CN109285970B - 显示基板及其制作方法、以及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本公开的实施例提供一种显示基板及其制作方法、以及显示装置。显示基板的制作方法,包括:在衬底基板上形成至少两种颜色的发光单元,其包括:在衬底基板上形成第一电极、发光层和第二电极,形成第一电极包括在衬底基板上形成电极子层和透明结构,形成第一颜色发光单元的透明结构包括:在电极子层远离衬底基板的一侧形成第一透明导电层、透明刻蚀阻挡层以及第二透明导电层,第一透明导电层与第二透明导电层的刻蚀速率基本相同,至少两种颜色的发光单元中的透明结构的厚度不同。通过形成透明刻蚀阻挡层,可以防止在形成不同颜色的发光单元中的不同厚度透明结构时,对透明刻蚀阻挡层面向衬底基板一侧的透明导电层造成损伤。

Description

显示基板及其制作方法、以及显示装置
技术领域
本公开至少一个实施例涉及一种显示基板及其制作方法、以及显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)显示器因其具有自发光、对比度高、厚度薄、响应速度快、可弯折以及使用温度范围广等优点而成为研究的热点。
发明内容
本公开的至少一实施例提供一种显示基板及其制作方法、以及显示装置。通过形成透明刻蚀阻挡层,可以防止在形成不同颜色的发光单元中的不同厚度透明结构时,对透明刻蚀阻挡层面向衬底基板一侧的透明导电层造成损伤。
本公开的至少一实施例提供一种显示基板的制作方法,包括:在衬底基板上形成至少两种颜色的发光单元,形成所述至少两种颜色的发光单元包括:在所述衬底基板上形成第一电极,形成所述第一电极包括在所述衬底基板上依次形成电极子层和透明结构,其中,所述至少两种颜色的发光单元包括第一颜色发光单元,形成所述第一颜色发光单元的透明结构包括:在所述电极子层远离所述衬底基板的一侧依次形成层叠的第一透明导电层、透明刻蚀阻挡层以及第二透明导电层,所述第一透明导电层与所述第二透明导电层的刻蚀速率基本相同;在所述第一电极远离所述衬底基板的一侧形成发光层;以及在所述发光层远离所述第一电极的一侧形成第二电极,其中,所述电极子层和所述第二电极之一为反射电极,另一个为半透半反电极,且至少两种颜色的所述发光单元中的所述透明结构的厚度不同以使至少两种颜色的所述发光单元中的所述电极子层与所述第二电极之间的距离不同。
在一些示例中,所述发光层与所述第二电极共形形成在厚度不同的所述透明结构上。
在一些示例中,所述至少两种颜色的发光单元还包括第二颜色发光单元,所述第二颜色发光单元的透明结构包括层叠设置且彼此接触的第三透明导电层和第四透明导电层,形成所述第一颜色发光单元的透明结构和所述第二颜色发光单元的透明结构包括:在同一步工艺中形成所述第一透明导电层和所述第三透明导电层;在所述第一透明导电层和所述第三透明导电层远离所述衬底基板的一侧形成透明刻蚀阻挡层,并图案化所述透明刻蚀阻挡层以形成开口,从而暴露所述第三透明导电层;在图案化后的所述透明刻蚀阻挡层和所述第三透明导电层远离所述衬底基板的一侧形成透明导电膜,其中,与所述第一透明导电层相对应的所述透明导电膜为所述第二透明导电层,与所述第三透明导电层相对应的所述透明导电膜为所述第四透明导电层。
在一些示例中,在同一步工艺中形成所述第一透明导电层和所述第三透明导电层包括:采用同一步图案化工艺形成彼此间隔的所述第一透明导电层和所述第三透明导电层;形成所述透明导电膜之后包括:对所述透明导电膜和图案化后的所述透明刻蚀阻挡层进行图案化以保留所述第一透明导电层上的所述透明刻蚀阻挡层,并在被保留的所述透明刻蚀阻挡层上形成所述第二透明导电层,在所述第三透明导电层上形成所述第四透明导电层。
在一些示例中,所述至少两种颜色的发光单元还包括第三颜色发光单元,所述第三颜色发光单元的透明结构包括第五透明导电层,其中,形成所述第一透明导电层和所述第三透明导电层的同时还包括:形成所述第五透明导电层;形成所述第二透明导电层和所述第四透明导电层的同时还包括:图案化位于所述第五透明导电层上的所述透明刻蚀阻挡层和所述透明导电膜以暴露所述第五透明导电层,所述透明刻蚀阻挡层被配置为防止所述第五透明导电层被刻蚀。
在一些示例中,图案化所述透明刻蚀阻挡层以形成开口的同时还包括:在位于所述第一透明导电层上的所述透明刻蚀阻挡层中形成过孔以暴露所述第一透明导电层,从而使后续形成的所述第二透明导电层与所述第一透明导电层电连接。
在一些示例中,采用化学气相沉积方法形成所述透明刻蚀阻挡层。
在一些示例中,所述发光层为白光发光层。
在一些示例中,所述第一透明导电层和所述第二透明导电层的材料包括氧化铟锡、氧化镓锌、氧化锌或氧化铟锌。
在一些示例中,所述第一透明导电层和所述第二透明导电层的材料相同。
在一些示例中,所述透明刻蚀阻挡层的材料包括氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅。
在一些示例中,所述第一透明导电层的厚度为80-300埃,所述透明刻蚀阻挡层的厚度为80-500埃,所述第二透明导电层的厚度为120-900埃。
本公开至少一实施例提供了一种显示基板,包括:衬底基板;位于所述衬底基板上的至少两种颜色的发光单元,所述至少两种颜色的发光单元包括位于所述衬底基板上的第一电极、发光层以及第二电极,所述第一电极包括电极子层以及位于所述电极子层远离所述衬底基板的一侧的透明结构,所述电极子层和所述第二电极之一为反射电极,另一个为半透半反电极,且至少两种颜色的所述发光单元中的所述透明结构的厚度不同以使至少两种颜色的所述发光单元中的所述电极子层与所述第二电极之间的距离不同,其中,所述至少两种颜色的发光单元包括第一颜色发光单元,所述第一颜色发光单元的透明结构包括:位于所述电极子层远离所述衬底基板的一侧且层叠设置的第一透明导电层、透明刻蚀阻挡层以及第二透明导电层,所述第一透明导电层与所述第二透明导电层的刻蚀速率基本相同。
在一些示例中,所述至少两种颜色的发光单元还包括第二颜色发光单元,所述第二颜色发光单元的透明结构包括层叠设置且彼此接触的第三透明导电层和第四透明导电层,所述第三透明导电层与所述第一透明导电层在同一步工艺中形成,且所述第四透明导电层与所述第二透明导电层在同一步工艺中形成。
在一些示例中,所述至少两种颜色的发光单元还包括第三颜色发光单元,所述第三颜色发光单元的透明结构包括第五透明导电层,所述第五透明导电层与所述第一透明导电层在同一步工艺中形成。
在一些示例中,所述第一透明导电层和所述第二透明导电层的材料包括氧化铟锡、氧化镓锌、氧化锌或氧化铟锌,所述透明刻蚀阻挡层的材料包括氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅。
本公开至少一实施例提供一种显示装置,包括上述任一示例提供的所述的显示基板。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案,下面将对实施例的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例,而非对本公开的限制。
图1为本公开一实施例提供的显示基板的制作方法示意性流程图;
图2A-图2K为本公开一实施例的一示例提供的显示基板的工艺流程示意图;
图3A-图3G为本公开一实施例的另一示例提供的显示基板的工艺流程示意图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本公开实施例的附图,对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本公开的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例,都属于本公开保护的范围。
除非另外定义,本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。
一般,可以通过微腔共振效应实现有机发光二极管的高色域需求,也就是,通过调整反射电极与半透半反电极之间的介质层光学长度,可以使从发光层发出的光子在反射电极和半透半反电极之间互相干扰,造成建设性或是破坏性干涉,从而使特定波长的光出射。例如,可以在反射电极上依照不同的颜色需求制作出不同厚度的透明导电层,通过调整透明导电层的光学长度(如厚度)将原本多波长的白光变成红、绿、蓝三原色,最后再由彩色滤色片法得到饱和的三原色。发光层发出的光会在反射电极面向发光层的一侧表面发生反射,该反射电极的反射率约为95%。而发光层发出的光在入射到半透半反电极时,被半透半反电极面向发光层的一侧表面反射回去的光与发光层发出光以及反射电极反射的光产生建设性或是破坏性干涉,其中产生建设性干涉的光受到增强后会从半透半反电极透射出去以实现特定波长的光出射。
在研究中,本申请的发明人发现:反射电极上的透明导电层的材料可以为氧化铟锡(ITO),在制作不同厚度的氧化铟锡时,会在反射电极上制作第一层氧化铟锡,然后在该第一层氧化铟锡上沉积至少一层氧化铟锡,最后对多层氧化铟锡进行刻蚀以形成不同厚度的氧化铟锡。或者,在反射电极上制作较厚的氧化铟锡膜层,然后通过对该氧化铟锡膜层进行刻蚀以形成不同厚度的氧化铟锡。然而,在对多层氧化铟锡或者较厚的氧化铟锡进行刻蚀以得到不同厚度的氧化铟锡膜层时,会对需要保留的氧化铟锡膜层进行刻蚀,从而对需要保留的氧化铟锡膜层造成损伤,并使保留的氧化铟锡膜层的表面平整度较低。
本公开的实施例提供一种显示基板及其制作方法、以及显示装置。显示基板的制作方法,包括:在衬底基板上形成至少两种颜色的发光单元,形成至少两种颜色的发光单元包括:在衬底基板上形成第一电极,形成第一电极包括在衬底基板上依次形成电极子层和透明结构,其中,至少两种颜色的发光单元包括第一颜色发光单元,形成第一颜色发光单元的透明结构包括:在电极子层远离衬底基板的一侧依次形成层叠的第一透明导电层、透明刻蚀阻挡层以及第二透明导电层,第一透明导电层与第二透明导电层的刻蚀速率基本相同;在第一电极远离衬底基板的一侧形成发光层;以及在发光层远离第一电极的一侧形成第二电极,其中,电极子层和第二电极之一为反射电极,另一个为半透半反电极,且至少两种颜色的发光单元中的透明结构的厚度不同以使至少两种颜色的发光单元中的电极子层与第二电极之间的距离不同。由于第一透明导电层和第二透明导电层的刻蚀速率基本相同,通过形成透明刻蚀阻挡层,可以防止在形成不同颜色的发光单元中的不同厚度透明结构时,对透明刻蚀阻挡层面向衬底基板一侧的透明导电层造成损伤。
下面结合附图对本公开实施例提供的显示基板及其制作方法、以及显示装置进行描述。
本公开一实施例提供一种显示基板的制作方法,图1为本实施例提供的显示基板的制作方法示意性流程图。图2A-图2K为本实施例一示例提供的显示基板的工艺流程示意图。如图1所示,本实施例提供的显示基板的制作方法包括在衬底基板上形成至少两种颜色的发光单元,形成至少两种颜色的发光单元包括如下步骤。
S101:在衬底基板上形成第一电极,形成第一电极包括在衬底基板上依次形成电极子层和透明结构,其中,至少两种颜色的发光单元包括第一颜色发光单元,形成第一颜色发光单元的透明结构包括:在电极子层远离衬底基板的一侧依次形成层叠的第一透明导电层、透明刻蚀阻挡层以及第二透明导电层,第一透明导电层与第二透明导电层的刻蚀速率基本相同。
S102:在第一电极远离衬底基板的一侧形成发光层。
S103:在发光层远离第一电极的一侧形成第二电极,其中,电极子层和第二电极之一为反射电极,另一个为半透半反电极,且至少两种颜色的发光单元中的透明结构的厚度不同以使至少两种颜色的发光单元中的电极子层与第二电极之间的距离不同。
例如,如图2A所示,在衬底基板100上形成电极子层材料3100。
例如,电极子层材料3100可以包括铝钕合金(AlNd)、铝合金或者银合金,本实施例对此不作限制。
例如,电极子层材料3100的沿垂直于衬底基板100的方向(Y方向)的厚度包括100nm-200nm。
例如,如图2A所示,在电极子层材料3100远离衬底基板100的一侧形成第一透明导电层材料3210。
例如,如图2A所示,在第一透明导电层材料3210上形成第一光刻胶图案601,并以第一光刻胶图案601为掩模对第一透明导电材料3210和电极子层材料3100进行刻蚀,然后剥离光刻胶以得到图2B所示的结构。
例如,如图2B所示,电极子层材料3100经图案化后形成了多个彼此间隔的电极子层310,即电极子层材料3100经图案化后形成了每个发光单元的电极子层310。
例如,如图2B所示,在本实施例的一示例中,电极子层材料3100经图案化后形成了三种颜色发光单元的电极子层310。
例如,如图2B所示,第一透明导电层材料3210经图案化后形成了多个彼此间隔的透明导电层。例如,多个透明导电层沿图中所示的平行于衬底基板100的方向,例如X方向以及垂直于纸面的方向彼此间隔。
例如,如图2B所示,在本实施例的一示例中,至少两种颜色的发光单元包括第一颜色发光单元201、第二颜色发光单元202以及第三颜色发光单元203,第一透明导电层材料3210经图案化后形成了第一颜色发光单元201的第一透明导电层321、第二颜色发光单元202的第三透明导电层324以及第三颜色发光单元203的第五透明导电层326,即,第一颜色发光单元201的第一透明导电层321、第二颜色发光单元202的第三透明导电层324以及第三颜色发光单元203的第五透明导电层326在同一步工艺中形成,例如由同一个第一透明导电层材料3210经过一次图案化形成。
例如,如图2B所示,第一透明导电层321、第三透明导电层324以及第五透明导电层326的厚度与材料均相同。
例如,第一透明导电层321、第三透明导电层324以及第五透明导电层326的材料包括氧化铟锡、氧化镓锌、氧化锌或氧化铟锌等。
例如,沿Y方向,第一透明导电层321、第三透明导电层324以及第五透明导电层326的厚度为80-300埃。
例如,第一透明导电层321、第三透明导电层324以及第五透明导电层326的厚度为100-200埃。
例如,如图2C所示,在第一透明导电层321、第三透明导电层324以及第五透明导电层326远离衬底基板100的一侧形成透明刻蚀阻挡层322。
例如,透明刻蚀阻挡层322的材料包括氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅等,本实施例包括但不限于此。
例如,沿Y方向,透明刻蚀阻挡层322的厚度为80-500埃。
例如,透明刻蚀阻挡层322的厚度为100-200埃。
例如,可以采用化学气相沉积方法形成透明刻蚀阻挡层322。
例如,如图2D所示,在透明刻蚀阻挡层322上形成第二光刻胶图案602,并以第二光刻胶图案602为掩模对透明刻蚀阻挡层322进行刻蚀以使透明刻蚀阻挡层322中形成图2E所示的开口302以及过孔304,然后剥离光刻胶得到图2E所示的结构。
例如,如图2E所示,透明刻蚀阻挡层322包括的开口302被配置为暴露第三透明导电层324,透明刻蚀阻挡层322包括的过孔304被配置为暴露部分第一透明导电层321。
例如,如图2F所示,在图案化后的透明刻蚀阻挡层322和被暴露的第三透明导电层324远离衬底基板100的一侧形成透明导电膜303。与第一透明导电层321相对应的透明导电膜303通过过孔304与第一透明导电层321电连接,与第三透明导电层324相对应的透明导电膜303与第三透明导电层324接触。也就是,位于第一透明导电层321正上方(指沿Y方向的箭头所指的方向)的透明导电膜303通过过孔304与第一透明导电层321电连接,位于第三透明导电层324正上方的透明导电膜303与第三透明导电层324接触。
本实施例中的透明导电膜303的刻蚀速率与第一透明导电层材料3210(即第一透明导电层321、第三透明导电层324以及第五透明导电层326)的刻蚀速率基本相同,这里的基本相同指两者的刻蚀速率完全相同,或者刻蚀速率差异率不大于5%。透明导电膜303的刻蚀速率与第一透明导电层材料3210的刻蚀速率基本相同指的是在同一刻蚀条件下,透明导电膜303与第一透明导电层材料3210的刻蚀选择比基本为1:1。
例如,透明导电膜303的材料与第一透明导电层材料3210的材料相同以使透明导电膜303的刻蚀速率与第一透明导电层材料3210的刻蚀速率相同。
例如,如图2G所示,在透明导电膜303上形成第三光刻胶图案603,并以第三光刻胶图案603为掩模对透明导电膜303进行刻蚀以在第一透明导电层321上(正上方)形成图2H所示的第二透明导电层323(该第二透明导电层323通过过孔304与第一透明导电层321电连接),在第三透明导电层324上形成图2H所示的第四透明导电层325(该第四透明导电层325与第三透明导电层324接触),然后剥离光刻胶以形成图2H所示的结构。
本公开实施例中,由于透明导电膜303与第五透明导电层326的刻蚀速率基本相同,如果透明导电膜303与第五透明导电层326之间没有设置透明刻蚀阻挡层322,在对透明导电膜303进行刻蚀的同时,会对第五透明导电层326也产生不良的影响。因此,本实施例中通过在透明导电膜303与第五透明导电层326之间设置透明刻蚀阻挡层322,可以防止在对透明导电膜303进行刻蚀时对第五透明导电层326造成损伤。本实施例中,在制作不同颜色发光单元中的不同厚度的透明结构时,即,对透明导电膜进行刻蚀以形成第二透明导电层以及第四透明导电层的过程中,透明刻蚀阻挡层可以防止对位于透明刻蚀阻挡层与衬底基板之间的透明导电层造成的损伤,例如,防止对第五透明导电层造成损伤,使形成的第五透明导电层的表面较平整。
例如,第一颜色发光单元的第二透明导电层323和第二颜色发光单元的第四透明导电层325在同一步工艺中形成,例如由同一个透明导电膜303经过一次图案化形成。
例如,如图2H所示,第二透明导电层323的材料与第四透明导电层325的材料相同,且第二透明导电层323的厚度与第四透明导电层325的厚度相同。
例如,第二透明导电层323的材料与第四透明导电层325的材料包括氧化铟锡、氧化镓锌、氧化锌或氧化铟锌等。
例如,沿Y方向,第二透明导电层323与第四透明导电层325的厚度为120-900埃。
例如,第二透明导电层323与第四透明导电层325的厚度为300-700埃。
例如,如图2I所示,对透明刻蚀阻挡层322进行刻蚀(湿刻或干刻)以保留位于第一透明导电层321和第二透明导电层323之间的透明刻蚀阻挡层322,且暴露第五透明导电层326。
例如,本实施例对图2G-图2I的步骤不做限制,还可以为以第三光刻胶图案603为掩模,分别对透明导电膜303和透明刻蚀阻挡层322进行图案化,然后剥离光刻胶后形成了图2I所示的结构。也就是,透明导电膜303和透明刻蚀阻挡层322以同一个第三光刻胶图案603为掩模进行图案化。
需要说明的是,图2G-图2I仅为示意性示图,图中省略了位于相邻的发光单元之间的像素阻挡层。
例如,如图2I所示,第一颜色发光单元201的透明结构320包括第一透明导电层321、透明刻蚀阻挡层322以及第二透明导电层323,第二透明导电层323通过透明刻蚀阻挡层322中的过孔304与第一透明导电层321电连接,第一颜色发光单元201的第一电极300包括上述透明结构320以及位于透明结构320与衬底基板100之间的电极子层310。第二颜色发光单元202的透明结构320包括彼此接触的第三透明导电层324以及第四透明导电层325,第二颜色发光单元202的第一电极300包括上述透明结构320以及位于透明结构320与衬底基板100之间的电极子层310。第三颜色发光单元203的透明结构320(图中未标示)即为第五透明导电层326,第三颜色发光单元203的第一电极300包括上述透明结构320以及位于透明结构320与衬底基板100之间的电极子层310。
由图2I可以看出,不同颜色的发光单元包括的透明结构的厚度不同,在制作不同厚度的透明结构时,透明刻蚀阻挡层的设置可以防止透明刻蚀阻挡层面向衬底基板一侧的透明导电层受到损伤。
例如,第一颜色发光单元201的透明结构320的厚度大于第二颜色发光单元202中的透明结构320的厚度,第二颜色发光单元202的透明结构320的厚度大于第三颜色发光单元203中的透明结构320的厚度。
例如,本实施例提供的显示基板为有机发光二极管显示基板。本实施例以第一电极300为阳极为例进行描述。例如,如图2J所示,在各发光单元包括的第一电极300远离衬底基板100的一侧依次形成空穴传输层702、发光层400、电子传输层701以及第二电极500,本实施例不限于此,还可以包括空穴阻挡层、电子阻挡层等膜层。本实施例提供的显示基板包括的发光层400为白光发光层。图2J中示出了位于相邻发光单元之间的像素阻挡层703。
例如,如图2J所示,发光层400与第二电极500共形(conformal)形成在厚度不同的第一电极上,即,在形成发光层400和第二电极500时,不同颜色的发光单元的发光层400的厚度相同,且不同颜色的发光单元的第二电极500的厚度也相同,但由于不同颜色的透明结构的厚度不同,从而,不同颜色发光单元包括的第二电极500与各自的电极子层之间的距离因透明结构的厚度的不同而不同。
例如,如图2J所示,第一颜色发光单元201中的第二电极500与电极子层310之间的距离为H1,第二颜色发光单元202中的第二电极500与电极子层310之间的距离为H2,第三颜色发光单元203中的第二电极500与电极子层310之间的距离为H3,H1>H2>H3。
例如,如图2J所示,第一电极300包括的电极子层和第二电极500之一为反射电极,另一个为半透半反电极,本实施例以第二电极500为半透半反电极,第一电极300包括的电极子层为反射电极为例进行描述。
例如,第二电极和电极子层可构成微腔效应,设置在第二电极和电极子层之间的发光层直接发出的光和经过电极子层反射的光可在上述的微腔效应结构中发生相互干涉;通过透明结构调节电极子层和第二电极之间的距离,可使得特定波长或特定波长范围的光增强,而其他波长的光衰弱,从而可窄化不同颜色发光单元的发光光谱,进而提高色纯度。
例如,如图2J所示,第一颜色发光单元201包括的第二电极500与电极子层310之间的膜层(例如发光层、空穴传输层以及电子传输层等)的光学长度(第二电极与电极子层之间介质的有效折射率与其厚度的乘积)为第一颜色发光单元201发出的第一颜色光的中心波长的半波长的整数倍;第二颜色发光单元202包括的第二电极500与电极子层310之间的膜层的光学长度为第二颜色发光单元202发出的第二颜色光的中心波长的半波长的整数倍;第三颜色发光单元203包括的第二电极500与电极子层310之间的膜层的光学长度为第三颜色发光单元203发出的第三颜色光的中心波长的半波长的整数倍。由此,该显示基板可通过调节不同颜色发光单元包括的透明结构的厚度以调节电极子层和第二电极之间的距离,从而使电极子层和第二电极之间的膜层的光学长度满足上述的关系,以使具有预定颜色的光增强,而其他颜色的光衰弱,进而提高色纯度。
例如,第一颜色发光单元201为蓝色发光单元,蓝色发光单元包括的透明结构的厚度为920埃;第二颜色发光单元202为红色发光单元,红色发光单元包括的透明结构的厚度为790埃;第三颜色发光单元203为绿色发光单元,绿色发光单元包括的透明结构的厚度为120埃。
例如,蓝色发光单元的发出的蓝光的中心波长为462nm,红色发光单元发出的红光的中心波长为620nm,绿色发光单元发出的绿光的中心波长为540nm。
例如,如图2K所示,在第二电极500远离衬底基板100的一侧形成平坦层801,在平坦层801远离第二电极500的一侧设置彩膜层802。彩膜层802包括具有第一颜色的第一滤光块、具有第二颜色的第二滤光块和具有第三颜色的第三滤光块,第一滤光块、第二滤光块和第三滤光块分别与第一颜色发光单元201、第二颜色发光单元202和第三颜色发光单元203对应设置。
本实施例所示的显示基板通过调节透明结构的厚度将原本多波长的白光变成红、绿、蓝三原色,最后再由彩色滤光片法得到饱和的三原色,而彩色滤光片也可以稍微改善视角问题。
例如,本实施例提供的显示基板具有如下表所示的色域特性:
Figure GDA0002609549040000111
Figure GDA0002609549040000121
例如,NTSC色域指NTSC标准下的颜色的总和。从上表中可以看出RGBW在CIE1931xy色度空间中NTSC色域值大于100%,RGBW在CIE 1976u’v’色度空间中NTSC色域值大于100%,由此,本实施例中的显示基板具有广色域的性能。
例如,本实施例中包括的红色发光单元、绿色发光单元以及蓝色发光单元中的任意两个的透明结构的厚度可以做的相同,即三种不同颜色发光单元中的两种不同颜色发光单元中的透明结构可以通过相同工艺制作,从而节省工艺步骤。在红色发光单元、绿色发光单元以及蓝色发光单元中的任意两个的透明结构的厚度设置的相同时,通过彩膜层的设置使得显示基板出射三种不同颜色的光。
例如,图3A-图3G为本实施例另一示例提供的显示基板的工艺流程示意图。
例如,如图3A所示,在衬底基板100上依次形成整层的电极子层材料3100、第一透明导电层材料3210以及透明刻蚀阻挡层322。本示例中的电极子层材料3100、第一透明导电层材料3210以及透明刻蚀阻挡层322与图2A-图2C所示的电极子层材料3100、第一透明导电层材料3210以及透明刻蚀阻挡层322具有相同的参数。本示例中的电极子层材料3100即为电极子层310。
例如,如图3B所示,在透明刻蚀阻挡层322上形成第二光刻胶图案602,并以第二光刻胶图案602为掩模对透明刻蚀阻挡层322进行刻蚀以使透明刻蚀阻挡层322中形成图3C所示的开口302以及过孔304,然后剥离光刻胶得到图3C所示的结构。
在本示例中,至少两种颜色的发光单元包括第一颜色发光单元、第二颜色发光单元以及第三颜色发光单元。本示例中的整层的第一透明导电材料3210中包括待形成的第一颜色发光单元201中的第一透明导电层321、待形成的第二颜色发光单元202中的第三透明导电层324以及待形成的第三颜色发光单元203中的第五透明导电层326。由此,本示例中的第一颜色发光单元201的第一透明导电层321、第二颜色发光单元202的第三透明导电层324以及第三颜色发光单元203的第五透明导电层326在同一步工艺中形成。本示例中的第一透明导电层321、第三透明导电层324以及第五透明导电层326与图2B所示的三个透明导电层具有相同的参数。
例如,如图3C所示,透明刻蚀阻挡层322包括的开口302被配置为暴露第三透明导电层324,透明刻蚀阻挡层322包括的过孔304被配置为暴露部分第一透明导电层321。
例如,如图3D所示,在图案化后的透明刻蚀阻挡层322和被暴露的第三透明导电层324远离衬底基板100的一侧形成透明导电膜303。位于第一透明导电层321正上方的透明导电膜303通过过孔304与第一透明导电层321电连接,位于第三透明导电层324正上方的透明导电膜303与第三透明导电层324接触。
例如,如图3E所示,在透明导电膜303上形成第三光刻胶图案603,并以第三光刻胶图案603为掩模对透明导电膜303进行刻蚀以在第一透明导电层321上形成图3F所示的第二透明导电层323,在第三透明导电层324上形成图3F所示的第四透明导电层325,然后剥离光刻胶以形成图3F所示的结构。
例如,第一颜色发光单元201的第二透明导电层323和第二颜色发光单元202的第四透明导电层325在同一步工艺中形成,例如由同一个透明导电膜303经过一次图案化形成。本示例中的第二透明导电层与第四透明导电层与图2H所示的第二透明导电层与第四透明导电层的参数相同。
由于透明导电膜303与第五透明导电层326的刻蚀速率基本相同,本示例中通过在透明导电膜303与第五透明导电层326之间设置了透明刻蚀阻挡层322,可以防止在对透明导电膜303进行刻蚀时对第五透明导电层326造成损伤。本示例中,在制作不同颜色发光单元中的不同厚度的透明结构时,即,对透明导电膜进行刻蚀以形成第二透明导电层以及第四透明导电层的过程中,透明刻蚀阻挡层可以防止对位于透明刻蚀阻挡层与衬底基板之间的透明导电层(例如第五透明导电层)造成的损伤,使透明刻蚀阻挡层与衬底基板之间的透明导电层的表面较平整。
例如,如图3F所示,对透明刻蚀阻挡层322进行刻蚀(湿刻或干刻)以保留位于第一透明导电层321和第二透明导电层323之间的透明刻蚀阻挡层322,且暴露图3G所示的第五透明导电层326。
本示例中的显示基板为有机发光二极管显示基板,其中的不同颜色发光单元的第一电极为共用电极,由此本示例中节省了对第一电极包括的电极子层以及与电极子层接触的透明导电层的图案化的步骤。
例如,本实施例中包括的第一颜色发光单元、第二颜色发光单元以及第三颜色发光单元中的任意两个的透明结构的厚度可以做的相同,即三种不同颜色发光单元中的两种不同颜色发光单元中的透明结构可以采用同步工艺制作,从而节省工艺步骤。在第一颜色发光单元、第二颜色发光单元以及第三颜色发光单元中的任意两个的透明结构的厚度设置的相同时,通过彩膜层的设置使得显示基板出射三种不同颜色的光。
例如,当第三颜色发光单元中的透明结构的厚度与第一颜色发光单元或者第二颜色发光单元的透明结构的厚度相同时,由于第一电极可以作为共用电极,而透明导电膜(包括第一颜色发光单元中的第二透明导电层和第二颜色发光单元中的第四透明导电层)可以与第一透明导电层材料(包括第一颜色发光单元中的第一透明导电层和第二颜色发光单元中的第三透明导电层)接触,也就是,第二颜色发光单元中的第四透明导电层与第三透明导电层接触,所以无需在位于第一透明导电层正上方的透明刻蚀阻挡层中制作过孔。
本示例中后续形成的空穴传输层、发光层、电子传输层以及第二电极、平坦层以及彩膜层与图2J-2K形成的各膜层的步骤相同,在此不再赘述。
例如,本公开的另一实施例提供一种显示基板,该显示基板如图2K所示,由图2A-图2K所示的方法制作而成。如图2I-2K所示,本实施例提供的显示基板包括:衬底基板100;位于衬底基板100上的至少两种颜色的发光单元,至少两种颜色的发光单元包括位于衬底基板100上的第一电极300、发光层400以及第二电极500,第一电极300包括电极子层310以及位于电极子层310远离衬底基板100的一侧的透明结构320,电极子层310和第二电极500之一为反射电极,另一个为半透半反电极,且至少两种颜色的发光单元中的透明结构320的厚度不同以使至少两种颜色的发光单元中的电极子层310与第二电极500之间的距离不同。至少两种颜色的发光单元包括第一颜色发光单元201,第一颜色发光单元201的透明结构320包括:位于电极子层310远离衬底基板100的一侧且层叠设置的第一透明导电层321、透明刻蚀阻挡层322以及第二透明导电层323,第一透明导电层321与第二透明导电层323的刻蚀速率基本相同。这里的基本相同指两者的刻蚀速率完全相同,或者刻蚀速率差异率不大于5%。
例如,本实施例提供的显示基板为有机发光二极管显示基板。
例如,第一透明导电层321与第二透明导电层323的材料相同以使第一透明导电层321的刻蚀速率与第二透明导电层323的刻蚀速率相同。
例如,如图2J所示,第一电极300包括的电极子层和第二电极500之一为反射电极,另一个为半透半反电极,本实施例以第二电极500为半透半反电极,第一电极300包括的电极子层为反射电极为例进行描述。
例如,第二电极和电极子层可构成微腔效应,设置在第二电极和电极子层之间的发光层直接发出的光和经过电极子层反射的光可在上述的微腔效应结构中发生相互干涉;通过透明结构调节电极子层和第二电极之间的距离,可使得特定波长或特定波长范围的光增强,而其他波长的光衰弱,从而可窄化不同颜色发光单元的发光光谱,进而提高色纯度。
例如,第一透明导电层321和第二透明导电层323的材料包括氧化铟锡、氧化镓锌、氧化锌或氧化铟锌,透明刻蚀阻挡层322的材料包括氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅。
例如,第一透明导电层321的厚度为80-300埃,透明刻蚀阻挡层322的厚度为80-500埃,第二透明导电层323的厚度为120-900埃。
例如,如图2I-2K所示,至少两种颜色的发光单元还包括第二颜色发光单元202,第二颜色发光单元202的透明结构包括层叠设置且彼此接触的第三透明导电层324和第四透明导电层325,第三透明导电层324与第一透明导电层321的厚度以及材料均相同,且第四透明导电层325与第二透明导电层323的厚度以及材料均相同,即,第一颜色发光单元201的第一透明导电层321和第二颜色发光单元202的第三透明导电层324在同一步工艺中形成,第一颜色发光单元201的第二透明导电层323和第二颜色发光单元202的第四透明导电层325在同一步工艺中形成。
例如,如图2I-2K所示,至少两种颜色的发光单元还包括第三颜色发光单元203,第三颜色发光单元203的透明结构320包括第五透明导电层326,第五透明导电层326与第一透明导电层321的厚度以及材料均相同,即,第一颜色发光单元201的第一透明导电层321、第二颜色发光单元202的第三透明导电层324以及第三颜色发光单元203的第五透明导电层326在同一步工艺中形成。
本实施例中,在制作不同颜色发光单元中的不同厚度的透明结构时,即,在通过刻蚀工艺形成第二透明导电层以及第四透明导电层的过程中,透明刻蚀阻挡层可以防止对位于透明刻蚀阻挡层与衬底基板之间的透明导电层造成的损伤,例如,防止对第五透明导电层造成损伤,使形成的第五透明导电层的表面较平整。
例如,第一颜色发光单元201为蓝色发光单元,蓝色发光单元包括的透明结构的厚度为920埃;第二颜色发光单元202为红色发光单元,红色发光单元包括的透明结构的厚度为790埃;第三颜色发光单元203为绿色发光单元,绿色发光单元包括的透明结构的厚度为120埃。
例如,蓝色发光单元的发出的蓝光的中心波长为462nm,红色发光单元发出的红光的中心波长为620nm,绿色发光单元发出的绿光的中心波长为540nm。
例如,如图2K所示,显示基板还包括在第二电极500远离衬底基板100的一侧的平坦层801,在平坦层801远离第二电极500的一侧的彩膜层802。彩膜层802包括具有第一颜色的第一滤光块、具有第二颜色的第二滤光块和具有第三颜色的第三滤光块,第一滤光块、第二滤光块和第三滤光块分别与第一颜色发光单元201、第二颜色发光单元202和第三颜色发光单元203对应设置。
本实施例提供的显示基板中的发光层为白光发光层,本实施例所示的显示基板通过调节透明结构的厚度将原本多波长的白光变成红、绿、蓝三原色,最后再由彩色滤光片法得到饱和的三原色,而彩色滤光片也可以稍微改善视角问题。
例如,本实施例中包括的红色发光单元、绿色发光单元以及蓝色发光单元中的任意两个的透明结构的厚度可以相同,即三种不同颜色发光单元中的两种不同颜色发光单元中的透明结构可以设置的完全相同,从而节省工艺步骤。在红色发光单元、绿色发光单元以及蓝色发光单元中的任意两个的透明结构的厚度设置的相同时,通过彩膜层的设置使得显示基板出射三种不同颜色的光。
本公开另一实施例提供一种显示装置,该显示装置包括上述任一种显示基板。在制作包括上述任一种显示基板的显示装置中,由于第一透明导电层和第二透明导电层的刻蚀速率基本相同,通过形成透明刻蚀阻挡层,可以防止在形成不同颜色的发光单元中的不同厚度透明结构时,对透明刻蚀阻挡层面向衬底基板一侧的透明导电层造成损伤。
例如,该显示装置可以为有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示装置等显示器件以及包括该显示装置的电视、数码相机、手机、手表、平板电脑、笔记本电脑、导航仪等任何具有显示功能的产品或者部件,本实施例不限于此。
有以下几点需要说明:
(1)本公开的实施例附图中,只涉及到与本公开实施例涉及到的结构,其他结构可参考通常设计。
(2)在不冲突的情况下,本公开的同一实施例及不同实施例中的特征可以相互组合。
以上所述仅是本公开的示范性实施方式,而非用于限制本公开的保护范围,本公开的保护范围由所附的权利要求确定。

Claims (15)

1.一种显示基板的制作方法,包括:
在衬底基板上形成至少两种颜色的发光单元,形成所述至少两种颜色的发光单元包括:
在所述衬底基板上形成第一电极,形成所述第一电极包括在所述衬底基板上依次形成电极子层和透明结构,其中,所述至少两种颜色的发光单元包括第一颜色发光单元,形成所述第一颜色发光单元的透明结构包括:在所述电极子层远离所述衬底基板的一侧依次形成层叠的第一透明导电层、透明刻蚀阻挡层以及第二透明导电层,所述第一透明导电层与所述第二透明导电层的刻蚀速率基本相同;
在所述第一电极远离所述衬底基板的一侧形成发光层;以及
在所述发光层远离所述第一电极的一侧形成第二电极,其中,所述电极子层和所述第二电极之一为反射电极,另一个为半透半反电极,且至少两种颜色的所述发光单元中的所述透明结构的厚度不同以使至少两种颜色的所述发光单元中的所述电极子层与所述第二电极之间的距离不同,
所述至少两种颜色的发光单元还包括第二颜色发光单元,所述第二颜色发光单元的透明结构包括层叠设置且彼此接触的第三透明导电层和第四透明导电层,形成所述第一颜色发光单元的透明结构和所述第二颜色发光单元的透明结构包括:
在同一步工艺中形成所述第一透明导电层和所述第三透明导电层;
在所述第一透明导电层和所述第三透明导电层远离所述衬底基板的一侧形成所述透明刻蚀阻挡层,并图案化所述透明刻蚀阻挡层以形成开口,从而暴露所述第三透明导电层;
在图案化后的所述透明刻蚀阻挡层和所述第三透明导电层远离所述衬底基板的一侧形成透明导电膜,
其中,与所述第一透明导电层相对应的所述透明导电膜为所述第二透明导电层,与所述第三透明导电层相对应的所述透明导电膜为所述第四透明导电层。
2.根据权利要求1所述的显示基板的制作方法,其中,所述发光层与所述第二电极共形形成在厚度不同的所述透明结构上。
3.根据权利要求1所述的显示基板的制作方法,其中,在同一步工艺中形成所述第一透明导电层和所述第三透明导电层包括:采用同一步图案化工艺形成彼此间隔的所述第一透明导电层和所述第三透明导电层;
形成所述透明导电膜之后包括:对所述透明导电膜和图案化后的所述透明刻蚀阻挡层进行图案化以保留所述第一透明导电层上的所述透明刻蚀阻挡层,并在被保留的所述透明刻蚀阻挡层上形成所述第二透明导电层,在所述第三透明导电层上形成所述第四透明导电层。
4.根据权利要求1或3所述的显示基板的制作方法,其中,所述至少两种颜色的发光单元还包括第三颜色发光单元,所述第三颜色发光单元的透明结构包括第五透明导电层,其中,形成所述第一透明导电层和所述第三透明导电层的同时还包括:形成所述第五透明导电层;
形成所述第二透明导电层和所述第四透明导电层的同时还包括:
去除位于所述第五透明导电层上的所述透明刻蚀阻挡层和所述透明导电膜以暴露所述第五透明导电层,所述透明刻蚀阻挡层被配置为防止所述第五透明导电层被刻蚀。
5.根据权利要求1或3所述的显示基板的制作方法,其中,图案化所述透明刻蚀阻挡层以形成开口的同时还包括:
在位于所述第一透明导电层上的所述透明刻蚀阻挡层中形成过孔以暴露所述第一透明导电层,从而使后续形成的所述第二透明导电层与所述第一透明导电层电连接。
6.根据权利要求1或3所述的显示基板的制作方法,其中,采用化学气相沉积方法形成所述透明刻蚀阻挡层。
7.根据权利要求1所述的显示基板的制作方法,其中,所述发光层为白光发光层。
8.根据权利要求1所述的显示基板的制作方法,其中,所述第一透明导电层和所述第二透明导电层的材料包括氧化铟锡、氧化镓锌、氧化锌或氧化铟锌,所述透明刻蚀阻挡层的材料包括氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅。
9.根据权利要求8所述的显示基板的制作方法,其中,所述第一透明导电层和所述第二透明导电层的材料相同。
10.根据权利要求1所述的显示基板的制作方法,其中,所述第一透明导电层的厚度为80-300埃,所述透明刻蚀阻挡层的厚度为80-500埃,所述第二透明导电层的厚度为120-900埃。
11.一种显示基板,包括:
衬底基板;
位于所述衬底基板上的至少两种颜色的发光单元,所述至少两种颜色的发光单元包括位于所述衬底基板上的第一电极、发光层以及第二电极,所述第一电极包括电极子层以及位于所述电极子层远离所述衬底基板的一侧的透明结构,所述电极子层和所述第二电极之一为反射电极,另一个为半透半反电极,且至少两种颜色的所述发光单元中的所述透明结构的厚度不同以使至少两种颜色的所述发光单元中的所述电极子层与所述第二电极之间的距离不同,
其中,所述至少两种颜色的发光单元包括第一颜色发光单元,所述第一颜色发光单元的透明结构包括:
位于所述电极子层远离所述衬底基板的一侧且层叠设置的第一透明导电层、透明刻蚀阻挡层以及第二透明导电层,所述第一透明导电层与所述第二透明导电层的刻蚀速率基本相同,
第一透明导电层上的透明刻蚀阻挡层中形成过孔以暴露所述第一透明导电层,从而使第二透明导电层与所述第一透明导电层电连接。
12.根据权利要求11所述的显示基板,其中,所述至少两种颜色的发光单元还包括第二颜色发光单元,所述第二颜色发光单元的透明结构包括层叠设置且彼此接触的第三透明导电层和第四透明导电层,所述第三透明导电层与所述第一透明导电层在同一步工艺中形成,且所述第四透明导电层与所述第二透明导电层在同一步工艺中形成。
13.根据权利要求12所述的显示基板,其中,所述至少两种颜色的发光单元还包括第三颜色发光单元,所述第三颜色发光单元的透明结构包括第五透明导电层,所述第五透明导电层与所述第一透明导电层在同一步工艺中形成。
14.根据权利要求11-13任一项所述的显示基板,其中,所述第一透明导电层和所述第二透明导电层的材料包括氧化铟锡、氧化镓锌、氧化锌或氧化铟锌,所述透明刻蚀阻挡层的材料包括氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅。
15.一种显示装置,包括权利要求11-14任一项所述的显示基板。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101659953B1 (ko) * 2010-03-30 2016-09-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
KR101223487B1 (ko) * 2010-12-30 2013-01-17 삼성디스플레이 주식회사 투명 전극, 상기 투명 전극을 포함하는 유기 발광 장치 및 그 제조 방법
CN104966723B (zh) 2015-07-27 2018-03-23 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光二极管阵列基板、制备方法及显示装置
CN107994059B (zh) * 2017-11-27 2020-05-26 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法
CN108539049A (zh) * 2018-02-28 2018-09-14 信利半导体有限公司 一种oled产品的制作方法和oled产品

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