CN116568099B - 阵列基板及其制备方法，显示面板 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种阵列基板及其制备方法，显示面板，阵列基板包括薄膜晶体管、依次层叠设置于薄膜晶体管的第一导电层、反射层、第二导电层和半导体层，薄膜晶体管包括第一区域和第二区域，第一导电层、反射层和第二导电层位于第一区域和第二区域，半导体层位于第一区域，位于第一区域的第一导电层、反射层、第二导电层和半导体层配合形成第一阳极结构，第一阳极结构用于与第一发光层连接，第一发光层的发光颜色为蓝色，位于第二区域的第一导电层、反射层和第二导电层配合形成第二阳极结构，第一阳极结构的厚度大于第二阳极结构的厚度。本申请的技术方案能够解决OLED显示器出现暗点的问题。
Description
技术领域
本申请涉及显示领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)因为具备轻薄、省电等特性在电子设备中被广泛应用。相比于传统的液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)，OLED显示器的发光效率更高，且其抗震性能也更好。但是OLED显示器目前在显示过程中容易出现暗点，导致OLED显示器的显示效果不佳。
发明内容
本申请的实施例提供一种阵列基板及制备方法，显示面板，能够解决OLED显示器出现暗点的问题。
第一方面，本申请提供一种阵列基板，包括：
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括第一区域和第二区域，所述第一区域和所述第二区域相邻设置；
依次层叠设置于所述薄膜晶体管的第一导电层、反射层、第二导电层和半导体层，所述第一导电层、所述反射层和所述第二导电层位于所述第一区域和所述第二区域，所述半导体层位于所述第一区域；
位于所述第一区域的所述第一导电层、位于所述第一区域的所述反射层、位于所述第一区域的所述第二导电层和位于所述第一区域的所述半导体层配合形成第一阳极结构，所述第一阳极结构用于与第一发光层连接，所述第一发光层的发光颜色为蓝色；及
位于所述第二区域的所述第一导电层、位于所述第二区域的所述反射层和位于所述第二区域的所述第二导电层配合形成第二阳极结构，所述第二阳极结构与所述第一阳极结构间隔设置，所述第二阳极结构用于与第二发光层连接，所述第二发光层与所述第一发光层的发光颜色不同；
所述第一阳极结构的厚度大于所述第二阳极结构的厚度。
可以理解的是，本申请通过在第一阳极结构中增加半导体层，可以增加第一发光层与第一阳极结构的距离，从而使第一发光层所在的子像素的微腔结构的腔体长度增加，降低第一导电层和第二导电层与阴极结构之间短路的可能，提高背光模组的工作稳定性，避免背光模组由于短路而无法发光。
一种可能的实施方式中，所述半导体层的厚度在500A-800A之间。
一种可能的实施方式中，所述半导体层的材料为氧化钨或者氧化铟锌。
一种可能的实施方式中，所述第一导电层的厚度在200A-1000A之间。
一种可能的实施方式中，所述第二导电层的厚度在50A-200A之间。
一种可能的实施方式中，所述薄膜晶体管还包括第三区域，所述第三区域与所述第一区域和所述第二区域间隔设置，所述第一导电层、所述反射层和所述第二导电层还位于所述第三区域；
位于所述第三区域的所述第一导电层、位于所述第三区域的所述反射层和位于所述第三区域的所述第二导电层配合形成第三阳极结构，所述第三阳极结构与所述第一阳极结构、第二阳极结构均间隔设置，所述第三阳极结构用于与第三发光层电连接，所述第三发光层与所述第一发光层、所述第二发光层的发光颜色均不同。
第二方面，本申请提供一种显示面板，包括第一发光层、第二发光层、第三发光层和如上所述的阵列基板，所述第一发光层连接于所述第一阳极结构的半导体层，所述第二发光层连接于所述第二阳极结构的第二导电层，所述第三发光层连接于第三阳极结构的第二导电层。
一种可能的实施方式中，还包括第一阴极层和第二阴极层，所述第一阴极层设于所述第一发光层背离所述半导体层的一侧，所述第一阴极层与所述第一阳极结构的反射层之间的距离为第一距离，所述第二阴极层设于所述第二发光层背离所述第二导电层的一侧，所述第二阴极层与所述第二阳极结构的反射层之间的距离为第二距离，所述第一距离与所述第二距离不同。
第三方面，本申请提供一种阵列基板的制备方法，包括：
提供薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括第一区域和第二区域，所述第一区域和所述第二区域相邻设置；
