CN109037266B - 多色led芯片及制备方法、像素led单元、显示面板及制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属于半导体技术领域，具体涉及多色LED芯片及制备方法、像素LED单元、显示面板及制备方法。该多色LED芯片，包括多个发光器件组，每组所述发光器件组均包括N个相邻间隔设置的发光器件，每一发光器件包括单色发光体和位于所述单色发光体的出光侧的光处理层，每一所述单色发光体包括一电极对，同组所述发光器件组中的所述光处理层为能构成全彩的、颜色互不相同的转换膜，且每相邻N‑1个所述单色发光体上的所述转换膜具有相同的颜色，其中：N≥3。该多色LED芯片实现了多个颜色LED芯片的高度集成化，将多个颜色的LED芯片合成在一个晶圆上完成制备，极大的简化了显示面板的制备。
Description
技术领域
本发明属于半导体技术领域，具体涉及多色LED芯片及制备方法、像素LED单元、显示面板及制备方法。
背景技术
μLED芯片即微发光二极管，英文名称为Micro LED或Micro Light EmittingDiode，通过集成高密度、微小尺寸的LED阵列来实现LED的薄膜化、微小化和矩阵化，其像素点距离从毫米级降低至微米级别，每一个像素都能定址、单独发光，并且具备功耗低、亮度高、对比度高、户外可视度高的优势。
要获得微型LED显示器，三色光源是必要的。实现微型LED显示器的一种简单方法是使用红色微发光二极管、绿色微发光二极管和蓝色微发光二极管进行混色。通常情况下，显示面板中的一个像素点的面积大于一个μLED芯片的面积；而且，对μLED进行驱动的驱动电路通常制作在显示面板上。对上述显示面板，目前的制备工艺是单色各自独立制备、切割、转移和多色搭配方式，即将红色微发光二极管、绿色微发光二极管和蓝色微发光二极管分别在单独的晶圆上进行制备，制备完成后切割为独立发光器件，然后将各色微发光二极管分别转移到显示面板上，使得芯片与芯片的间距变大，搭配形成全彩显示。对于显示屏上的每一个像素，必然包括每一颜色的至少一片LED芯片。采用这种制备方法，很难减小像素大小，实现高分辨率显示，而且要传送的LED芯片数量巨大。
如何实现多个颜色LED芯片的高度集成化，将多个颜色的LED芯片合成在一个晶圆上完成制备，成为目前亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中上述不足，提供一种多色LED芯片及制备方法、像素LED单元、显示面板及制备方法，该多色LED芯片实现了多个颜色LED芯片的高度集成化，将多个颜色的LED芯片合成在一个晶圆上完成制备，极大的简化了显示面板的制备。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是该多色LED芯片，包括多个发光器件组，每组所述发光器件组均包括N个相邻间隔设置的发光器件，每一发光器件包括单色发光体和位于所述单色发光体的出光侧的光处理层，每一所述单色发光体包括一电极对，同组所述发光器件组中的所述光处理层为能构成全彩的、颜色互不相同的转换膜，且每相邻N-1个所述单色发光体上的所述转换膜具有相同的颜色，其中：N≥3。
优选的是，所述发光器件组还设置有绝缘层，所述绝缘层覆盖各所述发光器件的外表面、以及相邻所述发光器件之间的空隙区域，所述绝缘层使得各所述发光器件保持电绝缘；
相邻的所述发光器件之间的空隙区域还设置有隔离层，所述隔离层使得各所述发光器件保持光隔离。
优选的是，所述隔离层采用具有反射性质的金属材料形成.
