CN113097286A - 一种阵列基板、双面显示装置以及制作方法 - Google Patents

一种阵列基板、双面显示装置以及制作方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种阵列基板、双面显示装置以及制作方法，其中一实施例的阵列基板包括：透明衬底；设置在透明衬底上的阵列分布的多个像素重复单元，至少一个像素重复单元包括第一发光单元和第二发光单元，其中第一发光单元包括依次层叠设置在透明衬底上的第一驱动电路、由第一驱动电路驱动的发光器件层、以及覆盖发光器件层的封装层；第二发光单元包括驱动电极和设置在驱动电极上的已封装的LED芯片；第一发光单元和第二发光单元中的一个向朝向透明衬底的方向出光，第一发光单元和第二发光单元中的另一个向背离透明衬底的方向出光。该实施例的阵列基板通过设置在同一衬底同一侧的不同的且已封装的发光单元实现双面显示，具有广泛的应用前景。

Description

一种阵列基板、双面显示装置以及制作方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板、双面显示装置以及制作方法。
背景技术
随着显示技术的发展，消费者对于显示装置的功能需求越来越多样化，除要求显示装置具备反应速度快、分辨率高、画质细腻外，也逐渐追求功能及显示模式上的突破，双面显示成为新型显示结构的其中一种。
现有的双面显示结构，通常包括2块显示面板，分别实现两个方向的显示，但该种显示结构存在成本高、厚度难以减薄以及比较笨重的问题。
发明内容
为了解决上述问题至少之一，本发明第一个实施例提供一种阵列基板，包括：
透明衬底；
设置在所述透明衬底上的阵列分布的多个像素重复单元，至少一个所述像素重复单元包括第一发光单元和第二发光单元，其中
所述第一发光单元包括依次层叠设置在所述透明衬底上的第一驱动电路、由所述第一驱动电路驱动的发光器件层、以及覆盖所述发光器件层的封装层；
所述第二发光单元包括驱动电极和设置在所述驱动电极上的已封装的LED芯片；
所述第一发光单元和第二发光单元中的一个向朝向所述透明衬底的方向出光，所述第一发光单元和第二发光单元中的另一个向背离所述透明衬底的方向出光。
进一步的，所述第一发光单元为底发射有机发光器件，所述发光器件层包括依次层叠设置在所述第一驱动电路上的阳极、发光功能层和阴极，其中所述阳极为透明阳极，所述阴极为反射阴极；
或者
所述第一发光单元为顶发射有机发光器件，所述发光器件层包括依次层叠设置在所述第一驱动电路上的阳极、发光功能层和阴极，其中所述阳极为发射阳极，所述阴极为透明阴极，所述第二发光单元还包括设置在所述LED芯片上的反射层。
进一步的，所述LED芯片为被动式LED芯片，所述驱动电极与所述发光器件层的阴极同层设置。
进一步的，所述第二发光单元还包括设置在所述透明衬底上的第二驱动电路，所述第二驱动电路与所述驱动电极电连接以驱动所述LED芯片，所述LED芯片为主动式LED芯片。
进一步的，所述第一驱动电路包括第一驱动薄膜晶体管，包括第一有源层、第一栅极、第一源极和第一漏极；
所述第二驱动电路包括第二驱动薄膜晶体管，包括第二有源层、第二栅极、第二源极和第二漏极；
所述第一有源层和第二有源层同层设置，所述第一栅极和第二栅极同层设施，所述第一源极和第一漏极与所述第二源极和第二漏极同层设置。
进一步的，所述像素重复单元还包括界定第一发光单元和第二发光单元的像素界定层，所述像素界定层为黑色；
和/或
所述像素重复单元还包括界定第一发光单元和第二发光单元的像素界定层、以及设置在所述第一发光单元和第二发光单元之间的像素界定层上的倒梯形隔离柱。
进一步的，所述LED芯片为MiniLED芯片或MicroLED芯片；
和/或
所述像素重复单元包括两个第一发光单元或者两个第二发光单元。本发明第二个实施例提供一种制作如上述阵列基板的方法，包括：
在透明衬底上形成阵列分布的多个像素重复单元，至少一个所述像素重复单元包括第一发光单元和第二发光单元，其中所述第一发光单元包括依次层叠设置在所述透明衬底上的第一驱动电路、由所述第一驱动电路驱动的发光器件层、以及覆盖所述发光器件层的封装层，所述第二发光单元包括驱动电极和设置在所述驱动电极上的已封装的LED芯片。
进一步的，所述在透明衬底上形成阵列分布的多个像素重复单元进一步包括：
在所述透明衬底上形成缓冲层；
在所述缓冲层上形成第一发光单元的第一有源层；
在所述第一有源层上形成栅绝缘层；
在所述栅绝缘层上形成所述第一发光单元的第一栅极；
在所述第一栅极上形成层间绝缘层；
在所述层间绝缘层上形成所述第一发光单元的第一源漏层，所述第一源漏层包括源极和漏极；
在所述第一源漏层上形成平坦化层以形成所述第一发光单元的第一驱动电路；
在所述平坦化层上形成第一发光单元的阳极，所述阳极与所述第一源漏层通过过孔连接；
在所述阳极上形成像素界定层；
在所述像素界定层围成的开口中形成所述第一发光单元的发光功能层；
形成覆盖所述第一发光单元的发光功能层和像素界定层的阴极以形成所述第一发光单元的发光器件层、以及与所述阴极同层设置的所述第二发光单元的驱动电极；
形成覆盖所述第一发光单元的发光器件层的封装层；
在所述第二发光单元的驱动电极上移植已封装的LED芯片，所述LED芯片为被动式LED芯片。
进一步的，所述在透明衬底上形成阵列分布的多个像素重复单元进一步包括：
在所述透明衬底上形成缓冲层；
在所述缓冲层上形成同层设置的第一发光单元的第一有源层和第二发光单元的第二有源层；
在所述第一有源层和第二有源层上形成栅绝缘层；
在所述栅绝缘层上形成同层设置的所述第一发光单元的第一栅极和第二发光单元的第二栅极；
在所述第一栅极和第二栅极上形成层间绝缘层；
在所述层间绝缘层上形成同层设置的所述第一发光单元的第一源漏层和所述第二发光单元的第二源漏层，所述第一源漏层包括第一源极和第一漏极，所述第二源漏层包括第二源极和第二漏极；
在所述第一源漏层和第二源漏层上形成平坦化层以分别形成所述第一发光单元的第一驱动电路和所述第二发光单元的第二驱动电路；
在所述平坦化层上形成第一发光单元的阳极，所述阳极与所述第一源漏层通过过孔连接；
在所述阳极上形成像素界定层；
在所述像素界定层围成的第一开口中形成所述第一发光单元的发光功能层；
形成覆盖所述第一发光单元的发光功能层和像素界定层的阴极以形成所述第一发光单元的发光器件层、以及形成覆盖所述像素界定层围成的第二开口的与所述阴极同层设置的所述第二发光单元的驱动电极；
形成覆盖所述第一发光单元的发光器件层的封装层；
在所述驱动电极上移植已封装的LED芯片，所述LED芯片为主动式LED芯片。
本发明第三个实施例提供一种双面显示装置，包括上述的阵列基板。本发明的有益效果如下：
本发明针对目前现有的问题，制定一种阵列基板，将出光方向相反的第一发光单元和第二发光单元设置在同一衬底的同一侧，且将第一发光单元和第二发光单元分别封装，在实现双面显示的基础上，极大降低了显示装置的整体厚度，有效降低显示结构的制造成本，提高了器件的使用寿命，具有广泛的应用前景。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1示出本发明的一个实施例所述透阵列基板的结构框图；
图2示出本发明另一个实施例所述透阵列基板的结构框图；
图3示出本发明另一个实施例制作图2所示的阵列基板的工艺流程图；
图4示出本发明另一个实施例制作图3所示的阵列基板的工艺流程图。
具体实施方式
为了更清楚地说明本发明，下面结合优选实施例和附图对本发明做进一步的说明。附图中相似的部件以相同的附图标记进行表示。本领域技术人员应当理解，下面所具体描述的内容是说明性的而非限制性的，不应以此限制本发明的保护范围。
需要说明的是，本文中所述的“在……上”、“在……上形成”和“设置在……上”可以表示一层直接形成或设置在另一层上，也可以表示一层间接形成或设置在另一层上，即两层之间还存在其它的层。在本文中，除非另有说明，所采用的术语“位于同一层”指的是两个层、部件、构件、元件或部分可以通过同一构图工艺形成，并且，这两个层、部件、构件、元件或部分一般由相同的材料形成。在本文中，除非另有说明，表述“构图工艺”一般包括光刻胶的涂布、曝光、显影、刻蚀、光刻胶的剥离等步骤。表述“一次构图工艺”意指使用一块掩模板形成图案化的层、部件、构件等的工艺。
还需要说明的是，在本文的描述中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。现有技术采用通常采用以下方式实现双面显示。
现有技术中，在一个具体示例中，通过2块LCD面板实现双面显示，每一LCD面板包括厚度较厚的背光源，该种显示结构存在整体感观效果不佳、厚度难以减薄以及比较笨重的问题。在另一个具体示例中，通过2块OLED显示面板实现双面显示，但该种显示屏结构也存在成本高、厚度难以减薄以及比较笨重的问题。在另一个具体示例中，还包括通过一面OLED显示面板、另一面mini LED显示面板实现双面显示，然而该显示结构的研发成本高，不易实现。
为解决上述问题之一，本发明实施例提出一种阵列基板、双面显示装置以及制作方法。
在一个可选的实施例中，如图1所示，本发明的一个实施例提供一种阵列基板1，包括：
透明衬底11；
设置在所述透明衬底11上的阵列分布的多个像素重复单元，至少一个所述像素重复单元包括第一发光单元12和第二发光单元13，其中
所述第一发光单元12包括依次层叠设置在所述透明衬底11上的第一驱动电路121、由所述第一驱动电路121驱动的发光器件层122、以及覆盖所述发光器件层122的封装层123；
所述第二发光单元13包括驱动电极131和设置在所述驱动电极131上的已封装的LED芯片132；
所述第一发光单元12和第二发光单元13中的一个向朝向所述透明衬底11的方向出光，所述第一发光单元12和第二发光单元13中的另一个向背离所述透明衬底11的方向出光。
在本发明实施例中，如图1所示，已封装的第一发光单元12和第二发光单元13位于同一透明衬底的同一侧上，一方面，本发明实施例在同一衬底的基础上形成该双面显示结构，有效降低阵列基板的整体厚度；另一方面，单独封装能够对第一发光单元12和第二发光单元13的器件形成保护，从而实现较好的封装效果，有效阻隔水氧侵入，提高该阵列基板双面显示的封装性能，有效提高了器件的使用寿命。
在一个可选的实施例中，所述第一发光单元为顶发射有机发光器件，所述发光器件层包括依次层叠设置在所述第一驱动电路上的阳极、发光功能层和阴极，其中所述阳极为反射阳极，所述阴极为透明阴极，所述第二发光单元还包括设置在所述LED芯片上的反射层。
在该实施例中，作为顶发射有机发光器件通过反射阳极将朝向所述透明衬底方向出射的第一光线进行反射以从背离所述透明衬底的一侧出射，从而提高有机发光器件的发光效率。同理，第二发光单元的第二光线经反射层反射后，向朝向所述透明衬底的方向出光，从而实现第一光线和第二光线的出射方向相反，从而实现双面显示。
进一步的，考虑到第二发光单元的适用性，第一发光单元为顶发射有机发光器件时，在一个可选的实施例中，所述LED芯片为被动式LED芯片，所述驱动电极与所述发光器件层的阴极同层设置。
在本实施例中，第一发光单元响应于第一驱动电路的控制向背离所述透明衬底的方向出射第一光线，同时，第二发光单元在驱动电极的控制下向朝向所述透明衬底的方向发出第二光线，从而实现双面显示。
在另一个可选的实施例中，所述LED芯片也可为主动式LED芯片，所述第二发光单元还包括设置在所述透明衬底上的第二驱动电路，所述第二驱动电路与所述驱动电极电连接以驱动所述LED芯片。在该实施例中，第二驱动电路与顶发射有机发光器件的第一驱动电路同层设置，例如响应于同一栅极驱动信号，通过第一驱动电路和第二驱动电路分别驱动第一发光单元和第二发光单元进行发光，在实现双面显示的基础上，通过设置在透明衬底同一侧的第一发光单元和第二发光单元有效降低了阵列基板的整体厚度。
与前述第一发光单元12为顶发射有机发光器件不同，在一个可选的实施例中，如图1所示，所述第一发光单元12为底发射有机发光器件，所述发光器件层122包括依次层叠设置在所述第一驱动电路121上的阳极1221、发光功能层1222和阴极1223，其中所述阳极为透明阳极，所述阴极为反射阴极。
本实施例中，如图1所示，第二发光单元13发射的第二光线为背离透明衬底11的方向，底发射有机发光器件发射的第一光线经阴极反射后实现向朝向透明衬底11方向出射，使得第一发光单元12和第二发光单元13的光线出射方向相反，从而实现阵列基板的双面显示。本实施例对反射阴极不作具体限定，所述阴极可以为反射阴极，也可以为具有反射层的阴极，以实现对光线的反射为设计原则，在此不再赘述。
进一步的，考虑到第二发光单元13的适用性，本发明实施例的LED芯片132同样可为主动式LED芯片或者被动式LED芯片。
在一个可选的实施例中，所述LED芯片132为被动式LED芯片，所述驱动电极131与所述发光器件层122的阴极同层设置。
在本实施例中，第二发光单元13的驱动电极131与第一发光单元12的阴极为同层设置，有效降低了阵列基板的整体厚度。
在一个具体示例中，当第一发光单元12为底发射有机发光器件，第二发光单元13的LED芯片132为被动式LED芯片时，本发明实施例的阵列基板的一个具体结构如图1所示：
该阵列基板包括设置在透明衬底11上的缓冲层111，设置在缓冲层上的第一驱动电路121，包括第一驱动薄膜晶体管，具体的，包括设置在缓冲层111上的第一有源层1211、第一栅极1212、以及第一源漏层1213，其中第一源漏层包括第一源极和第一漏极；具体的，缓冲层111上设置有覆盖所述第一有源层1211的栅绝缘层1214，第一栅极1212设置在该栅绝缘层1214上，栅绝缘层1214上形成有层间绝缘层1215，第一源极和第一漏极形成源漏层1213并设置在层间绝缘层1215上，并通过过孔与第一有源层1211形成电连接，在所述源漏层1213上设置有平坦化层1216以形成所述第一发光单元12的第一驱动电路121。本示例中的第一驱动电路121响应于输入的驱动信号驱动发光器件层122发光。
如图1所示，在一个具体示例中，所述发光器件层122包括依次层叠设置在所述第一驱动电路121上的阳极1221、发光功能层1222和阴极1223，其中所述阳极为透明阳极，所述阴极为反射阴极。在本示例中，发光器件层122在第一驱动电路121的驱动控制下发出第一光线，反射阴极1223将该第一光线进行反射，透明阳极透射该反射后的第一光线，使得第一光线向朝向透明衬底11的方向出射。
如图1所示，第二发光单元13的驱动电极131与阴极1223同层设置，响应于第二驱动信号，设置在驱动电极131上的LED芯片132发出第二光线，并将第二光线向背离所述透明衬底11的方向出射，进一步实现阵列基板的双面显示。
在一个可选的实施例中，所述LED芯片为MiniLED芯片或MicroLED芯片。Mini LED为尺寸在100μm量级的LED芯片，其具有高效率、高亮度、高可靠度及反应时间快等特点，同时还具有自发光无需背光源的特性，体积小、轻薄，还能轻易实现节能的效果。Micro LED具有微米等级的间距，每一像素都能单点控制及单点驱动发光，具有高亮度、低功耗、超高解析度与色彩饱和度的优点。
进一步的，在一个可选的实施例中，如图1所示，所述像素重复单元包括界定第一发光单元12和第二发光单元13的像素界定层14，所述像素界定层14为黑色。
在本实施例中，在实现第一发光单元12和第二发光单元13同侧设置进行双面显示的基础上，通过将像素界定层14设置为黑色以实现纯黑色显示，从而进一步提高双面显示的显示效果。
在一个可选的实施例中，如图1所示，所述像素重复单元还包括设置在所述第一发光单元12和第二发光单元13之间的像素界定层14上的倒梯形隔离柱15。
在本实施例中，通过设置在第一发光单元12和第二发光单元13之间的倒梯形隔离柱15断开同层设置的第一发光单元12的阴极1223与第二发光单元13的驱动电极131，从而进一步实现对第一发光单元和第二发光单元的独立控制；同时，在第一发光单元12的阴极和第二发光单元的驱动电极断开的基础上，在第一发光单元12的阴极上形成覆盖有第一发光单元12的封装层123，从而更好地阻挡水氧侵蚀第一发光单元12，从而提高该阵列基板双面显示的各第一发光单元的封装性能。
现以一具体示例对制作图1所示的阵列基板的工艺流程进行说明，该过程具体包括：
在所述透明衬底11上形成缓冲层111。在本示例中，缓冲层111的材料为SiNx。
在所述缓冲层111上形成第一发光单元12的第一有源层1211。
在所述第一有源层1211上形成栅绝缘层1214。
在所述栅绝缘层1214上形成所述第一发光单元12的第一栅极1212。
在所述第一栅极1212上形成层间绝缘层1215。
在所述层间绝缘层1215上形成所述第一发光单元12的第一源漏层1213，所述第一源漏层1213包括第一源极和第一漏极。
在所述第一源漏层1213上形成平坦化层1216以形成所述第一发光单元12的第一驱动电路121。
在所述平坦化层1216上形成第一发光单元12的阳极1221，所述阳极1221与所述第一源漏层1213通过过孔连接。
在所述阳极1221上形成像素界定层14。在本示例中，将像素界定层14设置为黑色以进一步提高显示效果。
在所述像素界定层14围成的开口中形成所述第一发光单元12的发光功能层1222。在该步骤中，使用掩膜板对第一发光单元12对应的发光功能层1222进行蒸镀，确保对应第二发光单元13的区域无发光功能材料，实现正常电连接。在一个具体示例中，根据显示面板的显示像素(PPI)要求，选择不同精度的掩膜板进行蒸镀，例如，若PPI低于30，可用低精度掩膜板对第一发光单元的发光功能层进行蒸渡，又如，若PPI过高，可使用精细金属掩膜板进行蒸镀。
形成覆盖所述第一发光单元12的发光功能层1222和像素界定层14的阴极1223以形成所述第一发光单元12的发光器件层122、以及与所述阴极1223同层设置的所述第二发光单元13的驱动电极131。在该步骤中，LED芯片132的驱动电极131与第一发光单元12的阴极1223同时形成，节省了制造工艺，并未增加工艺流程，提高了制作效率。
形成覆盖所述第一发光单元12的发光器件层122的封装层123，从而提高第一发光单元12的抗水氧侵蚀能力。
在所述第二发光单元13的驱动电极131上移植已封装的LED芯片132，所述LED芯片132为被动式LED芯片。LED芯片的独立封装能够确保第二发光单元13具有良好的封装性能。
至此，在透明衬底11上形成了阵列分布的多个像素重复单元。
上述制作如图2所示的阵列基板的流程，并未增加复杂的工艺步骤，即可实现第一发光单元和第二发光单元同层设置以进行双面显示，整个制作工艺简单，制作效率高。经上述流程形成的阵列基板，第一发光单元的阴极与第二发光单元的驱动电极同时形成，响应于输入的驱动信号分别驱动第一发光单元和第二发光单元发出方向相反的光以实现双面显示。
与前述LED芯片为被动式LED芯片不同，在另一个可选的实施例中，当所述第一发光单元12为底发射有机发光器件时，所述LED芯片132也可为主动式LED芯片，如图2所示，所述第二发光单元13还包括设置在所述透明衬底11上的第二驱动电路133，所述第二驱动电路133与所述驱动电极131电连接以驱动所述LED芯片132，所述LED芯片为主动式LED芯片，进一步扩大了本发明实施例的阵列基板的适用性，具有广泛的应用前景。
本实施例中，如图2所示，响应于同一栅极驱动信号，底发射有机发光器件的第一发光单元12发射的第一光线向朝向透明衬底11方向出射，第二发光单元13向背离透明衬底11一侧出射第二光线，从而实现阵列基板的双面显示。
在一个具体示例中，当第一发光单元12为底发射有机发光器件，第二发光单元13的LED芯片132为主动式LED芯片时，本发明实施例的阵列基板的一个具体结构如图2所示：
该阵列基板包括设置在透明衬底11上的缓冲层111，设置在缓冲层111上的第一发光单元12的第一驱动电路121以及第二发光单元13的第二驱动电路133，能够提高阵列基板的驱动效率，降低阵列基板的整体厚度。
在一个可选的实施例中，所述第一驱动电路121包括第一驱动薄膜晶体管，包括第一有源层1211、第一栅极1212、以及包括第一源极和第一漏极的第一源漏层1213。
所述第二驱动电路133包括第二驱动薄膜晶体管，包括第二有源层1331、第二栅极1332、以及包括第二源极和第二漏极的第二源漏层1333。所述第一有源层1211和第二有源层1331同层设置，所述第一栅极1212和第二栅极1332同层设施，所述第一源漏层1213和所述第二源漏层1333同层设置，即所述第一源极和第一漏极与所述第二源极和第二漏极同层设置。
在一个具体示例中，如图2所示，第一有源层1211和第二有源层1331上设置有覆盖两者的栅绝缘层1214。在栅极绝缘层1214上同层设置有第一发光单元12的第一栅极1212和第二发光单元13的第二栅极1332。所述第一栅极1212和第二栅极上设置有覆盖两个栅极的层间绝缘层1215，在所述层间绝缘层1215上同层设置有所述第一发光单元12的第一源漏层1213和所述第二发光单元13的第二源漏层1333，其中，所述第一源漏层1213包括第一源极和第一漏极，所述第二源漏层1333包括第二源极和第二漏极，在所述第一源漏层1213和第二源漏层1333上设置有平坦化层1216，从而形成前述的第一驱动电路121以及第二驱动电路133。
在一个具体示例中，第一栅极1212和第二栅极1332响应于同一栅极驱动信号，分别通过第一驱动电路以及第二驱动电路控制第一发光单元12的发光器件层122和第二发光单元13的主动式LED芯片发光，在实现双面显示的基础上，极大地提高了驱动效率。
在一个具体示例中，第一发光单元12的发光器件层122包括设置在所述第一驱动电路121上的阳极1221、设置在所述阳极1221上的像素界定层14、由所述像素界定层14界定的发光功能层1222、以及覆盖所述第一发光单元12的发光功能层1222和像素界定层14的阴极1223，其中所述阳极1221为透明阳极，所述阴极1223为反射阴极。在本示例中，发光器件层122在第一驱动电路121的驱动控制下，发光器件层122发出第一光线并向朝向透明衬底11的方向出射。
如图2所示，第二发光单元13的驱动电极131覆盖对应的像素界定层14围成的第二开口，驱动电极131与所述阴极1223同层设置并与第二驱动电路133电连接。第二驱动电路133、驱动电极131以及主动式LED芯片132形成第二发光单元13。第二驱动电路133响应于输入的栅极驱动信号控制LED芯片132向背离所述透明衬底11的方向出射第二光线，从而实现了阵列基板的双面显示。
现以一具体示例对制作图2所示的阵列基板的工艺流程进行说明，该过程具体包括：
在所述透明衬底11上形成缓冲层111。在本示例中，缓冲层111的材料为SiNx。
在所述缓冲层111上形成同层设置的第一发光单元12的第一有源层1211和第二发光单元13的第二有源层1331。在本示例中，通过沉积掩膜以及曝光刻蚀工艺形成第一有源层1211和第二有源层1331。
在所述第一有源层1211和第二有源层1331上形成栅绝缘层1214。
在所述栅绝缘层1214上形成同层设置的所述第一发光单元12的第一栅极1212和第二发光单元13的第二栅极1332。
在所述第一栅极1212和第二栅极1332上形成层间绝缘层1215。
在所述层间绝缘层1215上形成同层设置的所述第一发光单元12的第一源漏层1213和所述第二发光单元13的第二源漏层1333，所述第一源漏层1213包括第一源极和第一漏极，所述第二源漏层1333包括第二源极和第二漏极。
在所述第一源漏层1213和第二源漏层1333上形成平坦化层1216以分别形成所述第一发光单元12的第一驱动电路121和所述第二发光单元13的第二驱动电路133。在该步骤中，第一驱动电路121和第二驱动电路133同时形成，节省了制造工艺，并未增加工艺流程，提高了制作效率。
在所述平坦化层1216上形成第一发光单元12的阳极1221，所述阳极1221与所述第一源漏层1213通过过孔连接。
在所述阳极1221上形成像素界定层14。在本示例中，像素界定层14为黑色以确保显示效果。
在所述像素界定层14围成的第一开口中形成所述第一发光单元12的发光功能层1222。在该步骤中，使用掩膜板对第一发光单元12对应的发光功能层1222进行蒸镀，确保对应第二发光单元13的区域无发光功能材料，实现正常电连接。在一个具体示例中，根据显示面板的显示像素(PPI)要求，选择不同精度的掩膜板进行蒸镀，例如，若PPI低于30，可用低精度掩膜板对第一发光单元12的发光功能层1222进行蒸渡，又如，若PPI过高，可使用精细金属掩膜板(FMM mask)进行蒸镀。
形成覆盖所述第一发光单元12的发光功能层1222和像素界定层14的阴极1223以形成所述第一发光单元12的发光器件层122、以及形成覆盖所述像素界定层14围成的第二开口的与所述阴极1223同层设置的所述第二发光单元13的驱动电极131。
在该步骤中，LED芯片132的驱动电极131与第一发光单元12的阴极1223同时形成，节省了制造工艺，并未增加工艺流程，提高了制作效率。
在一个具体示例中，在形成阴极1223之前，还可在第一发光单元12和第二发光单元13之间的像素界定层14上形成倒梯形的隔离柱15，以在断开阴极材料层分别形成第一发光单元12的阴极1223以及第二发光单元13的驱动电极131。
形成覆盖所述第一发光单元12的发光器件层122的封装层123，从而提高第一发光单元12的抗水氧侵蚀能力。
在所述驱动电极131上移植已封装的LED芯片132，所述LED芯片132为主动式LED芯片。在该步骤中，LED芯片为独立封装，从而确保第二发光单元13的封装性能。
至此，在透明衬底11上形成了阵列分布的多个像素重复单元。
上述制作如图2所示的阵列基板的流程，并未增加复杂的工艺步骤，即可实现第一发光单元12和第二发光单元13同层设置进行双面显示，整个制作工艺简单，制作效率高。经上述流程形成的阵列基板，第一发光单元12的第一驱动电路121以及第二发光单元13的第二驱动电路133同时形成，第一发光单元12的阴极1223与第二发光单元13的驱动电极131同时形成，响应于同一驱动信号，第一发光单元12和第二发光单元13能够发出方向相反的显示光，从而实现双面显示。
在上述如图1以及如图2所示的阵列基板中，一个像素重复单元包括一个第一发光单元12和一个第二发光单元13，阵列基板包括设置在透明衬底上的阵列分布的多个像素重复单元。在一个可选的实施例中，所述像素重复单元还可包括两个第一发光单元12或者两个第二发光单元13，实现不同的双面显示效果。
在一个具体示例中，若阵列基板的双面显示需求高，例如，正面分辨率的要求高，可在整个阵列基板中设置不同比例的第一发光单元和第二发光单元构成的像素重复单元，具体的，阵列基板中50％的像素重复单元包括两个第二发光单元，另外50％的像素重复单元为第一发光单元+第二发光单元，能够提高正面分辨率，在另一个具体示例中，若反面分辨率要求高，则增加像素重复单元中的第一发光单元。本发明实施例根据显示效果的需求，对像素重复单元中第一发光单元和第二发光单元的数量进行不同比例的分配从而实现不同的双面显示效果，具有广泛的应用前景。
与上述实施例提供的阵列基板相对应，本发明的另一个实施例还提供一种制作上述阵列基板的方法，该方法包括：
在透明衬底11上形成阵列分布的多个像素重复单元，至少一个所述像素重复单元包括第一发光单元12和第二发光单元13，其中所述第一发光单元12包括依次层叠设置在所述透明衬底11上的第一驱动电路121、由所述第一驱动电路121驱动的发光器件层122、以及覆盖所述发光器件层122的封装层123，所述第二发光单元13包括驱动电极131和设置在所述驱动电极131上的已封装的LED芯片132。
本发明实施例的阵列基板制作方法，并未增加复杂的工艺步骤，即可实现第一发光单元12和第二发光单元13同层设置进行双面显示，整个制作工艺简单，制作效率高。利用本发明实施例的制作方法形成的阵列基板，第一发光单元12的第一驱动电路121以及第二发光单元13的第二驱动电路133同时形成，第一发光单元12的阴极1223与第二发光单元13的驱动电极131同时形成，响应于同一驱动信号，第一发光单元12和第二发光单元13能够发出方向相反的显示光，实现双面显示，并且极大降低了显示装置的整体厚度，有效降低显示结构的制造成本，提高了器件的使用寿命，具有广泛的应用前景。
在一个可选的实施例中，如图3所示，若制作如图1所示的第一发光单元12为底发射有机发光器件、第二发光单元13采用被动式驱动芯片的阵列基板，所述在透明衬底11上形成阵列分布的多个像素重复单元进一步包括：
在所述透明衬底11上形成缓冲层111；
在所述缓冲层111上形成第一发光单元12的第一有源层1211；
在所述第一有源层1211上形成栅绝缘层1214；
在所述栅绝缘层1214上形成所述第一发光单元12的第一栅极1212；
在所述第一栅极1212上形成层间绝缘层1215；
在所述层间绝缘层1215上形成所述第一发光单元12的第一源漏层1213，所述第一源漏层包括源极和漏极；
在所述第一源漏层1213上形成平坦化层1216以形成所述第一发光单元12的第一驱动电路121；
在所述平坦化层1216上形成第一发光单元12的阳极1221，所述阳极1221与所述第一源漏层1213通过过孔连接；
在所述阳极1221上形成像素界定层14；
在所述像素界定层14围成的开口中形成所述第一发光单元12的发光功能层1222；
形成覆盖所述第一发光单元12的发光功能层1222和像素界定层14的阴极1223以形成所述第一发光单元12的发光器件层122、以及与所述阴极1223同层设置的所述第二发光单元13的驱动电极131；
形成覆盖所述第一发光单元12的发光器件层122的封装层123；
在所述第二发光单元13的驱动电极131上移植已封装的LED芯片，所述LED芯片为被动式LED芯片。
本发明实施例的阵列基板制作方法，并未增加复杂的工艺步骤，第一发光单元的阴极与第二发光单元的驱动电极同时形成，提高了阵列基板的制作效率。
在一个可选的实施例中，如图4所示，若制作如图2所示的第一发光单元12为底发射有机发光器件、第二发光单元13采用主动式驱动芯片的阵列基板，所述在透明衬底11上形成阵列分布的多个像素重复单元进一步包括：
在所述透明衬底11上形成缓冲层111；
在所述缓冲层111上形成同层设置的第一发光单元12的第一有源层1211和第二发光单元13的第二有源层1331；
在所述第一有源层1211和第二有源层1331上形成栅绝缘层1214；
在所述栅绝缘层1214上形成同层设置的所述第一发光单元12的第一栅极1212和第二发光单元13的第二栅极1332；
在所述第一栅极1212和第二栅极1332上形成层间绝缘层1215；
在所述层间绝缘层1215上形成同层设置的所述第一发光单元12的第一源漏层1213和所述第二发光单元13的第二源漏层1333，所述第一源漏层1213包括第一源极和第一漏极，所述第二源漏层1333包括第二源极和第二漏极；
在所述第一源漏层1213和第二源漏层1333上形成平坦化层1216以分别形成所述第一发光单元12的第一驱动电路121和所述第二发光单元13的第二驱动电路133；
在所述平坦化层1216上形成第一发光单元12的阳极1221，所述阳极1221与所述第一源漏层1213通过过孔连接；
在所述阳极1221上形成像素界定层14；
在所述像素界定层14围成的第一开口中形成所述第一发光单元12的发光功能层1222；
形成覆盖所述第一发光单元12的发光功能层1222和像素界定层14的阴极1223以形成所述第一发光单元12的发光器件层122、以及形成覆盖所述像素界定层14围成的第二开口的与所述阴极1223同层设置的所述第二发光单元13的驱动电极131；
形成覆盖所述第一发光单元12的发光器件层122的封装层123；
在所述驱动电极131上移植已封装的LED芯片132，所述LED芯片为主动式LED芯片。
本发明实施例的阵列基板制作方法，并未增加复杂的工艺步骤，第一发光单元的第一驱动电路与第二发光单元的驱动电极同时形成，提高了阵列基板的制作效率。
由于本申请实施例提供的制作方法与上述几种实施例提供的阵列基板相对应，因此在前实施方式也适用于本实施例提供的制作方法，在本实施例中不再详细描述。
需要说明的是，本领域技术人员根据本发明实施例提供的阵列基板制作方法可以进行适当调整，步骤也可以根据情况进行相应增减，在本发明揭露的技术范围内，可轻易程度变化的方法，都应涵盖在本发明的保护范围之内，因此不再赘述。
值得说明的是，本发明实施例提出的阵列基板，其不限于利用本发明上述制作方法而形成的具体结构，也可由本领域技术人员采用其他加工工艺形成上述阵列基板的具体结构。
本发明的另一个实施例提供了一种双面显示装置，包括上述阵列基板。所述显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框或导航仪等任何具有双面显示功能的产品或部件。
显然，本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定，对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动，这里无法对所有的实施方式予以穷举，凡是属于本发明的技术方案所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之列。

Claims (11)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
透明衬底；
设置在所述透明衬底上的阵列分布的多个像素重复单元，至少一个所述像素重复单元包括第一发光单元和第二发光单元，其中
所述第一发光单元包括依次层叠设置在所述透明衬底上的第一驱动电路、由所述第一驱动电路驱动的发光器件层、以及覆盖所述发光器件层的封装层；
所述第二发光单元包括驱动电极和设置在所述驱动电极上的已封装的LED芯片；
所述第一发光单元和第二发光单元中的一个向朝向所述透明衬底的方向出光，所述第一发光单元和第二发光单元中的另一个向背离所述透明衬底的方向出光。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述第一发光单元为底发射有机发光器件，所述发光器件层包括依次层叠设置在所述第一驱动电路上的阳极、发光功能层和阴极，其中所述阳极为透明阳极，所述阴极为反射阴极；
或者
所述第一发光单元为顶发射有机发光器件，所述发光器件层包括依次层叠设置在所述第一驱动电路上的阳极、发光功能层和阴极，其中所述阳极为反射阳极，所述阴极为透明阴极，所述第二发光单元还包括设置在所述LED芯片上的反射层。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述LED芯片为被动式LED芯片，所述驱动电极与所述发光器件层的阴极同层设置。
4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二发光单元还包括设置在所述透明衬底上的第二驱动电路，所述第二驱动电路与所述驱动电极电连接以驱动所述LED芯片，所述LED芯片为主动式LED芯片。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，
所述第一驱动电路包括第一驱动薄膜晶体管，包括第一有源层、第一栅极、第一源极和第一漏极；
所述第二驱动电路包括第二驱动薄膜晶体管，包括第二有源层、第二栅极、第二源极和第二漏极；
所述第一有源层和第二有源层同层设置，所述第一栅极和第二栅极同层设施，所述第一源极和第一漏极与所述第二源极和第二漏极同层设置。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述像素重复单元还包括界定第一发光单元和第二发光单元的像素界定层，所述像素界定层为黑色；
和/或
所述像素重复单元还包括界定第一发光单元和第二发光单元的像素界定层、以及设置在所述第一发光单元和第二发光单元之间的像素界定层上的倒梯形隔离柱。
7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述LED芯片为MiniLED芯片或MicroLED芯片；
和/或
所述像素重复单元包括两个第一发光单元或者两个第二发光单元。
8.一种制作如权利要求1-7中任一项所述阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
在透明衬底上形成阵列分布的多个像素重复单元，至少一个所述像素重复单元包括第一发光单元和第二发光单元，其中所述第一发光单元包括依次层叠设置在所述透明衬底上的第一驱动电路、由所述第一驱动电路驱动的发光器件层、以及覆盖所述发光器件层的封装层，所述第二发光单元包括驱动电极和设置在所述驱动电极上的已封装的LED芯片。
9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述在透明衬底上形成阵列分布的多个像素重复单元进一步包括：
在所述透明衬底上形成缓冲层；
在所述缓冲层上形成第一发光单元的第一有源层；
在所述第一有源层上形成栅绝缘层；
在所述栅绝缘层上形成所述第一发光单元的第一栅极；
在所述第一栅极上形成层间绝缘层；
在所述层间绝缘层上形成所述第一发光单元的第一源漏层，所述第一源漏层包括源极和漏极；
在所述第一源漏层上形成平坦化层以形成所述第一发光单元的第一驱动电路；
在所述平坦化层上形成第一发光单元的阳极，所述阳极与所述第一源漏层通过过孔连接；
在所述阳极上形成像素界定层；
在所述像素界定层围成的开口中形成所述第一发光单元的发光功能层；
形成覆盖所述第一发光单元的发光功能层和像素界定层的阴极以形成所述第一发光单元的发光器件层、以及与所述阴极同层设置的所述第二发光单元的驱动电极；
形成覆盖所述第一发光单元的发光器件层的封装层；
在所述第二发光单元的驱动电极上移植已封装的LED芯片，所述LED芯片为被动式LED芯片。
10.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述在透明衬底上形成阵列分布的多个像素重复单元进一步包括：
在所述透明衬底上形成缓冲层；
在所述缓冲层上形成同层设置的第一发光单元的第一有源层和第二发光单元的第二有源层；
在所述第一有源层和第二有源层上形成栅绝缘层；
在所述栅绝缘层上形成同层设置的所述第一发光单元的第一栅极和第二发光单元的第二栅极；
在所述第一栅极和第二栅极上形成层间绝缘层；
在所述层间绝缘层上形成同层设置的所述第一发光单元的第一源漏层和所述第二发光单元的第二源漏层，所述第一源漏层包括第一源极和第一漏极，所述第二源漏层包括第二源极和第二漏极；
在所述第一源漏层和第二源漏层上形成平坦化层以分别形成所述第一发光单元的第一驱动电路和所述第二发光单元的第二驱动电路；
在所述平坦化层上形成第一发光单元的阳极，所述阳极与所述第一源漏层通过过孔连接；
在所述阳极上形成像素界定层；
在所述像素界定层围成的第一开口中形成所述第一发光单元的发光功能层；
形成覆盖所述第一发光单元的发光功能层和像素界定层的阴极以形成所述第一发光单元的发光器件层、以及形成覆盖所述像素界定层围成的第二开口的与所述阴极同层设置的所述第二发光单元的驱动电极；
形成覆盖所述第一发光单元的发光器件层的封装层；
在所述驱动电极上移植已封装的LED芯片，所述LED芯片为主动式LED芯片。
11.一种双面显示装置，其特征在于，包括权利要求1-7中任一项所述的阵列基板。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115117135A (zh) * 2022-06-28 2022-09-27 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108400155A (zh) * 2018-04-23 2018-08-14 京东方科技集团股份有限公司 Oled双面显示面板及其制备方法
WO2019165654A1 (zh) * 2018-02-27 2019-09-06 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 双面显示面板及双面显示装置
US20210027705A1 (en) * 2019-01-29 2021-01-28 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Pixel unit and method for manufacturing the same, and double-sided oled display device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019165654A1 (zh) * 2018-02-27 2019-09-06 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 双面显示面板及双面显示装置
CN108400155A (zh) * 2018-04-23 2018-08-14 京东方科技集团股份有限公司 Oled双面显示面板及其制备方法
US20210027705A1 (en) * 2019-01-29 2021-01-28 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Pixel unit and method for manufacturing the same, and double-sided oled display device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115117135A (zh) * 2022-06-28 2022-09-27 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板

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