在所述薄膜晶体管表面依次形成初始第一导电层、初始反射层、初始第二导电层和初始半导体层；及
对所述初始第一导电层、所述初始反射层、所述初始第二导电层和所述初始半导体层进行图案化，以形成依次层叠设置的第一导电层、反射层、第二导电层和半导体层，所述第一导电层、所述反射层和所述第二导电层位于所述第一区域和所述第二区域，所述半导体层位于所述第一区域，位于所述第一区域的所述第一导电层、所述反射层、所述第二导电层和所述半导体层形成第一阳极结构，位于所述第二区域的所述第一导电层、所述反射层和所述第二导电层形成第二阳极结构。
一种可能的实施方式中，所述在所述薄膜晶体管表面依次形成初始第一导电层、初始反射层、初始第二导电层和初始半导体层包括：
在所述薄膜晶体管表面形成初始第一导电层；
在所述初始第一导电层背离所述薄膜晶体管表面形成初始反射层；
在所述初始反射层背离所述初始第一导电层表面形成初始第二导电层；及
在所述初始第二导电层背离所述初始反射层表面形成初始半导体层。
附图说明
为了更清楚地说明本申请的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以如这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的显示面板；
图2是图1所示的薄膜晶体管和阳极结构配合的结构示意图；
图3是图2所示的薄膜晶体管和第一阳极结构、第二阳极结构和第三阳极结构配合的结构示意图；
图4是本申请实施例提供的阵列基板的制备方法的流程图；
图5是阵列基板的制备方法中S200的步骤二后形成的组件剖面示意图；
图6是阵列基板的制备方法中S200的步骤三后形成的组件剖面示意图；
图7是阵列基板的制备方法中S200的步骤四后形成的组件剖面示意图。
附图标记：显示面板1000、薄膜晶体管100、子像素200、基板110、遮光层120、缓冲层130、沟道层140、绝缘层150、栅极160、保护层170、源极180、漏极190、钝化层1010、平坦层1020、第一过孔101、第二过孔102、第三过孔103、第四过孔104、第一区域1001、第二区域1002、第三区域1003、阳极结构2001、发光层2002、阴极结构2003、第一发光层212、第二发光层222、第三发光层232、第一子像素210、第二子像素220、第三子像素230、第一阳极结构211、第一阴极层213、第一阳极结构211的第一导电层2111、第一阳极结构211的反射层2112、第一阳极结构211的第二导电层2113、半导体层2114、第二阳极结构221、第二阴极层223、第二阳极结构221的第一导电层2211、第二阳极结构221的反射层2212、第二阳极结构221的第二导电层2213、第三阳极结构231、第三阴极层233、第三阳极结构231的第一导电层2311、第三阳极结构231的反射层2312、第三阳极结构231的第二导电层2313、初始第一导电层2011、初始反射层2012、初始第二导电层2013、初始半导体层2014、光阻层300、半色调掩膜版400、全透区410、半透区420、不透区430。
具体实施方式
为了方便理解，首先对本申请的实施例所涉及的术语进行解释。
和/或：仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。
多个：是指两个或多于两个。
连接：应做广义理解，例如，A与B连接，可以是A与B直接相连，也可以是A与B通过中间媒介间接相连。
下面将结合附图，对本申请的具体实施方式进行清楚地描述。
请参阅图1，图1是本申请实施例提供的显示面板1000。本申请提供一种显示面板1000。显示面板1000包括薄膜晶体管100和多个子像素200。多个子像素200阵列排布于薄膜晶体管100的一侧，且多个子像素200与薄膜晶体管100电连接。薄膜晶体管100可以控制子像素200发光。
其中，显示面板1000可以为但不限于手机(cellphone)、笔记本电脑(notebookcomputer)、平板电脑(tablet personal computer)、膝上型电脑(laptop computer)、个人数字助理(personal digital assistant)、可穿戴式设备(wearable device)或车载设备(mobile device)等电子设备。
需要说明的是，薄膜晶体管100可以单独驱动多个子像素200。或者，薄膜晶体管100可以对多个子像素200同时驱动，从而显示图像。示例性的，本申请提供的薄膜晶体管100可以是双栅结构的薄膜晶体管、底栅结构的薄膜晶体管或者顶栅结构的薄膜晶体管。下文将以顶栅结构的薄膜晶体管100为例进行说明。
请参阅图2，图2是图1所示的薄膜晶体管100和阳极结构2001配合的结构示意图。薄膜晶体管100包括基板110、遮光层120、缓冲层130、沟道层140、绝缘层150、栅极160、保护层170、源极180、漏极190、钝化层1010和平坦层1020。
需说明的是，图2的目的仅在于示意性的描述基板110、遮光层120、缓冲层130、沟道层140、绝缘层150、栅极160、保护层170、源极180、漏极190、钝化层1010和平坦层1020的连接关系，并非是对各个设备的连接位置、具体构造及数量做具体限定。而本申请实施例示意的结构并不构成对薄膜晶体管100的具体限定。在本申请另一些实施例中，薄膜晶体管100包括比图2所示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者拆分某些部件，或者不同的部件布置。图2所示的部件可以以硬件，软件或软件和硬件的组合实现。
薄膜晶体管100的基板110可以为玻璃基板、蓝宝石基板或者硅晶片基板。或者基板可以为柔性基板，柔性基板可以采用下述材料中的任意一种或多种制成：聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene terephthalate，PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylene naphthalate two formic acid glycol estr，PEN)、环烯烃聚合物(Cyclo-olefinpolymer，COP)、聚碳酸酯(Polycarbonate，PC)、聚苯乙烯(Polystyrene，PS)、聚丙烯(Polypropylene，PP)、聚四氟乙烯(Polytetrafluoroethylene，PTFE)。在其他实现方式中，基板110也可以选用陶瓷基板等，本申请对此不做限制。
遮光层120连接于基板110表面。可以理解的是，目前，薄膜晶体管100中的沟道层140在照光后，会发生光退化，导致沟道层140的表面缺陷增加。而沟道层140存在缺陷会致使源极180与漏极190之间无法正常导通，影响薄膜晶体管100整体的工作稳定性，进而导致显示面板1000显示异常。遮光层120可以保护沟道层140不受外界光照影响，从而使沟道层140的寿命延长。
缓冲层130可以连接于基板110的表面，且缓冲层130覆盖遮光层120。缓冲层130可以为单层结构，单层结构的材料可以为氮化硅或者氧化硅。或者，缓冲层130可以为多层结构，多层结构为氮化硅和氧化硅依次层叠。
沟道层140连接于缓冲层130背离基板110的一侧。沟道层140朝向基板110的正投影可以覆盖部分遮光层120。沟道层140的材料可以为金属氧化物，例如铟镓锡氧化物(IGZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟镓锌锡氧化物(IGZTO)等。
绝缘层150连接于沟道层140背离缓冲层130的一侧。绝缘层150朝向基板110一侧的正投影可以覆盖沟道层140的中间区域。绝缘层150可以为单层结构，单层结构的材料可以为氧化硅或者氮氧化硅。或者，缓冲层130可以为多层结构，多层结构为氧化硅和氮氧化硅的层叠结构。
栅极160连接于绝缘层150背离沟道层140的一侧。栅极160的材料可以金属钼、钛、铜等中的一种或是其合金。
保护层170连接于缓冲层130背离基板110的一侧。保护层170覆盖沟道层140、绝缘层150和栅极160。保护层170可以为单层结构，单层结构的材料可以为氧化硅或者氮化硅。或者，保护层170可以为多层结构，多层结构为氧化硅和氮化硅的层叠结构。
可以理解的是，保护层170还可以避免氧气、水汽或者光线直接接触到沟道层140、绝缘层150和栅极160等组件，避免沟道层140、绝缘层150和栅极160受外界侵蚀老化。
薄膜晶体管100还设有间隔设置的第一过孔101、第二过孔102和第三过孔103。第一过孔101、第二过孔102和第三过孔103均由保护层170背离缓冲层130的表面朝向基板110的方向延伸。具体而言，第一过孔101和第二过孔102均贯穿保护层170，且均由保护层170表面向沟道层140延伸。第一过孔101和第二过孔102分别位于绝缘层150的相对两端。第三过孔103贯穿保护层170和缓冲层130。第三过孔103由保护层170表面向遮光层120延伸。源极180设于保护层170背离缓冲层130的一侧。源极180通过第一过孔101与沟道层140电连接。漏极190设于保护层170背离缓冲层130的一侧。漏极190通过第二过孔102与沟道层140电连接，且通过第三过孔103与遮光层120电连接。漏极190与源极180间隔设置。源极180的材料和漏极190的材料可以金属钼、钛、铜、锰等中的一种或是其合金。
钝化层1010连接于保护层170背离绝缘层150的一侧。钝化层1010覆盖源极180和漏极190。钝化层1010可以为单层结构，单层结构的材料可以为氮化硅或者氧化硅。或者，钝化层1010可以为多层结构，多层结构为氮化硅和氧化硅依次层叠。
平坦层1020连接于钝化层1010背离保护层170的一侧。可以理解的是，平坦层1020可以用于封装薄膜晶体管100的结构，并使薄膜晶体管100表面平坦化，使薄膜晶体管100便于与子像素200连接。
薄膜晶体管100还设有第四过孔104。第四过孔104贯穿平坦层1020和钝化层1010。第四过孔104由平坦层1020背离钝化层1010的表面向漏极190延伸。
可以理解的是，图2所示的薄膜晶体管100的结构有多个。多个薄膜晶体管100的结构阵列排布。每一薄膜晶体管100可以与一个子像素200对应。一个薄膜晶体管100结构可以控制一个子像素200的发光。请再参阅图1，薄膜晶体管100还包括阵列设置的多个第一区域1001、多个第二区域1002和多个第三区域1003。第一区域1001、第二区域1002和第三区域1003间隔设置。一个第一区域1001、一个第二区域1002和一个第三区域1003可以交替循环排列。
请结合参阅图2和图3，图3是图2所示的薄膜晶体管100和第一阳极结构211、第二阳极结构221和第三阳极结构231配合的结构示意图。本申请提供的子像素200可以为有机发光半导体(Organic Light-Emitting Diode，OLED)。每个子像素200均包括一个阳极结构2001(也即为下文所述的第一阳极结构211、第二阳极结构221或第三阳极结构231)、一个发光层2002(也即为下文所述的第一发光层212、第二发光层222或第三发光层232)和一个阴极结构2003(也即为下文所述的第一阴极层213、第二阴极层223或第三阴极层233)。阳极结构2001、发光层2002和阴极结构2003依次层叠设置。子像素200的阳极结构可以设于平坦层1020背离钝化层1010的一侧。阳极结构2001可以通过第四过孔104与漏极190电连接。阳极结构2001包括依次层叠设于薄膜晶体管100的第一导电层、反射层、第二导电层和半导体层。第一导电层、反射层和第二导电层位于第一区域1001、第二区域1002和第三区域1003，半导体层位于第一区域1001。
可以理解的是，OLED很容易制作，而且只需要低的驱动电压，这些特征使得OLED在满足平面显示器的应用上显得非常突出。OLED显示屏比液晶显示屏更轻薄、亮度高、功耗低、响应快、清晰度高、柔性好、发光效率高，更能满足消费者对显示技术的新需求。
发光层2002可以为第一发光层212、第二发光层222或第三发光层232。其中第一发光层212可以为蓝色发光层。第二发光层222可以为绿色发光层。第三发光层232可以为红色发光层。
发光层2002可以接收阳极结构2001的空穴注入和阴极结构2003的电子注入，空穴和电子迁移到发光层2002后，二者在发光层2002相遇时，产生能量激子，从而激发发光分子最终产生可见光。本申请提供的发光层2002为有机材料。不同材料的发光层2002可以发出不同颜色的光。
阴极结构2003可以连接于发光层2002背离阳极结构2001的表面。阴极结构2003可以为透明的结构，从而使发光层2002发出的光线可以透过阴极结构2003而成像。
请再参阅图1，多个子像素200可以包括三种子像素。分别为第一子像素210、第二子像素220和第三子像素230。第一子像素210、第二子像素220和第三子像素230阵列排布于薄膜晶体管100的表面。一个第一子像素210、一个第二子像素220和一个第三子像素230可以发挥协同作用混合出白光。第一子像素210、第二子像素220和第三子像素230与薄膜晶体管100电连接。薄膜晶体管100可以控制第一子像素210、第二子像素220和第三子像素230发光。
第一子像素210可以包括第一阳极结构211、第一发光层212和第一阴极层213。第一阳极结构211、第一发光层212和第一阴极层213依次层叠设置，第一阳极结构211可以穿过薄膜晶体管100的第四过孔104与漏极190电连接。
具体而言，请参阅图3，第一阳极结构211包括依次层叠于薄膜晶体管100的第一区域1001的第一导电层2111、反射层2112、第二导电层2113和半导体层2114。第一导电层2111可以穿过第四过孔104与薄膜晶体管100的漏极190电连接。第一导电层2111的材料可以为氧化铟锡(Indium tin oxide，ITO)。第一导电层2111的厚度范围可以在200A-1000A之间(包括端点值200A和1000A)。
反射层2112的材料可以为银、钼或铝的一种或几种混合。反射层2112的厚度范围可以在1000A-3000A之间(包括端点值1000A和3000A)。反射层2112可以将发光层2002向基板110一侧发出的光线向远离基板110的方向反射。
第二导电层2113的材料可以为氧化铟锡(Indium tin oxide，ITO)。第二导电层2113的厚度范围可以在50A-200A之间(包括端点值50A和200A)。
半导体层2114的材料可以为氧化钨或者氧化铟锌。半导体层2114的厚度在500A-800A之间。
第一发光层212连接于第一阳极结构211的半导体层2114。第一阴极层213设于第一发光层212背离半导体层2114的一侧，第一阴极层213与第一阳极结构211的反射层2112之间的距离为第一距离。
可以理解的是，OLED显示面板1000的子像素200通过阴极结构2003与阳极结构2001中的反射层2112的距离形成微腔结构。微腔结构可以增强子像素200的发光效率。由于第一子像素210、第二子像素220和第三子像素230的发光颜色不同，第一子像素210、第二子像素220和第三子像素230的发光波长也不同，因此，第一子像素210、第二子像素220和第三子像素230的微腔结构的腔体长度(反射层2112与阴极结构2003之间的距离)也不同。
根据不同子像素200的微腔结构的腔体长度的不同，可以将子像素200分为第一节点OLED器件和第二节点OLED器件。第一节点OLED器件的发光效率大于第二节点OLED器件的发光效率。第一节点OLED器件的腔体长度小于第二节点OLED器件的腔体长度。
第二节点的OLED器件的阴极结构2003与阳极结构2001的反射层2112之间的距离较长，因此，子像素200的阴极结构2003和阳极结构2001之间可以稳定保持绝缘不会容易短路。第一节点OLED器件的发光效率虽然较高，但第一节点OLED器件的微腔结构的腔体长度较小，致使阴极结构2003和阳极结构2001之间距离过小容易短路。特别是当发光层2002为蓝色发光层2002时，由于蓝色光的波长较短，因此该子像素200的腔体长度相比于绿色或者红色的子像素200更小，发蓝色的子像素200更容易发生阳极结构2001和阴极结构2003短路的情况。
本申请通过在第一子像素210的第一阳极结构211中增加半导体层2114，可以增加第一子像素210的第一阴极层213与第一阳极结构211的反射层2112的距离，从而使第一子像素210的微腔结构的腔体长度增加，进而使第一导电层2111和第二导电层2113与第一阴极层213之间的距离增加。降低第一导电层2111和第二导电层2113与第一阴极层213之间短路的可能，提高显示面板1000的工作稳定性，避免第一子像素210由于短路而无法发光，导致显示面板1000发生暗点或者色彩失调。
本申请的第一子像素210可以为第二节点OLED器件。也即为，增加半导体层2114可以使第一阳极结构211的反射层2112与第一阴极层213之间的距离符合第二节点OLED器件的微腔结构的腔体长度。
请集合参阅图1和图3，第二子像素220包括第二阳极结构221、第二发光层222和第二阴极层223。在薄膜晶体管100上第二阳极结构221、第二发光层222和第二阴极层223依次层叠设置。
第二阳极结构221与第一阳极结构211间隔设置。第二阳极结构221包括依次层叠于薄膜晶体管100的第二区域1002的第一导电层2211、反射层2212和第二导电层2213。第二阳极结构221的第一导电层2211通过第四过孔104与薄膜晶体管100的漏极190电连接。第二阳极结构221的第一导电层2211可以与第一阳极结构211的第一导电层2111在同一制程工艺中形成。第二阳极结构221的反射层2212可以与第一阳极结构211的反射层2112在同一制程工艺中形成。第二阳极结构221的第二导电层2213可以与第一阳极结构211的第二导电层2113在同一制程工艺中形成。由于第二阳极结构221未设有半导体层，因此第二阳极结构221的厚度小于第一阳极结构211的厚度。
第二发光层222连接于第二阳极结构221的第二导电层2213。第二发光层222与第一发光层212的发光颜色不同。示例性的，第二发光层222的颜色可以为红色。
第二阴极层223连接于第二发光层222背离第二导电层2213的一侧。第二阴极层223与第二阳极结构221的反射层2212之间的距离为第二距离，第一距离与第二距离不同。示例性的，第二距离可以等于第一节点OLED器件的微腔结构的腔体长度。
第三子像素230包括第三阳极结构231、第三发光层232和第三阴极层233。在薄膜晶体管100上第三阳极结构231、第三发光层232和第三阴极层233依次层叠设置。
第三阳极结构231与第一阳极结构211、及第二阳极结构221间隔设置。第三阳极结构231包括依次层叠与薄膜晶体管100的第三区域1003的第一导电层2311、反射层2312和第二导电层2313。第三阳极结构231的第一导电层2311通过第四过孔104与薄膜晶体管100的漏极190电连接。第三阳极结构231的第一导电层2311可以与第一阳极结构211的第一导电层2111在同一制程工艺中形成。第三阳极结构231的反射层2312可以与第一阳极结构211的反射层2112在同一制程工艺中形成。第三阳极结构231的第二导电层2313可以与第一阳极结构211的第二导电层2113在同一制程工艺中形成。由于第三阳极结构231未设有半导体层，因此第三阳极结构231的厚度小于第一阳极结构211的厚度。
第三发光层232连接于第三阳极结构231的第二导电层2313。第三发光层232的发光颜色与第一发光层212的发光颜色及第二发光层222的发光颜色不同。第三发光层232的发光颜色可以为绿色。
第三阴极层233连接于第三发光层232背离第二导电层2313的一侧。第三阴极层233与第三阳极结构231的反射层2312之间的距离为第三距离，第三距离与第一距离不同。示例性的，第三距离可以等于第一节点OLED器件的微腔结构的腔体长度。
可以理解的是，将第一子像素210设置为第二节点OLED器件，可以避免第一子像素210的阴极结构2003和阳极结构2001的导电层(第一导电层2111和第二导电层2113)之间发生短路。将第二子像素220和第三子像素230设置为第一节点OLED器件可以使第一子像素210和第二子像素220的发光效率更高。由于一个第一子像素210、一个第二子像素220和一个第三子像素230可以组成一个发光单元发出白光。因此，本申请通过将第一节点OLED器件和第二节点OLED器件配合使用，在保证发光单元可以稳定发光的同时，提升了发光单元的发光效率。
请参阅图4，图4是本申请实施例提供的阵列基板110的制备方法的流程图。本申请还提供一种阵列基板110的制备方法，能够增加第一子像素210的微腔结构的腔体长度，从而避免第一子像素210的阳极结构2001和阴极结构2003发生短路。所述制备方法包括但不限于步骤S100、S200和S300，关于步骤S100、S200和S300的详细描述如下。
S100：提供薄膜晶体管。
S200：在薄膜晶体管表面依次形成初始第一导电层、初始反射层、初始第二导电层和初始半导体层。
S300：对初始第一导电层、初始反射层、初始第二导电层和初始半导体层进行图案化，以形成依次层叠设置的第一导电层、反射层、第二导电层和半导体层2114。第一导电层、反射层和第二导电层位于第一区域1001和第二区域1002，半导体层2114位于第一区域1001。位于第一区域1001的第一导电层2111、反射层2112、第二导电层2113和半导体层2114形成第一阳极结构211，位于薄膜晶体管100的第二区域1002的第一导电层2211、反射层2212和第二导电层2213形成第二阳极结构221。
具体而言，请参阅图2，步骤100通过下述流程制备。
步骤一，在基板110表面沉积遮光层120，并将遮光层120图案化。
步骤二，在基板110表面沉积缓冲层130，并使缓冲层130覆盖遮光层120。
步骤三，在缓冲层130背离基板110的表面形成沟道层140，并将沟道层140图案化。
步骤四，在沟道层140背离缓冲层130的表面形成绝缘层150。
步骤五，在绝缘层150背离沟道层140的表面形成栅极160，并将栅极160和绝缘层150图案化。
步骤六，在缓冲层130背离基板110的表面形成保护层170。并使保护层170覆盖沟道层140、绝缘层150和栅极160。将缓冲层130和缓冲层130进行图案化，形成第一过孔101、第二过孔102和第三过孔103。
步骤七，在保护层170背离缓冲层130的表面、第一过孔101内和第二过孔102内形成导体层，并将导体层图案化形成源极180和漏极190。
步骤八，在保护层170背离缓冲层130的表面形成钝化层1010，并使钝化层1010覆盖源极180和漏极190。
步骤九，在钝化层1010背离保护层170的表面形成平坦层1020，并将平坦层1020和钝化层1010图案化，形成第四过孔104。
以下将通过图5-图7来描述步骤S200，图5是阵列基板110的制备方法中S200的步骤二后形成的组件剖面示意图。图6是阵列基板110的制备方法中S200的步骤三后形成的组件剖面示意图。图7是阵列基板110的制备方法中S200的步骤四后形成的组件剖面示意图。步骤一，首先，在平坦层1020表面形成初始第一导电层2011。然后，在初始第一导电层2011背离薄膜晶体管100的表面形成初始反射层2012。再然后，在初始反射层2012背离初始第一导电层2011表面形成初始第二导电层2013。最后，在初始第二导电层2013背离初始反射层2012的表面形成初始半导体层2014。以形成阳极结构2001的初始层结构。其中，初始第一导电层2011的材料可以为氧化铟锡，初始第一导电层2011的厚度可以在200A-1000A之间(包括端点值200A和1000A)。初始反射层2012的材料可以为银、钼或者铝等金属材料。初始反射层2012的厚度可以为1000A-3000A之间(包括端点值1000A和3000A)。初始第二导电层2013的材料可以为氧化铟锡，初始第二导电层2013的厚度可以在50A-200A之间(包括端点值50A和200A)。初始半导体层2014的材料可以为氧化铟锌或者氧化钨。半导体层2014的厚度可以在500A-800A之间(包括端点值500A和800A)。
步骤二，在阳极结构2001的初始层结构表面形成光阻层300。采用一个半色调掩膜版400(Half-tone Mask，HTM)对光阻层300进行曝光和显影。半色调掩膜版400可以包括全透区410、半透区420和不透区430。半色调掩膜版400对应第一区域1001的位置可以为不透区430。半色调掩膜版对应第二区域1002和第三区域1003的位置可以为半透区420。半色调掩膜版对应其他不设置导电结构的位置可以为全透区410。
可以理解的是，在曝光过程中，全透区410对应的位置的曝光程度较高，其光阻层300的材料在厚度方向上完全变性，从而使对应全透区410位置的部分光阻层300可以完全被显影除去。半透区420对应位置的光阻层300的曝光程度较小，其光阻层300的材料在厚度方向上不完全变性，从而使半透区420对应位置的光阻层300部分去除。不透区430对应位置的光阻层300未被曝光，因此不透区430对应位置的光阻层300材料的性质未发生改变。不透区430对应位置的光阻层300在显影时不会被去除。
步骤三，请参阅图6，对阳极结构2001的初始层结构进行刻蚀，除去没有光阻层300覆盖的阳极结构2001的初始层结构，以形成第一阳极结构211的初始层结构、第二阳极结构221的初始层结构和第三阳极结构231的初始结构。
其中，第一阳极结构211的第一导电层2111、第二阳极结构221的第一导电层2211和第三阳极结构231的第一导电层2311均为上述步骤中的初始第一导电层2011的一部分。第一阳极结构211的反射层2112、第二阳极结构221的反射层2212和第三阳极结构231的反射层2312均为上述步骤中的初始反射层2012的一部分。第一阳极结构211的第二导电层2113、第二阳极结构221的第二导电层2213和第三阳极结构231的第二导电层2313均为上述步骤中的初始第二导电层2013的一部分。第一阳极结构211的半导体层2114是初始半导体层2014的一部分。
步骤四，请参阅图7，对光阻层300进行刻蚀，去除第二阳极结构221的初始层结构和第三阳极结构231的初始结构中的光阻层300，并去除第一阳极结构2001的初始结构的部分光阻层300。然后对阵列基板110进行烘烤。
步骤五，请再参阅图3，刻蚀第一阳极结构211的初始结构的剩余光阻层300、第二阳极结构221的初始结构的初始半导体层2014、及第三阳极结构231的初始结构的初始半导体层2014。从而形成第一阳极结构211、第二阳极结构221和第三阳极结构231。
可以理解的是，由于初始半导体层2014的材料为氧化铟锌或者氧化钨，其与初始第一导电层2011和初始第二导电层2013的材料不同，在步骤五的刻蚀过程中，刻蚀过程仅对光阻层300的材料和初始半导体层2014的材料进行去除。而初始第二导电层2013的材料不会被刻蚀。从而使第二阳极结构221的厚度和第三阳极结构231的厚度不会受到步骤五中的刻蚀过程的影响，进而提升了阵列基板的加工精度。
以上对本申请实施例进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (9)
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域两两相邻且间隔设置；
依次层叠设置于所述薄膜晶体管的第一导电层、反射层、第二导电层和半导体层，所述第一导电层、所述反射层和所述第二导电层位于所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域，所述半导体层位于所述第一区域；
位于所述第一区域的所述第一导电层、位于所述第一区域的所述反射层、位于所述第一区域的所述第二导电层和位于所述第一区域的所述半导体层配合形成第一阳极结构，所述第一阳极结构用于与第一发光层连接，所述第一发光层的发光颜色为蓝色；
位于所述第二区域的所述第一导电层、位于所述第二区域的所述反射层和位于所述第二区域的所述第二导电层配合形成第二阳极结构，所述第二阳极结构与所述第一阳极结构间隔设置，所述第二阳极结构用于与第二发光层连接，所述第二发光层与所述第一发光层的发光颜色不同；及
位于所述第三区域的所述第一导电层、位于所述第三区域的所述反射层和位于所述第三区域的所述第二导电层配合形成第三阳极结构，所述第三阳极结构与所述第一阳极结构、第二阳极结构均间隔设置，所述第三阳极结构用于与第三发光层电连接，所述第三发光层与所述第一发光层和所述第二发光层的发光颜色均不同；
所述第一阳极结构的厚度大于所述第二阳极结构的厚度。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述半导体层的厚度在500A-800A之间。
3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述半导体层的材料为氧化钨或者氧化铟锌。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一导电层的厚度在200A-1000A之间。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第二导电层的厚度在50A-200A之间。
6.一种显示面板，其特征在于，包括第一发光层、第二发光层、第三发光层和如权利要求1-5任一项所述的阵列基板，所述第一发光层连接于所述第一阳极结构的半导体层，所述第二发光层连接于所述第二阳极结构的第二导电层，所述第三发光层连接于第三阳极结构的第二导电层。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，还包括第一阴极层和第二阴极层，所述第一阴极层设于所述第一发光层背离所述半导体层的一侧，所述第一阴极层与所述第一阳极结构的反射层之间的距离为第一距离，所述第二阴极层设于所述第二发光层背离所述第二导电层的一侧，所述第二阴极层与所述第二阳极结构的反射层之间的距离为第二距离，所述第一距离与所述第二距离不同。
8.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：
提供薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域两两相邻且间隔设置；
在所述薄膜晶体管表面依次形成初始第一导电层、初始反射层、初始第二导电层和初始半导体层；及
对所述初始第一导电层、所述初始反射层、所述初始第二导电层和所述初始半导体层进行图案化，以形成依次层叠设置的第一导电层、反射层、第二导电层和半导体层，所述第一导电层、所述反射层和所述第二导电层位于所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域，所述半导体层位于所述第一区域，位于所述第一区域的所述第一导电层、所述反射层、所述第二导电层和所述半导体层形成第一阳极结构，位于所述第二区域的所述第一导电层、所述反射层和所述第二导电层形成第二阳极结构，位于所述第三区域的所述第一导电层、所述反射层和所述第二导电层形成第三阳极结构。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述在所述薄膜晶体管表面依次形成初始第一导电层、初始反射层、初始第二导电层和初始半导体层包括：
在所述薄膜晶体管表面形成初始第一导电层；
在所述初始第一导电层背离所述薄膜晶体管表面形成初始反射层；
在所述初始反射层背离所述初始第一导电层表面形成初始第二导电层；及
在所述初始第二导电层背离所述初始反射层表面形成初始半导体层。
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