CN110767670A - 显示面板、显示装置和显示面板的制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例公开了一种显示面板、显示装置和显示面板的制作方法。显示面板包括:第一类发光单元,第一类发光单元包括依次层叠设置的第一发光层和第一电极,第一电极位于第一发光层和驱动背板之间,第一发光层通过第一电极与驱动背板电连接;第二类发光单元,第二类发光单元包括依次层叠设置的第二发光层、第二电极、至少一层非发光层和至少一层导通电极,第二电极与导通电极短接,第二发光层通过第二电极以及导通电极与驱动背板电连接;其中,第二类发光单元的至少一层非发光层与第一类发光单元的第一发光层的材料相同,且位于同一膜层。与现有技术相比,本发明实施例简化了显示面板彩色化的制作工艺,提升了显示面板的良率。
Description
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板、显示装置和显示面板的制作方法。
背景技术
硅基微显技术即将显示器与单晶硅集成电路结合,使用硅基微显技术的显示面板具有显示分辨率较高、视角大、响应速度快、亮度高以及功耗低等优点,这使得硅基微显技术在增加图像显示尺寸和清晰度,减少系统芯片数量以降低系统的成本和产品的空间体积方面具有广阔的应用前景,目前硅基微显技术可应用于军事、医学、航空航天以及电子消费等各个领域。
然而,现有的实现硅基微显示面板的彩色化存在工艺复杂和良率较低的问题,因此很难实现批量化生产。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板、显示装置和显示面板的制作方法,以简化显示面板彩色化的制作工艺,提升显示面板的良率。
为实现上述技术目的,本发明实施例提供了如下技术方案:
一种显示面板,包括:
驱动背板;
第一类发光单元,位于所述驱动背板上;所述第一类发光单元包括层叠设置的第一发光层和第一电极,所述第一电极位于所述第一发光层和所述驱动背板之间,所述第一发光层通过所述第一电极与所述驱动背板电连接;
第二类发光单元,位于所述驱动背板上;所述第二类发光单元包括依次层叠设置的第二发光层、第二电极、至少一层非发光层和至少一层导通电极,所述第二电极与所述导通电极短接,所述第二发光层通过所述第二电极以及所述导通电极与所述驱动背板电连接;
其中,所述第二类发光单元的至少一层所述非发光层与所述第一类发光单元的所述第一发光层的材料相同,且位于同一膜层。
由上述技术方案可以看出,本发明实施例设置第二类发光单元的至少一层非发光层与第一类发光单元的第一发光层的材料相同,且位于同一膜层。那么,第二类发光单元的至少一层非发光层与第一类发光单元的第一发光层可以由一道制作工艺制作完成。且由于第二类发光单元的至少一层非发光层和第二发光层为层叠结构,使得第二类发光单元和第一类发光单元的各发光层可以在层叠邦定形成发光单元基板之后,一起邦定到驱动背板上,然后进行图形化,得到第一类发光单元和第二类发光单元。与现有技术相比,在该显示面板的制作方法中,无需针对多个发光单元分别多次邦定在驱动背板上,而只需将包括多层发光层的发光单元基板一次邦定在驱动背板上。因此,本发明实施例提供的显示面板可以减少发光单元与驱动背板的邦定次数,从而降低了工艺热预算,有利于避免驱动背板热效应过高带来的CMOS器件漂移和铝导线断裂的问题,从而有利于提升显示面板的良率。
可选地,所述第一类发光单元为第一发光单元,所述第二类发光单元包括第二发光单元和第三发光单元;
所述第二发光单元包括依次层叠设置的第二发光层、第二电极、第一非发光层和第一导通电极;所述第二发光单元的所述第二电极和所述第二发光单元的所述第一导通电极短接,所述第二发光单元的所述第二发光层通过所述第二发光单元的所述第二电极与所述驱动背板电连接;
所述第三发光单元包括依次层叠设置的第二发光层、第二电极、第二非发光层、第二导通电极、第一非发光层和第一导通电极;所述第三发光单元的所述第二电极、所述第三发光单元的所述第二导通电极和所述第三发光单元的所述第一导通电极短接,所述第三发光单元的所述第二发光层通过所述第三发光单元的所述第二电极与所述驱动背板电连接;
其中,所述第二发光单元的所述第一非发光层、所述第三发光单元的所述第一非发光层和所述第一发光单元的所述第一发光层的材料相同,且位于同一膜层;所述第二发光单元的所述第二发光层与所述第三发光单元的所述第二非发光层的材料相同,且位于同一膜层。
本发明实施例这样设置,第二发光单元的第一非发光层、第三发光单元的第一非发光层和第一发光单元的第一发光层可以由一道制作工艺制作完成;第二发光单元的第二发光层与第三发光单元的第二非发光层可以由一道制作工艺制作完成。且由于第二发光单元的第二发光层和第一非发光层为层叠结构,第三发光单元的第二发光层、第二非发光层和第一非发光层为层叠结构,使得第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元的各发光层可以在层叠邦定形成发光单元基板之后,一起邦定到驱动背板上,然后进行图形化,得到第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元。
可选地,第一发光单元为蓝光发光单元,相应地,第二发光单元和第三发光单元分别为绿光发光单元和红光发光单元;或者,第一发光单元为绿光发光单元,第二发光单元和第三发光单元分别为红光发光单元和蓝光发光单元;或者,第一发光单元为红光发光单元,第二发光单元和第三发光单元分别为绿光发光单元和蓝光发光单元。
可选地,短接后的所述第二电极和所述导通电极包覆所述非发光层,其工艺步骤简单,工艺难度降低,有利于进一步提升显示面板的良率。
可选地,所述第二电极和所述导通电极通过设置在所述非发光层的侧壁的导电膜层短接;所述导电膜层包括第一金属层和第二金属层,所述第一金属层位于所述非发光层的侧壁和所述第二金属层之间;
优选地,所述第一金属层的材料包括钛,所述第二金属层的材料包括金或铝。
本发明实施例这样设置,一方面,钛的粘附力较好,将钛与非发光层的侧壁直接接触,有利于提升第一金属层的粘附性,使得第一金属层不易脱落;另一方面,金和铝的导电性能较好,设置第二金属层包括金或铝,有利于提升第二金属层的导电性能。
可选地,所述非发光层的面积大于所述第二发光层的面积,以使第二发光单元的导电膜层能够可靠地连接第二发光单元的第二电极与第二发光单元的第一导通层。
可选地,至少两层所述非发光层的面积在沿发光层至非发光层的方向上依次增大,以使得相邻非发光层的侧壁均设置有导电膜层,且两个导电膜层分开设置,有利于减小导电膜层的高度,从而有利于减小导电膜层的张力,提升导电膜层的粘附性。
可选地,显示面板还包括:
钝化层,位于所述第一发光层和所述第二发光层远离所述驱动背板的一侧,所述钝化层包括第一开口和第二开口,所述第一开口露出至少部分所述第一发光层,所述第二开口露出至少部分所述第二发光层;
公共电极,位于所述钝化层远离所述驱动背板的一侧,所述公共电极在所述钝化层的第一开口处与所述第一发光层接触,以及所述公共电极在所述钝化层的第二开口处与所述第二发光层接触。本发明实施例这样设置,实现了显示面板上各发光单元与公共电极的连接。
