CN117529154A - 显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及显示装置。根据一个实施方式，显示装置具备：基板；导电层，其在所述基板的上方遍及显示区域而被配置，并延伸至所述显示区域的外侧；多个下电极，其在所述导电层的上方以矩阵状被配置于所述显示区域；肋部，其由无机绝缘材料形成，并具有与所述多个下电极的各自分别重叠的多个开口；有机层，其在所述开口中被配置在所述下电极之上；和上电极，其被配置在所述有机层之上、形成为带状并在位于所述显示区域的外侧的两端部与所述导电层相接。
Description
关联申请的交叉参照
本申请主张基于2022年8月3日提出的日本专利申请第2022-124038号的优先权，并引用该日本申请所记载的全部记载内容。
技术领域
本发明的实施方式涉及显示装置。
背景技术
近年来，作为显示元件应用了有机发光二极管(OLED)的显示装置被实用化。该显示元件具备包含薄膜晶体管的像素电路、与像素电路连接的下电极、覆盖下电极的有机层、和覆盖有机层的上电极。有机层除了发光层以外，还包含空穴传输层、电子传输层等功能层。
在制造这种显示元件的过程中，需要抑制可靠性降低的技术。
发明内容
实施方式的目的在于提供能够抑制可靠性降低的显示装置。
根据一个实施方式，显示装置具备：
基板；导电层，其在所述基板的上方遍及显示区域而被配置，并延伸至所述显示区域的外侧；多个下电极，其在所述导电层的上方以矩阵状被配置于所述显示区域；肋部，其由无机绝缘材料形成，并具有与所述多个下电极的各自分别重叠的多个开口；有机层，其在所述开口中被配置在所述下电极之上；和上电极，其被配置在所述有机层之上、形成为带状并在位于所述显示区域的外侧的两端部与所述导电层相接。
另外，根据一个实施方式，显示装置具备：
基板；导电层，其在所述基板的上方遍及显示区域而被配置，并延伸至所述显示区域的外侧；多个下电极，其在所述导电层的上方以矩阵状被配置于所述显示区域；肋部，其由无机绝缘材料形成，并具有与所述多个下电极的各自分别重叠的多个开口；有机层，其在所述开口中被配置在所述下电极之上；和上电极，其被配置在所述有机层之上、形成为带状并在位于所述显示区域的外侧的两端部与所述导电层相接，所述肋部由硅氧氮化物形成。
另外，根据一个实施方式，显示装置具备：
基板；有机绝缘层，其被配置在所述基板之上；金属层，其被配置在所述有机绝缘层之上；第1无机绝缘层，其被配置在所述金属层之上；导电层，其在所述第1无机绝缘层之上遍及显示区域而被配置，并延伸至所述显示区域的外侧；第2无机绝缘层，其被配置在所述导电层之上；多个下电极，其在所述第2无机绝缘层之上以矩阵状被配置于所述显示区域；肋部，其由无机绝缘材料形成，并具有与所述多个下电极的各自分别重叠的多个开口；有机层，其在所述开口中被配置在所述下电极之上；上电极，其被配置在所述有机层之上、形成为带状并在位于所述显示区域的外侧的两端部与所述导电层相接；盖层，其被配置在所述上电极之上，并形成为与所述上电极大致平行地延伸的带状；和密封层，其由无机绝缘材料形成，覆盖所述上电极及所述盖层，并形成为与所述上电极大致平行地延伸的带状。
根据实施方式，能够提供能抑制可靠性降低的显示装置。
附图说明
图1是示出显示装置DSP的构成例的图。
图2是示出子像素SP1、SP2、SP3的布局的一例的图。
图3是沿着图2中的A-B线的显示装置DSP的概略剖视图。
图4是示出显示装置DSP的主要部分的一个构成例的俯视图。
图5是沿着图4中的C-D线的显示装置DSP的概略剖视图。
图6是示出显示装置DSP的主要部分的另一构成例的俯视图。
图7是示出显示装置DSP的其他主要部分的一个构成例的俯视图。
具体实施方式
参照附图说明一个实施方式。
公开内容只不过是一例，本领域技术人员能够容易想到的未脱离发明主旨的适当变更当然包含在本发明范围内。另外，就附图而言，为了使说明更加明确，与实际方式相比，有时示意性表示各部分的宽度、厚度、形状等，但只不过是一例，并非限定本发明的解释。另外，在本说明书和各图中，对于与关于已出现的附图说明过的构成要素发挥相同或类似功能的构成要素，存在标注相同参照标记并适当省略重复的详细说明的情况。
需要说明的是，为了便于理解而根据需要在附图中记载有相互正交的X轴、Y轴及Z轴。将沿着X轴的方向称为第1方向，将沿着Y轴的方向称为第2方向，将沿着Z轴的方向称为第3方向。将与第3方向Z平行地观察各种要素的情形称为俯视观察。需要说明的是，将Z轴的正方向称为上、上方。另外，上、上方、相对等表示两个以上的构成要素相互的位置关系的术语不仅是作为对象的两个以上的构成要素彼此直接相接的情况，还包含隔着空隙、其他构成要素而相互分离的情况。
本实施方式涉及的显示装置是作为显示元件具备有机发光二极管(OLED)的有机电致发光显示装置，能够搭载于电视、个人电脑、车载设备、平板终端、智能手机、移动电话终端等。
图1是示出显示装置DSP的构成例的图。
显示装置DSP在绝缘性的基板10之上具有显示图像的显示区域DA和显示区域DA外侧的周边区域SA。
基板10可以是玻璃，也可以是具有挠性的树脂膜。基板10具有沿着第1方向X的一对边10A及10B、和沿着第2方向Y的一对边10C及10D。作为信号源的驱动IC芯片30被安装于沿着边10A的周边区域SA。
在本实施方式中，俯视观察时的基板10的形状为长方形。但是，基板10的俯视观察时的形状不限于长方形，也可以是正方形、圆形或椭圆形等其他形状。
显示区域DA具备在第1方向X及第2方向Y上以矩阵状排列的多个子像素SP。相互不同颜色的子像素SP构成像素PX。在一例中，像素PX包含第1色的子像素SP1、第2色的子像素SP2及第3色的子像素SP3。第1色、第2色及第3色为相互不同的颜色。需要说明的是，像素PX也可以与子像素SP1、SP2、SP3一起或取代子像素SP1、SP2、SP3中的任一者而包含白色等其他颜色的子像素SP。需要说明的是，子像素SP可以由两种颜色构成，也可以由四种以上颜色的构成要素构成。
子像素SP具备像素电路1和由像素电路1驱动的显示元件20。像素电路1具备像素开关2、驱动晶体管3和电容器4。像素开关2及驱动晶体管3是例如由薄膜晶体管构成的开关元件。
像素开关2的栅电极与扫描线GL连接。扫描线GL在显示区域DA中例如沿着第1方向X延伸。像素开关2的源电极及漏电极中的一者与信号线SL连接，另一者与驱动晶体管3的栅电极连接。信号线SL在显示区域DA中例如沿着第2方向Y延伸。在驱动晶体管3中，源电极及漏电极中的一者与高电位电压电源线PL1(vdd)连接，另一者与显示元件20的阳极及电容器4连接。显示元件20的阴极与低电位电压电源线PL2(vss)连接。与像素电路1连接的各种布线的至少一部分与驱动IC芯片30电连接。
需要说明的是，像素电路1的构成不限于图示的例子。例如，像素电路1也可以具备更多的薄膜晶体管及电容器。
显示元件20是作为发光元件的有机发光二极管(OLED)，有时称为有机EL元件。
图2是示出子像素SP1、SP2、SP3的布局的一例的图。
在图2所示的例子中，子像素SP1、子像素SP2及子像素SP3在第1方向X上排列。需要说明的是，子像素SP1、SP2、SP3的布局不限于图2的例子。
在显示区域DA中配置有肋部5。肋部5在子像素SP1、SP2、SP3中分别具有开口AP1、AP2、AP3。
子像素SP1、SP2、SP3分别具备显示元件201、202、203来作为显示元件20。
子像素SP1的显示元件201具备分别与开口AP1重叠的下电极LE1、上电极UE1及有机层OR1。子像素SP2的显示元件202具备分别与开口AP2重叠的下电极LE2、上电极UE2及有机层OR2。子像素SP3的显示元件203具备分别与开口AP3重叠的下电极LE3、上电极UE3及有机层OR3。
在这里，下电极LE1、LE2、LE3的外形以虚线表示，有机层OR1、OR2、OR3的外形以单点划线表示，上电极UE1、UE2、UE3的外形以双点划线表示。下电极LE1、LE2、LE3各自的周缘部与肋部5重叠。需要说明的是，图示的下电极、有机层、上电极各自的外形不限于反映准确的形状的情况。
下电极LE1、LE2、LE3例如与显示元件的阳极相当。下电极LE1、LE2、LE3在第1方向X上隔开间隔地排列。有机层OR1、OR2、OR3在第1方向X上隔开间隔地排列。上电极UE1、UE2、UE3与显示元件的阴极或公共电极相当。上电极UE1、UE2、UE3在第1方向X上隔开间隔地排列，并分别沿着第2方向Y延伸。
下电极LE1通过接触孔CH1而与子像素SP1的像素电路1的驱动晶体管3(参照图1)连接。下电极LE2通过接触孔CH2而与子像素SP2的像素电路1的驱动晶体管3连接。下电极LE3通过接触孔CH3而与子像素SP3的像素电路1的驱动晶体管3连接。
在图2的例子中，开口AP1、开口AP2及开口AP3各自的面积大致相同。但是，开口AP1、开口AP2及开口AP3各自的面积也可以相互不同。例如，也可以是，开口AP2的面积大于开口AP1的面积，开口AP3的面积大于开口AP2的面积。
例如，子像素SP1的显示元件201构成为发出红色波长范围的光。另外，子像素SP2的显示元件202构成为发出绿色波长范围的光，另外，子像素SP3的显示元件203构成为发出蓝色波长范围的光。
图3是沿着图2中的A-B线的显示装置DSP的概略剖视图。
显示元件201、202、203被配置在基板10的上方。电路层11被配置在基板10之上。电路层11包含图1中示出的像素电路1、扫描线GL、信号线SL、高电位电压电源线PL1及低电位电压电源线PL2等各种电路、布线。电路层11由绝缘层12覆盖。绝缘层12作为使由电路层11产生的凹凸平坦化的平坦化膜发挥功能。
金属层ML1、ML2、ML3被配置在绝缘层12之上，在第1方向X上隔开间隔地排列。金属层ML1位于显示元件201的正下方，金属层ML2位于显示元件202的正下方，金属层ML3位于显示元件203的正下方。这样的金属层ML1、ML2、ML3各自将高电位电压电源线PL1与驱动晶体管3电连接。金属层ML1、ML2、ML3由绝缘层13覆盖。
导电层CL被配置在绝缘层13之上。导电层CL形成为单一的平板状，遍及多个显示元件201、202、203而共通地设置。导电层CL隔着绝缘层13而与金属层ML1、ML2、ML3相对。导电层CL与低电位电压电源线PL2电连接。导电层CL被绝缘层14覆盖。
下电极LE1、LE2、LE3被配置在绝缘层14之上。下电极LE1、LE2、LE3隔着绝缘层14而与导电层CL相对。肋部5被配置在绝缘层14及下电极LE1、LE2、LE3之上。下电极LE1、LE2、LE3的端部由肋部5覆盖。也就是说，下电极LE1、LE2、LE3的端部被配置在绝缘层14与肋部5之间。在下电极LE1、LE2、LE3之中相互邻接的下电极之间，绝缘层14由肋部5覆盖。
有机层OR1通过开口AP1而与下电极LE1接触，覆盖下电极LE1，并且与肋部5的一部分重叠。上电极UE1与下电极LE1相对，并且被配置在有机层OR1之上，并覆盖有机层OR1。
有机层OR2通过开口AP2而与下电极LE2接触，覆盖下电极LE2，并且与肋部5的一部分重叠。上电极UE2与下电极LE2相对，并且被配置在有机层OR2之上，并覆盖有机层OR2。
有机层OR3通过开口AP3而与下电极LE3接触，覆盖下电极LE3，并且与肋部5的一部分重叠。上电极UE3与下电极LE3相对，并且被配置在有机层OR3之上，并覆盖有机层OR3。
在图示的例子中，子像素SP1、SP2、SP3包含用于调整有机层OR1、OR2、OR3的发光层发出的光的光学特性的盖层(光学调整层)CA1、CA2、CA3。
盖层CA1位于开口AP1，并被配置在上电极UE1之上。盖层CA2位于开口AP2，并被配置在上电极UE2之上。盖层CA3位于开口AP3，并被配置在上电极UE3之上。
在子像素SP1、SP2、SP3中分别配置有密封层SE1、SE2、SE3。
密封层SE1覆盖盖层CA1及上电极UE1。密封层SE2覆盖盖层CA2及上电极UE2。密封层SE3覆盖盖层CA3及上电极UE3。密封层SE1、SE2、SE3在第1方向X上隔开间隔地排列。
密封层SE1、SE2、SE3由保护层15覆盖。
绝缘层12是有机绝缘层。
绝缘层13、绝缘层14、肋部5及密封层SE1、SE2、SE3是无机绝缘层。
绝缘层13及绝缘层14由作为无机绝缘材料的一例的硅氮化物(SiNx)形成。绝缘层13与第1无机绝缘层相当，绝缘层14与第2无机绝缘层相当。
肋部5由作为无机绝缘材料的一例的硅氮化物(SiNx)形成。需要说明的是，肋部5也可以形成为作为其他无机绝缘材料的硅氧化物(SiOx)、硅氧氮化物(SiON)、或氧化铝(Al2O3)中的任一者的单层体。另外，肋部5也可以形成为基于硅氮化物层、硅氧化物层、硅氧氮化物层及氧化铝层中的至少两层的组合的层叠体。
肋部5的厚度与绝缘层12的厚度相比充分小。在一例中，肋部5的厚度为200nm以上且400nm以下。
密封层SE1、SE2、SE3均由相同的无机绝缘材料形成。
密封层SE1、SE2、SE3由作为无机绝缘材料的一例的硅氮化物(SiNx)形成。需要说明的是，密封层SE1、SE2、SE3也可以形成为作为其他无机绝缘材料的硅氧化物(SiOx)、硅氧氮化物(SiON)、或氧化铝(Al2O3)中的任一者的单层体。另外，密封层SE1、SE2、SE3也可以形成为基于硅氮化物层、硅氧化物层、硅氧氮化物层及氧化铝层中的至少两层的组合的层叠体。因此，密封层SE1、SE2、SE3可能存在由与肋部5相同的材料形成的情况。
密封层SE1的厚度、密封层SE2的厚度及密封层SE3的厚度大致相同，例如为1μm左右。
保护层15由透明薄膜的多层体形成，例如，作为薄膜，包含由无机材料形成的薄膜及由有机材料形成的薄膜。
下电极LE1、LE2、LE3可以由ITO等透明的导电材料形成，也可以具有银(Ag)等金属材料与透明导电材料的层叠构造。上电极UE1、UE2、UE3由例如镁和银的合金(MgAg)等金属材料形成。上电极UE1、UE2、UE3也可以由ITO等透明的导电材料形成。
有机层OR1、OR2、OR3各自包含空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层等多个功能层。另外，有机层OR1包含发光层EM1。有机层OR2包含发光层EM2。发光层EM2由与发光层EM1不同的材料形成。有机层OR3包含发光层EM3。发光层EM3由与发光层EM1及EM2不同的材料形成。
形成发光层EM1的材料、形成发光层EM2的材料及形成发光层EM3的材料是发出相互不同的波长范围的光的材料。
在一例中，发光层EM1由发出红色波长范围的光的材料形成，发光层EM2由发出绿色波长范围的光的材料形成，发光层EM3由发出蓝色波长范围的光的材料形成。
盖层CA1、CA2、CA3例如由透明薄膜的多层体形成。作为薄膜，多层体也可以包含由无机材料形成的薄膜及由有机材料形成的薄膜。另外，这些多个薄膜具有相互不同的折射率。构成多层体的薄膜的材料与上电极UE1、UE2、UE3的材料不同，另外，也与密封层SE1、SE2、SE3的材料不同。需要说明的是，盖层CA1、CA2、CA3也可以省略。
在这样的显示元件201、202、203中，上电极UE1、UE2、UE3分别被供给公共电压。下电极LE1、LE2、LE3经由子像素SP1、SP2、SP3各自具有的像素电路1而被供给像素电压。
若在下电极LE1与上电极UE1之间形成电位差，则有机层OR1中的发光层EM1发出红色波长范围的光。若在下电极LE2与上电极UE2之间形成电位差，则有机层OR2中的发光层EM2发出绿色波长范围的光。若在下电极LE3与上电极UE3之间形成电位差，则有机层OR3中的发光层EM3发出蓝色波长范围的光。
图4是示出显示装置DSP的主要部分的一个构成例的俯视图。
导电层CL在基板10的上方遍及显示区域DA的大致全域而被配置，并延伸至显示区域DA外侧的周边区域SA。导电层CL在连接部CP11、CP21、CP31处与位于基板10的边10A与显示区域DA之间的低电位电压电源线PL2电连接。
多个下电极LE1、LE2、LE3位于导电层CL的上方，在显示区域DA中，被配置成第1方向X及第2方向Y上的矩阵状。多个下电极LE1排列而成的列、多个下电极LE2排列而成的列及多个下电极LE3排列而成的列在第1方向X上排列。
多个下电极LE1沿着第2方向Y隔开间隔地排成一列。有机层OR1形成为多个岛状，被配置在各下电极LE1之上，并沿着第2方向Y隔开间隔地排成一列。
上电极UE1形成为在第2方向Y上延伸的带状，与多个下电极LE1排成的一列对应地配置。也就是说，上电极UE1在显示区域DA中被配置在有机层OR1之上。另外，上电极UE1超过显示区域DA而延伸至周边区域SA。
上电极UE1之中延伸至基板10的边10A与显示区域DA之间的端部在连接部CP11处与导电层CL相接，并与导电层CL电连接。上电极UE1之中延伸至基板10的边10B与显示区域DA之间的端部在连接部CP12处与导电层CL相接，并与导电层CL电连接。
多个下电极LE2沿着第2方向Y隔开间隔地排成一列。有机层OR2形成为多个岛状，被配置在各下电极LE2，并沿着第2方向Y隔开间隔地排成一列。
上电极UE2形成为在第2方向Y上延伸的带状，与多个下电极LE2排成的一列对应地配置。也就是说，上电极UE2在显示区域DA中被配置在有机层OR2之上。另外，上电极UE2超过显示区域DA而延伸至周边区域SA。
上电极UE2之中延伸至基板10的边10A与显示区域DA之间的端部在连接部CP21处与导电层CL相接，并与导电层CL电连接。上电极UE2之中延伸至基板10的边10B与显示区域DA之间的端部在连接部CP22处与导电层CL相接，并与导电层CL电连接。
多个下电极LE3沿着第2方向Y隔开间隔地排成一列。有机层OR3形成为多个岛状，被配置在各下电极LE3之上，并沿着第2方向Y隔开间隔地排成一列。
上电极UE3形成为在第2方向Y上延伸的带状，与多个下电极LE3排成的一列对应地配置。也就是说，上电极UE3在显示区域DA中被配置在有机层OR3之上。另外，上电极UE3超过显示区域DA而延伸至周边区域SA。
上电极UE3之中延伸至基板10的边10A与显示区域DA之间的端部在连接部CP31处与导电层CL相接，并与导电层CL电连接。上电极UE3之中延伸至基板10的边10B与显示区域DA之间的端部在连接部CP32处与导电层CL相接，并与导电层CL电连接。
在一例中，按照要求1000ppi以上的精细度的规格，上电极UE1、UE2、UE3的沿着第1方向X的宽度为3μm～10μm。
图5是沿着图4中的C-D线的显示装置DSP的概略剖视图。需要说明的是，在图5中，省略盖层、密封层、保护层的图示。
图3所示的电路层11具有绝缘层111、绝缘层112、绝缘层113、驱动晶体管3、高电位电压电源线PL1、低电位电压电源线PL2等。绝缘层111、绝缘层112及绝缘层113是无机绝缘层。
驱动晶体管3至少被配置在绝缘层111之上，由绝缘层12覆盖。驱动晶体管3具备半导体层SC、栅电极GE、连接电极CN1及CN2。
半导体层SC被配置在绝缘层111之上，由绝缘层112覆盖。栅电极GE被配置在绝缘层112之上，由绝缘层113覆盖。连接电极CN1及CN2被配置在绝缘层113之上，由绝缘层12覆盖。
半导体层SC的高电阻区域与栅电极GE重叠，半导体层SC的低电阻区域与连接电极CN1及CN2连接。连接电极CN1将半导体层SC与下电极LE1电连接。连接电极CN2将半导体层SC与金属层ML1电连接。
高电位电压电源线PL1及低电位电压电源线PL2被配置在绝缘层113之上，由绝缘层12覆盖。就高电位电压电源线PL1及低电位电压电源线PL2而言，其由与连接电极CN1及CN2相同的材料形成，例如，如图中放大所示，是铝层AL1位于一对钛层TI1及TI2之间的层叠体。
金属层ML1及连接电极CN被配置在绝缘层12之上，由绝缘层13覆盖。金属层ML1将驱动晶体管3与高电位电压电源线PL1电连接。连接电极CN在连接部CP11处与低电位电压电源线PL2相接。金属层ML1及连接电极CN由同一材料形成，例如，如图中放大所示，是铝层AL1位于一对钛层TI1及TI2之间的层叠体。
导电层CL被配置在绝缘层13之上，由绝缘层14覆盖。导电层CL在周边区域SA的连接部CP11处与连接电极CN相接。也就是说，连接电极CN将导电层CL与低电位电压电源线PL2电连接。
导电层CL在显示区域DA中具有用于使下电极LE1与驱动晶体管3的电连接成为可能的开口OP。另外，导电层CL在显示区域DA中隔着绝缘层13与金属层ML1相对，构成电容器4。导电层CL例如如图中放大所示，是铝层AL1位于一对钛层TI1及TI2之间的层叠体。
下电极LE1被配置在绝缘层14之上，隔着绝缘层14与导电层CL相对。由这样的下电极LE1和导电层CL也能够构成电容器4。下电极LE1例如是反射电极(Ag)位于一对透明电极(ITO)之间的层叠体。
上电极UE1遍及显示区域DA及周边区域SA而延伸，在连接部CP11处，在形成于绝缘层14的接触孔CH中与导电层CL相接。由此，上电极UE1与导电层CL电连接，并且与低电位电压电源线PL2电连接。上电极UE1例如由镁和银的合金形成。
如以上说明，遍及显示区域DA的大致全域而被配置的导电层CL由金属材料的层叠体形成。导电层CL的电阻值低于由透明氧化物形成的导电层的电阻值，可抑制在导电层CL的面内产生电位梯度。上电极UE1、UE2、UE3各自形成为带状，在延伸至显示区域DA外侧的周边区域SA的两端部与导电层CL连接。因此，关于各上电极UE1、UE2、UE3，可使在基板10的边10A侧与基板10的边10B侧处的电阻差减小。也就是说，对于各上电极UE1、UE2、UE3，能够施加所期望的电压。因此，在显示区域DA全域的子像素SP中，能够实现所期望的显示性能，抑制可靠性降低。
另外，无需在基板10的边10B与显示区域DA之间设置复杂构造的馈电部，能够实现边10B与显示区域DA之间的窄框缘化。
此外，无需将馈电布线拉至基板10的边10C与显示区域DA之间及基板10的边10D与显示区域DA之间，能够实现边10C与显示区域DA之间的窄框缘化以及边10D与显示区域DA之间的窄框缘化。
图6是示出显示装置DSP的主要部分的另一构成例的俯视图。
图6所示的构成例与图4中示出的构成例相比，区别在于有机层OR1、OR2、OR3各自被形成为带状。在这里，有时对与参照图4说明的构成标注相同的参照标记并省略详细说明。
导电层CL遍及显示区域DA的大致全域而被配置，并进一步延伸至显示区域DA外侧的周边区域SA。导电层CL在连接部CP11、CP21、CP31处与位于基板10的边10A与显示区域DA之间的低电位电压电源线PL2电连接。
多个下电极LE1沿着第2方向Y隔开间隔地排成一列。上电极UE1形成为在第2方向Y上延伸的带状，与多个下电极LE1排成的一列对应地配置。有机层OR1形成为在第2方向Y上延伸的带状，与上电极UE1大致平行地延伸，并被配置在各下电极LE1之上。上电极UE1在显示区域DA中被配置在有机层OR1之上，超过显示区域DA而延伸至周边区域SA。
上电极UE1之中延伸至基板10的边10A与显示区域DA之间的端部在连接部CP11处与导电层CL相接。上电极UE1之中延伸至基板10的边10B与显示区域DA之间的端部在连接部CP12处与导电层CL相接。
多个下电极LE2沿着第2方向Y隔开间隔地排成一列。上电极UE2形成为在第2方向Y上延伸的带状，与多个下电极LE2排成的一列对应地配置。有机层OR2形成为在第2方向Y上延伸的带状，与上电极UE2大致平行地延伸，并被配置在各下电极LE2之上。上电极UE2在显示区域DA中被配置在有机层OR2之上，超过显示区域DA而延伸至周边区域SA。
上电极UE2之中延伸至基板10的边10A与显示区域DA之间的端部在连接部CP21处与导电层CL相接。上电极UE2之中延伸至基板10的边10B与显示区域DA之间的端部在连接部CP22处与导电层CL相接。
多个下电极LE3沿着第2方向Y隔开间隔地排成一列。上电极UE3形成为在第2方向Y上延伸的带状，与多个下电极LE3排成的一列对应地配置。有机层OR3形成为在第2方向Y上延伸的带状，与上电极UE3大致平行地延伸，并被配置在各下电极LE3之上。上电极UE3在显示区域DA中被配置在有机层OR3之上，超过显示区域DA而延伸至周边区域SA。
上电极UE3之中延伸至基板10的边10A与显示区域DA之间的端部在连接部CP31处与导电层CL相接。上电极UE3之中延伸至基板10的边10B与显示区域DA之间的端部在连接部CP32处与导电层CL相接。
在这样的构成例中也能够获得与上述相同的效果。
图7是示出显示装置DSP的其他主要部分的一个构成例的俯视图。在这里，省略有机层等的图示。
图7中示出的盖层CA1及密封层SE1的各自在俯视观察时沿着第2方向Y延伸。即，盖层CA1被配置在上电极UE1之上，并形成为与上电极UE1大致平行地延伸的带状。密封层SE1覆盖上电极UE1及盖层CA1，形成为与上电极UE1大致平行地延伸的带状。
盖层CA2被配置在上电极UE2之上，并形成为与上电极UE2大致平行地延伸的带状。密封层SE2覆盖上电极UE2及盖层CA2，形成为与上电极UE2大致平行地延伸的带状。
盖层CA3被配置在上电极UE3之上，并形成为与上电极UE3大致平行地延伸的带状。密封层SE3覆盖上电极UE3及盖层CA3，形成为与上电极UE3大致平行地延伸的带状。
就这些形状的盖层CA1、CA2、CA3及密封层SE1、SE2、SE3而言，在如图4中所示那样有机层OR1、OR2、OR3形成为多个岛状的情况下能应用，另外，在如图6所示那样有机层OR1、OR2、OR3形成为带状的情况下也能应用。
密封层SE1、SE2、SE3的各自由硅氮化物等无机绝缘材料形成，并相互分离。因此，能够抑制经由密封层SE1、SE2、SE3的水分浸入，并抑制下电极及上电极的腐蚀、省略了图示的有机层的劣化。
如以上说明，根据本实施方式，能够提供能抑制可靠性降低的显示装置。
基于以上作为本发明的实施方式说明的显示装置，本领域技术人员进行适当设计变更并可实施的全部显示装置只要包含本发明的要旨则也属于本发明的范围。
应知本领域技术人员在本发明的思想范畴内能够想到各种变形例，这些变形例也属于本发明的范围。例如，针对上述实施方式，本领域技术人员适当进行构成要素的追加、删除、或设计变更得到的技术方案或进行工序增加、省略或条件变更而得到的技术方案只要具备本发明的要旨则也包含在本发明的范围内。
另外，就上述实施方式中说明的方式所带来的其他作用效果而言，根据本说明书的记载所能明确的或本领域技术人员能够适当想到的作用效果当然应视为本发明带来的作用效果。
Claims (22)
1.显示装置，其具备：
基板；
导电层，其在所述基板的上方遍及显示区域而被配置，并延伸至所述显示区域的外侧；
多个下电极，其在所述导电层的上方以矩阵状被配置于所述显示区域；
肋部，其由无机绝缘材料形成，并具有与所述多个下电极的各自分别重叠的多个开口；
有机层，其在所述开口中被配置在所述下电极之上；和
上电极，其被配置在所述有机层之上、形成为带状并在位于所述显示区域的外侧的两端部与所述导电层相接。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其进一步具备：
驱动晶体管，其被配置在所述基板的上方，并与所述下电极电连接；
有机绝缘层，其覆盖所述驱动晶体管；
金属层，其被配置在所述有机绝缘层之上，并将所述驱动晶体管与高电位电压电源线电连接；
连接电极，其被配置在所述有机绝缘层之上，并将所述导电层与低电位电压电源线电连接；
第1无机绝缘层，其介于所述金属层与所述导电层之间；和
第2无机绝缘层，其介于所述导电层与所述下电极之间，
所述上电极在形成于所述第2无机绝缘层的接触孔中与所述导电层相接。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述导电层、所述金属层及所述连接电极的各自分别是铝层位于一对钛层之间的层叠体。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述肋部、所述第1无机绝缘层及所述第2无机绝缘层的各自分别由硅氮化物形成。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述有机层形成为多个岛状，并被配置在所述多个下电极的各自之上。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述有机层形成为与所述上电极平行地延伸的带状，并被配置在所述多个下电极之上。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其进一步具备：
盖层，其被配置在所述上电极之上，并形成为与所述上电极平行地延伸的带状；和
密封层，其由无机绝缘材料形成，覆盖所述上电极及所述盖层，并形成为与所述上电极平行地延伸的带状。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述密封层由硅氮化物形成。
9.显示装置，其具备：
基板；
导电层，其在所述基板的上方遍及显示区域而被配置，并延伸至所述显示区域的外侧；
多个下电极，其在所述导电层的上方以矩阵状被配置于所述显示区域；
肋部，其由无机绝缘材料形成，并具有与所述多个下电极的各自分别重叠的多个开口；
有机层，其在所述开口中被配置在所述下电极之上；和
上电极，其被配置在所述有机层之上、形成为带状并在位于所述显示区域的外侧的两端部与所述导电层相接，
所述肋部由硅氧氮化物形成。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其进一步具备：
驱动晶体管，其被配置在所述基板的上方，并与所述下电极电连接；
有机绝缘层，其覆盖所述驱动晶体管；
金属层，其被配置在所述有机绝缘层之上，并将所述驱动晶体管与高电位电压电源线电连接；
连接电极，其被配置在所述有机绝缘层之上，并将所述导电层与低电位电压电源线电连接；
第1无机绝缘层，其介于所述金属层与所述导电层之间；和
第2无机绝缘层，其介于所述导电层与所述下电极之间，
所述上电极在形成于所述第2无机绝缘层的接触孔中与所述导电层相接。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述导电层、所述金属层及所述连接电极的各自分别是铝层位于一对钛层之间的层叠体。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述第1无机绝缘层及所述第2无机绝缘层的各自分别由硅氮化物形成。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述有机层形成为多个岛状，并被配置在所述多个下电极的各自之上。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述有机层形成为与所述上电极平行地延伸的带状，并被配置在所述多个下电极之上。
15.根据权利要求12所述的显示装置，其进一步具备：
盖层，其被配置在所述上电极之上，并形成为与所述上电极平行地延伸的带状；和
密封层，其由无机绝缘材料形成、覆盖所述上电极及所述盖层并形成为与所述上电极平行地延伸的带状。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述密封层由硅氮化物形成。
17.显示装置，其具备：
基板；
有机绝缘层，其被配置在所述基板之上；
金属层，其被配置在所述有机绝缘层之上；
第1无机绝缘层，其被配置在所述金属层之上；
导电层，其在所述第1无机绝缘层之上遍及显示区域而被配置，并延伸至所述显示区域的外侧；
第2无机绝缘层，其被配置在所述导电层之上；
多个下电极，其在所述第2无机绝缘层之上以矩阵状被配置于所述显示区域；
肋部，其由无机绝缘材料形成，并具有与所述多个下电极的各自分别重叠的多个开口；
有机层，其在所述开口中被配置在所述下电极之上；
上电极，其被配置在所述有机层之上、形成为带状并在位于所述显示区域的外侧的两端部与所述导电层相接；
盖层，其被配置在所述上电极之上，并形成为与所述上电极平行地延伸的带状；和
密封层，其由无机绝缘材料形成、覆盖所述上电极及所述盖层并形成为与所述上电极平行地延伸的带状。
18.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述上电极在形成于所述第2无机绝缘层的接触孔中与所述导电层相接。
19.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述导电层及所述金属层的各自分别是铝层位于一对钛层之间的层叠体。
20.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述第1无机绝缘层及所述第2无机绝缘层的各自分别由硅氮化物形成。
21.根据权利要求20所述的显示装置，其中，所述有机层形成为多个岛状，并被配置在所述多个下电极的各自之上。
22.根据权利要求21所述的显示装置，其中，所述有机层形成为与所述上电极平行地延伸的带状，并被配置在所述多个下电极之上。
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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