TWI730460B - 高出光效率的背接觸式全彩ｌｅｄ顯示面板及其製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明主要揭示一種高出光效率的背接觸式全彩LED顯示面板，其中，M×N個LED發光結構形成於一雙面拋光透光基板的一承載面之上，M×N個第一導電層分別連接至所有LED發光結構之M×N個第一半導體材料層，且和M×N個第二導電層分別連接至所有LED發光結構之M×N個第二半導體材料層。特別地，本發明在雙面拋光透光基板的一出光面之上佈滿複數根光侷限管，且具有複數個光轉換器的一光轉換單元係進一步地設置在該複數根光侷限管之上。藉由該複數根光侷限管之設置，每一個LED發光結構所發出的光可以被有效率地導引至與其對應的光轉換器。

Description

高出光效率的背接觸式全彩LED顯示面板及其製造方法

本發明係關於自發光(Self-luminous)顯示面板之技術領域，尤指一種高出光效率的背接觸式全彩LED顯示面板及其製造方法。

已知，現有的平面顯示器的種類包括液晶顯示器(LCD)、有機發光二極體(Organic light-emitting diode,OLED)顯示器，以及發光二極體(LED)顯示器。熟悉顯示面板設計與製作的工程師必然知道，液晶顯示器具有非自發光、低效率、低動態範圍、需要偏振濾光等缺點。OLED顯示器雖然屬於自發光型顯示器，然而，藍光OLED元件的低可靠性和低效率(~5%QE)成為OLED顯示器的最主要缺陷。

相反的，紅光、綠光、和藍光LED元件的製作技術都非常成熟，使得LED顯示器具有自發光、高效率、高動態範圍、高反應速度、以及超過50,000小時的使用壽命等優勢。因此，就中、小型的顯示器領域而言，LED顯示 器已經逐漸取代傳統的液晶顯示器而成為中、小型顯示器之主流。近年來，LED顯示器技術越趨成熟，已經廣泛地應用於智慧型手機(smart phone)、電視、電腦螢幕、和智慧型手錶等產品之中，因此業界更致力於發展次毫米發光二極體(Mini LED)顯示器以及微型發光二極體(Micro LED)顯示器，以使LED顯示器具有更高的解析度。

值得說明的是，如台灣專利號I633645的圖7所示，為了使得一LED顯示面板的各個LED元件之一陽極端和一陰極端都可以順利地電連接至外部的驅動電路，包含複數條陽極端連接電極和複數條陰極端連接電極的一透明導電基板係被設置於該外部驅動電路與各個LED元件之陽極端和陰極端之間，作為所述外部驅動電路與各個LED元件之間的電連接橋梁。通常，所述透明導電基板之該些陽極端連接電極和該些陰極端連接電極係由氧化銦錫(Indium Tin Oxide,ITO)或氧化鋅(Zinc oxide,ZnO)製成。必須考慮的是，這些材料的阻值高於銅、銀等常用的金屬電極。熟悉顯示器驅動晶片設計與製作的電子工程師應可理解，阻值相對較高的該些陽極端連接電極和該些陰極端連接電極必然會衍生不可預期的負載效應，導致顯示器驅動晶片無法完美地區動LED顯示面板的各個子畫素(亦即，LED元件)，因而降低使用者體驗(User experience,UX)。

另一方面，習知技術通常會進一步地將具有複數個光轉換器的一光轉換層設置在該LED顯示面板之上，使各該光轉換器對應地位於各該LED元件的上方處。如此設 置，LED元件所發出的光便會射入與其對應的光轉換器，達成光色轉換之效果。然而，實務上發現，當一顆LED元件發光時，其所發射的光不僅射入在其正上方位置的光轉換器，同時也會射入與該光轉換器相鄰的其它光轉換器。在此情況下，控制電路便無法精準地控制每個次像素的光色強度。

由上述說明可知，習知的LED顯示面板仍具有許多實務缺陷有待改善。有鑑於此，本案之發明人係極力加以研究創作發明，而終於研發完成本發明之一種高出光效率的背接觸式全彩LED顯示面板及其製造方法。

本發明之主要目的在於提供一種高出光效率的背接觸式全彩LED顯示面板，其中，M×N個LED發光結構形成於一雙面拋光透光基板的一承載面之上，M×N個第一導電層分別連接至所有LED發光結構之M×N個第一半導體材料層，且和M×N個第二導電層分別連接至所有LED發光結構之M×N個第二半導體材料層。特別地，本發明在雙面拋光透光基板的一出光面之上佈滿複數根光侷限管，且具有複數個光轉換器的一光轉換單元係進一步地設置在該複數根光侷限管之上。藉由該複數根光侷限管之設置，每一個LED發光結構所發出的光可以被有效率地導引至與其對應的光 轉換器，達到易於有效控制每個次像素之效果。

為了達成上述本發明之目的，本發明係提供所述背接觸式全彩LED顯示面板之一實施例，其具高出光效率，且包括：

一雙面拋光透光基板，其二表面分別作為一承載面與一出光面；

M×N個LED發光結構，其中各所述LED發光結構包括：

一緩衝層，形成於該雙面拋光透光基板的該承載面之上；

一第一半導體材料層，形成於該緩衝層之上；

一主動層，形成於該第一半導體材料層之上；及

一第二半導體材料層，形成於該主動層之上；

一M×N個第一導電層，係分別形成於該M×N個第一半導體材料層之上；

一絕緣層，係覆蓋該M×N個LED發光結構以及該承載面，且該絕緣層開設有M×N個開口用以分別露出該M×N個第二半導體材料層；

M×N個第二導電層，係透過該M×N個開口而分別形成於該M×N個第二半導體材料層之上；

複數根光侷限管，垂直地設置在該雙面拋光透光基板的該出光面之上，且分佈於該出光面之上；其中，該複數根光侷限管彼此之間緊密接觸；以及

一光轉換單元，連接至該複數根光侷限管的另一端，且 包括M×N個光轉換部分別對應於該M×N個LED發光結構；

其中，在任一所述LED發光結構所發出的一色光之一光軸與任一所述光侷限管之一中心軸的夾角小於一侷限角的情況下，該色光被侷限在該光侷限管之中行進。

並且，本發明係同時提供前述背接觸式全彩LED顯示面板的製造方法，包括以下步驟：

(1)提供一雙面拋光透光基板，且以該雙面拋光透光基板的二表面分別作為一承載面與一出光面；

(2)於該承載面之上依序形成一緩衝層、一第一半導體材料層、一主動層、與一第二半導體材料層；

(3)利用微影蝕刻技術和一第一光阻層製作出完全貫穿該第二半導體材料層、與該主動層、以及部分蝕刻該第一半導體材料層之M×N個凹槽，接著去除該第一光阻層；

(4)以一第二光阻層覆於該第二半導體材料層之上，且令各所述凹槽之側壁覆有該第二光阻層；

(5)令M×N個第一導電層分別形成於該M×N個凹槽之中；

(6)利用微影蝕刻技術令M×N個第三光阻層分布在該第二半導體材料層之上；

(7)形成一絕緣層覆蓋該第二半導體材料層，且令該絕 緣層填入該M×N個凹槽之中；

(8)去除該M×N個第三光阻層，使得該絕緣層具有M×N個開口用以露出該第二半導體材料層；

(9)以一第四光阻層覆於該覆蓋該絕緣層，且令該第四光阻層填入該M×N個凹槽之中；

(10)令M×N個第二導電層分別形成於該M×N個開口之中；

(11)去除該第四光阻層之後，於該雙面拋光透光基板的該出光面之上設置複數根光侷限管；以及

(12)於該複數根光侷限管之上設置包括M×N個光轉換部的一光轉換單元，完成一背接觸式全彩LED顯示面板之製作。

於前述本發明之背接觸式全彩LED顯示面板的實施例中，M個所述第一導電層同時被連接至一條橋接導線，且N條所述橋接導線被同時連接至一共接地導線；其中，該共接地導線之上設有一第一共接地電極。

在一可行實施例中，所述背接觸式全彩LED顯示面板與一驅動電路模組組合成一全彩LED顯示裝置，且該驅動電路模組具有一個第二共接地電極以及M×N個電極；其中，各所述電極連接至各所述第二導電層，且該共接地電極連接至該第一共接地電極。

在一可行實施例中，所述全彩LED顯示裝置與一觸控面板組合成一全彩LED觸控顯示裝置，且該觸控面板 置於該光轉換單元之上。

於前述本發明之背接觸式全彩LED顯示面板的實施例中，該主動層於該第一半導體材料層與該第二半導體材料層之間形成一個多重量子井結構，且該多重量子井結構為一未摻雜的氮化鎵(undoped GaN)層與一氮化銦鎵(In_xGa_1-xN)層的一多重交互堆疊結構。並且，對應於該多重量子井結構包含彼此交互堆疊的多個所述未摻雜的氮化鎵層與多個所述氮化銦鎵層，該M×N個光轉換部包括：複數個紅光轉換部、複數個綠光轉換部以及複數個空轉換部。

於前述本發明之背接觸式全彩LED顯示面板的實施例中，該主動層於該第一半導體材料層與該第二半導體材料層之間形成一個多重量子井結構，且該多重量子井結構為一氮化鋁鎵(Al_xGa_1-xN)層與一氮化銦鎵(In_xGa_1-xN)層的多重交互堆疊結構。並且，對應於該多重量子井結構包含彼此交互堆疊的多個所述未摻雜的氮化鎵層與多個所述氮化銦鎵層，該M×N個光轉換部包括：複數個紅光轉換部、複數個綠光轉換部以及複數個藍光轉換部。

【0034】<本發明>

1‧‧‧背接觸式全彩LED顯示面板

10‧‧‧雙面拋光透光基板

101‧‧‧承載面

102‧‧‧出光面

11‧‧‧LED發光結構

11B‧‧‧緩衝層

11N‧‧‧第一半導體材料層

11A‧‧‧主動層

11P‧‧‧第二半導體材料層

12‧‧‧絕緣層

121‧‧‧開口

14‧‧‧光侷限管

15‧‧‧光轉換單元

15R‧‧‧紅光轉換部

15G‧‧‧綠光轉換部

15B‧‧‧藍光轉換部

15N‧‧‧空轉換部

1P‧‧‧第一導電層

2P‧‧‧第二導電層

2‧‧‧驅動電路模組

2E‧‧‧電極

2CE‧‧‧第二共接地電極

BL‧‧‧橋接導線

CL‧‧‧共接地導線

CL1‧‧‧第一共接地電極

TP‧‧‧觸控面板

S1-S12‧‧‧步驟

PR1‧‧‧第一光阻層

PR2‧‧‧第二光阻層

PR3‧‧‧第三光阻層

PR4‧‧‧第四光阻層

RG1‧‧‧凹槽

【0035】<習知>

無

圖1A顯示本發明之一種高出光效率的背接觸式全彩LED顯示面板的第一示意性側剖視圖；

圖1B顯示本發明之一種高出光效率的背接觸式全彩 LED顯示面板的第二示意性側剖視圖；

圖2顯示單個LED發光結構的示意性立體圖；

圖3A顯示光轉換單元的一第一示意性立體圖；

圖3B顯示光轉換單元的一第二示意性立體圖；

圖4顯示M×N個LED發光結構的示意性立體圖；

圖5顯示本發明之背接觸式全彩LED顯示面板與一驅動電路模組的示意性側剖視圖；

圖6顯示M×N個LED發光結構與該驅動電路模組的示意性立體圖；

圖7顯示本發明之背接觸式全彩LED顯示面板、該驅動電路模組以及一觸控面板的示意性側剖視圖；

圖8A、圖8B與圖8C顯示本發明之一種高出光效率的背接觸式全彩LED顯示面板的製造方法的流程圖；以及

圖9A至圖9L顯示背接觸式全彩LED顯示面板的示意性製造流程圖。

為了能夠更清楚地描述本發明所提出之一種高出光效率的背接觸式全彩LED顯示面板及其製造方法，以下將配合圖式，詳盡說明本發明之較佳實施例。

高出光效率的背接觸式全彩LED顯示面板的結構

圖1A與圖1B分別顯示本發明之一種高出光效率的背接觸式全彩LED顯示面板的第一、第二示意性側剖視圖。於圖1A中，高出光效率的背接觸式全彩LED顯示面板1(下文簡稱“背接觸式全彩LED顯示面板1”)的出光面係朝上。相反地，於圖1B中，高出光效率的背接觸式全彩LED顯示面板1(下文簡稱“背接觸式全彩LED顯示面板1”)的出光面係朝下。如圖1A與圖1B所示，本發明之背接觸式全彩LED顯示面板1主要包括：一雙面拋光透光基板10、M×N個LED發光結構11、一絕緣層12、M×N個第一導電層1P、M×N個第二導電層2P、複數根光侷限管14、以及一光轉換單元15。依據本發明之設計，該雙面拋光透光基板10的二表面分別作為一承載面101與一出光面102。更詳細地說明，適用於本發明之可行實施例的雙面拋光透光基板10可以是雙面拋光藍寶石基板、雙面拋光尖晶石基板、雙面拋光碳化矽基板、雙面拋光玻璃基板、或雙面拋光石英基板。

繼續地參閱圖1A與圖1B，並請同時參閱圖2，其顯示單個LED發光結構的示意性立體圖。如圖1A、圖1B與圖2所示，各所述LED發光結構11的主要包括：一緩衝層11B、一第一半導體材料層11N、以及一主動層11A，且該第一導電層1P與該第二導電層2P係分別形成於該第一半導體材料層11N和該第二半導體材料層11P之上。更詳 細地說明，該緩衝層11B係形成於該雙面拋光透光基板10的該承載面101之上，且其製程材料通常為未摻雜的氮化鎵(undoped GaN)、氮化鋁(AlN)、或氧化鋅(ZnO)。另一方面，該第一半導體材料層11N形成於該緩衝層11B之上，該主動層11A形成於該第一半導體材料層11N之上，且該第二半導體材料層11P形成於該主動層11A之上。

一般而言，該第一半導體材料層11N之製造材料為N型氮化鎵(n-type gallium nitride,n-GaN)，且所述第二半導體材料層11P之製造材料為P型氮化鎵(p-type gallium nitride,p-GaN)。並且，該主動層11A通常會在該第一半導體材料層11N與該第二半導體材料層11P之間形成一個多重量子井結構。值得特別說明的是，在所述多重量子井結構為一未摻雜的氮化鎵(undoped GaN)層與一氮化銦鎵(In_xGa_1-xN)層的一多重交互堆疊結構的情況下，各所述LED發光結構11在經電壓驅動之後會發出一藍色光。另一方面，若所述多重量子井結構為一氮化鋁鎵(Al_xGa_1-xN)層與一氮化銦鎵(In_xGa_1-xN)層的多重交互堆疊結構，各所述LED發光結構11在經電壓驅動之後則會發出一紫外光。

依據本發明之設計，該絕緣層12係覆蓋該M×N個LED發光結構11以及該承載面101，且該絕緣層12開設有M×N個開口121用以分別露出該M×N個第二半導體材料 層11P，使得該M×N個第二導電層2P可以分別被設置在該M×N個第二半導體材料層11P之上。實際製作本發明之背接觸式全彩LED顯示面板1時，該絕緣層12的製程材料可為一氧化物。

請繼續參閱圖3A與圖3B，其分別顯示光轉換單元15的一第一示意性立體圖和一第二示意性立體圖。於本發明中，該光轉換單元15係設置在該雙面拋光透光基板10的出光面102之上，且包括M×N個光轉換部分別對應於該M×N個LED發光結構11。必須補充說明的是，如圖3A所示，對應於各所述LED發光結構11係發出藍色光，本發明係令光轉換單元15的M×N個光轉換部包括：複數個紅光轉換部15R、複數個綠光轉換部15G以及複數個空(blank)轉換部15N。在一實施例中，紅光轉換部15R和綠光轉換部15G分別由一紅光轉換材料與一綠光轉換材料組成，且所述紅光轉換材料與綠光轉換材料可以是螢光粉或量子點。

另一方面，如圖3B所示，對應於各所述LED發光結構11係發出紫外光，所述光轉換單元15的M×N個光轉換部則包括：複數個紅光轉換部15R、複數個綠光轉換部15G以及複數個藍光轉換部15B。在一實施例中，紅光轉換部15R、綠光轉換部15G和藍光轉換部15B分別由一紅光轉換材料、一綠光轉換材料與一藍光轉換材料組成，且所述 紅光轉換材料、綠光轉換材料和藍光轉換材料皆可為螢光粉或量子點。

特別地，本發明令複數根光侷限管14垂直地設置在該雙面拋光透光基板10的該出光面102之上。如圖1A與圖1B所示，該複數根光侷限管14介於該光轉換單元15與該出光面102之間，且彼此之間係緊密接觸。值得說明的是，在任一所述LED發光結構11所發出的一色光之一光軸與任一所述光侷限管14之一中心軸的夾角小於一侷限角的情況下，該色光被侷限在該光侷限管14之中行進。舉例而言，侷限角為5°，則發光角度超過5°的色光便不會被允許進入光侷限管14之中行進，且受到鄰近的光侷限管14之外壁面所阻擋。如此設計，當位於紅光轉換部15R下方處的LED發光結構11發光時，其所發出的色光便不會因為發光角度過大而同時射入該紅光轉換部15R旁邊的綠光轉換部15G及/或藍光轉換部15B。

繼續地參閱圖1A，並請同時參閱圖4，其顯示M×N個LED發光結構11的示意性立體圖。另一方面，圖5顯示本發明之背接觸式全彩LED顯示面板1與一驅動電路模組2的示意性側剖視圖，且圖6顯示M×N個LED發光結構11與該驅動電路模組2的示意性立體圖。特別地，本發明還於所述背接觸式全彩LED顯示面板1增設N條橋接導線BL，且以一共接地導線CL連接該N條橋接導線BL。如圖4 與圖6所示，各所述橋接導線BL皆與M個所述第一導電層1P連接，且該共接地導線CL之上設有一第一共接地電極CL1。進一步地，如圖4、圖5、與圖6所示，所述背接觸式全彩LED顯示面板1與一驅動電路模組2組合成一全彩LED顯示裝置，且該驅動電路模組2具有一個第二共接地電極2CE以及M×N個電極2E；其中，各所述電極2E連接至各所述第二導電層2P，且該第二共接地電極2CE連接至該第一共接地電極CL1。

進一步地，圖7顯示本發明之背接觸式全彩LED顯示面板1、該驅動電路模組2以及一觸控面板TP的示意性側剖視圖。在一擴增實施例中，由驅動電路模組2和本發明之背接觸式全彩LED顯示面板1所組成的全彩LED顯示裝置還可進一步與一觸控面板TP組合成一全彩LED觸控顯示裝置，且該觸控面板TP置於該光轉換單元15之上。

高出光效率的背接觸式全彩LED顯示面板的製造方法

圖8A、圖8B與圖8C顯示本發明之一種高出光效率的背接觸式全彩LED顯示面板的製造方法的流程圖。所述高出光效率的背接觸式全彩LED顯示面板下文簡稱(“背接觸式全彩LED顯示面板”)。並且，圖9A至圖9L為背接觸式全彩LED顯示面板的示意性製造流程圖。製作本發明之背接觸式全彩LED顯示面板1(如圖1A與圖1B所示)之 時，製造方法係首先執行步驟S1以及步驟S2：提供一雙面拋光透光基板10，且以該雙面拋光透光基板10的二表面分別作為一承載面101與一出光面102，接著於該承載面101之上依序形成一緩衝層11B、一第一半導體材料層11N、一主動層11A、與一第二半導體材料層11P。如圖9A和圖9B所示，製造方法係接著執行步驟S3：利用微影蝕刻技術和一第一光阻層PR1製作出完全貫穿該第二半導體材料層11P、該主動層11A、以及部分蝕刻該第一半導體材料層11N之M×N個凹槽RG1，接著去除該第一光阻層PR1。其中，緩衝層11B、第一半導體材料層11N、主動層11A在此不再進行重複性的描述。

於步驟S4之中，如圖9C所示，以一第二光阻層PR2覆於該第二半導體材料層11P之上，且令各所述凹槽RG1之側壁覆有該第二光阻層PR2。製程方法接著執行步驟S5與S5，令M×N個第一導電層1P分別形成於該M×N個凹槽RG1之中(如圖9D所示)，接著利用微影蝕刻技術令M×N個第三光阻層PR3分布在該第二半導體材料層11P之上(如圖9E所示)。如圖9F所示，於步驟S7之中，形成一絕緣層12覆蓋該第二半導體材料層11P，且令該絕緣層12填入該M×N個凹槽RG1之中。之後，如圖9G所示，於步驟S8之中，去除該M×N個第三光阻層PR3，使得該絕緣層12具有M×N個開口121用以露出該第二半導體材料層11P。

製程方法接著執行步驟S9，如圖9H所示，以一第四光阻層PR4覆於該覆蓋該絕緣層12，且令該第四光阻層PR4填入該M×N個凹槽RG1之中。接著執行步驟S10，如圖9I所示，令M×N個第二導電層2P分別形成於該M×N個開口121之中。接著執行步驟S11，如圖9J和圖9K所示，去除該第四光阻層PR4之後，於該雙面拋光透光基板10的該出光面102之上設置複數根光侷限管14。最終執行步驟S12，如圖9L所示，於該複數根光侷限管14之上設置包括M×N個光轉換部的一光轉換單元15，完成一背接觸式全彩LED顯示面板1之製作。

如此，上述係已完整且清楚地說明本發明之一種高出光效率的背接觸式全彩LED顯示面板及其製造方法；並且，經由上述可得知本發明係具有下列之優點：

(1)本發明提出一種高出光效率的背接觸式全彩LED顯示面板，其中，M×N個LED發光結構11形成於一雙面拋光透光基板10的一承載面101之上，M×N個第一導電層1P分別連接至所有LED發光結構11之M×N個第一半導體材料層11N，且和M×N個第二導電層2P分別連接至所有LED發光結構11之M×N個第二半導體材料層11P。特別地，本發明在雙面拋光透光基板10的一出光面102之上佈滿複數根光侷限管14，且具有複數個光轉換器(115R,15G,15B)的一光轉換單元15係進一步地設置在該複數根 光侷限管14之上。藉由該複數根光侷限管14之設置，每一個LED發光結構11所發出的光可以被有效率地導引至與其對應的光轉換器，達到易於有效控制每個次像素之效果。

必須加以強調的是，上述之詳細說明係針對本發明可行實施例之具體說明，惟該實施例並非用以限制本發明之專利範圍，凡未脫離本發明技藝精神所為之等效實施或變更，均應包含於本案之專利範圍中。

10‧‧‧雙面拋光透光基板

101‧‧‧承載面

102‧‧‧出光面

11‧‧‧LED發光結構

11B‧‧‧緩衝層

11N‧‧‧第一半導體材料層

11A‧‧‧主動層

11P‧‧‧第二半導體材料層

12‧‧‧絕緣層

121‧‧‧開口

14‧‧‧光侷限管

15‧‧‧光轉換單元

15R‧‧‧紅光轉換部

15G‧‧‧綠光轉換部

15B‧‧‧藍光轉換部

1P‧‧‧第一導電層

2P‧‧‧第二導電層

Claims (22)

1. 一種背接觸式全彩LED顯示面板，包括：一雙面拋光透光基板，其二表面分別作為一承載面與一出光面；M×N個LED發光結構，其中各所述LED發光結構包括：一緩衝層，形成於該雙面拋光透光基板的該承載面之上；一第一半導體材料層，形成於該緩衝層之上；一主動層，形成於該第一半導體材料層之上；及一第二半導體材料層，形成於該主動層之上；M×N個第一導電層，係分別形成於該M×N個第一半導體材料層之上；一絕緣層，係覆蓋該M×N個LED發光結構以及該承載面，且該絕緣層開設有M×N個開口用以分別露出該M×N個第二半導體材料層；M×N個第二導電層，係透過該M×N個開口而分別形成於該M×N個第二半導體材料層之上；複數根光侷限管，垂直地設置在該雙面拋光透光基板的該出光面之上，且分佈於該出光面之上；其中，該複數根光侷限管彼此之間緊密接觸；一光轉換單元，連接至該複數根光侷限管的另一端，且包括M×N個光轉換部分別對應於該M×N個LED發光結構；其中，在任一所述LED發光結構所發出的一色光之一光軸與任一所述光侷限管之一中心軸的夾角 小於一侷限角的情況下，該色光被侷限在該光侷限管之中行進；N條橋接導線，其中，各所述橋接導線皆與M個所述第一導電層連接；以及一共接地導線，連接該N條橋接導線；其中，所述背接觸式全彩LED顯示面板與一驅動電路模組組合成一全彩LED顯示裝置，且該驅動電路模組具有一個第二共接地電極以及M×N個電極；其中，各所述電極連接至各所述第二導電層，且該第二共接地電極連接至該第一共接地電極。
2. 申請專利範圍第1項所述之背接觸式全彩LED顯示面板，其中，所述全彩LED顯示裝置與一觸控面板組合成一全彩LED觸控顯示裝置，且該觸控面板置於該光轉換單元之上。
3. 申請專利範圍第1項所述之背接觸式全彩LED顯示面板，其中，該雙面拋光透光基板可為下列任一者：雙面拋光藍寶石基板、雙面拋光尖晶石基板、雙面拋光碳化矽基板、雙面拋光玻璃基板、或雙面拋光石英基板。
4. 申請專利範圍第1項所述之背接觸式全彩LED顯示面板，其中，該絕緣層的製程材料為一氧化物。
5. 申請專利範圍第1項所述之背接觸式全彩LED顯示面板，其中，該緩衝層的製造材料可為下列任一者：未摻雜的氮化鎵(undoped GaN)、氮化鋁(AlN)、或氧化鋅(ZnO)。
6. 申請專利範圍第1項所述之背接觸式全彩LED顯示面板，其中，該第一半導體材料層之製造材料為N型氮化鎵(n-type gallium nitride,n-GaN)，且所述第二半導體材料層之製造材料為P型氮化鎵(p-type gallium nitride,p-GaN)。
7. 申請專利範圍第1項所述之背接觸式全彩LED顯示面板，其中，該主動層於該第一半導體材料層與該第二半導體材料層之間形成一個多重量子井結構，且該多重量子井結構為一未摻雜的氮化鎵(undoped GaN)層與一氮化銦鎵(In_xGa_1-xN)層的一多重交互堆疊結構。
8. 申請專利範圍第7項所述之背接觸式全彩LED顯示面板，其中，對應於該多重量子井結構包含彼此交互堆疊的多個所述未摻雜的氮化鎵層與多個所述氮化銦鎵層，該M×N個光轉換部包括：複數個紅光轉換部、複數個綠光轉換部以及複數個空轉換部。
9. 申請專利範圍第1項所述之背接觸式全彩LED顯示面板，其中，該主動層於該第一半導體材料層與該第二半導體材料層之間形成一個多重量子井結構，且該多重量子井結構為一氮化鋁鎵(Al_xGa_1-xN)層與一氮化銦鎵(In_xGa_1-xN)層的多重交互堆疊結構。
10. 申請專利範圍第9項所述之背接觸式全彩LED顯示面板，其中，對應於該多重量子井結構包含彼此交互堆疊的多個所述未摻雜的氮化鎵層與多個所述氮化銦鎵層，該M×N個光轉換部包括：複數個紅光轉換部、複數個綠光轉換部以及複數個藍光轉換部。
11. 一種背接觸式全彩LED顯示面板的製造方法，包括以下步驟：(1)提供一雙面拋光透光基板，且以該雙面拋光透光基板的二表面分別作為一承載面與一出光面；(2)於該承載面之上依序形成一緩衝層、一第一半導體材料層、一主動層、與一第二半導體材料層；(3)利用微影蝕刻技術和一第一光阻層製作出完全貫穿該第二半導體材料層、該主動層、以及部分蝕刻該第一半導體材料層之M×N個凹槽，接著去除該第一光阻層；(4)以一第二光阻層覆於該第二半導體材料層之上，且令 各所述凹槽之側壁覆有該第二光阻層；(5)令M×N個第一導電層分別形成於該M×N個凹槽之中；(6)利用微影蝕刻技術令M×N個第三光阻層分布在該第二半導體材料層之上；(7)形成一絕緣層覆蓋該第二半導體材料層，且令該絕緣層填入該M×N個凹槽之中；(8)去除該M×N個第三光阻層，使得該絕緣層具有M×N個開口用以露出該第二半導體材料層；(9)以一第四光阻層覆於該覆蓋該絕緣層，且令該第四光阻層填入該M×N個凹槽之中；(10)令M×N個第二導電層分別形成於該M×N個開口之中；(11)去除該第四光阻層之後，於該雙面拋光透光基板的該出光面之上設置複數根光侷限管；以及(12)於該複數根光侷限管之上設置包括M×N個光轉換部的一光轉換單元，完成一背接觸式全彩LED顯示面板之製作。
12. 申請專利範圍第11項所述之背接觸式全彩LED顯示面板的製造方法，其中，M個所述第一導電層同時被連接至一條橋接導線，且N條所述橋接導線被同時連接至一共接地導線；其中，該共接地導線之上設有一第一共接地電極。
13. 申請專利範圍第12項所述之背接觸式全彩LED顯示面板的製造方法，其中，所述背接觸式全彩LED顯示面板與一驅動電路模組組合成一全彩LED顯示裝置，且該驅動電路模組具有一個第二共接地電極以及M×N個電極；其中，各所述電極連接至各所述第二導電層，且該第二共接地電極連接至該第一共接地電極。
14. 申請專利範圍第13項所述之背接觸式全彩LED顯示面板的製造方法，其中，所述全彩LED顯示裝置與一觸控面板組合成一全彩LED觸控顯示裝置，且該觸控面板置於該光轉換單元之上。
15. 申請專利範圍第11項所述之背接觸式全彩LED顯示面板的製造方法，其中，該雙面拋光透光基板可為下列任一者：雙面拋光藍寶石基板、雙面拋光尖晶石基板、雙面拋光碳化矽基板、雙面拋光玻璃基板、或雙面拋光石英基板。
16. 申請專利範圍第11項所述之背接觸式全彩LED顯示面板的製造方法，其中，該絕緣層的製程材料為一氧化物，且該緩衝層的製造材料可為下列任一者：未摻雜的氮化鎵(undoped GaN)、氮化鋁(AlN)、或氧化鋅(ZnO)。
17. 申請專利範圍第11項所述之背接觸式全彩LED顯示面 板的製造方法，其中，一個所述第一導電層、一個所述第二導電層、與該第一導電層連接的該第一半導體材料層、與該第一導電層連接的該第二半導體材料層、位於該第一半導體材料層和該第二半導體材料層之間的該主動層、以及位於該第一半導體材料層下方處的該緩衝層共組成一個LED發光結構，使得所述背接觸式全彩LED顯示面板共包含M×N個LED發光結構。
18. 申請專利範圍第17項所述之背接觸式全彩LED顯示面板的製造方法，其中，該第一半導體材料層之製造材料為N型氮化鎵(n-type gallium nitride,n-GaN)，且所述第二半導體材料層之製造材料為P型氮化鎵(p-type gallium nitride,p-GaN)。
19. 申請專利範圍第17項所述之背接觸式全彩LED顯示面板的製造方法，其中，該主動層於該第一半導體材料層與該第二半導體材料層之間形成一個多重量子井結構，且該多重量子井結構為一未摻雜的氮化鎵(undoped GaN)層與一氮化銦鎵(In_xGa_1-xN)層的一多重交互堆疊結構。
20. 申請專利範圍第19項所述之背接觸式全彩LED顯示面板的製造方法，其中，對應於該多重量子井結構包含彼此 交互堆疊的多個所述未摻雜的氮化鎵層與多個所述氮化銦鎵層，該M×N個光轉換部包括：複數個紅光轉換部、複數個綠光轉換部以及複數個空轉換部。
21. 申請專利範圍第17項所述之背接觸式全彩LED顯示面板的製造方法，其中，該主動層於該第一半導體材料層與該第二半導體材料層之間形成一個多重量子井結構，且該多重量子井結構為一氮化鋁鎵(Al_xGa_1-xN)層與一氮化銦鎵(In_xGa_1-xN)層的多重交互堆疊結構。
22. 申請專利範圍第21項所述之背接觸式全彩LED顯示面板的製造方法，其中，對應於該多重量子井結構包含彼此交互堆疊的多個所述未摻雜的氮化鎵層與多個所述氮化銦鎵層，該M×N個光轉換部包括：複數個紅光轉換部、複數個綠光轉換部以及複數個藍光轉換部。

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