JP4952884B2 - 半導体発光装置および半導体発光装置組立体 - Google Patents
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Description
ni≦np≦nc ……(1)
ni≧np≧nc ……(2)
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る半導体発光装置(LED装置1)の断面構成を表したものである。
ni≦np≦nc ……(1)
ni≧np≧nc ……(2)
(np×dp)=(2m+1)×λ/4 (m:0以上の整数) ……(3)
np=(ni×nc)1/2 ……(4)
図3は、第2の実施の形態に係る半導体発光装置(LED装置11)の断面構成を表すものである。
図6は、第3の実施の形態に係る半導体発光装置(LED装置13)の断面構成を表すものである。
Claims (16)
- 金属元素を含む半導体発光素子と、
硫黄(S)またはハロゲン元素を含むと共に前記半導体発光素子からの光を透過可能な材料からなるキャップ部と、
前記キャップ部と前記半導体発光素子との間に注入されており、硫黄(S)およびハロゲン元素を含まない材料からなると共に、前記キャップ部とともに前記半導体発光素子を外部から封止するための充填剤と、
前記キャップ部と前記充填剤との間に設けられ、前記半導体発光素子からの光を前記キャップ部へ透過させると共に前記半導体発光素子側と前記キャップ部側との間を遮蔽する遮蔽膜と
を備えた半導体発光装置。 - 前記半導体発光素子は、基板上に発光層を含む半導体積層構造を有し、
前記金属元素は、前記半導体積層構造に設けられた電極に含まれている
請求項1に記載の半導体発光装置。 - 前記基板は、前記発光層からの光を透過可能な透明基板である
請求項2に記載の半導体発光装置。 - 前記遮蔽膜は、前記電極に対応する位置に選択的に形成されている
請求項2に記載の半導体発光装置。 - 前記遮蔽膜は、前記キャップ部における前記半導体発光素子側の面上に形成されている
請求項1に記載の半導体発光装置。 - 前記遮蔽膜は、前記半導体発光素子と前記キャップ部との間に一様に形成されている
請求項1に記載の半導体発光装置。 - 前記半導体発光素子における前記遮蔽膜側とは反対側に、前記金属元素を含む部材が設けられている
請求項1に記載の半導体発光装置。 - 前記キャップ部の屈折率をnc、前記遮蔽膜の屈折率をnp、および前記遮蔽膜が前記半導体発光素子側で接する部材の屈折率をniとした場合に、前記遮蔽膜の屈折率は以下の(1)式または(2)式を満たす
請求項1ないし請求項7のいずれか1項に記載の半導体発光装置。
ni≦np≦nc ……(1)
ni≧np≧nc ……(2) - 前記半導体発光素子からの光における最大ピーク強度領域の波長をλ、および前記遮蔽膜の膜厚をdpとした場合に、前記遮蔽膜の屈折率および膜厚は以下の(3)式を満たす
請求項8に記載の半導体発光装置。
(np×dp)=(2m+1)×λ/4 (m:0以上の整数) ……(3) - 前記半導体発光素子のピーク発振波長(λ)は、630±50nmである
請求項9に記載の半導体発光装置。 - 前記半導体発光素子のピーク発振波長(λ)は、530±30nmである
請求項9に記載の半導体発光装置。 - 前記半導体発光素子のピーク発振波長(λ)は、460±60nmである
請求項9に記載の半導体発光装置。 - 前記遮蔽膜の屈折率は、以下の(4)式を満たす
請求項9ないし請求項12のいずれか1項に記載の半導体発光装置。
np=(ni×nc)1/2 ……(4) - 前記遮蔽膜は、酸化シリコン(SiO2)、窒化シリコン(Si3N4)、酸化アルミニウム(Al2O3)、窒化アルミニウム(AlN)、酸化マグネシウム(MgO)、酸化スズ(SnO)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化インジウム(In2O3)、酸化ネオジム(Nd2O3)、酸化チタン(TiO2)および酸化ジリコニウム(ZrO2)からなる群のうちの少なくとも1種類を含んで構成されている
請求項1ないし請求項13のいずれか1項に記載の半導体発光装置。 - 前記キャップ部における前記半導体発光素子側とは反対側の面上に、このキャップ部と空気層との界面での反射率を調整するための反射率調整層を備えた
請求項1ないし請求項14のいずれか1項に記載の半導体発光装置。 - 光源装置に用いられる半導体発光装置組立体であって、
配線基板と、
前記配線基板と電気的に接続された複数の半導体発光装置と
を備え、
前記複数の半導体発光装置はそれぞれ、
金属元素を含む半導体発光素子と、
硫黄(S)またはハロゲン元素を含むと共に前記半導体発光素子からの光を透過可能な材料からなるキャップ部と、
前記キャップ部と前記半導体発光素子との間に注入されており、硫黄(S)およびハロゲン元素を含まない材料からなると共に、前記キャップ部とともに前記半導体発光素子を外部から封止するための充填剤と、
前記キャップ部と前記充填剤との間に設けられ、前記半導体発光素子からの光を前記キャップ部へ透過させると共に前記半導体発光素子側と前記キャップ部側との間を遮蔽する遮蔽膜と
を有する半導体発光装置組立体。
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CN102074641A (zh) * | 2010-07-23 | 2011-05-25 | 宁波市瑞康光电有限公司 | 一种led封装方法、led和led照明装置 |
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CN103187507A (zh) * | 2011-12-30 | 2013-07-03 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构 |
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US20140175473A1 (en) * | 2012-12-21 | 2014-06-26 | Cree, Inc. | Light emitting diodes including light emitting surface barrier layers, and methods of fabricating same |
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US20040012027A1 (en) * | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Cree Lighting Company | Saturated phosphor solid state emitter |
US6717362B1 (en) * | 2002-11-14 | 2004-04-06 | Agilent Technologies, Inc. | Light emitting diode with gradient index layering |
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JP4330476B2 (ja) * | 2004-03-29 | 2009-09-16 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光素子 |
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US20060138443A1 (en) * | 2004-12-23 | 2006-06-29 | Iii-N Technology, Inc. | Encapsulation and packaging of ultraviolet and deep-ultraviolet light emitting diodes |
JP2007109915A (ja) * | 2005-10-14 | 2007-04-26 | Stanley Electric Co Ltd | 発光ダイオード |
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