进一步优选的是，所述反射性质的金属材料包括Ag、Al、Cu、Au、Pt、Ni、Ti中的至少一种。
优选的是，所述单色发光体为发蓝色光，同组所述发光器件组中的所述光处理层至少包括红光转换膜和绿光转换膜，所述红光转换膜和所述绿光转换膜以介质层分离间隔设置在不同层。
优选的是，同组所述发光器件组中的所述光处理层还包括滤光膜，所述滤光膜位于设置有所述红光转换膜和所述绿光转换膜的上方，所述滤光膜与所述红光转换膜或所述绿光转换膜以所述介质层分离间隔设置在不同层。
优选的是，每一所述单色发光体包括依次层叠设置的过渡层、电子传输层、发光层、电子阻挡层、空穴传输层，所述电极对为位于所述空穴传输层上方的阳极和位于所述电子传输层上方的阴极。
一种像素LED单元，包括且仅包括一组所述发光器件组。
一种显示面板，包括上述的多个像素LED单元。
一种多色LED芯片的制备方法，包括步骤：
在衬底上方形成外延层以及位于所述外延层上方的多对间隔设置的电极对；
翻转所述衬底，将所述衬底上的所述外延层和所述电极对键和到载片上；
去除所述衬底，使得所述外延层位于所述载片的顶部；
在对应每间隔相邻N对的所述电极对的所述外延层上方形成某一颜色的转换膜，其中：N≥3；
在完成上一步骤的所述载片的所述转换膜上方形成介质层；
重复制备不同颜色的所述转换膜和所述介质层的步骤，直至在对应所有所述电极对的所述外延层上方形成能构成全彩的、颜色互不相同的所述转换膜；
对所述外延层及各所述介质层进行构图，以每一所述电极对为基准形成发光器件，所述发光器件包括一单色发光体及其位于其上方的光处理层。
优选的是，还包括步骤：
形成绝缘层，所述绝缘层覆盖各所述发光器件的外表面、以及相邻所述发光器件之间的空隙区域，所述绝缘层使得各所述发光器件保持电绝缘；
在相邻的所述发光器件之间形成隔离层，所述隔离层使得各所述发光器件保持光隔离。
优选的是，所述隔离层采用具有反射性质的金属材料形成。
进一步优选的是，所述反射性质的金属材料包括Ag、Al、Cu、Au、Pt、Ni、Ti中的至少一种。
优选的是，形成所述转换膜的步骤包括：
形成某一颜色的转换材料膜；
对所述转换材料膜进行构图，仅保留每间隔相邻N对所述电极对相应部分的所述转换材料膜。
优选的是，将所述衬底上的所述外延层和所述电极对键和到载片的步骤中，将所述衬底和所述载片之间通过连接层连接，所述连接层采用介质材料。
优选的是，在衬底上方形成外延层以及位于所述外延层上方的多对电极对包括步骤：
在所述衬底上方形成过渡层；
在所述过渡层的上方形成电子传输层；
在所述电子传输层的上方形成发光层；
在所述发光层的上方形成电子阻挡层；
在所述电子阻挡层的上方形成空穴传输层；
将上述各层进行构图，间隔相同距离暴露出所述电子传输层；
以及，在所述空穴传输层的上方形成阳极，在暴露出的所述电子传输层的上方形成阴极。
一种显示面板制备方法，在上述多色LED芯片的制备方法之后，还包括：
将N个所述发光器件切割为一个像素LED单元；
将所述像素LED单元转移至显示基板上。
本发明的有益效果是：该多色LED芯片及其相应的制备方法，通过制备单色发光体、晶圆键和、沉积颜色转换膜、在不同的发光器件之间形成沟槽与金属材料填充等步骤，形成可对应像素点的像素LED单元，减小了芯片传送数量，因此在LED芯片转移过程中使得形成显示面板像素时的转移效率大大提高，有效解决了单色LED芯片单独制作再转移而造成的一系列问题；
相应的，以该多色LED芯片为原料，可形成像素LED单元及其显示面板，实现更高分辨率的像素的显示面板，为提高生产效率和保证显示质量创造了基础条件。
附图说明
图1为本发明实施例1中多色LED芯片的结构示意图；
图2A-图2M为本发明实施例1中多色LED芯片的制作步骤示意图；
图3为本发明实施例2中多色LED芯片的结构示意图；
图4A-图4B为本发明实施例3中显示面板的制作步骤示意图；
附图标识中：
1-发光器件组；
10-发光器件；11-单色发光体；111-外延层；1111-过渡层；1112-电子传输层；1113-发光层；1114-电子阻挡层；1115-空穴传输层；12-电极对；121-阳极；122-阴极；
20-光处理层；200-转换材料膜；201-红光转换膜；202-绿光转换膜；203-滤光膜；204-介质层；
30-绝缘层；
40-隔离层；
