JP2006352089A - 温度依存性を低減したAlInGaPのLED - Google Patents
温度依存性を低減したAlInGaPのLED Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006352089A JP2006352089A JP2006128666A JP2006128666A JP2006352089A JP 2006352089 A JP2006352089 A JP 2006352089A JP 2006128666 A JP2006128666 A JP 2006128666A JP 2006128666 A JP2006128666 A JP 2006128666A JP 2006352089 A JP2006352089 A JP 2006352089A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- lattice constant
- substrate
- growth
- epitaxial layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 97
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 64
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 34
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 42
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 20
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000032798 delamination Effects 0.000 claims description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 15
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 12
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 7
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 5
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 5
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 description 2
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 2
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 Hydrogen ions Chemical class 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N copper tungsten Chemical compound [Cu].[W] SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000001534 heteroepitaxy Methods 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- WGPCGCOKHWGKJJ-UHFFFAOYSA-N sulfanylidenezinc Chemical compound [Zn]=S WGPCGCOKHWGKJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
【解決手段】温度感受性を低減するために、望ましいAlInGaP層に等しいか又はほぼ等しい格子定数を有する加工した成長層が基板の上に形成される。一実施形態では、段階的InGaAs又はInGaP層をGaAs基板の上に成長させる。インジウムの量は、最終格子定数が望ましいAlInGaP活性層と等しくなるように層の成長中に増大される。別の実施形態では、歪んだ(圧縮された)非常に薄いInGaP、InGaAs、又はAlInGaP層をGaAs基板上に成長させる。InGaP、InGaAs、又はAlInGaPの薄い層は、次にGaAsから剥離されて弛緩し、薄い層の格子定数を望ましい上に重なるAlInGaPのLED層の格子定数まで増大させる。次に、LED層を薄いInGaP、InGaAs、又はAlInGaP層の上に成長させる。
【選択図】図2
Description
必要とされるものは、AlInGaPのLEDの温度感受性を低減する技術である。
1.L最小値時のキャリア母集団は、温度と共に増大し、直接バンドギャップ移行に関わる電子が少なくなる。
2.p型AlInP:Mg上部閉じ込め層によってもたらされた相対的に浅い導電帯バリアにわたってAlInGaP活性層からの温度上昇による電子漏れの増加がある。
3.温度が上がるとより活性になる非放射性「Hall−Shockley−Reed」再結合の増加による温度上昇に伴う放射性再結合の割合の低下がある。
AlInGaP活性層の組成は、スタック内の他のAlInGaPエピタキシャル層の増大格子定数の組成に正確に一致するように選択する必要はない(例えば、活性層内のyは、下に重なる層のyに等しいものである必要はない)。例えば、AlInGaP活性層が非常に薄い(又は、複数の薄い層で形成されている)場合、AlInGaP活性層の組成は、その格子定数が下のエピタキシャル成長層の増大格子定数に制限されるので、許容不能な欠陥を有することなく活性層が応力を受けるか又は歪むように選択することができる。すなわち、活性領域内の活性発光層又は他の層は、下に重なるAlInGaPエピタキシャル層に対して引張又は圧縮歪みの下で設けることができる。
多くの他の種類のパッケージを使用することができる。
19 基板
20 成長層
22 閉じ込め層
24 活性層
Claims (52)
- GaAsの格子定数よりも大きい格子定数を有する成長層上に形成された第1の導電型の第1の(AlxGa1-x)1-yInyPエピタキシャル層と、
前記GaAsの前記格子定数よりも大きくかつ前記成長層の前記格子定数にほぼ等しい格子定数を有するようにAl、Ga、In、及びPのあらゆる組合せを含む材料の1つ又はそれよりも多くの層を含み、可視光を放射する、前記第1の(AlxGa1-x)1-yInyPエピタキシャル層の上にエピタキシャル成長させた活性層と、
前記活性層の上に成長させた第2の導電型の第2のエピタキシャル層と、
を含む発光ダイオード(LED)部分、
を含むことを特徴とする発光素子。 - 0≦x≦1.0及びy>0.48であることを特徴とする請求項1に記載の素子。
- 前記成長層は、段階的InGaAs層上に形成されたエピタキシャル層を含むことを特徴とする請求項1に記載の素子。
- 前記成長層は、段階的InGaP層上に形成されたエピタキシャル層を含むことを特徴とする請求項1に記載の素子。
- 前記成長層は、GaAs基板の上に成長させたInGaP又はInGaAsのエピタキシャル層を含み、該InGaP又はInGaAs層は、該GaAs基板の上に重なる時に歪み、次に該GaAs基板から剥離された時にその格子定数を増大するように弛緩されたものであることを特徴とする請求項1に記載の素子。
- 前記活性層は、歪まないことを特徴とする請求項1に記載の素子。
- 前記活性層は、歪むことを特徴とする請求項1に記載の素子。
- 前記第1のエピタキシャル層は、n型閉じ込め層であり、前記第2のエピタキシャル層は、p型閉じ込め層であることを特徴とする請求項1に記載の素子。
- 前記第1のエピタキシャル層は、AlInP閉じ込め層であり、前記第2のエピタキシャル層も、AlInP閉じ込め層であることを特徴とする請求項1に記載の素子。
- 前記第2のエピタキシャル層の上に重なる反射材料を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の素子。
- 前記第2のエピタキシャル層の上に重なる透明窓層を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の素子。
- 前記成長層は、GaAs基板の上にエピタキシャル成長させたInGaP層であることを特徴とする請求項1に記載の素子。
- 前記成長層は、GaAs基板の上にエピタキシャル成長させたInGaAs層であることを特徴とする請求項1に記載の素子。
- 前記成長層を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の素子。
- yは、約0.53に等しいことを特徴とする請求項1に記載の素子。
- 前記活性層の前記格子定数は、5.66Åよりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の素子。
- 前記活性層の前記格子定数は、5.66Åと5.73Åの間であることを特徴とする請求項1に記載の素子。
- 前記可視光は、赤色光であることを特徴とする請求項1に記載の素子。
- 前記可視光は、黄色光であることを特徴とする請求項1に記載の素子。
- 前記可視光は、緑色光であることを特徴とする請求項1に記載の素子。
- 前記成長層は、InxGa1-xAsエピタキシャル層を含み、ただし、0<x<0.18であることを特徴とする請求項1に記載の素子。
- 前記成長層は、InyGa1-yPエピタキシャル層を含み、ただし、0.48<y<0.66であることを特徴とする請求項1に記載の素子。
- 前記第1のエピタキシャル層と前記活性層の間に少なくとも1つの介在エピタキシャル層を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の素子。
- 前記活性層と前記第2のエピタキシャル層の間に少なくとも1つの介在エピタキシャル層を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の素子。
- 前記活性層は、第1の表面と反対側の第2の表面とを有し、
前記活性層の前記第1の表面に対向して形成された窓層、及び該活性層の前記第2の表面に対向する結合基板、
を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の素子。 - 基板と、
前記基板と前記活性層の間の反射体と、
を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の素子。 - 前記活性層の少なくとも1つの表面に対向する少なくとも1つの反射体を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の素子。
- GaAsの格子定数よりも大きい格子定数を有する結晶成長層を第1の基板の上に形成する段階と、
第1の導電型の第1の(AlxGa1-x)1-yInyPエピタキシャル層と、第2の導電型の第2のエピタキシャル層と、Al、Ga、In、及びPのあらゆる組合せを含む材料の1つ又はそれよりも多くの層を含んで該第1及び第2のエピタキシャル層の間に配置された活性層とを含む発光ダイオード(LED)層を前記成長層の上に重ねて成長させる段階と、
を含み、
前記活性層は、前記GaAsの前記格子定数よりも大きくかつ前記成長層の前記格子定数にほぼ等しい格子定数を有し、
前記活性層は、可視光を放射する、
ことを特徴とする方法。 - 0≦x≦1.0及びy>0.48であることを特徴とする請求項28に記載の方法。
- 結晶成長層を形成する段階は、GaAs基板上に段階的InGaAs層を形成し、同時にGaAsの前記格子定数よりも大きい望ましい格子定数が得られるまでインジウムの量を増加する段階を含むことを特徴とする請求項28に記載の方法。
- 結晶成長層を形成する段階は、GaAs基板上に段階的InGaP層を形成し、同時にGaAsの前記格子定数よりも大きい望ましい格子定数が得られるまでインジウムの量を増加する段階を含むことを特徴とする請求項28に記載の方法。
- 結晶成長層を形成する段階は、
InGaP、InGaAs、又はAlInGaPを含み、かつ前記GaAsの上に重なる時に歪むエピタキシャル層をGaAs基板の上に成長させる段階と、
層間剥離層として作用するように水素を前記GaAs基板内に注入する段階と、
前記エピタキシャル層を前記第1の基板に結合する段階と、
前記水素が前記エピタキシャル層を前記GaAs基板から剥離させ、それによって前記歪んだエピタキシャル層が、該GaAs基板から剥離された時に弛緩して前記成長層を含み、かつその格子定数を増大するように、該GaAs基板を加熱する段階と、
を含む、
ことを特徴とする請求項28に記載の方法。 - 前記第1の基板の上に結合層を形成する段階、
を更に含み、
前記エピタキシャル層を前記第1の基板に結合する段階は、該エピタキシャル層を前記結合層に結合する段階を含む、
ことを特徴とする請求項32に記載の方法。 - 前記第1のエピタキシャル層は、n型閉じ込め層であり、前記第2のエピタキシャル層は、p型閉じ込め層であることを特徴とする請求項28に記載の方法。
- 前記第1のエピタキシャル層は、AlInP閉じ込め層であり、前記第2のエピタキシャル層も、AlInP閉じ込め層であることを特徴とする請求項28に記載の方法。
- 前記第2のエピタキシャル層の上に重ねて反射材料を形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項28に記載の方法。
- 前記第1の基板は、GaAs基板であり、
