处，并且发光器件120和主体113之间的固定力可以被改进。
根据实施例，如参考图3在上面描述的，第一开口TH1可以布置在发光器件120的第一焊盘电极121下面。第一开口TH1可以设置为与发光器件120的第一焊盘电极121重叠。第一开口TH1可以被设置以从第一框架111的上表面朝向其下表面在第一方向上与发光器件120的第一焊盘电极121重叠。
第二开口TH2可以布置在发光器件120的第二焊盘电极122下面。第二开口TH2可以设置为与发光器件120的第二焊盘电极122重叠。第二开口TH2可以设置为在第一方向上从第二框架112的上表面朝向其下表面与发光器件120的第二焊盘电极122重叠。
接下来，根据实施例的发光器件封装的制造方法，如在图6中所示，可以形成第一导电层321和第二导电层322。
在根据实施例的发光器件封装100中，如在图3和图6中所示，第一焊盘电极121的下表面可以通过第一开口TH1暴露。另外，第二焊盘电极122的下表面可以通过第二开口TH2暴露。
根据实施例，第一导电层321可以形成在第一开口TH1处。另外，第二导电层322可以形成在第二开口TH2处。
第一导电层321可以设置在第一开口TH1处。第一导电层321可以布置在第一焊盘电极121下面。第一导电层321的宽度可以设置为大于第一焊盘电极121的宽度。第一导电层321可以布置为与第一焊盘电极121直接接触。第一导电层321的下表面可以与第一焊盘电极121电连接。第一导电层321可以布置为由第一框架111围绕。
如在图3中所示，在第一开口TH1的上部区域中，第一导电层321的上部可以布置在第一焊盘电极121的下部的外围处。可以布置第一导电层321的上表面高于第一焊盘电极121的下表面。
第二导电层322可以设置在第二开口TH2处。第二导电层322可以布置在第二焊盘电极122下面。第二导电层322的宽度可以设置为大于第二焊盘电极122的宽度。第二导电层322可以布置为与第二焊盘电极122直接接触。第二导电层322的下表面可以与第二焊盘电极122电连接。第二导电层322可以布置为由第二框架112围绕。
如图3中所示，在第二开口TH2的上部区域中，第二导电层322的上部可以布置在第二焊盘电极122的下部的外围处。可以布置第二导电层322的上表面以高于第二焊盘电极122的下表面。
作为示例，第一导电层321和第二导电层322也可以通过使用导电膏形成。第一导电层321和第二导电层322可以由焊膏、银膏等形成。
另外，根据实施例的发光器件封装的制造方法，如图7中所示，可以形成树脂部分135。
树脂部分135，如参考图3在上面所描述的，可以布置在第一框架111和发光器件120之间。树脂部分135可以布置在第二框架112和发光器件120之间。
树脂部分135可以布置在第一焊盘电极121的侧表面上。树脂部分135可以布置在第二焊盘电极122的侧表面上。树脂部分135可以布置在半导体结构123下面。
作为示例，树脂部分135可以包括环氧基材料、硅酮基材料和包含环氧基材料和硅酮基材料的混合材料中的至少一种。另外，树脂部分135可以是反射从发光器件120发射的光的反射部分，例如，包含诸如TiO2的反射材料的树脂。树脂部分135可以包括白色硅酮。
树脂部分135可以布置在发光器件120下面以执行密封功能。另外，树脂部分135可以改进发光器件120和第一框架111之间的粘附力。另外，树脂部分135可以改进发光器件120和第二框架112之间的粘附力。
另外，当树脂部分135包括诸如白色硅酮的具有反射特性的材料时，树脂部分135可以将从发光器件120发射的光朝向封装主体110的向上方向反射，从而改进发光器件封装100的光提取效率。
接下来，根据实施例的发光器件封装的制造方法，如图8中所示，模制部140可以设置在发光器件120上。
模制部140可以设置在发光器件120上。模制部140可以布置在第一框架111和第二框架112上。模制部140可以布置在由封装提供的腔体C处。模制部140可以布置在树脂部分135上。
模制部140可以包括绝缘材料。另外，模制部140可以包括波长转换装置，该波长转换装置被配置成是从发光器件120发射的入射光并提供波长转换的光。作为示例，模制部140可以包括从由荧光体、量子点等组成的组中选择的至少一种。
同时，在上面的描述中，如图6中所示，首先，描述形成第一导电层321和第二导电层322的情况，并且然后如图7和图8中所示，已经描述了形成树脂部分135和模制部140的情况。
然而，按照根据实施例的发光器件封装的制造方法的另一示例，可以首先形成树脂部分135和模制部140，并且稍后形成第一导电层321和第二导电层322。
根据实施例的发光器件封装的制造方法的另一示例，可以不形成树脂部分135，并且可以仅在封装主体110的腔体处形成模制部140。
在根据实施例的发光器件封装100中，电力可以通过第一开口TH1的区域连接到第一焊盘电极121，并且电力可以通过第一开口TH1的区域连接到第二焊盘电极122。
因此，发光器件120可以由通过第一焊盘电极121和第二焊盘电极122供应的驱动电力来驱动。另外，从发光器件120发射的光可以设置在封装主体110的向上方向中。
同时，根据上述实施例的发光器件封装100可以被供应并且安装在子基板、电路板等上。
然而，当传统的发光器件封装安装在子基板、电路板等上时，可以应用诸如回流的高温工艺。此时，在回流工艺中，在框架和设置在发光器件封装中的发光器件之间的结合区域中发生再熔化现象，使得可能削弱电连接和物理耦合的稳定性。因此，可以改变发光器件的位置，并且可能劣化发光器件封装的光学和电学特性以及可靠性。
然而，根据实施例的发光器件封装和发光器件封装的制造方法，根据实施例的发光器件的第一电极和第二电极可以通过被布置在开口中的导电层被提供有驱动电力。另外，可以选择布置在开口中的导电层的熔点，使得其具有比一般结合材料更高的值。
因此，因为即使当通过回流工艺将发光器件封装100结合到主基板时根据实施例的发光器件封装100也不会引起再熔化现象，所以电连接和物理接合力量可能不会劣化。
此外，按照根据实施例的发光器件封装100和发光器件封装的制造方法，封装主体110在发光器件封装的制造工艺中不需要暴露于高温。因此，根据实施例，能够防止封装主体110由于暴露于高温而被损坏或变色。
因此，可以扩宽形成主体113的材料的选择范围。根据实施例，可以通过不仅使用诸如陶瓷的昂贵材料而且使用相对便宜的树脂材料来设置主体113。
例如，主体113可以包括从由聚对苯二甲酰胺(PPA)树脂、聚对苯二甲酸环己烷二甲酯(PCT)树脂、环氧模制化合物(EMC)树脂和硅酮模制化合物(SMC)树脂组成的组中选择的至少一种材料。
另外，根据实施例，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以设置为10％或更小。按照根据实施例的发光器件封装，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以设置为10％或更小，以便于确保从发光器件发射的发光区域并增加光提取效率。
另外，根据实施例，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以设置为0.7％或更大。根据实施例的发光器件封装，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以设置为0.7％或更大，以便于对要安装的发光器件提供稳定的结合力。
根据实施例，可以将粘合剂130基于第一方向与发光器件120重叠的面积设置为大于第一和第二开口TH1和TH2与第一和第二焊盘电极121和122重叠的区域的面积。
如上所述，当第一焊盘电极121和第二焊盘电极122的面积设置为小时，可以增加透射到发光器件120的下表面的光量。另外，可以在发光器件120下面提供具有良好反射特性的粘合剂130。因此，在发光器件120的向下方向上发射的光在粘合剂130处被反射，并且朝向发光器件封装100的向上方向有效地发射，使得可以改进光提取效率。
同时，根据上述实施例的发光器件封装可以包括各种修改。
首先，将参考图9至图17描述根据实施例的应用于发光器件封装的主体的修改的示例。在参考图9至图17描述根据实施例的发光器件封装中，可以省略与参考图1至图8描述的内容重叠的内容的描述。
图9至图11是解释应用于图3中所示的发光器件封装的主体的修改示例的视图。
根据实施例的发光器件封装100，如图9中所示，主体113可以包括设置在其上表面的至少两个凹部。
作为示例，主体113可以包括第一凹部R11，该第一凹部R11布置在相对于其上表面的中心区域的第一框架111侧。第一凹部R11可以设置为与第一框架111的端部接触。
另外，主体113可以包括第二凹部R12，该第二凹部R12布置在相对于其上表面的中心区域的第二框架112侧。第二凹部R12可以设置为与第二框架112的端部接触。
第一凹部R11可以设置成从主体113的上表面和第一框架111的上表面向下凹进。第二凹部R12可以设置为从主体113的上表面和第二框架112的上表面向下凹进。
根据实施例的发光器件封装100，粘合剂130可以设置到第一凹部R11和第二凹部R12。粘合剂130可以布置在发光器件120和主体113之间。粘合剂130可以布置在第一焊盘电极121和第二焊盘电极122之间。例如，粘合剂130可以布置成与第一焊盘电极121的侧表面和第二焊盘电极122的侧表面侧面接触。
第一凹部R11和第二凹部R12可以提供适当的空间，其中可以在发光器件120下面执行一种下填充工艺。
第一凹部R11和第二凹部R12可以设置在第一深度或更大，使得粘合剂130可以充分地设置在发光器件120的下表面和主体113的上表面之间。另外，第一凹部R11和第二凹部R12可以设置在第二深度或更小，以提供主体113的稳定强度。
粘合剂130可以在发光器件120和封装主体110之间提供稳定的固定力。粘合剂130可以在发光器件120和主体113之间提供稳定的固定力。作为示例，可以布置粘合剂130与主体113的上表面直接接触。另外，粘合剂130可以布置为与发光器件120的下表面直接接触。
另外，第一凹部R11和粘合剂130能够防止设置在第一开口TH1处的第一导电层321移动到发光器件120的下部区域。此外，第二凹部R12和粘合剂130能够防止设置在第二开口TH2处的第二导电层322移动到发光器件120的下部区域。因此，通过第一导电层321的移动或第二导电层322的移动能够防止发光器件120电短路或劣化。
同时，图9示出应用于根据实施例的发光器件封装的主体113的横截面图并且图10和11示出图9中所示的主体113的平面图。
例如，如图10中所示，第一凹部R11和第二凹部R12可以与被插入在其间的主体113的中心区域彼此隔开。第一凹部R11和第二凹部R12可以与被插入其间的主体113的中心区域彼此平行地布置。
另外，如图11中所示，第一凹部R11和第二凹部R12可以与插入其间的主体113的中心区域彼此隔开。同时，第一凹部R11和第二凹部R12可以布置成围绕主体113的中心区域以闭环形状彼此连接。
同时，图12至图14是解释应用于图3中所示的发光器件封装的主体的另一修改示例的视图。
根据实施例的发光器件封装100，如图12中所示，主体113可以包括设置在其上表面上的至少三个凹部。
作为示例，主体113可以包括第一凹部R21，该第一凹部R21布置在相对于其上表面的中心区域的第一框架111侧。第一凹部R21可以设置为从主体113的上表面沿下表面方向凹进。
另外，主体113可以包括第三凹部R23，该第三凹部R23布置在相对于其上表面的中心区域的第二框架112侧。第三凹部R23可以设置为从主体113的上表面沿下表面方向凹进。
另外，主体113可以包括布置在其上表面的中心区域处的第二凹部R22。第二凹部R22可以布置为从主体113的上表面沿下表面方向凹进。第二凹部R22可以布置在第一凹部R21和第三凹部R23之间。
根据实施例的发光器件封装100，粘合剂130可以设置在第一凹部R21、第二凹部R22和第三凹部R23中。粘合剂130可以布置在发光器件120和主体113之间。粘合剂130可以布置在第一焊盘电极121和第二焊盘电极122之间。例如，粘合剂130可以布置成与第一焊盘电极121的侧表面和第二焊盘电极122的侧表面接触。
第一凹部R21、第二凹部R22和第三凹部R23可以提供适当的空间，其中可以在发光器件120下面执行一种下填充工艺，以便于将发光器件120附接到封装主体。
第一凹部R21、第二凹部R22和第三凹部R23可以设置在第一深度或更大，使得粘合剂130可以充分地设置在发光器件120的下表面和主体113的上表面之间。另外，第一凹部R21、第二凹部R22和第三凹部R23可以设置在第二深度或更小，以提供主体113的稳定强度。
粘合剂130可以在发光器件120和封装主体110之间提供稳定的固定力。粘合剂130可以在发光器件120和主体113之间提供稳定的固定力。可以布置粘合剂130，作为示例，与主体113的上表面直接接触。另外，粘合剂130可以布置为与发光器件120的下表面直接接触。
另外，第一凹部R11和粘合剂130能够防止设置在第一开口TH1处的第一导电层321移动到发光器件120的下部区域。此外，第二凹部R12和粘合剂130能够防止设置在第二开口TH2处的第二导电层322移动到发光器件120的下部区域。因此，通过第一导电层321的移动或第二导电层322的移动能够防止发光器件120电短路或劣化。
同时，图12示出应用于根据实施例的发光器件封装的主体113的横截面图，并且图13和14示出图12中所示的主体113的平面图。
例如，如图13中所示，第一凹部R21、第二凹部R22和第三凹部R23可以在主体113的上表面上彼此隔开并且在一个方向上平行布置。第一凹部R21、第二凹部R22和第三凹部R23可以布置以在主体113的上表面上沿一个方向延伸。
另外，如图14中所示，第一凹部R21和第三凹部R23可以与被插入在其间的主体113的中心区域彼此隔开。同时，第一凹部R21和第三凹部R23可以被布置以围绕主体113的中心区域以闭环形状彼此连接。另外，第二凹部R22可以布置在主体113的中心区域中。第二凹部R22可以布置在由第一凹部R21和第三凹部R23围绕的空间中。
同时，图15至17是解释应用于图3中所示的发光器件封装的主体的又一个修改例的视图。
根据实施例的发光器件封装100，如图15中所示，主体113可以包括设置在其上表面上的至少两个凹部。
作为示例，主体113可以包括第一凹部R31，该第一凹部R31布置在相对于上表面的中心区域的第一框架111侧。第一凹部R31可以设置成从主体113的上表面沿下表面方向凹进。第一凹部R31可以被布置为与第一框架111的端部隔开。
另外，主体113可以包括第二凹部R32，该第二凹部R32布置在相对于其上表面的中心区域的第二框架112侧。第二凹部R32可以设置为从主体113的上表面沿下表面方向凹进。第二凹部R32可以布置为与第二框架112的端部隔开。
根据实施例的发光器件封装100，粘合剂130可以设置在第一凹部R31和第二凹部R32中。粘合剂130可以布置在发光器件120和主体113之间。粘合剂130可以布置在第一焊盘电极121和第二焊盘电极122之间。例如，粘合剂130可以布置成与第一焊盘电极121的侧表面和第二焊盘电极122的侧表面接触。
第一凹部R31和第二凹部R32可以提供适当的空间，其中可以在发光器件120下面执行一种下填充工艺。
第一凹部R31和第二凹部R32可以设置在第一深度或更大，使得粘合剂130可以充分地设置在发光器件120的下表面和主体113的上表面之间。另外，第一凹部R31和第二凹部R32可以设置在第二深度或更小，以提供主体113的稳定强度。
粘合剂130可以在发光器件120和封装主体110之间提供稳定的固定力。粘合剂130可以在发光器件120和主体113之间提供稳定的固定力。可以布置粘合剂130，作为示例，与主体113的上表面直接接触。另外，粘合剂130可以布置为与发光器件120的下表面直接接触。
另外，第一凹部R31和粘合剂130能够防止设置在第一开口TH1处的第一导电层321移动到发光器件120的下部区域。此外，第二凹部R32和粘合剂130能够防止设置在第二开口TH2处的第二导电层322移动到发光器件120的下部区域。因此，能够通过第一导电层321的移动或第二导电层322的移动防止发光器件120电短路或劣化。
同时，图15示出应用于根据实施例的发光器件封装的主体113的横截面图，并且图16和17示出图15中所示的主体113的平面图。
例如，如图16中所示，第一凹部R31和第二凹部R32可以在主体113的上表面上彼此隔开并且在一个方向上被平行布置。第一凹部R31和第二凹部R32可以布置以在主体113的上表面上沿一个方向延伸。
另外，如图17中所示，第一凹部R31和第二凹部R32可以与被插入在其间的主体113的中心区域彼此隔开。同时，第一凹部R31和第二凹部R32可以布置成围绕主体113的中心区域以闭环形状彼此连接。
接下来，将参考图18和图19描述根据本发明的实施例的发光器件封装的另一示例。
图18是图示根据本发明的实施例的发光器件封装的另一示例的视图，并且图19是解释应用于图18中所示的发光器件封装的第一框架、第二框架和主体的排列关系的视图。
在参考图18和图19描述根据实施例的发光器件封装中，可以省略与参考图1至图17描述的内容重叠的内容的描述。
根据实施例的发光器件封装100可以包括封装主体110和发光器件120，如图18和图19中所示。
封装主体110可以包括第一框架111和第二框架112。第一框架111和第二框架112可以布置为彼此隔开。
封装主体110可以包括主体113。主体113可以布置在第一框架111和第二框架112之间。主体113可以执行作为一种电极分离线的功能。
第一框架111和第二框架112可以设置为绝缘框架。第一框架111和第二框架112可以稳定地提供封装主体110的结构强度。
另外，第一框架111和第二框架112可以设置为导电框架。第一框架111和第二框架112可以稳定地提供封装主体110的结构强度，并且可以电连接到发光器件120。
稍后将描述将第一框架111和第二框架112形成为绝缘框架的情况与将第一框架111和第二框架112形成为导电框架的情况之间的不同。
例如，主体113可以由从由聚邻苯二甲酰胺(PPA)、多氯三联苯(PCT)、液晶聚合物(LCP)、聚酰胺9T(PA9T)、环氧模制化合物(EMC)、硅酮模制化合物(SMC)、陶瓷、光敏玻璃(PSG)、蓝宝石(Al2O3)等组成的组中选择的至少一种形成。另外，主体113可以包括高折射率填料，例如TiO2和SiO2。
根据实施例，发光器件120可以包括第一焊盘电极121、第二焊盘电极122、半导体结构123和衬底124。
发光器件120可以包括布置在衬底124下面的半导体结构123，如图18中所示。第一焊盘电极121和第二焊盘电极122可以布置在半导体结构123和主体113之间。
发光器件120可以布置在封装主体110上。发光器件120可以布置在第一框架111和第二框架112上。发光器件120可以布置在由封装主体110提供的腔体C中。
第一焊盘电极121可以布置在发光器件120的下表面上。第二焊盘电极122可以布置在发光器件120的下表面上。第一焊盘电极121和第二焊盘电极122可以布置为在发光器件120的下表面上彼此隔开。
第一焊盘电极121可以布置在第一框架111上。第二焊盘电极122可以布置在第二框架112上。
第一焊盘电极121可以布置在半导体结构123和第一框架111之间。第二焊盘电极122可以布置在半导体结构123和第二框架112之间。
同时，根据实施例的发光器件封装可以包括第一开口TH1和第二开口TH2，如图18和图19中所示。第一框架111可以包括第一开口TH1。第二框架112可以包括第二开口TH2。
第一开口TH1可以设置在第一框架111处。第一开口TH1可以通过穿过第一框架111来设置。第一开口TH1可以通过在第一方向穿过第一框架111的上表面和下表面来设置。
第一开口TH1可以布置在发光器件120的第一焊盘电极121下面。第一开口TH1可以设置为与发光器件120的第一焊盘电极121重叠。第一开口TH1可以设置为从第一框架111的上表面朝向其下表面在第一方向上与发光器件120的第一焊盘电极121重叠。
第二开口TH2可以设置在第二框架112处。第二开口TH2可以通过穿过第二框架112来设置。第二开口TH2可以通过在第一方向中穿过第二框架112的上表面和下表面来设置。
第二开口TH2可以布置在发光器件120的第二焊盘电极122下面。第二开口TH2可以设置为与发光器件120的第二焊盘电极122重叠。第二开口TH2可以设置为在第一方向上从第二框架112的上表面朝向其下表面与发光器件120的第二焊盘电极122重叠。
第一开口TH1和第二开口TH2可以布置为彼此隔开。第一开口TH1和第二开口TH2可以布置为在发光器件120的下表面下面彼此隔开。
根据实施例，第一开口TH1的上部区域的宽度W1可以大于第一焊盘电极121的宽度。另外，第二开口TH2的上部区域的宽度可以大于第二焊盘电极122的宽度。
根据实施例，第一焊盘电极121的下部可以布置在第一开口TH1的上部区域中。第一焊盘电极121的底表面可以布置为低于第一框架111的上表面。
另外，第二焊盘电极122的下部可以布置在第二开口TH2的上部区域中。第二焊盘电极122的底表面可以布置为低于第二框架112的上表面。
另外，根据实施例的发光器件封装可以包括粘合剂130。
粘合剂130可以布置在主体113和发光器件120之间。粘合剂130可以布置在主体113的上表面和发光器件120的下表面之间。
此外，根据实施例的发光器件封装可以包括凹部R，如图18和图19中所示。
凹部R可以设置在主体113处。凹部R可以设置在第一开口TH1和第二开口TH2之间。凹部R可以设置成从主体113的上表面朝向其下表面凹进。凹部R可以布置在发光器件120下面。凹部R可以设置为在第一方向上与发光器件120重叠。
作为示例，粘合剂130可以布置在凹部R中。粘合剂130可以布置在发光器件120和主体113之间。粘合剂130可以布置在第一焊盘电极121和第二焊盘电极121之间。作为示例，粘合剂130可以布置为与第一焊盘电极121的侧表面和第二焊盘电极122的侧表面接触。
粘合剂130可以在发光器件120和封装主体110之间提供稳定的固定力。粘合剂130可以在发光器件120和主体113之间提供稳定的固定力。作为示例，可以布置粘合剂130与主体113的上表面直接接触。另外，粘合剂130可以布置为与发光器件120的下表面直接接触。
作为示例，粘合剂130可以包括环氧基材料、硅酮基材料和包含环氧基材料和硅酮基材料的混合材料中的至少一种。作为示例，粘合剂130可以包括白色硅酮。粘合剂130可以被称为第一树脂作为另一种表示。
粘合剂130可以在主体113和发光器件120之间提供稳定的固定力。当光发射到发光器件120的下表面时，粘合剂130可以在发光器件120和主体113之间提供光扩散功能。当光从发光器件120发射到发光器件120的下表面时，粘合剂130可以通过提供光扩散功能改进发光器件封装100的光提取效率。
凹部R可以提供适当的空间，其中可以在发光器件120下面执行一种下填充工艺。凹部R可以设置在第一深度或更大，使得粘合剂130可以充分地设置在发光器件120的下表面和主体113的上表面之间。另外，凹部R可以设置在第二深度或更小的深度，以提供主体113的稳定强度。
另外，根据实施例的发光器件封装可以包括第一导电层321和第二导电层322。第一导电层321可以布置为与第二导电层322隔开。
第一导电层321可以设置在第一开口TH1处。第一导电层321可以布置在第一焊盘电极121下面。第一导电层321的宽度可以设置为大于第一焊盘电极121的宽度。
第一焊盘电极121可以具有与形成第一开口TH1的第一方向垂直的第二方向的宽度。第一焊盘电极121的宽度可以设置为小于第一开口TH1的第二方向的宽度。
第一导电层321可以布置为与第一焊盘电极121的下表面直接接触。第一导电层321可以电连接到第一焊盘电极121。第一导电层321可以布置为被第一框架111包围。
在第一开口TH1的上部区域中，第一导电层321的上部可以布置在第一焊盘电极121的下部的外围处。第一导电层321的上表面可以是布置为高于第一焊盘电极121的下表面。
第二导电层322可以设置在第二开口TH2处。第二导电层322可以布置在第二焊盘电极122下面。第二导电层322的宽度可以设置为大于第二焊盘电极122的宽度。
第二焊盘电极122可以具有垂直于形成第二开口TH2的第一方向的第二方向的宽度。第二焊盘电极122的宽度可以设置为小于第二开口TH2的第二方向的宽度。
第二导电层322可以布置为与第二焊盘电极122的下表面直接接触。第二导电层322可以电连接到第二焊盘电极122。第二导电层322可以布置为被第二框架112包围。
在第二开口TH2的上部区域中，第二导电层322的上部可以布置在第二焊盘电极122的下部的外围处。第二导电层322的上表面可以是布置为高于第二焊盘电极122的下表面。
第一导电层321和第二导电层322可以包括由Ag、Au、Pt、Sn、Cu或其合金组成的组中选择的一种材料。然而，本发明不限于此，并且可以在第一导电层321和第二导电层322中使用能够确保导电功能的材料。
作为示例，第一导电层321和第二导电层322可以通过使用导电膏形成。导电膏可以包括焊膏、银膏等，并且可以由多层或由多层构成的单层或由不同材料构成的合金构成。作为示例，第一导电层321和第二导电层322可以包括SAC(Sn-Ag-Cu)材料。
另外，如图18和图19中所示，根据实施例的发光器件封装可以包括第一下凹部R10和第二下凹部R20。第一下凹部R10和第二下凹部R20可以布置为彼此隔开。
第一下凹部R10可以设置在第一框架111的下表面处。第一下凹部R10可以设置成从第一框架111的下表面朝向其上表面凹进。第一下凹部R10可以布置为与第一开口TH1隔开。
第一下凹部R10可以设置有数微米到数十微米的宽度。树脂部分可以设置在第一下凹部R10处。填充在第一下凹部R10处的树脂部分可以设置有例如与主体113相同的材料。
作为示例，填充在第一下凹部R10处的树脂部分可以在通过注入工艺等形成第一框架111、第二框架112和主体113的工艺中提供。
填充在第一下凹部R10处的树脂部分，如参考图2在上面所描述的，可以被布置在其中设置有第一开口TH1的第一框架111的下表面区域周围。其中设置有第一开口TH1的第一框架111的下表面区域可以布置为以岛的形状与形成其周围的第一框架111的下表面分离。
作为示例，如参考图2在上面描述的，通过填充在第一下凹部R10和主体113处的树脂部分，其中设置有第一开口TH1的第一框架111的下表面区域可以与其周围的第一框架111的隔离。
因此，能够防止设置在第一开口TH1中的第一导电层321从第一开口TH1移动并且在填充在第一下凹部R10或主体113的树脂部分上扩散。
因为第一导电层321不会从第一开口TH1朝向设置有树脂部分或主体113的区域溢出，所以能够防止第一导电层321溢出或延伸到其中设置树脂部分或主体113的区域的外部，使得第一导电层321可以稳定地设置在设置第一开口TH1的区域中。另外，第一导电层321可以稳定地连接到第一开口TH1中的第一焊盘电极121的下表面。
另外，第二下凹部R20可以设置在第二框架112的下表面处。第二下凹部R20可以设置成从第二框架112的下表面朝向其上表面凹进。第二下凹部R20可以布置为与第二开口TH2隔开。
第二下凹部R20可以设置有数微米到数十微米的宽度。树脂部分可以设置在第二下凹部R20处。填充在第二下凹部R20处的树脂部分可以设置有例如与主体113相同的材料。
作为示例，可以在其中通过注入工艺等形成第一框架111、第二框架112和主体113的工艺中设置填充在第二下凹部R20处的树脂部分。
填充在第二下凹部R20处的树脂部分，如上面参考图2所描述的，可以布置在第二框架112的下表面区域周围，其中第二开口TH2被设置。其中设置有第二开口TH2的第二框架112的下表面区域可以布置为以岛的形状与形成在其周围的第二框架112的下表面分离。
作为示例，如参考图2在上面所描述的，通过填充在第二下凹部R20和主体113处的树脂部分，其中设置有第二开口TH2的第二框架112的下表面区域可以与其周围的第二框架112隔离。
因此，能够防止布置在第二开口TH2中的第二导电层322从第二开口TH2移动并且在填充在第二下凹部R20或主体113的树脂部分上扩散。
因为第二导电层322不会从第二开口TH2朝向设置有树脂部分或主体113的区域溢出，所以能够防止第二导电层322溢出或延伸到其中树脂部分或者主体113被设置的区域的外部，使得第二导电层322可以稳定地布置在设置第二开口TH2的区域中。另外，第二导电层322可以稳定地连接到第二开口TH2中的第二焊盘电极122的下表面。
此外，根据实施例的发光器件封装可以包括第一上凹部R3和第二上凹部R4，如图18和图19中所示。
第一上凹部R3可以设置在第一框架111的上表面上。第一上凹部R3可以设置成在下表面方向上从第一框架111的上表面凹进。第一上凹部R3可以布置为与第一开口TH1隔开。
当从其上方向观看时，第一上凹部R3可以被设置为与第一焊盘电极121的外围相邻，如图19中所示。例如，第一上凹部R3可以以“[”形状设置在第一焊盘电极121的外围。
根据实施例，第一上凹部R3可以设置成在垂直方向上不与第一下凹部R10重叠。当第一上凹部R3和第一下凹部R10在垂直方向上彼此重叠并且布置在其间的第一框架111的厚度太薄时，第一框架111的强度可能减小。
根据另一实施例，当充分设置第一框架111的厚度时，第一上凹部R3和第一下凹部R10设置成在垂直方向上彼此重叠。
第二上凹部R4可以设置在第二框架112的上表面上。第二上凹部R4可以设置成在下表面方向上从第二框架112的上表面凹进。第二上凹部R4可以布置为与第二开口TH2隔开。
根据实施例，第二上凹部R4可以设置成在垂直方向上不与第二下凹部R20重叠。当第二上凹部R4和第二下凹部R20在垂直方向上彼此重叠并且布置在其间的第二框架112的厚度太薄时，第二框架112的强度可能减小。
根据另一实施例，当充分提供第二框架112的厚度时，第二上凹部R4和第二下凹部R20设置使得在垂直方向上彼此重叠。
当从其上方向观看时，第二上凹部R4可以被设置为与第二焊盘电极122的外围相邻，如图19中所示。例如，第二上凹部R4可以以“]”形状设置在第二焊盘电极122的外围。
例如，第一上凹部R3和第二上凹部R4可以设置有数十微米到数百微米的宽度。
另外，根据实施例的发光器件封装可以包括树脂部分135，如图18中所示。
树脂部分135可以设置在第一上凹部R3和第二上凹部R4处。
树脂部分135可以布置在第一焊盘电极121的侧表面处。树脂部分135可以设置在第一上凹部R3处并且设置为延伸到第一焊盘电极121被布置的区域。树脂部分135可以布置在半导体结构123下面。
从第一上凹部R3的端部到发光器件120的相邻端部的距离L11可以是数百微米或更小。作为示例，从第一上凹部R3的端部到发光器件120的相邻端部的距离L11可以设置为等于或小于200微米。
从第一上凹部R3的端部到发光器件120的相邻端部的距离L11可以由填充在第一上凹部R3处的树脂部分135的粘度等来确定。
另外，树脂部分135可以布置在第二焊盘电极122的侧表面处。树脂部分135可以设置在第二上凹部R4处并且设置为延伸到其中布置第二焊盘电极122的区域。树脂部分135可以布置在半导体结构123下面。
另外，树脂部分135也可以设置在半导体结构123的侧表面处。树脂部分135可以布置在半导体结构123的侧表面上，并且因此能够有效地防止第一和第二导电层321和322移动到半导体结构123的侧表面。此外，当树脂部分135布置在半导体结构123的侧表面上时，树脂部分135可以被布置在半导体结构123的有源层下面，并且因此可以改进发光器件120的光提取效率。
第一上凹部R3和第二上凹部R4可以提供足够的空间，树脂部分135可以设置在该空间中。
作为示例，树脂部分135可以包括环氧基材料、硅酮基材料和包含环氧基材料和硅酮基材料的混合材料中的至少一种。另外，树脂部分135可以包括诸如TiO2的反射材料，和/或包括硅酮的白色硅酮。
树脂部分135可以布置在发光器件120下面以执行密封功能。另外，树脂部分135可以改进发光器件120和第一框架111之间的粘附力。另外，树脂部分135可以改进发光器件120和第二框架112之间的粘附力。
树脂部分135可以围绕第一焊盘电极121和第二焊盘电极122密封。树脂部分135能够防止第一导电层321和第二导电层322从第一开口TH1区域和第二开口TH2区域移动并且朝向发光器件120扩散和移动。
另外，当树脂部分135包括具有诸如白色硅酮的具有反射特性的材料时，树脂部分135可以将从发光器件120发射的光朝向封装主体110的向上方向反射，从而改进发光器件封装100的光提取效率。
另外，根据实施例，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以设置为10％或更小。按照根据实施例的发光器件封装，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以设置为10％或更小，以便于确保从发光器件发射的发光区域并且增加光提取效率。
另外，根据实施例，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以设置为0.7％或更大。根据实施例的发光器件封装，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以设置为0.7％或更大，以便于对要被安装的发光器件提供稳定的结合力。
根据实施例，粘合剂130基于第一方向与发光器件120重叠的面积可以被设置为大于第一和第二开口TH1和TH2与第一和第二焊盘电极121和122重叠的区域的面积。
如上所述，因为第一焊盘电极121和第二焊盘电极122的面积被设置为小，所以可以增加透射到发光器件120的下表面的光量。另外，可以在发光器件120下面提供具有良好反射特性的粘合剂130。因此，在发光器件120的向下方向中发射的光在粘合剂130处被反射，并且朝着发光器件封装100的向上方向被有效地发射，使得可以改进光提取效率。
另外，根据实施例的发光器件封装可以包括模制部140。
模制部140可以设置在发光器件120上。模制部140可以布置在第一框架111和第二框架112上。模制部140可以布置在由封装主体110提供的腔体C处。模制部140可以布置在树脂部分135上。
另外，按照根据本发明的实施例的发光器件封装的另一示例，树脂部分135可以不单独设置，并且粘合剂130可以设置在第一和第二焊盘电极121和122的外围处。
此时，粘合剂130可以被称为第一树脂，并且第一和第二焊盘电极121和122可以分别被称为第一和第二结合部。
同时，粘合剂130可以布置在第一开口TH1和第二开口TH2的上部区域处。在发光器件120设置在封装主体110上的工艺中，粘合剂130的一部分可以移动到第一和第二开口TH1和TH2。粘合剂130的一部分可以布置在第一和第二开口TH1和TH2中的第一和第二焊盘电极121和122的侧表面区域处。粘合剂130的一部分可以布置在第一开口TH1和第二开口TH2中的第一导电层321和第二导电层322上。
粘合剂130可以密封第一开口TH1和第二开口TH2的上部区域，并防止湿气或者异物从外部通过第一和第二开口TH1和TH2流入其中布置发光器件120的区域中。
另外，当充分确保用于在发光器件120和封装主体110之间提供粘合剂130的空间时，凹部R可以不设置在封装主体110的上表面上。
在根据实施例的发光器件封装100中，电力可以通过第一开口TH1的区域被连接到第一焊盘电极121，并且电力可以通过第二开口TH2的区域被连接到第二焊盘电极122。
因此，发光器件120可以由通过第一焊盘电极121和第二焊盘电极122供应的驱动电力来驱动。另外，从发光器件120发射的光可以设置在封装主体110的向上方向中。
同时，根据上述实施例的发光器件封装100可以被供应并且安装到子基板、电路板等等上。
然而，当传统的发光器件封装安装在子基板、电路板等上时，可以应用诸如回流的高温工艺。此时，在回流工艺中，在引线框架和设置在发光器件封装中的发光器件之间的结合区域中发生再熔化现象，使得可能削弱电连接和物理耦合的稳定性。
然而，根据实施例的发光器件封装和发光器件封装的制造方法，根据实施例的发光器件的第一焊盘电极和第二焊盘电极可以通过被布置在开口中的导电层被提供有驱动电力。另外，可以选择布置在开口中的导电层的熔点使得具有比一般结合材料更高的值。
因此，因为即使当发光器件封装100通过回流工艺被结合到主基板时根据实施例的发光器件封装100没有引起再熔化现象，所以电连接和物理结合力可能没有被劣化。
此外，按照根据实施例的发光器件封装100和发光器件封装的制造方法，封装主体110不需要在发光器件封装的制造工艺中被暴露于高温。因此，根据实施例，能够防止封装主体110由于暴露于高温而损坏或变色。
因此，可以扩宽形成主体113的材料的选择范围。根据实施例，可以通过不仅使用诸如陶瓷的昂贵材料而且使用相对便宜的树脂材料来设置主体113。
例如，主体113可以包括从由聚对苯二甲酰胺(PPA)树脂、聚对苯二甲酸环己烷二甲酯(PCT)树脂、环氧模制化合物(EMC)树脂和硅酮模制化合物(SMC)树脂组成的组中选择的至少一种材料。
接下来，将参考图20描述根据本发明的实施例的发光器件封装的另一示例。
在参考图20描述根据实施例的发光器件封装中，可以省略重叠参考图1至图19描述的内容重叠的内容的描述。
根据实施例的发光器件封装可以包括封装主体110和发光器件120，如图20中所示。
封装主体110可以包括第一框架111和第二框架112。第一框架111和第二框架112可以布置为彼此隔开。
封装主体110可以包括主体113。主体113可以布置在第一框架111和第二框架112之间。主体113可以执行作为一种电极分离线的功能。
第一框架111和第二框架112可以设置为绝缘框架。第一框架111和第二框架112可以稳定地提供封装主体110的结构强度。
另外，第一框架111和第二框架112可以设置为导电框架。第一框架111和第二框架112可以稳定地提供封装主体110的结构强度，并且可以电连接到发光器件120。
稍后将描述将第一框架111和第二框架112形成作为绝缘框架的情况与将第一框架111和第二框架112形成为导电框架的情况之间的不同。
例如，主体113可以由从由聚邻苯二甲酰胺(PPA)、多氯三联苯(PCT)、液晶聚合物(LCP)、聚酰胺9T(PA9T)、硅酮，环氧模制化合物(EMC)、硅酮模制化合物(SMC)、陶瓷、光敏玻璃(PSG)、蓝宝石(Al2O3)等组成的组中选择的至少一个形成。另外，主体113可以包括高折射率填料，例如TiO2和SiO2。
根据实施例，发光器件120可以包括第一焊盘电极121、第二焊盘电极122、半导体结构123和衬底124。
发光器件120可以包括布置在衬底124下面的半导体结构123，如图20中所示。第一焊盘电极121和第二焊盘电极122可以布置在半导体结构123和主体113之间。
发光器件120可以布置在封装主体110上。发光器件120可以布置在第一框架111和第二框架112上。发光器件120可以布置在通过封装主体110提供的腔体C中。
第一焊盘电极121可以布置在发光器件120的下表面上。第二焊盘电极122可以布置在发光器件120的下表面上。第一焊盘电极121和第二焊盘电极122可以布置以在发光器件120的下表面上彼此隔开。
第一焊盘电极121可以布置在第一框架111上。第二焊盘电极122可以布置在第二框架112上。
第一焊盘电极121可以布置在半导体结构123和第一框架111之间。第二焊盘电极122可以布置在半导体结构123和第二框架112之间。
同时，根据实施例的发光器件封装可以包括第一开口TH1和第二开口TH2，如图20中所示。第一框架111可以包括第一开口TH1。第二框架112可以包括第二开口TH2。
第一开口TH1可以设置在第一框架111处。第一开口TH1可以通过穿过第一框架111来设置。第一开口TH1可以通过在第一方向中穿过第一框架111的上表面和下表面来设置。
第一开口TH1可以布置在发光器件120的第一焊盘电极121下面。第一开口TH1可以设置为与发光器件120的第一焊盘电极121重叠。第一开口TH1可以设置为从第一框架111的上表面朝向其下表面在第一方向上与发光器件120的第一焊盘电极121重叠。
第二开口TH2可以设置在第二框架112处。第二开口TH2可以通过穿过第二框架112来设置。第二开口TH2可以通过在第一方向中穿过第二框架112的上表面和下表面来设置。
第二开口TH2可以布置在发光器件120的第二焊盘电极122下面。第二开口TH2可以设置为与发光器件120的第二焊盘电极122重叠。第二开口TH2可以设置为在第一方向上从第二框架112的上表面朝向其下表面与发光器件120的第二焊盘电极122重叠。
第一开口TH1和第二开口TH2可以布置为彼此隔开。第一开口TH1和第二开口TH2可以布置为在发光器件120的下表面下面彼此隔开。
根据实施例，第一开口TH1的上部区域的宽度W1可以大于第一焊盘电极121的宽度。此外，第二开口TH2的上部区域的宽度可以大于第二焊盘电极122的宽度。
根据实施例，第一焊盘电极121的下部可以布置在第一开口TH1的上部区域中。第一焊盘电极121的底表面可以布置为低于第一框架111的上表面。
另外，第二焊盘电极122的下部可以布置在第二开口TH2的上部区域中。第二焊盘电极122的底表面可以布置为低于第二框架112的上表面。
根据实施例的发光器件封装可以包括粘合剂130。
粘合剂130可以布置在主体113和发光器件120之间。粘合剂130可以布置在主体113的上表面和发光器件120的下表面之间。
根据实施例的发光器件封装可以包括凹部R，如图20中所示。
凹部R可以设置在主体113处。凹部R可以设置在第一开口TH1和第二开口TH2之间。凹部R可以设置成从主体113的上表面朝向其下表面凹进。凹部R可以布置在发光器件120下面。凹部R可以设置为在第一方向上与发光器件120重叠。
作为示例，粘合剂130可以布置在凹部R中。粘合剂130可以布置在发光器件120和主体113之间。粘合剂130可以布置在第一焊盘电极121和第二焊盘电极121之间。作为示例，粘合剂130可以布置为与第一焊盘电极121的侧表面和第二焊盘电极122的侧表面接触。
粘合剂130可以在发光器件120和封装主体110之间提供稳定的固定力。粘合剂130可以在发光器件120和主体113之间提供稳定的固定力。作为示例，可以布置粘合剂130与主体113的上表面直接接触。另外，粘合剂130可以布置为与发光器件120的下表面直接接触。
作为示例，粘合剂130可以包括环氧基材料、硅酮基材料和包含环氧基材料和硅酮基材料的混合材料中的至少一种。作为示例，粘合剂130可以包括白色硅酮。粘合剂130可以被称为第一树脂作为另一种表示。
粘合剂130可以在主体113和发光器件120之间提供稳定的固定力。当光发射到发光器件120的下表面时，粘合剂130可以在发光器件120和主体113之间提供光扩散功能。当光从发光器件120发射到发光器件120的下表面时，粘合剂130可以通过提供光扩散功能改进发光器件封装100的光提取效率。
凹部R可以提供适当的空间，其中可以在发光器件120下面执行一种下填充工艺。凹部R可以设置在第一深度或更大，使得粘合剂130可以充分设置在发光器件120的下表面和主体113的上表面之间。另外，凹部R可以设置在第二深度或更小的深度，以提供主体113的稳定强度。
另外，根据实施例，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以设置为10％或更小。按照根据实施例的发光器件封装，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以设置为10％或更小，以便于确保从发光器件发射的发光区域并且增加光提取效率。
另外，根据实施例，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以设置为0.7％或更大。根据实施例的发光器件封装，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以设置为0.7％或更大，以便于对要被安装的发光器件提供稳定的结合力。
根据实施例，粘合剂130基于第一方向与发光器件120重叠的面积可以被设置为大于第一和第二开口TH1和TH2与第一和第二焊盘电极121和122重叠的区域的面积。
如上所述，因为第一焊盘电极121和第二焊盘电极122的面积被设置为小，所以可以增加透射到发光器件120的下表面的光量。另外，可以在发光器件120下面提供具有良好反射特性的粘合剂130。因此，在发光器件120的向下方向中发射的光在粘合剂130处被反射，并且朝着发光器件封装100的向上方向被有效地发射，使得可以改进光提取效率。
另外，根据实施例的发光器件封装可以包括第一导电层321和第二导电层322。第一导电层321可以布置为与第二导电层322隔开。
第一导电层321可以设置在第一开口TH1处。第一导电层321可以布置在第一焊盘电极121下面。第一导电层321的宽度可以设置为大于第一焊盘电极121的宽度。
第一焊盘电极121可以具有与形成第一开口TH1的第一方向垂直的第二方向的宽度。第一焊盘电极121的宽度可以设置为小于第一开口TH1的第二方向的宽度。
第一导电层321可以布置为与第一焊盘电极121的下表面直接接触。第一导电层321可以电连接到第一焊盘电极121。第一导电层321可以布置以被第一框架111包围。
在第一开口TH1的上部区域中，第一导电层321的上部可以布置在第一焊盘电极121的下部的外围处。第一导电层321的上表面可以是布置为高于第一焊盘电极121的下表面。
第二导电层322可以设置在第二开口TH2处。第二导电层322可以布置在第二焊盘电极122下面。第二导电层322的宽度可以设置为大于第二焊盘电极122的宽度。
第二焊盘电极122可以具有垂直于形成第二开口TH2的第一方向的第二方向的宽度。第二焊盘电极122的宽度可以设置为小于第二开口TH2的第二方向的宽度。
第二导电层322可以布置为与第二焊盘电极122的下表面直接接触。第二导电层322可以电连接到第二焊盘电极122。第二导电层322可以布置为被第二框架112包围。
在第二开口TH2的上部区域中，第二导电层322的上部可以布置在第二焊盘电极122的下部的外围处。第二导电层322的上表面可以是布置为高于第二焊盘电极122的下表面。
第一导电层321和第二导电层322可以包括由Ag、Au、Pt、Sn、Cu或其合金组成的组中选择的一种材料。然而，本发明不限于此，并且可以在第一导电层321和第二导电层322中使用能够确保导电功能的材料。
作为示例，第一导电层321和第二导电层322可以通过使用导电膏形成。导电膏可以包括焊膏、银膏等，并且可以由多层或由多层构成的单层或由不同材料构成的合金构成。作为示例，第一导电层321和第二导电层322可以包括SAC(Sn-Ag-Cu)材料。
此外，根据实施例的发光器件封装可以包括第一上凹部R3和第二上凹部R4，如图20中所示。
第一上凹部R3可以设置在第一框架111的上表面上。第一上凹部R3可以设置成在下表面方向上从第一框架111的上表面凹进。第一上凹部R3可以布置为与第一开口TH1隔开。
当从其上方向观看时，第一上凹部R3可以被设置为与第一焊盘电极121的外围相邻，如图19中所示。例如，第一上凹部R3可以以“[”形状设置在第一焊盘电极121的外围。
第二上凹部R4可以设置在第二框架112的上表面上。第二上凹部R4可以设置成在下表面方向上从第二框架112的上表面凹进。第二上凹部R4可以布置为与第二开口TH2隔开。
当从其向上方向观看时，第二上凹部R4可以被设置为与第二焊盘电极122的外围相邻，如图19中所示。例如，第二上凹部R4可以以“]”形状设置在第二焊盘电极122的外围。
例如，第一上凹部R3和第二上凹部R4可以设置有数十微米到数百微米的宽度。
此外，根据实施例的发光器件封装可以包括树脂部分135，如图20中所示。
树脂部分135可以设置在第一上凹部R3和第二上凹部R4处。
树脂部分135可以布置在第一焊盘电极121的侧表面处。树脂部分135可以设置在第一上凹部R3处并且设置为延伸到第一焊盘电极121被布置的区域。树脂部分135可以布置在半导体结构123下面。
从第一上凹部R3的一端到发光器件120的相邻端部的距离L11可以是数百微米或更小。作为示例，从第一上凹部R3的端部到发光器件120的相邻端部的距离L11可以设置为等于或小于200微米。
从第一上凹部R3的端部到发光器件120的相邻端部的距离L11可以由填充在第一上凹部R3处的树脂部分135的粘度等来确定。
另外，树脂部分135可以布置在第二焊盘电极122的侧表面处。树脂部分135可以设置在第二上凹部R4处并且设置为延伸到其中布置第二焊盘电极122的区域。树脂部分135可以布置在半导体结构123下面。
此外，树脂部分135也可以设置在半导体结构123的侧表面处。树脂部分135可以布置在半导体结构123的侧表面上，并且因此能够有效地防止第一和第二导电层321和322移动到半导体结构123的侧表面。此外，当树脂部分135布置在半导体结构123的侧表面上时，树脂部分135可以被布置在半导体结构123的有源层下面，并且因此可以改进发光器件120的光提取效率。
第一上凹部R3和第二上凹部R4可以提供足够的空间，树脂部分135可以设置在该空间中。
作为示例，树脂部分135可以包括环氧基材料、硅酮基材料和包含环氧基材料和硅酮基材料的混合材料中的至少一种。另外，树脂部分135可以包括诸如TiO2的反射材料，和/或包括硅酮的白色硅酮。
树脂部分135可以布置在发光器件120下面以执行密封功能。另外，树脂部分135可以改进发光器件120和第一框架111之间的粘附力。另外，树脂部分135可以改进发光器件120和第二框架112之间的粘附力。
树脂部分135可以围绕第一焊盘电极121和第二焊盘电极122密封。树脂部分135能够防止第一导电层321和第二导电层322从第一开口TH1区域和第二开口TH2区域移动并且朝向发光器件120扩散和移动。
另外，当树脂部分135包括具有诸如白色硅酮的具有反射特性的材料时，树脂部分135可以将从发光器件120发射的光朝向封装主体110的向上方向反射，从而改进发光器件封装100的光提取效率。
另外，根据实施例的发光器件封装可以包括模制部140。
模制部140可以设置在发光器件120上。模制部140可以布置在第一框架111和第二框架112上。模制部140可以布置在由封装主体110提供的腔体C处。模制部140可以布置在树脂部分135上。
另外，按照根据本发明的实施例的发光器件封装的另一示例，树脂部分135可以不单独设置，并且粘合剂130可以设置在第一和第二焊盘电极121和122的外围处。
此时，粘合剂130可以被称为第一树脂，并且第一和第二焊盘电极121和122可以分别被称为第一和第二结合部。
同时，粘合剂130可以布置在第一开口TH1和第二开口TH2的上部区域处。在发光器件120设置在封装主体110上的工艺中，粘合剂130的一部分可以移动到第一和第二开口TH1和TH2。粘合剂130的一部分可以布置在第一和第二开口TH1和TH2中的第一和第二焊盘电极121和122的侧表面区域处。粘合剂130的一部分可以布置在第一开口TH1和第二开口TH2中的第一导电层321和第二导电层322上。
粘合剂130可以密封第一开口TH1和第二开口TH2的上部区域，并防止湿气或者异物从外部通过第一和第二开口TH1和TH2流入其中布置发光器件120的区域中。
另外，当充分确保用于在发光器件120和封装主体110之间提供粘合剂130的空间时，凹部R可以不设置在封装主体110的上表面上。
在根据实施例的发光器件封装100中，电力可以通过第一开口TH1的区域被连接到第一焊盘电极121，并且电力可以通过第二开口TH2的区域被连接到第二焊盘电极122。
因此，发光器件120可以由通过第一焊盘电极121和第二焊盘电极122供应的驱动电力来驱动。另外，从发光器件120发射的光可以设置在封装主体110的向上方向中。
同时，根据上述实施例的发光器件封装100可以被供应并且安装到子基板、电路板等等上。
然而，当传统的发光器件封装安装在子基板、电路板等上时，可以应用诸如回流的高温工艺。此时，在回流工艺中，在引线框架和设置在发光器件封装中的发光器件之间的结合区域中发生再熔化现象，使得可能削弱电连接和物理耦合的稳定性。
然而，根据实施例的发光器件封装和发光器件封装的制造方法，根据实施例的发光器件的第一焊盘电极和第二焊盘电极可以通过被布置在开口中的导电层被提供有驱动电力。另外，可以选择布置在开口中的导电层的熔点使得具有比一般结合材料更高的值。
因此，因为即使当发光器件封装100通过回流工艺被结合到主基板时根据实施例的发光器件封装100没有引起再熔化现象，所以电连接和物理结合力可能没有被劣化。
另外，按照根据实施例的发光器件封装100和发光器件封装的制造方法，封装主体110不需要在发光器件封装的制造工艺中被暴露于高温。因此，根据实施例，能够防止封装主体110由于暴露于高温而损坏或变色。
因此，可以扩宽形成主体113的材料的选择范围。根据实施例，可以通过不仅使用诸如陶瓷的昂贵材料而且使用相对便宜的树脂材料来设置主体113。
例如，主体113可以包括从由聚对苯二甲酰胺(PPA)树脂、聚对苯二甲酸环己烷二甲酯(PCT)树脂、环氧模制化合物(EMC)树脂和硅酮模制化合物(SMC)树脂组成的组中选择的至少一种材料。
接下来，将参考图21描述根据本发明的实施例的发光器件封装的另一示例。
在描述根据参考图21的实施例的发光器件封装中，可以省略与参考图1至图20描述的内容重叠的内容的描述。
图21中所示的发光器件封装与参考图18至图20描述的发光器件封装在第一上凹部R3和第二上凹部R4的形成位置中不同。
在根据实施例的发光器件封装中，如图21中所示，当从其向上方向观看时，第一上凹部R3的一部分区域可以在垂直方向上与半导体结构123重叠。作为示例，第一上凹部R3的与第一焊盘电极121相邻的侧表面区域可以设置为在半导体结构123下面延伸。
另外，在根据实施例的发光器件封装中，如图21中所示，当从其向上方向观看时，第二上凹部R4的区域的一部分可以在垂直方向上与半导体结构123重叠。作为示例，第二上凹部R4的与第二焊盘电极122相邻的侧表面区域可以设置为在半导体结构123下面延伸。
因此，填充在第一上凹部R3和第二上凹部R4中的树脂部分135可以有效地密封第一焊盘电极121和第二焊盘电极122的外围。
此外，第一上凹部R3和第二上凹部R4可以提供足够的空间，其中树脂部分135可以布置在发光器件120下面。第一上凹部R3和第二上凹部R4可以提供适当的空间，其中可以在发光器件120下执行一种下填充工艺。
作为示例，树脂部分135可以包括环氧基材料、硅酮基材料和包含环氧基材料和硅酮基材料的混合材料中的至少一种。另外，树脂部分135可以是反射从发光器件120发射的光的反射部分，例如，包含诸如TiO2的反射材料的树脂。树脂部分135可以包括白色硅酮。
树脂部分135可以布置在发光器件120下面以执行密封功能。另外，树脂部分135可以改进发光器件120和第一框架111之间的粘附力。另外，树脂部分135可以改进发光器件120和第二框架112之间的粘附力。
树脂部分135可以围绕第一焊盘电极121和第二焊盘电极122密封。树脂部分135能够防止第一导电层321和第二导电层322从第一开口TH1区域和第二开口TH2区域移动并且朝向发光器件120扩散和移动。
另外，当树脂部分135包括具有诸如白色硅酮的具有反射特性的材料时，树脂部分135可以将从发光器件120发射的光朝向封装主体110的向上方向反射，从而改进发光器件封装100的光提取效率。
另外，根据实施例，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以被设置为10％或更小。按照根据实施例的发光器件封装，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以设置为10％或更小，以便于确保从发光器件发射的发光区域并且增加光提取效率。
另外，根据实施例，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以设置为0.7％或更大。根据实施例的发光器件封装，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以设置为0.7％或更大，以便于对要被安装的发光器件提供稳定的结合力。
根据实施例，粘合剂130基于第一方向与发光器件120重叠的面积可以被设置为大于第一和第二开口TH1和TH2与第一和第二焊盘电极121和122重叠的区域的面积。
如上所述，因为第一焊盘电极121和第二焊盘电极122的面积被设置为小，所以可以增加透射到发光器件120的下表面的光量。另外，可以在发光器件120下面提供具有良好反射特性的粘合剂130。因此，在发光器件120的向下方向中发射的光在粘合剂130处被反射，并且朝着发光器件封装100的向上方向被有效地发射，使得可以改进光提取效率。
在根据实施例的发光器件封装100中，电力可以通过第一开口TH1的区域被连接到第一焊盘电极121，并且电力可以通过第二开口TH2的区域被连接到第二焊盘电极122。
因此，发光器件120可以由通过第一焊盘电极121和第二焊盘电极122供应的驱动电力来驱动。另外，从发光器件120发射的光可以沿着封装主体110的向上方向被设置。
同时，根据上述实施例的发光器件封装100可以被供应并且安装到子基板、电路板等等上。
然而，当传统的发光器件封装安装在子基板、电路板等上时，可以应用诸如回流的高温工艺。此时，在回流工艺中，在引线框架和设置在发光器件封装中的发光器件之间的结合区域中发生再熔化现象，使得可能削弱电连接和物理耦合的稳定性。
然而，根据实施例的发光器件封装和发光器件封装的制造方法，根据实施例的发光器件的第一焊盘电极和第二焊盘电极可以通过被布置在开口中的导电层被提供有驱动电力。另外，可以选择布置在开口中的导电层的熔点使得具有比一般结合材料更高的值。
因此，因为即使当发光器件封装100通过回流工艺被结合到主基板时根据实施例的发光器件封装100没有引起再熔化现象，所以电连接和物理结合力可能没有被劣化。
此外，按照根据实施例的发光器件封装100和发光器件封装的制造方法，封装主体110不需要在发光器件封装的制造工艺中被暴露于高温。因此，根据实施例，能够防止封装主体110由于暴露于高温而损坏或变色。
因此，可以扩宽形成主体113的材料的选择范围。根据实施例，可以通过不仅使用诸如陶瓷的昂贵材料而且使用相对便宜的树脂材料来设置主体113。
例如，主体113可以包括从由聚对苯二甲酰胺(PPA)树脂、聚对苯二甲酸环己烷二甲酯(PCT)树脂、环氧模制化合物(EMC)树脂和硅酮模制化合物(SMC)树脂组成的组中选择的至少一种材料。
接下来，将参考图22描述根据本发明的实施例的发光器件封装的另一示例。
在参考图22描述根据实施例的发光器件封装中，可以省略与参考图1至图21描述的内容重叠的内容的描述。
根据实施例的发光器件封装可以包括封装主体110和发光器件120，如图22中所示。
封装主体110可以包括第一框架111和第二框架112。第一框架111和第二框架112可以布置为彼此隔开。
封装主体110可以包括主体113。主体113可以布置在第一框架111和第二框架112之间。主体113可以执行作为一种电极分离线的功能。
第一框架111和第二框架112可以设置为绝缘框架。第一框架111和第二框架112可以稳定地提供封装主体110的结构强度。
另外，第一框架111和第二框架112可以设置为导电框架。第一框架111和第二框架112可以稳定地提供封装主体110的结构强度，并且可以电连接到发光器件120。
稍后将描述将第一框架111和第二框架112形成为绝缘框架的情况与将第一框架111和第二框架112形成为导电框架的情况之间的不同。
根据实施例，发光器件120可以包括第一焊盘电极121、第二焊盘电极122、半导体结构123和衬底124。
发光器件120可以包括布置在衬底124下面的半导体结构123，如图22中所示。第一焊盘电极121和第二焊盘电极122可以布置在半导体结构123和主体113之间。
第一焊盘电极121可以布置在发光器件120的下表面上。第二焊盘电极122可以布置在发光器件120的下表面上。第一焊盘电极121和第二焊盘电极122可以布置以在发光器件120的下表面上彼此隔开。
第一焊盘电极121可以布置在第一框架111上。第二焊盘电极122可以布置在第二框架112上。
同时，根据实施例的发光器件封装100可以包括第一开口TH1和第二开口TH2，如图22中所示。第一框架111可以包括第一开口TH1。
第二框架112可以包括第二开口TH2。
第一开口TH1可以设置在第一框架111处。第一开口TH1可以通过穿过第一框架111来设置。第一开口TH1可以通过在第一方向中穿过第一框架111的上表面和下表面来设置。
第一开口TH1可以布置在发光器件120的第一焊盘电极121下面。第一开口TH1可以设置为与发光器件120的第一焊盘电极121重叠。第一开口TH1可以设置为从第一框架111的上表面朝向其下表面在第一方向上与发光器件120的第一焊盘电极121重叠。
第二开口TH2可以设置在第二框架112处。第二开口TH2可以通过穿过第二框架112来设置。第二开口TH2可以通过在第一方向中穿过第二框架112的上表面和下表面来设置。
第二开口TH2可以布置在发光器件120的第二焊盘电极122下面。第二开口TH2可以设置为与发光器件120的第二焊盘电极122重叠。第二开口TH2可以设置为在第一方向上从第二框架112的上表面朝向其下表面与发光器件120的第二焊盘电极122重叠。
第一开口TH1和第二开口TH2可以布置为彼此隔开。第一开口TH1和第二开口TH2可以布置为在发光器件120的下表面下面彼此隔开。
根据实施例，第一开口TH1的上部区域的宽度W1可以大于第一焊盘电极121的宽度。此外，第二开口TH2的上部区域的宽度可以大于第二焊盘电极122的宽度。
根据实施例，第一焊盘电极121的下部可以布置在第一开口TH1的上部区域中。第一焊盘电极121的底表面可以布置为低于第一框架111的上表面。
另外，第二焊盘电极122的下部可以布置在第二开口TH2的上部区域中。第二焊盘电极122的底表面可以布置为低于第二框架112的上表面。
此外，根据实施例的发光器件封装100可以包括粘合剂130，如图22中所示。
粘合剂130可以布置在主体113和发光器件120之间。粘合剂130可以布置在主体113的上表面和发光器件120的下表面之间。
此外，根据实施例的发光器件封装100可以包括凹部R，如图22中所示。
凹部R可以设置在主体113处。凹部R可以设置在第一开口TH1和第二开口TH2之间。凹部R可以设置成从主体113的上表面朝向其下表面凹进。凹部R可以布置在发光器件120下面。凹部R可以设置为在第一方向上与发光器件120重叠。
作为示例，粘合剂130可以布置在凹部R中。粘合剂130可以布置在发光器件120和主体113之间。粘合剂130可以布置在第一焊盘电极121和第二焊盘电极121之间。作为示例，粘合剂130可以布置为与第一焊盘电极121的侧表面和第二焊盘电极122的侧表面接触。
粘合剂130可以在发光器件120和封装主体110之间提供稳定的固定力。粘合剂130可以在发光器件120和主体113之间提供稳定的固定力。可以布置粘合剂130，作为示例，与主体113的上表面直接接触。另外，粘合剂130可以布置为与发光器件120的下表面直接接触。
作为示例，粘合剂130可以包括环氧基材料、硅酮基材料和包含环氧基材料和硅酮基材料的混合材料中的至少一种。作为示例，粘合剂130可以包括白色硅酮。粘合剂130可以被称为第一树脂作为另一种表示。
粘合剂130可以在主体113和发光器件120之间提供稳定的固定力。当光发射到发光器件120的下表面时，粘合剂130可以在发光器件120和主体113之间提供光扩散功能。当光从发光器件120发射到发光器件120的下表面时，粘合剂130可以通过提供光扩散功能改进发光器件封装100的光提取效率。
凹部R可以提供适当的空间，其中可以在发光器件120下面执行一种下填充工艺。凹部R可以设置在第一深度或更大，使得粘合剂130可以充分设置在发光器件120的下表面和主体113的上表面之间。另外，凹部R可以设置在第二深度或更小的深度，以提供主体113的稳定强度。
另外，根据实施例，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以设置为10％或更小。按照根据实施例的发光器件封装，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以设置为10％或更小，以便于确保从发光器件发射的发光区域并且增加光提取效率。
另外，根据实施例，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以设置为0.7％或更大。根据实施例的发光器件封装，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以设置为0.7％或更大，以便于对要被安装的发光器件提供稳定的结合力。
根据实施例，粘合剂130基于第一方向与发光器件120重叠的面积可以被设置为大于第一和第二开口TH1和TH2与第一和第二焊盘电极121和122重叠的区域的面积。
如上所述，因为第一焊盘电极121和第二焊盘电极122的面积被设置为小，所以可以增加传输到发光器件120的下表面的光量。另外，可以在发光器件120下面提供具有良好反射特性的粘合剂130。因此，在发光器件120的向下方向中发射的光在粘合剂130处被反射，并且朝着发光器件封装100的向上方向被有效地发射，使得可以改进光提取效率。
此外，根据实施例的发光器件封装100可以包括第一导电层321和第二导电层322，如图22中所示。第一导电层321可以布置为与第二导电层322隔开。
第一导电层321可以设置在第一开口TH1处。第一导电层321可以布置在第一焊盘电极121下面。第一导电层321的宽度可以设置为大于第一焊盘电极121的宽度。
第一焊盘电极121可以具有与形成第一开口TH1的第一方向垂直的第二方向的宽度。第一焊盘电极121的宽度可以设置为小于第一开口TH1的第二方向的宽度。
第一导电层321可以布置为与第一焊盘电极121的下表面直接接触。第一导电层321可以电连接到第一焊盘电极121。第一导电层321可以布置以被第一框架111包围。
在第一开口TH1的上部区域中，第一导电层321的上部可以布置在第一焊盘电极121的下部的外围处。第一导电层321的上表面可以是布置为高于第一焊盘电极121的下表面。
第二导电层322可以设置在第二开口TH2处。第二导电层322可以布置在第二焊盘电极122下面。第二导电层322的宽度可以设置为大于第二焊盘电极122的宽度。
第二焊盘电极122可以具有与形成第二开口TH2的第一方向垂直的第二方向的宽度。第二焊盘电极122的宽度可以设置为小于第二开口TH2的第二方向的宽度。
第二导电层322可以布置为与第二焊盘电极122的下表面直接接触。第二导电层322可以电连接到第二焊盘电极122。第二导电层322可以布置为被第二框架112包围。
在第二开口TH2的上部区域中，第二导电层322的上部可以布置在第二焊盘电极122的下部的外围处。第二导电层322的上表面可以是布置为高于第二焊盘电极122的下表面。
第一导电层321和第二导电层322可以包括由Ag、Au、Pt、Sn、Cu或其合金组成的组中选择的一种材料。然而，本发明不限于此，并且可以在第一导电层321和第二导电层322中使用能够确保导电功能的材料。
作为示例，第一导电层321和第二导电层322可以通过使用导电膏形成。导电膏可以包括焊膏、银膏等。
同时，根据实施例的第一导电层321和第二导电层322，如图22中所示，可以设置多层，或者可以包括多层或由多层组成的单层或由不同材料组成的合金。作为示例，第一导电层321和第二导电层322可以包括SAC(Sn-Ag-Cu)材料。
作为示例，第一导电层321可以包括第一上导电层321a和第一下导电层321b。第一上导电层321a可以设置在第一开口TH1的上部区域。第一下导电层321b可以设置在第一开口TH1的下部区域。
另外，第二导电层322可以包括第二上导电层322a和第二下导电层322b。第二上导电层322a可以设置在第二开口TH2的上部区域。第二下导电层322b可以设置在第二开口TH2的下部区域。
根据实施例，第一上导电层321a和第一下导电层321b可以包括不同的材料。第一上导电层321a和第一下导电层321b可以具有不同的熔点。作为示例，第一上导电层321a的熔点可以选择为高于第一下导电层321b的熔点。
例如，可以不同地提供形成第一上导电层321a的导电膏和形成第一下导电层321b的导电膏。根据实施例，第一上导电层321a可以通过使用例如银膏形成，并且第一下导电层321b可以通过使用焊膏形成。
根据实施例，当第一上导电层321a由银膏形成时，设置在第一开口TH1处的银膏扩散并且渗透在第一焊盘电极121和第一框架111之间的程度被检测为弱或不存在。
因此，当第一上导电层321a由银膏形成时，能够防止发光器件120短路或劣化。
此外，当用银膏形成第一上导电层321a并且用焊膏形成第一下导电层321b时，与用银膏形成整个第一导电层321的情况相比，制造成本可能会降低。
类似地，可以不同地提供形成第二上导电层322a的导电膏和形成第二下导电层322b的导电膏。根据实施例，可以通过使用例如银膏形成第二上导电层322a，并且可以通过使用焊膏形成第二下导电层322b。
根据实施例，当第二上导电层322a由银膏形成时，设置在第二开口TH2处的银膏在第二焊盘电极122和第二框架112之间扩散和渗透的程度被检测为弱或不存在。
因此，当第二上导电层322a由银膏形成时，能够防止发光器件120短路或劣化。
此外，当用银膏形成第二上导电层322a并且用焊膏形成第二下导电层322b时，与用银膏形成整个第二导电层322的情况相比，制造成本可能会降低。
同时，如图22中所示，根据实施例的发光器件封装100可以包括第一下凹部R10和第二下凹部R20。第一下凹部R10和第二下凹部R20可以布置为彼此隔开。
第一下凹部R10可以设置在第一框架111的下表面处。第一下凹部R10可以设置成从第一框架111的下表面朝向其上表面凹进。第一下凹部R10可以布置为与第一开口TH1隔开。
第一下凹部R10可以设置有数微米到数十微米的宽度。树脂部分可以设置在第一下凹部R10处。填充在第一下凹部R10处的树脂部分可以设置有例如与主体113相同的材料。
作为示例，填充在第一下凹部R10处的树脂部分可以在通过注入工艺等形成第一框架111、第二框架112和主体113的工艺中提供。
填充在第一下凹部R10处的树脂部分可以设置在第一框架111的下表面区域周围，第一开口TH1设置在第一框架111的下表面区域中。其中设置有第一开口TH1的第一框架111的下表面区域可以布置为以岛的形状与形成其周围的第一框架111的下表面分离。
作为示例，如图22中所示，通过填充在第一下凹部R10和主体113处的树脂部分，其中设置有第一开口TH1的第一框架111的下表面区域可以与其周围的第一框架111隔离。
因此，能够防止设置在第一开口TH1中的第一导电层321从第一开口TH1移动并且在填充在第一下凹部R10或主体113的树脂部分上扩散。
因此，能够防止第一导电层321溢出或延伸到设置有树脂部分或主体113的区域的外部，使得第一导电层321可以稳定地设置在区域中其中设置第一开口TH1。另外，第一导电层321可以稳定地连接到第一开口TH1中的第一焊盘电极121的下表面。
另外，第二下凹部R20可以设置在第二框架112的下表面处。第二下凹部R20可以设置成从第二框架112的下表面朝向其上表面凹进。第二下凹部R20可以布置为与第二开口TH2隔开。
第二下凹部R20可以设置有数微米到数十微米的宽度。树脂部分可以设置在第二下凹部R20处。填充在第二下凹部R20处的树脂部分可以设置有例如与主体113相同的材料。
作为示例，可以在通过注入工艺等形成第一框架111、第二框架112和主体113的工艺中设置填充在第二下凹部R20处的树脂部分。
填充在第二下凹部R20处的树脂部分可以布置在其中第二开口TH2被设置的第二框架112的下表面区域周围。其中设置有第二开口TH2的第二框架112的下表面区域可以被布置为以岛的形状与形成其周围的第二框架112的下表面分离。
作为示例，如图2中所示，通过填充在第二下凹部R20和主体113处的树脂部分，其中设置有第二开口TH2的第二框架112的下表面区域可以与其周围的第二框架112隔离。
因此，能够防止布置在第二开口TH2中的第二导电层322从第二开口TH2移动并且在填充在第二下凹部R20或主体113处的树脂部分上扩散。
因此，能够防止第二导电层322溢出或延伸设置有树脂部分或主体113的区域的外部，使得第二导电层322可以稳定地设置在其中设置第二开口TH2的区域中。另外，第二导电层322可以稳定地连接到第二开口TH2中的第二焊盘电极122的下表面。
此外，根据实施例的发光器件封装100可以包括树脂部分135，如图22中所示。
树脂部分135可以布置在第一框架111和发光器件120之间。树脂部分135可以布置在第二框架112和发光器件120之间。树脂部分135可以被设置在于封装主体110中设置的腔体C的底表面处。
树脂部分135可以布置在第一焊盘电极121的侧表面上。树脂部分135可以布置在第二焊盘电极122的侧表面上。树脂部分135可以布置在半导体结构123的下面。
作为示例，树脂部分135可以包括环氧基材料、硅酮基材料和包含环氧基材料和硅酮基材料的混合材料中的至少一种。另外，树脂部分135可以是反射从发光器件120发射的光的反射部分，例如，包含诸如TiO2的反射材料的树脂。树脂部分135可以包括白色硅酮。
树脂部分135可以布置在发光器件120下面以执行密封功能。另外，树脂部分135可以改进发光器件120和第一框架111之间的粘附力。另外，树脂部分135可以改进发光器件120和第二框架112之间的粘附力。
树脂部分135可以围绕第一焊盘电极121和第二焊盘电极122密封。树脂部分135能够防止第一导电层321和第二导电层322从第一开口TH1区域和第二开口TH2区域移动并且朝向发光器件120扩散和移动。
另外，当树脂部分135包括具有诸如白色硅酮的具有反射特性的材料时，树脂部分135可以将从发光器件120发射的光朝向封装主体110的向上方向反射，从而改进发光器件封装100的光提取效率。
此外，根据实施例的发光器件封装100可以包括模制部140，如图22中所示。
模制部140可以设置在发光器件120上。模制部140可以布置在第一框架111和第二框架112上。模制部140可以布置在由封装主体110提供的腔体C处。模制部140可以布置在树脂部分135上。
另外，按照根据本发明的实施例的发光器件封装的另一示例，树脂部分135可以不单独设置，并且粘合剂130可以设置在第一和第二焊盘电极121和122的外围处。
此时，粘合剂130可以被称为第一树脂，并且第一和第二焊盘电极121和122可以分别被称为第一和第二结合部。
同时，粘合剂130可以布置在第一开口TH1和第二开口TH2的上部区域处。在发光器件120设置在封装主体110上的工艺中，粘合剂130的一部分可以移动到第一和第二开口TH1和TH2。粘合剂130的一部分可以布置在第一和第二开口TH1和TH2中的第一和第二焊盘电极121和122的侧表面区域处。粘合剂130的一部分可以布置在第一开口TH1和第二开口TH2中的第一导电层321和第二导电层322上。
粘合剂130可以密封第一开口TH1和第二开口TH2的上部区域，并且防止湿气或者异物从外部通过第一开口TH1和第二开口TH2流入其中布置发光器件120的区域。
另外，当充分确保用于在发光器件120和封装主体110之间提供粘合剂130的空间时，凹部R可以不设置在封装主体110的上表面上。
同时，按照根据上述实施例的发光器件封装100，第一框架111可以包括设置在下表面的下凹部和设置在上表面的上凹部。作为示例，第一框架111可以包括设置在下表面的至少一个下凹部。另外，第一框架111可以包括设置在上表面处的至少一个上凹部。另外，第一框架111可以包括设置在上表面处的至少一个上凹部和设置在下表面处的至少一个下凹部。另外，可以以在上表面和下表面处不形成凹部的结构设置第一框架111。
类似地，第二框架112可以包括设置在下表面处的至少一个下凹部。另外，第二框架112可以包括设置在上表面处的至少一个上凹部。另外，第二框架112可以包括设置在上表面处的至少一个上凹部和设置在下表面处的至少一个下凹部。另外，可以以在上表面和下表面处不形成凹部的结构设置第二框架112。
在根据实施例的发光器件封装100中，电力可以通过第一开口TH1的区域被连接到第一焊盘电极121，并且电力可以通过第二开口TH2的区域被连接到第二焊盘电极122。
因此，发光器件120可以由通过第一焊盘电极121和第二焊盘电极122供应的驱动电力来驱动。另外，从发光器件120发射的光可以设置在封装主体110的向上方向中。
同时，根据上述实施例的发光器件封装100可以被供应并且安装到子基板、电路板等等上。
然而，当传统的发光器件封装安装在子基板、电路板等上时，可以应用诸如回流的高温工艺。此时，在回流工艺中，在引线框架和设置在发光器件封装中的发光器件之间的结合区域中发生再熔化现象，使得可能削弱电连接和物理耦合的稳定性。
然而，根据实施例的发光器件封装和发光器件封装的制造方法，根据实施例的发光器件的第一焊盘电极和第二焊盘电极可以通过在开口中布置的导电层被提供有驱动电力。另外，可以选择布置在开口中的导电层的熔点使得具有比一般结合材料更高的值。
因此，因为即使当发光器件封装100通过回流工艺被结合到主基板时根据实施例的发光器件封装100没有引起再熔化现象，所以电连接和物理结合力可能没有被劣化。
另外，按照根据实施例的发光器件封装100和发光器件封装的制造方法，封装主体110不需要在发光器件封装的制造工艺中被暴露于高温。因此，根据实施例，能够防止封装主体110由于暴露于高温而损坏或变色。
因此，可以扩宽形成主体113的材料的选择范围。根据实施例，可以通过不仅使用诸如陶瓷的昂贵材料而且使用相对便宜的树脂材料来设置主体113。
例如，主体113可以包括从由聚对苯二甲酰胺(PPA)树脂、聚对苯二甲酸环己烷二甲酯(PCT)树脂、环氧模制化合物(EMC)树脂和硅酮模制化合物(SMC)树脂组成的组中选择的至少一种材料。
同时，可以将根据参考图1至图22在上面描述的实施例的发光器件封装100供应并安装在子基板、电路板等上。
然后，将参考图23描述根据本发明的实施例的发光器件封装的另一示例。
图23中所示的根据本发明的实施例的发光器件封装300是其中参考图1至图22描述的发光器件封装100被安装到电路板310并且被供应的示例。
在参考图23描述根据本发明的实施例的发光器件封装300的制造方法中，可以省略与参考图1至图22描述的内容重叠的描述。
根据实施例的发光器件封装300可以包括电路板310、封装主体110和发光器件120，如图23中所示。
电路板310可以包括第一焊盘311、第二焊盘312和衬底313。衬底313可以设置有电源电路，该电源电路被配置成控制发光器件120的驱动。
封装主体110可以布置在电路板310上。第一焊盘311和第一焊盘电极121可以彼此电连接。第二焊盘312和第二焊盘电极122可以彼此电连接。
第一焊盘311和第二焊盘312可以包括导电材料。例如，第一焊盘311和第二焊盘312可以包括从由Ti、Cu、Ni、Au、Cr、Ta、Pt、Sn、Ag、P、Fe、Sn、Zn和Al或其合金组成的组中选择的一种材料。第一焊盘311和第二焊盘312可以设置为单层或多层。
封装主体110可以包括第一框架111和第二框架112。第一框架111和第二框架112可以布置为彼此隔开。
封装主体110可以包括主体113。主体113可以布置在第一框架111和第二框架112之间。主体113可以执行作为一种电极分离线的功能。
第一框架111和第二框架112可以设置为绝缘框架。第一框架111和第二框架112可以稳定地提供封装主体110的结构强度。
另外，第一框架111和第二框架112可以设置为导电框架。第一框架111和第二框架112可以稳定地提供封装主体110的结构强度，并且可以电连接到发光器件120。
封装主体110可以包括第一开口TH1和第二开口TH2，第一开口TH1和第二开口TH2从其上表面到下表面穿过第一方向。第一框架111可以包括第一开口TH1。第二框架112可以包括第二开口TH2。
第一开口TH1可以设置在第一框架111处。第一开口TH1可以通过穿过第一框架111来设置。第一开口TH1可以通过在第一方向中穿过第一框架111的上表面和下表面来设置。
第一开口TH1可以布置在发光器件120的第一焊盘电极121下面。第一开口TH1可以设置为与发光器件120的第一焊盘电极121重叠。第一开口TH1可以设置为从第一框架111的上表面朝向其下表面在第一方向上与发光器件120的第一焊盘电极121重叠。
第二开口TH2可以设置在第二框架112处。第二开口TH2可以通过穿过第二框架112来设置。第二开口TH2可以通过在第一方向中穿过第二框架112的上表面和下表面来设置。
第二开口TH2可以布置在发光器件120的第二焊盘电极122下面。第二开口TH2可以设置为与发光器件120的第二焊盘电极122重叠。第二开口TH2可以设置为在第一方向上从第二框架112的上表面朝向其下表面与发光器件120的第二焊盘电极122重叠。
第一开口TH1和第二开口TH2可以布置为彼此隔开。第一开口TH1和第二开口TH2可以布置以在发光器件120的下表面下面彼此隔开。
根据实施例，第一开口TH1的上部区域的宽度W1可以大于第一焊盘电极121的宽度。另外，第二开口TH2的上部区域的宽度可以大于第二焊盘电极122的宽度。
根据实施例，第一焊盘电极121的下部可以布置在第一开口TH1的上部区域中。第一焊盘电极121的底表面可以布置为低于第一框架111的上表面。
另外，第二焊盘电极122的下部可以布置在第二开口TH2的上部区域中。第二焊盘电极122的底表面可以布置为低于第二框架112的上表面。
根据实施例的发光器件封装300可以包括粘合剂130，如图23中所示。
粘合剂130可以布置在主体113和发光器件120之间。粘合剂130可以布置在主体113的上表面和发光器件120的下表面之间。
此外，根据实施例的发光器件封装300可以包括凹部R，如图23中所示。
凹部R可以设置在主体113处。凹部R可以设置在第一开口TH1和第二开口TH2之间。凹部R可以设置成从主体113的上表面朝向其下表面凹进。凹部R可以布置在发光器件120下面。凹部R可以设置为在第一方向上与发光器件120重叠。
作为示例，粘合剂130可以布置在凹部R中。粘合剂130可以布置在发光器件120和主体113之间。粘合剂130可以布置在第一焊盘电极121和第二焊盘电极121之间。作为示例，粘合剂130可以布置为与第一焊盘电极121的侧表面和第二焊盘电极122的侧表面接触。
粘合剂130可以在发光器件120和封装主体110之间提供稳定的固定力。粘合剂130可以在发光器件120和主体113之间提供稳定的固定力。作为示例，可以布置粘合剂130与主体113的上表面直接接触。另外，粘合剂130可以布置为与发光器件120的下表面直接接触。
作为示例，粘合剂130可以包括环氧基材料、硅酮基材料和包含环氧基材料和硅酮基材料的混合材料中的至少一种。作为示例，粘合剂130可以包括白色硅酮。粘合剂130可以被称为第一树脂作为另一种表示。
粘合剂130可以在主体113和发光器件120之间提供稳定的固定力。当光发射到发光器件120的下表面时，粘合剂130可以在发光器件120和主体113之间提供光扩散功能。当光从发光器件120发射到发光器件120的下表面时，粘合剂130可以通过提供光扩散功能改进发光器件封装100的光提取效率。
另外，根据实施例，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以设置为10％或更小。按照根据实施例的发光器件封装，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以设置为10％或更小，以便于确保从发光器件发射的发光区域并且增加光提取效率。
另外，根据实施例，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以设置为0.7％或更大。根据实施例的发光器件封装，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以设置为0.7％或更大，以便于对要被安装的发光器件提供稳定的结合力。
根据实施例，粘合剂130基于第一方向与发光器件120重叠的面积可以被设置为大于第一和第二开口TH1和TH2与第一和第二焊盘电极121和122重叠的区域的面积。
如上所述，因为第一焊盘电极121和第二焊盘电极122的面积被设置为小，所以可以增加传输到发光器件120的下表面的光量。另外，可以在发光器件120下面提供具有良好反射特性的粘合剂130。因此，在发光器件120的向下方向中发射的光在粘合剂130处被反射，并且朝着发光器件封装100的向上方向被有效地发射，使得可以改进光提取效率。
此外，根据实施例的发光器件封装300可以包括第一导电层321和第二导电层322，如图23中所示。第一导电层321可以布置为与第二导电层322隔开。
第一导电层321可以设置在第一开口TH1处。第一导电层321可以布置在第一焊盘电极121下面。第一导电层321的宽度可以设置为大于第一焊盘电极121的宽度。
第一焊盘电极121可以具有与形成第一开口TH1的第一方向垂直的第二方向的宽度。第一焊盘电极121的宽度可以设置为小于第一开口TH1的第二方向的宽度。
第一导电层321可以布置为与第一焊盘电极121的下表面直接接触。第一导电层321可以电连接到第一焊盘电极121。第一导电层321可以布置为被第一框架111包围。
在第一开口TH1的上部区域中，第一导电层321的上部可以布置在第一焊盘电极121的下部的外围处。第一导电层321的上表面可以是布置为高于第一焊盘电极121的下表面。
第二导电层322可以设置在第二开口TH2处。第二导电层322可以布置在第二焊盘电极122下面。第二导电层322的宽度可以设置为大于第二焊盘电极122的宽度。
第二焊盘电极122可以具有垂直于形成第二开口TH2的第一方向的第二方向的宽度。第二焊盘电极122的宽度可以设置为小于第二开口TH2的第二方向的宽度。
第二导电层322可以布置为与第二焊盘电极122的下表面直接接触。第二导电层322可以电连接到第二焊盘电极122。第二导电层322可以布置为被第二框架112包围。
在第二开口TH2的上部区域中，第二导电层322的上部可以布置在第二焊盘电极122的下部的外围处。第二导电层322的上表面可以是布置为高于第二焊盘电极122的下表面。
第一导电层321和第二导电层322可以包括由Ag、Au、Pt、Sn、Cu或其合金组成的组中选择的一种材料。然而，本发明不限于此，并且可以在第一导电层321和第二导电层322中使用能够确保导电功能的材料。
作为示例，第一导电层321和第二导电层322可以通过使用导电膏形成。导电膏可以包括焊膏、银膏等，并且可以由多层或由多层构成的单层或由不同材料构成的合金构成。作为示例，第一导电层321和第二导电层322可以包括SAC(Sn-Ag-Cu)材料。
根据实施例，电路板310的第一焊盘311和第一导电层321可以电连接。另外，电路板310的第二焊盘312和第二导电层322可以电连接。
同时，根据实施例，可以在第一焊盘311和第一导电层321之间另外设置单独的结合层。此外，可以在第二焊盘312和第二导电层322之间另外设置单独的结合层。
此外，根据另一实施例，第一导电层321和第二导电层322可以通过共晶接合安装在电路板310上。
根据参考图23描述的实施例的发光器件封装300被配置成使得从电路板310供应的电力分别通过第一导电层321和第二导电层322供应到第一焊盘电极121和第二焊盘电极122。此时，电路板310的第一焊盘311和第一导电层321彼此直接接触，并且电路板310的第二焊盘312和第二导电层322直接接触。
因此，根据图23中所示的实施例的发光器件封装300，第一框架111和第二框架112可以以绝缘框架形成。另外，根据图23中所示的实施例的发光器件封装300，第一框架111和第二框架112可以以导电框架形成。
如上所述，根据实施例的发光器件封装和发光器件封装的制造方法，通过被布置在开口中的导电层根据实施例的发光器件的第一焊盘电极和第二焊盘电极可以被提供有驱动电力。另外，可以选择布置在开口中的导电层的熔点使得具有比一般结合材料更高的值。
因此，因为即使当发光器件封装100通过回流工艺被结合到主基板时根据实施例的发光器件封装100没有引起再熔化现象，所以电连接和物理结合力可能没有被劣化。
此外，按照根据实施例的发光器件封装100和发光器件封装的制造方法，封装主体110不需要在发光器件封装的制造工艺中被暴露于高温。因此，根据实施例，能够防止封装主体110由于暴露于高温而损坏或变色。
因此，可以扩宽形成主体113的材料的选择范围。根据实施例，可以通过不仅使用诸如陶瓷的昂贵材料而且使用相对便宜的树脂材料来设置主体113。
例如，主体113可以包括从由聚对苯二甲酰胺(PPA)树脂、聚对苯二甲酸环己烷二甲酯(PCT)树脂、环氧模制化合物(EMC)树脂和硅酮模制化合物(SMC)树脂组成的组中选择的至少一种材料。
同时，图24中所示的根据本发明的实施例的发光器件封装400是参考图1至图22描述的发光器件封装100被安装在电路板410上并供电的示例。
在参考图24描述根据本发明的实施例的发光器件封装400的制造方法中，可以省略与参考图1至图23描述的内容重叠的描述。
根据实施例的发光器件封装400可以包括电路板410、封装主体110和发光器件120，如图24中所示。
电路板410可以包括第一焊盘411、第二焊盘412和衬底413。衬底413可以设置有电源电路，该电源电路被配置成控制发光器件120的驱动。
封装主体110可以布置在电路板310上。第一焊盘311和第一焊盘电极121可以彼此电连接。第二焊盘312和第二焊盘电极122可以彼此电连接。
第一焊盘311和第二焊盘312可以包括导电材料。例如，第一焊盘311和第二焊盘312可以包括从由Ti、Cu、Ni、Au、Cr、Ta、Pt、Sn、Ag、P、Fe、Sn、Zn和Al或其合金组成的组中选择的一种材料。第一焊盘311和第二焊盘312可以设置为单层或多层。
封装主体110可以包括第一框架111和第二框架112。第一框架111和第二框架112可以布置为彼此隔开。
封装主体110可以包括主体113。主体113可以布置在第一框架111和第二框架112之间。主体113可以执行作为一种电极分离线的功能。
第一框架111和第二框架112可以设置为导电框架。第一框架111和第二框架112可以稳定地提供封装主体110的结构强度，并且可以电连接到发光器件120。
封装主体110可以包括第一开口TH1和第二开口TH2，第一开口TH1和第二开口TH2从其上表面到下表面穿过第一方向。第一框架111可以包括第一开口TH1。第二框架112可以包括第二开口TH2。
第一开口TH1可以设置在第一框架111处。第一开口TH1可以通过穿过第一框架111来设置。第一开口TH1可以通过在第一方向中穿过第一框架111的上表面和下表面来设置。
第一开口TH1可以布置在发光器件120的第一焊盘电极121下面。第一开口TH1可以设置为与发光器件120的第一焊盘电极121重叠。第一开口TH1可以设置为从第一框架111的上表面朝向其下表面在第一方向上与发光器件120的第一焊盘电极121重叠。
第二开口TH2可以设置在第二框架112处。第二开口TH2可以通过穿过第二框架112来设置。第二开口TH2可以通过在第一方向中穿过第二框架112的上表面和下表面来设置。
第二开口TH2可以布置在发光器件120的第二焊盘电极122下面。第二开口TH2可以设置为与发光器件120的第二焊盘电极122重叠。第二开口TH2可以设置为在第一方向上从第二框架112的上表面朝向其下表面与发光器件120的第二焊盘电极122重叠。
第一开口TH1和第二开口TH2可以布置为彼此隔开。第一开口TH1和第二开口TH2可以布置以在发光器件120的下表面下面彼此隔开。
根据实施例，第一开口TH1的上部区域的宽度W1可以大于第一焊盘电极121的宽度。此外，第二开口TH2的上部区域的宽度可以大于第二焊盘电极122的宽度。
根据实施例，第一焊盘电极121的下部可以布置在第一开口TH1的上部区域中。第一焊盘电极121的底表面可以布置为低于第一框架111的上表面。
另外，第二焊盘电极122的下部可以布置在第二开口TH2的上部区域中。第二焊盘电极122的底表面可以布置为低于第二框架112的上表面。
根据实施例的发光器件封装400可以包括粘合剂130，如图24中所示。
粘合剂130可以布置在主体113和发光器件120之间。粘合剂130可以布置在主体113的上表面和发光器件120的下表面之间。
此外，根据实施例的发光器件封装400可以包括凹部R，如图24中所示。
凹部R可以设置在主体113处。凹部R可以设置在第一开口TH1和第二开口TH2之间。凹部R可以设置成从主体113的上表面朝向其下表面凹进。凹部R可以布置在发光器件120下面。凹部R可以设置为在第一方向上与发光器件120重叠。
作为示例，粘合剂130可以布置在凹部R中。粘合剂130可以布置在发光器件120和主体113之间。粘合剂130可以布置在第一焊盘电极121和第二焊盘电极121之间。作为示例，粘合剂130可以布置为与第一焊盘电极121的侧表面和第二焊盘电极122的侧表面接触。
粘合剂130可以在发光器件120和封装主体110之间提供稳定的固定力。粘合剂130可以在发光器件120和主体113之间提供稳定的固定力。作为示例，可以布置粘合剂130与主体113的上表面直接接触。另外，粘合剂130可以布置为与发光器件120的下表面直接接触。
作为示例，粘合剂130可以包括环氧基材料、硅酮基材料和包含环氧基材料和硅酮基材料的混合材料中的至少一种。作为示例，粘合剂130可以包括白色硅酮。粘合剂130可以被称为第一树脂作为另一种表示。
粘合剂130可以在主体113和发光器件120之间提供稳定的固定力。当光发射到发光器件120的下表面时，粘合剂130可以在发光器件120和主体113之间提供光扩散功能。当光从发光器件120发射到发光器件120的下表面时，粘合剂130可以通过提供光扩散功能改进发光器件封装100的光提取效率。
另外，根据实施例，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以设置为10％或更小。按照根据实施例的发光器件封装，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以设置为10％或更小，以便于确保从发光器件发射的发光区域并且增加光提取效率。
另外，根据实施例，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以设置为0.7％或更大。根据实施例的发光器件封装，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以设置为0.7％或更大，以便于对要被安装的发光器件提供稳定的结合力。
根据实施例，粘合剂130基于第一方向与发光器件120重叠的面积可以被设置为大于第一和第二开口TH1和TH2与第一和第二焊盘电极121和122重叠的区域的面积。
如上所述，因为第一焊盘电极121和第二焊盘电极122的面积被设置为小，所以可以增加透射到发光器件120的下表面的光量。另外，可以在发光器件120下面提供具有良好反射特性的粘合剂130。因此，在发光器件120的向下方向中发射的光在粘合剂130处被反射，并且朝着发光器件封装100的向上方向被有效地发射，使得可以改进光提取效率。
此外，根据实施例的发光器件封装400可以包括第一导电层321和第二导电层322，如图24中所示。第一导电层321可以布置为与第二导电层322隔开。
第一导电层321可以设置在第一开口TH1处。第一导电层321可以布置在第一焊盘电极121下面。第一导电层321的宽度可以设置为大于第一焊盘电极121的宽度。
第一焊盘电极121可以具有与形成第一开口TH1的第一方向垂直的第二方向的宽度。第一焊盘电极121的宽度可以设置为小于第一开口TH1的第二方向的宽度。
第一导电层321可以布置为与第一焊盘电极121的下表面直接接触。第一导电层321可以电连接到第一焊盘电极121。第一导电层321可以布置为被第一框架111包围。
在第一开口TH1的上部区域中，第一导电层321的上部可以布置在第一焊盘电极121的下部的外围处。第一导电层321的上表面可以是布置为高于第一焊盘电极121的下表面。
第二导电层322可以设置在第二开口TH2处。第二导电层322可以布置在第二焊盘电极122下面。第二导电层322的宽度可以设置为大于第二焊盘电极122的宽度。
第二焊盘电极122可以具有垂直于形成第二开口TH2的第一方向的第二方向的宽度。第二焊盘电极122的宽度可以设置为小于第二开口TH2的第二方向的宽度。
第二导电层322可以布置为与第二焊盘电极122的下表面直接接触。第二导电层322可以电连接到第二焊盘电极122。第二导电层322可以布置为被第二框架112包围。
在第二开口TH2的上部区域中，第二导电层322的上部可以布置在第二焊盘电极122的下部的外围处。第二导电层322的上表面可以是布置为高于第二焊盘电极122的下表面。
第一导电层321和第二导电层322可以包括由Ag、Au、Pt、Sn、Cu或其合金组成的组中选择的一种材料。然而，本发明不限于此，并且可以在第一导电层321和第二导电层322中使用能够确保导电功能的材料。
作为示例，第一导电层321和第二导电层322可以通过使用导电膏形成。导电膏可以包括焊膏、银膏等，并且可以由多层或由多层构成的单层或由不同材料构成的合金构成。作为示例，第一导电层321和第二导电层322可以包括SAC(Sn-Ag-Cu)材料。
根据实施例，电路板410的第一焊盘411和第一导电层321可以电连接。另外，电路板410的第二焊盘412和第二导电层322可以电连接。
第一焊盘411可以电连接到第一框架111。此外，第二焊盘412可以电连接到第二框架112。
同时，根据实施例，可以在第一焊盘411和第一框架111之间另外设置单独的结合层。此外，可以在第二焊盘412和第二框架112之间另外设置单独的结合层。
根据参考图24描述的实施例的发光器件封装400被配置成使得从电路板410供应的电力分别通过第一导电层321和第二导电层322供应到第一焊盘电极121和第二焊盘电极122。此时，电路板410的第一焊盘411和第一框架111彼此直接接触，并且电路板410的第二焊盘412和第二框架112直接接触。
如上所述，根据本发明的实施例的发光器件封装和发光器件封装的制造方法，通过被布置在开口中的导电层，根据实施例的第一焊盘电极和第二焊盘电极可以被提供有驱动电力。另外，可以选择布置在开口中的导电层的熔点使得具有比一般结合材料更高的值。
因此，因为即使当发光器件封装100通过回流工艺被结合到主基板时根据实施例的发光器件封装100没有引起再熔化现象，所以电连接和物理结合力可能没有被劣化。
另外，按照根据实施例的发光器件封装100和发光器件封装的制造方法，封装主体110不需要在发光器件封装的制造工艺中被暴露于高温。因此，根据实施例，能够防止封装主体110由于暴露于高温而损坏或变色。
因此，可以扩宽形成主体113的材料的选择范围。根据实施例，可以通过不仅使用诸如陶瓷的昂贵材料而且使用相对便宜的树脂材料来设置主体113。
