JP2010244693A - 有機ｅｌ装置および有機ｅｌ装置の製造方法、ならびに電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】画素の領域内における異なる共振波長の光の混在を抑え、輝度の高い有機ＥＬ装置を提供すること。
【解決手段】有機ＥＬ装置１００は、基体２０と、基体２０上に配列された赤、緑、青の色の光のいずれかを射出する画素２と、基体２０上に配置された反射層２４と、反射層２４上に配置された反射層２４よりも低い光反射性を有する反射防止層２６と、反射防止層２６上に配置された絶縁層２８と、絶縁層２８上に画素２毎に配置された陽極３０と、陽極３０上に配置された少なくとも発光層を含む有機機能層３４と、有機機能層３４上に配置された陰極３６と、反射層２４と陰極３６との間に形成された有機機能層３４からの光を共振させる光共振器と、を備え、光共振器は、画素２の領域のうち表示部６において、画素２から射出される光の色に対応する共振波長を有し、反射防止層２６は画素２の領域のうち表示部６以外の領域に設けられていることを特徴とする。
【選択図】図４

Description

本発明は、有機ＥＬ装置および有機ＥＬ装置の製造方法、ならびに電子機器に関する。

有機エレクトロルミネセンス装置（以下有機ＥＬ装置と呼ぶ）は、陽極と、少なくとも発光層を含む有機機能層と、陰極とが積層された構成を有している。例えばトップエミッション型の有機ＥＬ装置では、光反射性を有する陽極または反射層を有しており、発光層で発生した光は陰極側へ射出される。

有機ＥＬ装置から射出される光の輝度を高めるために、陽極の下層に設けられた反射層と陰極との間で有機機能層からの光を共振させる光共振器を備え、共振波長の光を増幅して取り出す方法が開示されている（例えば、特許文献１および特許文献２参照）。

特許文献１に記載された方法では、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応して反射層を異なる層に形成し、それぞれの層間に絶縁膜を配置する構成となっている。しかしながら、このような構成では、反射層を形成する工程と絶縁膜を形成する工程とを、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応して各３回行うこととなり、製造工数の増大を招く。また、陽極と回路部との間に反射層および絶縁膜が３階層配置されるため、コンタクトホールが長くなり導通不良等のリスクが増加するという課題があった。これに対して、特許文献２に記載された方法では、Ｒ、Ｇ、Ｂの波長に応じて陽極の層厚で光共振器における共振波長の調整を行う構成となっている。このような構成によれば、反射層および絶縁膜を１階層で構成することができる。

特開２００６−３３９０２８号公報 特開２００７−２２０３９５号公報

しかしながら、陽極の層厚で共振波長の調整を行う方法では、例えば、３層の陽極層を組み合わせて陽極の層厚を異ならせるが、その結果一つの画素の領域内に陽極の層厚が異なる部分が生じてしまう。陽極の層厚が異なると光共振器における光学的距離に差異が生じるため、一つの画素の領域内で異なる共振波長の光が混在することとなり、その結果、有機ＥＬ装置の輝度が低下するという課題があった。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例に係る有機ＥＬ装置は、基体と、前記基体上に配列された、少なくとも２つの異なる色の光のいずれかを射出する画素と、前記基体上に配置された、光反射性を有する反射層と、前記反射層上に配置された、前記反射層よりも低い光反射性を有する反射防止層と、前記反射防止層上に配置された、光透過性を有する絶縁層と、前記絶縁層上に前記画素毎に配置された、光透過性を有する第１の電極と、前記第１の電極上に配置された、少なくとも発光層を含む有機機能層と、前記有機機能層上に配置された、光反射性および光透過性を有する第２の電極と、前記反射層と前記第２の電極との間に形成された、前記有機機能層からの光を共振させる光共振器と、を備え、前記光共振器は、前記画素の領域のうち第１の領域において、前記画素から射出される前記光の色に対応する共振波長を有し、前記反射防止層は、前記画素の領域のうち前記第１の領域以外の領域に設けられていることを特徴とする。

この構成によれば、画素の領域のうち、光共振器が画素から射出される光の色に対応する共振波長を有する第１の領域以外の領域において、反射層上に反射防止層が設けられる。反射層上に反射防止層が設けられた領域では光の反射が抑えられるので、第１の領域以外の領域では有機機能層からの光は反射層と第２の電極との間でほとんど共振しない。このため、画素の領域内に異なる共振波長の光が混在することによる輝度の低下が抑えられる。この結果、より輝度の高い有機ＥＬ装置を提供できる。

［適用例２］上記適用例に係る有機ＥＬ装置であって、前記第１の電極の層厚は、前記画素から射出される前記光の色に対応して前記画素間で異なっており、少なくとも前記第１の領域内では同じであってもよい。

この構成によれば、画素から射出される光の色に対応させて第１の電極の層厚を異ならせるとともに、第１の領域内で第１の電極の層厚を同じにすることにより、光共振器における共振波長を調整できる。

［適用例３］上記適用例に係る有機ＥＬ装置であって、前記基体に、前記画素毎に設けられた駆動素子をさらに備え、前記第１の電極は、前記画素の領域のうち前記第１の領域とは異なる第２の領域において前記駆動素子に導電接続されており、前記第２の領域における前記第１の電極の層厚は、前記第１の領域における前記第１の電極の層厚と同じであってもよい。

この構成によれば、第１の領域と第２の領域とで第１の電極の層厚が同じであるので、第１の電極を第１の領域から第２の領域にわたって同じ層厚で形成することができる。これにより、画素から射出される光の色に対応する共振波長の光が得られる領域を広くすることができる。

［適用例４］上記適用例に係る有機ＥＬ装置であって、前記反射層は、前記画素毎に配置されていてもよい。

この構成によれば、反射層を介して第１の電極と駆動素子とを導電接続させることができる。これにより、有機ＥＬ装置の設計における駆動素子の配置位置の自由度を高めることができる。

［適用例５］上記適用例に係る有機ＥＬ装置であって、前記第２の電極上に前記画素毎に配置されており、前記画素から射出される前記光の色に対応するカラーフィルターをさらに備えていてもよい。

この構成によれば、反射防止層が設けられた領域において、光共振器における共振波長と異なる波長の光が有機機能層から第２の電極側へ発せられても、この光はカラーフィルターを透過しない。これにより、色純度の高い表示が得られる。

［適用例６］上記適用例に係る有機ＥＬ装置であって、前記少なくとも２つの異なる色は、赤色、緑色、および青色の３色であってもよい。

この構成によれば、赤色光、緑色光、青色光によるフルカラー表示が可能な有機ＥＬ装置を提供できる。

［適用例７］本適用例に係る電子機器は、上記に記載の有機ＥＬ装置を備えたことを特徴とする。

この構成によれば、電子機器は上記の有機ＥＬ装置を備えているので、表示部においてより輝度の高い電子機器を提供できる。

［適用例８］本適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法は、基体上に配列された少なくとも２つの異なる色の光のいずれかを射出する画素と、光反射性を有する反射層と、光透過性を有する第１の電極と、光反射性および光透過性を有する第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に挟持された少なくとも発光層を含む有機機能層と、前記反射層と前記第２の電極との間に形成された、前記有機機能層からの光を共振させる光共振器と、を備えた有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記基体上に、前記反射層を形成する工程と、前記反射層上に、前記反射層よりも低い光反射性を有する反射防止層を形成する工程と、前記反射防止層上に、光透過性を有する絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上に前記画素毎に、前記第１の電極を形成する工程と、前記第１の電極上に、前記有機機能層を形成する工程と、前記有機機能層上に、前記第２の電極を形成する工程と、を含み、前記反射防止層を形成する工程では、前記画素の領域のうち第１の領域以外の領域に前記反射防止層を形成し、前記第１の電極を形成する工程では、前記第１の電極を、前記画素から射出される前記光の色に対応して前記画素間で層厚を異ならせるとともに、少なくとも前記第１の領域内では同じ層厚で形成することを特徴とする。

この方法によれば、第１の電極の層厚により、画素から射出される光の色に対応させて光共振器における共振波長を調整できる。また、第１の電極は少なくとも第１の領域においては同じ層厚で形成されるので、第１の電極の層厚が異なる部分がある場合その部分は反射防止層が設けられた領域に配置される。反射層上に反射防止層が設けられた領域では光の反射が抑えられるので、第１の領域以外の領域では有機機能層からの光は反射層と第２の電極との間でほとんど共振しない。このため、画素の領域内に異なる共振波長の光が混在することによる輝度の低下が抑えられる。この結果、より輝度の高い有機ＥＬ装置を製造できる。

［適用例９］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記基体に、前記画素毎に設けられた駆動素子をさらに備え、前記第１の電極を形成する工程では、前記第１の電極を、前記画素の領域のうち前記第１の領域とは異なる第２の領域において前記駆動素子に導電接続させるとともに、前記第２の領域における前記第１の電極の層厚と、前記第１の領域における前記第１の電極の層厚とを同じに形成してもよい。

この方法によれば、第１の領域と第２の領域とで第１の電極の層厚が同じであるので、第１の電極を第１の領域から第２の領域にわたって同じ層厚で形成することができる。これにより、画素から射出される光の色に対応する共振波長の光が得られる領域を広くすることができる。

［適用例１０］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記反射層を形成する工程では、前記反射層を前記画素毎に形成してもよい。

この方法によれば、反射層を介して第１の電極と駆動素子とを導電接続させることができる。これにより、有機ＥＬ装置の設計における駆動素子の配置位置の自由度を高めることができる。

［適用例１１］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記第２の電極を形成する工程の後に、前記第２の電極上に、前記画素から射出される前記光の色に対応するカラーフィルターを形成する工程をさらに含んでいてもよい。

この方法によれば、反射防止層が設けられた領域において、光共振器における共振波長と異なる波長の光が有機機能層から第２の電極側へ発せられても、この光はカラーフィルターを透過しない。これにより、色純度の高い表示が得られる。

［適用例１２］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記少なくとも２つの異なる色は、赤色、緑色、および青色の３色であってもよい。

この方法によれば、赤色光、緑色光、青色光によるフルカラー表示が可能な有機ＥＬ装置を製造できる。

第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の電気的構成を示すブロック図。 第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置を模式的に示す平面図。 第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の画素の構成を示す平面図。 第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図。 第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図。 第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明するフローチャート。 第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明する図。 第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明する図。 第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明する図。 第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明する図。 第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の画素の構成を示す平面図。 第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図。 電子機器としての携帯電話機を示す図。 変形例１に係る有機ＥＬ装置の画素の構成を示す平面図。 比較として従来の有機ＥＬ装置の一例の概略構成を示す断面図。

以下に、本実施の形態について図面を参照して説明する。なお、参照する図面において、構成をわかりやすく示すため、構成要素の膜厚や寸法の比率等は適宜異ならせてある。また、説明に必要な構成要素以外は図示を省略する場合がある。

（第１の実施形態）
＜有機ＥＬ装置＞
まず、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成について図を参照して説明する。図１は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の電気的構成を示すブロック図である。図２は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置を模式的に示す平面図である。図３は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の画素の構成を示す平面図である。詳しくは、図２および図３は、図４に示すカラーフィルター４０側から見たときの平面図である。図３では、有機機能層３４と陰極３６と封止層３８とカラーフィルター４０とが省略されている。図４および図５は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図である。詳しくは、図４は図３のＡ−Ａ’線に沿った部分断面図であり、図５は図３のＢ−Ｂ’線に沿った部分断面図である。

図１に示すように、有機ＥＬ装置１００は、スイッチング素子として薄膜トランジスター（Thin Film Transistor、以下、ＴＦＴと呼ぶ）を用いたアクティブマトリクス型の有機ＥＬ装置である。

有機ＥＬ装置１００は、基板１０と、基板１０上に設けられた走査線１６と、走査線１６に対して交差する方向に延びる信号線１７と、信号線１７に並列に延びる電源線１８とを備えている。有機ＥＬ装置１００において、これら走査線１６と信号線１７とに囲まれた領域に画素２が配置されている。画素２は、例えば、走査線１６の延在方向と信号線１７の延在方向とに沿ってマトリクス状に配列されている。

画素２には、スイッチング用ＴＦＴ１１と、駆動素子としての駆動用ＴＦＴ１２と、保持容量１３と、第１の電極としての陽極３０と、第２の電極としての陰極３６と、有機機能層３４と、を備えている。図示を省略するが、有機機能層３４は、順に積層された正孔輸送層と発光層と電子輸送層とで構成されている。陽極３０と、陰極３６と、有機機能層３４とによって有機エレクトロルミネセンス素子（有機ＥＬ素子）８が構成される。有機ＥＬ素子８では、正孔輸送層から注入される正孔と、電子輸送層から注入される電子とが、発光層で再結合することにより発光が得られる。

信号線１７には、シフトレジスター、レベルシフター、ビデオライン、およびアナログスイッチを備えたデータ線駆動回路１４が接続されている。また、走査線１６には、シフトレジスターおよびレベルシフターを備えた走査線駆動回路１５が接続されている。

有機ＥＬ装置１００では、走査線１６が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ１１がオン状態になると、信号線１７を介して供給される画像信号が保持容量１３に保持され、保持容量１３の状態に応じて駆動用ＴＦＴ１２のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１２を介して電源線１８に電気的に接続したとき、電源線１８から陽極３０に駆動電流が流れ、さらに有機機能層３４を通じて陰極３６に電流が流れる。有機機能層３４の発光層は、陽極３０と陰極３６との間に流れる電流量に応じた輝度で発光する。

次に、有機ＥＬ装置１００の概略構成を説明する。図２に示すように、有機ＥＬ装置１００は、基板１０上に、略矩形の平面形状を有する発光領域４を備えている。発光領域４は、有機ＥＬ装置１００において、実質的に発光に寄与する領域である。有機ＥＬ装置１００は、発光領域４の周囲に、実質的に発光に寄与しないダミー領域を備えていてもよい。

発光領域４には、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のいずれかの光を射出する画素２が、例えば格子状に配列されている。発光領域４の周囲には、２つの走査線駆動回路１５と検査回路１９とが配置されている。検査回路１９は、有機ＥＬ装置１００の作動状況を検査するための回路である。基板１０の外周部には、陰極用配線３６ａが配置されている。

画素２は、有機ＥＬ装置１００の表示の最小単位であり、赤色（Ｒ）光を射出する画素２Ｒと、緑色（Ｇ）光を射出する画素２Ｇと、青色（Ｂ）光を射出する画素２Ｂとを有している（以下では、対応する色を区別しない場合には単に画素２とも呼ぶ）。また、有機ＥＬ装置１００は、画素２毎に有機ＥＬ素子８を有している。有機ＥＬ装置１００では、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂから一つの画素群３が構成され、それぞれの画素群３において画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂのそれぞれの輝度を適宜変えることで、種々の色の表示を行うことができる。

図３に示すように、画素２は、例えば、４つの角が丸く形成された略矩形の平面形状を有している。画素２は、長辺と短辺とを有している。画素２の短辺に沿った方向が、走査線１６（図１参照）の延在方向である。また、画素２の長辺に沿った方向が、信号線１７（図１参照）の延在方向である。画素２毎に、陽極３０が配置されている。画素２の領域は、有機ＥＬ素子８により発光が得られる領域であり、陽極３０の外形によって規定される。画素２は、第１の領域としての表示部６と、第２の領域としてのコンタクト部７とを有している。

画素２毎に、反射層２４と反射防止層２６とが配置されている。図３では、構成をわかりやすく示すため、反射防止層２６に斜線を施して表示している。反射防止層２６は、開口部２６ａを有している。平面視で開口部２６ａに重なる領域が、表示部６である。表示部６は、画素２の領域のうち実質的に表示に寄与する領域である。表示部６において、有機機能層３４から発せられた光が反射層２４で反射されカラーフィルター４０（図４参照）側に射出される。

有機ＥＬ装置１００は、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂに対応して、表示部６Ｒ，６Ｇ，６Ｂを有している（以下では、対応する色を区別しない場合には単に表示部６とも呼ぶ）。開口部２６ａは、画素２毎に大きさが異なっている。したがって、表示部６Ｒ，６Ｇ，６Ｂの大きさは互いに異なっている。図３におけるＡ−Ａ’線は、画素２の短辺に沿って表示部６Ｒ，６Ｇ，６Ｂを横断するように位置している。

反射防止層２６上には、絶縁層２８が配置されている。絶縁層２８は、画素２毎に開口部２８ａを有している。平面視で開口部２８ａに重なる領域が、コンタクト部７である。コンタクト部７は、駆動用ＴＦＴ１２（図５参照）の配置位置に対応して配置されている。コンタクト部７（開口部２８ａ）において、絶縁層２８上に位置する陽極３０と、反射防止層２６とが導電接続される。

開口部２８ａは画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂで大きさが同じであり、したがって、コンタクト部７の大きさは画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂで同じである。コンタクト部７は、例えば、画素２の長辺に沿った方向における一端側に位置している。図３におけるＢ−Ｂ’線は、画素２の短辺に沿ってコンタクト部７を横断するように位置している。なお、コンタクト部７の配置位置は、この形態に限定されず、駆動用ＴＦＴ１２の配置位置に対応して、例えば画素２の中央部等であってもよい。

図５に示すように、有機ＥＬ装置１００は、基板１０上に、駆動用ＴＦＴ１２と、層間絶縁層２２と、平坦化層２３と、反射層２４と、反射防止層２６と、絶縁層２８と、陽極３０と、有機機能層３４と、陰極３６と、封止層３８と、カラーフィルター４０とを備えている。有機ＥＬ装置１００は、有機機能層３４から発せられた光がカラーフィルター４０側に射出されるトップエミッション型である。また、有機ＥＬ装置１００は、反射層２４と陰極３６との間で共振波長の光を増幅して取り出す光共振器を備えている。

基板１０は、有機ＥＬ装置１００がトップエミッション型であることから、透光性材料および不透光性材料のいずれを用いてもよい。透光性材料としては、例えば、ガラス、石英、樹脂（プラスチック、プラスチックフィルム）等があげられる。不透光性材料としては、例えば、アルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化等の絶縁処理を施したもの、熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂、およびそのフィルム（プラスチックフィルム）等があげられる。基板１０は、例えば酸化ケイ素（ＳｉＯ₂）等からなる保護層に覆われていてもよい。

駆動用ＴＦＴ１２は、基板１０上に、画素２に対応して設けられている。駆動用ＴＦＴ１２は、半導体膜１２ａと、ゲート絶縁層２１と、ゲート電極１２ｇと、ドレイン電極１２ｄと、ソース電極１２ｓとを備えている。半導体膜１２ａには、ソース領域と、ドレイン領域と、チャネル領域とが形成されている。半導体膜１２ａは、ゲート絶縁層２１に覆われている。ゲート電極１２ｇは、ゲート絶縁層２１を間に挟んで半導体膜１２ａのチャネル領域に平面的に重なるように位置している。

層間絶縁層２２は、ゲート電極１２ｇとゲート絶縁層２１とを覆っている。ドレイン電極１２ｄは、層間絶縁層２２に設けられたコンタクトホールを介して、半導体膜１２ａのドレイン領域に導電接続されている。ソース電極１２ｓは、同様にコンタクトホールを介して、半導体膜１２ａのソース領域に導電接続されている。

平坦化層２３は、層間絶縁層２２とドレイン電極１２ｄとソース電極１２ｓとを覆っている。平坦化層２３は、ドレイン電極１２ｄおよびソース電極１２ｓやその他の配線部による凹凸が緩和されたほぼ平坦な表面を有している。平坦化層２３は、例えばアクリル樹脂等からなる。なお、以降の説明では、基板１０と、基板１０上に形成された駆動用ＴＦＴ１２と層間絶縁層２２と平坦化層２３とを含めて基体２０と呼ぶ。

基体２０上には、画素２毎に、光反射性を有する反射層２４が設けられている。反射層２４は、有機機能層３４から発せられた光を反射してカラーフィルター４０側へ射出する。したがって、反射層２４は、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂから高い輝度の光が射出されるように、高い光反射性を有していることが好ましい。反射層２４は、例えばアルミニウムからなる。反射層２４の材料は、アルミニウムを含む合金や、銀または銀を含む合金であってもよい。

反射層２４は、平坦化層２３に設けられたコンタクトホールを介して、ドレイン電極１２ｄに導電接続されている。なお、図示を省略するが、反射層２４のドレイン電極１２ｄに導電接続される側の表面には、チタン（Ｔｉ）または窒化チタン（ＴｉＮ）等からなる導電層が設けられている。この導電層により、反射層２４をドレイン電極１２ｄに導電接続する際に反射層２４の表面が保護されるとともに、ドレイン電極１２ｄとの導電性が向上する。

反射層２４上には、反射層２４よりも低い光反射性を有する反射防止層２６が設けられている。反射防止層２６は、反射層２４における有機機能層３４から発せられた光の反射を抑える機能を有する。反射防止層２６の反射率は、２０％以下程度であることが好ましく、１０％以下程度であることがより好ましい。また、反射防止層２６は、反射層２４に導電接続されるとともに、陽極３０に導電接続される。つまり、反射防止層２６を介して反射層２４と陽極３０とが導電接続されている。

反射防止層２６は、反射層２４と陽極３０とを導電接続する際に反射層２４の表面を保護するとともに、陽極３０との導電性を向上する役割も有している。反射防止層２６は、例えばＴｉＮからなる。反射防止層２６の材料は、反射層２４よりも低い光反射性を有する材料、好ましくは上述した反射率程度に低い光反射性を有する材料であり、かつ導電性を有する材料であれば、ＴｉＮ以外の材料であってもよい。反射防止層２６は、開口部２６ａ（図４参照）を有している。

絶縁層２８は、基体２０と反射層２４と反射防止層２６とを覆うように設けられている。絶縁層２８は光透過性を有する。絶縁層２８は、陽極３０を形成する際に反射層２４と反射防止層２６とを保護する役割を果たす。絶縁層２８は、例えば窒化ケイ素（ＳｉＮ）からなる。絶縁層２８の材料は、ＳｉＯ₂や酸化窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）等であってもよい。絶縁層２８の層厚は、例えば５０ｎｍ程度である。絶縁層２８は、画素２毎に開口部２８ａを有している。

陽極３０は、絶縁層２８上に設けられている。陽極３０は、開口部２８ａ（コンタクト部７）において反射防止層２６に導電接続されている。したがって、陽極３０は、反射層２４と反射防止層２６とを介して、駆動用ＴＦＴ１２のドレイン電極１２ｄに導電接続されている。

なお、有機ＥＬ装置１００はトップエミッション型であるので、画素２の領域内であっても、平面視で反射層２４に重なる範囲内であれば駆動用ＴＦＴ１２を配置することが可能となる。これにより、有機ＥＬ装置１００の設計における駆動用ＴＦＴ１２の配置位置の自由度を高めることができる。

陽極３０は、第１の陽極層３１、第２の陽極層３２、および第３の陽極層３３を組み合わせて構成される。図５に示すコンタクト部７では、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂのいずれにおいても、基体２０側から順に積層された第１の陽極層３１、第２の陽極層３２、および第３の陽極層３３で陽極３０が構成されている。このようにコンタクト部７において陽極３０を３層の陽極層で構成するのは、後述する陽極形成工程Ｓ５０で陽極３０を形成する際のパターン加工において、陽極３０の下層に位置する反射防止層２６を保護するためである。

一方、図４に示す表示部６Ｒ，６Ｇ，６Ｂでは、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂで陽極３０の構成が互いに異なっている。画素２Ｒにおいては、絶縁層２８上に順に積層された第１の陽極層３１、第２の陽極層３２、および第３の陽極層３３で陽極３０が構成されている。画素２Ｇにおいては、絶縁層２８上に順に積層された第２の陽極層３２および第３の陽極層３３で陽極３０が構成されている。画素２Ｂにおいては、絶縁層２８上に形成された第３の陽極層３３で陽極３０が構成されている。

したがって、陽極３０の層厚は、表示部６Ｒ，６Ｇ，６Ｂで互いに異なっている。表示部６Ｇでは、表示部６Ｂよりも第２の陽極層３２の層厚分だけ厚くなっている。表示部６Ｒでは、表示部６Ｇよりも第１の陽極層３１の層厚分だけ厚くなっている。このように、表示部６Ｒ，６Ｇ，６Ｂで陽極３０の層厚を互いに異ならせることで、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂから射出される光の色に対応して光共振器における共振波長を調整することができる。

第１の陽極層３１、第２の陽極層３２、および第３の陽極層３３は、光透過性を有する。第１の陽極層３１、第２の陽極層３２、および第３の陽極層３３は、例えば多結晶のＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる。第１の陽極層３１、第２の陽極層３２、および第３の陽極層３３の合計の層厚は、例えば１２０ｎｍ〜１３０ｎｍ程度である。第１の陽極層３１、第２の陽極層３２、および第３の陽極層３３のそれぞれの層厚は、光共振器の共振波長に応じて適宜設定される。

図３に戻って、陽極３０のうち、第２の陽極層３２は第３の陽極層３３よりも一回り小さく形成されており、第１の陽極層３１は第２の陽極層３２よりも一回り小さく形成されている。したがって、画素２の領域内には、第１の陽極層３１、第２の陽極層３２、および第３の陽極層３３が積層された部分と、第２の陽極層３２と第３の陽極層３３とが積層された部分と、第３の陽極層３３だけの部分とが存在する。このような構成により、陽極３０は周縁部等において階段状の断面を有している（図４および図５参照）。

陽極３０が階段状の断面を有するのは、陽極３０を形成する工程において、下層の陽極層よりも上層の陽極層を一回り大きく形成することで、上層の陽極層をパターニング加工する際に先に形成された下層の陽極層が損傷を受けるのを避けるためである。また、陽極３０の上層に位置する有機機能層３４に対して、段差が大きくならないようにするためでもある。

反射層２４および反射防止層２６は、平面視で陽極３０よりも一回り大きく形成されていることが好ましい。反射層２４および反射防止層２６を陽極３０よりも一回り大きくすることで、陽極３０との間に位置ずれが生じた場合でも、陽極３０を平面視で反射層２４および反射防止層２６に重なる位置に配置できる。反射層２４および反射防止層２６の短辺の長さ（画素２の長辺に沿った方向における幅）Ｗ４は、例えば１０μｍ程度である。第１の陽極層３１、第２の陽極層３２、および第３の陽極層３３のそれぞれの短辺の長さ（画素２の長辺に沿った方向における幅）Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３は、例えば９μｍ、８μｍ、７μｍ程度である。

表示部６（開口部２６ａ）の短辺の長さ（画素２の長辺に沿った方向における幅）は、表示部６Ｒ，６Ｇ，６Ｂで異なっている。表示部６Ｒの短辺の長さＸＲは、第１の陽極層３１の短辺の長さＷ１以下である。表示部６Ｇの短辺の長さＸＧは、第２の陽極層３２の短辺の長さＷ２以下である。表示部６Ｂの短辺の長さＸＢは、第３の陽極層３３の短辺の長さＷ３以下である。

したがって、少なくとも表示部６Ｒ，６Ｇ，６Ｂ（開口部２６ａ）のそれぞれでは、陽極３０の層厚は同じである。よって、表示部６Ｒ，６Ｇ，６Ｂのそれぞれにおける光共振器の共振波長は、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂのそれぞれから射出される光の波長と同じである。

画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂのそれぞれにおいて、表示部６Ｒ，６Ｇ，６Ｂ以外の領域では、陽極３０の層厚が異なる階段状の断面を有している。よって、表示部６Ｒ，６Ｇ，６Ｂ以外の領域には、光共振器の共振波長は画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂのそれぞれから射出される光の波長と異なる部分が存在する。換言すれば、反射防止層２６は、画素２の領域のうち、光共振器における共振波長が画素２から射出される光の色に対応する波長と異なる領域に設けられている。

次に、画素２の長辺に沿った方向を見ると、画素２Ｒにおいては、陽極３０は、表示部６Ｒとコンタクト部７とにわたって、第１の陽極層３１、第２の陽極層３２、および第３の陽極層３３で構成されている。したがって、陽極３０は、表示部６Ｒとコンタクト部７とで同じ層厚を有している。

画素２Ｇにおいては、陽極３０は、表示部６Ｇでは第２の陽極層３２と第３の陽極層３３とで構成され、コンタクト部７では第１の陽極層３１、第２の陽極層３２、および第３の陽極層３３で構成されている。したがって、陽極３０は、表示部６Ｇとコンタクト部７とで層厚が異なり、表示部６Ｇとコンタクト部７との間の領域に第１の陽極層３１の層厚に相当する段差が存在する。

画素２Ｂにおいては、陽極３０は、表示部６Ｂでは第３の陽極層３３で構成され、コンタクト部７では第１の陽極層３１、第２の陽極層３２、および第３の陽極層３３で構成されている。したがって、陽極３０は、表示部６Ｂとコンタクト部７とで層厚が異なり、表示部６Ｂとコンタクト部７との間の領域に第１の陽極層３１の層厚と第２の陽極層３２の層厚とに相当する段差が存在する。

反射防止層２６は、平面視で陽極３０の層厚が異なり段差が存在する部分に重なるように設けられている。このため、画素２Ｇにおける表示部６Ｇとコンタクト部７との間隔ＹＧは、画素２Ｒにおける表示部６Ｒとコンタクト部７との間隔ＹＲよりも大きくなる。また、画素２Ｂにおける表示部６Ｂとコンタクト部７との間隔ＹＢは、画素２Ｇにおける表示部６Ｇとコンタクト部７との間隔ＹＧよりも大きくなる。

次に、図４に示すように、陽極３０上には有機機能層３４が設けられている。有機機能層３４は、順に積層された正孔輸送層と発光層と電子輸送層とで構成されている。正孔輸送層は、例えば、トリフェニルアミン誘導体（ＴＰＤ）、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体等によって形成されている。発光層は、例えば、アルミノウムキノリノール錯体（Ａｌｑ₃）等をホスト材料とし、ルブレン等をドーパントとして形成されている。電子輸送層は、例えば、Ａｌｑ₃等によって形成されている。

有機機能層３４では、正孔輸送層から注入される正孔と、電子輸送層から注入される電子とが発光層で再結合することにより画素２の領域において発光が得られる。有機ＥＬ装置１００では、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂにおいて、共通色に発光する有機機能層３４を有している。有機機能層３４の発光色は、例えば白色である。有機機能層３４の層厚は、例えば１５０ｎｍ程度である。

有機ＥＬ装置１００は、有機機能層３４で発せられた光を共振させる光共振器を備えている。したがって、有機機能層３４の発光色が白色であっても、Ｒ、Ｇ、Ｂの３つの異なる色の光を射出することができる。有機ＥＬ装置１００では、光共振器を備えているので、有機機能層３４の発光材料として白色発光材料を画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂに共通使用することが可能であるとも言える。

陰極３６は、有機機能層３４を覆うように設けられている。陰極３６は、光透過性と光反射性とを有している。つまり、陰極３６は、半透過反射性を有するハーフミラー状である。陰極３６は、例えばマグネシウムと銀との合金（Ｍｇ−Ａｇ合金）からなる。陰極３６の材料は、カルシウム、ナトリウム、リチウム、またはこれらの金属化合物等であってもよい。

封止層３８は、陰極３６を覆うように設けられている。封止層３８は、酸素や水分が浸入することによる有機ＥＬ素子８の劣化を防止するガスバリア層としての役割を果たす。封止層３８は、例えばＳｉＯＮからなる。封止層３８の材料は、ＳｉＯ₂やＳｉＮ等であってもよい。なお、封止層３８上に、アクリル樹脂等からなる平坦化層が設けられていてもよい。

カラーフィルター４０は、封止層３８上に設けられている。カラーフィルター４０は、Ｒの色の光に対応するカラーフィルター４０Ｒと、Ｇの色の光に対応するカラーフィルター４０Ｇと、Ｂの色の光に対応するカラーフィルター４０Ｂとを有している。カラーフィルター４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂは、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂに対応して、それぞれの有機ＥＬ素子８に平面的に重なるように設けられている。

なお、隣り合うカラーフィルター４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂ同士の間は離間されていてもよいし、隣り合うカラーフィルター４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂ同士の間に遮光層が設けられていてもよい。また、カラーフィルター４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂを覆うように、保護層が設けられていてもよい。

なお、有機ＥＬ装置１００は、隔壁を備えていない。隔壁を備えていないことで、有機ＥＬ装置１００を小型化あるいは薄型化することが可能となる。

＜光共振器＞
有機ＥＬ装置１００では、反射層２４と陰極３６との間に、有機機能層３４で発せられた光を共振させる光共振器が形成されている。有機機能層３４で発せられた光は、反射層２４と陰極３６との間で往復し、その光学的距離Ｌに対応した共振波長の光が増幅されて、陰極３６側に射出される。このため、射出される光の輝度を高めることができるとともに、幅が狭いスペクトルを有する光を取り出すことができる。

光共振器における共振波長は、反射層２４と陰極３６との間の光学的距離Ｌを変えることによって調整が可能である。有機機能層３４で発せられた光のうち取り出したい光のスペクトルのピーク波長をλとすると、次のような関係式が成り立つ。Φ（ラジアン）は、有機機能層３４で発せられた光が光共振器の両端（例えば、反射層２４と陰極３６と）で反射する際に生じる位相シフトを表す。
（２Ｌ）／λ＋Φ／（２π）＝ｍ（ｍは整数）

ここでは、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂに対応させて、光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢと呼ぶこととする。画素２Ｒにおいては、反射層２４と陰極３６との間に位置する絶縁層２８と、第１の陽極層３１、第２の陽極層３２、および第３の陽極層３３と、有機機能層３４とで光学的距離ＬＲが決まる。画素２Ｇにおいては、絶縁層２８と、第２の陽極層３２および第３の陽極層３３と、有機機能層３４とで光学的距離ＬＧが決まる。画素２Ｂにおいては、絶縁層２８と、第３の陽極層３３と、有機機能層３４とで光学的距離ＬＢが決まる。

有機ＥＬ装置１００では、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂが射出するＲ、Ｇ、Ｂの光に対応させて、表示部６Ｒ，６Ｇ，６Ｂのそれぞれにおける光共振器の共振波長が所定の波長λとなるように、第１の陽極層３１、第２の陽極層３２、および第３の陽極層３３のそれぞれの層厚を適宜設定することにより光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢを最適化する構成となっている。

ところで、上述した通り、有機ＥＬ装置１００では、いずれの画素２においても陽極３０の層厚が異なる部分が存在する。より具体的には、画素２Ｒにおいては表示部６Ｒ以外の領域に陽極３０の層厚が表示部６Ｇ，６Ｂと同じ部分が存在し、画素２Ｇにおいては表示部６Ｇ以外の領域に陽極３０の層厚が表示部６Ｂと同じ部分が存在する。また、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂにおいて、コンタクト部７には光学的距離Ｌを構成する絶縁層２８が存在しない。

しかしながら、表示部６Ｒ，６Ｇ，６Ｂ以外の領域には反射防止層２６が設けられている。反射防止層２６が設けられている部分では、有機機能層３４から発せられた光は反射層２４で反射されず、反射されるとしても反射防止層２６によりわずかに反射されるだけなので、この部分では光の共振作用がほとんどない。したがって、画素２Ｒにおいて、陽極３０の層厚が表示部６Ｇ，６Ｂと同じ部分からＧ、Ｂの共振波長の光の射出はほとんどなく、この部分からは有機機能層３４からカラーフィルター４０Ｒ側に発せられた白色光のうちＧ、Ｂの共振波長の光をほとんど含まない光がカラーフィルター４０Ｒを透過し、Ｒの光として射出される。

また、画素２Ｇにおいても同様に、陽極３０の層厚が表示部６Ｂと同じ部分からは、Ｂの共振波長の光の射出はほとんどなく、有機機能層３４から発せられた白色光のうちＢの共振波長をほとんど含まない光がカラーフィルター４０Ｇを透過し、Ｇの光として射出される。これにより、有機ＥＬ装置１００は色純度の高い表示を行うことができる。

ここで、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００の構成によって得られる効果について、従来の構成の有機ＥＬ装置と比較して説明する。図１５は、比較として従来の有機ＥＬ装置の一例の概略構成を示す断面図である。図１５は、図３のＡ−Ａ’線に沿った断面に対応している。

図１５に示す有機ＥＬ装置４００は、反射防止層２６を備えていない点以外は、有機ＥＬ装置１００とほぼ同じ構成を有している。以下では、有機ＥＬ装置４００について、本実施形態の有機ＥＬ装置１００と異なる点を中心に説明する。なお、本実施形態の有機ＥＬ装置１００と共通する構成要素については、同一の符号を付しその説明を省略する。

有機ＥＬ装置４００では、陽極３０の外形によって規定される画素２の領域が、有機ＥＬ素子８により発光が得られる領域であり、かつ実質的に表示に寄与する領域である。したがって、有機ＥＬ装置４００では、実質的に表示に寄与する画素２の領域内に、陽極３０の層厚が異なる部分が存在する。また、有機ＥＬ装置４００では、反射層２４上に反射防止層２６が設けられていないので、陽極３０の層厚が異なる部分においても有機機能層３４からの光が反射され光共振器により共振する。

画素２Ｒにおいては、隣り合う画素２Ｂ側、および隣り合う画素２Ｇ側に、陽極３０の層厚が画素２Ｇ，２Ｂと同じとなる部分が存在する。そのため、これらの部分では、光共振器において画素２Ｇと同じ光学的距離ＬＧ、および画素２Ｂと同じ光学的距離ＬＢが構成される。そして、光学的距離ＬＧが構成される部分ではＧの共振波長の光が射出され、光学的距離ＬＢが構成される部分ではＢの共振波長の光が射出される。しかしながら、これらの部分から射出されたＧ、Ｂの共振波長の光はカラーフィルター４０Ｒを透過しないため、画素２Ｒの表示に寄与しない。これにより、画素２Ｒから射出される光の輝度が低下することとなる。

また、図１５に矢印Ｃで示すように、隣り合う画素２Ｂ側の斜めの方向から画素２Ｒを見ると、画素２Ｒにおける画素２Ｂ側の部分から射出されたＢの共振波長の光は、画素２Ｂに配置されたカラーフィルター４０Ｂを透過する。このため、本来Ｒの色の光が射出される画素２Ｒの領域からＢの色の光が視認される、いわゆる混色が発生する。混色が発生すると、広角から有機ＥＬ装置４００を観察したときに視角特性が低下することとなる。

画素２Ｇにおいても、陽極３０の層厚が画素２Ｂと同じとなるために、画素２Ｂと同じ光学的距離ＬＢが構成される部分が存在する。そのため。画素２Ｇにおいても、画素２Ｒと同様に、射出される光の輝度が低下するとともに、画素２Ｂとの間で混色が発生する。また、図示を省略するが、画素２Ｇ，２Ｂにおいては、表示部６とコンタクト部７との間に陽極３０の層厚が異なる部分が存在するため、この部分においても、射出される光の輝度が低下する。

これに対して、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００では、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂにおいて、陽極３０が光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢを最適化する層厚を有していない部分においては光共振器がほとんど機能しない。このため、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの領域内にＲ、Ｇ、Ｂと異なる共振波長の光がほとんど混在しない。これにより、従来の構成を有する有機ＥＬ装置４００に比べて、画素２から射出される光の輝度を向上させることができる。有機ＥＬ装置１００の構成と有機ＥＬ装置４００の構成との比較シミュレーションによれば、有機ＥＬ装置１００の構成では有機ＥＬ装置４００の構成に対して、例えば１０％〜１５％程度の輝度向上効果が期待できる。また、有機ＥＬ装置１００では、有機ＥＬ装置４００に比べて、隣り合う画素２との間の混色の発生も抑制することができる。

＜有機ＥＬ装置の製造方法＞
次に、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法について図を参照して説明する。図６は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明するフローチャートである。図７、図８、図９および図１０は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明する図である。なお、図７、図８、図９および図１０は、図３のＡ−Ａ’線に沿った断面に対応している。

図６に示すように、有機ＥＬ装置の製造方法は、基体準備工程Ｓ１０と、反射層形成工程Ｓ２０と、反射防止層形成工程Ｓ３０と、絶縁層形成工程Ｓ４０と、陽極形成工程Ｓ５０と、有機機能層形成工程Ｓ６０と、陰極形成工程Ｓ７０と、封止層形成工程Ｓ８０と、カラーフィルター形成工程Ｓ９０と、を含んでいる。

基体準備工程Ｓ１０では、基板１０上に駆動用ＴＦＴ１２と層間絶縁層２２と平坦化層２３とを公知の方法で形成し、基体２０を準備する。なお、基体２０において、反射層２４がドレイン電極１２ｄに導電接続される位置には、平坦化層２３を貫通するコンタクトホールが設けられる。

次に、反射層形成工程Ｓ２０では基体２０上に反射層２４を形成し、反射防止層形成工程Ｓ３０では反射層２４上に反射防止層２６を形成する。反射層形成工程Ｓ２０および反射防止層形成工程Ｓ３０では、反射層２４および反射防止層２６の成膜とパターン加工とが一緒に行われる。

まず、図７（ａ）に示すように、基体２０上に、例えばスパッタリング法を用いて、アルミニウム等からなる反射膜２５と、ＴｉＮ等からなる反射防止膜２７とを順に成膜する。なお、図示を省略するが、反射膜２５を成膜する前に、基体２０上にＴｉ等からなる導電膜を形成する。したがって、基体２０上には、導電膜と反射膜２５と反射防止膜２７との３層の膜が順に積層された状態となる。また、図５に示すように、反射膜２５は平坦化層２３を貫通するコンタクトホールを介して駆動用ＴＦＴ１２のドレイン電極１２ｄに導電接続される。ドレイン電極１２ｄと反射膜２５との間には、導電膜（図示しない）が配置される。

次に、図７（ｂ）に示すように、例えばフォトリソグラフィ法を用いて、導電膜（図示しない）と、反射膜２５と、反射防止膜２７とを一緒にパターン加工する。これにより、画素２毎に導電層（図示しない）と反射層２４と反射防止層２６とが形成される。

続いて、図７（ｃ）に示すように、例えばフォトリソグラフィ法を用いて、反射防止層２６に開口部２６ａを形成する。開口部２６ａは、後の陽極形成工程Ｓ５０で形成される陽極３０の構成に対応して、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂで異なった大きさに形成される。画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂにおいて、平面視で開口部２６ａに重なる領域が、実質的に表示に寄与する表示部６Ｒ，６Ｇ，６Ｂとなる。

次に、絶縁層形成工程Ｓ４０では、図８（ａ）に示すように、基体２０と反射層２４と反射防止層２６とを覆うように絶縁層２８を形成する。絶縁層２８は、例えばＣＶＤ法を用いて、ＳｉＮにより成膜する。そして、図５に示すように、例えばフォトリソグラフィ法を用いて、絶縁層２８に開口部２８ａを形成する。開口部２８ａ内には、反射防止層２６が露出する。平面視で開口部２８ａに重なる領域が、コンタクト部７となる。

次に、陽極形成工程Ｓ５０では、絶縁層２８上に、第１の陽極層３１、第２の陽極層３２、および第３の陽極層３３を順に形成する。まず、図８（ｂ）に示すように、画素２Ｒの領域に第１の陽極層３１を形成する。第１の陽極層３１は、例えばスパッタリング法を用いて絶縁層２８を覆うように多結晶のＩＴＯからなる導電膜を形成し、例えばフォトリソグラフィ法を用いて導電膜のパターン加工を行い形成する。パターン加工の際は、エッチング液として、例えば王水（塩酸と硝酸との混合液）等の強酸溶液を用いる。このとき、図５に示すように、画素２Ｇ，２Ｂにおいても、コンタクト部７に第１の陽極層３１が形成される。第１の陽極層３１は、コンタクト部７（開口部２８ａ）において、反射防止層２６に導電接続される。

続いて、図９（ａ）に示すように、画素２Ｒ，２Ｇの領域に第２の陽極層３２を形成する。このとき、画素２Ｂにおいても、コンタクト部７に第２の陽極層３２が形成される。そして、図９（ｂ）に示すように、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの領域に第３の陽極層３３を形成する。第２の陽極層３２および第３の陽極層３３は、第１の陽極層３１と同様にして、成膜とパターン加工を行い形成される。

これにより形成された陽極３０は、画素２Ｒにおいては第１の陽極層３１、第２の陽極層３２、および第３の陽極層３３が積層された構成を有し、画素２Ｇにおいては第２の陽極層３２および第３の陽極層３３が積層された構成を有し、画素２Ｂにおいては第３の陽極層３３により構成されている。また、図５に示すように、いずれの画素２においてもコンタクト部７では、陽極３０は第１の陽極層３１、第２の陽極層３２、および第３の陽極層３３が積層された構成を有している。

ここで、コンタクト部７に第３の陽極層３３だけを形成する構成とした場合、第１の陽極層３１を形成する際と、第２の陽極層３２を形成する際とにおいて、開口部２８ａ内に露出した反射防止層２６がエッチング液に晒されることとなる。エッチング液として、王水（塩酸と硝酸との混合液）等の強酸溶液を用いる場合、ＩＴＯとＴｉＮとの間でエッチング液に対する十分な選択比が取れないため、反射防止層２６がエッチング液により損傷を受けてしまう。本実施形態では、コンタクト部７に第１の陽極層３１、第２の陽極層３２、および第３の陽極層３３を形成するので、反射防止層２６がエッチング液に晒されることが回避される。

また、陽極３０についても同様である。すなわち、第１の陽極層３１の表面を覆うように第２の陽極層３２を形成することで、第２の陽極層３２を形成する際に第１の陽極層３１がエッチング液により損傷を受けないようにし、第２の陽極層３２の表面を覆うように第３の陽極層３３を形成することで、第３の陽極層３３を形成する際に第２の陽極層３２がエッチング液により損傷を受けないようにしている。

次に、有機機能層形成工程Ｓ６０では、図１０（ａ）に示すように、絶縁層２８と陽極３０とを覆うように、有機機能層３４を形成する。有機機能層３４は、例えば真空蒸着法により、正孔輸送層と発光層と電子輸送層とを順に積層して成膜する。これにより、有機機能層３４が形成される。なお、正孔輸送層と発光層と電子輸送層とを形成する方法として、インクジェット法やスピンコート法等により塗布する方法を適用してもよい。

次に、陰極形成工程Ｓ７０では、図１０（ｂ）に示すように、例えば真空蒸着法により、有機機能層３４を覆うように、Ｍｇ−Ａｇ合金等からなる陰極３６を形成する。これにより、陽極３０と有機機能層３４と陰極３６とで有機ＥＬ素子８が形成される。また、反射層２４と陰極３６との間に光共振器が形成される。

次に、封止層形成工程Ｓ８０では、図４に示すように、陰極３６を覆うように、封止層３８を形成する。封止層３８は、例えばイオンプレーティング法により、ＳｉＯＮ等の材料を用いて、陰極３６よりも広い領域に成膜される。

次に、カラーフィルター形成工程Ｓ９０では、図４に示すように、封止層３８上にカラーフィルター４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂを形成する。カラーフィルター４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂは、例えばＲ、Ｇ、Ｂの異なる色の光を透過させるような顔料を含む感光性樹脂をスピンコート法等を用いて塗布してパターン加工することにより形成する。以上により、有機ＥＬ装置１００が完成する。

（第２の実施形態）
＜有機ＥＬ装置＞
次に、第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成について図を参照して説明する。図１１は、第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の画素の構成を示す平面図である。図１２は、第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図である。詳しくは、図１２は図１１のＢ−Ｂ’線に沿った部分断面図である。なお、図１１のＡ−Ａ’線に沿った断面図は第１の実施形態と共通であるので省略する。

第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置２００は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置１００に対して、陽極３０の構成が異なっているが、その他の構成はほぼ同じである。第１の実施形態と共通する構成要素については、同一の符号を付しその説明を省略する。

第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置２００では、図１１に示すように、画素２Ｇ，２Ｂにおける陽極３０の構成が、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置１００と異なっている。より具体的には、画素２Ｇにおいては、陽極３０は第２の陽極層３２および第３の陽極層３３で構成される。画素２Ｂにおいては、陽極３０は第３の陽極層３３で構成される。

したがって、図１２に示すように、第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置２００では、コンタクト部７における陽極３０の層厚は、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂで互いに異なっている。そして、いずれの画素２においても、コンタクト部７、およびコンタクト部７の周囲における陽極３０の層厚が、表示部６における陽極３０の層厚と同じである。

このため、図１１に示すように、画素２Ｇにおける表示部６Ｇとコンタクト部７との間隔ＹＧ、および画素２Ｂにおける表示部６Ｂとコンタクト部７との間隔ＹＢを、画素２Ｒにおける表示部６Ｒとコンタクト部７との間隔ＹＲと同じにできる。これにより、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置１００よりも、表示部６Ｇおよび表示部６Ｂを大きくできる。また、コンタクト部７を除けば、陽極３０の層厚が同じ範囲の全域まで表示部６Ｒ，６Ｇ，６Ｂを拡大してもよい。

第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置２００では、陽極３０（第１の陽極層３１、第２の陽極層３２、および第３の陽極層３３）は、非晶質のＩＴＯからなる。このため、陽極形成工程Ｓ５０におけるパターン加工の際は、エッチング液として、例えば蓚酸を含む水溶液を用いることができる。したがって、非晶質のＩＴＯとＴｉＮ（反射防止層２６）との間でエッチング液に対する選択比を大きくできるので、反射防止層２６がエッチング液に晒されても損傷を受けにくくなる。これにより、表示部６とコンタクト部７とで、陽極３０を同じ層厚とすることが可能となる。

第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置２００においても、陽極３０の層厚が異なる部分に反射防止層２６が配置されるので、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置１００と同様に、画素２から射出される光の輝度を向上させることができるとともに、隣り合う画素２との間の混色の発生も抑制することができる。

＜有機ＥＬ装置の製造方法＞
第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法に対して、陽極形成工程Ｓ５０における第１の陽極層３１、第２の陽極層３２、および第３の陽極層３３の形成方法が異なっているが、その他の工程は同じである。ここでは、陽極形成工程Ｓ５０を説明する。

陽極形成工程Ｓ５０では、まず、図８（ｂ）に示すように、画素２Ｒの領域（表示部６Ｒおよびコンタクト部７を含む）に第１の陽極層３１を形成する。第１の陽極層３１は、例えばスパッタリング法を用いて絶縁層２８を覆うように非晶質のＩＴＯからなる導電膜を形成し、例えばフォトリソグラフィ法を用いて導電膜のパターン加工を行い形成する。パターン加工の際は、エッチング液として、例えば蓚酸を含む水溶液を用いる。パターン加工には、ドライエッチングを用いてもよい。

続いて、図９（ａ）に示すように、画素２Ｒ，２Ｇの領域（表示部６Ｒ，６Ｇおよびコンタクト部７を含む）に第２の陽極層３２を形成する。そして、図９（ｂ）に示すように、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの領域（表示部６Ｒ，６Ｇ，６Ｂおよびコンタクト部７を含む）に第３の陽極層３３を形成する。第２の陽極層３２および第３の陽極層３３も、第１の陽極層３１と同様にして、成膜とパターン加工を行う。以上により、陽極３０が形成される。

＜電子機器＞
上述した有機ＥＬ装置１００，２００は、例えば、図１３に示すように、電子機器としての携帯電話機５００に搭載して用いることができる。携帯電話機５００は、表示部５０２に有機ＥＬ装置１００，２００を備えている。この構成により、表示部５０２を有する携帯電話機５００は、従来よりも明るい表示が得られる。

また、電子機器は、電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置の車載モニター等であってもよい。

以上、本発明の実施形態について説明したが、上記実施形態に対しては、本発明の趣旨から逸脱しない範囲で様々な変形を加えることができる。変形例としては、例えば以下のようなものが考えられる。

（変形例１）
上記実施形態の有機ＥＬ装置は、反射層が画素毎に設けられた構成であったが、上記の形態に限定されない。有機ＥＬ装置は、反射層が複数の画素に共通して設けられた構成であってもよい。

図１４は、変形例１に係る有機ＥＬ装置の画素の構成を示す平面図である。変形例１に係る有機ＥＬ装置３００は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置１００に対して、反射層および反射防止層の構成が異なっているが、その他の構成はほぼ同じである。第１の実施形態と共通する構成要素については、同一の符号を付しその説明を省略する。

図１４に示すように、変形例１に係る有機ＥＬ装置３００は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置１００における反射層２４の代わりに、第１の反射層４２と第２の反射層４６とを備えている。また、変形例１に係る有機ＥＬ装置３００は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置１００における反射防止層２６の代わりに、第１の反射防止層４４と第２の反射防止層４８とを備えている。

第１の反射層４２は、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂに共通に設けられており、画素２の短辺に沿った方向に延在している。第１の反射層４２は、少なくとも表示部６Ｒ，６Ｇ，６Ｂに平面的に重なる領域に配置されている。第１の反射層４２は、有機ＥＬ装置３００のグラウンド電位に対して、例えば陰極３６と同じ電位に保持されている。

第２の反射層４６は、画素２毎に設けられている。第２の反射層４６は、平面視で少なくともコンタクト部７に重なる領域に位置しており、第１の反射層４２から離間されて配置されている。第２の反射層４６は、コンタクト部７において、駆動用ＴＦＴ１２のドレイン電極１２ｄ（図示しない）に導電接続されている。

第１の反射防止層４４は、画素２毎に設けられている。第１の反射防止層４４は、第１の反射層４２に平面的に重なる領域に配置されている。第１の反射防止層４４には、開口部４４ａが設けられている。画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂにおいて、平面視で開口部４４ａに重なる領域が、実質的に表示に寄与する表示部６Ｒ，６Ｇ，６Ｂとなる。

第２の反射防止層４８は、画素２毎に設けられている。第２の反射防止層４８は、平面視で第２の反射層４６に重なる領域に位置しており、第１の反射防止層４４から離間されて配置されている。第２の反射防止層４８は、第２の反射層４６に導電接続されるとともに、陽極３０に導電接続される。つまり、第２の反射防止層４８を介して第２の反射層４６と陽極３０とが導電接続される。

変形例１に係る有機ＥＬ装置３００においても、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置１００と同様に、画素２から射出される光の輝度を向上させることができるとともに、隣り合う画素２との間の混色の発生も抑制することができる。なお、第１の反射防止層４４は、第１の反射層４２と同様に、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂに共通に設けられていてもよい。また、有機ＥＬ装置３００は、第２の反射層４６および第２の反射防止層４８を備えておらず、陽極３０がドレイン電極１２ｄに導電接続された構成を有していてもよい。

（変形例２）
上記実施形態の有機ＥＬ装置は、画素２からＲ、Ｇ、Ｂの３色の光を射出する構成であったが、上記の形態に限定されない。有機ＥＬ装置は、画素２から、２つの異なる色の光を射出する構成であってもよいし、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の他に、例えば白色やシアン等他の色の光を射出する構成であってもよい。このような構成であっても、上記実施形態の有機ＥＬ装置と同様の効果が得られる。

（変形例３）
上記実施形態の有機ＥＬ装置は、カラーフィルター４０を備えた構成であったが、上記の形態に限定されない。有機ＥＬ装置は、カラーフィルター４０を備えていない構成であってもよい。有機ＥＬ装置が光共振器を備えた構成であれば、上記実施形態の有機ＥＬ装置と同様に、反射防止層２６の開口部２６ａ（表示部６Ｒ，６Ｇ，６Ｂ）以外の部分において反射層２４での反射が抑えられるため、陽極３０の層厚が異なる部分には光共振器が形成されない。したがって、画素２から射出される光の輝度を向上させることができる。ただし、反射防止層２６の開口部２６ａ以外の部分からは白色光が発せられるため、画素２から射出される光の色純度の低下はあり得る。なお、カラーフィルター４０を備えていないので、画素間の混色は発生しない。

（変形例４）
上記実施形態の有機ＥＬ装置は、有機ＥＬ素子８から白色光を発する構成であったが、上記の形態に限定されない。有機ＥＬ装置は、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂに対応して、Ｒ、Ｇ、Ｂの異なる色の光を発する有機機能層を備えた構成であってもよい。このような構成であっても、陽極３０の層厚が異なる部分には光共振器が形成されないので、画素２から射出される光の輝度を向上させることができる。

（変形例５）
上記実施形態の有機ＥＬ装置では、画素２は、略矩形の平面形状を有しており、マトリクス状に配列されていたが、上記の形態に限定されない。画素２は、円形や楕円形等の他の平面形状を有していてもよい。また、画素２は、千鳥格子状等に配列されていてもよい。

２Ｒ，２Ｇ，２Ｂ…画素、６Ｒ，６Ｇ，６Ｂ…第１の領域としての表示部、７…第２の領域としてのコンタクト部、８…有機ＥＬ素子、１０…基板、１２…駆動素子としての駆動用ＴＦＴ、２０…基体、２４…反射層、２６…反射防止層、２８…絶縁層、３０…第１の電極としての陽極、３４…有機機能層、３６…第２の電極としての陰極、４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂ…カラーフィルター、１００，２００，３００…有機ＥＬ装置、５００…電子機器としての携帯電話機。

Claims (12)

1. 基体と、
   前記基体上に配列された、少なくとも２つの異なる色の光のいずれかを射出する画素と、
   前記基体上に配置された、光反射性を有する反射層と、
   前記反射層上に配置された、前記反射層よりも低い光反射性を有する反射防止層と、
   前記反射防止層上に配置された、光透過性を有する絶縁層と、
   前記絶縁層上に前記画素毎に配置された、光透過性を有する第１の電極と、
   前記第１の電極上に配置された、少なくとも発光層を含む有機機能層と、
   前記有機機能層上に配置された、光反射性および光透過性を有する第２の電極と、
   前記反射層と前記第２の電極との間に形成された、前記有機機能層からの光を共振させる光共振器と、を備え、
   前記光共振器は、前記画素の領域のうち第１の領域において、前記画素から射出される前記光の色に対応する共振波長を有し、
   前記反射防止層は、前記画素の領域のうち前記第１の領域以外の領域に設けられていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
2. 請求項１に記載の有機ＥＬ装置であって、
   前記第１の電極の層厚は、前記画素から射出される前記光の色に対応して前記画素間で異なっており、少なくとも前記第１の領域内では同じであることを特徴とする有機ＥＬ装置。
3. 請求項２に記載の有機ＥＬ装置であって、
   前記基体に、前記画素毎に設けられた駆動素子をさらに備え、
   前記第１の電極は、前記画素の領域のうち前記第１の領域とは異なる第２の領域において前記駆動素子に導電接続されており、
   前記第２の領域における前記第１の電極の層厚は、前記第１の領域における前記第１の電極の層厚と同じであることを特徴とする有機ＥＬ装置。
4. 請求項１から３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置であって、
   前記反射層は、前記画素毎に配置されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
5. 請求項１から４のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置であって、
   前記第２の電極上に前記画素毎に配置されており、前記画素から射出される前記光の色に対応するカラーフィルターをさらに備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置。
6. 請求項１から５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置であって、
   前記少なくとも２つの異なる色は、赤色、緑色、および青色の３色であることを特徴とする有機ＥＬ装置。
7. 請求項１から６のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置を備えたことを特徴とする電子機器。
8. 基体上に配列された少なくとも２つの異なる色の光のいずれかを射出する画素と、
   光反射性を有する反射層と、
   光透過性を有する第１の電極と、
   光反射性および光透過性を有する第２の電極と、
   前記第１の電極と前記第２の電極との間に挟持された少なくとも発光層を含む有機機能層と、
   前記反射層と前記第２の電極との間に形成された、前記有機機能層からの光を共振させる光共振器と、を備えた有機ＥＬ装置の製造方法であって、
   前記基体上に、前記反射層を形成する工程と、
   前記反射層上に、前記反射層よりも低い光反射性を有する反射防止層を形成する工程と、
   前記反射防止層上に、光透過性を有する絶縁層を形成する工程と、
   前記絶縁層上に前記画素毎に、前記第１の電極を形成する工程と、
   前記第１の電極上に、前記有機機能層を形成する工程と、
   前記有機機能層上に、前記第２の電極を形成する工程と、を含み、
   前記反射防止層を形成する工程では、前記画素の領域のうち第１の領域以外の領域に前記反射防止層を形成し、
   前記第１の電極を形成する工程では、前記第１の電極を、前記画素から射出される前記光の色に対応して前記画素間で層厚を異ならせるとともに、少なくとも前記第１の領域内では同じ層厚で形成することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
9. 請求項８に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
   前記基体に、前記画素毎に設けられた駆動素子をさらに備え、
   前記第１の電極を形成する工程では、前記第１の電極を、前記画素の領域のうち前記第１の領域とは異なる第２の領域において前記駆動素子に導電接続させるとともに、
   前記第２の領域における前記第１の電極の層厚と、前記第１の領域における前記第１の電極の層厚とを同じに形成することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
10. 請求項８または９に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
    前記反射層を形成する工程では、前記反射層を前記画素毎に形成することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
11. 請求項８から１０のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
    前記第２の電極を形成する工程の後に、前記第２の電極上に、前記画素から射出される前記光の色に対応するカラーフィルターを形成する工程をさらに含むことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
12. 請求項８から１１のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
    前記少なくとも２つの異なる色は、赤色、緑色、および青色の３色であることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。

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