CN113380929A - 显示面板制造方法、显示面板及显示设备 - Google Patents

显示面板制造方法、显示面板及显示设备 Download PDF

Info

Publication number
CN113380929A
CN113380929A CN202110641575.1A CN202110641575A CN113380929A CN 113380929 A CN113380929 A CN 113380929A CN 202110641575 A CN202110641575 A CN 202110641575A CN 113380929 A CN113380929 A CN 113380929A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
emitting layer
light
electrode
semiconductor layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202110641575.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113380929B (zh
Inventor
田文亚
董小彪
高文龙
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Chengdu Vistar Optoelectronics Co Ltd
Original Assignee
Chengdu Vistar Optoelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Chengdu Vistar Optoelectronics Co Ltd filed Critical Chengdu Vistar Optoelectronics Co Ltd
Priority to CN202110641575.1A priority Critical patent/CN113380929B/zh
Publication of CN113380929A publication Critical patent/CN113380929A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113380929B publication Critical patent/CN113380929B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages

Abstract

本申请实施例提供显示面板制造方法、显示面板及显示设备，所述显示面板制造方法包括：在第一衬底上形成层叠设置的多个无机发光层；从多个无机发光层远离第一衬底的一侧开设多组电极开口；每个电极开口对应一个子像素；在各电极开口处形成接触电极；将接触电极与驱动阵列基板上的驱动电极键合；从第一衬底远离驱动阵列基板的一侧开设多组像素开口，每组像素开口包括用于暴露相同的无机发光层的多个像素开口，每个像素开口对应一个子像素。通过刻蚀方式直接形成各色无机发光二极管的阵列，然后整体与驱动阵列基板键合，避免了无机发光二极管巨量转移动作，降低了无机发光二极管和驱动阵列基板键合时转移对准的难度，能有效提高产品良率。

Description

显示面板制造方法、显示面板及显示设备
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种显示面板制造方法、显示面板及显示设备。
背景技术
随着平板显示和微型投影显示技术的迅速发展，微型无机发光二极管(Micro-Light Emitting Diode，Micro-LED)由于其具有显著的性能优势越来越引起人们的广泛关注。Micro-LED技术是采用多个微小化的无机发光二极管组成显示阵列，每个无机发光二极管可单独点亮，具有低功耗、高亮度、高清晰度与长寿命等优势，其未来将成为能与有源矩阵有机发光二极管(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode，AMOLED)显示技术并驾齐驱的新型显示技术。
当前Micro-LED显示面板制造工艺中，常采用倒装芯片技术，需要在制作各色的单颗LED芯片后，通过转移设备将单颗LED芯片拾取并转移键合到驱动阵列基板的对应位置。针对尺寸极小的芯片，巨量芯片转移、激光剥离技术和芯片与背板的焊接技术等的环节工序复杂，且对制作工艺的要求极高，产品良率难以保证。
发明内容
为了克服上述技术背景中所提及的技术问题，本申请实施例提供一种显示面板制造方法，所述方法包括：
在第一衬底上形成层叠设置的多个无机发光层，相邻的所述无机发光层之间包括绝缘连接材料层；
从所述多个无机发光层远离所述第一衬底的一侧开设多组电极开口，每组电极开口包括用于暴露相同的无机发光层的多个电极开口；每个所述电极开口对应一个子像素；
在各所述电极开口处形成接触电极；
将所述接触电极与驱动阵列基板上的驱动电极键合；
从所述第一衬底远离所述驱动阵列基板的一侧开设多组像素开口，每组像素开口包括用于暴露相同的无机发光层的多个像素开口，每个所述像素开口对应一个子像素。
在一种可能的实现方式中，所述在第一衬底上形成层叠设置的多个无机发光层的步骤，包括：
在第一衬底上形成第一发光层，在第二衬底上形成第二发光层，在第三衬底上形成第三发光层；
通过第一绝缘连接材料层将所述第一发光层远离所述第一衬底的一面和第二发光层远离所述第二衬底的一面键合；
剥离所述第二衬底；
通过第二绝缘连接材料层将所述第二发光层远离所述第一发光层的一面和第三发光层远离所述第三衬底的一面键合；
剥离所述第三衬底。
在一种可能的实现方式中，每个所述无机发光层包括从靠近所述第一衬底的一侧向远离所述第一衬底的一侧依次层叠的第一半导体层、多量子阱层、以及第二半导体层，每个所述电极开口包括暴露出所述第一半导体层的第一区域和暴露出所述第二半导体层的第二区域；所述在各所述电极开口处形成接触电极，包括：
在每个所述电极开口的第一区域处形成与所述第一半导体层电性接触的第一子电极，以及在每个所述电极开口的第二区域处形成与所述第二半导体层电性接触的第二子电极。
在一种可能的实现方式中，所述多个无机发光层包括从靠近所述第一衬底的一侧向远离所述第一衬底的一侧依次层叠设置的第一发光层、第二发光层、以及第三发光层；所述多组电极开口包括分别与多个第一颜色的子像素对应的多个第一电极开口、分别与多个第二颜色的子像素对应的多个第二电极开口、以及分别与多个第三颜色的子像素对应的多个第三电极开口；所述从所述多个无机发光层远离所述第一衬底的一侧开设多组电极开口的步骤，包括：
从所述多个无机发光层远离所述第一衬底的一侧且用于形成所述第一电极开口的位置进行刻蚀，以暴露出所述第一发光层的第二半导体层；
对所述第一发光层暴露出的第二半导体层进行部分刻蚀，以在刻蚀位置形成暴露出所述第一发光层的第一半导体层的第一区域，在未刻蚀位置形成暴露出所述第一发光层的第二半导体层的第二区域；
从所述多个无机发光层远离所述第一衬底的一侧且用于形成所述第二电极开口的位置进行刻蚀，以暴露出所述第二发光层的第二半导体层；
对所述第二发光层暴露出的第二半导体层进行部分刻蚀，以在刻蚀位置形成暴露出所述第二发光层的第一半导体层的第一区域，在未刻蚀位置形成暴露出所述第二发光层的第二半导体层的第二区域；
对所述第三发光层暴露出的第二半导体层进行部分刻蚀，以在刻蚀位置形成暴露出所述第三发光层的第一半导体层的第一区域，在未刻蚀位置形成暴露出所述第三发光层的第二半导体层的第二区域。
在一种可能的实现方式中，所述多个无机发光层包括从靠近所述第一衬底的一侧向远离所述第一衬底的一侧依次层叠设置的第一发光层、第二发光层、以及第三发光层；所述多组电极开口包括分别与多个第一颜色的子像素对应的多个第一电极开口、分别与多个第二颜色的子像素对应的多个第二电极开口、以及分别与多个第三颜色的子像素对应的多个第三电极开口；所述从所述多个无机发光层远离所述第一衬底的一侧开设多组电极开口的步骤，包括：
从所述多个无机发光层远离所述第一衬底的一侧且用于形成所述第一电极开口的位置进行刻蚀，以暴露出所述第一发光层的第二半导体层；
从所述多个无机发光层远离所述第一衬底的一侧且用于形成所述第二电极开口的位置进行刻蚀，以暴露出所述第二发光层的第二半导体层；
对所述第一电极开口、第二电极开口、第三电极开口的位置进行部分刻蚀，以在刻蚀位置形成暴露出第一半导体层的第一区域，在未刻蚀位置形成暴露出第二半导体层的第二区域。
在一种可能的实现方式中，在所述在各所述电极开口处形成接触电极的步骤之前，所述方法还包括：
在位于同一所述无机发光层的相邻两个子像素之间刻蚀形成贯穿所述无机发光层的隔离槽。
在一种可能的实现方式中，在所述从所述第一衬底远离所述驱动阵列基板的一侧开设多组像素开口的步骤之前，所述方法还包括：
在所述驱动阵列基板与所述无机发光层之间填充支撑胶。
在一种可能的实现方式中，所述方法还包括：
在所述像素开口的位置设置微透镜。
本申请还提供一种显示面板，所述显示面板通过本申请提供的所述显示面板制造方法制成。
本申请还提供一种显示设备，该显示设备包括本申请提供的所述显示面板。
本申请实施例提供的显示面板制造方法、显示面板及显示设备，通过刻蚀方式直接形成各色无机发光二极管的阵列，然后整体与驱动阵列基板键合，避免了无机发光二极管的巨量转移动作，降低了无机发光二极管和驱动阵列基板键合时转移对准的难度，能有效提高产品良率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本申请实施例提供的显示面板制造方法的流程示意图；
图2为本申请实施例提供的显示面板制造方法的制作过程示意图之一；
图3为本申请实施例提供的显示面板制造方法的制作过程示意图之二；
图4为本申请实施例提供的显示面板制造方法的制作过程示意图之三；
图5为本申请实施例提供的显示面板制造方法的制作过程示意图之四；
图6为本申请实施例提供的显示面板制造方法的制作过程示意图之五；
图7为图1所示步骤S110的子步骤流程示意图；
图8A本申请实施例提供的显示面板制造方法的制作过程示意图之六；
图8B本申请实施例提供的显示面板制造方法的制作过程示意图之七；
图8C本申请实施例提供的显示面板制造方法的制作过程示意图之八；
图9为图1所示步骤S120的子步骤流程示意图之一；
图10A本申请实施例提供的显示面板制造方法的制作过程示意图之九；
图10B本申请实施例提供的显示面板制造方法的制作过程示意图之十；
图10C本申请实施例提供的显示面板制造方法的制作过程示意图之十一；
图10D本申请实施例提供的显示面板制造方法的制作过程示意图之十二；
图10E本申请实施例提供的显示面板制造方法的制作过程示意图之十三；
图11本申请实施例提供的隔离槽的示意图；
图12为图1所示步骤S120的子步骤流程示意图之二；
图13本申请实施例提供的显示面板制造方法的制作过程示意图之十四；
图14本申请实施例提供的显示面板制造方法的制作过程示意图之十五；
图15本申请实施例提供的显示面板制造方法的制作过程示意图之十六。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
在本申请的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该申请产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例中的不同特征之间可以相互结合。
请参照图1，图1为本实施例提供的显示面板制造方法的步骤流程示意图，该方法可以被用于制造微型无机发光二极管显示面板，下面对该方法的各个步骤进行详细解释。
步骤S110，在第一衬底110上形成层叠设置的多个无机发光层200，相邻的无机发光层200之间包括绝缘连接材料层300。
请参照图2，在本实施例中，可以先在第一衬底110上形成多个无机发光层200。不同的无机发光层200可以用于形成不同颜色的无机发光二极管。例如，在一种可能的实现方式中，无机发光层200的数量可以为3个，3个无机发光层200分别用于形成红、绿、蓝三色子像素的无机发光二极管。或者，在另一种可能的实现方式中，无机发光层200的数量也可以为4个，4个无机发光层200分别用于形成红、绿、蓝、白四色子像素的无机发光二极管。
相邻的无机发光层200之间可以通过绝缘连接材料层300相互连接，例如，通过苯并环丁烯(Benzocyclobutene，BCB)材料或者透明胶连接。
步骤S120，从多个无机发光层200远离第一衬底110的一侧开设多组电极开口800，每组电极开口800包括用于暴露相同的无机发光层200的多个电极开口800。每个电极开口800对应一个子像素。
请参照图3，在本实施例中，电极开口800的位置可以为需要形成无机发光二极管的位置，不同组的电极开口800用于暴露不同的无机发光层200。多组电极开口800可以呈阵列分布，每个电极开口800的位置与一个子像素的位置对应。
以多个无机发光层200包括从靠近第一衬底110的一侧向远离第一衬底110的一侧依次层叠设置的第一发光层210、第二发光层220、以及第三发光层230为例，第一发光层210可以用于形成蓝色无机发光二极管，第二发光层220可以用于形成绿色无机发光二极管，第三发光层230可以用于形成红色无机发光二极管。在需要设置蓝色无机发光二极管的电极的位置，可以将第二发光层220和第三发光层230刻蚀掉，从而暴露出用于形成蓝色无机发光二极管的第一发光层210；在需要设置绿色无机发光二极管的电极的位置，可以将第三发光层230刻蚀掉，从而暴露出用于形成绿色无机发光二极管的第二发光层220；由于用于形成红色无机发光二极管的第三发光层230位于最远离第一衬底110的一侧，因此第三发光层230当前本身就是暴露的。
步骤S130，在各电极开口800处形成接触电极300。
请参照图4，通过不同的电极开口800暴露出不同无机发光层200后，可以在电极开口800处设置与相应的无机发光层200电性接触的接触电极300。
可选地，在一些可能的实现方式中，每个无机发光层200包括从靠近第一衬底110的一侧向远离第一衬底110的一侧依次层叠的第一半导体层201、多量子阱层202、以及第二半导体层203。在开设电极开口800时，可以在每个电极开口800处形成暴露出第一半导体层201的第一区域810和暴露出第二半导体层203的第二区域820。其中，第一半导体层201和第二半导体层203中的其中一个可以为P型半导体层，另一个可以为N型半导体层。相应地，在步骤S130中，可以在每个电极开口800的第一区域810处形成与第一半导体层201电性接触的第一子电极301，以及在每个电极开口800的第二区域820处形成与第二半导体层203电性接触的第二子电极302。
如此，通过第一子电极301、第一半导体层201、多量子阱层202、第二半导体层203、第二子电极302可形成一个无机发光二极管的工作回路，在第一子电极301和第二子电极302之间施加电压后，可以点亮该无机发光二极管。
步骤S140，将接触电极300与驱动阵列基板400上的驱动电极键合。
请参照图5，在本实施例中，驱动阵列基板400上可以设置有驱动不同子像素的驱动单元，每个驱动单元的驱动电极可以与一个子像素的接触电极300位置对应。例如，驱动阵列基板400可以为薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)阵列基板，包括多个呈阵列分布TFT开关单元。可以通过金属共晶键合或者异方性导电胶膜(Anisotropic ConductiveFilm，ACF)胶带将接触电极300与驱动阵列基板400上的驱动电极键合。
步骤S150，从第一衬底110远离驱动阵列基板400的一侧开设多组像素开口900，每组像素开口900包括用于暴露相同的无机发光层200的多个像素开口900，每个像素开口900对应一个子像素。
请参照图6，在本实施例中，远离驱动阵列基板400的一侧为显示面板的出光侧，因此，在步骤S150中可以从第一衬底110远离驱动阵列基板400的一侧开设用于透出光线的像素开口900。每个像素开口900在驱动阵列基板400上的正投影与一个电极开口800在驱动阵列基板400上的正投影至少部分重合。每个子像素的无机发光二极管从电极开口800与驱动阵列基板400电性接触获得电能，在无机发光二极管被点亮后，光线从像素开口900射出。
基于上述设计，在本实施例中，通过对层叠的多个无机发光层200进行刻蚀的方式，直接形成呈阵列分布的各色无机发光二极管的阵列，然后在整体性地与驱动阵列基板400键合，从而避免了无机发光二极管的巨量转移动作，降低了无机发光二极管和驱动阵列基板400键合时转移对准的难度，能有效提高产品良率。
在一些可能的实现方式中，请参照图7，步骤S110可以包括一下子步骤。
步骤S210，在第一衬底110上形成第一发光层210，在第二衬底120上形成第二发光层220，在第三衬底130上形成第三发光层230。
请参照图4，第一发光层210是蓝色无机发光层为例，在步骤S210中，可以在第一衬底110(如硅基晶圆)上采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方式在腔室内生长缓冲层、第一半导体层201、蓝光多量子阱层202、第二半导体层203，其中，第一半导体层201和第二半导体层203中一个可以为N型半导体层(如N-GaN)，另一个可以为P型半导体层(如P-GaN)。
相应地，可以在第二衬底120上形成第二发光层220，第二发光层220可以为绿色无机发光层；在第三衬底130上形成第三发光层230，第三发光层230可以为红色无机发光层，如图8A所示。
步骤S220，通过第一绝缘连接材料层310将第一发光层210远离第一衬底110的一面和第二发光层220远离第二衬底120的一面键合。
请参照图8B，在步骤S220，中，可以通过晶圆邦定(wafer bonding)技术，采用BCB材料或者透明胶将第一发光层210远离第一衬底110的一面和第二发光层220远离第二衬底120的一面键合。
步骤S230，剥离第二衬底120。
请参照图8C，在步骤S230中，可以采用衬底激光玻璃技术将第二衬底120剥离，从而暴露出第二发光层220远离第一发光层210的一面。
步骤S240，通过第二绝缘连接材料层320将第二发光层220远离第一发光层210的一面和第三发光层230远离第三衬底130的一面键合。
步骤S250，剥离第三衬底130。
相应地，在步骤S240和步骤S250中，可以在通过第二绝缘连接材料层320将第二发光层220远离第一发光层210的一面和第三发光层230远离第三衬底130的一面键合后，采用衬底激光剥离技术将第三衬底130剥离，从而暴露出第三发光层230远离第一衬底110的一面。
如此，形成了如图2所示的在第一衬底110上依次层叠设置的第一发光层210、第二发光层220和第三发光层230。
在一些可能的实现方式中，多组电极开口800可以包括分别与多个第一颜色的子像素对应的多个第一电极开口800A、分别与多个第二颜色的子像素对应的多个第二电极开口800B、以及分别与多个第三颜色的子像素对应的多个第三电极开口800C。请参照图9，步骤S120可以包括以下子步骤。
步骤S310，从多个无机发光层200远离第一衬底110的一侧且用于形成第一电极开口800A的位置进行刻蚀，以暴露出第一发光层210的第二半导体层203。
请参照图10A，在步骤S310中，可以将第一电极开口800A的位置处的第二发光层220和第三发光层230刻蚀掉，从而暴露出第一发光层210的第二半导体层203。
步骤S320，对第一发光层210暴露出的第二半导体层203进行部分刻蚀，以在刻蚀位置形成暴露出第一发光层210的第一半导体层201的第一区域810，在未刻蚀位置形成暴露出第一发光层210的第二半导体层203的第二区域820。
请参照图10B，在步骤S320中，可以针对从第一电极开口800A的位置暴露出的第一发光层210的第二半导体层203进行部分刻蚀，形成台阶图案。其中，被刻蚀的位置暴露出第一发光层210的第一半导体层201，形成第一电极开口800A中第一区域810，未刻蚀位置形成暴露出第一发光层210的第二半导体层203，形成第一电极开口800A中的第二区域820。
步骤S330，从多个无机发光层200远离第一衬底110的一侧且用于形成第二电极开口800B的位置进行刻蚀，以暴露出第二发光层220的第二半导体层203。
步骤S340，对第二发光层220暴露出的第二半导体层203进行部分刻蚀，以在刻蚀位置形成暴露出第二发光层220的第一半导体层201的第一区域810，在未刻蚀位置形成暴露出第二发光层220的第二半导体层203的第二区域820。
相应地，请参照图10C和图10D，在步骤S330和步骤S340中，可以先将第二电极开口800B的位置处的第三发光层230刻蚀掉，从而暴露出第二发光层220的第二半导体层203。然后可以针对从第二电极开口800B的位置暴露出的第二发光层220的第二半导体层203进行部分刻蚀，形成台阶图案。其中，被刻蚀位置暴露出第二发光层220的第一半导体层201，形成第二电极开口800B中第一区域810，未刻蚀位置形成暴露出第二发光层220的第二半导体层203，形成第二电极开口800B中的第二区域820。
