JPH118414A - 半導体装置および半導体発光装置 - Google Patents

半導体装置および半導体発光装置

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JPH118414A
JPH118414A JP16109597A JP16109597A JPH118414A JP H118414 A JPH118414 A JP H118414A JP 16109597 A JP16109597 A JP 16109597A JP 16109597 A JP16109597 A JP 16109597A JP H118414 A JPH118414 A JP H118414A
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light emitting
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emitting diode
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Etsuo Morita
悦男 森田
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 発熱環境下や高温環境内で使用可能な耐環境
性の半導体装置および封止材料の光学的な変色または着
色による輝度劣化を防止することができる半導体発光装
置を提供する。 【解決手段】 ＧａＮ系半導体層が積層された基板のＧ
ａＮ系半導体層の表面または基板の裏面を配線基板など
の基台上に接合する半導体発光装置や電子走行素子など
の半導体装置において、接合材料として３００℃以上７
００℃以下の融点を有する金属材料、例えばＡｕ−Ｉｎ
系合金を用いる。また、ＧａＮ系半導体層が積層された
基板のＧａＮ系半導体層の表面または基板の裏面を配線
基板などの基台上に接合し、基板を封止材料で封止する
半導体発光装置において、封止材料として３５０℃より
高く７００℃以下の融点を有し、かつ、光透過性の無機
材料、例えばガラスを用いる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置およ
び半導体発光装置に関し、特に、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体を用いた発光ダイオードや半導体レーザあ
るいは電子走行素子に適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】緑色から青色、さらには紫外線の発光が
可能な半導体発光装置として、窒化ガリウム（ＧａＮ）
に代表される窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体をサフ
ァイア基板やＳｉＣ基板などの上にエピタキシャル成長
させて発光ダイオード構造を形成したＧａＮ系発光ダイ
オードが知られている。
【０００３】このようなＧａＮ系発光ダイオードは、通
常、図７に示すように樹脂でモールド封止が行われた状
態で使用される（例えば、特開平８−７８７２７号公
報）。すなわち、図７に示すように、このモールド封止
型ＧａＮ系発光ダイオードにおいては、発光ダイオード
構造を形成するＧａＮ系半導体層１０１が積層されたサ
ファイア基板１０２の裏面が、リードフレーム１０３の
上部に設けられた凹部１０３ａの底面に接着剤１０４で
接着されている。この凹部１０３ａの底面および内壁面
は、動作時にＧａＮ系発光ダイオードの発光層から発生
する光を外部に取り出すための反射面となっている。接
着剤１０４としては、エポキシ樹脂系の接着剤が用いら
れている。この場合、ＧａＮ系発光ダイオードのｐ側電
極およびｎ側電極（図示せず）はＧａＮ系半導体層１０
１と同じ側に設けられており、ｐ側電極はワイヤー１０
５によりリードフレーム１０３とボンディングされ、ｎ
側電極はワイヤー１０６によりリードフレーム１０７と
ボンディングされている。そして、ＧａＮ系発光ダイオ
ードは、集光機能を持たせることなどを目的として、そ
の近傍の部分のリードフレーム１０３、１０７とともに
樹脂１０８でレンズ形状にモールドされている。樹脂１
０８としては、一般的には無色透明のエポキシ樹脂が用
いられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来のモールド封止型ＧａＮ系発光ダイオードにおいて
は、使用を続けて行くと、ＧａＮ系発光ダイオードが劣
化していないにもかかわらず、急激な経時劣化、具体的
には、輝度劣化が生じてしまい、信頼性上問題があっ
た。これは、動作時にＧａＮ系発光ダイオードの発光層
から発生する光の影響により、樹脂１０８として用いら
れているエポキシ樹脂が光学的に変色または着色するこ
とにより透過率が低下するためである（例えば、特開平
８−１４８７１７号公報）。
【０００５】一方、発光素子を実装する場合、ワイヤー
ボンディングなどによる実装方式に比べて小スペースで
高密度実装が可能な実装方式としてフリップチップ法が
ある（例えば、特開平６−１０４４８０号公報、特開平
６−１７７４２９号公報、特開平５−３２６５２０号公
報）。このフリップチップ法においては、接合材料とし
ては、通常、共晶組成のＰｂ−Ｓｎ系合金やＡｕ−Ｓｎ
系合金が用いられている（例えば、特開平５−９０３２
９号公報）。しかしながら、これらの接合材料を用いて
ＧａＮ系発光ダイオードをフリップチップ法により実装
した場合には、それらの接合材料の融点が２８０℃以下
と低いため（例えば、Ｐｂ−６１．９ｗｔ％Ｓｎの共晶
温度は１８３℃、Ａｕ−９０ｗｔ％Ｓｎの共晶温度は２
１７℃、Ａｕ−２０ｗｔ％Ｓｎの共晶温度は２７８
℃）、高密度実装による発熱環境下や高温の環境内で使
用すると、接合材料が溶融して不良が生じ、信頼性上問
題があった。この問題はまた、大電力用半導体素子とし
て注目されているＧａＮ系電子走行素子においても、同
様に生じ得るものである。
【０００６】したがって、この発明の目的は、封止材料
の光学的な変色または着色による輝度劣化を防止するこ
とができる半導体発光装置を提供することにある。
【０００７】この発明の他の目的は、発熱環境下や高温
環境内で使用可能な耐環境性の半導体装置を提供するこ
とにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の第１の発明は、素子構造を形成する窒化
物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層が一方の主面に積層さ
れた基板の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の表面
または基板の他方の主面が基台上に接合された半導体装
置において、接合材料として３００℃以上７００℃以下
の融点を有する金属材料を用いたことを特徴とするもの
である。
【０００９】ここで、接合材料の融点の上限を７００℃
としたのは、半導体発光装置などに用いられる窒化物系
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層のうちＧａＩｎＮ層は通常
７００〜８００℃の温度で成長されることから、接合温
度はこのＧａＩｎＮ層の成長温度の下限である７００℃
以下に限られるためである。一方、接合材料の融点の下
限を３００℃としたのは、従来に比べて接合部の耐熱性
を向上させるためである。
【００１０】この発明の第１の発明において、より高い
耐熱性を得る観点からは、接合材料として３５０℃以上
７００℃以下の融点を有する金属材料を用いる。
【００１１】この発明の第１の発明において、接合材料
として用いられる金属材料の具体例を挙げると、Ｐｂ−
Ｐｄ系、Ａｕ−Ｇａ系、Ａｕ−Ｇｅ系、Ａｕ−Ｓｉ系、
Ａｌ−Ｚｎ系、Ａｌ−Ｇｅ系、Ａｌ−Ｍｇ系、Ａｕ−Ｉ
ｎ系、Ａｇ−Ｍｇ系、Ａｌ−Ｃｕ系、Ａｌ−Ｓｉ系、Ａ
ｌ−Ｓｉ−Ｍｇ系、Ａｌ−Ｓｉ−Ｚｎ系、Ａｌ−Ｐｄ
系、Ａｌ−Ｉｎ系、Ｃｕ−Ｇｅ系、Ａｇ−Ｇｅ系、Ｃｕ
−Ｉｎ系またはＡｕ−Ｚｎ系の合金である。これらの合
金の共晶組成および共晶温度を示すと、次の通りである
（ASM Handbook,Volume 3,Alloy Phase Diagrams(ASM I
nternational,1992)）。
【００１２】 合金 共晶温度（℃） Ｐｂ−２５ｗｔ％Ｐｄ ４７４ Ａｕ−３１ｗｔ％Ｇａ ４４８．６ Ａｕ−１５．２ｗｔ％Ｇａ ３３９．４ Ａｕ−１２．５ｗｔ％Ｇｅ ３６１ Ａｕ−３．２ｗｔ％Ｓｉ ３６３ Ａｌ−９４ｗｔ％Ｚｎ ３８１ Ａｌ−５１．６ｗｔ％Ｇｅ ４２０ Ａｌ−６６ｗｔ％Ｍｇ ４３７ Ａｕ−４１．９ｗｔ％Ｉｎ ４９５．４ Ａｇ−５１．３９ｗｔ％Ｍｇ ４７２ Ａｌ−３２ｗｔ％Ｃｕ ５４８．２ Ａｌ−１２．６ｗｔ％Ｓｉ ５７７ Ａｌ−２４ｗｔ％Ｐｄ ６１５ Ａｌ−１７．３ｗｔ％Ｉｎ ６３９ Ｃｕ−６０．４ｗｔ％Ｇｅ ６４４ Ａｇ−８２ｗｔ％Ｇｅ ６５１ Ａｕ−３４ｗｔ％Ｚｎ ６６７ Ａｕ−１２ｗｔ％Ｚｎ ６８３ なお、共晶組成ではないが、Ｃｕ−３８．４ｗｔ％Ｉｎ
の融点は６７８℃である。
【００１３】この発明の第１の発明において、半導体装
置は、典型的には、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
層が発光素子構造を形成する半導体発光装置である。こ
の場合、基板は光透過性を有し、例えば、この基板に関
して窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層と同じ側にｐ
側電極およびｎ側電極が設けられる。そして、ｐ側電極
およびｎ側電極が基台に設けられた第１の電極部および
第２の電極部とそれぞれ電気的に接続されるように窒化
物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の表面が基台上に接合
される。また、好適には、基台に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体層から発生する光を反射させるための反射
構造を有する凹部が設けられ、この凹部の底面に基板の
窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の表面が接合され
る。基台は例えば配線基板であり、この場合、この配線
基板に設けられた配線により凹部の反射構造を形成する
ことができる。この基台は、リードフレームやヘッダー
などであってもよい。
【００１４】この発明の第１の発明において、半導体装
置は、電子走行素子、具体的には、電界効果トランジス
タ（ＦＥＴ）などであってもよい。
【００１５】この発明の第２の発明は、発光素子構造を
形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層が一方の
主面に積層された光透過性の基板の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体層の表面または基板の他方の主面が基台
上に接合され、基板が封止材料で封止された半導体発光
装置において、封止材料として３５０℃より高く７００
℃以下の融点を有し、かつ、光透過性を有する無機材料
を用いたことを特徴とするものである。
【００１６】ここで、封止材料の融点の上限を７００℃
としたのは、半導体発光装置などに用いられる窒化物系
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層のうちＧａＩｎＮ層は通常
７００〜８００℃の温度で成長されることから、封止温
度はこのＧａＩｎＮ層の成長温度の下限である７００℃
以下に限られるためである。一方、封止材料の融点の下
限を３５０℃としたのは、十分な耐熱性を得るためであ
る。
【００１７】この発明の第２の発明においては、好適に
は、封止材料として用いられる無機材料の融点は、接合
の温度よりも低い。この無機材料は、典型的には、ガラ
スである。
【００１８】この発明において、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体層は、Ｇａ、Ａｌ、ＩｎおよびＢからなる
群より選ばれた少なくとも一種類のＩＩＩ族元素と、少
なくともＮを含み、場合によってさらにＡｓまたはＰを
含むＶ族元素とからなる。この窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体層の具体例を挙げると、ＧａＮ層、ＡｌＧａ
Ｎ層、ＧａＩｎＮ層、ＡｌＧａＩｎＮ層などである。
【００１９】上述のように構成されたこの発明の第１の
発明においては、接合材料として３００℃以上７００℃
以下の融点を有する金属材料を用いたことにより、従来
のように接合材料としてＰｂ−Ｓｎ系合金やＡｕ−Ｓｎ
系合金を用いた場合に比べて接合部の耐熱性が向上し、
発熱環境下や高温環境内での耐久性が向上する。
【００２０】上述のように構成されたこの発明の第２の
発明においては、封止材料として３５０℃より高く７０
０℃以下の融点を有し、かつ、光透過性を有する無機材
料を用いたことにより、従来のように封止材料としてエ
ポキシ樹脂などの樹脂を用いた場合と異なり、半導体発
光装置の使用に伴う、封止材料の光学的な変色または着
色を防止することができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態につい
て図面を参照しながら説明する。なお、実施形態の全図
において、同一または対応する部分には同一の符号を付
す。
【００２２】まず、この発明の第１の実施形態によるモ
ールド封止型ＧａＮ系発光ダイオードについて説明す
る。図１はＧａＮ系発光ダイオードを示し、図２は図１
に示すＧａＮ系発光ダイオードをガラスで封止したモー
ルド封止型ＧａＮ系発光ダイオードを示す。
【００２３】図１に示すように、このＧａＮ系発光ダイ
オードにおいては、例えばｃ面のサファイア基板１上
に、ＧａＮバッファ層２、ｎ型ＧａＮ層３、ｎ型ＡｌＧ
ａＮ層４、ＧａＩｎＮからなる発光層５、ｐ型ＡｌＧａ
Ｎ層６およびｐ型ＧａＮ層７が順次積層されている。こ
こで、ｎ型ＧａＮ層３の上層部、ｎ型ＡｌＧａＮ層４、
発光層５、ｐ型ＡｌＧａＮ層６およびｐ型ＧａＮ層７は
メサ形状にパターニングされている。これらの表面を覆
うようにＳｉＯ2 膜のような絶縁膜８が設けられてい
る。この絶縁膜８は、電気的絶縁および表面保護のため
のものである。この絶縁膜８には、ｐ型ＧａＮ層７の上
およびｎ型ＧａＮ層３の上にそれぞれ開口８ａ、８ｂが
設けられている。そして、開口８ａを通じてｐ型ＧａＮ
層７にｐ側電極９がコンタクトしているとともに、開口
８ｂを通じてｎ型ＧａＮ層３にｎ側電極１０がコンタク
トしている。ｐ側電極９としては例えばＮｉ／Ａｕ膜が
用いられ、ｎ側電極１０としては例えばＴｉ／Ａｌ／Ａ
ｕ膜が用いられる。
【００２４】図２に示すモールド封止型ＧａＮ系発光ダ
イオードにおいては、配線基板１１の上部に設けられた
逆台形状の断面形状を有する凹部１１の底面に、図１に
示すＧａＮ系発光ダイオードがそのＧａＮ系半導体層を
下にしてフリップチップ実装されている。
【００２５】すなわち、配線基板１１の上面には、凹部
１１ａの底面から凹部１１ａの外側の平坦部にかけて延
在するように所定パターンの配線１２、１３が設けられ
ている。これらの配線１２、１３はさらに、配線基板１
１に設けられたスルーホール１１ｂ、１１ｃを通じて配
線基板１１の下面まで延在しており、この下面から突出
した部分が電極部を構成している。凹部１１ａの底面上
の配線１２、１３の端部は電極部（パッド部）を構成し
ており、これらの電極部の上に接合材料１４が設けられ
ている。そして、図１に示すＧａＮ系発光ダイオードの
ｐ側電極９およびｎ側電極１０の上にそれぞれ設けられ
た例えばＡｕからなるバンプ１５、１６が接合材料１４
により配線１２、１３の端部の電極部とそれぞれ接合さ
れ、互いに機械的および電気的に接続されている。ここ
で、これらの配線１２、１３は、ＧａＮ系発光ダイオー
ドの発光層５から発生する光を反射させて外部に取り出
すための反射鏡の役割も果たす。
【００２６】この場合、接合材料１４としては、先に挙
げた３００℃以上７００℃以下の融点を有する金属材料
のうちから必要に応じて選択されたものが用いられ、具
体的には、例えば、共晶温度が４９５．４℃のＡｕ−４
１．９ｗｔ％Ｉｎが用いられる。
【００２７】配線基板１１としては、少なくとも接合材
料１４による接合温度および後述のモールド封止の温度
より高い耐熱温度および電気的絶縁性を有し、さらに熱
伝導が良好なものが用いられ、具体的には例えばアルミ
ナ基板のようなセラミックス基板が用いられる。
【００２８】この場合、ＧａＮ系発光ダイオードは、配
線基板１１の上面とともに、ガラス１７でレンズ形状に
モールド封止されている。このガラス１７としては、融
点が３５０℃より高く７００℃以下で光透過性のものが
用いられ、具体的には例えばＳｉＯ2 にＰｂＯ、Ｂ2 Ｏ
3 、Ｎａ2 Ｏ、ＺｎＯなどを混合したものが用いられ
る。例えば、ＳｉＯ2 にＰｂＯおよびＢ2 Ｏ3 を混合し
たガラスは４３０〜４９０℃の融点を有する。ＰｂＯお
よびＢ2 Ｏ3 を主体とし、ＳｉＯ2 がほとんど入ってい
ないガラスでも３５０〜４００℃の融点を得ることがで
きる。
【００２９】また、配線基板１１の材料とガラス１７の
材料との組み合せによっては、配線基板１１とガラス１
７との間に熱膨張係数差があり、これが封止後のガラス
１７に割れなどを生じさせることもあり得るが、この場
合には、ガラス１７に熱膨張係数の小さい透明なフィラ
ーを入れるなどして配線基板１１とガラス１７との間の
熱膨張係数差を十分に小さくすることにより、この問題
を解決することができる。
【００３０】次に、上述のように構成されたモールド封
止型ＧａＮ系発光ダイオードの製造方法について説明す
る。
【００３１】まず、配線基板１１の凹部１１ａの底面の
配線１２、１３の端部の電極部上に真空蒸着法、スパッ
タリング法、めっき法などにより接合材料１４を形成す
る。一方、図１に示すＧａＮ系発光ダイオードのｐ側電
極９およびｎ側電極１０の上には例えばボールボンディ
ング法などによりバンプ１５、１６を形成する。そし
て、配線基板１１の凹部１１ａの底面に、ＧａＮ系発光
ダイオードを、そのｐ側電極９およびｎ側電極１０上に
形成されたバンプ１５、１６が、配線１２、１３の端部
の電極部上に形成された接合材料１４の上にくるように
位置合わせして置く。この後、この配線基板１１を、接
合材料１４の融点以上の温度に加熱されたリフロー炉
（図示せず）内に通し、接合材料１４をリフローさせ
る。これによって、この接合材料１４によりＧａＮ系発
光ダイオードのバンプ１５、１６と配線１２、１３の端
部とが接合される。
【００３２】次に、このようにして配線基板１１上にフ
リップチップ実装されたＧａＮ系発光ダイオードをガラ
ス１７でモールド封止する。このモールド封止は、具体
的には例えば次のようにして行うことができる。
【００３３】第１の方法では、例えば粉末状のガラス原
料をモールドの鋳型に入れ、この鋳型中のガラス原料
に、ＧａＮ系発光ダイオードがフリップチップ実装され
た配線基板１１の上面を押し付け、この状態で鋳型をガ
ラス原料の融点よりも高い温度に加熱してガラス原料を
溶融させる。この後、鋳型を冷却して配線基板１１を取
り出す。これによって、ガラス１６によりＧａＮ系発光
ダイオードがモールド封止される。この方法では、粉末
状のガラス原料を用いていることにより、鋳型にガラス
原料を入れやすく、また、ガラス原料の表面積の増大に
よって溶融しやすくなるという利点がある。
【００３４】第２の方法では、ＧａＮ系発光ダイオード
がフリップチップ実装された配線基板１１の上面にこの
ＧａＮ系発光ダイオードを覆うように例えば粉末状のガ
ラス原料を盛り上げる。この場合、ガラス原料をプレス
することにより、あらかじめ所定の形状に整形してもよ
い。次に、この配線基板１１をガラス原料の融点よりも
高い温度に加熱することによりガラス原料を溶融させ、
この溶融ガラスを表面張力によりレンズ形状に盛り上が
らせた後、冷却する。これによって、ガラス１６により
ＧａＮ系発光ダイオードがモールド封止される。ここ
で、ガラス原料を溶融させるための加熱は、加熱炉によ
る加熱、ランプ加熱、集光加熱、熱風の吹き付けなどに
より行うことができる。
【００３５】第３の方法では、ＧａＮ系発光ダイオード
がフリップチップ実装された配線基板１１の上面にこの
ＧａＮ系発光ダイオードを覆うように溶融ガラスをレン
ズ形状に盛り上げ、その後冷却する。これによって、ガ
ラス１６によりＧａＮ系発光ダイオードがモールド封止
される。この場合、溶融ガラスの表面張力によりこの溶
融ガラスがレンズ形状に自己形成されるようにすること
ができる。
【００３６】以上のように、この第１の実施形態によれ
ば、ＧａＮ系発光ダイオードをフリップチップ実装する
ための接合材料１４として融点が３００℃以上７００℃
以下の金属材料を用い、また、ＧａＮ系発光ダイオード
の封止材料として融点が３５０℃以上７００℃以下で光
透過性のガラス１７を用いていることにより、発熱環境
下や高温環境内でも優れた耐久性を示す耐環境性のモー
ルド封止型ＧａＮ系発光ダイオードを実現することがで
きる。さらに、このモールド封止型ＧａＮ系発光ダイオ
