CN115117135A - 显示面板 - Google Patents
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Abstract
本申请公开一种显示面板。显示面板包括柔性衬底、驱动电路层、第一发光单元以及第二发光单元。驱动电路层设置在柔性衬底上,驱动电路层包括第一晶体管和第二晶体管。第一发光单元设置在驱动电路层远离柔性衬底的一侧,第一发光单元与第一晶体管的第一源极或第一漏极连接,第一发光单元远离柔性衬底的一面发光。第二发光单元设置在柔性衬底远离驱动电路层的一侧,第二发光单元通过贯穿所述柔性衬底的连接孔与第二晶体管的第二源极或第二漏极连接,第二发光单元远离柔性衬底的一面发光。本申请实现了显示面板的双面显示,且有效降低了生产成本,并利于实现显示面板的轻薄化。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体涉及一种显示面板。
背景技术
目前显示面板以单面显示为主,但是在一些特殊的场合和领域,会使用到双面显示面板。比如,数字标牌、窗口询问设施、大型活动场所、户外广告等播放设施中往往存在需要从显示面板的正反两面同时观看显示画面的情况。现有的显示面板通常将两块显示屏通过模组手段整合在一起实现双面显示,成本较高,且不利于实现显示面板的轻薄化。
发明内容
本申请提供一种显示面板,以解决现有技术中的双面显示面板成本较高、不利于轻薄化的技术问题。
本申请提供一种显示面板,其包括:
柔性衬底;
驱动电路层,设置在所述柔性衬底上,所述驱动电路层包括第一晶体管和第二晶体管;
第一发光单元,设置在所述驱动电路层远离所述柔性衬底的一侧,所述第一发光单元与所述第一晶体管的第一源极或第一漏极连接,所述第一发光单元远离所述柔性衬底的一面发光;
第二发光单元,设置在所述柔性衬底远离所述驱动电路层的一侧,所述第二发光单元通过贯穿所述柔性衬底的连接孔与所述第二晶体管的第二源极或第二漏极连接,所述第二发光单元远离所述柔性衬底的一面发光。
可选的,在本申请实施例中,沿所述柔性衬底朝向所述第一发光单元的方向上,所述驱动电路层包括层叠设置的有源层、栅绝缘层、第一金属层、层间绝缘层以及第二金属层;
其中,所述有源层包括间隔设置的第一有源层和第二有源层,所述第一金属层包括间隔设置的第一栅极和第二栅极,所述第一栅极对应所述第一有源层设置,所述第二栅极对应所述第二有源层设置,所述第二金属层包括所述第一源极、所述第一漏极、所述第二源极以及所述第二漏极,所述第一源极和所述第一漏极分别与所述第一有源层连接,所述第二源极和所述第二漏极分别与所述第二有源层连接。
可选的,在本申请实施例中,所述层间绝缘层具有多个接触孔和连接孔,每一所述接触孔贯穿所述层间绝缘层并延伸至所述有源层远离所述柔性衬底的一侧,所述接触孔暴露出所述有源层远离所述柔性衬底的一侧表面,所述连接孔贯穿所述层间绝缘层并延伸至所述柔性衬底远离所述驱动电路层的一侧;
其中,所述第一源极和所述第一漏极分别通过相应的所述接触孔与所述第一有源层连接,所述第二源极和所述第二漏极分别通过相应的所述接触孔与所述第二有源层连接,所述第二源极或所述第二漏极通过所述连接孔与所述第二发光单元连接。
可选的,在本申请实施例中,所述第一发光单元为LED芯片或OLED发光单元,所述第二发光单元为所述LED芯片或所述OLED发光单元。
可选的,在本申请实施例中,所述第一发光单元和所述第二发光单元均为LED芯片,所述显示面板还包括平坦层、第三金属层、缓冲层以及第四金属层;
所述平坦层设置在所述第二金属层远离所述柔性衬底的一侧,所述平坦层设有过孔,所述过孔暴露出所述第一源极或所述第一漏极远离所述柔性衬底的一侧表面,所述第三金属层设置在所述平坦层上,所述第三金属层包括第一焊盘和第二焊盘,所述第一焊盘通过所述过孔与所述第一源极或所述第一漏极连接,所述第一发光单元与所述第一焊盘以及所述第二焊盘连接;所述缓冲层设置在所述柔性衬底远离所述驱动电路层的一侧,所述第四金属层设置在所述缓冲层远离所述柔性衬底的一侧,所述第四金属层包括第三焊盘和第四焊盘,所述第三焊盘与所述第二源极或所述第二漏极连接,所述第二发光单元与所述第三焊盘以及所述第四焊盘连接。
可选的,在本申请实施例中,所述LED芯片包括连接电极,所述第一焊盘、所述第二焊盘、所述第三焊盘以及所述第四焊盘分别与相应的所述连接电极通过导电胶或金属键合连接。
可选的,在本申请实施例中,所述第一发光单元为OLED发光单元,所述第二发光单元为LED芯片,所述显示面板还包括平坦层和像素定义层,所述第一发光单元包括阳极、发光层以及阴极;
其中,所述平坦层设置在所述第二金属层远离所述柔性衬底的一侧,所述平坦层设有过孔,所述过孔暴露出所述第一源极或所述第一漏极远离所述柔性衬底的一侧表面,所述阳极设置在所述平坦层上,所述阳极通过所述过孔与所述第一源极或所述第一漏极连接,所述像素定义层设置在所述阳极远离所述柔性衬底的一侧,所述像素定义层具有开口,所述开口暴露出所述阳极远离所述柔性衬底的一侧表面,所述发光层设置在所述开口内,所述阴极设置在所述发光层远离所述柔性衬底的一侧。
可选的,在本申请实施例中,所述第一发光单元为LED芯片,所述第二发光单元为OLED发光单元,所述显示面板还包括缓冲层和第一像素定义层,所述第二发光单元包括阳极、发光层以及阴极;
其中,所述缓冲层设置在所述柔性衬底远离所述驱动电路层的一侧,所述阳极设置在所述缓冲层上,所述阳极通过所述连接孔与所述第二源极或所述第二漏极连接,所述像素定义层设置在所述阳极远离所述柔性衬底的一侧,所述像素定义层具有开口,所述开口暴露出所述阳极远离所述柔性衬底的一侧表面,所述发光层设置在所述开口内,所述阴极设置在所述发光层远离所述柔性衬底的一侧。
