JP2002026393A - 半導体発光素子およびそれを用いた表示装置 - Google Patents
半導体発光素子およびそれを用いた表示装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 画素の密度を向上し画質を高めるようにした
半導体発光素子およびそれを使用した表示装置にかかる
ものである。 【解決手段】 本発明は同一基板２１に多色発光のチッ
プ２７を備えたからこれを表示装置２９に使用するとそ
の画質を高めることができる。
半導体発光素子およびそれを使用した表示装置にかかる
ものである。 【解決手段】 本発明は同一基板２１に多色発光のチッ
プ２７を備えたからこれを表示装置２９に使用するとそ
の画質を高めることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は半導体発光素子お
よびそれを用いた表示装置に係り、特に、LED等のよう
な多色発光の半導体発光素子およびそれを用いた表示装
置に関する。
よびそれを用いた表示装置に係り、特に、LED等のよう
な多色発光の半導体発光素子およびそれを用いた表示装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】表示
装置にはブラウン管や液晶を用いたものがあるが単色発
光のLED等の半導体発光素子を用いた表示装置も使用さ
れるようになってきた。
装置にはブラウン管や液晶を用いたものがあるが単色発
光のLED等の半導体発光素子を用いた表示装置も使用さ
れるようになってきた。
【０００３】この半導体発光素子１０はGaAs等のような
基板に赤色（R）、または、緑色（G）、または、青色
（B）等の発光層が形成され、これに電極を取り付け図
２３に示すように透過性の合成樹脂を被覆したものであ
る。このような半導体発光素子１０の直径Doは３mm〜７
mm等であり、これが図２４に示すように支持体１１に配
置され、表示装置１２を形成するようにしている。
基板に赤色（R）、または、緑色（G）、または、青色
（B）等の発光層が形成され、これに電極を取り付け図
２３に示すように透過性の合成樹脂を被覆したものであ
る。このような半導体発光素子１０の直径Doは３mm〜７
mm等であり、これが図２４に示すように支持体１１に配
置され、表示装置１２を形成するようにしている。
【０００４】この表示装置１２の大きさは数１０mm程度
角から数１，０００mm程度角に形成され、数字、文字、
文章等の各種の情報等を表示する。ところで、このよう
な表示装置１２は単色発光の半導体発光素子１０により
形成されるためそれらの間隙が大きくなり画素を粗くし
画質を低下すると言う問題があった。そのため、この表
示装置１２を小形の携帯電話機に使用すると数字、文
字、文章等を的確に識別することができなかった。
角から数１，０００mm程度角に形成され、数字、文字、
文章等の各種の情報等を表示する。ところで、このよう
な表示装置１２は単色発光の半導体発光素子１０により
形成されるためそれらの間隙が大きくなり画素を粗くし
画質を低下すると言う問題があった。そのため、この表
示装置１２を小形の携帯電話機に使用すると数字、文
字、文章等を的確に識別することができなかった。
【０００５】この問題を解決するため単色発光の半導体
発光素子１０を近接して配置するようになってきたがこ
のようにしても画素を充分に密にできず画質を向上させ
ることができないと言う問題があった。
発光素子１０を近接して配置するようになってきたがこ
のようにしても画素を充分に密にできず画質を向上させ
ることができないと言う問題があった。
【０００６】そこで本発明は半導体発光素子を多色発光
するようにして表示装置の画素を密にし画質を向上する
ようにした半導体発光素子およびそれを用いた表示装置
を提供することを目的とするものである。
するようにして表示装置の画素を密にし画質を向上する
ようにした半導体発光素子およびそれを用いた表示装置
を提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１、５の発明は同
一基板に多色発光のチップを備えたからこれを表示装置
に使用するとその画質を高めることができる。
一基板に多色発光のチップを備えたからこれを表示装置
に使用するとその画質を高めることができる。
【０００８】また、請求項２、４の発明の多色発光のチ
ップは同一基板に単色発光の発光層を並列に配置したか
らこれを表示装置に使用するとその画質を高め品質を向
上することができる。
ップは同一基板に単色発光の発光層を並列に配置したか
らこれを表示装置に使用するとその画質を高め品質を向
上することができる。
【０００９】さらに、請求項３、４の発明の多色発光の
チップは同一基板に単色発光の発光層を集めて配置した
ものであるからこれを表示装置に使用するとその画質を
高め品質をさらに向上させることができる。
チップは同一基板に単色発光の発光層を集めて配置した
ものであるからこれを表示装置に使用するとその画質を
高め品質をさらに向上させることができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下本発明半導体発光素子および
それを用いた表示装置の第１の実施の形態を図１ないし
図１２を用いて説明する。
それを用いた表示装置の第１の実施の形態を図１ないし
図１２を用いて説明する。
【００１１】多色発光の半導体発光素子の１つである３
色発光のLED２０を製造するには図２に示すようなGaAs
等の基板２１が備えられる。この基板２１の上面には図
３に示すようにGaN・サファイア等の層基板２２が張り
付けられ、これを図４に示すようにパターニングする。
色発光のLED２０を製造するには図２に示すようなGaAs
等の基板２１が備えられる。この基板２１の上面には図
３に示すようにGaN・サファイア等の層基板２２が張り
付けられ、これを図４に示すようにパターニングする。
【００１２】この層基板２２の上面には図５に示すよう
にLPEの液相成長法等でGaAs層２３が成長させられる。
このGaAs層２３が図６に示すようにエッチングまたはラ
ッピングにより取り除かれ、青色発光層２４を形成する
ための層基板２２を露出する。この露出させた層基板２
２を青色発光基板２２Bとする。
にLPEの液相成長法等でGaAs層２３が成長させられる。
このGaAs層２３が図６に示すようにエッチングまたはラ
ッピングにより取り除かれ、青色発光層２４を形成する
ための層基板２２を露出する。この露出させた層基板２
２を青色発光基板２２Bとする。
【００１３】この青色発光基板２２BおよびGaAs層２３
の上面には図７に示すように青色発光層２４がエピタキ
シャル成長させられる。この青色発光層２４が図８に示
すようにRIEによりパターニングされ、GaAs層２３の上
面を露出する。
の上面には図７に示すように青色発光層２４がエピタキ
シャル成長させられる。この青色発光層２４が図８に示
すようにRIEによりパターニングされ、GaAs層２３の上
面を露出する。
【００１４】この露出させたGaAs層２３を緑色発光基板
２２Gにしこの上面に図９に示すように緑色発光層２５
がエピタキシャル成長させられる。この緑色発光層２５
がRIEによりパターニングされ、GaAs層２３の上面を一
部露出する。
２２Gにしこの上面に図９に示すように緑色発光層２５
がエピタキシャル成長させられる。この緑色発光層２５
がRIEによりパターニングされ、GaAs層２３の上面を一
部露出する。
【００１５】さらに、この露出させたGaAs層２３を赤色
発光基板２２Rにしこの上面に緑色発光層２５の場合と
同様に図９に示すように赤色発光層２６がエピタキシャ
ル成長させられ、これをRIEによりパターニングする。
発光基板２２Rにしこの上面に緑色発光層２５の場合と
同様に図９に示すように赤色発光層２６がエピタキシャ
ル成長させられ、これをRIEによりパターニングする。
【００１６】青色発光層２４、緑色発光層２５、赤色発
光層２６を同一の基板２１に形成した後その基板２１を
薄く加工し図１０に示すように青色発光層２４等の上下
部に電極２４p、２４pp、２５p、２５pp、２６p、２６p
pを形成する。このように形成した青色発光層２４等をR
IE等により素子分離するとともにダイシング等して図１
１に示すように３色を同一の基板２１に並列させこれを
一体にしたチップ２７を形成する。
光層２６を同一の基板２１に形成した後その基板２１を
薄く加工し図１０に示すように青色発光層２４等の上下
部に電極２４p、２４pp、２５p、２５pp、２６p、２６p
pを形成する。このように形成した青色発光層２４等をR
IE等により素子分離するとともにダイシング等して図１
１に示すように３色を同一の基板２１に並列させこれを
一体にしたチップ２７を形成する。
【００１７】このチップ２７の外部には透光性の合成樹
脂によりパッケージされ、図１に示すように直径D1が従
来のものと同様な長さの３色発光のLED２０を形成す
る。このLED２０は図１２に示すように支持体２８に配
置され、表示装置２９を形成する。
脂によりパッケージされ、図１に示すように直径D1が従
来のものと同様な長さの３色発光のLED２０を形成す
る。このLED２０は図１２に示すように支持体２８に配
置され、表示装置２９を形成する。
【００１８】このように製造した表示装置２９は３色を
同一の基板２１に一体にしたLED２０が支持体２８に配
置されるから従来の単色の半導体発光素子１０を配置し
た表示装置１２と比較すると画素が密になり画質を向上
することができる。そのため、本発明表示装置２９は表
示が大きい場合は勿論のこと表示が小さくても画質を著
しく向上させることができる。それゆえ、小形の携帯電
話機等の表示装置として優れた画質のものを得ることが
できる。
同一の基板２１に一体にしたLED２０が支持体２８に配
置されるから従来の単色の半導体発光素子１０を配置し
た表示装置１２と比較すると画素が密になり画質を向上
することができる。そのため、本発明表示装置２９は表
示が大きい場合は勿論のこと表示が小さくても画質を著
しく向上させることができる。それゆえ、小形の携帯電
話機等の表示装置として優れた画質のものを得ることが
できる。
【００１９】つぎに、図１３ないし図２２を用い本発明
半導体発光素子およびそれを用いた表示装置の第２の実
施の形態を説明する。
半導体発光素子およびそれを用いた表示装置の第２の実
施の形態を説明する。
【００２０】第１の実施の形態では同一の基板２１に
青、緑および赤の発光層２４、２５および２６を並列に
エピタキシャル成長させ、３色のチップ２７を形成しLE
D２０を製造するようにした。これに対し、第２の実施
の形態では青、緑および赤の発光層２４、２５および２
６を同一の基板３１に一体的に集めてエピタキシャル成
長させて３色のチップ３４を形成し、LED３０を製造
し、これにより表示装置３５の画質をさらに向上させる
ようにしたものである。
青、緑および赤の発光層２４、２５および２６を並列に
エピタキシャル成長させ、３色のチップ２７を形成しLE
D２０を製造するようにした。これに対し、第２の実施
の形態では青、緑および赤の発光層２４、２５および２
６を同一の基板３１に一体的に集めてエピタキシャル成
長させて３色のチップ３４を形成し、LED３０を製造
し、これにより表示装置３５の画質をさらに向上させる
ようにしたものである。
【００２１】この多色発光の半導体発光素子であるLED
３０の製造方法は第１の実施の形態の製造方法とほぼ同
様であるから同一部分は同一符号を付して第２の実施の
形態の製造方法を説明する。
３０の製造方法は第１の実施の形態の製造方法とほぼ同
様であるから同一部分は同一符号を付して第２の実施の
形態の製造方法を説明する。
【００２２】３色発光のLED３０を製造するには図１３
に示すようなGaAs等の基板３１が備えられる。この基板
３１の上面にはGaN・サファイア等の層基板３２が張り
付けられ、これをパターニングする。
に示すようなGaAs等の基板３１が備えられる。この基板
３１の上面にはGaN・サファイア等の層基板３２が張り
付けられ、これをパターニングする。
【００２３】この層基板３２の上面にはLPE等によりGaA
s層２３を成長させこれを図１４に示すようにエッチン
グまたはラッピングにより取り除き青色発光層２４を形
成するための層基板３２を露出させる。この露出させた
層基板３２を青色発光基板３２Bとする。この青色発光
基板３２BおよびGaAs層２３の上面には図１５に示すよ
うに青色発光層２４がエピタキシャル成長させられる。
s層２３を成長させこれを図１４に示すようにエッチン
グまたはラッピングにより取り除き青色発光層２４を形
成するための層基板３２を露出させる。この露出させた
層基板３２を青色発光基板３２Bとする。この青色発光
基板３２BおよびGaAs層２３の上面には図１５に示すよ
うに青色発光層２４がエピタキシャル成長させられる。
【００２４】この青色発光層２４が図１５、図１６に示
すようにRIEによりパターニングされ、GaAs層２３の上
面を露出する。この露出したGaAs層２３を緑色発光基板
３２Gとし図１７に示すようにその上面に緑色発光層２
５がエピタキシャル成長させる。
すようにRIEによりパターニングされ、GaAs層２３の上
面を露出する。この露出したGaAs層２３を緑色発光基板
３２Gとし図１７に示すようにその上面に緑色発光層２
５がエピタキシャル成長させる。
【００２５】この緑色発光層２５の図示下部がRIEによ
りパターニングされ、GaAs層２３の上面を露出しこれを
赤色発光基板３２Rとする。この赤色発光基板３２Rの上
面には図１８に示すように赤色発光層２６がエピタキシ
ャル成長させられ、これをRIEでパターニングする。
りパターニングされ、GaAs層２３の上面を露出しこれを
赤色発光基板３２Rとする。この赤色発光基板３２Rの上
面には図１８に示すように赤色発光層２６がエピタキシ
ャル成長させられ、これをRIEでパターニングする。
【００２６】青色発光層２４、緑色発光層２５、赤色発
光層２６を同一基板３１に形成した後図１９、図２０に
示すように基板３１を薄く加工するとともに青色発光層
２４の一部を下方までエッチングする。この青色発光層
２４の上面には電極２４pが、また、下方にエッチング
した上面には他方の電極２４ppが形成され、さらに、緑
色発光層２５と赤色発光層２６の上下面には電極２５
p、２５pp、２６p、２６ppが形成される。このように形
成した青色発光層２４等がRIE等により素子分離され、
ダイシング等されて図２１に示すように３色を一体に集
めたチップ３４を形成する。
光層２６を同一基板３１に形成した後図１９、図２０に
示すように基板３１を薄く加工するとともに青色発光層
２４の一部を下方までエッチングする。この青色発光層
２４の上面には電極２４pが、また、下方にエッチング
した上面には他方の電極２４ppが形成され、さらに、緑
色発光層２５と赤色発光層２６の上下面には電極２５
p、２５pp、２６p、２６ppが形成される。このように形
成した青色発光層２４等がRIE等により素子分離され、
ダイシング等されて図２１に示すように３色を一体に集
めたチップ３４を形成する。
【００２７】このチップ３４の外部には透光性の合成樹
脂によりパッケージされ、３色発光のLED３０を形成す
る。このLED３０は図２２に示すように支持体２８に配
置され、表示装置３５を形成する。
脂によりパッケージされ、３色発光のLED３０を形成す
る。このLED３０は図２２に示すように支持体２８に配
置され、表示装置３５を形成する。
【００２８】このようにし製造した表示装置３５は発光
層２４、２５、２６等が同一の基板３１の集めて形成さ
れるからその画素の密度を高めるとともに発光の整合性
を高めることができる。そのため、この表示装置３５は
画素の質を向上することがきる。
層２４、２５、２６等が同一の基板３１の集めて形成さ
れるからその画素の密度を高めるとともに発光の整合性
を高めることができる。そのため、この表示装置３５は
画素の質を向上することがきる。
【００２９】なお、上記各実施の形態では３色発光のLE
Dを製造しこれを用いた表示装置を構成したがこれを
４、５等の多発光のLEDを製造しこれを用いた表示装置
に形成するようにしてもよい。また、多色発光の半導体
発光素子としてLEDを用いたがこれに代わり多色発光の
半導体レーザ、その他の半導体素子であってもよい。
Dを製造しこれを用いた表示装置を構成したがこれを
４、５等の多発光のLEDを製造しこれを用いた表示装置
に形成するようにしてもよい。また、多色発光の半導体
発光素子としてLEDを用いたがこれに代わり多色発光の
半導体レーザ、その他の半導体素子であってもよい。
【００３０】
【発明の効果】本発明は同一基板に多色発光のチップを
備えたからこれを表示装置に使用するとその画質を高め
ることができる。
備えたからこれを表示装置に使用するとその画質を高め
ることができる。
【００３１】また、本発明の多色発光のチップは同一基
板に単色発光の発光層を並列に配置したからこれを表示
装置に使用するとその画質を高め品質を向上することが
できる。
板に単色発光の発光層を並列に配置したからこれを表示
装置に使用するとその画質を高め品質を向上することが
できる。
【００３２】さらに、本発明の多色発光のチップは同一
基板に単色発光の発光層を集めて配置したものであるか
らこれを表示装置に使用するとその画質を高め品質をさ
らに向上させることができる。
基板に単色発光の発光層を集めて配置したものであるか
らこれを表示装置に使用するとその画質を高め品質をさ
らに向上させることができる。
【図１】本発明第１の実施の形態の一例であるLEDの概
要を示す正面図。
要を示す正面図。
【図２】第１の実施の形態の第１の製造工程を示す説明
図。
図。
【図３】第１の実施の形態の第２の製造工程を示す説明
図。
図。
【図４】第１の実施の形態の第３の製造工程を示す説明
図。
図。
【図５】第１の実施の形態の第４の製造工程を示す説明
図。
図。
【図６】第１の実施の形態の第５の製造工程を示す説明
図。
図。
【図７】第１の実施の形態の第６の製造工程を示す説明
図。
図。
【図８】第１の実施の形態の第７の製造工程を示す説明
図。
図。
【図９】第１の実施の形態の第８の製造工程を示す説明
図。
図。
【図１０】第１の実施の形態の第９の製造工程を示す説
明図。
明図。
【図１１】第１の実施の形態の第１０の製造工程を示す
説明図。
説明図。
【図１２】第１の実施の形態により製造したLEDを使用
し表示装置の１例を示す説明図。
し表示装置の１例を示す説明図。
【図１３】第２の実施の形態の第１の製造工程を示す説
明図。
明図。
【図１４】第２の実施の形態の第２の製造工程を示す説
明図。
明図。
【図１５】第２の実施の形態の第３の製造工程を示す説
明図。
明図。
【図１６】第２の実施の形態の第４の製造工程を示す説
明図。
明図。
【図１７】第２の実施の形態の第５の製造工程を示す説
明図。
明図。
【図１８】第２の実施の形態の第６の製造工程を示す説
明図。
明図。
【図１９】第２の実施の形態の第７の製造工程を示す説
明図。
明図。
【図２０】第２の実施の形態の第８の製造工程を示す説
明図。
明図。
【図２１】第２の実施の形態の第９の製造工程を示す説
明図。
明図。
【図２２】第２の実施の形態により製造したLEDを使用
し表示装置の他の１例を示す説明図。
し表示装置の他の１例を示す説明図。
【図２３】従来のLEDの概要を示す正面図。
【図２４】従来のLEDを使用し表示装置の１例を示す説
明図。
明図。
１０ 半導体発光素子 １１、２８ 支持体 １２、２９、３５ 表示装置 ２０、３０ LED ２１、３１ 基板 ２２B、３２B 青色発光基板 ２２G、３２G 緑色発光基板 ２２R 、３２R 赤色発光基板 ２３ GaAs層 ２４ 青色発光層 ２５ 緑色発光層 ２６ 赤色発光層 ２７、３４ チップ
Claims (5)
- 【請求項１】同一基板に多色発光のチップを備えたこと
を特徴とする半導体発光素子。 - 【請求項２】多色発光のチップは同一基板に単色発光の
発光層を並列に配置したものであることを特徴とする請
求項１記載の半導体発光素子。 - 【請求項３】多色発光のチップは同一基板に単色発光の
発光層を集めて配置したものであることを特徴とする請
求項１記載の半導体発光素子。 - 【請求項４】多色発光のチップは単色発光の発光層を複
数配置したLEDであることを特徴とする請求項１、２ま
たは３記載の半導体発光素子。 - 【請求項５】多色発光の半導体発光素子を支持体に複数
個配列したことを特徴とする表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000199323A JP2002026393A (ja) | 2000-06-30 | 2000-06-30 | 半導体発光素子およびそれを用いた表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000199323A JP2002026393A (ja) | 2000-06-30 | 2000-06-30 | 半導体発光素子およびそれを用いた表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002026393A true JP2002026393A (ja) | 2002-01-25 |
Family
ID=18697362
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000199323A Pending JP2002026393A (ja) | 2000-06-30 | 2000-06-30 | 半導体発光素子およびそれを用いた表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002026393A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005088943A1 (ja) * | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 携帯端末装置 |
| JP2007006508A (ja) * | 2006-07-14 | 2007-01-11 | Mitsubishi Electric Corp | 携帯機器 |
| JP2007259470A (ja) * | 2007-04-25 | 2007-10-04 | Mitsubishi Electric Corp | 携帯機器 |
| CN101908588A (zh) * | 2010-07-16 | 2010-12-08 | 泉州市金太阳电子科技有限公司 | 多波长发光二极管及其制造方法 |
| US7880686B2 (en) | 2004-06-08 | 2011-02-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Mobile device |
| TWI399865B (zh) * | 2005-04-05 | 2013-06-21 | Philips Lumileds Lighting Co | 具有降低溫度相依性之鋁銦鎵磷發光二極體 |
| CN103681997A (zh) * | 2012-09-04 | 2014-03-26 | 鹤山丽得电子实业有限公司 | 一种所需颜色发光二极管芯片及其制造方法 |
| JP2021168360A (ja) * | 2020-04-13 | 2021-10-21 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
-
2000
- 2000-06-30 JP JP2000199323A patent/JP2002026393A/ja active Pending
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