ードは、封止材料として無機材料であるガラス１７を用
いていることにより、封止材料としてエポキシ樹脂など
の樹脂を用いた場合のように、使用に伴い封止材料の変
色や着色が生じることがなく、経時的な輝度劣化が生じ
るのを防止することができる。また、配線基板１１の配
線１２、１３が反射鏡の役割も果たすことにより、別に
反射構造を設けなくても、ＧａＮ系発光ダイオードから
発生する光を効率よく外部に取り出すことができる。
【００３７】次に、この発明の第２の実施形態によるモ
ールド封止型ＧａＮ系発光ダイオードについて説明す
る。図３に、このモールド封止型ＧａＮ系発光ダイオー
ドを示す。
【００３８】図３に示すように、この第２の実施形態に
よるモールド封止型ＧａＮ系発光ダイオードにおいて
は、配線基板１１のスルーホール１１ｂ、１１ｃが、バ
ンプ１５、１６の直下に設けられている。そして、配線
１２、１３は凹部１１ａの底面および内壁面にのみ設け
られており、この凹部１１ａの外側の平坦部には延在し
ていない。その他のことは、第１の実施形態によるモー
ルド封止型ＧａＮ系発光ダイオードと同様であるので、
説明を省略する。
【００３９】また、この第２の実施形態によるモールド
封止型ＧａＮ系発光ダイオードの製造方法は第１の実施
形態によるモールド封止型ＧａＮ系発光ダイオードの製
造方法と同様であるので、説明を省略する。
【００４０】次に、この発明の第３の実施形態によるフ
リップチップ実装ＧａＮ系半導体レーザについて説明す
る。図４に、このフリップチップ実装ＧａＮ系半導体レ
ーザを示す。
【００４１】図４に示すように、この第３の実施形態に
よるフリップチップ実装ＧａＮ系半導体レーザにおいて
は、配線基板１１の上に、図１に示すＧａＮ系発光ダイ
オードと同様な構造を有するＧａＮ系半導体レーザがそ
のＧａＮ系半導体層を下にしてフリップチップ実装され
ている。すなわち、ＧａＮ系半導体レーザのｐ側電極９
およびｎ側電極１０の上にそれぞれ設けられたバンプ１
５、１６が接合材料１４により配線１２、１３の端部の
電極部と接合され、互いに機械的および電気的に接続さ
れている。この場合、ＧａＮ系半導体レーザのＧａＮ系
半導体層の発光領域１８が配線１２の端部の電極部の直
上にくるようにする。これは、このＧａＮ系半導体層の
発光領域１８はＧａＮ系半導体レーザの動作時に最も温
度が上昇するため、この発光領域１８で発生した熱を迅
速に配線１２、さらには配線基板１１に伝導させて冷却
を行う必要があるからである。配線基板１１は、実装面
である上面が平坦であることを除いて、第１の実施形態
によるモールド封止型ＧａＮ系発光ダイオードにおける
配線基板１１と同様な構造を有する。
【００４２】接合材料１４および配線基板１１の材料に
ついては第１の実施形態と同様であるので、説明を省略
する。
【００４３】この第３の実施形態によるフリップチップ
実装ＧａＮ系半導体レーザは、第１の実施形態によるモ
ールド封止型ＧａＮ系発光ダイオードの製造方法におけ
るフリップチップ実装の方法と同様の方法により製造す
ることができる。
【００４４】この第３の実施形態によれば、ＧａＮ系半
導体レーザをフリップチップ実装するための接合材料１
４として融点が３００℃以上７００℃以下の金属材料を
用いていることにより、発熱環境下や高温環境内でも優
れた耐久性を示す耐環境性のフリップチップ実装ＧａＮ
系半導体レーザを実現することができる。
【００４５】次に、この発明の第４の実施形態によるＧ
ａＮ系半導体レーザ装置について説明する。図５に、こ
のＧａＮ系半導体レーザ装置を示す。
【００４６】図５に示すように、この第４の実施形態に
よるＧａＮ系半導体レーザ装置においては、例えばＣｕ
製のヒートシンク１９上にＧａＮ系半導体レーザ２０が
実装されている。この場合、このＧａＮ系半導体レーザ
２０は導電性のＳｉＣ基板２１の表面に図１に示すＧａ
Ｎ系発光ダイオードと同様なＧａＮ系半導体層２２が積
層されてレーザ構造が形成されたものであり、ｐ側電極
９はこのＧａＮ系半導体層２２の上に形成されている
が、ｎ側電極１０はＳｉＣ基板２１の裏面に形成されて
いる。そして、このＧａＮ系半導体レーザ２０のｐ側電
極９が接合材料１４によりヒートシンク１９に接合さ
れ、互いに機械的および電気的に接続されている。この
接合材料１４としては、第１の実施形態における接合材
料１４として用いたものと同様なものを用いることがで
きる。一方、ｎ側電極１０の電気的接続は、例えばＡｕ
製のワイヤー２３をボンディングすることにより行われ
る。
【００４７】この第４の実施形態によれば、ＧａＮ系半
導体レーザ２０を実装するための接合材料１４として融
点が３００℃以上７００℃以下の金属材料を用いている
ことにより、発熱環境下や高温環境内でも優れた耐久性
を示す耐環境性のＧａＮ系半導体レーザ装置を実現する
ことができる。
【００４８】次に、この発明の第５の実施形態によるＧ
ａＮ系半導体レーザ装置について説明する。図６に、こ
のＧａＮ系半導体レーザ装置を示す。
【００４９】図６に示すように、この第５の実施形態に
よるＧａＮ系半導体レーザ装置においては、ＧａＮ系半
導体レーザ２０のｎ側電極１０が接合材料１４によりヒ
ートシンク１９に接合されている。そして、ｐ側電極９
にワイヤー２３がボンディングされている。その他のこ
とは、第４の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザ装置
と同様であるので、説明を省略する。
【００５０】この第５の実施形態によれば、第４の実施
形態と同様な利点を得ることができる。
【００５１】以上、この発明の実施形態について具体的
に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定され
るものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の
変形が可能である。
【００５２】例えば、上述の第１、第２および第３の実
施形態において、バンプ１５、１６の表面にも接合材料
１４を形成しておくことにより、融着による接合をより
容易かつ確実に行うことができる。また、接合材料１４
による融着に超音波ボンディング法や熱圧着ボンディン
グ法を用いることにより、接合温度の低温化を図ること
ができる。
【００５３】また、上述の第１、第２および第３の実施
形態におけるバンプ１５、１６の代わりに、例えばめっ
き法などにより厚膜のＡｕ膜を形成して接合面積を大き
くするようにしてもよい。
【００５４】さらに、上述の第１、第２および第３の実
施形態においては、ＧａＮ系発光ダイオードまたはＧａ
Ｎ系半導体レーザの基板としてサファイア基板１を用い
ているが、必要に応じて、このサファイア基板１の代わ
りに他の基板、具体的にはＳｉＣ基板やＧａＮ基板など
を用いてもよい。同様に、第４および第５の実施形態に
おいて、ＳｉＣ基板２１の代わりにＧａＮ基板を用いて
もよい。
【００５５】また、上述の第４および第５の実施形態に
おいては、ダブルヘテロ構造のＧａＮ系半導体レーザに
この発明を適用した場合について説明したが、この発明
は、活性層とクラッド層との間に光導波層を設けたいわ
ゆるＳＣＨ（Separate Confinement Heterostructure）
構造のＧａＮ系半導体レーザに適用することも可能であ
り、また、活性層として多重量子井戸構造（ＭＱＷ）や
単一量子井戸構造（ＳＱＷ）のものを用いてもよい。さ
らに、レーザ構造としては、利得導波や屈折率導波を実
現するリッジ導波路型、内部狭窄型、構造基板型、縦モ
ード制御型（分布帰還（ＤＦＢ）型またはブラッグ反射
（ＤＢＲ）型）などの各種のレーザ構造を用いることが
可能である。
【００５６】さらに、上述の第１、第２、第３、第４お
よび第５の実施形態においては、ＧａＮ系発光素子にこ
の発明を適用した場合について説明したが、例えばＧａ
Ｎ系ＦＥＴを実装する場合にもこの発明を適用すること
ができる。
【００５７】
【発明の効果】以上説明したように、この発明による半
導体装置によれば、接合材料として３００℃以上７００
℃以下の融点を有する金属材料を用いたことにより、従
来のように接合材料としてＰｂ−Ｓｎ系合金やＡｕ−Ｓ
ｎ系合金を用いた場合に比べて接合部の耐熱性が向上
し、これによって発熱環境下や高温環境内で使用可能な
耐環境性の半導体装置を提供することができる。
【００５８】また、この発明による半導体発光装置によ
れば、封止材料として３５０℃より高く７００℃以下の
融点を有し、かつ、光透過性を有する無機材料を用いた
ことにより、従来のように封止材料としてエポキシ樹脂
などの樹脂を用いた場合と異なり、半導体発光装置の使
用に伴う、封止材料の光学的な変色または着色を防止す
ることができ、これによって封止材料の光学的な変色ま
たは着色による輝度劣化を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１の実施形態によるモールド封止
型ＧａＮ系発光ダイオードにおけるＧａＮ系発光ダイオ
ードを示す断面図である。
【図２】この発明の第１の実施形態によるモールド封止
型ＧａＮ系発光ダイオードを示す断面図である。
【図３】この発明の第２の実施形態によるモールド封止
型ＧａＮ系発光ダイオードを示す断面図である。
【図４】この発明の第２の実施形態によるフリップチッ
プ実装ＧａＮ系半導体レーザを示す断面図である。
【図５】この発明の第３の実施形態によるＧａＮ系半導
体レーザ装置を示す断面図である。
【図６】この発明の第４の実施形態によるＧａＮ系半導
体レーザ装置を示す断面図である。
【図７】従来のモールド封止型ＧａＮ系発光ダイオード
を示す断面図である。
【符号の説明】
１・・・サファイア基板、９・・・ｐ側電極、１０・・
・ｎ側電極、１１・・・配線基板、１１ａ・・・凹部、
１２、１３・・・配線、１４・・・接合材料、１５、１
６・・・バンプ、１７・・・ガラス、１８・・・発光領
域、１９・・・ヒートシンク、２０・・・ＧａＮ系半導
体レーザ、２１・・・ＳｉＣ基板、２２・・・ＧａＮ系
半導体層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 29/812 Ｈ０１Ｌ 29/80 Ｇ Ｈ０１Ｓ 3/18

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
    族化合物半導体層が一方の主面に積層された基板の上記
    窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の表面または上記
    基板の他方の主面が基台上に接合された半導体装置にお
    いて、 接合材料として３００℃以上７００℃以下の融点を有す
    る金属材料を用いたことを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項２】 接合材料として３５０℃以上７００℃以
    下の融点を有する金属材料を用いたことを特徴とする請
    求項１記載の半導体装置。
  3. 【請求項３】 上記金属材料がＰｂ−Ｐｄ系、Ａｕ−Ｇ
    ａ系、Ａｕ−Ｇｅ系、Ａｕ−Ｓｉ系、Ａｌ−Ｚｎ系、Ａ
    ｌ−Ｇｅ系、Ａｌ−Ｍｇ系、Ａｕ−Ｉｎ系、Ａｇ−Ｍｇ
    系、Ａｌ−Ｃｕ系、Ａｌ−Ｓｉ系、Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｇ
    系、Ａｌ−Ｓｉ−Ｚｎ系、Ａｌ−Ｐｄ系、Ａｌ−Ｉｎ
    系、Ｃｕ−Ｇｅ系、Ａｇ−Ｇｅ系、Ｃｕ−Ｉｎ系または
    Ａｕ−Ｚｎ系の合金であることを特徴とする請求項１記
    載の半導体装置。
  4. 【請求項４】 上記半導体装置は上記窒化物系ＩＩＩ−
    Ｖ族化合物半導体層が発光素子構造を形成する半導体発
    光装置であり、上記基板は光透過性を有し、上記基板に
    関して上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層と同じ
    側にｐ側電極およびｎ側電極が設けられ、上記ｐ側電極
    および上記ｎ側電極が上記基台に設けられた第１の電極
    部および第２の電極部とそれぞれ電気的に接続されるよ
    うに上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の表面が
    上記基台上に接合されていることを特徴とする請求項１
    記載の半導体装置。
  5. 【請求項５】 上記基台に上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化
    合物半導体層から発生する光を反射させるための反射構
    造を有する凹部が設けられ、この凹部の底面に上記基板
    の上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の表面が接
    合されていることを特徴とする請求項４記載の半導体装
    置。
  6. 【請求項６】 上記基台は配線基板であり、上記配線基
    板に設けられた配線により上記凹部の上記反射構造が形
    成されていることを特徴とする請求項５記載の半導体装
    置。
  7. 【請求項７】 上記半導体装置は電子走行素子であるこ
    とを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
  8. 【請求項８】 発光素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ
    −Ｖ族化合物半導体層が一方の主面に積層された光透過
    性の基板の上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の
    表面または上記基板の他方の主面が基台上に接合され、
    上記基板が封止材料で封止された半導体発光装置におい
    て、 上記封止材料として３５０℃より高く７００℃以下の融
    点を有し、かつ、光透過性を有する無機材料を用いたこ
    とを特徴とする半導体発光装置。
  9. 【請求項９】 上記無機材料の融点は上記接合の温度よ
    り低いことを特徴とする請求項８記載の半導体発光装
    置。