步骤S350，从多个无机发光层200远离第一衬底110的一侧且用于形成第三电极开口800C的位置对第三发光层230进行部分刻蚀，以在刻蚀位置形成暴露出第三发光层230的第一半导体层201的第一区域810，在未刻蚀位置形成暴露出第三发光层230的第二半导体层203的第二区域820。
请参照图10E，在一些情况下，由于第三发光层230位于最远离第一衬底110的一侧，其第二半导体层203本身就是暴露的，因此在步骤S350中，可以在直接在需要形成第三电极开口800C的位置直接对第三发光层230暴露出的第一衬底110进行部分刻蚀，形成台阶图案。其中，被刻蚀位置暴露出第三发光层230的第一半导体层201，形成第三电极开口800C中第一区域810，未刻蚀位置形成暴露出第三发光层230的第二半导体层203，形成第三电极开口800C中的第二区域820。在另一些情况下，第三发光层230远离第一衬底110的一面可能还覆盖缓冲层等膜层，在步骤S350中，可以先刻蚀掉这些膜层以暴露出第二半导体层203，然后在对第二半导体层203进行部分刻蚀。
进一步地，在对各电极开口800的位置进行部分刻蚀形成第一区域810和第二区域820时，还可以在位于同一无机发光层200的相邻两个子像素之间刻蚀形成贯穿无机发光层200的隔离槽700。例如，请参照图11，行方向为形成相邻且不同颜色子像素的方向，列方向为形成相邻且相同颜色子像素的方向。刻蚀形成各电极开口800的第一区域810和第二区域820时，可以在列方向上相邻的两个同色子像素之间的位置刻蚀出至少贯穿该电极开口800对应的无机发光层200的隔离槽700，隔离槽700将位于同一无机发光层200的相邻的两个子像素电性隔离开，使位于同一无机发光层200的相邻的两个子像素可以独立工作。
在另一种可能的实现方式中，多组电极开口800包括分别与多个第一颜色的子像素对应的多个第一电极开口800A、分别与多个第二颜色的子像素对应的多个第二电极开口800B、以及分别与多个第三颜色的子像素对应的多个第三电极开口800C。请参照图12，步骤S120可以包括以下子步骤。
步骤S410，从多个无机发光层200远离第一衬底110的一侧且用于形成第一电极开口800A的位置进行刻蚀，以暴露出第一发光层210的第二半导体层203。
步骤S420，从多个无机发光层200远离第一衬底110的一侧且用于形成第二电极开口800B的位置进行刻蚀，以暴露出第二发光层220的第二半导体层203。
步骤S430，对第一电极开口800A、第二电极开口800B、第三电极开口800C的位置进行部分刻蚀，以在刻蚀位置形成暴露出第一半导体层201的第一区域810，在未刻蚀位置形成暴露出第二半导体层203的第二区域820。
请参照图13，在步骤S410和步骤S420中，可以先分别针对第一电极开口800A和第二电极开口800B的位置进行刻蚀，分别暴露出第一发光层210的第二半导体层203及第二发光层220的第二半导体层203。然后，在步骤S430中再对各电极开口800的位置进行部分刻蚀，从而在各电极开口800处形成暴露出对应无机发光层200的第一半导体层201的第一区域810和暴露出对应无机发光层200的第二半导体层203的第二区域820，形成如图3所示的结构。
进一步地，在步骤S430中，还可以在位于同一无机发光层200的相邻两个像素之间刻蚀形成贯穿无机发光层200的隔离槽700，形成如图11所示的结构。
在一些可能的实现方式中，请参照图14，在步骤S150之前可以在驱动阵列基板400与无机发光层200之间填充支撑胶500，支撑胶500可以为绝缘材料。如此，可以提高显示面板的结构稳定性。
在一些可能的实现方式中，请参照图15，在步骤S150之后，还可以在像素开口900的位置设置微透镜。每个微透镜在驱动阵列基板400上的正投影可以和一个像素开口900在驱动阵列基板400上的正投影存在至少部分重合。微透镜可以为凸透镜，用于将对应位置子像素发出的光线汇聚后从显示面板的出光面射出，从而可以将出射光线汇聚，提高出射光线的强度。
本实施例还提供一种显示面板，该显示面板可以由本实施例提供的显示面板制造方法制成。
另外，本实施例还提供一种显示设备，该显示设备中可以包括有本实施例提供的显示面板制造方法制成的显示面板。
综上所述，本申请实施例提供的显示面板制造方法、显示面板及显示设备，通过刻蚀方式直接形成各色无机发光二极管的阵列，然后整体与驱动阵列基板键合，避免了无机发光二极管巨量转移动作，降低了无机发光二极管和驱动阵列基板键合时转移对准的难度，能有效提高产品良率。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种显示面板制造方法，其特征在于，所述方法包括：
在第一衬底上形成层叠设置的多个无机发光层，相邻的所述无机发光层之间包括绝缘连接材料层；
从所述多个无机发光层远离所述第一衬底的一侧开设多组电极开口，每组电极开口包括用于暴露相同的无机发光层的多个电极开口；每个所述电极开口对应一个子像素；
在各所述电极开口处形成接触电极；