相应地,本发明还提供了一种显示装置,包括:如本发明任意实施例所提供的显示面板。
相应地,本发明还提供了一种显示面板的制作方法,包括:
提供驱动背板;
提供发光单元基板,所述发光单元基板包括依次层叠设置的第一电极材料层、第一外延层、至少一层第二电极材料层和至少一层第二外延层;
将所述发光单元基板的第一电极材料层的一侧邦定在所述驱动背板上;
图形化距离所述驱动背板最远的所述第二外延层,形成第二类发光单元的第二发光层;
图形化距离所述驱动背板最远的所述第二电极材料层,形成所述第二类发光单元的第二电极;
图形化所述第一外延层,形成第一类发光单元的第一发光层和所述第二类发光单元的非发光层;
图形化所述第一电极材料层,形成所述第一类发光单元的第一电极和所述第二类发光单元的导通电极;
将所述第二类发光单元的第二电极和导通电极短接。
可选地,所述第一类发光单元为第一发光单元,所述第二类发光单元包括第二发光单元和第三发光单元;所述发光单元基板包括依次层叠设置的第一电极材料层、第一外延层、第一层第二电极材料层、第一层第二外延层、第二层第二电极材料层和第二层第二外延层;
在将所述发光单元基板的第一电极材料层的一侧邦定在所述驱动背板上之后,还包括:
图形化所述第二层第二外延层,形成所述第三发光单元的第二发光层;
图形化所述第二层第二电极材料层,形成所述第三发光单元的第二电极;
图形化所述第一层第二外延层,形成所述第二发光单元的第二发光层和所述第三发光单元的第二非发光层;
图形化所述第一层第二电极材料层,形成所述第二发光单元的第二电极和所述第三发光单元的第二导通电极;
图形化所述第一外延层,形成第一发光单元的第一发光层、所述第二发光单元的第一非发光层和所述第三发光单元的第一非发光层;
图形化所述第一电极材料层,形成所述第一发光单元的第一电极、所述第二发光单元的第一导通电极和所述第三发光单元的第一导通电极;
将所述第二发光单元的第二电极和第一导通电极短接,将所述第三发光单元的第二电极、第二导通电极和第一导通电极短接。
可选地,将所述第二类发光单元的第二电极和导通电极短接,包括:
在所述非发光层的侧壁制作电极材料,以使短接后的所述第二电极和所述导通电极包覆所述非发光层。
本发明实施例设置第二类发光单元的至少一层非发光层与第一类发光单元的第一发光层的材料相同,且位于同一膜层。那么,第二类发光单元的至少一层非发光层与第一类发光单元的第一发光层可以由一道制作工艺制作完成。且由于第二类发光单元的至少一层非发光层和第二发光层为层叠结构,使得第二类发光单元和第一类发光单元的各发光层可以在层叠邦定形成发光单元基板之后,一起邦定到驱动背板上,然后进行图形化,得到第一类发光单元和第二类发光单元。与现有技术相比,在该显示面板的制作方法中,无需针对多个发光单元分别多次邦定在驱动背板上,而只需将包括多层发光层的发光单元基板一次邦定在驱动背板上。因此,本发明实施例提供的显示面板可以减少发光单元与驱动背板的邦定次数,从而降低了工艺热预算,有利于避免驱动背板热效应过高带来的CMOS器件漂移和铝导线断裂的问题,从而有利于提升显示面板的良率。
附图说明
图1为现有的一种的显示面板的结构示意图;
图2和图3为现有的一种显示面板的制作方法的各步骤所形成的显示面板的结构示意图;
图4为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图;
图5为本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图;
图6为本发明实施例提供的一种第二类发光单元的结构示意图;
图7为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图;
图8和图9为本发明实施例提供的一种显示面板的制作方法中各步骤形成的膜层的结构示意图;
图10和图11为本发明实施例提供的另一种显示面板的制作方法中各步骤形成的膜层的结构示意图;
图12为本发明实施例提供的一种发光单元基板的制作方法中各步骤形成的膜层的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明,而非对本发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
正如背景技术所述,现有的显示面板的彩色化存在工艺复杂和良率较低的问题,经发明人研究发现,出现该问题的原因如下。
图1为现有的一种的显示面板的结构示意图,图2和图3为现有的一种显示面板的制作方法的各步骤所形成的显示面板的结构示意图。参见图1~图3,该显示面板的制作方法包括:
S110、提供驱动背板910,并在驱动背板910上依次邦定第一电极层920和红色LED外延层930。
S120、图形化第一电极层920和红色LED外延层930,形成红色LED的第一电极921、绿色LED的第一电极922、蓝色LED的第一电极923和红色LED的发光层931,并在红色LED的发光层931上形成红色LED的第二电极941。
S130、在红色LED的第二电极941远离驱动背板910的一侧制作第一介质层950,并在第一介质层950对应红色LED的第二电极941、绿色LED的第一电极922和蓝色LED的第一电极923的位置制作多个第一过孔951,在第一过孔951内填充第一导电材料。
S140、在第一介质层950远离驱动背板910的一侧依次邦定第二电极层960和蓝色LED外延层970。
S150、图形化第二电极层960和蓝色LED外延层970,形成蓝色LED的接合电极961、绿色LED的第一接合电极962和蓝色LED的发光层971,并在蓝色LED的发光层971上沉积蓝色LED的第二电极981。
S160、在蓝色LED的第二电极981远离驱动背板910的一侧制作第二介质层990,并在第二介质层990对应红色LED的第二电极941、蓝色LED的第二电极971和绿色LED的第一电极922的位置制作多个第二过孔991,在第二过孔991内填充第二导电材料。
S170、在第二介质层990远离驱动背板910的一侧依次邦定第三电极层9A0和绿色LED外延层9B0。
S180、图形化第三电极层9A0和绿色LED外延层9B0,形成绿色LED的第二接合电极9A1和绿色LED的发光层9B1,并在绿色LED的发光层9B1上沉积绿色LED的第二电极9C1。
S190、在绿色LED的第二电极9C1远离驱动背板910的一侧制作第三介质层9D0,并在第三介质层9D0对应红色LED的第二电极941、蓝色LED的第二电极981和绿色LED的第二电极9C1的位置制作多个第三过孔9D1,在第三过孔9D1内填充第三导电材料;在第三介质层9D0远离驱动背板910的一侧制作公共电极9E0。
由此可见,现有技术中为了实现显示面板的彩色化,需要将三种颜色的LED外延层先后邦定在驱动背板910上,形成如图1所示的显示面板的结构;在多次邦定工艺中增加了的驱动背板910的热预算,容易导致驱动背板910上的COMS器件漂移。且驱动背板910上的导线多采用铝导线,铝导线的熔点较低,在热预算较高时,也会引起铝导线熔化,存在断裂的风险,因此,现有的显示面板降低了显示面板的良率。
有鉴于此,本发明提供了一种显示面板,该显示面板例如可以是微发光二极管(micro LED)显示面板。图4为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图。参见图4,该显示面板包括:驱动背板100、位于驱动背板100上的第一类发光单元200和第二类发光单元300。第一类发光单元200包括依次层叠设置的第一发光层201和第一电极202,第一电极202位于第一发光层201和驱动背板100之间,第一发光层201通过第一电极202与驱动背板100电连接。第二类发光单元300包括依次层叠设置的第二发光层301、第二电极302、至少一层非发光层303和至少一层导通电极304(图4中示例性地示出了第二类发光单元300包括一层非发光层303和一层导通电极304),第二电极302与导通电极304短接,第二发光层301通过第二电极302以及导通电极304与驱动背板100电连接。
其中,驱动背板100包括依次层叠设置的第一衬底110和驱动阵列层120,驱动阵列层120包括像素驱动电路,像素驱动电路用于驱动第一类发光单元200和第二类发光单元300发光,像素驱动电路例如可以包括COMS器件,COMS器件之间的连接导线例如可以是铝导线。具体地,像素驱动电路通过背板电极与第一类发光单元的第一电极202电连接,驱动第一类发光单元200发光,像素驱动电路通过背板电极与第二类发光单元的第二电极302电连接,驱动第二类发光单元300发光。
第二类发光单元300和第一类发光单元200的不同点在于:第一类发光单元200仅包括一层发光层,即第一发光层201,像素驱动电路向第一电极202提供驱动信号,驱动第一发光层201发光;第二类发光单元300包括层叠设置的第二发光层301和至少一层非发光层303,像素驱动电路向第二电极302提供驱动信号,驱动第二发光层301发光,而对于非发光层303,其在沿垂直于驱动背板100的方向X的上下两侧的电极分别为第二电极302和导通电极304,由于第二电极302和导通电极304短接,相当于非发光层303两侧的电压相等,因此,第二类发光单元300的非发光层303不发光,第二类发光单元300的第二发光层301正常发光,使得第二类发光单元300能够实现单色发光。
继续参见图4,第二类发光单元300的至少一层非发光层303与第一类发光单元200的第一发光层201的材料相同,且位于同一膜层。这样,第二类发光单元300的至少一层非发光层303与第一类发光单元200的第一发光层201可以由一道制作工艺制作完成。且由于第二类发光单元300的至少一层非发光层303和第二发光层301为层叠结构,使得第二类发光单元300和第一类发光单元200的各发光层可以在层叠邦定形成发光单元基板之后,一起邦定到驱动背板100上,然后进行图形化,得到第一类发光单元200和第二类发光单元300。与现有技术相比,在该显示面板的制作方法中,无需针对多个发光单元分别多次邦定在驱动背板100上,而只需将包括多层发光层的发光单元基板一次邦定在驱动背板100上。因此,本发明实施例提供的显示面板可以减少发光单元与驱动背板100的邦定次数,从而降低了工艺热预算,有利于避免驱动背板100热效应过高带来的CMOS器件漂移和铝导线断裂的问题,从而有利于提升显示面板的良率。
需要说明的是,图4中示例性地示出了第二类发光单元300包括一层非发光层303和一层导通电极304,并非对本发明的限定,在实际应用中可以根据需要设置非发光层303和导通电极304的数量。其中,导通电极304的数量和非发光层303的数量对应,若非发光层303的数量为两层及以上,对应导通电极304的数量为两层及以上,且非发光层303和导通电极304交替设置。示例性地,若显示面板包括两种颜色的发光单元,则一种颜色的发光单元为第一类发光单元200,另一种颜色的发光单元为第二类发光单元300;若显示面板包括三种颜色的发光单元,则第一种颜色的发光单元为第一类发光单元200,第二种颜色的发光单元和第三种颜色的发光单元为第二类发光单元300,且第二种颜色的发光单元和第三种颜色的发光单元的非发光层303的数量不同。
下面以显示面板包括三种颜色的发光单元为例进行详细说明。图5为本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图。参见图5,第一类发光单元为第一发光单元210,第二类发光单元包括第二发光单元310和第三发光单元320。第一发光单元210包括层叠设置的第一发光层211和第一电极层212。第二发光单元310包括依次层叠设置的第二发光层311、第二电极312、第一非发光层313和第一导通电极314;第二发光单元310的第二电极312和其第一导通电极314短接,第二发光单元310的第二发光层311通过其第二电极312与驱动背板100电连接。第三发光单元320包括依次层叠设置的第二发光层321、第二电极322、第二非发光层323、第二导通电极324、第一非发光层325和第一导通电极326;第三发光单元320的第二电极322、第二导通电极324和第一导通电极326短接,第三发光单元320的第二发光层321通过其第二电极322与驱动背板100电连接。
其中,第二发光单元310的第一非发光层313、第三发光单元320的第一非发光层325和第一发光单元210的第一发光层211的材料相同,且位于同一膜层;第二发光单元310的第二发光层311与第三发光单元320的第二非发光层323的材料相同,且位于同一膜层。那么,第二发光单元310的第一非发光层313、第三发光单元320的第一非发光层325和第一发光单元210的第一发光层211可以由一道制作工艺制作完成;第二发光单元310的第二发光层311与第三发光单元320的第二非发光层323可以由一道制作工艺制作完成。且由于第二发光单元310的第二发光层311和第一非发光层313为层叠结构,第三发光单元320的第二发光层321、第二非发光层323和第一非发光层325为层叠结构,使得第一发光单元210、第二发光单元310和第三发光单元320的各发光层可以在层叠邦定形成发光单元基板之后,一起邦定到驱动背板100上,然后进行图形化,得到第一发光单元210、第二发光单元310和第三发光单元320。
在上述实施例中,可选地,显示面板的发光单元分别发出蓝光、红光和绿光。本发明实施例对第一发光单元210、第二发光单元310和第三发光单元320对应的发光颜色不做限定,可选地,第一发光单元210为蓝光发光单元,相应地,第二发光单元310和第三发光单元320分别为绿光发光单元和红光发光单元;或者,第一发光单元210为绿光发光单元,第二发光单元310和第三发光单元320分别为红光发光单元和蓝光发光单元;或者,第一发光单元210为红光发光单元,第二发光单元310和第三发光单元320分别为绿光发光单元和蓝光发光单元。
继续参见图5,在上述各实施例的基础上,显示面板还包括:钝化层400和公共电极500。钝化层400位于第一发光层211和第二发光层(包括第二发光单元310的第二发光层311和第三发光单元320的第二发光层321)远离驱动背板100的一侧,钝化层400包括第一开口401和第二开口402,第一开口401露出至少部分第一发光层211,第二开口402露出至少部分第二发光层(包括第二发光单元310的第二发光层311和第三发光单元320的第二发光层321);公共电极500位于钝化层400远离驱动背板100的一侧,公共电极500在钝化层400的第一开口401处与第一发光层211接触,以及公共电极500在钝化层400的第二开口402处与第二发光层(包括第二发光单元310的第二发光层311和第三发光单元320的第二发光层321)接触。本发明实施例这样设置,实现了显示面板上各发光单元与公共电极500的连接。
