CN113812014B - 一种阵列基板及其制备方法和显示面板 - Google Patents

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Abstract

阵列基板包括驱动电路板(1)和依次叠置于其上的第一电极层(2)、绝缘层(3)和阳极结构(4)；阳极结构(4)包括依次远离驱动电路板(1)设置的反射层(41)、中间介电层(42)和透明导电层(43)，阵列基板具有第一像素区(101)、第二像素区(102)和第三像素区(103)，阳极结构(4)包括第一阳极结构(201)、第二阳极结构(202)和第三阳极结构(203)；第一电极层(2)包括第一子部(21)、第二子部(22)和第三子部(23)；第一阳极结构(201)通过开设在绝缘层(3)中的第一过孔(31)连接第一子部(21)，第二阳极结构(202)通过开设在绝缘层(3)中的第二过孔(32)连接第二子部(22)，第三阳极结构(203)通过开设在绝缘层(3)中的第三过孔(33)连接第三子部(23)；绝缘层(3)的与第一阳极结构(201)、第二阳极结构(202)和第三阳极结构(203)相接触的表面平齐，第二阳极结构(202)、第一阳极结构(201)和第三阳极结构(203)中的中间介电层(42)的厚度依次增大。

Description

一种阵列基板及其制备方法和显示面板
技术领域
本公开实施例属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法和显示面板。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diodes，简称OLED)显示面板作为新型的面板，已广泛应用于智能手表、手机、平板电脑、电脑显示器等设备上。
OLED显示面板包括发光器件，发光器件包括发光功能层，发光功能层的材料的半波宽通常较大，一般不小于100nm，由于发光功能层的材料的边带振动和跃迁的非均匀展开效应，使得发光器件的发光性能受到影响，其中，蓝光受其影响最大，其次是红光。
发明内容
本公开实施例提供一种阵列基板及其制备方法和显示面板。
第一方面，本公开实施例提供一种阵列基板，包括驱动电路板和依次叠置在所述驱动电路板上的第一电极层、绝缘层和阳极结构；所述阳极结构包括依次远离所述驱动电路板设置的反射层、中间介电层和透明导电层，其中，
所述阵列基板具有第一像素区、第二像素区和第三像素区，所述阳极结构包括分别设置于所述第一像素区、所述第二像素区和所述第三像素区的第一阳极结构、第二阳极结构和第三阳极结构；所述第一电极层包括分别设置于所述第一像素区、所述第二像素区和所述第三像素区的第一子部、第二子部和第三子部；所述第一阳极结构通过开设在所述绝缘层中的第一过孔连接所述第一子部，所述第二阳极结构通过开设在所述绝缘层中的第二过孔连接所述第二子部，所述第三阳极结构通过开设在所述绝缘层中的第三过孔连接所述第三子部；所述第一子部、所述第二子部和所述第三子部分别通过过孔连接所述驱动电路板中的像素电路；
所述绝缘层的与所述第一阳极结构、所述第二阳极结构和所述第三阳极结构相接触的表面平齐，所述第二阳极结构、所述第一阳极结构和所述第三阳极结构中的所述中间介电层的厚度依次增大。
在一些实施例中，所述第一阳极结构、所述第二阳极结构和所述第三阳极结构中，所述反射层的第一侧面与所述绝缘层相接触并贴合，所述中间介电层包覆所述反射层的第一侧面以外的所有外侧面，且所述中间介电层的外围边缘区域与所述绝缘层相接触并贴合；
所述透明导电层包覆于整个所述中间介电层的背离所述反射层的外侧，且所述透明导电层的外围边缘区域与所述绝缘层相接触并贴合。
在一些实施例中，所述第一子部、所述第二子部和所述第三子部的背离所述驱动电路板的表面平齐；
所述绝缘层中的第一过孔一端连接所述第一阳极结构中所述透明导电层的与所述绝缘层相接触的部分，另一端连接所述第一子部的背离所述驱动电路板的表面；
所述绝缘层中的第二过孔一端连接所述第二阳极结构中所述透明导电层的与所述绝缘层相接触的部分，另一端连接所述第二子部的背离所述驱动电路板的表面；
所述绝缘层中的第三过孔一端连接所述第三阳极结构中所述透明导电层的与所述绝缘层相接触的部分，另一端连接所述第三子部的背离所述驱动电路板的表面。
在一些实施例中，所述第一阳极结构、所述第二阳极结构和所述第三阳极结构中，所述反射层在所述驱动电路板上的正投影位于与其对应的所述透明导电层在所述驱动电路板上的正投影的范围内。
在一些实施例中，所述第二阳极结构中的所述中间介电层的厚度范围为
Figure BDA0002417245990000021
所述第一阳极结构中的所述中间介电层的厚度范围为
Figure BDA0002417245990000022
Figure BDA0002417245990000031
所述第三阳极结构中的所述中间介电层的厚度范围为
Figure BDA0002417245990000032
在一些实施例中，所述反射层包括第一金属层，所述第一金属层的材料包括铝。
在一些实施例中，所述反射层还包括设置于所述第一金属层背离所述透明导电层一侧的第一保护层。
在一些实施例中，所述第一保护层包括第一子保护层和/或第二子保护层；所述第一子保护层和所述第二子保护层沿远离所述第一金属层的方向依次叠置；
所述第一子保护层的材料包括钛，所述第二子保护层的材料包括氮化钛。
在一些实施例中，所述第一金属层的厚度范围为
Figure BDA0002417245990000033
所述第一保护层的厚度范围为
Figure BDA0002417245990000034
在一些实施例中，所述透明导电层的厚度范围为
Figure BDA0002417245990000035
在一些实施例中，所述第一过孔、所述第二过孔和所述第三过孔中填充有钨。
在一些实施例中，所述第一电极层包括第二金属层，所述第二金属层的材料包括铝。
在一些实施例中，所述第一电极层还包括设置于所述第二金属层背离所述阳极结构一侧的第二保护层。
在一些实施例中，所述第一电极层还包括设置于所述第二金属层靠近所述阳极结构一侧的第三保护层。
在一些实施例中，所述第二保护层包括第一子保护层和/或第二子保护层；所述第三保护层包括第一子保护层和/或第二子保护层；所述第一子保护层和所述第二子保护层沿远离所述第二金属层的方向依次叠置；
所述第一子保护层的材料包括钛，所述第二子保护层的材料包括氮化钛。
在一些实施例中，所述中间介电层采用无机绝缘材料。
在一些实施例中，所述绝缘层采用无机绝缘材料。
在一些实施例中，所述透明导电层采用氧化铟锡材料。
第二方面，本公开实施例提供一种显示面板，其中，包括上述阵列基板，还包括依次设置于所述阵列基板上的发光功能层、阴极层和封装层；
所述发光功能层包括分别设置于所述阵列基板上第一像素区、第二像素区和第三像素区的红色发光功能层、绿色发光功能层和蓝色发光功能层；
所述阴极层延伸覆盖所述红色发光功能层、所述绿色发光功能层和所述蓝色发光功能层。
第三方面，本公开实施例提供一种阵列基板的制备方法，其中，所述阵列基板具有第一像素区、第二像素区和第三像素区，所述制备方法包括：制备驱动电路板；
在驱动电路板上依次制备第一电极层、绝缘层和阳极结构；
其中，制备阳极结构包括分别在阵列基板的第一像素区、第二像素区和第三像素区制备第一阳极结构、第二阳极结构和第三阳极结构，所述绝缘层的与所述第一阳极结构、所述第二阳极结构和所述第三阳极结构相接触的表面平齐，制备所述第一阳极结构、所述第二阳极结构和所述第三阳极结构分别包括依次在所述驱动电路板上制备反射层、中间介电层和透明导电层；
制备第一电极层包括分别在阵列基板的第一像素区、第二像素区和第三像素区制备第一子部、第二子部和第三子部；
制备所述绝缘层包括在其中形成第一过孔、第二过孔和第三过孔；通过开设在所述绝缘层中的第一过孔连接所述第一阳极结构与所述第一子部；通过开设在所述绝缘层中的第二过孔连接所述第二阳极结构与所述第二子部；通过开设在所述绝缘层中的第三过孔连接所述第三阳极结构与所述第三子部；
制备所述中间介电层包括分别在所述第二阳极结构、所述第一阳极结构和所述第三阳极结构中形成厚度依次增大的所述中间介电层。
在一些实施例中，分别在所述第二阳极结构、所述第一阳极结构和所述第三阳极结构中形成厚度依次增大的所述中间介电层包括：
沉积无机绝缘膜层；
涂敷光刻胶；
曝光、显影去除第二像素区、第一像素区和第三像素区以外区域的光刻胶，刻蚀去除第二像素区、第一像素区和第三像素区以外区域的无机绝缘膜层；
曝光、显影去除第二像素区的光刻胶，部分保留第一像素区的光刻胶，完全保留第三像素区的光刻胶，刻蚀减薄第二像素区的无机绝缘膜层；
曝光、显影去除第一像素区的光刻胶，部分去除第三像素区的光刻胶，刻蚀减薄第一像素区的无机绝缘膜层，并进一步刻蚀减薄第二像素区的无机绝缘膜层，形成所述第二阳极结构和所述第一阳极结构中的所述中间介电层的图案；
剥离第三像素区的光刻胶，形成所述第三阳极结构中的所述中间介电层的图案。
附图说明
附图用来提供对本公开实施例的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本公开实施例一起用于解释本公开，并不构成对本公开的限制。通过参考附图对详细示例实施例进行描述，以上和其它特征和优点对本领域技术人员将变得更加显而易见，在附图中：
图1为本公开示意性实施例中一种阵列基板的俯视示意图；
图2为图1中阵列基板沿AA剖切线的结构剖视图；
图3为本公开示意性实施例中各阳极结构中反射层与透明导电层在驱动电路板上的正投影示意图；
图4为本公开示意性实施例中各阳极结构中反射层与透明导电层在驱动电路板上的另一种正投影示意图；
图5为本公开示意性实施例中另一种阵列基板的结构剖视图；
图6为本公开示意性实施例中又一种阵列基板的结构剖视图；
图7为本公开示意性实施例中一种显示面板的结构剖视图。
其中附图标记为：
1、驱动电路板；2、第一电极层；3、绝缘层；31、第一过孔；32、第二过孔；33、第三过孔；4、阳极结构；41、反射层；410、第一金属层；411、第一保护层；412、第四保护层；42、中间介电层；43、透明导电层；101、第一像素区；102、第二像素区；103、第三像素区；201、第一阳极结构；202、第二阳极结构；203、第三阳极结构；21、第一子部；22、第二子部；23、第三子部；301、第二金属层；302、第二保护层；303、第三保护层；10、衬底；11、像素电路；111、有源层；112、栅绝缘层；113、栅极；114、第一层间绝缘层；115、源极；116、漏极；117、第二层间绝缘层；118、引出电极层；5、发光功能层；51、红色发光功能层；52、绿色发光功能层；53、蓝色发光功能层；6、阴极层；7、封装层；8、像素界定层。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本公开实施例的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本公开实施例提供的一种阵列基板及其制备方法和显示面板作进一步详细描述。
在下文中将参考附图更充分地描述本公开实施例，但是所示的实施例可以以不同形式来体现，且不应当被解释为限于本公开阐述的实施例。反之，提供这些实施例的目的在于使本公开透彻和完整，并将使本领域技术人员充分理解本公开的范围。
本公开实施例不限于附图中所示的实施例，而是包括基于制造工艺而形成的配置的修改。因此，附图中例示的区具有示意性属性，并且图中所示区的形状例示了区的具体形状，但并不是旨在限制性的。
针对上述的OLED发光器件中发光功能层的材料的边带振动和跃迁的非均匀展开效应，使得发光器件的发光性能受到影响的问题，本公开的示意性实施例提供一种阵列基板及其制备方法和显示面板。
本公开的一示意性实施例提供一种阵列基板，如图1和图2所示，包括驱动电路板1和依次叠置在驱动电路板1上的第一电极层2、绝缘层3和阳极结构4；阳极结构4包括依次远离驱动电路板1设置的反射层41、中间介电层42和透明导电层43，其中，阵列基板具有第一像素区101、第二像素区102和第三像素区103，阳极结构4包括分别设置于第一像素区101、第二像素区102和第三像素区103的第一阳极结构201、第二阳极结构202和第三阳极结构203；第一电极层2包括分别设置于第一像素区101、第二像素区102和第三像素区103的第一子部21、第二子部22和第三子部23；第一阳极结构201通过开设在绝缘层3中的第一过孔31连接第一子部21，第二阳极结构202通过开设在绝缘层3中的第二过孔32连接第二子部22，第三阳极结构203通过开设在绝缘层3中的第三过孔33连接第三子部23；第一子部21、第二子部22和第三子部23分别通过过孔连接驱动电路板1中的像素电路；绝缘层3的与第一阳极结构201、第二阳极结构202和第三阳极结构203相接触的表面平齐，第二阳极结构202、第一阳极结构201和第三阳极结构203中的中间介电层42的厚度依次增大。
其中，阳极结构4的背离驱动电路板1的一侧用于依次设置发光功能层和阴极层。发光功能层包括红色发光功能层、绿色发光功能层和蓝色发光功能层，红色发光功能层、绿色发光功能层和蓝色发光功能层分别位于第一像素区101、第二像素区102和第三像素区103。第一像素区101内，第一阳极结构201、红色发光功能层和阴极层构成红色发光器件；第二像素区102内，第二阳极结构202、绿色发光功能层和阴极层构成绿色发光器件；第三像素区103内，第三阳极结构203、蓝色发光功能层和阴极层构成蓝色发光器件。
通过使第一阳极结构201、第二阳极结构202和第三阳极结构203设置于绝缘层3的平齐的表面上，并使第二阳极结构202、第一阳极结构201和第三阳极结构203中的中间介电层42的厚度依次增大，能够通过调节中间介电层42的厚度，调节不同颜色发光器件的微腔长度，从而改变不同颜色发光器件的发光光谱半波宽，其中，微腔长度越大，发光光谱半波宽越窄，基于此，可使蓝色发光器件的微腔长度最大，其次是红光，最后是绿光，进而改善不同颜色发光器件的半波宽较大、边带振动和跃迁的非均匀展开效应对发光器件发光性能的影响；提高了不同颜色发光器件的发光性能，使不同颜色发光器件发出的光更加均匀，提高了采用该阵列基板的显示面板的显示质量。
可选地，第一阳极结构201、第二阳极结构202和第三阳极结构203中，反射层41的第一侧面与绝缘层3相接触并贴合，中间介电层42包覆反射层41的第一侧面以外的所有外侧面，且中间介电层42的外围边缘区域与绝缘层3相接触并贴合；透明导电层43包覆于整个中间介电层42的背离反射层41的外侧，且透明导电层43的外围边缘区域与绝缘层3相接触并贴合。
进一步可选地，第一子部21、第二子部22和第三子部23的背离驱动电路板1的表面平齐；绝缘层3中的第一过孔31一端连接第一阳极结构201中透明导电层43的与绝缘层3相接触的部分，另一端连接第一子部21的背离驱动电路板1的表面；绝缘层3中的第二过孔32一端连接第二阳极结构202中透明导电层43的与绝缘层3相接触的部分，另一端连接第二子部22的背离驱动电路板1的表面；绝缘层3中的第三过孔33一端连接第三阳极结构203中透明导电层43的与绝缘层3相接触的部分，另一端连接第三子部23的背离驱动电路板1的表面。目前的公开技术中，包括第一子部、第二子部和第三子部的第一电极层设计为通过绝缘层中的开孔与阳极结构中的反射层连接，然后反射层再通过开设在中间介电层中的过孔与透明导电层连接，由于不同颜色子像素区的中间介电层厚度不同，导致中间介电层中开设过孔的工艺复杂且困难。本实施例中的上述结构设置，使得绝缘层3中第一过孔31、第二过孔32和第三过孔33的开孔深度相同，从而简化了第一过孔31、第二过孔32和第三过孔33的制备工艺复杂度，降低了第一过孔31、第二过孔32和第三过孔33的制备难度。
可选地，本实施例中，第二阳极结构202中的中间介电层42的厚度范围为
Figure BDA0002417245990000081
第一阳极结构201中的中间介电层42的厚度范围为
Figure BDA0002417245990000082
第三阳极结构203中的中间介电层42的厚度范围为
Figure BDA0002417245990000083
可选地，中间介电层42采用无机绝缘材料。如氧化硅、氮化硅等。无机绝缘材料防水汽、氧气穿透的效果更好，从而能对发光器件形成更好的防水汽、氧气入侵的保护。另外，中间介电层42也可以采用有机绝缘材料。
可选地，绝缘层3采用无机绝缘材料。如氧化硅、氮化硅等。无机绝缘材料防水汽、氧气穿透的效果更好，从而能对发光器件形成更好的防水汽、氧气入侵的保护。另外，绝缘层3也可以采用有机绝缘材料。
在一些实施例中，如图3所示，第一阳极结构、第二阳极结构和第三阳极结构中，反射层41在驱动电路板1上的正投影位于与其对应的透明导电层43在驱动电路板1上的正投影的范围内。如此，发光功能层朝向驱动电路板1一侧发出的光即可被与透明导电层43对应的反射层41反射。同时，阴极层为透光层，发光功能层朝向阴极层一侧发出的光被透射，从而实现顶发射型的发光器件。
在一些实施例中，反射层41在驱动电路板1上的正投影位于与其对应的透明导电层43在驱动电路板1上的正投影的范围内，包括：反射层41在驱动电路板1上的正投影，恰好和与其对应的透明导电层43在驱动电路板1上的正投影完全重叠；或者，反射层41在驱动电路板1上的正投影位于与其对应的透明导电层43在驱动电路板1上的正投影的范围内，且反射层41在驱动电路板1上的正投影的面积小于与其对应的透明导电层43在驱动电路板1上的正投影的面积。
在一些实施例中，不对第一阳极结构、第二阳极结构和第三阳极结构中反射层41和透明导电层43的形状进行限定，以实际设计为准。其中，反射层41和与其对应的透明导电层43在驱动电路板1上的正投影的形状可以相同，也可以不相同。
可选的，如图3所示，第一阳极结构、第二阳极结构和第三阳极结构中反射层41和透明导电层43的形状均为矩形；或者，如图4所示，第一阳极结构、第二阳极结构和第三阳极结构中反射层41和透明导电层的形状均为六边形。
进一步可选地，反射层41包括第一金属层410，第一金属层410的材料包括铝。由于铝对光线的反射率非常高，因此，第一金属层410的材料包括铝，可以在不改变电流的情况下，提高显示亮度。
在一些实施例中，反射层41还包括设置于第一金属层410背离透明导电层43一侧的第一保护层411。
在一些实施例中，不对第一保护层411的材料进行限定，只要第一保护层411可以用于保护第一金属层410，防止第一金属层410被氧化即可。
在一些实施例中，第一金属层410的厚度范围为
Figure BDA0002417245990000101
第一保护层411的厚度范围为
Figure BDA0002417245990000102
在一些实施例中，第一保护层411包括第一子保护层和/或第二子保护层；第一子保护层和第二子保护层沿远离第一金属层410的方向依次叠置；第一子保护层的材料包括钛，第二子保护层的材料包括氮化钛。通过在第一金属层410背离透明导电层43一侧设置第一保护层411，可防止水汽、氧气从第一金属层410背离透明导电层43一侧进入到第一金属层410中，从而避免第一金属层410被氧化。
可选的，如图5所示，反射层41还可以包括设置于第一金属层410靠近透明导电层43一侧的第四保护层412。其中，第四保护层412包括第一子保护层和/或第二子保护层，第一子保护层和第二子保护层沿远离第一金属层410的方向依次叠置。其中，第一子保护层的材料包括钛，第二子保护层的材料包括氮化钛。
在一些实施例中，不对第四保护层412的厚度进行限定，以实际设计为准。示例的，第四保护层412的厚度可以为0～200nm。通过在第一金属层410靠近透明导电层43一侧设置第四保护层412，可防止水汽、氧气从第一金属层410靠近透明导电层43一侧进入到第一金属层410中，从而避免第一金属层410被氧化。
在一些实施例中，透明导电层43的厚度范围为
Figure BDA0002417245990000103
透明导电层43的材料可以是氧化物透明导电材料。示例的，透明导电层43的材料可以是氧化铟锡(Indium TinOxides，简称ITO)。
在一些实施例中，第一过孔31、第二过孔32和第三过孔33中填充有钨。由于钨对铝的接触电阻无影响，因此，可在过孔中填充钨，通过过孔中的钨使得第一电极层2的第一子部21、第二子部22和第三子部23分别对应与第一阳极结构201、第二阳极结构202和第三阳极结构203的透明导电层43电连接。
在一些实施例中，过孔在驱动电路板1上的正投影可以为圆形，圆形的直径大于0nm、且小于等于500nm。不对过孔的尺寸和形状进行限定，只要第一电极层2可以与其对应的阳极结构4中的透明导电层43充分电连接即可。
在一些实施例中，如图2所示，第一电极层2包括第二金属层301，第二金属层301的材料包括铝。铝的重量轻，导电性能较好，能够很好的提升第一电极层2的导电性能。
在一些实施例中，第一电极层2还包括设置于第二金属层301背离阳极结构4一侧的第二保护层302。进一步可选地，第一电极层2还包括设置于第二金属层301靠近阳极结构4一侧的第三保护层303。
在一些实施例中，第二保护层302包括第一子保护层和/或第二子保护层；第三保护层303包括第一子保护层和/或第二子保护层；第一子保护层和第二子保护层沿远离第二金属层301的方向依次叠置；第一子保护层的材料包括钛，第二子保护层的材料包括氮化钛。
通过在第二金属层301背离阳极结构4的一侧设置第二保护层302，可防止水汽、氧气从第二金属层301背离阳极结构4一侧进入到第二金属层301中，从而避免第二金属层301被氧化。通过在第二金属层301靠近阳极结构4一侧设置第三保护层303，可防止水汽、氧气从第二金属层301靠近阳极结构4一侧进入到第二金属层301中，从而避免第二金属层301被氧化。
另外，在一些实施例中，如图6所示，驱动电路板1包括衬底10和设置于衬底10与第一电极层2之间的像素电路11，像素电路11用于驱动发光器件发光。像素电路11至少包括开关晶体管、驱动晶体管、存储电容。
此处，以2T1C的像素电路为例，像素电路至少包括一个开关晶体管、一个驱动晶体管、一个存储电容。开关晶体管的源极与数据信号端连接、漏极与驱动晶体管的栅极113和存储电容的一端连接。驱动晶体管的源极115与VDD信号线或信号端子连接、漏极116与存储电容的另一端和第一电极层2连接，第一电极层2和阳极结构4的透明导电层43连接。发光器件的阴极层与VSS信号线或信号端子连接。
开关晶体管和驱动晶体管可以是底栅型硅基晶体管、顶栅型硅基晶体管、双栅型硅基晶体管中的一种。
以顶栅型硅基晶体管为例，衬底10为硅基片；开关晶体管和驱动晶体管包括作为硅基片一部分的有源层111、位于有源层111相对两端的源极115和漏极116、栅绝缘层112、栅极113、第一层间绝缘层114、引出电极层118和第二层间绝缘层117。引出电极层118包括间隔设置的多个子部，各子部分别与源极115、栅极113、漏极116通过钨孔连接，以便为源极115、栅极113引入信号，并引出漏极116上输出的信号。另外，连接漏极116的子部还与第一电极层2的各子部通过钨孔连接，以便为各阳极结构提供驱动信号。
其中，栅极113采用多晶硅材料；有源层111为硅基片通过掺杂形成；源极115和漏极116为硅基片通过重掺杂形成；栅绝缘层112、第一层间绝缘层114和第二层间绝缘层117均采用氧化硅、氮氧化硅或氮化硅材料。
在一些实施例中，不对衬底10的材料进行限定，示例的，衬底10的材料也可以是聚酰亚胺、玻璃等。另外，开关晶体管和驱动晶体管也可以是薄膜晶体管。
该示意性实施例中所提供的阵列基板，通过使第一阳极结构、第二阳极结构和第三阳极结构设置于绝缘层的平齐的表面上，并使第二阳极结构、第一阳极结构和第三阳极结构中的中间介电层的厚度依次增大，能够通过调节中间介电层的厚度，调节不同颜色发光器件的微腔长度，从而改变不同颜色发光器件的发光光谱半波宽，其中，微腔长度越大，发光光谱半波宽越窄，基于此，可使蓝色发光器件的微腔长度最大，其次是红光，最后是绿光，进而改善不同颜色发光器件的半波宽较大、边带振动和跃迁的非均匀展开效应对发光器件发光性能的影响；提高了不同颜色发光器件的发光性能，使不同颜色发光器件发出的光更加均匀，提高了采用该阵列基板的显示面板的显示质量。
基于上述示意性实施例中阵列基板的结构，本公开的另一示意性实施例提供一种该阵列基板的制备方法，其中，阵列基板具有第一像素区、第二像素区和第三像素区，制备方法包括：制备驱动电路板。
在驱动电路板上依次制备第一电极层、绝缘层和阳极结构。
其中，制备阳极结构包括分别在阵列基板的第一像素区、第二像素区和第三像素区制备第一阳极结构、第二阳极结构和第三阳极结构，绝缘层的与第一阳极结构、第二阳极结构和第三阳极结构相接触的表面平齐，制备第一阳极结构、第二阳极结构和第三阳极结构分别包括依次在驱动电路板上制备反射层、中间介电层和透明导电层。
制备第一电极层包括分别在阵列基板的第一像素区、第二像素区和第三像素区制备第一子部、第二子部和第三子部。
制备绝缘层包括在其中形成第一过孔、第二过孔和第三过孔；通过开设在绝缘层中的第一过孔连接第一阳极结构与第一子部；通过开设在绝缘层中的第二过孔连接第二阳极结构与第二子部；通过开设在绝缘层中的第三过孔连接第三阳极结构与第三子部。
制备中间介电层包括分别在第二阳极结构、第一阳极结构和第三阳极结构中形成厚度依次增大的中间介电层。
在一些实施例中，分别在第二阳极结构、第一阳极结构和第三阳极结构中形成厚度依次增大的中间介电层包括：
步骤S1：沉积无机绝缘膜层。
步骤S2：涂敷光刻胶。
步骤S3：曝光、显影去除第二像素区、第一像素区和第三像素区以外区域的光刻胶，刻蚀去除第二像素区、第一像素区和第三像素区以外区域的无机绝缘膜层。
步骤S4：曝光、显影去除第二像素区的光刻胶，部分保留第一像素区的光刻胶，完全保留第三像素区的光刻胶，刻蚀减薄第二像素区的无机绝缘膜层。
步骤S5：曝光、显影去除第一像素区的光刻胶，部分去除第三像素区的光刻胶，刻蚀减薄第一像素区的无机绝缘膜层，并进一步刻蚀减薄第二像素区的无机绝缘膜层，形成第二阳极结构和第一阳极结构中的中间介电层的图案。
步骤S6：剥离第三像素区的光刻胶，形成第三阳极结构中的中间介电层的图案。
在一些实施例中，中间介电层采用感光的有机绝缘材料，通过膜层涂布、曝光、显影的方法即可形成第二阳极结构、第一阳极结构和第三阳极结构中厚度依次增大的中间介电层。
在一些实施例中，绝缘层采用无机绝缘材料时，绝缘层及其中的第一过孔、第二过孔和第三过孔可以通过沉积、曝光、显影、刻蚀的工艺方法制备；绝缘层采用感光的有机绝缘层材料时，绝缘层及其中的第一过孔、第二过孔和第三过孔可以通过膜层涂布、曝光、显影的工艺方法制备。
在一些实施例中，驱动电路板中硅基晶体管的有源层、源极和漏极采用掺杂工艺制备，硅基晶体管的栅极采用准分子激光退火的方法将非晶硅材质的栅极转换为多晶硅材质的栅极。驱动电路板中硅基晶体管的其他膜层以及存储电容的各膜层采用传统构图工艺(包括成膜、光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀等工艺步骤)制备。驱动电路板中薄膜晶体管的各膜层均采用传统的构图工艺(包括成膜、光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀等工艺步骤)制备，这里不再赘述。
在一些实施例中，第一电极层中的各膜层、阳极结构中的反射层和透明导电层、阴极层的制备均采用传统的构图工艺(包括成膜、光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀等工艺步骤)，这里不再赘述。
在一些实施例中，发光功能层采用蒸镀的工艺方法制备。这里不再赘述。
本公开的另一示意性实施例提供一种显示面板，其中，如图7所示，包括上述实施例中的阵列基板，还包括依次设置于阵列基板上的发光功能层5、阴极层6和封装层7；发光功能层5包括分别设置于阵列基板上第一像素区、第二像素区和第三像素区的红色发光功能层51、绿色发光功能层52和蓝色发光功能层53；阴极层6延伸覆盖红色发光功能层51、绿色发光功能层52和蓝色发光功能层53。
其中，第一像素区内，第一阳极结构201、红色发光功能层51和阴极层6构成红色发光器件；第二像素区内，第二阳极结构202、绿色发光功能层52和阴极层6构成绿色发光器件；第三像素区内，第三阳极结构203、蓝色发光功能层53和阴极层6构成蓝色发光器件。
在一些实施例中，在红色发光器件、绿色发光器件、蓝色发光器件之间还设置有像素界定层8，像素界定层8能够防止不同颜色发光器件之间的光线串扰，提升显示面板的显示效果。
本示意性实施例中所提供的显示面板，通过采用上述实施例中的阵列基板，能够提高不同颜色发光器件的发光性能，使不同颜色发光器件发出的光更加均匀，从而提高该显示面板的显示质量；同时，通过采用上述实施例中的阵列基板，还能简化该显示面板的制备工艺复杂度，并降低该显示面板的制备难度。
本公开示意性实施例所提供的显示面板可以为OLED面板、OLED电视、显示器、手机、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本公开的原理而采用的示例性实施方式，然而本公开并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本公开的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本公开的保护范围。

Claims (20)

1.一种阵列基板，包括驱动电路板和依次叠置在所述驱动电路板上的第一电极层、绝缘层和阳极结构；所述阳极结构包括依次远离所述驱动电路板设置的反射层、中间介电层和透明导电层，其中，
所述阵列基板具有第一像素区、第二像素区和第三像素区，所述阳极结构包括分别设置于所述第一像素区、所述第二像素区和所述第三像素区的第一阳极结构、第二阳极结构和第三阳极结构；所述第一电极层包括分别设置于所述第一像素区、所述第二像素区和所述第三像素区的第一子部、第二子部和第三子部；所述第一阳极结构通过开设在所述绝缘层中的第一过孔连接所述第一子部，所述第二阳极结构通过开设在所述绝缘层中的第二过孔连接所述第二子部，所述第三阳极结构通过开设在所述绝缘层中的第三过孔连接所述第三子部；所述第一子部、所述第二子部和所述第三子部分别通过过孔连接所述驱动电路板中的像素电路；
所述绝缘层的与所述第一阳极结构、所述第二阳极结构和所述第三阳极结构相接触的表面平齐，所述第二阳极结构、所述第一阳极结构和所述第三阳极结构中的所述中间介电层的厚度依次增大；
所述透明导电层包覆于整个所述中间介电层的背离所述反射层的外侧，且所述透明导电层的外围边缘区域与所述绝缘层相接触并贴合；
所述第一子部、所述第二子部和所述第三子部的背离所述驱动电路板的表面平齐；
所述绝缘层中的第一过孔一端连接所述第一阳极结构中所述透明导电层的与所述绝缘层相接触的部分，另一端连接所述第一子部的背离所述驱动电路板的表面；
所述绝缘层中的第二过孔一端连接所述第二阳极结构中所述透明导电层的与所述绝缘层相接触的部分，另一端连接所述第二子部的背离所述驱动电路板的表面；
所述绝缘层中的第三过孔一端连接所述第三阳极结构中所述透明导电层的与所述绝缘层相接触的部分，另一端连接所述第三子部的背离所述驱动电路板的表面。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述第一阳极结构、所述第二阳极结构和所述第三阳极结构中，所述反射层的第一侧面与所述绝缘层相接触并贴合，所述中间介电层包覆所述反射层的第一侧面以外的所有外侧面，且所述中间介电层的外围边缘区域与所述绝缘层相接触并贴合。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述第一阳极结构、所述第二阳极结构和所述第三阳极结构中，所述反射层在所述驱动电路板上的正投影位于与其对应的所述透明导电层在所述驱动电路板上的正投影的范围内。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述第二阳极结构中的所述中间介电层的厚度范围为
Figure FDA0004057607520000021
所述第一阳极结构中的所述中间介电层的厚度范围为
Figure FDA0004057607520000022
所述第三阳极结构中的所述中间介电层的厚度范围为
Figure FDA0004057607520000023
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述反射层包括第一金属层，所述第一金属层的材料包括铝。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其中，所述反射层还包括设置于所述第一金属层背离所述透明导电层一侧的第一保护层。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其中，所述第一保护层包括第一子保护层和/或第二子保护层；所述第一子保护层和所述第二子保护层沿远离所述第一金属层的方向依次叠置；
所述第一子保护层的材料包括钛，所述第二子保护层的材料包括氮化钛。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其中，所述第一金属层的厚度范围为
Figure FDA0004057607520000031
所述第一保护层的厚度范围为
Figure FDA0004057607520000032
9.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述透明导电层的厚度范围为
Figure FDA0004057607520000033
10.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述第一过孔、所述第二过孔和所述第三过孔中填充有钨。
11.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述第一电极层包括第二金属层，所述第二金属层的材料包括铝。
12.根据权利要求11所述的阵列基板，其中，所述第一电极层还包括设置于所述第二金属层背离所述阳极结构一侧的第二保护层。
13.根据权利要求12所述的阵列基板，其中，所述第一电极层还包括设置于所述第二金属层靠近所述阳极结构一侧的第三保护层。
14.根据权利要求13所述的阵列基板，其中，所述第二保护层包括第一子保护层和/或第二子保护层；所述第三保护层包括第一子保护层和/或第二子保护层；所述第一子保护层和所述第二子保护层沿远离所述第二金属层的方向依次叠置；
所述第一子保护层的材料包括钛，所述第二子保护层的材料包括氮化钛。
15.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述中间介电层采用无机绝缘材料。
16.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述绝缘层采用无机绝缘材料。
17.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述透明导电层采用氧化铟锡材料。
18.一种显示面板，其中，包括权利要求1-17任意一项所述的阵列基板，还包括依次设置于所述阵列基板上的发光功能层、阴极层和封装层；
所述发光功能层包括分别设置于所述阵列基板上第一像素区、第二像素区和第三像素区的红色发光功能层、绿色发光功能层和蓝色发光功能层；
所述阴极层延伸覆盖所述红色发光功能层、所述绿色发光功能层和所述蓝色发光功能层。
19.一种如权利要求1-17任意一项所述的阵列基板的制备方法，其中，所述阵列基板具有第一像素区、第二像素区和第三像素区，所述制备方法包括：制备驱动电路板；
在驱动电路板上依次制备第一电极层、绝缘层和阳极结构；
其中，制备阳极结构包括分别在阵列基板的第一像素区、第二像素区和第三像素区制备第一阳极结构、第二阳极结构和第三阳极结构，所述绝缘层的与所述第一阳极结构、所述第二阳极结构和所述第三阳极结构相接触的表面平齐，制备所述第一阳极结构、所述第二阳极结构和所述第三阳极结构分别包括依次在所述驱动电路板上制备反射层、中间介电层和透明导电层；
制备第一电极层包括分别在阵列基板的第一像素区、第二像素区和第三像素区制备第一子部、第二子部和第三子部；
制备所述绝缘层包括在其中形成第一过孔、第二过孔和第三过孔；通过开设在所述绝缘层中的第一过孔连接所述第一阳极结构与所述第一子部；通过开设在所述绝缘层中的第二过孔连接所述第二阳极结构与所述第二子部；通过开设在所述绝缘层中的第三过孔连接所述第三阳极结构与所述第三子部；
制备所述中间介电层包括分别在所述第二阳极结构、所述第一阳极结构和所述第三阳极结构中形成厚度依次增大的所述中间介电层。
20.根据权利要求19所述的阵列基板的制备方法，其中，分别在所述第二阳极结构、所述第一阳极结构和所述第三阳极结构中形成厚度依次增大的所述中间介电层包括：
沉积无机绝缘膜层；
涂敷光刻胶；
曝光、显影去除第二像素区、第一像素区和第三像素区以外区域的光刻胶，刻蚀去除第二像素区、第一像素区和第三像素区以外区域的无机绝缘膜层；
曝光、显影去除第二像素区的光刻胶，部分保留第一像素区的光刻胶，完全保留第三像素区的光刻胶，刻蚀减薄第二像素区的无机绝缘膜层；
曝光、显影去除第一像素区的光刻胶，部分去除第三像素区的光刻胶，刻蚀减薄第一像素区的无机绝缘膜层，并进一步刻蚀减薄第二像素区的无机绝缘膜层，形成所述第二阳极结构和所述第一阳极结构中的所述中间介电层的图案；
剥离第三像素区的光刻胶，形成所述第三阳极结构中的所述中间介电层的图案。
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