前記成長層は、前記GaAs基板の上にエピタキシャル成長させたInGaP層である、
ことを特徴とする請求項28に記載の方法。 - 前記第1の基板は、GaAs基板であり、
前記成長層は、前記GaAs基板の上にエピタキシャル成長させたAlInGaP層である、
ことを特徴とする請求項28に記載の方法。 - 前記第1の基板は、GaAs基板であり、
前記成長層は、前記GaAs基板の上にエピタキシャル成長させたInGaAs層である、
ことを特徴とする請求項28に記載の方法。 - yは、約0.53に等しいことを特徴とする請求項28に記載の方法。
- 前記活性層の前記格子定数は、5.66Åよりも大きいことを特徴とする請求項28に記載の方法。
- 前記活性層の前記格子定数は、5.66Åと5.73Åの間であることを特徴とする請求項28に記載の方法。
- 前記成長層は、InxGa1-xAsエピタキシャル層を含み、ただし、0<x<0.18であることを特徴とする請求項28に記載の方法。
- 前記成長層は、InyGa1-yPエピタキシャル層を含み、ただし、0.48<y<0.66であることを特徴とする請求項28に記載の方法。
- 前記第1のエピタキシャル層と前記活性層の間に少なくとも1つの介在エピタキシャル層を更に含むことを特徴とする請求項28に記載の方法。
- 前記活性層と前記第2のエピタキシャル層の間に少なくとも1つの介在エピタキシャル層を成長させる段階を更に含むことを特徴とする請求項28に記載の方法。
- 残りの構造体をそのままにして前記成長層と第1の基板を取り除く段階を更に含むことを特徴とする請求項28に記載の方法。
- 透明基板を前記残りの構造体に結合する段階を更に含むことを特徴とする請求項47に記載の方法。
- 前記活性層の表面に向いた反射層を形成する段階と、
前記成長層と第1の基板を取り除く段階と、
を更に含むことを特徴とする請求項28に記載の方法。 - 前記活性層の表面の上に窓層を形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項28に記載の方法。
- 電気接点を前記活性層の同じ側に形成してフリップチップLED素子を形成する段階と、
前記成長層と第1の基板を取り除く段階と、
を更に含むことを特徴とする請求項28に記載の方法。 - 前記第1の基板は、透明であることを特徴とする請求項28に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/100,080 US7244630B2 (en) | 2005-04-05 | 2005-04-05 | A1InGaP LED having reduced temperature dependence |
US11/100,080 | 2005-04-05 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006352089A true JP2006352089A (ja) | 2006-12-28 |
JP5373253B2 JP5373253B2 (ja) | 2013-12-18 |
Family
ID=36658681
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006128666A Active JP5373253B2 (ja) | 2005-04-05 | 2006-04-05 | 温度依存性を低減したAlInGaPのLED |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7244630B2 (ja) |
EP (1) | EP1869716A1 (ja) |
JP (1) | JP5373253B2 (ja) |
CN (1) | CN101180741B (ja) |
TW (1) | TWI399865B (ja) |
WO (1) | WO2006106467A1 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011507261A (ja) * | 2007-12-14 | 2011-03-03 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 半導体発光デバイス用コンタクト |
JP2012190985A (ja) * | 2011-03-10 | 2012-10-04 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 |
JP2014503985A (ja) * | 2010-10-12 | 2014-02-13 | アライアンス フォー サステイナブル エナジー リミテッド ライアビリティ カンパニー | 高効率なオプトエレクトロニクスのための大きなバンドギャップをもつiii−v族化合物 |
JP2016034036A (ja) * | 2009-06-30 | 2016-03-10 | フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー | Iii−p半導体発光デバイスのpコンタクト層 |
WO2017047011A1 (ja) * | 2015-09-15 | 2017-03-23 | 信越半導体株式会社 | 発光素子の実装方法 |
WO2017183944A1 (ko) * | 2016-04-22 | 2017-10-26 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 이를 포함하는 표시장치 |
Families Citing this family (43)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6958497B2 (en) * | 2001-05-30 | 2005-10-25 | Cree, Inc. | Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures |
KR20050113200A (ko) | 2003-02-26 | 2005-12-01 | 크리, 인코포레이티드 | 복합 백색 광원 및 그 제조 방법 |
CN100502062C (zh) | 2003-04-30 | 2009-06-17 | 美商克立股份有限公司 | 具有小型光学元件的高功率发光器封装 |
EP1569263B1 (de) * | 2004-02-27 | 2011-11-23 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH | Verfahren zum Verbinden zweier Wafer |
TWI248222B (en) * | 2005-05-12 | 2006-01-21 | Univ Nat Central | Light emitting diode and manufacturing method thereof |
US8148713B2 (en) * | 2008-04-04 | 2012-04-03 | The Regents Of The University Of California | Method for fabrication of semipolar (Al, In, Ga, B)N based light emitting diodes |
JP4225510B2 (ja) * | 2005-07-06 | 2009-02-18 | 昭和電工株式会社 | 化合物半導体発光ダイオードおよびその製造方法 |
DE102006004591A1 (de) * | 2005-09-29 | 2007-04-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierender Halbleiterchip |
DE102005047152A1 (de) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Epitaxiesubstrat, Verfahren zu seiner Herstellung und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips |
JP2008159629A (ja) * | 2006-12-20 | 2008-07-10 | Rohm Co Ltd | 光通信用半導体素子 |
KR100818466B1 (ko) * | 2007-02-13 | 2008-04-02 | 삼성전기주식회사 | 반도체 발광소자 |
US20080197369A1 (en) * | 2007-02-20 | 2008-08-21 | Cree, Inc. | Double flip semiconductor device and method for fabrication |
US7683380B2 (en) * | 2007-06-25 | 2010-03-23 | Dicon Fiberoptics, Inc. | High light efficiency solid-state light emitting structure and methods to manufacturing the same |
US8692286B2 (en) * | 2007-12-14 | 2014-04-08 | Philips Lumileds Lighing Company LLC | Light emitting device with bonded interface |
US9431589B2 (en) | 2007-12-14 | 2016-08-30 | Cree, Inc. | Textured encapsulant surface in LED packages |
US8299480B2 (en) * | 2008-03-10 | 2012-10-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same, and epitaxial wafer |
WO2009124317A2 (en) * | 2008-04-04 | 2009-10-08 | The Regents Of The University Of California | Mocvd growth technique for planar semipolar (al, in, ga, b)n based light emitting diodes |
TW200950162A (en) | 2008-04-04 | 2009-12-01 | Univ California | Method for fabrication of semipolar (Al, In, Ga, B)N based light emitting diodes |
JP2010067903A (ja) * | 2008-09-12 | 2010-03-25 | Toshiba Corp | 発光素子 |
TWI373861B (en) * | 2008-12-11 | 2012-10-01 | Nat Univ Tsing Hua | Fabrication method of light emitting element and its light emitting element |
US7972936B1 (en) * | 2009-02-03 | 2011-07-05 | Hrl Laboratories, Llc | Method of fabrication of heterogeneous integrated circuits and devices thereof |
FR2953328B1 (fr) * | 2009-12-01 | 2012-03-30 | S O I Tec Silicon On Insulator Tech | Heterostructure pour composants electroniques de puissance, composants optoelectroniques ou photovoltaiques |
KR101039988B1 (ko) * | 2010-03-09 | 2011-06-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 그 제조방법 |
DE102010014177A1 (de) * | 2010-04-01 | 2011-10-06 | Jenoptik Polymer Systems Gmbh | Oberflächenemittierende Halbleiter-Leuchtdiode |
CN101859860B (zh) * | 2010-05-04 | 2013-04-10 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 具有双反射层的铝镓铟磷系发光二极管的制备方法 |
US8536022B2 (en) * | 2010-05-19 | 2013-09-17 | Koninklijke Philips N.V. | Method of growing composite substrate using a relaxed strained layer |
JP5801542B2 (ja) * | 2010-07-13 | 2015-10-28 | 昭和電工株式会社 | 発光ダイオード及び発光ダイオードランプ |
DE102010052727B4 (de) * | 2010-11-26 | 2019-01-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips und derartiger Halbleiterchip |