继续参见图5,在上述各实施例的基础上,可选地,公共电极500与驱动背板100通过第三电极501电连接,钝化层400还包括第三开口403,第三开口403露出至少部分第三电极501,驱动背板100通过第三电极501向公共电极500提供公共电压。
在本发明的一种实施方式中,公共电极500可以为透明电极,透明电极的材料例如可以是氧化铟锡,设置公共电极500为透明电极,避免了公共电极500对发光单元产生的光线的遮挡,有利于提升发光单元的光透过率。
在本发明实施例中,第二电极和导通电极的短接方式有多种,例如,第二电极和导通电极通过在过孔中设置导电材料短接;又如,第二电极和导通电极通过设置在非发光层的侧壁的导电膜层短接。
其中,第二电极和导通电极通过设置在非发光层的侧壁的导电膜层短接,即设置在非发光层的侧壁的导电膜层至少覆盖非发光层的一侧的侧壁,优选地,导电膜层包覆非发光层的两侧侧壁,以更好地将第二电极和导通电极导通。图5中示例性地,在第二发光单元310的第一非发光层313的侧壁设置导电膜层315,该导电膜层315将第二发光单元310的第二电极312和其第一导通电极314短接;在第三发光单元320的第二非发光层323的侧壁设置导电膜层327,在第三发光单元320的第一非发光层325的侧壁设置导电膜层328,导电膜层327和导电膜层328将第三发光单元320的第二电极322、第二导通电极324和第一导通电极326短接。导电膜层315、导电膜层327和导电膜层328的制作方法可以采用金属淀积的工艺。
由于显示面板中的第一类发光单元和第二类发光单元的尺寸极小,在第一类发光单元和第二类发光单元上制作的过孔的尺寸更小,因此,采用过孔将第二电极和导通电极短接的工艺复杂且难度较大。与采用过孔将第二电极和导通电极短接的方式相比,本发明实施例在非发光层的侧壁设置导电膜层将第二电极和导通电极短接,其工艺步骤简单,工艺难度降低,有利于进一步提升显示面板的良率。
在本发明的一种实施方式中,非发光层的面积大于第二发光层的面积;导通电极的面积大于第二电极的面积。图5中示例性地,第二发光单元310的第一非发光层313的面积大于其第二发光层311的面积,第二发光单元310的第一导通层314的面积大于其第二电极312的面积,以使第二发光单元310的导电膜层315能够可靠地连接第二发光单元310的第二电极312与第二发光单元310的第一导通层314。
在本发明的一种实施方式中,非发光层包括第一非发光层和第二非发光层,第二非发光层位于第一非发光层和第二发光层之间;第一非发光层的面积大于第二非发光层的面积。图5中示例性地,在第三发光单元320的第一非发光层325的面积大于第二非发光层323的面积,以使得第一非发光层325的侧壁设置有导电膜层328,第二非发光层323的侧壁设置有导电膜层327,两个导电膜层分开设置,有利于减小导电膜层的高度,从而有利于减小导电膜层的张力,提升导电膜层的粘附性。
在本发明的一种实施方式中,当非发光层包括至少两层非发光层时,至少两层所述非发光层的面积在沿发光层至非发光层的方向上依次增大,由于非发光层的侧壁设置有导电膜层,此种设置方式可有利于减小导电膜层的高度,减小导电膜层的张力,提升导电膜层的粘附性。
图6为本发明实施例提供的一种第二类发光单元的结构示意图。参见图6,在上述各实施例的基础上,可选地,设置在非发光层303的侧壁的导电膜层305包括第一金属层3051和第二金属层3052,第一金属层3051位于非发光层303的侧壁和第二金属层3052之间;第一金属层3051的材料包括钛,第二金属层3052的材料包括金或铝。本发明实施例这样设置,一方面,钛的粘附力较好,将钛与非发光层303的侧壁直接接触,有利于提升导电膜层305的粘附性,使得导电膜层305不易脱落;另一方面,金和铝的导电性能较好,设置导电膜层305包括金或铝,有利于提升导电膜层305的导电性能。
需要说明的是,在上述实施例中,示例性地示出了第一金属层3051的材料为钛,并非对本发明的限定,在其他实施例中还可以设置第一金属层3051的材料为其他粘附力较强的导电材料;以及,上述实施例示例性地示出了第二金属层3052的材料为金或铝,并非对本发明的限定,在其他实施例中还可以设置第二金属层3052的材料为其他导电能力较强的导电材料。
还需要说明的是,在上述各实施例中,第一电极、第二电极和导通电极可以采用单层金属或多层金属的结构,在实际应用中可以根据需要进行设定。
图7为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图。参见图7,可选地,显示面板为微发光二极管(micro LED)显示面板,第一类发光单元200为第一类LED芯片,第二类发光单元300为第二类LED芯片。第一类发光单元200包括层叠设置的第一N型半导体层204(例如,N-GaN)、第一发光层201(例如,多量子阱层)、第一P型半导体层203(例如,P-GaN)和第一电极202;第二类发光单元300包括层叠设置的第二N型半导体层308(例如,N-GaN)、第二发光层301(例如,多量子阱层)、第二P型半导体层307(例如,P-GaN)、第二电极302、第三N型半导体层306(例如,N-GaN)、非发光层303(例如,多量子阱层)、第三P型半导体层305(例如,P-GaN)和导通电极304。其中,第一N型半导体层204和第三N型半导体层306的材料相同,且位于同一膜层;第一发光层201和非发光层303的材料相同,且位于同一膜层;第一P型半导体层203和第三P型半导体层305的材料相同,且位于同一膜层。
本发明实施例还提供了一种显示面板的制作方法,该制作方法可用于形成如本发明任意实施例所提供的显示面板。图8和图9为本发明实施例提供的一种显示面板的制作方法中各步骤形成的膜层的结构示意图。参见图8和图9,该显示面板的制作方法包括以下步骤。
S210、提供驱动背板100。
其中,驱动背板100包括层叠设置的第一衬底110和驱动阵列层120,驱动阵列层120包括像素驱动电路,像素驱动电路通过背板电极驱动发光单元发光。可选地,驱动背板100还包括欧姆接触材料层130,欧姆接触材料层130位于驱动阵列层120远离第一衬底110的一侧。欧姆接触材料层130的材料例如可以是金属,可以采用沉积工艺或电镀工艺将欧姆接触材料层130形成在驱动背板100上。本发明实施例设置欧姆接触材料层130有利于后续工艺中发光单元基板与驱动背板100的邦定。
S220、提供发光单元基板600,发光单元基板600包括依次层叠设置的第一电极材料层610、第一外延层620、至少一层第二电极材料层630和至少一层第二外延层640(图8中示例性地示出了一层第二电极材料层630和一层第二外延层640)。
其中,第一电极材料层610和第二电极材料层630的材料可以为金属或者包含金属的多层结构。示例性地,发光单元基板600的各膜层设置在第二衬底650上,以有利于发光单元基板600各膜层的制备。该发光单元基板600的各膜层的制备过程无需进行刻蚀工艺,有利于简化发光单元基板600的制备。
具体地,发光单元基板600的制作方法可以包括:采用外延工艺将第二外延层640形成于第二衬底650上,采用沉积工艺或者电镀工艺将第二电极材料层630形成于第二外延层640上,形成第二发光单元基板;采用外延工艺将第一外延层620形成于临时衬底上,采用沉积工艺或者电镀工艺将临时电极材料层形成于第一外延层620上,形成第一发光单元基板;采用金属键合工艺将第一发光单元基板和第二发光单元基板邦定;去除临时衬底,在第一外延层620上形成第一电极材料层610。
S230、将发光单元基板600的第一电极材料层610的一侧邦定在驱动背板100上。
示例性地,发光单元基板600的第一电极材料层610与驱动背板100的欧姆接触材料层130通过键合工艺邦定在一起。另外,在S230中还需要将第二衬底650去除。
S240、图形化距离驱动背板100最远的第二外延层640,形成第二类发光单元的第二发光层301。
示例性地,在图8中第二外延层640的数量为一层,该第二外延层640即为距离驱动背板100最远的第二外延层。其中,图形化第二外延层640的工艺可以采用对准蚀刻工艺将第二类发光单元的第二发光层301不需要的部分蚀刻掉。
S250、图形化距离驱动背板100最远的第二电极材料层630,形成第二类发光单元300的第二电极302。
示例性地,在图8中第二电极层630的数量为一层,该第二电极层630即为距离驱动背板100最远的第二电极层。其中,图形化第二电极材料层630的工艺可以采用对准蚀刻工艺将第二类发光单元300的第二电极302不需要的部分蚀刻掉。
S260、图形化第一外延层620,形成第一类发光单元的第一发光层201和第二类发光单元的非发光层303。
在S260中,第二类发光单元的至少一层非发光层303与第一类发光单元的第一发光层201由一道制作工艺制作完成。其中,图形化第一外延层620的工艺可以采用对准蚀刻工艺将第一类发光单元的第一发光层201和第二类发光单元的非发光层303不需要的部分蚀刻掉。
S270、图形化第一电极材料层610,形成第一类发光单元200的第一电极202和第二类发光单元300的导通电极304。
可选地,在图形化第一电极材料层610,还形成第三电极501,驱动背板100通过第三电极501向公共电极提供公共电压。其中,图形化第一电极材料层610可以采用对准蚀刻工艺将第一类发光单元200的第一电极202和第二类发光单元300的导通电极304不需要的部分蚀刻掉。
S280、将第二类发光单元的第二电极302和导通电极304短接。
可选地,将第二类发光单元的第二电极302和导通电极304短接,包括:在非发光层303的侧壁制作电极材料,以使短接后的第二电极302和导通电极304包覆非发光层303。其中,该电极材料可以是单层金属或者多层金属。具体地,在非发光层303的侧壁制作电极材料,可以采用沉积工艺、对准电镀工艺或者在溅射工艺后进行对准刻蚀的工艺方法。
图10和图11为本发明实施例提供的另一种显示面板的制作方法中各步骤形成的显示面板的结构示意图。参见图10和图11,在上述各实施例的基础上,可选地,第一类发光单元为第一发光单元,第二类发光单元包括第二发光单元和第三发光单元,该显示面板的制作方法可适用于图5所示的显示面板。该显示面板的制作方法包括以下步骤。
S310、提供驱动背板100。
S320、提供发光单元基板600包括依次层叠设置的第一电极材料层610、第一外延层620、第一层第二电极材料层630、第一层第二外延层640、第二层第二电极材料层660和第二层第二外延层670。
S330、将发光单元基板600的第一电极材料层610的一侧邦定在驱动背板100上。
S340、图形化第二层第二外延层670,形成第三发光单元的第二发光层321。
S350、图形化第二层第二电极材料层660,形成第三发光单元的第二电极322。
S360、图形化第一层第二外延层640,形成第二发光单元的第二发光层311和第三发光单元的第二非发光层323。
S370、图形化第一层第二电极材料层630,形成第二发光单元的第二电极312和第三发光单元的第二导通电极324。
S380、图形化第一外延层620,形成第一发光单元的第一发光层211、第二发光单元的第一非发光层313和第三发光单元的第一非发光层325。
S390、图形化第一电极材料层610,形成第一发光单元的第一电极212、第二发光单元的第一导通电极314和第三发光单元的第一导通电极326。
S3A0、将第二发光单元的第二电极312和第一导通电极314短接,将第三发光单元的第二电极322、第二导通电极324和第一导通电极326短接。
本发明实施例提供的显示面板的制作方法可以将第一外延层620、第一层第二外延层640和第二层第二外延层670分别设置为三种不同的颜色,例如蓝色、红色和绿色,形成的第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元分别发出蓝光、红光和绿光,有利于实现显示面板的全彩显示。
本发明实施例提供的发光单元基板的可采用以下步骤制作,图12为该制作方法中各步骤形成的膜层的结构示意图,该方法具体包括:
S410、提供第一外延基板10。
其中,第一外延基板10包括第二衬底650,依次在第二衬底650上外延生长的第一N型半导体材料层671、第二层第二外延层670和第一P型半导体材料层672,在第一P型半导体材料层672上制作有第二层第二电极材料层660。可选地,在第二衬底650上外延生长的第一N型半导体材料层671之前,在第二衬底650上依次外延生长第一缓冲层和第一中间层(例如,UGaN),以匹配晶格。
S420、提供第二外延基板20,第二基板20包括第三衬底21;在第二外延基板20远离第三衬底21的一侧贴附第四衬底30。
其中,第二外延基板20还包括依次在第三衬底21上外延生长的第二N型半导体材料层641、第一层第二外延层640和第二P型半导体材料层642。可选地,在第三衬底21上外延生长的第二N型半导体材料层641之前,在第三衬底21上依次外延生长第二缓冲层和第二中间层(例如,UGaN),以匹配晶格。
S430、去除第三衬底21,并在第二N型半导体材料层641远离第四衬底30的一侧制作第二欧姆接触材料层643。
其中,第二欧姆接触材料层643制作方法可以是沉积工艺或者电镀工艺。可选地,若在第三衬底21还外延生长有第二缓冲层和第二中间层,在去除第三衬底21之后,还需要刻蚀掉第二缓冲层和第二中间层,以使第二欧姆接触材料层643与第二N型半导体材料层641接触。可选地,若第二电极和导通电极通过在过孔中设置的导电材料短接,还需要在制作第二欧姆接触材料层643之前,在第二N型半导体材料层641上对应第三发光单元的位置进行激光打孔,形成对应第三发光单元的第四过孔,第四过孔贯穿第二N型半导体材料层641、第一层第二外延层640和第二P型半导体材料层642。然后制作第二欧姆接触材料层643,第二欧姆接触材料层643填充入第四过孔。
S440、将第一外延基板10的第二层第二电极材料层660的一侧和第二外延基板20的第二欧姆接触材料层643的一侧键合邦定,去除第四衬底30,在第二P型半导体材料层642远离第二衬底650的一侧制作第二电极材料层630。S450、提供第三外延基板40,第三基板40包括第五衬底41;在第三外延基板40远离第五衬底41的一侧贴附第六衬底50。
其中,第三外延基板40还包括依次在第五衬底41上外延生长的第三N型半导体材料层621、第一外延层620和第三P型半导体材料层622。可选地,在第五衬底41上外延生长的第三N型半导体材料层621之前,在第五衬底41上依次外延生长第三缓冲层和第三中间层(例如,UGaN),以匹配晶格。
S460、去除第五衬底41,并在第三N型半导体材料层621远离第六衬底50的一侧制作第三欧姆接触材料层623。
其中,第三欧姆接触材料层623制作方法可以是沉积工艺或者电镀工艺。可选地,若在第五衬底41还外延生长有第三缓冲层和第三中间层,在去除第五衬底41之后,还需要刻蚀掉第三缓冲层和第三中间层,以使第三欧姆接触材料层623与第三N型半导体材料层621接触。可选地,若第二电极和导通电极通过在过孔中设置的导电材料短接,还需要在制作第三欧姆接触材料层623之前,在第三N型半导体材料层621上对应第二发光单元和第三发光单元的位置进行激光打孔,形成对应第二发光单元的第五过孔,和对应第三发光单元的第六过孔,第五过孔和第六过孔贯穿第三N型半导体材料层621、第一外延层620和第三P型半导体材料层622。然后制作第三欧姆接触材料层623,第三欧姆接触材料层623填充入第五过孔和第六过孔。
S470、将第一层第二电极材料层630和第三外延基板40的第三欧姆接触材料层623的一侧键合邦定,去除第六衬底50,在第三P型半导体材料层622远离第二衬底650的一侧制作第一电极材料层610。
与现有技术相比,本发明实施例无需针对多个发光单元分别多次邦定在驱动背板100上,而只需将包括多层发光层的发光单元基板一次邦定在驱动背板100上。因此,本发明实施例提供的显示面板可以减少发光单元与驱动背板100的邦定次数,从而降低了工艺热预算,有利于避免驱动背板热效应过高带来的CMOS器件漂移和铝导线断裂的问题,从而有利于提升显示面板的良率。
注意,上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解,本发明不限于这里所述的特定实施例,对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此,虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明,但是本发明不仅仅限于以上实施例,在不脱离本发明构思的情况下,还可以包括更多其他等效实施例,而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (10)
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
驱动背板;
第一类发光单元,位于所述驱动背板上;所述第一类发光单元包括层叠设置的第一发光层和第一电极,所述第一电极位于所述第一发光层和所述驱动背板之间,所述第一发光层通过所述第一电极与所述驱动背板电连接;
第二类发光单元,位于所述驱动背板上;所述第二类发光单元包括依次层叠设置的第二发光层、第二电极、至少一层非发光层和至少一层导通电极,所述第二电极与所述导通电极短接,所述第二发光层通过所述第二电极以及所述导通电极与所述驱动背板电连接;
其中,所述第二类发光单元的至少一层所述非发光层与所述第一类发光单元的所述第一发光层的材料相同,且位于同一膜层。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一类发光单元为第一发光单元,所述第二类发光单元包括第二发光单元和第三发光单元;
所述第二发光单元包括依次层叠设置的第二发光层、第二电极、第一非发光层和第一导通电极;所述第二发光单元的所述第二电极和所述第二发光单元的所述第一导通电极短接,所述第二发光单元的所述第二发光层通过所述第二发光单元的所述第二电极与所述驱动背板电连接;
所述第三发光单元包括依次层叠设置的第二发光层、第二电极、第二非发光层、第二导通电极、第一非发光层和第一导通电极;所述第三发光单元的所述第二电极、所述第三发光单元的所述第二导通电极和所述第三发光单元的所述第一导通电极短接,所述第三发光单元的所述第二发光层通过所述第三发光单元的所述第二电极与所述驱动背板电连接;
其中,所述第二发光单元的所述第一非发光层、所述第三发光单元的所述第一非发光层和所述第一发光单元的所述第一发光层的材料相同,且位于同一膜层;所述第二发光单元的所述第二发光层与所述第三发光单元的所述第二非发光层的材料相同,且位于同一膜层。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,短接后的所述第二电极和所述导通电极包覆所述非发光层。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第二电极和所述导通电极通过设置在所述非发光层的侧壁的导电膜层短接;所述导电膜层包括第一金属层和第二金属层,所述第一金属层位于所述非发光层的侧壁和所述第二金属层之间;优选地,所述第一金属层的材料包括钛,所述第二金属层的材料包括金或铝。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述非发光层的面积大于所述第二发光层的面积。
6.根据权利要求1-5任一项所述的显示面板,其特征在于,至少两层所述非发光层的面积在沿发光层至非发光层的方向上依次增大。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:
钝化层,位于所述第一发光层和所述第二发光层远离所述驱动背板的一侧,所述钝化层包括第一开口和第二开口,所述第一开口露出至少部分所述第一发光层,所述第二开口露出至少部分所述第二发光层;
公共电极,位于所述钝化层远离所述驱动背板的一侧,所述公共电极在所述钝化层的第一开口处与所述第一发光层接触,以及所述公共电极在所述钝化层的第二开口处与所述第二发光层接触。
8.一种显示装置,其特征在于,包括:如权利要求1-7任一项所述的显示面板。
9.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括:
提供驱动背板;
提供发光单元基板,所述发光单元基板包括层叠设置的第一电极材料层、第一外延层、至少一层第二电极材料层和至少一层第二外延层;
将所述发光单元基板与所述驱动背板邦定;
图形化距离所述驱动背板最远的所述第二外延层,形成第二类发光单元的第二发光层;
图形化距离所述驱动背板最远的所述第二电极材料层,形成所述第二类发光单元的第二电极;
图形化所述第一外延层,形成第一类发光单元的第一发光层和所述第二类发光单元的非发光层;
图形化所述第一电极材料层,形成所述第一类发光单元的第一电极和所述第二类发光单元的导通电极;
将所述第二类发光单元的第二电极和导通电极短接。
10.根据权利要求9所述的显示面板的制作方法,其特征在于,将所述第二类发光单元的第二电极和导通电极短接,包括:
在所述非发光层的侧壁制作电极材料,以使短接后的所述第二电极和所述导通电极包覆所述非发光层。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911054817.6A CN110767670B (zh) | 2019-10-31 | 2019-10-31 | 显示面板、显示装置和显示面板的制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110767670A true CN110767670A (zh) | 2020-02-07 |
CN110767670B CN110767670B (zh) | 2022-11-15 |
Family
ID=69335637
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201911054817.6A Active CN110767670B (zh) | 2019-10-31 | 2019-10-31 | 显示面板、显示装置和显示面板的制作方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111562671A (zh) * | 2020-06-08 | 2020-08-21 | 昆山梦显电子科技有限公司 | 基于目标追踪技术的显示面板及其制备方法 |
CN112310142A (zh) * | 2020-10-29 | 2021-02-02 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种显示装置、显示面板及其制作方法 |
CN112447785A (zh) * | 2020-11-23 | 2021-03-05 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种发光二极管显示面板及其制备方法、显示装置 |
WO2021048624A1 (en) * | 2019-09-11 | 2021-03-18 | Hong Kong Beida Jade Bird Display Limited | Multi-color led pixel unit and micro-led display panel |
WO2021048622A1 (en) * | 2019-09-11 | 2021-03-18 | Hong Kong Beida Jade Bird Display Limited | Multi-color led pixel unit and micro-led display panel |
CN112582443A (zh) * | 2020-12-07 | 2021-03-30 | Oppo(重庆)智能科技有限公司 | Led显示结构的制作方法、led显示结构以及显示面板 |
CN113380929A (zh) * | 2021-06-09 | 2021-09-10 | 成都辰显光电有限公司 | 显示面板制造方法、显示面板及显示设备 |
WO2022193295A1 (zh) * | 2021-03-19 | 2022-09-22 | 苏州晶湛半导体有限公司 | 半导体发光器件及其制备方法 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050140277A1 (en) * | 2003-12-26 | 2005-06-30 | Koji Suzuki | Display device and method for manufacturing the same |
US20110241038A1 (en) * | 2003-09-19 | 2011-10-06 | Sony Corporation | Display unit, method of manufacturing same, organic light emitting unit, and method of manufacturing same |
US20160225816A1 (en) * | 2012-12-06 | 2016-08-04 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device |
US20170025567A1 (en) * | 2015-07-24 | 2017-01-26 | Epistar Corporation | Light-emitting device and manufacturing method thereof |
US20180269352A1 (en) * | 2017-03-15 | 2018-09-20 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Manufacturing Method of Light Emitting Diode Device and Light Emitting Diode Device |
US20190164944A1 (en) * | 2017-11-27 | 2019-05-30 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Led unit for display and display apparatus having the same |
US20190164945A1 (en) * | 2017-11-27 | 2019-05-30 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode for display and display apparatus having the same |
US20190198565A1 (en) * | 2017-12-21 | 2019-06-27 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting stacked structure and display device having the same |
US20190302917A1 (en) * | 2018-03-27 | 2019-10-03 | Shaoher Pan | Integrated light-emitting pixel arrays based devices by bonding |
US20190319020A1 (en) * | 2018-04-17 | 2019-10-17 | Shaoher Pan | Integrated multi-color light-emitting pixel arrays based devices by bonding |
-
2019
- 2019-10-31 CN CN201911054817.6A patent/CN110767670B/zh active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110241038A1 (en) * | 2003-09-19 | 2011-10-06 | Sony Corporation | Display unit, method of manufacturing same, organic light emitting unit, and method of manufacturing same |
US20050140277A1 (en) * | 2003-12-26 | 2005-06-30 | Koji Suzuki | Display device and method for manufacturing the same |
US20160225816A1 (en) * | 2012-12-06 | 2016-08-04 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device |
US20170025567A1 (en) * | 2015-07-24 | 2017-01-26 | Epistar Corporation | Light-emitting device and manufacturing method thereof |
US20180269352A1 (en) * | 2017-03-15 | 2018-09-20 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Manufacturing Method of Light Emitting Diode Device and Light Emitting Diode Device |
US20190164944A1 (en) * | 2017-11-27 | 2019-05-30 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Led unit for display and display apparatus having the same |
US20190164945A1 (en) * | 2017-11-27 | 2019-05-30 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode for display and display apparatus having the same |
US20190198565A1 (en) * | 2017-12-21 | 2019-06-27 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting stacked structure and display device having the same |
US20190302917A1 (en) * | 2018-03-27 | 2019-10-03 | Shaoher Pan | Integrated light-emitting pixel arrays based devices by bonding |
US20190319020A1 (en) * | 2018-04-17 | 2019-10-17 | Shaoher Pan | Integrated multi-color light-emitting pixel arrays based devices by bonding |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021048624A1 (en) * | 2019-09-11 | 2021-03-18 | Hong Kong Beida Jade Bird Display Limited | Multi-color led pixel unit and micro-led display panel |
WO2021048622A1 (en) * | 2019-09-11 | 2021-03-18 | Hong Kong Beida Jade Bird Display Limited | Multi-color led pixel unit and micro-led display panel |
US11362133B2 (en) | 2019-09-11 | 2022-06-14 | Jade Bird Display (shanghai) Limited | Multi-color LED pixel unit and micro-LED display panel |
CN111562671A (zh) * | 2020-06-08 | 2020-08-21 | 昆山梦显电子科技有限公司 | 基于目标追踪技术的显示面板及其制备方法 |
CN112310142A (zh) * | 2020-10-29 | 2021-02-02 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种显示装置、显示面板及其制作方法 |
CN112310142B (zh) * | 2020-10-29 | 2022-08-26 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种显示装置、显示面板及其制作方法 |
CN112447785A (zh) * | 2020-11-23 | 2021-03-05 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种发光二极管显示面板及其制备方法、显示装置 |
CN112447785B (zh) * | 2020-11-23 | 2022-09-23 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种发光二极管显示面板及其制备方法、显示装置 |
CN112582443A (zh) * | 2020-12-07 | 2021-03-30 | Oppo(重庆)智能科技有限公司 | Led显示结构的制作方法、led显示结构以及显示面板 |
WO2022193295A1 (zh) * | 2021-03-19 | 2022-09-22 | 苏州晶湛半导体有限公司 | 半导体发光器件及其制备方法 |
CN113380929A (zh) * | 2021-06-09 | 2021-09-10 | 成都辰显光电有限公司 | 显示面板制造方法、显示面板及显示设备 |
CN113380929B (zh) * | 2021-06-09 | 2024-04-26 | 成都辰显光电有限公司 | 显示面板制造方法、显示面板及显示设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110767670B (zh) | 2022-11-15 |
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PB01 | Publication | ||
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