CN211743193U - 一种阵列基板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型实施例提供一种阵列基板及显示装置，涉及显示技术领域，可提高了发光器件层的发光性能，还可使发光器件层在各个颜色的子像素区发出的光更加均匀。一种阵列基板具有子像素区，子像素区包括红色子像素区、绿色子像素区、以及蓝色子像素区；阵列基板包括衬底、设置于衬底上的发光器件层；沿远离衬底的方向，发光器件层包括依次层叠设置的第一电极层和第二电极层；沿远离衬底的方向，第一电极层包括反射层、绝缘层、以及透明导电层；在子像素区，绝缘层到衬底的垂直距离均相等，绝缘层到第二电极层的垂直距离均相等；在红色子像素区，绝缘层的厚度为

在绿色子像素区，绝缘层的厚度为

在蓝色子像素区，绝缘层的厚度为

Description

一种阵列基板及显示装置

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及显示装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diodes，简称OLED)显示面板作为新型的面板，已广泛应用于智能手表、手机、平板电脑、电脑显示器等设备上。

OLED显示面板包括发光器件，发光器件包括发光功能层，发光功能层的材料的半波宽通常较大，一般不小于100nm，由于发光功能层的材料的边带振动和跃迁的非均匀展开效应，使得发光器件的发光性能受到影响，其中，蓝光受其影响最大，其次是红光。

实用新型内容

本实用新型的实施例提供一种阵列基板及显示装置，可提高了发光器件层的发光性能，还可使发光器件层在各个颜色的子像素区发出的光更加均匀。

为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案：

第一方面，提供一种阵列基板，具有子像素区，所述子像素区包括红色子像素区、绿色子像素区、以及蓝色子像素区；所述阵列基板包括衬底、设置于所述衬底上的发光器件层；沿远离所述衬底的方向，所述发光器件层包括依次层叠设置的第一电极层和第二电极层；沿远离所述衬底的方向，所述第一电极层包括反射层、绝缘层、以及透明导电层；在所述子像素区，所述绝缘层到所述衬底的垂直距离均相等，所述绝缘层到所述第二电极层的垂直距离均相等；在所述红色子像素区，所述绝缘层的厚度为

在所述绿色子像素区，所述绝缘层的厚度为

在所述蓝色子像素区，所述绝缘层的厚度为

可选的，所述反射层包括间隔设置的多个反射单元，所述透明导电层包括间隔设置的多个透明导电单元；所述透明导电单元与所述反射单元一一对应且电连接，所述反射单元在所述衬底上的正投影位于与其对应的所述透明导电单元在所述衬底上的正投影的范围内。

可选的，所述反射层包括金属层，所述金属层的材料包括铝。

可选的，所述反射层还包括设置于所述金属层背离所述透明导电层一侧的第一保护层。

可选的，所述反射层还包括设置于所述金属层靠近所述透明导电层一侧的第二保护层，所述第二保护层与所述金属层电连接。

可选的，所述第一保护层和所述第二保护层包括第一子保护层和/或第二子保护层；所述第一子保护层的材料包括钛，所述第二子保护层的材料包括氮化钛。

可选的，所述透明导电单元和与其对应的所述反射单元通过过孔电连接，所述过孔中填充有钨。

可选的，所述透明导电层的厚度为

可选的，所述阵列基板还包括设置于所述衬底与所述发光器件层之间的像素电路层。

第二方面，提供一种显示装置，包括第一方面所述的阵列基板。

本实用新型实施例所提供的阵列基板及显示装置中，阵列基板包括发光器件层，发光器件层包括第一电极层，第一电极层包括依次层叠设置的反射层、绝缘层、以及透明导电层。由于在子像素区，绝缘层到衬底的垂直距离均相等，绝缘层到第二电极层的垂直距离均相等，因此，可以通过调节绝缘层的厚度，来调节发光器件层在不同颜色的子像素区的微腔长度(反射层靠近第二电极层的表面到第二电极层靠近反射层的表面之间的垂直距离)，来改变发光器件层在不同颜色的子像素区的发光光谱半波宽。其中，微腔长度越大，发光光谱半波宽越窄，基于此，可在红色子像素区，绝缘层的厚度为

在绿色子像素区，绝缘层的厚度为

在蓝色子像素区，绝缘层的厚度为

以使得蓝光的微腔长度最大，进而蓝光的发光光谱的半波宽越窄；同理，其次是红光，最后是绿光。这样一来，不但提高了发光器件层的发光性能，还可以使发光器件层在各个颜色的子像素区发出的光更加均匀，当阵列基板应用于显示面板时，可提高显示面板的显示质量。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例提供的一种显示装置的结构示意图；

图2为本实用新型实施例提供的一种阵列基板的俯视示意图；

图3为图2中A-A1向的剖视示意图；

图4为本实用新型实施例提供的一种阵列基板的俯视示意图；

图5为本实用新型实施例提供的一种阵列基板的俯视示意图；

图6为本实用新型实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；

图7为本实用新型实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；

图8为本实用新型实施例提供的一种阵列基板的结构示意图。

附图标记：

1-框架；2-显示面板；3-电路板；4-盖板；10-衬底；11-像素电路层；111-有源层；112-栅绝缘层；113-栅极；114-层间绝缘层；115-源极；116-漏极；12-第一电极层；121-反射层；1211-金属层；1212-第一保护层；1213-第二保护层；122-绝缘层；123-透明导电层；13-发光功能层；14-第二电极层。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

显示装置可以用作手机、平板电脑、个人数字助理(personal digitalassistant，PDA)、车载电脑等，本实用新型实施例对显示装置的具体用途不做特殊限制。此处，显示装置例如可以是OLED。

如图1所示，该显示装置例如可以包括框架1、显示面板2、电路板3、盖板4、以及摄像头等其他电子配件。其中，显示面板2包括阵列基板和封装层。

上述显示面板2的出光方向可以为顶发光，框架1可以是U形框架，显示面板2和电路板3设置于框架1中。盖板4设置于显示面板2的出光侧，电路板3设置于显示面板2背离盖板4一侧。

本实用新型实施例提供一种阵列基板，可以用作上述显示装置中的阵列基板。当然，阵列基板还可以应用于其他装置，本实用新型实施例对此不作特殊限定。

如图2和图3所示，该阵列基板具有子像素区，子像素区包括红色子像素区101、绿色子像素区102、以及蓝色子像素区103；阵列基板包括衬底10、设置于衬底10上的发光器件层；沿远离衬底10的方向，发光器件层包括依次层叠设置的第一电极层12和第二电极层14；沿远离衬底10的方向，第一电极层12包括反射层121、绝缘层122、以及透明导电层123；在子像素区，绝缘层122到衬底10的垂直距离均相等，绝缘层122到第二电极层14的垂直距离均相等。在红色子像素区101，绝缘层122的厚度为

在绿色子像素区102，绝缘层122的厚度为

在蓝色子像素区103，绝缘层122的厚度为

在一些实施例中，在子像素区，绝缘层122到衬底10的垂直距离均相等。一方面，在相邻子像素区之间的非子像素区，绝缘层122到衬底10的距离可以相等，也可以不相等；另一方面，绝缘层122到衬底10的垂直距离均相等，为绝缘层122靠近衬底10的表面到衬底10靠近绝缘层122的表面之间的垂直距离相等。

在子像素区，绝缘层122到第二电极层14的垂直距离均相等。一方面，在非子像素区，绝缘层122到第二电极层14的距离可以相等，也可以不相等；另一方面，绝缘层122到第二电极层14的垂直距离均相等，为绝缘层122靠近第二电极层14的表面到第二电极层14靠近绝缘层122的表面之间的垂直距离相等。

在一些实施例中，阵列基板还可以包括设置于衬底10与第一电极层12之间的像素电路层11，像素电路层11用于驱动发光器件发光。像素电路层11至少包括开关晶体管、驱动晶体管、存储电容。

此处，如图8所示，以2T1C的像素电路为例，像素电路至少包括一个开关晶体管、一个驱动晶体管、一个存储电容。开关晶体管的源极与数据信号端连接、漏极与驱动晶体管的栅极113和存储电容的一端连接。驱动晶体管的源极115与VDD信号线或信号端子连接、漏极116与存储电容的另一端和发光器件层(第一电极层)的一端连接。发光器件层的另一端(第二电极层)与VSS信号线或信号端子连接。

开关晶体管和驱动晶体管可以是底栅型薄膜晶体管、顶栅型薄膜晶体管、双栅型薄膜晶体管中的一种。

以顶栅型薄膜晶体管为例，开关晶体管和驱动晶体管包括依次层叠设置的有源层111、栅绝缘层112、栅极113、层间绝缘层114、以及源极115和漏极116。

在一些实施例中，不对衬底10的材料进行限定，示例的，衬底10的材料例如可以是聚酰亚胺、玻璃、硅基片等。

在一些实施例中，第一电极层12为阳极，第二电极层14为阴极；第一电极层12为阴极，第二电极层14为阳极。

在一些实施例中，可以采用光刻工艺形成反射层121。在此基础上，还可以对反射层121进行化学机械研磨，以使得绝缘层122到衬底10的垂直距离均相等。

形成反射层121后，可形成绝缘层122。可通过三次光刻工艺分别形成绝缘层122位于红色子像素区101的部分、位于绿色子像素区102的部分、以及位于蓝色子像素区103的部分。

其中，形成绝缘层122的工艺与绝缘层122的材料有关，若绝缘层122的材料为感光材料，则可通过沉积、曝光、显影的方式，形成绝缘层122。

若绝缘层122的材料为非感光材料，则可通过沉积、曝光、显影、刻蚀的方式，形成绝缘层122。

此处，相较于有机绝缘材料，无机绝缘材料防水汽、氧气穿透的效果更好，因此，可选的，绝缘层122的材料为无机绝缘材料。

示例的，绝缘层122的材料为氧化硅。

可以采用蒸镀工艺制备发光功能层13和第二电极层14。

在一些实施例中，本领域的技术人员应该知道，对于顶发光结构的发光器件层来说，第一电极层12不但包括透明导电层123，还应包括位于透明导电层123与衬底10之间的反射层121，以使得发光功能层13向靠近第一电极层12方向发出的光被反射层121反射。同时，向靠近第二电极层14方向发出的光被透射。在一些实施例中，不对反射层121的材料进行限定，只要其可以导电、且可以反射光线即可。

示例的，反射层121的材料例如可以是金属。

在一些实施例中，透明导电层123的材料可以是氧化物透明导电材料。

示例的，透明导电层123的材料可以是氧化铟锡(Indium Tin Oxides，简称ITO)。

在一些实施例中，不对透明导电层123的厚度进行限定。

示例的，透明导电层123的厚度可以为

在一些实施例中，如图3所示，反射层121包括间隔设置的多个反射单元，透明导电层123包括间隔设置的多个透明导电单元；透明导电单元与反射单元一一对应且电连接，反射单元在衬底10上的正投影位于与其对应的透明导电单元在衬底10上的正投影的范围内。这样一来，发光功能层13朝向靠近第一电极层12一侧发出的光即可被与透明导电单元对应的反射单元反射。

在一些实施例中，反射单元在衬底10上的正投影位于与其对应的透明导电单元在衬底10上的正投影的范围内，包括：反射单元在衬底10上的正投影，恰好和与其对应的透明导电单元在衬底10上的正投影完全重叠；或者，反射单元在衬底10上的正投影位于与其对应的透明导电单元在衬底10上的正投影的范围内，且反射单元在衬底10上的正投影的面积小于与其对应的透明导电单元在衬底10上的正投影的面积。

在一些实施例中，不对反射单元和透明导电单元的形状进行限定，以实际设计为准。

其中，反射单元和与其对应的透明导电单元在衬底10上的正投影的形状可以相同，也可以不相同。

示例的，如图4所示，反射单元和透明导电单元的形状均为矩形；或者，如图5所示，反射单元和透明导电单元的形状均为六边形。

本实用新型实施例提供一种阵列基板，阵列基板包括发光器件层，发光器件层包括第一电极层12，第一电极层12包括依次层叠设置的反射层121、绝缘层122、以及透明导电层123。由于在子像素区，绝缘层122到衬底10的垂直距离均相等，绝缘层122到第二电极层14的垂直距离均相等，因此，可以通过调节绝缘层122的厚度，来调节发光器件层在不同颜色的子像素区的微腔长度(反射层靠近第二电极层的表面到第二电极层靠近反射层的表面之间的垂直距离)，来改变发光器件层在不同颜色的子像素区的发光光谱半波宽。其中，微腔长度越大，发光光谱半波宽越窄，基于此，可在红色子像素区101，绝缘层122的厚度为

在绿色子像素区102，绝缘层122的厚度为

在蓝色子像素区103，绝缘层122的厚度为

以使得蓝光的微腔长度最大，进而蓝光的发光光谱的半波宽越窄；同理，其次是红光，最后是绿光。这样一来，不但提高了发光器件层的发光性能，还可以使发光器件层在各个颜色的子像素区发出的光更加均匀，当阵列基板应用于显示面板时，可提高显示面板的显示质量。

可选的，反射层121包括金属层1211，金属层1211的材料包括铝。

本实用新型实施例中，由于铝对光线的反射率非常高，因此，金属层1211的材料可以包括铝，以在不改变电流的情况下，提高显示亮度。

可选的，如图6所示，反射层121还包括设置于金属层1211背离透明导电层123一侧的第一保护层1212。

在一些实施例中，不对第一保护层1212的厚度进行限定，以实际设计为准。

示例的，第一保护层1212的厚度可以大于0nm、且小于等于200nm。

在一些实施例中，不对第一保护层1212的材料进行限定，只要第一保护层1212可以用于保护金属层1211，防止金属层1211被氧化即可。

示例的，第一保护层1212包括第一子保护层和/或第二子保护层，第一子保护层和第二子保护层沿衬底10指向第一电极层12的垂直方向层叠设置。

其中，第一子保护层的材料包括钛，第二子保护层的材料包括氮化钛。

本实用新型实施例中，通过在金属层1211背离透明导电层123一侧设置第一保护层1212，可防止水汽、氧气从金属层1211背离透明导电层123一侧进入到金属层1211中，从而导致金属层1211被氧化。

可选的，如图7所示，反射层121还包括设置于金属层1211靠近透明导电层123一侧的第二保护层1213，第二保护层1213与金属层1211电连接。

此处，第二保护层1213包括第一子保护层和/或第二子保护层，第一子保护层和第二子保护层沿衬底10的厚度方向层叠设置。

其中，第一子保护层的材料包括钛，第二子保护层的材料包括氮化钛。

在一些实施例中，不对第二保护层1213的厚度进行限定，以实际设计为准。

示例的，第二保护层1213的厚度可以为0～200nm。

本实用新型实施例中，通过在金属层1211靠近透明导电层123一侧设置第二保护层1213，可防止水汽、氧气从金属层1211靠近透明导电层123一侧进入到金属层1211中，从而导致金属层1211被氧化。

可选的，如图3所示，透明导电单元和与其对应的反射单元通过过孔电连接，过孔中填充有钨。

在一些实施例中，不对过孔的尺寸和形状进行限定，只要透明导电单元可以和与其对应的反射单元充分电连接即可。

示例的，过孔在衬底10上的正投影为圆形，所述圆形的直径大于0nm、且小于等于500nm。

本实用新型实施例中，由于钨对铝的接触电阻无影响，因此，可在过孔中填充钨，通过过孔中的钨使得反射单元和与其对应的透明导电单元电连接。

以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，具有子像素区，所述子像素区包括红色子像素区、绿色子像素区、以及蓝色子像素区；

所述阵列基板包括衬底、设置于所述衬底上的发光器件层；沿远离所述衬底的方向，所述发光器件层包括依次层叠设置的第一电极层和第二电极层；

沿远离所述衬底的方向，所述第一电极层包括反射层、绝缘层、以及透明导电层；在所述子像素区，所述绝缘层到所述衬底的垂直距离均相等，所述绝缘层到所述第二电极层的垂直距离均相等；

在所述红色子像素区，所述绝缘层的厚度为

在所述绿色子像素区，所述绝缘层的厚度为

在所述蓝色子像素区，所述绝缘层的厚度为

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述反射层包括间隔设置的多个反射单元，所述透明导电层包括间隔设置的多个透明导电单元；

所述透明导电单元与所述反射单元一一对应且电连接，所述反射单元在所述衬底上的正投影位于与其对应的所述透明导电单元在所述衬底上的正投影的范围内。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述反射层包括金属层，所述金属层的材料为铝。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述反射层还包括设置于所述金属层背离所述透明导电层一侧的第一保护层。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述反射层还包括设置于所述金属层靠近所述透明导电层一侧的第二保护层，所述第二保护层与所述金属层电连接。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一保护层和所述第二保护层包括第一子保护层和/或第二子保护层；

所述第一子保护层的材料为钛，所述第二子保护层的材料为氮化钛。

7.根据权利要求3-6任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述透明导电单元和与其对应的所述反射单元通过过孔电连接，所述过孔中填充有钨。

8.根据权利要求1-6任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述透明导电层的厚度为

9.根据权利要求1-6任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括设置于所述衬底与所述发光器件层之间的像素电路层。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的阵列基板。

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