JP2002026392A - 半導体発光素子とその製造方法、及び半導体発光装置 - Google Patents

半導体発光素子とその製造方法、及び半導体発光装置

Info

Publication number
JP2002026392A
JP2002026392A JP2000200298A JP2000200298A JP2002026392A JP 2002026392 A JP2002026392 A JP 2002026392A JP 2000200298 A JP2000200298 A JP 2000200298A JP 2000200298 A JP2000200298 A JP 2000200298A JP 2002026392 A JP2002026392 A JP 2002026392A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
semiconductor
layer
light
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000200298A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4024994B2 (ja
Inventor
Haruhiko Okazaki
治彦 岡崎
Hideto Sugawara
秀人 菅原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2000200298A priority Critical patent/JP4024994B2/ja
Priority to TW090113954A priority patent/TW531902B/zh
Priority to US09/893,925 priority patent/US20020014630A1/en
Priority to CNB011218460A priority patent/CN1196205C/zh
Priority to CN200710159720A priority patent/CN100587985C/zh
Priority to KR10-2001-0038299A priority patent/KR100469312B1/ko
Priority to EP01114891A priority patent/EP1168460A3/en
Priority to CNB2004100566398A priority patent/CN100459183C/zh
Publication of JP2002026392A publication Critical patent/JP2002026392A/ja
Priority to US10/417,873 priority patent/US6825502B2/en
Priority to KR10-2003-0067466A priority patent/KR100503907B1/ko
Priority to US10/945,707 priority patent/US7179671B2/en
Priority to US10/946,787 priority patent/US7138665B2/en
Priority to US10/947,631 priority patent/US7135714B2/en
Priority to US10/946,668 priority patent/US7138664B2/en
Priority to US10/958,910 priority patent/US20050056857A1/en
Priority to US10/958,911 priority patent/US7221002B2/en
Priority to US11/121,453 priority patent/US7355212B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4024994B2 publication Critical patent/JP4024994B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/405—Reflective materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/05001—Internal layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/05001—Internal layers
    • H01L2224/0502—Disposition
    • H01L2224/05023—Disposition the whole internal layer protruding from the surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/05001—Internal layers
    • H01L2224/05075—Plural internal layers
    • H01L2224/0508—Plural internal layers being stacked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0556—Disposition
    • H01L2224/05568—Disposition the whole external layer protruding from the surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05573—Single external layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/061—Disposition
    • H01L2224/06102—Disposition the bonding areas being at different heights
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16135—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/16145—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/17—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of a plurality of bump connectors
    • H01L2224/1701—Structure
    • H01L2224/1703—Bump connectors having different sizes, e.g. different diameters, heights or widths
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/49105—Connecting at different heights
    • H01L2224/49107—Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system containing nitrogen

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電極構造においてオーミック性と高反射率を
両立させつつ、電極を構成する金属の相互拡散を防止す
ることにより、外部量子効率を向上できると共に動作電
圧の低減及び信頼性の向上できる半導体発光素子とその
製造方法、及び半導体発光装置を提供すること、また
は、電極における光の散乱、吸収を抑制することによ
り、外部量子効率の向上できる半導体発光素子及び半導
体発光装置を提供することにある。 【解決手段】 サファイア基板２０上のInGaN活性層２
２に電流を注入するｐ型電極２６が、ｐ型GaN層２４と
のオーミック接触の取れるオーミック電極としてのNi層
３２、バリア電極としてのMo層３３、高反射電極として
のAl層３４、バリア電極となるTi層３５、リードフレー
ム１２上のサブマウント１３との接触性を向上させるオ
ーバーコート電極となるAu層３６の５層構造であること
を特徴としている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体発光素子
とその製造方法、及び半導体発光装置に関するもので、
特に半導体発光素子において、発光を外部に効率よく取
り出す為の電極構造及び電極周辺構造に係るものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年の発光デバイスの進展には著しいも
のがある。特に発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitti
ng Diode）は小型、低消費電力、高信頼性などの特徴を
兼ね備え、広く表示用光源として用いられている。実用
化されているＬＥＤの材料としてはAlGaAs、GaAlP、Ga
P、InGaAlP等の、５族元素にAs、Pを用いた３−５族化
合物半導体が赤色、橙色、黄色、緑色発光用として用い
られ、緑色、青色、紫外領域用としてはGaN系化合物半
導体が用いられ、発光強度の高いＬＥＤが実現されてい
る。このＬＥＤの高輝度化が更に進むことにより、屋外
での表示器や通信用光源としての用途が飛躍的に拡大す
る可能性がある。
【０００３】従来のGaN系青紫色ＬＥＤの構造について
図２９を用いて説明する。図２９はＬＥＤの断面図であ
る。
【０００４】図示するように、青紫色光を発生する半導
体発光素子１１０がリードフレーム１２０上に銀ペース
ト１３０により接着されている。また半導体発光素子１
１０のｐ型電極、ｎ型電極がそれぞれの電位に対応する
リードフレーム１２０にボンディングワイヤ１５０によ
って接続されている。そして全体をエポキシ樹脂１８０
が覆うことにより、ランプ型の青紫色ＬＥＤ１００が構
成されている。
【０００５】次に、青紫色光を発生するGaN系の半導体
発光素子１１０の構造について図３０を用いて説明す
る。図３０は半導体発光素子１１０の断面構造を示して
いる。
【０００６】図示するように、サファイア（Al2O3）基
板２００上に図示せぬGaNバッファ層を介してｎ型GaN層
２１０及びｐ型GaN層２２０が形成されている。そして
一部領域では上記ｐ型GaN層２２０及びｎ型GaN層２１０
が除去されることでｎ型GaN２１０が露出されている。
このｎ型GaN層２１０が露出された領域上にはｎ型電極
２３０が形成され、一方でｐ型GaN層２２０上にはｐ型
透明電極２４０及びｐ型ボンディング電極２５０が形成
されている。
【０００７】上記構成のＬＥＤにおいて、リードフレー
ム１２０に電圧を印加する事により、ｐ型ボンディング
電極２５０から半導体発光素子１１０に電流が注入され
る。ｐ型ボンディング電極２５０から注入された電流は
導電性の高い透明電極２４０により拡げられ、ｐ型GaN
層２２０及びｎ型GaN層２１０へ注入される。そして、
このｐｎ接合により発生するエネルギーｈν（ｈ：プラ
ンク定数、ν＝ｃ／λ、ｃ：光速、λ：波長）の発光は
ｐ型透明電極２４０を介して半導体発光素子１１０外部
に取り出される。
【０００８】しかしながら、上記透明電極２４０に用い
られる材料は、透過率と導電率とがトレードオフの関係
にある。すなわち、透過率を高めるために電極膜厚を小
さくすると、逆に導電率が低下してしまい、素子抵抗の
上昇及び信頼性の低下の原因となるという問題があっ
た。
【０００９】そこで、透明電極を用いない方法として、
発光に対して基板が透明である場合に、素子表面に反射
率の高い電極を設ける構造が考えられている。これが図
３１に示すフリップチップ構造である。図３１は半導体
発光素子の断面構造である。図示するように、ｐ型GaN
２２０上に高反射率の電極２６０を設け、素子内部にお
いて、発光を素子表面の高反射率電極２６０で反射させ
て、基板側から発光を取り出すものである。今日、GaN
系で実用化されているＬＥＤは、活性層にInGaN等を用
いて青色〜緑色で発光するものであり、用いられる基板
は絶縁物であるサファイア、または室温（３００Ｋ）で
のバンドギャップが３．３９ｅＶ（波長λ≒３６５ｎ
ｍ）のGaN基板が一般的である。すなわち、GaN系におい
て用いられる基板は、青色〜緑色（λ≒４００〜５５０
ｎｍ）の発光に対して透明である。そのため特にGaN系
のＬＥＤでは、このフリップチップ構造は大変有効な手
段であると言うことが出来るが、通常、半導体層とオー
ミック接触の取れる電極材料は必ずしも高反射率ではな
い。そのため、フリップチップ構造を実現するためには
素子表面にオーミック接触の取れる電極と高反射率の電
極とを設ける必要があった。しかし、これらの電極とな
る金属は相互に拡散してしまい、素子の動作電圧の上昇
及び信頼性を低下させるという問題があった。
【００１０】次に、５族元素がAsやPである３−５族化
合物半導体ＬＥＤに用いられる半導体発光素子の構造に
ついて説明する。図３２は赤色〜緑色光を発生する半導
体発光素子の断面構造を示している。
【００１１】図示するように、ｎ型GaAs基板３００上に
ｎ型GaAsバッファ層３１０、ｎ型InGaAlPクラッド層３
２０が形成されている。このｎ型InGaAlPクラッド層３
２０上にInGaAlP活性層３３０が形成され、更にｐ型InG
aAlPクラッド層３４０及びｐ型AlGaAs電流拡散層３５０
が形成されている。そして、ｐ型AlGaAs電流拡散層３５
０上の一部領域にはｐ型GaAsコンタクト層３６０及びｐ
型電極３７０が、ｎ型GaAs基板裏面にはｎ型電極３８０
が形成されている。
【００１２】GaAs、AlGaAs、InGaAlP等の５族にAsやPを
用いた３−５族化合物半導体発光素子においては、前述
のGaN系のように透明電極を用いるのではなく、厚い電
流拡散層（上記の例ではｐ型AlGaAs電流拡散層３５０）
を設けることによって注入電流を拡げて活性層に電流を
注入させるのが一般的である。これは、発光の取り出し
面上にｎ型あるいはｐ型電極を設ける必要があるからで
ある。すなわち、電極から注入した電流を十分に拡散さ
せて、有効に発光を取り出せる電極直下の領域以外の活
性層に電流を注入させなければならない。この電流拡散
が不十分であると、均一な発光が得られず、外部量子効
率が著しく低下し、十分な光パワーが得られない。
【００１３】図３２の構造では、ｐ型電極３７０から注
入された電流は、ｐ型AlGaAs電流拡散層３５０により十
分に拡げられてInGaAlP活性層３３０に注入されて、そ
の発光は電極３７０が設けられていない領域のチップ表
面から取り出される。
【００１４】しかしながら上記電流拡散層３５０は、電
流を十分に拡散させるために膜厚を大きくする必要があ
る。膜厚が小さいと電流が拡散されずに電極３７０直下
の領域の活性層３３０にのみ電流が注入され、その発光
は電極３７０によって遮蔽されて発光が取り出せないた
めである。ＬＥＤやＬＤ（Laser Diode）等の結晶成長
には通常、有機金属気相成長法（ＭＯ−ＣＶＤ：Metal
Organic-Chemical Vapor Deposition）や分子線エピタ
キシー法（ＭＢＥ：Molecular Beam Epitaxy）が使用さ
れる。これらは薄膜制御性に優れ、高品質の結晶成長に
適したエピタキシャル成長法であり、発光デバイスでは
特に重要な成長方法である。しかし、一方で厚膜の成長
が比較的困難という一面を有している。すなわち、上記
ＬＥＤ用の半導体発光素子の結晶成長において、膜厚の
大きな電流拡散層の形成が困難であり、またはその成長
に長時間を要する等、量産性が悪化するという問題があ
る。
【００１５】更に、図３２のようなGaAs、GaP系半導体
発光素子では、InGaAlP活性層３３０での発光に対して
ｎ型GaAs基板３００は不透明である。そのため、ｎ型Ga
As基板側３００側へ拡がる発光は殆ど吸収されてしま
い、発光の取り出し効率が悪いという問題があった。
【００１６】このGaAs基板での吸収という問題を解決す
るための方法として、前述のフリップチップ構造があ
る。GaAs、GaP系の半導体発光素子の場合、当然ながらG
aAs基板からは発光を取り出せないため、エッチングな
どによりGaAs基板を除去する。そしてGaAs基板と反対側
のチップ表面に発光に対して透明な基板を張り合わせ
る。この例について図３３を用いて説明する。
【００１７】図示するように、ｐ型GaP基板４００上に
ｐ型InGaAlP接着層４１０、ｐ型InGaAlPクラッド層４２
０が設けられ、このｐ型InGaAlPクラッド層４２０上にI
nGaAlP活性層４３０が設けられている。そしてｎ型InGa
AlPクラッド層４４０及びｎ型AlGaAs窓層４５０が設け
られている。更にAlGaAs窓層４５０上には高反射率電極
４６０及びｎ型電極４７０が、ｐ型GaP基板４００裏面
にはｐ型電極４８０が設けられることで半導体発光素子
が構成されている。なお、GaP基板４００は室温のバン
ドギャップが２．２６ｅＶ（λ≒５４８ｎｍ）であり、
赤色発光などに対しては透明基板である。
【００１８】上記のような構成によれば、InGaAlP活性
層４３０での発光は、高反射率電極４６０によって反射
され、ｐ型GaP基板４００側から取り出すことが出来
る。
【００１９】しかし、やはり電極４６０において、オー
ミック接触と高反射率とを両立させることは困難であ
り、オーミック用電極と高反射率の電極との２つの電極
を設ける必要がある。すると、GaN系で述べたようにオ
ーミック用電極と高反射率の電極の金属の相互拡散が問
題となる。
【００２０】また、同じくGaAs基板を除去してGaP基板
を張り合わせた構造において、GaP基板と電極との接合
面で発光を反射させてチップ表面から発光を取り出す構
造がある。この構造について図３４を用いて説明する。
図３４は半導体発光素子の断面構造を示している。
【００２１】図示するように、本構造は、図３３の構造
においてｐ型電極４８０で発光を反射させ、チップ表面
から発光を取り出すものである。
【００２２】しかし、この構造では、ｐ型GaP基板４０
０とｐ型電極４８０のアロイ層において光の散乱、吸収
が生じるために、発光を有効に取り出すことが困難であ
るという問題があった。
【００２３】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、従来の
半導体発光素子における発光の取り出し方法は、発光層
側から取り出す方法と、基板側から取り出す方法とがあ
る。
【００２４】しかしながら、発光層上の全面に透明電極
を設けて電流注入を行い発光層側から発光を取り出すGa
N系半導体発光素子の場合、透過率と導電率とがトレー
ドオフの関係にある。すなわち、透過率を高めるために
電極膜厚を小さくすると、逆に導電率が低下してしま
い、素子抵抗の上昇及び信頼性の低下の原因となるとい
う問題があった。
【００２５】また、発光層上の一部に電極を設け、厚い
電流拡散層で電流を拡げて電流注入を行い発光層側から
発光を取り出すGaAs、GaP系（５族にAs、Pを用いた３−
５族化合物）半導体発光素子の場合、GaAs基板を除去し
て透明なGaP基板を接合し、GaP基板の裏面に設けた電極
により発光を反射させて発光層側から発光を取り出す方
法がある。しかし、GaP基板と電極との接合面において
光の散乱、吸収などの損失があり、発光の取り出し効率
が悪いという問題があった。
【００２６】更に、半導体発光素子内部において発光層
側で発光を反射させて基板側から発光を取り出す場合に
は、発光層側の電極に高反射率の材料を用いる必要があ
る。この高反射率の材料は、必ずしも半導体層とオーミ
ック接触の取れるものではない。そのため、発光層側に
はオーミック接触の取れる電極と高反射率の電極とを設
ける必要があった。しかし、これらの電極となる金属は
相互に拡散してしまい、素子の動作電圧の上昇及び信頼
性を低下させるという問題があった。
【００２７】この発明は、上記事情に鑑みてなされたも
ので、その第１の目的は、電極構造においてオーミック
性と高反射率を両立させつつ、電極を構成する金属の相
互拡散を防止することにより、外部量子効率を向上でき
ると共に動作電圧の低減及び信頼性の向上できる半導体
発光素子とその製造方法、及び半導体発光装置を提供す
ることにある。
【００２８】また、この発明の第２の目的は、電極にお
ける光の散乱、吸収を抑制することにより、外部量子効
率の向上できる半導体発光素子及び半導体発光装置を提
供することにある。
【００２９】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項１に記
載した半導体発光素子は、半導体基板または絶縁基板上
に設けられた第１導電型の第１半導体層と、前記第１半
導体層上に設けられ、自然放出光を発生して放出する活
性層と、前記活性層上に設けられた第２導電型の第２半
導体層と、前記半導体基板の裏面または前記第１半導体
層上に設けられ、前記活性層及び前記第２半導体層と離
隔した第１電極と、前記第２半導体層上に設けられた第
２電極とを具備し、前記活性層から放出された発光を前
記半導体基板または絶縁基板側から外部に取り出す半導
体発光素子であって、前記第２電極は、前記第２半導体
層とオーミック接触が可能なオーミック電極と、前記オ
ーミック電極上に設けられ、高融点金属からなる第１バ
リア電極と、前記第１バリア電極上に設けられ、前記活
性層が放出する発光の波長に対して高反射率を有する高
反射率電極とを備え、前記第１バリア電極で、前記オー
ミック電極と前記高反射率電極内の原子が相互に拡散す
るのを防止することを特徴としている。
【００３０】請求項２に記載したように、請求項１記載
の半導体発光素子において、前記第１バリア電極の膜厚
は１０ｎｍ以下であり、前記活性層から放出された発光
の波長に対して透光性があり、前記活性層から放出され
た発光のうちの一部は、前記オーミック電極及び前記第
１バリア電極を透過して前記高反射率電極で反射され、
前記半導体基板または絶縁基板側から外部に取り出され
ることを特徴としている。
【００３１】請求項３に記載したように、請求項１また
は２記載の半導体発光素子において、前記オーミック電
極は、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ａｇ、Ａｕ、Ｇ
ｅからなるグループのうちの少なくとも１つを主とする
金属であり、前記第１バリア電極は、Ｗ、Ｍｏ、Ｐｔ、
Ｎｉ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｖからなるグループのうちの少なく
とも１つを主とする金属であり、前記高反射率電極は、
ＡｌまたはＡｇを主とする金属であることを特徴として
いる。
【００３２】請求項４に記載したように、請求項１また
は２記載の半導体発光素子において、前記オーミック電
極及び前記バリア電極は、共にＮｉまたはＰｔを主とす
る材料により形成されていることを特徴としている。
【００３３】請求項５に記載したように、請求項１乃至
４いずれか１項記載の半導体発光素子において、前記オ
ーミック電極は、前記第２半導体層上に島状に設けら
れ、前記第１バリア領域の一部は前記第２半導体層上に
設けられており、前記活性層から放出された発光のうち
の一部は、前記オーミック電極及び第１バリア電極を透
過して前記高反射率電極で反射されて、前記半導体基板
または絶縁基板側から外部へ取り出され、前記活性層か
ら放出された発光のうちの他の一部は、前記オーミック
電極を通過せずに前記第１バリア電極を透過して前記高
反射率電極で反射されて、前記半導体基板または絶縁基
板側から外部へ取り出されることを特徴としている。
【００３４】請求項６に記載したように、請求項１乃至
５いずれか１項記載の半導体発光素子において、前記第
２電極は、前記高反射率電極上に設けられ、高融点金属
からなる第２バリア電極と、前記第２バリア電極上に設
けられ、アセンブリの際に該第２電極が接着される外部
電極と導電性のあるオーバーコート電極とを更に備える
ことを特徴としている。
【００３５】請求項７に記載したように、請求項１乃至
６いずれか１項記載の半導体発光素子において、前記第
２電極は前記第２半導体層の中央部に位置するように設
けられ、前記第１電極は前記半導体基板の裏面縁部にの
み設けられていることを特徴としている。
【００３６】請求項８に記載したように、請求項１乃至
６いずれか１項記載の半導体発光素子において、前記第
２電極は前記第２半導体層の中央部に位置するように設
けられ、前記第１電極は、前記第２電極が接着される外
部電極がアセンブリ後に位置する外部電極配置領域を除
いて、該第２電極を取り囲むようにして前記第１半導体
層の縁部に設けられていることを特徴としている。
【００３７】またこの発明の請求項９に記載した半導体
発光素子は、半導体基板上に設けられた第１導電型の第
１半導体層と、前記第１半導体層上に設けられ、自然放
出光を発生して放出する活性層と、前記活性層上に設け
られた第２導電型の第２半導体層と、前記半導体基板の
裏面縁部にのみ設けられた第１電極と、前記第２半導体
層上の中央部に位置するように設けられた第２電極とを
具備することを特徴としている。
【００３８】この発明の請求項１０に記載した半導体発
光素子は、半導体基板または絶縁基板上に設けられた第
１導電型の第１半導体層と、前記第１半導体層上に設け
られ、自然放出光を発生して放出する活性層と、前記活
性層上に設けられた第２導電型の第２半導体層と、前記
第１半導体領域上に設けられ、前記活性層及び前記第２
半導体層と離隔した第１電極と、前記第２半導体層上の
中央部に位置するように設けられた第２電極とを具備
し、前記第１電極は、前記第２電極が接着される外部電
極がアセンブリ後に位置する外部電極配置領域を除い
て、該第２電極を取り囲むようにして前記第１半導体層
の縁部に設けられていることを特徴としている。
【００３９】更にこの発明の請求項１１に記載した半導
体発光素子は、実質的に透明な半導体基板上に設けられ
た第１導電型の第１半導体層と、前記第１半導体層上に
設けられ、自然放出光を発生して放出する活性層と、前
記活性層上に設けられた第２導電型の第２半導体層と、
前記半導体基板の裏面の一部に設けられた第１電極と、
前記半導体基板の裏面の前記第１電極と同一面上に設け
られ、前記第１電極よりも高反射率の光反射膜と、前記
第２半導体層上に設けられた第２電極とを具備し、前記
活性層から前記第２半導体層側へ放出された発光は該第
２半導体層を透過して外部へ取り出され、前記活性層か
ら前記第１半導体層側へ放出された発光は前記半導体基
板を透過して前記光反射膜で反射されて前記第２半導体
層側から取り出されることを特徴としている。
【００４０】請求項１２に記載したように、請求項１１
記載の半導体発光素子において、前記第１、第２半導体
層及び前記活性層は、前記半導体基板上の一部にのみ設
けられ、前記半導体基板上に、少なくとも前記第１、第
２半導体層及び前記活性層の側面を取り囲むようにして
設けられた電流狭窄層と、前記第１、第２半導体層、前
記活性層及び前記電流狭窄層上に設けられた第３半導体
層とを更に備え、前記第２電極は前記半導体基板の裏面
において、前記活性層の直下の領域に設けられ、該半導
体基板の裏面のその他の領域には前記光反射膜が設けら
れ、前記光反射膜で反射された発光は、前記電流狭窄層
を透過して外部へ取り出されることを特徴としている。
【００４１】請求項１３に記載したように、請求項１１
または１２記載の半導体発光素子において、前記光反射
膜は、少なくとも金属を主とする材料で構成されている
ことを特徴としている。
【００４２】請求項１４に記載したように、請求項１１
または１２記載の半導体発光素子において、前記光反射
膜は、少なくとも誘電体を主とする材料で構成されてい
ることを特徴としている。
【００４３】請求項１５に記載したように、請求項１１
または１２記載の半導体発光素子において、前記光反射
膜は、少なくとも前記半導体基板よりも屈折率の高い高
屈折率膜と、前記高屈折率膜よりも屈折率の低い低屈折
率膜との多層構造を有することを特徴としている。
【００４４】請求項１６に記載したように、請求項１１
乃至１５いずれか１項記載の半導体発光素子において、
前記第１、第２半導体層及び前記活性層は、ＩｎＰ、Ｇ
ａＰ、ＡｌＰ、ＧａＡｓの材料からなるグループのうち
２つ以上の材料の混晶により構成されていることを特徴
としている。
【００４５】また、この発明の請求項１７に記載した半
導体発光装置は、外部との電力の授受を行うリードフレ
ームと、前記リードフレーム上に設けられ、該リードフ
レームと電気的に接続された導電性のサブマウントと、
前記サブマウント上に半導体基板または絶縁基板を上に
して設けられ、前記サブマウントと電気的に接続された
半導体発光素子と、少なくとも前記サブマウント及び前
記半導体発光素子を被覆する保護部材とを具備し、前記
半導体発光素子は、半導体基板または絶縁基板上に設け
られた第１導電型の第１半導体層と、前記第１半導体層
上に設けられ、自然放出光を発生して放出する活性層
と、前記活性層上に設けられた第２導電型の第２半導体
層と、前記半導体基板の裏面または前記第１半導体層上
に設けられ、前記活性層及び前記第２半導体層と離隔し
た第１電極と、前記第２半導体層上に設けられた第２電
極とを具備し、前記活性層から放出された発光を前記半
導体基板または絶縁基板側から外部に取り出す半導体発
光素子であって、前記第２電極は、前記第２半導体層と
オーミック接触が可能なオーミック電極と、前記オーミ
ック電極上に設けられ、高融点金属からなる第１バリア
電極と、前記第１バリア電極上に設けられ、前記活性層
が放出する発光の波長に対して高反射率を有する高反射
率電極とを備え、前記第１バリア電極で、前記オーミッ
ク電極と前記高反射率電極内の原子が相互に拡散するの
を防止することを特徴としている。
【００４６】この発明の請求項１８に記載した半導体発
光装置は、外部との電力の授受を行うリードフレーム
と、前記リードフレーム上に設けられ、該リードフレー
ムと電気的に接続された導電性のサブマウントと、前記
サブマウント上に半導体基板を下にして設けられ、前記
サブマウントと電気的に接続された半導体発光素子と、
少なくとも前記サブマウント及び前記半導体発光素子を
被覆する保護部材とを具備し、前記半導体発光素子は、
実質的に透明な半導体基板上に設けられた第１導電型の
第１半導体層と、前記第１半導体層上に設けられ、自然
放出光を発生して放出する活性層と、前記活性層上に設
けられた第２導電型の第２半導体層と、前記半導体基板
の裏面の一部に設けられた第１電極と、前記半導体基板
の裏面の前記第１電極と同一面上に設けられ、前記第１
電極よりも高反射率の光反射膜と、前記第２半導体層上
に設けられた第２電極とを具備し、前記活性層から前記
第２半導体層側へ放出された発光は該第２半導体層を透
過して外部へ取り出され、前記活性層から前記第１半導
体層側へ放出された発光は前記半導体基板を透過して前
記光反射膜で反射されて前記第２半導体層側から取り出
されることを特徴としている。
【００４７】更にこの発明の請求項１９に記載した半導
体装置の製造方法は、半導体基板または絶縁基板上に第
１導電型の第１半導体層を形成する工程と、前記第１半
導体層上に自然放出光を発生、放出する活性層を形成す
る工程と、前記活性層上に第２導電型の第２半導体層を
形成する工程と、前記第１、第２半導体層に電気的に接
続するように第１、第２電極をそれぞれ形成する工程と
を具備する半導体発光素子の製造方法であって、前記第
２電極を形成する工程は、前記第２半導体層上に、前記
第２半導体層とオーミック接触が可能なオーミック電極
を形成する工程と、前記第２半導体層と前記オーミック
電極とのオーミック接触性を向上するための第１の熱処
理を施す工程と、前記オーミック電極上に高融点金属に
より第１バリア電極を形成する工程と、前記第１バリア
電極上に、前記活性層から放出される発光の波長に対し
て高反射率を有する高反射率電極を形成する工程と、前
記高反射率電極上に高融点金属により第２バリア電極を
形成する工程と、前記第２バリア電極上に、アセンブリ
の際に該第２電極が接着される外部電極と導電性のある
オーバーコート電極を形成する工程と、前記第１の熱処
理より低い温度で第２の熱処理を施す工程とを具備する
ことを特徴としている。
【００４８】請求項１のような構成によれば、半導体基
板または絶縁基板上に設けられたホモ接合、ヘテロ接合
またはダブルへテロ接合に電流を注入することにより発
光を得て、該発光を上記各種接合上に設けた電極により
反射させて外部に発光を取り出す半導体発光素子におい
て、電極構造を上記各種接合を構成し該電極と接する材
料とオーミック接触が可能なオーミック電極と、高融点
金属からなる第１バリア電極と、発光に対して高反射率
を有する高反射率電極の３層構造としている。この高融
点金属は、オーミック電極及び高反射率電極を構成する
原子が熱により相互に拡散することを防止するバリア層
として機能する。そのため、この３層構造を有する電極
により、オーミック接触性及び発光に対する高い反射率
を確保しつつ、動作電圧の上昇を抑制、外部量子効率の
向上、及び半導体発光素子の信頼性の向上を実現でき
る。
【００４９】請求項２のように、第１バリア層の膜厚を
１０ｎｍ以下に設定することにより、この第１バリア層
での発光の吸収を最小限に止めることが出来、発光の取
り出し効率を向上できる。
【００５０】また、オーミック電極、第１バリア電極、
及び高反射率電極には、請求項３に記載した材料を用い
るのが望ましく、請求項４に記載したように、Ｎｉ、Ｐ
ｔはオーミック電極とバリア電極用の材料を兼用でき
る。
【００５１】請求項５のように、オーミック電極は第２
半導体層上の一部にのみ島状に設けることにより、更に
電極の反射率を向上できる。
【００５２】請求項６のように、高反射率電極上に更に
第２バリア電極、オーバーコート電極を設けることによ
り、半導体発光素子をリードフレームにマウントした際
に、当該電極と外部の電極とを間に高抵抗層が形成され
たり、電極間接合の剥がれが生じたりすることを防止で
きるので、半導体発光素子の動作信頼性を向上できる。
【００５３】請求項７、９のように、半導体チップの表
面及び裏面に電極を配置する半導体発光素子において、
半導体チップ裏面の電極を基板の一部領域上にのみ設け
ることにより、光の取り出し効率を更に向上できる。
【００５４】請求項８、１０のように、半導体チップの
表面に２つの電極を配置する半導体発光素子において、
一方の電極を半導体チップの周辺に延設する事により、
電流を均一に注入でき、また、リードフレームにマウン
トする際の作業を容易とすることが出来る。
【００５５】更に請求項１１のような構成によれば、半
導体基板上に設けられたホモ接合、ヘテロ接合またはダ
ブルへテロ接合に電流を注入することにより発光を得
て、該発光を半導体基板裏面により反射させて外部に発
光を取り出す半導体発光素子において、半導体基板裏面
の同一面上に電極及び光反射膜とを設けている。そのた
め、半導体基板と光反射膜との界面における光の損失を
抑制できるため光の取り出し効率を向上できる。
【００５６】請求項１２のように、上記各種接合領域を
半導体基板上の一部にのみ形成し、また光反射膜を発光
層直下を除く領域に形成し、発光層の周辺を発光の波長
に対して透明な材料で被覆することにより、光反射膜に
より反射された発光の再吸収を抑制できるので、光の取
り出し効率を更に向上できる。
【００５７】請求項１３、１４のように、光反射膜には
金属や絶縁膜などの材料を用いることが出来る。
【００５８】請求項１５のように、光反射膜を屈折率の
異なる材料による多層膜から構成してもかまわない。
【００５９】請求項１６のように、上記構成はGaAsやGa
P等、５族元素がAsやPである３−５族化合物を用いた半
導体発光素子に適用できる。
【００６０】更に請求項１７、１８に記載したように、
上記請求項１乃至１６の構成を有する半導体発光素子
を、導電性部材からなるサブマウントを介してリードフ
レームに搭載して半導体発光装置すなわちＬＥＤを構成
することにより、ＬＥＤの放熱効率を向上できるので、
ＬＥＤの信頼性を向上できる。
【００６１】更に請求項１９に記載したように、半導体
基板または絶縁基板上に設けられたホモ接合、ヘテロ接
合またはダブルへテロ接合に電流を注入することにより
発光を得て、該発光を上記各種接合上に設けた電極によ
り反射させて外部に発光を取り出す半導体発光素子の製
造方法において、上記電極を上記各種接合を構成し該電
極と接する材料とオーミック接触が可能なオーミック電
極を形成した後第１の熱処理を行い、その後、高融点金
属からなる第１バリア電極と、発光に対して高反射率を
有する高反射率電極と、高融点金属からなる第２バリア
電極と、第２電極が接着される外部電極と導電性を有し
オーミック接触可能なオーバーコート電極とを形成した
後、第１の熱処理より低温の第２の熱処理を行ってい
る。上記第１の熱処理により、オーミック電極のオーミ
ック接触性を更に向上できる。更に第２の熱処理を行う
ことにより、電極剥がれを防止でき、半導体発光素子の
信頼性を更に向上できる。
【００６２】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態を図面
を参照して説明する。この説明に際し、全図にわたり、
共通する部分には共通する参照符号を付す。
【００６３】この発明の第１の実施形態に係る半導体発
光素子とその製造方法、及び半導体発光装置について、
GaN系青紫色ＬＥＤを例に挙げて図１、図２を用いて説
明する。図１はＬＥＤの断面図である。
【００６４】図示するように、青紫色光を発生する半導
体発光素子１１がリードフレーム１２上にシリコン基板
などのサブマウント１３を介して基板側を上にして設け
られている。このサブマウント１３の両面には、膜厚が
約１００μｍのAu等の高導電率のオーミック電極１４−
１、１４−２が設けられており、サブマウント１３表面
のオーミック電極１４−１、１４−２は、半導体発光素
子１１の電極の位置にマッチングするようにパターニン
グされている。なお、オーミック電極１４−２は、オー
ミック電極１４−１と電気的に分離するために、絶縁膜
１９を介してサブマウント１３上に設けられている。そ
してオーミック電極１４−２は、逆電位のリードフレー
ム１２にボンディングワイヤ１５によって電気的に接続
されている。サブマウント１３の裏面は導電ペースト１
６によってリードフレーム１２上に接着されており、ま
た半導体発光素子１１のｐ型電極、ｎ型電極がパターニ
ングされたそれぞれのオーミック電極１４にAuSn１７に
より接着されている。そして全体をエポキシ樹脂１８が
覆うことにより、ランプ型の青紫色ＬＥＤ１０（半導体
発光装置）が構成されている。
【００６５】次に、青紫色光を発生するGaN系の半導体
発光素子１１の構造について図２を用いて説明する。図
２は半導体発光素子１１の断面構造を示している。
【００６６】図示するように、サファイア基板２０上に
図示せぬGaNバッファ層を介してｎ型GaN層２１が設けら
れている。そしてｎ型GaN層２１上にはInGaN活性層２
２、ｐ型AlGaNクラッド層２３、及びｐ型GaN層２４が設
けられている。更に、一部領域では上記ｐ型GaN層２
４、ｐ型AlGaNクラッド層２３、InGaN活性層２２、及び
ｎ型GaN層２１が除去されることでｎ型GaN層２１が露出
されている。この露出されたｎ型GaN層２１上及びｐ型G
aN層２４上にはそれぞれｎ型電極２５、ｐ型電極２６が
設けられ、その他の領域を絶縁膜２７が被覆している。
【００６７】上記ｎ型電極２５は、Ti層２８、Al層２
９、Ti層３０、Au層３１の４層構造を有している。また
ｐ型電極２６は、ｐ型GaN層２４とのオーミック接触の
取れるオーミック電極としての厚さ４ｎｍのNi層３２、
バリア電極としてのMo層３３、高反射電極としてのAl層
３４、バリア電極となるTi層３５、リードフレーム１２
上のサブマウント１３との接触性を向上させるオーバー
コート電極となるAu層３６の５層構造を有している。
【００６８】上記構造の半導体発光素子１１が、図１に
示したように、サファイア基板２０面を上にしてサブマ
ウント１３を介してリードフレーム１２上に搭載されて
いる。
【００６９】上記構成のＬＥＤにおいて、リードフレー
ム１２に電圧を印加する事により、ｐ型電極２６からIn
GaN活性層２２に電流が注入される。そして、この電流
注入によりInGaN活性層２２において発光が得られるわ
けだが、ＬＥＤの場合はＬＤで得られる誘導放出光と異
なりその発光は自然放出光であるため指向性を持たな
い。そのため発光はあらゆる方向に向かって放出され
る。
【００７０】図１のような構成のＬＥＤでは、サファイ
ア基板２０側から発光を取り出すことになる。InGaN活
性層２２からサファイア基板２０の方向へ放出される発
光は、その発光波長に対して透明であるｎ型GaN層２１
及びサファイア基板２０を透過して半導体発光素子１１
の外部に取り出される。一方でInGaN活性層２２からｐ
型AlGaNクラッド層２３の方向へ放出される発光は、ｐ
型AlGaNクラッド層２３及びｐ型GaN層２４を透過してｐ
型電極２６を到達する。ｐ型電極２６のNi層３２に到達
した発光は、膜厚の非常に小さなNi層３２及びMo層３３
を低散乱、低吸収で通過し、発光波長に対して高反射率
を有するAl層３４で反射される。Al層３４で反射した発
光は再びｐ型層、InGaN活性層２２を透過してサファイ
ア基板２０から半導体発光素子１１の外部に取り出され
る。
【００７１】次に、上記半導体発光素子１１及びＬＥＤ
の製造方法について、図３乃至図６を用いて説明する。
図３乃至図６は半導体発光素子の製造工程の断面図を順
次示している。
【００７２】まず図３に示すように、従来と同様にサフ
ァイア基板２０上にＭＯ−ＣＶＤ法等により図示せぬア
ンドープのGaNバッファ層を形成し、バッファ層上にｎ
型GaN層２１を形成する。引き続き、ｎ型GaN層２１上に
InGaN活性層２２をＭＯ−ＣＶＤやＭＢＥ法等により形
成する。InGaN活性層２２はＳＱＷ（Single Quantum We
ll）やＭＱＷ（Multiple QWs）構造であってもよい。更
に、InGaN活性層２２上にｐ型AlGaNクラッド層２３及び
ｐ型GaN層２４をＭＯ−ＣＶＤ法等により形成する。
【００７３】次に図４に示すように、リソグラフィ技術
とＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法等の異方性エッチ
ング技術により、一部領域のｐ型GaN層２４、ｐ型AlGaN
クラッド層２３、InGaN活性層２２及びｎ型GaN層２１の
一部を除去し、当該領域にｎ型GaN層２１を露出させ
る。これはＲＩＥ法に限らず、ウェットエッチングによ
り行ってもかまわない。そして全面にＣＶＤ法等により
絶縁膜２７を形成する。
【００７４】次に図５に示すように、ｎ型GaN層２１上
の絶縁膜２７の一部をリソグラフィ技術とウェットエッ
チング法等により除去し、真空蒸着とリフトオフにより
ｎ型電極となるTi層２８及びAl層２９を形成する。そし
て窒素雰囲気中で温度６００℃のアニールを行いオーミ
ック接触性を向上させる。
【００７５】引き続き図６に示すように、ｐ型GaN層２
４上の絶縁膜２７の一部をリソグラフィ技術とウェット
エッチング法等により除去し、真空蒸着とリフトオフに
よりｐ型電極となる厚さ４ｎｍのNi層３２、厚さ１ｎｍ
のMo層３３、及び厚さ５００ｎｍのAl層３４を形成す
る。なお、Ni層３２の形成後、オーミック接触性を向上
させるために温度４００℃〜７８０℃、好ましくは４５
０℃で２０秒間のフラッシュアニールを施すのが望まし
い。但しこのフラッシュアニールは、Ni層３２の下地で
あるｐ型GaN層２４の表面に酸化膜等も無く、十分に清
浄な状態であれば不要である。
【００７６】その後はAl層２９、３４上にそれぞれ厚さ
１００ｎｍのTi層３０、３５、厚さ１０００ｎｍのAu層
３０、３６を真空蒸着及びリフトオフにより形成する。
そして電極材料間の密着性の向上のために温度２００℃
以上、好ましくは２５０℃で２０秒間のフラッシュアニ
ールを施すことによりｎ型電極２５、ｐ型電極２６を完
成し、図２の構造の半導体発光素子１１を得る。なお、
このフラッシュアニールの温度は図６で説明したNi層３
２のアニール温度より低い温度で行う必要がある。
【００７７】そして上記半導体発光素子１１を、電極パ
ターンにパターニングされた厚さ３μｍのAu層等により
オーミック電極１４−１、１４−２が形成されたシリコ
ン基板等のサブマウント１３上に、ｎ型電極２５、ｐ型
電極２６と前記電極１４−２、１４−１とをAuSn１７に
よりそれぞれ接着させることで搭載する。このようにし
て半導体発光素子１１を搭載したサブマウント１３を、
カップ型のリードフレーム１２上に導電ペースト１６に
より接着する。そして、ｎ型電極またはｐ型電極と電気
的に接続されたオーミック電極１４とリードフレーム１
２とをワイヤボンディングにより接続する。更に全体を
エポキシ樹脂１８により被覆することによりランプ化し
て図１のような青紫色光ＬＥＤ１０を完成する。
【００７８】なお、サファイア基板の代わりに導電性基
板であるｎ型GaN基板を使用した際には、ｎ型電極は基
板裏面に設けてもかまわない。
【００７９】上記のような構成及び製造方法による半導
体発光素子及びこの半導体発光素子を備えた半導体発光
装置（ＬＥＤ）は、ｐ型電極２６においてｐ型GaN２４
の半導体層と接合しオーミック接触の取れるNi層３２
と、Ni層３２上に設けた高融点材料であるMo層３３、及
び発光に対して高反射率材料であるAl層３４とを設けて
いる。一般に可視光に対して高い反射率を有するAlやAg
等の金属は、GaN層に対してオーミック接触を取り難
い。そのため従来は、オーミック接触の取れるオーミッ
ク電極と高反射率電極とにより電極を形成していた。こ
の構造でＬＥＤを連続動作させていると、熱の影響によ
り上記オーミック電極及び高反射率電極を構成する金属
原子が相互に拡散し、順方向電圧が上昇して素子が劣化
しやすくなるという問題があった。しかし本実施形態に
よれば、オーミック電極と高反射率電極との間に高融点
金属のバリア電極（Mo層）を設けている。このバリア電
極がオーミック電極及び高反射率電極を構成している金
属原子の相互拡散を抑制するため、動作電圧の上昇を防
止できる。また、オーミック電極及びバリア電極は発光
に対してほぼ不透明な材料であるが、この膜厚を小さく
することにより、高反射率を実現している。
【００８０】本実施形態で説明したGaN系青紫色ＬＥＤ
の発光特性を図７に示す。図７はＬＥＤの注入電流に対
する発光強度の関係を示している。図中において実線は
本実施形態に係るGaN系青紫色ＬＥＤ、破線は従来構造
のＬＥＤの特性である。図示するように光出力は従来に
比べ格段に向上し、注入電流値が２０ｍＡの時に、電圧
４．３Ｖ、光出力６．９ｍＷ（発光波長λp＝４５０ｎ
ｍ）という結果が得られた。従来の電極構造では、同様
の注入電流の時に得られる光出力は４．０ｍＷであり、
本発明の電極構造を採用することで光出力は従来構造に
比して約１．７倍に向上し、発光の取り出し効率が改善
されたことを明確に示している。
【００８１】また、室温において駆動電流２０ｍＡで動
作させた際の光出力は、１０００時間で８０％まで低下
したに過ぎず、ＬＥＤの信頼性が向上したことを証明す
る結果が得られている。
【００８２】図８、図９にバリア電極、オーミック電極
の膜厚に対する反射率Ｒの関係を示す。図８はオーミッ
ク電極（Ni層）の膜厚を４ｎｍ、高反射率電極（Al層）
の膜厚を１００ｎｍとした時の、反射率のバリア電極
（Mo層）膜厚依存性を示し、図９はバリア電極（Mo層）
の膜厚を１ｎｍ、高反射電極（Al層）の膜厚を１００ｎ
ｍとした時の、反射率のオーミック電極（Ni層）膜厚依
存性を示している。
【００８３】図示するように、反射率はバリア電極及び
オーミック電極の膜厚に大きく依存し、その膜厚は薄い
程好ましいことが分かる。特にInGaN活性層で発生した
発光が最初に入射するオーミック電極の膜厚の制御が特
に重要と言うことが出来、図９に示すように、オーミッ
ク電極にNiを用いる場合、その膜厚は１０ｎｍ以下にす
ることが望ましい。
【００８４】なお、オーミック電極に使用する材料はNi
の他に、Pt、Mg、Zn、Be、Ag、Au、Ge等を用いることが
出来、これらの材料を主とする化合物でもかまわない。
またバリア電極の材料はMoの他に、W、Pt、Ni、Ti、P
d、V等やそれらを主とする化合物を用いることが出来
る。なお、NiとPtはオーミック電極とバリア電極とを兼
用することが可能である。
【００８５】また、上記オーミック電極、バリア電極、
及び高反射電極上には、更にTi層３５によるバリア電極
及びAu層３６によるオーバーコート電極とを設けてい
る。通常、半導体発光素子を搭載するサブマウントには
Au等の導体パターンが形成されている。そしてこの導体
パターン上に半導体発光素子の電極が接着されるが、Au
等の導体パターン上にAlやAgなどの高反射率電極を直接
接触させると、この接合面に高抵抗層が形成されたり、
両者の接合が剥がれたりする問題があった。しかし、本
実施形態では、導体パターンに用いているAuと同じ材料
によるオーバーコート電極を設け、Au同士で接合部を形
成している。そのため上記の問題を解決できる。更に、
オーバーコート電極と高反射電極との間に高融点材料か
らなるバリア電極を介在させることにより、オーバーコ
ート電極と導体パターンとの接合信頼性を向上してい
る。但し、導体パターンと高反射率電極とが同じ材料で
ある場合には、このオーバーコート電極及び高融点材料
によるバリア電極は不要である。
【００８６】なお、このバリア電極にはTiの他に、W、M
o、Pt、Ni、Ti、Pd、V等やそれらを主とする化合物を用
いることが出来る。
【００８７】また、半導体発光素子をリードフレームに
直接接着するのではなく、導電性のサブマウントを介し
て接着することにより放熱効率を向上できるため、ＬＥ
Ｄの動作信頼性を更に向上できる。
【００８８】図１０は本実施形態の変形例に係る半導体
発光素子について説明するためのもので、赤色〜緑色で
発光するGaAs、GaP系半導体発光素子の断面図である。
【００８９】図示するように、ｎ型GaP基板４０上にｎ
型InGaAlP接着層４１、ｎ型InGaAlPクラッド層４２が形
成され、このｎ型InGaAlPクラッド層４２上にInGaAlP活
性層４３が形成されている。緑色の発光エネルギーに相
当するバンドギャップエネルギーの得られる組成におい
て間接遷移型のバンド構造を取るAlGaAsと異なり、InGa
AlPは赤色〜緑色の発光が得られる組成において直接遷
移型のバンド構造を有しており、この波長領域での発光
デバイスに適した材料である。このInGaAlP活性層４３
上にｐ型InGaAlPクラッド層４４、及びｐ型GaAsコンタ
クト層４５が形成されている。そしてｐ型GaAsコンタク
ト層４５上及びｎ型GaP基板４０裏面にはそれぞれｐ型
電極４７、ｎ型電極４８が形成され、その他の領域を絶
縁膜４６が被覆している。ｐ型電極４７は、ｐ型GaAsコ
ンタクト層４５とのオーミック接触の取れるのAuZn層４
９、バリア電極となるMo層５０、高反射電極としてのAl
層５１、バリア電極となるTi層５２、リードフレーム１
２上のサブマウント１３との接触性を向上させるオーバ
ーコート電極となるAu層５３の５層構造を有している。
【００９０】上記構造の半導体発光素子が、図１に示し
たように、ｎ型GaP基板４０面を上にしてサブマウント
１３を介してリードフレーム１２上に搭載されている。
【００９１】なお、ｎ型電極がｎ型GaP基板の裏面に設
けられているため、ｎ型電極とリードフレーム１２との
接続はワイヤボンディングにより行う必要がある。しか
し、GaN系半導体発光素子で説明したように、ｐ型電極
が形成される面にｎ型InGaAlPクラッド層の一部露出さ
れる領域を設けて、該領域上にｎ型電極を形成すること
によりワイヤボンディングを必要としない構造としても
良い。
【００９２】上記構成の半導体発光素子によれば、オー
ミック電極（AuZn層）と高反射率電極（Al層）との間に
高融点金属のバリア電極（Mo層）を設けている。このバ
リア電極がオーミック電極及び高反射率電極を構成して
いる金属原子の相互拡散を抑制するため、動作電圧の上
昇を防止出来、上記GaN系半導体発光素子と同様の効果
を得ることが出来る。
【００９３】なお、ｐ型電極４７の製造方法は前述のGa
N系半導体発光素子の場合と同様であるので説明は省略
する。
【００９４】次にこの発明の第２の実施形態に係る半導
体発光素子及び半導体発光装置について、GaN系青紫色
ＬＥＤを例に挙げて図１１を用いて説明する。図１１は
半導体発光素子１１の構造について示している。
【００９５】図示するように、本実施形態に係る半導体
発光素子は第１の実施形態で説明した半導体発光素子１
１において、ｐ型電極２６の構造を変形したものであ
る。すなわち、ｐ型GaN層２４と接するNi層３２を島状
に形成し、この島状のNi層３２及びｐ型GaN層２４上にM
o層３３を形成している。このためｐ型GaN層２４の表面
はNi層３２に接する領域とMo層３２に直接接する領域と
を有することとなる。
【００９６】そして、InGaN活性層２２からｐ型AlGaNク
ラッド層２３の方向へ放出されてｐ型電極２６に到達し
た発光のうちの一部は、Ni層３２及びMo層３３を低散
乱、低吸収で通過しAl層３４で反射され、他方はNi層３
２を通らず直接Mo層３３を通過してAl層３４で反射す
る。
【００９７】上記構成によれば、ｐ型GaN層２４とオー
ミック接触をとるためのNi層をｐ型電極の全面に設ける
のではなく、例えば島状の形状にしてｐ型GaN層２４上
の一部にのみ設けている。そのため、Ni層２４の存在し
ない領域ではｐ型GaN層２４と高反射電極であるAl層３
４との距離が小さくなるため、より反射率を向上でき
る。そのため、第１の実施形態で述べた効果と共に、更
に発光の取り出し効率を向上できる。またNiとPtはオー
ミック電極とバリア電極とを兼用することが出来る。
【００９８】なお、オーミック接触をとるための電極材
料、バリア電極の材料、及び高反射電極材料について
は、第１の実施形態で述べたものと同様の材料を用いる
ことが出来る。また、本実施形態で説明した半導体発光
素子を有するＬＥＤの構造は、第１の実施形態で説明し
た図１と同様である。
【００９９】また、図１２には本実施形態の変形例に係
る半導体発光素子について示しておりGaAs、GaP系半導
体発光素子の断面図である。
【０１００】図示するように、本変形例は第１の実施形
態の変形例であるGaAs、GaP系半導体発光素子に本実施
形態の電極構造を適用したものであり、同様の効果が得
られる。
【０１０１】次にこの発明の第３の実施形態に係る半導
体発光素子及び半導体発光装置についてGaN系半導体発
光素子を例に挙げて図１３を用いて説明する。図１３は
半導体発光素子の斜視図である。
【０１０２】図示するように、サファイア基板２０上に
ｎ型GaN層２１及び発光層５５が設けられている。発光
層５５は第１、第２実施形態で説明したように、ｎ型Ga
N層２１上に設けられたInGaN活性層２２、InGaN活性層
２２上のｐ型AlGaNクラッド層２３及びｐ型GaN層２４で
ある。そしてチップの周辺領域におけるｎ型GaN層２１
及び発光層５５が除去されてｎ型GaN層２１の表面が露
出している。更に発光層５５上にはやはり第１、第２の
実施形態で述べたオーミック電極３２、電極３３、高反
射率電極３４、バリア電極３５及びオーバーコート電極
３６からなるｐ型電極２６が設けられている。このｐ型
電極２６は発光層５５上の略中央に配置されている。一
方、ｎ型電極２５は、露出されたｎ型GaN層２１上に、
発光層５５を取り囲むようにして設けられている。
【０１０３】そして、上記構成の半導体発光素子が、図
１のようにサブマウントを介してリードフレーム上に搭
載されてＬＥＤが形成される。
【０１０４】上記のような電極配置を有する半導体発光
素子であると、第１、第２の実施形態で説明した効果に
加えて次のような効果が合わせて得られる。まず第１に
ｐ型電極がチップの略中央に配置されていることによ
り、サブマウント１３に半導体発光素子をマウントする
際のｐ型電極２６の位置決めを容易にする事が出来、Ｌ
ＥＤの製造を容易とし、スループットを向上できる。
【０１０５】第２にｎ型電極２５が発光層５５の周辺を
取り囲むようにして配置されているため、ｐ型電極２６
から注入された電流が均一に活性層に注入されるため、
効率の良い発光が得られる。
【０１０６】なお本実施形態ではｎ型電極５５の一部が
除去されているが、これは半導体発光素子をサブマウン
トにマウントする際にｐ型電極に接続する導体パターン
の形成領域に対応して設けたものである。
【０１０７】本実施形態の変形例に係る半導体発光素子
及び半導体発光装置について図１４を用いて説明する。
図１４は半導体発光素子の斜視図である。
【０１０８】図示するように、本変形例は図１４で説明
した半導体発光素子において、ｐ型電極２６を形成した
発光層５５以外の領域の殆どを除去したものである。上
記構成では発光領域が限定されるため、発光が光ファイ
バ等との結合が必要な場合や、より高速動作が必要とさ
れるＬＥＤに適した構造である。
【０１０９】上記第３の実施形態及び変形例において、
発光層５５、ｐ型電極、及びｎ型電極の形状は図示した
形状に限られるものではないし、GaN系半導体発光素子
のみならず、GaAs、GaP系半導体発光素子にも適用でき
ることは言うまでもない。また、導電基板を用いる場合
にはｎ型電極を基板裏面に設けてもかまわないことは勿
論である。
【０１１０】次にこの発明の第４の実施形態に係る半導
体発光素子とその製造方法、及び半導体発光装置につい
てGaAs、GaP系半導体発光素子を例に挙げて説明する。
図１５は発光波長６２０ｎｍの赤色光を発生する半導体
発光素子の断面図である。
【０１１１】図示するように、ｐ型GaP基板６０上にｐ
型InGaAlP接着層６１、ｐ型InAlPクラッド層６２が形成
され、ｐ型InAlPクラッド層６２上にはInGaAlP活性層６
３が形成されている。このInGaAlP活性層６３上にはｎ
型InAlPクラッド層６４及びｎ型InGaAlP窓層６５が形成
されている。そしてｎ型InGaAlP窓層６５上にはｎ型GaA
sコンタクト層６６を介してｎ型電極６７が設けられて
いる。一方、ｐ型GaP基板６０裏面にはｐ型電極６８及
び光反射膜６９とが設けられている。
【０１１２】上記半導体発光素子の製造方法について、
図１６乃至図１９を用いて説明する。図１６乃至図１９
はそれぞれ半導体発光素子の製造工程の断面図を順次示
している。
【０１１３】まず図１６に示すように、ｎ型GaAs基板７
０上にＭＯ−ＣＶＤ法等によりInGaP等によるエッチン
グストップ層７１、膜厚０．１μｍのｎ型GaAsコンタク
ト層６６、膜厚０．５μｍのｎ型In0.5Ga0.15Al0.35P窓
層６５及び膜厚１μｍのｎ型In0.5Al0.5Pクラッド層６
４を順次形成する。次にｎ型InAlPクラッド層６４上に
ＭＯ−ＣＶＤ法やＭＢＥ法等により０．２μｍのアンド
ープIn0.5Ga0.1Al0.4P活性層６３を形成し、その上に膜
厚１μｍのｐ型In0.5Al0.5Pクラッド層６２及び膜厚
０．０５μｍのｐ型In0.5Ga0.15Al0.35P接着層６１を形
成する。また、各層のエピタキシャル成長において、ガ
リウム原料にはトリエチルガリウム（ＴＥＧ：triethyl
gallium, Ga(C2H5)3）やトリメチルガリウム（ＴＭＧ：
trimethylgallium, Ga(CH3)3）を、アルミニウム原料に
はトリエチルアルミニウム（ＴＥＡ：triethylaluminiu
m, Al(C2H5)3）やトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ：tr
imethylaluminium, [Al(CH3)3]2）を、インジウム原料
にはトリエチルインジウム（ＴＥＩ：triethylindium,
In(C2H5)3）やトリメチルインジウム（ＴＭＩ：trimeth
ylindium, In(CH3)3）を、リン原料にはターシャリブチ
ルホスフィン（ＴＢＰ：tertiary-butylphosphine, C4H
9PH2）等を用いる。またｎ型不純物及びｐ型不純物には
それぞれSi及びZnを用いているが、TeやBe等も使用可能
である。
【０１１４】なお、上記各層の組成及び膜厚は、発光波
長６２０ｎｍの赤色発光を得る際に用いる一例であっ
て、具体的な原料も一例に過ぎない。
【０１１５】次に図１７に示すように、ｐ型InGaAlP接
着層６１上に、厚さ２００μｍのｐ型GaP基板６０を加
熱圧着により接着する。この際、ｐ型InGaAlP接着層６
１及びｐ型GaP基板６０の相互の接着面を洗浄しておく
必要がある。前述の通り、GaP基板は波長６２０ｎｍの
光に対しては透明な材料である。
【０１１６】次にｎ型GaAs基板７０からエッチングスト
ップ層７１までのエッチングを行い、ｎ型GaAs基板７０
を除去する。
【０１１７】そして図１８に示すように、エッチングス
トップ層７１を更に除去して、ｎ型GaAsコンタクト層６
６をリソグラフィ技術とエッチングにより図のようにパ
ターニングする。
【０１１８】その後はｎ型GaAsコンタクト層６６上にｎ
型電極６７を、ｐ型GaP基板７０の裏面にはｐ型電極６
８及び光反射膜６９をそれぞれ形成して図１５の構造の
半導体発光素子を完成する。なお、光反射膜６９の材料
にはAuを用いている。
【０１１９】そして第１の実施形態で説明したように、
上記半導体発光素子をｐ型GaP６０基板を下にしてリー
ドフレームに搭載し、且つ電気的に接続した後にエポキ
シ樹脂でランプ化してＬＥＤを完成する。
【０１２０】上記構成のＬＥＤにおいて、リードフレー
ムから電圧が印加されてｐ型電極６９から注入された電
流はInGaAlP活性層６３へ注入され、赤色の発光が得ら
れる。InGaAlP活性層６３で放出された波長６２０ｎｍ
の赤色発光は、ｎ型層側へ放出されたものはそのままｎ
型InAlPクラッド層６４及びｎ型InGaAlP窓層６５を通過
して半導体発光素子外部へ取り出される。一方、InGaAl
P活性層６３からｐ型GaP基板６０側へ放出された発光
は、透明基板であるｐ型GaP基板６０を透過してｐ型電
極６８及び光反射膜６９に到達する。到達した発光のう
ち、ｐ型電極６８では散乱及び吸収されてしまうが、光
反射膜６９では再び半導体発光素子内部へ反射されて、
ｎ型InGaAlP窓層６５側から取り出される。この結果、
駆動電流２０ｍＡの条件下で動作させた、放射角１０°
のパッケージにおいて、光出力は従来構造における光出
力の１．２倍に相当する１７ｃｄが得られた。
【０１２１】上記のような構成の半導体発光素子によれ
ば、フリップチップ構造を有するGaAs、GaP系半導体発
光素子において、発光を反射させる透明基板の裏面の一
部を光反射膜に置き換えている。そのため、透明基板と
電極との間のアロイ層にて生じる損失を光反射膜を設け
た分だけ低減でき、且つ光反射膜を設けた領域では高効
率で発光を反射できるため、効率的に発光を半導体発光
素子外部へ取り出すことが可能である。
【０１２２】なお、本実施形態では光反射膜６９の材料
にはAuを用いている。これはInGaAlP活性層６３による
波長６２０ｎｍの発光に対して大きな反射率を有してい
るからである。表１に各種金属材料のGaP接合における
反射率Ｒ及び熱伝導率ｋについて示す。反射率は波長６
２０ｎｍの光に対する数値であり、この波長でのGaPの
屈折率ｎは３．３２５である。また熱伝導率は温度３０
０Ｋにおける数値である。
【０１２３】
【表１】
【０１２４】光反射膜６９に求められる特性としては、
高反射率はもとより高熱伝導率を有することが望まし
い。InGaAlP系の材料は熱による発光効率の低下が顕著
であり、活性層付近の発熱を効率よく素子外部へ放熱す
る必要があるためである。そのため表１から明らかなよ
うに、高反射率及び高熱伝導率を両立できる材料とし
て、Auの他にAg、Cu、Al等を用いることが好ましい。
【０１２５】また、ｐ型GaP基板６０の裏面に設けたｐ
型電極６８及び光反射膜６９において、光反射膜６９に
よる発光の反射効果と電流注入用電極部のコンタクト抵
抗との間にはトレードオフの関係があり、適宜必要十分
な面積比とする必要がある。本実施形態では光反射膜６
９とｐ型電極６８との面積比を１：１にしているが、当
然ながら光反射膜６９の面積を大きくすることにより発
光の取り出し効率が向上することから、コンタクト抵抗
の上昇が顕著な問題とならない範囲で光反射膜６９の面
積を可能な限り大きくすることが望ましい。
【０１２６】次に本実施形態の変形例について図２０を
用いて説明する。図２０は図１５において、特に光反射
膜６９の構造に着目した半導体発光素子の断面図であ
る。
【０１２７】図示するように、ｐ型GaP基板６０の裏面
に設けられた光反射膜６９は、Si層７２とAl2O3層７３
による多層構造を成しており、それぞれの膜厚は、活性
層での発光波長λに対してλ／４ｎ（ｎは当該発光波長
におけるSi及びAl2O3の屈折率）になるよう設定されて
いる。
【０１２８】Si層７２とAl2O3層７３との組み合わせは
その屈折率差が大きく、且つ高屈折率層であるSi層７２
の吸収係数が小さいことから、少ない対数で高い反射率
を得ることが可能である。しかし、低屈折率層であるAl
2O3層７３は熱伝導率が小さく、素子の熱特性を劣化さ
せる可能性がある。
【０１２９】図２１に本実施形態、本実施形態の変形
例、及び従来構造のＬＥＤの注入電流に対する光出力の
特性を示す。図２１の図中において、乃至のライン
がそれぞれ図１５、図２０、及び従来構造のＬＥＤの特
性を示している。
【０１３０】図示するように、図１５に示す構造が出
力、耐久性共に最も優れている。一方で本実施形態の変
形例で説明した図２０の構造では、Al2O3の低熱伝導率
の影響により注入電流が大きくなった際に光出力が飽和
しつつある様子が分かる。しかし、それでも注入電流〜
１５０ｍＡの全測定範囲において従来構造の光出力を上
回っており、通常の動作電流として使用される２０ｍＡ
の条件ではほぼ図１５の構造と同等の特性を有してお
り、本変形例の構造を有する半導体発光素子をＬＥＤに
用いることは十分に利点があると言える。
【０１３１】次にこの発明の第５の実施形態に係る半導
体発光素子及びその製造方法についてGaAs、GaP系半導
体発光素子を例に挙げて説明する。図２２は発光波長６
２０ｎｍの赤色光を発生する半導体発光素子の断面図で
ある。
【０１３２】図示するように、ｎ型GaP基板８０上の一
部に発光層８１が形成されている。発光層８１は、ｎ型
InGaAlPコンタクト層８２、ｎ型InAlPクラッド層８３、
InGaAlP活性層８４、ｐ型InAlPクラッド層８５、及びｐ
型InGaAlPコンタクト層８６の多層構造を成している。
また、ｎ型GaP基板８０上の発光層８１の形成されてい
ない領域は、アンドープのGaP電流狭窄層８７が形成さ
れ、全面をｐ型GaP層８８が被覆している。そして、ｐ
型GaP層８８上の一部にはｐ型電極８９が形成され、ｎ
型GaP基板８０の裏面にはｎ型電極９０及び光反射膜９
１が形成されている。なお、ｎ型電極９０は、発光層８
１の直下に位置するように配置されている。
【０１３３】次に上記構成の半導体発光素子の製造方法
について図２３乃至図２８を用いて説明する。図２３乃
至図２８は、半導体発光素子の製造工程の断面図を順次
示している。
【０１３４】まず図２３に示すように、ｎ型GaAs基板９
２上にｎ型In0.5Ga0.15Al0.35Pコンタクト層８２、ｎ型
In0.5Al0.5Pクラッド層８３、In0.5Ga0.1Al0.4P活性層
８４、ｐ型In0.5Al0.5Pクラッド層８５及びｐ型In0.5Ga
0.15Al0.35Pコンタクト層８６を順次形成する。なお各
層は第４の実施形態と同様の方法により成長を行う。次
に、同じくＭＯ−ＣＶＤ法等によりアンドープのGaAs保
護層９３及びSiO2マスク層９４を順次形成する。
【０１３５】次に図２４に示すように、リソグラフィ技
術とウェットエッチング法等により、SiO2マスク層９４
をパターニングする。そしてSiO2マスク層９４をマスク
に用いたＲＩＥ法によりGaAs保護層９３、ｐ型In0.5Ga
0.15Al0.35Pコンタクト層８６、ｐ型In0.5Al0.5Pクラッ
ド層８５、In0.5Ga0.1Al0.4P活性層８４、ｎ型In0.5Al
0.5Pクラッド層８３及びｎ型In0.5Ga0.15Al0.35Pコンタ
クト層８２を図のようにエッチングしてリッジ形状とす
る。
【０１３６】次に図２５に示すように、ｎ型GaAs基板９
２上にアンドープのGaP電流狭窄層８７をＣＶＤ法等に
より選択的にエピタキシャル成長する。
【０１３７】引き続き図２６に示すように、全面にｐ型
GaP層８８を形成する。
【０１３８】そして図２７に示すように、ｎ型GaAs基板
９２をエッチングにより全て除去した後、図２８のよう
にｎ型GaP基板８０を接合する。
【０１３９】その後はｐ型GaP層８８上にｐ型電極８９
を形成し、またｎ型GaP基板８０の裏面にはｎ型電極９
０及び光反射膜９０を形成し、図２２の構造の半導体発
光素子を完成する。
【０１４０】なお発光層８１をｎ型GaAs基板上の一部に
のみ残存させ、最終的に発光層８１の周辺を全てGaPに
より取り囲む構造とするのが望ましい。
【０１４１】上記半導体発光素子において、InGaAlP活
性層８４より放出された赤色発光のうち、ｐ型層側へ放
出されたものはそのままｐ型InAlPクラッド層８５及び
ｐ型InGaAlPコンタクト層８６及びｐ型GaP層８８を通過
して半導体発光素子外部へ取り出される。一方、InGaAl
P活性層８４からｎ型GaP基板８０側へ放出された発光
は、透明基板であるｐ型GaP基板８０を透過して光反射
膜９１で反射されて半導体発光素子外部に取り出され
る。
【０１４２】ここで、ｎ型電極９０はInGaAlP活性層８
３の直下に設けられ、GaP電流狭窄層８７直下に光反射
膜９１が設けられている。すなわち光反射膜８７で反射
された発光は発光層８１を通らずに、バンドギャップエ
ネルギーが発光エネルギーより大きいGaP電流狭窄層８
７を通って素子外部に取り出される。そのため、発光が
発光層８１を通過する際の再吸収が起こらないために、
第４の実施形態で説明した構造に比べて発光の取り出し
効率を更に向上できる。事実、駆動電流２０ｍＡの条件
下で動作させた放射角１０°のパッケージにおいて、光
出力は従来構造における光出力の１．４倍に相当する２
０ｃｄが得られた。
【０１４３】上記第１乃至第３の実施形態によれば、活
性層から放出された発光を発光層側の電極で反射させて
基板側から発光を外部に取り出す、３−５族化合物半導
体を用いた可視光半導体発光素子において、発光を反射
させる電極構造を、少なくともオーミック電極、バリア
電極、及び高反射電極の３層構造としている。このバリ
ア電極は高融点材料で形成され、オーミック電極と高反
射率電極とを構成する原子の熱による相互拡散を防止す
る役目をしている。更に膜厚を非常に小さくすることに
より、オーミック電極及びバリア電極での発光の吸収損
失を最小限に抑えている。そのため電極における、オー
ミック接触性と発光の高反射率とを両立しつつ、且つ熱
による動作電圧の上昇を抑えることが出来、半導体発光
素子及び半導体発光装置の信頼性及び性能を向上でき
る。また、オーミック電極を例えば島状に形成してその
面積を小さくすることにより、発光のオーミック電極で
の損失を低減できるため、更に電極における反射率を大
きくでき、発光の取り出し効率を更に向上できる。
【０１４４】また、上記第４、第５の実施形態によれ
ば、活性層から放出された発光を基板側で反射させて発
光層側から発光を外部に取り出す、GaAsやGaP等の、５
族にN以外のAsやPを用いた３−５族化合物半導体による
可視光半導体発光素子において、発光を反射させる半導
体基板の裏面の同一面上に、一方の電極と光反射膜とを
設けている。この電極においては発光は散乱、吸収が生
じるるものの、光反射膜を設けた領域では高効率で発光
が反射されるため、従来に比べて発光の外部への取り出
し効率を向上できるので、半導体発光素子及び半導体発
光装置の性能を向上できる。また、発光層をリッジ形状
としてその周辺領域を発光に対して透明な材料で埋め込
み、且つ半導体基板の裏面の電極を発光の直下に位置す
るように設けることで、光反射膜で反射される発光の再
吸収を防止できるため、更に発光の取り出し効率を向上
できる。
【０１４５】なお、本願発明は上記実施形態に限定され
るものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範
囲で種々に変形することが可能である。更に、上記実施
形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される
複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の
発明が抽出されうる。例えば、実施形態に示される全構
成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が
解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発
明の効果の欄で述べられている効果が得られる場合に
は、この構成要件が削除された構成が発明として抽出さ
れうる。
【０１４６】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、電極構造においてオーミック性と高反射率を両立さ
せつつ、電極を構成する金属の相互拡散を防止すること
により、外部量子効率を向上できると共に動作電圧の低
減及び信頼性の向上できる半導体発光素子とその製造方
法、及び半導体発光装置を提供できる。
【０１４７】また、この発明によれば、電極における光
の散乱、吸収を抑制することにより、外部量子効率の向
上できる半導体発光素子及び半導体発光装置を提供でき
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１の実施形態に係るＬＥＤの断面
図。
【図２】この発明の第１の実施形態に係る半導体発光素
子の断面図。
【図３】この発明の第１の実施形態に係る半導体発光素
子の第１の製造工程の断面図。
【図４】この発明の第１の実施形態に係る半導体発光素
子の第２の製造工程の断面図。
【図５】この発明の第１の実施形態に係る半導体発光素
子の第３の製造工程の断面図。
【図６】この発明の第１の実施形態に係る半導体発光素
子の第４の製造工程の断面図。
【図７】この発明の第１の実施形態に係るＬＥＤの電流
−光出力特性図。
【図８】この発明の第１の実施形態に係る半導体発光素
子の反射電極における反射率のバリア電極膜厚依存性を
示す図。
【図９】この発明の第１の実施形態に係る半導体発光素
子の反射電極における反射率のオーミック電極膜厚依存
性を示す図。
【図１０】この発明の第１の実施形態の変形例に係る半
導体発光素子の断面図。
【図１１】この発明の第２の実施形態に係る半導体発光
素子の断面図。
【図１２】この発明の第２の実施形態の変形例に係る半
導体発光素子の断面図。
【図１３】この発明の第３の実施形態に係る半導体発光
素子の斜視図。
【図１４】この発明の第３の実施形態の変形例に係る半
導体発光素子の斜視図。
【図１５】この発明の第４の実施形態に係る半導体発光
素子の断面図。
【図１６】この発明の第４の実施形態に係る半導体発光
素子の第１の製造工程の断面図。
【図１７】この発明の第４の実施形態に係る半導体発光
素子の第２の製造工程の断面図。
【図１８】この発明の第４の実施形態に係る半導体発光
素子の第３の製造工程の断面図。
【図１９】この発明の第４の実施形態に係る半導体発光
素子の第４の製造工程の断面図。
【図２０】この発明の第４の実施形態の変形例に係る半
導体発光素子の一部断面図。
【図２１】この発明の第４の実施形態及びその変形例に
係る半導体発光素子の電流−光出力特性図。
【図２２】この発明の第５の実施形態に係る半導体発光
素子の断面図。
【図２３】この発明の第５の実施形態に係る半導体発光
素子の第１の製造工程の断面図。
【図２４】この発明の第５の実施形態に係る半導体発光
素子の第２の製造工程の断面図。
【図２５】この発明の第５の実施形態に係る半導体発光
素子の第３の製造工程の断面図。
【図２６】この発明の第５の実施形態に係る半導体発光
素子の第４の製造工程の断面図。
【図２７】この発明の第５の実施形態に係る半導体発光
素子の第５の製造工程の断面図。
【図２８】この発明の第５の実施形態に係る半導体発光
素子の第６の製造工程の断面図。
【図２９】従来のＬＥＤの断面図。
【図３０】従来のチップ表面より発光を取り出すGaN系
半導体発光素子の断面図。
【図３１】従来のチップ裏面より発光を取り出すGaN系
半導体発光素子の断面図。
【図３２】従来のチップ表面より発光を取り出すGaAs、
GaP系半導体発光素子の断面図。
【図３３】従来のチップ裏面より発光を取り出すGaAs、
GaP系半導体発光素子の断面図。
【図３４】従来のチップ表面より発光を取り出すGaAs、
GaP系半導体発光素子の断面図。
【符号の説明】
１０…ＬＥＤ １１…半導体発光素子（半導体チップ） １２…リードフレーム １３…サブマウント １４…オーミック電極 １５…ボンディングワイヤ １６…導電ペースト １７…AuSn １８…エポキシ樹脂 １９…絶縁膜 ２０、２００…サファイア基板 ２１、２１０…ｎ型GaN層 ２２…InGaN活性層 ２３…ｐ型AlGaN層 ２４、２２０…ｐ型GaN層 ２５、４８、６７、９０、２３０、３８０、４６０、４
７０…ｎ型電極 ２６、４７、６８、８９、２４０、２５０、２６０、３
７０、４８０…ｐ型電極 ２７、４６…絶縁膜 ２８、３０、３５、５２…Ti層 ２９、３４、５１…Al層 ３１、３６、５３…Au層 ３２…Ni層 ３３、５０…Mo層 ４０…ｎ型GaP基板 ４１、４２、６５、８２、３２０、４４０…ｎ型InGaAl
P層 ４３、６３、８４、３３０、４３０…InGaAlP活性層 ４４、６１、８６、３４０、４１０、４２０…ｐ型InGa
AlP層 ４５、３６０…ｐ型GaAs層 ４９…AuZn層 ５５、８１…発光層 ６０、４００…ｐ型GaP基板 ６２、８５…ｐ型InAlP層 ６４、８３…ｎ型InAlP層 ６６、３１０…ｎ型GaAs層 ６９、９１…高反射膜 ７０、９２、３００…ｎ型GaAs基板 ７１…エッチングストップ層 ７２…Si層 ７３…Al2O3層 ８０…ｎ型GaP基板 ８７…アンドープGaP層 ８８…ｐ型GaP層 ９３…GaAs層 ９４…SiO2層 ３５０…ｐ型AlGaAs層 ４５０…ｎ型AlGaAs層
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4M104 AA04 BB04 BB05 BB06 BB08 BB09 CC01 FF17 GG04 HH05 HH15 5F041 AA04 AA24 CA04 CA05 CA34 CA35 CA37 CA40 CA46 CA73 CA82 CA85 CA86 CA87 CA92 CB15

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体基板または絶縁基板上に設けられ
    た第１導電型の第１半導体層と、前記第１半導体層上に
    設けられ、自然放出光を発生して放出する活性層と、前
    記活性層上に設けられた第２導電型の第２半導体層と、
    前記半導体基板の裏面または前記第１半導体層上に設け
    られ、前記活性層及び前記第２半導体層と離隔した第１
    電極と、前記第２半導体層上に設けられた第２電極とを
    具備し、前記活性層から放出された発光を前記半導体基
    板または絶縁基板側から外部に取り出す半導体発光素子
    であって、前記第２電極は、 前記第２半導体層とオーミック接触が可能なオーミック
    電極と、 前記オーミック電極上に設けられ、高融点金属からなる
    第１バリア電極と、 前記第１バリア電極上に設けられ、前記活性層が放出す
    る発光の波長に対して高反射率を有する高反射率電極と
    を備え、前記第１バリア電極で、前記オーミック電極と
    前記高反射率電極内の原子が相互に拡散するのを防止す
    ることを特徴とする半導体発光素子。
  2. 【請求項２】 前記第１バリア電極の膜厚は１０ｎｍ以
    下であり、前記活性層から放出された発光の波長に対し
    て透光性があり、 前記活性層から放出された発光のうちの一部は、前記オ
    ーミック電極及び前記第１バリア電極を透過して前記高
    反射率電極で反射され、前記半導体基板または絶縁基板
    側から外部に取り出されることを特徴とする請求項１記
    載の半導体発光素子。
  3. 【請求項３】 前記オーミック電極は、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｍ
    ｇ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ａｇ、Ａｕ、Ｇｅからなるグループの
    うちの少なくとも１つを主とする金属であり、 前記第１バリア電極は、Ｗ、Ｍｏ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｔｉ、
    Ｐｄ、Ｖからなるグループのうちの少なくとも１つを主
    とする金属であり、 前記高反射率電極は、ＡｌまたはＡｇを主とする金属で
    あることを特徴とする請求項１または２記載の半導体発
    光素子。
  4. 【請求項４】 前記オーミック電極及び前記バリア電極
    は、共にＮｉまたはＰｔを主とする材料により形成され
    ていることを特徴とする請求項１または２記載の半導体
    発光素子。
  5. 【請求項５】 前記オーミック電極は、前記第２半導体
    層上に島状に設けられ、前記第１バリア領域の一部は前
    記第２半導体層上に設けられており、 前記活性層から放出された発光のうちの一部は、前記オ
    ーミック電極及び第１バリア電極を透過して前記高反射
    率電極で反射されて、前記半導体基板または絶縁基板側
    から外部へ取り出され、 前記活性層から放出された発光のうちの他の一部は、前
    記オーミック電極を通過せずに前記第１バリア電極を透
    過して前記高反射率電極で反射されて、前記半導体基板
    または絶縁基板側から外部へ取り出されることを特徴と
    する請求項１乃至４いずれか１項記載の半導体発光素
    子。
  6. 【請求項６】 前記第２電極は、 前記高反射率電極上に設けられ、高融点金属からなる第
    ２バリア電極と、 前記第２バリア電極上に設けられ、アセンブリの際に該
    第２電極が接着される外部電極と導電性のあるオーバー
    コート電極とを更に備えることを特徴とする請求項１乃
    至５いずれか１項記載の半導体発光素子。
  7. 【請求項７】 前記第２電極は前記第２半導体層の中央
    部に位置するように設けられ、 前記第１電極は前記半導体基板の裏面縁部にのみ設けら
    れていることを特徴とする請求項１乃至６いずれか１項
    記載の半導体発光素子。
  8. 【請求項８】 前記第２電極は前記第２半導体層の中央
    部に位置するように設けられ、 前記第１電極は、前記第２電極が接着される外部電極が
    アセンブリ後に位置する外部電極配置領域を除いて、該
    第２電極を取り囲むようにして前記第１半導体層の縁部
    に設けられていることを特徴とする請求項１乃至６いず
    れか１項記載の半導体発光素子。
  9. 【請求項９】 半導体基板上に設けられた第１導電型の
    第１半導体層と、 前記第１半導体層上に設けられ、自然放出光を発生して
    放出する活性層と、 前記活性層上に設けられた第２導電型の第２半導体層
    と、 前記半導体基板の裏面縁部にのみ設けられた第１電極
    と、 前記第２半導体層上の中央部に位置するように設けられ
    た第２電極とを具備することを特徴とする半導体発光素
    子。
  10. 【請求項１０】 半導体基板または絶縁基板上に設けら
    れた第１導電型の第１半導体層と、 前記第１半導体層上に設けられ、自然放出光を発生して
    放出する活性層と、 前記活性層上に設けられた第２導電型の第２半導体層
    と、 前記第１半導体領域上に設けられ、前記活性層及び前記
    第２半導体層と離隔した第１電極と、 前記第２半導体層上の中央部に位置するように設けられ
    た第２電極とを具備し、前記第１電極は、 前記第２電極が接着される外部電極がアセンブリ後に位
    置する外部電極配置領域を除いて、該第２電極を取り囲
    むようにして前記第１半導体層の縁部に設けられている
    ことを特徴とする半導体発光素子。
  11. 【請求項１１】 実質的に透明な半導体基板上に設けら
    れた第１導電型の第１半導体層と、 前記第１半導体層上に設けられ、自然放出光を発生して
    放出する活性層と、 前記活性層上に設けられた第２導電型の第２半導体層
    と、 前記半導体基板の裏面の一部に設けられた第１電極と、 前記半導体基板の裏面の前記第１電極と同一面上に設け
    られ、前記第１電極よりも高反射率の光反射膜と、 前記第２半導体層上に設けられた第２電極とを具備し、
    前記活性層から前記第２半導体層側へ放出された発光は
    該第２半導体層を透過して外部へ取り出され、 前記活性層から前記第１半導体層側へ放出された発光は
    前記半導体基板を透過して前記光反射膜で反射されて前
    記第２半導体層側から取り出されることを特徴とする半
    導体発光素子。
  12. 【請求項１２】 前記第１、第２半導体層及び前記活性
    層は、前記半導体基板上の一部にのみ設けられ、 前記半導体基板上に、少なくとも前記第１、第２半導体
    層及び前記活性層の側面を取り囲むようにして設けられ
    た電流狭窄層と、 前記第１、第２半導体層、前記活性層及び前記電流狭窄
    層上に設けられた第３半導体層とを更に備え、 前記第２電極は前記半導体基板の裏面において、前記活
    性層の直下の領域に設けられ、該半導体基板の裏面のそ
    の他の領域には前記光反射膜が設けられ、 前記光反射膜で反射された発光は、前記電流狭窄層を透
    過して外部へ取り出されることを特徴とする請求項１１
    記載の半導体発光素子。
  13. 【請求項１３】 前記光反射膜は、少なくとも金属を主
    とする材料で構成されていることを特徴とする請求項１
    １または１２記載の半導体発光素子。
  14. 【請求項１４】 前記光反射膜は、少なくとも誘電体を
    主とする材料で構成されていることを特徴とする請求項
    １１または１２記載の半導体発光素子。
  15. 【請求項１５】 前記光反射膜は、少なくとも前記半導
    体基板よりも屈折率の高い高屈折率膜と、 前記高屈折率膜よりも屈折率の低い低屈折率膜との多層
    構造を有することを特徴とする請求項１１または１２記
    載の半導体発光素子。
  16. 【請求項１６】 前記第１、第２半導体層及び前記活性
    層は、ＩｎＰ、ＧａＰ、ＡｌＰ、ＧａＡｓの材料からな
    るグループのうち２つ以上の材料の混晶により構成され
    ていることを特徴とする請求項１１乃至１５いずれか１
    項記載の半導体発光素子。
  17. 【請求項１７】 外部との電力の授受を行うリードフレ
    ームと、 前記リードフレーム上に設けられ、該リードフレームと
    電気的に接続された導電性のサブマウントと、 前記サブマウント上に半導体基板または絶縁基板を上に
    して設けられ、前記サブマウントと電気的に接続された
    半導体発光素子と、 少なくとも前記サブマウント及び前記半導体発光素子を
    被覆する保護部材とを具備し、前記半導体発光素子は、 半導体基板または絶縁基板上に設けられた第１導電型の
    第１半導体層と、前記第１半導体層上に設けられ、自然
    放出光を発生して放出する活性層と、前記活性層上に設
    けられた第２導電型の第２半導体層と、前記半導体基板
    の裏面または前記第１半導体層上に設けられ、前記活性
    層及び前記第２半導体層と離隔した第１電極と、前記第
    ２半導体層上に設けられた第２電極とを具備し、前記活
    性層から放出された発光を前記半導体基板または絶縁基
    板側から外部に取り出す半導体発光素子であって、前記
    第２電極は、 前記第２半導体層とオーミック接触が可能なオーミック
    電極と、 前記オーミック電極上に設けられ、高融点金属からなる
    第１バリア電極と、 前記第１バリア電極上に設けられ、前記活性層が放出す
    る発光の波長に対して高反射率を有する高反射率電極と
    を備え、前記第１バリア電極で、前記オーミック電極と
    前記高反射率電極内の原子が相互に拡散するのを防止す
    ることを特徴とする半導体発光装置。
  18. 【請求項１８】 外部との電力の授受を行うリードフレ
    ームと、 前記リードフレーム上に設けられ、該リードフレームと
    電気的に接続された導電性のサブマウントと、 前記サブマウント上に半導体基板を下にして設けられ、
    前記サブマウントと電気的に接続された半導体発光素子
    と、 少なくとも前記サブマウント及び前記半導体発光素子を
    被覆する保護部材とを具備し、前記半導体発光素子は、 実質的に透明な半導体基板上に設けられた第１導電型の
    第１半導体層と、 前記第１半導体層上に設けられ、自然放出光を発生して
    放出する活性層と、 前記活性層上に設けられた第２導電型の第２半導体層
    と、 前記半導体基板の裏面の一部に設けられた第１電極と、 前記半導体基板の裏面の前記第１電極と同一面上に設け
    られ、前記第１電極よりも高反射率の光反射膜と、 前記第２半導体層上に設けられた第２電極とを具備し、
    前記活性層から前記第２半導体層側へ放出された発光は
    該第２半導体層を透過して外部へ取り出され、 前記活性層から前記第１半導体層側へ放出された発光は
    前記半導体基板を透過して前記光反射膜で反射されて前
    記第２半導体層側から取り出されることを特徴とする半
    導体発光装置。
  19. 【請求項１９】 半導体基板または絶縁基板上に第１導
    電型の第１半導体層を形成する工程と、前記第１半導体
    層上に自然放出光を発生、放出する活性層を形成する工
    程と、前記活性層上に第２導電型の第２半導体層を形成
    する工程と、前記第１、第２半導体層に電気的に接続す
    るように第１、第２電極をそれぞれ形成する工程とを具
    備する半導体発光素子の製造方法であって、前記第２電
    極を形成する工程は、 前記第２半導体層上に、前記第２半導体層とオーミック
    接触が可能なオーミック電極を形成する工程と、 前記第２半導体層と前記オーミック電極とのオーミック
    接触性を向上するための第１の熱処理を施す工程と、 前記オーミック電極上に高融点金属により第１バリア電
    極を形成する工程と、 前記第１バリア電極上に、前記活性層から放出される発
    光の波長に対して高反射率を有する高反射率電極を形成
    する工程と、 前記高反射率電極上に高融点金属により第２バリア電極
    を形成する工程と、 前記第２バリア電極上に、アセンブリの際に該第２電極
    が接着される外部電極と導電性のあるオーバーコート電
    極を形成する工程と、 前記第１の熱処理より低い温度で第２の熱処理を施す工
    程とを具備することを特徴とする半導体発光素子の製造
    方法。
JP2000200298A 2000-06-30 2000-06-30 半導体発光素子 Expired - Fee Related JP4024994B2 (ja)

Priority Applications (17)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000200298A JP4024994B2 (ja) 2000-06-30 2000-06-30 半導体発光素子
TW090113954A TW531902B (en) 2000-06-30 2001-06-08 Light emitting device, its manufacturing method, and semiconductor light emitting apparatus
US09/893,925 US20020014630A1 (en) 2000-06-30 2001-06-27 Light emitting element, method of manufacturing the same, and semiconductor device having light emitting element
CNB011218460A CN1196205C (zh) 2000-06-30 2001-06-29 半导体发光元件
CN200710159720A CN100587985C (zh) 2000-06-30 2001-06-29 半导体发光元件
KR10-2001-0038299A KR100469312B1 (ko) 2000-06-30 2001-06-29 반도체 발광소자와 그 제조방법 및 반도체 발광소자를 갖춘 반도체장치
EP01114891A EP1168460A3 (en) 2000-06-30 2001-06-29 Light emitting element, method of manufacturing the same, and semiconductor device having light emitting element
CNB2004100566398A CN100459183C (zh) 2000-06-30 2001-06-29 半导体发光元件及其制造方法以及半导体发光装置
US10/417,873 US6825502B2 (en) 2000-06-30 2003-04-17 Light emitting element, method of manufacturing the same, and semiconductor device having light emitting element
KR10-2003-0067466A KR100503907B1 (ko) 2000-06-30 2003-09-29 반도체 발광소자
US10/945,707 US7179671B2 (en) 2000-06-30 2004-09-21 Light emitting element, method of manufacturing the same, and semiconductor device having light emitting element
US10/946,787 US7138665B2 (en) 2000-06-30 2004-09-22 Light emitting element, method of manufacturing the same, and semiconductor device having light emitting element
US10/947,631 US7135714B2 (en) 2000-06-30 2004-09-22 Light emitting element, method of manufacturing the same, and semiconductor device having light emitting element
US10/946,668 US7138664B2 (en) 2000-06-30 2004-09-22 Semiconductor device having a light emitting element
US10/958,910 US20050056857A1 (en) 2000-06-30 2004-10-04 Light emitting element, method of manufacturing the same, and semiconductor device having light emitting element
US10/958,911 US7221002B2 (en) 2000-06-30 2004-10-04 Light emitting element, method of manufacturing the same, and semiconductor device having light emitting element
US11/121,453 US7355212B2 (en) 2000-06-30 2005-05-04 Light emitting element

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000200298A JP4024994B2 (ja) 2000-06-30 2000-06-30 半導体発光素子

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007148137A Division JP4625827B2 (ja) 2007-06-04 2007-06-04 半導体発光素子及び半導体発光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002026392A true JP2002026392A (ja) 2002-01-25
JP4024994B2 JP4024994B2 (ja) 2007-12-19

Family

ID=18698187

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000200298A Expired - Fee Related JP4024994B2 (ja) 2000-06-30 2000-06-30 半導体発光素子

Country Status (6)

Country Link
US (9) US20020014630A1 (ja)
EP (1) EP1168460A3 (ja)
JP (1) JP4024994B2 (ja)
KR (2) KR100469312B1 (ja)
CN (3) CN1196205C (ja)
TW (1) TW531902B (ja)

Cited By (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004128041A (ja) * 2002-09-30 2004-04-22 Toshiba Corp 半導体発光素子
JP2004281432A (ja) * 2003-03-12 2004-10-07 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体素子及びその製造方法
JP2004327980A (ja) * 2003-04-21 2004-11-18 Samsung Electronics Co Ltd 半導体発光ダイオード及びその製造方法
JP2004336021A (ja) * 2003-05-07 2004-11-25 Samsung Electronics Co Ltd 薄膜電極、及びその製造方法
WO2005008793A1 (ja) * 2003-07-23 2005-01-27 Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd. 発光素子及び発光素子の製造方法
JP2005072603A (ja) * 2003-08-25 2005-03-17 Samsung Electronics Co Ltd 窒化物系発光素子及びその製造方法
JP2005108982A (ja) * 2003-09-29 2005-04-21 Sanyo Electric Co Ltd 半導体発光素子
JP2005117040A (ja) * 2003-10-08 2005-04-28 Samsung Electronics Co Ltd 窒化物系発光素子及びその製造方法
JP2005210051A (ja) * 2004-01-19 2005-08-04 Samsung Electro Mech Co Ltd フリップチップ用窒化物半導体発光素子
JP2005317676A (ja) * 2004-04-27 2005-11-10 Sony Corp 半導体発光素子、半導体発光装置及び半導体発光素子の製造方法
JP2006041498A (ja) * 2004-06-24 2006-02-09 Showa Denko Kk 反射性正極およびそれを用いた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
US7023026B2 (en) 2004-03-09 2006-04-04 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device of III-V group compound semiconductor and fabrication method therefor
JP2006093675A (ja) * 2004-08-24 2006-04-06 Showa Denko Kk 化合物半導体発光素子用正極、該正極を用いた発光素子およびランプ
KR100571816B1 (ko) * 2003-09-08 2006-04-17 삼성전자주식회사 질화물계 발광소자 및 그 제조방법
JP2006121084A (ja) * 2004-10-20 2006-05-11 Arima Optoelectronics Corp 多層の複合金属コーティング層をフリップチップ電極とする発光ユニット
JP2006135026A (ja) * 2004-11-04 2006-05-25 Sharp Corp Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体発光素子およびその製造方法
JP2006245379A (ja) * 2005-03-04 2006-09-14 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光素子
JP2006287189A (ja) * 2005-03-30 2006-10-19 Samsung Electro Mech Co Ltd ３族窒化物発光素子
JP2006352089A (ja) * 2005-04-05 2006-12-28 Philips Lumileds Lightng Co Llc 温度依存性を低減したＡｌＩｎＧａＰのＬＥＤ
JP2007035990A (ja) * 2005-07-28 2007-02-08 Kyocera Corp 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法
KR100691264B1 (ko) 2005-07-20 2007-03-12 삼성전기주식회사 수직구조 질화물 반도체 발광소자
JP2007150310A (ja) * 2005-11-23 2007-06-14 Samsung Electro Mech Co Ltd 垂直構造窒化ガリウム系発光ダイオード素子
JP2007518260A (ja) * 2004-01-15 2007-07-05 ソウル オプト−デバイス シーオー エル ティー ディー 窒化ガリウム系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体素子及びその製造方法
JP2007201046A (ja) * 2006-01-25 2007-08-09 Kyocera Corp 化合物半導体及び発光素子
JP2007318157A (ja) * 2006-05-25 2007-12-06 Philips Lumileds Lightng Co Llc 半導体発光機器のための反射電極
JP2008103759A (ja) * 2007-12-26 2008-05-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光素子
JP2009117604A (ja) * 2007-11-06 2009-05-28 Sharp Corp 窒化物半導体発光ダイオード素子
JP2010074182A (ja) * 2009-12-17 2010-04-02 Mitsubishi Chemicals Corp 窒化物半導体発光素子
KR100978234B1 (ko) 2004-01-06 2010-08-26 삼성엘이디 주식회사 화합물 반도체 발광소자의 저저항 전극 및 이를 이용한화합물 반도체 발광소자
WO2010113405A1 (ja) * 2009-04-03 2010-10-07 パナソニック株式会社 窒化物系半導体素子およびその製造方法
WO2010113238A1 (ja) * 2009-04-03 2010-10-07 パナソニック株式会社 窒化物系半導体素子およびその製造方法
JP2011061246A (ja) * 2010-12-27 2011-03-24 Sharp Corp 窒化物半導体発光素子およびその製造方法
WO2011086620A1 (ja) * 2010-01-18 2011-07-21 パナソニック株式会社 窒化物系半導体素子およびその製造方法
US8115212B2 (en) 2004-07-29 2012-02-14 Showa Denko K.K. Positive electrode for semiconductor light-emitting device
JP2013065856A (ja) * 2004-03-12 2013-04-11 Samsung Electronics Co Ltd 窒化物系発光素子及びその製造方法
JP2013131700A (ja) * 2011-12-22 2013-07-04 Nichia Chem Ind Ltd ＧａＮ系半導体発光素子
US8581285B2 (en) 2010-05-28 2013-11-12 Citizen Holdings Co., Ltd. Semiconductor light-emitting element for flip-chip mounting
WO2014088201A1 (ko) * 2012-12-06 2014-06-12 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드 및 그것의 어플리케이션
JP2014168078A (ja) * 2002-04-09 2014-09-11 Lg Innotek Co Ltd 金属支持膜を使用した縦方向デバイスの製作方法
JP2015500576A (ja) * 2011-12-12 2015-01-05 センサー エレクトロニック テクノロジー インコーポレイテッド 紫外線反射型コンタクト
US8933543B2 (en) 2010-04-02 2015-01-13 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Nitride semiconductor element having m-plane angled semiconductor region and electrode including Mg and Ag
US9065018B2 (en) 2012-01-13 2015-06-23 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor light-emitting device and method of forming electrode
US9536924B2 (en) 2012-12-06 2017-01-03 Seoul Viosys Co., Ltd. Light-emitting diode and application therefor
US9818912B2 (en) 2011-12-12 2017-11-14 Sensor Electronic Technology, Inc. Ultraviolet reflective contact
KR20190102545A (ko) * 2018-02-26 2019-09-04 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자의 제조방법
CN113571622A (zh) * 2021-07-22 2021-10-29 厦门三安光电有限公司 发光二极管及其制备方法

Families Citing this family (154)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4024994B2 (ja) * 2000-06-30 2007-12-19 株式会社東芝 半導体発光素子
US6791119B2 (en) 2001-02-01 2004-09-14 Cree, Inc. Light emitting diodes including modifications for light extraction
US6794684B2 (en) 2001-02-01 2004-09-21 Cree, Inc. Reflective ohmic contacts for silicon carbide including a layer consisting essentially of nickel, methods of fabricating same, and light emitting devices including the same
JP5283293B2 (ja) * 2001-02-21 2013-09-04 ソニー株式会社 半導体発光素子
US7211833B2 (en) 2001-07-23 2007-05-01 Cree, Inc. Light emitting diodes including barrier layers/sublayers
US6740906B2 (en) * 2001-07-23 2004-05-25 Cree, Inc. Light emitting diodes including modifications for submount bonding
US20030189215A1 (en) 2002-04-09 2003-10-09 Jong-Lam Lee Method of fabricating vertical structure leds
AU2003251539A1 (en) * 2002-06-17 2003-12-31 Electrode for p-type gallium nitride-based semiconductors
DE10244200A1 (de) 2002-09-23 2004-04-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement
JP2006506827A (ja) * 2002-11-16 2006-02-23 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 光デバイス及びその製造方法
US6929966B2 (en) 2002-11-29 2005-08-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing a light-emitting semiconductor component
DE10307280B4 (de) * 2002-11-29 2005-09-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines lichtemittierenden Halbleiterbauelements
DE10350707B4 (de) * 2003-02-26 2014-02-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektrischer Kontakt für optoelektronischen Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung
TWI243488B (en) * 2003-02-26 2005-11-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Electrical contact-area for optoelectronic semiconductor-chip and its production method
US7141828B2 (en) 2003-03-19 2006-11-28 Gelcore, Llc Flip-chip light emitting diode with a thermally stable multiple layer reflective p-type contact
US7538361B2 (en) * 2003-03-24 2009-05-26 Showa Denko K.K. Ohmic electrode structure, compound semiconductor light emitting device having the same, and LED lamp
US7083993B2 (en) * 2003-04-15 2006-08-01 Luminus Devices, Inc. Methods of making multi-layer light emitting devices
US20040259279A1 (en) 2003-04-15 2004-12-23 Erchak Alexei A. Light emitting device methods
US7521854B2 (en) * 2003-04-15 2009-04-21 Luminus Devices, Inc. Patterned light emitting devices and extraction efficiencies related to the same
US6831302B2 (en) 2003-04-15 2004-12-14 Luminus Devices, Inc. Light emitting devices with improved extraction efficiency
US7098589B2 (en) 2003-04-15 2006-08-29 Luminus Devices, Inc. Light emitting devices with high light collimation
US7667238B2 (en) 2003-04-15 2010-02-23 Luminus Devices, Inc. Light emitting devices for liquid crystal displays
US7084434B2 (en) 2003-04-15 2006-08-01 Luminus Devices, Inc. Uniform color phosphor-coated light-emitting diode
US7274043B2 (en) 2003-04-15 2007-09-25 Luminus Devices, Inc. Light emitting diode systems
US7074631B2 (en) * 2003-04-15 2006-07-11 Luminus Devices, Inc. Light emitting device methods
US7166871B2 (en) * 2003-04-15 2007-01-23 Luminus Devices, Inc. Light emitting systems
US7262550B2 (en) 2003-04-15 2007-08-28 Luminus Devices, Inc. Light emitting diode utilizing a physical pattern
US7105861B2 (en) * 2003-04-15 2006-09-12 Luminus Devices, Inc. Electronic device contact structures
US7211831B2 (en) * 2003-04-15 2007-05-01 Luminus Devices, Inc. Light emitting device with patterned surfaces
US6969874B1 (en) * 2003-06-12 2005-11-29 Sandia Corporation Flip-chip light emitting diode with resonant optical microcavity
TWI220076B (en) * 2003-08-27 2004-08-01 Au Optronics Corp Light-emitting device
FR2859312B1 (fr) * 2003-09-02 2006-02-17 Soitec Silicon On Insulator Scellement metallique multifonction
US7341880B2 (en) * 2003-09-17 2008-03-11 Luminus Devices, Inc. Light emitting device processes
US7344903B2 (en) 2003-09-17 2008-03-18 Luminus Devices, Inc. Light emitting device processes
KR100576849B1 (ko) 2003-09-19 2006-05-10 삼성전기주식회사 발광소자 및 그 제조방법
EP1521312A3 (de) * 2003-09-30 2008-01-16 Osram Opto Semiconductors GmbH Optoelektronisches Bauelement mit einem metallisierten Träger
KR100647278B1 (ko) * 2003-10-27 2006-11-17 삼성전자주식회사 ＩＩＩ - Ｖ 족 ＧａＮ 계 화합물 반도체 및 이에적용되는 ｐ-형 전극
US7341882B2 (en) * 2003-11-18 2008-03-11 Uni Light Technology Inc. Method for forming an opto-electronic device
US7450311B2 (en) 2003-12-12 2008-11-11 Luminus Devices, Inc. Optical display systems and methods
US20050133806A1 (en) * 2003-12-17 2005-06-23 Hui Peng P and N contact pad layout designs of GaN based LEDs for flip chip packaging
KR100506741B1 (ko) * 2003-12-24 2005-08-08 삼성전기주식회사 플립칩용 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
US7960746B2 (en) * 2004-01-06 2011-06-14 Samsung Led Co., Ltd. Low resistance electrode and compound semiconductor light emitting device including the same
US7183588B2 (en) * 2004-01-08 2007-02-27 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light emission device
JP2005223165A (ja) * 2004-02-06 2005-08-18 Sanyo Electric Co Ltd 窒化物系発光素子
JP2005228924A (ja) * 2004-02-13 2005-08-25 Toshiba Corp 半導体発光素子
US10575376B2 (en) 2004-02-25 2020-02-25 Lynk Labs, Inc. AC light emitting diode and AC LED drive methods and apparatus
WO2011143510A1 (en) 2010-05-12 2011-11-17 Lynk Labs, Inc. Led lighting system
US10499465B2 (en) 2004-02-25 2019-12-03 Lynk Labs, Inc. High frequency multi-voltage and multi-brightness LED lighting devices and systems and methods of using same
JP2005277372A (ja) * 2004-02-25 2005-10-06 Sanken Electric Co Ltd 半導体発光素子及びその製造方法
KR20050095721A (ko) * 2004-03-27 2005-09-30 삼성전자주식회사 ＩＩＩ - Ｖ 족 ＧａＮ 계 화합물 반도체 발광소자 및 그제조방법
JP2005347632A (ja) * 2004-06-04 2005-12-15 Sharp Corp 半導体装置および電子機器
CN100463243C (zh) * 2004-06-14 2009-02-18 北京大学 一种顶出光电极及其制备方法
US20080283850A1 (en) * 2004-06-24 2008-11-20 Koji Kamei Reflective Positive Electrode and Gallium Nitride-Based Compound Semiconductor Light-Emitting Device Using the Same
TWI374552B (en) * 2004-07-27 2012-10-11 Cree Inc Ultra-thin ohmic contacts for p-type nitride light emitting devices and methods of forming
US7557380B2 (en) * 2004-07-27 2009-07-07 Cree, Inc. Light emitting devices having a reflective bond pad and methods of fabricating light emitting devices having reflective bond pads
US20060038188A1 (en) 2004-08-20 2006-02-23 Erchak Alexei A Light emitting diode systems
KR100773538B1 (ko) * 2004-10-07 2007-11-07 삼성전자주식회사 반사 전극 및 이를 구비하는 화합물 반도체 발광소자
US7679097B2 (en) * 2004-10-21 2010-03-16 Nichia Corporation Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same
US20060113548A1 (en) * 2004-11-29 2006-06-01 Ching-Chung Chen Light emitting diode
CN100358167C (zh) * 2004-12-17 2007-12-26 北京工业大学 一种GaN基LED高反电极
CN1330011C (zh) * 2004-12-17 2007-08-01 北京工业大学 低接触电阻、低光吸收、全角高反射的led电极
CN100435360C (zh) * 2004-12-27 2008-11-19 北京大学 带有二维自然散射出光面的led芯片的制备方法
EP1681712A1 (en) * 2005-01-13 2006-07-19 S.O.I. Tec Silicon on Insulator Technologies S.A. Method of producing substrates for optoelectronic applications
US7045375B1 (en) * 2005-01-14 2006-05-16 Au Optronics Corporation White light emitting device and method of making same
TWI244780B (en) * 2005-01-19 2005-12-01 Chih-Chen Chou LED package method
TWI247441B (en) * 2005-01-21 2006-01-11 United Epitaxy Co Ltd Light emitting diode and fabricating method thereof
US7692207B2 (en) * 2005-01-21 2010-04-06 Luminus Devices, Inc. Packaging designs for LEDs
US7170100B2 (en) 2005-01-21 2007-01-30 Luminus Devices, Inc. Packaging designs for LEDs
CN100379042C (zh) * 2005-02-18 2008-04-02 乐清市亿昊科技发展有限公司 发光二极管管芯的基底结构体及制造基底结构体的方法
US20070045640A1 (en) 2005-08-23 2007-03-01 Erchak Alexei A Light emitting devices for liquid crystal displays
US7411225B2 (en) * 2005-03-21 2008-08-12 Lg Electronics Inc. Light source apparatus
JP2006269912A (ja) * 2005-03-25 2006-10-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光素子及びその製造方法
EP1708283A1 (en) * 2005-04-02 2006-10-04 Lg Electronics Inc. Light source apparatus and fabrication method thereof
JP4963807B2 (ja) * 2005-08-04 2012-06-27 昭和電工株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
SG130975A1 (en) * 2005-09-29 2007-04-26 Tinggi Tech Private Ltd Fabrication of semiconductor devices for light emission
CN100375303C (zh) * 2005-10-27 2008-03-12 晶能光电（江西）有限公司 含有金锗镍的欧姆电极、铟镓铝氮半导体发光元件及制造方法
US8044412B2 (en) 2006-01-20 2011-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Package for a light emitting element
JP2007214276A (ja) * 2006-02-08 2007-08-23 Mitsubishi Chemicals Corp 発光素子
US7622746B1 (en) * 2006-03-17 2009-11-24 Bridgelux, Inc. Highly reflective mounting arrangement for LEDs
KR101198763B1 (ko) * 2006-03-23 2012-11-12 엘지이노텍 주식회사 기둥 구조와 이를 이용한 발광 소자 및 그 형성방법
US7423297B2 (en) * 2006-05-03 2008-09-09 3M Innovative Properties Company LED extractor composed of high index glass
US7479466B2 (en) * 2006-07-14 2009-01-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method of heating semiconductor wafer to improve wafer flatness
US8045595B2 (en) * 2006-11-15 2011-10-25 Cree, Inc. Self aligned diode fabrication method and self aligned laser diode
US7813400B2 (en) * 2006-11-15 2010-10-12 Cree, Inc. Group-III nitride based laser diode and method for fabricating same
KR100836494B1 (ko) * 2006-12-26 2008-06-09 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자
CN100403568C (zh) * 2006-12-30 2008-07-16 武汉华灿光电有限公司 一种氮化镓基ⅲ-ⅴ族化合物半导体器件的电极
US8110425B2 (en) 2007-03-20 2012-02-07 Luminus Devices, Inc. Laser liftoff structure and related methods
JP2008288248A (ja) * 2007-05-15 2008-11-27 Hitachi Cable Ltd 半導体発光素子
KR100872717B1 (ko) 2007-06-22 2008-12-05 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 그 제조방법
US8441018B2 (en) * 2007-08-16 2013-05-14 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Direct bandgap substrates and methods of making and using
US11297705B2 (en) 2007-10-06 2022-04-05 Lynk Labs, Inc. Multi-voltage and multi-brightness LED lighting devices and methods of using same
US11317495B2 (en) 2007-10-06 2022-04-26 Lynk Labs, Inc. LED circuits and assemblies
US9024327B2 (en) 2007-12-14 2015-05-05 Cree, Inc. Metallization structure for high power microelectronic devices
CN101499510B (zh) * 2008-01-30 2011-06-22 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 半导体发光元件
KR100980649B1 (ko) * 2008-05-20 2010-09-08 고려대학교 산학협력단 굴곡이 형성된 반사층을 포함하는 발광소자 및 그 제조방법
US7875534B2 (en) * 2008-07-21 2011-01-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Realizing N-face III-nitride semiconductors by nitridation treatment
US9293656B2 (en) 2012-11-02 2016-03-22 Epistar Corporation Light emitting device
US8716723B2 (en) 2008-08-18 2014-05-06 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Reflective layer between light-emitting diodes
US20100055479A1 (en) * 2008-08-29 2010-03-04 Caterpillar Inc. Coating for a combustion chamber defining component
CN102376841A (zh) * 2008-12-22 2012-03-14 亿光电子工业股份有限公司 发光二极管结构及其制作方法
CN101752475B (zh) * 2008-12-22 2012-06-20 亿光电子工业股份有限公司 发光二极管结构及其制作方法
TWI384660B (zh) * 2009-01-23 2013-02-01 Everlight Electronics Co Ltd 發光二極體封裝結構及其製作方法
WO2010113399A1 (ja) * 2009-04-02 2010-10-07 パナソニック株式会社 窒化物系半導体素子およびその製造方法
US20100327300A1 (en) * 2009-06-25 2010-12-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. Contact for a semiconductor light emitting device
KR101041068B1 (ko) * 2009-06-29 2011-06-13 주식회사 프로텍 서브 마운트 기판을 이용한 발광 다이오드 제조 방법
US8076682B2 (en) * 2009-07-21 2011-12-13 Koninklijke Philips Electronics N.V. Contact for a semiconductor light emitting device
KR101081193B1 (ko) 2009-10-15 2011-11-07 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR101014013B1 (ko) 2009-10-15 2011-02-10 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR101072034B1 (ko) 2009-10-15 2011-10-10 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
CN102770975B (zh) * 2010-02-26 2015-08-05 日亚化学工业株式会社 氮化物半导体发光元件及其制造方法
KR101039879B1 (ko) * 2010-04-12 2011-06-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
CN102315354B (zh) * 2010-06-29 2013-11-06 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管的封装结构
US9548286B2 (en) * 2010-08-09 2017-01-17 Micron Technology, Inc. Solid state lights with thermal control elements
KR101731056B1 (ko) * 2010-08-13 2017-04-27 서울바이오시스 주식회사 오믹 전극 구조체를 갖는 반도체 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
DE102010045784B4 (de) 2010-09-17 2022-01-20 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterchip
JP5016712B2 (ja) * 2010-09-21 2012-09-05 三井金属鉱業株式会社 電極箔および有機デバイス
JP4940363B1 (ja) 2011-02-28 2012-05-30 株式会社東芝 半導体発光素子及び半導体発光装置
JP2012204373A (ja) * 2011-03-23 2012-10-22 Toyoda Gosei Co Ltd 半導体発光素子
CN102738331A (zh) * 2011-04-08 2012-10-17 新世纪光电股份有限公司 垂直式发光二极管结构及其制作方法
CN103493225A (zh) 2011-07-06 2014-01-01 松下电器产业株式会社 氮化物半导体发光元件及其制造方法
JP6077201B2 (ja) * 2011-08-11 2017-02-08 昭和電工株式会社 発光ダイオードおよびその製造方法
US20140239809A1 (en) 2011-08-18 2014-08-28 Lynk Labs, Inc. Devices and systems having ac led circuits and methods of driving the same
CN102956791B (zh) * 2011-08-18 2015-04-29 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构
WO2013082609A1 (en) 2011-12-02 2013-06-06 Lynk Labs, Inc. Color temperature controlled and low thd led lighting devices and systems and methods of driving the same
GB201202222D0 (en) * 2012-02-09 2012-03-28 Mled Ltd Enhanced light extraction
US9306124B2 (en) 2012-05-17 2016-04-05 Epistar Corporation Light emitting device with reflective electrode
US9209356B2 (en) * 2012-06-08 2015-12-08 Epistar Corporation Light-emitting element including a light-emitting stack with an uneven upper surface
US9269662B2 (en) * 2012-10-17 2016-02-23 Cree, Inc. Using stress reduction barrier sub-layers in a semiconductor die
CN102956777B (zh) * 2012-10-26 2015-07-15 江苏威纳德照明科技有限公司 具有界面绒化层的GaP基发光二极管及其制造方法
US9082935B2 (en) * 2012-11-05 2015-07-14 Epistar Corporation Light-emitting element and the light-emitting array having the same
KR20140086624A (ko) * 2012-12-28 2014-07-08 삼성전자주식회사 질화물 반도체 발광 소자
US10276749B2 (en) 2013-01-09 2019-04-30 Sensor Electronic Technology, Inc. Ultraviolet reflective rough adhesive contact
WO2014110197A1 (en) 2013-01-09 2014-07-17 Sensor Electronic Technology, Inc. Ultraviolet reflective rough adhesive contact
US9768357B2 (en) 2013-01-09 2017-09-19 Sensor Electronic Technology, Inc. Ultraviolet reflective rough adhesive contact
KR20140116574A (ko) * 2013-03-25 2014-10-06 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 발광소자 및 이의 제조방법
CN103178180A (zh) * 2013-03-26 2013-06-26 合肥彩虹蓝光科技有限公司 低成本高导电率的新型金属电极垫片及其制备方法
JP6023660B2 (ja) * 2013-05-30 2016-11-09 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子及び半導体発光装置
CN103594597B (zh) * 2013-10-22 2016-09-07 溧阳市东大技术转移中心有限公司 一种发光器件上的叠层电极
TWI514628B (zh) * 2013-10-24 2015-12-21 Lextar Electronics Corp 電極結構與具有電極結構的發光二極體結構
CN104681685A (zh) * 2013-11-28 2015-06-03 亚世达科技股份有限公司 发光二极管装置及灯具
JP6252302B2 (ja) * 2014-03-28 2017-12-27 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
CN104103733B (zh) * 2014-06-18 2018-06-05 华灿光电(苏州）有限公司 一种倒装发光二极管芯片及其制造方法
KR20160029942A (ko) * 2014-09-05 2016-03-16 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
CN104409601A (zh) * 2014-11-05 2015-03-11 扬州中科半导体照明有限公司 具有双反射层的倒装发光二极管芯片
KR102373677B1 (ko) * 2015-08-24 2022-03-14 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자
JP2017054901A (ja) * 2015-09-09 2017-03-16 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体発光装置とその製造方法
DE102015116855A1 (de) * 2015-10-05 2017-04-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement mit einem Leiterrahmen mit einer Versteifungsstruktur
US10043941B1 (en) * 2017-01-31 2018-08-07 International Business Machines Corporation Light emitting diode having improved quantum efficiency at low injection current
US11079077B2 (en) 2017-08-31 2021-08-03 Lynk Labs, Inc. LED lighting system and installation methods
KR102624112B1 (ko) 2018-10-23 2024-01-12 서울바이오시스 주식회사 플립칩형 발광 다이오드 칩
CN110034219A (zh) * 2019-04-28 2019-07-19 福建兆元光电有限公司 发光二极管及其制造方法
CN111129251A (zh) * 2019-12-30 2020-05-08 广东德力光电有限公司 一种高焊接性倒装led芯片的电极结构
CN111653653B (zh) * 2020-06-17 2021-10-22 京东方科技集团股份有限公司 一种发光器件及其制作方法、显示面板
CN112768582B (zh) * 2021-02-26 2022-03-25 南京大学 包含高反射n-GaN欧姆接触的倒装LED芯片及其制作方法

Citations (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS49149679U (ja) * 1973-04-27 1974-12-25
JPS6316622A (ja) * 1986-07-08 1988-01-23 Sanyo Electric Co Ltd 電極形成方法
JPH0488684A (ja) * 1990-08-01 1992-03-23 Koito Mfg Co Ltd Ｌｅｄチップの電極構造
JPH05291698A (ja) * 1992-04-10 1993-11-05 Nec Corp 面型光半導体素子およびその製造方法
JPH0645651A (ja) * 1992-05-22 1994-02-18 Sanyo Electric Co Ltd ｎ型ＳｉＣ用電極とその形成方法
JPH0669546A (ja) * 1992-08-21 1994-03-11 Asahi Chem Ind Co Ltd 発光ダイオード
JPH0738146A (ja) * 1993-07-20 1995-02-07 Victor Co Of Japan Ltd 半導体発光装置
JPH0864864A (ja) * 1994-08-25 1996-03-08 Sharp Corp 発光ダイオードアレイ及びその製造方法
JPH0927639A (ja) * 1995-07-12 1997-01-28 Toshiba Corp 半導体装置
JPH09129932A (ja) * 1995-10-30 1997-05-16 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体発光素子
JPH09186365A (ja) * 1995-12-21 1997-07-15 Hewlett Packard Co <Hp> 発光半導体デバイス用高反射性接点及びその製造方法
JPH1140848A (ja) * 1997-07-17 1999-02-12 Matsushita Electron Corp 発光装置
JPH11186613A (ja) * 1997-12-19 1999-07-09 Matsushita Electron Corp 半導体発光装置
JPH11191641A (ja) * 1997-10-14 1999-07-13 Matsushita Electron Corp 半導体発光素子とこれを用いた半導体発光装置及びその製造方法
JPH11220168A (ja) * 1998-02-02 1999-08-10 Toyoda Gosei Co Ltd 窒化ガリウム系化合物半導体素子及びその製造方法
JPH11251633A (ja) * 1998-03-04 1999-09-17 Toyoda Gosei Co Ltd 窒化ガリウム系化合物半導体素子
JP2000091638A (ja) * 1998-09-14 2000-03-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
JP2000164928A (ja) * 1998-11-25 2000-06-16 Toshiba Electronic Engineering Corp 半導体発光素子およびその製造方法
JP2001203386A (ja) * 1999-12-22 2001-07-27 Lumileds Lighting Us Llc 光生成能力を高めたｉｉｉ−窒化物発光デバイス

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1139412A (en) * 1980-09-10 1983-01-11 Northern Telecom Limited Light emitting diodes with high external quantum efficiency
US4510514A (en) * 1983-08-08 1985-04-09 At&T Bell Laboratories Ohmic contacts for semiconductor devices
US5578162A (en) * 1993-06-25 1996-11-26 Lucent Technologies Inc. Integrated composite semiconductor devices and method for manufacture thereof
JP3627822B2 (ja) * 1994-08-18 2005-03-09 ローム株式会社 半導体発光素子、およびその製造方法
US5557115A (en) * 1994-08-11 1996-09-17 Rohm Co. Ltd. Light emitting semiconductor device with sub-mount
JP3057547B2 (ja) 1995-04-12 2000-06-26 財団法人半導体研究振興会 緑色発光ダイオード
JP3065509B2 (ja) * 1995-06-02 2000-07-17 スタンレー電気株式会社 表面実装型発光ダイオード
US5625202A (en) * 1995-06-08 1997-04-29 University Of Central Florida Modified wurtzite structure oxide compounds as substrates for III-V nitride compound semiconductor epitaxial thin film growth
KR100264424B1 (ko) * 1995-06-21 2000-08-16 사토 게니치로 발광 다이오드칩 및 이를 사용한 발광 다이오드
US5760423A (en) * 1996-11-08 1998-06-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device, electrode of the same device and method of manufacturing the same device
US5977566A (en) * 1996-06-05 1999-11-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Compound semiconductor light emitter
FR2750804B1 (fr) * 1996-07-04 1998-09-11 Alsthom Cge Alcatel Procede de fabrication d'un laser a emission par la surface
JP3504079B2 (ja) * 1996-08-31 2004-03-08 株式会社東芝 半導体発光ダイオード素子の製造方法
US6268618B1 (en) * 1997-05-08 2001-07-31 Showa Denko K.K. Electrode for light-emitting semiconductor devices and method of producing the electrode
JPH118410A (ja) 1997-06-18 1999-01-12 Nichia Chem Ind Ltd ｎ型窒化物半導体の電極
KR100235994B1 (ko) * 1997-07-10 1999-12-15 구자홍 발광 다이오드 및 그 제조방법
CA2311896A1 (en) 1997-11-27 1999-06-24 Max-Planck-Gesellschaft Zur Forderung Der Wissenschaften E.V. Improved method for the identification and characterization of interacting molecules using automation
EP1928034A3 (en) * 1997-12-15 2008-06-18 Philips Lumileds Lighting Company LLC Light emitting device
KR19990052640A (ko) * 1997-12-23 1999-07-15 김효근 오믹접촉 형성을 이용한 다이오드용 금속박막및 그의 제조방법
JPH11229168A (ja) 1998-02-17 1999-08-24 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 過酸化水素発生装置
JP4183299B2 (ja) * 1998-03-25 2008-11-19 株式会社東芝 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
JPH11298040A (ja) 1998-04-10 1999-10-29 Sharp Corp 半導体発光素子及びその製造方法
JP3736181B2 (ja) * 1998-05-13 2006-01-18 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子
DE19921987B4 (de) * 1998-05-13 2007-05-16 Toyoda Gosei Kk Licht-Abstrahlende Halbleitervorrichtung mit Gruppe-III-Element-Nitrid-Verbindungen
JP3785820B2 (ja) * 1998-08-03 2006-06-14 豊田合成株式会社 発光装置
JP2000156527A (ja) * 1998-11-19 2000-06-06 Matsushita Electronics Industry Corp 半導体発光装置
US6307218B1 (en) * 1998-11-20 2001-10-23 Lumileds Lighting, U.S., Llc Electrode structures for light emitting devices
US6222207B1 (en) * 1999-05-24 2001-04-24 Lumileds Lighting, U.S. Llc Diffusion barrier for increased mirror reflectivity in reflective solderable contacts on high power LED chip
US6133589A (en) * 1999-06-08 2000-10-17 Lumileds Lighting, U.S., Llc AlGaInN-based LED having thick epitaxial layer for improved light extraction
US6992334B1 (en) * 1999-12-22 2006-01-31 Lumileds Lighting U.S., Llc Multi-layer highly reflective ohmic contacts for semiconductor devices
JP2001217456A (ja) * 2000-02-03 2001-08-10 Sharp Corp 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
US6586328B1 (en) * 2000-06-05 2003-07-01 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Method to metallize ohmic electrodes to P-type group III nitrides
JP4024994B2 (ja) * 2000-06-30 2007-12-19 株式会社東芝 半導体発光素子
US6445007B1 (en) * 2001-03-19 2002-09-03 Uni Light Technology Inc. Light emitting diodes with spreading and improving light emitting area
JP2002368275A (ja) * 2001-06-11 2002-12-20 Toyoda Gosei Co Ltd 半導体素子及びその製造方法
JP4055503B2 (ja) * 2001-07-24 2008-03-05 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
CN100459189C (zh) * 2003-11-19 2009-02-04 日亚化学工业株式会社 半导体元件

Patent Citations (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS49149679U (ja) * 1973-04-27 1974-12-25
JPS6316622A (ja) * 1986-07-08 1988-01-23 Sanyo Electric Co Ltd 電極形成方法
JPH0488684A (ja) * 1990-08-01 1992-03-23 Koito Mfg Co Ltd Ｌｅｄチップの電極構造
JPH05291698A (ja) * 1992-04-10 1993-11-05 Nec Corp 面型光半導体素子およびその製造方法
JPH0645651A (ja) * 1992-05-22 1994-02-18 Sanyo Electric Co Ltd ｎ型ＳｉＣ用電極とその形成方法
JPH0669546A (ja) * 1992-08-21 1994-03-11 Asahi Chem Ind Co Ltd 発光ダイオード
JPH0738146A (ja) * 1993-07-20 1995-02-07 Victor Co Of Japan Ltd 半導体発光装置
JPH0864864A (ja) * 1994-08-25 1996-03-08 Sharp Corp 発光ダイオードアレイ及びその製造方法
JPH0927639A (ja) * 1995-07-12 1997-01-28 Toshiba Corp 半導体装置
JPH09129932A (ja) * 1995-10-30 1997-05-16 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体発光素子
JPH09186365A (ja) * 1995-12-21 1997-07-15 Hewlett Packard Co <Hp> 発光半導体デバイス用高反射性接点及びその製造方法
JPH1140848A (ja) * 1997-07-17 1999-02-12 Matsushita Electron Corp 発光装置
JPH11191641A (ja) * 1997-10-14 1999-07-13 Matsushita Electron Corp 半導体発光素子とこれを用いた半導体発光装置及びその製造方法
JPH11186613A (ja) * 1997-12-19 1999-07-09 Matsushita Electron Corp 半導体発光装置
JPH11220168A (ja) * 1998-02-02 1999-08-10 Toyoda Gosei Co Ltd 窒化ガリウム系化合物半導体素子及びその製造方法
JPH11251633A (ja) * 1998-03-04 1999-09-17 Toyoda Gosei Co Ltd 窒化ガリウム系化合物半導体素子
JP2000091638A (ja) * 1998-09-14 2000-03-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
JP2000164928A (ja) * 1998-11-25 2000-06-16 Toshiba Electronic Engineering Corp 半導体発光素子およびその製造方法
JP2001203386A (ja) * 1999-12-22 2001-07-27 Lumileds Lighting Us Llc 光生成能力を高めたｉｉｉ−窒化物発光デバイス

Cited By (76)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10147847B2 (en) 2002-04-09 2018-12-04 Lg Innotek Co., Ltd. Vertical topology light emitting device
US10453998B2 (en) 2002-04-09 2019-10-22 Lg Innotek Co. Ltd. Vertical topology light emitting device
US9209360B2 (en) 2002-04-09 2015-12-08 Lg Innotek Co., Ltd. Vertical topology light-emitting device
US9478709B2 (en) 2002-04-09 2016-10-25 Lg Innotek Co., Ltd. Vertical topology light emitting device
JP2014168078A (ja) * 2002-04-09 2014-09-11 Lg Innotek Co Ltd 金属支持膜を使用した縦方向デバイスの製作方法
US9847455B2 (en) 2002-04-09 2017-12-19 Lg Innotek Co., Ltd. Vertical topology light emitting device
US10644200B2 (en) 2002-04-09 2020-05-05 Lg Innotek Co., Ltd. Vertical topology light emitting device
JP2004128041A (ja) * 2002-09-30 2004-04-22 Toshiba Corp 半導体発光素子
JP2004281432A (ja) * 2003-03-12 2004-10-07 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体素子及びその製造方法
JP2004327980A (ja) * 2003-04-21 2004-11-18 Samsung Electronics Co Ltd 半導体発光ダイオード及びその製造方法
JP2004336021A (ja) * 2003-05-07 2004-11-25 Samsung Electronics Co Ltd 薄膜電極、及びその製造方法
WO2005008793A1 (ja) * 2003-07-23 2005-01-27 Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd. 発光素子及び発光素子の製造方法
JP2005072603A (ja) * 2003-08-25 2005-03-17 Samsung Electronics Co Ltd 窒化物系発光素子及びその製造方法
US7462877B2 (en) 2003-08-25 2008-12-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Nitride-based light emitting device, and method of manufacturing the same
KR100571816B1 (ko) * 2003-09-08 2006-04-17 삼성전자주식회사 질화물계 발광소자 및 그 제조방법
JP2005108982A (ja) * 2003-09-29 2005-04-21 Sanyo Electric Co Ltd 半導体発光素子
JP2005117040A (ja) * 2003-10-08 2005-04-28 Samsung Electronics Co Ltd 窒化物系発光素子及びその製造方法
KR100978234B1 (ko) 2004-01-06 2010-08-26 삼성엘이디 주식회사 화합물 반도체 발광소자의 저저항 전극 및 이를 이용한화합물 반도체 발광소자
JP2007518260A (ja) * 2004-01-15 2007-07-05 ソウル オプト−デバイス シーオー エル ティー ディー 窒化ガリウム系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体素子及びその製造方法
US8323999B2 (en) 2004-01-15 2012-12-04 Seoul Opto Device Co., Ltd. Gallium nitride-based III-V group compound semiconductor device and method of manufacturing the same
CN100403560C (zh) * 2004-01-19 2008-07-16 三星电机株式会社 倒装芯片氮化物半导体发光二极管
JP2005210051A (ja) * 2004-01-19 2005-08-04 Samsung Electro Mech Co Ltd フリップチップ用窒化物半導体発光素子
US7023026B2 (en) 2004-03-09 2006-04-04 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device of III-V group compound semiconductor and fabrication method therefor
JP2013065856A (ja) * 2004-03-12 2013-04-11 Samsung Electronics Co Ltd 窒化物系発光素子及びその製造方法
WO2005106974A1 (ja) * 2004-04-27 2005-11-10 Sony Corporation 半導体発光素子、半導体発光装置及び半導体発光素子の製造方法
JP2005317676A (ja) * 2004-04-27 2005-11-10 Sony Corp 半導体発光素子、半導体発光装置及び半導体発光素子の製造方法
US7700959B2 (en) 2004-04-27 2010-04-20 Sony Corporation Semiconductor light-emitting device, semiconductor light-emitting apparatus, and method of manufacturing semiconductor light-emitting device
JP2006041498A (ja) * 2004-06-24 2006-02-09 Showa Denko Kk 反射性正極およびそれを用いた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
US8115212B2 (en) 2004-07-29 2012-02-14 Showa Denko K.K. Positive electrode for semiconductor light-emitting device
JP2006093675A (ja) * 2004-08-24 2006-04-06 Showa Denko Kk 化合物半導体発光素子用正極、該正極を用いた発光素子およびランプ
JP2006121084A (ja) * 2004-10-20 2006-05-11 Arima Optoelectronics Corp 多層の複合金属コーティング層をフリップチップ電極とする発光ユニット
US7800126B2 (en) 2004-11-04 2010-09-21 Sharp Kabushiki Kaisha III-V group compound semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof
JP4592388B2 (ja) * 2004-11-04 2010-12-01 シャープ株式会社 Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体発光素子およびその製造方法
JP2006135026A (ja) * 2004-11-04 2006-05-25 Sharp Corp Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体発光素子およびその製造方法
JP2006245379A (ja) * 2005-03-04 2006-09-14 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光素子
JP2006287189A (ja) * 2005-03-30 2006-10-19 Samsung Electro Mech Co Ltd ３族窒化物発光素子
JP2006352089A (ja) * 2005-04-05 2006-12-28 Philips Lumileds Lightng Co Llc 温度依存性を低減したＡｌＩｎＧａＰのＬＥＤ
KR100691264B1 (ko) 2005-07-20 2007-03-12 삼성전기주식회사 수직구조 질화물 반도체 발광소자
JP2007035990A (ja) * 2005-07-28 2007-02-08 Kyocera Corp 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法
JP2007150310A (ja) * 2005-11-23 2007-06-14 Samsung Electro Mech Co Ltd 垂直構造窒化ガリウム系発光ダイオード素子
JP2007201046A (ja) * 2006-01-25 2007-08-09 Kyocera Corp 化合物半導体及び発光素子
JP2007318157A (ja) * 2006-05-25 2007-12-06 Philips Lumileds Lightng Co Llc 半導体発光機器のための反射電極
JP2009117604A (ja) * 2007-11-06 2009-05-28 Sharp Corp 窒化物半導体発光ダイオード素子
JP2008103759A (ja) * 2007-12-26 2008-05-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光素子
JP4568380B1 (ja) * 2009-04-03 2010-10-27 パナソニック株式会社 窒化物系半導体素子およびその製造方法
WO2010113238A1 (ja) * 2009-04-03 2010-10-07 パナソニック株式会社 窒化物系半導体素子およびその製造方法
WO2010113406A1 (ja) * 2009-04-03 2010-10-07 パナソニック株式会社 窒化物系半導体素子およびその製造方法
US8299490B2 (en) 2009-04-03 2012-10-30 Panasonic Corporation Nitride-based semiconductor device having electrode on m-plane
US8304802B2 (en) 2009-04-03 2012-11-06 Panasonic Corporation Nitride-based semiconductor device having electrode on m-plane
CN102007576B (zh) * 2009-04-03 2012-11-07 松下电器产业株式会社 氮化物系半导体元件及其制造方法
US8318594B2 (en) 2009-04-03 2012-11-27 Panasonic Corporation Method for fabricating nitride-based semiconductor device having electrode on m-plane
WO2010113237A1 (ja) * 2009-04-03 2010-10-07 パナソニック株式会社 窒化物系半導体素子およびその製造方法
US8334199B2 (en) 2009-04-03 2012-12-18 Panasonic Corporation Method for fabricating nitride-based semiconductor device having electrode on m-plane
CN102007576A (zh) * 2009-04-03 2011-04-06 松下电器产业株式会社 氮化物系半导体元件及其制造方法
JP4568379B1 (ja) * 2009-04-03 2010-10-27 パナソニック株式会社 窒化物系半導体素子およびその製造方法
WO2010113405A1 (ja) * 2009-04-03 2010-10-07 パナソニック株式会社 窒化物系半導体素子およびその製造方法
JP2010074182A (ja) * 2009-12-17 2010-04-02 Mitsubishi Chemicals Corp 窒化物半導体発光素子
WO2011086620A1 (ja) * 2010-01-18 2011-07-21 パナソニック株式会社 窒化物系半導体素子およびその製造方法
US8124986B2 (en) 2010-01-18 2012-02-28 Panasonic Corporation Nitride-based semiconductor device and method for fabricating the same
JP4792136B2 (ja) * 2010-01-18 2011-10-12 パナソニック株式会社 窒化物系半導体素子およびその製造方法
US8933543B2 (en) 2010-04-02 2015-01-13 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Nitride semiconductor element having m-plane angled semiconductor region and electrode including Mg and Ag
US8581285B2 (en) 2010-05-28 2013-11-12 Citizen Holdings Co., Ltd. Semiconductor light-emitting element for flip-chip mounting
JP2011061246A (ja) * 2010-12-27 2011-03-24 Sharp Corp 窒化物半導体発光素子およびその製造方法
US9818912B2 (en) 2011-12-12 2017-11-14 Sensor Electronic Technology, Inc. Ultraviolet reflective contact
JP2015500576A (ja) * 2011-12-12 2015-01-05 センサー エレクトロニック テクノロジー インコーポレイテッド 紫外線反射型コンタクト
JP2013131700A (ja) * 2011-12-22 2013-07-04 Nichia Chem Ind Ltd ＧａＮ系半導体発光素子
US9530938B2 (en) 2012-01-13 2016-12-27 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor light-emitting device and method of forming electrode
US9065018B2 (en) 2012-01-13 2015-06-23 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor light-emitting device and method of forming electrode
US9263644B2 (en) 2012-01-13 2016-02-16 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor light-emitting device and method of forming electrode
US9536924B2 (en) 2012-12-06 2017-01-03 Seoul Viosys Co., Ltd. Light-emitting diode and application therefor
WO2014088201A1 (ko) * 2012-12-06 2014-06-12 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드 및 그것의 어플리케이션
US10497836B2 (en) 2012-12-06 2019-12-03 Seoul Viosys Co., Ltd. Light-emitting diode and application therefor
KR20190102545A (ko) * 2018-02-26 2019-09-04 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자의 제조방법
KR102051477B1 (ko) * 2018-02-26 2019-12-04 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자의 제조방법
CN113571622A (zh) * 2021-07-22 2021-10-29 厦门三安光电有限公司 发光二极管及其制备方法
CN113571622B (zh) * 2021-07-22 2022-08-23 厦门三安光电有限公司 发光二极管及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20050040420A1 (en) 2005-02-24
TW531902B (en) 2003-05-11
US7138664B2 (en) 2006-11-21
CN1591918A (zh) 2005-03-09
US7179671B2 (en) 2007-02-20
US20020014630A1 (en) 2002-02-07
CN1330416A (zh) 2002-01-09
KR100503907B1 (ko) 2005-07-27
KR20020003101A (ko) 2002-01-10
US7138665B2 (en) 2006-11-21
US20050035363A1 (en) 2005-02-17
US20050051786A1 (en) 2005-03-10
US20030209720A1 (en) 2003-11-13
US20050218419A1 (en) 2005-10-06
CN100459183C (zh) 2009-02-04
US7135714B2 (en) 2006-11-14
EP1168460A3 (en) 2006-10-11
JP4024994B2 (ja) 2007-12-19
US6825502B2 (en) 2004-11-30
US20050040423A1 (en) 2005-02-24
US7355212B2 (en) 2008-04-08
EP1168460A2 (en) 2002-01-02
CN100587985C (zh) 2010-02-03
US20050037527A1 (en) 2005-02-17
KR20040010419A (ko) 2004-01-31
US20050056857A1 (en) 2005-03-17
CN1196205C (zh) 2005-04-06
KR100469312B1 (ko) 2005-02-02
CN101183699A (zh) 2008-05-21
US7221002B2 (en) 2007-05-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4024994B2 (ja) 半導体発光素子
US6462358B1 (en) Light emitting diode and method for manufacturing the same
US9472713B2 (en) Semiconductor light-emitting device
US6838704B2 (en) Light emitting diode and method of making the same
US9461201B2 (en) Light emitting diode dielectric mirror
JP2001144321A (ja) 発光素子及びその製造方法
JP2010263050A (ja) 発光ダイオード及びその製造方法、並びに発光ダイオードランプ
JP4625827B2 (ja) 半導体発光素子及び半導体発光装置
JP2011165799A (ja) フリップチップ型発光ダイオード及びその製造方法、並びに発光ダイオードランプ
TWI335114B (en) Optimized contact design for thermosonic bonding of flip-chip devices
JP2004228540A (ja) 発光素子
KR102133904B1 (ko) 발광 다이오드 유전체 거울
WO2010092741A1 (ja) 発光ダイオード及び発光ダイオードランプ
JP2003031852A (ja) 半導体発光素子、およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040824

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070315

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070403

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070604

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070717

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070822

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20071002

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20071004

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 4024994

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101012

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111012

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111012

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121012

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131012

Year of fee payment: 6

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees