JP2022115237A - 電気光学装置および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】封止性能を向上させる電気光学装置および電子機器を提供すること。【解決手段】有機ＥＬ装置１は、対向電極３３と、対向電極３３と第１の光学距離だけ離隔して設けられた第１の反射層５２と、対向電極３３と第１の反射層５２との間に設けられた第１の画素電極３１と、対向電極３３と第１の画素電極３１との間に設けられた発光層３０と、第１の画素電極３１と第１の反射層５２との間に設けられた光学距離調整層５７，５８と、第１の画素電極３１と第１の反射層５２との間に設けられ、第１の画素電極３１と第１の反射層５２とを電気的に接続する第１の中継電極７１と、を備え、光学距離調整層５７，５８は、第１の中継電極７１と離隔して設けられる、ことを特徴とする。【選択図】図６

Description

本発明は、電気光学装置および電子機器に関する。

従来、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子などの発光素子と、該発光素子から射出される光の所定の波長領域を透過させるカラーフィルターと、を備える電気光学装置が知られていた。このような電気光学装置には、発光素子から発せられる光を共振させる光共振構造を備えるものがある。

例えば、特許文献１には、複数のサブ画素から構成される画素によって１つの表示単位が構成され、サブ画素に対応する発光素子において画素電極と反射層とがコンタクト電極を介して電気的に接続される電気光学装置が開示されている。該電気光学装置では、反射層と対向電極とにより所定の波長領域の光を共振させる光共振構造が形成されるように、第１の距離調整層および第２の距離調整層の膜厚が調整される。

特開２０１９－２９１８８号公報

しかしながら、特許文献１に記載の電気光学装置では、青色用のサブ画素に比べて、赤色用および緑色用のサブ画素において封止性能を向上させることが難しいという課題があった。封止性能を向上させ難い要因は、例えば、コンタクト電極と反射層とが接するコンタクト部上方の下側封止層の厚さである。詳しくは、コンタクト電極と反射層との接触面積を十分に確保するためにコンタクト部の幅を広げると、上層がコンタクト部の内側に落ち込んで発光層にも窪みが生じる。そのため、発光層の上方に下側封止層を蒸着等によって形成する際に、上記窪みの幅によっては下側封止層の付きまわりが悪化して、コンタクト部上方の下側封止層の厚さが薄くなるおそれがあった。下側封止層の厚さが薄くなると封止性能が低下して水分などが侵入し易くなる。すなわち、封止性能を向上させる電気光学装置が求められていた。

電気光学装置は、電極と、前記電極と第１の光学距離だけ離隔して設けられた第１の反射層と、前記電極と前記第１の反射層との間に設けられた第１の画素電極と、前記電極と前記第１の画素電極との間に設けられた発光層と、前記第１の画素電極と前記第１の反射層との間に設けられた第１の光学距離調整層と、前記第１の画素電極と前記第１の反射層との間に設けられ、前記第１の画素電極と前記第１の反射層とを電気的に接続する第１の中継電極と、を備え、前記第１の光学距離調整層は、前記第１の中継電極と離隔して設けられる、ことを特徴とする。

電子機器は、上記の電気光学装置を備えることを特徴とする。

第１実施形態に係る電気光学装置としての有機ＥＬ装置の構成を示すブロック図。 有機ＥＬ装置における発光画素の電気的な構成を示す等価回路図。 表示部の構成を示す平面図。 表示部の構成を示す平面図。 表示部における画素とカラーフィルターとの配置を示す平面図。 表示部の構成を示す断面図。 下側封止層の付きまわりを説明する模式断面図。 表示部の構成を示す断面図。 表示部の構成を示す断面図。 第２実施形態に係る表示部の構成を示す断面図。 表示部の構成を示す断面図。 第３実施形態に係る電子機器としてのヘッドマウントディスプレイの外観を示す斜視図。 電子機器としてのパーソナルコンピューターの外観を示す斜視図。 従来技術における下側封止層の付きまわりを説明する模式断面図。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。以下に説明する実施の形態は、本発明の一例を説明するものである。本発明は以下の実施の形態に限定されない。

なお、以下の各図においては、各層や各部材を認識可能な程度の大きさにするため、各層や各部材の尺度を実際とは異ならせている。以下の説明において、例えば基板に対して、「基板上に」との記載は、基板の上に接して配置される場合、基板の上に他の構造物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接して配置され、一部が他の構造物を介して配置される場合のいずれかを表すものとする。

さらに、以下の各図において、必要に応じて相互に直交する座標軸としてＸＹＺ軸を付し、各矢印が指す方向を＋方向とし、＋方向と反対の方向を－方向とする。＋Ｚ方向を上方、－Ｚ方向を下方ということもあり、＋Ｚ方向から見ることを平面視あるいは平面的という。＋Ｚ方向は、後述する有機ＥＬ装置が光を射出する方向でもある。

１．第１実施形態
本実施形態では、電気光学装置として有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置を例示する。この有機ＥＬ装置は、例えば、後述する電子機器としてのヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ：Head Mounted Display）などに好適に用いられる。本実施形態に係る有機ＥＬ装置１の概要について、図１および図２を参照して説明する。なお、図２は、後述する第ｍ行第ｋ列の画素回路１００を示している。

図１に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１は、後述する複数のサブ画素Ｐｘを有する表示パネル１０と、表示パネル１０の動作を制御する制御回路２０とを備える。

制御回路２０には、図示しない上位装置から、デジタルの画像データＶｉｄｅｏが同期信号に同期して供給される。ここで、画像データＶｉｄｅｏとは、表示パネル１０の各サブ画素Ｐｘが表示すべき階調レベルを規定するデジタルデータである。また、同期信号とは、垂直同期信号、水平同期信号、およびドットクロック信号などを含む信号である。

制御回路２０は、同期信号に基づいて、表示パネル１０の動作を制御する制御信号Ｃｔｒを生成し、生成した制御信号Ｃｔｒを表示パネル１０に対して供給する。また、制御回路２０は、画像データＶｉｄｅｏに基づいて、アナログの画像信号Ｖｉｄを生成し、生成した画像信号Ｖｉｄを表示パネル１０に対して供給する。ここで、画像信号Ｖｉｄとは、各サブ画素Ｐｘが画像データＶｉｄｅｏの指定する階調を表示するように、該サブ画素Ｐｘが備える発光素子の輝度を規定する信号である。

表示パネル１０は、Ｘ軸に沿って延在するＭ本の走査線１３、Ｙ軸に沿って延在する３Ｎ本のデータ線１４、Ｍ本の走査線１３と３Ｎ本のデータ線１４との交点に対応して配列された「Ｍ×３Ｎ個」の画素回路１００を有する表示部１２、および表示部１２を駆動する駆動回路１１を備える。ここで、ＭおよびＮは、各々独立した１以上の自然数である。

以降の説明において、複数のサブ画素Ｐｘ、複数の走査線１３、および複数のデータ線１４を互いに区別するために、－Ｙ方向に向かって順番に、第１行、第２行、…、第Ｍ行といい、＋Ｘ方向へ向かって順番に第１列、第２列、…、第３Ｎ列という。また、＋Ｘ方向かつ＋Ｙ方向をＡ方向といい、－Ｘ方向かつ＋Ｙ方向をＢ方向といい、－Ｘ方向かつ－Ｙ方向をＣ方向といい、＋Ｘ方向かつ－Ｙ方向をＤ方向という。

表示部１２に設けられる複数のサブ画素Ｐｘには、赤色（Ｒ）を表示可能なサブ画素Ｐｘに含まれる画素回路１００と、緑色（Ｇ）を表示可能なサブ画素Ｐｘに含まれる画素回路１００と、青色（Ｂ）を表示可能なサブ画素Ｐｘに含まれる画素回路１００と、が含まれる。そして、有機ＥＬ装置１では、ｎを、１≦ｎ≦Ｎを満たす自然数として、第１列から第３Ｎ列のうち、第（３ｎ－２）列にはＲを表示可能なサブ画素Ｐｘに含まれる画素回路１００が配置され、第（３ｎ－１）列にはＧを表示可能なサブ画素Ｐｘに含まれる画素回路１００が配置され、第３ｎ列にはＢを表示可能なサブ画素Ｐｘに含まれる画素回路１００が配置される場合を、一例として想定する。駆動回路１１は、走査線駆動回路１１１と、データ線駆動回路１１２と、を備える。

走査線駆動回路１１１は、第１行から第Ｍ行の走査線１３を順番に走査（選択）する。具体的には、走査線駆動回路１１１は、１フレームの期間において、第１行から第Ｍ行の走査線１３の各々に対して出力する走査信号Ｇｗ［１］～Ｇｗ［Ｍ］を、水平走査期間ごとに順番に所定の選択電位に設定することにより、走査線１３を行単位に水平走査期間ごとに順番に選択する。換言すれば、走査線駆動回路１１１は、１フレームの期間のうち、ｍ番目の水平走査期間において、第ｍ行の走査線１３に出力する走査信号Ｇｗ［ｍ］を、所定の選択電位に設定することにより、第ｍ行の走査線１３を選択する。なお、１フレームの期間とは、有機ＥＬ装置１が１個の画像を表示する期間である。

データ線駆動回路１１２は、制御回路２０から供給される画像信号Ｖｉｄおよび制御信号Ｃｔｒに基づいて、各画素回路１００が表示すべき階調を規定するアナログのデータ信号Ｖｄ［１］～Ｖｄ［３Ｎ］を、水平走査期間ごとに、３Ｎ本のデータ線１４に対して出力する。換言すれば、データ線駆動回路１１２は、各水平走査期間において、第ｋ列のデータ線１４に対して、データ信号Ｖｄ［ｋ］を出力する。

なお、本実施形態では、制御回路２０が出力する画像信号Ｖｉｄはアナログの信号であるが、制御回路２０が出力する画像信号Ｖｉｄはデジタル信号であってもよい。この場合、データ線駆動回路１１２は、画像信号ＶｉｄをＤ／Ａ変換し、アナログのデータ信号Ｖｄ［１］～Ｖｄ［３Ｎ］を生成する。

図２に示すように、画素回路１００は、発光素子３、および発光素子３に電流を供給する供給回路４０を備える。発光素子３は、画素電極３１と、発光機能層３２と、電極としての対向電極３３とを有する。画素電極３１は、発光機能層３２に正孔を供給する陽極として機能する。対向電極３３は、画素回路１００の低電位側の電源電位である電位Ｖｃｔに設定された給電線１６に電気的に接続され、発光機能層３２に電子を供給する陰極として機能する。そして、画素電極３１から供給される正孔と、対向電極３３から供給される電子とが発光機能層３２で再結合して、発光機能層３２が発光する。

なお、詳細は後述するが、Ｒを発光可能なサブ画素Ｐｘに含まれる画素回路１００が有する発光素子３には、赤色のカラーフィルター８１Ｒが重ねられて配置される。Ｇを発光可能なサブ画素Ｐｘに含まれる画素回路１００が有する発光素子３には、緑色のカラーフィルター８１Ｇが重ねられて配置される。Ｂを発光可能な画素回路１００が有する発光素子３には、青色のカラーフィルター８１Ｂが重ねられて配置される。以下、Ｒを発光可能なサブ画素Ｐｘに含まれる画素回路１００が有する発光素子３を発光素子３Ｒということもあり、Ｇを発光可能なサブ画素Ｐｘに含まれる画素回路１００が有する発光素子３を発光素子３Ｇということもあり、Ｂを発光可能なサブ画素Ｐｘに含まれる画素回路１００が有する発光素子３を発光素子３Ｂということもある。

供給回路４０は、Ｐチャネル型のトランジスター４１，４２、および保持容量４４を備える。ここで、トランジスター４１，４２の一方または両方は、Ｎチャネル型のトランジスターであってもよい。また、本実施形態では、トランジスター４１，４２が薄膜トランジスター（ＴＦＴ）である形態を例示するが、これに限定されない。トランジスター４１，４２は、ＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）などの電界効果トランジスターであってもよい。

トランジスター４１では、ゲートが第ｍ行の走査線１３に電気的に接続され、ソースまたはドレインの一方が第ｋ列のデータ線１４に電気的に接続され、ソースまたはドレインの他方がトランジスター４２のゲートと、保持容量４４が有する２つの電極のうちの一方の電極と、に電気的に接続される。

トランジスター４２では、ゲートがトランジスター４１のソースまたはドレインの他方と、保持容量４４の一方の電極と、に電気的に接続され、ソースまたはドレインの一方が画素電極３１に電気的に接続され、ソースまたはドレインの他方が画素回路１００の高電位側の電源電位である電位Ｖｅｌが印加された電源配線１５に電気的に接続される。

保持容量４４では、保持容量４４が有する２つの電極のうちの一方の電極がトランジスター４１のソースまたはドレインの他方と、トランジスター４２のゲートと、に電気的に接続され、保持容量４４が有する２つの電極のうちの他方の電極が電源配線１５に電気的に接続される。保持容量４４は、トランジスター４２のゲート電位を保持する保持容量として機能する。

走査線駆動回路１１１が、走査信号Ｇｗ［ｍ］を所定の選択電位に設定して第ｍ行の走査線１３を選択すると、第ｍ行第ｋ列のサブ画素Ｐｘ［ｍ］［ｋ］に設けられたトランジスター４１がオンする。そして、トランジスター４１がオンすると、第ｋ列のデータ線１４からトランジスター４２のゲートに対してデータ信号Ｖｄ［ｋ］が供給される。この場合、トランジスター４２は、発光素子３に対して、ゲートに供給されたデータ信号Ｖｄ［ｋ］の電位、正確にはゲートおよびソース間の電位差に応じた電流を供給する。つまり、トランジスター４２は発光素子３へ電流を供給する駆動トランジスターである。発光素子３は、トランジスター４２から供給される電流の大きさに応じた輝度、すなわちデータ信号Ｖｄ［ｋ］の電位に応じた輝度で発光する。

その後、走査線駆動回路１１１が第ｍ行の走査線１３の選択を解除して、トランジスター４１がオフした場合、トランジスター４２のゲート電位は保持容量４４により保持される。そのため、発光素子３は、トランジスター４１がオフした後も、データ信号Ｖｄ［ｋ］に応じた輝度で発光する。

