CN109326627A - 电光装置 - Google Patents

电光装置 Download PDF

Info

Publication number
CN109326627A
CN109326627A CN201810842387.3A CN201810842387A CN109326627A CN 109326627 A CN109326627 A CN 109326627A CN 201810842387 A CN201810842387 A CN 201810842387A CN 109326627 A CN109326627 A CN 109326627A
Authority
CN
China
Prior art keywords
pixel
sub
light emitting
emitting region
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201810842387.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109326627B (zh
Inventor
腰原健
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Publication of CN109326627A publication Critical patent/CN109326627A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109326627B publication Critical patent/CN109326627B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/351—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels comprising more than three subpixels, e.g. red-green-blue-white [RGBW]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0439—Pixel structures
    • G09G2300/0452—Details of colour pixel setup, e.g. pixel composed of a red, a blue and two green components
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/878—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Optical Filters (AREA)

Abstract

提供电光装置，即使在开口率增大的情况下也能够抑制因视角引起的颜色变化的偏差。在从+Z方向俯视时，接触区域(Ca)与划分出发光区域(Ha)的边界线的交点重叠。像素(MPx1)内的接触区域(CaB1)与交点(P11)重叠。由于交点位于远离发光区域(HaR、HaG、HaB1、HaB2)的中心的位置，所以能够抑制发光区域减小。并且，接触区域与划分出发光区域的边界线的交点重叠，由此，与按照各发光区域对接触区域进行均等分割而得的区域对应地，能够使与边界线的交点接触的各发光区域变窄。通过使各发光区域与进行均等分割而得的区域对应地变窄，能够使发光区域彼此的间隔接近均等，抑制因视角引起的颜色变化的偏差。

Description

电光装置
技术领域
本发明涉及电光装置。
背景技术
在包含有机EL(electro luminescent：电致发光)元件等发光元件的电光装置中，为了实现彩色显示，公知有如下的结构：在覆盖发光元件的密封层上设置使期望的波长区域的光透过的滤色器。并且，在这样的电光装置中，通常通过由多个子像素构成的像素来形成一个显示单位。并且，设置于电光装置的子像素具有：发光元件，其具有发光区域；供给电路，其输出供给到发光元件的电力；以及接触区域，其将供给电路与发光元件电连接。例如，在专利文献1公开了通过红色、绿色、蓝色这3原色的子像素来形成1个像素的电光装置。公开了在该电光装置中经由接触区域将发光元件与供给电路电连接。
专利文献1：日本特开2009-282190号公报
另外，子像素的配置被设计成使发光元件变大以使开口率变高。因此，发光元件被配置成尽可能大。但是，由于在被配置成尽可能大的发光元件之间设置有接触区域，所以在上述以往的电光装置中，出现了子像素的发光元件经由接触区域而彼此相邻的部位、以及子像素的发光元件不经由接触区域而彼此相邻的部位。因此，当在各发光元件上配置各滤色器的情况下，某个子像素的发光元件与和某个子像素相邻的滤色器之间的距离在子像素间分别不同。
当上述距离在子像素间分别不同时，关于某个视角，在从某个子像素的发光元件射出的光透过与上述某个子像素相邻的滤色器而发生颜色变化时，从另一子像素的发光元件射出的光不会透过与上述另一子像素相邻的滤色器而出现不发生颜色变化的状况。这样，存在如下问题：当某个子像素的发光元件与和某个子像素相邻的滤色器之间的距离在子像素间分别不同时，会产生因视角引起的颜色变化的偏差。
发明内容
本发明所要解决课题之一在于，即使在开口率变高的情况下也能够抑制因视角引起的颜色变化的偏差。
本发明一个方式的电光装置的特征在于，该电光装置具有多个像素，该多个像素沿着第1方向和与所述第1方向交叉的第2方向排列，所述多个像素各自具有：第1子像素和第2子像素，它们沿着所述第1方向配置；以及第4子像素和第3子像素，它们沿着所述第1方向配置，所述第4子像素和所述第1子像素沿着所述第2方向配置，所述第3子像素和所述第2子像素沿着所述第2方向配置，所述多个像素各自具有与所述第1子像素、所述第2子像素、所述第3子像素以及所述第4子像素分别对应的滤色器，所述第1子像素、所述第2子像素、所述第3子像素以及所述第4子像素各自具有：发光元件，其具有发光区域；供给电路，其输出供给到所述发光元件的电流；以及接触区域，在该接触区域中配置有将所述发光元件与所述供给电路电连接的触点，所述接触区域与如下边界线的交点重叠，所述边界线对分别设置于所述第1子像素、所述第2子像素、所述第3子像素以及所述第4子像素的所述发光区域进行划分。
根据本发明的一个方式，由于划分出各发光区域的边界线的交点位于远离各发光区域的中心的位置，所以能够抑制由于设置接触区域而使发光区域减小的情况。此外，通过将接触区域配置成与交点重叠，能够使用相邻的其他子像素的一部分区域来配置接触区域。并且，使用某个子像素的一部分区域和相邻的其他子像素的一部分区域来配置某个子像素的接触区域是指以跨越边界线的方式配置接触区域。以上，能够在子像素间以均等的间隔配置接触区域，发光区域的间隔也恒定。通过使发光区域的间隔恒定，能够抑制因视角引起的颜色变化的偏差。这样，能够在抑制发光区域减小的同时，抑制因视角引起的颜色变化的偏差。
并且，也可以是，本发明的一个方式的电光装置的特征在于，该电光装置具有多个像素，该多个像素沿着第1方向和与所述第1方向交叉的第2方向排列，所述多个像素各自具有：第1子像素和第2子像素，它们沿着所述第1方向配置；以及第4子像素和第3子像素，它们沿着所述第1方向配置，所述第4子像素和所述第1子像素沿着所述第2方向配置，所述第3子像素和所述第2子像素沿着所述第2方向配置，所述多个像素各自具有与所述第1子像素、所述第2子像素、所述第3子像素以及所述第4子像素分别对应的滤色器，所述第1子像素、所述第2子像素、所述第3子像素以及所述第4子像素各自具有：发光元件，其具有发光区域；以及供给电路，其输出供给到所述发光元件的电流，在所述发光区域的内侧具有接触区域，在该接触区域中配置有将所述供给电路与所述发光元件电连接的触点。
根据本发明的一个方式，在发光区域的内侧配置接触区域，从而使发光区域的外侧不存在接触区域，因此能够防止发光区域彼此的间隔因接触区域的存在而产生偏差。因此，能够使发光区域彼此的间隔均匀，因此能够抑制因视角引起的颜色变化的偏差。
并且，根据上述方式，优选某个像素中的第1子像素的发光区域和第2子像素的发光区域之间的距离大致等于所述某个像素的第2子像素的发光区域和同该某个像素排列在所述第1方向上的像素中的第1子像素的发光区域之间的距离，所述某个像素中的第4子像素的发光区域和第3子像素的发光区域之间的距离大致等于所述某个像素的第3子像素的发光区域和同该某个像素排列在所述第1方向上的像素中的第4子像素的发光区域之间的距离。
根据该方式，某个像素中的第1子像素的发光区域和第2子像素的发光区域之间的距离大致等于上述第2子像素的发光区域和同上述某个像素排列在第1方向上的像素的第1子像素的发光区域之间的距离，由此，第1子像素的发光区域和相对于第1子像素而在第1方向上相邻的滤色器端部之间的距离、与第2子像素的发光区域和相对于第2子像素而在第1方向上相邻的滤色器端部之间的距离大致相等。通过使该两个距离大致相等，在大致相同的视角下产生第1方向上的颜色变化，因此能够抑制因沿着第1方向配置的发光区域之间的距离偏差而产生的、基于第1方向的视角的颜色变化的偏差。
并且，根据上述方式，优选某个像素中的第1子像素的发光区域和第4子像素的发光区域之间的距离大致等于所述某个像素的第4子像素的发光区域和同该某个像素排列在所述第2方向上的像素中的第1子像素的发光区域之间的距离，所述某个像素中的第2子像素的发光区域和第3子像素的发光区域之间的距离大致等于所述某个像素的第3子像素的发光区域和同该某个像素排列在所述第2方向上的像素中的第2子像素的发光区域之间的距离。
根据该方式，与第1方向同样，能够抑制因沿着第2方向配置的发光区域之间的距离偏差而产生的、基于第2方向的视角的颜色变化的偏差。
并且，根据上述方式，优选所述第1子像素、所述第2子像素、所述第3子像素以及所述第4子像素中的某个子像素的颜色、与相对于该某个子像素沿着所述第1方向配置的子像素的颜色之间的关系是根据所述某个子像素的颜色而唯一确定的。
通常，如果相对于同一颜色的子像素彼此而位于某个方向的滤色器的颜色产生偏差，在因某个方向的视角而产生颜色变化时，从同一颜色的子像素射出的光会分别引起不同的颜色变化，从而产生因视角引起的颜色变化。另一方面，根据上述方式，某个子像素的颜色与相对于某个子像素沿着第1方向配置的子像素的颜色之间的关系是根据某个子像素的颜色而唯一确定的，从而相对于同一颜色的子像素位于第1方向的滤色器的颜色是唯一确定的。因此，当在第1方向上因某个视角而产生颜色变化时，在同一颜色的子像素中产生唯一确定的颜色变化，因此能够抑制因位于第1方向的滤色器的颜色偏差而产生的、基于第1方向的视角的颜色变化的偏差。
并且，根据上述方式，优选所述第1子像素、所述第2子像素、所述第3子像素以及所述第4子像素中的某个子像素的颜色、与相对于该某个子像素沿着所述第2方向配置的子像素的颜色之间的关系是根据所述某个子像素的颜色而唯一确定的。
根据该方式，与第1方向同样，能够抑制因位于第2方向的滤色器的颜色偏差而产生的、基于第2方向的视角的颜色变化的偏差。
并且，根据上述方式，优选在将相对于所述第1方向按照第1角度倾斜、并且相对于所述第2方向按照第2角度倾斜的方向设为第3方向时，所述接触区域沿着所述第3方向排列，所述第1子像素、所述第2子像素、所述第3子像素以及所述第4子像素各自具有：反射电极，其与所述供给电路电连接；中间电极；以及像素电极，在所述接触区域中配置有：第1触点，其将所述反射电极与所述中间电极电连接；以及第2触点，其将所述中间电极与所述像素电极电连接。
根据该方式，在1个接触区域配置两个触点，使两个触点集中于1个部位，因此两个触点之间的距离变短，能够容易地进行布线。并且，通过使两个触点集中于1个部位，能够使接触区域变窄，能够确保发光区域更宽。
并且，根据上述方式，优选在将相对于所述第1方向按照第1角度倾斜、并且相对于所述第2方向按照第2角度倾斜的方向设为第3方向时，所述第1子像素、所述第2子像素、所述第3子像素以及所述第4子像素中的某个子像素的发光区域、与相对于该某个子像素沿着所述第3方向配置的子像素的发光区域之间的距离恒定。
根据该方式，与第1方向和第2方向同样，能够抑制因沿着第3方向配置的发光区域之间的距离偏差而产生的、基于第3方向的视角的颜色变化的偏差。
附图说明
图1是示出本实施方式的电光装置1的结构的一例的框图。
图2是示出像素电路100的结构的一例的等效电路图。
图3是示出显示部12的结构的一例的俯视图(其1)。
图4是示出显示部12的结构的一例的俯视图(其2)。
图5是示出显示部12的结构的一例的俯视图(其3)。
图6是示出显示部12的结构的一例的俯视图(其4)。
图7是示出显示部12的结构的一例的局部剖视图(其1)。
图8是示出显示部12的结构的一例的局部剖视图(其2)。
图9是示出第1变形例的显示部12的结构的一例的俯视图(其1)。
图10是示出第1变形例的显示部12的结构的一例的俯视图(其2)。
图11是示出第2变形例的显示部12的结构的一例的俯视图(其1)。
图12是示出第2变形例的显示部12的结构的一例的俯视图(其2)。
图13是示出第2变形例的显示部12的结构的一例的俯视图(其3)。
图14是示出第2变形例的显示部12的结构的一例的局部剖视图(其1)。
图15是示出第2变形例的显示部12的结构的一例的局部剖视图(其2)。
图16是示出第2变形例的显示部12的结构的一例的局部剖视图(其3)。
图17是示出第3变形例的显示部12的结构的一例的俯视图。
图18是示出第3变形例的显示部12的结构的一例的局部剖视图。
图19是示出第4变形例的显示部12的结构的一例的俯视图。
图20是示出第5变形例的显示部12的结构的一例的俯视图。
图21是本发明的头戴显示器300的立体图。
图22是本发明的个人计算机400的立体图。
标号说明
1：电光装置；3：发光元件；5：元件基板；7：触点；7a：反射层-势垒金属触点；7b：势垒金属-阳极触点；8：滤色器层；9：保护基板；12：显示部；30：发光层；31：像素电极；32：发光功能层；33：对置电极；40：供给电路；41：晶体管；42：晶体管；44：保持电容；50：基板；52：反射层；81：滤色器；Ca：接触区域；Ha：发光区域；MPx：像素；Px：子像素。
具体实施方式
以下，参照附图对用于实施本发明的方式进行说明。但是，在各附图中，各部分的尺寸和比例尺与实际的适当不同。并且，以下所述的实施方式是本发明的优选的具体例，因此在技术上赋予了优选的各种限定，但只要不是在以下的说明中特别限定本发明的内容记载，则本发明的范围并不限于这些方式。
A.实施方式
以下，对本实施方式的电光装置1进行说明。
A.1.电光装置的概要
图1是示出本实施方式的电光装置1的结构的一例的框图。
如图1所例示的那样，电光装置1具有：显示面板10，其具有多个子像素Px；以及控制电路20，其对显示面板10的动作进行控制。
从省略了图示的上位装置向控制电路20与同步信号同步地供给数字图像数据Video。这里，图像数据Video是对显示面板10的各子像素Px所要显示的灰度等级进行规定的数字数据。并且，同步信号是包含垂直同步信号、水平同步信号以及点时钟信号等的信号。
控制电路20根据同步信号来生成用于控制显示面板10的动作的控制信号Ctr，并将所生成的控制信号Ctr供给到显示面板10。并且，控制电路20根据图像数据Video来生成模拟图像信号Vid，并将所生成的图像信号Vid供给到显示面板10。这里，图像信号Vid是对该子像素Px所具有的发光元件的亮度进行规定以使各子像素Px显示图像数据Video所指定的灰度的信号。
如图1所例示的那样，显示面板10具有：M条扫描线13，它们在+X方向上延伸；3N条数据线14，它们在+Y方向上延伸；显示部12，其具有与M条扫描线13和3N条数据线14之间的交叉处对应排列的“M×3N个”像素电路100；以及驱动电路11，其对显示部12进行驱动(M为1以上的自然数。N为1以上的自然数)。
以下，为了相互区分多个子像素Px、多个扫描线13以及多个数据线14，从+Y方向朝向-Y方向(以下，将+Y方向和-Y方向统称为“Y轴方向”)依次称为第1行、第2行、…、第M行，从-X方向朝向+X方向(以下，将+X方向和-X方向统称为“X轴方向”)依次称为第1列、第2列、…、第3N列。并且，以下，将与X轴方向和Y轴方向交叉的+Z方向(朝上方向)和-Z方向(朝下方向)称为“Z轴方向”。并且，如图1所示，将+X方向且+Y方向称为“A方向”，将-X方向且+Y方向称为“B方向”，将-X方向且-Y方向称为“C方向”，将+X方向且-Y方向称为“D方向”。
在设置于显示部12的多个像素电路100中包含能够显示红色(R)的像素电路100、能够显示绿色(G)的像素电路100、以及能够显示蓝色(B)的像素电路100。并且，在本实施方式中，作为一例，假设了如下的情况：将n设为满足“1≤n≤N的自然数”，在第1列～第3N列中的、第(3n-2)列配置能够显示R的像素电路100，在第(3n-1)列配置能够显示G的像素电路100，在第3n列配置能够显示B的像素电路100。
如图1所例示的那样，驱动电路11具有扫描线驱动电路111和数据线驱动电路112。
扫描线驱动电路111依次对第1行～第M行的扫描线13进行扫描(选择)。具体来说，扫描线驱动电路111在1帧期间内，按照每个水平扫描期间将分别输出到第1行～第M行的扫描线13的扫描信号Gw[1]～Gw[M]依次设定为规定的选择电位，从而按照每个水平扫描期间以行为单位依次选择扫描线13。换言之，扫描线驱动电路111在1帧期间内的、第m个水平扫描期间，将输出到第m行扫描线13的扫描信号Gw[m]设定为规定的选择电位，从而选择第m行扫描线13。另外，1帧期间是指电光装置1显示1个图像的期间。
数据线驱动电路112根据从控制电路20供给的图像信号Vid和控制信号Ctr，生成对各像素电路100所要显示的灰度进行规定的模拟数据信号Vd[1]～Vd[3N]，并按照每个水平扫描期间，将所生成的数据信号Vd[1]～Vd[3N]输出到3N条数据线14。换言之，数据线驱动电路112在各水平扫描期间将数据信号Vd[k]输出到第k列数据线14。
另外，在本实施方式中，控制电路20所输出的图像信号Vid是模拟信号，但控制电路20所输出的图像信号Vid也可以是数字信号。在该情况下，数据线驱动电路112对图像信号Vid进行D/A转换，生成模拟数据信号Vd[1]～Vd[3N]。
图2是示出像素电路100的结构的一例的等效电路图。在图2中，例示了第m行第k列的像素电路100来进行说明。
像素电路100具有：发光元件3；以及供给电路40，其输出供给到发光元件3的电流。
发光元件3具有像素电极31、发光功能层32以及对置电极33。像素电极31作为将空穴供给到发光功能层32的阳极来发挥功能。对置电极33与被设定为像素电路100的低电位侧的电源电位(即、电位Vct)的供电线16电连接，作为将电子供给到发光功能层32的阴极来发挥功能。并且，从像素电极31供给的空穴和从对置电极33供给的电子在发光功能层32结合，从而发光功能层32发出白色光。
另外，在后面将进行详述，在能够发出R光的像素电路100所具有的发光元件3(以下，称为发光元件3R)中重叠配置有红色的滤色器81R。在能够发出B光的像素电路所具有的发光元件3(以下，称为发光元件3B)中重叠配置有蓝色的滤色器81B。并且，在能够发出G光的像素电路100所具有的发光元件3(以下，称为发光元件3G)中重叠配置有绿色的滤色器81G。因此，能够通过发光元件3R、3G和3B来进行全彩色显示。
供给电路40具有P沟道型的晶体管41和42以及保持电容44。另外，晶体管41和42的一方或双方也可以是N沟道型的晶体管。并且，在本实施方式中，关于晶体管41和42，例示了薄膜晶体管的情况来进行说明，但晶体管41和42也可以是MOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)等场效应晶体管。
晶体管41的栅极与第m行扫描线13电连接，源极或漏极的一方与第k列数据线14电连接，源极或漏极的另一方与晶体管42的栅极和保持电容44所具有的两个电极中的一个电极电连接。
晶体管42的栅极与晶体管41的源极或漏极的另一方和保持电容44的一个电极电连接，源极或漏极的一方与像素电极31电连接，源极或漏极的另一方与被设定为像素电路100的高电位侧的电源电位(即、电位Vel)的供电线15电连接。
关于保持电容44，保持电容44所具有的两个电极中的一个电极与晶体管41的源极或漏极的另一方、以及晶体管42的栅极电连接，保持电容44所具有的两个电极中的另一个电极与供电线15电连接。保持电容44作为保持晶体管42的栅极电位的保持电容来发挥功能。
扫描线驱动电路111将扫描信号Gw[m]设定为规定的选择电位，当选择第m行扫描线13时，设置于第m行第k列的子像素Px[m][k]的晶体管41导通。然后，当晶体管41导通时，从第k列数据线14向晶体管42的栅极供给数据信号Vd[k]。在该情况下，晶体管42向发光元件3供给与供给到栅极的数据信号Vd[k]的电位(准确来说，是栅极和源极之间的电位差)对应的电流。也就是说，晶体管42是将电流供给到发光元件3的驱动晶体管。发光元件3按照与从晶体管42供给的电流的大小对应的亮度(即，与数据信号Vd[k]的电位对应的亮度)发光。
之后，在扫描线驱动电路111解除第m行扫描线13的选择而使晶体管41截止的情况下，晶体管42的栅极电位被保持电容44保持。因此，发光元件3在晶体管41截止之后也能够按照与数据信号Vd[k]对应的亮度发光。
另外，虽然在图2中省略了图示，但将发光元件3所具有的像素电极31与供给电路40电连接的构成要素称为触点7(参照图3)。各子像素Px具有发光元件3、供给电路40以及供触点7配置的接触区域Ca。接触区域Ca是能够配置触点7的区域。触点7将发光元件3所具有的像素电极31与供给电路40电连接。以下，有时将设置于子像素PxR的触点7称为触点7R，将设置于子像素PxG的触点7称为触点7G，将设置于子像素PxB的触点7称为触点7B。并且，有时将配置触点7R的接触区域Ca称为接触区域CaR，将配置触点7G的接触区域Ca称为接触区域CaG，将配置触点7B的接触区域Ca称为接触区域CaB。
A.2.显示部的结构
以下，参照图3～图6对本实施方式的显示部12的结构的一例进行说明。
图3是示出从电光装置1射出光的方向即+Z方向俯视本实施方式的显示部12的一部分时的、显示部12的概略结构的一例的俯视图。但是，为了使附图容易理解，图3所示的俯视图是将滤色器81去除而示出的。并且，在接触区域CaR和CaG分别配置有两个触点7，但为了使附图容易理解，图3所示的俯视图将两个触点7简单地表示为1个触点7。
具体来说，图3包含显示部12中的形成某个像素MPx1的子像素PxR、子像素PxG、子像素PxB1以及子像素PxB2。子像素PxR包含能够显示R的像素电路100内的发光元件3R。子像素PxG包含能够显示G的像素电路100内的发光元件3G。子像素PxB1包含能够显示B的像素电路100内的发光元件3B1。并且，子像素PxB2包含能够显示B的像素电路100内的发光元件3B2。并且，从同一像素电路100所包含的供给电路40向子像素PxB1和子像素PxB2供给电流。
如图3所示，沿着+X方向配置子像素PxB1和子像素PxG。同样，沿着+X方向配置子像素PxR和子像素PxB2。并且，沿着+Y方向配置子像素PxB1和子像素PxR。同样，沿着+Y方向配置子像素PxG和子像素PxB2。子像素PxB1和从子像素PxB1观察时位于A方向的子像素PxB2在反射层52(参照图7)处连接。在本实施方式中，假设了如下情况：分别通过像素MPx所具有的发光元件3R、3G、3B1、3B2来形成朝向+Z方向射出光的发光区域HaR、HaG、HaB1、HaB2。发光区域Ha是像素电极31(参照图7)的区域中的被像素分离层34(参照图7)开口的区域。
从+Z方向俯视时的发光区域HaR、HaG、HaB1以及HaB2的形状为8边形。发光区域Ha的各边中的、从发光区域Ha的中心观察时位于C方向的第1边与从发光区域Ha的中心观察时位于A方向的第5边平行。并且，发光区域Ha的各边中的、从发光区域Ha的中心观察时位于-Y方向的第2边与从发光区域Ha的中心观察时位于+Y方向的第6边平行。并且，发光区域Ha的各边中的、从发光区域Ha的中心观察时位于D方向的第3边与从发光区域Ha的中心观察时位于B方向的第7边平行。并且，发光区域Ha的各边中的、从发光区域Ha的中心观察时位于+X方向的第4边与从发光区域Ha的中心观察时位于-X方向的第8边平行。
并且，子像素Px所具有的接触区域Ca位于从子像素Px所具有的发光区域Ha观察时的A方向。具体来说，子像素PxR所具有的接触区域CaR位于子像素PxR所具有的发光区域HaR的A方向。同样，子像素PxG所具有的接触区域CaG位于子像素PxG所具有的发光区域HaG的A方向。同样，子像素PxB1所具有的接触区域CaB1位于子像素PxB1所具有的发光区域HaB1的A方向。同样，子像素PxB2所具有的接触区域CaB2位于子像素PxB2所具有的发光区域HaB2的A方向。
图4是示出从+Z方向俯视本实施方式的显示部12的一部分时的、显示部12的概略结构的一例的俯视图。但是，为了使附图容易理解，图4所示的俯视图是将滤色器81去除而示出的。图4中的倾斜方向是相对于+X方向倾斜45度、并且相对于+Y方向倾斜-45度的A方向。
接触区域Ca沿着A方向排列。在接触区域CaB1内配置有触点7B1，在接触区域CaB2内配置有触点7B2。触点7B1和触点7B2经由接触电极71(参照图7)将像素电极31与反射层52(参照图7)电连接。
另一方面，在接触区域CaR中配置有反射层-势垒金属触点7aR和势垒金属-阳极触点7bR，其中，该反射层-势垒金属触点7aR将反射层52与接触电极71电连接，该势垒金属-阳极触点7bR将接触电极71与像素电极31电连接。同样，在接触区域CaG中配置有反射层-势垒金属触点7aG和势垒金属-阳极触点7bG。这里，对在接触区域CaR和接触区域CaG中具有两个触点7的理由进行说明。在子像素PxR上层叠有第1距离调整层57(参照图15)和第2距离调整层58(参照图15)，并且，在子像素PxG上层叠有第2距离调整层58。这样，由于存在距离调整层，所以在接触区域CaR和接触区域CaG内，在避开反射层-势垒金属触点7a的另一位置处形成势垒金属-阳极触点7b。
图5是示出从+Z方向俯视本实施方式的显示部12的一部分时的、显示部12的概略结构的一例的俯视图。图5所示的俯视图是在图3和图4所示的俯视图上加入了滤色器81的图。此外，为了使附图容易理解，图5所示的俯视图是将接触区域Ca去除而示出的。
滤色器81R形成为在发光元件3R的+Z侧从+Z方向俯视时与子像素PxR重叠。同样，滤色器81G形成为在发光元件3G的+Z侧从+Z方向俯视时与子像素PxG重叠。滤色器81B1形成为在发光元件3B1的+Z侧从+Z方向俯视时与子像素PxB1重叠。滤色器81B2形成为在发光元件3B2的+Z侧从+Z方向俯视时与子像素PxB2重叠。如图5所示，在本实施方式中，从+Z方向俯视时的滤色器81为矩形形状。并且，如图5所示，在本实施方式中，滤色器81彼此不重叠，但滤色器81彼此的一部分也可以重叠。并且，在X轴方向和Y轴方向中的任意方向上，从滤色器81的端部到与该滤色器81在上述任意方向上相邻的发光区域Ha的距离相同。
图6是示出从+Z方向俯视本实施方式的显示部12的一部分时的、显示部12的概略结构的一例的俯视图。图6所示的俯视图仅示出了像素MPx1～MPx4的滤色器81。
图7是将显示部12沿图5中的E0-E’0-e0线剖切后的局部剖视图的一例，包含触点7B1的截面。
如图7所示，显示部12具有元件基板5、保护基板9以及设置在元件基板5和保护基板9之间的粘接层90。另外，在本实施方式中，假设了电光装置1是从保护基板9侧(+Z侧)射出光的顶部发射方式的情况。
粘接层90是用于将元件基板5和保护基板9粘接在一起的透明的树脂层。粘接层90例如是使用环氧树脂之类的透明的树脂材料而形成的。
保护基板9是配置在粘接层90的+Z侧的透明的基板。保护基板9对滤色器81之类的、配置在比保护基板9靠-Z侧的部件进行保护。保护基板9例如是使用石英基板而形成的。
元件基板5具有基板50、形成于基板50的电路层49、层叠在电路层49上的层间绝缘层51、反射层52、反射加强层53、第1绝缘层54、第2绝缘层55、接触电极71、保护层72、发光层30、密封层60以及滤色器层8。在后面将进行详述，发光层30包含上述发光元件3(3R、3G、3B)。发光元件3沿+Z方向和-Z方向射出光。并且，滤色器层8包含上述滤色器81R、滤色器81G以及滤色器81B。
基板50是能够在基板50上安装各种布线和各种电路的基板即可。基板50例如可以采用硅基板、石英基板或玻璃基板等。在基板50的+Z侧形成有电路层49。
在电路层49中形成有扫描线13、数据线14等各种布线、以及驱动电路11和像素电路100等各种电路。在电路层49的+Z侧层叠有层间绝缘层51。
层间绝缘层51例如使用二氧化硅(SiO2)等绝缘材料。在层间绝缘层51的+Z侧层叠有反射层52。
反射层52是用于使从发光层30的发光元件3射出的光向+Z方向侧反射的构成要素。作为反射层52，例如，在钛(Ti)膜上形成铝(Al)与铜(Cu)的合金(AlCu)膜。反射层52是按照每个子像素Px单独形成为岛状的、具有反射性的导电层。
反射加强层53用于提高反射层52的反射特性，例如由具有光透过性的绝缘材料形成。反射加强层53被配置成覆盖在反射层52的面上。作为反射加强层53，例如，形成二氧化硅膜。
第1绝缘层54设置在反射加强层53的面上。这里，第1绝缘层54沿着设置于反射层52的间隙52CT形成。因此，第1绝缘层54具有与间隙52CT对应的凹部54a。埋入绝缘膜56形成为填充凹部54a。第2绝缘层55设置在第1绝缘层54的面上。作为第1绝缘层54和第2绝缘层55，例如，形成氮化硅(SiN)膜。
接触电极71层叠在反射层52和保护层72上，沿着间隙53CT形成。如图7所示，接触电极71沿着间隙53CT，从而形成触点7B1。接触电极71例如可以使用钨(W)、钛(Ti)、氮化钛(TiN)等导电材料。保护层72层叠在第2绝缘层55上。保护层72使用二氧化硅等绝缘材料。
第1距离调整层57和第2距离调整层58是用于按照每个子像素PxR、PxG、PxB来调整发光层30的发光元件3与反射层52之间的光学距离的、绝缘性的透明层。在本实施方式中，作为第1距离调整层57和第2距离调整层58，形成二氧化硅膜。在子像素PxB中未层叠第1距离调整层57和第2距离调整层58。并且，在子像素PxG中仅层叠第2距离调整层58，未层叠第1距离调整层57。因此，第1距离调整层57在图7中未图示。
发光层30具有：像素电极31；像素分离层34；发光功能层32，其以覆盖像素电极31和像素分离层34的方式层叠；以及对置电极33，其层叠在发光功能层32上。
像素电极31是按照每个子像素Px单独形成为岛状的、具有导电性的透明层。像素电极31层叠在第2绝缘层55、第1距离调整层57以及第2距离调整层58上。像素电极31是使用导电性的透明材料例如ITO(Indium Tin Oxide：氧化铟锡)而形成的。
对置电极33是以跨越多个子像素Px的方式配置的、具有光透过性和光反射性的导电性的构成要素。对置电极33例如是使用Mg和Ag的合金等而形成的。
像素分离层34是以覆盖各像素电极31的周缘部的方式配置的、绝缘性的构成要素。像素分离层34层叠在第2距离调整层58、第2绝缘层55以及像素电极31上。像素分离层34是使用绝缘性的材料例如二氧化硅等而形成的。
发光功能层32具有空穴注入层、空穴传输层、有机发光层以及电子传输层，以跨越多个子像素Px的方式配置。
如上述那样，从像素电极31中的未被像素分离层34覆盖的部分向发光功能层32供给空穴，使发光功能层32发出白色光。
并且，在俯视时的情况下，像素分离层34被配置成将显示部12所具有的多个像素Px互相隔开。另外，从发光元件3射出的白色光是指包含红色光、绿色光和蓝色光的光。
另外，在本实施方式中，在从+Z方向俯视时，将包含发光区域Ha和接触区域Ca的区域中所包含的构造物看作是子像素Px。
在本实施方式中，对第1距离调整层57和第2距离调整层58的膜厚进行调整，使得通过反射层52和对置电极33来形成光学共振构造。并且，从发光功能层32射出的光在反射层52与对置电极33之间反复反射，波长与反射层52和对置电极33之间的光学距离对应的光的强度被增强，该增强后的光经由对置电极33～保护基板9向+Z侧射出。
在本实施方式中，作为一例，按照每个子像素Px设定第1距离调整层57和第2距离调整层58的膜厚，使得在子像素PxR中，波长为610nm的光的强度被增强，在子像素PxG中，波长为540nm的光的强度被增强，在子像素PxB中，波长为470nm的光的强度被增强。因此，在本实施方式中，从子像素PxR射出波长为610nm的光的亮度最大的红色光，从子像素PxG射出波长为540nm的光的亮度最大的绿色光，从子像素PxB射出波长为470nm的光的亮度最大的蓝色光。
密封层60具有：下侧密封层61，其层叠在对置电极33上；平坦化层62，其层叠在下侧密封层61上；以及上侧密封层63，其层叠在平坦化层62上。
下侧密封层61和上侧密封层63是以跨越多个子像素Px的方式配置的、具有绝缘性的透明层。下侧密封层61和上侧密封层63是用于抑制水分、氧气等向发光层30侵入的构成要素。作为下侧密封层61和上侧密封层63，例如，形成氧氮化硅(SiON)膜。
平坦化层62是以跨越多个子像素Px的方式配置的透明层，是用于提供平坦的上表面(+Z侧的面)的构成要素。平坦化层62例如是使用环氧树脂之类的无机材料而形成的。
滤色器层8包含滤色器81R、81G、81B1和81B2。滤色器81R、81G、81B1和81B2形成在上侧密封层63上。
滤色器81R、81G、81B1和81B2例如是通过涂布感光性树脂并进行图案加工而形成的，其中，在该感光性树脂中包含使红、绿、蓝的不同颜色的光透过的颜料。
图8是将显示部12沿图5中的E1-e1线剖切后的局部剖视图的一例，包含触点7B1的截面。在图8中，对在图7中说明的部位省略说明。
在图7中描绘了间隙52CT，但由于子像素PxB1和PxB2在反射层52处连接，所以在沿图5中的E1-e1线剖切后的部分中没有描绘间隙52CT。因此，间隙52CT在图8中未图示。并且，关于子像素PxB，由于未层叠第1距离调整层57和第2距离调整层58，所以在图8中未图示。
A.3.本实施方式的效果
如图3所示，在从+Z方向俯视时，接触区域Ca与划分出发光区域Ha的边界线的交点重叠。边界线是对发光区域Ha进行均匀划分的线。在图3中示出了X轴方向的边界线HL1和HL2、以及Y轴方向的边界线VL1和VL2。如图3所示，像素MPx1所包含的接触区域CaB1与边界线VL1和HL1的交点P11重叠。同样，像素MPx1所包含的接触区域CaG与边界线VL2和HL1的交点P21重叠。同样，像素MPx1所包含的接触区域CaR与边界线VL1和HL2的交点P12重叠。同样，像素MPx1所包含的接触区域CaB2与边界线VL2和HL2的交点P22重叠。例如，由于交点P11位于远离发光区域HaR、HaG、HaB1、HaB2的中心的位置，所以能够抑制发光区域HaR、HaG、HaB1、HaB2减小。此外，通过将接触区域Ca配置成与划分出发光区域Ha的边界线的交点重叠，能够使用相邻的其他子像素Px的一部分区域来配置接触区域Ca。并且，使用某个子像素Px的一部分区域和相邻的其他子像素Px的一部分区域来配置某个子像素Px的接触区域Ca是指以跨越边界线的方式配置接触区域Ca。以上，能够在子像素间以均等的间隔配置接触区域Ca，发光区域的间隔也保持恒定。在本实施方式中，如图3所示，发光区域Ha为将四边形的各顶点切去后的8边形形状。并且，如图3所示，在被切去的部分配置有接触区域Ca。如图3所示，能够在子像素Px间以均等的间隔配置接触区域Ca，发光区域Ha的间隔也保持恒定。通过使发光区域Ha的间隔保持恒定，能够抑制因视角引起的颜色变化的偏差。这样，能够在抑制发光区域Ha减小的同时，抑制因视角引起的颜色变化的偏差。通过抑制因视角引起的颜色变化的偏差，能够抑制显示图像的品质降低。
这里，视角是指从子像素Px所具有的发光区域Ha射出的光(即，透过上述子像素Px所具有的滤色器81和保护基板9的光)的行进方向与Z轴方向所成的角度的最大值。以下，有时将从+Z方向俯视时的上述光的方向称为上述方向的视角。例如，在上述光包含在XZ平面内的情况下，在从+Z方向俯视时，上述光的方向为X轴方向，因此有时将该视角称为“X轴方向的视角”。同样，在上述光包含在YZ平面内的情况下，在从+Z方向俯视时，上述光的方向为Y轴方向，因此有时将该视角称为“Y轴方向的视角”。
关于X轴方向的视角，如图3所示，像素MPx1中的发光区域HaB1和发光区域HaG之间的距离dx12、与像素MPx1的发光区域HaG和相对于像素MPx1在+X方向上排列的像素MPx2的发光区域HaB1之间的距离dx34大致相等。这里，关于距离dx12与距离dx34大致相等的情况，例如，只要距离dx12与距离dx34之间的差分为规定的阈值以下，则假设距离dx12与距离dx34大致相等。规定的阈值例如是发光区域Ha的宽度的10％。如图3所示，距离dx12是像素MPx1中的发光区域HaB1的位于+X方向的顶点Apx1、与像素MPx1中的发光区域HaG的位于-X方向的顶点Apx2之间的最短距离。同样，距离dx34是像素MPx1中的发光区域HaG的位于+X方向的顶点Apx3与像素MPx2中的发光区域HaB1的位于-X方向的顶点Apx4之间的最短距离。另外，发光区域Ha彼此的距离并不限于从发光区域Ha的顶点起的最短距离，也可以是发光区域Ha的中心彼此的最短距离。
同样，像素MPx1中的发光区域HaR和发光区域HaB2之间的距离dx56、与像素MPx1的发光区域HaB2和像素MPx2中的发光区域HaR之间的距离dx78大致相等。换言之，沿着X轴方向的发光区域Ha彼此的距离恒定。
通过使距离dx12与距离dx34大致相等，将像素MPx1中的发光元件3G的滤色器81G的-X方向的端部和顶点Apx1连接起来的直线与X轴方向所成的角度、与将像素MPx2中的发光元件3B1的滤色器81B的-X方向的端部和顶点Apx3连接起来的直线与X轴方向所成的角度大致相等。距离dx12与距离dx34的关系在距离dx56与距离dx78中也同样成立。因此，在视角与上述两个角度大致相等情况下，同时产生从像素MPx1的发光区域HaB1射出的光的颜色变化、和从像素MPx1的发光区域HaG射出的光的颜色变化。这样，由于在沿X轴方向相邻的发光区域Ha中产生颜色变化的角度大致相等，所以能够抑制因沿着X轴方向配置的发光区域Ha之间的距离的偏差而产生的、基于X轴方向的视角的颜色变化的偏差。
关于Y轴方向的视角，如图3所示，像素MPx1中的发光区域HaB1和发光区域HaR之间的距离dy12、与像素MPx1的发光区域HaR和相对于像素MPx1在+Y方向上排列的像素MPx3中的发光区域HaB1之间的距离dy34大致相等。这里，关于距离dy12与距离dy34大致相等，例如，只要距离dy12与距离dy34之间的差分为规定的阈值以下，则假设距离dy12与距离dy34大致相等。规定的阈值例如是发光区域Ha的高度的10％。如图3所示，距离dy12是像素MPx1中的发光区域HaB1的位于+Y方向的顶点Apy1与像素MPx1中的发光区域HaR的位于-Y方向的顶点Apy2之间的最短距离。同样，距离dy34是像素MPx1中的发光区域HaR的位于+Y方向的顶点Apy3与像素MPx3中的发光区域HaB1的位于-Y方向的顶点Apy4之间的最短距离。
同样，像素MPx1中的发光区域HaG和发光区域HaB2之间的距离dy56、与像素MPx1的发光区域HaB2和像素MPx3的发光区域HaG之间的距离dy78大致相等。换言之，沿着Y轴方向的发光区域Ha彼此的距离恒定。
通过使距离dy12与距离dy34大致相等并且使距离dy56与距离dy78大致相等，与X轴方向同样，能够抑制因沿着Y轴方向配置的发光区域Ha之间的距离偏差而产生的、基于Y轴方向的视角的颜色变化的偏差。
并且，关于X轴方向的视角，如图6所示，某个子像素Px的颜色与相对于上述某个子像素沿+X方向配置的子像素的颜色之间的关系是根据上述某个子像素的颜色而唯一确定的。具体来说，与像素MPx1～MPx4各自的子像素PxR在+X方向上相邻的滤色器81为滤色器81B。同样，与像素MPx1～MPx4各自的子像素PxG在+X方向上相邻的滤色器81为滤色器81B。与像素MPx1～MPx4各自的子像素PxB在+X方向上相邻的滤色器81为滤色器81R或81G。并且，滤色器81R彼此相邻的比例与滤色器81G彼此相邻的比例相同。因此，在+X方向上，在因某个视角而产生颜色变化时，在同一颜色的子像素Px中产生唯一确定的颜色变化，因此能够抑制因位于+X方向的滤色器81的颜色偏差而产生的、基于视角的颜色变化的偏差。-X方向也与+X方向同样。
并且，关于与Y轴方向的视角对应的颜色变化，如图6所示，某个子像素Px的颜色与相对于上述某个子像素沿着+Y方向配置的子像素的颜色之间的关系是根据上述某个子像素的颜色而唯一确定的。具体来说，与像素MPx1～MPx4各自的子像素PxR在+Y方向上相邻的滤色器81为滤色器81B。同样，与像素MPx1～MPx4各自的子像素PxG在+Y方向上相邻的滤色器81为滤色器81B。与像素MPx1～MPx4各自的子像素PxB在+Y方向上相邻的滤色器81为滤色器81R或81G。并且，滤色器81R彼此相邻的比例与滤色器81G彼此相邻的比例相同。因此，在+Y方向上，在因某个视角而产生颜色变化时，在同一颜色的子像素Px中产生唯一的颜色变化，因此能够抑制因位于+Y方向的滤色器81的颜色偏差而产生的、基于视角的颜色变化的偏差。-Y方向也与+Y方向同样。
此外，关于基于X轴方向的视角的颜色变化与基于Y轴方向的视角的颜色变化之间的关系，在子像素PxR和PxG的X轴方向和Y轴方向上相邻的滤色器81为滤色器81B。并且，在子像素PxB的X轴方向和Y轴方向上相邻的滤色器81为滤色器81R或81G。这样，在本实施方式中，由于在X轴方向上相邻的颜色配置与在Y轴方向上相邻的颜色配置是相同的，所以能够使基于X轴方向的视角的颜色变化与基于Y轴方向的视角的颜色变化相同。
同样，关于基于A方向、B方向、C方向和D方向的颜色变化，某个子像素Px的颜色与相对于上述某个子像素沿着+Y方向配置的子像素的颜色之间的关系也是根据上述某个子像素的颜色而唯一确定的。因此，能够抑制在发光区域Ha中与在A方向、B方向、C方向和D方向的任意方向上相邻的滤色器81相关的颜色变化的偏差。
并且，如图4所示，接触区域Ca沿着相对于+X方向倾斜45度、并且相对于+Y方向倾斜-45度的A方向排列。此外，通过在接触区域CaR和CaG配置两个触点7，使两个触点7集中在1个部位，因此两个触点7间的距离变短，能够容易地进行布线。并且，通过使两个触点7集中在1个部位，能够使接触区域Ca变窄，能够确保发光区域Ha更宽。
并且，关于A方向的视角，如图4所示，子像素Px的发光区域Ha与相对于上述子像素Px沿着A方向配置的子像素Px的发光区域Ha之间的距离恒定。例如，相对于像素MPx1中的子像素PxB1沿着A方向配置像素MPx1中的子像素PxB2。并且，相对于像素MPx1中的子像素PxB2沿着A方向配置像素MPx4中的子像素PxB1。像素MPx4是相对于像素MPx1在A方向上排列配置的像素。
并且，关于距离恒定，像素MPx1的发光区域HaB1和像素MPx1的发光区域HaB2之间的距离dxy12、与像素MPx1的发光区域HaB2和像素MPx4的发光区域HaB1之间的距离dxy34大致相等。如图4所示，距离dx12是像素MPx1中的发光区域HaB1的位于A方向的顶点Apxy1与像素MPx1中的发光区域HaB2的位于C方向的顶点Apxy2之间的最短距离。同样，如图4所示，距离dx34是像素MPx1中的发光区域HaB2的位于A方向的顶点Apxy3与像素MPx4中的发光区域HaB1的位于C方向的顶点Apxy4之间的最短距离。
通过使距离dxy12与距离dxy34大致相等，与X轴方向和Y轴方向同样，能够抑制因沿着A方向和C方向配置的发光区域Ha之间的距离的偏差而产生的、基于视角的颜色变化的偏差。
另外，在本实施方式中，+X方向是“第1方向”的一例，+Y方向是“第2方向”的一例。并且，子像素PxB1是“第1子像素”的一例，子像素PxG是“第2子像素”的一例。并且，子像素PxR是“第4子像素”的一例，子像素PxB2是“第3子像素”的一例。
另外，在本实施方式中，45度是“第1角度”的例子，-45度是“第2角度”的例子。并且，A方向是“第3方向”的例子。并且，接触电极是“中间电极”的例子。并且，反射层52是“反射电极”的例子。并且，反射层-势垒金属触点7a是“第1触点”的例子。并且，势垒金属-阳极触点7b是“第2触点”的例子。
B.变形例
以上的各方式可以以各种方式变形。以下例示了具体的变形方式。从以下的例示中任意选择的两种以上的方式可以在不相互矛盾的范围内适当合并。另外，关于在以下所例示的变形例中作用和功能与实施方式相同的要素，使用在以上的说明中所参照的标号，适当地省略各要素的详细说明。
B.1.第1变形例
图9是示出从+Z方向俯视第1变形例的显示部12的一部分时的、显示部12的概略结构的一例的俯视图。但是，为了使附图容易理解，图9所示的俯视图是将滤色器81和接触区域Ca去除而示出的。另外，在第1变形例中，在从+Z方向俯视时，将包含发光区域Ha和接触区域Ca的区域中所包含的构造物看作是子像素Px。
在本实施方式中，子像素PxB1和PxB2在反射层52处连接。另一方面，在第1变形例中，子像素PxB1与PxB2不连接，是分离的。要想使用3像素电路来驱动第1变形例的子像素PxR、PxG、PxB1和PxB2，需要将分离的一方的子像素PxB在电路层49内与另一方的子像素PxB的像素电路100连接。
图10是示出从+Z方向俯视第1变形例的显示部12的一部分时的、显示部12的概略结构的一例的俯视图。图10所示的俯视图是在图9所示的俯视图中加入了滤色器81的图。但是，为了使附图容易理解，图10所示的俯视图是将接触区域Ca去除而示出的。
如图10所示，第1变形例的滤色器81的配置位置与本实施方式的滤色器81的配置位置相同。因此，基于X轴方向的视角的颜色变化的特性和基于Y轴方向的视角的颜色变化的特性与本实施方式的特性相同。
B.2.第2变形例
图11是示出从+Z方向俯视第2变形例的显示部12的一部分时的、显示部12的概略结构的一例的俯视图。但是，为了使附图容易理解，图11所示的俯视图是将滤色器81和接触区域Ca去除而示出的。另外，在第2变形例中，在从+Z方向俯视时，将包含发光区域Ha和接触区域Ca的区域中所包含的构造物看作是子像素Px。
在第2变形例中，子像素PxB1和子像素PxB2沿着+X方向配置。同样，子像素PxR和子像素PxG沿着+X方向配置。并且，子像素PxB1和子像素PxR沿着+Y方向配置。同样，子像素PxB2和子像素PxG沿着+Y方向配置。子像素PxB1与从子像素PxB1观察时位于+X方向的子像素PxB2在反射层52处连接。这样，第2变形例的子像素Px的配置是从本实施方式的子像素Px的配置将子像素PxB2与子像素PxG交换后的位置。
另外，在第2变形例中，子像素PxB1是“第1子像素”的一例，子像素PxB2是“第2子像素”的一例。并且，子像素PxR是“第4子像素”的一例，子像素PxG是“第3子像素”的一例。
图12是示出从+Z方向俯视第2变形例的显示部12的一部分时的、显示部12的概略结构的一例的俯视图。图12所示的俯视图是对图11所示的俯视图加入了滤色器81的图。但是，为了使附图容易理解，图12所示的俯视图是将接触区域Ca去除而示出的。
滤色器81R形成为在发光区域HaR的+Z侧从+Z方向俯视时与子像素PxR重叠。同样，滤色器81G形成为在发光区域HaG的+Z侧从+Z方向俯视时与子像素PxG重叠。滤色器81B形成为在发光区域HaB1和HaB2的+Z侧从+Z方向俯视时与子像素PxB1和PxB2重叠。滤色器81B是在沿着X轴方向配置的各子像素PxB中通用的滤色器。
图13是示出从+Z方向俯视第2变形例的显示部12的一部分时的、显示部12的概略结构的一例的俯视图。图13所示的俯视图仅示出了第2变形例的像素MPx1～MPx4的滤色器81。
关于与X轴方向的视角对应的颜色变化，在第2变形例中，某个子像素Px的颜色与相对于上述某个子像素沿着X轴方向配置的子像素的颜色之间的关系也是根据上述某个子像素的颜色而唯一确定的。具体来说，与像素MPx1～MPx4各自的子像素PxR在+X方向上相邻的滤色器81为滤色器81G。同样，与像素MPx1～MPx4各自的子像素PxG在+X方向上相邻的滤色器81为滤色器81R。与像素MPx1～MPx4各自的子像素PxB在+X方向上相邻的滤色器81为滤色器81B。因此，基于+X方向的视角的颜色变化相同。-X方向也与+X方向同样。
关于与Y轴方向的视角对应的颜色变化，在第2变形例中，某个子像素Px的颜色与相对于上述某个子像素沿着X轴方向配置的子像素的颜色之间的关系也是根据上述某个子像素的颜色而唯一确定的。具体来说，与像素MPx1～MPx4各自的子像素PxR在+Y方向上相邻的滤色器81为滤色器81B。同样，与像素MPx1～MPx4各自的子像素PxG在+Y方向上相邻的滤色器81为滤色器81B。与像素MPx1～MPx4各自的子像素PxB在+Y方向上相邻的滤色器81为滤色器81R或81G。因此，基于+Y方向的视角的颜色变化相同。-Y方向也与+Y方向同样。
关于与X轴方向的视角对应的颜色变化和与Y轴方向的视角对应的颜色变化之间的关系，与子像素PxR相邻的滤色器81在X轴方向上是滤色器81G，与此相对，在Y轴方向上是滤色器81B。这样，在第2变形例中，基于X轴方向的视角的颜色变化和基于Y轴方向的视角的颜色变化不同。
图14是将第2变形例的显示部12沿图12中的E2-e2线剖切后的局部剖视图的一例，包含发光元件3B1的截面、触点7B1的截面以及发光元件3G的截面。在图14中，由于只有在图7和图8中说明的部位，所以省略了说明。
图15是将第2变形例的显示部12沿图12中的E3-e3线剖切后的局部剖视图的一例，包含发光元件3R的截面、势垒金属-阳极触点7bR的截面、反射层-势垒金属触点7aR的截面以及发光元件3B2。在图15中，对在图7和图8中说明的部位省略了说明。
接触电极71层叠在反射层52和保护层72上，沿着间隙53CT形成。如图15所示，接触电极71沿着间隙53CT，从而形成反射层-势垒金属触点7aR。并且，像素电极31层叠在接触电极71和第2距离调整层58上，沿着间隙58CT形成。如图15所示，像素电极31沿着间隙58CT，从而形成势垒金属-阳极触点7bR。
图16是将第2变形例的显示部12沿图12中的E4-e4线剖切后的局部剖视图的一例，包含发光元件3G的截面、势垒金属-阳极触点7bG的截面、反射层-势垒金属触点7aG的截面以及发光元件3B1的截面。在图16中，对与在图7、图8、图14和图15中说明的部位省略说明。
接触电极71层叠在反射层52和保护层72上，沿着间隙53CT形成。如图16所示，接触电极71沿着间隙53CT，从而形成反射层-势垒金属触点7aG。并且，像素电极31层叠在接触电极71和第2距离调整层58上，沿着间隙58CT形成。如图16所示，像素电极31沿着间隙58CT，从而形成势垒金属-阳极触点7bG。
B.3.第3变形例
图17是示出从+Z方向俯视第3变形例的显示部12的一部分时的、显示部12的概略结构的一例的俯视图。但是，为了使附图容易理解，图17所示的俯视图是将滤色器81去除而示出的。在图17中示出了形成某个像素MPx1的子像素PxR、子像素PxG、子像素PxB1以及子像素PxB2。另外，在第3变形例中，在从+Z方向俯视时，将发光区域Ha所包含的构造物看作是子像素Px。
第3变形例的各个子像素Px的配置关系与本实施方式相同。并且，第3变形例的各个子像素Px为矩形形状。并且，在第3变形例的发光区域Ha的内侧配置有第3变形例的接触区域Ca。这样，由于在发光区域Ha的内侧配置接触区域Ca，从而不在发光区域Ha的外侧配置接触区域Ca，所以能够防止发光区域Ha彼此的间隔因接触区域Ca的存在而产生偏差。因此，能够抑制因视角引起的颜色变化的偏差。
关于第3变形例的X轴方向的视角，像素MPx1中的发光区域HaB1和发光区域HaG之间的距离、与像素MPx1的发光区域HaG和相对于像素MPx1在+X方向上排列的像素MPx中的发光区域HaB1之间的距离大致相等。因此，在第3变形例中也与本实施方式同样，能够抑制X轴方向的视角下的、因发光区域Ha之间的距离偏差而产生的基于视角的颜色变化的偏差。同样，像素MPx1中的发光区域HaB1和发光区域HaR之间的距离、与像素MPx1的发光区域HaG和相对于像素MPx1在+Y方向上排列的像素MPx中的发光区域HaB1之间的距离大致相等。因此，在第3变形例中也与本实施方式同样，能够抑制Y轴方向的视角下的、因发光区域Ha之间的距离的偏差而产生的颜色变化的偏差。
并且，第3变形例的各个子像素Px的配置关系与本实施方式相同。因此，能够抑制因在X轴方向上相邻的滤色器81的颜色偏差而产生的、基于X轴方向的视角的颜色变化的偏差、以及因在Y轴方向上相邻的滤色器81的颜色偏差而产生的、基于Y轴方向的视角的颜色变化的偏差。
并且，如图17所示，第3变形例的接触区域Ca沿着+Y方向排列。即，接触区域Ca所排列的方向是相对于+X方向倾斜90度、并且相对于+Y方向倾斜0度的方向。此外，通过在1个接触区域Ca配置两个触点7，与本实施方式同样，使两个触点7集中在1个部位，因此两个触点间的距离变短，能够容易地进行布线。
并且，第3变形例与本实施方式同样，关于A方向的视角，子像素Px的发光区域Ha与相对于上述子像素Px沿着A方向配置的子像素Px的发光区域Ha之间的距离恒定。因此，能够抑制A方向和C方向的视角下的、与发光区域Ha之间的距离相关的颜色变化的偏差。
另外，在第3变形例中，90度是“第1角度”的例子，0度是“第2角度”的例子。并且，+Y方向是“第3方向”的例子。
图18是将第3变形例的显示部12沿图17中的E5-E6-E7线剖切后的局部剖视图的一例，包含发光元件3B2的截面、发光元件3R的截面、反射层-势垒金属触点7aR的截面、势垒金属-阳极触点7bR的截面以及发光元件3B1的截面。如图17所示，发光区域Ha是像素电极31的区域中的被像素分离层34开口的区域。在图18中，由于只有在图7、图8、图14和图15中说明的部位，所以省略了说明。
另外，第3变形例的滤色器81的配置位置由于与本实施方式的滤色器81的配置位置相同，所以省略了图示。
B.4.第4变形例
图19是示出从+Z方向俯视第4变形例的显示部12的一部分时的、显示部12的概略结构的一例的俯视图。但是，为了使附图容易理解，图19所示的俯视图是将滤色器81去除而示出的。在图19中示出了形成某个像素MPx1的子像素PxR、子像素PxG、子像素PxB1以及子像素PxB2。另外，在第4变形例中，与第3变形例同样，在从+Z方向俯视时，将发光区域Ha所包含的构造物看作是子像素Px。
第4变形例的各个子像素Px的配置关系与第2变形例相同。并且，子像素PxB1和PxB2在反射层52和像素电极31处连接。并且，第4变形例的各个子像素Px与第3变形例同样是矩形形状。并且，与第3变形例同样，在第4变形例的发光区域Ha的内侧配置第4变形例的接触区域Ca。
另外，第4变形例的滤色器81的配置位置由于与第2变形例的滤色器81的配置位置相同，所以省略了图示。
B.5.第5变形例
图20是示出从+Z方向俯视第5变形例的显示部12的一部分时的、显示部12的概略结构的一例的俯视图。但是，为了使附图容易理解，图20所示的俯视图是将接触区域Ca去除而示出的。
在本实施方式中，滤色器81彼此不重叠。另一方面，在第5变形例中，滤色器81的一部分重叠。在图20中，除了滤色器81以外，都是与本实施方式相同的方式。即使在滤色器81的一部分重叠的情况下，在X轴方向和Y轴方向中的任意方向上，从滤色器81的端部到在上述任意方向上与该滤色器81相邻的发光区域Ha的距离相同。并且，滤色器81的一部分重叠的方式并不限于本实施方式，也可以应用在第1变形例、第2变形例、第3变形例以及第4变形例的任意变形例中。
B.6.其他变形例
在上述实施方式中，作为第1方向的例子的+X方向与作为第2方向的例子的+Y方向垂直，但第1方向与第2方向也可以简单地交叉。例如，即使子像素Px的排列是所谓的三角形排列也能够进行应用。并且，在从+Z方向俯视时，本实施方式、第1变形例以及第2变形例的发光区域Ha的形状为8边形，但并不限于8边形，也可以是圆形。并且，发光区域Ha的宽度和高度的值可以相同，也可以不同。
并且，在本实施方式、第1变形例和第3变形例中，沿着A方向配置子像素PxB，但也可以沿着D方向配置子像素PxB。并且，在第2变形例和第4变形例中，沿着X轴方向配置子像素PxB，但也可以沿着Y轴方向配置子像素PxB。
C.应用例
上述实施方式和变形例的电光装置1能够应用在各种电子设备中。以下，对本发明的电子设备进行说明。
图21是示出作为采用了本发明的电光装置1的电子设备的头戴显示器300的外观的立体图。如图21所示，头戴显示器300具有镜腿310、横梁320、投射光学系统301L以及投射光学系统301R。并且，在图21中，在投射光学系统301L的里面设置有左眼用的电光装置1(省略图示)，在投射光学系统301R的里面设置有右眼用的电光装置1(省略图示)。
图22是示出采用了电光装置1的可移动型的个人计算机400的立体图。个人计算机400具有：电光装置1，其显示各种图像；以及主体部403，其设置有电源开关401和键盘402。
另外，作为应用了本发明的电光装置1的电子设备，除了图21和图22所例示的设备之外，还可列举移动电话、智能手机、移动信息终端(PDA：Personal Digital Assistants：个人数字助理)、数码相机、电视、摄像机、汽车导航装置、车载用的显示器(仪表盘)、电子笔记本、电子纸、计算器、文字处理器、工作站、视频电话、POS终端等。此外，本发明的电光装置1可以作为设置于打印机、扫描仪、复印机以及视频播放器等电子设备的显示部来应用。

Claims (8)

1.一种电光装置，其特征在于，
该电光装置具有多个像素，该多个像素沿着第1方向和与所述第1方向交叉的第2方向排列，
所述多个像素各自具有：
第1子像素和第2子像素，它们沿着所述第1方向配置；以及
第4子像素和第3子像素，它们沿着所述第1方向配置，
所述第4子像素和所述第1子像素沿着所述第2方向配置，
所述第3子像素和所述第2子像素沿着所述第2方向配置，
所述多个像素各自具有与所述第1子像素、所述第2子像素、所述第3子像素以及所述第4子像素分别对应的滤色器，
所述第1子像素、所述第2子像素、所述第3子像素以及所述第4子像素各自具有：发光元件，其具有发光区域；供给电路，其输出供给到所述发光元件的电流；以及接触区域，在该接触区域中配置有将所述发光元件与所述供给电路电连接的触点，
所述接触区域与如下边界线的交点重叠，所述边界线对分别设置于所述第1子像素、所述第2子像素、所述第3子像素以及所述第4子像素的所述发光区域进行划分。
2.一种电光装置，其特征在于，
该电光装置具有多个像素，该多个像素沿着第1方向和与所述第1方向交叉的第2方向排列，
所述多个像素各自具有：
第1子像素和第2子像素，它们沿着所述第1方向配置；以及
第4子像素和第3子像素，它们沿着所述第1方向配置，
所述第4子像素和所述第1子像素沿着所述第2方向配置，
所述第3子像素和所述第2子像素沿着所述第2方向配置，
所述多个像素各自具有与所述第1子像素、所述第2子像素、所述第3子像素以及所述第4子像素分别对应的滤色器，
所述第1子像素、所述第2子像素、所述第3子像素以及所述第4子像素各自具有：发光元件，其具有发光区域；以及供给电路，其输出供给到所述发光元件的电流，
在所述发光区域的内侧具有接触区域，在该接触区域中配置有将所述供给电路与所述发光元件电连接的触点。
3.根据权利要求1或2所述的电光装置，其特征在于，
某个像素中的第1子像素的发光区域和第2子像素的发光区域之间的距离大致等于所述某个像素的第2子像素的发光区域和同该某个像素排列在所述第1方向上的像素中的第1子像素的发光区域之间的距离，
所述某个像素中的第4子像素的发光区域和第3子像素的发光区域之间的距离大致等于所述某个像素的第3子像素的发光区域和同该某个像素排列在所述第1方向上的像素中的第4子像素的发光区域之间的距离。
4.根据权利要求1～3中的任意一项所述的电光装置，其特征在于，
某个像素中的第1子像素的发光区域和第4子像素的发光区域之间的距离大致等于所述某个像素的第4子像素的发光区域和同该某个像素排列在所述第2方向上的像素中的第1子像素的发光区域之间的距离，
所述某个像素中的第2子像素的发光区域和第3子像素的发光区域之间的距离大致等于所述某个像素的第3子像素的发光区域和同该某个像素排列在所述第2方向上的像素中的第2子像素的发光区域之间的距离。
5.根据权利要求1～4中的任意一项所述的电光装置，其特征在于，
所述第1子像素、所述第2子像素、所述第3子像素以及所述第4子像素中的某个子像素的颜色、与相对于该某个子像素沿着所述第1方向配置的子像素的颜色之间的关系是根据所述某个子像素的颜色而唯一确定的。
6.根据权利要求1～5中的任意一项所述的电光装置，其特征在于，
所述第1子像素、所述第2子像素、所述第3子像素以及所述第4子像素中的某个子像素的颜色、与相对于该某个子像素沿着所述第2方向配置的子像素的颜色之间的关系是根据所述某个子像素的颜色而唯一确定的。
7.根据权利要求1～6中的任意一项所述的电光装置，其特征在于，
在将相对于所述第1方向按照第1角度倾斜、并且相对于所述第2方向按照第2角度倾斜的方向设为第3方向时，
所述接触区域沿着所述第3方向排列，
所述第1子像素、所述第2子像素、所述第3子像素以及所述第4子像素各自具有：反射电极，其与所述供给电路电连接；中间电极；以及像素电极，
在所述接触区域中配置有：
第1触点，其将所述反射电极与所述中间电极电连接；以及
第2触点，其将所述中间电极与所述像素电极电连接。
8.根据权利要求1～7中的任意一项所述的电光装置，其特征在于，
在将相对于所述第1方向按照第1角度倾斜、并且相对于所述第2方向按照第2角度倾斜的方向设为第3方向时，
所述第1子像素、所述第2子像素、所述第3子像素以及所述第4子像素中的某个子像素的发光区域、与相对于该某个子像素沿着所述第3方向配置的子像素的发光区域之间的距离恒定。
CN201810842387.3A 2017-07-31 2018-07-27 电光装置 Active CN109326627B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017-147405 2017-07-31
JP2017147405A JP6500945B2 (ja) 2017-07-31 2017-07-31 電気光学装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109326627A true CN109326627A (zh) 2019-02-12
CN109326627B CN109326627B (zh) 2023-12-05

Family

ID=65039056

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810842387.3A Active CN109326627B (zh) 2017-07-31 2018-07-27 电光装置

Country Status (4)

Country Link
US (2) US11659752B2 (zh)
JP (1) JP6500945B2 (zh)
CN (1) CN109326627B (zh)
TW (1) TWI770245B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111599938A (zh) * 2020-05-25 2020-08-28 合肥维信诺科技有限公司 显示面板和显示装置
CN113241014A (zh) * 2021-05-21 2021-08-10 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2020145148A1 (ja) * 2019-01-08 2021-11-18 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 表示装置
CN116648094A (zh) * 2019-12-18 2023-08-25 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示装置
JP6971438B2 (ja) 2020-01-29 2021-11-24 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
JP2021179491A (ja) * 2020-05-12 2021-11-18 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
JP2021179493A (ja) * 2020-05-12 2021-11-18 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007123065A (ja) * 2005-10-28 2007-05-17 Seiko Epson Corp 発光装置の製造方法及び電子機器
JP2007122969A (ja) * 2005-10-26 2007-05-17 Seiko Epson Corp 発光装置及び電子機器
CN101262726A (zh) * 2007-03-08 2008-09-10 精工爱普生株式会社 发光装置及其制造方法以及电子设备
US20160071910A1 (en) * 2014-09-10 2016-03-10 Japan Display Inc. Display device
JP2016170935A (ja) * 2015-03-12 2016-09-23 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の製造方法
US20160322437A1 (en) * 2015-04-30 2016-11-03 Japan Display Inc. Display device
JP2016210845A (ja) * 2015-04-30 2016-12-15 三菱瓦斯化学株式会社 ポリエステルアミドの製造方法
US20160380037A1 (en) * 2015-06-25 2016-12-29 Japan Display Inc. Display device

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4785386B2 (ja) * 2005-01-31 2011-10-05 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
TWI382079B (zh) 2004-07-30 2013-01-11 Sanyo Electric Co 有機電場發光元件及有機電場發光顯示裝置
JP4623138B2 (ja) 2008-05-21 2011-02-02 ソニー株式会社 表示装置および電子機器
KR101615332B1 (ko) * 2012-03-06 2016-04-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 화소 배열 구조
JP6207367B2 (ja) * 2013-12-05 2017-10-04 株式会社ジャパンディスプレイ 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2015232819A (ja) * 2014-06-10 2015-12-24 株式会社ジャパンディスプレイ センサ付き表示装置
KR101552902B1 (ko) * 2014-06-24 2015-09-15 엘지디스플레이 주식회사 곡면 액정표시장치
KR102281844B1 (ko) * 2015-01-02 2021-07-26 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
JP2016201216A (ja) * 2015-04-08 2016-12-01 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及び表示装置の製造方法
KR102508727B1 (ko) * 2015-11-19 2023-03-14 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
JP2017126005A (ja) * 2016-01-15 2017-07-20 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102602169B1 (ko) * 2016-07-11 2023-11-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP6707416B2 (ja) * 2016-07-29 2020-06-10 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102494541B1 (ko) * 2016-10-14 2023-02-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조방법
JP6930092B2 (ja) * 2016-11-17 2021-09-01 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び、電子機器
CN108376528B (zh) * 2017-02-01 2022-12-27 精工爱普生株式会社 电光装置、电子设备及头戴显示器
US11587988B2 (en) * 2019-08-27 2023-02-21 Boe Technology Group Co., Ltd. Preparation method of color film layer, display substrate and preparation method thereof

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007122969A (ja) * 2005-10-26 2007-05-17 Seiko Epson Corp 発光装置及び電子機器
JP2007123065A (ja) * 2005-10-28 2007-05-17 Seiko Epson Corp 発光装置の製造方法及び電子機器
CN101262726A (zh) * 2007-03-08 2008-09-10 精工爱普生株式会社 发光装置及其制造方法以及电子设备
US20160071910A1 (en) * 2014-09-10 2016-03-10 Japan Display Inc. Display device
JP2016170935A (ja) * 2015-03-12 2016-09-23 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の製造方法
US20160322437A1 (en) * 2015-04-30 2016-11-03 Japan Display Inc. Display device
JP2016210845A (ja) * 2015-04-30 2016-12-15 三菱瓦斯化学株式会社 ポリエステルアミドの製造方法
US20160380037A1 (en) * 2015-06-25 2016-12-29 Japan Display Inc. Display device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111599938A (zh) * 2020-05-25 2020-08-28 合肥维信诺科技有限公司 显示面板和显示装置
CN113241014A (zh) * 2021-05-21 2021-08-10 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
TWI770245B (zh) 2022-07-11
JP2019029188A (ja) 2019-02-21
CN109326627B (zh) 2023-12-05
US11659752B2 (en) 2023-05-23
JP6500945B2 (ja) 2019-04-17
US20190035862A1 (en) 2019-01-31
US20230247885A1 (en) 2023-08-03
US11925089B2 (en) 2024-03-05
TW201910883A (zh) 2019-03-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109326627A (zh) 电光装置
JP6746937B2 (ja) 電気光学装置、および電子機器
TWI601107B (zh) 光電裝置及附光電裝置之電子機器
US8766533B2 (en) Display device
CN107134255B (zh) 电光装置以及电子设备
CN103426400B (zh) 光电装置及电子设备
CN106653817A (zh) 透明oled显示面板
JP7059574B2 (ja) 電気光学装置、電子機器、ヘッドマウントディスプレイ
US10367035B2 (en) Electrooptical device, electronic apparatus, and head mount display
JP2019012621A (ja) 電気光学装置、および電子機器
CN107086238A (zh) 电光学装置以及电子设备
JP6930565B2 (ja) 電気光学装置
US10810924B2 (en) Electro-optical device and electronic apparatus
JP6844283B2 (ja) 電気光学装置、及び、電子機器
JP6620601B2 (ja) 電気光学装置、および電子機器
KR100614474B1 (ko) 전기 광학 장치, 액티브 매트릭스 기판 및 전자 기기
KR20180052056A (ko) 평판 표시 패널 및 이의 제조 방법
JP2019117941A (ja) 電気光学装置
US20220238844A1 (en) Electro-optical device and electronic apparatus
US20230110908A1 (en) Electro-optical device and electronic device
KR102337073B1 (ko) 전계발광표시장치
KR102618594B1 (ko) 표시장치 및 이의 제조방법
CN115938308A (zh) 电光装置和电子设备

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant