JP6500945B2 - 電気光学装置 - Google Patents

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Description

本発明は、電気光学装置に関する。
有機ＥＬ（electro luminescent）素子等の発光素子を含む電気光学装置において、カラー表示を実現するために、発光素子を覆う封止層の上に、所望の波長領域の光を透過するカラーフィルターが設けられた構成が知られている。また、このような電気光学装置では、一般的には、複数のサブ画素から構成される画素により１つの表示単位が形成される。また、電気光学装置に設けられるサブ画素は、発光領域を有する発光素子と、発光素子に供給する電力を出力する供給回路と、供給回路と発光素子とを電気的に接続するコンタクト領域と、を備える。例えば、特許文献１には、赤色、緑色、青色の３原色のサブ画素によって、１つの画素を形成した電気光学装置が開示されている。この電気光学装置には、コンタクト領域を介して発光素子と供給回路とが電気的に接続することが開示されている。
特開２００９−２８２１９０号公報
ところで、サブ画素の配置は、発光素子を大きくして開口率が高くなるように設計されている。従って、発光素子は、可能な限り大きくして配置されることになる。しかしながら、可能な限り大きくして配置された発光素子の間にコンタクト領域が設けられることによって、上述した従来の電気光学装置では、コンタクト領域を介してサブ画素の発光素子同士が隣り合う箇所と、コンタクト領域を介さずにサブ画素の発光素子同士が隣り合う箇所とが発生する。従って、各発光素子上に各カラーフィルターが配置される場合、あるサブ画素の発光素子と、あるサブ画素に対して隣り合うカラーフィルターとの距離が、サブ画素間でそれぞれ異なることになる。
前述した距離がサブ画素間でそれぞれ異なると、ある視野角について、あるサブ画素の発光素子から射出された光が、前述のあるサブ画素に隣り合うカラーフィルターを透過して色変化が発生した際に、別のサブ画素の発光素子から射出された光は、前述の別のサブ画素に隣り合うカラーフィルターを透過せずに色変化が発生しない状況が起こり得る。このように、あるサブ画素の発光素子と、あるサブ画素に対して隣り合うカラーフィルターとの距離が、サブ画素間でそれぞれ異なると、視野角による色変化のばらつきが発生するという問題がある。
本発明は、開口率を高くする場合であっても視野角による色変化のばらつきを抑えることを解決課題の一つとする。
本発明の一態様に係る電気光学装置は、第１の方向と前記第１の方向に交差する第２の方向に沿って配列された複数の画素を備え、前記複数の画素の各々は、前記第１の方向に沿って配置された第１のサブ画素および第２のサブ画素と、前記第１の方向に沿って配置された第４のサブ画素および第３のサブ画素とを備え、前記第４のサブ画素および前記第１のサブ画素は、前記第２の方向に沿って配置され、前記第３のサブ画素および前記第２のサブ画素は、前記第２の方向に沿って配置され、前記第１のサブ画素、前記第２のサブ画素、前記第３のサブ画素、および前記第４のサブ画素の各々に対応するカラーフィルターを備え、前記第１のサブ画素、前記第２のサブ画素、前記第３のサブ画素、および前記第４のサブ画素の各々は、発光領域を有する発光素子と、前記発光素子に供給する電流を出力する供給回路と、前記発光素子と前記供給回路とを電気的に接続するコンタクトが配置されるコンタクト領域を備え、前記コンタクト領域は、前記第１のサブ画素、前記第２のサブ画素、前記第３のサブ画素、および前記第４のサブ画素の各々に設けられた前記発光領域を区分けする境界線の交点と重なる、ことを特徴とする。
本発明の一態様によれば、各発光領域を区分けする境界線の交点は、各発光領域の中心から離れた位置にあるため、コンタクト領域を設けることによって発光領域が小さくなることを抑制することができる。さらに、コンタクト領域を交点と重なるように配置することにより、隣接する他のサブ画素の一部のエリアを使ってコンタクト領域を配置することができる。そして、あるサブ画素の一部のエリアおよび隣接する他のサブ画素の一部のエリアを使ってあるサブ画素のコンタクト領域を配置することは、境界線を跨ってコンタクト領域を配置することになる。以上により、コンタクト領域をサブ画素間で均等な間隔で配置することが可能になり、発光領域の間隔も一定となる。発光領域の間隔が一定となることにより、視野角による色変化のばらつきを抑えることが可能になる。このように、発光領域が小さくなることを抑制しつつ、視野角による色変化のばらつきを抑えることが可能になる。
また、本発明の一態様に係る電気光学装置は、第１の方向と前記第１の方向に交差する第２の方向に沿って配列された複数の画素を備え、前記複数の画素の各々は、前記第１の方向に沿って配置された第１のサブ画素および第２のサブ画素と、前記第１の方向に沿って配置された第４のサブ画素および第３のサブ画素とを備え、前記第４のサブ画素および前記第１のサブ画素は、前記第２の方向に沿って配置され、前記第３のサブ画素および前記第２のサブ画素は、前記第２の方向に沿って配置され、前記第１のサブ画素、前記第２のサブ画素、前記第３のサブ画素、および前記第４のサブ画素の各々に対応するカラーフィルターを備え、前記第１のサブ画素、前記第２のサブ画素、前記第３のサブ画素、および前記第４のサブ画素の各々は、発光領域を有する発光素子と、前記発光素子に供給する電流を出力する供給回路と備え、前記発光領域の内側に、前記供給回路と前記発光素子とを電気的に接続するコンタクトが配置されるコンタクト領域を備える、ことを特徴としてもよい。
本発明の一態様によれば、発光領域の内側にコンタクト領域が配置されることにより、コンタクト領域が発光領域の外側には存在しないため、コンタクト領域の存在によって発光領域同士の間隔がばらつくことを発生しないようにすることが可能になる。従って、発光領域同士の間隔を均等にすることができるため、視野角による色変化のばらつきを抑えることが可能になる。
また、上述した態様によれば、ある画素における第１のサブ画素の発光領域と第２のサブ画素の発光領域との間の距離は、前記ある画素の第２のサブ画素の発光領域と当該ある画素に対して前記第１の方向に並ぶ画素における第１のサブ画素の発光領域との間の距離と略等しく、前記ある画素における第４のサブ画素の発光領域と第３のサブ画素の発光領域との間の距離は、前記ある画素の第３のサブ画素の発光領域と当該ある画素に対して前記第１の方向に並ぶ画素における第４のサブ画素の発光領域との間の距離と略等しい、ことが好ましい。
この態様によれば、ある画素における第１のサブ画素の発光領域と第２のサブ画素の発光領域との間の距離が、前述の第２のサブ画素の発光領域と前述のある画素に対して第１の方向に並ぶ画素における第１のサブ画素の発光領域との間の距離と略等しいことにより、第１のサブ画素の発光領域と第１のサブ画素に対して第１の方向の隣に位置するカラーフィルター端部との距離と、第２のサブ画素の発光領域と第２のサブ画素に対して第１の方向の隣に位置するカラーフィルター端部の距離とが略等しいことになる。この２つの距離が略等しいことにより、第１の方向における色変化が、略同一の視野角で発生することになるため、第１の方向に沿って配置された発光領域間の距離のばらつきによって発生する、第１の方向の視野角による色変化のばらつきを抑えることが可能になる。
また、上述した態様によれば、ある画素における第１のサブ画素の発光領域と第４のサブ画素の発光領域との間の距離は、前記ある画素の第４のサブ画素の発光領域と当該ある画素に対して前記第２の方向に並ぶ画素における第１のサブ画素の発光領域との間の距離と略等しく、前記ある画素における第２のサブ画素の発光領域と第３のサブ画素の発光領域との間の距離は、前記ある画素の第３のサブ画素の発光領域と当該ある画素に対して前記第２の方向に並ぶ画素における第２のサブ画素の発光領域との間の距離と略等しい、ことが好ましい。
この態様によれば、第１の方向と同様に、第２の方向に沿って配置された発光領域間の距離のばらつきによって発生する、第２の方向の視野角による色変化のばらつきを抑えることが可能になる。
また、上述した態様によれば、前記第１のサブ画素、前記第２のサブ画素、前記第３のサブ画素、および前記第４のサブ画素のうちあるサブ画素の色と、当該あるサブ画素に対して前記第１の方向に沿って配置されたサブ画素の色との関係は、前記あるサブ画素の色に応じて一意に定まる、ことが好ましい。
一般に、同一の色のサブ画素同士に対して、ある方向に位置するカラーフィルターの色がばらついていると、ある方向における視野角によって色変化が発生した際に、同一の色のサブ画素から射出される光は、それぞれ異なる色変化を起こすことになり、視野角による色変化がばらつくことになる。一方、前述の態様によれば、あるサブ画素の色と、あるサブ画素に対して第１の方向に沿って配置されたサブ画素の色との関係が、あるサブ画素の色に応じて一意に定まることにより、同一の色のサブ画素に対して第１の方向に位置するカラーフィルターの色は、一意に定まる。従って、第１の方向において、ある視野角によって色変化が発生した際に、同一の色のサブ画素では、一意に定まった色変化が発生するため、第１の方向に位置するカラーフィルターの色のばらつきによって発生する、第１の方向の視野角による色変化のばらつきを抑えることができる。
また、上述した態様によれば、前記第１のサブ画素、前記第２のサブ画素、前記第３のサブ画素、および前記第４のサブ画素のうちあるサブ画素の色と、当該あるサブ画素に対して前記第２の方向に沿って配置されたサブ画素の色との関係は、前記あるサブ画素の色に応じて一意に定まる、ことが好ましい。
この態様によれば、第１の方向と同様に、第２の方向に位置するカラーフィルターの色のばらつきによって発生する、第２の方向の視野角による色変化のばらつきを抑えることができる。
また、上述した態様によれば、前記第１の方向に対して第１の角度で傾き、かつ前記第２の方向に対して第２の角度で傾いた方向を第３の方向としたとき、前記コンタクト領域は、前記第３の方向に沿って並んでおり、前記第１のサブ画素、前記第２のサブ画素、前記第３のサブ画素、および前記第４のサブ画素の各々は、前記供給回路と電気的に接続された反射電極と、中間電極と、画素電極と、を備え、前記コンタクト領域には、前記反射電極と前記中間電極とを電気的に接続する第１のコンタクトと、前記中間電極と前記画素電極とを電気的に接続する第２のコンタクトとが配置される、ことが好ましい。
この態様によれば、１つのコンタクト領域に、２つのコンタクトを配置することになり、２つのコンタクトを１箇所に集中させることになるため、２つのコンタクト間の距離が短くなり、容易に配線を行うことが可能になる。また、２つのコンタクトを１箇所に集中させることにより、コンタクト領域を狭くして、発光領域をより広く確保することが可能になる。
また、上述した態様によれば、前記第１の方向に対して第１の角度で傾き、かつ前記第２の方向に対して第２の角度で傾いた方向を第３の方向としたとき、前記第１のサブ画素、前記第２のサブ画素、前記第３のサブ画素、および前記第４のサブ画素のうちあるサブ画素の発光領域と、当該あるサブ画素に対して前記第３の方向に沿って配置されたサブ画素の発光領域との間の距離が一定である、ことが好ましい。
この態様によれば、第１の方向および第２の方向と同様に、第３の方向に沿って配置された発光領域間の距離のばらつきによって発生する、第３の方向の視野角による色変化のばらつきを抑えることが可能になる。
本実施形態に係る電気光学装置１の構成の一例を示すブロック図。 画素回路１００の構成の一例を示す等価回路図。 表示部１２の構成の一例を示す平面図（その１）。 表示部１２の構成の一例を示す平面図（その２）。 表示部１２の構成の一例を示す平面図（その３）。 表示部１２の構成の一例を示す平面図（その４）。 表示部１２の構成の一例を示す部分断面図（その１）。 表示部１２の構成の一例を示す部分断面図（その２）。 第１の変形例における表示部１２の構成の一例を示す平面図（その１）。 第１の変形例における表示部１２の構成の一例を示す平面図（その２）。 第２の変形例における表示部１２の構成の一例を示す平面図（その１）。 第２の変形例における表示部１２の構成の一例を示す平面図（その２）。 第２の変形例における表示部１２の構成の一例を示す平面図（その３）。 第２の変形例における表示部１２の構成の一例を示す部分断面図（その１）。 第２の変形例における表示部１２の構成の一例を示す部分断面図（その２）。 第２の変形例における表示部１２の構成の一例を示す部分断面図（その３）。 第３の変形例における表示部１２の構成の一例を示す平面図。 第３の変形例における表示部１２の構成の一例を示す部分断面図。 第４の変形例における表示部１２の構成の一例を示す平面図。 第５の変形例における表示部１２の構成の一例を示す平面図。 本発明に係るヘッドマウントディスプレイ３００の斜視図。 本発明に係るパーソナルコンピューター４００の斜視図。
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。ただし、各図において、各部の寸法および縮尺は、実際のものと適宜に異ならせてある。また、以下に述べる実施の形態は、本発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。
Ａ．実施形態
以下、本実施形態に係る電気光学装置１を説明する。
Ａ．１．電気光学装置の概要
図１は、本実施形態に係る電気光学装置１の構成の一例を示すブロック図である。
図１に例示するように、電気光学装置１は、複数のサブ画素Ｐxを有する表示パネル１０と、表示パネル１０の動作を制御する制御回路２０とを備える。
制御回路２０には、図示省略された上位装置より、デジタルの画像データＶideoが同期信号に同期して供給される。ここで、画像データＶideoとは、表示パネル１０の各サブ画素Ｐxが表示すべき階調レベルを規定するデジタルデータである。また、同期信号とは、垂直同期信号、水平同期信号、およびドットクロック信号等を含む信号である。
制御回路２０は、同期信号に基づいて、表示パネル１０の動作を制御するための制御信号Ｃtrを生成し、生成した制御信号Ｃtrを表示パネル１０に対して供給する。また、制御回路２０は、画像データＶideoに基づいて、アナログの画像信号Ｖidを生成し、生成した画像信号Ｖidを表示パネル１０に対して供給する。ここで、画像信号Ｖidとは、各サブ画素Ｐxが画像データＶideoの指定する階調を表示するように、当該サブ画素Ｐxが備える発光素子の輝度を規定する信号である。
図１に例示するように、表示パネル１０は、＋Ｘ方向に延在するＭ本の走査線１３と、＋Ｙ方向に延在する３Ｎ本のデータ線１４と、Ｍ本の走査線１３と３Ｎ本のデータ線１４との交差に対応して配列された「Ｍ×３Ｎ個」の画素回路１００を有する表示部１２と、表示部１２を駆動する駆動回路１１と、を備える（Ｍは１以上の自然数。Ｎは１以上の自然数）。
以下では、複数のサブ画素Ｐx、複数の走査線１３、および複数のデータ線１４を互いに区別するために、＋Ｙ方向から−Ｙ方向（以下、＋Ｙ方向およびＹ方向を「Ｙ軸方向」と総称する）に向けて順番に、第１行、第２行、…、第Ｍ行と称し、−Ｘ方向から＋Ｘ方向（以下、＋Ｘ方向およびＸ方向を「Ｘ軸方向」と総称する）に向けて順番に、第１列、第２列、…、第３Ｎ列と称する。また、以下では、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に交差する＋Ｚ方向（上方向）およびＺ方向（下方向）を「Ｚ軸方向」と総称する。また、図１に示すように、＋Ｘ方向かつ＋Ｙ方向を、「Ａ方向」と称し、−Ｘ方向かつ＋Ｙ方向を、「Ｂ方向」と称し、−Ｘ方向かつ−Ｙ方向を、「Ｃ方向」と称し、＋Ｘ方向かつ−Ｙ方向を、「Ｄ方向」と称する。
表示部１２に設けられる複数の画素回路１００には、赤色（Ｒ）を表示可能な画素回路１００と、緑色（Ｇ）を表示可能な画素回路１００と、青色（Ｂ）を表示可能な画素回路１００と、が含まれる。そして、本実施形態では、ｎを「１≦ｎ≦Ｎを満たす自然数」として、第１列〜第３Ｎ列のうち、第（３ｎ−２）列にはＲを表示可能な画素回路１００が配置され、第（３ｎ−１）列にはＧを表示可能な画素回路１００が配置され、第３ｎ列にはＢを表示可能な画素回路１００が配置される場合を、一例として想定する。
図１に例示するように、駆動回路１１は、走査線駆動回路１１１と、データ線駆動回路１１２と、を備える。
走査線駆動回路１１１は、第１行〜第Ｍ行の走査線１３を順番に走査（選択）する。具体的には、走査線駆動回路１１１は、１フレームの期間において、第１行〜第Ｍ行の走査線１３のそれぞれに対して出力する走査信号Ｇw[1]〜Ｇw[M]を、水平走査期間ごとに順番に所定の選択電位に設定することにより、走査線１３を行単位に水平走査期間ごとに順番に選択する。換言すれば、走査線駆動回路１１１は、１フレームの期間のうち、ｍ番目の水平走査期間において、第ｍ行の走査線１３に出力する走査信号Ｇw[m]を、所定の選択電位に設定することにより、第ｍ行の走査線１３を選択する。なお、１フレームの期間とは、電気光学装置１が１個の画像を表示する期間である。
データ線駆動回路１１２は、制御回路２０より供給される画像信号Ｖidおよび制御信号Ｃtrに基づいて、各画素回路１００が表示すべき階調を規定するアナログのデータ信号Ｖd[1]〜Ｖd[3N]を生成し、生成したデータ信号Ｖd[1]〜Ｖd[3N]を、水平走査期間ごとに、３Ｎ本のデータ線１４に対して出力する。換言すれば、データ線駆動回路１１２は、各水平走査期間において、第ｋ列のデータ線１４に対して、データ信号Ｖd[k]を出力する。
なお、本実施形態では、制御回路２０が出力する画像信号Ｖidはアナログの信号であるが、制御回路２０が出力する画像信号Ｖidはデジタルの信号であってもよい。この場合、データ線駆動回路１１２は、画像信号ＶidをＤ／Ａ変換し、アナログのデータ信号Ｖd[1]〜Ｖd[3N]を生成する。
図２は、画素回路１００の構成の一例を示す等価回路図である。図２では、第ｍ行第ｋ列の画素回路１００を例示して説明する。
画素回路１００は、発光素子３と、発光素子３に供給する電流を出力する供給回路４０と、を備える。
発光素子３は、画素電極３１と、発光機能層３２と、対向電極３３とを備える。画素電極３１は、発光機能層３２に正孔を供給する陽極として機能する。対向電極３３は、画素回路１００の低電位側の電源電位である電位Ｖctに設定された給電線１６に電気的に接続され、発光機能層３２に電子を供給する陰極として機能する。そして、画素電極３１から供給される正孔と、対向電極３３から供給される電子とが発光機能層３２で結合し、発光機能層３２が白色に発光する。
なお、詳細は後述するが、Ｒを発光可能な画素回路１００が有する発光素子３（以下、発光素子３Rと称する）には、赤色のカラーフィルター８１Rが重ねて配置される。Ｂを発光可能な画素回路が有する発光素子３（以下、発光素子３Bと称する）には、青色のカラーフィルター８１Bが重ねて配置される。そして、Ｇを発光可能な画素回路１００が有する発光素子３（以下、発光素子３Gと称する）には、緑色のカラーフィルター８１Gが重ねて配置される。このため、発光素子３R、３G、および、３Bにより、フルカラーの表示が可能となる。
供給回路４０は、Ｐチャネル型のトランジスター４１および４２と、保持容量４４と、を備える。なお、トランジスター４１および４２の一方または両方は、Ｎチャネル型のトランジスターであってもよい。また、本実施形態では、トランジスター４１および４２が、薄膜トランジスターの場合を例示して説明するが、トランジスター４１および４２は、ＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）等の電界効果トランジスターであってもよい。
トランジスター４１は、ゲートが、第ｍ行の走査線１３に電気的に接続され、ソースまたはドレインの一方が、第ｋ列のデータ線１４に電気的に接続され、ソースまたはドレインの他方が、トランジスター４２のゲートと、保持容量４４が有する２つの電極のうち一方の電極と、に電気的に接続されている。
トランジスター４２は、ゲートが、トランジスター４１のソースまたはドレインの他方と、保持容量４４の一方の電極と、に電気的に接続され、ソースまたはドレインの一方が、画素電極３１に電気的に接続され、ソースまたはドレインの他方が、画素回路１００の高電位側の電源電位である電位Ｖelに設定された給電線１５に電気的に接続されている。
保持容量４４は、保持容量４４が有する２つの電極のうち一方の電極が、トランジスター４１のソースまたはドレインの他方と、トランジスター４２のゲートと、に電気的に接続され、保持容量４４が有する２つの電極のうち他方の電極が、給電線１５に電気的に接続されている。保持容量４４は、トランジスター４２のゲートの電位を保持する保持容量として機能する。
走査線駆動回路１１１が、走査信号Ｇw[m]を所定の選択電位に設定し、第ｍ行の走査線１３を選択すると、第ｍ行第ｋ列のサブ画素Ｐx[m][k]に設けられたトランジスター４１がオンする。そして、トランジスター４１がオンすると、第ｋ列のデータ線１４から、トランジスター４２のゲートに対して、データ信号Ｖd[k]が供給される。この場合、トランジスター４２は、発光素子３に対して、ゲートに供給されたデータ信号Ｖd[k]の電位（正確には、ゲートおよびソース間の電位差）に応じた電流を供給する。つまり、トランジスター４２は発光素子３へ電流を供給する駆動トランジスターである。発光素子３は、トランジスター４２から供給される電流の大きさに応じた輝度、すなわち、データ信号Ｖd[k]の電位に応じた輝度で発光する。
その後、走査線駆動回路１１１が、第ｍ行の走査線１３の選択を解除して、トランジスター４１がオフした場合、トランジスター４２のゲートの電位は、保持容量４４により保持される。このため、発光素子３は、トランジスター４１がオフした後も、データ信号Ｖd[k]に応じた輝度で発光することができる。
なお、図２では図示省略するが、発光素子３が有する画素電極３１と供給回路４０とを電気的に接続する構成要素を、コンタクト７（図３参照）と称する。各サブ画素Ｐxは、発光素子３と、供給回路４０と、コンタクト７が配置されるコンタクト領域Ｃaを備える。コンタクト領域Ｃaは、コンタクト７が配置可能な領域である。コンタクト７は、発光素子３が有する画素電極３１と、供給回路４０とを電気的に接続する。以下では、サブ画素ＰxRに設けられたコンタクト７を、コンタクト７Rと称し、サブ画素ＰxGに設けられたコンタクト７を、コンタクト７Gと称し、サブ画素ＰxBに設けられたコンタクト７を、コンタクト７Bと称する場合がある。また、コンタクト７Rを配置するコンタクト領域Ｃaを、コンタクト領域ＣaRと称し、コンタクト７Gを配置するコンタクト領域Ｃaを、コンタクト領域ＣaGと称し、コンタクト７Bを配置するコンタクト領域Ｃaを、コンタクト領域ＣaBと称する場合がある。
Ａ．２．表示部の構成
以下、図３〜図６を参照しつつ、本実施形態に係る表示部１２の構成の一例を説明する。
図３は、本実施形態に係る表示部１２の一部を、電気光学装置１が光を射出する方向である＋Ｚ方向から平面視した場合の、表示部１２の概略的な構成の一例を示す平面図である。ただし、図３に示す平面図は、図を見易くするために、カラーフィルター８１を除いて表示してある。また、コンタクト領域ＣaR、およびＣaGには、それぞれ２つのコンタクト７が配置されるが、図３に示す平面図は、図を見易くするために、２つのコンタクト７をまとめて、単に１つのコンタクト７として表示する。
具体的には、図３は、表示部１２のうち、ある画素ＭＰx1を形成するサブ画素ＰxR、サブ画素ＰxG、サブ画素ＰxB1、および、サブ画素ＰxB2を含む。サブ画素ＰxRは、Ｒを表示可能な画素回路１００内の発光素子３Rを含む。サブ画素ＰxGは、Ｇを表示可能な画素回路１００内の発光素子３Gを含む。サブ画素ＰxB1は、Ｂを表示可能な画素回路１００内の発光素子３B1を含む。また、サブ画素ＰxB2は、Ｂを表示可能な画素回路１００内の発光素子３B2を含む。そして、サブ画素ＰxB1およびサブ画素ＰxB2は、同一の画素回路１００に含まれる供給回路４０から電流が供給される。
図３に示すように、＋Ｘ方向に沿って、サブ画素ＰxB1、および、サブ画素ＰxGが配置される。同様に、＋Ｘ方向に沿って、サブ画素ＰxR、および、サブ画素ＰxB2が配置される。また、＋Ｙ方向に沿って、サブ画素ＰxB1、および、サブ画素ＰxRが配置される。同様に、＋Ｙ方向に沿って、サブ画素ＰxG、および、サブ画素ＰxB2が配置される。サブ画素ＰxB1は、サブ画素ＰxB1から見てＡ方向に位置するサブ画素ＰxB2と、反射層５２（図７参照）において接続する。本実施形態では、画素ＭＰxが有する発光素子３R、３G、３B1、３B2のそれぞれにより、＋Ｚ方向に向けて光を射出する発光領域ＨaR、ＨaG、ＨaB1、ＨaB2が形成される場合を想定する。発光領域Ｈaは、画素電極３１（図７参照）の領域のうち画素分離層３４（図７参照）によって開口されている領域である。
＋Ｚ方向から平面視した場合の発光領域ＨaR、ＨaG、ＨaB1、およびＨaB2の形状は、８角形である。発光領域Ｈaの各辺のうち、発光領域Ｈaの中心から見てＣ方向に位置する第１の辺と、発光領域Ｈaの中心から見てＡ方向に位置する第５の辺とが平行である。また、発光領域Ｈaの各辺のうち、発光領域Ｈaの中心から見て−Ｙ方向に位置する第２の辺と、発光領域Ｈaの中心から見て＋Ｙ方向に位置する第６の辺とが平行である。また、発光領域Ｈaの各辺のうち、発光領域Ｈaの中心から見てＤ方向に位置する第３の辺と、発光領域Ｈaの中心から見てＢ方向に位置する第７の辺とが平行である。また、発光領域Ｈaの各辺のうち、発光領域Ｈaの中心から見て＋Ｘ方向に位置する第４の辺と、発光領域Ｈaの中心から見て−Ｘ方向に位置する第８の辺とが平行である。
また、サブ画素Ｐxが備えるコンタクト領域Ｃaは、サブ画素Ｐxが備える発光領域Ｈaから見て、Ａ方向に位置する。具体的には、サブ画素ＰxRが備えるコンタクト領域ＣaRは、サブ画素ＰxRが備える発光領域ＨaRのＡ方向に位置する。同様に、サブ画素ＰxGが備えるコンタクト領域ＣaGは、サブ画素ＰxGが備える発光領域ＨaGのＡ方向に位置する。同様に、サブ画素ＰxB1が備えるコンタクト領域ＣaB1は、サブ画素ＰxB1が備える発光領域ＨaB1のＡ方向に位置する。同様に、サブ画素ＰxB2が備えるコンタクト領域ＣaB2は、サブ画素ＰxB2が備える発光領域ＨaB2のＡ方向に位置する。
図４は、本実施形態に係る表示部１２の一部を、＋Ｚ方向から平面視した場合の、表示部１２の概略的な構成の一例を示す平面図である。ただし、図４に示す平面図は、図を見易くするために、カラーフィルター８１を除いて表示してある。図４における斜め方向は、＋Ｘ方向に対して４５度で傾き、かつ＋Ｙ方向に対して−４５度で傾いたＡ方向であるとする。
コンタクト領域Ｃaは、Ａ方向に沿って並んでいる。コンタクト領域ＣaB1内には、コンタクト７B1が配置され、コンタクト領域ＣaB2内には、コンタクト７B2が配置される。コンタクト７B1、およびコンタクト７B2は、コンタクト電極７１（図７参照）を介して、画素電極３１と反射層５２（図７参照）とを電気的に接続する。
一方、コンタクト領域ＣaRには、反射層５２とコンタクト電極７１とを電気的に接続する反射層−バリアメタルコンタクト７aRと、コンタクト電極７１と画素電極３１とを電気的に接続するバリアメタル−陽極コンタクト７bRとが配置される。同様に、コンタクト領域ＣaGには、反射層−バリアメタルコンタクト７aGと、バリアメタル−陽極コンタクト７bGとが配置される。ここで、コンタクト領域ＣaR、およびコンタクト領域ＣaGに、２つのコンタクト７がある理由について説明する。サブ画素ＰxRには、第１の距離調整層５７（図１５参照）および第２の距離調整層５８（図１５参照）が積層されており、また、サブ画素ＰxGには、第２の距離調整層５８が積層されている。このように、距離調整層が存在するために、コンタクト領域ＣaR、およびコンタクト領域ＣaG内には、反射層−バリアメタルコンタクト７aを避けた別の場所に、バリアメタル−陽極コンタクト７bが形成される。
図５は、本実施形態に係る表示部１２の一部を、＋Ｚ方向から平面視した場合の、表示部１２の概略的な構成の一例を示す平面図である。図５に示す平面図は、図３および図４に示した平面図に、カラーフィルター８１を加えた図である。さらに、図５に示す平面図は、図を見易くするために、コンタクト領域Ｃaを除いて表示してある。
カラーフィルター８１Rは、発光素子３Rの＋Ｚ側において、＋Ｚ方向からの平面視においてサブ画素ＰxRと重なるように形成されている。同様に、カラーフィルター８１Gは、発光素子３Gの＋Ｚ側において、＋Ｚ方向からの平面視においてサブ画素ＰxGと重なるように形成されている。カラーフィルター８１B1は、発光素子３B1の＋Ｚ側において、＋Ｚ方向からの平面視においてサブ画素ＰxB1と重なるように形成されている。カラーフィルター８１B2は、発光素子３B2の＋Ｚ側において、＋Ｚ方向からの平面視においてサブ画素ＰxB2と重なるように形成されている。図５に示すように、本実施形態において、＋Ｚ方向から平面視した場合のカラーフィルター８１は、矩形形状である。また、図５に示すように、本実施形態では、カラーフィルター８１同士は重ならないが、カラーフィルター８１同士の一部が重なってもよい。また、Ｘ軸方向とＹ軸方向とのいずれかの方向について、カラーフィルター８１の端部から、該当のカラーフィルター８１に前述のいずれかの方向で隣り合う発光領域Ｈaまでの距離は、同一となる。
図６に、本実施形態に係る表示部１２の一部を、＋Ｚ方向から平面視した場合の、表示部１２の概略的な構成の一例を示す平面図を示す。図６に示す平面図は、画素ＭＰx1〜ＭＰx4のカラーフィルター８１だけを表示してある。
図７は、表示部１２を、図５におけるＥ０−Ｅ’０−ｅ０線で破断した部分断面図の一例であり、コンタクト７B1の断面を含む。
図７に示すように、表示部１２は、素子基板５と、保護基板９と、素子基板５および保護基板９の間に設けられた接着層９０と、を備える。なお、本実施形態では、電気光学装置１が保護基板９側（＋Ｚ側）から光を射出するトップエミッション方式である場合を想定する。
接着層９０は、素子基板５および保護基板９を接着するための透明な樹脂層である。接着層９０は、例えば、エポキシ樹脂といった透明な樹脂材料を用いて形成される。
保護基板９は、接着層９０の＋Ｚ側に配置される透明な基板である。保護基板９は、カラーフィルター８１といった、保護基板９より−Ｚ側に配置される部材を保護する。保護基板９は、例えば、石英基板を用いて形成される。
素子基板５は、基板５０と、基板５０に形成された回路層４９と、回路層４９上に積層された層間絶縁層５１と、反射層５２と、増反射層５３と、第１の絶縁層５４と、第２の絶縁層５５と、コンタクト電極７１と、保護層７２と、発光層３０と、封止層６０と、カラーフィルター層８と、を備える。詳細は後述するが、発光層３０は、上述した発光素子３（３R、３G、３B）を含む。発光素子３は、＋Ｚ方向および−Ｚ方向に対して光を射出する。また、カラーフィルター層８は、上述したカラーフィルター８１R、カラーフィルター８１G、およびカラーフィルター８１Bを含む。
基板５０には、基板５０は、各種配線および各種回路を実装可能な基板であればよい。基板５０は、例えば、シリコン基板、石英基板、または、ガラス基板等を採用することができる。基板５０の＋Ｚ側には、回路層４９が形成される。
回路層４９は、走査線１３やデータ線１４等の各種配線と、駆動回路１１および画素回路１００等の各種回路とが形成されている。回路層４９の＋Ｚ側には、層間絶縁層５１が積層される。
層間絶縁層５１は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ２）などの絶縁材料が用いられている。層間絶縁層５１の＋Ｚ側には、反射層５２が積層される。
反射層５２は、発光層３０の発光素子３から射出された光を＋Ｚ方向側に反射するための構成要素である。反射層５２として、例えば、チタン（Ｔｉ）膜の上に、アルミニウム（Ａｌ）と銅（Ｃｕ）との合金（ＡｌＣｕ）膜が形成される。反射層５２は、サブ画素Ｐxごとに個別に島状に形成された、反射性を有する導電層である。
増反射層５３は、反射層５２による反射特性を高めるためのものであり、例えば光透過性を有する絶縁材料から形成される。増反射層５３は、反射層５２の面上を覆うように配置されている。増反射層５３として、例えば、酸化シリコン膜が形成される。
第１の絶縁層５４は、増反射層５３の面上に設けられる。ここで、第１の絶縁層５４は、反射層５２に設けられた間隙５２ＣＴに沿って形成される。従って、第１の絶縁層５４は、間隙５２ＣＴに対応した凹部５４ａを有している。埋め込み絶縁膜５６は、凹部５４ａを埋めるように形成されている。第２の絶縁層５５は、第１の絶縁層５４の面上に設けられる。第１の絶縁層５４および第２の絶縁層５５として、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）膜が形成される。
コンタクト電極７１は、反射層５２および保護層７２上に積層されており、間隙５３ＣＴに沿って形成されている。図７に示すように、コンタクト電極７１が間隙５３ＣＴに沿うことにより、コンタクト７B1が形成される。コンタクト電極７１には、例えば、タングステン（Ｗ）やチタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）などの導電材料を用いることができる。保護層７２は、第２の絶縁層５５上に積層される。保護層７２には、酸化シリコンなどの絶縁材料が用いられている。
第１の距離調整層５７および第２の距離調整層５８は、サブ画素ＰxR、ＰxG、ＰxBごとに、発光層３０の発光素子３と反射層５２との間の光学的距離を調整するための、絶縁性の透明層である。本実施形態では、第１の距離調整層５７および第２の距離調整層５８として、酸化シリコン膜が形成される。サブ画素ＰxBについては、第１の距離調整層５７および第２の距離調整層５８が積層されない。また、サブ画素ＰxGには、第２の距離調整層５８だけが積層され、第１の距離調整層５７は積層されない。従って、第１の距離調整層５７は、図７では不図示である。
発光層３０は、画素電極３１と、画素分離層３４と、画素電極３１および画素分離層３４を覆うように積層された発光機能層３２と、発光機能層３２上に積層された対向電極３３と、を有する。
画素電極３１は、サブ画素Ｐxごとに個別に島状に形成された、導電性を有する透明層である。画素電極３１は、第２の絶縁層５５、第１の距離調整層５７および第２の距離調整層５８上に積層される。画素電極３１は、導電性の透明材料、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を用いて形成される。
対向電極３３は、複数のサブ画素Ｐxに跨るように配置された、光透過性と光反射性とを有する導電性の構成要素である。対向電極３３は、例えば、ＭｇとＡｇとの合金等を用いて形成される。
画素分離層３４は、各画素電極３１の周縁部を覆うように配置された、絶縁性の構成要素である。画素分離層３４は、第２の距離調整層５８、第２の絶縁層５５および画素電極３１上に積層される。画素分離層３４は、絶縁性の材料、例えば、酸化シリコン等を用いて形成される。
発光機能層３２は、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、および電子輸送層を備え、複数のサブ画素Ｐxに跨るように配置されている。
上述のとおり、発光機能層３２は、画素電極３１のうち画素分離層３４により覆われていない部分から正孔が供給され、白色に発光する。
また、平面視した場合に、画素分離層３４は、表示部１２の有する複数の画素Ｐxを互いに区画するように配置される。なお、発光素子３から射出される白色の光とは、赤色の光、緑色の光、および青色の光を含む光である。
なお、本実施形態では、＋Ｚ方向からの平面視において、発光領域Ｈaと、コンタクト領域Ｃaとを含む領域に含まれる構造物を、サブ画素Ｐxと看做すこととする。
本実施形態では、反射層５２と対向電極３３とにより、光共振構造が形成されるように、第１の距離調整層５７および第２の距離調整層５８の膜厚が調整される。そして、発光機能層３２から射出された光は、反射層５２と対向電極３３との間で繰り返し反射され、反射層５２と対向電極３３との間の光学的距離に対応する波長の光の強度が強められ、当該強められた光が、対向電極３３〜保護基板９を介して＋Ｚ側に射出される。
本実施形態では、一例として、サブ画素ＰxRにおいては、６１０ｎｍの波長の光の強度が強められ、サブ画素ＰxGにおいては、５４０ｎｍの波長の光の強度が強められ、サブ画素ＰxBにおいては、４７０ｎｍの波長の光の強度が強められるように、サブ画素Ｐxごとに第１の距離調整層５７および第２の距離調整層５８の膜厚が設定される。このため、本実施形態において、サブ画素ＰxRからは、６１０ｎｍの波長の光の輝度が最大となる赤色光が射出され、サブ画素ＰxGからは、５４０ｎｍの波長の光の輝度が最大となる緑色光が射出され、サブ画素ＰxBからは、４７０ｎｍの波長の光の輝度が最大となる青色光が射出されることになる。
封止層６０は、対向電極３３上に積層された下側封止層６１と、下側封止層６１上に積層された平坦化層６２と、平坦化層６２上に積層された上側封止層６３と、を備える。
下側封止層６１および上側封止層６３は、複数のサブ画素Ｐxに跨るように配置された、絶縁性を有する透明層である。下側封止層６１および上側封止層６３は、水分や酸素等の発光層３０への侵入を抑止するための構成要素である。下側封止層６１および上側封止層６３として、例えば、酸化窒化シリコン（ＳｉＯＮ）膜が形成される。
平坦化層６２は、複数のサブ画素Ｐxに跨るように配置された透明層であり、平坦な上面（＋Ｚ側の面）を提供するための構成要素である。平坦化層６２は、例えば、エポキシ樹脂といった無機材料を用いて形成される。
カラーフィルター層８は、カラーフィルター８１R、８１G、８１B1、および８１B2を含む。カラーフィルター８１R、８１G、８１B1、および８１B2は、上側封止層６３上に形成される。
カラーフィルター８１R、８１G、８１B1、および８１B2は、例えば赤、緑、青の異なる色の光を透過させるような顔料を含む感光性樹脂を塗布してパターン加工を行うことにより形成する。
図８は、表示部１２を、図５におけるＥ１−ｅ１線で破断した部分断面図の一例であり、コンタクト７B1の断面を含む。図８では、図７で説明した箇所については説明を省略する。
図７では、は間隙５２ＣＴが現れていたが、サブ画素ＰxB1、およびＰxB2が反射層５２において接続するため、図５におけるＥ１−ｅ１線で破断した部分においては間隙５２ＣＴが現れない。従って、間隙５２ＣＴは、図８では不図示である。また、サブ画素ＰxBについては、第１の距離調整層５７および第２の距離調整層５８が積層されないため、図８では不図示である。
Ａ．３．本実施形態の効果
図３に示すように、＋Ｚ方向からの平面視において、コンタクト領域Ｃaは、発光領域Ｈaを区分けする境界線の交点と重なる。境界線は、発光領域Ｈaを均等に区分けする線である。図３には、Ｘ軸方向の境界線ＨＬ1、およびＨＬ2、ならびに、Ｙ軸方向の境界線ＶＬ1、およびＶＬ2を示す。図３に示すように、画素ＭＰx1に含まれるコンタクト領域ＣaB1は、境界線ＶＬ1、およびＨＬ1の交点Ｐ11と重なる。同様に、画素ＭＰx1に含まれるコンタクト領域ＣaGは、境界線ＶＬ2、およびＨＬ1の交点Ｐ21と重なる。同様に、画素ＭＰx1に含まれるコンタクト領域ＣaRは、境界線ＶＬ1、およびＨＬ2の交点Ｐ12と重なる。同様に、画素ＭＰx1に含まれるコンタクト領域ＣaB2は、境界線ＶＬ2、およびＨＬ2の交点Ｐ22と重なる。例えば、交点Ｐ11は、発光領域ＨaR、ＨaG、ＨaB1、ＨaB2の中心から離れた位置にあるため、発光領域ＨaR、ＨaG、ＨaB1、ＨaB2が小さくなることを抑制することができる。さらに、コンタクト領域Ｃaを、発光領域Ｈaを区分けする境界線の交点と重なるように配置することにより、隣接する他のサブ画素Ｐxの一部のエリアを使ってコンタクト領域Ｃaを配置することができる。そして、あるサブ画素Ｐxの一部のエリアおよび隣接する他のサブ画素Ｐxの一部のエリアを使ってあるサブ画素Ｐxのコンタクト領域Ｃａを配置することは、境界線を跨ってコンタクト領域Ｃaを配置することになる。以上により、コンタクト領域Ｃａをサブ画素間で均等な間隔で配置することが可能になり、発光領域の間隔も一定となる。本実施形態では、図３に示すように、発光領域Ｈaは、四角形の各頂点を削った８角形の形状となる。そして、図３に示すように、削った部分にコンタクト領域Ｃaが配置されている。図３に示すように、コンタクト領域Ｃａをサブ画素Ｐx間で均等な間隔で配置することが可能になり、発光領域Ｈaの間隔も一定となる。発光領域Ｈaの間隔が一定となることにより、視野角による色変化のばらつきを抑えることが可能になる。このように、発光領域Ｈaが小さくなることを抑制しつつ、視野角による色変化のばらつきを抑えることが可能になる。視野角による色変化のばらつきを抑えることにより、表示画像の品質の低下を抑制することが可能になる。
ここで、視野角とは、サブ画素Ｐxが備える発光領域Ｈaから射出された光であって、前述したサブ画素Ｐxが備えるカラーフィルター８１および保護基板９を透過する光の進行方向と、Ｚ軸方向とのなす角度の最大値である。以下、＋Ｚ方向からの平面視において前述した光の方向を、前述の方向の視野角と称する場合がある。例えば、前述した光がＸＺ平面内に含まれる場合、＋Ｚ方向からの平面視では、前述した光の方向は、Ｘ軸方向となるため、「Ｘ軸方向の視野角」と称する場合がある。同様に、前述した光がＹＺ平面内に含まれる場合、＋Ｚ方向からの平面視では、前述した光の方向は、Ｙ軸方向となるため、「Ｙ軸方向の視野角」と称する場合がある。
Ｘ軸方向の視野角について、図３に示したように、画素ＭＰx1における発光領域ＨaB1と発光領域ＨaGとの間の距離dx12は、画素ＭＰx1の発光領域ＨaGと画素ＭＰx1に対して＋Ｘ方向に並ぶ画素ＭＰx2における発光領域ＨaB1との間の距離dx34と略等しい。ここで、距離dx12が距離dx34と略等しいについて、例えば、距離dx12と距離dx34との差分が所定の閾値以下となれば、距離dx12が距離dx34と略等しいとする。所定の閾値は、例えば、発光領域Ｈaの幅の１０％である。距離dx12は、図３に示すように、画素ＭＰx1における発光領域ＨaB1の＋Ｘ方向にある頂点Ａpx1と、画素ＭＰx1における発光領域ＨaGの−Ｘ方向にある頂点Ａpx2との最短距離である。同様に、距離dx34は、画素ＭＰx1における発光領域ＨaGの＋Ｘ方向にある頂点Ａpx3と、画素ＭＰx2における発光領域ＨaB1の−Ｘ方向にある頂点Ａpx4との最短距離である。なお、発光領域Ｈa同士の距離は、発光領域Ｈaの頂点からの最短距離に限らず、発光領域Ｈaの中心同士の最短距離でもよい。
同様に、画素ＭＰx1における発光領域ＨaRと発光領域ＨaB2との間の距離dx56は、画素ＭＰx1の発光領域ＨaB2と画素ＭＰx2における発光領域ＨaRとの間の距離dx78と略等しい。換言すれば、Ｘ軸方向に沿った発光領域Ｈa同士の距離が一定である。
距離dx12が距離dx34と略等しいことにより、画素ＭＰx1における発光素子３Gのカラーフィルター８１Gの−Ｘ方向の端部および頂点Ａpx1を結ぶ直線とＸ軸方向とのなす角度が、画素ＭＰx2における発光素子３B1のカラーフィルター８１Bの−Ｘ方向の端部および頂点Ａpx3を結ぶ直線とＸ軸方向とのなす角度と略等しくなる。距離dx56と距離dx78についても、距離dx12と距離dx34と同様の関係が成り立つ。従って、視野角が前述した２つの角度に略等しい場合、画素ＭＰx1における発光領域ＨaB1から射出される光の色変化と、画素ＭＰx1における発光領域ＨaGから射出される光の色変化とが共に発生することになる。このように、Ｘ軸方向において隣り合う発光領域Ｈaの色変化が発生する角度が略等しくなるため、Ｘ軸方向に沿って配置された発光領域Ｈa間の距離のばらつきによって発生する、Ｘ軸方向の視野角による色変化のばらつきを抑えることが可能になる。
Ｙ軸方向の視野角について、図３に示したように、画素ＭＰx1における発光領域ＨaB1と発光領域ＨaRとの間の距離dy12は、画素ＭＰx1の発光領域ＨaRと画素ＭＰx1に対して＋Ｙ方向に並ぶ画素ＭＰx3における発光領域ＨaB1との間の距離dy34と略等しい。ここで、距離dy12が距離dy34と略等しいについて、例えば、距離dy12と距離dy34との差分が所定の閾値以下となれば、距離dy12が距離dy34と略等しいとする。所定の閾値は、例えば、は発光領域Ｈaの高さの１０％である。距離dy12は、図３に示すように、画素ＭＰx1における発光領域ＨaB1の＋Ｙ方向にある頂点Ａpy1と、画素ＭＰx1における発光領域ＨaRの−Ｙ方向にある頂点Ａpy2との最短距離である。同様に、距離dy34は、画素ＭＰx1における発光領域ＨaRの＋Ｙ方向にある頂点Ａpy3と、画素ＭＰx3における発光領域ＨaB1の−Ｙ方向にある頂点Ａpy4との最短距離である。
同様に、画素ＭＰx1における発光領域ＨaGと発光領域ＨaB2との間の距離dy56は、画素ＭＰx1の発光領域ＨaB2と画素ＭＰx3における発光領域ＨaGとの間の距離dy78と略等しい。換言すれば、Ｙ軸方向に沿った発光領域Ｈa同士の距離が一定である。
距離dy12が距離dy34と略等しいこと、および、距離dy56が距離dy78と略等しいことにより、Ｘ軸方向と同様に、Ｙ軸方向に沿って配置された発光領域Ｈa間の距離のばらつきによって発生する、Ｙ軸方向の視野角による色変化のばらつきを抑えることが可能になる。
また、Ｘ軸方向の視野角について、図６に示すように、あるサブ画素Ｐxの色と、前述のあるサブ画素に対して＋Ｘ方向に沿って配置されたサブ画素の色との関係は、前述のあるサブ画素の色に応じて一意に定まる。具体的には、画素ＭＰx1〜ＭＰx4のそれぞれのサブ画素ＰxRと＋Ｘ方向において隣り合うカラーフィルター８１は、カラーフィルター８１Bとなる。同様に、画素ＭＰx1〜ＭＰx4のそれぞれのサブ画素ＰxGと＋Ｘ方向において隣り合うカラーフィルター８１は、カラーフィルター８１Bとなる。画素ＭＰx1〜ＭＰx4のそれぞれのサブ画素ＰxBと＋Ｘ方向において隣り合うカラーフィルター８１は、カラーフィルター８１R、または８１Gとなる。そして、カラーフィルター８１Rが隣り合う割合と、カラーフィルター８１Gが隣り合う割合とは同一である。従って、＋Ｘ方向において、ある視野角によって色変化が発生した際に、同一の色のサブ画素Ｐxでは、一意に定まった色変化が発生するため、＋Ｘ方向に位置するカラーフィルター８１の色のばらつきによって発生する、視野角による色変化のばらつきを抑えることができる。−Ｘ方向についても＋Ｘ方向と同様である。
また、Ｙ軸方向の視野角に応じた色変化に関して、図６に示すように、あるサブ画素Ｐxの色と、前述のあるサブ画素に対して＋Ｙ方向に沿って配置されたサブ画素の色との関係は、前述のあるサブ画素の色に応じて一意に定まる。具体的には、画素ＭＰx1〜ＭＰx4のそれぞれのサブ画素ＰxRと＋Ｙ方向において隣り合うカラーフィルター８１は、カラーフィルター８１Bとなる。同様に、画素ＭＰx1〜ＭＰx4のそれぞれのサブ画素ＰxGと＋Ｙ方向において隣り合うカラーフィルター８１は、カラーフィルター８１Bとなる。画素ＭＰx1〜ＭＰx4のそれぞれのサブ画素ＰxBと＋Ｙ方向において隣り合うカラーフィルター８１は、カラーフィルター８１R、または８１Gとなる。そして、カラーフィルター８１Rが隣り合う割合と、カラーフィルター８１Gが隣り合う割合とは同一である。従って、＋Ｙ方向において、ある視野角によって色変化が発生した際に、同一の色のサブ画素Ｐxでは、一意に定まった色変化が発生するため、＋Ｙ方向に位置するカラーフィルター８１の色のばらつきによって発生する、視野角による色変化のばらつきを抑えることができる。−Ｙ方向についても＋Ｙ方向と同様である。
さらに、Ｘ軸方向の視野角による色変化およびＹ軸方向の視野角による色変化の関係に関して、サブ画素ＰxR、およびＰxGのＸ軸方向、およびＹ軸方向において隣り合うカラーフィルター８１が、カラーフィルター８１Bとなる。また、サブ画素ＰxBのＸ軸方向、およびＹ軸方向において隣り合うカラーフィルター８１が、カラーフィルター８１R、または８１Gとなる。このように、本実施形態では、Ｘ軸方向において隣り合う色の配置と、Ｙ軸方向において隣り合う色の配置とが同一となるため、Ｘ軸方向の視野角による色変化と、Ｙ軸方向の視野角による色変化とを同一にすることが可能になる。
同様に、Ａ方向、Ｂ方向、Ｃ方向、およびＤ方向による色変化に関しても、あるサブ画素Ｐxの色と、前述のあるサブ画素に対して＋Ｙ方向に沿って配置されたサブ画素の色との関係は、前述のあるサブ画素の色に応じて一意に定まる。従って、発光領域Ｈaに、Ａ方向、Ｂ方向、Ｃ方向、およびＤ方向のいずれにおいて隣り合うカラーフィルター８１に関係する色変化のばらつきを抑えることができる。
また、図４に示すように、コンタクト領域Ｃaは、＋Ｘ方向に対して４５度で傾き、＋Ｙ方向に対して−４５度で傾くＡ方向に沿って並べられる。さらに、コンタクト領域ＣaR、およびＣaGには、２つのコンタクト７を配置することにより、２つのコンタクト７を１箇所に集中させることになるため、２つのコンタクト７間の距離が短くなり、容易に配線を行うことが可能になる。また、２つのコンタクト７を１箇所に集中させることにより、コンタクト領域Ｃaを狭くして、発光領域Ｈaをより広く確保することが可能になる。
また、Ａ方向の視野角について、図４に示すように、サブ画素Ｐxの発光領域Ｈaと、前述のサブ画素Ｐxに対してＡ方向に沿って配置されたサブ画素Ｐxの発光領域Ｈaとの間の距離が一定である。例えば、画素ＭＰx1におけるサブ画素ＰxB1に対して、Ａ方向に沿って画素ＭＰx1におけるサブ画素ＰxB2が配置されている。また、画素ＭＰx1におけるサブ画素ＰxB2に対して、Ａ方向に沿って画素ＭＰx4におけるサブ画素ＰxB1が配置されている。画素ＭＰx4は、画素ＭＰx1に対してＡ方向に並んで配置された画素である。
そして、距離が一定について、画素ＭＰx1における発光領域ＨaB1と画素ＭＰx1における発光領域ＨaB2との間の距離dxy12は、画素ＭＰx1における発光領域ＨaB2と画素ＭＰx4における発光領域ＨaB1との間の距離dxy34と略等しい。距離dx12は、図４に示すように、画素ＭＰx1における発光領域ＨaB1のＡ方向にある頂点Ａpxy1と、画素ＭＰx1における発光領域ＨaB2のＣ方向にある頂点Ａpxy2との最短距離である。同様に、距離dx34は、図４に示すように、画素ＭＰx1における発光領域ＨaB2のＡ方向にある頂点Ａpxy3と、画素ＭＰx4における発光領域ＨaB1のＣ方向にある頂点Ａpxy4との最短距離である。
距離dxy12が距離dxy34と略等しいことにより、Ｘ軸方向およびＹ軸方向と同様に、Ａ方向、およびＣ方向に沿って配置された発光領域Ｈa間の距離のばらつきによって発生する、視野角による色変化のばらつきを抑えることが可能になる。
なお、本実施形態において、＋Ｘ方向は「第１の方向」の一例であり、＋Ｙ方向は「第２の方向」の一例である。また、サブ画素ＰxB1は、「第１のサブ画素」の一例であり、サブ画素ＰxGは、「第２のサブ画素」の一例である。また、サブ画素ＰxRは、「第４のサブ画素」の一例であり、サブ画素ＰxB2は、「第３のサブ画素」の一例である。
なお、本実施形態において、４５度は、「第１の角度」の例であり、−４５度は、「第２の角度」の例である。また、Ａ方向は、「第３の方向」の例である。また、コンタクト電極は、「中間電極」の例である。また、反射層５２は、「反射電極」の例である。また、反射層−バリアメタルコンタクト７aは、「第１のコンタクト」の例である。また、バリアメタル−陽極コンタクト７bは、「第２のコンタクト」の例である。
Ｂ．変形例
以上の各形態は多様に変形され得る。具体的な変形の態様を以下に例示する。以下の例示から任意に選択された２以上の態様は、相互に矛盾しない範囲内で適宜に併合され得る。なお、以下に例示する変形例において作用や機能が実施形態と同等である要素については、以上の説明で参照した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。
Ｂ．１．第１の変形例
図９に、第１の変形例における表示部１２の一部を、＋Ｚ方向から平面視した場合の、表示部１２の概略的な構成の一例を示す平面図を示す。ただし、図９に示す平面図は、図を見易くするために、カラーフィルター８１、およびコンタクト領域Ｃaを除いて表示してある。なお、第１の変形例では、＋Ｚ方向からの平面視において、発光領域Ｈaと、コンタクト領域Ｃaとを含む領域に含まれる構造物を、サブ画素Ｐxと看做すこととする。
本実施形態では、サブ画素ＰxB1およびＰxB2は、反射層５２において接続している。一方、第１の変形例では、サブ画素ＰxB1およびＰxB2が、接続しておらず、分離している。第１の変形例におけるサブ画素ＰxR、ＰxG、ＰxB1、およびＰxB2を、３画素回路を用いて駆動させるには、分離した一方のサブ画素ＰxBを、回路層４９内において、他方のサブ画素ＰxBの画素回路１００に接続する必要がある。
図１０に、第１の変形例における表示部１２の一部を、＋Ｚ方向から平面視した場合の、表示部１２の概略的な構成の一例を示す平面図を示す。図１０に示す平面図は、図９に示した平面図に、カラーフィルター８１を加えた図である。ただし、図１０に示す平面図は、図を見易くするために、コンタクト領域Ｃaを除いて表示してある。
図１０に示すように、第１の変形例におけるカラーフィルター８１の配置位置は、本実施形態におけるカラーフィルター８１の配置位置と同一である。従って、Ｘ軸方向の視野角による色変化の特性、および、Ｙ軸方向の視野角による色変化の特性は、本実施形態の特性と同一となる。
Ｂ．２．第２の変形例
図１１に、第２の変形例における表示部１２の一部を、＋Ｚ方向から平面視した場合の、表示部１２の概略的な構成の一例を示す平面図を示す。ただし、図１１に示す平面図は、図を見易くするために、カラーフィルター８１、およびコンタクト領域Ｃaを除いて表示してある。なお、第２の変形例では、＋Ｚ方向からの平面視において、発光領域Ｈaと、コンタクト領域Ｃaとを含む領域に含まれる構造物を、サブ画素Ｐxと看做すこととする。
第２の変形例では、＋Ｘ方向に沿って、サブ画素ＰxB1、および、サブ画素ＰxB2が配置される。同様に、＋Ｘ方向に沿って、サブ画素ＰxR、および、サブ画素ＰxGが配置される。また、＋Ｙ方向に沿って、サブ画素ＰxB1、および、サブ画素ＰxRが配置される。同様に、＋Ｙ方向に沿って、サブ画素ＰxB2、および、サブ画素ＰxGが配置される。サブ画素ＰxB1は、サブ画素ＰxB1から見て＋Ｘ方向に位置するサブ画素ＰxB2と、反射層５２において接続する。このように、第２の変形例におけるサブ画素Ｐxの配置は、本実施形態におけるサブ画素Ｐxの配置から、サブ画素ＰxB2とサブ画素ＰxGを入れ替えた位置となる。
なお、第２の変形例において、サブ画素ＰxB1は、「第１のサブ画素」の一例であり、サブ画素ＰxB2は、「第２のサブ画素」の一例である。また、サブ画素ＰxRは、「第４のサブ画素」の一例であり、サブ画素ＰxGは、「第３のサブ画素」の一例である。
図１２に、第２の変形例における表示部１２の一部を、＋Ｚ方向から平面視した場合の、表示部１２の概略的な構成の一例を示す平面図を示す。図１２に示す平面図は、図１１に示した平面図に、カラーフィルター８１を加えた図である。ただし、図１２に示す平面図は、図を見易くするために、コンタクト領域Ｃaを除いて表示してある。
カラーフィルター８１Rは、発光領域ＨaRの＋Ｚ側において、＋Ｚ方向からの平面視においてサブ画素ＰxRと重なるように形成されている。同様に、カラーフィルター８１Gは、発光領域ＨaGの＋Ｚ側において、＋Ｚ方向からの平面視においてサブ画素ＰxGと重なるように形成されている。カラーフィルター８１Bは、発光領域ＨaB1、およびＨaB2の＋Ｚ側において、＋Ｚ方向からの平面視においてサブ画素ＰxB1、およびＰxB2と重なるように形成されている。カラーフィルター８１Bは、Ｘ軸方向に沿って配置された各サブ画素ＰxBで共通のカラーフィルターとなる。
図１３に、第２の変形例に係る表示部１２の一部を、＋Ｚ方向から平面視した場合の、表示部１２の概略的な構成の一例を示す平面図を示す。図１３に示す平面図は、第２の変形例に係る画素ＭＰx1〜ＭＰx4のカラーフィルター８１だけを表示してある。
Ｘ軸方向の視野角に応じた色変化に関して、第２の変形例においても、あるサブ画素Ｐxの色と、前述のあるサブ画素に対してＸ軸方向に沿って配置されたサブ画素の色との関係は、前述のあるサブ画素の色に応じて一意に定まる。具体的には、画素ＭＰx1〜ＭＰx4のそれぞれのサブ画素ＰxRと＋Ｘ方向において隣り合うカラーフィルター８１は、カラーフィルター８１Gとなる。同様に、画素ＭＰx1〜ＭＰx4のそれぞれのサブ画素ＰxGと＋Ｘ方向において隣り合うカラーフィルター８１は、カラーフィルター８１Rとなる。画素ＭＰx1〜ＭＰx4のそれぞれのサブ画素ＰxBと＋Ｘ方向において隣り合うカラーフィルター８１は、カラーフィルター８１Bとなる。従って、＋Ｘ方向の視野角による色変化が同一となる。−Ｘ方向についても＋Ｘ方向と同様である。
Ｙ軸方向の視野角に応じた色変化に関して、第２の変形例においても、あるサブ画素Ｐxの色と、前述のあるサブ画素に対してＸ軸方向に沿って配置されたサブ画素の色との関係は、前述のあるサブ画素の色に応じて一意に定まる。具体的には、画素ＭＰx1〜ＭＰx4のそれぞれのサブ画素ＰxRと＋Ｙ方向において隣り合うカラーフィルター８１は、カラーフィルター８１Bとなる。同様に、画素ＭＰx1〜ＭＰx4のそれぞれのサブ画素ＰxGと＋Ｙ方向において隣り合うカラーフィルター８１は、カラーフィルター８１Bとなる。画素ＭＰx1〜ＭＰx4のそれぞれのサブ画素ＰxBと＋Ｙ方向において隣り合うカラーフィルター８１は、カラーフィルター８１R、または８１Gとなる。従って、＋Ｙ方向の視野角による色変化が同一となる。−Ｙ方向についても＋Ｙ方向と同様である。
Ｘ軸方向の視野角に応じた色変化およびＹ軸方向の視野角に応じた色変化の関係に関しては、サブ画素ＰxRと隣り合うカラーフィルター８１が、Ｘ軸方向では、カラーフィルター８１Gであるのに対し、Ｙ軸方向では、カラーフィルター８１Bとなる。このように、第２の変形例では、Ｘ軸方向の視野角による色変化と、Ｙ軸方向の視野角による色変化とは異なる。
図１４は、第２の変形例における表示部１２を、図１２におけるＥ２−ｅ２線で破断した部分断面図の一例であり、発光素子３B1の断面と、コンタクト７B1の断面と、発光素子３Gの断面とを含む。図１４では、図７および図８で説明した箇所しかないため、説明を省略する。
図１５は、第２の変形例における表示部１２を、図１２におけるＥ３−ｅ３線で破断した部分断面図の一例であり、発光素子３Rの断面と、バリアメタル−陽極コンタクト７bRの断面と、反射層−バリアメタルコンタクト７aRの断面と、発光素子３B2とを含む。図１５では、図７および図８で説明した箇所については説明を省略する。
コンタクト電極７１は、反射層５２および保護層７２上に積層されており、間隙５３ＣＴに沿って形成されている。図１５に示すように、コンタクト電極７１が間隙５３ＣＴに沿うことにより、反射層−バリアメタルコンタクト７aRが形成されている。また、画素電極３１は、コンタクト電極７１および第２の距離調整層５８上に積層されており、間隙５８ＣＴに沿って形成されている。図１５に示すように、画素電極３１が間隙５８ＣＴに沿うことにより、バリアメタル−陽極コンタクト７bRが形成されている。
図１６は、第２の変形例における表示部１２を、図１２におけるＥ４−ｅ４線で破断した部分断面図の一例であり、発光素子３Gの断面と、バリアメタル−陽極コンタクト７bGの断面と、反射層−バリアメタルコンタクト７aGの断面と、発光素子３B1の断面とを含む。図１６では、図７、図８、図１４、および図１５で説明した箇所については説明を省略する。
コンタクト電極７１は、反射層５２および保護層７２上に積層されており、間隙５３ＣＴに沿って形成されている。図１６に示すように、コンタクト電極７１が間隙５３ＣＴに沿うことにより、反射層−バリアメタルコンタクト７aGが形成されている。また、画素電極３１は、コンタクト電極７１および第２の距離調整層５８上に積層されており、間隙５８ＣＴに沿って形成されている。図１６に示すように、画素電極３１が間隙５８ＣＴに沿うことにより、バリアメタル−陽極コンタクト７bGが形成されている。
Ｂ．３．第３の変形例
図１７に、第３の変形例における表示部１２の一部を、＋Ｚ方向から平面視した場合の、表示部１２の概略的な構成の一例を示す平面図を示す。ただし、図１７に示す平面図は、図を見易くするために、カラーフィルター８１を除いて表示してある。図１７では、ある画素ＭＰx1を形成するサブ画素ＰxR、サブ画素ＰxG、サブ画素ＰxB1、および、サブ画素ＰxB2を示す。なお、第３の変形例では、＋Ｚ方向からの平面視において、発光領域Ｈaに含まれる構造物を、サブ画素Ｐxと看做すこととする。
第３の変形例におけるそれぞれのサブ画素Ｐxの配置関係は、本実施形態と同一である。また、第３の変形例におけるそれぞれのサブ画素Ｐxは、矩形形状である。また、第３の変形例における発光領域Ｈaの内側に、第３の変形例におけるコンタクト領域Ｃaが配置される。このように、発光領域Ｈaの内側にコンタクト領域Ｃaが配置されることにより、コンタクト領域Ｃaを発光領域Ｈaの外側には配置しないため、コンタクト領域Ｃaの存在によって発光領域Ｈa同士の間隔がばらつくことを発生しないようにすることが可能になる。従って、視野角による色変化のばらつきを抑えることが可能になる。
第３の変形例におけるＸ軸方向の視野角について、画素ＭＰx1における発光領域ＨaB1と発光領域ＨaGとの間の距離は、画素ＭＰx1の発光領域ＨaGと画素ＭＰx1に対して＋Ｘ方向に並ぶ画素ＭＰxにおける発光領域ＨaB1との間の距離と略等しい。従って、第３の変形例においても本実施形態と同様に、Ｘ軸方向の視野角における、発光領域Ｈa間の距離のばらつきによって発生する視野角による色変化のばらつきを抑えることが可能になる。同様に、画素ＭＰx1における発光領域ＨaB1と発光領域ＨaRとの間の距離は、画素ＭＰx1の発光領域ＨaGと画素ＭＰx1に対して＋Ｙ方向に並ぶ画素ＭＰxにおける発光領域ＨaB1との間の距離と略等しい。従って、第３の変形例においても本実施形態と同様に、Ｙ軸方向の視野角における、発光領域Ｈa間の距離のばらつきによって発生する色変化のばらつきを抑えることが可能になる。
また、第３の変形例におけるそれぞれのサブ画素Ｐxの配置関係は、本実施形態と同一である。従って、Ｘ軸方向において隣り合うカラーフィルター８１の色のばらつきによって発生する、Ｘ軸方向の視野角による色変化のばらつき、および、Ｙ軸方向において隣り合うカラーフィルター８１の色のばらつきによって発生する、Ｙ軸方向の視野角による色変化のばらつきを抑えることが可能になる。
また、図１７に示すように、第３の変形例におけるコンタクト領域Ｃaは、＋Ｙ方向に沿って並べられる。すなわち、コンタクト領域Ｃａが並べられる方向は、＋Ｘ方向に対して９０度で傾き、＋Ｙ方向に対して０度で傾く方向である。さらに、１つのコンタクト領域Ｃaに、２つのコンタクト７を配置することにより、本実施形態と同様に、２つのコンタクト７を１箇所に集中させることになるため、２つのコンタクト間の距離が短くなり、容易に配線を行うことが可能になる。
また、第３の変形例は、本実施形態と同様に、Ａ方向の視野角について、サブ画素Ｐxの発光領域Ｈaと、前述のサブ画素Ｐxに対してＡ方向に沿って配置されたサブ画素Ｐxの発光領域Ｈaとの間の距離が一定である。よって、Ａ方向、およびＣ方向の視野角における、発光領域Ｈa間の距離に関係する色変化のばらつきを抑えることが可能になる。
なお、第３の変形例において、９０度は、「第１の角度」の例であり、０度は、「第２の角度」の例である。また、＋Ｙ方向は、「第３の方向」の例である。
図１８は、第３の変形例における表示部１２を、図１７におけるＥ５−Ｅ６−Ｅ７線で破断した部分断面図の一例であり、発光素子３B2の断面と、発光素子３Rの断面と、反射層−バリアメタルコンタクト７aRの断面と、バリアメタル−陽極コンタクト７bRの断面と、発光素子３B1の断面とを含む。図１７に示すように、発光領域Ｈaは、画素電極３１の領域のうち画素分離層３４によって開口されている領域となる。図１８では、図７、図８、図１４、および図１５で説明した箇所しかないため、説明を省略する。
なお、第３の変形例におけるカラーフィルター８１の配置位置は、本実施形態におけるカラーフィルター８１の配置位置と同一であるため、図示を省略する。
Ｂ．４．第４の変形例
図１９に、第４の変形例における表示部１２の一部を、＋Ｚ方向から平面視した場合の、表示部１２の概略的な構成の一例を示す平面図を示す。ただし、図１９に示す平面図は、図を見易くするために、カラーフィルター８１を除いて表示してある。図１９では、ある画素ＭＰx1を形成するサブ画素ＰxR、サブ画素ＰxG、サブ画素ＰxB1、および、サブ画素ＰxB2を示す。なお、第４の変形例では、第３の変形例と同様に、＋Ｚ方向からの平面視において、発光領域Ｈaに含まれる構造物を、サブ画素Ｐxと看做すこととする。
第４の変形例におけるそれぞれのサブ画素Ｐxの配置関係は、第２の変形例と同一である。そして、サブ画素ＰxB1、およびＰxB2は、反射層５２および画素電極３１において接続する。また、第４の変形例におけるそれぞれのサブ画素Ｐxは、第３の変形例と同様に、矩形形状である。また、第３の変形例と同様に、第４の変形例における発光領域Ｈaの内側に、第４の変形例におけるコンタクト領域Ｃaが配置される。
なお、第４の変形例におけるカラーフィルター８１の配置位置は、第２の変形例におけるカラーフィルター８１の配置位置と同一であるため、図示を省略する。
Ｂ．５．第５の変形例
図２０に、第５の変形例における表示部１２の一部を、＋Ｚ方向から平面視した場合の、表示部１２の概略的な構成の一例を示す平面図を示す。ただし、図２０に示す平面図は、図を見易くするために、コンタクト領域Ｃaを除いて表示してある。
本実施形態では、カラーフィルター８１同士は重ならない。一方、第５の変形例では、カラーフィルター８１の一部が重なる。図２０では、カラーフィルター８１以外は、本実施形態と同一の態様となる。カラーフィルター８１の一部が重なる場合であっても、Ｘ軸方向とＹ軸方向とのうちいずれかの方向について、カラーフィルター８１の端部から、該当のカラーフィルター８１に前述のいずれかの方向で隣り合う発光領域Ｈaまでの距離は、同一となる。また、カラーフィルター８１の一部が重なる態様は、本実施形態に限らず、第１の変形例、第２の変形例、第３の変形例、および第４の変形例のいずれにも適用することが可能である。
Ｂ．６．その他の変形例
上述した実施形態においては、第１の方向の例とした＋Ｘ方向と、第２の方向の例とした＋Ｙ方向とは直交していたが、第１の方向と第２の方向とは、単に交差していてもよい。例えば、サブ画素Ｐxの配列が、いわゆるデルタ配列であっても適用することが可能である。また、＋Ｚ方向からの平面視において、本実施形態、第１の変形例、および、第２の変形例における発光領域Ｈaの形状は、８角形であったが、８角形に限らず、円形でもよい。また、発光領域Ｈａの幅と高さとの値は同一でもよいし、異なってもよい。
また、本実施形態、第１の変形例、および、第３の変形例では、Ａ方向に沿ってサブ画素ＰxBを配置したが、Ｄ方向に沿ってサブ画素ＰxBを配置してもよい。また、第２の変形例、および、第４の変形例では、Ｘ軸方向に沿ってサブ画素ＰxBを配置したが、Ｙ軸方向に沿ってサブ画素ＰxBを配置してもよい。
Ｃ．応用例
上述した実施形態および変形例に係る電気光学装置１は、各種の電子機器に適用することができる。以下、本発明に係る電子機器について説明する。
図２１に、本発明の電気光学装置１を採用した電子機器としてのヘッドマウントディスプレイ３００の外観を示す斜視図を示す。図２１に示されるように、ヘッドマウントディスプレイ３００は、テンプル３１０、ブリッジ３２０、投射光学系３０１Ｌ、および投射光学系３０１Ｒを備える。そして、図２１において、投射光学系３０１Ｌの奥には左眼用の電気光学装置１（図示省略）が設けられ、投射光学系３０１Ｒの奥には右眼用の電気光学装置１（図示省略）が設けられる。
図２２に、電気光学装置１を採用した可搬型のパーソナルコンピューター４００の斜視図を示す。パーソナルコンピューター４００は、各種の画像を表示する電気光学装置１と、電源スイッチ４０１およびキーボード４０２が設けられた本体部４０３と、を備える。
なお、本発明に係る電気光学装置１が適用される電子機器としては、図２１および図２２に例示した機器の他、携帯電話機、スマートフォン、携帯情報端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、車載用の表示器（インパネ）、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末等が挙げられる。さらに、本発明に係る電気光学装置１は、プリンター、スキャナー、複写機、およびビデオプレーヤー等の電子機器に設けられる表示部として適用することができる。
１…電気光学装置、３…発光素子、５…素子基板、７…コンタクト、７a…反射層−バリアメタルコンタクト、７b…バリアメタル−陽極コンタクト、８…カラーフィルター層、９…保護基板、１２…表示部、３０…発光層、３１…画素電極、３２…発光機能層、３３…対向電極、４０…供給回路、４１…トランジスター、４２…トランジスター、４４…保持容量、５０…基板、５２…反射層、８１…カラーフィルター、Ｃa…コンタクト領域、Ｈa…発光領域、ＭＰx…画素、Ｐx…サブ画素。

Claims (8)

  1. 第１の方向と前記第１の方向に交差する第２の方向に沿って配列された複数の画素を備え、
    前記複数の画素の各々は、
    前記第１の方向に沿って配置された第１のサブ画素および第２のサブ画素と、
    前記第１の方向に沿って配置された第４のサブ画素および第３のサブ画素と、を備え、
    前記第４のサブ画素および前記第１のサブ画素は、前記第２の方向に沿って配置され、
    前記第３のサブ画素および前記第２のサブ画素は、前記第２の方向に沿って配置され、
    前記第１のサブ画素、前記第２のサブ画素、前記第３のサブ画素、および前記第４のサブ画素の各々に対応するカラーフィルターを備え、
    前記第１のサブ画素、前記第２のサブ画素、前記第３のサブ画素、および前記第４のサブ画素の各々は、発光領域を有する発光素子と、前記発光素子に供給する電流を出力する供給回路と、前記発光素子と前記供給回路とを電気的に接続するコンタクトが配置されるコンタクト領域とを備え、
    前記コンタクト領域は、前記第１のサブ画素、前記第２のサブ画素、前記第３のサブ画素、および前記第４のサブ画素の各々に設けられた前記発光領域を区分けする境界線の交点と重なり、
    前記第１のサブ画素、前記第２のサブ画素、前記第３のサブ画素、前記第４のサブ画素の各々の発光領域は、
    前記第１の方向に並ぶ画素の発光領域と向かい合う第１辺と、
    前記第２の方向に並ぶ画素の発光領域と向かい合う第２辺と、
    前記第１の方向の反対の方向に並ぶ画素の発光領域と向かい合う第３辺と、
    前記第２の方向の反対の方向に並ぶ画素の発光領域と向かい合う第４辺と、
    前記第１の方向に並ぶ画素の発光領域との境界線と、前記第２の方向に並ぶ画素の発光領域との境界線との交点と重なるコンタクトと向かい合う第５辺と、
    前記第２の方向に並ぶ画素の発光領域との境界線と、前記第１の方向の反対の方向に並ぶ画素の発光領域との境界線との交点と重なるコンタクトと向かい合う第６辺と、
    前記第１の方向の反対の方向に並ぶ画素の発光領域との境界線と、前記第２の方向の反対の方向に並ぶ画素の発光領域との境界線との交点と重なるコンタクトと向かい合う第７辺と、
    前記第２の方向の反対の方向に並ぶ画素の発光領域との境界線と、前記第１の方向に並ぶ画素の発光領域との境界線との交点と重なるコンタクトと向かい合う第８辺と、
    を備え、
    ある画素における第１のサブ画素の発光領域と第２のサブ画素の発光領域との間の距離と、前記ある画素の第２のサブ画素の発光領域と当該ある画素に対して前記第１の方向に並ぶ画素における第１のサブ画素の発光領域との間の距離との差分が、当該第１のサブ画素の発光領域の前記第１の方向における長さの１０％以下であり、
    前記ある画素における第４のサブ画素の発光領域と第３のサブ画素の発光領域との間の距離と、前記ある画素の第３のサブ画素の発光領域と当該ある画素に対して前記第１の方向に並ぶ画素における第４のサブ画素の発光領域との間の距離との差分が、当該第４のサブ画素の発光領域の前記第１の方向における長さの１０％以下である、
    ことを特徴とする電気光学装置。
  2. 第１の方向と前記第１の方向に交差する第２の方向に沿って配列された複数の画素を備え、
    前記複数の画素の各々は、
    前記第１の方向に沿って配置された第１のサブ画素および第２のサブ画素と、
    前記第１の方向に沿って配置された第４のサブ画素および第３のサブ画素と、を備え、
    前記第４のサブ画素および前記第１のサブ画素は、前記第２の方向に沿って配置され、
    前記第３のサブ画素および前記第２のサブ画素は、前記第２の方向に沿って配置され、
    前記第１のサブ画素、前記第２のサブ画素、前記第３のサブ画素、および前記第４のサブ画素の各々に対応するカラーフィルターを備え、
    前記第１のサブ画素、前記第２のサブ画素、前記第３のサブ画素、および前記第４のサブ画素の各々は、発光領域を有する発光素子と、前記発光素子に供給する電流を出力する供給回路と、前記発光素子と前記供給回路とを電気的に接続するコンタクトが配置されるコンタクト領域とを備え、
    前記コンタクト領域は、前記第１のサブ画素、前記第２のサブ画素、前記第３のサブ画素、および前記第４のサブ画素の各々に設けられた前記発光領域を区分けする境界線の交点と重なり、
    前記第１のサブ画素、前記第２のサブ画素、前記第３のサブ画素、前記第４のサブ画素の各々の発光領域は、
    前記第１の方向に並ぶ画素の発光領域と向かい合う第１辺と、
    前記第２の方向に並ぶ画素の発光領域と向かい合う第２辺と、
    前記第１の方向の反対の方向に並ぶ画素の発光領域と向かい合う第３辺と、
    前記第２の方向の反対の方向に並ぶ画素の発光領域と向かい合う第４辺と、
    前記第１の方向に並ぶ画素の発光領域との境界線と、前記第２の方向に並ぶ画素の発光領域との境界線との交点と重なるコンタクトと向かい合う第５辺と、
    前記第２の方向に並ぶ画素の発光領域との境界線と、前記第１の方向の反対の方向に並ぶ画素の発光領域との境界線との交点と重なるコンタクトと向かい合う第６辺と、
    前記第１の方向の反対の方向に並ぶ画素の発光領域との境界線と、前記第２の方向の反対の方向に並ぶ画素の発光領域との境界線との交点と重なるコンタクトと向かい合う第７辺と、
    前記第２の方向の反対の方向に並ぶ画素の発光領域との境界線と、前記第１の方向に並ぶ画素の発光領域との境界線との交点と重なるコンタクトと向かい合う第８辺と、
    を備え、
    ある画素における第１のサブ画素の発光領域と第４のサブ画素の発光領域との間の距離と、前記ある画素の第４のサブ画素の発光領域と当該ある画素に対して前記第２の方向に並ぶ画素における第１のサブ画素の発光領域との間の距離との差分が、当該第１のサブ画素の発光領域の前記第２の方向における長さの１０％以下であり、
    前記ある画素における第２のサブ画素の発光領域と第３のサブ画素の発光領域との間の距離と、前記ある画素の第３のサブ画素の発光領域と当該ある画素に対して前記第２の方向に並ぶ画素における第２のサブ画素の発光領域との間の距離との差分が、当該第２のサブ画素の発光領域の前記第２の方向における長さの１０％以下である、
    ことを特徴とする電気光学装置。
  3. 第１の方向と前記第１の方向に交差する第２の方向に沿って基板上に配列された複数の画素を備え、
    前記複数の画素の各々は、
    前記第１の方向に沿って配置された第１のサブ画素および第２のサブ画素と、
    前記第１の方向に沿って配置された第４のサブ画素および第３のサブ画素とを備え、
    前記第４のサブ画素および前記第１のサブ画素は、前記第２の方向に沿って配置され、
    前記第３のサブ画素および前記第２のサブ画素は、前記第２の方向に沿って配置され、
    前記第１のサブ画素、前記第２のサブ画素、前記第３のサブ画素、および前記第４のサブ画素の各々に対応するカラーフィルターを備え、
    前記第１のサブ画素、前記第２のサブ画素、前記第３のサブ画素、および前記第４のサブ画素の各々は、
    発光領域を有する発光素子と、前記発光素子に供給する電流を出力する供給回路とを備え、
    前記発光領域の内側に、前記供給回路と前記発光素子とを電気的に接続するコンタクトが配置されるコンタクト領域を備え、
    前記発光素子から射出された光を共振させる光共振構造が形成されており、
    前記基板の法線方向からの平面視において、前記発光領域と、前記コンタクト領域とが重ならなく、
    ある画素における第１のサブ画素の発光領域と第２のサブ画素の発光領域との間の距離と、前記ある画素の第２のサブ画素の発光領域と当該ある画素に対して前記第１の方向に並ぶ画素における第１のサブ画素の発光領域との間の距離との差分が、当該第１のサブ画素の発光領域の前記第１の方向における長さの１０％以下であり、
    前記ある画素における第４のサブ画素の発光領域と第３のサブ画素の発光領域との間の距離と、前記ある画素の第３のサブ画素の発光領域と当該ある画素に対して前記第１の方向に並ぶ画素における第４のサブ画素の発光領域との間の距離との差分が、当該第４のサブ画素の発光領域の前記第１の方向における長さの１０％以下である、
    ことを特徴とする電気光学装置。
  4. 第１の方向と前記第１の方向に交差する第２の方向に沿って基板上に配列された複数の画素を備え、
    前記複数の画素の各々は、
    前記第１の方向に沿って配置された第１のサブ画素および第２のサブ画素と、
    前記第１の方向に沿って配置された第４のサブ画素および第３のサブ画素とを備え、
    前記第４のサブ画素および前記第１のサブ画素は、前記第２の方向に沿って配置され、
    前記第３のサブ画素および前記第２のサブ画素は、前記第２の方向に沿って配置され、
    前記第１のサブ画素、前記第２のサブ画素、前記第３のサブ画素、および前記第４のサブ画素の各々に対応するカラーフィルターを備え、
    前記第１のサブ画素、前記第２のサブ画素、前記第３のサブ画素、および前記第４のサブ画素の各々は、
    発光領域を有する発光素子と、前記発光素子に供給する電流を出力する供給回路とを備え、
    前記発光領域の内側に、前記供給回路と前記発光素子とを電気的に接続するコンタクトが配置されるコンタクト領域を備え、
    前記発光素子から射出された光を共振させる光共振構造が形成されており、
    前記基板の法線方向からの平面視において、前記発光領域と、前記コンタクト領域とが重ならなく、
    ある画素における第１のサブ画素の発光領域と第４のサブ画素の発光領域との間の距離と、前記ある画素の第４のサブ画素の発光領域と当該ある画素に対して前記第２の方向に並ぶ画素における第１のサブ画素の発光領域との間の距離との差分が、当該第１のサブ画素の発光領域の前記第２の方向における長さの１０％以下であり、
    前記ある画素における第２のサブ画素の発光領域と第３のサブ画素の発光領域との間の距離と、前記ある画素の第３のサブ画素の発光領域と当該ある画素に対して前記第２の方向に並ぶ画素における第２のサブ画素の発光領域との間の距離との差分が、当該第２のサブ画素の発光領域の前記第２の方向における長さの１０％以下である、
    ことを特徴とする電気光学装置。
  5. 前記第１のサブ画素、前記第２のサブ画素、前記第３のサブ画素、および前記第４のサブ画素のうちあるサブ画素の色と、当該あるサブ画素に対して前記第１の方向に沿って配置されたサブ画素の色との関係は、前記あるサブ画素の色に応じて一意に定まる、
    ことを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載の電気光学装置。
  6. 前記第１のサブ画素、前記第２のサブ画素、前記第３のサブ画素、および前記第４のサブ画素のうちあるサブ画素の色と、当該あるサブ画素に対して前記第２の方向に沿って配置されたサブ画素の色との関係は、前記あるサブ画素の色に応じて一意に定まる、
    ことを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の電気光学装置。
  7. 前記第１の方向に対して第１の角度で傾き、かつ前記第２の方向に対して第２の角度で傾いた方向を第３の方向としたとき、
    前記コンタクト領域は、前記第３の方向に沿って並んでおり、
    前記第１のサブ画素、前記第２のサブ画素、前記第３のサブ画素、および前記第４のサブ画素の各々は、前記供給回路と電気的に接続された反射電極と、中間電極と、画素電極と、を備え、
    前記コンタクト領域には、
    前記反射電極と前記中間電極とを電気的に接続する第１のコンタクトと、
    前記中間電極と前記画素電極とを電気的に接続する第２のコンタクトとが配置される、
    ことを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載の電気光学装置。
  8. 前記第１の方向に対して第１の角度で傾き、かつ前記第２の方向に対して第２の角度で傾いた方向を第３の方向としたとき、
    前記第１のサブ画素、前記第２のサブ画素、前記第３のサブ画素、および前記第４のサブ画素のうちあるサブ画素の発光領域と、当該あるサブ画素に対して前記第３の方向に沿って配置されたサブ画素の発光領域との間の距離が一定である、
    ことを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載の電気光学装置。
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