なお、図２では図示を省略するが、発光素子３が有する画素電極３１と供給回路４０とを電気的に接続する構成要素をコンタクト７という。各サブ画素Ｐｘは、発光素子３、供給回路４０、およびコンタクト７が配置されるコンタクト領域Ｃａを備える。コンタクト領域Ｃａは、コンタクト７が配置可能な領域である。コンタクト７は、発光素子３が有する画素電極３１と、供給回路４０とを電気的に接続する。

以降、サブ画素ＰｘＲに設けられたコンタクト７をコンタクト７Ｒともいい、サブ画素ＰｘＧに設けられたコンタクト７をコンタクト７Ｇともいい、サブ画素ＰｘＢに設けられたコンタクト７をコンタクト７Ｂともいう。また、コンタクト７Ｒを配置するコンタクト領域Ｃａをコンタクト領域ＣａＲともいい、コンタクト７Ｇを配置するコンタクト領域Ｃａをコンタクト領域ＣａＧともいい、コンタクト７Ｂを配置するコンタクト領域Ｃａをコンタクト領域ＣａＢともいう。コンタクト７の詳細は後述する。

表示部１２の平面的な構成について、図３から図５を参照して説明する。図３では、図を見易くするために、後述するカラーフィルター８１を省略している。図４では、図３に対して、カラーフィルター８１を図示すると共に、図を見易くするためにコンタクト領域Ｃａの図示を省略している。図５では、画素ＭＰｘ１、画素ＭＰｘ１の＋Ｘ方向に配置される画素ＭＰｘ２、画素ＭＰｘ１の＋Ｙ方向に配置される画素ＭＰｘ３、および画素ＭＰｘ２の＋Ｙ方向に配置される画素ＭＰｘ４と、カラーフィルター８１とを図示している。

図３に示すように、表示部１２におけるある画素ＭＰｘ１は、サブ画素ＰｘＲ，ＰｘＧ，ＰｘＢ１，ＰｘＢ２を含む。サブ画素ＰｘＲは、発光素子３Ｒを含む。サブ画素ＰｘＧは、発光素子３Ｇを含む。サブ画素ＰｘＢ１は、発光素子３Ｂ１を含む。サブ画素ＰｘＢ２は、発光素子３Ｂ２を含む。すなわち、サブ画素ＭＰｘ１には、Ｂを表示可能な２つのサブ画素ＰｘＢ１，ＰｘＢ２が備わる。サブ画素ＰｘＢ１，ＰｘＢ２には、同一の供給回路４０から電流が供給される。

サブ画素ＰｘＢ１，ＰｘＢ２はＸ軸に沿って配置される。サブ画素ＰｘＲ，ＰｘＧもＸ軸に沿って配置される。また、サブ画素ＰｘＢ１，ＰｘＲはＹ軸に沿って配置される。サブ画素ＰｘＧ，ＰｘＢ２もＹ軸に沿って配置される。サブ画素ＰｘＢ１と、サブ画素ＰｘＢ１の＋Ｘ方向に位置するサブ画素ＰｘＢ２とは、後述する反射層５２で接続される。なお、サブ画素ＰｘＲ，ＰｘＧ，ＰｘＢ１，ＰｘＢ２の平面的な配置は上記に限定されない。

本実施形態では、画素ＭＰｘが有する発光素子３Ｒ，３Ｇ，３Ｂ１，３Ｂ２のそれぞれにより、発光領域ＨａＲ，ＨａＧ，ＨａＢ１，ＨａＢ２が形成される場合を想定する。発光領域ＨａＲ，ＨａＧ，ＨａＢ１，ＨａＢ２は、＋Ｚ方向に向けて光を射出する。以降、発光領域ＨａＲ，ＨａＧ，ＨａＢ１，ＨａＢ２を総称して、単に発光領域Ｈａということもある。発光領域Ｈａは、上述した画素電極３１が設けられた領域のうち、後述する画素分離層３４によって上方が開口されている領域である。また、発光領域Ｈａは、画素電極３１と発光機能層３２とが接している領域であるとも言える。なお、本発明の第１の発光領域の一例が発光領域ＨａＲであり、本発明の第２の発光領域の一例が発光領域ＨａＧである。

平面的に、発光領域ＨａＲ，ＨａＧ，ＨａＢ１，ＨａＢ２の形状は８角形である。発光領域Ｈａの各辺のうち、発光領域Ｈａの中心から見てＣ方向に位置する第１の辺と、発光領域Ｈａの中心から見てＡ方向に位置する第５の辺と、は互いに平行である。発光領域Ｈａの各辺のうち、発光領域Ｈａの中心から見て－Ｙ方向に位置する第２の辺と、発光領域Ｈａの中心から見て＋Ｙ方向に位置する第６の辺と、は互いに平行である。発光領域Ｈａの各辺のうち、発光領域Ｈａの中心から見てＤ方向に位置する第３の辺と、発光領域Ｈａの中心から見てＢ方向に位置する第７の辺と、は互いに平行である。発光領域Ｈａの各辺のうち、発光領域Ｈａの中心から見て＋Ｘ方向に位置する第４の辺と、発光領域Ｈａの中心から見て－Ｘ方向に位置する第８の辺と、は互いに平行である。

サブ画素Ｐｘが備えるコンタクト領域Ｃａは、サブ画素Ｐｘが備える発光領域Ｈａから見て、Ａ方向に位置する。具体的には、サブ画素ＰｘＲが備えるコンタクト領域ＣａＲは、サブ画素ＰｘＲが備える発光領域ＨａＲのＡ方向に位置する。サブ画素ＰｘＧが備えるコンタクト領域ＣａＧは、サブ画素ＰｘＧが備える発光領域ＨａＧのＡ方向に位置する。サブ画素ＰｘＢ１が備えるコンタクト領域ＣａＢ１は、サブ画素ＰｘＢ１が備える発光領域ＨａＢ１のＡ方向に位置する。サブ画素ＰｘＢ２が備えるコンタクト領域ＣａＢ２は、サブ画素ＰｘＢ２が備える発光領域ＨａＢ２のＡ方向に位置する。

コンタクト領域ＣａはＡ方向に沿って並んでいる。コンタクト領域ＣａＢ１内にはコンタクト７Ｂ１が配置される。コンタクト領域ＣａＢ２内にはコンタクト７Ｂ２が配置される。本発明のコンタクト７Ｂ１，７Ｂ２の一例が後述する第３の中継電極７１であり、第３の中継電極７１を介して、後述する第３の画素電極３１と後述する第３の反射層５２とが電気的に接続される。

コンタクト領域ＣａＲ内には、コンタクト７Ｒが配置される。本発明のコンタクト７Ｒの一例である第１の中継電極７１を介して、後述する第１の画素電極３１と後述する第１の反射層５２とが電気的に接続される。コンタクト領域ＣａＧ内には、コンタクト７Ｇが配置される。本発明のコンタクト７Ｇの一例である第２の中継電極７１を介して、後述する第２の画素電極３１と後述する第２の反射層５２とが電気的に接続される。

図４に示すように、表示部１２には、カラーフィルター８１として、カラーフィルター８１Ｒ，８１Ｇ，８１Ｂが備わる。カラーフィルター８１Ｒは、発光素子３Ｒの上方にあって、平面的にサブ画素ＰｘＲと重ねられて配置される。カラーフィルター８１Ｇは、発光素子３Ｇの上方にあって、平面的にサブ画素ＰｘＧと重ねられて配置される。カラーフィルター８１Ｂは、発光素子３Ｂ１，３Ｂ２の上方にあって、サブ画素ＰｘＢ１，ＰｘＢ２と重ねられて配置される。カラーフィルター８１Ｒ，８１Ｇ，８１Ｂは矩形であって、各々重ならないように配置される。カラーフィルター８１Ｒ，８１Ｇ，８１Ｂは、互いに一部が重なっていてもよい。

図５に示すように、画素ＭＰｘ１から画素ＭＰｘ４の各々のサブ画素ＰｘＲと、＋Ｘ方向において隣り合うカラーフィルター８１は、カラーフィルター８１Ｇである。画素ＭＰｘ１から画素ＭＰｘ４の各々のサブ画素ＰｘＧと、＋Ｘ方向において隣り合うカラーフィルター８１は、カラーフィルター８１Ｒである。ＭＰｘ１から画素ＭＰｘ４の各々のサブ画素ＰｘＢと、＋Ｘ方向において隣り合うカラーフィルター８１は、図示しないカラーフィルター８１Ｂである。上記の関係は、－Ｘ方向においても上述した＋Ｘ方向と同様である。

画素ＭＰｘ１から画素ＭＰｘ４の各々のサブ画素ＰｘＲと、＋Ｙ方向において隣り合うカラーフィルター８１は、カラーフィルター８１Ｂである。画素ＭＰｘ１から画素ＭＰｘ４の各々のサブ画素ＰｘＧと、＋Ｙ方向において隣り合うカラーフィルター８１は、カラーフィルター８１Ｂである。ＭＰｘ１から画素ＭＰｘ４の各々のサブ画素ＰｘＢと、＋Ｙ方向において隣り合うカラーフィルター８１は、カラーフィルター８１Ｒおよびカラーフィルター８１Ｇである。上記の関係は、－Ｙ方向においても上述した＋Ｙ方向と同様である。

表示部１２の断面的な構成について、図６から図９を参照して説明する。なお、従来技術における下側封止層の付きまわりを説明するために、図１４も参照することとする。図６は、図４の線分Ｅ３－ｅ３を含みＸＹ平面と直交する断面であって、コンタクト７Ｒを含む。図７では、コンタクト７Ｒおよびコンタクト７Ｒの上方の領域を拡大している。図８は、図４の線分Ｅ４－ｅ４を含みＸＹ平面と直交する断面であって、コンタクト７Ｇを含む。図９は、図４の線分Ｅ２－ｅ２を含みＸＹ平面と直交する断面であって、コンタクト７Ｂ１を含む。図１４では、従来の有機ＥＬ装置における、図７に相当する領域を図示している。

なお、図６に関する説明は主にサブ画素ＰｘＲにおける構成を述べるものとし、図８に関する説明は主にサブ画素ＰｘＧにおける構成を述べるものとし、図９に関する説明は主にサブ画素ＰｘＢ１における構成を述べるものとする。また、サブ画素ＰｘＢ２については、サブ画素ＰｘＢ１と同様な構成であるため、説明を省略する。さらに、サブ画素ＰｘＲに設けられる反射層５２が本発明の第１の反射層であり、サブ画素ＰｘＧに設けられる反射層５２が本発明の第２の反射層であり、サブ画素ＰｘＢ１，ＰｘＢ２に各々設けられる反射層５２が本発明の第３の反射層である。

図６に示すように、表示部１２は、素子基板５、保護基板９、および素子基板５と保護基板９との間に設けられた接着層９０を備える。有機ＥＬ装置１では、保護基板９から上方へ光を射出するトップエミッション方式を想定している。

有機ＥＬ装置１は、表示部１２のサブ画素ＰｘＲに、電極としての対向電極３３と、第１の反射層５２と、第１の画素電極３１と、発光層３０と、第１の光学距離調整層としての光学距離調整層５７，５８と、第１の中継電極７１と、を備える。

発光領域ＨａＲにおいては、第１の反射層５２は、対向電極３３と第１の光学距離だけ離隔されて設けられる。換言すれば、第１の光学距離とは、発光領域ＨａＲにおける、対向電極３３の上方の面と第１の反射層５２の上方の面との間の、Ｚ軸に沿う方向の距離と、これらの間の屈折率との積のことを指す。

第１の画素電極３１は対向電極３３と第１の反射層５２との間に設けられる。発光層３０は対向電極３３と第１の画素電極３１との間に設けられる。光学距離調整層５７，５８は第１の画素電極３１と第１の反射層５２との間に設けられる。第１の中継電極７１は、第１の画素電極３１と第１の反射層５２との間に設けられ、第１の画素電極３１と第１の反射層５２とを電気的に接続する。

光学距離調整層５７，５８は、第１の中継電極７１と離隔して設けられる。すなわち、第１の中継電極７１と第１の反射層５２とが接するコンタクト部と平面視で重なる領域には設けられない。

接着層９０は、素子基板５と保護基板９とを接着する透明な樹脂層である。接着層９０は、例えば、エポキシ系樹脂などの透明な樹脂材料にて形成される。保護基板９は、接着層９０の上方に配置される透明な基板である。保護基板９は、保護基板９よりも下方に配置される、カラーフィルター８１などの部材を保護する。保護基板９には、例えば、石英基板が採用される。

素子基板５は、基板５０、基板５０に形成された回路層４９、回路層４９の上方に積層された層間絶縁層５１、反射層５２、増反射層５３、保護層としての第１の絶縁層５４、保護層としての第２の絶縁層５５、第１の中継電極７１、保護層としての第３の絶縁層７２、光学距離調整層５７，５８、画素電極３１、発光層３０、封止層６０、およびカラーフィルター層８を備える。詳細は後述するが、発光層３０は、上述した発光素子３Ｒを含む。発光素子３は、上方および下方へ光を射出する。カラーフィルター層８は、カラーフィルター８１を含む。

基板５０には、各種配線および各種回路を実装可能な基板が採用される。具体的には、基板５０には、例えば、シリコン基板、石英基板、またはガラス基板などが採用可能である。基板５０上には回路層４９が形成される。回路層４９は、上述の走査線１３やデータ線１４などの各種配線、駆動回路１１、および画素回路１００などの各種回路が含まれる。回路層４９の上方には、層間絶縁層５１が積層される。

層間絶縁層５１には、例えば、酸化ケイ素などの絶縁材料が採用される。層間絶縁層５１の上方には反射層５２が積層される。反射層５２は、発光層３０の発光素子３から射出された光を上方に反射させる。反射層５２には、例えば、チタン層の上方にアルミニウムおよび銅の合金を含む膜が採用される。反射層５２は、上記光に対して反射性を有する導電層であって、サブ画素Ｐｘごとに個別の島状に形成される。

増反射層５３は、反射層５２の上方の表面を覆うように配置され、反射層５２の光の反射特性を高める機能を有する。増反射層５３には、例えば、光透過性を有する絶縁材料である酸化ケイ素などが採用される。

保護層としての第１の絶縁層５４は、増反射層５３の上方の表面に設けられる。また、第１の絶縁層５４は、反射層５２に設けられた間隙５２ＣＴの内側にも設けられる。そのため、第１の絶縁層５４は、間隙５２ＣＴの窪みに対応した凹部５４ａを有する。凹部５４ａの内側を埋めるように、埋め込み絶縁膜５６が形成される。第１の絶縁層５４および埋め込み絶縁膜５６の上方を覆って、保護層としての第２の絶縁層５５が設けられる。第１の絶縁層５４および第２の絶縁層５５には、例えば、窒化ケイ素が採用される。

平面的にコンタクト７Ｒに対応する位置に、増反射層５３、第１の絶縁層５４、第２の絶縁層５５、および後述する保護層としての第３の絶縁層７２を貫通する間隙５３ＣＴが設けられる。詳しくは後述するが、間隙５３ＣＴの内側には、第１の中継電極７１および第１の画素電極３１などが設けられる。

保護層としての第２の絶縁層５５の上方には、光学距離調整層５７，５８、第３の絶縁層７２、画素分離層３４が配置される。詳しくは、間隙５３ＣＴに対して、Ｃ方向の発光領域ＨａＲを含む領域に光学距離調整層５７，５８が設けられる。第２の絶縁層５５の上方の表面に光学距離調整層５７が設けられ、光学距離調整層５７の上方の表面に重ねられて光学距離調整層５８が積層される。光学距離調整層５７，５８のＡ方向には第３の絶縁層７２および第１の中継電極７１が配置される。

光学距離調整層５７と第３の絶縁層７２とは、Ｚ軸に沿う方向の位置が略等しく配置される。光学距離調整層５８と第１の中継電極７１のＣ方向の端部とは、Ｚ軸に沿う方向の位置が略等しく配置される。光学距離調整層５７，５８のＡ方向の端部と、第３の絶縁層７２および第１の中継電極７１のＣ方向の端部とは、第１の画素電極３１の一部が下方の第２の絶縁層５５まで延在することによって離隔される。すなわち、光学距離調整層５７，５８は、第１の中継電極７１と離隔して設けられる。換言すれば、平面視において、第１の中継電極７１は光学距離調整層５７，５８と重ならず、光学距離調整層５７，５８のＡ方向の端部は、第１の画素電極３１と発光層３０とが接する発光領域ＨａＲと第１の中継電極７１との間に配置される。

そのため、第１の中継電極７１と第１の画素電極３１とが接する領域において、第１の中継電極７１と光学距離調整層５７，５８とが離隔される。これにより、発光領域ＨａＲとコンタクト領域ＣａＲとの段差が低減される。該段差は、上方に形成される下側封止層６１の段差に反映されるため、該段差の低減は下側封止層６１の段差を低減する。そして、下側封止層６１において、下側封止層６１の段差に起因するクラックの発生が抑制されることから、下側封止層６１の封止性能をさらに向上させることができる。

また、光学距離調整層５７，５８のＡ方向の端部と、第１の中継電極７１のＣ方向の端部とが離隔する。すなわち、第１の中継電極７１のＣ方向の端部に光学距離調整層５７，５８のＡ方向の端部が乗り上げない。そのため、発光領域ＨａＲのＡ方向の端部の上方の下側封止層６１と、画素分離層３４のＣ方向端部の上方の下側封止層６１とで、生じる段差が小さくなる。該段差が大きいと、発光領域ＨａＲのＡ方向の端部よりもさらにＡ方向で光が射出される場合があるが、この不要な発光を抑えることが可能となる。すなわち、有機ＥＬ装置１における色ずれの発生を低減することができる。

光学距離調整層５７，５８は、サブ画素ＰｘＲ，ＰｘＧ，ＰｘＢごとに、対向電極３３と反射層５２との間の光学的距離を調整する機能を有する。サブ画素ＰｘＲには、第１の光学距離調整層として光学距離調整層５７，５８が設けられる。サブ画素ＰｘＧには、第２の光学距離調整層として光学距離調整層５８が設けられる。サブ画素ＰｘＢ１，ＰｘＢ２には、光学距離調整層５７，５８のいずれも設けられない。

本実施形態では、光学距離調整層５７，５８は酸化ケイ素を含む絶縁層である。これにより、光学距離調整層５７，５８に光透過性および絶縁性が付与される。なお、光学距離調整層５７，５８は絶縁層であることに限定されない。

第３の絶縁層７２は、間隙５３ＣＴ周辺の第２の絶縁層５５の上方に設けられる。第３の絶縁層７２には、酸化ケイ素などの絶縁材料が採用される。ここで、保護層である、第１の絶縁層５４、第２の絶縁層５５、および第３の絶縁層７２と光学距離調整層５７，５８とは、反射層５２と画素電極３１との間に配置される透明層である点が共通するが、各々機能が異なる。第１の絶縁層５４、第２の絶縁層５５、および第３の絶縁層７２を有する保護層は、コンタクト７などを保護するために、サブ画素ＰｘＲ，ＰｘＧ，ＰｘＢ１，ＰｘＢ２に共通して設けられる。これに対して、光学距離調整層５７，５８は、光共振構造を形成するために各サブ画素Ｐｘの色に応じて選択的に配置される。

第３の保護層７２の上方および間隙５３ＣＴの内側を覆って、第１の中継電極７１が設けられる。これにより、第１の中継電極７１は、間隙５３ＣＴの底部で第１の反射層５２と接し、電気的に接続される。本実施形態では、第１の中継電極７１と第１の反射層５２との電気的な接続をより確実にするため、Ａ方向およびＣ方向において、間隙５３ＣＴの幅、すなわち第１の中継電極７１と第１の反射層５２とが接している幅を従来よりも大きくしている。第１の中継電極７１には、例えば、タングステン、チタン、および窒化チタンなどの導電性材料が採用される。

発光層３０は、画素電極３１、画素分離層３４、画素電極３１および画素分離層３４などの上方を被覆する発光機能層３２、および発光機能層３２の上方に積層された対向電極３３を有する。

画素電極３１は、導電性を有する透明層であって、サブ画素Ｐｘごとに個別の島状に形成される。第１の画素電極３１は、間隙５３ＣＴの内側を含む第１の中継電極７１の上方、および間隙５３ＣＴのＣ方向の光学距離調整層５７，５８の上方に配置される。第１の画素電極３１は、間隙５３ＣＴの内側を含む第１の中継電極７１の上方で第１の中継電極７１と接し、電気的に接続される。これにより、第１の反射層５２と第１の画素電極３１とは、第１の中継電極７１を介して電気的に接続される。

また、第１の画素電極３１は、上述したように、光学距離調整層５７，５８のＡ方向の端部と、第１の中継電極７１のＣ方向の端部とを離隔させるように設けられている。第１の画素電極３１は、発光領域ＨａＲに亘って配置され、画素電極３１のＡ方向の端部は凹部５４ａよりもＣ方向に位置する。第１の画素電極３１には、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）などの導電性の透明材料が採用される。

画素分離層３４は、発光領域ＨａＲの上方を除く、第１の画素電極３１の周辺部などを覆って設けられる。詳しくは、画素分離層３４は、Ａ方向の端部が発光領域ＨａＢ１の境界部にあって、Ｃ方向の端部が発光領域ＨａＲの近傍にある。画素分離層３４は、間隙５３ＣＴの内側を含む第１の画素電極３１の周辺部の上方と、第１の画素電極３１、および第１の中継電極７１のＡ方向の端部と、間隙５３ＣＴのＡ方向の第２の絶縁層５５の上方などとを覆っている。画素分離層３４は、平面的に、表示部１２に備わる複数の画素Ｐｘを互いに区画する。画素分離層３４は、例えば、酸化ケイ素などの絶縁性の材料が採用され、隣り合う発光素子３の間を電気的に絶縁している。

発光機能層３２は、図示を省略するが、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、および電子輸送層を備える。発光機能層３２は、画素電極３１および画素分離層３４の上方を覆って、複数のサブ画素Ｐｘに亘ってベタ状に設けられる。発光機能層３２は、間隙５３ＣＴの内側を埋めるように設けられるため、発光機能層３２には間隙５３ＣＴの内側の窪みの形状が反映される。そのため、発光機能層３２において、平面的に間隙５３ＣＴに対応する位置に窪みが生じる。

発光機能層３２は、画素電極３１のうち、画素分離層３４にて上方が被覆されていない領域から正孔が供給されて白色に発光する。発光素子３から射出される白色の光とは、赤色の光、緑色の光、および青色の光を含む光である。なお、本明細書では、平面視において、発光領域Ｈａおよびコンタクト領域Ｃａを含む領域に含まれる構造物を、サブ画素Ｐｘと看做すこととする。

対向電極３３は、発光機能層３２の上方を覆って、複数のサブ画素Ｐｘに亘ってベタ状に設けられる。対向電極３３は、光透過性および光反射性と、導電性とを具備する。対向電極３３の上方の表面には、間隙５３ＣＴの窪みに対応する窪みが生じる。対向電極３３には、例えば、マグネシウムと銀との合金などの導電性材料が採用される。

有機ＥＬ装置１では、光学距離調整層５７，５８の配置により、反射層５２と対向電極３３との間に光共振構造が形成される。そのため、発光機能層３２から射出された光は反射層５２と対向電極３３との間で繰り返し反射される。これにより、上記光は、反射層５２と対向電極３３との間の光学的距離に対応する波長の強度が高められて、対向電極３３を介して上方へ射出される。

本実施形態では、特に限定されないが、例えば光学距離調整層５７，５８の厚さおよび配置によって、サブ画素ＰｘＲでは６１０ｎｍの波長の光の強度が高められ、サブ画素ＰｘＧでは５４０ｎｍの波長の光の強度が高められ、サブ画素ＰｘＢ１，ＰｘＢ２では４７０ｎｍの波長の光の強度が高められる。これにより、サブ画素ＰｘＲからは６１０ｎｍの波長の光の輝度が最大となる赤色光が射出され、サブ画素ＰｘＧからは５４０ｎｍの波長の光の輝度が最大となる緑色光が射出され、サブ画素ＰｘＢ１，ＰｘＢ２からは４７０ｎｍの波長の光の輝度が最大となる青色光が射出される。

封止層６０は、対向電極３３の上方を覆って、複数のサブ画素Ｐｘに亘ってベタ状に設けられる。封止層６０は、下側封止層６１、平坦化層６２、および上側封止層６３を有する。封止層６０では、対向電極３３から上方に向かって、下側封止層６１、平坦化層６２、上側封止層６３がこの順番で積層される。下側封止層６１および上側封止層６３は、絶縁性を有する透明層であって、発光層３０に対する水分や酸素などの侵入を抑制する。下側封止層６１および上側封止層６３には、例えば、酸窒化ケイ素が採用される。平坦化層６２は、透明層であって、下層の構成部材に対応する凹凸を平坦化する。平坦化層６２には、例えば、エポキシ系樹脂などの透明な樹脂材料が採用される。

ここで、下側封止層６１の形成時の付きまわりについて、有機ＥＬ装置１と従来の有機ＥＬ装置とを比較して説明する。図１４に示す従来の有機ＥＬ装置では、本実施形態の有機ＥＬ装置１と同様に、反射層５５２と第１の中継電極５７１との電気的な接続をより確実にするために、Ａ方向およびＣ方向の接触面の幅を大きくしている。また、図７および図１４では、下側封止層６１，５６１の表面を実線で表し、下側封止層６１，５６１の形成途上の表面を破線で表している。

図１４に示すように、従来の有機ＥＬ装置のコンタクト７Ｒでは、第１の中継電極５７１と反射層５５２とが電気的に接続される。第１の中継電極５７１と画素電極５３１とは、図示しないＣ方向の別の箇所で接することで電気的に接続される。

第１の中継電極５７１は、間隙５５３ＣＴの内側に沿って設けられる。そのため、第１の中継電極５７１には窪みが生じる。第１の中継電極５７１の窪みを含む上方には、光学距離調整層５５７，５５８、画素電極５３１、画素分離層５３４、発光機能層５３２、および対向電極５３３がこの順番で積層される。第１の中継電極５７１の窪みの形状は、対向電極５３３にまで反映されて対向電極５３３にも窪みが生じる。

第１の中継電極５７１と反射層５５２との接触面の幅が拡大されているとはいえ、第１の中継電極５７１の窪みの内側には上述の各層が設けられるため、対向電極５３３に生じる窪みは幅が狭いものとなる。そして、下側封止層５６１を蒸着などの気相法で形成すると、形成途上で下側封止層５６１の形成材料がオーバーハング状態に付着する。そのため、窪みの上方が閉塞気味となり、付きまわりが悪化して窪みの底部に形成材料が堆積され難くなる。これにより、対向電極５３３の窪みの底部において下側封止層５６１の厚さが薄くなって、封止性能を向上させることが難しい。

また、図示を省略するが、従来の有機ＥＬ装置ではサブ画素ＰｘＧのコンタクト７Ｇにおいても、上記窪みの内側に光学距離調整層が設けられるため、従来のコンタクト７Ｒと同様に封止性能を向上させることが難しい。なお、従来の有機ＥＬ装置でも、コンタクト７Ｒ，７Ｇにおける窪みの幅をさらに拡大することによって付きまわりを改善することが可能ではあるが、サブ画素Ｐｘの密度や配置の制約からコンタクト７Ｒ，７Ｇの拡幅には限界があった。

これに対して、図７に示すように、本実施形態では第１の中継電極７１の窪みを含む上方には、画素電極３１、画素分離層３４、発光機能層３２、および対向電極３３がこの順番で積層される。第１の中継電極７１の窪みの内側に光学距離調整層５７，５８が設けられないため、対向電極３３に生じる窪みは従来よりも幅が広くなる。そのため、下側封止層６１を蒸着などの気相法で形成しても、形成途上で窪みの上方が閉塞されにくくなり、窪みの底部における下側封止層６１の厚さが厚くなる。これにより、封止性能を従来よりも向上させることができる。

なお、図示を省略するが、本実施形態においては、サブ画素ＰｘＧのコンタクト７Ｇも上述したコンタクト７Ｒと同様な形態である。そのため、サブ画素ＰｘＧにおいても、従来に比べて下側封止層６１の付きまわりが改善されて封止性能が向上する。

図６に戻り、カラーフィルター層８は、上側封止層６３の上方に配置される。カラーフィルター層８は、カラーフィルター８１Ｒ，８１Ｂ、および図示しないカラーフィルター８１Ｇを含む。カラーフィルター８１Ｒは赤色の光を透過させ、カラーフィルター８１Ｇは緑色の光を透過させ、カラーフィルター８１Ｂは青色の光を透過させる機能を有する。カラーフィルター８１は、例えば、各々機能を発現し得る顔料を含む感光性樹脂を塗布した後、パターニングを施すことによって形成される。カラーフィルター層８の上方には、接着層９０を介して保護基板９が配置される。

図８に示すように、有機ＥＬ装置１は、表示部１２のサブ画素ＰｘＧに、電極としての対向電極３３と、第２の反射層５２と、第２の画素電極３１と、発光層３０と、第２の光学距離調整層としての光学距離調整層５８と、第２の中継電極７１と、を備える。なお、サブ画素ＰｘＧの構成については、サブ画素ＰｘＲと異なる構成についてのみ述べることとし、サブ画素ＰｘＲと同様な構成には同一の符号を使用して説明を省略する。

発光領域ＨａＧにおいては、第２の反射層５２は、対向電極３３と第２の光学距離だけ離隔されて設けられる。換言すれば、第２の光学距離とは、発光領域ＨａＧにおける、対向電極３３の上方の面と第２の反射層５２の上方の面との間の、Ｚ軸に沿う方向の距離と、これらの間の屈折率との積のことを指す。第２の光学距離は、発光領域ＨａＲにおける第１の光学距離よりも短い。

第２の画素電極３１は対向電極３３と第２の反射層５２との間に設けられる。発光層３０は対向電極３３と第２の画素電極３１との間に設けられる。第２の中継電極７１は、第２の画素電極３１と第２の反射層５２との間に設けられ、第２の画素電極３１と第２の反射層５２とを電気的に接続する。

光学距離調整層５８は第２の画素電極３１と第２の反射層５２との間に設けられ、光学距離調整層５７は設けられない。すなわち、サブ画素ＰｘＧの第２の光学距離調整層は、サブ画素ＰｘＲにおける第１の光学距離調整層よりも薄い。光学距離調整層５８は、第２の中継電極７１と離隔して設けられる。そして、光学距離調整層５８は、第２の中継電極７１と第２の反射層５２とが接するコンタクト部と平面視で重なる領域には設けられない。すなわち、平面視において、第２の中継電極７１は、光学距離調整層５８と重ならず、光学距離調整層５８のＡ方向の端部は、第２の画素電極３１と発光層３０とが接する発光領域ＨａＧと第２の中継電極７１との間に配置される。

これにより、第２の中継電極７１と第２の画素電極３１とが接する領域において、第２の中継電極７１と光学距離調整層５８とが離隔される。そのため、発光領域ＨａＧとコンタクト７Ｇとの段差が低減される。該段差は、上方に形成される下側封止層６１の段差に反映されるため、該段差の低減は下側封止層６１の段差を低減する。そして、下側封止層６１において、下側封止層６１の段差に起因するクラックの発生が抑制されることから、下側封止層６１の封止性能をさらに向上させることができる。

また、光学距離調整層５８のＡ方向の端部と、第２の中継電極７１のＣ方向の端部とが離隔する。すなわち、第２の中継電極７１のＣ方向の端部に光学距離調整層５８のＡ方向の端部が乗り上げない。そのため、発光領域ＨａＧのＡ方向の端部の上方の下側封止層６１と、画素分離層３４のＣ方向端部の上方の下側封止層６１とで、生じる段差が小さくなる。該段差が大きいと、発光領域ＨａＧのＡ方向端部よりもさらにＡ方向で光が射出される場合があるが、この不要な発光を抑えることが可能となる。すなわち、有機ＥＬ装置１における色ずれの発生を低減することができる。

図９に示すように、有機ＥＬ装置１は、表示部１２のサブ画素ＰｘＢ１に、電極としての対向電極３３と、第３の反射層５２と、第３の画素電極３１と、発光層３０と、第３の中継電極７１と、を備える。サブ画素ＰｘＢ１，ＰｘＢ２は光学距離調整層を有しない。なお、サブ画素ＰｘＢ１の構成については、サブ画素ＰｘＲと異なる構成についてのみ述べることとし、サブ画素ＰｘＲと同様な構成には同一の符号を使用して説明を省略する。

発光領域ＨａＢ１においては、第３の反射層５２は、対向電極３３と第３の光学距離だけ離隔されて設けられる。換言すれば、第３の光学距離とは、発光領域ＨａＢ１における、対向電極３３の上方の面と第３の反射層５２の上方の面との間の、Ｚ軸に沿う方向の距離と、これらの間の屈折率との積のことを指す。第３の光学距離は、発光領域ＨａＧにおける第２の光学距離よりも短い。

第３の画素電極３１は対向電極３３と第３の反射層５２との間に設けられ、発光層３０は対向電極３３と第３の画素電極３１との間に設けられる。第３の中継電極７１は第３の画素電極３１と第３の反射層５２との間に設けられる。第３の中継電極７１は、第３の画素電極３１と第３の反射層５２とを電気的に接続する。

上述したように、サブ画素ＰｘＲにおいて、発光領域ＨａＲを含む領域には光学距離調整層５７，５８が設けられ、平面視にて第１の中継電極７１と重なる領域には光学距離調整層５７，５８が設けられない。また、サブ画素ＰｘＧにおいて、発光領域ＨａＧを含む領域には光学距離調整層５８が設けられ、平面視にて第２の中継電極と重なる領域には光学距離調整層５８が設けられない。さらに、サブ画素ＰｘＢ１，ＰｘＢ２には、光学距離調整層が設けられない。したがって、第１の中継電極７１が設けられた領域における、第１の反射層５２と対向電極３３との間の距離と、第２の中継電極７１が設けられた領域における、第２の反射層５２と対向電極３３との間の距離と、第３の中継電極７１が設けられた領域における、第３の反射層５２と対向電極３３との間の距離と、は等しい。

そのため、コンタクト７Ｒ，７Ｂの内側が拡幅されて、対応する上方の発光層３０に生じる窪みの幅も広がる。これにより、下側封止層６１を蒸着にて形成する場合に、付きまわりを改善して下側封止層６１の厚さを厚くすることができる。

本実施形態によれば、以下の効果を得ることができる。

第１の中継電極７１の上方において、封止性能を向上させることができる。詳しくは、サブ画素ＰｘＲにおいて、第１の中継電極７１と光学距離調整層５７，５８とが離隔して配置されて、第１の中継電極７１と第１の反射層５２とのコンタクト７ａＲの内側に光学距離調整層５７，５８が配置されない。そのため、コンタクト７ａＲの内側が拡幅され、上方の発光層３０に生じる窪みの幅も広がる。これにより、発光層３０の上方に下側封止層６１を蒸着にて形成する際に、付きまわりを改善して下側封止層６１の厚さが確保される。これにより、第１の中継電極７１におけるコンタクト７Ｒ上方の封止性能を向上させる有機ＥＬ装置１を提供することができる。

第２の中継電極７１の上方において、封止性能を向上させることができる。詳しくは、サブ画素ＰｘＧにおいて、第２の中継電極７１と光学距離調整層５８とが離隔して配置されて、第２の中継電極７１と第２の反射層５２とのコンタクト７Ｇの内側に光学距離調整層５８が配置されない。そのため、コンタクト７Ｇの内側が拡幅され、上方の発光層３０に生じる窪みの幅も広がる。これにより、発光層３０の上方に下側封止層６１を蒸着にて形成する際に、付きまわりを改善して下側封止層６１の厚さが確保される。これにより、第２の中継電極７１におけるコンタクト７Ｇ上方の封止性能を向上させる有機ＥＬ装置１を提供することができる。

２．第２実施形態
本実施形態では、第１実施形態と同様に、電気光学装置として有機ＥＬ装置を例示する。該発光装置もまた、後述するＨＭＤに好適に用いられる。本実施形態に係る有機ＥＬ装置は、第１実施形態の有機ＥＬ装置１に対して、第１の光学距離調整層および第２の光学距離調整層の材質を異ならせたものである。そのため、第１実施形態と同一の構成については、同一の符号を使用し、重複する説明は省略する。

本実施形態の有機ＥＬ装置における第１の光学距離調整層および第２の光学距離調整層の構成について、図１０および図１１を参照して説明する。図１０では、第１実施形態の図６におけるコンタクト７Ｒに相当する領域を拡大している。図１１では、第１実施形態の図８におけるコンタクト７Ｇに相当する領域を拡大している。なお、図１０に関する説明はサブ画素ＰｘＲにおける構成を述べるものとし、図１１に関する説明はサブ画素ＰｘＧにおける構成を述べるものとする。

図１０に示すように、サブ画素ＰｘＲには、第１の光学距離調整層として、光学距離調整層２５７，２５８が設けられる。光学距離調整層２５７，２５８の平面的および断面的な配置は、第１実施形態の光学距離調整層５７，５８と同様である。光学距離調整層２５７，２５８は、第１の画素電極と同じ材料を含む透明導電層である。具体的には、光学距離調整層２５７，２５８には、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯなどが採用される。

図１１に示すように、サブ画素ＰｘＧには、第２の光学距離調整層として、光学距離調整層２５８が設けられる。光学距離調整層２５８の平面的および断面的な配置は、第１実施形態の光学距離調整層５８と同様である。

本実施形態によれば、第１実施形態と同様な効果を得ることができる。

３．第３実施形態
本実施形態に係る電子機器として、ヘッドマウントディスプレイおよびパーソナルコンピューターを例示する。

図１２に示すように、本実施形態の電子機器としてのヘッドマウントディスプレイ３００は、テンプル３１０、ブリッジ３２０、投射光学系３０１Ｌ，３０１Ｒを備える。図示を省略するが、投射光学系３０１Ｌは左眼用の電気光学装置を有し、投射光学系３０１Ｒは右眼用の電気光学装置を有する。これらの電気光学装置には、上記実施形態の有機ＥＬ装置が採用される。これにより、サブ画素ＰｘＲ，ＰｘＧの封止性能が向上して水分などの侵入が抑えられ、信頼性が向上したヘッドマウントディスプレイ３００を提供することができる。

図１３に示すように、本実施形態の電子機器としてのパーソナルコンピューター４００は、各種の画像を表示する、上記実施形態の有機ＥＬ装置１と、電源スイッチ４０１およびキーボード４０２が設けられた本体部４０３と、を備える。これにより、サブ画素ＰｘＲ，ＰｘＧの封止性能が向上して水分などの侵入が抑えられ、信頼性が向上したパーソナルコンピューター４００を提供することができる。

本発明の電気光学装置が採用される電子機器としては、上記の電子機器の他に、例えば、携帯電話機やスマートフォン、携帯情報端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、車載用のインパネなどの表示器、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ（Point Of Sale）端末などが挙げられる。さらに、上記実施形態の電気光学装置としての有機ＥＬ装置は、プリンター、スキャナー、複写機、およびビデオプレーヤーなどの電気機器に備わる表示部として適用可能である。

１…電気光学装置としての有機ＥＬ装置、３０…発光層、３１…第１の画素電極または第２の画素電極、３３…電極としての対向電極、５２…反射層、５７および５８…第１の光学距離調整層としての光学距離調整層、５８…第２の光学距離調整層としての光学距離調整層、７１…第１の中継電極または第２の中継電極あるいは第３の中継電極、３００…電子機器としてのヘッドマウントディスプレイ、４００…電子機器としてのパーソナルコンピューター、ＨａＲ…第１の発光領域、ＨａＧ…第２の発光領域。

Claims (10)

1. 電極と、
   前記電極と第１の光学距離だけ離隔して設けられた第１の反射層と、
   前記電極と前記第１の反射層との間に設けられた第１の画素電極と、
   前記電極と前記第１の画素電極との間に設けられた発光層と、
   前記第１の画素電極と前記第１の反射層との間に設けられた第１の光学距離調整層と、
   前記第１の画素電極と前記第１の反射層との間に設けられ、前記第１の画素電極と前記第１の反射層とを電気的に接続する第１の中継電極と、
   を備え、
   前記第１の光学距離調整層は、前記第１の中継電極と離隔して設けられる、
   ことを特徴とする電気光学装置。
2. 前記電極と前記第１の光学距離よりも短い第２の光学距離だけ離隔して設けられた第２の反射層と、
   前記電極と前記第２の反射層との間に設けられた第２の画素電極と、
   前記第２の画素電極と前記第２の反射層との間に設けられた、前記第１の光学距離調整層よりも薄い第２の光学距離調整層と、
   前記第２の画素電極と前記第２の反射層との間に設けられ、前記第２の画素電極と前記第２の反射層とを電気的に接続する第２の中継電極と、
   を備え、
   前記第２の光学距離調整層は、前記第２の中継電極と離隔して設けられる、
   ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 平面視において、前記第１の中継電極は、前記第１の光学距離調整層と重ならない、
   ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電気光学装置。
4. 平面視において、前記第１の中継電極は、前記第１の光学距離調整層と重ならず、
   平面視において、前記第２の中継電極は、前記第２の光学距離調整層と重ならない、
   ことを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
5. 平面視において、前記第１の光学距離調整層の端部は、前記第１の画素電極と前記発光層とが接する第１の発光領域と前記第１の中継電極との間に配置される、
   ことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の電気光学装置。
6. 平面視において、前記第１の光学距離調整層の端部は、前記第１の画素電極と前記発光層とが接する第１の発光領域と前記第１の中継電極との間に配置され、
   平面視において、前記第２の光学距離調整層の端部は、前記第２の画素電極と前記発光層とが接する第２の発光領域と前記第２の中継電極との間に配置される、
   ことを特徴とする請求項２または請求項４に記載の電気光学装置。
7. 前記電極と前記第２の光学距離よりも短い第３の光学距離だけ離隔して設けられた第３の反射層と、
   前記電極と前記第３の反射層との間に設けられた第３の画素電極と、
   前記第３の画素電極と前記第３の反射層との間に設けられ、前記第３の画素電極と前記第３の反射層とを電気的に接続する、第３の中継電極と、
   備え、
   前記第１の中継電極が設けられた領域における、前記第１の反射層と前記電極との間の距離は、前記第２の中継電極が設けられた領域における、前記第２の反射層と前記電極との間の距離、および前記第３の中継電極が設けられた領域における、前記第３の反射層と前記電極との間の距離と等しい、
   ことを特徴とする請求項２から請求項６のいずれか１項に記載の電気光学装置。
8. 前記第１の光学距離調整層は、酸化ケイ素を含む絶縁層であることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の電気光学装置。
9. 前記第１の光学距離調整層は、前記第１の画素電極と同じ材料を含む透明導電層であることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の電気光学装置。
10. 請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。

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