可选的,在本申请实施例中,所述驱动电路层还包括绝缘层和第五金属层;
其中,所述绝缘层设置在所述第一金属层远离所述柔性衬底的一侧,所述第五金属层设置在所述绝缘层和所述层间绝缘层之间,所述第五金属层包括第一电极和第二电极,所述第一电极和所述第一栅极对应设置,所述第二电极和所述第二栅极对应设置。
可选的,在本申请实施例中,所述显示面板还包括保护层、第一绝缘层、第二绝缘层、第一封装层以及第二封装层;
其中,沿所述柔性衬底朝向所述第一发光单元的方向上,所述保护层、所述第一绝缘层以及所述第二绝缘层依次叠层设置在所述柔性衬底和所述驱动电路层之间;所述第一封装层设置在所述第一发光单元远离所述柔性衬底的一侧,并覆盖所述第一发光单元,所述第二封装层设置在所述第二发光单元远离所述柔性衬底的一侧,并覆盖所述第二发光单元。
可选的,在本申请实施例中,所述显示面板包括多个所述第一发光单元和多个所述第二发光单元,所述驱动电路层包括多个所述第一晶体管和多个所述第二晶体管,每一所述第一晶体管与至少一个所述第一发光单元连接,每一所述第二晶体管与至少一所述第二发光单元连接。
可选的,在本申请实施例中,多个所述第一发光单元呈阵列排布,多个所述第二发光单元呈阵列排布,每相邻两个所述第二发光单元之间设有至少一个所述第一发光单元。
本申请公开一种显示面板。显示面板包括柔性衬底、驱动电路层、第一发光单元以及第二发光单元。驱动电路层设置在柔性衬底上,驱动电路层包括第一晶体管和第二晶体管。第一发光单元设置在驱动电路层远离柔性衬底的一侧,第一发光单元与第一晶体管的第一源极或第一漏极中的一者连接,第一发光单元远离柔性衬底的一面发光。第二发光单元设置在柔性衬底远离驱动电路层的一侧,第二发光单元通过贯穿柔性衬底的连接孔与第二晶体管的第二源极或第二漏极中的一者连接,第二发光单元远离柔性衬底的一面发光。本申请通过驱动电路层分别驱动第一发光单元和第二发光单元,且第一发光单元和第二发光单元的发光方向反向,实现了显示面板的双面显示。由于第一发光单元和第二发光单元分别设置在柔性衬底的两侧,且第二发光单元通过贯穿柔性衬底的连接孔与驱动电路层连接,因此不需要特殊的膜层结构设计或膜层材料改进,即可实现第一发光单元和第二发光单元分别朝向柔性衬底的两侧发光的目的,降低了工艺制程的难度。此外,由于驱动电路层设置在柔性衬底的一侧,并通过同一驱动电路层驱动第一发光单元和第二发光单元,相较于现有技术中将两块显示屏通过模组手段整合在一起的方案,至少减少了一层基板和一层驱动电路层,有效降低了生产成本,且利于实现显示面板的轻薄化。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获取其他的附图。
图1是本申请提供的显示面板的第一结构示意图;
图2是本申请提供的显示面板的第二结构示意图;
图3是本申请提供的显示面板的第三结构示意图;
图4是本申请提供的显示面板的第四结构示意图;
图5是本申请提供的显示面板的第五结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获取的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中,需要理解的是,术语“第一”和“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”和“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征,因此不能理解为对本申请的限制。
本申请提供一种显示面板,以下进行详细说明。需要说明的是,以下实施例的描述顺序不作为对本申请实施例优选顺序的限定。
请参阅图1,图1是本申请提供的显示面板的第一结构示意图。在本申请实施例中,显示面板100包括柔性衬底10、驱动电路层20、第一发光单元30以及第二发光单元40。
其中,驱动电路层20设置在柔性衬底10上。驱动电路层20包括第一晶体管T1和第二晶体管T2。第一发光单元30设置在驱动电路层20远离柔性衬底10的一侧。第一发光单元30与第一晶体管T1的第一源极251或第一漏极252连接。第一发光单元30远离柔性衬底10的一面发光。第二发光单元40设置在柔性衬底10远离驱动电路层20的一侧。第二发光单元40通过贯穿柔性衬底10的连接孔24b与第二晶体管T2的第二源极253或第二漏极254连接。第二发光单元40远离柔性衬底10的一面发光。
本申请实施例通过在显示面板100中设置驱动电路层20,并利用驱动电路层20分别驱动第一发光单元30和第二发光单元40,且第一发光单元30和第二发光单元40的发光方向反向,实现了显示面板100的双面显示。
此外,由于第一发光单元30和第二发光单元40分别设置在柔性衬底10的两侧,且第二发光单元40通过贯穿柔性衬底10的连接孔24b与驱动电路层20连接,因此不需要特殊的膜层结构设计或膜层材料改进,即可实现第一发光单元30和第二发光单元40分别朝向柔性衬底10的两侧发光的目的,降低了工艺制程的难度。再则,由于驱动电路层20设置在柔性衬底10的一侧,并通过同一驱动电路层20驱动第一发光单元30和第二发光单元40,相较于相关技术中将两块显示屏通过模组手段整合在一起的方案,至少减少了一层基板(如,柔性衬底)和一层驱动电路层20,有效降低了生产成本,且利于实现显示面板100的轻薄化。
在本申请实施例中,柔性衬底10可以包括一层、两层或两层以上的柔性PI(Polyimide,聚酰亚胺)。柔性衬底10也可以由树脂等材料制成。柔性衬底10主要起到承载以及保护驱动电路层20的作用,以提高显示面板100的结构稳定性。
在本申请实施例中,驱动电路层20用于为第一发光单元30以及第二发光单元40提供驱动信号,如驱动电压、电源电压等。驱动电路层20包括但不限于第一晶体管T1和第二晶体管T2。比如,为了补偿晶体管的阈值电压偏移或迁移率偏移,驱动电路层20可以包括驱动第一发光单元30或第二发光单元40的3T1C(3个晶体管1个电容)、4T2C(4个晶体管2个电容)、7T1C(7个晶体管1个电容)等像素驱动电路。上述像素驱动电路的具体结构可以参照现有技术,在此不再赘述。本申请实施例仅以第一晶体管T1和第二晶体管T2为例,对驱动电路层20与第一发光单元30以及第二发光单元40之间的连接关系进行说明,但不能理解为对本申请的限定。
在本申请实施例中,第一晶体管T1和第二晶体管T2可以为薄膜晶体管、场效应管或其他特性相同的器件。由于这里采用的晶体管的源极、漏极是对称的,所以其源极、漏极是可以互换的。此外本申请实施例所采用的晶体管可以包括P型晶体管和/或N型晶体管两种,其中,P型晶体管在栅极为低电平时导通,在栅极为高电平时截止,N型晶体管为在栅极为高电平时导通,在栅极为低电平时截止。
在本申请实施例中,第一晶体管T1和第二晶体管T2可以为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管或非晶硅薄膜晶体管。本申请实施例提供的驱动电路层20中的晶体管均为同一种类型的晶体管,从而可以简化制程工艺,且避免不同类型的晶体管之间的差异性对驱动电路层20造成驱动异常。
在本申请实施例中,第一发光单元30和第二发光单元40可以是LED芯片、OLED发光单元、量子点发光器件等。比如,第一发光单元30和第二发光单元40均为LED芯片。或者第一发光单元30和第二发光单元40均为OLED发光单元。又或者第一发光单元30为LED芯片,第二发光单元40为OLED发光单元等。具体将在以下实施例中进行说明,在此不再赘述。
在本申请实施例中,显示面板100可以包括多个第一发光单元30和多个第二发光单元40。驱动电路层20包括多个第一晶体管T1和多个第二晶体管T2。每一第一晶体管T1与至少一个第一发光单元30连接。每一第二晶体管T2与至少一第二发光单元40连接。
可以理解的是,在本申请实施例中,当多个第一晶体管T1与多个第一发光单元30一一对应连接,且多个第二晶体管T2与多个第二发光单元40一一对应连接时,一个第一发光单元30或一个第二发光单元40可以认为是一个像素点。当每一第一晶体管T1与两个或两个以上第一发光单元30连接,每一第二晶体管T2与两个或两个第二发光单元40连接时,一个像素点可以包括多个第一发光单元30或多个第二发光单元40,从而提高像素点的亮度。
本申请以下各实施例均以一个第一晶体管T1与一个第一发光单元30连接,且一个第二晶体管T2与一个第二发光单元40连接为例进行说明,但不能理解为对本申请的限定。
在本申请实施例中,请继续参阅图1,沿柔性衬底10朝向第一发光单元30的方向上,驱动电路层20包括层叠设置的有源层21、栅绝缘层22、第一金属层23、层间绝缘层24以及第二金属层25。
具体的,有源层21设置在柔性衬底10靠近驱动电路层20的一侧。有源层21包括间隔设置的第一有源层211和第二有源层212。栅绝缘层22设置在有源层21远离柔性衬底10的一侧。栅绝缘层22覆盖有源层21。第一金属层23设置在栅绝缘层22远离柔性衬底10的一侧。第一金属层23包括间隔设置的第一栅极231和第二栅极232。第一栅极231对应第一有源层211设置。第二栅极232对应第二有源层212设置。层间绝缘层24设置在第一金属层23远离柔性衬底10的一侧。第二金属层25设置在层间绝缘层24远离柔性衬底10的一侧。第二金属层25包括第一源极251、第一漏极252、第二源极253以及第二漏极254。第一源极251和第一漏极252分别与第一有源层211连接。第二源极253和第二漏极254分别与第二有源层212连接。
其中,第一有源层211与第一源极251以及第一漏极252的接触连接处为重掺杂区。第二有源层212与第二源极253以及第二漏极254的接触连接处为重掺杂区。
其中,第一晶体管T1包括第一有源层211、第一栅极231、第一源极251以及第一漏极252。第二晶体管T2包括第二有源层212、第二栅极232、第二源极253以及第二漏极254。
本申请实施例将第一晶体管T1和第二晶体管T2同层设置,也即第一晶体管T1中的各功能膜层与第二晶体管T2中相应的功能膜层同层设置,可以简化制程工艺,降低生产成本。同时有利于实现显示面板100的轻薄化。
当然,在本申请其它实施例中,也可将第一晶体管T1和第二晶体管T2异层设置。比如,第一晶体管T1和第二晶体管T2均设置在柔性衬底10靠近第一发光单元30的一侧,但第一晶体管T1位于第一发光单元30和第二发光单元40之间。又比如,第一晶体管T1的第一有源层211和第二晶体管T2的第二有源层212可以同层设置,但第一晶体管T1的其它膜层异层和第二晶体管T2的其它膜层异层设置。
进一步的,在本申请实施例中,层间绝缘层24具有多个接触孔24a和连接孔24b。每一接触孔24a贯穿层间绝缘层24并延伸至有源层21远离柔性衬底10的一侧。接触孔24a暴露出有源层21远离柔性衬底10的一侧表面。连接孔24b贯穿层间绝缘层24并延伸至柔性衬底10远离驱动电路层20的一侧。
其中,第一源极251和第一漏极252分别通过相应的接触孔24a与第一有源层211连接。第二源极253和第二漏极254分别通过相应的接触孔24a与第二有源层212连接。第二源极253和第二漏极254中的一者通过连接孔24b与第二发光单元40连接。
需要说明的是,本申请实施例中的附图均以第一发光单元30与第一漏极252连接,以及第二漏极254通过连接孔24b与第二发光单元40连接为例进行说明,但不能理解为对本申请的限定。
在本申请实施例中,通过设置贯穿层间绝缘层24、柔性衬底10等功能膜层的深孔,即连接孔24b,实现了第二发光单元40与第二晶体管T2的连接,从而实现驱动电路层20对第二发光单元40的驱动,保证显示面板100双面正常发光。此外,本申请实施例采用了柔性衬底10,由于柔性衬底10的材料特性,在形成连接孔24b时,可以降低制程难度,并避免在柔性衬底10中产生裂纹,从而提高产品质量。
在本申请一实施例中,第一发光单元30和第二发光单元40均为LED芯片。本申请实施例通过巨量转移等技术将多个LED芯片设置在显示面板100中柔性衬底10的两侧,在实现双面显示的同时,可以降低工艺制程的难度。
当第一发光单元30和第二发光单元40均为LED芯片时,显示面板100还包括平坦层11、第三金属层12、缓冲层13以及第四金属层14。
其中,平坦层11设置在第二金属层25远离柔性衬底10的一侧。平坦层11设有过孔11a。过孔11a暴露出第一源极251或第一漏极252远离柔性衬底10的一侧表面。第三金属层12设置在平坦层11上。第三金属层12包括第一焊盘121和第二焊盘122。第一焊盘121通过过孔11a与第一源极251或第一漏极252连接。第一发光单元30分别与第一焊盘121以及第二焊盘122连接。缓冲层13设置在柔性衬底10远离驱动电路层20的一侧。第四金属层14设置在缓冲层13远离柔性衬底10的一侧。第四金属层14包括第三焊盘141和第四焊盘142。第三焊盘141与第二源极253和第二漏极254中的一者连接。第二发光单元40分别与第三焊盘141以及第四焊盘142连接。
具体的,在本申请实施例中,过孔11a暴露出第一漏极252远离柔性衬底10的一侧表面。第一焊盘121通过过孔11a与第一漏极252连接。第一发光单元30通过第一焊盘121与第一晶体管T1绑定连接。第三焊盘141与第二漏极254连接。第二发光单元40通过第三焊盘141与第二晶体管T2连接。
在本申请实施例中,LED芯片可以是Mini-LED(Mini Light-Emitting Diode,次毫米发光二极管)芯片、Micro-LED(Micro Light-Emitting Diode,微发光二极管)芯片等。每一LED芯片均包括两个连接电极41。两个连接电极41沉积在发光材料层上。其中一连接电极41为LED芯片的正极,另一连接电极41为LED芯片的负极。当然,本申请实施例中的LED芯片的结构并不限于此。
具体的,在第一发光单元30中,其中一连接电极41与第一焊盘121连接,另一连接电极41与第二焊盘122连接。在第二发光单元40中,其中一连接电极41与第三焊盘141连接,另一连接电极41与第四焊盘142连接。
在本申请实施例中,第一焊盘121、第二焊盘122、第三焊盘141以及第四焊盘142与相应的连接电极41之间通过金属键合连接。
其中,金属键是将金属中的原子连接在一起的化学键。它们不同于共价键和离子键,因为金属键合中的电子是非定域的,也就是说,它们不是只在两个原子之间共享的。相反,金属键中的电子在金属原子核的晶格中自由浮动。这种键合类型赋予金属许多独特的材料特性,包括优异的导热性和导电性、高熔点和延展性。金属键合使得第一焊盘121、第二焊盘122、第三焊盘141以及第四焊盘142与相应的连接电极41之间具有良好的导电性。
在本申请实施例中,LED芯片的发光材料可以是氮化镓、量子点等无机发光材料或有机发光材料。LED芯片可以发射红光、蓝光、绿光、白光或黄光等。在制作LED芯片时,可根据不同的发光颜色需求选择不同的发光材料。
在本申请实施例中,驱动电路层20还可以包括绝缘层26和第五金属层27。绝缘层26设置在第一金属层23远离柔性衬底10的一侧。第五金属层27设置在绝缘层26和层间绝缘层24之间。第五金属层27包括第一电极271和第二电极272。第一电极271和第一栅极231对应设置。第二电极272和第二栅极232对应设置。
其中,第一电极271和第一栅极231构成一存储电容的两极板。第二电极272和第二栅极232构成另一存储电容的两极板。本申请实施例利用第一栅极231(第二栅极232)作为存储电容的其中一极,可以进一步简化工艺制程,减小显示面板100的厚度。
在本申请实施例中,显示面板100还可以包括保护层17、第一绝缘层18、第二绝缘层19、第一封装层101以及第二封装层102。
其中,沿柔性衬底10朝向第一发光单元30的方向上,保护层17、第一绝缘层18以及第二绝缘层19依次叠层设置在柔性衬底10和驱动电路层20之间。第一封装层101设置在第一发光单元30远离柔性衬底10的一侧,并覆盖第一发光单元30。第二封装层102设置在第二发光单元40远离柔性衬底10的一侧,并覆盖第二发光单元40。
其中,保护层17的材料可以是氧化硅。第一绝缘层18的材料可以是氮化硅。第二绝缘层19的材料可以是氧化硅。保护层17、第一绝缘层18以及第二绝缘层19用于隔离柔性衬底10和驱动电路层20,起到阻水隔氧的作用。在对有源层21进行高温处理时,第二绝缘层19还起到保温的作用。
其中,在本申请实施例中,第一封装层101和第二封装层102的材料通常是透明的,以提高显示面板100的光线透过率。具体的,第一封装层101和第二封装层102的材料可以是OCA(Optically Clear Adhesive,光学胶)或者其它透明胶。本申请实施例采用透明胶形成第一封装层101和第二封装层102,一方面可以提高显示面板100的出光效率。另一方面,由于第一封装层101覆盖第一发光单元30,第二封装层102覆盖第二发光单元40,可以起到固定保护第一发光单元30和第二发光单元40的作用。
在本申请实施例中,多个第一发光单元30呈阵列排布,多个第二发光单元40呈阵列排布,每相邻两个第二发光单元40之间设有至少一个第一发光单元30。
具体的,每相邻两个第二发光单元40之间可以设有一个第一发光单元30、两个第一发光单元30或两个以上第一发光单元30。当然,在本申请其它实施例中,多个第一发光单元30和多个第二发光单元40也可按照其他规律排布,本申请对此不作限定。
如图1所示,每相邻两个第二发光单元40之间设有一个第一发光单元30。也即,显示面板100正反两侧显示画面的像素分辨率相等。
请参阅图2,图2是本申请提供的显示面板的第二结构示意图。与图1所示的显示面板100的不同之处在于,在本申请实施例中,每相邻两个第二发光单元40之间设有两个第一发光单元30。如此,显示面板100设有第一发光单元30的一侧的像素分辨率大于设有第二发光单元40的一侧的像素分辨率。
在本申请其它实施例中,每相邻两个第一发光单元30之间设有至少两个第二发光单元40。如此,显示面板100设有第一发光单元30的一侧的像素分辨率小于设有第二发光单元40的一侧的像素分辨率。
请参阅图3,图3是本申请提供的显示面板的第三结构示意图。与图1所示的显示面板100的不同之处在于,在本申请实施例中,第一焊盘121、第二焊盘122、第三焊盘141以及第四焊盘142与相应的连接电极41之间通过导电胶43连接。
具体的,显示面板100还包括导电胶43。导电胶43的材料可以是异方性导电胶膜(Anisotropic Conductive Film,ACF)。利用异方性导电胶膜中的导电粒子连接第一焊盘121、第二焊盘122、第三焊盘141以及第四焊盘142与相应的连接电极41,能够避免相邻焊盘之间或相邻连接电极41之间短路。当导电胶43为ACF时,导电胶43可以整层设置。当然,导电胶43也可以由其它导电胶材制成。
在本申请其它实施例中,第一焊盘121、第二焊盘122、第三焊盘141以及第四焊盘142与相应的连接电极41也可通过熔融焊接等其他方式连接。
请参阅图4,图4是本申请提供的显示面板的第四结构示意图。与图1所示的显示面板100的不同之处在于,在本申请实施例中,第一发光单元30为OLED发光单元,第二发光单元40为LED芯片。
在这种情况下,显示面板100还包括像素定义层32。第一发光单元30包括阳极31、发光层33以及阴极34。
其中,平坦层11设有过孔11a。过孔11a暴露出第一源极251或第一漏极252远离柔性衬底10的一侧表面。阳极31设置在平坦层11上。阳极31通过过孔11a与第一源极251或第一漏极252连接。像素定义层32设置在阳极31远离柔性衬底10的一侧。像素定义层32具有开口32a。开口32a暴露出阳极31远离柔性衬底10的一侧表面。发光层33设置在开口32a内。阴极34设置在发光层33远离柔性衬底10的一侧。阴极34可以整面设置,也可以根据显示面板100的需求图案化设置。
其中,OLED发光单元还可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层以及电子注入层中的一个或多个。具体可根据显示面板100的实际需求进行设置。
其中,OLED发光单元的发光层33可以是氮化镓、量子点等无机发光材料或有机发光材料。OLED发光单元可以发射红光、蓝光、绿光、白光或黄光等。在制作OLED发光单元时,可根据不同的发光颜色需求选择不同的发光材料。
需要说明的是,第二发光单元40的结构以及其与驱动电路层20的连接关系与图1所示的显示面板100中相关膜层结构一样,在此不再赘述。
本申请实施例设置第一发光单元30为OLED发光单元,第二发光单元40为LED芯片,实现了显示面板100的结构多元化。
请参阅图5,图5是本申请提供的显示面板的第五结构示意图。与图1所示的显示面板100的不同之处在于,在本申请实施例中,第一发光单元30为LED芯片,第二发光单元40为OLED发光单元。
在这种情况下,显示面板100还包括像素定义层32。第二发光单元40包括阳极31、发光层33以及阴极34。
其中,缓冲层13设置在柔性衬底10远离驱动电路层20的一侧。阳极31设置在缓冲层13上。阳极31与第二漏极254连接。像素定义层32设置在阳极31远离柔性衬底10的一侧。像素定义层32具有开口32a。开口32a暴露出阳极31远离柔性衬底10的一侧表面。发光层33设置在开口32a内。阴极34设置在发光层33远离柔性衬底10的一侧。
需要说明的是,第一发光单元30的结构以及其与驱动电路层20的连接关系与图1所示的显示面板100中相关膜层结构一样,在此不再赘述。
当然,在本申请其它实施例中,也可以设置第一发光单元30和第二发光单元40均为OLED发光单元。在这种情况下,显示面板100的具体结构可根据上述实施例结合得到,在此不再赘述。
此外,本申请实施例以图1所示的显示面板100为例,对显示面板100的制作方法进行说明。具体的,显示面板100的制作方法可包括但不限于以下步骤:
101、提供一硬质基板,在所述硬质基板上衬底,并在衬底上形成第三焊盘141和第四焊盘142。
具体的,硬质基板可以是玻璃基板。在玻璃基板可涂布PI材料,形成衬底。然后在衬底上形成第四金属层14。第四金属层14包括第三焊盘141和第四焊盘142。
102、在衬底上依次形成缓冲层13、柔性衬底10、保护层17、第一绝缘层18以及第二绝缘层19。然后在第二绝缘层19上依次形成有源层21、栅绝缘层22、第一金属层23、绝缘层26、第五金属层27以及层间绝缘层24。
其中,有源层21包括第一有源层211和第二有源层212。栅绝缘层22覆盖有源层21和第二绝缘层19。第一金属层23包括间隔设置的第一栅极231和第二栅极232。第一栅极231对应第一有源层211设置。第二栅极232对应第二有源层212设置。第五金属层27包括第一电极271和第二电极272。第一电极271和第一栅极231对应设置。第二电极272和第二栅极232对应设置。
103、对层间绝缘层24进行刻蚀处理,形成多个接触孔24a和连接孔24b。每一接触孔24a贯穿层间绝缘层24并延伸至有源层21远离柔性衬底10的一侧。接触孔24a暴露出有源层21远离柔性衬底10的一侧表面。连接孔24b贯穿层间绝缘层24并延伸至第三焊盘141。连接孔24b暴露出第三焊盘141远离柔性衬底10的一侧表面。
104、在层间绝缘层24上形成第二金属层25。第二金属层25包括第一源极251、第一漏极252、第二源极253以及第二漏极254。第一源极251和第一漏极252分别与第一有源层211连接。第二源极253和第二漏极254分别与第二有源层212连接。第二源极253或第二漏极254通过连接孔24b与第三焊盘141连接。
然后,在第二金属层25上形成平坦层11。对平坦层11进行刻蚀处理,形成过孔11a。过孔11a暴露出第一源极251或第一漏极252远离柔性衬底10的一侧表面。在平坦层11上形成第三金属层12。第三金属层12包括第一焊盘121和第二焊盘122。第一焊盘121通过过孔11a与第一源极251或第一漏极252连接。
105、通过巨量转移等技术将LED芯片与第一焊盘121和第二焊盘122绑定连接,形成第一发光单元30。然后,在第一发光单元30远离柔性衬底10的一侧形成第一封装层101。
106、通过激光剥离、机械剥离、药液浸泡等方法剥离去除硬质基板和衬底,暴露出第三焊盘141和第四焊盘142远离柔性衬底10的一侧表面。
107、将上述制成的半成品显示面板翻转,通过巨量转移等技术将LED芯片与第三焊盘141和第四焊盘142绑定连接,形成第二发光单元40。然后,在第二发光单元40远离柔性衬底10的一侧形成第二封装层102。
需要说明的是,上述实施例仅对图1所示的显示面板100的制作过程进行了描述。本申请其它实施例中介绍的显示面板100均可以通过对上述工艺制程中的一个或多个步骤进行变形得到,在此不再一一赘述。
以上对本申请提供的显示面板进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想;同时,对于本领域的一般技术人员,依据本申请的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (12)
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
柔性衬底;
驱动电路层,设置在所述柔性衬底上,所述驱动电路层包括第一晶体管和第二晶体管;
第一发光单元,设置在所述驱动电路层远离所述柔性衬底的一侧,所述第一发光单元与所述第一晶体管的第一源极或第一漏极连接,所述第一发光单元远离所述柔性衬底的一面发光;
第二发光单元,设置在所述柔性衬底远离所述驱动电路层的一侧,所述第二发光单元通过贯穿所述柔性衬底的连接孔与所述第二晶体管的第二源极或第二漏极连接,所述第二发光单元远离所述柔性衬底的一面发光。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,沿所述柔性衬底朝向所述第一发光单元的方向上,所述驱动电路层包括层叠设置的有源层、栅绝缘层、第一金属层、层间绝缘层以及第二金属层;
其中,所述有源层包括间隔设置的第一有源层和第二有源层,所述第一金属层包括间隔设置的第一栅极和第二栅极,所述第一栅极对应所述第一有源层设置,所述第二栅极对应所述第二有源层设置,所述第二金属层包括所述第一源极、所述第一漏极、所述第二源极以及所述第二漏极,所述第一源极和所述第一漏极分别与所述第一有源层连接,所述第二源极和所述第二漏极分别与所述第二有源层连接。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述层间绝缘层具有多个接触孔和所述连接孔,每一所述接触孔贯穿所述层间绝缘层并延伸至所述有源层远离所述柔性衬底的一侧,所述接触孔暴露出所述有源层远离所述柔性衬底的一侧表面,所述连接孔贯穿所述层间绝缘层并延伸至所述柔性衬底远离所述驱动电路层的一侧;
其中,所述第一源极和所述第一漏极分别通过相应的所述接触孔与所述第一有源层连接,所述第二源极和所述第二漏极分别通过相应的所述接触孔与所述第二有源层连接,所述第二源极或所述第二漏极通过所述连接孔与所述第二发光单元连接。
4.根据权利要求1-3任一项所述的显示面板,其特征在于,所述第一发光单元为LED芯片或OLED发光单元,所述第二发光单元为所述LED芯片或所述OLED发光单元。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第一发光单元和所述第二发光单元均为LED芯片,所述显示面板还包括平坦层、第三金属层、缓冲层以及第四金属层;
所述平坦层设置在所述第二金属层远离所述柔性衬底的一侧,所述平坦层设有过孔,所述过孔暴露出所述第一源极或所述第一漏极远离所述柔性衬底的一侧表面,所述第三金属层设置在所述平坦层上,所述第三金属层包括第一焊盘和第二焊盘,所述第一焊盘通过所述过孔与所述第一源极或所述第一漏极连接,所述第一发光单元与所述第一焊盘以及所述第二焊盘连接;所述缓冲层设置在所述柔性衬底远离所述驱动电路层的一侧,所述第四金属层设置在所述缓冲层远离所述柔性衬底的一侧,所述第四金属层包括第三焊盘和第四焊盘,所述第三焊盘与所述第二源极或所述第二漏极连接,所述第二发光单元与所述第三焊盘以及所述第四焊盘连接。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,每一所述LED芯片均包括两个连接电极,所述第一焊盘、所述第二焊盘、所述第三焊盘以及所述第四焊盘分别与相应的所述连接电极通过导电胶或金属键合连接。
7.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第一发光单元为OLED发光单元,所述第二发光单元为LED芯片,所述显示面板还包括平坦层和像素定义层,所述第一发光单元包括阳极、发光层以及阴极;
其中,所述平坦层设置在所述第二金属层远离所述柔性衬底的一侧,所述平坦层设有过孔,所述过孔暴露出所述第一源极或所述第一漏极远离所述柔性衬底的一侧表面,所述阳极设置在所述平坦层上,所述阳极通过所述过孔与所述第一源极或所述第一漏极连接,所述像素定义层设置在所述阳极远离所述柔性衬底的一侧,所述像素定义层具有开口,所述开口暴露出所述阳极远离所述柔性衬底的一侧表面,所述发光层设置在所述开口内,所述阴极设置在所述发光层远离所述柔性衬底的一侧。
8.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第一发光单元为LED芯片,所述第二发光单元为OLED发光单元,所述显示面板还包括缓冲层和第一像素定义层,所述第二发光单元包括阳极、发光层以及阴极;
其中,所述缓冲层设置在所述柔性衬底远离所述驱动电路层的一侧,所述阳极设置在所述缓冲层上,所述阳极通过所述连接孔与所述第二源极或所述第二漏极连接,所述像素定义层设置在所述阳极远离所述柔性衬底的一侧,所述像素定义层具有开口,所述开口暴露出所述阳极远离所述柔性衬底的一侧表面,所述发光层设置在所述开口内,所述阴极设置在所述发光层远离所述柔性衬底的一侧。
9.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述驱动电路层还包括绝缘层和第五金属层;
其中,所述绝缘层设置在所述第一金属层远离所述柔性衬底的一侧,所述第五金属层设置在所述绝缘层和所述层间绝缘层之间,所述第五金属层包括第一电极和第二电极,所述第一电极和所述第一栅极对应设置,所述第二电极和所述第二栅极对应设置。
10.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括保护层、第一绝缘层、第二绝缘层、第一封装层以及第二封装层;
其中,沿所述柔性衬底朝向所述第一发光单元的方向上,所述保护层、所述第一绝缘层以及所述第二绝缘层依次叠层设置在所述柔性衬底和所述驱动电路层之间;所述第一封装层设置在所述第一发光单元远离所述柔性衬底的一侧,并覆盖所述第一发光单元,所述第二封装层设置在所述第二发光单元远离所述柔性衬底的一侧,并覆盖所述第二发光单元。
11.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板包括多个所述第一发光单元和多个所述第二发光单元,所述驱动电路层包括多个所述第一晶体管和多个所述第二晶体管,每一所述第一晶体管与至少一个所述第一发光单元连接,每一所述第二晶体管与至少一所述第二发光单元连接。
12.根据权利要求11所述的显示面板,其特征在于,多个所述第一发光单元呈阵列排布,多个所述第二发光单元呈阵列排布,每相邻两个所述第二发光单元之间设有至少一个所述第一发光单元。
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Cited By (2)
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CN117412639A (zh) * | 2023-12-14 | 2024-01-16 | 惠科股份有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
CN117750818A (zh) * | 2023-11-07 | 2024-03-22 | 惠科股份有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019071759A1 (zh) * | 2017-10-13 | 2019-04-18 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled面板的制作方法及oled面板 |
CN109671748A (zh) * | 2018-12-12 | 2019-04-23 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其制作方法 |
WO2020154875A1 (zh) * | 2019-01-29 | 2020-08-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素单元及其制造方法和双面oled显示装置 |
CN112086488A (zh) * | 2020-09-07 | 2020-12-15 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
CN112750965A (zh) * | 2021-01-05 | 2021-05-04 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板、显示面板的制作方法以及显示装置 |
CN113097286A (zh) * | 2021-04-15 | 2021-07-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、双面显示装置以及制作方法 |
CN113571560A (zh) * | 2021-07-15 | 2021-10-29 | Tcl华星光电技术有限公司 | 双面显示面板及显示装置 |
CN114613752A (zh) * | 2022-03-08 | 2022-06-10 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种双面显示面板和显示装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100503129B1 (ko) * | 2002-12-28 | 2005-07-22 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그 제조방법 |
CN107863368B (zh) * | 2017-09-18 | 2020-03-24 | 合肥惠科金扬科技有限公司 | 一种双面显示装置 |
CN107833904B (zh) * | 2017-10-30 | 2020-03-31 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 双面oled显示面板及其制造方法 |
-
2022
- 2022-06-28 CN CN202210753485.6A patent/CN115117135A/zh active Pending
- 2022-07-13 US US17/759,374 patent/US20240215429A1/en active Pending
- 2022-07-13 WO PCT/CN2022/105323 patent/WO2024000653A1/zh active Application Filing
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019071759A1 (zh) * | 2017-10-13 | 2019-04-18 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled面板的制作方法及oled面板 |
CN109671748A (zh) * | 2018-12-12 | 2019-04-23 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其制作方法 |
WO2020154875A1 (zh) * | 2019-01-29 | 2020-08-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素单元及其制造方法和双面oled显示装置 |
CN112086488A (zh) * | 2020-09-07 | 2020-12-15 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
CN112750965A (zh) * | 2021-01-05 | 2021-05-04 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板、显示面板的制作方法以及显示装置 |
CN113097286A (zh) * | 2021-04-15 | 2021-07-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、双面显示装置以及制作方法 |
CN113571560A (zh) * | 2021-07-15 | 2021-10-29 | Tcl华星光电技术有限公司 | 双面显示面板及显示装置 |
CN114613752A (zh) * | 2022-03-08 | 2022-06-10 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种双面显示面板和显示装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN117750818A (zh) * | 2023-11-07 | 2024-03-22 | 惠科股份有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
CN117412639A (zh) * | 2023-12-14 | 2024-01-16 | 惠科股份有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2024000653A1 (zh) | 2024-01-04 |
US20240215429A1 (en) | 2024-06-27 |
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