  10. 【請求項１０】 上記無機材料がガラスであることを特
    徴とする請求項８記載の半導体発光装置。
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Cited By (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001085749A (ja) * 1999-09-16 2001-03-30 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体発光素子の実装方法
JP2002009347A (ja) * 2000-06-26 2002-01-11 Koha Co Ltd Ｌｅｄ光源およびその製造方法
JP2002094128A (ja) * 2000-09-20 2002-03-29 Stanley Electric Co Ltd 発光ダイオード及びその製造方法
JP2002203989A (ja) * 2000-12-21 2002-07-19 Lumileds Lighting Us Llc 発光装置及びその製造方法
JP2002289923A (ja) * 2001-03-28 2002-10-04 Toyoda Gosei Co Ltd 発光ダイオード及びその製造方法
JP2003037298A (ja) * 2001-07-25 2003-02-07 Stanley Electric Co Ltd 面実装型ｌｅｄランプ
JP2006019318A (ja) * 2004-06-30 2006-01-19 C I Kasei Co Ltd 発光ダイオード組立構造、発光ダイオード組立構造の製造方法、および発光ダイオード組立体
JP2006080312A (ja) * 2004-09-09 2006-03-23 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置およびその製造方法
JP2006108640A (ja) * 2004-09-09 2006-04-20 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2006156668A (ja) * 2004-11-29 2006-06-15 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びその製造方法
JP2006269448A (ja) * 2005-03-22 2006-10-05 Stanley Electric Co Ltd Ｌｅｄ
KR100714749B1 (ko) 2006-03-21 2007-05-04 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지 모듈 및 이의 제조 방법
JP2007207869A (ja) * 2006-01-31 2007-08-16 Rohm Co Ltd 窒化物半導体発光素子
JP2007305773A (ja) * 2006-05-11 2007-11-22 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びその製造方法
JP2008103558A (ja) * 2006-10-19 2008-05-01 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体パワーモジュール
JPWO2006070457A1 (ja) * 2004-12-28 2008-06-12 松下電工株式会社 高熱伝導性回路モジュールの製造方法及び高熱伝導性回路モジュール
JP2008208380A (ja) * 2008-05-26 2008-09-11 Nippon Electric Glass Co Ltd 発光色変換部材
JP2008255362A (ja) * 2008-05-26 2008-10-23 Nippon Electric Glass Co Ltd 発光色変換部材
JP2008263246A (ja) * 2008-08-06 2008-10-30 Sanyo Electric Co Ltd 発光装置
JPWO2006112039A1 (ja) * 2005-04-01 2008-11-27 松下電器産業株式会社 表面実装型光半導体装置およびその製造方法
US7714333B2 (en) 2004-03-23 2010-05-11 Toyoda Gosei Co., Ltd. Solid-state element and solid-state element device
JP2010187031A (ja) * 2010-05-31 2010-08-26 Rohm Co Ltd チップ型発光素子
JP2010268013A (ja) * 2010-09-01 2010-11-25 Nichia Corp 発光装置
US7842526B2 (en) 2004-09-09 2010-11-30 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting device and method of producing same
US7872281B2 (en) 2006-10-05 2011-01-18 Asahi Glass Company, Limited Glass-coated light-emitting element, light-emitting element-attached wiring board, method for producing light-emitting element-attached wiring board, lighting device and projector
JP2011040499A (ja) * 2009-08-07 2011-02-24 Seiko Instruments Inc 電子デバイス及びその製造方法
US8017967B2 (en) 2004-09-09 2011-09-13 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting element including a fusion-bonding portion on contact electrodes
US8101441B2 (en) 2009-02-12 2012-01-24 Sumita Optical Glass, Inc. Method of manufacturing light-emitting device
JP2012060173A (ja) * 2003-07-31 2012-03-22 Philips Lumileds Lightng Co Llc 半導体発光デバイス用の実装
JP2012165016A (ja) * 2012-04-27 2012-08-30 Sanyo Electric Co Ltd 発光装置
JP2012212929A (ja) * 2005-05-27 2012-11-01 Lattice Power (Jiangxi) Corp ＩｎＧａＡｌＮ発光装置とその製造方法
JP2014033233A (ja) * 2013-11-19 2014-02-20 Future Light Limited Liability Company 発光装置
US8773017B2 (en) 2011-09-14 2014-07-08 Toyoda Gosei Co., Ltd. Glass-sealed LED lamp and manufacturing method of the same
JP2014519719A (ja) * 2011-08-02 2014-08-14 株式会社東芝 半導体発光装置およびその製造方法
JP2015026746A (ja) * 2013-07-26 2015-02-05 新光電気工業株式会社 発光素子搭載用パッケージ及び発光素子パッケージ
WO2015099439A1 (ko) * 2013-12-26 2015-07-02 에이비엠 주식회사 접합 홈을 구비하는 칩 원판 및 이를 봉지하기 위한 봉지부재
US9214617B2 (en) 2006-03-08 2015-12-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Electronic component module
EP2596948A3 (en) * 2003-03-10 2017-03-15 Toyoda Gosei Co., Ltd. Method of making a semiconductor device
US9882102B2 (en) 2010-09-24 2018-01-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Wafer-level light emitting diode and wafer-level light emitting diode package
CN109244224A (zh) * 2017-07-11 2019-01-18 Lg 伊诺特有限公司 发光器件封装
JP2019107046A (ja) * 2017-12-15 2019-07-04 株式会社吉田製作所 カメラユニット内蔵歯科用インスツルメント及び該歯科用インスツルメントに内蔵するカメラユニットの製造方法
US10580929B2 (en) 2016-03-30 2020-03-03 Seoul Viosys Co., Ltd. UV light emitting diode package and light emitting diode module having the same

Cited By (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001085749A (ja) * 1999-09-16 2001-03-30 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体発光素子の実装方法
JP2002009347A (ja) * 2000-06-26 2002-01-11 Koha Co Ltd Ｌｅｄ光源およびその製造方法
JP4601128B2 (ja) * 2000-06-26 2010-12-22 株式会社光波 Ｌｅｄ光源およびその製造方法
JP2002094128A (ja) * 2000-09-20 2002-03-29 Stanley Electric Co Ltd 発光ダイオード及びその製造方法
JP2002203989A (ja) * 2000-12-21 2002-07-19 Lumileds Lighting Us Llc 発光装置及びその製造方法
JP2002289923A (ja) * 2001-03-28 2002-10-04 Toyoda Gosei Co Ltd 発光ダイオード及びその製造方法
JP2003037298A (ja) * 2001-07-25 2003-02-07 Stanley Electric Co Ltd 面実装型ｌｅｄランプ
EP2596948A3 (en) * 2003-03-10 2017-03-15 Toyoda Gosei Co., Ltd. Method of making a semiconductor device
EP1603170B1 (en) * 2003-03-10 2018-08-01 Toyoda Gosei Co., Ltd. Method for manufacturing a solid-state optical element device
JP2012060173A (ja) * 2003-07-31 2012-03-22 Philips Lumileds Lightng Co Llc 半導体発光デバイス用の実装
US7714333B2 (en) 2004-03-23 2010-05-11 Toyoda Gosei Co., Ltd. Solid-state element and solid-state element device
JP2006019318A (ja) * 2004-06-30 2006-01-19 C I Kasei Co Ltd 発光ダイオード組立構造、発光ダイオード組立構造の製造方法、および発光ダイオード組立体
JP2006080312A (ja) * 2004-09-09 2006-03-23 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置およびその製造方法
US8017967B2 (en) 2004-09-09 2011-09-13 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting element including a fusion-bonding portion on contact electrodes
JP4590994B2 (ja) * 2004-09-09 2010-12-01 豊田合成株式会社 発光装置およびその製造方法
US7842526B2 (en) 2004-09-09 2010-11-30 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting device and method of producing same
JP2006108640A (ja) * 2004-09-09 2006-04-20 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2006156668A (ja) * 2004-11-29 2006-06-15 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びその製造方法
JPWO2006070457A1 (ja) * 2004-12-28 2008-06-12 松下電工株式会社 高熱伝導性回路モジュールの製造方法及び高熱伝導性回路モジュール
JP2006269448A (ja) * 2005-03-22 2006-10-05 Stanley Electric Co Ltd Ｌｅｄ
US7705465B2 (en) 2005-04-01 2010-04-27 Panasonic Corporation Surface-mount type optical semiconductor device and method for manufacturing the same
JPWO2006112039A1 (ja) * 2005-04-01 2008-11-27 松下電器産業株式会社 表面実装型光半導体装置およびその製造方法
US7867794B2 (en) 2005-04-01 2011-01-11 Panasonic Corporation Surface-mount type optical semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2012212929A (ja) * 2005-05-27 2012-11-01 Lattice Power (Jiangxi) Corp ＩｎＧａＡｌＮ発光装置とその製造方法
JP2007207869A (ja) * 2006-01-31 2007-08-16 Rohm Co Ltd 窒化物半導体発光素子
US9214617B2 (en) 2006-03-08 2015-12-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Electronic component module
KR100714749B1 (ko) 2006-03-21 2007-05-04 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지 모듈 및 이의 제조 방법
JP2007305773A (ja) * 2006-05-11 2007-11-22 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びその製造方法
US7872281B2 (en) 2006-10-05 2011-01-18 Asahi Glass Company, Limited Glass-coated light-emitting element, light-emitting element-attached wiring board, method for producing light-emitting element-attached wiring board, lighting device and projector
JP2008103558A (ja) * 2006-10-19 2008-05-01 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体パワーモジュール
JP2008208380A (ja) * 2008-05-26 2008-09-11 Nippon Electric Glass Co Ltd 発光色変換部材
JP2008255362A (ja) * 2008-05-26 2008-10-23 Nippon Electric Glass Co Ltd 発光色変換部材
JP2008263246A (ja) * 2008-08-06 2008-10-30 Sanyo Electric Co Ltd 発光装置
US8101441B2 (en) 2009-02-12 2012-01-24 Sumita Optical Glass, Inc. Method of manufacturing light-emitting device
JP2011040499A (ja) * 2009-08-07 2011-02-24 Seiko Instruments Inc 電子デバイス及びその製造方法
JP2010187031A (ja) * 2010-05-31 2010-08-26 Rohm Co Ltd チップ型発光素子
JP2010268013A (ja) * 2010-09-01 2010-11-25 Nichia Corp 発光装置
US10879437B2 (en) 2010-09-24 2020-12-29 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same
US9882102B2 (en) 2010-09-24 2018-01-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Wafer-level light emitting diode and wafer-level light emitting diode package
US10069048B2 (en) 2010-09-24 2018-09-04 Seoul Viosys Co., Ltd. Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same
US10892386B2 (en) 2010-09-24 2021-01-12 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same
JP2014519719A (ja) * 2011-08-02 2014-08-14 株式会社東芝 半導体発光装置およびその製造方法
US8773017B2 (en) 2011-09-14 2014-07-08 Toyoda Gosei Co., Ltd. Glass-sealed LED lamp and manufacturing method of the same
JP2012165016A (ja) * 2012-04-27 2012-08-30 Sanyo Electric Co Ltd 発光装置
JP2015026746A (ja) * 2013-07-26 2015-02-05 新光電気工業株式会社 発光素子搭載用パッケージ及び発光素子パッケージ
JP2014033233A (ja) * 2013-11-19 2014-02-20 Future Light Limited Liability Company 発光装置
WO2015099439A1 (ko) * 2013-12-26 2015-07-02 에이비엠 주식회사 접합 홈을 구비하는 칩 원판 및 이를 봉지하기 위한 봉지부재
US10580929B2 (en) 2016-03-30 2020-03-03 Seoul Viosys Co., Ltd. UV light emitting diode package and light emitting diode module having the same
CN109244224A (zh) * 2017-07-11 2019-01-18 Lg 伊诺特有限公司 发光器件封装
CN109244224B (zh) * 2017-07-11 2023-02-21 苏州立琻半导体有限公司 发光器件封装
JP2019107046A (ja) * 2017-12-15 2019-07-04 株式会社吉田製作所 カメラユニット内蔵歯科用インスツルメント及び該歯科用インスツルメントに内蔵するカメラユニットの製造方法

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