例如，主体113可以包括从由聚对苯二甲酰胺(PPA)树脂、聚对苯二甲酸环己烷二甲酯(PCT)树脂、环氧模制化合物(EMC)树脂和硅酮模制化合物(SMC)树脂组成的组中选择的至少一种材料。
同时，在根据上述实施例的发光器件封装的情况下，基于在每个焊盘电极下面提供一个开口的情况来解释发光器件封装。
然而，根据另一实施例的发光器件封装，可以在每个焊盘电极下面提供多个开口。另外，多个开口可以设置为具有不同宽度的开口。
此外，根据实施例的开口的形状可以以各种形状提供，如图25至图27中所示。
例如，如图25中所示，根据实施例的开口TH3可以从其上部区域到下部区域设置有相同的宽度。
此外，如图26中所示，根据实施例的开口TH4可以以多阶梯结构的形状设置。作为示例，开口TH4可以以具有两个阶梯结构的不同倾斜角的形状设置。另外，开口TH4可以设置成具有两个或更多个阶梯结构的不同倾斜角的形状。
此外，如图27中所示，开口TH5可以以其中宽度从上部区域到下部区域变化的形状设置。作为示例，开口TH5可以设置成具有从上部区域到下部区域的曲率的形状。
另外，按照根据上述实施例的发光器件封装，封装主体110仅包括其中上表面是平坦的支撑构件，并且可以不设置有被布置为被倾斜的反射部分。
作为另一示例，根据实施例的发光器件封装，可以以其中设置腔体C的结构设置封装主体110。此外，可以以上表面是平坦的而不提供腔体C的结构设置封装主体110。
此外，按照根据上述实施例的发光器件封装，尽管第一和第二开口TH1和TH2设置在封装主体110的第一和第二框架111和112处，但是第一和第二开口TH1和TH2可以设置在封装主体110的主体113中。
当如上所述第一开口TH1和第二开口TH2设置在封装主体110的主体113中时，根据发光器件120的长轴方向，主体113的上表面的长度可以被设置为大于发光器件120的第一焊盘电极121和第二焊盘电极122之间的长度。
另外，当第一开口TH1和第二开口TH2设置在封装主体110的主体113中时，根据实施例的发光器件封装可以不包括第一框架111和第二框架112。
接下来，将参考图28描述根据本发明的实施例的发光器件封装的另一示例。
在参考图28描述根据实施例的发光器件封装中，可以省略与参考图1至图27描述的内容重叠的内容的描述。
根据实施例的发光器件封装可以包括封装主体110和发光器件120，如图28中所示。
封装主体110可以包括第一框架111和第二框架112。第一框架111和第二框架112可以布置为彼此隔开。
封装主体110可以包括主体113。主体113可以布置在第一框架111和第二框架112之间。主体113可以执行作为一种电极分离线的功能。
例如，主体113可以由从由聚邻苯二甲酰胺(PPA)、多氯三联苯(PCT)、液晶聚合物(LCP)、聚酰胺9T(PA9T)、硅酮、环氧模制化合物(EMC)、硅酮模制化合物(SMC)、陶瓷、光敏玻璃(PSG)、蓝宝石(Al2O3)等组成的组中选择的至少一个形成。另外，主体113可以包括高折射率填料，例如TiO2和SiO2。
根据实施例，发光器件120可以包括第一焊盘电极121、第二焊盘电极122、半导体结构123和衬底124。
发光器件120可以包括布置在衬底124下面的半导体结构123，如图28中所示。第一焊盘电极121和第二焊盘电极122可以布置在半导体结构123和主体113之间。
发光器件120可以布置在封装主体110上。发光器件120可以布置在第一框架111和第二框架112上。发光器件120可以布置在通过封装主体110提供的腔体C中。
第一焊盘电极121可以布置在发光器件120的下表面上。第二焊盘电极122可以布置在发光器件120的下表面上。第一焊盘电极121和第二焊盘电极122可以布置以在发光器件120的下表面上彼此隔开。
第一焊盘电极121可以布置在第一框架111上。第二焊盘电极122可以布置在第二框架112上。
第一焊盘电极121可以布置在半导体结构123和第一框架111之间。第二焊盘电极122可以布置在半导体结构123和第二框架112之间。
此外，根据实施例的发光器件封装可以包括粘合剂130。
粘合剂130可以布置在主体113和发光器件120之间。粘合剂130可以布置在主体113的上表面和发光器件120的下表面之间。
根据实施例的发光器件封装可以包括凹部R，如图28中所示。
凹部R可以设置在主体113处。凹部R可以设置成从主体113的上表面朝向其下表面凹进。凹部R可以布置在发光器件120下面。凹部R可以设置为在第一方向上与发光器件120重叠。
作为示例，粘合剂130可以布置在凹部R中。粘合剂130可以布置在发光器件120和主体113之间。粘合剂130可以布置在第一焊盘电极121和第二焊盘电极121之间。作为示例，粘合剂130可以布置为与第一焊盘电极121的侧表面和第二焊盘电极122的侧表面接触。
粘合剂130可以在发光器件120和封装主体110之间提供稳定的固定力。粘合剂130可以在发光器件120和主体113之间提供稳定的固定力。可以布置粘合剂130，作为示例，与主体113的上表面直接接触。另外，粘合剂130可以布置为与发光器件120的下表面直接接触。
作为示例，粘合剂130可以包括环氧基材料、硅酮基材料和包含环氧基材料和硅酮基材料的混合材料中的至少一种。作为示例，粘合剂130可以包括白色硅酮。粘合剂130可以被称为第一树脂作为另一种表示。
粘合剂130可以在主体113和发光器件120之间提供稳定的固定力。当光发射到发光器件120的下表面时，粘合剂130可以在发光器件120和主体113之间提供光扩散功能。当光从发光器件120发射到发光器件120的下表面时，粘合剂130可以通过提供光扩散功能改进发光器件封装100的光提取效率。
凹部R可以提供适当的空间，其中可以在发光器件120下面执行一种下填充工艺。凹部R可以设置在第一深度或更大，使得粘合剂130可以充分设置在发光器件120的下表面和主体113的上表面之间。另外，凹部R可以设置在第二深度或更小的深度，以提供主体113的稳定强度。
另外，根据实施例，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以设置为10％或更小。按照根据实施例的发光器件封装，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以设置为10％或更小，以便于确保从发光器件发射的发光区域并且增加光提取效率。
另外，根据实施例，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以设置为0.7％或更大。根据实施例的发光器件封装，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以设置为0.7％或更大，以便于对要被安装的发光器件提供稳定的结合力。
如上所述，因为第一焊盘电极121和第二焊盘电极122的面积被设置为小，所以可以增加透射到发光器件120的下表面的光量。另外，可以在发光器件120下面提供具有良好反射特性的粘合剂130。因此，在发光器件120的向下方向中发射的光在粘合剂130处被反射，并且朝着发光器件封装100的向上方向被有效地发射，使得可以改进光提取效率。
另外，根据实施例的发光器件封装可以包括第一导电层321和第二导电层322。第一导电层321可以布置为与第二导电层322隔开。
第一导电层321可以布置在第一框架111上。第一导电层321可以布置在第一焊盘电极121下面。
第一导电层321可以布置为与第一焊盘电极121的下表面直接接触。第一导电层321可以电连接到第一焊盘电极121。第一导电层321可以提供有将第一焊盘电极121和第一框架111彼此固定的功能。
第二导电层322可以布置在第二框架112上。第二导电层322可以布置在第二焊盘电极122下面。
第二导电层322可以布置为与第二焊盘电极122的下表面直接接触。第二导电层322可以电连接到第二焊盘电极122。第二导电层322可以提供有将第二焊盘电极122和第二框架112彼此固定的功能。
第一导电层321和第二导电层322可以包括由Ag、Au、Pt、Sn、Cu或其合金组成的组中选择的一种材料。然而，本发明不限于此，并且可以在第一导电层321和第二导电层322中使用能够确保导电功能的材料。
作为示例，第一导电层321和第二导电层322可以通过使用导电膏形成。导电膏可以包括焊膏、银膏等，并且可以由多层或由多层构成的单层或由不同材料构成的合金构成。作为示例，第一导电层321和第二导电层322可以包括SAC(Sn-Ag-Cu)材料。
此外，根据实施例的发光器件封装可以包括树脂部分135，如图28中所示。
树脂部分135可以布置在第一焊盘电极121的侧表面处。树脂部分135可以布置在第二焊盘电极122的侧表面处。树脂部分135可以布置在半导体结构123的下面。
作为示例，树脂部分135可以包括环氧基材料、硅酮基材料和包含环氧基材料和硅酮基材料的混合材料中的至少一种。另外，树脂部分135可以包括诸如TiO2的反射材料，和/或包括硅酮的白色硅酮。
树脂部分135可以布置在发光器件120下面以执行密封功能。另外，树脂部分135可以改进发光器件120和第一框架111之间的粘附力。另外，树脂部分135可以改进发光器件120和第二框架112之间的粘附力。
树脂部分135可以围绕第一焊盘电极121和第二焊盘电极122密封。树脂部分135能够防止第一导电层321和第二导电层322从第一和第二焊盘电极321和322下面的区域移动并且朝向发光器件120扩散和移动。
另外，当树脂部分135包括具有诸如白色硅酮的具有反射特性的材料时，树脂部分135可以将从发光器件120发射的光朝向封装主体110的向上方向反射，从而改进发光器件封装100的光提取效率。
此外，根据实施例的发光器件封装可以包括模制部140。
模制部140可以设置在发光器件120上。模制部140可以布置在第一框架111和第二框架112上。模制部140可以布置在由封装主体110提供的腔体C处。模制部140可以布置在树脂部分135上。
另外，按照根据本发明的实施例的发光器件封装的另一示例，树脂部分135可以不单独设置，并且粘合剂130可以设置在第一和第二焊盘电极121和122的外围处。
此时，粘合剂130可以被称为第一树脂，并且第一和第二焊盘电极121和122可以分别被称为第一和第二结合部。
另外，当充分确保用于在发光器件120和封装主体110之间提供粘合剂130的空间时，凹部R可以不设置在封装主体110的上表面上。
在根据实施例的发光器件封装100中，电力可以通过第一导电层321连接到第一焊盘电极121，并且电力可以通过第二导电层322连接到第二焊盘电极122。
因此，发光器件120可以由通过第一焊盘电极121和第二焊盘电极122供应的驱动电力来驱动。另外，从发光器件120发射的光可以设置在封装主体110的向上方向中。
同时，根据上述实施例的发光器件封装100可以被供应并且安装到子基板、电路板等等上。
然而，当传统的发光器件封装安装在子基板、电路板等上时，可以应用诸如回流的高温工艺。此时，在回流工艺中，在引线框架和设置在发光器件封装中的发光器件之间的结合区域中发生再熔化现象，使得可能削弱电连接和物理耦合的稳定性。
然而，根据实施例的发光器件封装和发光器件封装的制造方法，根据实施例的发光器件的第一焊盘电极和第二焊盘电极可以通过设置在框架上的导电层被提供有驱动电力。另外，可以选择布置在框架上的导电层的熔点，使其具有比一般结合材料更高的值。
因此，因为即使当通过回流工艺将发光器件封装100结合到主基板时，根据实施例的发光器件封装100不会引起再熔化现象，所以电连接和物理结合力可能不会劣化。
另外，按照根据实施例的发光器件封装100和发光器件封装的制造方法，封装主体110不需要在发光器件封装的制造工艺中被暴露于高温。因此，根据实施例，能够防止封装主体110由于暴露于高温而损坏或变色。
因此，可以扩宽形成主体113的材料的选择范围。根据实施例，可以通过不仅使用诸如陶瓷的昂贵材料而且使用相对便宜的树脂材料来设置主体113。
例如，主体113可以包括从由聚对苯二甲酰胺(PPA)树脂、聚对苯二甲酸环己烷二甲酯(PCT)树脂、环氧模制化合物(EMC)树脂和硅酮模制化合物(SMC)树脂组成的组中选择的至少一种材料。
接下来，将参考图29描述根据本发明的实施例的发光器件封装的另一示例。
在描述根据参考图29的实施例的发光器件封装中，可以省略与参考图1至28描述的内容重叠的内容的描述。
根据实施例的发光器件封装可以包括封装主体110和发光器件120，如图29中所示。
封装主体110可以包括第一框架111和第二框架112。第一框架111和第二框架112可以布置为彼此隔开。
封装主体110可以包括主体113。主体113可以布置在第一框架111和第二框架112之间。主体113可以执行作为一种电极分离线的功能。
例如，主体113可以由从由聚邻苯二甲酰胺(PPA)、多氯三联苯(PCT)、液晶聚合物(LCP)、聚酰胺9T(PA9T)、硅酮，环氧模制化合物(EMC)、硅酮模制化合物(SMC)、陶瓷、光敏玻璃(PSG)、蓝宝石(Al2O3)等组成的组中选择的至少一个形成。另外，主体113可以包括高折射率填料，例如TiO2和SiO2。
根据实施例，发光器件120可以包括第一焊盘电极121、第二焊盘电极122、半导体结构123和衬底124。
发光器件120可以包括布置在衬底124下面的半导体结构123，如图29中所示。第一焊盘电极121和第二焊盘电极122可以布置在半导体结构123和主体113之间。
发光器件120可以布置在封装主体110上。发光器件120可以布置在第一框架111和第二框架112上。发光器件120可以布置在通过封装主体110提供的腔体C中。
第一焊盘电极121可以布置在发光器件120的下表面上。第二焊盘电极122可以布置在发光器件120的下表面上。第一焊盘电极121和第二焊盘电极122可以布置为在发光器件120的下表面上彼此隔开。
第一焊盘电极121可以布置在第一框架111上。第二焊盘电极122可以布置在第二框架112上。
第一焊盘电极121可以布置在半导体结构123和第一框架111之间。第二焊盘电极122可以布置在半导体结构123和第二框架112之间。
另外，根据实施例的发光器件封装可以包括粘合剂130。
粘合剂130可以布置在主体113和发光器件120之间。粘合剂130可以布置在主体113的上表面和发光器件120的下表面之间。
根据实施例的发光器件封装可以包括凹部R，如图29中所示。
凹部R可以设置在封装主体110处。凹部R可以设置成从封装主体110的上表面朝向其下表面凹进。凹部R可以布置在发光器件120下面。凹部R可以设置为在第一方向上与发光器件120重叠。
凹部R可以由第一框架111的上表面、主体113的上表面和第二框架112的上表面提供。作为示例，主体113的上表面可以被设置为平坦形状，第一框架111的上表面设置成具有不同高度的阶梯形状，并且第二框架112的上表面可以设置成具有不同高度的阶梯式台阶形状。
作为示例，粘合剂130可以布置在凹部R中。粘合剂130可以布置在发光器件120和封装主体110之间。粘合剂130可以布置在第一焊盘电极121和第一焊盘电极121之间。粘合剂130可以布置成与第一焊盘电极121的侧表面和第二焊盘电极122的侧表面接触。粘合剂130可以设置在第一框架的阶梯式台阶区域和第二框架112的阶梯式台阶区域之间。
如上所述，根据实施例，凹部R可以被广泛地设置为从第一框架111的上表面的一部分延伸到第二框架112的上表面的一部分。
因此，粘合剂130可以在发光器件120和封装主体110之间提供稳定的固定力。粘合剂130可以在发光器件120和主体113之间提供稳定的固定力。粘合剂130可以在发光器件120和第一框架111之间提供稳定的固定力。粘合剂130可以在发光器件120和第二框架112之间提供稳定的固定力。
粘合剂130可以布置成与主体113的上表面直接接触。粘合剂130可以布置成与第一框架111的上表面直接接触。粘合剂130可以布置成与第一框架111的上表面直接接触。另外，粘合剂130可以布置为与发光器件120的下表面直接接触。
作为示例，粘合剂130可以包括环氧基材料、硅酮基材料和包含环氧基材料和硅酮基材料的混合材料中的至少一种。作为示例，粘合剂130可以包括白色硅酮。粘合剂130可以被称为第一树脂作为另一种表示。
粘合剂130可以在主体113和发光器件120之间提供稳定的固定力。当光发射到发光器件120的下表面时，粘合剂130可以在发光器件120和主体113之间提供光扩散功能。当光从发光器件120发射到发光器件120的下表面时，粘合剂130可以通过提供光扩散功能改进发光器件封装100的光提取效率。
凹部R可以提供适当的空间，其中可以在发光器件120下面执行一种下填充工艺。凹部R可以设置在第一深度或更大，使得粘合剂130可以充分设置在发光器件120的下表面和主体113的上表面之间。另外，凹部R可以设置在第二深度或更小的深度，以提供主体113的稳定强度。
另外，根据实施例，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以设置为10％或更小。按照根据实施例的发光器件封装，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以设置为10％或更小，以便于确保从发光器件发射的发光区域并且增加光提取效率。
另外，根据实施例，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以设置为0.7％或更大。根据实施例的发光器件封装，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以设置为0.7％或更大，以便于对要被安装的发光器件提供稳定的结合力。
如上所述，因为第一焊盘电极121和第二焊盘电极122的面积被设置为小，所以可以增加透射到发光器件120的下表面的光量。另外，具有良好反射特性的粘合剂130可以在发光器件120下面设置得宽而厚。因此，在发光器件120的向下方向中发射的光在粘合剂130处被反射，并且有效地朝向发光器件封装100的上方发射，从而可以提高光提取效率。
另外，根据实施例的发光器件封装可以包括第一导电层321和第二导电层322。第一导电层321可以布置为与第二导电层322隔开。
第一导电层321可以设置在第一框架111上，第一导电层321可以布置在第一焊盘电极121下面。
第一导电层321可以布置为与第一焊盘电极121的下表面直接接触。第一导电层321可以电连接到第一焊盘电极121。第一导电层321可以提供将第一焊盘电极121和第一框架111彼此固定的功能。
第二导电层322可以布置在第二框架112上。第二导电层322可以布置在第二焊盘电极122下面。
第二导电层322可以布置为与第二焊盘电极122的下表面直接接触。第二导电层322可以电连接到第二焊盘电极122。第二导电层322可以提供将第二焊盘电极122和第二框架112彼此固定的功能。
第一导电层321和第二导电层322可以包括由Ag、Au、Pt、Sn、Cu或其合金组成的组中选择的一种材料。然而，本发明不限于此，并且可以在第一导电层321和第二导电层322中使用能够确保导电功能的材料。
作为示例，第一导电层321和第二导电层322可以通过使用导电膏形成。导电膏可以包括焊膏、银膏等，并且可以由多层或由多层构成的单层或由不同材料构成的合金构成。作为示例，第一导电层321和第二导电层322可以包括SAC(Sn-Ag-Cu)材料。
另外，根据实施例的发光器件封装可以包括树脂部分135，如图29中所示。
树脂部分135可以布置在第一焊盘电极121的侧表面处。树脂部分135可以布置在第二焊盘电极122的侧表面处。树脂部分135可以布置在半导体结构123的下面。
作为示例，树脂部分135可以包括环氧基材料、硅酮基材料和包含环氧基材料和硅酮基材料的混合材料中的至少一种。另外，树脂部分135可以包括诸如TiO2的反射材料，和/或包括硅酮的白色硅酮。
树脂部分135可以布置在发光器件120下面以执行密封功能。另外，树脂部分135可以改进发光器件120和第一框架111之间的粘附力。另外，树脂部分135可以改进发光器件120和第二框架112之间的粘附力。
树脂部分135可以围绕第一焊盘电极121和第二焊盘电极122密封。树脂部分135能够防止第一导电层321和第二导电层322从第一和第二焊盘电极321和322下面的区域移动并且朝向发光器件120扩散和移动。
另外，当树脂部分135包括具有诸如白色硅酮的具有反射特性的材料时，树脂部分135可以将从发光器件120发射的光朝向封装主体110的向上方向反射，从而改进发光器件封装100的光提取效率。
另外，根据实施例的发光器件封装可以包括模制部140。
模制部140可以设置在发光器件120上。模制部140可以布置在第一框架111和第二框架112上。模制部140可以布置在由封装主体110提供的腔体C处。模制部140可以布置在树脂部分135上。
另外，按照根据本发明的实施例的发光器件封装的另一示例，树脂部分135可以不单独设置，并且粘合剂130可以设置在第一和第二焊盘电极121和122的外围处。
此时，粘合剂130可以被称为第一树脂，并且第一和第二焊盘电极121和122可以分别被称为第一和第二结合部。
另外，当充分确保用于在发光器件120和封装主体110之间提供粘合剂130的空间时，凹部R可以不设置在封装主体110的上表面上。
在根据实施例的发光器件封装中，电力可以通过第一导电层321连接到第一焊盘电极121，并且电力可以通过第二导电层322连接到第二焊盘电极122。
因此，发光器件120可以由通过第一焊盘电极121和第二焊盘电极122供应的驱动电力来驱动。另外，从发光器件120发射的光可以设置在封装主体110的向上方向中。
同时，根据上述实施例的发光器件封装可以被供应并且被安装在子基板、电路板等等上。
然而，当传统的发光器件封装安装在子基板、电路板等上时，可以应用诸如回流的高温工艺。此时，在回流工艺中，在引线框架和设置在发光器件封装中的发光器件之间的结合区域中发生再熔化现象，使得可能削弱电连接和物理耦合的稳定性。
然而，根据实施例的发光器件封装和发光器件封装的制造方法，根据实施例的发光器件的第一焊盘电极和第二焊盘电极可以通过被布置在框架上的导电层被提供有驱动电力。另外，可以选择布置在框架上的导电层的熔点，使其具有比一般结合材料更高的值。
因此，因为即使当通过回流工艺将发光器件封装100结合到主基板时，根据实施例的发光器件封装100也不会引起再熔化现象，所以电连接和物理结合力可能不会劣化。
此外，按照根据实施例的发光器件封装100和发光器件封装的制造方法，封装主体110不需要在发光器件封装的制造工艺中被暴露于高温。因此，根据实施例，能够防止封装主体110由于暴露于高温而损坏或变色。
因此，可以扩宽形成主体113的材料的选择范围。根据实施例，可以通过不仅使用诸如陶瓷的昂贵材料而且使用相对便宜的树脂材料来设置主体113。
例如，主体113可以包括从由聚对苯二甲酰胺(PPA)树脂、聚对苯二甲酸环己烷二甲酯(PCT)树脂、环氧模制化合物(EMC)树脂和硅酮模制化合物(SMC)树脂组成的组中选择的至少一种材料。
接下来，将参考图30描述根据本发明的实施例的发光器件封装的另一示例。
在描述根据参考图30的实施例的发光器件封装中，可以省略与参考图1至图29描述的内容重叠的内容的描述。
根据实施例的发光器件封装可以包括封装主体110和发光器件120，如图30中所示。
与参考图28描述的发光器件封装相比较，根据图30中所示的实施例的发光器件封装包括第一凹部R1和第二凹部R2。
第一凹部R1可以设置在第一框架111的上表面处。第一凹部R1可以设置成从第一框架111的上表面朝向其下表面凹进。第一凹部R1可以设置为与凹部R隔开。
第二凹部R2可以设置在第二框架112的上表面处。第二凹部R2可以设置为从第二框架112的上表面朝向其下表面凹进。第二上凹部R4可以布置为与凹部R隔开。
根据实施例，第一导电层321可以设置在第一凹部R1处。另外，第一焊盘电极121可以设置在第一凹部R1的区域处。此外，第二导电层322可以设置在第二凹部R2处。另外，第二焊盘电极122可以设置在第二凹部R2的区域处。第一凹部R1和第二凹部R2可以提供足够的空间，其中可以设置第一导电层321和第二导电层322。
作为示例，第一导电层321和第二导电层322可以通过使用导电膏形成。导电膏可以包括焊膏、银膏等，并且可以由多层或由多层构成的单层或由不同材料构成的合金构成。作为示例，第一导电层321和第二导电层322可以包括SAC(Sn-Ag-Cu)材料。
此外，根据实施例的发光器件封装可以包括树脂部分135，如图30中所示。
树脂部分135可以布置在第一焊盘电极121的侧表面处。树脂部分135可以布置在第二焊盘电极122的侧表面处。树脂部分135可以布置在半导体结构123的下面。
作为示例，树脂部分135可以包括环氧基材料、硅酮基材料和包含环氧基材料和硅酮基材料的混合材料中的至少一种。另外，树脂部分135可以包括诸如TiO2的反射材料，和/或包括硅酮的白色硅酮。
树脂部分135可以布置在发光器件120下面以执行密封功能。另外，树脂部分135可以改进发光器件120和第一框架111之间的粘附力。另外，树脂部分135可以改进发光器件120和第二框架112之间的粘附力。
树脂部分135可以围绕第一焊盘电极121和第二焊盘电极122密封。树脂部分135能够防止第一导电层321和第二导电层322从第一和第二凹部R1和R2的区域移动并且朝向发光器件120扩散和移动。
另外，当树脂部分135包括具有诸如白色硅酮的具有反射特性的材料时，树脂部分135可以将从发光器件120发射的光朝向封装主体110的向上方向反射，从而改进发光器件封装100的光提取效率。
另外，根据实施例，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以设置为10％或更小。按照根据实施例的发光器件封装，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以设置为10％或更小，以便于确保从发光器件发射的发光区域并且增加光提取效率。
另外，根据实施例，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以设置为0.7％或更大。根据实施例的发光器件封装，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以设置为0.7％或更大，以便于对要被安装的发光器件提供稳定的结合力。
如上所述，因为第一焊盘电极121和第二焊盘电极122的面积被设置为小，所以可以增加透射到发光器件120的下表面的光量。另外，可以在发光器件120下面提供具有良好反射特性的粘合剂130。因此，在发光器件120的向下方向中发射的光在粘合剂130处被反射，并且朝着发光器件封装100的向上方向被有效地发射，使得可以改进光提取效率。
此外，根据实施例的发光器件封装可以包括模制部140。
模制部140可以设置在发光器件120上。模制部140可以布置在第一框架111和第二框架112上。模制部140可以布置在由封装主体110提供的腔体C处。模制部140可以布置在树脂部分135上。
另外，按照根据本发明的实施例的发光器件封装的另一示例，树脂部分135可以不单独设置，并且粘合剂130可以设置在第一和第二焊盘电极121和122的外围处。
此时，粘合剂130可以被称为第一树脂，并且第一和第二焊盘电极121和122可以分别被称为第一和第二结合部。
另外，当充分确保用于在发光器件120和封装主体110之间提供粘合剂130的空间时，凹部R可以不设置在封装主体110的上表面上。
在根据实施例的发光器件封装中，电力可以通过第一导电层321连接到第一焊盘电极121，并且电力可以通过第二导电层322连接到第二焊盘电极122。
因此，发光器件120可以由通过第一焊盘电极121和第二焊盘电极122供应的驱动电力来驱动。另外，从发光器件120发射的光可以设置在封装主体110的向上方向中。
同时，根据上述实施例的发光器件封装可以被供应并且被安装在子基板、电路板等等上。
然而，当传统的发光器件封装安装在子基板、电路板等上时，可以应用诸如回流的高温工艺。此时，在回流工艺中，在引线框架和设置在发光器件封装中的发光器件之间的结合区域中发生再熔化现象，使得可能削弱电连接和物理耦合的稳定性。
然而，根据实施例的发光器件封装和发光器件封装的制造方法，根据实施例的发光器件的第一焊盘电极和第二焊盘电极可以通过被布置在框架上的导电层被提供有驱动电力。另外，可以选择布置在框架上的导电层的熔点，使其具有比一般结合材料更高的值。
因此，因为即使当发光器件封装100通过回流工艺被结合到主基板时根据实施例的发光器件封装100没有引起再熔化现象，所以电连接和物理结合力可能没有被劣化。
另外，按照根据实施例的发光器件封装100和发光器件封装的制造方法，封装主体110不需要在发光器件封装的制造工艺中被暴露于高温。因此，根据实施例，能够防止封装主体110由于暴露于高温而损坏或变色。
因此，可以扩宽形成主体113的材料的选择范围。根据实施例，可以通过不仅使用诸如陶瓷的昂贵材料而且使用相对便宜的树脂材料来设置主体113。
例如，主体113可以包括从由聚对苯二甲酰胺(PPA)树脂、聚对苯二甲酸环己烷二甲酯(PCT)树脂、环氧模制化合物(EMC)树脂和硅酮模制化合物(SMC)树脂组成的组中选择的至少一种材料。
接下来，将参考图31描述根据本发明的实施例的发光器件封装的另一示例。
在描述根据参考图31的实施例的发光器件封装中，可以省略与参考图1至图30描述的内容重叠的内容的描述。
根据实施例的发光器件封装可以包括封装主体110和发光器件120，如图31中所示。
与参考图29描述的发光器件封装相比，根据图31中所示的实施例的发光器件封装还可以包括第一凹部R1和第二凹部R2。
第一凹部R1可以设置在第一框架111的上表面处。第一凹部R1可以设置为从第一框架111的上表面朝向其下表面凹进。第一凹部R1可以设置为与凹部R隔开。
第二凹部R2可以设置在第二框架112的上表面处。第二凹部R2可以设置为从第二框架112的上表面朝向其下表面凹进。第二上凹部R4可以布置为与凹部R隔开。
根据实施例，第一导电层321可以设置在第一凹部R1处。另外，第一焊盘电极121可以设置在第一凹部R1的区域处。此外，第二导电层322可以设置在第二凹部R2处。另外，第二焊盘电极122可以设置在第二凹部R2的区域处。第一凹部R1和第二凹部R2可以提供足够的空间，其中可以设置第一导电层321和第二导电层322。
作为示例，第一导电层321和第二导电层322可以通过使用导电膏形成。导电膏可以包括焊膏、银膏等，并且可以由多层或由多层构成的单层或由不同材料构成的合金构成。作为示例，第一导电层321和第二导电层322可以包括SAC(Sn-Ag-Cu)材料。
此外，根据实施例的发光器件封装可以包括树脂部分135，如图31中所示。
树脂部分135可以布置在第一焊盘电极121的侧表面处。树脂部分135可以布置在第二焊盘电极122的侧表面处。树脂部分135可以布置在半导体结构123的下面。
作为示例，树脂部分135可以包括环氧基材料、硅酮基材料和包含环氧基材料和硅酮基材料的混合材料中的至少一种。另外，树脂部分135可以包括诸如TiO2的反射材料，和/或包括硅酮的白色硅酮。
树脂部分135可以布置在发光器件120下面以执行密封功能。另外，树脂部分135可以改进发光器件120和第一框架111之间的粘附力。另外，树脂部分135可以改进发光器件120和第二框架112之间的粘附力。
树脂部分135可以围绕第一焊盘电极121和第二焊盘电极122密封。树脂部分135能够防止第一导电层321和第二导电层322从第一和第二凹部R1和R2的区域移动并且朝向发光器件120扩散和移动。
另外，当树脂部分135包括具有诸如白色硅酮的具有反射特性的材料时，树脂部分135可以将从发光器件120发射的光朝向封装主体110的向上方向反射，从而改进发光器件封装100的光提取效率。
另外，根据实施例，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以被设置为10％或更小。按照根据实施例的发光器件封装，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以设置为10％或更小，以便于确保从发光器件发射的发光区域并且增加光提取效率。
另外，根据实施例，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以设置为0.7％或更大。根据实施例的发光器件封装，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以设置为0.7％或更大，以便于对要被安装的发光器件提供稳定的结合力。
如上所述，因为第一焊盘电极121和第二焊盘电极122的面积被设置为小，所以可以增加透射到发光器件120的下表面的光量。另外，可以在发光器件120下面提供具有良好反射特性的粘合剂130。因此，在发光器件120的向下方向中发射的光在粘合剂130处被反射，并且朝着发光器件封装100的向上方向被有效地发射，使得可以改进光提取效率。
另外，根据实施例的发光器件封装可以包括模制部140。
模制部140可以设置在发光器件120上。模制部140可以布置在第一框架111和第二框架112上。模制部140可以布置在由封装主体110提供的腔体C处。模制部140可以布置在树脂部分135上。
另外，按照根据本发明的实施例的发光器件封装的另一示例，树脂部分135可以不单独设置，并且粘合剂130可以设置在第一和第二焊盘电极121和122的外围处。
此时，粘合剂130可以被称为第一树脂，并且第一和第二焊盘电极121和122可以分别被称为第一和第二结合部。
另外，当充分确保用于在发光器件120和封装主体110之间提供粘合剂130的空间时，凹部R可以不设置在封装主体110的上表面上。
在根据实施例的发光器件封装中，电力可以通过第一导电层321连接到第一焊盘电极121，并且电力可以通过第二导电层322连接到第二焊盘电极122。
因此，发光器件120可以由通过第一焊盘电极121和第二焊盘电极122供应的驱动电力来驱动。另外，从发光器件120发射的光可以设置在封装主体110的向上方向中。
同时，根据上述实施例的发光器件封装可以被供应并且被安装在子基板、电路板等等上。
然而，当传统的发光器件封装安装在子基板、电路板等上时，可以应用诸如回流的高温工艺。此时，在回流工艺中，在引线框架和设置在发光器件封装中的发光器件之间的结合区域中发生再熔化现象，使得可能削弱电连接和物理耦合的稳定性。
然而，根据实施例的发光器件封装和发光器件封装的制造方法，根据实施例的发光器件的第一焊盘电极和第二焊盘电极可以通过被布置在框架上的导电层被提供有驱动电力。另外，可以选择布置在框架上的导电层的熔点，使其具有比一般结合材料更高的值。
因此，因为即使当通过回流工艺将发光器件封装100结合到主基板时，根据实施例的发光器件封装也不会引起再熔化现象，所以电连接和物理结合力可能不会劣化。
此外，根据实施例的发光器件封装和发光器件封装的制造方法，封装主体110在发光器件封装的制造工艺中不需要暴露于高温。因此，根据实施例，能够防止封装主体110由于暴露于高温而损坏或变色。
因此，可以扩宽形成主体113的材料的选择范围。根据实施例，可以通过不仅使用诸如陶瓷的昂贵材料而且使用相对便宜的树脂材料来设置主体113。
例如，主体113可以包括从由聚对苯二甲酰胺(PPA)树脂、聚对苯二甲酸环己烷二甲酯(PCT)树脂、环氧模制化合物(EMC)树脂和硅酮模制化合物(SMC)树脂组成的组中选择的至少一种材料。
接下来，将参考图32描述根据本发明的实施例的发光器件封装的另一示例。
在描述根据参考图32的实施例的发光器件封装中，可以省略与参考图1至图31描述的内容重叠的内容的描述。
根据实施例的发光器件封装可以包括主体113和发光器件120，如图32中所示。
根据实施例，主体113可以设置有凹部R、第一开口TH1和第二开口TH2。凹部R可以设置在主体113的上表面上。主体113可以包括第一开口TH1和第二开口TH2，如图32中所示。
另外，根据实施例，发光器件120可以包括第一焊盘电极121、第二焊盘电极122、半导体结构123和衬底124。
发光器件120可以包括布置在衬底124下面的半导体结构123，如图32中所示。第一焊盘电极121和第二焊盘电极122可以布置在半导体结构123和主体113之间。
发光器件120可以布置在主体113上。发光器件120可以设置在由主体113提供的腔体C中。
第一焊盘电极121可以布置在发光器件120的下表面上。第二焊盘电极122可以布置在发光器件120的下表面上。第一焊盘电极121和第二焊盘电极122可以布置以在发光器件120的下表面上彼此隔开。
第一开口TH1可以设置在主体113处。第一开口TH1可以通过穿过主体113来设置。第一开口TH1可以通过在第一方向中穿过主体113的上表面和下表面来设置。
第一开口TH1可以布置在发光器件120的第一焊盘电极121下面。第一开口TH1可以设置为与发光器件120的第一焊盘电极121重叠。第一开口TH1可以提供与发光器件120的第一焊盘电极121在第一方向上从主体113的上表面朝向其下表面重叠。
第二开口TH2可以设置在主体113处。第二开口TH2可以通过穿过主体113来设置。第二开口TH2可以通过在第一个方向穿过主体113的上表面和下表面来设置。
第二开口TH2可以布置在发光器件120的第二焊盘电极122下面。第二开口TH2可以设置为与发光器件120的第二焊盘电极122重叠。第二开口TH2可以被设置以从主体113的上表面朝着其下表面沿着第一方向与发光器件120的第二焊盘电极122重叠。
第一开口TH1和第二开口TH2可以布置为彼此隔开。第一开口TH1和第二开口TH2可以布置以在发光器件120的下表面下面彼此隔开。
根据实施例，第一开口TH1的上部区域的宽度可以大于第一焊盘电极121的宽度。此外，第二开口TH2的上部区域的宽度可以大于第二焊盘电极122的宽度。
根据实施例，第一焊盘电极121的下部可以设置在第一开口TH1中。第一焊盘电极121的底表面可以布置为低于主体113的上表面。
另外，第二焊盘电极122的下部可以布置在第二开口TH2中。第二焊盘电极122的底表面可以布置为低于主体113的上表面。
此外，根据实施例的发光器件封装可以包括粘合剂130。
粘合剂130可以布置在主体113和发光器件120之间。粘合剂130可以布置在主体113的上表面和发光器件120的下表面之间。
根据实施例的发光器件封装可以包括凹部R，如图32中所示。
凹部R可以设置在主体113处。凹部R可以设置在第一开口TH1和第二开口TH2之间。凹部R可以设置成从主体113的上表面朝向其下表面凹进。凹部R可以布置在发光器件120下面。凹部R可以设置为在第一方向上与发光器件120重叠。
作为示例，粘合剂130可以布置在凹部R中。粘合剂130可以布置在发光器件120和主体113之间。粘合剂130可以布置在第一焊盘电极121和第二焊盘电极121之间。作为示例，粘合剂130可以布置为与第一焊盘电极121的侧表面和第二焊盘电极122的侧表面接触。
粘合剂130可以在发光器件120和主体113之间提供稳定的固定力。作为示例，粘合剂130可以布置成与主体113的上表面直接接触。此外，粘合剂130可以布置为与发光器件120的下表面直接接触。
作为示例，粘合剂130可以包括环氧基材料、硅酮基材料和包含基于环氧树脂的材料和硅酮基材料的混合材料中的至少一种。作为示例，粘合剂130可以包括白色硅酮。粘合剂130可以被称为第一树脂作为另一种表示。
粘合剂130可以在主体113和发光器件120之间提供稳定的固定力。当光发射到发光器件120的下表面时，粘合剂130可以在发光器件120和主体113之间提供光扩散功能。当光从发光器件120发射到发光器件120的下表面时，粘合剂130可以通过提供光扩散功能改进发光器件封装100的光提取效率。
凹部R可以提供适当的空间，其中可以在发光器件120下面执行一种下填充工艺。凹部R可以设置在第一深度或更大，使得粘合剂130可以充分设置在发光器件120的下表面和主体113的上表面之间。另外，凹部R可以设置在第二深度或更小的深度，以提供主体113的稳定强度。
例如，主体113可以由从由聚邻苯二甲酰胺(PPA)、多氯三联苯(PCT)、液晶聚合物(LCP)、聚酰胺9T(PA9T)、硅酮，环氧模制化合物(EMC)、硅酮模制化合物(SMC)、陶瓷、光敏玻璃(PSG)、蓝宝石(Al2O3)等组成的组中选择的至少一个形成。另外，主体113可以包括高折射率填料，例如TiO2和SiO2。
另外，根据实施例，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以设置为10％或更小。按照根据实施例的发光器件封装，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以设置为10％或更小，以便于确保从发光器件发射的发光区域并且增加光提取效率。
另外，根据实施例，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以设置为0.7％或更大。根据实施例的发光器件封装，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以设置为0.7％或更大，以便于对要被安装的发光器件提供稳定的结合力。
根据实施例，粘合剂130基于第一方向与发光器件120重叠的面积可以被设置为大于第一和第二开口TH1和TH2与第一和第二焊盘电极121和122重叠的区域的面积。
如上所述，因为第一焊盘电极121和第二焊盘电极122的面积被设置为小，所以可以增加透射到发光器件120的下表面的光量。另外，可以在发光器件120下面提供具有良好反射特性的粘合剂130。因此，在发光器件120的向下方向中发射的光在粘合剂130处被反射，并且朝着发光器件封装的向上方向被有效地发射，使得可以提高光提取效率。
此外，根据实施例的发光器件封装可以包括第一导电层321和第二导电层322。第一导电层321可以布置为与第二导电层322隔开。
第一导电层321可以布置在被设置在主体113的下表面处的第一下凹部R5处。第一导电层321可以布置在主体113下面。第一导电层321的宽度可以是设置为大于第一焊盘电极121的厚度。
第一焊盘电极121可以具有与形成第一开口TH1的第一方向垂直的第二方向的宽度。第一焊盘电极121的宽度可以设置为小于第一开口TH1的第二方向的宽度。
第一导电层321可以布置为与第一焊盘电极121的下表面直接接触。第一导电层321可以电连接到第一焊盘电极121。第一导电层321可以设置为在第一下凹部R5中被主体113包围。
第二导电层322可以布置在设置在主体113的下表面处的第二下凹部R6处。第二导电层322可以布置在主体113下面。第二导电层322的宽度可以被设置为大于第二焊盘电极122的值。
第二焊盘电极122可以具有垂直于形成第二开口TH2的第一方向的第二方向的宽度。第二焊盘电极122的宽度可以设置为小于第二开口TH2的第二方向的宽度。
第二导电层322可以布置为与第二焊盘电极122的下表面直接接触。第二导电层322可以电连接到第二焊盘电极122。第二导电层322可以设置为在第二下凹部R6中被主体113包围。
第一导电层321的上表面的第一区域可以设置在第一开口TH1下面。第一导电层321的上表面的第一区域可以布置为在垂直方向上与第一开口TH1重叠。
此外，第一导电层321的上表面的第二区域可以布置在主体113的下表面下面。第一导电层321的上表面的第二区域可以布置为在垂直方向中与主体113的下表面重叠。
第二导电层322的上表面的第一区域可以布置在第二开口TH2下面。第二导电层322的上表面的第一区域可以布置为在垂直方向上与第二开口TH2重叠。
此外，第二导电层322的上表面的第二区域可以布置在主体113的下表面下面。第二导电层322的上表面的第二区域可以被布置以在垂直方向中与主体113的下表面重叠。
第一导电层321和第二导电层322可以包括从由Ag、Au、Pt、Sn、Cu等或其合金组成的组中选择的一种材料。然而，本发明不限于此，并且能够确保导电功能的材料可以用于第一导电层321和第二导电层322。
第一导电层321和第二导电层322可以由具有良好散热性的金属材料或其合金形成。因为第一导电层321和第二导电层322可以由具有良好散热特性的材料形成，所以从发光器件120产生的热可以有效地排出到外部。因此，可以改进根据实施例的发光器件封装的可靠性。
作为示例，第一导电层321和第二导电层322可以通过使用导电膏形成。导电膏可以包括焊膏、银膏等，并且可以由多层或由多层构成的单层或由不同材料构成的合金构成。作为示例，第一导电层321和第二导电层322可以包括SAC(Sn-Ag-Cu)材料。
此外，根据实施例的发光器件封装可以包括树脂部分135，如图32中所示。
树脂部分135可以布置在第一焊盘电极121的侧表面处。树脂部分135可以布置在第二焊盘电极122的侧表面处。树脂部分135可以布置在半导体结构123的下面。
作为示例，树脂部分135可以包括环氧基材料、硅酮基材料和包含环氧基材料和硅酮基材料的混合材料中的至少一种。另外，树脂部分135可以包括诸如TiO2的反射材料，和/或包括硅酮的白色硅酮。
树脂部分135可以布置在发光器件120下面以执行密封功能。另外，树脂部分135可以改进发光器件120和主体113之间的粘附力。
树脂部分135可以围绕第一焊盘电极121和第二焊盘电极122密封。树脂部分135能够防止第一导电层321和第二导电层322从第一和第二开口TH1和TH2的区域移动并且朝向发光器件120扩散和移动。
另外，当树脂部分135包括具有诸如白色硅酮的具有反射特性的材料时，树脂部分135可以将从发光器件120发射的光朝向封装主体110的向上方向反射，从而改进发光器件封装100的光提取效率。
此外，根据实施例的发光器件封装可以包括模制部140。
模制部140可以设置在发光器件120上。模制部140可以布置在主体113上。模制部140可以布置在由主体113提供的腔体C处。模制部140可以布置在树脂部分135上。
另外，按照根据本发明的实施例的发光器件封装的另一示例，树脂部分135可以不单独提供，并且粘合剂130可以设置在第一和第二焊盘电极121和122的外围处。
此时，粘合剂130可以被称为第一树脂，并且第一和第二焊盘电极121和122可以分别被称为第一和第二结合部。
同时，粘合剂130可以布置在第一开口TH1和第二开口TH2的上部区域处。在发光器件120设置在封装主体110上的工艺中，粘合剂130的一部分可以移动到第一和第二开口TH1和TH2。粘合剂130的一部分可以布置在第一和第二开口TH1和TH2中的第一和第二焊盘电极121和122的侧表面区域处。粘合剂130的一部分可以布置在第一开口TH1和第二开口TH2中的第一导电层321和第二导电层322上。
粘合剂130可以密封第一开口TH1和第二开口TH2的上部区域，并且防止湿气或者异物从外部通过第一开口TH1和第二开口TH2流入布置发光器件120的区域。
另外，当充分确保用于在发光器件120和封装主体110之间提供粘合剂130的空间时，凹部R可以不设置在封装主体110的上表面上。
另外，根据另一实施例，第一导电层321和第二导电层322可以设置以延伸到主体113的侧壁的端部。第一导电层321和第二导电层322可以是通过粘合树脂等粘合到主体113的下表面。第一导电层321的侧表面和主体113的第一侧表面可以设置在同一平面上。此外，第二导电层322的侧表面和主体113的第二侧表面可以设置在同一平面上。
在根据实施例的发光器件封装100中，电力可以通过第一开口TH1的区域被连接到第一焊盘电极121，并且电力可以通过第二开口TH2的区域被连接到第二焊盘电极122。
因此，发光器件120可以由通过第一焊盘电极121和第二焊盘电极122供应的驱动电力来驱动。另外，从发光器件120发射的光可以设置在封装主体110的向上方向中。
此外，根据另一实施例，粘合剂130、树脂部分135和主体113可以包括相同的材料。
另外，根据本发明的实施例，可以考虑主体113、粘合剂130、粘合剂130、树脂部分135以及发光器件120之间的热膨胀系数(CTE)匹配来选择粘合剂130和树脂部分135的物理性质，并且从而改进由于热冲击导致的发光器件封装的裂缝或分层。
同时，根据上述实施例的发光器件封装可以被供应并且被安装在子基板、电路板等等上。
然而，当传统的发光器件封装安装在子基板、电路板等上时，可以应用诸如回流的高温工艺。此时，在回流工艺中，在引线框架和设置在发光器件封装中的发光器件之间的结合区域中发生再熔化现象，使得可能削弱电连接和物理耦合的稳定性。
然而，根据实施例的发光器件封装和发光器件封装的制造方法，根据实施例的发光器件的第一焊盘电极和第二焊盘电极可以通过被布置在开口下面的导电层被提供有驱动电力。另外，可以选择布置在开口下面的导电层的熔点，使得具有比一般结合材料更高的值。
因此，因为即使当通过回流工艺将发光器件封装100结合到主基板时，根据实施例的发光器件封装不会引起再熔化现象，所以电连接和物理结合力可能不会劣化。
此外，根据实施例的发光器件封装和发光器件封装的制造方法，在发光器件封装的制造工艺中，主体113不需要暴露于高温。因此，根据实施例，能够防止主体113由于暴露于高温而损坏或变色。
因此，可以扩宽形成主体113的材料的选择范围。根据实施例，可以通过不仅使用诸如陶瓷的昂贵材料而且使用相对便宜的树脂材料来设置主体113。
例如，主体113可以包括从由聚对苯二甲酰胺(PPA)树脂、聚对苯二甲酸环己烷二甲酯(PCT)树脂、环氧模制化合物(EMC)树脂和硅酮模制化合物(SMC)树脂组成的组中选择的至少一种材料。
同时，作为示例，可以在上述发光器件封装中提供倒装芯片发光器件。
作为示例，倒装芯片发光器件可以被设置为在六个表面方向上发射光的透射型倒装芯片发光器件，或者可以被设置为在五个表面方向上发射光的反射型倒装芯片发光器件。
其中光在五个表面方向上发射的反射型倒装芯片发光器件可以具有反射层设置在靠近封装主体110的方向上的结构。例如，反射型倒装芯片发光器件可以包括绝缘反射层(例如，分布式布拉格反射器、全向反射器等)和/或导电型反射层(例如，Ag、Al、Ni、Au等)。
此外，倒装芯片发光器件可以包括电连接到第一导电类型半导体层的第一电极和电连接到第二导电类型半导体层的第二电极，并且可以被设置为一般的水平发光器件，其中在第一电极和第二电极之间发射光。
此外，可以将其中光在六个表面方向上发射的倒装芯片发光器件设置为包括其中反射层被布置在第一和第二电极焊盘中的反射区域以及其中光被发射的透射区域的透射型倒装芯片发光器件。
这里，透射型倒装芯片发光器件指的是向上表面、四个侧表面和下表面的六个表面发射光的器件。另外，反射型倒装芯片发光器件指的是向上表面和四个侧表面发射光的器件。
然后，将参考附图描述应用于根据本发明的实施例的发光器件封装的倒装芯片发光器件的示例。
首先，参考图33和图34，将描述根据本发明的实施例的发光器件。图33是解释应用于根据本发明的实施例的发光器件封装的发光器件的电极排列的平面图，并且图34是沿图33中所示的发光器件的线F-F截取的横截面图。
同时，为了理解的目的，如图33中所示，仅概念性地示出第一电极127和第二电极128的相对排列关系。第一电极127可以包括第一焊盘电极121和第一分支电极125。第二电极128可以包括第二焊盘电极122和第二分支电极126。
根据实施例的发光器件可以包括布置在衬底124上的半导体结构123，如图33和图34中所示。
衬底124可以从由蓝宝石衬底(Al2O3)、SiC、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP和Ge组成的组选择。例如，衬底124可以被设置为图案化的蓝宝石衬底(PSS)，其中在上表面上形成凹凸图案。
半导体结构123可以包括第一导电类型半导体层123a、有源层123b和第二导电类型半导体层123c。有源层123b可以布置在第一导电类型半导体层123a和第二导电类型半导体层123c之间。作为示例，有源层123b可以布置在第一导电类型半导体层123a上，并且第二导电类型半导体层123c可以布置在有源层123b上。
根据实施例，第一导电类型半导体层123a可以被设置为n型半导体层，并且第二导电类型半导体层123c可以被设置为p型半导体层。当然，根据另一实施例，第一导电类型半导体层123a可以设置为p型半导体层，并且第二导电类型半导体层123c可以设置为n型半导体层。
根据实施例的发光器件可以包括第一电极127和第二电极128，如图33和图34中所示。
第一电极127可以包括第一焊盘电极121和第一分支电极125。第一电极127可以电连接到第二导电类型半导体层123c。第一分支电极125可以从第一焊盘电极121分支。第一分支电极125可以包括从第一焊盘电极121分支的多个分支电极。
第二电极128可以包括第二焊盘电极122和第二分支电极126。第二电极128可以电连接到第一导电类型半导体层123a。第二分支电极126可以从第二焊盘电极122分支。第二分支电极126可以包括从第二焊盘电极122分支的多个分支电极。
第一分支电极125和第二分支电极126可以布置为以手指形状彼此交错。由第一分支电极125和第二分支电极126通过第一焊盘电极121和第二焊盘电极122供应的电力可以被扩散并提供在整个半导体结构123处。
第一电极127和第二电极128可以形成为单层结构或多层结构。例如，第一电极127和第二电极128可以是欧姆电极。例如，第一电极127和第二电极128可以由ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au和Ni/IrOx/Au/ITO、Ag、Ni、Cr、Ti、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf，或其两种或更多种的合金中的至少一种材料形成。
同时，可以在半导体结构123处进一步设置保护层。保护层可以设置在半导体结构123的上表面处。此外，保护层可以设置在半导体的侧表面处。可以设置保护层，使得暴露第一焊盘电极121和第二焊盘电极122。另外，保护层可以选择性地设置在衬底124的外围和下表面处。
作为示例，保护层可以被设置为绝缘材料。例如，保护层可以由从由SixOy、SiOxNy、SixNy和AlxOy组成的组中选择的至少一种材料形成。
在根据实施例的发光器件中，在有源层123b中产生的光可以在发光器件的六个表面方向上发射。在有源层123b中产生的光可以通过发光器件的上表面、下表面和四个侧表面在六个表面方向上发射。
发射到发光器件的上表面的光可以入射在参考图1至图32描述的凹部区域处。
为了参考，参考图1至图32描述的发光器件的排列方向和在图33和图34中示出的发光器件的排列方向被示出为彼此相对。
如参考图1至图32所描述的，在第一焊盘电极121和第二焊盘电极122之间发射的光可以入射到设置在凹部区域处的粘合剂130。在发光器件的向下方向中发射的光可以通过粘合剂130光学漫射，并且可以改进光提取效率。
另外，根据实施例，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以设置为10％或更小。按照根据实施例的发光器件封装，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以设置为10％或更小，以便于确保从发光器件发射的发光面积并且增加光提取效率。
另外，根据实施例，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以设置为0.7％或更大。根据实施例的发光器件封装，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以设置为0.7％或更大，以便于对要被安装的发光器件提供稳定的结合力。
例如，根据发光器件的长轴方向的第一焊盘电极121的宽度可以是数十微米。第一焊盘电极121的宽度可以是例如70至90微米。另外，第一焊盘电极121的面积可以是几千平方微米。
另外，根据发光器件的长轴方向的第二焊盘电极122的宽度可以是数十微米。第二焊盘电极122的宽度可以是例如70至90微米。另外，第二焊盘电极122的面积可以是几千平方微米。
如上所述，因为第一焊盘电极121和第二焊盘电极122的面积被设置为小，所以可以增加发射到发光器件120的下表面的光量。另外，可以在发光器件120下面提供具有良好反射特性的粘合剂130。因此，在发光器件120的向下方向中发射的光在粘合剂130处被反射，并且朝着发光器件封装100的向上方向被有效地发射，使得可以改进光提取效率。
同时，基于第一和第二焊盘电极121和122与第一和第二导电层321和322直接接触的情况描述根据上述实施例的发光器件封装。
然而，根据实施例的发光器件封装的另一示例，可以在第一和第二焊盘电极121和122与第一导电层321和第二导电层322之间进一步布置另一导电组件。
接下来，将参考图35描述根据本发明的实施例的发光器件封装的另一示例。
在参考图35描述根据实施例的发光器件封装中，可以省略与参考图1至图34描述的内容重叠的内容的描述。
根据实施例的发光器件封装200可以包括封装主体110和发光器件120，如图35中所示。
封装主体110可以包括第一框架111和第二框架112。第一框架111和第二框架112可以布置为彼此隔开。
封装主体110可以包括主体113。主体113可以布置在第一框架111和第二框架112之间。主体113可以执行作为一种电极分离线的功能。主体113也可以称为绝缘构件。
主体113可以布置在第一框架111上。另外，主体113可以布置在第二框架112上。
主体113可以设置布置在第一框架111和第二框架112上的倾斜表面。腔体C可以通过主体113的倾斜表面设置在第一框架111和第二框架112上。
根据实施例，可以以具有腔体C的结构设置封装主体110，或者可以以具有平坦上表面而没有腔体C的结构设置封装主体110。
例如，主体113可以由从由聚邻苯二甲酰胺(PPA)、多氯三联苯(PCT)、液晶聚合物(LCP)、聚酰胺9T(PA9T)、硅酮、环氧模制化合物(EMC)、硅酮模制化合物(SMC)、陶瓷、光敏玻璃(PSG)、蓝宝石(Al2O3)等组成的组中的至少一种形成。另外，主体113可以包括高折射率填料，例如TiO2和SiO2。
根据实施例，发光器件120可以包括第一焊盘电极121、第二焊盘电极122、半导体结构123和衬底124。
发光器件120可以包括布置在衬底124下面的半导体结构123，如图35中所示。第一焊盘电极121和第二焊盘电极122可以布置在半导体结构123和主体113之间。
半导体结构123可以包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及设置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层。第一焊盘电极121可以电连接到第一导电类型半导体层。另外，第二焊盘电极122可以电连接到第二导电类型半导体层。
发光器件120可以布置在封装主体110上。发光器件120可以布置在第一框架111和第二框架112上。发光器件120可以布置在通过封装主体110提供的腔体C中。
第一焊盘电极121可以布置在发光器件120的下表面上。第二焊盘电极122可以布置在发光器件120的下表面上。第一焊盘电极121和第二焊盘电极122可以布置为在发光器件120的下表面上彼此隔开。
第一焊盘电极121可以布置在第一框架111上。第二焊盘电极122可以布置在第二框架112上。
第一焊盘电极121可以布置在半导体结构123和第一框架111之间。第二焊盘电极122可以布置在半导体结构123和第二框架112之间。
同时，根据实施例的发光器件封装200可以包括第一开口TH1和第二开口TH2，如图35中所示。第一框架111可以包括第一开口TH1。第二框架112可以包括第二开口TH2。
第一开口TH1可以设置在第一框架111处。第一开口TH1可以通过穿过第一框架111来设置。第一开口TH1可以通过在第一方向中穿过第一框架111的上表面和下表面来设置。
第一开口TH1可以布置在发光器件120的第一焊盘电极121下面。第一开口TH1可以设置为与发光器件120的第一焊盘电极121重叠。第一开口TH1可以设置为从第一框架111的上表面朝向其下表面在第一方向上与发光器件120的第一焊盘电极121重叠。
第二开口TH2可以设置在第二框架112处。第二开口TH2可以通过穿过第二框架112来设置。第二开口TH2可以通过在第一方向中穿过第二框架112的上表面和下表面来设置。
第二开口TH2可以布置在发光器件120的第二焊盘电极122下面。第二开口TH2可以设置为与发光器件120的第二焊盘电极122重叠。第二开口TH2可以设置为在第一方向上从第二框架112的上表面朝向其下表面与发光器件120的第二焊盘电极122重叠。
第一开口TH1和第二开口TH2可以布置为彼此隔开。第一开口TH1和第二开口TH2可以布置以在发光器件120的下表面下面彼此隔开。
根据实施例，第一开口TH1的上部区域的宽度W1可以大于第一焊盘电极121的宽度。另外，第二开口TH2的上部区域的宽度可以大于第二焊盘电极122的宽度。
根据实施例的发光器件封装200，如图35中所示，可以包括第一导体221和第二导体222。此外，根据实施例的发光器件封装200可以包括第一导电层321和第二导电层322。第一导电层321可以布置为与第二导电层322隔开。
第一导体221可以布置在第一焊盘电极121下面。第一导体221可以电连接到第一焊盘电极121。第一导体221可以设置为在第一方向中与第一焊盘电极121重叠。
第一导体221可以设置在第一开口TH1处。第一导体221可以设置在第一焊盘电极121和第一导电层321之间。第一导体221可以电连接到第一焊盘电极121和第一导电层321。
第一导体221的下表面可以设置为低于第一开口TH1的上表面。第一导体221的下表面可以设置为低于第一导电层321的上表面。
第一导体221可以布置在第一开口TH1上。另外，第一导体221可以布置为从第一焊盘电极121延伸到第一开口TH1的内部。
此外，第二导体222可以布置在第二焊盘电极122下面。第二导体222可以电连接到第二焊盘电极122。第二导体222可以布置为在第一个方向上与第二焊盘电极重叠122。
第二导体222可以设置在第二开口TH2处。第二导体222可以布置在第二焊盘电极122和第二导电层322之间。第二导体222可以电连接到第二焊盘电极122和第二导电层322。
第二导体222的下表面可以布置为低于第二开口TH2的上表面。第二导体222的下表面可以布置为低于第二导电层322的上表面。
第二导体222可以布置在第二开口TH2上。另外，第二导体222可以布置为从第二焊盘电极122延伸到第二开口TH2的内部。
根据实施例，第一导电层321可以布置在第一导体221的下表面和侧表面上，第一导电层321可以布置为与第一导体221的下表面和侧表面直接接触。
第一导电层321可以设置在第一开口TH1处。第一导电层321可以布置在第一焊盘电极121下面。第一导电层321的宽度可以大于第一焊盘电极121的宽度。
如上所述，根据实施例的发光器件封装200，第一导电层321和第一焊盘电极121之间的电连接可以由第一导体221更稳定地提供。
另外，根据实施例，第二导电层322可以布置在第二导体222的下表面和侧表面上，第二导电层322可以布置为与第二导体222的下表面和侧表面直接接触。
第二导电层322可以设置在第二开口TH2处。第二导电层322可以布置在第二焊盘电极122下面。第二导电层322的宽度可以大于第二焊盘电极122的宽度。
如上所述，根据实施例的发光器件封装200，第二导体2222可以更稳定地提供第二导电层322和第二焊盘电极122之间的电连接。
例如，第一和第二导体221和222可以分别经由单独的结合材料稳定地结合到第一和第二焊盘电极121和122。另外，第一导体221和第二导体222的侧表面和下表面可以分别与第一导电层321和第二导电层322接触。因此，与第一导电层321和第二导电层322分别直接接触第一和第二焊盘电极121和122的下表面的情况相比，可以进一步增加第一导电层321和第二导电层322分别与第一导体221和第二导体222接触的面积。因此，可以经由第一导体221和第二导体222从第一导电层321和第二导电层322到第一和第二焊盘电极121和122稳定地提供电力。
第一导电层321和第二导电层322可以包括由Ag、Au、Pt、Sn、Cu或其合金组成的组中选择的一种材料。然而，本发明不限于此，并且可以在第一导电层321和第二导电层322中使用能够确保导电功能的材料。
作为示例，第一导电层321和第二导电层322可以通过使用导电膏形成。导电膏可以包括焊膏、银膏等，并且可以由多层或由多层构成的单层或由不同材料构成的合金构成。作为示例，第一导电层321和第二导电层322可以包括SAC(Sn-Ag-Cu)材料。
另外，第一和第二导体221、222可以包括从由Ag、Au、Pt、Sn、Cu等或其合金组成的组中选择的至少一种材料。然而，本发明不限于此，并且能够确保导电功能的材料可以用于第一导体221和第二导体222。
另外，根据实施例的发光器件封装可以包括粘合剂130。
粘合剂130可以布置在主体113和发光器件120之间。粘合剂130可以布置在主体113的上表面和发光器件120的下表面之间。
另外，根据实施例的发光器件封装100可以包括凹部R，如图35中所示。
凹部R可以设置在主体113处。凹部R可以设置在第一开口TH1和第二开口TH2之间。凹部R可以设置成从主体113的上表面朝向其下表面凹进。凹部R可以布置在发光器件120下面。凹部R可以设置为在第一方向上与发光器件120重叠。
作为示例，粘合剂130可以布置在凹部R中。粘合剂130可以布置在发光器件120和主体113之间。粘合剂130可以布置在第一焊盘电极121和第二焊盘电极121之间。作为示例，粘合剂130可以布置为与第一焊盘电极121的侧表面和第二焊盘电极122的侧表面接触。
粘合剂130可以在发光器件120和封装主体110之间提供稳定的固定力。粘合剂130可以在发光器件120和主体113之间提供稳定的固定力。可以布置粘合剂130，作为示例，与主体113的上表面直接接触。另外，粘合剂130可以布置为与发光器件120的下表面直接接触。
作为示例，粘合剂130可以包括环氧基材料、硅酮基材料和包含基于环氧树脂的材料和硅酮基材料的混合材料中的至少一种。作为示例，粘合剂130可以包括白色硅酮。粘合剂130可以被称为第一树脂作为另一种表示。
粘合剂130可以在主体113和发光器件120之间提供稳定的固定力。当光发射到发光器件120的下表面时，粘合剂130可以在发光器件120和主体113之间提供光扩散功能。当光从发光器件120发射到发光器件120的下表面时，粘合剂130可以通过提供光扩散功能改进发光器件封装100的光提取效率。另外，粘合剂130可以反射从发光器件120发射的光。当粘合剂130包括反射功能时，粘合剂130可以由包括TiO2、硅酮等的材料形成。
根据实施例，凹部R的深度T1可以被设置为小于第一开口TH1的深度T2或第二开口TH2的深度T2。
可以考虑粘合剂130的粘附力来确定凹部R的深度T1。另外，可以通过考虑主体113的稳定强度并且/或者不会由于从发光器件120发射的热量而在发光器件封装100中出现裂缝来确定凹部R的深度T1。
凹部R可以提供适当的空间，其中可以在发光器件120下面执行一种下填充工艺。这里，下填充工艺可以是将发光器件120安装在发光器件120上并且然后将粘合剂130布置在发光器件120下面的工艺，并且可以是将粘合剂130设置在凹部R中并且然后布置发光器件120以便于在将发光器件120安装在封装主体110上的工艺中通过粘合剂130安装的工艺。
凹部R的深度T1和宽度W4可能影响粘合剂130的形成位置和固定力。可以确定凹部R的深度T1和宽度W4，使得通过布置在主体113和发光器件120之间的粘合剂130可以充分地提供固定力。
作为示例，凹部R的深度T1可以设置为数十微米。凹部R的深度T1可以设置为40至60微米。
另外，凹部R的宽度W4可以设置为数十微米到数百微米。这里，凹部R的宽度W4可以设置在发光器件120的长轴方向上。
凹部R的宽度W4可以窄于第一焊盘电极121和第二焊盘电极122之间的距离。凹部R的宽度W4可以被设置为大于第一和第二焊盘电极121和122的直径数百微米。凹部R的宽度W4可以设置为300至400微米。
可以设置第一开口TH1的深度T2以对应于第一框架111的厚度。第一开口TH1的深度T2可以以能够保持第一框架111的稳定强度的厚度设置。
可以设置第二开口TH2的深度T2以对应于第二框架112的厚度。第二开口TH2的深度T2可以以能够保持第二框架112的稳定强度的厚度设置。
可以设置第一开口TH1的深度T2和第二开口TH2的深度T2以对应于主体113的厚度。第一开口TH1的深度T2和第二开口TH2的深度T2可以以能够保持主体113的稳定强度的厚度设置。
作为示例，第一开口TH1的深度T2可以被设置在数百微米。第一开口TH1的深度T2可以设置为180至220微米。作为示例，第一开口TH1的深度T2可以设置为200微米。
作为示例，T2-T1的厚度可以选择为至少100微米或更大。这是考虑到能够提供主体113的无裂缝的注入工艺的厚度。
根据实施例，厚度T2与厚度T1，T2/T1的比率可以设置为2至10。例如，当T2的厚度设置为200微米时，T1的厚度可以被设置为20至100微米。
另外，根据实施例，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以被设置为10％或更小。按照根据实施例的发光器件封装，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以设置为10％或更小，以便于确保从发光器件发射的发光区域并且增加光提取效率。
另外，根据实施例，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以设置为0.7％或更大。根据实施例的发光器件封装，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以设置为0.7％或更大，以便于对要被安装的发光器件提供稳定的结合力。
根据实施例的发光器件封装，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以设置为0.7％或更大，从而能够稳定地排列第一导体221和第二导体222。
根据实施例，粘合剂130基于第一方向与发光器件120重叠的面积可以被设置为大于第一和第二开口TH1和TH2与第一和第二焊盘电极121和122重叠的区域的面积。
如上所述，因为第一焊盘电极121和第二焊盘电极122的面积被设置为小，所以可以增加透射到发光器件120的下表面的光量。另外，可以在发光器件120下面提供具有良好反射特性的粘合剂130。因此，在发光器件120的向下方向中发射的光在粘合剂130处被反射，并且朝着发光器件封装100的向上方向被有效地发射，使得可以改进光提取效率。
另外，根据实施例的发光器件封装200可以包括模制部140，如图35中所示。
模制部件140可以设置在发光器件120上。模制部件140可以布置在第一框架111和第二框架112上。模制部件140可以布置在由封装主体110设置的腔体C处。
模制部140可以包括绝缘材料。另外，模制部140可以包括波长转换装置，该波长转换装置被配置成是从发光器件120发射的入射光并提供波长转换的光。作为示例，模制部140可以包括从由荧光体、量子点等组成的组中选择的至少一种。
另外，如图35中所示，根据实施例的发光器件封装200可以包括第一下凹部R10和第二下凹部R20。第一下凹部R10和第二下凹部R20可以布置为彼此隔开。
第一下凹部R10可以设置在第一框架111的下表面处。第一下凹部R10可以设置成从第一框架111的下表面朝向其上表面凹进。第一下凹部R10可以布置为与第一开口TH1隔开。
第一下凹部R10可以设置有数微米到数十微米的宽度。树脂部分可以设置在第一下凹部R10处。填充在第一下凹部R10处的树脂部分可以设置有例如与主体113相同的材料。
然而，本发明不限于此，树脂部分可以设置有从与第一和第二导电层321和322具有差的粘附力和润湿性的材料中选择的材料。可替选地，树脂部分可以被设置并且从相对于第一和第二导电层321和322具有低表面张力的材料中选择。
作为示例，可以在其中通过注入工艺等形成第一框架111、第二框架112和主体113的工艺中设置填充在第一下凹部R10处的树脂部分。
填充在第一下凹部R10处的树脂部分可以设置在第一框架111的下表面区域周围，第一开口TH1设置在第一框架111的下表面区域中。其中设置有第一开口TH1的第一框架111的下表面区域可以布置为以岛的形状与形成其周围的第一框架111的下表面分离。
因此，当树脂部分由与第一和第二导电层321和322具有差的粘附力和润湿性的材料或在树脂部分与第一和第二导电层321之间具有低表面张力的材料布置而成时，能够防止设置在第一开口TH1中的第一导电层321从第一开口TH1移动并且在填充在第一下凹部R10或主体113处的树脂部分上扩散。
这是基于第一导电层321与树脂部分和主体113之间的粘附关系，或树脂部分与第一和第二导电层321和322之间的润湿性、表面张力等不好的事实。也就是说，可以选择形成第一导电层321的材料以与第一框架111具有良好的粘附性。另外，可以选择形成第一导电层321的材料以与树脂部分和主体113具有差的粘附性。
因为第一导电层321不会从第一开口TH1朝向设置有树脂部分或主体113的区域溢出，所以能够防止第一导电层321溢出或延伸到其中树脂部分或者主体113被设置的区域的外部，使得第一导电层321可以稳定地布置在设置第一开口TH1的区域中。因此，当第一导电层321布置在第一开口TH1中时，能够防止第一导电层321延伸到设置有树脂部分或主体113的第一下凹部R10的外部。另外，第一导电层321可以稳定地连接到第一开口TH1中的第一焊盘电极121的下表面。
因此，当发光器件封装安装在电路板上时，能够防止第一导电层321和第二导电层322彼此接触并且短路的问题，并且在布置第一导电层321和第二导电层322的工艺中，很容易控制第一导电层321和第二导电层322的量。
此外，第一导电层321可以布置以从第一开口TH1延伸到第一下凹部R10。因此，第一导电层321和/或树脂部分可以布置在第一下凹部R10中。
另外，第二下凹部R20可以设置在第二框架112的下表面处。第二下凹部R20可以设置成从第二框架112的下表面朝向其上表面凹进。第二下凹部R20可以布置为与第二开口TH2隔开。
第二下凹部R20可以设置有数微米到数十微米的宽度。树脂部分可以设置在第二下凹部R20处。填充在第二下凹部R20处的树脂部分可以设置有例如与主体113相同的材料。
然而，本发明不限于此，并且树脂部分可以设置有从与第一和第二导电层321和322具有差的粘附力和润湿性的材料中选择的材料。可替选地，树脂部分可以被设置并且从相对于第一和第二导电层321和322具有低表面张力的材料中选择。
作为示例，可以在通过注入工艺等形成第一框架111、第二框架112和主体113的工艺中设置填充在第二下凹部R20处的树脂部分。
填充在第二下凹部R20处的树脂部分可以布置在其中第二开口TH2被设置的第二框架112的下表面区域周围。其中设置有第二开口TH2的第二框架112的下表面区域可以被布置为以岛的形状与形成其周围的第二框架112的下表面分离。
因此，当树脂部分由与第一和第二导电层321和322具有差的粘附力和润湿性的材料或在树脂部分与第一和第二导电层321之间具有低表面张力的材料布置而成时，能够防止其中设置有第二开口TH2的第一导电层322和第二导电层322从第二开口TH2移动并且在填充在第二下凹部R20或主体113处的树脂部分上扩散。
这是基于第二导电层322与树脂部分和主体113之间的粘附关系，或树脂部分与第一和第二导电层321和322之间的润湿性、表面张力等不好的事实。也就是说，可以选择形成第二导电层322的材料以与第二框架112具有良好的粘附性。另外，可以选择形成第二导电层322的材料以与树脂部分和主体113具有差的粘附性。
因为第二导电层322不会从第二开口TH2朝向设置有树脂部分或主体113的区域溢出，所以能够防止第二导电层322溢出或延伸到其中树脂部分或者主体113被设置的区域的外部，使得第二导电层322可以稳定地布置在设置第二开口TH2的区域中。因此，当第二导电层322布置在第二开口TH2中时，能够防止第二导电层322延伸到设置有树脂部分或主体113的第二下凹部R20的外部。另外，第二导电层322可以稳定地连接到第二开口TH2中的第二焊盘电极122的下表面。
因此，当发光器件封装安装在电路板上时，能够防止第一导电层321和第二导电层322彼此接触并且短路的问题，并且在布置第一导电层321和第二导电层322的工艺中，很容易控制第一导电层321和第二导电层322的量。
另外，第二导电层322可以设置为从第二开口TH2延伸到第二下凹部R20。因此，第二导电层322和/或树脂部分可以布置在第二下凹部R20中。
另外，根据实施例的发光器件封装200可以包括树脂部分135，如图35中所示。
树脂部分135可以布置在第一框架111和发光器件120之间。树脂部分135可以布置在第二框架112和发光器件120之间。树脂部分135可以被设置在于封装主体110中设置的腔体C的底表面处。
树脂部分135可以布置在第一焊盘电极121的侧表面上。树脂部分135可以布置在第二焊盘电极122的侧表面上。树脂部分135可以布置在半导体结构123的下面。
作为示例，树脂部分135可以包括环氧基材料、硅酮基材料和包含环氧基材料和硅酮基材料的混合材料中的至少一种。另外，树脂部分135可以是反射从发光器件120发射的光的反射部分，例如，包含诸如TiO2的反射材料的树脂，或者可以包括白色硅酮。
树脂部分135可以布置在发光器件120下面以执行密封功能。另外，树脂部分135可以改进发光器件120和第一框架111之间的粘附力。另外，树脂部分135可以改进发光器件120和第二框架112之间的粘附力。
树脂部分135可以围绕第一焊盘电极121和第二焊盘电极122密封。树脂部分135能够防止第一导电层321和第二导电层322从第一开口TH1区域和第二开口TH2区域移动并且在发光器件120的外侧表面的方向上扩散和移动。当第一导电层321和第二导电层322在发光器件120的外侧表面方向上扩散和移动时，第一导电层321和第二导电层322可以与发光器件120的有源层接触，从而导致由于短路引起的故障。因此，当布置树脂部分135时，能够防止由于第一导电层321和第二导电层322以及有源层引起的短路，从而改进根据实施例的发光器件封装的可靠性。
另外，根据实施例，可以在发光器件120的下表面和外围上设置保护层。在这种情况下，因为在有源层的表面上设置绝缘保护层，即使当第一导电层321和第二导电层322在发光器件120的外侧表面方向上扩散和移动时，也能够防止第一导电层321和第二导电层322电连接到发光器件120的有源层。
同时，在绝缘保护层被布置在发光器件120的下表面和外围的情况下，绝缘保护层可以不布置在发光器件的衬底124的外围处。此时，当衬底124设置有导电材料时，当第一导电层321和第二导电层322与衬底124接触时，可能发生由于短路引起的故障。因此，当布置树脂部分135时，能够防止由于第一导电层321和第二导电层322以及衬底124引起的短路，从而改进根据实施例的发光器件封装的可靠性。
另外，当树脂部分135包括具有诸如白色硅酮的具有反射特性的材料时，树脂部分135可以将从发光器件120发射的光朝向封装主体110的向上方向反射，从而改进发光器件封装200的光提取效率。
同时，按照根据本发明的实施例的发光器件封装的另一示例，树脂部分135可以不单独设置，并且模制部140可以布置成使得与第一框架111和第二框架112直接接触。
另外，按照根据本发明的实施例的发光器件封装的另一示例，树脂部分135可以不单独设置，并且粘合剂130可以设置在第一和第二焊盘电极121和122的外围处。
此时，粘合剂130可以被称为第一树脂，并且第一和第二焊盘电极121和122可以分别被称为第一和第二结合部。
同时，粘合剂130可以布置在第一开口TH1和第二开口TH2的上部区域处。在其中发光器件120设置在封装主体110上的工艺中，粘合剂130的一部分可以移动到第一和第二开口TH1和TH2。粘合剂130的一部分可以布置在第一和第二开口TH1和TH2中的第一和第二焊盘电极121和122的侧表面区域处。粘合剂130的一部分可以布置在第一开口TH1和第二开口TH2中的第一导电层321和第二导电层322上。另外，粘合剂130的一部分可以布置在第一开口TH1和第二开口TH2中的第一导体221和第二导体222的侧表面处。
粘合剂130可以密封第一开口TH1和第二开口TH2的上部区域，并且防止湿气或者异物从外部通过第一开口TH1和第二开口TH2流入其中布置发光器件120的区域。
另外，当充分确保用于在发光器件120和封装主体110之间提供粘合剂130的空间时，凹部R可以不设置在封装主体110的上表面上。
在根据实施例的发光器件封装200中，电力可以通过第一开口TH1的区域被连接到第一焊盘电极121，并且电力可以通过第二开口TH2的区域被连接到第二焊盘电极122。
因此，发光器件120可以由通过第一焊盘电极121和第二焊盘电极122供应的驱动电力来驱动。另外，从发光器件120发射的光可以沿着封装主体110的向上方向被设置。
同时，根据上述实施例的发光器件封装200可以被供应并安装在子基板、电路板等上。
然而，当传统的发光器件封装安装在子基板、电路板等上时，可以应用诸如回流的高温工艺。此时，在回流工艺中，在引线框架和设置在发光器件封装中的发光器件之间的结合区域中发生再熔化现象，使得可能削弱电连接和物理耦合的稳定性。
然而，根据实施例的发光器件封装和发光器件封装的制造方法，根据实施例的发光器件的第一焊盘电极和第二焊盘电极可以通过被布置在开口中的导电层被提供有驱动电力。另外，可以选择布置在开口中的导电层的熔点使得具有比一般结合材料更高的值。
因此，因为即使当通过回流工艺将发光器件封装结合到主基板时根据实施例的发光器件封装200不会引起再熔化现象，所以电连接和物理结合力可能不会劣化。
此外，按照根据实施例的发光器件封装200和发光器件封装的制造方法，封装主体110不需要在发光器件封装的制造工艺中被暴露于高温。因此，根据实施例，能够防止封装主体110由于暴露于高温而损坏或变色。
因此，可以扩宽形成主体113的材料的选择范围。根据实施例，可以通过不仅使用诸如陶瓷的昂贵材料而且使用相对便宜的树脂材料来设置主体113。
例如，主体113可以包括从由聚对苯二甲酰胺(PPA)树脂、聚对苯二甲酸环己烷二甲酯(PCT)树脂、环氧模制化合物(EMC)树脂和硅酮模制化合物(SMC)树脂组成的组中选择的至少一种材料。
另外，根据实施例，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以设置为10％或更小。按照根据实施例的发光器件封装，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以设置为10％或更小，以便于确保从发光器件发射的发光区域并且增加光提取效率。
另外，根据实施例，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以设置为0.7％或更大。根据实施例的发光器件封装，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以设置为0.7％或更大，以便于对要被安装的发光器件提供稳定的结合力。
根据实施例的发光器件封装，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二焊盘电极121和122的面积之和可以设置为0.7％或更大。从而能够稳定地布置第一导体221和第二导体222。
根据实施例，粘合剂130基于第一方向与发光器件120重叠的面积可以被设置为大于第一和第二开口TH1和TH2与第一和第二焊盘电极121和122重叠的区域的面积。
如上所述，因为第一和第二焊盘电极121和122的面积设置为小，所以可以增加透射到发光器件120的下表面的光量。另外，可以在发光器件120下面提供具有良好反射特性的粘合剂130。因此，在发光器件120的向下方向中发射的光在粘合剂130处被反射，并且朝着发光器件封装100的向上方向被有效地发射，使得可以改进光提取效率。
同时，根据实施例的发光器件封装可以应用于光源装置。
此外，光源装置可以包括基于工业领域的显示装置、照明装置、前照灯等。
作为光源装置的示例，显示装置包括底盖、设置在底盖上的反射板、发射光并包括发光器件的发光模块、布置在反射板的前面并且引导从发光模块发射的光的导光板、包括被布置在导光板前面的棱镜片的光学片、布置在光学片前面的显示面板、连接到显示面板并且将图像信号供应给显示面板的图像信号输出电路、以及布置在显示面板前面的滤色器。这里，底盖、反射板、发光模块、导光板和光学片可以形成背光单元。另外，显示装置可以具有布置每个发射红色、绿色和蓝色光的发光器件而不包括滤色器的结构。
作为光源装置的另一示例，前照灯可以包括发光模块，该发光模块包括布置在衬底上的发光器件封装、用于例如在向前方向中的预定方向中反射从发光模块发射的光的反射器、用于向前折射光的透镜和用于阻挡或反射由反射器反射并被直射到透镜的光的一部分以形成设计者所希望的光分布图案的遮光物。
作为另一光源装置的照明装置可以包括盖、光源模块、散热器、电源、内壳和插座。另外，根据实施例的光源装置还可以包括构件和保持器中的至少一个。光源模块可以包括根据实施例的发光器件封装。
同时，根据上述实施例的发光器件封装可以包括各种修改。
在下文中，将参考附图描述根据实施例的发光器件封装的修改，并且每个修改可以应用于上述发光器件封装的每个实施例。另外，可以通过在彼此不冲突的范围内组合多个修改来应用下面描述的每个修改。
首先，将参考图36描述根据本发明的实施例的发光器件封装的又一个示例。在参考图36描述根据实施例的发光器件封装中，可以省略与上述内容重叠的内容的描述。
根据实施例的发光器件封装可以包括主体113和发光器件120。主体113可以包括第一和第二开口TH1和TH2。发光器件120可以包括第一和第二焊盘电极121和122。
第一和第二焊盘电极121和122可以分别电连接到发光器件120的第一和第二半导体层，并且可以分别称为第一和第二结合部。
第一和第二焊盘电极121和122可以分别包括突出部分121a和122a。例如，第一和第二焊盘电极121和122可以包括突出部分121a和122a，该突出部分121a和122a分别突出以在第一和第二开口TH1和TH2中向下延伸。第一和第二焊盘电极121和122的突出部分121a和122a可以分别布置在第一和第二开口TH1和TH2中。
第一焊盘电极121的突出部分121a的下表面可以布置为低于第一开口TH1的上表面。第二焊盘电极122的突出部分122a的下表面可以布置为低于第二开口TH2的上表面。
作为示例，第一和第二焊盘电极121和122的突出部分121a和122a可以设置成圆柱形或多边柱形。可以选择第一和第二焊盘电极121和122的形状对应于第一开口TH1和第二开口TH2的上部区域的形状。第一和第二焊盘电极121和122的突出部分121a和122a的宽度或直径可以设置得小于第一和第二开口TH1和TH2的上部区域的宽度或直径。
根据实施例的发光器件封装可以包括第一导电层321和第二导电层322。第一导电层321可以布置为与第二导电层322隔开。第一导电层321和第二导电层322可以布置成在主体113的下表面上彼此隔开。
第一导电层321的上表面的第一区域可以布置在第一开口TH1下面。第一导电层321的上表面的第一区域可以布置为在垂直方向上与第一开口TH1重叠。第一导电层321可以布置在第一焊盘电极121下面。第一导电层321可以布置在第一焊盘电极121的突出部分121a的外围处。
另外，第一导电层321的上表面的第二区域可以布置在主体113的下表面下面。第一导电层321的上表面的第二区域可以布置为在垂直方向上重叠主体113的下表面。例如，第一导电层321的上表面可以经由粘合树脂连接到主体113的下表面。
第二导电层322的上表面的第一区域可以布置在第二开口TH2下面。第二导电层322的上表面的第一区域可以布置为在垂直方向上与第二开口TH2重叠。第二导电层322可以布置在第二焊盘电极122下面。第二导电层322可以布置在第二焊盘电极122的突出部分122a的外围处。
另外，第二导电层322的上表面的第二区域可以布置在主体113的下表面下面。第二导电层322的上表面的第二区域可以布置以在垂直方向中重叠主体113的下表面。例如，第二导电层322的上表面可以经由粘合树脂连接到主体113的下表面。
第一导电层321和第二导电层322可以包括从由Ag、Au、Pt、Sn、Cu等或其合金组成的组中选择的至少一种材料。然而，本发明不限于此，并且能够确保导电功能的材料可以用于第一导电层321和第二导电层322。
例如，第一导电层321和第二导电层322可以通过使用导电膏形成。导电膏可以包括焊膏、银膏等，并且可以包括多层或由多层组成的单层或由不同材料组成的合金。作为示例，第一导电层321和第二导电层322可以包括SAC(Sn-Ag-Cu)材料。
另外，第一导电层321和第二导电层322可以布置为延伸到主体113的端部。
第一导电层321和第二导电层322可以提供一种引线框架功能。第一导电层321和第二导电层322可以分别电连接到第一和第二焊盘电极121和122。
另外，根据实施例的发光器件封装可以包括粘合剂130。如上所述，粘合剂130可以被称为第一树脂。
粘合剂130可以在发光器件120和主体113之间提供稳定的固定力。例如，粘合剂130可以设置为与主体113的上表面直接接触。此外，粘合剂130可以布置以与发光器件120的下表面直接接触。
例如，粘合剂130可以布置以移动第一和第二焊盘电极121和122的外围和发光器件120的下部。另外，粘合剂130可以被布置为在第一和第二开口TH1和TH2的内部移动。
粘合剂130可以密封第一开口TH1和第二开口TH2的上部区域，并且防止湿气或者异物从外部通过第一和第二开口TH1和TH2流入其中布置发光器件120的区域中。另外，粘合剂130可以改进发光器件120和主体113之间的固定力。
另外，当充分确保用于在发光器件120和主体113之间提供粘合剂130的空间时，可以不在封装主体110的上表面上设置凹部。
根据实施例的发光器件封装可以安装并提供在子基板、电路板等上。此时，第一导电层321和第二导电层322可以分别电连接到设置在子基板、电路板等上的第一和第二焊盘部。
在根据实施例的发光器件封装中，电力可以通过第一开口TH1的区域连接到第一焊盘电极121，并且电力可以通过第二开口TH2的区域连接到第二焊盘电极122。
因此，发光器件120可以由通过第一焊盘电极121和第二焊盘电极122供应的驱动电力来驱动。另外，从发光器件120发射的光可以设置在封装主体110的向上方向中。
然而，当传统的发光器件封装安装在子基板、电路板等上时，可以应用诸如回流的高温工艺。此时，在回流工艺中，在引线框架和设置在发光器件封装中的发光器件之间的结合区域中发生再熔化现象，使得可能削弱电连接和物理耦合的稳定性。
然而，根据实施例的发光器件封装和发光器件封装的制造方法，根据实施例的发光器件的第一焊盘电极和第二焊盘电极可以通过被布置在开口中的导电层被提供有驱动电力。另外，可以选择布置在开口中的导电层的熔点使得具有比一般结合材料更高的值。
因此，因为即使当通过回流工艺将发光器件封装结合到主基板时，根据实施例的发光器件封装不会引起再熔化现象，所以电连接和物理结合力可以不会劣化。
另外，根据实施例的发光器件封装和发光器件封装的制造方法，在发光器件封装的制造工艺中，主体113不需要暴露于高温。因此，根据实施例，能够防止主体113由于暴露于高温而损坏或变色。
因此，可以扩宽形成主体113的材料的选择范围。根据实施例，可以通过不仅使用诸如陶瓷的昂贵材料而且使用相对便宜的树脂材料来设置主体113。
例如，主体113可以包括从由聚对苯二甲酰胺(PPA)树脂、聚对苯二甲酸环己烷二甲酯(PCT)树脂、环氧模制化合物(EMC)树脂和硅酮模制化合物(SMC)树脂组成的组中选择的至少一种材料。
同时，在上面的描述中，基于其中主体113包括腔体C的情况进行描述。发光器件120可以布置在腔体C中。然而，根据另一实施例，如图37中所示，主体113可以以不包括腔的形式提供。例如，主体113可以设置有平坦的上表面而不包括腔体。
主体113的侧表面和第一导电层321的侧表面可以设置在同一平面中。另外，主体113的另一侧表面和第二导电层322的侧表面可以设置在同一平面中。
另外，在上面的描述中，基于布置在主体113的下表面上的第一导电层321和第二导电层322被布置为延伸到主体113的侧表面的情况来描述。然而，布置在主体113的下表面上的第一导电层321和第二导电层322可以不延伸到主体113的侧表面，并且可以仅布置在主体113的下表面的一部分中，并且可以布置为在垂直方向上与腔体C重叠。
同时，粘合剂130也可以布置在发光器件120的侧表面上。这是因为粘合剂130可能由于在发光器件120的表面上设置的OH-而沿着发光器件120的侧表面向上行进。这时，当设置在发光器件120的侧表面上的粘合剂130的厚度太厚时，可能降低光强度Po，使得有必要适当地控制其厚度。另外，因为粘合剂130可以布置在发光器件120的侧表面上，因为粘合剂130可以以双重保护膜结构设置，并且可以改进防潮性，并且发光器件120可以被保护免受其他污染物的影响。
另外，当粘合剂130被设置在发光器件120下面和周围时，例如，可以通过离心分离方法等提供粘合剂130。粘合剂130可以施加到主体113，并且粘合剂130可以通过离心分离方法扩散到发光器件120的下部和外围区域中。如上所述，当应用离心分离方法等时，包含在粘合剂130中的反射材料可以沉淀到下部区域中。因此，仅一种清楚的模制部被布置在发光器件120的有源层的侧面上，并且反射材料可以被布置在比发光器件120的有源层更低的区域中，使得可以进一步改进光强度Po。
此外，根据另一实施例，粘合剂130和主体113可以包括相同的材料。
另外，根据实施例，可以考虑主体113、粘合剂130和发光器件120之间的热膨胀系数(CTE)匹配来选择粘合剂130的物理性质，并且因此由于热冲击引起的发光器件封装的裂缝或者分层可以被改进。
在上面的实施例中描述的特征、结构、效果等包括在至少一个实施例中，并且不仅限于一个实施例。此外，关于实施例中描述的特征、结构、效果等，可以通过本领域中普通技术人员的组合或修改来实现其他实施例。因此，与组合和修改相关的内容应被解释为包括在实施例的范围内。
尽管已经在前述说明书中提出并阐述优选的实施例，但是本发明不应该被解释为限于此。对于本领域的普通技术人员来说，将会显而易见的是，在没有脱离本发明的实施例的固有特征的情况下在范围内未被图示的各种变形和修改是可用的。例如，可以通过修改来执行实施例中具体示出的每个组件。另外，显而易见的是，与修改和变形相关的差异被包括在本发明的所附权利要求中设置的实施例的范围内。

Claims (19)

1.一种发光器件封装，包括：
主体，所述主体包括开口，所述开口穿过所述主体的上表面和所述主体的下表面；
发光器件，所述发光器件被布置在所述主体上并且包括第一结合部和第二结合部；以及
第一导电层和第二导电层，所述第一导电层和所述第二导电层被布置在所述开口中，
其中，所述发光器件包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及被布置在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层，
其中，所述第一结合部被电连接到所述第一导电类型半导体层，
其中，所述第二结合部被电连接到所述第二导电类型半导体层，
其中，所述第一结合部包括第一突出部分，
其中，所述第二结合部包括第二突出部分，
其中，所述第一突出部分被布置在所述开口中并且接触所述第一导电层，以及
其中，所述第二突出部分被布置在所述开口中并且接触所述第二导电层。
2.根据权利要求1所述的发光器件封装，还包括树脂，所述树脂被布置在所述主体和所述发光器件之间。
3.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述第一结合部和所述第二结合部包括从由Ti、Al、In、Ir、Ta、Pd、Co、Cr、Mg、Zn、Ni、Si、Ge、Ag、Au、Hf、Pt、Ru、Rh、Sn、Cu、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au/ITO或其合金组成的组中选择的至少一种材料。
4.根据权利要求2所述的发光器件封装，其中，所述树脂包括白色硅酮。
5.根据权利要求2所述的发光器件封装，其中，所述树脂被设置成与所述主体的上表面和所述发光器件的下表面直接接触。
6.根据权利要求2所述的发光器件封装，其中，所述树脂被设置在所述第一结合部和所述第二结合部的外围处。
7.根据权利要求2所述的发光器件封装，其中，所述主体包括凹部，所述凹部从所述主体的上表面朝向其下表面凹进，以及
其中，所述树脂被设置到所述凹部中。
8.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述主体包括第一框架和第二框架，
其中，所述第一框架包括第一开口，以及
其中，所述第二框架包括第二开口。
9.根据权利要求8所述的发光器件封装，其中，所述主体包括侧壁，
其中，所述开口穿过所述侧壁的上表面和所述侧壁的下表面，以及
其中，所述侧壁的内倾斜表面包括腔体。
10.根据权利要求8所述的发光器件封装，其中，在所述第一框架和所述第二框架之间布置的所述主体的一部分包括在上表面处的凹部。
11.根据权利要求10所述的发光器件封装，其中，所述第一结合部还包括第一焊盘，
其中，所述第二结合部还包括第二焊盘，
其中，所述第一突出部分的宽度小于所述第一焊盘的宽度，以及
其中，所述第二突出部分的宽度小于所述第二焊盘的宽度。
12.根据权利要求11所述的发光器件封装，其中，在所述主体的所述一部分的凹部上布置的树脂部分接触所述第一焊盘和所述第二焊盘。
13.根据权利要求8所述的发光器件封装，其中，所述第一结合部的第一突出部分的下表面被布置成低于所述第一开口的上表面。
14.根据权利要求8所述的发光器件封装，其中，所述第一结合部和所述第二结合部的形状分别对应于所述第一开口和所述第二开口的上部区域的形状。
15.根据权利要求8所述的发光器件封装，其中，所述第一结合部和所述第二结合部的所述第一突出部分和所述第二突出部分的宽度被分别设置成小于所述第一开口和所述第二开口的上部区域的宽度。
16.根据权利要求8所述的发光器件封装，其中，所述第一开口和所述第二开口被布置在所述发光器件下面。
17.根据权利要求9所述的发光器件封装，其中，所述发光器件被布置在所述腔体中，以及
其中，所述发光器件的上表面被布置成低于所述侧壁的上表面。
18.根据权利要求8所述的发光器件封装，其中，所述第一开口、所述第二开口、所述第一突出部分和所述第二突出部分中的每个沿第二方向上的投影重叠，所述第二方向为垂直于所述发光器件的厚度的一个方向。
19.根据权利要求11所述的发光器件封装，其中，所述第一焊盘在垂直方向中与所述第一突出部分重叠，并且被电连接到所述第一突出部分，以及
其中，所述第二焊盘在所述垂直方向中与所述第二突出部分重叠，并且被电连接到所述第二突出部分。
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