JP6844283B2 - 電気光学装置、及び、電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、電気光学装置、及び、電子機器に関する。

近年、有機ＥＬ（electro luminescent）素子等の発光素子を有する画素を用いて画像を表示する電気光学装置が、各種提案されている。このような電気光学装置では、一般的に、複数の画素から構成される画素ブロックにより１つの表示単位が形成される。例えば、特許文献１には、赤色を表示する画素と、緑色を表示する画素と、青色を表示する画素と、からなる画素ブロックにより１つの表示単位を形成することで、フルカラーの画像を表示可能とする電気光学装置が開示されている。

特開２００６−１２０４７７号公報

ところで、電気光学装置に設けられる画素は、発光素子に電流を供給するための供給回路と、発光素子と、供給回路及び発光素子を電気的に接続するためのコンタクトと、を備える。そして、一般的に、供給回路が形成される基板に垂直な方向から見た場合、発光素子は、コンタクトが設けられる領域とは異なる領域に設けられる。よって、一般的に、電気光学装置に設けられる画素ブロックには、当該画素ブロックが備える複数の発光素子を含む発光領域と、当該画素ブロックが備える複数のコンタクトを含む非発光領域（コンタクト領域）と、が含まれる。このため、特許文献１のように、画素ブロックにおいて、非発光領域が発光領域の中央付近に設けられる場合には、当該画素ブロックにより実現される１つの表示単位の中に非発光領域が存在することに起因して、電気光学装置の表示品質が低下する可能性が存在した。

本発明は、上述した事情を鑑みてなされたものであり、画素ブロックの中に非発光領域が存在することに起因する表示品質の低下を抑制する技術の提供を、解決課題の一つとする。

以上の課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置は、第１の発光素子、前記第１の発光素子に電流を供給する第１の供給回路、並びに、前記第１の発光素子及び前記第１の供給回路を電気的に接続する第１のコンタクト、を具備する第１の画素と、第２の発光素子、前記第２の発光素子に電流を供給する第２の供給回路、並びに、前記第２の発光素子及び前記第２の供給回路を電気的に接続する第２のコンタクト、を具備する第２の画素と、前記第１の供給回路及び前記第２の供給回路が形成された基板と、を備え、前記基板に垂直な方向から見た場合に、前記第１発光素子及び前記第２発光素子を含む発光領域は、前記第１コンタクト及び前記第２コンタクトの間に位置する、ことを特徴とする。

本発明によれば、第１コンタクト及び第２コンタクトが発光領域の外周よりも外側に設けられるため、第１コンタクトまたは第２コンタクトが発光領域の外周よりも内側に設けられる場合と比較して、電気光学装置の表示品質を高くすることが可能となる。

上述した電気光学装置は、第１の画素ブロックと、前記第１の画素ブロックに隣り合う第２の画素ブロックと、を備え、前記第１の画素ブロックは、前記第１の画素と、前記第２の画素と、第３の発光素子、前記第３の発光素子に電流を供給する第３の供給回路、並びに、前記第３の発光素子及び前記第３の供給回路を電気的に接続する第３のコンタクト、を具備する第３の画素と、を備え、前記第２の画素ブロックは、第４の発光素子、前記第４の発光素子に電流を供給する第４の供給回路、並びに、前記第４の発光素子及び前記第４の供給回路を電気的に接続する第４のコンタクト、を具備する第４の画素を備え、前記基板に垂直な方向から見た場合に、前記発光領域は、前記第３の発光素子を含み、前記第１のコンタクト、前記第３のコンタクト、及び、前記第４のコンタクトを含むコンタクト領域と、前記第２のコンタクトとの間に位置する、ことを特徴としてもよい。

この態様によれば、コンタクト領域が発光領域の外周よりも外側に設けられるため、コンタクト領域が発光領域の外周よりも内側に設けられる場合と比較して、電気光学装置の表示品質を高くすることが可能となる。

上述した電気光学装置において、前記第１のコンタクトは、前記第３のコンタクトから見て第１の方向に位置し、前記第４のコンタクトは、前記第２のコンタクトから見て前記第１の方向に交差する第２の方向に位置し、且つ、前記第１のコンタクト及び前記第３のコンタクトの間に位置する、ことを特徴としてもよい。

この態様によれば、第１のコンタクト、第３のコンタクト、及び、第４のコンタクトが直線状に配置されるため、第１のコンタクト、第３のコンタクト、及び、第４のコンタクトが直線状に並ばない場合と比較して、発光領域の面積を大きくすることが可能となり、電気光学装置の表示する画像の輝度を高くすることができる。

上述した電気光学装置において、前記基板に垂直な方向から見た場合に、前記第３の発光素子は、前記第１の発光素子よりも大きく、且つ、前記第２の発光素子よりも大きい、ことを特徴としてもよい。

この態様によれば、第１の画素、第２の画素、及び、第３の画素が、互いに異なる色を表示する場合に、視感度の低い色を表示する画素の面積を、視感度の高い色を表示する画素の面積よりも大きくすることができ、電気光学装置が、正確な色を表示することが可能となる。

上述した電気光学装置において、前記第１の発光素子は、共通電極と、第１の画素電極、並びに、前記共通電極及び前記第１の画素電極の間に設けられた発光機能層を備え、前記第１の供給回路は、前記第１の発光素子に電流を供給するための第１のトランジスター、及び、前記第１のトランジスターのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され前記第１の発光素子から出射される光を反射するための第１の反射電極を備え、前記第１のコンタクトは、前記第１の画素電極と前記第１の反射電極とを電気的に接続し、前記第２の発光素子は、前記共通電極、第２の画素電極、並びに、前記共通電極及び前記第２の画素電極の間に設けられた発光機能層を備え、前記第２の供給回路は、前記第２の発光素子に電流を供給するための第２のトランジスター、及び、前記第２のトランジスターのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、前記第２の発光素子から出射される光を反射するための第２の反射電極を備え、前記第２のコンタクトは、前記第２の画素電極と前記第２の反射電極とを電気的に接続する、ことを特徴としてもよい。

この態様によれば、画素が反射電極を備えるため、発光素子から出射される光の輝度を高くすることが可能となる。

また、本発明は、電気光学装置のほか、当該電気光学装置を備える電子機器として概念することも可能である。電子機器としては、典型的にはヘッドマウント・ディスプレイ（ＨＭＤ）や電子ビューファイダーのなどの表示装置が挙げられる。

本発明の実施形態に係る電気光学装置１の構成の一例を示すブロック図である。 画素Ｐxの構成の一例を示す等価回路図である。 表示部１２の構成の一例を示す平面図である。 表示部１２の構成の一例を示す部分断面図である。 変形例１に係る画素Ｐxの構成の一例を示す等価回路図である。 本発明に係るヘッドマウントディスプレイ３００の斜視図である。 本発明に係るパーソナルコンピューター４００の斜視図である。

以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。ただし、各図において、各部の寸法及び縮尺は、実際のものと適宜に異ならせてある。また、以下に述べる実施の形態は、本発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。

＜＜Ａ．実施形態＞＞
以下、本実施形態に係る電気光学装置１を説明する。

＜＜１．電気光学装置の概要＞＞
図１は、本実施形態に係る電気光学装置１の構成の一例を示すブロック図である。
図１に例示するように、電気光学装置１は、複数の画素Ｐxを有する表示パネル１０と、表示パネル１０の動作を制御する制御回路２０とを備える。

制御回路２０には、図示省略された上位装置より、デジタルの画像データＶideoが同期信号に同期して供給される。ここで、画像データＶideoとは、表示パネル１０の各画素Ｐxが表示すべき階調レベルを規定するデジタルデータである。また、同期信号とは、垂直同期信号、水平同期信号、及び、ドットクロック信号等を含む信号である。
制御回路２０は、同期信号に基づいて、表示パネル１０の動作を制御するための制御信号Ｃtrを生成し、生成した制御信号Ｃtrを表示パネル１０に対して供給する。また、制御回路２０は、画像データＶideoに基づいて、アナログの画像信号Ｖidを生成し、生成した画像信号Ｖidを表示パネル１０に対して供給する。ここで、画像信号Ｖidとは、各画素Ｐxが画像データＶideoの指定する階調を表示するように、当該画素Ｐxが備える発光素子の輝度を規定する信号である。

図１に例示するように、表示パネル１０は、＋Ｘ方向に延在するＭ本の走査線１３と、＋Ｙ方向に延在する３Ｎ本のデータ線１４と、Ｍ本の走査線１３と３Ｎ本のデータ線１４との交差に対応して配列された「Ｍ×３Ｎ」個の画素Ｐxを有する表示部１２と、表示部１２を駆動する駆動回路１１と、を備える（Ｍは１以上の自然数。Ｎは１以上の自然数）。
以下では、複数の画素Ｐx、複数の走査線１３、及び、複数のデータ線１４を互いに区別するために、＋Ｙ方向から−Ｙ方向（以下、＋Ｙ方向及び−Ｙ方向を「Ｙ軸方向」と総称する）に向けて順番に、第１行、第２行、…、第Ｍ行と称し、−Ｘ方向から＋Ｘ方向（以下、＋Ｘ方向及び−Ｘ方向を「Ｘ軸方向」と総称する）に向けて順番に、第１列、第２列、…、第３Ｎ列と称する。また、以下では、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に交差する＋Ｚ方向（上方向）及び−Ｚ方向（下方向）を「Ｚ軸方向」と総称する。
なお、本実施形態において、＋Ｙ方向は「第１の方向」の一例であり、＋Ｘ方向は「第２の方向」の一例である。

表示部１２に設けられる複数の画素Ｐxは、赤色（Ｒ）を表示可能な画素ＰxRと、緑色（Ｇ）を表示可能な画素ＰxGと、青色（Ｂ）を表示可能な画素ＰxBと、が含まれる。そして、本実施形態では、ｎを「１≦ｎ≦Ｎを満たす自然数」として、第１列〜第３Ｎ列のうち、第（３ｎ−２）列には画素ＰxRが配置され、第（３ｎ−１）列には画素ＰxGが配置され、第３ｎ列には画素ＰxBが配置される場合を、一例として想定する。
また、以下では、ｍを「１≦ｍ≦Ｍを満たす自然数」とし、ｋを「１≦ｋ≦３Ｎを満たす自然数」として、第ｍ行第ｋ列の画素Ｐxを、画素Ｐx[m][k]と表現する場合がある。すなわち、本実施形態では、例えば、画素ＰxRを、画素ＰxR[m][3n-2]と表現することができ、画素ＰxGを、画素ＰxG[m][3n-1]と表現することができ、画素ＰxBを、画素ＰxB[m][3n]と表現することができる。
また、本実施形態では、Ｘ軸方向に隣り合う３つの画素ＰxR、ＰxG、及び、ＰxBを、画素ブロックＢLと称することがある。すなわち、本実施形態では、表示部１２において、Ｍ行×Ｎ列の画素ブロックＢLがマトリクス状に配列されている場合を想定する。以下では、画素ＰxR[m][3n-2]、画素ＰxG[m][3n-1]、及び、画素ＰxB[m][3n]を含む画素ブロックＢLを、画素ブロックＢL[m][n]と称する場合がある。

図１に例示するように、駆動回路１１は、走査線駆動回路１１１と、データ線駆動回路１１２と、を備える。

走査線駆動回路１１１は、第１行〜第Ｍ行の走査線１３を順番に走査（選択）する。具体的には、走査線駆動回路１１１は、１フレームの期間において、第１行〜第Ｍ行の走査線１３のそれぞれに対して出力する走査信号Ｇw[1]〜Ｇw[M]を、水平走査期間毎に順番に所定の選択電位に設定することで、走査線１３を行単位に水平走査期間毎に順番に選択する。換言すれば、走査線駆動回路１１１は、１フレームの期間のうち、ｍ番目の水平走査期間において、第ｍ行の走査線１３に出力する走査信号Ｇw[m]を、所定の選択電位に設定することで、第ｍ行の走査線１３を選択する。なお、１フレームの期間とは、電気光学装置１が１個の画像を表示する期間である。

データ線駆動回路１１２は、制御回路２０より供給される画像信号Ｖid及び制御信号Ｃtrに基づいて、各画素Ｐxが表示すべき階調を規定するアナログのデータ信号Ｖd[1]〜Ｖd[3N]を生成し、生成したデータ信号Ｖd[1]〜Ｖd[3N]を、水平走査期間毎に、３Ｎ本のデータ線１４に対して出力する。換言すれば、データ線駆動回路１１２は、各水平走査期間において、第ｋ列のデータ線１４に対して、データ信号Ｖd[k]を出力する。
なお、本実施形態では、制御回路２０が出力する画像信号Ｖidはアナログの信号であるが、制御回路２０が出力する画像信号Ｖidはデジタルの信号であってもよい。この場合、データ線駆動回路１１２は、画像信号ＶidをＤ／Ａ変換し、アナログのデータ信号Ｖd[1]〜Ｖd[3N]を生成する。

図２は、各画素Ｐxと１対１に対応して設けられる画素回路１００の構成の一例を示す等価回路図である。なお、本実施形態では、複数の画素Ｐxに対応する複数の画素回路１００は、電気的には互いに同一の構成であることとする。図２では、第ｍ行第ｋ列の画素Ｐx[m][k]に対応して設けられる画素回路１００を例示して説明する。

画素回路１００は、発光素子３と、発光素子３に対して電流を供給するための供給回路４０と、を備える。

発光素子３は、画素電極３１と、発光機能層３２と、共通電極３３とを備える。画素電極３１は、発光機能層３２に正孔を供給する陽極として機能する。共通電極３３は、画素回路１００の低電位側の電源電位である電位Ｖctに設定された給電線１６に電気的に接続され、発光機能層３２に電子を供給する陰極として機能する。そして、画素電極３１から供給される正孔と、共通電極３３から供給される電子とが発光機能層３２で結合し、発光機能層３２が白色に発光する。
なお、詳細は後述するが、画素ＰxRが有する発光素子３（以下、発光素子３Rと称する）には、赤色のカラーフィルター８１Rが重ねて配置され、画素ＰxGが有する発光素子３（以下、発光素子３Gと称する）には、緑色のカラーフィルター８１Gが重ねて配置され、画素ＰxBが有する発光素子３（以下、発光素子３Bと称する）には、青色のカラーフィルター８１Bが重ねて配置される。このため、画素ＰxR、ＰxG、及び、ＰxBにより、フルカラーの表示が可能となる。

供給回路４０は、Ｐチャネル型のトランジスター４１及び４２と、保持容量４４と、を備える。なお、トランジスター４１及び４２の一方または両方は、Ｎチャネル型のトランジスターであってもよい。また、本実施形態では、トランジスター４１及び４２が、薄膜トランジスターの場合を例示して説明するが、トランジスター４１及び４２は、ＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）等の電界効果トランジスターであってもよい。

トランジスター４１は、ゲートが、第ｍ行の走査線１３に電気的に接続され、ソースまたはドレインの一方が、第ｋ列のデータ線１４に電気的に接続され、ソースまたはドレインの他方が、トランジスター４２のゲートと、保持容量４４が有する２つの電極のうち一方の電極と、に電気的に接続されている。
トランジスター４２は、ゲートが、トランジスター４１のソースまたはドレインの他方と、保持容量４４の一方の電極と、に電気的に接続され、ソースまたはドレインの一方が、画素電極３１に電気的に接続され、ソースまたはドレインの他方が、画素回路１００の高電位側の電源電位である電位Ｖelに設定された給電線１５に電気的に接続されている。
保持容量４４は、保持容量４４が有する２つの電極のうち一方の電極が、トランジスター４１のソースまたはドレインの他方と、トランジスター４２のゲートと、に電気的に接続され、保持容量４４が有する２つの電極のうち他方の電極が、給電線１５に電気的に接続されている。保持容量４４は、トランジスター４２のゲートの電位を保持する保持容量として機能する。

走査線駆動回路１１１が、走査信号Ｇw[m]を所定の選択電位に設定し、第ｍ行の走査線１３を選択すると、第ｍ行第ｋ列の画素Ｐx[m][k]に設けられたトランジスター４１がオンする。そして、トランジスター４１がオンすると、第ｋ列のデータ線１４から、トランジスター４２のゲートに対して、データ信号Ｖd[k]が供給される。この場合、トランジスター４２は、発光素子３に対して、ゲートに供給されたデータ信号Ｖd[k]の電位（正確には、ゲート及びソース間の電位差）に応じた電流を供給する。そして、発光素子３は、トランジスター４２から供給される電流の大きさに応じた輝度、すなわち、データ信号Ｖd[k]の電位に応じた輝度で発光する。
その後、走査線駆動回路１１１が、第ｍ行の走査線１３の選択を解除して、トランジスター４１がオフした場合、トランジスター４２のゲートの電位は、保持容量４４により保持される。このため、発光素子３は、トランジスター４１がオフした後も、データ信号Ｖd[k]に応じた輝度で発光することができる。

なお、図２では図示省略するが、発光素子３が有する画素電極３１と供給回路４０とを電気的に接続するための構成要素を、コンタクト７（図４参照）と称する。より具体的には、コンタクト７は、発光素子３が有する画素電極３１と、供給回路４０とを電気的に接続する。以下では、画素ＰxRに設けられたコンタクト７を、コンタクト７Rと称し、画素ＰxGに設けられたコンタクト７を、コンタクト７Gと称し、画素ＰxBに設けられたコンタクト７を、コンタクト７Bと称する場合がある。

＜＜２．表示部の構成＞＞
以下、図３及び図４を参照しつつ、本実施形態に係る表示部１２の構成の一例を説明する。

図３は、本実施形態に係る表示部１２の一部を、電気光学装置１が光を出射する方向である＋Ｚ方向から平面視した場合の、表示部１２の概略的な構成の一例を示す平面図である。
具体的には、図３は、表示部１２のうち、画素ブロックＢL[m][n]と、画素ブロックＢL[m][n]の＋Ｘ側に隣り合う画素ブロックＢL[m][n+1]と、画素ブロックＢL[m][n]の−Ｘ側に隣り合う画素ブロックＢL[m][n-1]と、画素ブロックＢL[m][n]の−Ｙ側に隣り合う画素ブロックＢL[m+1][n]と、画素ブロックＢL[m+1][n]の＋Ｘ側に隣り合う画素ブロックＢL[m+1][n+1]と、画素ブロックＢL[m+1][n]の−Ｘ側に隣り合う画素ブロックＢL[m+1][n-1]と、を示している。なお、上述のとおり、画素ブロックＢL[m][n]は、画素ＰxR[m][3n-2]、画素ＰxG[m][3n-1]、及び、画素ＰxB[m][3n]を含み、画素ブロックＢL[m][n+1]は、画素ＰxR[m][3n+1]、画素ＰxG[m][3n+2]、及び、画素ＰxB[m][3n+3]を含み、画素ブロックＢL[m][n-1]は、画素ＰxR[m][3n-5]、画素ＰxG[m][3n-4]、及び、画素ＰxB[m][3n-3]を含む。

本実施形態では、図３に示すように、各画素ブロックＢLにおいて、画素ＰxRに設けられた発光素子３Rが、画素ＰxBに設けられた発光素子３Bの＋Ｙ方向に位置し、画素ＰxGに設けられた発光素子３Gが、画素ＰxBに設けられた発光素子３Bの＋Ｙ方向に位置し、画素ＰxGに設けられた発光素子３Gが、画素ＰxRに設けられた発光素子３Rの＋Ｘ方向に位置する場合を想定する。そして、本実施形態では、各画素ブロックＢLが有する発光素子３R、３G、及び、３Bにより、＋Ｚ方向に向けて光を出射する発光領域Ｈが形成される場合を想定する。なお、以下では、画素ブロックＢL[m][n]が有する３個の発光素子３により形成される発光領域Ｈを、発光領域Ｈ[m][n]と称する。また、本実施形態では、平面視して、発光素子３Bは、発光素子３Rよりも大きく、且つ、発光素子３Bは、発光素子３Gよりも大きい場合を想定する。

また、本実施形態では、図３に示すように、画素ブロックＢL[m][n]に属する画素ＰxGが有するコンタクト７Gは、画素ブロックＢL[m][n]に属する画素ＰxBが有するコンタクト７Bの＋Ｙ方向に位置する。また、本実施形態では、画素ブロックＢL[m][n+1]に属する画素ＰxRが有するコンタクト７Rは、画素ブロックＢL[m][n]に属する画素ＰxRが有するコンタクト７Rの＋Ｘ方向に位置する。また、本実施形態では、画素ブロックＢL[m][n+1]に属する画素ＰxRが有するコンタクト７Rは、画素ブロックＢL[m][n]に属する画素ＰxGが有するコンタクト７Gと、画素ブロックＢL[m][n]に属する画素ＰxBが有するコンタクト７Bと、の間に位置する。すなわち、本実施形態では、画素ブロックＢL[m][n]に属する画素ＰxBが有するコンタクト７Bと、画素ブロックＢL[m][n+1]に属する画素ＰxRが有するコンタクト７Rと、画素ブロックＢL[m][n]に属する画素ＰxGが有するコンタクト７Gと、が＋Ｙ方向に直線状に配置され、これら３個のコンタクト７が、１つのコンタクト領域Ｃ[m][n]を形成する。
このため、本実施形態では、図３に示すように、画素ブロックＢL[m][n]が有する発光領域Ｈ[m][n]は、画素ブロックＢL[m][n]が有する２個のコンタクト７（７G、７B）、及び、画素ブロックＢL[m][n+1]が有する１個のコンタクト７（７R）、により形成されるコンタクト領域Ｃ[m][n]と、画素ブロックＢL[m][n-1]が有する２個のコンタクト７（７G、７B）、及び、画素ブロックＢL[m][n]が有する１個のコンタクト７（７R）、により形成されるコンタクト領域Ｃ[m][n-1]と、の間に位置する。

図４は、表示部１２を、図３におけるＥ−ｅ線で破断した部分断面図の一例である。

図４に示すように、表示部１２は、素子基板５と、保護基板９と、素子基板５及び保護基板９の間に設けられた接着層９０と、を備える。なお、本実施形態では、上述のとおり、電気光学装置１が、保護基板９側（＋Ｚ側）から光を出射するトップエミッション方式である場合を想定する。

接着層９０は、素子基板５及び保護基板９を接着するための透明な樹脂層である。接着層９０は、例えば、エポキシ樹脂やアクリル樹脂等の透明な樹脂材料を用いて形成される。
保護基板９は、接着層９０の＋Ｚ側に配置される透明な基板である。保護基板９としては、例えば、石英基板やガラス基板等を採用することができる。

素子基板５は、基板５０と、基板５０上に積層された、配線層Ｌ、距離調整層７０、発光層３０、封止層６０、及び、カラーフィルター層８０と、を備える。詳細は後述するが、発光層３０は、上述した発光素子３（３R、３G、３B）を含む。発光素子３は、＋Ｚ方向及び−Ｚ方向に対して光を出射する。また、カラーフィルター層８０は、上述したカラーフィルター８１R、カラーフィルター８１G、及び、カラーフィルター８１Bを含む。

基板５０は、ガラス、プラスチック、シリコン、または、石英等により形成される板状部材である。基板５０の＋Ｚ側には、配線層Ｌが形成されている。

配線層Ｌは、走査線１３、データ線１４、給電線１５、及び、給電線１６等の各種配線と、駆動回路１１、及び、供給回路４０等の各種回路と、を含む。

図４では、配線層Ｌのうち、供給回路４０に設けられたトランジスター４２が、一例として図示されている。
具体的には、図４に示す例では、基板５０上に、トランジスター４２の半導体層、すなわち、トランジスター４２のチャネル領域４２c、ソース領域４２s、及び、ドレイン領域４２dが形成され、また、基板５０とトランジスター４２の半導体層とを覆うように、絶縁層Ｌ0が形成されている。
また、図４に示す例では、絶縁層Ｌ0上に、トランジスター４２のゲート電極４２gが形成され、絶縁層Ｌ0とゲート電極４２gとを覆うように、絶縁層Ｌ1が形成されている。
また、図４に示す例では、絶縁層Ｌ1上に、導電性の材料からなる中継ノードＴ21及びＴ22が形成され、また、絶縁層Ｌ1と中継ノードＴ21及びＴ22とを覆うように、絶縁層Ｌ2が形成されている。このうち、中継ノードＴ21は、絶縁層Ｌ0及び絶縁層Ｌ1を貫通するコンタクトプラグＷ11を介して、ドレイン領域４２dと電気的に接続され、また、中継ノードＴ22は、絶縁層Ｌ0及び絶縁層Ｌ1を貫通するコンタクトプラグＷ12を介して、ソース領域４２sと電気的に接続されている。また、図４では図示省略するが、中継ノードＴ22は、給電線１５に電気的に接続されている。

図４に示すように、配線層Ｌの＋Ｚ側には、距離調整層７０が形成されている。距離調整層７０は、絶縁層Ｌ2上に形成された反射電極７１と、反射電極７１及び絶縁層Ｌ2を覆うように形成された絶縁層７２と、を含む。
このうち、反射電極７１は、反射率の高い導電性材料、例えば、アルミニウムや銀等を用いて形成される。反射電極７１は、絶縁層Ｌ2を貫通するコンタクト７を介して、中継ノードＴ21に電気的に接続されている。
また、絶縁層７２は、発光層３０の発光素子３と反射電極７１との間の光学的距離を調整するための、絶縁性の透明層である。絶縁層７２は、絶縁性の透明材料、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）等を用いて形成される。
なお、図４に図示された各種構成要素のうち、トランジスター４２と、中継ノードＴ21及びＴ22と、コンタクトプラグＷ11、Ｗ12、及び、Ｗ21と、反射電極７１とが、供給回路４０に該当する。

図４に示すように、絶縁層７２の＋Ｚ側には、発光層３０が形成されている。
発光層３０は、絶縁層７２上に形成された画素電極３１と、絶縁層７２及び画素電極３１上に形成された絶縁膜３４と、画素電極３１及び絶縁膜３４を覆うように形成された発光機能層３２と、発光機能層３２上に形成された共通電極３３と、を有する。
画素電極３１は、画素Ｐx毎に個別に島状に形成された、導電性を有する透明層である。画素電極３１は、導電性の透明材料、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等を用いて形成される。
絶縁膜３４は、各画素電極３１の周縁部を覆うように配置された、絶縁性の構成要素である。絶縁膜３４は、絶縁性の材料、例えば、酸化シリコン等を用いて形成される。
共通電極３３は、複数の画素Ｐxに跨るように配置された、光透過性と光反射性との両方を有する導電性の構成要素である。共通電極３３は、例えば、ＭｇとＡｇとの合金等を用いて形成される。
発光機能層３２は、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、及び、電子輸送層を備え、複数の画素Ｐxに跨るように配置されている。上述のとおり、発光機能層３２は、画素電極３１のうち絶縁膜３４により覆われていない部分から正孔が供給され、白色に発光する。すなわち、平面視した場合に、発光層３０のうち、画素電極３１が絶縁膜３４により覆われていない部分が、発光素子３に該当する。換言すれば、絶縁膜３４は、互いに隣り合う２個の発光素子３同士を区画する。
なお、本実施形態では、平面視した場合に、発光素子３が設けられる領域と、コンタクト７が設けられる領域とを、画素Ｐxと看做すこととする。

本実施形態では、反射電極７１と共通電極３３とにより、光共振構造が形成されるように、絶縁層７２の膜厚が調整される。そして、発光機能層３２から出射された光は、反射電極７１と共通電極３３との間で繰り返し反射され、反射電極７１と共通電極３３との間の光学的距離に対応する波長の光の強度が強められ、当該強められた光が、共通電極３３〜保護基板９を介して＋Ｚ側に出射される。
本実施形態では、一例として、画素ＰxRにおいては、６１０ｎｍの波長の光の強度が強められ、画素ＰxGにおいては、５４０ｎｍの波長の光の強度が強められ、画素ＰxBにおいては、４７０ｎｍの波長の光の強度が強められるように、画素Ｐx毎に絶縁層７２の膜厚が設定される。このため、本実施形態において、画素ＰxRからは、６１０ｎｍの波長の光の輝度が最大となる赤色光が出射され、画素ＰxGからは、５４０ｎｍの波長の光の輝度が最大となる緑色光が出射され、画素ＰxBからは、４７０ｎｍの波長の光の輝度が最大となる青色光が出射されることになる。

封止層６０は、共通電極３３上に形成された下側封止層６１と、下側封止層６１上に形成された平坦化層６２と、平坦化層６２上に形成された上側封止層６３と、を備える。
下側封止層６１及び上側封止層６３は、複数の画素Ｐxに跨るように配置された、絶縁性を有する透明層である。下側封止層６１及び上側封止層６３は、水分や酸素等の発光層３０への侵入を抑止するための構成要素であり、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、または、酸化アルミニウム（ＡｌｘＯｙ）等の無機材料を用いて形成される。
平坦化層６２は、複数の画素Ｐxに跨るように配置された透明層であり、平坦な上面（＋Ｚ側の面）を提供するための構成要素である。平坦化層６２は、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、若しくは、シリコン樹脂等の樹脂材料、または、シリコン酸化物等の無機材料を用いて形成される。

カラーフィルター層８０は、カラーフィルター８１Rとカラーフィルター８１Gとカラーフィルター８１Bと凸部８２と含む。
図４に示すように、カラーフィルター８１Rは、発光素子３Rの＋Ｚ側において、平面視して発光素子３Rを覆うように、上側封止層６３上に形成されている。カラーフィルター８１Gは、発光素子３Gの＋Ｚ側において、平面視して発光素子３Gを覆うように、上側封止層６３上に形成されている。カラーフィルター８１Bは、発光素子３Bの＋Ｚ側において、平面視して発光素子３Bを覆うように、上側封止層６３上に形成されている。また、本実施形態において、凸部８２は、コンタクト７の＋Ｚ側において、平面視してコンタクト７を覆うように、上側封止層６３上に形成されている。
なお、カラーフィルター８１Rは、赤色の色材を含む感光性樹脂材料から形成され、カラーフィルター８１Gは、緑色の色材を含む感光性樹脂材料から形成され、カラーフィルター８１Bは、青色の色材を含む感光性樹脂材料から形成される。また、凸部８２は、色材を含まない透明な感光性樹脂材料、例えば、アクリル系樹脂を用いて形成される。凸部８２として採用される感光性樹脂材料は、カラーフィルター８１R、８１G、及び、８１Bの主材料と同一の材料であってもよい。

図４に示すように、カラーフィルター層８０の＋Ｚ側には、カラーフィルター層８０を覆うように接着層９０が設けられ、接着層９０の＋Ｚ側には、保護基板９が設けられる。

＜＜３．実施形態の効果＞＞
一般的に、画素ＰxR、ＰxG、及び、ＰxBを含む画素ブロックＢLは、当該画素ブロックＢLに設けられた発光素子３R、３G、及び、３Bから出射される３色の光を用いて、任意の色を表示する。すなわち、画素ブロックＢLに設けられた発光素子３R、３G、及び、３Bを含む発光領域Ｈにより、１つの表示単位が形成される。よって、１つの表示単位である発光領域Ｈの外周よりも内側には、非発光の領域であるコンタクト領域Ｃが設けられないことが好ましい。
これに対して、本実施形態では、コンタクト領域Ｃが、発光領域Ｈの外周よりも外側に設けられるため、コンタクト領域Ｃが、発光領域Ｈの外周よりも内側に設けられる場合と比較して、電気光学装置１の表示品質を高くすることが可能となる。

なお、本実施形態において、例えば、画素ブロックＢL[m][n]が「第１の画素ブロック」に相当し、画素ブロックＢL[m][n]の＋Ｘ方向に隣り合う画素ブロックＢL[m][n+1]が「第２の画素ブロック」に相当する。
また、この場合、「第１の画素ブロック」である画素ブロックＢL[m][n]に設けられた３個の画素Ｐxのうち、画素ＰxG[m][3n-1]が「第１の画素」に相当し、画素ＰxR[m][3n-2]が「第２の画素」に相当し、画素ＰxB[m][3n]が「第３の画素」相当し、「第２の画素ブロック」である画素ブロックＢL[m][n+1]に設けられた３個の画素Ｐxのうち、画素ＰxR[m][3n+1]が「第４の画素」に相当する。
そして、「第１の画素」である画素ＰxG[m][3n-1]が備える発光素子３G、コンタクト７G、及び、供給回路４０が、それぞれ、「第１の発光素子」、「第１のコンタクト」、「第１の供給回路」に相当し、「第２の画素」である画素ＰxR[m][3n-2]が備える発光素子３R、コンタクト７R、及び、供給回路４０が、それぞれ、「第２の発光素子」、「第２のコンタクト」、「第２の供給回路」に相当し、「第３の画素」である画素ＰxB[m][3n]が備える発光素子３B、コンタクト７B、及び、供給回路４０が、それぞれ、「第３の発光素子」、「第３のコンタクト」、「第３の供給回路」に相当し、「第４の画素」である画素ＰxR[m][3n+1]が備える発光素子３R、コンタクト７R、及び、供給回路４０が、それぞれ、「第４の発光素子」、「第４のコンタクト」、「第４の供給回路」に相当する。
また、「第１の画素」である画素ＰxG[m][3n-1]が備える、画素電極３１、トランジスター４２、及び、反射電極７１が、それぞれ、「第１の画素電極」、「第１のトランジスター」、「第１の反射電極」に相当し、「第２の画素」である画素ＰxR[m][3n-2]が備える、画素電極３１、トランジスター４２、及び、反射電極７１が、それぞれ、「第２の画素電極」、「第２のトランジスター」、「第２の反射電極」に相当する。

＜＜Ｂ．変形例＞＞
以上の各形態は多様に変形され得る。具体的な変形の態様を以下に例示する。以下の例示から任意に選択された２以上の態様は、相互に矛盾しない範囲内で適宜に併合され得る。なお、以下に例示する変形例において作用や機能が実施形態と同等である要素については、以上の説明で参照した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。

＜＜変形例１＞＞
上述した実施形態では、画素回路１００は、トランジスター４１及び４２を備えるが、本発明はこのような態様に限定されるものではなく、画素回路１００は、トランジスター４１及び４２以外のトランジスターを備えていてもよい。
図５は、本変形例に係る画素Ｐxが備える画素回路１００Ａの構成の一例を示す等価回路図である。この図に示すように、画素回路１００Ａは、供給回路４０の代わりに供給回路４０Ａを備える点を除き、図２に示す画素回路１００と同様の構成を有する。供給回路４０Ａは、トランジスター４５を備える点を除き、図２に示す供給回路４０と同様の構成を有する。トランジスター４５は、ソースまたはドレインの一方が、コンタクト７を介して画素電極３１に電気的に接続され、ソースまたはドレインの他方が、トランジスター４２のソースまたはドレインの一方に電気的に接続されている。また、第ｍ行の画素Ｐxが有するトランジスター４５のゲートには、駆動回路１１から発光制御信号Ｇel[m]が供給される。これにより、駆動回路１１は、発光制御信号Ｇel[m]を用いてトランジスター４５のオンオフを制御する。
なお、画素Ｐxが、図５に示す画素回路１００Ａを備える場合、「第１の画素」が備えるトランジスター４５が「第１のトランジスター」に相当し、「第２の画素」が備えるトランジスター４５が「第２のトランジスター」に相当する。

＜＜変形例２＞＞
上述した実施形態及び変形例では、各画素ブロックＢLにおいて、画素ＰxRの＋Ｘ側に画素ＰxGが設けられるが、本発明はこのような態様に限定されるものではなく、画素ＰxGの＋Ｘ側に画素ＰxRが設けられてもよい。具体的には、図３において、符号「３R」及び「７R」で示される領域に、それぞれ、発光素子３G、コンタクト７Gを設け、符号「３G」及び「７G」で示される領域に、それぞれ、発光素子３R、コンタクト７Rを設けてもよい。この場合、「第１の画素ブロック」に設けられた３個の画素Ｐxのうち、画素ＰxRが「第１の画素」に相当し、画素ＰxGが「第２の画素」に相当し、画素ＰxBが「第３の画素」に相当し、「第２の画素ブロック」に設けられた３個の画素Ｐxのうち、画素ＰxGが「第４の画素」に相当する。また、この場合、「第１の画素ブロック」に設けられた３個のコンタクト７のうち、コンタクト７Rが「第１のコンタクト」に相当し、コンタクト７Gが「第２のコンタクト」に相当し、コンタクト７Bが「第３のコンタクト」に相当し、「第２の画素ブロック」に設けられた３個のコンタクト７のうち、コンタクト７Gが「第４のコンタクト」に相当する。
また、上述した実施形態及び変形例では、各画素ブロックＢLにおいて、画素ＰxBの＋Ｙ側に画素ＰxR及び画素ＰxGが設けられるが、本発明はこのような態様に限定されるものではなく、画素ＰxBの−Ｙ側に画素ＰxR及び画素ＰxGが設けられてもよい。

＜＜Ｃ．応用例＞＞
上述した実施形態及び変形例に係る電気光学装置１は、各種の電子機器に適用することができる。以下、本発明に係る電子機器について説明する。

図６は本発明の電気光学装置１を採用した電子機器としてのヘッドマウントディスプレイ３００の外観を示す斜視図である。図６に示されるように、ヘッドマウントディスプレイ３００は、テンプル３１０、ブリッジ３２０、投射光学系３０１Ｌ、及び、投射光学系３０１Ｒを備える。そして、図６において、投射光学系３０１Ｌの奥には左眼用の電気光学装置１（図示省略）が設けられ、投射光学系３０１Ｒの奥には右眼用の電気光学装置１（図示省略）が設けられる。
図７は、電気光学装置１を採用した可搬型のパーソナルコンピューター４００の斜視図である。パーソナルコンピューター４００は、各種の画像を表示する電気光学装置１と、電源スイッチ４０１及びキーボード４０２が設けられた本体部４０３と、を備える。
なお、本発明に係る電気光学装置１が適用される電子機器としては、図６及び図７に例示した機器のほか、携帯電話機、スマートフォン、携帯情報端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、車載用の表示器（インパネ）、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末等が挙げられる。更に、本発明に係る電気光学装置１は、プリンター、スキャナー、複写機、及び、ビデオプレーヤー等の電子機器に設けられる表示部として適用することができる。

１…電気光学装置、３…発光素子、５…素子基板、７…コンタクト、９…保護基板、１０…表示パネル、１１…駆動回路、１２…表示部、１４…データ線、２０…制御回路、３０…発光層、３１…画素電極、３２…発光機能層、３３…共通電極、４０…供給回路、４１…トランジスター、４２…トランジスター、４４…保持容量、５０…基板、７０…距離調整層、７１…反射電極、ＢL…画素ブロック、Ｃ…コンタクト領域、Ｈ…発光領域、Ｐx…画素、ＰxR…画素、ＰxG…画素、ＰxB…画素。

Claims (4)

1. 第１の発光素子、前記第１の発光素子に電流を供給する第１の供給回路、並びに、前記
   第１の発光素子及び前記第１の供給回路を電気的に接続する第１のコンタクト、を具備し
   、赤色または緑色の一方を表示可能な第１の画素と、
   前記第１の画素と隣接し、第２の発光素子、前記第２の発光素子に電流を供給する第２
   の供給回路、並びに、前記第２の発光素子及び前記第２の供給回路を電気的に接続する第
   ２のコンタクト、を具備し、赤色または緑色の他方を表示可能な第２の画素と、
   前記第１の画素及び前記第２の画素と第１の方向に隣接し、第３の発光素子、前記第３
   の発光素子に電流を供給する第３の供給回路、並びに、前記第３の発光素子及び前記第３
   の供給回路を電気的に接続する第３のコンタクト、を具備し、青色を表示可能な第３の画
   素と、
   第４の発光素子、前記第４の発光素子に電流を供給する第４の供給回路、並びに、前記
   第４の発光素子及び前記第４の供給回路を電気的に接続する第４のコンタクト、を具備し
   、赤色または緑色の他方を表示可能な第４の画素と、
   前記第１の供給回路、前記第２の供給回路、前記第３の供給回路及び前記第４の供給回
   路が形成された基板と、
   前記第１の画素、前記第２の画素及び前記第３の画素を含み、一つの表示単位を形成す
   る第１の画素ブロックと、
   前記第４の画素を含み、前記第１の画素ブロックと前記第１の方向と交差する第２の方
   向に隣り合い、一つの表示単位を形成する第２の画素ブロックと、
   を備え、
   前記基板に垂直な方向から見た場合に、
   前記第１の画素ブロックの発光領域は、前記第１のコンタクト、前記第３のコンタクト
   及び前記第４のコンタクトと、前記第２のコンタクトとの間に配置され、
   前記第１のコンタクト及び前記第３のコンタクトは、前記第１の方向に沿って配置され
   、
   前記第２のコンタクト及び前記第４のコンタクトは、前記第２の方向に沿って配置され
   、
   前記第４のコンタクトは、前記第１のコンタクト及び前記第３のコンタクトの間に配置
   される、
   ことを特徴とする電気光学装置。
2. 前記基板に垂直な方向から見た場合に、
   前記第３の発光素子は、
   前記第１の発光素子よりも大きく、且つ、前記第２の発光素子よりも大きい、
   ことを特徴とする、請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記第１の発光素子は、
   共通電極と、第１の画素電極、並びに、前記共通電極及び前記第１の画素電極の間に設
   けられた発光機能層を備え、
   前記第１の供給回路は、
   前記第１の発光素子に電流を供給するための第１のトランジスター、及び、前記第１の
   トランジスターのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され前記第１の発光素子か
   ら出射される光を反射するための第１の反射電極を備え、
   前記第１のコンタクトは、
   前記第１の画素電極と前記第１の反射電極とを電気的に接続し、
   前記第２の発光素子は、
   前記共通電極、第２の画素電極、並びに、前記共通電極及び前記第２の画素電極の間に
   設けられた発光機能層を備え、
   前記第２の供給回路は、
   前記第２の発光素子に電流を供給するための第２のトランジスター、及び、前記第２の
   トランジスターのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、前記第２の発光素子
   から出射される光を反射するための第２の反射電極を備え、
   前記第２のコンタクトは、
   前記第２の画素電極と前記第２の反射電極とを電気的に接続する、
   ことを特徴とする、請求項１または２に記載の電気光学装置。
4. 請求項１乃至３のうち何れか１項に記載の電気光学装置を備える、
   ことを特徴とする電子機器。

Images