将所述接触电极与驱动阵列基板上的驱动电极键合；
从所述第一衬底远离所述驱动阵列基板的一侧开设多组像素开口，每组像素开口包括用于暴露相同的无机发光层的多个像素开口，每个所述像素开口对应一个子像素。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在第一衬底上形成层叠设置的多个无机发光层的步骤，包括：
在第一衬底上形成第一发光层，在第二衬底上形成第二发光层，在第三衬底上形成第三发光层；
通过第一绝缘连接材料层将所述第一发光层远离所述第一衬底的一面和第二发光层远离所述第二衬底的一面键合；
剥离所述第二衬底；
通过第二绝缘连接材料层将所述第二发光层远离所述第一发光层的一面和第三发光层远离所述第三衬底的一面键合；
剥离所述第三衬底。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，每个所述无机发光层包括从靠近所述第一衬底的一侧向远离所述第一衬底的一侧依次层叠的第一半导体层、多量子阱层、以及第二半导体层，每个所述电极开口包括暴露出所述第一半导体层的第一区域和暴露出所述第二半导体层的第二区域；所述在各所述电极开口处形成接触电极，包括：
在每个所述电极开口的第一区域处形成与所述第一半导体层电性接触的第一子电极，以及在每个所述电极开口的第二区域处形成与所述第二半导体层电性接触的第二子电极。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述多个无机发光层包括从靠近所述第一衬底的一侧向远离所述第一衬底的一侧依次层叠设置的第一发光层、第二发光层、以及第三发光层；所述多组电极开口包括分别与多个第一颜色的子像素对应的多个第一电极开口、分别与多个第二颜色的子像素对应的多个第二电极开口、以及分别与多个第三颜色的子像素对应的多个第三电极开口；所述从所述多个无机发光层远离所述第一衬底的一侧开设多组电极开口的步骤，包括：
从所述多个无机发光层远离所述第一衬底的一侧且用于形成所述第一电极开口的位置进行刻蚀，以暴露出所述第一发光层的第二半导体层；
对所述第一发光层暴露出的第二半导体层进行部分刻蚀，以在刻蚀位置形成暴露出所述第一发光层的第一半导体层的第一区域，在未刻蚀位置形成暴露出所述第一发光层的第二半导体层的第二区域；
从所述多个无机发光层远离所述第一衬底的一侧且用于形成所述第二电极开口的位置进行刻蚀，以暴露出所述第二发光层的第二半导体层；
对所述第二发光层暴露出的第二半导体层进行部分刻蚀，以在刻蚀位置形成暴露出所述第二发光层的第一半导体层的第一区域，在未刻蚀位置形成暴露出所述第二发光层的第二半导体层的第二区域；
对所述第三发光层暴露出的第二半导体层进行部分刻蚀，以在刻蚀位置形成暴露出所述第三发光层的第一半导体层的第一区域，在未刻蚀位置形成暴露出所述第三发光层的第二半导体层的第二区域。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述多个无机发光层包括从靠近所述第一衬底的一侧向远离所述第一衬底的一侧依次层叠设置的第一发光层、第二发光层、以及第三发光层；所述多组电极开口包括分别与多个第一颜色的子像素对应的多个第一电极开口、分别与多个第二颜色的子像素对应的多个第二电极开口、以及分别与多个第三颜色的子像素对应的多个第三电极开口；所述从所述多个无机发光层远离所述第一衬底的一侧开设多组电极开口的步骤，包括：
从所述多个无机发光层远离所述第一衬底的一侧且用于形成所述第一电极开口的位置进行刻蚀，以暴露出所述第一发光层的第二半导体层；
从所述多个无机发光层远离所述第一衬底的一侧且用于形成所述第二电极开口的位置进行刻蚀，以暴露出所述第二发光层的第二半导体层；
对所述第一电极开口、第二电极开口、第三电极开口的位置进行部分刻蚀，以在刻蚀位置形成暴露出第一半导体层的第一区域，在未刻蚀位置形成暴露出第二半导体层的第二区域。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述在各所述电极开口处形成接触电极的步骤之前，所述方法还包括：
在位于同一所述无机发光层的相邻两个子像素之间刻蚀形成贯穿所述无机发光层的隔离槽，以将所述相邻两个子像素进行隔离。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述从所述第一衬底远离所述驱动阵列基板的一侧开设多组像素开口的步骤之前，所述方法还包括：
在所述驱动阵列基板与所述无机发光层之间填充支撑胶。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在所述像素开口的位置设置微透镜。
9.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板通过权利要求1-8任意一项所述的显示面板制造方法制成。
10.一种显示设备，其特征在于，包括权利要求9所述的显示面板。
CN202110641575.1A 2021-06-09 2021-06-09 显示面板制造方法、显示面板及显示设备 Active CN113380929B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110641575.1A CN113380929B (zh) 2021-06-09 2021-06-09 显示面板制造方法、显示面板及显示设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110641575.1A CN113380929B (zh) 2021-06-09 2021-06-09 显示面板制造方法、显示面板及显示设备

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113380929A true CN113380929A (zh) 2021-09-10
CN113380929B CN113380929B (zh) 2024-04-26

Family

ID=77573054

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110641575.1A Active CN113380929B (zh) 2021-06-09 2021-06-09 显示面板制造方法、显示面板及显示设备

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113380929B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114038953A (zh) * 2021-10-09 2022-02-11 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种微发光二极管显示器及制作方法
CN116111013A (zh) * 2022-12-22 2023-05-12 惠科股份有限公司 发光单元组件及其制作方法、显示装置
CN116230734A (zh) * 2023-05-09 2023-06-06 江西兆驰半导体有限公司 一种全彩mini LED芯片及制备方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11233827A (ja) * 1998-02-10 1999-08-27 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体発光素子
JP2001024222A (ja) * 1999-07-06 2001-01-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその製造方法
CN107068811A (zh) * 2017-03-15 2017-08-18 京东方科技集团股份有限公司 发光二极管装置的制作方法以及发光二极管装置
US20170288102A1 (en) * 2016-04-04 2017-10-05 Glo Ab Through backplane laser irradiation for die transfer
US20190165038A1 (en) * 2017-11-27 2019-05-30 Seoul Viosys Co., Ltd. Led unit for display and display apparatus having the same
CN110689814A (zh) * 2018-07-05 2020-01-14 江西兆驰半导体有限公司 一种多色化微型led阵列及其制作方法
CN110767670A (zh) * 2019-10-31 2020-02-07 云谷（固安）科技有限公司 显示面板、显示装置和显示面板的制作方法
WO2020100302A1 (ja) * 2018-11-16 2020-05-22 堺ディスプレイプロダクト株式会社 マイクロｌｅｄデバイスおよびその製造方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11233827A (ja) * 1998-02-10 1999-08-27 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体発光素子
JP2001024222A (ja) * 1999-07-06 2001-01-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその製造方法
US20170288102A1 (en) * 2016-04-04 2017-10-05 Glo Ab Through backplane laser irradiation for die transfer
CN107068811A (zh) * 2017-03-15 2017-08-18 京东方科技集团股份有限公司 发光二极管装置的制作方法以及发光二极管装置
US20190165038A1 (en) * 2017-11-27 2019-05-30 Seoul Viosys Co., Ltd. Led unit for display and display apparatus having the same
CN110689814A (zh) * 2018-07-05 2020-01-14 江西兆驰半导体有限公司 一种多色化微型led阵列及其制作方法
WO2020100302A1 (ja) * 2018-11-16 2020-05-22 堺ディスプレイプロダクト株式会社 マイクロｌｅｄデバイスおよびその製造方法
CN110767670A (zh) * 2019-10-31 2020-02-07 云谷（固安）科技有限公司 显示面板、显示装置和显示面板的制作方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114038953A (zh) * 2021-10-09 2022-02-11 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种微发光二极管显示器及制作方法
CN114038953B (zh) * 2021-10-09 2023-04-18 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种微发光二极管显示器及制作方法
CN116111013A (zh) * 2022-12-22 2023-05-12 惠科股份有限公司 发光单元组件及其制作方法、显示装置
CN116111013B (zh) * 2022-12-22 2024-04-05 惠科股份有限公司 发光单元组件及其制作方法、显示装置
CN116230734A (zh) * 2023-05-09 2023-06-06 江西兆驰半导体有限公司 一种全彩mini LED芯片及制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN113380929B (zh) 2024-04-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20200350466A1 (en) Micro light emitting diode chip and display panel
CN113380929B (zh) 显示面板制造方法、显示面板及显示设备
CN107393940B (zh) Led显示设备及其制造方法
US10368417B2 (en) Display device having semiconductor light-emitting device with inclined portion
EP4036977A1 (en) Display device using micro-leds and method for manufacturing same
CN111048497B (zh) 一种有源矩阵彩色显示器件的制造方法
US20220352413A1 (en) Light emitting device for display and display apparatus
US20230117219A1 (en) Method for manufacturing display device using semiconductor light-emitting elements and display device
EP4064359A1 (en) Display apparatus using light-emitting device
CN111863797B (zh) 一种显示基板、其制作方法及显示装置
KR20180060704A (ko) 수직 적층형 마이크로 디스플레이
US20230014515A1 (en) Display device using micro led and manufacturing method thereof
CN113257958A (zh) 发光二极管测试电路、发光二极管测试方法及制造方法
CN114023861A (zh) Micro-LED芯片结构及其制作方法
EP4050656A1 (en) Display apparatus using micro led and method for manufacturing same
TW201904049A (zh) 微發光二極體顯示模組的製造方法
CN113421893A (zh) 一种显示基板及其制作方法、显示装置
US20180277589A1 (en) Display device using semiconductor light emitting device
CN117253955A (zh) 一种Micro LED显示芯片及其制备方法
CN109285855B (zh) 显示装置及其制造方法
CN114497112B (zh) 一种MicroLED显示面板制作方法及显示面板
KR20230092671A (ko) 마이크로 발광 소자 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
CN112582443B (zh) Led显示结构的制作方法、led显示结构以及显示面板
US20230253386A1 (en) Display apparatus using semiconductor light-emitting device
KR102097865B1 (ko) 발광소자

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant