CN111293231A - Woled显示基板及其制作方法、woled显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种WOLED显示基板及其制作方法、WOLED显示装置，该WOLED显示基板包括多种颜色的子像素，各所述子像素包括阳极、白光发光层和阴极，所述阳极包括反射层，所述反射层和所述阴极之间形成微腔结构，不同颜色的所述子像素的所述阳极的厚度不同，使得不同颜色的所述子像素的微腔结构的长度不同。本发明可以提高具有该WOLED显示基板的WOLED显示装置的色域。且阳极的厚度较好控制，通过改变阳极的厚度，使得不同颜色的子像素的微腔结构的长度不同，实现过程简单。

Description

WOLED显示基板及其制作方法、WOLED显示装置

技术领域

本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种WOLED显示基板及其制作方法、WOLED显示装置。

背景技术

BT.2020色彩空间已被ITU(国际电信联盟组织)定为4K/8K时代的一个图像信号色域标准，也是超高清蓝光的标准之一，其三原色坐标为R(0.708，0.292)，G(0.170，0.797)，B(0.131，0.046)。而普通蓝光标准使用的是BT.709色彩空间，它仅覆盖了BT.2020色彩空间的35.9％，对比所有的色域标准，BT.2020拥有最多的颜色范围，能够显示最多的颜色，色彩表现力也是最强的。因此，在BT.2020标准下，显示画面色彩的真实还原更准确、也更精细。BT.2020也成为了定义超画质的重要标准。

WOLED(白光有机发光二极管)+CF(彩膜)的方式主要是白光透过CF来实现全彩色，是相对比较成熟的大尺寸OLED(有机发光二极管)显示装置的主流技术。其类似于LCD(液晶显示器)的技术，采用WOLED基板与CF盖板进行对盒的方式，优点是易于实现顶发射方式，开口率高。但WOLED的光谱谱带较宽，同时彩膜材料的谱带相对也比较宽，两者叠加之后仍然是较宽谱带，导致光色分布较广，因此色域较低，还远远达不到BT.2020覆盖率90％的要求。

发明内容

本发明实施例提供一种WOLED显示基板及其制作方法、WOLED显示装置，用于解决现有的WOLED显示装置色域低的问题。

为了解决上述技术问题，本发明是这样实现的：

第一方面，本发明实施例提供了一种WOLED显示基板，包括多种颜色的子像素，各所述子像素包括阳极、白光发光层和阴极，所述阳极包括反射层，所述反射层和所述阴极之间形成微腔结构，不同颜色的所述子像素的所述阳极的厚度不同，使得不同颜色的所述子像素的微腔结构的长度不同。

可选的，各所述子像素的所述白光发光层的厚度相同，各所述子像素的所述阴极的厚度相同。

可选的，所述阳极包括反射层和透明导电层，不同颜色的所述子像素的所述反射层的厚度相同，不同颜色的所述子像素的所述透明导电层的厚度不同。

可选的，所述子像素包括红色子像素、蓝色子像素和绿色子像素，所述红色子像素的所述透明导电层包括层叠设置的第一透明导电层、第二透明导电层和第三透明导电层，所述蓝色子像素的所述透明导电层包括叠加设置的第二透明导电层和第三透明导电层，所述绿色子像素的所述透明导电层包括第三透明导电层。

可选的，所述第一透明导电层的厚度为

所述第二透明导电层的厚度为

所述第三透明导电层的厚度为

可选的，所述阳极还包括：防氧化层，所述防氧化层设置于所述反射层的远离所述透明导电层的一侧。

第二方面，本发明实施例提供了一种WOLED显示装置，包括上述WOLED显示基板以及与所述WOLED显示基板相对设置的彩膜盖板。

可选的，所述子像素包括红色子像素、蓝色子像素和绿色子像素；所述彩膜盖板包括红色滤光层、蓝色滤光层和绿色滤光层，所述红色滤光层的厚度为2.6-3.0μm，所述蓝色滤光层的厚度为3-3.2μm，所述绿色滤光层的厚度为2.7-3.0μm。

第三方面，本发明实施例提供了一种WOLED显示基板的制作方法，包括：

形成多种颜色的子像素，各所述子像素包括阳极、白光发光层和阴极，所述阳极包括反射层，所述反射层和所述阴极之间形成微腔结构，不同颜色的所述子像素的所述阳极的厚度不同，使得不同颜色的所述子像素的微腔结构的长度不同。

可选的，所述子像素包括红色子像素、蓝色子像素和绿色子像素；

所述阳极的形成步骤包括：

沉积反射材料膜层；

沉积第一透明导电材料膜层；

对所述第一透明导电材料膜层进行图形化处理，得到第一透明导电层的图形，所述第一透明导电层仅形成于所述红色子像素所在区域；

沉积第二透明导电材料膜层；

对所述第二透明导电材料膜层进行图形化处理，得到第二透明导电层的图形，所述第二透明导电层形成于所述红色子像素和所述蓝色子像素所在区域；

沉积第三透明导电材料膜层；

对所述第三透明导电材料膜层和所述反射材料膜层进行图形化处理，得到第三透明导电层的图形和反射层的图形，所述第三透明导电层和所述反射层均形成于所述红色子像素、所述蓝色子像素和所述绿色子像素所在区域。

本发明实施例中，相对设置的反射层与阴极之间会形成微腔结构，并且通过改变阳极的厚度，使得不同颜色的子像素的微腔结构的长度不同，从而使得不同颜色的子像素的微腔结构仅特定波长的单色光可以出射，例如，红色子像素对应的微腔结构仅出射红光，蓝色子像素对应的微腔结构仅出射蓝光，绿色子像素对应的微腔结构仅出射绿光，从而可以提高具有该WOLED显示基板的WOLED显示装置的色域。且阳极的厚度较好控制，通过改变阳极的厚度，使得不同颜色的子像素的微腔结构的长度不同，实现过程简单。

附图说明

通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本发明的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：

图1为本发明一实施例的WOLED显示基板的结构示意图；

图2为本发明另一实施例的WOLED显示基板的结构示意图；

图3为本发明一实施例的彩膜盖板的结构示意图；

图4为本发明实施例中的WOLED显示装置的发光光谱示意图；

图5为现有技术中的WOLED显示装置的发光光谱示意图；

图6A-图6G为本发明一实施例的阳极的制作方法示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

为解决现有的WOLED显示装置色域低的问题，请参考图1，本发明提供一种WOLED显示基板，包括多种颜色的子像素，各所述子像素包括阳极14、白光发光层16和阴极17，所述阳极14包括反射层141，所述反射层141和所述阴极17之间形成微腔结构，不同颜色的所述子像素的所述阳极14的厚度不同，使得不同颜色的所述子像素的微腔结构的长度不同。

图1所示的实施例中，WOLED显示基板包括红色子像素R、蓝色子像素B和绿色子像素G，当然，本发明并不限于此，在本发明的其他实施例中，也可以包括其他颜色的子像素。

本发明实施例中，所述反射层141可以采用金属或者金属合金材料形成，用于反射白光发光层16发出的白光。所述金属材料例如可以为Ag(银)、Al(铝)或AlNd(铝钕)等。

所述白光有机发光层的结构可以参考图2，图2为本发明另一实施例中的WOLED发光基板的结构示意图，该WOLED发光基板包括：阳极(Anode)，空穴注入层1(HIL1)，空穴传输层1(HTL1)，电子阻挡层1(EBL1)，绿色发光层，空穴阻挡层1(HBL1)，电子传输层1(ETL1)，转换层(CGLL)，空穴注入层2(HIL2)，空穴传输层2(HTL2)，电子阻挡层2(EBL2)，蓝色发光层，空穴阻挡层2(HBL2)，电子传输层2(ETL2)，转换层(CGLL)，空穴注入层3(HIL3)，空穴传输层3(HTL3)，电子阻挡层3(EBL3)，红色发光层，空穴阻挡层3(HBL3)，电子传输层3(ETL3)，电子注入层2(EIL2)，阴极和封盖层。其中，上述转化层的作用是作为中间电极。阳极和阴极之间的膜层组成白光发光层。当然，本发明实施例中的白光发光层的结构并不限于此，也可以为其他结构。

本发明实施例中，所述阴极可以为半透半反阴极，采用金属或金属合金形成，例如采用Mg和Ag的混合物形成。

本发明实施例中，相对设置的反射层141与阴极17之间会形成微腔结构，并且通过改变阳极的厚度，使得不同颜色的子像素的微腔结构的长度不同，从而使得不同颜色的子像素的微腔结构仅特定波长的单色光可以出射，例如，红色子像素对应的微腔结构仅出射红光，蓝色子像素对应的微腔结构仅出射蓝光，绿色子像素对应的微腔结构仅出射绿光，从而可以提高具有该WOLED显示基板的WOLED显示装置的色域。且阳极的厚度较好控制，通过改变阳极的厚度，使得不同颜色的子像素的微腔结构的长度不同，实现过程简单。

在本发明的一些实施例中，可选的，各所述子像素的所述白光发光层的厚度相同，各所述子像素的所述阴极的厚度相同。也就是说，本发明实施例中，并不改变白光发光层和阴极的厚度，由于白光发光层和阴极通常是通过蒸镀形成，各子像素的厚度并不好分别控制，因而，不改变白光发光层和阴极的后附，可以降低复杂度。

本发明实施例中，请参考图1，可选的，所述阳极14还包括设置于所述反射层141靠近所述白光发光层一侧的透明导电层，不同颜色的所述子像素的所述反射层141的厚度相同，不同颜色的所述子像素的所述透明导电层的厚度不同。也就是说，本发明实施例中，通过改变阳极中的透明导电层的厚度，来使得不同颜色的所述子像素的微腔结构的长度不同。当然，在本发明的一些实施例中，也不排除采用改变反射层的厚度的方式，来使得不同颜色的所述子像素的微腔结构的长度不同。

本发明实施例中，请参考图1，可选的，所述子像素包括红色子像素R、蓝色子像素B和绿色子像素G，所述红色子像素R的所述透明导电层包括层叠设置的第一透明导电层142、第二透明导电层143和第三透明导电层144，所述蓝色子像素B的所述透明导电层包括叠加设置的第二透明导电层143和第三透明导电层144，所述绿色子像素G的所述透明导电层包括第三透明导电层144。

本发明实施例中，可选的，所述第一透明导电层142的厚度为

所述第二透明导电层143的厚度为

所述第三透明导电层144的厚度为

从而使得红色子像素的微腔结构出射波峰位置在617-630nm的光线，蓝色子像素的微腔结构出射波峰位置在455-460nm的光线，绿色子像素的微腔结构出射波峰位置在528-532nm的光线，即会出现三种发光峰，从而提高具有该WOLE显示基板的WOLED显示装置的色域。

本发明实施例中，所述透明导电层可以采用ITO(氧化铟锡)等透明金属氧化物材料形成。

本发明实施例中，若上述反射层采用金属或金属合金材料形成，为了避免金属或金属合金容易被氧化，可选的，所述阳极还包括：防氧化层145，所述防氧化层145设置于所述反射层141的远离所述透明导电层的一侧。本发明实施例中，可选的，所述防氧化层145也可以采用ITO等透明金属氧化物材料形成，与透明导电层相同的材料，可以采用相同的沉积设备，另一方面，还可以降低阳极的电阻。或者，防氧化层145也可以采用不容易被氧化的金属形成，例如Mo。

在本发明的一些实施例中，阳极可以为ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO或Mo/AlNd/ITO等类型的结构。其中，Mo/AlNd/ITO结构的阳极在工艺上更简单一些，因为Mo和AlNd可以同时刻蚀，与ITO/Ag/ITO和ITO/Al/ITO结构的阳极相比，少一步湿刻，但ITO/Ag/ITO和ITO/Al/ITO结构的阳极，反射率更高，电阻更小。

下面结合图1，对本发明实施例中的WOLED显示基板的结构进行举例说明。

图1中包括的WOLED显示基板包括：

衬底11，所述衬底可以采用玻璃等材料形成；

驱动功能层12，驱动功能层12用于与WOLED发光器件连接，为WOLED发光器件提供驱动信号；驱动功能层12包括薄膜晶体管(TFT)阵列；

平坦化层(PLN)13；

阳极14，其中，红色子像素R的阳极14包括防氧化层145、反射层141、第一透明导电层142、第二透明导电层143和第三透明导电层144，蓝色子像素B的阳极14包括防氧化层145、反射层141、第二透明导电层143和第三透明导电层144，绿色子像素G的阳极14包括防氧化层145、反射层141和第三透明导电层144，可见，不同颜色的子像素的阳极14的厚度不同；

像素定义层(PDL)15；

白光发光层16；

阴极17，所述反射层141和所述阴极17之间形成微腔结构，不同颜色的子像素的阳极14的厚度不同，使得不同颜色的子像素的微腔结构的长度不同。

其中，阳极14、白光发光层16和阴极17组成WOLED发光器件。

另外，本发明实施例中的WOLED显示基板还可以包括薄膜封装层，设置于所述阴极的上方，用于封装WOLED发光器件。

本发明实施例还提供一种WOLED显示装置，包括WOLED显示基板以及与所述WOLED显示基板相对设置的彩膜盖板，所述WOLED显示基板为上述任一实施例中的WOLED显示基板，WOLED显示基板的结构不再重复描述。

在本发明的一些实施例中，WOLED显示基板的子像素包括红色子像素、蓝色子像素和绿色子像素；相应的，所述彩膜盖板包括红色滤光层、蓝色滤光层和绿色滤光层，所述红色滤光层的厚度为2.6-3.0μm，所述蓝色滤光层的厚度为3-3.2μm，所述绿色滤光层的厚度为2.7-3.0μm。红色滤光层、蓝色滤光层和绿色滤光层的厚度是根据色度模拟计算公式计算得到，红色滤光层、蓝色滤光层和绿色滤光层的厚度不同，透过率和色点也不同，通过模拟计算，调节厚度这个参数得到想要的色点和色域。

本发明实施例中，可选的，所述红色滤光层在C-Light下色点为(0.689,0.309)，透过率为37％-44％，所述绿色滤光层在C-Light下色点为(0.201,0.692)，透过率为58％-63％，所述蓝色滤光层在C-Light下色点为(0.146,0.047)，透过率为6.2％-6.7％。

请参考图3，图3为本发明一实施例中的彩膜盖板的结构示意图，该彩膜盖板包括：

衬底31；

黑矩阵(BM)32；

彩色滤光层33，本发明实施例中，所述彩色滤光层33包括红色滤光层R、蓝色滤光层B和绿色滤光层G，彩色滤光层33与WOLED显示基板的子像素一一对应；

平坦化层34；

隔垫物35。

请参考图4和图5，通过实验证明，本发明实施例中的，具有微腔结构的WOLED显示基板的发光光谱与彩膜(CF)盖板的发光光谱叠加后，得到最后的发光光谱，从图4中可以看出，最后得到的发光光谱半峰宽较窄，光色较纯，色域可到达BT020.90％的覆盖率。而，请参考图5，现有的没有微腔结构的WOLED显示基板的发光光谱与普通彩膜盖板的发光光谱叠加后，得到的发光光谱的色域只有BT2020.73％的覆盖率。

本发明实施例还提供一种WOLED显示基板的制作方法，包括：

步骤S1：形成多种颜色的子像素，各所述子像素包括阳极、白光发光层和阴极，所述阳极包括反射层，所述反射层和所述阴极之间形成微腔结构，不同颜色的所述子像素的所述阳极的厚度不同，使得不同颜色的所述子像素的微腔结构的长度不同。

在本发明的一些实施例中，所述阳极还包括：设置于所述反射层靠近所述白光发光层一侧的透明导电层，不同颜色的所述子像素的所述反射层的厚度相同，不同颜色的所述子像素的所述透明导电层的厚度不同；所述子像素包括红色子像素、蓝色子像素和绿色子像素，所述红色子像素的所述透明导电层包括层叠设置的第一透明导电层、第二透明导电层和第三透明导电层，所述蓝色子像素的所述透明导电层包括叠加设置的第二透明导电层和第三透明导电层，所述绿色子像素的所述透明导电层包括第三透明导电层；

此时，所述阳极的形成步骤包括：

步骤S11：请参考图6A，沉积反射材料膜层61；

步骤S12：请参考图6B，沉积第一透明导电材料膜层62；

步骤S13：请参考图6C，对所述第一透明导电材料膜层62进行图形化处理，得到第一透明导电层142的图形，所述第一透明导电层142仅形成于所述红色子像素所在区域；

步骤S14：请参考图6D，沉积第二透明导电材料膜层63；

步骤S15：请参考图6E，对所述第二透明导电材料膜层63进行图形化处理，得到第二透明导电层143的图形，所述第二透明导电层143形成于所述红色子像素和所述蓝色子像素所在区域；