51-衬底；52-载片；53-连接层。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明多色LED芯片及制备方法、像素LED单元、显示面板及制备方法作进一步详细描述。
实施例1：
本实施例提供一种多色LED芯片，实现多个颜色LED芯片的高度集成化，易于将多个颜色的LED芯片合成在一个晶圆上完成制备，极大减小了像素大小。
如图1所示为本实施例多色LED芯片的结构示意图。图1中，该多色LED芯片包括多个发光器件组1，每组发光器件组1均包括N个相邻间隔设置的发光器件10，每一发光器件10包括单色发光体11、位于单色发光体11的出光侧的光处理层20，同组发光器件组1中的光处理层20为能构成全彩的、颜色互不相同的转换膜，且每相邻N-1个单色发光体11上的转换膜具有相同的颜色，其中：N≥3。这样，在构成全彩显示的每一组发光器件组1即可构成一个独立的像素LED单元。
N＝3时，该多色LED芯片可以为包括红绿蓝(RGB)三色的发光器件组。优选的是，使得具有相同颜色的各单色发光体11以及转换膜以多行多列的阵列形式排列，以便于在切割后批量转移像素LED单元。
这里的单色发光体11为单色微发光二极管器件，即该多色LED芯片包括多个单色微发光二极管器件，例如N＝3，则该多色LED芯片包括多个能形成全彩的三色发光器件10。这里的单色发光体11为蓝色发光器件10，同组发光器件组1中的光处理层20至少包括红光转换膜201和绿光转换膜202，红光转换膜201和绿光转换膜202以介质层204分离间隔设置在不同层。
具体的，该多色LED芯片的每组发光器件组1中，至少包含一个微发光二极管器件，其发光面覆盖了透明膜层(不覆盖颜色转换材料)，从而该微发光二极管器件发出蓝光；至少包含一个微发光二极管器件，其发光面覆盖了颜色转换材料，形成红光转换膜，将蓝光转换成红光；至少包含一个微发光二极管器件，其发光面覆盖了颜色转换材料，形成绿光转换膜，将蓝光转换成绿光。因此，在该多色LED芯片中，同时具备红、绿、蓝三色微发光二极管。从而，除保持本色的蓝色发光器件10之外，其他发光器件10中单色发光体11的上方设置颜色转换膜，实现从蓝色到红色的颜色转换，或者是从蓝色到绿色的颜色转换，并且转换不同颜色的颜色转换膜还设置在不同的层，能极大的方便制备工艺。
其中的每一单色发光体11均包括外延层111、电极对和必要的介质层204，具体的为：包括依次层叠设置的过渡层1111、电子传输层1112、发光层1113、电子阻挡层1114、空穴传输层1115，以及位于空穴传输层1115上方的阳极121和位于电子传输层1112上方的阴极122，一阳极121与一阴极122构成一对电极对12。上述单色发光体11的结构是LED器件的一种常规结构，在实际实施过程，可以灵活进行调节。
优选的是，该发光器件组1还设置有绝缘层30，绝缘层30覆盖各发光器件10的外表面、以及相邻发光器件10之间的空隙区域，绝缘层30使得各发光器件10保持电绝缘；相邻的发光器件10之间的空隙区域还设置有隔离层40，隔离层40使得各发光器件10保持光隔离。其中，隔离层40采用具有反射性质的金属材料形成，反射性质的金属材料包括但不限于Ag、Al、Cu、Au、Pt、Ni、Ti。
本实施例还提供了上述多色LED芯片的制备方法，包括步骤：
步骤S1)：在衬底上方形成外延层以及位于外延层上方的多对间隔设置的电极对。
在该步骤中，外延层111即采用外延方式形成多种材料层。如图2A所示为微发光二极管的外延层111的生长，以及微发光二极管电极对的制备。根据其局部放大图可见，外延层111涉及过渡层1111、电子传输层1112、发光层1113、电子阻挡层1114和空穴传输层1115等多个无机膜层，每一个微发光二极管的电极对12具有两个电极，分别是阴极122和阳极121。阴极122与阳极121的间距小于100μm。
参考图2A，具体包括如下步骤：
在衬底51上方形成过渡层1111，衬底51通常采用Si(硅)、Sapphire(蓝宝石)等制备，与形成电子传输层1112的GaN(氮化镓)材料的晶格常数差别很大，因此首先生长过渡层；
在过渡层1111的上方形成电子传输层1112，电子传输层1112通常采用N型GaN材料，用于提供电子；
在电子传输层1112的上方形成发光层1113，也即量子阱层，发光层1113通常采用GaN材料和InGaN材料的交替组合，用于发光；
