TW202114268A - 背接觸式全彩ｌｅｄ顯示面板及其製造方法 - Google Patents

背接觸式全彩ｌｅｄ顯示面板及其製造方法 Download PDF

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詹世豪
曾少澤
黃耀賢
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進化光學有限公司
黃耀賢
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Abstract

本發明主要揭示一種背接觸式全彩LED顯示面板，其中，M×N個LED發光結構形成於一雙面拋光透光基板的一設置面之上，且一緣層形成於該設置面上並覆蓋所述LED發光結構。該絕緣層內更製作有M×N個第一導電柱和M×N個第二導電柱，用以分別連接至所有LED發光結構M×N個第一半導體材料層和M×N個第二半導體材料層。另外，該光轉換單元係設置於雙面拋光透光基板的一出光面之上。將本發明之背接觸式全彩LED顯示面板倒置之後，具有M×N個第一電極和M×N個第二電極之一驅動電路模組可與該些第一導電柱和第二導電柱達成電性連接。因此，本發明之背接觸式全彩LED顯示面板不需要使用任何透明導電層，是以使得驅動電路模組在執行顯示驅動的過程中所衍生的負載效應可以被降到最低。

Description

背接觸式全彩LED顯示面板及其製造方法
本發明係關於自發光(Self-luminous)顯示面板之技術領域，尤指一種背接觸式全彩LED顯示面板及其製造方法。
已知，現有的平面顯示器的種類包括液晶顯示器(LCD)、有機發光二極體(Organic light-emitting diode,OLED)顯示器，以及機發光二極體(LED)顯示器。熟悉顯示面板設計與製作的工程師必然知道，液晶顯示器具有非自發光、低效率、低動態範圍、需要偏振濾光等缺點。OLED顯示器雖然屬於自發光型顯示器，然而，藍光OLED元件的低可靠性和低效率(~5%QE)成為OLED顯示器的最主要缺陷。
相反的，紅光、綠光、和藍光LED元件的製作技術都非常成熟，使得LED顯示器具有自發光、高效率、高動態範圍、高反應速度、以及超過50,000小時的使用壽命等優勢。因此，就中、小型的顯示器領域而言，LED顯示 器已經逐漸取代傳統的液晶顯示器而成為中、小型顯示器之主流。近年來，LED顯示器技術越趨成熟，已經廣泛地應用於智慧型手機(smart phone)、電視、電腦螢幕、和智慧型手錶等產品之中，因此業界更致力於發展次毫米發光二極體(Mini LED)顯示器以及微型發光二極體(Micro LED)顯示器，以使LED顯示器具有更高的解析度。
值得說明的是，如台灣專利號I633645的圖7所示，為了使得一LED顯示面板的各個LED元件之一陽極端和一陰極端都可以順利地電連接至外部的驅動電路，包含複數條陽極端連接電極和複數條陰極端連接電極的一透明導電基板係被設置於該外部驅動電路與各個LED元件之陽極端和陰極端之間，作為所述外部驅動電路與各個LED元件之間的電連接橋梁。
通常，所述透明導電基板之該些陽極端連接電極和該些陰極端連接電極係由氧化銦錫(Indium Tin Oxide,ITO)或氧化鋅(Zinc oxide,ZnO)製成。必須考慮的是，這些材料的阻值高於銅、銀等常用的金屬電極。熟悉顯示器驅動晶片設計與製作的電子工程師應可理解，阻值相對較高的該些陽極端連接電極和該些陰極端連接電極必然會衍生不可預期的負載效應，導致顯示器驅動晶片無法完美地區動LED顯示面板的各個子畫素(亦即，LED元件)，因而降低使用者體驗(User experience,UX)。
由上述說明可知，如何在不影響各個LED元件的出光效率的條件下，降低或排除透明導電基板所造成之負 載效應，實為業界亟欲解決的課題。有鑑於此，本案之發明人係極力加以研究創作發明，而終於研發完成本發明之一種背接觸式全彩LED顯示面板及其製造方法。
本發明之主要目的在於提供一種背接觸式全彩LED顯示面板，其中，M×N個LED發光結構形成於一雙面拋光透光基板的一設置面之上，且一緣層形成於該設置面上並覆蓋所述LED發光結構。該絕緣層內更製作有M×N個第一導電柱和M×N個第二導電柱，用以分別連接至所有LED發光結構M×N個第一半導體材料層和M×N個第二半導體材料層。另外，該光轉換單元係設置於雙面拋光透光基板的一出光面之上。將本發明之背接觸式全彩LED顯示面板倒置之後，具有M×N個第一電極和M×N個第二電極之一驅動電路模組可與該些第一導電柱和第二導電柱達成電性連接。因此，本發明之背接觸式全彩LED顯示面板不需要使用任何透明導電層，是以使得驅動電路模組在執行顯示驅動的過程中所衍生的負載效應可以被降到最低。
為了達成上述本發明之目的，本發明係提供所述背接觸式全彩LED顯示面板之一實施例，其包括：一雙面拋光透光基板，其二表面分別作為一承載面與一出光面； M×N個LED發光結構，其中各所述LED發光結構包括：一緩衝層，形成於該雙面拋光透光基板的該承載面之上；一第一半導體材料層，形成於該緩衝層之上；一主動層，形成於該第一半導體材料層之上；及一第二半導體材料層，形成於該主動層之上；一絕緣層，係形成於該承載面之上，且覆蓋該M×N個LED發光結構；M×N個第一通孔，係形成於該絕緣層之中，其中各所述第一通孔用以露出各所述第一半導體材料層；M×N個第一導電柱，分別形成於該M×N個第一通孔之中，且具有一底端與一頂端，各所述第一導電柱以其所述底端連接至各所述第一半導體材料層；M×N個第二通孔，係形成於該絕緣層之中，其中各所述第二通孔用以露出各所述第二半導體材料層；M×N個第二導電柱，分別形成於該M×N個第二通孔之中，且具有一底端與一頂端，各所述第二導電柱以其所述底端連接至各所述第二半導體材料層；一光轉換單元，設置於該出光面之上，且包括M×N個光轉換部分別對應於該M×N個LED發光結構。
並且，本發明係同時提供前述背接觸式全彩LED顯示面板電阻的製造方法，包括以下步驟：(1)提供一雙面拋光透光基板，且以該雙面拋光透光基板 的二表面分別作為一承載面與一出光面；(2)形成M×N個LED發光結構於該承載面之上；(3)形成一絕緣層於該承載面之上，且該絕緣層覆蓋該M×N個LED發光結構；(4)利用微影蝕刻技術於該絕緣層之上製作出M×N個第一通孔，以利用各所述第一通孔露出各所述第一半導體材料層；(5)於每個所述第一通孔之中形成具有一頂端與一底端的一第一導電柱，使得各所述第一導電柱以其所述底端連接至各所述第一半導體材料層；(6)利用微影蝕刻技術於該絕緣層之上製作出M×N個第二通孔，以利用各所述第二通孔露出各所述第二半導體材料層；(7)於每個所述第二通孔之中形成具有一頂端與一底端的一第二導電柱，使得各所述第二導電柱以其所述底端連接至各所述第二半導體材料層；(8)於該雙面拋光透光基板的該出光面之上形成一黑色光阻層，並於該黑色光阻層之上製作出M×N個容置槽；以及(9)於每個所述容置槽內注入一光轉換材料，進而完成包括M×N個光轉換部的一光轉換單元之製作，獲得一背接觸式全彩LED顯示面板。
在一可行實施例中，本發明之背接觸式全彩LED顯示面板與一驅動電路模組組合成一全彩LED顯示裝 置，且該驅動電路模組具有M×N個第一電極和M×N個第二電極；其中，各所述第一電極連接至各所述第一導電柱的該頂端，且各所述第二電極連接至各所述第二導電柱的該頂端。
在一可行實施例中，前述包含本發明之背接觸式全彩LED顯示面板的該全彩LED顯示裝置進一步地與一觸控面板組合成一全彩LED觸控顯示裝置，且該觸控面板置於該光轉換單元之上。
在一可行實施例中，本發明之背接觸式全彩LED顯示面板進一步包括一共接地層，其設置於該絕緣層與該驅動電路模組之間，且具有N條橋接導線與一條共接地導線；其中，M個所述第一導電柱的該頂端同時連接至一條所述橋接導線，且N條所述橋接導線同時連接該共接地導線。
在一可行實施例中，所述驅動電路模組所具有的該M×N個第二電極同時連接至一共驅動導線，且該共驅動導線以其一共驅動電極而與該共接地導線的一共接地電極連接。
於前述本發明之背接觸式全彩LED顯示面板的實施例中，該主動層於該第一半導體材料層與該第二半導體材料層之間形成一個多重量子井結構，且該多重量子井結構為一未摻雜的氮化鎵(undoped GaN)層與一氮化銦鎵 (InxGa1-xN)層的一多重交互堆疊結構。並且，對應於該多重量子井結構包含彼此交互堆疊的多個所述未摻雜的氮化鎵層與多個所述氮化銦鎵層，該M×N個光轉換部包括：複數個紅光轉換部、複數個綠光轉換部以及複數個空轉換部。
於前述本發明之背接觸式全彩LED顯示面板的實施例中，該主動層於該第一半導體材料層與該第二半導體材料層之間形成一個多重量子井結構，且該多重量子井結構為一氮化鋁鎵(AlxGa1-xN)層與一氮化銦鎵(InxGa1-xN)層的多重交互堆疊結構。並且，對應於該多重量子井結構包含彼此交互堆疊的多個所述未摻雜的氮化鎵層與多個所述氮化銦鎵層，該M×N個光轉換部包括：複數個紅光轉換部、複數個綠光轉換部以及複數個藍光轉換部。
<本發明>
1‧‧‧背接觸式全彩LED顯示面板
10‧‧‧雙面拋光透光基板
101‧‧‧承載面
102‧‧‧出光面
11‧‧‧LED發光結構
11B‧‧‧緩衝層
11N‧‧‧第一半導體材料層
11A‧‧‧主動層
11P‧‧‧第二半導體材料層
12‧‧‧絕緣層
13‧‧‧光轉換單元
13R‧‧‧紅光轉換部
13G‧‧‧綠光轉換部
13B‧‧‧藍光轉換部
13N‧‧‧空轉換部
1H‧‧‧第一通孔
1P‧‧‧第一導電柱
2H‧‧‧第二通孔
2P‧‧‧第二導電柱
S1-S‧‧‧步驟
PR1‧‧‧第一光阻
W1‧‧‧第一蝕刻窗
PR2‧‧‧第二光阻
W2‧‧‧第二蝕刻窗
BM‧‧‧黑色光阻層
BM1‧‧‧容置槽
LC‧‧‧光轉換材料
2‧‧‧驅動電路模組
1E‧‧‧第一電極
2E‧‧‧第二電極
14‧‧‧共接地層
14B‧‧‧橋接導線
14G‧‧‧共接地導線
14C‧‧‧共接地電極
TP‧‧‧觸控面板
<習知>
無
圖1顯示本發明之一種背接觸式全彩LED顯示面板的示意性立體圖；圖2顯示本發明之背接觸式全彩LED顯示面板的第一示意性側剖視圖；圖3顯示單個LED發光結構的示意性立體圖；圖4顯示本發明之背接觸式全彩LED顯示面板的第二示意性側剖視圖；圖5A與圖5B顯示本發明之一種背接觸式全彩LED顯示 面板的製造方法的流程圖；圖6A至圖6M為背接觸式全彩LED顯示面板的示意性製造流程圖；圖7顯示使用本發明之背接觸式全彩LED顯示面板的一種全彩LED顯示裝置的一側剖視圖；圖8顯示雙面拋光透光基板和M×N個LED發光結構的第一上視圖；圖9顯示雙面拋光透光基板和M×N個LED發光結構的第二上視圖；以及圖10顯示使用本發明之背接觸式全彩LED顯示面板的一種全彩LED觸控顯示裝置。
為了能夠更清楚地描述本發明所提出之一種背接觸式全彩LED顯示面板及其製造方法，以下將配合圖式，詳盡說明本發明之較佳實施例。
背接觸式全彩LED顯示面板的結構
圖1顯示本發明之一種背接觸式全彩LED顯示面板的示意性立體圖，且圖2顯示本發明之背接觸式全彩LED顯示面板的第一示意性側剖視圖。如圖1與圖2所示，本發明之背接觸式全彩LED顯示面板1主要包括：一雙面拋光透光基板10、M×N個LED發光結構11、一絕緣層12、 以及一光轉換單元13；其中，該雙面拋光透光基板10的二表面分別作為一承載面101與一出光面102。可以發現，圖1所示之雙面拋光透光基板10的承載面101係朝上，而圖2所示之雙面拋光透光基板10的出光面102係朝上。更詳細地說明，適用於本發明之可行實施例的雙面拋光透光基板10可以是雙面拋光藍寶石基板、雙面拋光尖晶石基板或雙面拋光碳化矽基板。
繼續地參閱圖1與圖2，並請同時參閱圖3，其顯示單個LED發光結構的示意性立體圖。如圖1、圖2與圖3所示，各所述LED發光結構11包括：一緩衝層11B、一第一半導體材料層11N、一主動層11A、以及一第二半導體材料層11P；其中，該緩衝層11B係形成於該雙面拋光透光基板10的該承載面101之上，且其製程材料通常為未摻雜的氮化鎵(undoped GaN)、氮化鋁(AlN)、或氧化鋅(ZnO)。另一方面，該第一半導體材料層11N形成於該緩衝層11B之上，該主動層11A形成於該第一半導體材料層11N之上，且該第二半導體材料層11P形成於該主動層11A之上。
一般而言，該第一半導體材料層11N之製造材料為N型氮化鎵(n-type gallium nitride,n-GaN)，且所述第二半導體材料層11P之製造材料為P型氮化鎵(p-type gallium nitride,p-GaN)。並且，該主動層11A通常會在該 第一半導體材料層11N與該第二半導體材料層11P之間形成一個多重量子井結構。值得特別說明的是，在所述多重量子井結構為一未摻雜的氮化鎵(undoped GaN)層與一氮化銦鎵(InxGa1-xN)層的一多重交互堆疊結構的情況下，各所述LED發光結構11在經電壓驅動之後會發出一藍色光。另一方面，若所述多重量子井結構為一氮化鋁鎵(AlxGa1-xN)層與一氮化銦鎵(InxGa1-xN)層的多重交互堆疊結構，各所述LED發光結構11在經電壓驅動之後則會發出一紫外光。
依據本發明之設計，該絕緣層12係形成於該雙面拋光透光基板10的承載面101之上，且覆蓋該M×N個LED發光結構11。進一步地，本發明於該絕緣層12之中形成M×N個第一通孔1H，用以分別地露出該M×N個第一半導體材料層11N。並且，M×N個第一導電柱1P分別形成於該M×N個第一通孔1H之中。由圖2與圖3可知，各根第一導電柱1P具有一底端與一頂端，且以其所述底端連接至各所述第一半導體材料層11N。同時，本發明還於該絕緣層12之中形成M×N個第二通孔2H，用以分別地露出該M×N個第二半導體材料層11P。並且，M×N個第二導電柱2P分別形成於該M×N個第二通孔2H之中。由圖2與圖3可知，各根第二導電柱2P具有一底端與一頂端，且以其所述底端連接至各所述第二半導體材料層11P。
值得注意的是，圖1係以透明材質表示絕緣層12，其目的在於清楚顯示各所述LED發光結構11與第一導電柱1P及第二導電柱2P的連接關係。實際製作本發明之背接觸式全彩LED顯示面板1時，該絕緣層12的製程材料可為一氧化物。再者，該光轉換單元13係設置在該雙面拋光透光基板10得出光面102之上，且包括M×N個光轉換部分別對應於該M×N個LED發光結構11。必須補充說明的是，對應於各所述LED發光結構11係發出藍色光，本發明係令光轉換單元13的M×N個光轉換部包括：複數個紅光轉換部13R、複數個綠光轉換部13G以及複數個空(blank)轉換部13N。在一實施例中，紅光轉換部13R和綠光轉換部13G分別由一紅光轉換材料與一綠光轉換材料組成，且所述紅光轉換材料與綠光轉換材料可以是螢光粉或量子點。
圖4顯示本發明之背接觸式全彩LED顯示面板的第二示意性側剖視圖。在另一可行實施例中，所述多重量子井結構為一氮化鋁鎵(AlxGa1-xN)層與一氮化銦鎵(InxGa1-xN)層的多重交互堆疊結構，使得各所述LED發光結構11在經電壓驅動之後則會發出紫外光。在此情況下，本發明係令光轉換單元13的M×N個光轉換部包括：複數個紅光轉換部13R、複數個綠光轉換部13G以及複數個藍光轉換部13B。在一實施例中，紅光轉換部13R、綠 光轉換部13G和藍光轉換部13B分別由一紅光轉換材料、一綠光轉換材料與一藍光轉換材料組成，且所述紅光轉換材料、綠光轉換材料和藍光轉換材料皆可為螢光粉或量子點。
背接觸式全彩LED顯示面板的製造方法
圖5A與圖5B顯示本發明之一種背接觸式全彩LED顯示面板的製造方法的流程圖。並且，圖6A至圖6M為背接觸式全彩LED顯示面板的示意性製造流程圖。製作本發明之背接觸式全彩LED顯示面板1(如圖1、圖2所示)時，如圖5A與圖6A所示，製造方法係首先執行步驟S1：提供一雙面拋光透光基板10，且以該雙面拋光透光基板10的二表面分別作為一承載面101與一出光面102。繼續地，如圖5A與圖6A所示，製造方法係接著執行步驟S2：形成M×N個LED發光結構11於該承載面101之上。其中，各所述LED發光結構11包括一緩衝層11B、一第一半導體材料層11N、一主動層11A、以及一第二半導體材料層11P。前述說明已經在圖3的輔助之下清楚地描述LED發光結構11，是以在此不再重複進行重複性的描述。
如圖5A與圖6C所示，製造方法接著執行步驟S3：形成一絕緣層12於該承載面101之上，且該絕緣層12覆蓋該M×N個LED發光結構11。於步驟S4之中，如圖5A、圖 6D和圖6E所示，製造方法係利用微影蝕刻技術於該絕緣層12之上製作出M×N個第一通孔1H，以利用各所述第一通孔1H露出各所述第一半導體材料層11N。於圖6D之中，一第一光阻PR1首先被涂佈在該絕緣層12之上，並利用曝光顯影技術於該第一光阻PR1之上製作出M×N個第一蝕刻窗W1。繼續地，於圖6E之中，係透過各所述第一蝕刻窗W1對該絕緣層12進行蝕刻，進而在該絕緣層12之中製作出M×N個第一通孔1H。接著，於步驟S5之中，製造方法係於每個所述第一通孔1H之中形成具有一頂端與一底端的一第一導電柱1P，使得各所述第一導電柱1P以其所底端連接至各所述第一半導體材料層11N(如圖6F所示)。
如圖5B、圖6G和圖6H所示，製造方法接著執行步驟S6：利用微影蝕刻技術於該絕緣層12之上製作出M×N個第二通孔2H，以利用各所述第二通孔2H露出各所述第二半導體材料層11P。於圖6G之中，一第二光阻PR2首先被涂佈在該絕緣層12之上，並利用曝光顯影技術於該第二光阻PR2之上製作出M×N個第二蝕刻窗W2。繼續地，於圖6H之中，係透過各所述第二蝕刻窗W2對該絕緣層12進行蝕刻，進而在該絕緣層12之中製作出M×N個第二通孔2H。接著，於步驟S7之中，製造方法係於每個所述第二通孔2H之中形成具有一頂端與一底端的一第二導 電柱2P，使得各所述第二導電柱2P以其所底端連接至各所述第二半導體材料層11P(如圖6I所示)。
完成M×N個第二導電柱2P的製作之後，如圖5B所示，製作造法接著執行步驟S8。於步驟S8之中，如圖6K和圖6L所示，該雙面拋光透光基板10的該出光面102之上係覆有一黑色光阻層BM，且該黑色光阻層BM之上被製作出M×N個容置槽BM1。最終，製造方法係執行步驟S9。如圖6L和圖6M所示，於步驟S9之中，每個所述容置槽BM1之中係填注有一光轉換材料LC，進而完成包括M×N個光轉換部的一光轉換單元13之製作，獲得一背接觸式全彩LED顯示面板1。易於理解的，圖6M所示之光轉換單元13的M×N個光轉換部包括複數個紅光轉換部13R、複數個綠光轉換部13G以及複數個藍光轉換部13B。
使用背接觸式全彩LED顯示面板的全彩LED顯示裝置
圖7顯示使用本發明之背接觸式全彩LED顯示面板的一種全彩LED顯示裝置的一側剖視圖。如圖7所示，將本發明之背接觸式全彩LED顯示面板1與具有M×N個第一電極1E和M×N個第二電極2E之一驅動電路模組2相互組合之後，即獲得一全彩LED顯示裝置；其中，各所述第一電極1E連接至各所述第一導電柱1P的該頂端，且各所 述第二電極2E連接至各所述第二導電柱2P的該頂端。
圖8顯示雙面拋光透光基板和M×N個LED發光結構的第一上視圖。如圖8所示，於一實施例中，M×N個第一導電柱1P分別以其底端連接至M×N個第一半導體材料層11N，且M×N個第二導電柱2P分別以其底端連接至M×N個第二半導體材料層11P。圖9顯示雙面拋光透光基板和M×N個LED發光結構的第二上視圖。如圖9所示，在可行的實施例中，本發明之背接觸式全彩LED顯示面板1更包含設置於該絕緣層12與該驅動電路模組2之間的一共接地層14(如圖9的虛線方框所示)，其中該共接地層14具有N條橋接導線14B與一條共接地導線14G。由圖9可發現，每行共M個所述第一導電柱1P的該頂端同時連接至一條所述橋接導線14B，且所有N條所述橋接導線14B同時連接該共接地導線14G。對應地，可令驅動電路模組2的M×N個第二電極2E同時連接至一共驅動導線(未圖示)，且該共驅動導線以其一共驅動電極而與該共接地導線14G的一共接地電極14C連接。
使用背接觸式全彩LED顯示面板的全彩LED觸控顯示裝置
圖10顯示使用本發明之背接觸式全彩LED顯示面板的一種全彩LED觸控顯示裝置。在可行的實施例中， 本發明之背接觸式全彩LED顯示面板1與一驅動電路模組2組合成一全彩LED顯示裝置；進一步地，所述全彩LED顯示裝置與一觸控面板TP組合成一全彩LED觸控顯示裝置，且該觸控面板TP置於該光轉換單元13之上。
如此，上述係已完整且清楚地說明本發明之一種背接觸式全彩LED顯示面板及其製造方法；並且，經由上述可得知本發明係具有下列之優點： (1)本發明之背接觸式全彩LED顯示面板1包括：一雙面拋光透光基板10、M×N個LED發光結構11、一絕緣層12、以及一光轉換單元13；其中，該M×N個LED發光結構11形成於該雙面拋光透光基板10的一承載面101之上，且該絕緣層12形成於該承載面101上且覆蓋所述M×N個LED發光結構11。特別地，本發明於絕緣層12內製作M×N個第一導電柱1P和M×N個第二導電柱2P；其中，各所述第一導電柱1P連接各所述LED發光結構11的第一半導體材料層11N，而各所述第二導電柱2P則連接各所述LED發光結構11的第二半導體材料層11P。進一步地，本發明將該光轉換單元13置於該雙面拋光透光基板10的一出光面102之上。值得說明的是，將本發明之背接觸式全彩LED顯示面板1倒置之後，具有M×N個第一電極1E和M×N個第二電極2E之一驅動電路模組2可與M×N個第一導電柱1P 和M×N個第二導電柱2P達成電性連接。因此，本發明之背接觸式全彩LED顯示面板1的結構中不需要使用任何透明導電層，使得驅動電路模組2在驅動所述背接觸式全彩LED顯示面板1的過程中所衍生的負載效應可以被降到最低。
必須加以強調的是，上述之詳細說明係針對本發明可行實施例之具體說明，惟該實施例並非用以限制本發明之專利範圍，凡未脫離本發明技藝精神所為之等效實施或變更，均應包含於本案之專利範圍中。
1‧‧‧背接觸式全彩LED顯示面板
10‧‧‧雙面拋光透光基板
101‧‧‧承載面
102‧‧‧出光面
11‧‧‧LED發光結構
11B‧‧‧緩衝層
11N‧‧‧第一半導體材料層
11A‧‧‧主動層
11P‧‧‧第二半導體材料層
12‧‧‧絕緣層
13‧‧‧光轉換單元
13R‧‧‧紅光轉換部
13G‧‧‧綠光轉換部
13B‧‧‧藍光轉換部
1H‧‧‧第一通孔
1P‧‧‧第一導電柱
2H‧‧‧第二通孔
2P‧‧‧第二導電柱

Claims (23)

  1. 一種背接觸式全彩LED顯示面板，包括：一雙面拋光透光基板，其二表面分別作為一承載面與一出光面；M×N個LED發光結構，其中各所述LED發光結構包括：一緩衝層，形成於該雙面拋光透光基板的該承載面之上；一第一半導體材料層，形成於該緩衝層之上；一主動層，形成於該第一半導體材料層之上；及一第二半導體材料層，形成於該主動層之上；一絕緣層，係形成於該承載面之上，且覆蓋該M×N個LED發光結構；M×N個第一通孔，係形成於該絕緣層之中，其中各所述第一通孔用以露出各所述第一半導體材料層；M×N個第一導電柱，分別形成於該M×N個第一通孔之中，且具有一底端與一頂端，各所述第一導電柱以其所述底端連接至各所述第一半導體材料層；M×N個第二通孔，係形成於該絕緣層之中，其中各所述第二通孔用以露出各所述第二半導體材料層；M×N個第二導電柱，分別形成於該M×N個第二通孔之中，且具有一底端與一頂端，各所述第二導電柱以其所述底端連接至各所述第二半導體材料層；以及一光轉換單元，設置於該出光面之上，且包括M×N個光轉換部分別對應於該M×N個LED發光結構。
  2. 申請專利範圍第1項所述之背接觸式全彩LED顯示面板，其中，所述背接觸式全彩LED顯示面板與一驅動電路模組組合成一全彩LED顯示裝置，且該驅動電路模組具有M×N個第一電極和M×N個第二電極；其中，各所述第一電極連接至各所述第一導電柱的該頂端，且各所述第二電極連接至各所述第二導電柱的該頂端。
  3. 申請專利範圍第2項所述之背接觸式全彩LED顯示面板，其中，所述全彩LED顯示裝置與一觸控面板組合成一全彩LED觸控顯示裝置，且該觸控面板置於該光轉換單元之上。
  4. 申請專利範圍第2項所述之背接觸式全彩LED顯示面板，更包括一共接地層，其設置於該絕緣層與該驅動電路模組之間，且具有N條橋接導線與一條共接地導線；其中，M個所述第一導電柱的該頂端同時連接至一條所述橋接導線，且N條所述橋接導線同時連接該共接地導線。
  5. 申請專利範圍第4項所述之背接觸式全彩LED顯示面板，其中，該M×N個第二電極同時連接至一共驅動導線，且該共驅動導線以其一共驅動電極而與該共接地導線的一共接地電極連接。
  6. 申請專利範圍第1項所述之背接觸式全彩LED顯示面板，其中，該雙面拋光透光基板可為下列任一者：雙面拋 光藍寶石基板、雙面拋光尖晶石基板、雙面拋光碳化矽基板、雙面拋光玻璃基板、或雙面拋光石英基板。
  7. 申請專利範圍第1項所述之背接觸式全彩LED顯示面板，其中，該絕緣層的製程材料為一氧化物，且該緩衝層的製造材料可為下列任一者：未摻雜的氮化鎵(undoped GaN)、氮化鋁(AlN)、或氧化鋅(ZnO)。
  8. 申請專利範圍第1項所述之背接觸式全彩LED顯示面板，其中，該第一半導體材料層之製造材料為N型氮化鎵(n-type gallium nitride,n-GaN)，且所述第二半導體材料層之製造材料為P型氮化鎵(p-type gallium nitride,p-GaN)。
  9. 申請專利範圍第1項所述之背接觸式全彩LED顯示面板，其中，該主動層於該第一半導體材料層與該第二半導體材料層之間形成一個多重量子井結構，且該多重量子井結構為一未摻雜的氮化鎵(undoped GaN)層與一氮化銦鎵(InxGa1-xN)層的一多重交互堆疊結構。
  10. 申請專利範圍第9項所述之背接觸式全彩LED顯示面板，其中，對應於該多重量子井結構包含彼此交互堆疊的多個所述未摻雜的氮化鎵層與多個所述氮化銦鎵層，該M×N個光轉換部包括：複數個紅光轉換部、複數個綠光轉換部以及複數個空轉換部。
  11. 申請專利範圍第1項所述之背接觸式全彩LED顯示面板，其中，該主動層於該第一半導體材料層與該第二半導 體材料層之間形成一個多重量子井結構，且該多重量子井結構為一氮化鋁鎵(AlxGa1-xN)層與一氮化銦鎵(InxGa1-xN)層的多重交互堆疊結構。
  12. 申請專利範圍第11項所述之背接觸式全彩LED顯示面板，其中，對應於該多重量子井結構包含彼此交互堆疊的多個所述未摻雜的氮化鎵層與多個所述氮化銦鎵層，該M×N個光轉換部包括：複數個紅光轉換部、複數個綠光轉換部以及複數個藍光轉換部。
  13. 一種背接觸式全彩LED顯示面板的製造方法，包括以下步驟：(1)提供一雙面拋光透光基板，且以該雙面拋光透光基板的二表面分別作為一承載面與一出光面；(2)形成M×N個LED發光結構於該承載面之上；(3)形成一絕緣層於該承載面之上，且該絕緣層覆蓋該M×N個LED發光結構；(4)利用微影蝕刻技術於該絕緣層之上製作出M×N個第一通孔，以利用各所述第一通孔露出各所述第一半導體材料層；(5)於每個所述第一通孔之中形成具有一頂端與一底端的一第一導電柱，使得各所述第一導電柱以其所底端連接至各所述第一半導體材料層；(6)利用微影蝕刻技術於該絕緣層之上製作出M×N個第二通孔，以利用各所述第二通孔露出各所述第二半導 體材料層；(7)於每個所述第二通孔之中形成具有一頂端與一底端的一第二導電柱，使得各所述第二導電柱以其所述底端連接至各所述第二半導體材料層；(8)於該雙面拋光透光基板的該出光面之上形成一黑色光阻層，並於該黑色光阻層之上製作出M×N個容置槽；以及(9)於每個所述容置槽內注入一光轉換材料，進而完成包括M×N個光轉換部的一光轉換單元之製作，獲得一背接觸式全彩LED顯示面板。
  14. 申請專利範圍第13項所述之背接觸式全彩LED顯示面板的製造方法，其中，所述背接觸式全彩LED顯示面板與一驅動電路模組組合成一全彩LED顯示裝置，且該驅動電路模組具有M×N個第一電極和M×N個第二電極；其中，各所述第一電極連接至各所述第一導電柱的該頂端，且各所述第二電極連接至各所述第二導電柱的該頂端。
  15. 申請專利範圍第14項所述之背接觸式全彩LED顯示面板的製造方法，其中，所述全彩LED顯示裝置與一觸控面板組合成一全彩LED觸控顯示裝置，且該觸控面板置於該光轉換單元之上。
  16. 申請專利範圍第13項所述之背接觸式全彩LED顯示面板的製造方法，其中，該雙面拋光透光基板可為下列任一 者：雙面拋光藍寶石基板、雙面拋光尖晶石基板、雙面拋光碳化矽基板、雙面拋光玻璃基板、或雙面拋光石英基板。
  17. 申請專利範圍第13項所述之背接觸式全彩LED顯示面板的製造方法，其中，該絕緣層的製程材料為一氧化物，且該緩衝層的製造材料可為下列任一者：未摻雜的氮化鎵(undoped GaN)、氮化鋁(AlN)、或氧化鋅(ZnO)。
  18. 申請專利範圍第13項所述之背接觸式全彩LED顯示面板的製造方法，其中，各所述LED發光結構包括：一緩衝層，形成於該雙面拋光透光基板的該承載面之上；一第一半導體材料層，形成於該緩衝層之上；一主動層，形成於該第一半導體材料層之上；及一第二半導體材料層，形成於該主動層之上。
  19. 申請專利範圍第18項所述之背接觸式全彩LED顯示面板的製造方法，其中，該第一半導體材料層之製造材料為N型氮化鎵(n-type gallium nitride,n-GaN)，且所述第二半導體材料層之製造材料為P型氮化鎵(p-type gallium nitride,p-GaN)。
  20. 申請專利範圍第18項所述之背接觸式全彩LED顯示面板的製造方法，其中，該主動層於該第一半導體材料層與該第二半導體材料層之間形成一個多重量子井結構，且該多重量子井結構為一未摻雜的氮化鎵(undoped GaN)層與 一氮化銦鎵(InxGa1-xN)層的一多重交互堆疊結構。
  21. 申請專利範圍第20項所述之背接觸式全彩LED顯示面板的製造方法，其中，對應於該多重量子井結構包含彼此交互堆疊的多個所述未摻雜的氮化鎵層與多個所述氮化銦鎵層，該M×N個光轉換部包括：複數個紅光轉換部、複數個綠光轉換部以及複數個空轉換部。
  22. 申請專利範圍第18項所述之背接觸式全彩LED顯示面板的製造方法，其中，該主動層於該第一半導體材料層與該第二半導體材料層之間形成一個多重量子井結構，且該多重量子井結構為一氮化鋁鎵(AlxGa1-xN)層與一氮化銦鎵(InxGa1-xN)層的多重交互堆疊結構。
  23. 申請專利範圍第22項所述之背接觸式全彩LED顯示面板的製造方法，其中，對應於該多重量子井結構包含彼此交互堆疊的多個所述未摻雜的氮化鎵層與多個所述氮化銦鎵層，該M×N個光轉換部包括：複數個紅光轉換部、複數個綠光轉換部以及複數個藍光轉換部。
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