步骤S16：请参考图6F，沉积第三透明导电材料膜层64；

步骤S17：请参考图6G，对所述第三透明导电材料膜层64和所述反射材料膜层61进行图形化处理，得到第三透明导电层144的图形和反射层141的图形，所述第三透明导电层144和所述反射层141均形成于所述红色子像素、所述蓝色子像素和所述绿色子像素所在区域。

上述实施例中，所述图形化处理包括：涂覆光刻胶、曝光、显影、刻蚀等工艺。

上述实施例中，可以采用溅射(Sputter)工艺沉积各膜层。

本发明实施例中，通过3次沉积和3次刻蚀工艺，形成不同厚度的透明导电层，使得不同颜色的子像素的阳极的厚度不同，实现不同长度的微腔结构。

下面结合图1，对本发明实施例中的WOLED显示基板的制作方法进行举例说明。

本发明实施例中的WOLED显示基板的制作方法包括以下步骤：

步骤S21：对衬底11进行清洗，并在衬底11上形成驱动功能层12，驱动功能层12包括薄膜晶体管(TFT)阵列；

步骤S22：形成平坦化层(PLN)13；

步骤S23：采用溅射工艺依次沉积ITO膜层、Ag膜层和ITO膜层，其中各膜层厚度依次为

和

或者，采用溅射工艺依次沉积MO膜层、AlNd膜层和ITO膜层，其中各膜层厚度依次为

和

采用旋涂工艺(spin coating)涂覆一层光致抗刻蚀材料，并经过前烘、曝光、显影、刻蚀等工艺使最上层的ITO膜层图形化，得到第一透明导电层142的图形，第一透明导电层142对应红色子像素R。

步骤S24：采用溅射工艺沉积ITO膜层，厚度约为

采用旋涂工艺(spincoating)涂覆一层光致抗刻蚀材料，并经过前烘、曝光、显影、刻蚀等工艺使ITO膜层图形化，得到第二透明导电层143的图形，第二透明导电层143对应红色子像素R和蓝色子像素B。

步骤S25：采用溅射工艺沉积ITO膜层，厚度约为

采用旋涂工艺(spincoating)涂覆一层光致抗刻蚀材料，并经过前烘、曝光、显影、刻蚀等工艺使ITO膜层图形化，得到第三透明导电层144的图形、反射层141以及防氧化层145的图形，第三透明导电层144、反射层141以及防氧化层145对应红色子像素R、蓝色子像素B和绿色子像素。

步骤S26：采用旋涂工艺(spin coating)涂覆一层像素定义层材料，并经过前烘、曝光、显影、后烘等工艺使像素定义层材料图形化，得到像素定义层15；像素定义层15的厚度约为2.0μm；

步骤S27：采用蒸镀方式形成白光发光层16；

步骤S28：采用蒸镀方式形成阴极17，阴极可以为MgAg阴极。

其中，阳极14、白光发光层16和阴极17组成WOLED发光器件。

步骤S29：采用PECVD(等离子增强化学气相沉积)工艺制作薄膜封装层(图未示出)。

下面结合图3，对本发明实施例中的彩膜盖板的制作方法进行举例说明。

本发明实施例中的彩膜盖板的制作方法包括以下步骤：

步骤S31：对衬底31进行清洗，并在衬底31上涂覆一层黑矩阵材料，通过前烘、曝光、显影、后烘等工艺，形成黑矩阵32的图形；黑矩阵32的厚度约为1.0μm；

步骤S32：采用旋涂工艺涂覆一层红色滤光层材料，通过前烘、曝光、显影、后烘等工艺，形成红色滤光层R，采用旋涂工艺涂覆一层绿色滤光层材料，通过前烘、曝光、显影、后烘等工艺，形成绿色滤光层G，采用旋涂工艺涂覆一层蓝色滤光层材料，通过前烘、曝光、显影、后烘等工艺，形成蓝色滤光层B，其中，红色滤光层R、绿色滤光层G和蓝色滤光层B的厚度分别为2.6-3.0μm、2.7-3.0μm和3-3.2μm。另外，红色滤光层R、绿色滤光层G和蓝色滤光层B形成过程中，不限定三者的形成顺序。

步骤S33：采用旋涂工艺涂覆一层平坦化层材料，过前烘、曝光、显影、后烘等工艺，形成平坦化层(OC)34，厚度约为2.0μm；

步骤S34：采用旋涂工艺涂覆一层隔垫物层材料，过前烘、曝光、显影、后烘等工艺，形成隔垫物(PS)35，厚度约为5.0μm。

WOLED显示基板和彩膜盖板制作完成后，两者对合，并填充Filler后，进行封装，形成WOLED显示装置。

上面结合附图对本发明的实施例进行了描述，但是本发明并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本发明的启示下，在不脱离本发明宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，均属于本发明的保护之内。

Claims (10)

1.一种WOLED显示基板，其特征在于，包括多种颜色的子像素，各所述子像素包括阳极、白光发光层和阴极，所述阳极包括反射层，所述反射层和所述阴极之间形成微腔结构，不同颜色的所述子像素的所述阳极的厚度不同，使得不同颜色的所述子像素的微腔结构的长度不同。

2.如权利要求1所述的WOLED显示基板，其特征在于，各所述子像素的所述白光发光层的厚度相同，各所述子像素的所述阴极的厚度相同。

3.如权利要求1所述的WOLED显示基板，其特征在于，所述阳极还包括：设置于所述反射层靠近所述白光发光层一侧的透明导电层，不同颜色的所述子像素的所述反射层的厚度相同，不同颜色的所述子像素的所述透明导电层的厚度不同。

4.如权利要求3所述的WOLED显示基板，其特征在于，所述子像素包括红色子像素、蓝色子像素和绿色子像素，所述红色子像素的所述透明导电层包括层叠设置的第一透明导电层、第二透明导电层和第三透明导电层，所述蓝色子像素的所述透明导电层包括叠加设置的第二透明导电层和第三透明导电层，所述绿色子像素的所述透明导电层包括第三透明导电层。

5.如权利要求4所述的WOLED显示基板，其特征在于，所述第一透明导电层的厚度为

所述第二透明导电层的厚度为

所述第三透明导电层的厚度为

6.如权利要求3所述的WOLED显示基板，其特征在于，所述阳极还包括：防氧化层，所述防氧化层设置于所述反射层的远离所述透明导电层的一侧。

7.一种WOLED显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-6任一项所述的WOLED显示基板以及与所述WOLED显示基板相对设置的彩膜盖板。

8.如权利要求7所述的WOLED显示装置，其特征在于，所述子像素包括红色子像素、蓝色子像素和绿色子像素；所述彩膜盖板包括红色滤光层、蓝色滤光层和绿色滤光层，所述红色滤光层的厚度为2.6-3.0μm，所述蓝色滤光层的厚度为3-3.2μm，所述绿色滤光层的厚度为2.7-3.0μm。

9.一种WOLED显示基板的制作方法，其特征在于，包括：

形成多种颜色的子像素，各所述子像素包括阳极、白光发光层和阴极，所述阳极包括反射层，所述反射层和所述阴极之间形成微腔结构，不同颜色的所述子像素的所述阳极的厚度不同，使得不同颜色的所述子像素的微腔结构的长度不同。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述阳极还包括：设置于所述反射层靠近所述白光发光层一侧的透明导电层，不同颜色的所述子像素的所述反射层的厚度相同，不同颜色的所述子像素的所述透明导电层的厚度不同；

所述子像素包括红色子像素、蓝色子像素和绿色子像素，所述红色子像素的所述透明导电层包括层叠设置的第一透明导电层、第二透明导电层和第三透明导电层，所述蓝色子像素的所述透明导电层包括叠加设置的第二透明导电层和第三透明导电层，所述绿色子像素的所述透明导电层包括第三透明导电层；

所述阳极的形成步骤包括：

沉积反射材料膜层；

沉积第一透明导电材料膜层；

对所述第一透明导电材料膜层进行图形化处理，得到第一透明导电层的图形，所述第一透明导电层仅形成于所述红色子像素所在区域；

沉积第二透明导电材料膜层；

对所述第二透明导电材料膜层进行图形化处理，得到第二透明导电层的图形，所述第二透明导电层形成于所述红色子像素和所述蓝色子像素所在区域；

沉积第三透明导电材料膜层；

对所述第三透明导电材料膜层和所述反射材料膜层进行图形化处理，得到第三透明导电层的图形和反射层的图形，所述第三透明导电层和所述反射层均形成于所述红色子像素、所述蓝色子像素和所述绿色子像素所在区域。

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