在发光层1113的上方形成电子阻挡层1114，电子阻挡层1114通常采用P型AlGaN材料，用于阻挡电子注入到空穴传输层1115中；
在电子阻挡层1114的上方形成空穴传输层1115，空穴传输层1115通常采用P型GaN材料，用于提供空穴；
将上述各层进行构图，间隔相同距离暴露出电子传输层1112；
以及，在空穴传输层1115的上方形成阳极121，在暴露出的电子传输层1112的上方形成阴极122。
步骤S2)：翻转衬底，将衬底上的外延层和电极对键和到载片上。
在该步骤中，如图2B、图2C所示为微发光二极管晶圆被键和到载片52上。将衬底51和载片52之间通过连接层53连接，连接层53采用介质材料。介质材料作为一种连接材料，被用于微发光二极管晶圆和载片52的连接，这种介质材料比如可以是SiO2、SiN等。
步骤S3)：去除衬底，使得外延层位于载片的顶部。
图2C所示为微发光二极管晶圆已经键和到载片52上，在该步骤中，图2D所示为微发光二极管晶圆的衬底51被去除。
步骤S4)：在对应每间隔相邻N对的电极对的外延层上方形成某一颜色的转换膜，其中：N≥3。
在该步骤中，参考图2E、图2F，形成转换膜的步骤具体包括：
步骤S41)：沉积一种颜色转换材料，形成某一颜色的转换材料膜200；
步骤S42)：对转换材料膜200进行构图，仅保留每间隔相邻N对电极对相应部分的转换材料膜200。
图2E所示为一种颜色转换材料被沉积到外延层111的背面，对颜色转换材料进行图案化，保留每一组发光器件组1中其中一对电极上方的颜色转换材料。该颜色转换材料可以将蓝光转换成红光，具体可以是荧光粉。优选的是，该荧光粉的颗粒大小在1μm以下。
图2F所示为一部分面积上的颜色转换材料被去除，仅保留每间隔相邻N对的电极对的外延层111上方形成某一颜色的颜色转换材料，形成红光转换膜201。
步骤S5)：在完成上一步骤的载片的上方形成介质层。
在该步骤中，图2G所示为一种介质层204沉积到外延层111及红光转换膜201的背面，该介质层204可以是一种透明材料，具体可以是SiO2、SiN等中的任一种。
步骤S6)：在介质层的上方、对应着未设置转换膜的每间隔相邻N对的电极对的上方形成另一颜色的转换膜。
图2H所示为另一种颜色转换材料被沉积到外延层111的背面形成另一颜色的转换材料膜200，该颜色转换材料可以将蓝光转换成绿光，具体可以是荧光粉。优选的是，该荧光粉的颗粒大小在1μm以下。
图2I所示为一部分面积上的颜色转换材料被去除，仅保留每间隔相邻N对的电极对的外延层111上方未设置任一颜色转换材料的、另一对电极对的外延层111上方的另一颜色的颜色转换材料，形成绿光转换膜202。
步骤S7)：在完成上一步骤的载片的上方形成介质层。
在该步骤中，图2J所示为一种介质层204沉积到外延层111及绿光转换膜202的背面。该介质层204可以是一种透明材料，具体可以是SiO2、SiN等中的任一种。
同理，重复制备不同颜色的转换膜和介质层204的步骤，直至在对应所有电极对的外延层111上方形成能构成全彩的、颜色互不相同的转换膜。这样，每相邻N对电极对的外延层111的上方即形成能转换多个颜色的转换膜，使得每相邻N对电极对作为一个独立单元具备能形成全彩的结构基础。
步骤S8)：对外延层及各介质层进行构图，以每一电极对为基准形成发光器件，每一发光器件包括一单色发光体及其位于其上方的光处理层。
在该步骤中，图2K所示为外延层111及其介质层204的材料被部分刻蚀去除。即，去除相邻电极对之间间隔的外延层111和介质层204部分，形成独立的具有单色发光体11、转换膜的发光器件10。
优选的是，该多色LED芯片的制备方法还包括如下步骤：
步骤S9)：形成绝缘层，绝缘层覆盖各发光器件的外表面、以及相邻发光器件之间的空隙区域，绝缘层使得各发光器件保持电绝缘。
在该步骤中，图2L所示为一种绝缘层30沉积到外延层111的背面。该绝缘层30可以是一种透明材料，具体可以是SiO2、SiN等中的任一种。绝缘层30将各单色发光体11整个包覆，使得各发光器件10保持电绝缘而起到良好的隔绝作用，避免各发光器件10的外延层111可能产生导电作用。
步骤S10)：在相邻的发光器件之间形成隔离层，隔离层使得各发光器件保持光隔离。
隔离层40采用具有反射性质的金属材料形成，反射性质的金属材料包括但不限于Ag、Al、Cu、Au、Pt、Ni、Ti。隔离层40采用金属材料形成，金属材料通常为导电材料，因而通过绝缘层30来避免相邻发光器件10之间的电连接。
在该步骤中，图2M所示为将一种金属材料沉积到外延层111的背面的示意图，进行曝光、显影、刻蚀等一系列工艺。在独立的发光器件10上方的金属材料被刻蚀去除，在相邻发光器件10之间形成的沟槽中的金属材料保留下来，形成隔离层40。
本实施例中的多色LED芯片，以三色LED芯片作为示例，其在一个芯片上集成了红、绿、蓝(RGB)三色发光器件，有效解决了单色LED芯片单独制作再转移而造成的一系列问题，能提供更高分辨率的像素，也减小了芯片传送数量。
实施例2：
本实施例提供一种多色LED芯片及其相应的制备方法，与实施例1不同的是，如图3所示，该多色LED芯片中的微红光二极管和微绿光二极管上还覆盖了蓝光滤光膜203。
该多色LED芯片中同组的光处理层20还包括滤光膜203，滤光膜203位于设置有红光转换膜201和绿光转换膜202的上方，滤光膜203与红光转换膜201或绿光转换膜202以介质层204分离间隔设置在不同层。该滤光膜203使得单色发光体11的本光被去除，而让经转换的其他光发射出去。
该多色LED芯片的制备方法的制备工艺以实施例1的多色LED芯片的制备方法为基础，区别在于：在图2J之后，沉积一层蓝光滤光材料，并且选择性刻蚀，保留对应位于微红光二极管与微绿光二极管上方的蓝光滤光材料，形成滤光膜203。这里的蓝色的滤光膜203用于去除蓝光，而让经过转换的光得以发射出去。
实施例1、实施例2中的多色LED芯片及其相应的制备方法，通过制备单色发光体、晶圆键和、沉积颜色转换膜、在不同的发光器件之间形成沟槽与金属材料填充等步骤，形成可对应像素点的像素LED单元，减小了芯片传送数量，因此在LED芯片转移过程中使得形成显示面板像素时的转移效率大大提高，有效解决了单色LED芯片单独制作再转移而造成的一系列问题。
实施例3：
本实施例提供一种像素LED单元、显示面板及其相应的制备方法。
以实施例1或实施例2中的多色LED芯片为原料，可形成像素LED单元，该像素LED单元包括且仅包括一组发光器件组1。此时的像素LED单元从衬底51中分离，暴露出发光器件10的电极对。
以上述多个像素LED单元为原料，可构成显示面板。
在完成上述多色LED芯片的制备方法之后，可通过切割方式形成像素LED单元，并转移到已制备好驱动电路的显示基板上形成显示面板。
该显示面板的制备方法，还包括：
步骤S11)：将N个发光器件切割为一个像素LED单元。
在该步骤中，图4A所示为LED芯片的切割，将单色发光体11及其位于其上方的光处理层20切割为一个像素LED单元。为了便于切割，在相邻的两个像素LED单元之间，在形成多色LED芯片的过程中，可以设置一个相当于一个发光器件大小的空白区域用于切割。
步骤S12)：将像素LED单元转移至显示基板上。
在该步骤中，图4B所示为被切割的LED芯片被转移到显示基板，从而形成显示面板。
当该多色LED芯片转移形成显示面板时，以能形成全彩显示的一组发光器件组即像素LED单元为基准，因此转移的LED芯片数量可以降低，并且由于像素LED单元中各色发光器件同时制备完成而非通过后期的对位配合调整完成，因此像素结构可以更紧凑，像素面积可以减小，也适用于像素点较小、显示面板较小(例如apple watch)的应用。
由于实施例1或实施例2中的多色LED芯片的面积小于构成显示面板的像素面积，因此能提供更高分辨率的像素，为提高生产效率和保证显示质量创造了基础条件。
该显示面板可以为：台式电脑、平板电脑、笔记本电脑、手机、PDA、GPS、车载显示、投影显示、摄像机、数码相机、电子手表、计算器、电子仪器、仪表、液晶面板、电子纸、电视机、显示器、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件，可应用于公共显示和虚幻显示等多个领域。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (13)
1.一种多色LED芯片，其特征在于，包括多个发光器件组，每组所述发光器件组均包括N个相邻间隔设置的发光器件，每一发光器件包括单色发光体和位于所述单色发光体的出光侧的光处理层，每一所述单色发光体包括一电极对，同组所述发光器件组中的所述光处理层为能构成全彩的、颜色互不相同的转换膜，且每相邻N-1个所述单色发光体上的所述转换膜具有相同的颜色，其中：N≥3；
所述发光器件组还设置有绝缘层，所述绝缘层覆盖各所述发光器件的外表面、以及相邻所述发光器件之间的空隙区域，所述绝缘层为一体结构，所述绝缘层使得各所述发光器件保持电绝缘；
相邻的所述发光器件之间的空隙区域还设置有隔离层，所述隔离层位于所述绝缘层上，所述隔离层使得各所述发光器件保持光隔离，所述隔离层采用具有反射性质的金属材料形成。
2.根据权利要求1所述的多色LED芯片，其特征在于，所述反射性质的金属材料包括Ag、Al、Cu、Au、Pt、Ni、Ti中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的多色LED芯片，其特征在于，所述单色发光体为发蓝色光，同组所述发光器件组中的所述光处理层至少包括红光转换膜和绿光转换膜，所述红光转换膜和所述绿光转换膜以介质层分离间隔设置在不同层。
4.根据权利要求3所述的多色LED芯片，其特征在于，同组所述发光器件组中的所述光处理层还包括滤光膜，所述滤光膜位于设置有所述红光转换膜和所述绿光转换膜的上方，所述滤光膜与所述红光转换膜或所述绿光转换膜以所述介质层分离间隔设置在不同层。
5.根据权利要求1-4任一项所述的多色LED芯片，其特征在于，每一所述单色发光体包括依次层叠设置的过渡层、电子传输层、发光层、电子阻挡层、空穴传输层，所述电极对为位于所述空穴传输层上方的阳极和位于所述电子传输层上方的阴极。
6.一种像素LED单元，其特征在于，包括且仅包括权利要求1-5任一项中的一组所述发光器件组。
7.一种显示面板，其特征在于，包括多个权利要求6中的像素LED单元。
8.一种多色LED芯片的制备方法，其特征在于，包括步骤：
在衬底上方形成外延层以及位于所述外延层上方的多对间隔设置的电极对；
翻转所述衬底，将所述衬底上的所述外延层和所述电极对键和到载片上；
去除所述衬底，使得所述外延层位于所述载片的顶部；
在对应每间隔相邻N对的所述电极对的所述外延层上方形成某一颜色的转换膜，其中：N≥3；
在完成上一步骤的所述载片的所述转换膜上方形成介质层；
重复制备不同颜色的所述转换膜和所述介质层的步骤，直至在对应所有所述电极对的所述外延层上方形成能构成全彩的、颜色互不相同的所述转换膜；
对所述外延层及各所述介质层进行构图，以每一所述电极对为基准形成发光器件，所述发光器件包括一单色发光体及其位于其上方的光处理层；
所述制备方法还包括步骤：
形成具有一体结构的绝缘层，所述绝缘层覆盖各所述发光器件的外表面、以及相邻所述发光器件之间的空隙区域，所述绝缘层使得各所述发光器件保持电绝缘；
在相邻的所述发光器件之间形成隔离层，所述隔离层使得各所述发光器件保持光隔离，所述隔离层采用具有反射性质的金属材料形成。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述反射性质的金属材料包括Ag、Al、Cu、Au、Pt、Ni、Ti中的至少一种。
10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，形成所述转换膜的步骤包括：
形成某一颜色的转换材料膜；
对所述转换材料膜进行构图，仅保留每间隔相邻N对所述电极对相应部分的所述转换材料膜。
11.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，将所述衬底上的所述外延层和所述电极对键和到载片的步骤中，将所述衬底和所述载片之间通过连接层连接，所述连接层采用介质材料。
12.根据权利要求8-11任一项所述的制备方法，其特征在于，在所述衬底上方形成外延层以及位于所述外延层上方的多对电极对包括步骤：
在所述衬底上方形成过渡层；
在所述过渡层的上方形成电子传输层；
在所述电子传输层的上方形成发光层；
在所述发光层的上方形成电子阻挡层；
在所述电子阻挡层的上方形成空穴传输层；
将所述发光层和所述电子阻挡层进行构图，间隔相同距离暴露出所述电子传输层；
以及，在所述空穴传输层的上方形成阳极，在暴露出的所述电子传输层的上方形成阴极。
13.一种显示面板制备方法，其特征在于，在权利要求8-12任一项的所述多色LED芯片的制备方法之后，还包括：
将N个所述发光器件切割为一个像素LED单元；
将所述像素LED单元转移至显示基板上。
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