CN113314586A - 显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

显示面板及其制备方法、显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN113314586A
CN113314586A CN202110729821.9A CN202110729821A CN113314586A CN 113314586 A CN113314586 A CN 113314586A CN 202110729821 A CN202110729821 A CN 202110729821A CN 113314586 A CN113314586 A CN 113314586A
Authority
CN
China
Prior art keywords
pixel
sub
electrode
layer
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202110729821.9A
Other languages
English (en)
Inventor
廖金龙
王红丽
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Hefei BOE Joint Technology Co Ltd
Hefei BOE Zhuoyin Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Hefei BOE Zhuoyin Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Hefei BOE Zhuoyin Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN202110729821.9A priority Critical patent/CN113314586A/zh
Publication of CN113314586A publication Critical patent/CN113314586A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/15—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating characterised by the solvent used

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本公开实施例提供一种显示面板及其制备方法、显示装置。显示面板包括：阵列排布的多个像素单元，多个像素单元的至少一个包括：出射第一颜色光线的第一子像素、出射第二颜色光线的第二子像素和出射第三颜色光线的第三子像素，第一颜色光线的波长小于第二颜色光线的波长，且大于第三颜色光线的波长，每个子像素包括：依次层叠设置的第一电极、功能层和第二电极，其中，第一子像素的第一电极靠近第二电极的表面与第二电极靠近第一电极的表面之间的距离大于第二子像素的第一电极靠近第二电极的表面与第二电极靠近第一电极的表面之间的距离，且大于第三子像素的第一电极靠近第二电极的表面与第二电极靠近第一电极的表面之间的距离。

Description

显示面板及其制备方法、显示装置
技术领域
本公开实施例涉及但不限于显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
有机电致发光元件(Organic Light-Emitting Diode，OLED)相对于液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)具有自发光、反应快、视角广、亮度高、色彩艳和轻薄等优点，已逐渐成为极具发展前景的下一代显示技术。
为体现OLED较高的材料利用率以及低制造成本的特点，不同子像素可以通过溶液制程工艺方式进行制作。溶液制程工艺方式因具有成分可调性好，生产成本低等优点已成为研究热点。
发明内容
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
第一方面，本公开实施例提供了一种显示面板，包括：阵列排布的多个像素单元，所述多个像素单元的至少一个包括：出射第一颜色光线的第一子像素、出射第二颜色光线的第二子像素和出射第三颜色光线的第三子像素，第一颜色光线的波长小于第二颜色光线的波长，且大于第三颜色光线的波长，每个子像素包括：依次层叠设置的第一电极、功能层和第二电极，其中，所述第一子像素的第一电极靠近第二电极的表面与第二电极靠近第一电极的表面之间的距离大于所述第二子像素的第一电极靠近第二电极的表面与第二电极靠近第一电极的表面之间的距离，且大于所述第三子像素的第一电极靠近第二电极的表面与第二电极靠近第一电极的表面之间的距离。
第二方面，本公开实施例提供了一种显示装置，包括：上述的显示面板。
第三方面，本公开实施例提供了一种显示面板的制备方法，适用于上述的显示面板，所述制备方法包括：
提供衬底基板；
在衬底基板上形成阵列排布的多个像素单元，其中，
形成所述多个像素单元的至少一个包括：形成出射第一颜色光线的第一子像素、出射第二颜色光线的第二子像素和出射第三颜色光线的第三子像素。
本公开实施例提供的显示面板及其制备方法、显示装置，显示面板包括：阵列排布的多个像素单元，多个像素单元的至少一个包括：出射第一颜色光线的第一子像素、出射第二颜色光线的第二子像素和出射第三颜色光线的第三子像素，第一颜色光线的波长小于第二颜色光线的波长，且大于第三颜色光线的波长，每个子像素包括：依次层叠设置的第一电极、功能层和第二电极，其中，第一子像素的第一电极靠近第二电极的表面与第二电极靠近第一电极的表面之间的距离大于第二子像素的第一电极靠近第二电极的表面与第二电极靠近第一电极的表面之间的距离，且大于第三子像素的第一电极靠近第二电极的表面与第二电极靠近第一电极的表面之间的距离。如此，由于通过设置第一子像素的第一电极与第二电极之间的距离相对最大，在通过采用溶液制程方式形成子像素的发光元件时，可以避免出射第二颜色光线的第二子像素的第一电极与第二电极之间的距离过厚所产生的混色等不良现象，能够提升制备工艺良率，从而，可以提升器件良率，可以提升显示性能。
本公开的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本公开而了解。本公开的其他优点可通过在说明书以及附图中所描述的方案来实现和获得。
在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
附图说明
附图用来提供对本公开技术方案的理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开技术方案的限制。附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。
图1为一种OLED显示装置的结构示意图；
图2为本公开示例性实施例中的显示面板的平面结构示意图；
图3为本公开示例性实施例中的显示面板的剖面结构示意图；
图4为不同厚度ITO薄膜的透过率与波长的关系示意图。
附图标记说明：
Figure BDA0003139641040000031
具体实施方式
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本公开的实施例进行详细说明。注意，实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为各种各样的形式。因此，本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
在本公开附图中，有时为了明确起见，夸大表示了各构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的一个方式并不一定限定于该尺寸，附图中各部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。
在本公开示例性实施例中，“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置，而不是为了在数量方面上进行限定的。
在本公开示例性实施例中，，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述各构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在说明书中说明的词句，根据情况可以适当地更换。
在本公开示例性实施例中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。
在本公开示例性实施例中，当描述到第三器件位于第一器件和第二器件之间时，在该第三器件与第一器件或第二器件之间可以存在中间器件，或者可以不存在中间器件。
在本公开示例性实施例中的“约”，是指不严格限定界限，允许工艺和测量误差范围内的数值。
有机发光二极管显示面板由于具有自发光、反应快、视角广、亮度高、色彩艳、轻薄等优点，已广泛应用于各种显示装置中。例如，有机发光元件的制备方法包括真空蒸镀工艺和溶液制程(Solution Process)工艺等方法，其中，溶液制程工艺方式因具有成分可调性好以及生产成本低等优点已成为研究热点。例如，为体现有机发光二极管(OLED)较高的材料利用率以及低制造成本的特点，不同子像素可以通过溶液制程工艺方式进行制作。例如，溶液制程工艺可以包括旋涂法、喷墨打印工艺或者滴注法等方法。溶液制程制备薄膜所需的设备成本通常比较低，因此可以有效降低生产成本，有利于实现大规模、大尺寸产品的生产。例如，喷墨打印技术(Ink Jet Printing，IJP)是一种非接触、无压力和无印版的印刷技术，它是利用外力将喷嘴中的墨滴等溶液从喷嘴中挤出，并喷射沉积到相应位置形成所需的图案，因此喷墨打印工艺具有精确的定位功能，可以根据需要在特定位置喷射沉积墨滴等溶液以形成所需图案。
图1为一种OLED显示装置的结构示意图。如图1所示，该OLED显示装置可以包括：时序控制器、数据信号驱动器、扫描信号驱动器和像素阵列，像素阵列可以包括多个扫描信号线(S1到Sm)、多个数据信号线(D1到Dn)和多个子像素Pxij。在一种示例性实施例中，时序控制器可以将适合于数据信号驱动器的规格的灰度值和控制信号提供到数据信号驱动器，可以将适合于扫描信号驱动器的规格的时钟信号、扫描起始信号等提供到扫描信号驱动器。数据信号驱动器可以利用从时序控制器接收的灰度值和控制信号来产生将提供到数据信号线D1、D2、D3、……和Dn的数据电压。例如，数据信号驱动器可以利用时钟信号对灰度值进行采样，并且以子像素行为单位将与灰度值对应的数据电压施加到数据信号线D1至Dn，n可以是自然数。扫描信号驱动器可以通过从时序控制器接收时钟信号、扫描起始信号等来产生将提供到扫描信号线S1、S2、S3、……和Sm的扫描信号。例如，扫描信号驱动器可以将具有导通电平脉冲的扫描信号顺序地提供到扫描信号线S1至Sm。例如，扫描信号驱动器可以被构造为移位寄存器的形式，并且可以以在时钟信号的控制下顺序地将以导通电平脉冲形式提供的扫描起始信号传输到下一级电路的方式产生扫描信号，m可以是自然数。子像素阵列可以包括多个子像素PXij。每个子像素PXij可以连接到对应的数据信号线和对应的扫描信号线，i和j可以是自然数。子像素PXij可以指其中晶体管连接到第i扫描信号线且连接到第j数据信号线的子像素。
本公开示例性实施例提供一种显示面板。该显示面板可以包括：阵列排布的多个像素单元，多个像素单元的至少一个包括：出射第一颜色光线的第一子像素、出射第二颜色光线的第二子像素和出射第三颜色光线的第三子像素，其中，第一颜色光线的波长小于第二颜色光线的波长，且大于第三颜色光线的波长，每个子像素包括：依次层叠设置的第一电极、功能层和第二电极，其中，第一子像素的第一电极靠近第二电极的表面与第二电极靠近第一电极的表面之间的距离大于第二子像素的第一电极靠近第二电极的表面与第二电极靠近第一电极的表面之间的距离，且大于第三子像素的第一电极靠近第二电极的表面与第二电极靠近第一电极的表面之间的距离。如此，在本公开示例性实施例提供的显示面板中，由于通过设置第一子像素的第一电极与第二电极之间的距离相对最大，在通过采用溶液制程方式形成子像素的发光元件时，可以避免出射第二颜色光线的第二子像素的第一电极与第二电极之间的距离过厚所产生的混色等不良现象，能够提升制备工艺良率，从而，可以提升器件良率，可以提升显示性能。
在一种示例性实施例中，第一电极的折射率可以约为1.7至1.8。例如，第一电极的折射率可以约为1.8。这里，本公开实施例对第一电极的折射率不做限定。
在一种示例性实施例中，第一电极的厚度可以约为60nm至80nm，或者可以约120nm至150nm。例如，第一电极的厚度可以约为70nm，或者，135nm。这里，本公开实施例对第一电极的厚度不做限定。
在一种示例性实施例中，第一电极可以作为阳极，第二电极可以作为阴极。这里，本公开实施例对电极的类型不做限定。
在一种示例性实施例中，以第一电极可以作为阳极，第二电极可以作为阴极为例，对于底发射型显示面板，第一电极的透过率可以高于第二电极的透过率，第一电极的反射率可以低于第二电极的反射率，例如，第一电极可以为透明电极，第二电极可以为反射电极，此时，第一电极为子像素的光线出射方向侧的电极；或者，对于顶发射型显示面板，第一电极的透过率可以低于第二电极的透过率，第一电极的反射率可以高于第二电极的反射率，例如，第一电极可以为反射电极，第二电极可以为透明电极，此时，第二电极为子像素的光线出射方向侧的电极。如此，第一电极与第二电极之间可以形成微腔结构。这里，透明电极不严格限定必须是完全透明的电极，允许工艺范围内不完全透明。
在一种示例性实施例中，第一电极可以为单层结构，或者可以为多层复合结构。
在一种示例性实施例中，以第一电极可以作为阳极为例，对于底发射型显示面板，第一电极可以采用透明氧化物材料，例如，氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)等。对于顶发射型显示面板，第一电极可以采用金属材料和透明氧化物材料的复合结构，例如，Ag/ITO、Ag/IZO或者ITO/Ag/ITO等，可以使第一电极在可见光区的平均反射率约为85％至95％。这里，本公开实施例对第一电极的材料不做限定。
在一种示例性实施例中，第二电极可以为单层结构，或者可以为多层复合结构。
在一种示例性实施例中，以第二电极可以作为阴极为例，对于顶发射型显示面板，第二电极可以采用金属材料，例如，金属材料可以采用镁(Mg)、银(Ag)或铝(Al)，或者采用合金材料，如Mg/Ag的合金，第二电极的厚度可以约为10nm至20nm，使阴极在波长530nm处的平均透过率约为50％至60％。对于底发射型显示面板，第二电极可以采用镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)或Mg/Ag的合金，第二电极的厚度可以约大于80nm，使第二电极具有良好的反射率。这里，本公开实施例对第二电极的材料和厚度不做限定。
在一种示例性实施例中，子像素的发光元件中的功能层可以包括：发光层(Emitting Layer，EML)，以及包括空穴注入层(Hole Injection Layer，HIL)、空穴传输层(Hole Transport Layer，HTL)、空穴阻挡层(Hole Block Layer，HBL)、电子阻挡层(Electron Block Layer，EBL)、电子注入层(Electron Injection Layer，EIL)、电子传输层(Electron Transport Layer，ETL)中的一个或多个膜层。例如，在第一电极和第二电极的电压驱动下，利用有机材料的发光特性根据需要的灰度发光。例如，空穴注入层被配置为降低从第一电极(例如，作为阳极)注入空穴的势垒，使空穴能从阳极有效地注入到发光层中。空穴传输层被配置为实现注入空穴定向有序的可控迁移。电子阻挡层被配置为对电子形成迁移势垒，阻止电子从发光层中迁移出来。发光层被配置为使电子和空穴发生复合而发出光线。空穴阻挡层被配置为对空穴形成迁移势垒，阻止空穴从发光层中迁移出来。电子传输层被配置为实现注入电子定向有序的可控迁移。电子注入层被配置为降低从第二电极(例如，作为阴极)注入电子的势垒，使电子能从阴极有效地注入到发光层。
例如，以功能层可以包括：依次层叠设置的第一功能层、发光层和第二功能层，第一功能层可以包括：空穴注入层和空穴传输层，第二功能层可以包括：电子传输层和电子注入层为例，那么，每个子像素的发光元件可以包括：依次层叠设置的第一电极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和第二电极。如此，每个子像素的第一电极靠近第二电极的表面与第二电极靠近第一电极的表面之间的距离可以是指在垂直与显示面板的方向上，空穴注入层的厚度、空穴传输层的厚度、发光层的厚度、电子传输层的厚度和电子注入层的厚度之和。例如，位于发光层一侧的电子注入层和电子传输层可以采用共通层，如此，可以降低工艺难度和提升良率。
又例如，以功能层可以包括：依次层叠设置的第一功能层、发光层和第二功能层，第一功能层可以包括：空穴注入层和空穴传输层，第二功能层可以包括：空穴阻挡层为例，那么，每个子像素的发光元件可以包括：依次层叠设置的第一电极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层和第二电极。如此，每个子像素的第一电极靠近第二电极的表面与第二电极靠近第一电极的表面之间的距离可以是指在垂直与显示面板的方向上，空穴注入层的厚度、空穴传输层的厚度、发光层的厚度和空穴阻挡层的厚度之和。
当然，子像素的发光元件包括不限于以上列出的两种方式，这里，本公开示例性实施例对子像素的发光元件中的膜层种类和数量不做限定。
在一种示例性实施例中，空穴注入层可以包括但不限于：芳胺类化合物、醌类衍生物、酮类衍生物、芴酮类衍生物和二氧硼杂环己二烯及其衍生物中的任意一种或多种。这里，本公开实施例对空穴注入层的材料类型和材料种类数不做限定，可任意设置。
在一种示例性实施例中，空穴注入层的折射率可以约为1.2至1.4。例如，不同子像素的折射率可以均相同。例如，空穴注入层的折射率可以约为1.3。这里，本公开实施例对空穴注入层的折射率不做限定。
在一种示例性实施例中，不同子像素的空穴注入层的厚度可以相同，或者，可以不相同。
在一种示例性实施例中，第一子像素的空穴注入层的厚度可以约为20nm至120nm。例如，第一子像素的空穴注入层的厚度可以约为20nm、38.6nm、90nm、100nm或者110nm。这里，本公开实施例对第一子像素的空穴注入层的厚度不做限定。
在一种示例性实施例中，第二子像素的空穴注入层的厚度可以约为10nm至110nm。例如，第二子像素的空穴注入层的厚度可以约为10nm、20nm、38.6nm、90nm、100nm或者110nm。这里，本公开实施例对第二子像素的空穴注入层的厚度不做限定。
在一种示例性实施例中，第三子像素的空穴注入层的厚度可以约为20nm至110nm。例如，第三子像素的空穴注入层的厚度可以约为20nm、28.5nm、76nm、100nm或者110nm。这里，本公开实施例对第三子像素的空穴注入层的厚度不做限定。
在一种示例性实施例中，空穴传输层可以包括但不限于：芳香族二胺类化合物、三苯胺化合物、芳香族三胺类化合物、联苯二胺衍生物、三芳胺聚合物和咔唑类聚合物中的任意一种或多种。这里，本公开实施例对空穴传输层的材料类型和材料种类数不做限定，可任意设置。
在一种示例性实施例中，空穴传输层的材料可以包括：空穴传输基团和与空穴传输基团相连的交联基团。例如，空穴传输基团可以包括但不限于选自：取代或未取代的咔唑、以及取代或未取代的三苯胺。例如，交联基团可以包括但不限于选自：取代或未取代的烯烃、取代或未取代的炔烃、取代或未取代的酯基、取代或未取代的醛基、取代或未取代的羰基、取代或未取代的叠氮基团、取代或未取代的氰基、取代或未取代的环氧乙烷、取代或未取代的环氧丙烷、取代或未取代的环氧丁烷、以及取代或未取代的环氧戊烷中的任意一种。
在一种示例性实施例中，交联基团可以为热交联基团。例如，热交联基团可以包括但不限于：苯乙烯。这里，本公开实施例对交联基团的类型和材料不做限定。
在一种示例性实施例中，空穴传输层的折射率可以约为1.6至1.8。例如，不同子像素的空穴传输层的折射率可以均相同。例如，空穴传输层的折射率可以约为1.65。这里，本公开实施例对空穴传输层的折射率不做限定。
在一种示例性实施例中，不同子像素的空穴传输层的厚度可以相同，或者，可以不相同。
在一种示例性实施例中，第一子像素的空穴传输层的厚度可以约为10nm至40nm。例如，第一子像素的空穴传输层的厚度可以约为10nm、19.7nm、18nm、24nm、36nm或者40nm。这里，本公开实施例对第一子像素的空穴传输层的厚度不做限定。
在一种示例性实施例中，第二子像素的空穴传输层的厚度可以约为10nm至40nm。例如，第二子像素的空穴传输层的厚度可以约为10nm、19.7nm、18nm、24nm、36nm或者40nm。这里，本公开实施例对第二子像素的空穴传输层的厚度不做限定。
在一种示例性实施例中，第三子像素的空穴传输层的厚度可以约为10nm至40nm。例如，第三子像素的空穴传输层的厚度可以约为10nm、19.7nm、18nm、24nm、36nm或者40nm。这里，本公开实施例对第三子像素的空穴传输层的厚度不做限定。
在一种示例性实施例中，发光层可以包括发光主体材料和发光客体材料。发光主体材料可以采用双极性单主体，或者可以采用由空穴型主体和电子型主体共混形成的双主体。发光客体材料可以包括但限于磷光材料、荧光材料和延迟荧光材料中的一种或多种，发光客体材料的掺杂比例约为5％至15％。这里，本公开实施例对发光层的材料不做限定。
在一种示例性实施例中，发光层的折射率可以约为1.6至1.8。这里，本公开实施例对发光层的折射率不做限定。
在一种示例性实施例中，不同子像素的发光层的折射率可以不相同。例如，第一子像素的发光层的折射率可以约为1.67。例如，第二子像素的发光层的折射率可以约为1.66。例如，第三子像素的发光层的折射率可以约为1.78。这里，本公开实施例对不同子像素的发光层的折射率不做限定。
在一种示例性实施例中，不同子像素的发光层的厚度可以相同，或者，可以不相同。
在一种示例性实施例中，第一子像素的发光层的厚度可以约为100nm至250nm。例如，第一子像素的发光层的厚度可以约为100nm、110nm、168.5nm、224nm、240nm或者250nm。这里，本公开实施例对第一子像素的发光层的厚度不做限定。
在一种示例性实施例中，第二子像素的发光层的厚度可以约为40nm至110nm。例如，第二子像素的发光层的厚度可以约为40nm、55nm、73nm、84.9nm、100nm或者110nm。这里，本公开实施例对第二子像素的发光层的厚度不做限定。
在一种示例性实施例中，第三子像素的发光层的厚度可以约为50nm至200nm。例如，第三子像素的发光层的厚度可以约为50nm、66nm、138.5nm、173nm、188nm或者200nm。这里，本公开实施例对第三子像素的发光层的厚度不做限定。
例如，不同颜色的子像素中发光层的厚度可以根据不同颜色发光层墨水的性质(例如墨水溶度、溶剂种类等)、不同颜色发光层的发光效率、寿命以及发光元件对不同种颜色发光层的亮度需求等因素进行调整，这里，本公开实施例对此不做限定。
在一种示例性实施例中，电子传输层的厚度可以约为3nm至7nm。例如，电子传输层的厚度可以约为6nm。
在示例性实施方式中，电子注入层的材料可以包括但限于氟化锂(LiF)、8-羟基喹啉锂(LiQ)、镱(Yb)和钙(Ca)中的一种或多种。例如，电子注入层通过蒸镀工艺形成。例如，电子注入层的厚度可以约为21nm至27nm。例如，电子注入层的厚度可以约为23nm。
在一种示例性实施例中，空穴注入层、空穴传输层以及发光层中的一种或多种可以采用喷墨打印工艺制备形成。
在一种示例性实施例中，电子传输层、电子注入层和第二电极中的一种或多种可以采用精细金属掩模版(FMM，Fine Metal Mask)或者开放式掩膜版(Open Mask)蒸镀制备形成。
在一种示例性实施例中，空穴阻挡层可以包括：叠设的第一阻挡层和第二阻挡层，例如，第一阻挡层的厚度可以约为3nm至7nm。例如，第一阻挡层的厚度可以约为6nm。例如，第二阻挡层的厚度可以约为21nm至27nm。例如，第二阻挡层的厚度可以约为23nm。例如，空穴阻挡层可以通过蒸镀工艺形成。
下面以每个子像素的发光元件包括：依次层叠设置的第一电极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和第二电极为例，结合附图对显示面板的结构进行详细说明。
图2为本公开示例性实施例中的显示面板的平面结构示意图，图3为本公开示例性实施例中的显示面板的剖面结构示意图。其中，在图2中以显示面板中的像素单元包括三个子像素为例进行示意，在图3中以显示面板中的三个子像素的结构为例进行示意。
如图2所示，该显示面板可以包括：阵列排布的多个像素单元P，多个像素单元P的至少一个可以包括：出射第一颜色光线的第一子像素P1、出射第二颜色光线的第二子像素P2和出射第三颜色光线的第三子像素P3，其中，第一颜色光线的波长小于第二颜色光线的波长，且大于第三颜色光线的波长。
在一种示例性实施例中，第一子像素可以为绿色(G)子像素，第二子像素可以为红色(R)子像素，以及第三子像素可以为蓝色(B)子像素。例如，像素单元P包括三个子像素时，三个子像素可以包括红色(R)子像素、绿色(G)子像素和蓝色(B)子像素，或者，像素单元P包括四个子像素时，四个子像素可以包括红色(R)子像素、绿色(G)子像素、蓝色(B)子像素和白色(W)子像素。这里，本公开实施例对像素单元中子像素的颜色和数量不做限定。
在一种示例性实施例中，不同颜色的子像素的发光层不同。例如，红色子像素包括红色发光层，绿色子像素包括绿色发光层，蓝色子像素包括蓝色发光层。
在一种示例性实施例中，发光层可以包括发光主体材料和发光客体材料。例如，发光主体材料可以采用双极性单主体，或者可以采用由空穴型主体和电子型主体共混形成的双主体。例如，发光客体材料可以采用磷光材料、荧光材料、延迟荧光材料等，发光客体材料的掺杂比例约为5％至15％。例如，发光层可以通过采用喷墨工艺制备形成。
在一种示例性实施例中，以第一颜色光线为绿色光线为例，第一颜色光线的波长可以为492nm(纳米)至577nm。以第二颜色光线为红色光线为例，第二颜色光线的波长可以为625nm至740nm。以第三颜色光线为蓝色光线为例，第三颜色光线的波长可以为440nm至475nm。这里，本公开实施例对像素单元中子像素的发出的光线的波长不做限定。
在一种示例性实施例中，像素单元中子像素的形状可以是矩形状、菱形、五边形或六边形。这里，本公开实施例对像素单元中子像素的形状不做限定。
在一种示例性实施例中，像素单元包括三个子像素时，三个子像素可以采用水平并列、竖直并列或品字方式排列。像素单元包括四个子像素时，四个子像素可以采用水平并列、竖直并列或正方形(Square)方式排列。这里，本公开实施例对像素单元中多个子像素的排列方式不做限定。
在一种示例性实施例中，第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3均可以包括：像素驱动电路和发光元件。例如，第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3中的像素驱动电路分别与扫描信号线和数据信号线连接，像素驱动电路被配置为在扫描信号线的控制下，接收数据信号线传输的数据电压，向发光元件输出相应的电流。第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3中的发光元件分别与所在子像素的像素驱动电路连接，发光元件被配置为响应所在子像素的像素驱动电路输出的电流发出相应亮度的光。
如图3所示，在垂直于显示面板的平面上，该显示面板可以包括：设置在衬底基板101上的驱动电路层102以及设置在驱动电路层102远离衬底基板101一侧的发光结构层103。
在一种示例性实施例中，衬底基板可以是柔性衬底(例如，可弯折或可弯曲的衬底)，或者可以是非柔性衬底(例如，刚性衬底)。例如，柔性衬底的材料可以是聚酰亚胺等有机材料。例如，柔性衬底可以包括叠设的第一柔性材料层、第一无机材料层、半导体层、第二柔性材料层和第二无机材料层，第一柔性材料层和第二柔性材料层的材料可以采用聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)或经表面处理的聚合物软膜等材料，第一无机材料层和第二无机材料层的材料可以采用氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)等，用于提高衬底的抗水氧能力，半导体层的材料可以采用非晶硅(a-si)。例如，刚性衬底的材料可以为玻璃、金属或者塑料等。
在一种示例性实施例中，如图3所示，驱动电路层102可以包括：构成每个子像素的像素驱动电路的多个晶体管和存储电容。其中，图3中仅以每个子像素的像素驱动电路中的一个晶体管301和一个存储电容302作为示例进行示意。
在一种示例性实施例中，每个子像素的像素驱动电路可以是3T1C、4T1C、5T1C、5T2C、6T1C或7T1C结构。这里，本公开实施例对每个子像素中的像素驱动电路的类型不做限定。
在一种示例性实施例中，如图3所示，发光结构层103可以包括：多个子像素的发光元件，多个子像素的发光元件可以包括：第一子像素P1的发光元件、第二子像素P2的发光元件和第三子像素P3的发光元件。
例如，如图3所示，第一子像素P1的发光元件可以包括：第一电极201a、空穴注入层202a、空穴传输层203a、发光层204a、电子传输层205a、电子注入层206a和第二电极207a。对应地，第一子像素P1的第一电极201a的靠近第二电极207a的表面与第二电极207a的靠近第一电极201a的表面之间的距离Ha可以是指空穴注入层202a的厚度、空穴传输层203a的厚度、发光层204a的厚度、电子传输层205a的厚度和电子注入层206a的厚度之和。例如，第一子像素P1中的晶体管301的第一极与第一子像素P1中的第一电极201a连接。
例如，如图3所示，第二子像素P2的发光元件可以包括：第一电极201b、空穴注入层202b、空穴传输层203b、发光层204b、电子传输层205b、电子注入层206b和第二电极207b。对应地，第二子像素P2的第一电极201b的靠近第二电极207b的表面与第二电极207b的靠近第一电极201b的表面之间的距离Hb可以是指空穴注入层202b的厚度、空穴传输层203b的厚度、发光层204b的厚度、电子传输层205b的厚度和电子注入层206b的厚度之和。
例如，如图3所示，第三子像素P3的发光元件可以包括：第一电极201c、空穴注入层202c、空穴传输层203c、发光层204c、电子传输层205c、电子注入层206c和第二电极207c。对应地，第三子像素P3的第一电极201c的靠近第二电极207c的表面与第二电极207c的靠近第一电极201c的表面之间的距离Hc可以是指空穴注入层202c的厚度、空穴传输层203c的厚度、发光层204c的厚度、电子传输层205c的厚度和电子注入层206c的厚度之和。
在一种示例性实施例中，子像素可以包括第一电极(例如，作为阳极)、第二电极(例如，作为阴极)以及设置在阳极和阴极之间的发光层，其发光原理为：将空穴由阳极注入至发光层，并将电子由阴极注入至发光层，当电子和空穴在发光层中相遇时，电子和空穴复合从而产生激子(exciton)，在从激发态转变为基态的同时，这些激子发光。例如，为了使空穴在较低的驱动电压下可以顺利地从第一电极(例如，作为阳极)注入至发光层，第一电极(例如，作为阳极)与发光层之间可以配置有空穴注入层和空穴传输层。例如，为了使电子在较低的驱动电压下可以顺利地从第二电极(例如，作为阴极)注入至发光层，第二电极(例如，作为阴极)与发光层之间可以配置有电子注入层和电子传输层。
在一种示例性实施例中，每个子像素的驱动电压可以为6V至8V。
在一种示例性实施例中，由于第二子像素的发光元件的第一电极与第二电极之间的距离相对最小，可以设置第二子像素的驱动电压小于第一子像素的驱动电压，且第二子像素的驱动电压小于第三子像素的驱动电压。
在一种示例性实施例中，如图3所示，第一子像素P1的第一电极201a的靠近第二电极207a的表面与第二电极207a的靠近第一电极201a的表面之间的距离Ha大于第二子像素P2的第一电极201b的靠近第二电极207b的表面与第二电极207b的靠近第一电极201b的表面之间的距离Hb，且第一子像素P1的第一电极201a的靠近第二电极207a的表面与第二电极207a的靠近第一电极201a的表面之间的距离Ha大于第三子像素P3的第一电极201c的靠近第二电极207c的表面与第二电极207c的靠近第一电极201c的表面之间的距离Hc。例如，如图3所示，第三子像素P3的第一电极201c的靠近第二电极207c的表面与第二电极207c的靠近第一电极201c的表面之间的距离Hc大于第二子像素P2的第一电极201b的靠近第二电极207b的表面与第二电极207b的靠近第一电极201b的表面之间的距离Hb。这里，本公开实施例对Hc和Hb之间的大小不做限定。
在一种示例性实施例中，第一子像素P1从发光位置到出射方向的电极处反射光线和透射光线的光程差满足二分之一第一颜色光线的波长的2倍，第二子像素P2从发光位置到出射方向的电极处反射光线和透射光线的光程差满足二分之一第二颜色光线的波长的1倍，以及第三子像素P3从发光位置到出射方向的电极处反射光线和透射光线的光程差满足二分之一第三颜色光线的波长的2倍。这里，由于功能层具有一定厚度，本公开实施例中的反射光线和透射光线的光程差满足二分之一光波长的整数倍，可以是指不严格限定界限，允许工艺和测量误差范围内的数值。例如，第一子像素P1从发光位置到出射方向的电极处反射光线和透射光线的光程差不完全为二分之一第一颜色光线的波长的2倍，但非常接近。
如此，通过设置反射光线和透射光线的光程差满足二分之一光波长的整数倍可以满足光学微谐振腔(又可称为微共振腔或微腔)的光程要求，可以强化不同颜色的子像素对应的微腔效应，从而，能够增强发光强度，进而，可以提高显示面板的发光效率，可调提升器件良率。而且，通过设置第二子像素P2从发光位置到出射方向的电极处反射光线和透射光线的光程差满足二分之一第二颜色光线的波长的1倍，可以避免第二子像素的发光元件的总厚度过厚，从而，在通过采用溶液制程方式形成子像素的发光元件时，可以避免第二子像素过厚所产生混色等不良现象，从而，可以提升器件良率。
在一种示例性实施例中，第一子像素P1对应的微腔的等效腔长大于第三子像素P3对应的微腔的等效腔长，且第三子像素P3对应的微腔的等效腔长大于第二子像素P2对应的微腔的等效腔长。其中，每个子像素对应的微腔的等效腔长满足如下关系式：
D＝d1×n1+d2×n2+…+di×ni+…+dk×nk；
其中，D表示子像素对应的微腔的等效腔长，d1表示子像素的第一电极和第二电极中透过率更高的一个电极的厚度，n1表示子像素的第一电极和第二电极中透过率更高的一个电极的折射率，d2表示子像素的第1层功能层的厚度，n2表示子像素的第1层功能层的折射率，di表示子像素的第i-1层功能层的厚度，ni表示子像素的第i-1层功能层的折射率，dk表示子像素的第k-1层功能层的厚度，nk表示子像素的第k-1层功能层的折射率，i小于k，k为大于1的正整数。
例如，以功能层包括：空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层为例，则空穴注入层可以为第1层功能层，空穴传输层可以为第2层功能层，发光层可以为第3层功能层，电子传输层可以为第4层功能层，电子注入层可以为第5层功能层，此时，k可以为6。又例如，以功能层包括：空穴注入层、空穴传输层、发光层和空穴阻挡层为例，则空穴注入层可以为第1层功能层，空穴传输层可以为第2层功能层，发光层可以为第3层功能层，空穴阻挡层中的第1层可以为第4层功能层，空穴阻挡层中的第2层可以为第5层功能层，此时，k仍然可以为6。
如此，针对第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3，通过调节子像素的功能层中至少一层(例如，空穴注入层、空穴传输层或者发光层)的厚度，可以调节对应子像素所对应的微腔的等效腔长。从而，可以实现不同子像素的第一电极和第二电极之间的功能层的厚度为二分之一光波长的整数倍满足光学微谐振腔的光程要求。进而，可以强化不同颜色的子像素对应的微腔效应，从而，能够增强发光强度，进而，可以提高显示面板的发光效率，可调提升器件良率。
在一种示例性实施例中，第一子像素对应的微腔的等效腔长可以约为600nm至640nm。例如，第一子像素对应的微腔的等效腔长可以约为600nm、609.5nm、620nm、630nm或者640nm。这里，本公开示例性实施例对第一子像素对应的微腔的等效腔长不做限定。
在一种示例性实施例中，第二子像素对应的微腔的等效腔长可以约为340nm至450nm。例如，340nm、356.7nm、377nm、436.58nm或者450nm。这里，本公开示例性实施例对第二子像素对应的微腔的等效腔长不做限定。
在一种示例性实施例中，第三子像素对应的微腔的等效腔长可以约为520nm至560nm。例如，520nm、530nm、540nm、549.88nm或者560nm。这里，本公开示例性实施例对第三子像素对应的微腔的等效腔长不做限定。
在一种示例性实施例中，如图3所示，发光结构层103还可以包括：设置在驱动电路层102远离衬底基板101一侧的像素定义层303，其中，像素定义层303可以包括：多个用于限定子像素位置的像素开口区域(又可称为像素区)，多个像素开口区域与多个子像素一一对应。
在一种示例性实施例中，如图3所示，显示面板还可以包括：设置在发光结构层103远离衬底基板101一侧的封装层104。例如，封装层可以包括叠设的第一封装层、第二封装层和第三封装层，第一封装层和第三封装层可以采用无机材料，第二封装层可以采用有机材料，第二封装层设置在第一封装层和第三封装层之间，可以保证外界水汽无法进入发光结构层103。
下面以示例性实施例为例进行说明。
例如，以第一子像素可以为绿色(G)子像素，第二子像素可以为红色(R)子像素，以及第三子像素可以为蓝色(B)子像素为例，如下表1所示，红色子像素发出的光的波长可以为630nm，绿色子像素发出的光的波长可以为530nm，蓝色子像素发出的光的波长可以为450nm。
表1不同颜色的子像素的波长(单位：nm)
R子像素 G子像素 B子像素
波长 630 530 450
例如，图4为不同厚度ITO薄膜的透过率与波长的关系示意图，如图4所示，在波长450nm至630nm之间，ITO的厚度约为65.8nm附近，或者，ITO的厚度约为130.8nm附近，ITO薄膜的透过率较佳。例如，以第一电极为ITO电极，三个子像素的第一电极的厚度可以均约为70nm，或者135nm。其中，在图4中，横坐标表示波长(单位：nm)，纵坐标表示透过率(单位：％)，不同曲线表示不同厚度(单位：nm)的ITO薄膜的透过率与波长的关系。
例如，以第一电极为ITO电极，第一子像素可以为绿色(G)子像素，第二子像素可以为红色(R)子像素，以及第三子像素可以为蓝色(B)子像素为例，如下表2所示，三个子像素的空穴注入层的折射率可以约为1.3，三个子像素的空穴传输层的折射率可以约为1.65，红色(R)子像素的发光层的折射率可以约为1.66，绿色(G)子像素的发光层的折射率可以约为1.67，蓝色(B)子像素的发光层的折射率可以约为1.78，三个子像素的电子传输层的折射率可以均约为1.8，三个子像素的第一电极的折射率可以均约为1.8。
表2不同颜色的子像素的不同膜层的折射率
HIL HTL R发光层 G发光层 B发光层 ETL ITO
n 1.3 1.65 1.66 1.67 1.78 1.8 1.8
其中，在表2中，n表示折射率。
例如，以第一电极为ITO电极，第一子像素可以为绿色(G)子像素，第二子像素可以为红色(R)子像素，以及第三子像素可以为蓝色(B)子像素为例，如下表3所示，不同颜色的子像素的第一电极的厚度相等，例如，三个子像素的第一电极的厚度可以均约为70nm。R子像素的空穴注入层HIL的厚度和G子像素的空穴注入层HIL的厚度相等，且R子像素的空穴注入层HIL的厚度大于B子像素的空穴注入层HIL的厚度，例如，R子像素的空穴注入层HIL的厚度和G子像素的空穴注入层HIL的厚度均为38.6nm，且B子像素的空穴注入层HIL的厚度为28.5nm。G子像素的空穴传输层HTL的厚度和B子像素的空穴传输层HTL的厚度相等，且G子像素的空穴传输层HTL的厚度小于R子像素的空穴传输层HTL的厚度，例如，R子像素的空穴传输层HTL的厚度为24nm，且G子像素的空穴传输层HTL的厚度和B子像素的空穴传输层HTL的厚度均为19.7nm。G子像素的发光层EML的厚度大于B子像素的发光层EML的厚度，且B子像素的发光层EML的厚度大于R子像素的发光层EML的厚度，例如，R子像素的发光层EML的厚度可以为84.9nm，G子像素的发光层EML的厚度可以为240nm，B子像素的发光层EML的厚度可以为188nm。
表3不同颜色的子像素的不同膜层的厚度示例一(单位：nm)
ITO HIL HTL EML 等效腔长
R子像素 70 38.6 24 84.9 356.714
G子像素 70 38.6 19.7 240 609.485
B子像素 70 28.5 19.7 188 530.195
其中，在表3中，保持第一电极的厚度不变，通过调整空穴注入层HIL的厚度、空穴传输层HTL的厚度以及发光层EML的厚度，以实现第一子像素P1从发光位置到出射方向的电极处反射光线和透射光线的光程差满足二分之一第一颜色光线的波长的2倍，第二子像素P2从发光位置到出射方向的电极处反射光线和透射光线的光程差满足二分之一第二颜色光线的波长的1倍，以及第三子像素P3从发光位置到出射方向的电极处反射光线和透射光线的光程差满足二分之一第三颜色光线的波长的2倍。
例如，以第一电极为ITO电极，第一子像素可以为绿色(G)子像素，第二子像素可以为红色(R)子像素，以及第三子像素可以为蓝色(B)子像素为例，如下表4所示：不同颜色的子像素的第一电极的厚度相等，例如，三个子像素的第一电极的厚度可以均约为70nm。R子像素的空穴注入层HIL的厚度和G子像素的空穴注入层HIL的厚度相等，且R子像素的空穴注入层HIL的厚度大于B子像素的空穴注入层HIL的厚度，例如，R子像素的空穴注入层HIL的厚度和G子像素的空穴注入层HIL的厚度均为38.6nm，且B子像素的空穴注入层HIL的厚度为28.5nm。不同颜色的子像素的空穴传输层HTL的厚度相等，例如，R子像素、G子像素和B子像素的空穴传输层HTL的厚度均为36nm。G子像素的发光层EML的厚度大于B子像素的发光层EML的厚度，且B子像素的发光层EML的厚度大于R子像素的发光层EML的厚度，例如，R子像素的发光层EML的厚度可以为73nm，G子像素的发光层EML的厚度可以为224nm，B子像素的发光层EML的厚度可以为173nm。
表4不同颜色的子像素的不同膜层的厚度示例二(单位：nm)
ITO HIL HTL EML 等效腔长
R子像素 70 38.6 36 73 356.76
G子像素 70 38.6 36 224 609.66
B子像素 70 28.5 36 173 530.39
其中，在表4中，保持第一电极的厚度和空穴传输层HTL的厚度不变，通过调整空穴注入层HIL的厚度以及发光层EML的厚度，以实现第一子像素P1从发光位置到出射方向的电极处反射光线和透射光线的光程差满足二分之一第一颜色光线的波长的2倍，第二子像素P2从发光位置到出射方向的电极处反射光线和透射光线的光程差满足二分之一第二颜色光线的波长的1倍，以及第三子像素P3从发光位置到出射方向的电极处反射光线和透射光线的光程差满足二分之一第三颜色光线的波长的2倍。
例如，以第一电极为ITO电极，第一子像素可以为绿色(G)子像素，第二子像素可以为红色(R)子像素，以及第三子像素可以为蓝色(B)子像素为例，如下表5所示：不同颜色的子像素的第一电极的厚度相等，例如，三个子像素的第一电极的厚度可以均约为70nm。G子像素的空穴注入层HIL的厚度大于R子像素的空穴注入层HIL的厚度，且R子像素的空穴注入层HIL的厚度大于B子像素的空穴注入层HIL的厚度，例如，R子像素的空穴注入层HIL的厚度可以为100nm、G子像素的空穴注入层HIL的厚度可以为110nm，且B子像素的空穴注入层HIL的厚度可以为76nm。不同颜色的子像素的空穴传输层HTL的厚度相等，例如，R子像素、G子像素和B子像素的空穴传输层HTL的厚度均为36nm。G子像素的发光层EML的厚度大于B子像素的发光层EML的厚度，且B子像素的发光层EML的厚度大于R子像素的发光层EML的厚度，例如，R子像素的发光层EML的厚度可以为73nm，G子像素的发光层EML的厚度可以为168.5nm，B子像素的发光层EML的厚度可以为138.5nm。
表5不同颜色的子像素的不同膜层的厚度示例三(单位：nm)
ITO HIL HT EML 等效腔长
R子像素 70 100 36 73 436.58
G子像素 70 110 36 168.5 609.795
B子像素 70 76 36 138.5 530.73
其中，在表5中，仍然保持第一电极的厚度和空穴传输层HTL的厚度不变，通过调整空穴注入层HIL的厚度以及发光层EML的厚度，以实现第一子像素P1从发光位置到出射方向的电极处反射光线和透射光线的光程差满足二分之一第一颜色光线的波长的2倍，第二子像素P2从发光位置到出射方向的电极处反射光线和透射光线的光程差满足二分之一第二颜色光线的波长的1倍，以及第三子像素P3从发光位置到出射方向的电极处反射光线和透射光线的光程差满足二分之一第三颜色光线的波长的2倍。
例如，以第一电极为ITO电极，第一子像素可以为绿色(G)子像素，第二子像素可以为红色(R)子像素，以及第三子像素可以为蓝色(B)子像素为例，如下表6所示：不同颜色的子像素的第一电极的厚度相等，例如，三个子像素的第一电极的厚度可以均约为135nm。G子像素的空穴注入层HIL的厚度大于R子像素的空穴注入层HIL的厚度，且B子像素的空穴注入层HIL的厚度大于R子像素的空穴注入层HIL的厚度，例如，R子像素的空穴注入层HIL的厚度可以为10nm、G子像素的空穴注入层HIL的厚度可以为110nm，且B子像素的空穴注入层HIL的厚度可以为100nm。G子像素的空穴传输层HTL的厚度和B子像素的空穴传输层HTL的厚度相等，且G子像素的空穴传输层HTL的厚度大于R子像素的空穴传输层HTL的厚度，例如，R子像素的空穴传输层HTL的厚度为18nm，且G子像素的空穴传输层HTL的厚度和B子像素的空穴传输层HTL的厚度均为36nm。G子像素的发光层EML的厚度大于B子像素的发光层EML的厚度，且B子像素的发光层EML的厚度大于R子像素的发光层EML的厚度，例如，R子像素的发光层EML的厚度可以为55nm，G子像素的发光层EML的厚度可以为110nm，B子像素的发光层EML的厚度可以为66nm。
表6不同颜色的子像素的不同膜层的厚度示例四(单位：nm)
ITO HIL HTL EML 等效腔长
R子像素 135 10 18 55 377
G子像素 135 110 36 110 629.1
B子像素 135 100 36 66 549.88
其中，在表6中，通过调整第一电极的厚度、空穴传输层HTL的厚度空穴注入层HIL的厚度以及发光层EML的厚度，以实现第一子像素P1从发光位置到出射方向的电极处反射光线和透射光线的光程差满足二分之一第一颜色光线的波长的2倍，第二子像素P2从发光位置到出射方向的电极处反射光线和透射光线的光程差满足二分之一第二颜色光线的波长的1倍，以及第三子像素P3从发光位置到出射方向的电极处反射光线和透射光线的光程差满足二分之一第三颜色光线的波长的2倍。从而，可以强化不同颜色的子像素对应的微腔效应，从而，能够增强发光强度，进而，可以提高显示面板的发光效率，可调提升器件良率。而且，可以避免第二子像素的发光结构的总厚度过厚，从而，在通过采用溶液制程方式形成子像素的发光结构时，可以避免第二子像素过厚所产生混色等不良现象，从而，可以提升器件良率。此外，在采用溶液制程方式制备时可大幅增加墨水工艺窗口，从而使显示装置的性能得到了提升。
这里，上述一个或多个示例性实施例中子像素中膜层的厚度以及子像素发出的光的波长的数值仅是示意性的，本公开实施例对此不做限定，在实际工艺中，膜层的厚度以及子像素发出的光的波长可根据实际需求而设定。
此外，本公开实施例中的显示面板除了可以包括上述的结构以外，还可以包括其它必要的组成和结构，例如，平坦化以及绝缘层等其他功能层和结构层，本领域技术人员可根据该显示面板的种类进行相应地设计和补充，在此不再赘述。
本公开实施例还提供一种显示装置，该显示装置可以包括上述一个或多个实施例中的显示面板。
在一种示例性实施例中，显示面板可以为OLED显示面板或者Micro OLED显示面板。这里，本公开实施例对显示面板的类型不做限定，可任意设置。
在一种示例性实施例中，显示面板可以为柔性显示面板(例如，可弯曲、可折叠或可卷曲的显示面板)或者非柔性显示面板(例如，刚性显示面板)。这里，本公开实施例对显示显示的类型不做限定，可任意设置。
在一种示例性实施例中，该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、导航仪等任何具有显示和投影功能的产品或部件。这里，本公开实施例对显示装置的类型不做限定。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本公开的限制。
对于本公开显示装置实施例中未披露的技术细节，本领域的技术人员请参照本公开显示面板实施例中的描述而理解，这里不再赘述。
本公开实施例还提供一种显示面板的制备方法，该显示面板可以为上述一个或多个实施例中的显示面板。
该制备方法还可以包括：
S1、提供衬底基板；
S2、在衬底基板上形成阵列排布的多个像素单元，其中，形成多个像素单元的至少一个包括：形成出射第一颜色光线的第一子像素、出射第二颜色光线的第二子像素和出射第三颜色光线的第三子像素，形成每个所述子像素包括沿垂直于衬底基板的方向依次形成第一电极、功能层以及第二电极。
在一种示例性实施例中，功能层包括：依次叠设的第一功能层、发光层和第二功能层，那么，S2可以包括：
S21、采用溶液制程方式依次形成第一功能层和发光层。
在一种示例性实施例中，S2还可以包括：
S22、采用蒸镀方式形成第二功能层和第二电极。
例如，本公开实施例提供的显示面板的制备方法采用溶液制程方式形成第一电极、第一功能层和发光层。例如，可以采用喷墨打印的方式形成第一电极、第一功能层和发光层。
在一种示例性实施例中，第一功能层可以包括：空穴注入层和空穴传输层为例，那么，S21可以包括：
S211：在衬底基板上依次形成第一电极和像素定义层；其中，像素定义层可以包括：呈阵列排布的多个像素开口区域，多个像素开口区域与多个第一电极一一对应，像素开口区域暴露出对应的第一电极的至少一部分，像素开口区域被配置为容纳用于形成功能层中一层或多层的墨水。每个像素开口区域可以作为每个子像素的发光区域。
S212、在像素定义层中进行喷墨打印，以在上述的衬底基板的第一电极上形成空穴注入层和空穴传输层；
S213、对空穴传输层进行加热交联；
如此，采用加热交联成膜的方式可以避免喷墨打印的下一膜层(如，发光层)的墨水溶剂对上一膜层(如，空穴传输层)的侵蚀；
S214、通过喷墨打印方式，在空穴传输层的远离衬底基板的一侧形成发光层。
在一种示例性实施例中，第二功能层可以包括：电子传输层和电子注入层为例，那么，S22可以包括：通过蒸镀方式，在形成有发光层的远离衬底基板的一侧依次形成电子传输层、电子注入层和第二电极。
其中，有子像素的电子注入层可以是连接在一起的共通层，所有子像素的电子传输层可以是连接在一起的共通层，所有子像素的第二电极可以是连接在一起的共通层，以覆盖像素限定层。即，多个子像素的电子传输层、电子注入层和第二电极的厚度均相等。如此，可通过一次蒸镀工艺制作出，而降低工艺复杂程度，并降低制作成本。
这里，覆盖像素限定层可以是指，电子传输层、电子注入层和第二电极中的至少一层覆盖每个像素开口区域、以及像素限定层中的位于相邻像素开口区域之间的部分和像素限定层中位于边缘的部分。
对于本公开制备方法实施例中未披露的技术细节，本领域的技术人员请参照本公开显示面板实施例中的描述而理解，这里不再赘述。
虽然本公开所揭露的实施方式如上，但上述的内容仅为便于理解本公开而采用的实施方式，并非用以限定本公开。任何本公开所属领域内的技术人员，在不脱离本公开所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本公开的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (16)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：阵列排布的多个像素单元，所述多个像素单元的至少一个包括：出射第一颜色光线的第一子像素、出射第二颜色光线的第二子像素和出射第三颜色光线的第三子像素，第一颜色光线的波长小于第二颜色光线的波长，且大于第三颜色光线的波长，每个子像素包括：依次层叠设置的第一电极、功能层和第二电极，其中，所述第一子像素的第一电极靠近第二电极的表面与第二电极靠近第一电极的表面之间的距离大于所述第二子像素的第一电极靠近第二电极的表面与第二电极靠近第一电极的表面之间的距离，且大于所述第三子像素的第一电极靠近第二电极的表面与第二电极靠近第一电极的表面之间的距离。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一子像素为绿色子像素，所述第二子像素为红色子像素，以及所述第三子像素为蓝色子像素。
3.根据权利要求1或2所述的显示面板，其特征在于，所述第一子像素从发光位置到出射方向的电极处反射光线和透射光线的光程差满足二分之一第一颜色光线的波长的2倍，所述第二子像素从发光位置到出射方向的电极处反射光线和透射光线的光程差满足二分之一第二颜色光线的波长的1倍，以及所述第三子像素从发光位置到出射方向的电极处反射光线和透射光线的光程差满足二分之一第三颜色光线的波长的2倍。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第一子像素对应的微腔的等效腔长大于所述第三子像素对应的微腔的等效腔长，且所述第三子像素对应的微腔的等效腔长大于所述第二子像素对应的微腔的等效腔长，其中，每个子像素对应的微腔的等效腔长满足如下关系式：
D＝d1×n1+d2×n2+…+di×ni+…+dk×nk；
其中，D表示子像素对应的微腔的等效腔长，d1表示子像素的第一电极和第二电极中透过率更高的一个电极的厚度，n1表示子像素的第一电极和第二电极中透过率更高的一个电极的折射率，d2表示子像素的第1层功能层的厚度，n2表示子像素的第1层功能层的折射率，di表示子像素的第i-1层功能层的厚度，ni表示子像素的第i-1层功能层的折射率，dk表示子像素的第k-1层功能层的厚度，nk表示子像素的第k-1层功能层的折射率，i小于k，k为大于1的正整数。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第一子像素对应的微腔的等效腔长为600nm至640nm；所述第二子像素对应的微腔的等效腔长为340nm至450nm；以及所述第三子像素对应的微腔的等效腔长为520nm至560nm。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，当所述显示面板为底发射显示面板时，所述第一电极为透明电极，所述第二电极为反射电极；或者，当所述显示面板为顶发射显示面板时，所述第一电极为反射电极，所述第二电极为透明电极。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一子像素的第一电极、所述第二子像素的第一电极和所述第三子像素的第一电极的折射率均为1.7至1.8；以及，所述第一子像素的第一电极、所述第二子像素的第一电极和所述第三子像素的第一电极的厚度均为60nm至80nm或者120nm至150nm。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述功能层包括：空穴注入层，其中，所述第一子像素的空穴注入层、所述第二子像素的空穴注入层和所述第三子像素的空穴注入层的折射率均为1.2至1.4；所述第一子像素的空穴注入层的厚度为20nm至120nm；所述第二子像素的空穴注入层的厚度为10nm至110nm；以及，所述第三子像素的空穴注入层的厚度为20nm至110nm。
9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述功能层包括：空穴传输层，其中，所述第一子像素的空穴传输层、所述第二子像素的空穴传输层和所述第三子像素的空穴传输层的折射率均为1.6至1.8；以及，所述第一子像素的空穴传输层、所述第二子像素的空穴传输层和所述第三子像素的空穴传输层的厚度均为10nm至40nm。
10.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述功能层包括：空穴注入层，其中，所述空穴传输层的材料包括：空穴传输基团和与所述空穴传输基团相连的交联基团。
11.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述功能层包括：发光层，其中，所述第一子像素的发光层、所述第二子像素的发光层和所述第三子像素的发光层的折射率均为1.6至1.8；所述第一子像素的发光层的厚度为100nm至250nm；所述第二子像素的发光层的厚度为40nm至110nm；以及所述第三子像素的发光层的厚度为50nm至200nm。
12.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求1至11中任一项所述的显示面板。
13.一种显示面板的制备方法，其特征在于，适用于如权利要求1至11中任一项所述的显示面板，所述制备方法包括：
提供衬底基板；
在衬底基板上形成阵列排布的多个像素单元，其中，
形成所述多个像素单元的至少一个包括：形成出射第一颜色光线的第一子像素、出射第二颜色光线的第二子像素和出射第三颜色光线的第三子像素。
14.根据权利要求13所述的制备方法，其特征在于，所述功能层包括：依次叠设的第一功能层、发光层和第二功能层，形成每个所述子像素包括：采用溶液制程方式依次形成第一功能层和发光层。
15.根据权利要求14所述的制备方法，其特征在于，形成每个所述子像素还包括：采用蒸镀方式形成第二功能层。
16.根据权利要求14或15所述的制备方法，其特征在于，所述第一功能层包括：空穴传输层，所述制备方法还包括：在形成所述发光层之前，对所述空穴传输层进行加热交联。
CN202110729821.9A 2021-06-29 2021-06-29 显示面板及其制备方法、显示装置 Pending CN113314586A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110729821.9A CN113314586A (zh) 2021-06-29 2021-06-29 显示面板及其制备方法、显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110729821.9A CN113314586A (zh) 2021-06-29 2021-06-29 显示面板及其制备方法、显示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113314586A true CN113314586A (zh) 2021-08-27

Family

ID=77380809

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110729821.9A Pending CN113314586A (zh) 2021-06-29 2021-06-29 显示面板及其制备方法、显示装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113314586A (zh)

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050140288A1 (en) * 2003-12-26 2005-06-30 Koji Suzuki Display device and method and apparatus for manufacturing display device
JP2016057557A (ja) * 2014-09-12 2016-04-21 キヤノン株式会社 反射型液晶表示装置およびプロジェクタ
US20160126297A1 (en) * 2014-10-31 2016-05-05 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting device and method of fabricating the same
CN208489238U (zh) * 2018-05-16 2019-02-12 云谷（固安）科技有限公司 有机电致发光装置
CN109560107A (zh) * 2017-09-27 2019-04-02 京东方科技集团股份有限公司 电致发光显示面板及其制作方法、显示装置
CN109904348A (zh) * 2019-03-18 2019-06-18 京东方科技集团股份有限公司 像素单元、显示面板及显示装置
JP2019153710A (ja) * 2018-03-05 2019-09-12 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機電界発光パネルおよび電子機器
CN110459699A (zh) * 2019-08-30 2019-11-15 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
WO2020010647A1 (zh) * 2018-07-10 2020-01-16 上海视欧光电科技有限公司 一种顶发射式微腔oled显示装置
CN110890478A (zh) * 2019-11-29 2020-03-17 上海天马有机发光显示技术有限公司 有机发光显示面板及有机发光显示装置
CN111293231A (zh) * 2020-02-24 2020-06-16 京东方科技集团股份有限公司 Woled显示基板及其制作方法、woled显示装置
CN112952014A (zh) * 2021-04-14 2021-06-11 北京京东方技术开发有限公司 发光二极管及其制备方法、显示面板及其制备方法
CN216145621U (zh) * 2021-06-29 2022-03-29 合肥京东方卓印科技有限公司 显示面板及显示装置

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050140288A1 (en) * 2003-12-26 2005-06-30 Koji Suzuki Display device and method and apparatus for manufacturing display device
JP2016057557A (ja) * 2014-09-12 2016-04-21 キヤノン株式会社 反射型液晶表示装置およびプロジェクタ
US20160126297A1 (en) * 2014-10-31 2016-05-05 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting device and method of fabricating the same
CN109560107A (zh) * 2017-09-27 2019-04-02 京东方科技集团股份有限公司 电致发光显示面板及其制作方法、显示装置
JP2019153710A (ja) * 2018-03-05 2019-09-12 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機電界発光パネルおよび電子機器
CN208489238U (zh) * 2018-05-16 2019-02-12 云谷（固安）科技有限公司 有机电致发光装置
WO2020010647A1 (zh) * 2018-07-10 2020-01-16 上海视欧光电科技有限公司 一种顶发射式微腔oled显示装置
CN109904348A (zh) * 2019-03-18 2019-06-18 京东方科技集团股份有限公司 像素单元、显示面板及显示装置
CN110459699A (zh) * 2019-08-30 2019-11-15 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN110890478A (zh) * 2019-11-29 2020-03-17 上海天马有机发光显示技术有限公司 有机发光显示面板及有机发光显示装置
CN111293231A (zh) * 2020-02-24 2020-06-16 京东方科技集团股份有限公司 Woled显示基板及其制作方法、woled显示装置
CN112952014A (zh) * 2021-04-14 2021-06-11 北京京东方技术开发有限公司 发光二极管及其制备方法、显示面板及其制备方法
CN216145621U (zh) * 2021-06-29 2022-03-29 合肥京东方卓印科技有限公司 显示面板及显示装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20230380237A1 (en) Non-common capping layer on an organic device
US20220352273A1 (en) Display panel, fabrication method therefor, and display device
US10128319B2 (en) Hybrid display
KR100778818B1 (ko) 일렉트로 루미네선스 장치, 일렉트로 루미네선스 장치의제조 방법 및 전자 기기
US10872939B2 (en) Viewing angle color shift control
US11177329B2 (en) Viewing angle color shift control
US8957579B2 (en) Low image sticking OLED display
US20190296264A1 (en) Quantum dot based pixel assembly
KR102174652B1 (ko) 발광 소자, 표시 장치 및 조명 장치
US9343510B2 (en) Organic light emitting display device
US9780319B2 (en) Organic light emitting diode display device
US10444559B2 (en) Display unit and electronic apparatus
CN107665953B (zh) 极高分辨率堆叠oled显示器和其制造方法
CN216145621U (zh) 显示面板及显示装置
US11170709B2 (en) Multi-mode OLED display
US11222928B2 (en) Display architecture with reduced number of data line connections
US20230053320A1 (en) Display apparatus
US20230354698A1 (en) Functional material, light-emitting substrate and manufacturing method therefor, and light-emitting apparatus
US20230021056A1 (en) Method of patterning light emitting layer, and method of manufacturing light-emitting diode device
CN113314586A (zh) 显示面板及其制备方法、显示装置
KR102113609B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
JP2010277949A (ja) 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法
TWI624094B (zh) 有機發光二極體及包含該有機發光二極體的有機發光二極體顯示裝置
US20230371365A1 (en) Organic Light Emitting Device and Display Device
US20220130946A1 (en) OLED Display Design for Local Transparency

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination