CN108376528B - 电光装置、电子设备及头戴显示器 - Google Patents

Abstract

电光装置、电子设备及头戴显示器，改善了因视场角导致的颜色偏差。电光装置具有，在作为第1方向的X方向上排列的子像素(110G)、像素接点区域(CH10)、子像素(110R)、像素接点区域(CH9)、子像素(110G)、像素接点区域(CH10)、子像素(110R)和像素接点区域(CH9)，子像素(110G)与子像素(110R)颜色不同，像素接点区域(CH10)与像素接点区域(CH9)在X方向上的长度(间隔(d5))相同。

Description

电光装置、电子设备及头戴显示器

技术领域

本发明涉及电光(electrooptical)装置、电子设备及头戴显示器。

背景技术

作为电光装置提出有如下的显示装置，例如在基板上按照每个像素形成包括发出蓝色光的发光元件在内的多种颜色的发光元件，将以多种颜色的子像素为单位构成的多个像素以矩阵状配置，各发光颜色的子像素的晶体管与发出蓝色光的发光元件的发光部的相对位置关系被布局为，各发光颜色的子像素的晶体管与发出蓝色光的发光元件的发光部之间的距离在各颜色下均等(专利文献1)。

根据上述专利文献1的显示装置，蓝色光的能量最高，即使蓝色光的一部分泄漏至相邻的像素，也能够减轻每种颜色因泄漏光的影响而导致的像素晶体管的特性变动的偏差。

在上述专利文献1中，在红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的子像素中，在阳极电极上形成有窗口绝缘膜，在窗口绝缘膜的凹部设置有作为发光元件的R、G、B的有机EL(Electro-luminescence，电致发光)元件。设各颜色的有机EL元件的发光部为窗口绝缘膜的凹部中的开口(窗口)。

然而，在上述专利文献1的子像素的布局中，当蓝色光的一部分泄漏至相邻的其他颜色的子像素时，会发生蓝色光与其他颜色光混合而成的混色。特别是在从相对于子像素的法线方向倾斜的方向观察时，混色容易被视觉观察到。

此外，有机EL元件中的发光部、即子像素的配置与驱动有机EL元件的晶体管的配置是相关联的。具体而言，实现了有机EL元件的阳极电极与晶体管之间的电连接的接点被设置在与规定了发光部的窗口绝缘膜的凹部相比靠外侧处。例如，根据上述专利文献1的实施例1和实施例2所示的像素形成区域(像素)中的子像素的配置，相对于蓝色(B)的子像素在列方向上配置有红色(R)和绿色(G)的子像素，阳极电极的接点在列方向上被设置在蓝色(B)的子像素与红色(R)、绿色(G)的子像素之间。因此，在1个像素形成区域(像素)内，认为蓝色(B)的子像素与红色(R)、绿色(G)的子像素在列方向上的间隔相同。另一方面，在列方向上相邻的像素中，在一个像素的蓝色(B)的子像素与另一个像素的红色(R)、绿色(G)的子像素之间未设置有阳极电极的接点。因此，认为一个像素的蓝色(B)的子像素与另一个像素的红色(R)、绿色(G)的子像素在列方向上的间隔与像素内的列方向上的子像素的间隔不同。即，认为对应于对有机EL元件进行驱动的晶体管的配置，子像素间的距离在行方向或者列方向上被设定为不同，或者子像素间的距离在行方向和列方向上被设定为不同。于是，会因相对于子像素的法线方向从哪个方向斜向观察而导致混色的状态发生变化。当将这种混色的状态称为因视场角导致的颜色偏差(color deviation)时，存在有因视场角而产生颜色偏差的课题。

专利文献1：日本特开2009-282190号公报

发明内容

本发明为了解决上述课题的至少一部分而被完成，其能够以如下的方式或者应用例来实现。

[应用例]优选为，本应用例的电光装置优选具有在第1方向上排列的第1子像素、第1区域、第2子像素、第2区域、第3子像素、第3区域、第4子像素和第4区域，所述第1子像素与所述第2子像素颜色不同，所述第3子像素与所述第4子像素颜色不同，所述第1区域为所述第1子像素的像素接点区域，所述第2区域为所述第2子像素的像素接点区域，所述第3区域为所述第3子像素的像素接点区域，所述第4区域为所述第4子像素的像素接点区域，所述第1区域、所述第2区域、所述第3区域和所述第4区域在所述第1方向上的长度相同。

根据本应用例的结构，不同颜色的第1子像素与第2子像素之间的第1方向上的长度与同样地不同颜色的第3子像素与第4子像素之间的第1方向上的长度相同，因此不同颜色的子像素间的第1方向上的因视场角导致的混色的状态不同的情况被缓解。即，能够提供降低了第1方向上的因视场角导致的颜色偏差的电光装置。此外，通过将第1方向上的子像素间的区域设为像素接点区域，能够通过像素接点区域对不同颜色的子像素之间进行划分，并实现对不同颜色的子像素的电连接。换言之，不需要具备用于对第1方向上的不同颜色的子像素之间进行划分的专用的结构。

在上述应用例所述的电光装置中，优先为还具有在所述第1方向上排列的第5子像素、第5区域、第6子像素和第6区域，所述第5子像素相对于所述第1子像素及所述第2子像素在与所述第1方向交叉的第2方向上排列，所述第6子像素相对于所述第3子像素及所述第4子像素在所述第2方向上排列，所述第5区域为所述第5子像素的像素接点区域，所述第6区域为所述第6子像素的像素接点区域，所述第5区域和所述第6区域在所述第1方向上的长度相同。

根据该结构，追加的第5子像素与第6子像素之间的第1方向的长度也相同。因此，能够提供降低了第1方向上的因视场角导致的颜色偏差，可实现外观优良的彩色显示的电光装置。此外，通过将第5区域和第6区域分别设为像素接点区域，由此能够通过像素接点区域对第5子像素与第6子像素进行划分，并能够实现对各个子像素的电连接。

在上述应用例所述的电光装置中，优选为，具有：第7区域，该第7区域为所述第2方向上的所述第1子像素及所述第2子像素与所述第5子像素之间的区域；以及第8区域，该第8区域为所述第2方向上的所述第3子像素及所述第4子像素与所述第6子像素之间的区域，所述第7区域、所述第8区域在所述第2方向上的长度相同。

根据该结构，能够提供降低了第1方向和第2方向上的因视场角导致的颜色偏差的电光装置。

在上述应用例所述的电光装置中，也可以采用如下方式：所述第3子像素、所述第3区域、所述第4子像素、所述第4区域沿所述第1方向与在所述第1方向上排列的所述第1子像素、所述第1区域、所述第2子像素、所述第2区域并排。

根据该结构，最多4个颜色的子像素在第1方向上被等间隔配置。因此，能够提供降低了第1方向上的因视场角导致的颜色偏差，并可实现优良的颜色表达的电光装置。

[应用例]本应用例的电光装置的特征在于，该电光装置具有在第1方向上排列的第1子像素、第1区域、第2子像素、第2区域、第3子像素、第3区域、第4子像素和第4区域；以及第5区域、第6区域、第5子像素、第7区域、第8区域和第6子像素，所述第5区域、所述第1子像素和所述第2子像素、所述第6区域以及所述第5子像素在与所述第1方向交叉的第2方向上排列，所述第7区域、所述第3子像素和所述第4子像素、所述第8区域以及所述第6子像素在所述第2方向上排列，所述第1子像素与所述第2子像素颜色不同，所述第3子像素与所述第4子像素颜色不同，所述第5区域为所述第1子像素和所述第2子像素的像素接点区域，所述第6区域为所述第5子像素的像素接点区域，所述第7区域为所述第3子像素和所述第4子像素的像素接点区域，所述第8区域为所述第6子像素的像素接点区域，所述第5区域、所述第6区域、所述第7区域和所述第8区域在所述第2方向上的长度相同。

根据本应用例的结构，第5子像素相对于在第1方向上排列的不同颜色的第1子像素和第2子像素而配置在第2方向上，并且同样地，第6子像素相对于在第1方向上排列的不同颜色的第3子像素和第4子像素而配置在第2方向上。由于第1子像素及第2子像素与第5子像素之间的第2方向上的长度、和第3子像素及第4子像素与第6子像素之间的第2方向上的长度相同，因此不同颜色的子像素间的第2方向上的因视场角导致的混色状态不同的情况得到缓解。即，能够提供降低了第2方向上的因视场角导致的颜色偏差的电光装置。此外，通过将第2方向上的子像素间的区域设为像素接点区域，能够通过像素接点区域对不同颜色的子像素与其他的子像素进行划分，并实现对各子像素的电连接。换言之，不需要具备用于对第2方向上的子像素之间进行划分的专用的结构。

在上述应用例所述的电光装置中，优选为，所述第1区域、所述第2区域、所述第3区域和所述第4区域在所述第1方向上的长度与所述第1方向上的所述第5子像素和所述第6子像素之间的第9区域在所述第1方向上的长度相同。

根据该结构，能够提供除了第2方向之外还降低了第1方向上的因视场角导致的颜色偏差的电光装置。

在上述应用例所述的电光装置中，也可以采用如下方式：所述第1子像素与所述第3子像素颜色相同，其他的子像素与所述第1子像素颜色不同。

根据该结构，能够防止第1子像素与第3子像素相邻排列的方向上的颜色偏差。即，能够降低随着子像素的配置产生因视场角导致的颜色偏差的概率。

在上述应用例所述的电光装置中，也可以采用如下方式：所述第2子像素与所述第3子像素颜色相同，其他子像素与所述第2子像素颜色不同。

根据该结构，能够防止第2子像素与第3子像素相邻排列的方向上的颜色偏差。即，能够降低随着子像素的配置而产生因视场角所导致的颜色偏差的概率。

在上述应用例所述的电光装置中，其特征在于，所述第5子像素的面积和所述第6子像素的面积比所述第1子像素、所述第2子像素、所述第3子像素和所述第4子像素各自的面积大，所述第5子像素和所述第6子像素为蓝色。

根据该结构，蓝色与波长比蓝色长的红色和绿色相比可见度较低。因此，即使将蓝色的第5子像素及第6子像素配置为与其他颜色的子像素相邻，因视场角导致的颜色偏差也难以引人注目，且由于使第5子像素及第6子像素的面积大于其他子像素的面积，因此容易实现期望的白平衡。

在上述应用例所述的电光装置中，所述第1子像素、所述第2子像素、所述第3子像素、所述第4子像素包含发光元件和将来自所述发光元件的光转换为规定的波段的光的着色层，所述像素接点区域为非发光区域。

根据该结构，能够提供降低了因视场角导致的颜色偏差，可实现外观优良的彩色显示的自发光型的电光装置。

在上述应用例所述的电光装置中，其特征在于，所述发光元件与所述着色层设置在同一基板上。

根据该结构，与将发光元件与着色层设置在不同的基板上的情况相比，能够提高着色层相对于发光元件的相对配置精度，因此能够提供不易发生因视场角导致的颜色偏差的自发光型的电光装置。

[应用例]本应用例的电光装置优选为，具有在第1方向和与所述第1方向交叉的第2方向上排列的多个显示单位，所述显示单位至少包括不同颜色的第1子像素和第2子像素，在所述第1方向上相邻的所述显示单位中，所述第1子像素与所述第2子像素之间的第1区域在所述第1方向上的长度相同，所述第1区域为所述第1子像素和所述第2子像素中的任意一方的像素接点区域。

根据本应用例，在第1方向上相邻的显示单位中，不同颜色的第1子像素与第2子像素之间的第1方向上的长度相同，因此不同颜色的子像素间的第1方向上的因视场角导致的混色状态不同的情况得到缓解。即，能够提供降低了第1方向上的因视场角导致的颜色偏差的电光装置。此外，通过将第1方向上的第1子像素与第2子像素之间的第1区域设为像素接点区域，由此通过像素接点区域来对第1方向上排列的不同颜色的子像素进行划分，并能够实现对不同颜色的子像素的电连接。换言之，不需要具备用于对第1方向上的不同颜色的子像素之间进行区分的专用的结构。

在上述应用例的电光装置中，优选为，所述显示单位具有所述显示单位具有与所述第1子像素及所述第2子像素颜色不同的第3子像素，所述第1子像素与所述第2子像素在所述第1方向上排列，所述第3子像素相对于所述第1子像素及所述第2子像素在所述第2方向上排列，在所述第1方向上相邻的所述显示单位中，所述第1区域在所述第1方向上的长度与所述第3子像素间的第2区域在所述第1方向上的长度相同，所述第2区域为所述第3子像素的像素接点区域。

根据该结构，在第1方向上相邻的显示单位中，第3子像素也以等间隔配置。因此，例如，如果将第1子像素设为红色，将第2子像素设为绿色，将第3子像素设为蓝色，则能够提供降低了第1方向上的因视场角导致的颜色偏差，并可进行外观优良的彩色显示的电光装置。

在上述应用例所述的电光装置中，优选为，在所述第2方向上的相邻的所述显示单位中，所述第1子像素及所述第2子像素与所述第3子像素之间的第3区域在所述第2方向上的长度相同。

根据该结构，在第2方向上相邻的显示单位中，将第3子像素也相对于不同颜色的第1子像素及第2子像素以等间隔配置。因此，第1方向和第2方向上的因视场角导致的颜色偏差被降低。

[应用例]本应用例的电光装置优选为，该电光装置具有排列在第1方向和与所述第1方向交叉的第2方向上的多个显示单位，所述显示单位具有不同颜色的第1子像素、第2子像素及第3子像素，所述第1子像素与所述第2子像素排列在所述第1方向上，所述第3子像素相对于所述第1子像素及所述第2子像素排列在所述第2方向上，在所述第1方向上的相邻的所述显示单位中，所述第1子像素与所述第2子像素之间的第1区域在所述第1方向上的长度与所述第3子像素间的第2区域在所述第1方向上的长度相同，在所述第2方向上的相邻的所述显示单位中，所述第1子像素及所述第2子像素与所述第3子像素之间的第3区域在所述第2方向上的长度相同，所述第3区域为所述第1子像素、所述第2子像素及所述第3子像素中的任意方的像素接点区域。

根据本应用例，在第1方向上相邻的显示单位中，将不同颜色的第1子像素、第2子像素、第3子像素沿第1方向等间隔配置。此外，在第2方向上相邻的显示单位中，将不同颜色的第1子像素及第2子像素与第3子像素沿第2方向等间隔配置。因此，不同颜色的子像素间的第1方向和第2方向上的因视场角导致的混色状态不同的情况得到缓解。即，降低了第1方向和第2方向上的因视场角导致的颜色偏差。并且，第1子像素及第2子像素与第3子像素之间的第3区域为这些子像素中的任意子像素的像素接点区域，因此能够通过像素接点区域对在第2方向上排列的不同颜色的子像素进行划分，并实现对不同颜色的子像素的电连接。换言之，无需具备用于对第2方向上的不同颜色的子像素之间进行划分的专用的结构。

[应用例]本应用例的电子设备的特征在于，具备上述应用例所述的电光装置。

根据本应用例，能够提供降低了因视场角导致的颜色偏差，并可进行外观优良的显示的电子设备。

[应用例]本应用例的头戴显示器的特征在于，该头戴显示器具备上述应用例所述的电光装置，使双眼中的至少一只眼睛识别所显示的图像。

根据本应用例，能够提供降低了至少第1方向上的因视场角导致的颜色偏差，并可识别出外观优良的显示的头戴显示器。特别是，通过将本申请的电光装置应用于双眼，能够降低双眼识别出的图像因颜色偏差而导致的不谐调感，因此能够提供即使长时间地佩戴也不易在图像识别中感到疲劳的头戴显示器。

附图说明

图1为示出第1实施方式的电光装置的结构的立体图。

图2为示出显示面板中的显示单位(像素)的配置的概要俯视图。

图3为示出子像素的像素电路的电路图。

图4为示出蓝色(B)、绿色(G)的子像素的构造的概要截面图。

图5为示出绿色(G)、红色(R)的子像素的构造的概要截面图。

图6为示出布线层中的像素的电结构的配置的概要俯视图。

图7为示出布线层中的像素的电结构的配置的概要俯视图。

图8为示出布线层中的像素的电结构的配置的概要俯视图。

图9为示出布线层中的像素的电结构的配置的概要俯视图。

图10为示出布线层中的像素的电结构的配置的概要俯视图。

图11为示出像素中的子像素和像素接点区域的配置的示意俯视图。

图12为示出蓝色(B)、绿色(G)、红色(R)的子像素的各自之中的共振结构的分光特性和滤色器的分光特性的曲线图。

图13为对不同颜色的子像素在X方向或者Y方向上相邻的情况下的因视场角导致的颜色偏差进行说明的概要图。

图14为示出第2实施方式的电光装置中的子像素与像素接点区域的配置的概要俯视图。

图15为示出第3实施方式的电光装置中的子像素与像素接点区域的配置的概要俯视图。

图16为示出第4实施方式的电光装置中的子像素与像素接点区域的配置的概要俯视图。

图17为示出第5实施方式的电光装置中的子像素与像素接点区域的配置的概要俯视图。

图18为示出比较例1中的不同颜色的子像素与像素接点区域的配置的概要俯视图。

图19为示出比较例2的不同颜色的子像素与像素接点区域的配置的概要俯视图。

图20为示出实施例和比较例的X方向上的亮度的视场角特性的曲线图。

图21为示出实施例和比较例的Y方向上的亮度的视场角特性的曲线图。

图22为示出实施例和比较例的X方向上的颜色偏差的视场角特性的曲线图。

图23为示出实施例和比较例的Y方向上的颜色偏差的视场角特性的曲线图。

图24为示出从有机EL元件的发光部到着色层的距离与颜色偏差之间的关系的曲线图。

图25为示出像素接点区域的宽度与颜色偏差之间的关系的曲线图。

图26为示出作为电子设备的头戴显示器的结构的概要图。

图27为示出变形例的像素中的子像素与像素接点区域的配置的概要俯视图。

标号说明

10…作为基板的半导体基板；50、50B、50G、50R…作为发光元件的有机EL元件；70…滤色器；71、71B、71G、71R…着色层；100…电光装置；110、110B、110G、110R…像素电路或者子像素；CH9、CH10、CH11…接触孔或者像素接点区域；P…作为显示单位的像素；SP…子像素。

具体实施方式

以下，根据附图对本发明的具体实施方式进行说明。另外，将所使用的附图适当地放大或者缩小来进行显示以使得所说明的部分成为能够辨识的状态。

(第1实施方式)

＜电光装置＞

首先，参照图1和图2对本实施方式的电光装置的基本结构例进行说明。图1为示出电光装置的结构的立体图，图2为示出了显示面板中的显示单位(像素)的配置的概要俯视图。

本实施方式的电光装置100为能够进行彩色显示的显示装置，具备：显示面板101、平面安装有与显示面板101的驱动相关的驱动器IC103的柔性电路基板102(下面，称之为FPC102)、以及收纳显示面板101并将其固定在支承体等上的框体105。

FPC102与显示面板101电连接，并具有用于从外部电路向驱动器IC103输入图像信息等输入信号的多个外部连接用端子104。

在框体105上，设置有能够使显示面板101的显示被视觉辨认的窗口框架(开口部)105a。

如图2所示，显示面板101具有横向较长的显示区域101a，在显示区域101a中，作为显示单位的像素P按照规定的配置间距配置有多个，并配置为矩阵状。此外，在图2中省略了图示，但像素P具备至少能够显示蓝色(B)、绿色(G)、红色(R)的子像素SP。子像素SP具备作为发光元件的有机电致发光(EL)元件、和将来自有机EL元件的发光转换为规定的波段的光(颜色光)的着色层。关于像素P(子像素SP)的详细结构会在后文中叙述，将像素P的排列的行方向设为X方向，将列方向设为Y方向，在后文中说明。在本实施方式中，X方向为本发明的第1方向的一个示例，Y方向为本发明的与第1方向交叉的第2方向的一个示例。

显示面板101为显示区域101a的对角线长度例如不到1英寸(inch；约25.4mm)的微型显示器。显示区域101a的像素密度为例如3300ppi(pixel per inch：像素/每英寸)。

具备这种显示面板101的自发光型电光装置100例如优选用作，作为后文所述的电子设备的头戴显示器的显示部。

＜子像素的电结构＞

接下来，参照图3对电光装置100的子像素SP的电结构进行说明。图3为示出子像素中的像素电路的电路图。

如图3所示，子像素SP中的像素电路110包含4个晶体管31、32、33、34、有机EL元件50、和保持电容35。在图2所示的显示面板101的显示区域101a中，设置有用于实现与像素电路110中的这些结构要素电连接的信号布线，即，扫描线22、数据线26、第1控制线27、第2控制线28、第1电源布线41及第2电源布线42。

像素电路110设置在第1电源布线41与第2电源布线42之间。扫描线22、第1控制线27、第2控制线28以跨及排列在X方向上的多个像素电路110的方式在X方向上延伸设置。数据线26以跨及排列在Y方向上的多个像素电路110的方式在Y方向上延伸设置。在数据线26的输入侧串联连接有电容元件25。

像素电路110包含写入控制晶体管31、驱动晶体管32、补偿晶体管33和发光控制晶体管34。虽然在本实施方式中，使这些晶体管为P沟道型，但也能够使用N沟道型晶体管。

作为发光元件的有机EL元件50具有，作为阳极的第1电极51、作为阴极的第2电极52、和被夹持在这些电极之间的发光功能层53。第1电极51是针对每个像素电路110(子像素SP)而设置的像素电极，此后称之为像素电极51。第2电极52是跨及多个像素电路110(子像素SP)而被设置为共用的共用电极，其跨及图2所示的显示区域101a而配置，此后称之为共用电极52。

有机EL元件50中的发光功能层53包含含有有机发光材料的发光层。在本实施方式中，为能够从发光功能层53得到白色发光的结构。

如图3所示，有机EL元件50经由驱动晶体管32和发光控制晶体管34而被连接在第1电源布线41与第2电源布线42之间。向第1电源布线41供给高电位的电源电位Vel。向第2电源布线42供给低电位的电源电位(例如接地电位)Vct。

在驱动晶体管32的一对电流端子中的一个(源极或者漏极)上连接有第1电源布线41。在驱动晶体管32的一对电流端子中的另一个(源极或者漏极)上连接有发光控制晶体管34的一对电流端子中的一个(源极或者漏极)。在发光控制晶体管34的一对电流端子中的另一个(源极或者漏极)上连接有有机EL元件50的像素电极51。有机EL元件50的共用电极52与第2电源布线42连接。

写入控制晶体管31的栅极与扫描线22连接，一对电流端子中的一个(源极或者漏极)与数据线26连接，另一个(源极或者漏极)与驱动晶体管32的栅极连接。保持电容35的一对电容电极36、37中的一个电容电极36与第1电源布线41连接，另一个电容电极37与写入控制晶体管31的一对电流端子中的另一个连接。

补偿晶体管33的栅极与第1控制线27连接，一对电流端子中的一个(源极或者漏极)与数据线26连接，另一个与发光控制晶体管34的一对电流端子中的一个(源极或者漏极)连接。在发光控制晶体管34的栅极上连接有第2控制线28。

扫描线22与供给扫描信号的扫描线驱动电路连接。数据线26被连接在电容元件25的一端，电容元件25的另一端与供给基于图像信号的数据信号的数据线驱动电路连接。因此，数据信号被供给到电容元件25，与数据信号对应的电位被供给到数据线26。

在本实施方式中，在水平扫描期间内具有补偿期间与写入期间，扫描线驱动电路通过向扫描线22供给扫描信号而按照每个水平扫描期间依次选择多个扫描线22的每一个。与扫描线驱动电路所选择的扫描线22对应的像素电路110的写入控制晶体管31转移为导通状态。因此，像素电路110的驱动晶体管32也转移为导通状态。此外，扫描线驱动电路通过向第1控制线27供给控制信号而按照每个补偿期间依次选择多个第1控制线27的每一个。与扫描线驱动电路所选择的第1控制线27对应的像素电路110的补偿晶体管33转移为导通状态。而且，保持电容35对驱动晶体管32的阈值电压|Vth|进行保持，直至补偿晶体管33被设为截止状态的补偿期间结束为止。当扫描线驱动电路通过向第1控制线27供给控制信号而将像素电路110的补偿晶体管33控制为截止状态时，从数据线26起至驱动晶体管32的栅电极为止的路径处于浮动状态。另一方面，驱动晶体管32的栅极电位通过保持电容35而被维持为(Vel-|Vth|)的电位。接下来，数据线驱动电路按照每个写入期间以并行方式向电容元件25提供如下的灰度电位(数据信号)，该灰度电位(数据信号)与从外部电路供给的图像信号针对每个像素电路110所指定的灰度对应。然后，使用电容元件25转换灰度电位的电平，并将该电位经由数据线26和写入控制晶体管31而供给至像素电路110的驱动晶体管32的栅极。在保持电容35中，保持有对驱动晶体管32的阈值电压|Vth|进行补偿且与灰度电位对应的电压。另一方面，当写入期间中的扫描线22的选择结束时，扫描线驱动电路通过向第2控制线28供给控制信号而将与该第2控制线28对应的像素电路110的发光控制晶体管34控制为导通状态。因此，与前面紧邻的写入期间中由保持电容35所保持的电压对应的驱动电流从驱动晶体管32经由发光控制晶体管34而被供给到有机EL元件50。有机EL元件50以与该驱动电流的电流量对应的亮度发光。以此方式，有机EL元件50以与灰度电位对应的亮度来发光，由此显示图像信号所指定的任意图像。而且，由于从驱动晶体管32供给至有机EL元件50的驱动电流已被抵消掉了阈值电压的影响，因此即使驱动晶体管32的阈值电压按照每个像素电路110存在偏差，也会补偿该偏差。此外，由于将与灰度电平对应的驱动电流供给至有机EL元件50，因此抑制了有损于显示画面的均匀性的显示不均的产生，其结果，能够实现高质量的显示。

另外，像素电路110并不限定于具备4个晶体管31、32、33、34的结构，例如，如果驱动晶体管32的阈值电压在每个像素电路110中的偏差较小，则也可以采用没有补偿晶体管33的结构。此外，信号布线的结构并不限定于此，例如，扫描线22采用了与第1控制线27不同的布线，但扫描线22与第1控制线27也可以采用一条布线。

＜像素的构造＞

接下来，参照图4～图10来对像素P(子像素SP)的构造进行说明。图4和图5为示出子像素的构造的概要截面图。图4为示出蓝色(B)、绿色(G)的子像素SP的构造的概要截面图，图5为示出绿色(G)、红色(R)的子像素SP的构造的概要截面图。详细而言，图4为跨及后文所述的、图10中所示的在子像素的配置中沿Y方向配置的4个晶体管32、31、33、34、且沿着跨及蓝色(B)、绿色(G)各子像素的H-H’线的概要截面图。图5为同样跨及图10所示的在子像素的配置中沿X方向配置的3个晶体管33，且沿着跨及绿色(G)、红色(R)各子像素的A-A’线的概要截面图。另外，本实施方式的显示面板101具有在同一基板上按照每个子像素SP形成的作为发光元件的有机EL元件50和着色层71。

如图4和图5所示，在本实施方式中，构成像素电路110的4个晶体管31、32、33、34分别具备，作为基板的、例如通过向硅等半导体基板10的一个表面注入杂质离子而形成的有源区域10A。即，4个晶体管31、32、33、34为MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)。另外，有源区域10A包含被高浓度地注入杂质离子从而作为源极或者漏极发挥功能的区域、和被低浓度地注入杂质离子或者不注入杂质离子从而作为栅极发挥功能的区域，但在图4和图5中，为了方便，概括为一个而进行显示。

在半导体基板10之上，以覆盖有源区域10A的方式形成栅绝缘膜11。在栅绝缘膜11之上，在与有源区域10A中的作为栅极发挥功能的区域对置的部分处形成有栅电极。在图4中示出了驱动晶体管32的栅电极32g、补偿晶体管33的栅电极33g和发光控制晶体管34的栅电极34g。当然，在写入控制晶体管31中也同样形成有栅电极。覆盖这些栅电极而形成有第1层间绝缘膜12。此外，贯穿第1层间绝缘膜12与栅绝缘膜11设置有到达至例如作为写入控制晶体管31的源极或者漏极发挥功能的区域的贯穿孔。此外，贯穿第1层间绝缘膜12而设置有到达至例如驱动晶体管32的栅电极32g的贯穿孔。通过以覆盖这些贯穿孔的方式成膜出导电膜并进行构图而形成与例如作为写入控制晶体管31的源极或者漏极发挥功能的区域相接的接触孔CH1和与驱动晶体管32的栅电极32g相接的接触孔CH2。此外还形成有连接接触孔CH1与接触孔CH2的布线21A。即，形成有对写入控制晶体管31的源极或者漏极与驱动晶体管32的栅极进行连接的布线21A。在第1层间绝缘膜12之上，不仅形成有布线21A，还以同样方式形成有用于实现与其他晶体管的连接的布线21D等。另外，虽然在图4中未图示，布线21D与发光控制晶体管34的一对电流端子中的另一个连接。

形成有覆盖这些布线21A和布线21D等的第2层间绝缘膜13。此外，贯穿第2层间绝缘膜13而形成例如到达至布线21D的贯穿孔，并通过以覆盖该贯穿孔的方式而成膜出导电膜并进行构图，从而形成经由接触孔CH3与布线21D连接的中继层29B。此外，通过与中继层29B同层地对导电膜进行构图，分别形成了扫描线22、第1控制线27、第2控制线28、第1电源布线41。

形成覆盖扫描线22、第1控制线27、第2控制线28、第1电源布线41、中继层29B等的第3层间绝缘膜14。此外，贯穿第3层间绝缘膜14而形成例如到达至中继层29B的贯穿孔，并通过以覆盖该贯穿孔的方式成膜出导电膜并进行构图，从而形成经由接触孔CH4而与中继层29B连接的中继布线43B。

形成覆盖中继布线43B等的第4层间绝缘膜15。此外，贯穿第4层间绝缘膜15而形成有例如到达至中继布线43B的贯穿孔，通过以覆盖该贯穿孔的方式而成膜出具有光反射性的导电膜并进行构图，从而形成与蓝色(B)、绿色(G)的子像素SP对应的反射层45B、45G。例如，反射层45G经由设置于第4层间绝缘膜15的接触孔CH5而与中继布线43B连接。此外，如图5所示，还以同样的方式形成有与红色(R)的子像素SP对应的反射层45R。另外，在以后的说明中，有时也会将形成于同一布线层的反射层45B、45G、45R仅称为反射层45。

如图4所示，以覆盖反射层45的方式而形成第1绝缘层16a。此外，在蓝色(B)的子像素SP中，在第1绝缘层16a之上进行构图而形成第2绝缘层16b。然后，在第2绝缘层16b之上进行构图而形成像素电极51B。在绿色(G)的子像素SP中，在第1绝缘层16a之上进行构图而形成第2绝缘层16b和第4绝缘层16d。然后，在第4绝缘层16d之上进行构图而形成像素电极51G。如图5所示，在红色(R)的子像素SP中，在第1绝缘层16a之上进行构图而分别形成第2绝缘层16b、第3绝缘层16c和第4绝缘层16d。然后，在第4绝缘层16d之上进行构图而形成像素电极51R。即，第3绝缘层16c与红色(R)的子像素SP对应地形成，第4绝缘层16d与绿色(G)及红色(R)的子像素SP对应地形成。

如图4所示，形成有用于确保像素电极51B、51G间的绝缘性的第5绝缘层17。第5绝缘层17形成为覆盖各像素电极51B、51G的外缘部，并在各像素电极51B、51G之上具有开口部。该开口部规定蓝色(B)、绿色(G)的子像素SP的发光区域。如图5所示，在红色(R)的子像素SP中，也以覆盖像素电极51R的外缘部的方式而构图形成有第5绝缘层17，并利用第5绝缘层17形成有规定发光区域的开口部。

以覆盖各像素电极51B、51G和第5绝缘层17的方式形成有发光功能层53，以覆盖发光功能层53的方式成膜出兼具光透过性与光反射性的导电膜而形成共用电极52。由此，按照蓝色(B)、绿色(G)的子像素SP的每一个，形成顶部发射型的有机EL元件50。如图5所示，关于红色(R)的子像素SP，也以同样方式形成顶部发射型的有机EL元件50。

作为构成像素电极51B、51G、51R的透明导电膜使用具有功函数的例如ITO(Indium-Tin-Oxide：铟锡氧化物)膜，该功函数考虑了空穴向发光功能层53注入的注入性。共用电极52使用兼具光透过性与光反射性的例如Mg和Ag的合金。另外，在发光功能层53与共用电极52之间也可以设置例如Li、Mg、Ca等金属薄膜，该Li、Mg、Ca等金属薄膜具有考虑了电子向发光功能层53注入的注入性的功函数。

发光功能层53如前文所述包括可以获得白色发光的发光层，但在本实施方式中，通过针对蓝色(B)、绿色(G)、红色(R)的子像素SP的每一个导入光学共振结构，由此设定为能够使从有机EL元件50取出与各颜色对应的特定波段的光的顶部发射结构。光学共振结构通过针对蓝色(B)、绿色(G)、红色(R)的子像素SP的每一个使反射层45与共用电极52之间的光学距离不同，而从有机EL元件50射出与各颜色对应的共振波长的光。在本实施方式中，采用了通过使反射层45与像素电极51之间的绝缘层的层结构不同而使光学距离不同的光学共振结构。具体而言，对于共振波长而言，绿色、红色的共振波长比蓝色长，因此在反射层45B与像素电极51B之间存在第1绝缘层16a和第2绝缘层16b，在反射层45G与像素电极51G之间存在第1绝缘层16a、第2绝缘层16b和第4绝缘层16d。此外，如图5所示，在反射层45R与像素电极51R之间存在第1绝缘层16a、第2绝缘层16b、第3绝缘层16c和第4绝缘层16d。由此，如果以覆盖像素电极51B、51G、51R的方式形成均一膜厚的发光功能层53，则蓝色(B)的子像素SP中的反射层45B与共用电极52之间的光学距离变得最小，红色(R)的子像素SP中的反射层45R与共用电极52之间的光学距离变得最大。另外，在这种光学共振结构中，并不限定于使反射层45B、45G、45R与像素电极51B、51G、51R之间的绝缘层的层结构不同的情况，也可以采用如下结构：使反射层45与像素电极51之间的绝缘层的膜厚为固定，并通过使像素电极51B、51G、51R的膜厚按照蓝色(B)、绿色(G)、红色(R)的子像素SP的每一个而不同，从而使光学距离不同。下面，将设置于具有光学共振结构的蓝色(B)、绿色(G)、红色(R)的子像素SP中的有机EL元件50称为有机EL元件50B、50G、50R。

接下来，如图4和图5所示，以覆盖共用电极52的方式形成密封层60。密封层60保护有机EL元件50B、50G、50R以使水分和氧等不会进入其中。此外，由于之后会在密封层60之上形成滤色器70，考虑采用实现密封层60的平坦化的结构。具体而言，密封层60由第1无机密封膜61、有机密封膜62、第2无机密封膜63依序层叠而成。第1无机密封膜61及第2无机密封膜63使用水分和氧等气体难以透过的例如二氧化硅膜、氮化硅膜或者氮氧化硅膜。有机密封膜62使用例如丙烯酸类的透明树脂等，针对该丙烯酸类的透明树脂能够利用旋转涂布法和印刷法等在具有凹凸的表面上进行涂布而实现平坦化。

在密封层60之上形成有滤色器70。滤色器70具有与蓝色(B)、绿色(G)、红色(R)的子像素SP对应的着色层71B、71G、71R。作为这种滤色器70的形成方法，可以列举有通过涂布包含着颜色材料的感光性树脂并进行曝光/显影由此依序形成着色层71B、71G、71R的光刻法。另外，着色层71B、71G、71R的形成顺序不限定于蓝色(B)、绿色(G)、红色(R)的顺序。此外为了获得所需的光学特性，可以使着色层71B、71G、71R的膜厚按照颜色而不同。下面，也可以将着色层71B、71G、71R统称为着色层71。

以此方式，在半导体基板10上，首先形成包括4个晶体管31、32、33、34的像素电路110，然后形成有机EL元件50B、50G、50R、密封层60和滤色器70。在形成有这些结构要素的半导体基板10上隔着透明的粘接层80粘贴同样透明的对置基板90，从而完成了显示面板101。对置基板90作为对形成在半导体基板10上的有机EL元件50B、50G、50R、滤色器70等进行保护的保护基板而发挥功能。

接下来，参照图4和图5对像素接点区域的构造进行说明。本发明中的像素接点区域是指，在蓝色(B)、绿色(G)、红色(R)的各子像素SP中形成有接触孔的区域或者包含接触孔的非发光区域，该接触孔实现作为电气上的中继布线发挥功能的反射层45与像素电极51之间的连接。

如图4所示，在本实施方式的绿色(G)的子像素SP中，形成在第3层间绝缘膜14之上的中继布线43B经由贯穿第4层间绝缘膜15的接触孔CH5与反射层45G连接。如图5所示，反射层45G经由贯穿第1绝缘层16a、第2绝缘层16b、第4绝缘层16d的接触孔CH10与像素电极51G连接。由于有机EL元件50G为顶部发射型，从而设置于反射层45G的下层的接触孔CH5不会影响来自有机EL元件50G的发光，因此中继布线43B和接触孔CH5在布线层的位置的确定具有一定程度的自由度。与此相对，由于设置于反射层45G之上的接触孔CH10在布线层中的位置会影响到来自有机EL元件50G的发光，因此将该接触孔CH10设置在不与前述的规定发光区域的第5绝缘层17的开口部重叠的位置。即，与接触孔CH10重叠的像素电极51G的部分被第5绝缘层17覆盖，与发光功能层53电绝缘，因此与接触孔CH10重叠的区域成为非发光区域。除此之外，接触孔CH5与接触孔CH10被设置在不同的位置处。即，以在俯视观察时与接触孔CH10重叠的方式形成的第5绝缘层17的部分为绿色(G)的子像素SP的像素接点区域。

此外，如图5所示，在红色(R)的子像素SP中，反射层45R经由贯穿第1绝缘层16a、第2绝缘层16b、第3绝缘层16c、第4绝缘层16d的接触孔CH9与像素电极51R连接。有机EL元件50R也是顶部发射型，因而设置于反射层45R之上的接触孔CH9在布线层中的位置会影响到来自有机EL元件50R的发光，因此与绿色(G)的子像素SP同样，该接触孔CH9设置在不与规定发光区域的第5绝缘层17的开口部重叠的位置。即，与接触孔CH9重叠的像素电极51R的部分被第5绝缘层17覆盖，与发光功能层53电绝缘，因此与接触孔CH9重叠的区域成为非发光区域。即，以在俯视观察时与接触孔CH9重叠的方式形成的第5绝缘层17的部分为红色(R)的子像素SP的像素接点区域。另外，虽然在图4和图5中未图示，但在蓝色(B)的子像素SP中，反射层45B经由贯穿第1绝缘层16a、第2绝缘层16b的接触孔CH11与像素电极51B连接。接触孔CH11也被第5绝缘层17覆盖。即，以在俯视观察时与接触孔CH11重叠的方式形成的第5绝缘层17的部分为蓝色(B)的子像素SP的像素接点区域。

在本实施方式中，从贯穿多层绝缘层形成接触孔CH9、CH10、CH11的观点出发，如图5所示，形成贯穿第1绝缘层16a与第2绝缘层16b的孔，从而形成与反射层45连接的中继部。之后，在绿色(G)的子像素SP中，以不覆盖中继部的方式进行构图以形成第4绝缘层16d。在红色(R)的子像素SP中，以不覆盖中继部的方式进行构图以形成第3绝缘层16c与第4绝缘层16d。然后，以与各子像素SP的中继部连接的方式成膜出透明导电膜，并通过构图形成像素电极51B、51G、51R，并形成包含中继部的上述接触孔CH9、CH10、CH11。即，为了使反射层45与像素电极51电连接，预先形成中继部，由此电连接的距离缩短，能够容易地形成各接触孔CH9、CH10、CH11。

另外，在图5中，图示了栅电极33g与第1控制线27连接的补偿晶体管33。如前文所述，在半导体基板10的有源区域10A中设置有漏极区域33d和源极区域33s。

虽然在本实施方式中，像素电路110中的4个晶体管31、32、33、34由MOSFET构成，但并不限定于此，例如也可以使用TFT(Thin-Film-Transistor：薄膜晶体管)。

＜像素的电结构的配置＞

接下来，参照图6～图10对半导体基板10上的各布线层中的像素的电结构的配置进行说明。图6～图10为示出布线层中的像素的电结构的配置的概要俯视图。具体而言，图6示出了4个晶体管31、32、33、34的配置，图7示出了扫描线22、第1控制线27、第2控制线28和第1电源布线41的配置，图8示出了数据线26和中继布线的配置，图9示出了反射层45B、45G、45R的配置，图10示出了像素电极51B、51G、51R和像素接点区域的配置。

首先，参照图6对半导体基板10中的4个晶体管31、32、33、34和这些晶体管31、32、33、34的源极或者漏极的布线配置进行说明。另外，将蓝色(B)的子像素SP的像素电路的符号设为110B。同样地，将绿色(G)的子像素SP的像素电路的符号设为110G，将红色(R)的子像素SP的像素电路的符号设为110R。

如图6所示，在像素P中，像素电路110所包含的4个晶体管31、32、33、34分别以其一对电流端子沿X方向的方式配置。此外，按照发光控制晶体管34、补偿晶体管33、写入控制晶体管31、驱动晶体管32的顺序而在Y方向上排列配置。将这种像素电路110的4个晶体管31、32、33、34的配置作为1个单位，像素电路110G、像素电路110B、像素电路110R依照该顺序并排配置在X方向上。

4个晶体管31、32、33、34在一对电流端子之间与有源区域对置配置，分别具有被设置为岛状的栅电极31g、32g、33g、34g。栅电极31g、32g、33g、34g被设置在同一布线层中。

在此，将各晶体管31、32、33、34的一对电流端子(源极或者漏极)之中的一个称为源极区域，将另一个称为漏极区域。在写入控制晶体管31、驱动晶体管32和补偿晶体管33中，一对电流端子之中的漏极区域在X方向上位于栅电极的左侧，源极区域在X方向上位于栅电极的右侧。与此相对，发光控制晶体管34的一对电流端子之中的漏极区域在X方向上位于栅电极的右侧，源极区域在X方向上位于栅电极的左侧。

写入控制晶体管31的漏极区域31d与驱动晶体管32的栅电极32g通过沿Y方向延伸的布线21A而连接。驱动晶体管32的漏极区域32d、补偿晶体管33的漏极区域33d以及发光控制晶体管34的源极区域34s通过沿Y方向延伸的布线21B而连接。写入控制晶体管31的源极区域31s与补偿晶体管33的源极区域33s通过沿Y方向延伸的布线21C而连接。在沿Y方向延伸的布线21C的中间点上配置有后述的用于与中继层29A连接的接触孔21s。在发光控制晶体管34的漏极区域34d中，连接有以沿X方向和Y方向的方式而弯折的布线21D的一个端部，在布线21D的另一个端部配置有后述的用于与中继层29B连接的接触孔CH3。布线21A、21B、21C在栅电极31g、32g、33g、34g的上层被设置于同一布线层中。

如图7所示，扫描线22以与像素电路110G、110B、110R的写入控制晶体管31重叠的方式沿X方向延伸，并经由接触孔与写入控制晶体管31的栅电极31g连接。第1控制线27以与像素电路110G、110B、110R的补偿晶体管33重叠的方式沿X方向延伸，并经由接触孔与补偿晶体管33的栅电极33g连接。第2控制线28以与像素电路110G、110B、110R的发光控制晶体管34重叠的方式沿X方向延伸，并经由接触孔与发光控制晶体管34的栅电极34g连接。第1电源布线41以与像素电路110G、110B、110R的驱动晶体管32重叠的方式沿X方向延伸，并经由接触孔与驱动晶体管32的源极区域连接。

在扫描线22与第1控制线27之间设置有与上述接触孔21s连接的中继层29A，该接触孔21s设置在对写入控制晶体管31的源极区域31s与补偿晶体管33的源极区域33s进行连接的布线21C的中间点处。在中继层29A中设置有用于连接后文所述的数据线26的接触孔CH8。

在与发光控制晶体管34的漏极区域连接的布线21D的另一个端部设置有中继层29B。在中继层29B配置有后文所述的用于连接中继布线的接触孔CH4。即，下层的接触孔CH3与上层的接触孔CH4隔着中继层29B在俯视观察时被设置于相同的位置(参照图4)。

扫描线22、第1控制线27、第2控制线28、第1电源布线41、中继层29A和中继层29B被设置在同一布线层。

如图8所示，对应于各像素电路110G、110B、110R设置有在Y方向上延伸的数据线26。数据线26通过接触孔CH8及前文所述的中继层29A、接触孔21s与布线21C电连接。

在像素电路110G与像素电路110R中设置有在Y方向上延伸的中继布线43B。中继布线43B的一个端部与下层的接触孔CH4连接。在中继布线43B的另一个端部配置有后文所述的与反射层45G、45R连接的接触孔CH5、CH6。在像素电路110B中也设置有在Y方向上延伸的中继布线43C。在Y方向上，中继布线43C与中继布线43B相比而较长，中继布线43C的一个端部与下层的接触孔CH4连接。在中继布线43C的另一个端部配置有后文所述的与反射层45B连接的接触孔CH7。数据线26、中继布线43B、43C被设置在同一布线层中。

如图9所示，与绿色(G)的子像素SP对应的反射层45G和与红色(R)的子像素SP对应的反射层45R在X方向上排列配置。反射层45G和反射层45R为相同大小的长方形。同样为长方形的反射层45B在Y方向上与反射层45G、45R排列配置。反射层45B的大小为反射层45G的大小的大致2倍。反射层45B、45G、45R被设置于同一布线层，并且分别在电气上独立地设置。反射层45G与设置于下层的接触孔CH5连接，反射层45R与设置于下层的接触孔CH6连接，反射层45B与设置于下层的接触孔CH7连接。

如图10所示，以在俯视观察时与反射层45B重叠的方式配置有像素电极51B。像素电极51B的外形为长方形，实现了反射层45B与像素电极51B之间的电连接的接触孔CH11以与反射层45B的X方向上的一个端部侧重叠的方式配置，并且以与像素电极51B的短边部重叠的方式配置。像素电极51G以在俯视观察时与反射层45G重叠的方式配置。像素电极51G的外形为长方形，实现了反射层45G与像素电极51G的电连接的接触孔CH10以与反射层45G的X方向上的一个端部侧重叠的方式配置，并且以与像素电极51G的短边部重叠的方式配置。同样地，像素电极51R以在俯视观察时与反射层45R重叠的方式配置。像素电极51R的外形为长方形，实现了反射层45R与像素电极51R的电连接的接触孔CH9以与反射层45R的X方向上的一个端部侧重叠的方式配置，并且以与像素电极51R的短边部重叠的方式配置。将这些设置有接触孔CH9、CH10、CH11的区域称为像素接点区域。

如前文所述，由于使用ITO等透明导电膜形成的像素电极51B、51G、51R具有比扫描线22和中继布线43B等更高的电阻，因此实现该像素电极51B、51G、51R与反射层45B、45G、45R之间的电连接的接触孔CH9、CH10、CH11被形成为与其他布线的接触孔相比在俯视观察时较大。

以此方式，在像素电路110B、110G、110R之中，除了有机EL元件50B、50G、50R之外，4个晶体管31、32、33、34和与之连接的信号布线类与反射层45B、45G、45R相比被设置于下层。由于与反射层45B、45G、45R相比设置于下层的结构配置不会影响到上层的有机EL元件50B、50G、50R的发光，因此具有配置上的自由度。即，能够根据反射层45与像素电极51的配置而较为自由地配置像素电路110。

在各像素电极51B、51G、51R上规定了发光区域(开口部)的第5绝缘层17以覆盖接触孔CH9、CH10、CH11的方式设置(参照图5)。因此，在像素电极51B、51G、51R上与接触孔CH9、CH10、CH11重叠的部分会通过第5绝缘层17而被绝缘，不会与发光功能层53接触。即像素接点区域为非发光区域。

在蓝色(B)、绿色(G)、红色(R)的子像素SP中，从确保亮度的观点出发，优选尽可能使作为非发光区域的像素接点区域较小。另一方面，如果使像素接点区域过小，则反射层45与像素电极51的连接电阻变小，会导致有机EL元件50的驱动电流的电阻损耗。除此之外，像素接点区域的配置还会影响像素P的光学特性。下面，参照图11～图13对本实施方式中的子像素SP的结构与光学特性的关系进行说明。

＜子像素和像素接点区域的配置＞

图11为示出像素中的子像素和像素接点区域的配置的示意俯视图。另外，在此后的说明中，为了方便地识别蓝色(B)、绿色(G)、红色(R)的各子像素SP，使用像素电路110B、110G、110R的符号，对蓝色(B)的子像素标注符号110B，对绿色(G)的子像素标注符号110G，对红色(R)的子像素标注符号110R来进行表示。此外，作为子像素110B、110G、110R在附图上示出的区域分别表示发光区域。并且，使用接触孔CH9、CH10、CH11的符号来表示子像素110B、110G、110R的像素接点区域。即，对子像素110R的像素接点区域标注符号CH9，对子像素110G的像素接点区域标注符号CH10，对子像素110B的像素接点区域标注符号CH11来进行表示。

如图11所示，作为像素P的像素P1具有在X方向上排列的子像素110G、像素接点区域CH10、子像素110R和像素接点区域CH9。此外像素P1还具有相对于子像素110G及子像素110R在Y方向上排列的子像素110B。子像素110B的像素接点区域CH11相对于子像素110B在X方向上排列，并且相对于子像素110R的像素接点区域CH9在Y方向上排列。

作为在X方向上与像素P1相邻的像素P的像素P2，与像素P1同样，具有在X方向上排列的子像素110G、像素接点区域CH10、子像素110R和像素接点区域CH9。此外，像素P2具有相对于子像素110G及子像素110R在Y方向上排列的子像素110B。子像素110B的像素接点区域CH11相对于子像素110B在X方向上排列，并且相对于子像素110R的像素接点区域CH9在Y方向上排列。

即，在X方向上相邻的像素P1与像素P2中，子像素110G、像素接点区域CH10、子像素110R、像素接点区域CH9成为按照此顺序在X方向上反复排列的状态。同样地，子像素110B、像素接点区域CH11成为按照此顺序在X方向上反复排列的状态。在Y方向上排列的子像素110B与子像素110G及子像素110R之间不存在像素接点区域。像素接点区域如前文所述那样为非发光区域。此外，如图4及图5中所说明的那样，通过在各像素电极51B、51G、51R之上形成开口部的第5绝缘层17而将该开口部规定为发光区域，因此图11所示的各子像素110B、110G、110R成为被非发光区域围着的状态。

在本实施方式中，像素P1中的子像素110G为本发明的第1子像素的一个示例，子像素110R为本发明的第2子像素的一个示例。此外，在X方向上与像素P1相邻的像素P2中的子像素110G为本发明的第3子像素的一个示例，子像素110R为本发明的第4子像素的一个示例。此外，在X方向上相邻的像素P1与像素P2中的像素P1侧的子像素110B为本发明的第5子像素的一个示例，像素P2侧的子像素110B为本发明的第6子像素的一个示例。由此，像素P1中的像素接点区域CH10为本发明的第1区域的一个示例，像素接点区域CH9为本发明的第2区域的一个示例。像素P2中的像素接点区域CH10为本发明的第3区域的一个示例，像素接点区域CH9为本发明的第4区域的一个示例。此外，像素P1中的像素接点区域CH11为第5区域的一个示例，像素P2中的像素接点区域CH11为第6区域的一个示例。

在此，将X方向上的子像素110G的发光区域的长度与子像素110R的发光区域的长度设为相同的宽度d1，将Y方向上的子像素110G的发光区域的长度与子像素110R的发光区域的长度设为相同的宽度d2。将X方向上的子像素110B的发光区域的长度设为宽度d3，将Y方向上的子像素110B的发光区域的长度设为宽度d4。可以使宽度d2与宽度d4为相同的长度，也可以使它们为不同的长度。将X方向上的像素接点区域CH9的长度与像素接点区域CH10的长度设为相同的间隔d5，将X方向上的像素接点区域CH11的长度设为间隔d7。间隔d5与间隔d7在此情况下为相同的长度，但也可以为不同的长度。Y方向上的像素接点区域CH9、CH10的长度与Y方向上的子像素110G、110R的发光区域的长度相同，为宽度d2。Y方向上的像素接点区域CH11的长度与Y方向上的子像素110B的发光区域的长度相同，为宽度d4。将像素P内的在Y方向上相邻的子像素110B与子像素110G及子像素110R之间的长度设为间隔d6，将像素P内的子像素110B与在Y方向上与像素P的子像素110B相邻的像素P的子像素110G和子像素110R之间的长度设为间隔d8。间隔d6与间隔d8可以为相同的长度，也可以为不同的长度。

即，在本实施方式中，在作为第1方向的X方向上相邻的像素P1和像素P2中，具有在X方向上排列的作为第1子像素的子像素110G、作为第1区域的像素接点区域CH10、作为第2子像素的子像素110R、作为第2区域的像素接点区域CH9、作为第3子像素的子像素110G、作为第3区域的像素接点区域CH10、作为第4子像素的子像素110R、作为第4区域的像素接点区域CH9。子像素110G与子像素110R为不同的颜色。像素P1和像素P2中的像素接点区域CH9、CH10在作为第1方向的X方向上的长度、即间隔d5是相同的。

此外，还具有在作为第1方向的X方向上排列的作为第5子像素的子像素110B、作为第5区域的像素接点区域CH11、作为第6子像素的子像素110B、作为第6区域的像素接点区域CH11。子像素110B相对于子像素110G和子像素110R在作为第2方向的Y方向上排列，像素P1和像素P2中的像素接点区域CH11的长度、即间隔d7是相同的。

在本实施方式中，像素P内的子像素110B与子像素110G及子像素110R之间的长度、即上述间隔d6为本发明的第7区域和第8区域的一个示例。此外，子像素110B的上述像素接点区域CH11为本发明的第9区域的一个示例。另外，子像素110B也可以用作本发明的其他的应用例中的第3子像素。

在本实施方式中，子像素110G的面积与子像素110R的面积相同。此外，将子像素110B的面积设为子像素110G的面积的大致2倍。这是由于，子像素110B的有机EL元件50B的发光寿命比子像素110G的有机EL元件50G(或者子像素110R的有机EL元件50R)的发光寿命短。发光亮度取决于流过有机EL元件50中的电流量和发光面积，发光寿命取决于流过有机EL元件50的电流量和通电时间。因此，将子像素110B的面积设定为比子像素110G大从而在确保发光亮度的同时减少电流量，由此，使有机EL元件50B的发光寿命与有机EL元件50G的发光寿命几乎相等。

本实施方式中的子像素SP和像素接点区域中的配置特征为，子像素110G、像素接点区域CH10、子像素110R、像素接点区域CH9在X方向上按照此顺序被反复配置，像素接点区域CH9的长度与像素接点区域CH10的长度相同。由此，不同颜色的子像素110G与子像素110R成为在X方向上等间隔配置的状态。

此外，如果将Y方向上的间隔d6与间隔d8设为相同长度，则在Y方向上相邻的像素P中，不同颜色的子像素110G与子像素110B在Y方向上被等间隔配置。同样地，不同颜色的子像素110R与子像素110B在Y方向上被等间隔配置。

图12为示出蓝色(B)、绿色(G)、红色(R)的子像素SP的各自之中的共振结构的分光特性与滤色器的分光特性的曲线图。

如前文所述，以从蓝色(B)、绿色(G)、红色(R)的子像素SP分别取得所期望的波长范围的颜色光的方式设置了有机EL元件50B、50G、50R的共振结构和着色层71B、71G、71R。

如图12所示，蓝色(B)的着色层71B在例如400nm～490nm的波长范围内具有60％以上的光的透过率。在490nm以上的波段中，光的透过率减少，在550nm以上时成为10％以下。绿色(G)的着色层71G在例如490nm～580nm的波长范围内具有60％以上的光的透过率。在490nm以下的波段中，光的透过率急剧减小，在460nm以下时不足5％。此外，在580nm以上的波段中，光的透过率逐渐减小，在620nm以上时成为5％以下。红色(R)的着色层71R在例如590nm～650nm的波长范围内具有60％以上的光的透过率。在590nm以下的波段中，光的透过率急剧减小，在410nm以上且570nm以下的波段中成为10％以下。换言之，着色层71B的分光特性与着色层71G的分光特性具有重叠的部分，在490nm附近的透过率均为60％左右。此外，着色层71G的分光特性与着色层71R的分光特性具有重叠的部分，在590nm附近的透过率均为45％左右。

对应于此，从蓝色(B)的子像素SP中的有机EL元件50B射出了如下光：示出了分光放射亮度(spectral radiation brightness)(单位为W(瓦特)/(Sr(球面度)·m²(平方米)·nm(纳米))的峰值的共振波长为例如大致460nm的光。从绿色(G)的子像素SP中的有机EL元件50G射出了如下光：示出了分光放射亮度的峰值的共振波长为例如大致520nm的光。从红色(R)的子像素SP中的有机EL元件50R射出了如下光：示出了分光放射亮度的波峰的共振波长为例如大致610nm的光。即，通过具备共振结构和滤色器70(着色层71B、71G、71R)，由此成为能够从蓝色(B)、绿色(G)、红色(R)的子像素SP分别得到较高颜色纯度的颜色光的结构。

图13为对不同颜色的子像素在X方向或者Y方向上相邻的情况下因视场角导致的颜色偏差进行说明的概要图。具体而言，在图13中，在上部示出了在X方向上以绿色(G)、红色(R)、绿色(G)的顺序配置的子像素SP，在中部示出了在Y方向上以蓝色(B)、绿色(G)、蓝色(B)的顺序依次配置的子像素SP，在下部示出了在Y方向上以蓝色(B)、红色(R)、蓝色(B)的顺序依次配置的子像素SP。

如图13的上部所示，从绿色(G)的子像素SP的有机EL元件50G沿法线方向发出的光LG1透过着色层71G射出。同样地，从红色(R)的子像素SP的有机EL元件50R沿法线方向发出的光LR1透过着色层71R射出。如图12中示出的着色层71R的分光特性所示，从有机EL元件50G朝向着色层71R沿斜向发出的光LG2无法透过着色层71R(光LG2几乎都被着色层71R吸收)。另一方面，如图12所示，由于着色层71G的分光特性与有机EL元件50R的分光特性具有重叠的部分，因此从有机EL元件50R朝向着色层71G沿斜向发出的光LR2的一部分会透过着色层71G。即，如图13的上部所示，当相对于绿色(G)的子像素SP(着色层71G)在X方向上从斜向观察时，会视觉观察到光LR2的一部分混杂于光LG1中的状态的混色。例如，当将红色(R)的有机EL元件50R的发光区域的X方向上的一端相对于绿色(G)的着色层71G接近配置时，从斜向透过着色层71G的光LR2的光量会增加，因此混色状态的外观发生变化。

在本实施方式中，有机EL元件50G的发光区域与有机EL元件50R的发光区域之间的像素接点区域的间隔d5在X方向上相同。因此，相对于绿色(G)的子像素SP沿X方向从左侧和右侧观察的情况下的混色状态不易变化。即，因X方向上的视场角而导致的颜色偏差降低。当考虑降低因X方向上的视场角所导致的颜色偏差时，如图5所示，优选为，不同颜色的着色层71G与着色层71R以如下方式被配置：该不同颜色的着色层71G与着色层71R在X方向上的边界位于由第5绝缘层17规定的像素接点区域在X方向上的长度即间隔d5的中央处。换言之，优选为，从在X方向上以宽度d1示出的有机EL元件50R的发光区域的端部至着色层71R的端部为止的距离在附图上的X方向上左侧和右侧相等。同样地，优选为，从X方向上以宽度d1示出的有机EL元件50G的发光区域的端部至着色层71G的端部为止的距离在附图上的X方向上左侧与右侧相等。

如图13的上部所示，有机EL元件50B、50G、50R的发光部与滤色器70(着色层71B、71G、71R)之间的距离df如图4或者图5所示那样是由密封层60的膜厚决定的。密封层60的膜厚为大致2μm～4μm。与将有机EL元件50B、50G、50R与滤色器70(着色层71B、71G、71R)形成在不同的基板上对置配置相比，是在密封层60之上形成滤色器70的，因此能够将滤色器70(着色层71B、71G、71R)相对于有机EL元件50B、50G、50R的发光部以较高的位置精度来形成。此外，由于能够将有机EL元件50B、50G、50R的发光部与滤色器70(着色层71B、71G、71R)接近地配置，因此能够抑制因视场角导致的颜色偏差的影响。

如图13的中部所示，从绿色(G)的子像素SP的有机EL元件50G沿法线方向发出的光LG1透过着色层71G射出。同样地，从蓝色(B)的子像素SP的有机EL元件50B沿法线方向发出的光LB1通过着色层71B射出。如图12所示，由于着色层71B的分光特性与有机EL元件50G的分光特性具有重叠的部分，因此从有机EL元件50G朝向着色层71B沿斜向发出的光LG2的一部分会透过着色层71B。此外，如图12所示，由于着色层71G的分光特性与有机EL元件50B的分光特性具有重叠的部分，因此从有机EL元件50B朝向着色层71G沿斜向发出的光LB2的一部分会透过着色层71G。即，如图13的中部所示，当相对于绿色(G)的子像素SP(着色层71G)在Y方向上从斜向观察时，会视觉观察到光LB2的一部分混杂到光LG1之中而成的混色和光LG2的一部分混杂到光LB1之中而成的混色。例如，当将蓝色(B)的有机EL元件50B的发光区域在Y方向上的一端相对于绿色(G)的着色层71G接近配置时，透过着色层71G的光LB2的光量会增加，因此混色状态的外观会发生变化。从降低因Y方向上的视场角导致的颜色偏差这一观点出发，优选为，使Y方向上的有机EL元件50G的发光区域与有机EL元件50B的发光区域之间的一个像素接点区域的间隔d6与另一个像素区域的间隔d8为相同长度。当考虑降低因Y方向上的视场角导致的颜色偏差时，如图4所示那样，优选为，将不同颜色的着色层71B与着色层71G以如下方式配置：使该不同颜色的着色层71B与着色层71G在Y方向上的边界位于由第5绝缘层17规定的子像素间的区域在Y方向上的长度、即间隔d6(间隔d8)的中央处。换言之，从Y方向上以宽度d2示出的有机EL元件50G的发光区域的端部至着色层71G的端部为止的距离在附图上的Y方向上左侧和右侧相等。同样地，从Y方向上以宽度d4示出的有机EL元件50B的发光区域的端部至着色层71B的端部为止的距离在附图上的Y方向上左侧与右侧相等。

另外，当对图13的上部所示出的光LR2的一部分混杂到光LG1中的混色与光LB2的一部分混杂到光LG1中的混色进行比较时，光LB2与光LR2相比视觉辨认性较低。因此，也可以重视光LR2的一部分混杂到光LG1中的X方向上的混色，而不重视光LB2的一部分混杂到光LG1中的Y方向上的混色。换言之，Y方向上的、有机EL元件50G的发光区域与有机EL元件50B的发光区域之间的一个像素接点区域的间隔d6与另一个像素区域的间隔d8可以不一定相等。

如图13的下部所示，从红色(R)的子像素SP的有机EL元件50R沿法线方向发出的光LR1透过着色层71R射出。同样地，从蓝色(B)的子像素SP的有机EL元件50B沿法线方向发出的光LB1透过着色层71B射出。如图12所示，由于着色层71B的分光特性与有机EL元件50R的分光特性几乎不重叠，因此从有机EL元件50R朝向着色层71B沿斜向发出的光LR2的一部分不会透过着色层71B。此外，如图12所示，由于着色层71R的分光特性与有机EL元件50B的分光特性几乎不重叠，因此从有机EL元件50B朝向着色层71R沿斜向发出的光LB2的一部分不会透过着色层71R。即，当在Y方向上从斜向观察时，不会视觉观察到光LB2混杂到光LR1中的混色和光LR2混杂到光LB1中的混色。即，在Y方向上，即使减小有机EL元件50B的发光区域与有机EL元件50R的发光区域之间的间隔d6或者间隔d8也不易产生混色。

上述第1实施方式的效果如下所述。

(1)在X方向上相邻的像素P1与像素P2中，子像素110G、像素接点区域CH10、子像素110R、像素接点区域CH9按照此顺序沿X方向被反复配置。像素接点区域CH9和像素接点区域CH10在X方向上的间隔d5为相同的长度。因此，由于不同颜色的子像素110G、110R的发光区域在X方向上等间隔配置，因此能够提供降低了因X方向上的视场角导致的颜色偏差的电光装置100。

(2)在X方向上相邻的像素P1与像素P2中，子像素110B相对于子像素110G、110R在Y方向上排列配置。此外，子像素110B、像素接点区域CH11按照此顺序沿X方向被反复配置。像素接点区域CH11在X方向上的间隔d7为与像素接点区域CH9在X方向上的间隔d5相同的长度。即，利用像素接点区域CH9、CH10、CH11而将X方向上的子像素110B、110G、110R的各发光区域等间隔配置。换言之，不使用用于在X方向上对各个子像素110B、110G、110R进行等间隔划分的特别的结构，而是能够利用像素接点区域CH9、CH10、CH11等间隔地划分X方向上的子像素110B、110G、110R的发光区域。

(3)子像素110B、110G、110R各自具备有机EL元件50、有机EL元件50的共振结构和滤色器70(着色层71B、71G、71R)，因此能够从子像素110B、110G、110R分别获得颜色纯度优良的颜色光。因此，能够提供可降低因X方向上的视场角导致的颜色偏差，并可实现外观较为优异的彩色显示的自发光型的电光装置100。

(4)有机EL元件50(有机EL元件50B、50G、50R)、有机EL元件50B、50G、50R的共振结构、滤色器70(着色层71B、71G、71R)形成在同一半导体基板10之上。在有机EL元件50与滤色器70之间设置有密封层60，与将有机EL元件50和滤色器70分别形成在不同的基板上的情况相比，能够将有机EL元件50的发光部与滤色器70接近配置，因此能够提供显示质量不易受到因视场角导致的颜色偏差的影响的自发光型的电光装置100。

下面，对改变了不同颜色的子像素SP的配置的实施方式进行说明。另外，在此后的各实施方式中，电光装置100中的基本结构都是相同的，子像素SP具备作为发光元件的有机EL元件50、有机EL元件50的共振结构和滤色器70。因此，在与上述第1实施方式相同的结构中，标注相同的符号并省略详细的说明。此外，此后的各实施方式也均取得上述第1实施方式的效果(3)、(4)的共同效果。

(第2实施方式)

图14为示出第2实施方式的电光装置中的子像素与像素接点区域的配置的概要俯视图。

如图14所示，在第2实施方式中，相对于第1实施方式而言，在X方向上相邻的像素P1与像素P2中使子像素110G和子像素110R在X方向上的配置不同。具体而言，在X方向上依序配置了子像素110G、像素接点区域CH10、子像素110R、像素接点区域CH9、子像素110R、像素接点区域CH9、子像素110G和像素接点区域CH10。相同颜色的子像素110R隔着像素接点区域CH9配置在X方向上，相同颜色的子像素110G隔着像素接点区域CH10配置在X方向上。另外，在X方向上相邻的像素P1与像素P2中，也可以在X方向上依序配置子像素110R、像素接点区域CH9、子像素110G、像素接点区域CH10、子像素110G、像素接点区域CH10、子像素110R和像素接点区域CH9。另外，图14所示的子像素110B、110G、110R分别表示发光区域。

子像素110B和像素接点区域CH11的配置与第1实施方式相同，子像素110B相对于子像素110G及子像素110R在Y方向上排列配置。在X方向上相邻的像素P1与像素P2中，子像素110B、像素接点区域CH11按照此顺序沿X方向反复配置。即，相同颜色的子像素110B隔着像素接点区域CH11沿X方向配置。

根据该子像素SP的配置，相同颜色的子像素SP隔着该子像素SP的像素接点区域沿X方向排列配置。

X方向上的子像素110G的发光区域的长度与子像素110R的发光区域的长度相同，像素接点区域CH9的长度与像素接点区域CH10的长度也相同。此外，X方向上的像素接点区域CH9的长度与像素接点区域CH11的长度也相同。

根据上述第2实施方式，除了上述第1实施方式的效果(2)～(4)，还能够取得以下的效果。

(5)在X方向上，相同颜色的子像素SP隔着该子像素SP的像素接点区域配置。即，在X方向上相邻的像素P1与像素P2中，不同颜色的子像素SP以像素接点区域CH9、CH11为基准被配置为线对称。因此，相对于上述第1实施方式而言，实现了子像素SP在X方向上的配置的颜色对称性，从而X方向上不同颜色的子像素SP被相邻配置的概率下降，因而能够进一步抑制因X方向上的视场角导致的颜色偏差。

(第3实施方式)

图15为示出第3实施方式的电光装置中的子像素与像素接点区域的配置的概要俯视图。

如图15所示，相对于第1实施方式而言，在第3实施方式中使像素接点区域的配置不同。具体而言，子像素110G与子像素110R以隔开间隔d5的方式沿X方向被依序排列配置。子像素110B沿X方向被隔开间隔d7地反复配置。另外，图15所示的子像素110B、110G、110R分别表示发光区域。

子像素110G及子像素110R的发光区域在X方向上的长度为宽度d1，子像素110B的发光区域在X方向上的长度为大于宽度d1的宽度d3。子像素110G和子像素110R的发光区域在Y方向上的长度为宽度d2，子像素110B的发光区域在Y方向上的长度为宽度d4。宽度d2与宽度d4在Y方向上的长度可以相同，也可以不同。

在像素P中，子像素110B相对于子像素110G及子像素110R在Y方向上排列配置。在像素P内，在Y方向上排列的、像素110G及子像素110R与子像素110B之间的区域，即间隔d6内设置有子像素110G的像素接点区域CH12和子像素110R的像素接点区域CH13。此外，在作为Y方向上相邻的像素P的像素P1与像素P3中，在Y方向上排列的子像素110G及子像素110R与子像素110B之间的区域，即间隔d8内设置有子像素110B的像素接点区域CH14。在该情况下，间隔d6与间隔d8在Y方向上的长度相同。

在本实施方式中，像素P1中的子像素110G为本发明的第1子像素的一个示例，子像素110R为本发明的第2子像素的一个示例。此外，在X方向上与像素P1相邻的像素P2中的子像素110G为本发明的第3子像素的一个示例，子像素110R为本发明的第4子像素的一个示例。此外，在Y方向上相邻的像素P1与像素P3中，相对于子像素110G及子像素110R在Y方向上排列的子像素110B为本发明的第5子像素的一个示例。此外，在Y方向上相邻的像素P2与像素P4中，相对于子像素110G及子像素110R在Y方向上排列的子像素110B为本发明的第6子像素的一个示例。由此，像素P1中设置有像素接点区域CH12及像素接点区域CH13的区域(间隔d6)为本发明的第5区域的一个示例，像素P3中设置有像素接点区域CH14的区域(间隔d8)为本发明的第6区域的一个示例。像素P2中的设置有像素接点区域CH12及像素接点区域CH13的区域(间隔d6)为本发明的第7区域的一个示例，像素P4中设置有像素接点区域CH14的区域(间隔d8)为本发明的第8区域的一个示例。此外，像素P1中的在X方向上相邻的子像素110G与子像素110R之间的区域为第1区域的一个示例，在X方向上相邻的像素P1与像素P2中，子像素110R与子像素110G之间的区域为本发明的第2区域的一个示例，像素P2中的在X方向上相邻的子像素110G与子像素110R之间的区域为本发明的第3区域的一个示例。像素P2中的、相对于子像素110R位于在X方向上与第3区域相反一侧的、子像素间的区域为本发明的第4区域的一个示例。

根据上述第3实施方式，除了上述第1实施方式的效果(3)、(4)之外，还能够取得以下效果。

(6)在Y方向上相邻的像素P1与像素P3中，子像素110G、像素接点区域CH12、子像素110B、像素接点区域CH14、子像素110G、像素接点区域CH12、子像素110B、像素接点区域CH14依序沿Y方向配置。同样地，子像素110R、像素接点区域CH13、子像素110B、像素接点区域CH14、子像素110R、像素接点区域CH13、子像素110B、像素接点区域CH14依序沿Y方向配置。作为像素接点区域CH12、CH13在Y方向上的长度的间隔d6与作为像素接点区域CH14在Y方向上的长度的间隔d8相同，因此如在上述第1实施方式中所述那样，根据图12的分光特性生成混色的不同颜色的子像素110B的发光区域与子像素110G的发光区域在Y方向上被等间隔配置。此外，不易生成混色的不同颜色的子像素110B的发光区域与子像素110R的发光区域在Y方向上被等间隔配置。即，能够提供降低了因Y方向上的视场角导致的颜色偏差的电光装置。

另外，与上述第1实施方式相同，从降低因X方向上的视场角而导致的颜色偏差的观点出发，还优选为，将与子像素110G和子像素110R的配置有关的间隔d5、和与子像素110B的配置有关的间隔d7设为相同长度。

(第4实施方式)

图16为示出第4实施方式的电光装置中的子像素与像素接点区域的配置的概要俯视图。

如图16所示，在第4实施方式中，相对于上述第1实施方式，将作为显示单位的像素P中的不同颜色的子像素SP的个数从3色增加至4色。此外，图16所示的子像素110B、110G、110R，110Y分别表示发光区域。

具体而言，在像素P中，子像素110G、像素接点区域CH15、子像素110R、像素接点区域CH16依序沿X方向排列配置。此外，子像素110B、像素接点区域CH17、黄色(Y)的子像素110Y、像素接点区域CH18依序沿X方向排列配置。子像素110G与子像素110B在Y方向上排列配置，子像素110R与子像素110Y在Y方向上排列配置。另外，除蓝色(B)、绿色(G)、红色(R)以外所增加的颜色不限定于黄色(Y)，也可以选择其他中间色。

子像素110G、子像素110R、子像素110B、子像素110Y的发光区域在X方向上的长度、即宽度d1均相同。子像素110G和子像素110R的发光区域在Y方向上的长度为宽度d2，子像素110B和子像素110Y的发光区域在Y方向上的长度为宽度d4。宽度d2与宽度d4为相同长度，也可以不同。

像素接点区域CH15、CH16、CH17、CH18在X方向上的长度、即间隔d5均为相同的长度。

像素P内的Y方向上的、子像素110B与子像素110G之间的长度和子像素110Y与子像素110R之间的长度均为间隔d6，为相同长度。即，像素P内的Y方向上的不同颜色的子像素SP的发光区域间的长度为间隔d6。根据同样的考虑方式，在Y方向上相邻的像素P中的不同颜色的子像素SP的发光区域间的长度为间隔d8。Y方向上的间隔d6与间隔d8可以为相同长度，也可以为不同长度。

即，在本实施方式中，在作为X方向上相邻的像素P的像素P1与像素P2中，4个不同颜色的子像素SP的发光区域沿X方向被等间隔配置。此外，本实施方式中的子像素110G为本发明的其他应用例中的第1子像素的一个示例，同样地，子像素110R为第2子像素的一个示例，子像素110B为第3子像素的一个示例，子像素110Y为第4子像素的一个示例。

根据上述第4实施方式，除了上述第1实施方式的效果(3)、(4)之外，还能够取得以下的效果。

(7)在作为X方向上相邻的像素P的像素P1和像素P2中，4个不同颜色的子像素SP的发光区域沿X方向等间隔配置。因此，降低了因X方向上的视场角导致的颜色偏差，并且增加了黄色(Y)的子像素110Y，由此能够提供可实现更优异的颜色显示的电光装置。

另外，与上述第3实施方式同样，从降低因Y方向上的视场角导致的颜色偏差这一观点出发，还优选为，将与同一像素P内的子像素110G的发光区域和子像素110B的发光区域的配置有关的间隔d6、和与在Y方向上相邻的像素P中的子像素110B的发光区域和子像素110G的发光区域的配置有关的间隔d8设为相同长度。

(第5实施方式)

图17为示出第5实施方式的电光装置中的子像素与像素接点区域的配置的概要俯视图。

如图17所示，在第5实施方式中与第4实施方式同样，将作为显示单位的像素P中的不同颜色的子像素SP的数目从3色增加至4色，但不同颜色的子像素SP的配置与第4实施方式不同。此外，图17所示的子像素110B、110G、110R、110Y分别表示发光区域。

具体而言，在X方向上相邻的像素P1与像素P2中，子像素110G、像素接点区域CH15、子像素110R、像素接点区域CH16、子像素110R、像素接点区域CH16、子像素110G、像素接点区域CH15依序沿X方向排列配置。此外，子像素110B、像素接点区域CH17、子像素110Y、像素接点区域CH18、子像素110Y、像素接点区域CH18、子像素110B、像素接点区域CH17依序沿X方向排列配置。子像素110G与子像素110B在Y方向上排列配置，子像素110R与子像素110Y在Y方向上排列配置。

在本实施方式中，在X方向上相邻的像素P1与像素P2中，隔着像素接点区域CH16配置有相同颜色的子像素110R。同样地，隔着像素接点区域CH18配置有相同颜色的子像素110Y。即，在X方向上相邻的像素P中，成为相同颜色的子像素SP隔着该子像素的像素接点区域配置的结构。

根据上述第5实施方式，除了上述第1实施方式的效果(3)、(4)之外，还能够取得以下的效果。

(8)在X方向上，相同颜色的子像素SP隔着该子像素SP的像素接点区域配置。即，在X方向上相邻的像素P1与像素P2中，不同颜色的子像素SP以像素接点区域CH16、CH18为基准被配置为线对称。因此在上述第4实施方式中，实现了子像素SP的发光区域在X方向上的配置的颜色对称性，从而X方向上不同颜色的子像素SP被相邻配置的概率下降，因此，能够进一步抑制因X方向上的视场角导致的颜色偏差。

接下来，列举与不同颜色的子像素SP的发光区域的大小和配置有关的更加具体的实施例和比较例，对实施例中的因视场角导致的颜色偏差的降低效果进行说明。

(实施例1)

实施例1中的不同颜色的子像素SP的配置为图11所示的上述第1实施方式，与各子像素SP有关的尺寸如以下所示。

子像素110G和子像素110R的发光区域在X方向上的宽度d1为2.5μm。

子像素110G和子像素110R的发光区域在Y方向上的宽度d2为3.4μm。

子像素110B的发光区域在X方向上的宽度d3为6.25μm。

子像素110B的发光区域在Y方向上的宽度d4为2.7μm。

像素接点区域CH9、CH10、CH11在X方向上的间隔d5(间隔d7)为1.25μm。

Y方向上的子像素110G和子像素110R的发光区域与子像素110B的发光区域之间的间隔d6和间隔d8相同，为0.7μm。

(实施例2)

实施例2中的不同颜色的子像素SP的配置为图15所示的上述第3实施方式，各子像素SP的尺寸为以下所述。

子像素110G及子像素110R的发光区域在X方向上的宽度d1为3.05μm。

子像素110G及子像素110R的发光区域在Y方向上的宽度d2为2.65μm。

子像素110B的发光区域在X方向上的宽度d3为6.8μm。

子像素110B的发光区域在Y方向上的宽度d4为2.35μm。

在X方向上相邻的子像素110G的发光区域与子像素110R的发光区域之间的区域在X方向上的长度、即间隔d5为0.7μm。同样地，在X方向上相邻的子像素110B的发光区域间的X方向上的长度、即间隔d7为0.7μm。

像素接点区域CH12、CH13、CH14在Y方向上的长度、即间隔d6(间隔d8)为1.25μm。

(比较例1)

图18为示出比较例1中的不同颜色的子像素SP与像素接点区域的配置的概要俯视图。另外，图18所示的子像素110B、110G、110R分别表示发光区域。如图18所示，在比较例1中，在作为显示单位的像素P中成为如下结构：子像素110G与子像素110R在X方向上排列配置，子像素110B相对于子像素110G及子像素110R在Y方向上排列配置。如果仅根据不同颜色的子像素SP的配置，与上述第1实施方式是相同的，但与子像素110B、子像素110G、子像素110R有关的3个接触孔CH19、CH20、CH21被配置在如下区域：在Y方向上排列的子像素110G及子像素110R与子像素110B之间的区域。即，像素接点区域CH19、CH20、CH21在Y方向上的长度为间隔d6。

比较例1的各子像素SP的尺寸为以下所述。

子像素110G及子像素110R的发光区域在X方向上的宽度d1为3.05μm。

子像素110G及子像素110R的发光区域在Y方向上的宽度d2为2.9μm。

子像素110B的发光区域在X方向上的宽度d3为6.8μm。

子像素110B的发光区域在Y方向上的宽度d4为2.65μm。

在X方向上相邻的子像素110G的发光区域与子像素110R的发光区域之间的区域在X方向上的长度、即间隔d5为0.7μm。同样地，在X方向上相邻的子像素110B的发光区域间的X方向上的长度、即间隔d7为0.7μm。

像素接点区域CH19、CH20、CH21在Y方向上的长度、即间隔d6为1.25μm。此外，在Y方向上排列的子像素110G及子像素110R与子像素110B之间的区域在Y方向上的长度、即间隔d8为0.7μm，其中，在Y方向上排列的子像素110G及子像素110R与子像素110B之间的区域中未设置有接触孔CH19、CH20、CH21。

(比较例2)

图19为示出了比较例2的不同颜色的子像素SP与像素接点区域的配置的概要俯视图。另外，图19所示的子像素110B、110G、110R分别表示发光区域。如图19所示，在比较例2中，在作为显示单位的像素P中，沿Y方向依序排列配置有子像素110B、子像素110G和子像素110R。在X方向上相邻的像素P1与像素P2中，在X方向上依次排列配置有子像素110B和像素接点区域CH24，在X方向上依序排列配置有子像素110G和像素接点区域CH23，在X方向上依序排列配置有子像素110R与像素接点区域CH22。这种不同颜色的子像素SP的配置被称为横条纹方式。

比较例2的各子像素SP的尺寸如以下所述。

子像素110B和子像素110G及子像素110R的发光区域在X方向上的宽度d11为6.25μm。

子像素110R的发光区域在Y方向上的宽度d12为1.37μm。

子像素110G的发光区域在Y方向上的宽度d13与宽度d12相同，为1.37μm。

子像素110B的发光区域在Y方向上的宽度d14为2.66μm。

像素接点区域CH22、CH23、CH24在X方向上的间隔d15为1.25μm。

Y方向上的不同颜色的子像素SP的间隔d16、间隔d17、间隔d18均相同，为0.7μm。

在上述的实施例1、实施例2、比较例1、比较例2中，使作为显示单位的像素P的大小相同，且使子像素110G与子像素110R的发光面积相同，使子像素110B的发光面积为子像素110G的大致2倍的大小。

＜实施例、比较例的光学特性的评价＞

图20为示出实施例及比较例在X方向上的亮度的视场角特性的曲线图，图21为示出实施例及比较例在Y方向上的亮度的视场角特性的曲线图，图22为示出实施例及比较例在X方向上的颜色偏差的视场角特性的曲线图，图23为示出实施例及比较例在Y方向上的颜色偏差的视场角特性的曲线图。

作为光学特性的评价方法，使用光学仿真器来求出使显示面板101的显示区域101a的全部像素P进行白色显示的状态下的亮度的视场角特性和颜色偏差的视场角特性。关于亮度，求出当设正面亮度为“1”时使视场角相对于法线方向在±20度的范围内变化时的值。关于颜色偏差，求出使视场角以同样方式相对于法线方向在±20度的范围内变化时的、色度相对于进行白色显示时的正面色度(基于CIE 1976UCS系色度图)的偏移量(Δu’v’)的值。

在实施例及比较例的电光装置中，是以将该电光装置用于作为后文所述的电子设备的头戴显示器的显示部为前提来规定像素P(子像素SP)的结构和配置的。由此，在实施例及比较例的评价中，优选为在±15度的视场角范围内，亮度的变化相对于正面在20％以内，颜色偏差(Δu’v’)为0.02以下。

如图20所示，对于X方向上的亮度的视场角特性，在实施例1、实施例2、比较例1、比较例2中，亮度的变化均收敛在20％以内。另外，实施例2的亮度的视场角特性与比较例1的亮度的视场角特性几乎相同，在图20中示出了比较例1。另一方面，对于Y方向上的亮度的视场角特性，如图21所示，在实施例1、实施例2、比较例1中亮度的变化为20％以内，但在比较例2中亮度的变化达到了40％。其原因认为是在比较例2中将不同颜色的子像素SP沿Y方向依序排列配置的缘故。

如图22所示，关于X方向上的颜色偏差的视场角特性，在实施例1、实施例2、比较例1、比较例2中，在±20度的范围内颜色偏差的变化均收敛于0.02以内，无论视场角是+侧还是-侧，变化的方式都相同。另一方面，知晓在实施例1、实施例2、比较例1中变化量为0.01以内，相对于此，比较例2中的变化量较大。其原因认为是，相对于实施例1、实施例2、比较例1而言，在比较例2中，在X方向上相邻的像素P1与像素P2中相同颜色的子像素SP是沿X方向排列的，在共振结构中越是低视场角则光共振中的光学距离越长，从有机EL元件50沿斜向发出的光的波长会向长波长侧偏移，因而容易受到颜色偏差所产生的影响。

另一方面，对于Y方向上的颜色偏差的视场角特性，如图23所示，在实施例1、实施例2中，在±15度的范围内颜色偏差的变化收敛于0.015以内，无论视场角是+侧还是-侧，变化的方式都相同。与此相对，在比较例1、比较例2中，知晓在±15度的范围内颜色偏差的变化收敛于0.02以内，但视场角为-侧时的颜色偏差的变化量远大于视场角为+侧时的颜色偏差的变化量。其原因认为是，与实施例1及实施例2相比，在比较例1和比较例2中Y方向上的不同颜色的子像素SP的发光区域的配置不是等间隔。特别是在比较例1中，设置有像素接点区域CH19、CH20、CH21的间隔d6的长度为1.25μm，而未设置有像素接点区域CH19、CH20、CH21的间隔d8的长度为0.7μm，因此Y方向上的间隔d6的长度与间隔d8的长度明显不同。

在实施例1和实施例2中，由于在X方向及Y方向上，不同颜色的子像素SP的发光区域被等间隔配置，因此被相邻配置的不同颜色的子像素SP间的混色的状态不易因视场角而变化。即，会降低因视场角导致的颜色偏差。

图24为示出从有机EL元件的发光部至着色层的距离与颜色偏差之间的关系的曲线图。具体而言，实施例1中的从有机EL元件50的发光部至着色层71为止的距离df(参照图13)、即密封层60(参照图4和图5)的膜厚为大致2.6μm。通过光学仿真求出将该膜厚设为1.6μm时和3.6μm时的X方向上的颜色偏差的视场角特性。如图24所示，当缩短有机EL元件50的发光部与着色层71之间的距离时，认为会因为共振结构的低视场角的光学距离变长而受到沿斜向发出的光的波长向长波长侧偏移的影响，从而颜色偏差的程度变大。这与每个子像素SP的共振结构中的发光的分光特性以及着色层的分光特性有关，因此考虑优选为根据颜色偏差的容许范围来设定有机EL元件50的发光部与着色层71之间的距离。此外，密封层60的膜厚涉及到可靠性质量，因此也需要考虑。

图25为示出像素接点区域的宽度与颜色偏差之间的关系的曲线图。具体而言，实施例1中的X方向上的像素接点区域的长度即间隔d5为1.25μm。通过光学仿真而求出将该间隔d5设为0.75μm时和1.75μm时的X方向上的颜色偏差的视场角特性。如图25所示，当缩短像素接点区域的间隔d5的长度时，会稍微改善颜色偏差的程度。其原因考虑是，通过缩短像素接点区域的间隔d5的长度而增长了子像素110G和子像素110R在X方向上的长度，从而实质上扩大了发光区域的面积，因此颜色偏差的相对的影响程度发生了变化。即，示出了如下内容：子像素SP的发光区域的面积相对于像素P的面积之比即开口率与颜色偏差有关。由此，考虑优选为根据子像素SP的开口率来设定像素接点区域的大小。

(第6实施方式)

＜电子设备＞

接下来，参照图26对应用了上述实施方式的电光装置的电子设备的一个示例进行说明。图26为示出作为电子设备的头戴显示器的结构的概要图。

如图26所示，作为本实施方式的电子设备的头戴显示器(Head Mount Display；HMD)1000具有：用于对应于左右眼显示信息的一对光学单元1001L、1001R、用于将一对光学单元1001L、1001R佩戴在使用者的头部上的佩戴部(省略图示)、电源部及控制部(省略图示)等。在此，由于一对光学单元1001L、1001R为左右对称的结构，因此以右眼用光学单元1001R为例进行说明。

光学单元1001R具备：应用了上述实施方式的电光装置100的显示部100R、聚光光学系统1002、弯折为L字状的导光体1003。在导光体1003中设置有半反射镜层1004。在光学单元1001R中，从显示部100R射出的显示光通过聚光光学系统1002而入射至导光体1003，并被半反射镜层1004反射而导入到右眼。投影到半反射镜层1004中的显示光(影像)为虚像。因此，使用者能够视觉辨认出显示部100R的显示(虚像)和处于半反射镜层1004的前方的外界这双方。即，HMD1000为透射型(透视型)的投射型显示装置。

导光体1003组装有杆状透镜，形成了杆积分器。在导光体1003的光的入射侧配置有聚光光学系统1002和显示部100R，成为由上述杆状透镜接收聚光光学系统1002进行聚光而得到的显示光的结构。此外，导光体1003的半反射镜层1004具有将由聚光光学系统1002聚光并在杆状透镜内以全反射方式传递的光束向右眼反射的角度。

显示部100R能够将从控制部传输而来的显示信号以文字或影像等图像信息进行显示。所显示的图像信息通过聚光光学系统1002从实像转换为虚像。

另外，如上所述，左眼用的光学单元1001L也具有应用了上述实施方式的电光装置100的显示部100L，其结构和功能与上述右眼用的光学单元1001R相同。

根据本实施方式，由于应用了上述实施方式的电光装置100来作为显示部100L、100R，因此能够提供降低了因视场角导致的颜色偏差从而可实现外观较为优异的彩色显示的透视型HMD1000。

特别是在以双眼来确认所投影的显示光(图像)的情况下，使用者的左眼与右眼之间的距离并非一定是固定的，因此由左眼确认显示光的视场角范围和由右眼确认显示光的视场角范围根据使用者的不同而不同。假设在显示部100L与显示部100R中因视场角导致的混色的状态不同时，会因双眼所识别的显示光(图像)的颜色偏差而感觉到不谐调，在长时间地进行佩戴时，容易疲劳。根据本实施方式，由于降低了因视场角导致的颜色偏差，因此能够提供即使长时间佩戴也不易在图像识别中感到疲劳的头戴显示器1000。

另外，应用了上述实施方式的电光装置100的HMD1000并不限定于具备与双眼对应的一对光学单元1001L、1001R的结构，例如也可以是具备单个的光学单元1001R的结构。此外，不限定于透视型，也可以是在对外光进行遮光的状态下对显示进行视觉辨认的没入型。此外，在显示部100L、100R中也可以应用上述其他实施方式的电光装置。

本发明并不限定于上述实施方式，能够在不与从权利要求和说明书整体读取的发明的主旨或者思想发生矛盾的范围内进行适当变更，伴随有这种变更的电光装置及应用了该电光装置的电子设备也包含在本发明的技术范围之中。也考虑上述实施方式以外的各种变形例。以下，列举变形例进行说明。

(变形例1)在上述第1实施方式及上述第3实施方式中，在像素P内，在子像素110B的Y方向上的下侧配置了子像素110G及子像素110R，但不限定于此，也可以在子像素110B的Y方向上的上侧配置子像素110G及子像素110R。此外，也可以在X方向上的左侧配置子像素110R、在右侧配置子像素110G。并且，虽然在X方向上排列的子像素110G与子像素110R的发光面积相同，但并不限定于此，也可以使发光面积不同。即，能够采用如下方式：至少将在第1方向上相邻的子像素SP等间隔配置，并考虑不同颜色的子像素SP的光学特性(分光特性)和作为显示面板101的光学特性(例如亮度和白平衡)来设定子像素SP的发光面积和配置。

此外，虽然在上述各实施方式中例示了像素P的排列中的行方向(X方向)来作为本发明的第1方向，但并不限定于此。图27为示出变形例的像素中的子像素与像素接点区域的配置的概要俯视图。例如，如图27所示，也可以采用如下方式：本发明的第1方向为像素P的排列中的列方向(Y方向)，与第1方向交叉的第2方向为像素P的排列中的行方向(X方向)。像素P1具有在Y方向上排列的作为第1子像素的子像素110B、作为第1区域的像素接点区域CH10、作为第2子像素的子像素110R和作为第2区域的像素接点区域CH9。在Y方向上与像素P1相邻的像素P2具有在Y方向上排列的作为第3子像素的子像素110B、作为第3区域的像素接点区域CH10、作为第4子像素的子像素110R和作为第4区域的像素接点区域CH9。

此外，像素P1具有在Y方向上排列的作为第5子像素的子像素110G、作为第5区域的像素接点区域CH11。在像素P1中，子像素110G与子像素110B及子像素110R在与Y方向交叉的X方向上排列。在Y方向上与像素P1相邻的像素P2具有在Y方向上排列的作为第6子像素的子像素110G、作为第6区域的像素接点区域CH11。与像素P1同样，在像素P2中，子像素110G也与子像素110B及子像素110R在与Y方向交叉的X方向上排列。

子像素110B和子像素110R的发光区域在Y方向上的长度为宽度d1，Y方向上的像素接点区域CH9、CH10的长度、即在Y方向上相邻的发光区域的间隔为d5。子像素110G的发光区域在Y方向上的长度为子像素110B的发光区域的宽度d1的大致两倍。子像素110B和子像素110R的发光区域在X方向上的长度为宽度d2，子像素110G的发光区域在X方向上的长度为宽度d4，宽度d2与宽度d4相同。像素P内的子像素110B与子像素110G之间的X方向上的长度为间隔d6，在X方向上相邻的像素P的子像素110G与子像素110B之间的X方向上的长度为间隔d8。间隔d6与间隔d8相同。即，变形例的子像素的配置是将第1实施方式的图11所示的子像素的配置在平面内旋转90度而得到的，其中，调换了子像素110B与子像素110G，使子像素110G的发光区域的面积大于子像素110B的发光区域的面积。由此调节了像素P的子像素SP的有机EL元件50的发光亮度的平衡与亮度寿命。采用这种变形例的像素中的不同颜色的子像素SP的配置也能够降低因行方向(X方向)和列方向(Y方向)上的视场角导致的颜色偏差。

(变形例2)在上述各实施方式中，采用了通过将可得到白色发光的有机EL元件50与共振结构进行组合，由此从不同颜色的子像素SP得到所期望的颜色光的结构，但共振结构并不是必须的，例如，不存在共振结构的结构和设置有可取得与不同颜色的子像素SP各自对应的颜色光的有机EL元件的结构也能够应用本发明。

(变形例3)本发明中的不同颜色的子像素SP与像素接点区域的配置并不限定于应用于自发光型的电光装置100。例如也能够应用于透射型液晶装置等利用照明光的受光型显示装置。

(变形例4)能够应用上述各实施方式的电光装置的电子设备不限定于上述第6实施方式的头戴显示器1000。例如在车载用平视显示器(HUD)和照明型等各种投影型显示装置中也能够应用。

Claims (15)

1.一种电光装置，其中，

该电光装置具有：

在第1方向上排列的第1子像素、第1区域、第2子像素、第2区域、第3子像素、第3区域、第4子像素和第4区域；

第5子像素，其在与所述第1方向交叉的第2方向上与所述第1子像素、所述第1区域及所述第2子像素相邻；

第5区域，其在所述第2方向上与所述第2区域相邻；

第6子像素，其在所述第2方向上与所述第3子像素、所述第3区域及所述第4子像素相邻；以及

第6区域，其在所述第2方向上与所述第4区域相邻，

所述第5子像素、所述第5区域、所述第6子像素和所述第6区域在所述第1方向上排列，

由所述第1子像素、所述第2子像素及所述第5子像素构成第1像素，

由所述第3子像素、所述第4子像素及所述第6子像素构成第2像素，

所述第5子像素在所述第1方向上的长度不同于所述第1子像素和所述第2子像素在所述第1方向上的长度，

所述第6子像素在所述第1方向上的长度不同于所述第3子像素和所述第4子像素在所述第1方向上的长度，

所述第1子像素与所述第2子像素颜色不同，

所述第3子像素与所述第4子像素颜色不同，

所述第1区域为所述第1子像素的像素接点区域，

所述第2区域为所述第2子像素的像素接点区域，

所述第3区域为所述第3子像素的像素接点区域，

所述第4区域为所述第4子像素的像素接点区域，

所述第5区域为所述第5子像素的像素接点区域，

所述第6区域为所述第6子像素的像素接点区域，

所述第1区域、所述第2区域、所述第3区域、所述第4区域、所述第5区域和所述第6区域在所述第1方向上的长度相同。

2.根据权利要求1所述的电光装置，其中，该电光装置具有：

第7区域，其为所述第2方向上的所述第1子像素及所述第2子像素与所述第5子像素之间的区域；以及

第8区域，其为所述第2方向上的所述第3子像素及所述第4子像素与所述第6子像素之间的区域，

所述第7区域和所述第8区域在所述第2方向上的长度相同。

3.根据权利要求1所述的电光装置，其中，

所述第3子像素、所述第3区域、所述第4子像素和所述第4区域沿所述第1方向与在所述第1方向上排列的所述第1子像素、所述第1区域、所述第2子像素和所述第2区域并排。

4.一种电光装置，其中，

该电光装置具有：

在第1方向上排列的第1子像素、第1区域、第2子像素、第2区域、第3子像素、第3区域、第4子像素和第4区域；以及

第5区域、第6区域、第5子像素、第7区域、第8区域和第6子像素，

所述第5区域、所述第1子像素和所述第2子像素、所述第6区域以及所述第5子像素在与所述第1方向交叉的第2方向上排列，

所述第7区域、所述第3子像素和所述第4子像素、所述第8区域以及所述第6子像素在所述第2方向上排列，

所述第1子像素与所述第2子像素颜色不同，

所述第3子像素与所述第4子像素颜色不同，

所述第5区域为所述第1子像素和所述第2子像素的像素接点区域，

所述第6区域为所述第5子像素的像素接点区域，

所述第7区域为所述第3子像素和所述第4子像素的像素接点区域，

所述第8区域为所述第6子像素的像素接点区域，

所述第5区域、所述第6区域、所述第7区域和所述第8区域在所述第2方向上的长度相同。

5.根据权利要求4所述的电光装置，其中，

所述第1区域、所述第2区域、所述第3区域和所述第4区域在所述第1方向上的长度与所述第1方向上的所述第5子像素和所述第6子像素之间的第9区域在所述第1方向上的长度相同。

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的电光装置，其中，

所述第1子像素与所述第3子像素颜色相同，其他子像素与所述第1子像素颜色不同。

7.根据权利要求1至5中的任一项所述的电光装置，其中，

所述第2子像素与所述第3子像素颜色相同，其他子像素与所述第2子像素颜色不同。

8.根据权利要求1、2、4、5中的任一项所述的电光装置，其中，

所述第5子像素的面积、所述第6子像素的面积比所述第1子像素、所述第2子像素、所述第3子像素和所述第4子像素各自的面积大，所述第5子像素和所述第6子像素为蓝色。

9.根据权利要求1至5中的任一项所述的电光装置，其中，

所述第1子像素、所述第2子像素、所述第3子像素和所述第4子像素包含发光元件和将来自所述发光元件的光转换为规定的波段的光的着色层，

所述像素接点区域为非发光区域。

10.根据权利要求9所述的电光装置，其中，

所述发光元件与所述着色层被设置在同一基板上。

11.一种电光装置，其中，

该电光装置具有在第1方向和与所述第1方向交叉的第2方向上排列的多个显示单位，

所述显示单位至少包括不同颜色的第1子像素、第2子像素和第3子像素，

所述第1子像素与所述第2子像素在所述第1方向上相邻地排列，

所述第3子像素在所述第1方向上的长度不同于所述第1子像素和所述第2子像素在所述第1方向上的长度，

所述第3子像素在所述第2方向上与所述第1子像素和所述第2子像素相邻地配置，

所述显示单位以及与所述显示单位结构相同且与所述显示单位在所述第1方向上相邻的显示单位各自的所述第1子像素与所述第2子像素之间的第1区域在所述第1方向上的长度相同，

所述显示单位以及与所述显示单位在所述第1方向上相邻的显示单位各自的所述第1区域在所述第1方向上的长度与所述第3子像素间的第2区域在所述第1方向上的长度相同，

所述第1区域为所述第1子像素和所述第2子像素中的任意一方的像素接点区域，

所述第2区域为所述第3子像素的像素接点区域。

12.根据权利要求11所述的电光装置，其中，

在所述第2方向上的相邻的所述显示单位中，所述第1子像素及所述第2子像素与所述第3子像素之间的第3区域在所述第2方向上的长度相同。

13.一种电光装置，其中，

该电光装置具有排列在第1方向和与所述第1方向交叉的第2方向上的多个显示单位，

所述显示单位具有不同颜色的第1子像素、第2子像素及第3子像素，

所述第1子像素与所述第2子像素排列在所述第1方向上，所述第3子像素相对于所述第1子像素及所述第2子像素排列在所述第2方向上，

在所述第1方向上的相邻的所述显示单位中，所述第1子像素与所述第2子像素之间的第1区域在所述第1方向上的长度与所述第3子像素间的第2区域在所述第1方向上的长度相同，

在所述第2方向上的相邻的所述显示单位中，所述第1子像素及所述第2子像素与所述第3子像素之间的第3区域在所述第2方向上的长度相同，

所述第3区域为所述第1子像素、所述第2子像素及所述第3子像素中的任意子像素的像素接点区域。

14.一种电子设备，其中，

该电子设备具备权利要求1至13中的任意一项所述的电光装置。

15.一种头戴显示器，其中，

该头戴显示器具备权利要求1至13中的任一项所述的电光装置，使双眼中的至少一只眼睛识别所显示的图像。

Images