JP6207367B2 - 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 - Google Patents

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Description

本発明は有機エレクトロルミネッセンス表示装置に関する。
薄型で軽量な発光源として、有機エレクトロルミネッセンス発光(organic electro luminescent)素子が注目を集めており、多数の有機エレクトロルミネッセンス発光素子を備える画像表示装置が開発されている。有機エレクトロルミネッセンス発光素子は、発光層を有する有機層が、下部電極と上部電極とで挟まれた構造を有する。
このような有機エレクトロルミネッセンス発光素子としては、例えば特許文献1において、カラーフィルタと薄膜トランジスタが形成されたTFT基板上に、画素毎に形成された下部電極と、有機層と、上部電極と、を有する構成が開示されている。これら有機エレクトロルミネッセンス発光素子の下部電極は、それぞれコンタクトホールを介して薄膜トランジスタに接続されている。
特開2002−216960号公報
図7は従来の有機エレクトロルミネッセンス表示装置101を示す部分平面拡大図である。図7に記載の構成においては、画素分離膜114の側面(傾斜面)115が有機層133の上面に対して傾斜しているため、側面115において、有機層が設けられた発光領域Eからの発光の一部が隣接する画素Pの方向に反射して混色を引き起こすおそれがある。
また、図7に示すように、コンタクトホール132aが画素P同士の境界Bを挟んで互いに隣接するように配置されると、画素分離膜114の側面115同士が互いに隣接する。このため、側面115において光が隣接する画素P側に反射し、混色が生じやすくなる。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、有機エレクトロルミネッセンス発光素子の混色の抑制を実現することを目的とする。
本出願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下
の通りである。
(1)本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、基板と、前記基板上に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上において、マトリクス状に配置された複数の画素毎に形成された、下部電極と発光層と上部電極とを有する発光領域と、前記画素毎に、平面視で前記発光領域の外側で、前記画素の1つの角部に形成され、前記薄膜トランジスタと前記下部電極を接続するコンタクトホールと、を備え、前記マトリクス状に配置された画素の境界の交点を共有する4つの画素のうち、対角に配置された一組の画素のみが、前記交点を有する前記角部に前記コンタクトホールを有する、ことを特徴とする。
(2)本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、(1)において、前記4つの画素のうち、対角に配置された一組の画素のみが、前記交点の対角の角部にコンタクトホールを有していてもよい。
(3)本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、(1)または(2)において、前記発光領域が平面視でL字型であってもよい。
(4)本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、(1)または(2)において、前記発光領域が平面視で矩形であってもよい。
(5)本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、(1)または(2)において、前記発光領域が平面視で三角形であってもよい。
本発明によれば、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、発光領域からの発光が画素分離膜に反射して隣接する画素に届くことが抑えられる。これにより、本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、混色の抑制を実現することが可能となる。
本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の概略平面図である。 図2は図1に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置のII−II切断線における概略断面図である。 図3は図1に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置のIII領域の部分拡大図である。 図4は本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の変形例を図1と同様の視野において示す部分拡大図である。 図5は本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の変形例を図1と同様の視野において示す部分拡大図である。 図6は本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の変形例を図1と同様の視野において示す部分拡大図である。 図7は従来の有機エレクトロルミネッセンス表示装置を示す部分平面拡大図である。
以下、本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置について、有機エレクトロルミネッセンス表示装置1を例として図面に基づいて説明する。なお、以下の説明において参照する図面は、特徴をわかりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などは実際と同じであるとは限らない。また、以下の説明において例示される材料等は一例であって、各構成要素はそれらと異なっていてもよく、その要旨を変更しない範囲で変更して実施することが可能である。
図1は本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置1の概略平面図である。基板10の上面10aのうち、画像が表示される領域である表示領域Dには対向基板50が配置されている。また、対向基板50が配置されていない領域10aには、フレキシブル回路基板2が接続され、さらに、ドライバIC(Integrated Circuit)3が設けられている。
ドライバIC3は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置1の外部からフレキシブル回路基板2を介して画像データを供給される、基板10上に配置されたICである。ドライバIC3は画像データが供給されることにより、有機エレクトロルミネッセンス発光素子30に、図示しないデータ線を介して各画素に印加する電圧信号を供給する。
次に、有機エレクトロルミネッセンス表示装置1の表示領域Dの構成について、その詳細を説明する。図2は図1に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置1のII−II切断線における概略断面図である。図2に示すように、表示領域Dの基板10上には、薄膜トランジスタ11及び図示しない電気配線が形成された回路層12と、平坦化膜13と、平坦化膜13を介して薄膜トランジスタ11上に形成された有機エレクトロルミネッセンス発光素子30と、封止膜40と、充填剤45と、対向基板50とが積層されている。また、基板10上には、複数の画素Pがマトリクス状に配置されている。
基板10は絶縁性の基板であって、その上面10aに、回路層12及び有機エレクトロルミネッセンス発光素子30が順に形成される部材である。
回路層12は、薄膜トランジスタ11、パッシベーション膜11f及び図示しない電気配線が形成された層であり、有機エレクトロルミネッセンス発光素子30を駆動するために形成されている。薄膜トランジスタ11は基板10上に画素Pごとに設けられている。薄膜トランジスタ11は、具体的には例えば、ポリシリコン半導体層11a、ゲート絶縁層11b、ゲート電極11c、ソース・ドレイン電極11d、第1の絶縁膜11eから構成されている。また、薄膜トランジスタ11上は、薄膜トランジスタ11を保護する絶縁膜であるパッシベーション膜11fによって覆われている。
平坦化膜13は回路層12上を覆うように形成されている。平坦化膜13は絶縁材料からなる層であり、基板10と有機エレクトロルミネッセンス発光素子30の間に形成されることにより、隣接する薄膜トランジスタ11間や、薄膜トランジスタ11と有機エレクトロルミネッセンス発光素子30の間が、電気的に絶縁される。平坦化膜13は、例えばSiOやSiN、アクリル、ポリイミド等の絶縁性を有する材料からなる。
平坦化膜13上の各画素Pに対応する領域には、反射膜31が形成されていてもよい。反射膜は、有機エレクトロルミネッセンス発光素子30から出射した光を対向基板50側へ向けて反射するために設けられている。反射膜31の材料は、光反射率が高いものであるほど好ましく、例えばアルミニウムや銀(Ag)等からなる金属膜であることが好ましい。
平坦化膜13上には、複数の有機エレクトロルミネッセンス発光素子30が画素P毎に形成されている。有機エレクトロルミネッセンス発光素子30は下部電極32と、少なくとも発光層を有する有機層33と、有機層33上を覆うように形成された上部電極34とを有することにより、下部電極32と有機層33と上部電極34とが重なる領域が、発光領域Eとして機能する。
下部電極32は、有機層33に駆動電流を注入する電極である。下部電極32はコンタクトホール32aに接続していることにより、薄膜トランジスタ11に電気的に接続されて駆動電流を供給される。
下部電極32は導電性を有する材料からなる。下部電極32の材料は、具体的には例えば、ITO(Indium Tin Oxide)であることが好ましいが、IZO(インジウム亜鉛複合酸化物)、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化アルミニウム複合酸化物等の透光性及び導電性を有する材料でもよい。なお、反射膜が銀等の金属からなり、かつ、下部電極32に接触するものであれば、下部電極32は透光性を有していてもよい。このような構成の場合、反射膜は下部電極32の一部となる。
隣接する各下部電極32同士の間には、例えば、隣接する画素P同士の境界Bに沿って画素分離膜14が形成されている。画素分離膜14は、隣接する下部電極32同士の接触と、下部電極32と上部電極34の間の漏れ電流を防止する機能を有する。画素分離膜14は絶縁材料からなり、具体的には例えば、感光性の樹脂組成物からなる。画素分離膜14の側面(傾斜面)Lは、発光領域Eの外周Eに沿うように形成されており、発光領域Eの上面Eaに対して傾斜している。
有機層33は少なくとも発光層を有する、有機材料により形成された層であり、複数の下部電極32上及び画素分離膜14上を覆うように形成されている。有機層33は、表示領域Dの画素Pの配置されている領域全面を覆うように形成されていてもよい。有機層33は光を発する層を有しており、その発光は、白色でも、その他の色であってもよい。
有機層33は、例えば、下部電極32側から順に、図示しないホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層が積層されてなる。なお、有機層33の積層構造はここに挙げたものに限られず、少なくとも発光層を含むものであれば、その積層構造は特定されない。
発光層は、例えば、正孔と電子とが結合することによって発光する有機エレクトロルミネッセンス物質から構成されている。このような有機エレクトロルミネッセンス物質としては例えば、一般に有機発光材料として用いられているものが用いられてもよい。
上部電極34は、有機層33上を覆うように形成されている。上部電極34は、画素P毎に独立しておらず、表示領域Dの画素Pの配置されている領域全面を覆うように形成される。このような構成を有することにより、上部電極34は複数の有機エレクトロルミネッセンス発光素子30の有機層33に共通に接触する。
上部電極34は透光性及び導電性を有する材料からなる。上部電極34の材料は、具体的には例えば、ITOであることが好ましいが、ITOやInZnO等の導電性金属酸化物に銀やマグネシウム等の金属を混入したもの、あるいは銀やマグネシウム等の金属薄膜と導電性金属酸化物を積層したものであってもよい。
上部電極34の上面は、複数の画素Pにわたって封止膜40により覆われている。封止膜40は、有機層33をはじめとする各層への酸素や水分の侵入を防ぐために形成されている。封止膜40の材料は、絶縁性を有する透明の材料であれば特に限定されない。
封止膜40の上面は、例えば充填剤45を介して対向基板50によって覆われている。対向基板50は平面視で基板10よりも小さい外周を有する基板であり、基板10に対向するように配置されている。このような対向基板50としては具体的には例えば、有機層33の発光層が白色光を発するものである場合には、例えばカラーフィルタ基板を用いることができる。本実施形態においては、対向基板50がカラーフィルタ基板である例について説明する。
対向基板50は、境界Bに沿って形成されたブラックマトリクスBMによって、各画素Pに対応して区分されている。対向基板50は、例えばカラーフィルタ48とガラス基板49を有する。カラーフィルタ48は各画素Pに対応し、ブラックマトリクスBMによって例えばR領域、B領域、G領域にそれぞれ区分されている。
次いで、コンタクトホール32aと発光領域Eの位置関係についてその詳細を説明する。図3は図1に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置1のIII領域の部分拡大図である。なお、図3においては、説明の便宜上、画素分離膜14とコンタクトホール32aと発光領域Eのみを示す。
本実施形態における画素Pの平面視形状は略矩形であり、それぞれ4つの角部Cを有している。発光領域Eとコンタクトホール32aは画素P毎に形成されており、コンタクトホール32aは平面視で発光領域Eと重ならないように配置されている。具体的には、コンタクトホール32aは、平面視で画素P内において発光領域Eの外側に位置している。
また、コンタクトホール32aは各画素Pの4つの角部Cのうち、1つの角部Cに形成されている。なお、本実施形態における「角部C」とは、画素Pの中心Mを通り、4つの略矩形を形成するように画素Pを分割した際の、4つの略矩形それぞれの領域を示す。例えば、画素Pの外周の4つの角を角Aとすると、中心Mと角Aは、4つの略矩形それぞれの対角となる。
以下、各画素P同士の境界を境界Bとし、X方向に延在する境界BとY方向に延在する境界Bの交点を交点Nとする。また、説明の便宜上、交点Nを共有する4つの画素Pを画素ユニットUとする。
図3に示す画素ユニットUは例えば、第1の画素Pと、第1の画素Pと境界Bを共有する第2の画素Pと、画素ユニットU内において第1の画素Pの対角に配置された第3の画素Pと、画素ユニットU内において第2の画素Pの対角に配置された第4の画素Pと、から構成される。
画素ユニットU内においては、対角に配置された一組の画素Pのみが、交点Nを共有する角部Cにコンタクトホール32aを有する。具体的には例えば、画素ユニットUにおいては、4つの画素Pのうち第2の画素Pと第4の画素Pのみが、交点Nを共有する角部C(図3に示す角部Cと角部C)にコンタクトホール32aを有している。
このため、第2の画素Pにおける角部Cは、隣接する画素P同士の境界Bを挟んで第1の画素Pの発光領域E及び第3の画素Pの発光領域Eと隣接し、第4の画素Pにおける角部Cも、隣接する画素P同士の境界Bを挟んで第1の画素Pの発光領域E及び第3の画素Pの発光領域Eと隣接する。
また、発光領域Eの外周Eの各辺のうち長辺をL、短辺をLとすると、第1の画素Pにおける発光領域Eの長辺Lと、第2の画素Pの発光領域Eの短辺Lは、境界Bを介して隣接するとともに平行に並ぶ。なお、本実施形態における「平行」とは、完全に平行である構成のみならず、製造の工程により平行から誤差の範囲でずれたものも含む。
このような構成を有することにより、長辺Lの長さを長さdとし、短辺Lの長さを長さdとし、境界Bを挟んで隣接する発光領域Eの外周E同士が境界Bを介して隣接する(平行に並ぶ)部分の長さを長さdとすると、長さdと長さdと長さdの大きさの関係はd>d≧dとなる。
本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置1は、本構成を有することにより、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置(画素ユニットUの4つの画素P全てが、交点Nを有する角部Cにコンタクトホール32aを有する構成)の側面L同士の隣接する長さdと比べ、境界Bを挟んで隣接する発光領域Eの外周E同士(長辺Lと短辺L)が境界Bを介して隣接する部分の長さdが短くなる。
画素分離膜14の側面Lは発光領域Eの外周Eに沿って形成されているため、本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置1は、発光領域Eからの発光が画素分離膜14の側面Lに反射して隣接する画素Pに届くことを抑えることができる。これにより、有機エレクトロルミネッセンス表示装置1の混色の抑制を実現することができる。
また、画素ユニットUの4つの画素Pのうち対角に配置された2つの画素P(第2の画素P及び第4の画素P)が交点Nを有する角部Cにコンタクトホール32aを有するため、隣接する画素同士においてコンタクトホールが隣接しない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べて、保持容量の低下を抑えることができる。
また、本実施形態においては、4つの画素Pのうち、対角に配置された一組の画素Pのみが、交点Nの対角に位置する角部Cにコンタクトホール32aを有することが好ましい。具体的には例えば、本実施形態における画素ユニットUにおいては、4つの画素Pのうち第1の画素Pと第3の画素Pのみが、交点Nの対角に位置する角部C(図3に示す角部Cと角部C)にコンタクトホール32aを有している。
本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置1は、本構成を有することにより、交点Nの対角に位置する角部Cにおいて、コンタクトホール32aと、このコンタクトホール32aに隣接する画素Pの発光領域Eが、境界Bを挟んで隣接する。具体的には、第1の画素Pの発光領域Eの外周Eの短辺Lが、隣接する画素P(図3における画素P、P)の発光領域Eの外周Eの長辺Lと境界Bを挟んで隣接するとともに平行に並ぶ。
このため、本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置1は、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、境界Bを挟んで隣接する発光領域Eの外周E同士(長辺Lと短辺L)が境界Bを介して隣接する部分の長さが短くなる。このため、発光領域Eからの発光が、外周Eに沿って形成された側面Lに反射して隣接する画素Pに届くことが抑えられる。これにより、有機エレクトロルミネッセンス表示装置1の混色の抑制を実現することができる。
また、本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置1は、図3に示すように、その発光領域Eの外周Eが長辺Lと短辺Lとを有し、その平面視形状はL字型であることが好ましい。
本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置1は、本構成を有することにより、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、画素P内における発光領域Eの面積の割合を大きくすることができる。また、境界Bを挟んで隣接する発光領域Eの外周E同士(長辺Lと短辺L)が境界Bを介して隣接する部分の長さdを短くすることができるため、発光効率を低下させることなく、本発明の効果を得ることができる。
図4は本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置1の変形例を図1と同様の視野において示す部分拡大図である。発光領域Eの平面視形状がL字型である場合、画素P内における発光領域Eの面積の割合を所定の値以上とすることができるのであれば、境界Bから短辺Lまでの距離dは大きいほど好ましい。
本構成を有する有機エレクトロルミネッセンス表示装置1は、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、境界Bから短辺Lまでの距離dが大きくなるため、発光領域Eからの発光が画素分離膜14の側面Lに反射して隣接する画素Pに届くことが抑えられる。このため、有機エレクトロルミネッセンス表示装置1の混色の抑制を実現することができる。
なお、発光領域Eの平面視形状は図3に示すようなL字型に限られず、その他の形状であってもよい。図5は本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の変形例を図1と同様の視野において示す部分拡大図である。
発光領域Eの平面視形状は図5に示すように矩形であってもよい。発光領域Eの外周Eの一つの辺Lの長さを長さdとし、境界Bを挟んで隣接する画素Pの画素分離膜14の側面L(辺L)同士の隣接する距離を距離dとすると、d>dとなる。
本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置1は、本構成を有することにより、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、境界Bを挟んで隣接する発光領域Eの外周E同士(辺L同士)が境界Bを介して隣接する部分の長さdが短くなる。
また、本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置1は、平面視形状がL字型の発光領域Eを有する有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、境界Bから辺Lまでの距離dが大きくなる。このため、光が画素分離膜14の側面Lに反射して隣接する画素Pに届くことが抑えられ、有機エレクトロルミネッセンス表示装置1の混色の抑制を実現することができる。
また、発光領域Eの平面視形状は三角形状であってもよく、画素Pの平面視形状に合わせて直角三角形であることが特に好ましい。図6は本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置1の変形例を図1と同様の視野において示す部分拡大図である。以下、平面視形状が直角二等辺三角形の発光領域Eを有する有機エレクトロルミネッセンス表示装置1を例として説明する。
図6に示す発光領域Eの外周Eのうち、最も長い辺を斜辺Lとし、その他の2辺を辺Lとすると、隣接する発光領域E同士の辺Lは境界Bを挟んで隣接する(平行に並ぶ)ことがない。このため、発光領域からの発光が、斜辺L及び辺Lに沿って形成された画素分離膜14の側面Lに反射しても、隣接する画素Pに届くことが抑えられる。これにより、有機エレクトロルミネッセンス表示装置1の混色の抑制を実現することができる。
以上、本発明の実施形態を説明してきたが、本発明は、上述した実施形態には限られない。例えば、上述した実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成、又は同一の目的を達成することができる構成により置き換えてもよい。
1 有機エレクトロルミネッセンス表示装置、2 フレキシブル回路基板、3 ドライバIC、10 基板、10a 上面、11 薄膜トランジスタ、12 回路層、13 平坦化膜、14 画素分離膜、30 有機エレクトロルミネッセンス発光素子、32 下部電極、32a コンタクトホール、33 有機層、34 上部電極、50 対向基板、B,B,B 境界、BM ブラックマトリクス、C 角部、E 発光領域、Ea 上面、E 外周、L 側面、L 長辺、L 短辺、L 辺、L 斜辺、L 辺、N 交点、P 画素、P 第1の画素、P 第2の画素、P 第3の画素、P 第4の画素、U 画素ユニット。

Claims (4)

  1. 基板と、
    前記基板上に形成された薄膜トランジスタと、
    前記薄膜トランジスタ上において、マトリクス状に配置された複数の画素毎に形成された、下部電極と発光層と上部電極とを有する発光領域と、
    前記画素毎に、平面視で前記発光領域の外側で、前記画素の1つの角部に形成され、前記薄膜トランジスタと前記下部電極を接続するコンタクトホールと、を備え、
    前記マトリクス状に配置された画素の境界の交点を共有する4つの画素のうち、対角に配置された第1の一組の画素のみが、前記交点を有する前記角部に前記コンタクトホールを有し、
    前記4つの画素のうち、対角に配置された第2の一組の画素のみが、前記交点の対角に位置する前記角部に前記コンタクトホールを有する、
    ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
  2. 請求項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
    前記発光領域が平面視でL字型である、
    ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
  3. 請求項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
    前記発光領域が平面視で矩形である、
    ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
  4. 請求項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
    前記発光領域が平面視で三角形である、
    ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
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