TW201340405A (zh) * | 2012-03-30 | 2013-10-01 | Lextar Electronics Corp | 發光二極體 |
CN104241262B (zh) | 2013-06-14 | 2020-11-06 | 惠州科锐半导体照明有限公司 | 发光装置以及显示装置 |
CN104576628B (zh) * | 2013-10-25 | 2018-04-06 | 广东德力光电有限公司 | 一种新型白光led结构及其制作方法 |
CN104576627B (zh) * | 2013-10-25 | 2018-06-01 | 广东德力光电有限公司 | 一种高显色性白光led结构及其制作方法 |
EP2947702B1 (de) * | 2014-05-21 | 2019-03-20 | AZUR SPACE Solar Power GmbH | Solarzellenstapel |
EP3213355B1 (en) | 2014-10-31 | 2020-01-29 | Lumileds Holding B.V. | Phosphor converted led with temperature stable flux and saturated red color point |
WO2017005188A1 (en) * | 2015-07-06 | 2017-01-12 | The Hong Kong University Of Science And Technology | Semiconductor device and method of forming the same |
US10014271B2 (en) * | 2015-11-20 | 2018-07-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Semiconductor structure and method of manufacturing the same |
CN108051951B (zh) * | 2017-12-29 | 2022-12-13 | 西安智盛锐芯半导体科技有限公司 | Led光源、背光模组及液晶显示装置 |
TWI698057B (zh) * | 2018-02-13 | 2020-07-01 | 國立交通大學 | 具有透明導電層之二維光子晶體面射型雷射 |
TWI754326B (zh) | 2019-07-19 | 2022-02-01 | 全新光電科技股份有限公司 | 包含具有壓縮應力AlGaAsP層的垂直共振腔表面放射雷射二極體(VCSEL) |
CN110600417B (zh) * | 2019-08-02 | 2022-11-18 | 中国科学院微电子研究所 | 一种GaAs衬底上的外延转移方法及制得的半导体器件 |
US11592166B2 (en) | 2020-05-12 | 2023-02-28 | Feit Electric Company, Inc. | Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility |
US11876042B2 (en) | 2020-08-03 | 2024-01-16 | Feit Electric Company, Inc. | Omnidirectional flexible light emitting device |
CN118099316A (zh) * | 2021-12-02 | 2024-05-28 | 泉州三安半导体科技有限公司 | 一种不可见光发光二极管及其制备方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07254732A (ja) * | 1994-03-15 | 1995-10-03 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
JP2001044494A (ja) * | 1999-07-27 | 2001-02-16 | Showa Denko Kk | AlGaInP発光ダイオード |
JP2001244499A (ja) * | 2000-02-24 | 2001-09-07 | Osram Opt Semiconductors Gmbh & Co Offene Handels G | 光学的に透明な基板を製作する方法及び発光半導体チップを製作する方法 |
JP2002026392A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-01-25 | Toshiba Corp | 半導体発光素子とその製造方法、及び半導体発光装置 |
JP2002237617A (ja) * | 1990-08-20 | 2002-08-23 | Toshiba Corp | 半導体発光ダイオード |
Family Cites Families (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3086748B2 (ja) | 1991-07-26 | 2000-09-11 | 株式会社東芝 | 高電子移動度トランジスタ |
JP3242967B2 (ja) | 1992-01-31 | 2001-12-25 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
EP1179842A3 (en) * | 1992-01-31 | 2002-09-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor substrate and method for preparing same |
JP2758803B2 (ja) | 1992-12-17 | 1998-05-28 | 日本電気株式会社 | 電界効果トランジスタ |
US5376580A (en) | 1993-03-19 | 1994-12-27 | Hewlett-Packard Company | Wafer bonding of light emitting diode layers |
GB2293488A (en) | 1994-09-20 | 1996-03-27 | Hewlett Packard Co | Alingap light emitting diodes |
JPH08307005A (ja) * | 1995-05-10 | 1996-11-22 | Hitachi Ltd | 半導体レーザ素子 |
DE69627252T2 (de) * | 1995-08-02 | 2004-01-29 | Canon Kk | Halbleitersubstrat und Herstellungsverfahren |
US6233264B1 (en) * | 1996-08-27 | 2001-05-15 | Ricoh Company, Ltd. | Optical semiconductor device having an active layer containing N |
US6072196A (en) * | 1996-09-05 | 2000-06-06 | Ricoh Company, Ltd. | semiconductor light emitting devices |
TW497759U (en) * | 1997-03-13 | 2002-08-01 | Rohm Co Ltd | Semiconductor light emitting device |
US6232138B1 (en) | 1997-12-01 | 2001-05-15 | Massachusetts Institute Of Technology | Relaxed InxGa(1-x)as buffers |
JP3253267B2 (ja) * | 1997-12-05 | 2002-02-04 | ローム株式会社 | 半導体発光素子 |
US6100544A (en) * | 1998-05-20 | 2000-08-08 | Visual Photonics Epitaxy Co., Ltd. | Light-emitting diode having a layer of AlGaInP graded composition |
US6194742B1 (en) | 1998-06-05 | 2001-02-27 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Strain engineered and impurity controlled III-V nitride semiconductor films and optoelectronic devices |
JP2000068554A (ja) * | 1998-08-21 | 2000-03-03 | Sharp Corp | 半導体発光素子 |
JP3525061B2 (ja) * | 1998-09-25 | 2004-05-10 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子の製造方法 |
JP2000124092A (ja) | 1998-10-16 | 2000-04-28 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 水素イオン注入剥離法によってsoiウエーハを製造する方法およびこの方法で製造されたsoiウエーハ |
JP2002026393A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-01-25 | Toshiba Corp | 半導体発光素子およびそれを用いた表示装置 |
JP2002111052A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-04-12 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
US6525335B1 (en) * | 2000-11-06 | 2003-02-25 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Light emitting semiconductor devices including wafer bonded heterostructures |
US7968362B2 (en) * | 2001-03-27 | 2011-06-28 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor light-emitting device, surface-emission laser diode, and production apparatus thereof, production method, optical module and optical telecommunication system |
JP4084620B2 (ja) * | 2001-09-27 | 2008-04-30 | 信越半導体株式会社 | 発光素子及び発光素子の製造方法 |
US20030089921A1 (en) * | 2001-11-13 | 2003-05-15 | Motorola, Inc | Structure and method for fabricating semiconductor structures and devices utilizing the formation of a compliant substrate having a niobium concentration |
JP2006512748A (ja) * | 2001-12-21 | 2006-04-13 | アイクストロン、アーゲー | Iii−v半導体皮膜を非iii−v基板に沈積する方法 |
US6777257B2 (en) * | 2002-05-17 | 2004-08-17 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method of fabricating a light emitting device and light emitting device |
EP1385199A1 (en) * | 2002-07-24 | 2004-01-28 | IMEC vzw, Interuniversitair Microelectronica Centrum vzw | Method for making thin film devices intended for solar cells or SOI application |
JP2004128452A (ja) * | 2002-07-31 | 2004-04-22 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子の製造方法及び発光素子 |
JP3872398B2 (ja) * | 2002-08-07 | 2007-01-24 | 信越半導体株式会社 | 発光素子の製造方法及び発光素子 |
FR2845523B1 (fr) * | 2002-10-07 | 2005-10-28 | Procede pour realiser un substrat par transfert d'une plaquette donneuse comportant des especes etrangeres, et plaquette donneuse associee | |
US6927412B2 (en) * | 2002-11-21 | 2005-08-09 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor light emitter |
JP4500516B2 (ja) * | 2002-12-13 | 2010-07-14 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
JP4140007B2 (ja) * | 2003-04-28 | 2008-08-27 | 信越半導体株式会社 | 発光素子及び発光素子の製造方法 |
US7119377B2 (en) * | 2004-06-18 | 2006-10-10 | 3M Innovative Properties Company | II-VI/III-V layered construction on InP substrate |
US8101498B2 (en) * | 2005-04-21 | 2012-01-24 | Pinnington Thomas Henry | Bonded intermediate substrate and method of making same |
-
2005
- 2005-04-05 US US11/100,080 patent/US7244630B2/en active Active
-
2006
- 2006-04-03 EP EP06727802A patent/EP1869716A1/en not_active Ceased
- 2006-04-03 WO PCT/IB2006/051000 patent/WO2006106467A1/en not_active Application Discontinuation
- 2006-04-03 CN CN2006800111629A patent/CN101180741B/zh active Active
- 2006-04-04 TW TW095112045A patent/TWI399865B/zh active
- 2006-04-05 JP JP2006128666A patent/JP5373253B2/ja active Active
-
2007
- 2007-02-06 US US11/672,003 patent/US7544525B2/en active Active
-
2009
- 2009-04-30 US US12/433,106 patent/US7863631B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002237617A (ja) * | 1990-08-20 | 2002-08-23 | Toshiba Corp | 半導体発光ダイオード |
JPH07254732A (ja) * | 1994-03-15 | 1995-10-03 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
JP2001044494A (ja) * | 1999-07-27 | 2001-02-16 | Showa Denko Kk | AlGaInP発光ダイオード |
JP2001244499A (ja) * | 2000-02-24 | 2001-09-07 | Osram Opt Semiconductors Gmbh & Co Offene Handels G | 光学的に透明な基板を製作する方法及び発光半導体チップを製作する方法 |
JP2002026392A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-01-25 | Toshiba Corp | 半導体発光素子とその製造方法、及び半導体発光装置 |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011507261A (ja) * | 2007-12-14 | 2011-03-03 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 半導体発光デバイス用コンタクト |
JP2017118150A (ja) * | 2009-06-30 | 2017-06-29 | ルミレッズ リミテッド ライアビリティ カンパニー | Iii−p半導体発光デバイスのpコンタクト層 |
JP2016034036A (ja) * | 2009-06-30 | 2016-03-10 | フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー | Iii−p半導体発光デバイスのpコンタクト層 |
JP2014503985A (ja) * | 2010-10-12 | 2014-02-13 | アライアンス フォー サステイナブル エナジー リミテッド ライアビリティ カンパニー | 高効率なオプトエレクトロニクスのための大きなバンドギャップをもつiii−v族化合物 |
US9543468B2 (en) | 2010-10-12 | 2017-01-10 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | High bandgap III-V alloys for high efficiency optoelectronics |
JP2012190985A (ja) * | 2011-03-10 | 2012-10-04 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 |
WO2017047011A1 (ja) * | 2015-09-15 | 2017-03-23 | 信越半導体株式会社 | 発光素子の実装方法 |
JPWO2017047011A1 (ja) * | 2015-09-15 | 2018-04-26 | 信越半導体株式会社 | 発光素子の実装方法 |
TWI702733B (zh) * | 2015-09-15 | 2020-08-21 | 日商信越半導體股份有限公司 | 發光元件的安裝方法 |
WO2017183944A1 (ko) * | 2016-04-22 | 2017-10-26 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 이를 포함하는 표시장치 |
CN109075221A (zh) * | 2016-04-22 | 2018-12-21 | Lg 伊诺特有限公司 | 发光器件和包括发光器件的显示器 |
US10615311B2 (en) | 2016-04-22 | 2020-04-07 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and display comprising same |
CN109075221B (zh) * | 2016-04-22 | 2021-06-11 | Lg 伊诺特有限公司 | 发光器件和包括发光器件的显示器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090230381A1 (en) | 2009-09-17 |
US20060220031A1 (en) | 2006-10-05 |
JP5373253B2 (ja) | 2013-12-18 |
WO2006106467A1 (en) | 2006-10-12 |
CN101180741B (zh) | 2010-05-19 |
US7863631B2 (en) | 2011-01-04 |
US7544525B2 (en) | 2009-06-09 |
EP1869716A1 (en) | 2007-12-26 |
TW200705715A (en) | 2007-02-01 |
TWI399865B (zh) | 2013-06-21 |
CN101180741A (zh) | 2008-05-14 |
US20070131961A1 (en) | 2007-06-14 |
US7244630B2 (en) | 2007-07-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5373253B2 (ja) | 温度依存性を低減したAlInGaPのLED | |
KR100483049B1 (ko) | 수직구조 질화갈륨계 발광다이오드의 제조방법 | |
KR100495215B1 (ko) | 수직구조 갈륨나이트라이드 발광다이오드 및 그 제조방법 | |
EP3121857B1 (en) | Methof of manufacturing a diode having a vertical structure | |
US6838704B2 (en) | Light emitting diode and method of making the same | |
JP5009841B2 (ja) | 電流阻止構造を有する発光デバイスおよび電流阻止構造を有する発光デバイスを作製する方法 | |
US6583448B2 (en) | Light emitting diode and method for manufacturing the same | |
US7781755B2 (en) | Light emitting diode by use of metal diffusion bonding technology and method of producing such light emitting diode | |
KR101732524B1 (ko) | 붕소를 포함하는 ⅲ-질화물 발광 장치 | |
JP2013102240A (ja) | 二重ヘテロ構造の発光領域を有するiii族窒化物発光デバイス | |
US6853011B2 (en) | Light emitting diode and method of making the same | |
US20090140279A1 (en) | Substrate-free light emitting diode chip | |
JP2007536732A (ja) | SiC基板上に形成されたGaN膜に対するリフトオフプロセスおよびその方法により作製されたデバイス | |
JP2006344971A (ja) | 半導体発光素子の成長基板を除去する方法 | |
JP2007335879A (ja) | 多孔質層を含む半導体発光デバイス | |
KR101132910B1 (ko) | 발광 다이오드 제조방법 | |
JP2010219310A (ja) | 光デバイスおよび光デバイス構造 | |
US20080265272A1 (en) | Light Emitting Device Having Zener Diode Therein And Method Of Fabricating The Same | |
KR101750397B1 (ko) | Ⅲ-p 반도체 발광 장치용 p-콘택층 | |
KR20230042707A (ko) | 완전히 투명한 자외선 또는 원자외선 발광 다이오드 | |
KR101252558B1 (ko) | 수직형 발광 소자의 제조방법 | |
KR20070006239A (ko) | 발광다이오드 소자의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090403 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110914 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110920 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20111220 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20111226 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120120 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120125 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120220 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120223 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120321 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121126 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130226 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20130711 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20130712 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130822 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130919 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5373253 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |