JP6947375B2 - 有機ｅｌ表示パネル、及び有機ｅｌ表示パネルの製造方法 - Google Patents

Description

本開示は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子を用いた、及びそれを用いた有機ＥＬ表示パネルとその製造方法に関する。

近年、デジタルテレビ等の表示装置に用いられる表示パネルとして、基板上に有機ＥＬ素子をマトリックス状に複数配列した有機ＥＬ表示パネルが実用化されている。
有機ＥＬ表示パネルでは、一般に各有機ＥＬ素子の発光層と、隣接する有機ＥＬ素子とは絶縁材料からなる絶縁層で仕切られており、カラー表示用の有機ＥL表示パネルにおいては、有機ＥＬ素子がＲＧＢ各色に発光する副画素を形成し、隣り合うＲＧＢの副画素が組合わさってカラー表示における単位画素が形成されている。

有機ＥＬ素子は、陽極と陰極の一対の電極の間に有機発光材料を含む発光層が配設された基本構造を有し、駆動時には、一対の電極対間に電圧を印加し、陽極から発光層に注入されるホールと、陰極から発光層に注入される電子との再結合に伴って発光する。トップエミッション型の有機ＥＬ素子においては、発光層からの光は、光反射性材料からなる陽極にて反射されるとともに、光透光性材料からなる陰極から上方に出射される。

有機ＥＬ素子において、素子の発光効率を向上させるためには、電極から機能層へキャリア（ホールおよび電子）を効率よく注入することが重要である。一般にキャリアを効率よく注入するためには、それぞれの電極と機能層との間に、注入の際のエネルギー障壁（注入障壁）を低くするための注入層を設けるのが有効である。例えば、トップエミッション型の有機ＥＬ素子において、陽極と発光層との間にホール注入層を複数層設けて陽極から発光層へのホール注入性を良化することにより、有機ＥＬ素子の寿命特性を改善する技術が提案されている（例えば、特許文献１）。

特開２００７−５７８４号公報

ところが、ＲＧＢ各色に発光する各色副画素において発光層の特性に応じて必要なキャリア密度が異なるために、ＲＧＢ副画素においてホール注入層を同一の構成とした従来の構成では、各色発光層から十分な出射輝度が得られてない場合や、ＲＧＢの何れかの副画素において電圧付加が過大となり素子寿命が低下するという課題があった。
また、トップエミッション型の有機ＥＬ素子では、出射光の色純度を向上して出射輝度を高めるために、ＲＧＢ各色に発光する副画素ごとに陽極と陰極間の距離を異ならせて、陽極と陰極間で光共振器構造が採り光取り出し効率を向上することも必要となる。

本開示は、上記課題に鑑みてなされたものであって、有機ＥＬ素子の出射輝度と光取り出し効率を向上するとともに、素子寿命を改善する有機ＥＬ表示パネル、及びこの有機ＥＬ表示パネルの製造に適した製造方法を提供することを目的とする。

本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、青色副画素、緑色副画素及び赤色副画素を含む画素が複数配された有機ＥＬ表示パネルであって、基板と、前記基板上の前記青色副画素の領域に、前記基板側から順に、第１画素電極層、第１ホール注入層、第１ホール輸送層、青色有機発光層と、前記基板上の前記緑色副画素の領域に、前記基板側から順に、第２画素電極層、第２ホール注入層、第２ホール輸送層、緑色有機発光層と、前記基板上の前記赤色副画素の領域に、前記基板側から順に、第３画素電極層、第３ホール注入層、第３ホール輸送層、赤色有機発光層と、前記青色有機発光層、前記緑色有機発光層及び前記赤色有機発光層の上方に対向電極層とを備え、前記第１ホール注入層は、金属酸化物からなる第１下部層と、前記第１下部層に積層された有機物からなる第１上部層とを含み、前記第２ホール注入層は、前記金属酸化物からなる第２下部層と、前記第２下部層に積層された前記有機物からなる第２上部層とを含み、前記第３ホール注入層は、前記金属酸化物からなる第３下部層と、前記第３下部層に積層された前記有機物からなり、前記第１上部層及び前記第２上部層よりも厚みが大きい第３上部層とを含むことを特徴とする。

本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルでは、有機ＥＬ素子の出射輝度と光取り出し効率を向上するとともに、素子寿命を改善することができる。

実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１の回路構成を示す模式ブロック図である。 有機ＥＬ表示装置１に用いる有機ＥＬ表示パネル１０の各副画素１００ｓｅにおける回路構成を示す模式回路図である。 有機ＥＬ表示パネル１０の一部を示す模式平面図である。 図３におけるにおけるＡ−Ａで切断した模式断面図である。 図３におけるにおけるＢ−Ｂで切断した模式断面図である。 （ａ）〜（ｅ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図３におけるにおけるＡ−Ａと同じ位置で切断した模式断面図である。 有機ＥＬ表示パネル１０の製造方法において、基板に対して発光層形成用のインクを塗布する工程を示す図であって、（ａ）は絶縁層１２２Ｘと１２２Ｙとで規定される格子状の領域に塗布する場合、（ｂ）は列バンク５２２Ｙ間の間隙５２２ｚに一様に塗布する場合の模式図である。 （ａ）〜（ｄ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造におけるＣＦ基板１３１製造の各工程での状態を示す模式断面図である。 （ａ）〜（ｂ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造におけるＣＦ基板１３１と背面パネルとの貼り合わせ工程での状態を示す図３におけるにおけるＡ−Ａと同じ位置で切断した模式断面図である。 有機ＥＬ表示パネル１０に形成された光共振器構造における光の干渉について説明する図である。 （ａ）〜（ｃ）は、有機ＥＬ表示パネル１０におけるＲＧＢ各色の上部層１２０Ｂの厚みと光取り出し効率との関係を示す光学シミュレーション結果を示す図である。 有機ＥＬ表示パネル１０の寿命特性の試験結果である。

≪本発明を実施するための形態の概要≫
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルは、青色副画素、緑色副画素及び赤色副画素を含む画素が複数配された有機ＥＬ表示パネルであって、基板と、前記基板上の前記青色副画素の領域に、前記基板側から順に、第１画素電極層、第１ホール注入層、第１ホール輸送層、青色有機発光層と、前記基板上の前記緑色副画素の領域に、前記基板側から順に、第２画素電極層、第２ホール注入層、第２ホール輸送層、緑色有機発光層と、前記基板上の前記赤色副画素の領域に、前記基板側から順に、第３画素電極層、第３ホール注入層、第３ホール輸送層、赤色有機発光層と、前記青色有機発光層、前記緑色有機発光層及び前記赤色有機発光層の上方に対向電極層とを備え、前記第１ホール注入層は、金属酸化物からなる第１下部層と、前記第１下部層に積層された有機物からなる第１上部層とを含み、前記第２ホール注入層は、前記金属酸化物からなる第２下部層と、前記第２下部層に積層された前記有機物からなる第２上部層とを含み、前記第３ホール注入層は、前記金属酸化物からなる第３下部層と、前記第３下部層に積層された前記有機物からなり、前記第１上部層及び前記第２上部層よりも厚みが大きい第３上部層とを含むことを特徴とする。

係る構成により、有機ＥＬ素子の出射輝度と光取り出し効率を向上するとともに、素子寿命を改善することができる。
また、別の態様では上記いずれかの構成において、前記第１上部層の厚みは０ｎｍより大きく２５ｎｍ以下であり、前記第２上部層の厚みは０ｎｍより大きく３０ｎｍ以下であり、前記第３上部層の厚みは２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である構成としてもよい。

係る構成により、発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂには、発光色ごとに駆動に必要なキャリア密度に相応する最適な電圧によって駆動されることになるので、各色発光層において十分な出射輝度が得られる。
さらに、共振器構造において、ホール注入層１２０のうち上部層１２０Ｂの膜厚を光学膜厚Ｌ１が光取り出し効率が極大値を示す光学膜厚に調整されるよう容易に適宜設定することができ、光取り出し効率を向上することができる。

また、別の態様では上記いずれかの構成において、前記有機物は、ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物を含む構成としてもよい。
係る構成により、上部層１２０Ｂは、インクジェット法等の塗布方式を用いて形成されており、塗布方式は、ノズルから吐出するインクの量を変化させることにより同一の基板に対して成膜する場合でも成膜箇所によって膜厚の制御が比較的容易に行うことができる。

また、別の態様では上記いずれかの構成において、前記第１下部層、前記第２下部層、及び前記第３下部層の厚みは同じである構成としてもよい。
係る構成により、シャドウマスクを用いて下部層１２０ＡＲ、１２０ＡＧ、１２０ＡＢをそれぞれ別個に成膜してパターンニングする必要がなく、これに伴う製造プロセス上タクトが増加と量産上コストの増加を回避できる。

また、別の態様では上記いずれかの構成において、前記第１下部層、前記第２下部層及び前記第３下部層の厚みは５ｎｍ以上２０ｎｍ以下である構成としてもよい。
また、別の態様では上記いずれかの構成において、前記金属酸化物は、タングステン（Ｗ）の酸化物を含む構成としてもよい。
係る構成により、下部層１２０Ａはスパッタリング法あるいは真空蒸着法などの気相成長法を用いて成膜することができる。形成方法としては、金属を製膜し、その後焼成する方法と金属酸化膜をそのまま形成する方法があるが、効果を阻害しない範囲であればどちらで形成してもよい。
上部層への密着性の観点からは金属を製膜し、その後焼成するほうが望ましい。

また、別の態様では上記いずれかの構成において、前記基板上に青色副画素、緑色副画素及び赤色副画素の領域を区画する前記基板上方に配されたバンクを備え、前記バンクは、少なくとも前記第１、第２及び第３画素電極層の行方向の外縁上方と、行方向外縁間に位置する前記基板上方とに配されてなる複数の列バンクと、少なくとも前記第１画素電極層、前記第２画素電極層又は前記第３画素電極層の列方向の外縁上方と、列方向外縁間に位置する前記基板上方とに配されてなる複数の行バンクとを含む構成としてもよい。また、別の態様では上記いずれかの構成において、前記第１上部層、前記第２上部層及び前記第３上部層は、前記行バンク上を列方向に連続して配されている構成としてもよい。

係る構成により、基板上の列状塗布領域内にホール注入層の材料を含むインクを塗布して製造する表示パネルにおいて、列バンク間の間隙におけるホール注入層の材料となる有機化合物を含んだインクの列方向への流動を制御して、列状塗布領域内でホール注入層の膜厚が均一性を向上させてホール注入性の変動を抑制して輝度ムラを改善することができる。
また、別の態様では上記いずれかの構成において、前記青色発光層、前記緑色発光層及び前記赤色発光層は、前記行バンク上を列方向に連続して配されている構成としてもよい。

係る構成により、列バンク間の間隙における発光層の材料となる有機化合物を含んだインクの列方向への流動を制御して、列状塗布領域内で発光層の膜厚が均一性を向上させて輝度ムラを改善することができる。
また、別の態様では上記いずれかの構成において、さらに、少なくとも前記第１ホール注入層、前記第２ホール注入層又は前記第３ホール注入層上方であって、隣接する前記列バンク間の間隙それぞれに配されている前記ホール輸送層を備えた構成としてもよい。また、別の態様では上記いずれかの構成において、前記ホール輸送層は、前記行バンク上を列方向に連続して配されている構成としてもよい。

係る構成により、列バンク間の間隙におけるホール輸送層の材料となる有機化合物を含んだインクの列方向への流動を制御して、列状塗布領域内でホール輸送層の膜厚が均一性を向上させて輝度ムラを改善することができる。
また、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、青色副画素、緑色副画素及び赤色副画素を含む画素が複数配された有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、基板を準備する工程と、前記基板上の前記青色副画素の形成領域に第１画素電極層を、前記緑色副画素の形成領域に第２画素電極層を、前記赤色副画素の形成領域に第３画素電極層を、気相成長法により形成する工程と、前記第１画素電極層、前記第２画素電極層及び前記第３画素電極層上に、気相成長法により金属を堆積して、その後焼成することでそれぞれ第１下部層、第２下部層、及び第２下部層を形成する工程と、少なくとも前記第１下部層、前記第２下部層及び前記第３下部層それぞれの上に、有機物を含むインクを塗布した後焼成して、第１上部層、第２上部層、及び、前記第１上部層及び前記第２上部層よりも厚みが大きい第３上部層を形成する工程と、少なくとも前記第１上部層、前記第２上部層及び前記第３上部層上に、それぞれ青色有機発光層の材料を含むインク、緑色有機発光層の材料を含むインク、及び赤色有機発光層の材料を含むインクを塗布した後に焼成して、青色有機発光層、緑色有機発光層、及び赤色有機発光層を形成する工程と、前記青色有機発光層、前記緑色有機発光層及び前記赤色有機発光層の上方に、対向電極層を形成する工程とを含むことを特徴とする。

係る構成により、有機ＥＬ素子の出射輝度と光取り出し効率を向上するとともに、素子寿命を改善する有機ＥＬ表示パネルを製造することができる。
また、上部層１２０Ｂは、インクジェット法等の塗布方式を用いて形成されており、塗布方式は、ノズルから吐出するインクの量を変化させることにより同一の基板に対して成膜する場合でも成膜箇所によって膜厚の制御が比較的容易に行うことができ、上述した材料損失によるコストアップや精密マスクの高精度に位置合わせに伴う生産性低下を回避することができる。

また、別の態様では上記いずれかの構成において、さらに、前記第１画素電極層、前記第２画素電極層、及び、前記第３画素電極層を形成する工程の後に、少なくとも前記第１画素電極層、前記第２画素電極層及び前記第３画素電極層の行方向の外縁上方と、行方向外縁間に位置する前記基板上方とに複数の列バンクと、少なくとも厚み前記第１画素電極層、前記第２画素電極層又は前記第３画素電極層の列方向の外縁上方と、列方向外縁間に位置する前記基板上方とに複数の行バンクを形成する工程を含み、前記第１上部層、前記第３上部層及び前記第３上部層を形成する工程では、前記隣接する列バンク間の間隙内において、前記行バンク上に列方向に連続して前記有機物を含むインクを塗布する構成としてもよい。

係る構成により、列バンク間の間隙におけるホール注入層の材料となる有機化合物を含んだインクの列方向への流動を制御して、列状塗布領域内でホール注入層の膜厚が均一性を向上させてホール注入性の変動を抑制して輝度ムラを改善することができる。
また、別の態様では上記いずれかの構成において、さらに、前記第１上部層、前記第２上部層、及び、前記第３上部層を形成する工程の後に、少なくとも前記第１上部層、前記第２上部層及び前記第３上部層それぞれの上に、ホール輸送層の材料を含むインクを塗布した後焼成して、第１ホール輸送層、第２ホール輸送層、及び第３ホール輸送層を形成する工程を含む構成としてもよい。

係る構成により、列バンク間の間隙におけるホール輸送層の材料となる有機化合物を含んだインクの列方向への流動を制御して、列状塗布領域内でホール輸送層の膜厚が均一性を向上させて輝度ムラを改善することができる。
また、別の態様では上記いずれかの構成において、青色副画素、緑色副画素及び赤色副画素を含む画素が複数配された有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、基板を準備する工程と、前記基板上の前記青色副画素の形成領域に第１画素電極層を、前記緑色副画素の形成領域に第２画素電極層を、前記赤色副画素の形成領域に第３画素電極層を、気相成長法により形成する工程と、前記第１画素電極層、前記第２画素電極層及び前記第３画素電極層上に、気相成長法により金属酸化物を堆積して、それぞれ第１下部層、第２下部層、及び第２下部層を形成する工程と、少なくとも前記第１下部層、前記第２下部層及び前記第３下部層それぞれの上に、有機物を含むインクを塗布した後焼成して、第１上部層、第２上部層、及び、前記第１上部層及び前記第２上部層よりも厚みが大きい第３上部層を形成する工程と、少なくとも前記第１上部層、前記第２上部層及び前記第３上部層上に、それぞれ青色有機発光層の材料を含むインク、緑色有機発光層の材料を含むインク、及び赤色有機発光層の材料を含むインクを塗布した後に焼成して、青色有機発光層、緑色有機発光層、及び赤色有機発光層を形成する工程と、前記青色有機発光層、前記緑色有機発光層及び前記赤色有機発光層の上方に、対向電極層を形成する工程とを含む構成としてもよい。

≪実施の形態≫
１．表示装置１の回路構成
以下では、実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１（以後、「表示装置１」とする）の回路構成について、図１を用い説明する。
図１に示すように、表示装置１は、有機ＥＬ表示パネル１０（以後、「表示パネル１０」とする）と、これに接続された駆動制御回路部２０とを有し構成されている。

表示パネル１０は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）パネルであって、複数の有機ＥＬ素子が、例えば、マトリクス状に配列され構成されている。駆動制御回路部２０は、４つの駆動回路２１〜２４と制御回路２５とにより構成されている。
なお、表示装置１において、表示パネル１０に対する駆動制御回路部２０の各回路の配置形態については、図１に示した形態に限定されない。

２．表示パネル１０の回路構成
表示パネル１０における、複数の有機ＥＬ素子は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）に発光する３色の副画素（不図示）１００ｓｅからなる単位画素１００ｅから構成される。各副画素１００ｓｅの回路構成について、図２を用い説明する。
図２は、表示装置１に用いる表示パネル１０の各副画素１００ｓｅに対応する有機ＥＬ素子１００における回路構成を示す模式回路図である。表示パネル１０においては、単位画素１００ｅを構成する有機ＥＬ素子１００がマトリクス状に配されて表示領域を構成している。

図２に示すように、本実施の形態に係る表示パネル１０では、各副画素１００ｓｅが２つのトランジスタＴｒ₁、Ｔｒ₂と一つの容量Ｃ、および発光部としての有機ＥＬ素子部ＥＬとを有し構成されている。トランジスタＴｒ₁は、駆動トランジスタであり、トランジスタＴｒ₂は、スイッチングトランジスタである。
スイッチングトランジスタＴｒ₂のゲートＧ₂は、走査ラインＶｓｃｎに接続され、ソースＳ₂は、データラインＶｄａｔに接続されている。スイッチングトランジスタＴｒ₂のドレインＤ₂は、駆動トランジスタＴｒ₁のゲートＧ₁に接続されている。

駆動トランジスタＴｒ₁のドレインＤ₁は、電源ラインＶａに接続されており、ソースＳ₁は、有機ＥＬ素子部ＥＬの画素電極層（アノード）に接続されている。有機ＥＬ素子部ＥＬにおける対向電極層（カソード）は、接地ラインＶｃａｔに接続されている。
なお、容量Ｃは、スイッチングトランジスタＴｒ₂のドレインＤ₂および駆動トランジスタＴｒ₁のゲートＧ₁と、電源ラインＶａとを結ぶように設けられている。

表示パネル１０においては、隣接する複数の副画素１００ｓｅ（例えば、赤色（Ｒ）と緑色（Ｇ）と青色（Ｂ）の発光色の３つの副画素１００ｓｅ）を組合せて１つの単位画素１００ｅを構成し、各単位画素１００ｅが分布するように配されて画素領域を構成している。そして、各副画素１００ｓｅのゲートＧ₂からゲートラインＧＬが各々引き出され、表示パネル１０の外部から接続される走査ラインＶｓｃｎに接続されている。同様に、各副画素１００ｓｅのソースＳ₂からソースラインＳＬが各々引き出され表示パネル１０の外部から接続されるデータラインＶｄａｔに接続されている。

また、各副画素ｓｅの電源ラインＶａ及び各副画素１００ｓｅの接地ラインＶｃａｔは集約され電源ラインＶａ及び接地ラインＶｃａｔに接続されている。
３．表示パネル１０の全体構成
本実施の形態に係る表示パネル１０について、図面を用いて説明する。なお、図面は模式図であって、その縮尺は実際とは異なる場合がある。

図３は、実施の形態に係る表示パネルの一部を示す模式平面図である。図４は、図３におけるＡ−Ａで切断した模式断面図である。図５は、図３におけるＢ−Ｂで切断した模式断面図である。
表示パネル１０は、有機化合物の電界発光現象を利用した有機ＥＬ表示パネルであり、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が形成された基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）に、各々が画素を構成する複数の有機ＥＬ素子１００が行列状に配され、上面より光を発するトップエミッション型の構成を有する。ここで、本明細書では、図３におけるＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向を、それぞれ表示パネル１０における、行方向、Ｙ方向、厚み方向とする。

表示パネル１０の表示素子配列領域１０ｅには、有機ＥＬ素子１００に対応する単位画素１００ｅが行列状に配されている。各単位画素１００ｅには、有機化合物により光を発する領域である、赤色に発光する１００ａＲ、緑色に発光する１００ａＧ、青色に発光する１００ａＢ（以後、１００ａＲ、１００ａＧ、１００ａＢを区別しない場合は、「１００ａ」と略称する）の３種類の自己発光領域１００ａが形成されている。すなわち、図４に示すように行方向に並んだ自己発光領域１００ａＲ、１００ａＧ、１００ａＢのそれぞれに対応する３つの副画素１００ｓｅ（以後、区別する場合は、「青色副画素１００ｓｅＢ」、「緑色副画素１００ｓｅＧ」及び「赤色副画素１００ｓｅＲ」とする）が１組となりカラー表示における単位画素１００ｅを構成している。

また、図３に示すように、表示パネル１０には、複数の画素電極層１１９が基板１００ｘ上に行及び列方向にそれぞれ所定の距離だけ離れた状態で行列状に配されている。画素電極層１１９は、平面視において矩形形状であり、光反射材料からなる。行列状に配された画素電極層１１９は、行方向に順に並んだ３つの自己発光領域１００ａＲ、１００ａＧ、１００ａＢに対応する。

表示パネル１０では、バンク１２２の形状は、いわゆるライン状の絶縁層形式を採用し、行方向に隣接する２つの画素電極層１１９の行方向外縁１１９ａ３、１１９ａ４及び外縁１１９ａ３、１１９ａ４間に位置する基板１００ｘ上の領域上方には、各条が列方向（図３のＹ方向）に延伸する列バンク５２２Ｙが複数行方向に並設されている。そのため、自己発光領域１００ａの行方向外縁は、列バンク５２２Ｙの行方向外縁により規定される。

一方、列方向に隣接する２つの画素電極層１１９の列方向外縁１１９ａ１、１１９ａ２及び外縁１１９ａ１、１１９ａ２間に位置する基板１００ｘ上の領域上方には、各条が行方向（図３のＸ方向）に延伸する行バンク１２２Ｘが複数列方向に並設されている。行バンク１２２Ｘが形成される領域は、画素電極層１１９上方の発光層１２３において有機電界発光が生じないために非自己発光領域１００ｂとなる。そのため、自己発光領域１００ａの列方向における外縁は、行バンク１２２Ｘの列方向外縁により規定される。

隣り合う列バンク５２２Ｙ間を間隙５２２ｚと定義したとき、間隙５２２ｚには、自己発光領域１００ａＲに対応する赤色間隙５２２ｚＲ、自己発光領域１００ａＧに対応する緑色間隙５２２ｚＧ、自己発光領域１００ａＢに対応する青色間隙５２２ｚＢ（以後、間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＧ、間隙５２２ｚＢを区別しない場合は、「間隙５２２ｚ」とする）が存在し、表示パネル１０は、列バンク５２２Ｙと間隙５２２ｚとが交互に多数並んだ構成を採る。

また、図３に示すように、表示パネル１０では、複数の自己発光領域１００ａと非自己発光領域１００ｂとが、間隙５２２ｚに沿って列方向に交互に並んで配されている。非自己発光領域１００ｂには、画素電極層１１９とＴＦＴのソースＳ₁とを接続する接続凹部１１９ｃ（コンタクトホール）があり、画素電極層１１９に対して電気接続するための画素電極層１１９上のコンタクト領域１１９ｂ（コンタクトウインドウ）が設けられている。

図４、５に示すように、１つの副画素１００ｓｅにおいて、列方向に設けられた列バンク５２２Ｙと行方向に設けられた行バンク１２２Ｘとは直交し、自己発光領域１００ａは列方向において行バンク１２２Ｘと行バンク１２２Ｘの間に位置している。
４．表示パネル１０の各部構成
表示パネル１０における有機ＥＬ素子１００の構成を図４及び図５用いて説明する。

本実施の形態に係る表示パネル１０は、Ｚ軸方向下方に薄膜トランジスタが形成された基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）が構成され、その上に有機ＥＬ素子部が構成されている。
４．１ 基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）
基板１００ｘは表示パネル１０の支持部材であり、基材（不図示）と、基材上に形成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）層（不図示）と、基材上及びＴＦＴ層上に形成された層間絶縁層（不図示）とを有する。

基材は、表示パネル１０の支持部材であり、平板状である。基材の材料としては、電気絶縁性を有する材料、例えば、ガラス材料、樹脂材料、半導体材料、絶縁層をコーティングした金属材料などを用いることができる。
ＴＦＴ層は、基材上面に形成された複数のＴＦＴ及び配線からなる。ＴＦＴは、表示パネル１０の外部回路からの駆動信号に応じ、自身に対応する画素電極層１１９と外部電源とを電気的に接続するものであり、電極、半導体層、絶縁層などの多層構造からなる。配線は、ＴＦＴ、画素電極層１１９、外部電源、外部回路などを電気的に接続している。

基板１００ｘの上面に位置する層間絶縁層は、ＴＦＴ層によって凹凸が存在する基板１００ｘの上面の少なくとも副画素１００ｓｅを平坦化するものである。また、層間絶縁層は、配線及びＴＦＴの間を埋め、配線及びＴＦＴの間を電気的に絶縁している。
４．２ 有機ＥＬ素子部
（１）画素電極層１１９
基板１００ｘの上面に位置する層間絶縁層上には、副画素１００ｓｅ単位で画素電極層１１９が設けられている。画素電極層１１９は、発光層１２３へキャリアを供給するためのものであり、例えば陽極として機能した場合は、発光層１２３へホールを供給する。また、表示パネル１０がトップエミッション型であるため、画素電極層１１９は、光反射性を有し、画素電極層１１９の形状は、矩形形状をした平板状であり、画素電極層１１９は行方向に間隔δＸをあけて、間隙５２２ｚのそれぞれにおいて列方向に間隔δＹをあけて基板１００ｘ上に配されている。また、基板１００ｘの上面に開設されたコンタクトホールを通して、画素電極層１１９の一部を基板１００ｘ方向に凹入された画素電極層１１９の接続凹部１１９ｃとＴＦＴのソースＳ₁とが接続される。

（２）ホール注入層１２０
画素電極層１１９上には、ホール注入層１２０が積層されている。ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１は、画素電極層１１９から注入されたホールをホール輸送層１２１へ輸送する機能を有する。
ホール注入層１２０は、前記基板側から順に、画素電極層１１９上に形成された金属酸化物からなる下部層１２０Ａと、少なくとも下部層１２０Ａ上に積層された有機物からなる上部層１２０Ｂとを含む。本実施の形態では、後述する間隙５２２ｚ内では、上部層１２０Ｂは列方向に延伸するように線状に設けられている構成を採る。しかしながら、上部層１２０Ｂは、画素電極層１１９上に形成された下部層１２０Ａ上にのみ形成され、間隙５２２ｚ内では列方向に断続して設けられている構成としてもよい。

下部層１２０Ａは、酸化タングステン（組成式ＷＯｘにおいて、ｘは概ね２＜ｘ＜３の範囲における実数）を含んでなる、膜厚が２ｎｍ以上（ここでは一例として１０ｎｍ）の酸化タングステン層として構成される。下部層１２０Ａは、酸化タングステンから構成されることが望ましいが、通常混入し得る程度の極微量の不純物が含まれていてもよい。膜厚は２ｎｍ以上あると、均一な成膜を行いやすく、また、以下に示す陽極２とホール注入層１２０との間のショットキーオーミック接続を形成しやすいので、好ましい。ショットキーオーミック接続は酸化タングステンの膜厚が２ｎｍ以上で安定して形成されるため、これ以上の膜厚でホール注入層１２０を形成すれば、ショットキーオーミック接続を利用して、画素電極層１１９からホール注入層１２０への安定したホール注入効率を期待できる。「ショットキーオーミック接続」とは、画素電極層１１９のフェルミレベルと、前述したホール注入層１２０のフェルミ面近傍の占有準位で最も低い結合エネルギーとの差が所定値以下に収まっている接続を言う。

下部層１２０Ａの膜密度は５．８ｇ／ｃｍ³以上６．０ｇ／ｃｍ³以下の範囲となるように設定されている。特定の成膜条件で成膜されていることにより、膜中にタングステン原子に対して酸素原子が部分的に結合してなる酸素欠陥構造を有し、電子状態において、価電子帯の上端、すなわち価電子帯で最も低い結合エネルギーよりも、１．８〜３．６ｅＶ低い結合エネルギー領域内に占有準位が存在している。この占有準位がホール注入層１２０の最高占有準位であり、その結合エネルギー範囲はホール注入層１２０のフェルミレベル（フェルミ面）に最も近い。

また、図５に示すように、青色副画素１００ｓｅＢ、緑色副画素１００ｓｅＧ及び赤色副画素１００ｓｅＲ内に設けられた下部層１２０Ａを、それぞれ下部層１２０ＡＢ、下部層１２０ＡＧ及び下部層１２０ＡＲとしたとき、下部層１２０ＡＢ、下部層１２０ＡＧ及び下部層１２０ＡＲの膜厚ｔ１Ｂ、ｔ１Ｇ、及びｔ１Ｒは等価に構成されており、膜厚は５ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることが好ましい。

上部層１２０Ｂは、行絶縁層１２２Ｘ、及び間隙５２２ｚ内におけるホール注入層１２０の下部層１２０Ａ上に積層され、上部層１２０Ｂは下部層１２０Ａに接触している。ホール輸送層１２１は、下部層１２０Ａから注入されたホールを発光層１２３へ輸送する機能を有する。上部層１２０Ｂは、例えば、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料の有機高分子溶液からなる塗布膜を用いることができる。

本実施の形態では、後述する間隙５２２ｚ内では、上部層１２０Ｂは下部層１２０Ａ同様、列方向に延伸するように線状に設けられている構成を採る。しかしながら、上部層１２０Ｂは間隙５２２ｚ内では列方向に断続して設けられている構成としてもよい。
また、図５に示すように、青色副画素１００ｓｅＢ、緑色副画素１００ｓｅＧ及び赤色副画素１００ｓｅＲ内に設けられた上部層１２０Ｂを、それぞれ上部層１２０ＢＢ、上部層１２０ＢＧ及び上部層１２０ＢＲとしたとき、上部層１２０ＢＲの厚みｔ２Ｒは、上部層１２０ＢＢの厚みｔ２Ｂ及び上部層１２０ＢＧの厚みｔ２Ｇよりも大きく構成されている。上部層１２０ＢＢの厚みｔ２Ｂは０ｎｍより大きく２５ｎｍ以下であり、上部層ＢＧの厚みｔ２Ｇは０ｎｍより大きく３０ｎｍ以下であり、上部層１２０ＢＲの厚みｔ２Ｒは２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることが好ましい。

（３）バンク１２２
画素電極層１１９、ホール注入層１２０及びホール輸送層１２１の端縁を被覆するように絶縁物からなるバンク１２２が形成されている。バンク１２２は、列方向に延伸して行方向に複数並設されている列バンク５２２Ｙと、行方向に延伸して列方向に複数並設されている行バンク１２２Ｘとがあり、図３に示すように、列バンク５２２Ｙは行バンク１２２Ｘと直交する行方向に沿った状態で設けられており、列バンク５２２Ｙと行バンク１２２Ｘとで格子状をなしている（以後、行バンク１２２Ｘ、列バンク５２２Ｙを区別しない場合は「バンク１２２」とする）。

行バンク１２２Ｘの形状は、行方向に延伸する線状であり、列方向に平行に切った断面は上方を先細りとする順テーパー台形状である。行バンク１２２Ｘは、各列バンク５２２Ｙを貫通するようにして、列方向と直交する行方向に沿った状態で設けられており、各々が列バンク５２２Ｙの上面５２２Ｙｂよりも低い位置に上１２２Ｘｂを有する。そのため、行バンク１２２Ｘと列バンク５２２Ｙとにより、自己発光領域１００ａに対応する開口が形成されている。

行バンク１２２Ｘは、発光層１２３の材料となる有機化合物を含んだインクの列方向への流動を制御するためのものである。そのため、行バンク１２２Ｘはインクに対する親液性が所定の値以上であることが必要である。係る構成により、発光層１２３の材料となる有機化合物を含んだインクの列方向への流動性を高め副画素間のインク塗布量の変動を抑制する。行バンク１２２Ｘにより画素電極層１１９は露出することはなく、行バンク１２２Ｘが存在する領域では発光せず輝度には寄与しない。

具体的には、行バンク１２２Ｘは、画素電極層１１９の列方向における外縁１１９ａ１、ａ２上方に存在し、画素電極層１１９の一部１１９ｂと重なった状態で形成され、行バンク１２２Ｘが形成される非自己発光領域１００ｂの列方向長さは、画素電極層１１９の列方向外縁１１９ａ１、ａ２間の距離δＹより所定長さ大きく構成されている。これにより、画素電極層１１９の列方向外縁１１９ａ１、２を被覆することにより対向電極層１２５との間の電気的リークを防止するとともに、列方向における各副画素１００ｓｅの発光領域１００ａの外縁を規定する。

列バンク５２２Ｙは、発光層１２３の材料となる有機化合物を含んだインクの列方向への流動を堰き止めて形成される発光層１２３の行方向外縁を規定するものである。列バンク５２２Ｙの形状は、行方向に延伸する線状であり、列方向に平行に切った断面は上方を縮幅する台形形状である。
列バンク５２２Ｙは、画素電極層１１９の行方向における外縁１１９ａ３、ａ４上方に存在し、画素電極層１１９の一部と重なった状態で形成され、列バンク５２２Ｙが形成される領域の行方向の幅は、画素電極層１１９の行方向外縁１１９ａ３、ａ４間の距離δＸより所定幅大きく構成されている。これにより、画素電極層１１９の行方向外縁１１９ａ３、ａ４を被覆することにより対向電極層１２５との間の電気的リークを防止するとともに、行方向における各副画素１００ｓｅの発光領域１００ａの外縁を規定する。上述のとおり列方向における各画素の自己発光領域の外縁を規定している。そのため、列バンク５２２Ｙはインクに対する撥液性が所定の値以上であることが必要である。

（４）ホール輸送層１２１
行絶縁層１２２Ｘ、及び間隙５２２ｚ内におけるホール注入層１２０上には、ホール輸送層１２１が積層され、ホール輸送層１２１はホール注入層１２０の上部層１２０Ｂに接触している。ホール輸送層１２１は、ホール注入層１２０から注入されたホールを発光層１２３へ輸送する機能を有する。ホール輸送層１２１は、例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはアミン系有機高分子であるポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物から構成される。

本実施の形態では、後述する間隙５２２ｚ内では、ホール輸送層１２１は上部層１２０Ｂ同様、列方向に延伸するように線状に設けられている構成を採る。しかしながら、ホール輸送層１２１は間隙５２２ｚ内では列方向に断続して設けられている構成としてもよい。
また、図５に示すように、青色副画素１００ｓｅＢ、緑色副画素１００ｓｅＧ及び赤色副画素１００ｓｅＲ内に設けられたホール輸送層１２１を、それぞれホール輸送層１２１Ｂ、ホール輸送層１２１Ｇ及びホール輸送層１２１Ｒとしたとき、これらの膜厚ｔ３Ｂ、ｔ３Ｇ、及びｔ３Ｒは等価に構成されており、膜厚ｔ３Ｂ、ｔ３Ｇ、及びｔ３Ｒは５ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることが好ましい。

（５）発光層１２３
発光層１２３は、有機化合物からなる層であり、内部でホールと電子が再結合することで光を発する機能を有する。間隙５２２ｚ内では、発光層１２３は列方向に延伸するように線状に設けられている。表示パネル１０は、列バンク５２２Ｙと間隙５２２ｚとが交互に多数並んだ構成を有する。列バンク５２２Ｙにより規定された間隙５２２ｚには、発光層１２３が列方向に延伸して形成されている。赤色副画素１００ｓｅＲ内の自己発光領域１００ａＲに対応する赤色間隙５２２ｚＲ、緑色副画素１００ｓｅＧ内の自己発光領域１００ａＧに対応する緑色間隙５２２ｚＧ、青色副画素１００ｓｅＢ内の自己発光領域１００ａＢに対応する青色間隙５２２ｚＢには、それぞれ各色に発光する発光層１２３が形成されている。青色間隙５２２ｚＢ、緑色間隙５２２ｚＧ及び赤色間隙５２２ｚＲに設けられた発光層１２３を、それぞれ発光層１２３Ｂ、発光層１２３Ｇ及び発光層１２３Ｒとしたとき、これらの膜厚は等価に構成されている。

発光層１２３は、画素電極層１１９からキャリアが供給される部分のみが発光するので、層間に絶縁物である行バンク１２２Ｘが存在する範囲では、有機化合物の電界発光現象が生じない。そのため、発光層１２３は、行バンク１２２Ｘがない部分のみが発光して、この部分が自己発光領域１００ａとなり、自己発光領域１００ａの列方向における外縁は、行バンク１２２Ｘの列方向外縁により規定される。

発光層１２３のうち行バンク１２２Ｘの側面及び上面１２２Ｘｂ上方にある部分１１９ｂは発光せず、この部分は非自己発光領域１００ｂとなる。発光層１２３は、自己発光領域１００ａにおいてはホール輸送層１２１の上面に位置し、非自己発光領域１００ｂにおいては行バンク１２２Ｘの上面及び側面上のホール輸送層１２１上面に位置する。
なお、図４に示すように、発光層１２３は、自己発光領域１００ａだけでなく、隣接する非自己発光領域１００ｂまで連続して延伸されている。このようにすると、発光層１２３の形成時に、自己発光領域１００ａに塗布されたインクが、非自己発光領域１００ｂに塗布されたインクを通じて列方向に流動でき、列方向の画素間でその膜厚を平準化することができる。但し、非自己発光領域１００ｂでは、行バンク１２２Ｘによって、インクの流動が程良く抑制される。よって、列方向に大きな膜厚むらが発生しにくく画素毎の輝度むらが改善される。

（６）電子輸送層１２４
行バンク１２２Ｘ上を含む列バンク５２２Ｙにより規定された間隙５２２ｚ内には、発光層１２３の上に電子輸送層１２４が形成されている。また、本例では、発光層１２３から露出する各列バンク５２２Ｙの上面５２２Ｙｂ上にも配されていている。電子輸送層１２４は、対向電極層１２５から注入された電子を発光層１２３へ輸送する機能を有する。

（７）対向電極層１２５
電子輸送層１２４を被覆するように、対向電極層１２５が積層形成されている。対向電極層１２５については、表示パネル１０全体に連続した状態で形成されている。対向電極層１２５は、画素電極層１１９と対になって発光層１２３を挟むことで通電経路を作り、発光層１２３へキャリアを供給するものであり、例えば陰極として機能した場合は、発光層１２３へ電子を供給する。対向電極層１２５は、電子輸送層１２４の表面に沿って形成され、各発光層１２３に共通の電極となっている。

対向電極層１２５は、表示パネル１０がトップエミッション型であるため、光透過性を有する導電材料が用いられる。
（８）封止層１２６
対向電極層１２５を被覆するように、封止層１２６が積層形成されている。封止層１２６は、発光層１２３が水分や空気などに触れて劣化することを抑制するためのものである。封止層１２６は、対向電極層１２５の上面を覆うように表示パネル１０全面に渡って設けられている。

（９）接合層１２７
封止層１２６のＺ軸方向上方には、上部基板１３０のＺ軸方向下側の主面にカラーフィルタ層１２８が形成されたＣＦ基板１３１が配されており、接合層１２７により接合されている。接合層１２７は、基板１００ｘから封止層１２６までの各層からなる背面パネルとＣＦ基板１３１とを貼り合わせるとともに、各層が水分や空気に晒されることを防止する機能を有する。

（１０）上部基板１３０
接合層１２７の上に、上部基板１３０にカラーフィルタ層１２８が形成されたＣＦ基板１３１が設置・接合されている。上部基板１３０には、表示パネル１０がトップエミッション型であるため、例えば、カバーガラス、透明樹脂フィルムなどの光透過性材料が用いられる。また、上部基板１３０により、表示パネル１０、剛性向上、水分や空気などの侵入防止などを図ることができる。

（１１）カラーフィルタ層１２８
上部基板１３０には画素の各色自己発光領域１００ａに対応する位置にカラーフィルタ層１２８が形成されている。カラーフィルタ層１２８は、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する波長の可視光を透過させるために設けられる透明層であり、各色画素から出射された光を透過させて、その色度を矯正する機能を有する。例えば、本例では、赤色間隙５２２ｚＲ内の自己発光領域１００ａＲ、緑色間隙５２２ｚＧ内の自己発光領域１００ａＧ、青色間隙５２２ｚＢ内の自己発光領域１００ａＢの上方に、赤色、緑色、青色のフィルタ層１２８Ｒ、１２８Ｇ、１２８Ｂが各々形成されている。カラーフィルタ層１２８は、具体的には、例えば、複数の開口部を画素単位に行列状に形成されたカラーフィルタ形成用のカバーガラスからなる上部基板１３０に対し、カラーフィルタ材料および溶媒を含有したインクを塗布する工程により形成される。

４．３ 各部の構成材料
図４、５に示す各部の構成材料について、一例を示す。
（１）基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）
下部基板としては、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属基板、ガリウム砒素基などの半導体基板、プラスチック基板等を採用することができる。また、可撓性を有するプラスチック材料として、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂いずれの樹脂を用いてもよい。材料としては、電気絶縁性を有する材料、例えば、樹脂材料を用いることができる。具体的には、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリスチレン、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ−（４−メチルベンテン−１）、アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、アクリル−スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリオ共重合体（ＥＶＯＨ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、プリシクロヘキサンテレフタレート（ＰＣＴ）等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリアセタール、ポリフェニレンオキシド、変形ポリフェニレンオキシド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられ、これらのうち１種、または２種以上を積層した積層体を用いることができる。ＴＦＴを構成するゲート電極、ゲート絶縁層、チャネル層、チャネル保護層、ソース電極、ドレイン電極などには公知の材料を用いることができる。ゲート電極としては、例えば、銅（Ｃｕ）とモリブデン（Ｍｏ）との積層体を採用している。ゲート絶縁層としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）など、電気絶縁性を有する材料であれば、公知の有機材料や無機材料のいずれも用いることができる。チャネル層としては、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）から選択される少なくとも一種を含む酸化物半導体を採用することができる。チャネル保護層としては、例えば、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、あるいは酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）を用いることができる。ソース電極、ドレイン電極としては、例えば、銅マンガン（ＣｕＭｎ）と銅（Ｃｕ）とモリブデン（Ｍｏ）の積層体を採用することができる。

ＴＦＴ上部の絶縁層は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）、窒化シリコン（ＳｉＮ）や酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、酸化シリコン（ＳｉＯ）や酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）を用いることもできる。ＴＦＴの接続電極層としては、例えば、モリブデン（Ｍｏ）と銅（Ｃｕ）と銅マンガン（ＣｕＭｎ）との積層体を採用することができる。なお、接続電極層の構成に用いる材料としては、これに限定されるものではなく、導電性を有する材料から適宜選択することが可能である。

基板１００ｘの上面に位置する層間絶縁層は、例えば、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、シロキサン系樹脂、ノボラック型フェノール系樹脂などの有機化合物を用い形成されており、厚みは、例えば、２．０μｍ〜８．０μｍ の範囲とすることができる。
（２）画素電極層１１９
画素電極層１１９は、金属材料から構成されている。トップエミッション型の本実施の形態に係る表示パネル１０の場合には、厚みを最適に設定して光共振器構造を採用することにより出射される光の色度を調整し輝度を高めているため、画素電極層１１９の表面部が高い反射性を有することが必要である。本実施の形態に係る表示パネル１０では、画素電極層１１９は、金属層、合金層、透明導電膜の中から選択される複数の膜を積層させた構造であってもよい。金属層としては、例えば、銀（Ａｇ）またはアルミニウム（Ａｌ）を含む金属材料から構成することができる。合金層としては、例えば、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）、ＡＲＡ（銀、ルビジウム、金の合金）、ＭｏＣｒ（モリブデンとクロムの合金）、ＮｉＣｒ（ニッケルとクロムの合金）等を用いることができる。透明導電層の構成材料としては、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用いることができる。

（３）ホール注入層１２０
ホール注入層１２０の下部層１２０Ａは、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化物からなる層である。下部層１２０Ａを遷移金属の酸化物から構成する場合には、複数の酸化数をとるためこれにより複数の準位をとることができ、その結果、ホール注入が容易になり駆動電圧を低減することができる。本実施の形態では、下部層１２０Ａは、タングステン（Ｗ）の酸化物を含む構成とした。このとき、タングステン（Ｗ）の酸化物は、５価タングステン原子の６価タングステン原子の比率（Ｗ⁵⁺／Ｗ⁶⁺）が大きいほど、有機ＥＬ素子の駆動電圧が低くなるため、５価タングステン原子を所定値以上多く含むことが好ましい。

ホール注入層１２０の上部層１２０Ｂは、上述のとおり、例えば、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料の有機高分子溶液からなる塗布膜を用いることができる。
（４）バンク１２２
バンク１２２は、樹脂等の有機材料を用い形成されており絶縁性を有する。バンク１２２の形成に用いる有機材料の例としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等があげられる。バンク１２２は、有機溶剤耐性を有することが好ましい。より好ましくは、アクリル系樹脂を用いることが望ましい。屈折率が低くリフレクターとして好適であるからである。

または、バンク１２２は、無機材料を用いる場合には、屈折率の観点から、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ）を用いることが好ましい。あるいは、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの無機材料を用い形成される。
さらに、バンク１２２は、製造工程中において、エッチング処理、ベーク処理など施されることがあるので、それらの処理に対して過度に変形、変質などをしないような耐性の高い材料で形成されることが好ましい。

また、表面に撥水性をもたせるために、表面をフッ素処理することもできる。また、バンク１２２の形成にフッ素を含有した材料を用いてもよい。また、バンク１２２の表面に撥水性を低くするために、バンク１２２に紫外線照射を行う、低温でベーク処理を行ってもよい。
（５）ホール輸送層１２１
ホール輸送層１２１は、例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはアミン系有機高分子であるポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物、あるいは、ＴＦＢ（ｐｏｌｙ（９、９−ｄｉ−ｎ−ｏｃｔｙｌｆｌｕｏｒｅｎｅ−ａｌｔ−（１、４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ−（（４−ｓｅｃ−ｂｕｔｙｌｐｈｅｎｙｌ）ｉｍｉｎｏ）−１、４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ））などを用いることができる。

（６）発光層１２３
発光層１２３は、上述のように、ホールと電子とが注入され再結合されることにより励起状態が生成され発光する機能を有する。発光層１２３の形成に用いる材料は、湿式印刷法を用い製膜できる発光性の有機材料を用いることが必要である。
具体的には、例えば、特許公開公報（日本国・特開平５−１６３４８８号公報）に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質で形成されることが好ましい。

（７）電子輸送層１２４
電子輸送層１２４は、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などを用い形成されている。
（８）対向電極層１２５
対向電極層１２５は、光透過性を有する導電材料が用いられる。例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）若しくは酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用い形成される。また、銀（Ａｇ）又はアルミニウム（Ａｌ）などを薄膜化した電極を用いてもよい。また、銀（Ａｇ）又はアルミニウム（Ａｌ）などを薄膜化した電極を用いてもよい。

（９）封止層１２６
封止層１２６は、発光層１２３などの有機層が水分に晒されたり、空気に晒されたりすることを抑制する機能を有し、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの透光性材料を用い形成される。また、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの材料を用い形成された層の上に、アクリル樹脂、シリコーン樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層を設けてもよい。

封止層１２６は、トップエミッション型である本実施の形態に係る表示パネル１０の場合においては、光透過性の材料で形成されることが必要となる。
（１０）接合層１２７
接合層１２７の材料は、例えば、樹脂接着剤等からなる。接合層１２７は、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などの透光性材料樹脂材料を採用することができる。

（１１）上部基板１３０
上部基板１３０としては、例えば、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板等に透光性材料を採用することができる。
（１２）カラーフィルタ層１２８
カラーフィルタ層１２８としては、公知の樹脂材料（例えば市販製品として、ＪＳＲ株式会社製カラーレジスト）等を採用することができる。

５．表示パネル１０の製造方法
（１）画素電極層１１９の形成
図６（ａ）に示すように、層間絶縁層までが形成されたＴＦＴ基板１００ｘ０を準備する。層間絶縁層にコンタクト孔を開設し、画素電極層１１９を形成する。
画素電極層１１９の形成は、スパッタリング法あるいは真空蒸着法などを用い金属膜を形成した後、フォトリソグラフィー法およびエッチング法を用いパターニングすることでなされる。なお、画素電極層１１９は、ＴＦＴの電極と電気的に接続された状態となる。

（２）ホール注入層１２０の下部層１２０Ａの形成
図６（ｂ）に示すように、画素電極層１１９上に対して、ホール注入層１２０の下部層１２０Ａを形成し、その縁部を覆うようにバンク１２２を形成する。
下部層１２０Ａは、スパッタリング法あるいは真空蒸着法などの気相成長法を用いそれぞれ金属（例えば、タングステン）からなる膜を形成した後焼成によって酸化させ、フォトリソグラフィー法およびエッチング法を用い各画素単位にパターニングすることで形成される。所定条件で製膜及び焼成することにより、酸素欠陥構造を持つ酸化タングステンを含む酸化タングステン膜からなる下部層１２０Ａ成膜して上述の占有準位を形成する。

ここでは反応性スパッタ法で成膜することが好適である。成膜ムラの発生が抑制される。具体的には、ターゲットを金属タングステンにして反応性スパッタ法を実施する。スパッタガスとしてアルゴンガス、反応性ガスとして酸素ガスをチャンバー内に導入する。この状態で高電圧によりアルゴンをイオン化し、ターゲットに衝突させる。このとき、スパッタリング現象により放出された金属タングステンが酸素ガスと反応して酸化タングステンとなり、画素電極層１１９上に成膜される。

なお、このときの成膜条件は、いわゆる低レート条件に設定する。成膜レートは成膜装置の投入電力密度とガス流量（分圧）比の両方で制御できる。酸化タングステンの成膜では、ガス中の酸素の流量（分圧）を増加させると成膜レートが低下する。低レートでの成膜を行うことで、蒸着膜に近いポーラスな膜質が得られる。そして少なくとも酸化タングステンの表層において、タングステン原子に酸素原子が部分結合してなる酸素欠陥構造を形成し、価電子帯で最も低い結合エネルギーから１．８〜３．６ｅＶ低い結合エネルギー領域内に占有準位を良好に存在させることができる。これにより、良好なホール注入特性を確保できる。

さらに、成膜した酸化タングステン膜に対して焼成工程を実施してもよい。これにより、膜密度を高め、溶解耐性を付与する。すなわち、下部層１２０Ａを、酸化タングステン成膜後に所定条件の焼成工程（加熱温度２００℃以上２３０℃以内、加熱時間１５分以上４５分以内の条件で大気焼成する工程）で焼き締めを図る。加熱温度が高すぎると、基板１００ｘの表面に層間絶縁膜（平坦化膜）等を配設している場合は、これらが変質するおそれがあるため留意する。これにより、膜密度を、５．８ｇ／ｃｍ³以上６．０ｇ／ｃｍ³以下の範囲まで増加させる。このように膜密度を増大させることで、製造時のバンク形成工程で用いるエッチング液や洗浄液に対する溶解耐性を付与し膜減りを抑制している。上記焼成条件に基づけば、焼成工程を経ても膜中の酸素欠陥構造は維持されるため、占有準位は温存され、ホール注入特性が低下することはない。このようにして良好なホール注入特性と溶解耐性の両立を高度に両立させる。

（３）バンク１２２の形成
図６（ｂ）に示すように、ホール輸送層１２１の縁部を覆うようにバンク１２２を形成する。バンク１２２の形成では、先ず行バンク１２２Ｘを形成し、その後、各画素を規定する間隙５２２Ｚを形成するように列バンク５２２Ｙを形成し、間隙５２２Ｚ内の行バンク１２２Ｘと行バンク１２２Ｘとの間にホール注入層１２０の下部層１２０Ａの表面が露出するように設けられる。

バンク１２２の形成は、先ず、ホール輸送層１２１上に、スピンコート法などを用い、バンク１２２の構成材料（例えば、感光性樹脂材料）からなる膜を積層形成する。そして、樹脂膜をパターニングして行バンク１２２Ｘ、列バンク５２２Ｙを順に形成する。行バンク１２２Ｘ、列バンク５２２Ｙのパターニングは、樹脂膜の上方にフォトマスクを利用し露光を行い、現像工程、焼成工程（約２３０℃、約６０分）をすることによりなされる。

具体的には、バンク１２２Ｘの形成工程では、先ず、有機系の感光性樹脂材料、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等からなる感光性樹脂膜を形成した後、乾燥し、溶媒をある程度揮発させてから、所定の開口部が施されたフォトマスクを重ね、その上から紫外線照射を行い感光性樹脂等からなるフォトレジストを露光し、そのフォトレジストにフォトマスクが有するパターンを転写する。次に、感光性樹脂を現像によってバンク１２２Ｘをパターニングした絶縁層を形成する。一般にはポジ型と呼ばれるフォトレジストが使用される。ポジ型は露光された部分が現像によって除去される。露光されないマスクパターンの部分は、現像されずバンク１２２が約５００ｎｍ程度の厚みで残存する。

列バンク５２２Ｙの形成は、先ず、スピンコート法などを用い、列バンク５２２Ｙの構成材料（例えば、感光性樹脂材料）からなる膜を積層形成する。そして、樹脂膜をパターニングして間隙５２２ｚを開設して列バンク５２２Ｙを形成する。間隙５２２ｚの形成は、樹脂膜の上方にマスクを配して露光し、その後で現像することによりなされる。列バンク５２２Ｙは、列方向に延設され、行方向に間隙５２２ｚを介して並設される。

また、列バンク５２２Ｙは、発光層１２３の材料となる有機化合物を含んだインクの列方向への流動を堰き止めて、形成される発光層１２３の行方向外縁を規定するため、列バンク５２２Ｙはインクに対する撥液性が所定の値以上であることが必要である。他方、行バンク１２２Ｘは、発光層１２３のインクの列方向への流動を制御するために、行バンク１２２Ｘはインクに対する親液性が所定の値以上であることが必要である。

また、列バンク５２２Ｙの表面に撥水性をもたせるために、列バンク５２２Ｙの表面をＣＦ４プラズマ処理することもできる。また、列バンク５２２Ｙの形成にフッ素を含有した材料、もしくはフッ素を含有した材料を混合した組成物を用いてもよい。
製造上、バンク１２２Ｘの上限膜厚は、１０００ｎｍ以下で、製造時の膜厚バラツキがより小さくなると共にボトム線幅の制御が可能となる。また、下限膜厚は、膜厚が薄くなるとともに膜厚とボトム線幅とを同程度にする必要があり、下限膜厚が２００ｎｍ以上で、解像度の制約による所望のボトム線幅を得ることが可能となる。ましたがって、バンク１２２Ｘの厚みは、製造プロセスの観点では、例えば、２００ｍｍ以上１０００ｎｍ以下であることが好ましい。本実施の形態では約５００ｎｍとした。

製造上、バンク５２２Ｙの上限膜厚は、コスト削減による生産性向上の観点から１５００ｎｍ以下が望ましい。また、下限膜厚は、膜厚が薄くなるとともに膜厚とボトム線幅とを同程度にする必要があり、下限膜厚が１μｍ以上で、解像度の制約による所望のボトム線幅を得ることが可能となる。また溶液塗布をともなうプロセスの場合、下地の凹凸が膜厚の均一性が向上する。このことよりＴＦＴの段差をできるだけ低減する必要があることより絶縁膜の下限膜厚が決定し５００ｎｍ以上が好ましい。したがって、バンク５２２Ｙの厚みは、製造プロセスの観点では、例えば、５００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下であることが好ましい。本実施の形態では約１０００ｎｍとした。

（４）ホール注入層１２０の上部層１２０Ｂの形成
行バンク１２２Ｘ上を含む列バンク５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚ内に形成されたホール注入層１２０の下部層１２０Ａ上に対して、ホール注入層１２０の上部層１２０Ｂを形成する（図６（ｃ））。上部層１２０Ｂは、インクジェット法を用い、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料を含むインクを列バンク５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚ内に塗布した後、溶媒を揮発除去させる。あるいは、焼成することによりなされる。その後、フォトリソグラフィ法およびエッチング法を用い各画素単位にパターニングしてもよい。

（インク塗布方法）
次に、インクジェット法を用いて、上部層１２０Ｂを形成する工程を量産的に行う方法について説明する。図７は、基板に対して発光層形成用のインクを塗布する工程を示す図であって、（ａ）は列バンク５２２Ｙ間の間隙５２２ｚに一様に塗布する場合、（ｂ）は間隙５２２ｚ内において行バンクＸ上を除く領域に塗布する場合である。

上部層１２０Ｂの形成時には、上部層１２０Ｂを形成するための溶液であるインクを用いて、赤色副画素用の間隙５２２ｚＲ内に上部層１２０ＢＲ、緑色副画素用の間隙５２２ｚＧ内に上部層１２０ＢＧ、及び青色副画素用の間隙５２２ｚＢ内に上部層１２０ＢＢを、複数のラインバンク間の各領域に形成する。上部層１２０ＢＲと、上部層１２０ＢＧ又は上部層１２０ＢＢとは厚みが異なる。具体的には、間隙５２２ｚＲ内に塗布するインクの量を、間隙５２２ｚＢ及び間隙５２２ｚＧ内に塗布するインクの量よりも多くすることにより、上部層１２０ＢＲの厚みを、上部層１２０ＢＢ及び上部層１２０ＢＧの厚みよりも大きく形成することができる。

説明を簡略にするため、ここでは、ノズルから吐出するインクの量を第１の条件に設定して基板上の複数の第１色目の間隙にインクを塗布し、次に、ノズルから吐出するインクの量を第２の条件に設定してその基板上の複数の第２色目の間隙にインクを塗布し、次にノズルから吐出するインクの量を第３の条件に設定してその基板上の複数の第３色目の間隙にインクを塗布する方法で、３色全部の間隙にインクを順次塗布する。基板１００ｘに対して第１色目の間隙へのインクの塗布が終わると、次に、その基板の第２色目の間隙にインクを塗布し、さらに、その基板の第３色目の間隙にインクを塗布する工程が繰り返し行われ、３色の間隙用のインクを順次塗布する。

上記において、複数の基板に対して第１色目の間隙へのインクの塗布が終わると、次に、その複数の基板に第２色目の間隙にインクを塗布し、次にその複数の基板の第３色目の間隙にインクを塗布する工程を繰り返し行って、３色の間隙用のインクを順次塗布してもよい。
他方、ノズルから吐出するインクの量を第１の条件に設定して１枚の基板上の第１色目の間隙にインクを塗布した後、インクの量を第２の条件に変更して隣接する第２色目の間隙にインクを塗布し、さらに、インクの量を第３の条件に変更して隣接する第３色目の間隙にインクを塗布し、インクの量を第１の条件に戻して隣接する第１色目の間隙にインクを塗布し、この動作を繰り返して１枚の基板上の３色の間隙全部にインクを連続して塗布してもよい。

［列バンク５２２Ｙ間の間隙５２２ｚに一様に塗布する場合］
次に、１色の間隙中にインク（例えば、赤色間隙用のインク）を塗布する方法について説明する。
上部層１２０Ｂは、発光領域１００ａだけでなく、隣接する非自己発光領域１００ｂまで連続して延伸されている。このようにすると、上部層１２０Ｂの形成時に、発光領域１００ａに塗布されたインクが、非自己発光領域１００ｂに塗布されたインクを通じて列方向に流動でき、列方向の画素間でその膜厚を平準化することができる。但し、非自己発光領域１００ｂでは、行バンク１２２Ｘによって、インクの流動が程良く抑制される。よって、列方向に大きな膜厚むらが発生しにくく画素毎の輝度むらや寿命低下が改善される。

本塗布方法では、図７（ａ）に示すように、基板１００ｘは、列バンク５２２ＹがＹ方向に沿った状態で液滴吐出装置の作業テーブル上に載置され、Ｙ方向に沿って複数の吐出口６２４ｄ１がライン状に配置されたインクジェットヘッド６２２をＸ方向に走査しながら、各吐出口６２４ｄ１から列バンク５２２Ｙ同士の間隙５２２ｚ内に設定された着弾目標を狙ってインクを着弾させることによって行う。

なお、同一の塗布量にて上部層１２０Ｂのインクを塗布する領域は、ｘ方向に隣接して並ぶ３つの領域の中の１つである。
［間隙５２２ｚ内において行バンクＸ上を除く領域に塗布する場合］
行バンク１２２Ｘと列バンク５２２Ｙとで規定される格子状の領域にのみインクを塗布する構成であってもよい。

本塗布方法では、図７（ｂ）に示すように、各副画素１００ｓｅの長手方向がＹ方向、各副画素１００ｓｅの幅方向がＸ方向となるように基板１００ｘを載置して、インクジェットヘッド６２２をＸ方向に走査しながら、行バンク１２２Ｘと列バンク５２２Ｙとで規定される格子状の領域内に設定された着弾目標に向けて各吐出口からインクを吐出する。図７（ｂ）では、赤色の副画素１００ｓｅＲ領域に赤色の間隙用のインクを塗布する目標位置が示されている。

ただし、インクジェットヘッド６２２が備える複数の吐出口６２４ｄ１の中で、行バンク１２２Ｘと行バンク１２２Ｘとの間の領域上を通過する吐出口だけを使用し、行バンク１２２Ｘの領域上を通る吐出口（図７（ｂ）中に×をつけた吐出口）は、常に使用しない点が異なる。図７（ｂ）に示す例では、１つの副画素の領域に対して７個の着弾目標が設定され、７個の吐出口６２４ｄ１からインク滴が吐出される。

（５）ホール輸送層１２１の形成
行バンク１２２Ｘ上を含む列バンク５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚ内に形成された露出しているホール注入層１２０の上部層１２０Ｂ上に対して、ホール輸送層１２１を形成する（図６（ｃ））。ホール輸送層１２１は、インクジェット法やグラビア印刷法によるウェットプロセスを用い、構成材料を含むインクを列バンク５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚ内に塗布した後、溶媒を揮発除去させる。あるいは、焼成することによりなされる。ホール輸送層１２１のインクを間隙５２２ｚ内に塗布する方法は、上述した上部層１２０Ｂにおける方法と同じである。

ホール輸送層１２１Ｒと、ホール輸送層１２１Ｇ又はホール輸送層１２１Ｂとは厚みが等価である。そのため、間隙５２２ｚＲ、５２２ｚＧ、５２２ｚＢ内に塗布するインクの量は同じである。したがって、はじめに間隙５２２ｚＲ、５２２ｚＧ、５２２ｚＢ内にノズルから吐出するインクの量を設定した後、１枚の基板上の第１色目の間隙、隣接する第２色目の間隙、さらに、隣接する第３色目の間隙に順次インクを塗布し、この動作を繰り返して１枚の基板上の３色の間隙全部にインクを連続して塗布する。

あるいは、スパッタリング法を用い金属（例えば、タングステン）からなる膜を堆積し、焼成によって酸化して形成される。その後、フォトリソグラフィ法およびエッチング法を用い各画素単位にパターニングしてもよい。
（５）発光層１２３の形成
列バンク５２２Ｙで規定された各間隙５２２ｚ内に、ホール輸送層１２１側から順に、発光層１２３、および電子輸送層１２４を積層形成する。

発光層１２３の形成は、インクジェット法を用い、構成材料を含むインクを列バンク５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚ内に塗布した後、焼成することによりなされる。具体的には、この工程では、副画素形成領域となる間隙５２２ｚに、インクジェット法によりＲ、Ｇ、Ｂいずれかの有機発光層の材料を含むインク１２３ＲＩ、１２３ＧＩ、１２３ＢＩをそれぞれ充填し、充填したインクを減圧下で乾燥させ、ベーク処理することによって、発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂを形成する（図６（ｄ））。このとき、発光層１２３のインクの塗布では、先ず、液滴吐出装置を用いて発光層１２３の形成するための溶液の塗布を行う。基板１００ｘに対して赤色発光層、緑色発光層、青色発光層の何れかを形成するためのインクの塗布が終わると、次に、その基板に別の色のインクを塗布し、次にその基板に３色目のインクを塗布する工程が繰り返し行われ、３色のインクを順次塗布する。これにより、基板１００ｘ上には、赤色発光層、緑色発光層、青色発光層が、図の紙面横方向に繰り返して並んで形成される。発光層１２３のインクを間隙５２２ｚ内に塗布する方法の詳細は、上述した上部層１２０Ｂにおける方法と同じである。

ホール注入層１２０の上部層１２０Ｂ、ホール輸送層１２１、発光層１２３の形成方法はこれに限定されず、インクジェット法やグラビア印刷法以外の方法、例えばディスペンサー法、ノズルコート法、スピンコート法、凹版印刷、凸版印刷等の公知の方法によりインクを滴下・塗布しても良い。
（５）電子輸送層１２４の形成
次に、真空蒸着法などを用い電子輸送層１２４を形成する。その後、電子輸送層１２４を被覆するように、対向電極層１２５および封止層１２６を順に積層形成する（図６（ｄ））。対向電極層１２５および封止層１２６は、ＣＶＤ法、スパッタリング法などを用い形成できる。

（６）対向電極層１２５および封止層１２６の形成
図６（ｅ）に示すように、間隙５２２Ｚ内、及び列バンク５２２Ｙ上にベタ膜として電子輸送層１２４を被覆するように、対向電極層１２５および封止層１２６を順に積層形成する。対向電極層１２５および封止層１２６は、ＣＶＤ法、スパッタリング法などを用い形成できる。

（７）ＣＦ基板１３１の形成
次に、図８（ａ）〜（ｄ）を用いてＣＦ基板１３１の製造工程を例示する。
透明な上部基板１３０を準備する（図８（ａ））。次に、上部基板１３０表面に、紫外線硬化樹脂成分を主成分とするカラーフィルタ層１２８（例えば、Ｇ）の材料を溶媒に分散させ、ペースト１２８Ｘを塗布し（図８（ｂ））、溶媒を一定除去した後、所定のパターンマスクＰＭ２を載置し、紫外線照射を行う（図８（ｃ））。その後はキュアを行い、パターンマスクＰＭ２及び未硬化のペースト１２８Ｘを除去して現像すると、カラーフィルタ層１２８（Ｇ）が形成される（図８（ｄ））。この図８（ｂ）、（ｄ）の工程を各色のカラーフィルタ材料について同様に繰り返すことで、カラーフィルタ層１２８（Ｒ）、１２８（Ｂ）を形成する。なお、ペースト１２７Ｘを用いる代わりに市販されているカラーフィルタ製品を利用してもよい。

以上でＣＦ基板１３１が形成される。
（８）ＣＦ基板１３１と背面パネルとの貼り合わせ
次に、基板１００ｘから封止層１２６までの各層からなる背面パネルに、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などの紫外線硬化型樹脂を主成分とする接合層１２７の材料を塗布する（図９（ａ））。

続いて、塗布した材料に紫外線照射を行い、背面パネルとＣＦ基板１３１との相対的位置関係を合せた状態で両基板を貼り合わせる。このとき、両者の間にガスが入らないように注意する。その後、両基板を焼成して封止工程を完了すると、表示パネル１０が完成する（図９（ｂ））。
６．表示パネル１０の効果について
以下、表示パネル１０から得られる効果について説明する。

６．１ 発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂに適したホール注入性の実現
発明者らは、ホール注入層１２０を、気相成長法により成膜し、その後焼成することで得られる酸化タングステンからなる下部層１２０Ａと、ＰＥＤＯＴなどの導電性ポリマー材料の有機高分子溶液からなる塗布膜を用いた上部層１２０Ｂにより構成した場合、上部層１２０Ｂの膜厚を異ならせることにより、ホール注入性と駆動電圧が変化することを実験により見出した。

一方、発光する発光層の材料特性に応じて必要なキャリア密度が異なるＲＧＢ各色副画素に対して、ＲＧＢ副画素中最も多くのキャリア密度を要する副画素に対するキャリア密度が得られるホール注入層の膜厚を設定し、ホール注入層の膜厚をＲＧＢ副画素において同一とした場合には、ＲＧＢの何れかの副画素において相対的に過大な電圧で素子を駆動することとなる。その結果として、ホール注入層の２層化による素子寿命向上の効果が十分に得られず、素子寿命が劣化して単位画素としての素子寿命が低下すると推定される。
そこで、発明者らは、酸化タングステンからなる下部層１２０Ａと、ＰＥＤＯＴなどの導電性ポリマー材料の有機高分子溶液からなる塗布膜を用いた上部層１２０Ｂからなるホール注入層１２０を用い、上部層１２０ＢＲの厚みを、上部層１２０ＢＢ及び上部層１２０ＢＧの厚みよりも大きい構成とすることが好適であることを見出した。

具体的には、表示パネル１０において、上部層１２０ＢＢの厚みは０ｎｍより大きく２５ｎｍ以下であり、上部層ＢＧの厚みは０ｎｍより大きく３０ｎｍ以下であり、上部層１２０ＢＲの厚みは２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることが好ましいという結果を得た。
係る構成により、発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂには、発光色ごとに用いる材料に応じて駆動に必要なキャリア密度に相応するホールが、ホール注入層１２０Ｒ、１２０Ｇ、１２０Ｂからそれぞれ供給されることになるとともに、ホール注入層１２０Ｒ、１２０Ｇ、１２０Ｂの膜厚に応じて異なる駆動電圧がそれぞれ発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂに付勢される。そのため、発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂには、発光色ごとに駆動に必要なキャリア密度に相応する最適な電圧によって駆動されることになるので、各色発光層において十分な出射輝度が得られるとともに、ＲＧＢの何れかの副画素において電圧付加が過大となることがなく、発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂには必要なキャリア密度を超えた過剰な駆動電圧が印加されることを抑制できる。その結果、上部層１２０ＢＲの厚みを、上部層１２０ＢＢ及び上部層１２０ＢＧの厚みと等価とした場合に比べて、発光層１２３Ｇ、１２３Ｂへの駆動電圧の付加を低減して発光層１２３Ｇ、１２３Ｂの素子寿命の低下を抑制することができる。

６．２ 製造コスト、生産性上の効果
発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂに対し、発光色ごとに用いる材料に応じて駆動に必要なキャリア密度に相応するホールを供給するためには、酸化タングステンからなる下部層１２０Ａの膜厚を変化させた場合にも、ホール注入性と駆動電圧は膜厚に応じて変化することが発明者らの検討により判明している。しかしながら、酸化タングステンからなる下部層１２０Ａは気相成長法により成膜するために、発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂでは、発光色ごとに、下部層１２０Ａの膜厚を異ならせるためには、シャドウマスク法により各色副画素領域のみ開口した精密マスクを用いてシャドウマスクを用いて下部層１２０ＡＲ、１２０ＡＧ、１２０ＡＢをそれぞれ別個に成膜してパターンニングする必要がある。この場合、開口を含むマスク全体に蒸着材料を付着させてしまうために材料損失が大きくコストアップの要因となる。また、精密マスクの開口を各色副画素領域のバンクに高精度に位置合わせすることも生産効率を低下させる要因となる。

上部層１２０Ｂは、インクジェット法等の塗布方式を用いて形成されており、塗布方式は、ノズルから吐出するインクの量を変化させることにより同一の基板に対して成膜する場合でも成膜箇所によって膜厚の制御が比較的容易に行うことができ、上述した材料損失によるコストアップや精密マスクの高精度に位置合わせに伴う生産性低下を回避することができる。

６．３ 光共振器構造の実現
有機ＥＬ表示パネルでは、光取り出し効率を調整するため、共振器構造が採用されている。この共振器構造として、光反射性を有する画素電極層１１９と、光透過性を有する対向電極層１２５とを用い、画素電極層１１９と対向電極層１２５との間の間隔ｔ４Ｇ、ｔ４Ｇ、ｔ４Ｒ（図５）に発光層１２３を、画素電極層１１９又は対向電極層１２５と発光層１２３との間に１または２以上の層からなる機能層を、それぞれ配置する形態がある。

[各層の光学膜厚と光共振器構造について]
図１０は、本実施形態にかかる表示パネル１０の光共振器構造における光の干渉を説明する図である。当図では１つの副画素１００ｓｅに相当する素子部分について説明する。
この有機ＥＬ素子１００の副画素１００ｓｅの光共振器構造において、発光層１２３からはホール輸送層１２１との界面近傍から光が出射されて各層を透過していく。この各層界面において光の一部が反射されることによって光の干渉が生じる。その主な干渉を以下に例示する。

（１）発光層１２３から出射され対向電極層１２５側に進行した光の一部が、対向電極層１２５を透過して発光素子の外部に出射される第１光路Ｃ₁と、発光層１２３から、画素電極層１１９側に進行した光の一部が、画素電極層１１９で反射された後、発光層１２３および対向電極層１２５を透過して発光素子の外部に出射される第２光路Ｃ₂とが形成される。そして、この直接光と反射光との干渉が生じる。

図１０に示す光学膜厚Ｌ₁は、第１光路Ｃ₁と第２光路Ｃ₂との光学距離の差に対応している。この光学膜厚Ｌ₁は、発光層１２３と画素電極層１１９との間に挟まれたホール注入層１２０、ホール輸送層１２１の合計の光学距離（膜厚と屈折率との積、ｎｍ）である。
（２）発光層１２３から対向電極層１２５側に進行した光の一部が、対向電極層１２５で反射されて、さらに画素電極層１１９で反射された後、発光素子の外部に出射される第３光路Ｃ₃も形成される。そして、この第３光路Ｃ₃を経由する光と、上記第１光路Ｃ₁を経由する光との干渉が生じる。

第２光路Ｃ₂と第３光路Ｃ₃との光学距離の差は図１０に示す光学膜厚_L2に対応する。この光学膜厚Ｌ₂は、発光層１２３、電子輸送層１２４の合計の光学距離である。
（３）第３光路Ｃ₃を経由する光と、上記第１光路Ｃ₁を経由する光との干渉も生じる。第１光路Ｃ₁と第３光路Ｃ₃との光学距離の差は、図１０に示す光学膜厚Ｌ３に対応する。光学膜厚Ｌ₃は、上記光学膜厚Ｌ₁と光学膜厚Ｌ₂の和である（Ｌ₃＝Ｌ₁＋Ｌ₂）。光学膜厚Ｌ３は、画素電極層１１９と対向電極層１２５との間に挟まれたホール注入層１２０、ホール輸送層１２１、発光層１２３、電子輸送層１２４の合計の光学距離である。

通常、共振器構造において、光取り出し効率が極大値を示す光学膜厚に調整される。上記の各光路を経由する光が、互いに干渉によって強め合って光取り出し効率が高まるように、発光層１２３と画素電極層１１９との間の光学膜厚Ｌ₁、発光層１２３と対向電極層１２５との間の光学膜厚Ｌ₂、そして、画素電極層１１９と対向電極層１２５との間の光学膜厚Ｌ₃は設定される。

これらの基本的な光干渉については、青色副画素１００ｓｅＢ、緑色副画素１００ｓｅＧ及び赤色副画素１００ｓｅＲにおいても同様に生じる。
そして、第１光路を通る反射光と第２光路を通る直接光とが干渉効果で強め合うように発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂを挟んだ対向電極層１２５と画素電極層１１９との間の距離を調整することで、表示パネル１０の光取り出し効率を高めることができる。

上記した、３種類の光干渉のうち、（１）に示した第１光路Ｃ₁を経由する直接光と第２光路Ｃ₂を経由する反射光との干渉が最も出射光に対し支配的であるので、以下、第１光路Ｃ₁と第２光路Ｃ₂との光学距離の差に対応する光学膜厚Ｌ₁の調整について説明する。
発明者らは、ホール輸送層１２１の膜厚を、適宜設定して光取り出し効率を調整した場合、所定の電流密度を得るために必要とされる駆動電圧が、膜厚が厚くなるにつれて増加することを確認した。

また、上述のとおり、ホール注入層１２０は、発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂの発光色ごとにホール注入層１２０Ｒ、１２０Ｇ、１２０Ｂの膜厚を異ならせて、発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂに適したキャリア密度に相応するホール供給を可能にする構成を採る。そこで、光学膜厚Ｌ₁の調整についても、ホール注入層１２０の膜厚を適宜設定することにより、光取り出し効率を調整することが好ましいと考えた。

ホール注入層１２０のうち、酸化タングステンにより構成される下部層１２０Ａの膜厚を調整することにより共振器構造を実現しようとすると、上述のとおり、気相成長法で成膜するタングステン層の厚みをＲＧＢ副画素毎に異ならせるには、各色副画素領域のみ開口したシャドウマスクを用いて下部層１２０ＡＲ、１２０ＡＧ、１２０ＡＢをそれぞれ別個に成膜してパターンニングする必要があり製造プロセス上タクトが増加するとともに、量産上コストの増加を伴う。

そのため、本実施の形態では、光学膜厚Ｌ₁の調整は、ホール注入層１２０のうち上部層１２０Ｂの膜厚を調整することにより行う構成を採るものである。
具体的には、Ｒ、Ｇ、Ｂ各色のホール注入層１２０の膜厚は、光学シミュレーションに基づき、５ｎｍ以上７０ｎｍ以下に調整されていることが好ましい。
図１１は、有機ＥＬ表示パネル１０におけるＲＧＢ各色の上部層１２０Ｂの厚みと光取り出し効率との関係を示す光学シミュレーション結果を示す図である。図１１（ａ）は上部層１２０ＢＲの厚みと光取り出し効率との関係、（ｂ）は上部層１２０ＢＧの厚みと光取り出し効率との関係、（ｃ）は上部層１２０ＢＢの厚みと光取り出し効率との関係を示したものであり、これより、ＲＧＢ各色の光取り出し効率が最大値の８０％以上になる第１、第２、第３上部層１２０Ｂの膜厚を好ましい範囲として算出した。その結果、上部層１２０Ｂの膜厚に関してＲが２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下、Ｇが０ｎｍより大きく３０ｎｍ以下、Ｂが０ｎｍより大きく２５ｎｍ以下であることが好ましいことが判明した。また、同様の検討により、下部層１２０Ｂの膜厚に関してＲ、Ｇ、Ｂがそれぞれ５ｎｍ以上２０ｎｍ以下であって、かつ、等しいことが好ましいことがわかった。

係る構成により、共振器構造において、ホール注入層１２０のうち上部層１２０Ｂの膜厚を光学膜厚Ｌ₁が光取り出し効率が極大値を示す光学膜厚に調整されるよう容易に適宜設定することができ、光取り出し効率を向上することができる。
なお、（３）に示した光干渉に影響する光学膜厚Ｌ₂の調整は、発光層１２３膜厚を調整することにより行う。また、（２）に示した光干渉に影響する光学膜厚Ｌ₃の調整は、上述したホール注入層１２０の上部層１２０Ｂの膜厚の調整に加えて、光学膜厚Ｌ₂の調整と同様に発光層１２３の膜厚を調整することにより行う。すわわち、光学膜厚Ｌ₁の調整のために決定したホール注入層１２０の上部層１２０Ｂの膜厚を踏まえて、光学膜厚Ｌ₂と光学膜厚Ｌ₃の両方の調整のために発光層１２３膜厚を調整するものである。

具体的には、Ｒ、Ｇ、Ｂ各色の発光層１２３の膜厚は、光学シミュレーションに基づき、Ｒが７０ｎｍ以上１３０ｎｍ以下、Ｇが６０ｎｍ以上１００ｎｍ以下、Ｂが２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下であることが好ましい。
[駆動電圧の低減について]
各色の発光波長の違いにより光学的な最適電極間距離は赤色副画素が最も長く、青色副画素が最も短い構成となる。仮に、ホール注入層を各色同一膜厚にした場合、光路長は発光層で調整することとなり、必然的に赤色発光層を厚くする構成とすることが必要となり、その結果、駆動電圧が高くなる。これに対して、有機ＥＬ表示パネル１０では、赤色副画素のホール注入層の上部層を、緑色副画素及び青色副画素の上部層よりも厚く形成することで、相対的に赤色副画素の発光層の膜厚を薄くすることが可能となり、発光層の膜厚により光路長を調整する場合に比べて駆動電圧を低くすることができる。

したがって、有機ＥＬ表示パネル１０では、共振器構造において、ホール注入層１２０における上部層１２０ＢＲ、１２０ＢＧ、１２０ＢＢの膜厚のうち１つ以上を異ならせることによって、各色副画素１００ｓｅにおいて、それぞれ光取り出し効率が極大値を示す光学膜厚近傍に調整されている構成を採っている。係る構成により、発光層の膜厚により光路長を調整する場合に比べて画素１００ｅの駆動に必要な電圧を低くすることができる。

６．４ 素子寿命の改善
有機ＥＬ表示パネル１０の寿命特性の試験結果について説明する。図１２は、寿命特性の試験結果である。有機ＥＬ表示パネル１０に係る実施例、有機ＥＬ表示パネル１０の構成からホール注入層を酸化タングステン膜の単層に変更した比較例１、有機ＥＬ表示パネル１０の構成からホール注入層を導電性ポリマー材料の有機高分子溶液からなる塗布膜の単層に変更した比較例２について、有機ＥＬ素子を電流密度３．４ｍＡ／ｃｍ²にて駆動したときの経過時間と緑色副画素１００ｓｅＧに相当する有機ＥＬ素子部分の相対輝度との関係を示した図である。

図１２に示すように、試験を行った経過時間６８０時間までの全範囲で、相対輝度は、実施例、比較例１、比較例２の順に大きな値を示し、例えば、経過時間６８０時間において、相対輝度については、実施例は比較例１に対し約２．５％、比較例２に対し約４％相対輝度は大きな値を示し、実施例では相対輝度の低下が少ないことがわかる。また、相対輝度の低下率については、経過時間６８０時間において、実施例は比較例１に対して約７４％に、比較例２に対して約６５％に減少しており、実施例において相対輝度の低下が抑制されていることがわかる。

これらの結果から、有機ＥＬ表示パネル１０に係る実施例は、単層からなるホール注入層を用いた比較例１、２に比べて、駆動に伴う相対輝度の低下が少なく、有機ＥＬ表示パネル１０では、比較例１、２に比べて素子寿命が改善したことが確認された。
すなわち、ホール注入層を複層化することにより、単層とした場合に比べて素子寿命が改善することが確認された。

上述のとおり、上部層１２０ＢＲの厚みは、上部層１２０ＢＢ及び上部層１２０ＢＧの厚みよりも大きい構成としたことにより、上部層１２０ＢＲの厚みを、上部層１２０ＢＢ及び上部層１２０ＢＧの厚みと等価とした場合に比べて、発光層１２３Ｇ、Ｂへの駆動電圧の付加を低減して発光層１２３Ｇ、Ｂの素子寿命の低下を抑制することができ、全体として素子寿命を改善することができた。発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂには、発光色ごとに駆動に必要なキャリア密度に相応する最適な電圧によって駆動されるので、発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂには必要なキャリア密度を超えた過剰な駆動電圧が印加されることを抑制できたと考えられる。

７．まとめ
以上説明したように、実施の形態１に係る表示パネル１０は、基板１００ｘ上の青色副画素の領域に第１ホール注入層１２０Ｂ、緑色副画素の領域に第２ホール注入層１２０Ｇ、赤色副画素の領域に第３ホール注入層１２０Ｒとを備え、第１ホール注入層１２０Ｂは、金属酸化物からなる第１下部層１２０ＡＢと、第１下部層に積層された有機物からなる第１上部層１２０ＢＢとを含み、第２ホール注入層１２０Ｇは、金属酸化物からなる第２下部層１２０ＡＧと、第２下部層に積層された有機物からなる第２上部層１２０ＢＧとを含み、第３ホール注入層１２０Ｒは、金属酸化物からなる第３下部層１２０ＡＲと、第３下部層に積層された有機物からなり、第１上部層１２０ＢＢ、及び第２上部層１２０ＢＧよりも厚みが大きい第３上部層１２０ＢＲとを含む。である構成を採る。

係る構成により、有機ＥＬ素子の出射輝度と光取り出し効率を向上するとともに、素子寿命を改善することができる。
また、第１上部層の厚みは０ｎｍより大きく２５ｎｍ以下であり、第２上部層の厚みは０ｎｍより大きく３０ｎｍ以下であり、第３上部層の厚みは２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である構成としてもよい。

係る構成により、発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂには、発光色ごとに駆動に必要なキャリア密度に相応する最適な電圧によって駆動されることになるので、各色発光層において十分な出射輝度が得られる。
また、上部層１２０ＢＲの厚みを、上部層１２０ＢＢ及び上部層１２０ＢＧの厚みと等価とした場合に比べて、発光層１２３Ｇ、Ｂへの駆動電圧の付加を低減して発光層１２３Ｇ、Ｂの素子寿命の低下を抑制することができる。

さらに、共振器構造において、ホール注入層１２０のうち上部層１２０Ｂの膜厚を光学膜厚Ｌ₁が光取り出し効率が極大値を示す光学膜厚に調整されるよう容易に適宜設定することができ、光取り出し効率を向上することができる。
また、金属酸化物は、タングステン（Ｗ）の酸化物を含む構成としてもよい。また、第１下部層、第２下部層、及び第３下部層の厚みは同じである構成としてもよい。また、第１下部層、第２下部層及び第３下部層の厚みは５ｎｍ以上２０ｎｍ以下である構成としてもよい。

係る構成により、上部層１２０Ｂは、インクジェット法等の塗布方式を用いて形成されており、塗布方式は、ノズルから吐出するインクの量を変化させることにより同一の基板に対して成膜する場合でも成膜箇所によって膜厚の制御が比較的容易に行うことができ、上述した材料損失によるコストアップや精密マスクの高精度に位置合わせに伴う生産性低下を回避することができる。

≪変形例≫
実施の形態では、本実施の形態に係る表示パネル１０を説明したが、本発明は、その本質的な特徴的構成要素を除き、以上の実施の形態に何ら限定を受けるものではない。例えば、各実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。以下では、そのような形態の一例として、パネル１０の変形例を説明する。

表示パネル１０では、発光層１２３は、行絶縁層上を列方向に連続して延伸している構成としている。しかしながら、上記構成において、発光層１２３は、行絶縁層上において画素ごとに断続している構成としてもよい。
表示パネル１０では、行方向に隣接する列バンク５２２Ｙ間の間隙５２２ｚに配された副画素１００ｓeの発光層１２３が発する光の色は互いに異なる構成とし、列方向に隣接する行絶縁層１２２Ｘ間の間隙に配された副画素１００ｓeの発光層１２３が発する光の色は同じである構成とした。しかしながら、上記構成において、行方向に隣接する副画素１００ｓeの発光層１２３が発する光の色は同じであり、列方向に隣接する副画素１００ｓeの発光層１２３が発する光の色が互いに異なる構成としてもよい。また、行列方向の両方において隣接する副画素１００ｓeの発光層１２３が発する光の色が互いに異なる構成としてもよい。

実施の形態に係る表示パネル１０では、画素１００eには、赤色画素、緑色画素、青色画素の３種類があったが、本発明はこれに限られない。例えば、発光層が１種類であってもよいし、発光層が赤、緑、青、黄色に発光する４種類であってもよい。
また、上記実施の形態では、画素１００eが、マトリクス状に並んだ構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、画素領域の間隔を１ピッチとするとき、隣り合う間隙同士で画素領域が列方向に半ピッチずれている構成に対しても効果を有する。高精細化が進む表示パネルにおいて、多少の列方向のずれは視認上判別が難しく、ある程度の幅を持った直線上（あるいは千鳥状）に膜厚むらが並んでも、視認上は帯状となる。したがって、このような場合も輝度むらが上記千鳥状に並ぶことを抑制することで、表示パネルの表示品質を向上できる。

また、表示パネル１０では、すべての間隙５２２ｚに画素電極層１１９が配されていたが、本発明はこの構成に限られない。例えば、バスバーなどを形成するために、画素電極層１１９が形成されない間隙５２２ｚが存在してもよい。
また、上記実施の形態では、画素電極層１１９と対向電極層１２５の間に、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１、発光層１２３及び電子輸送層１２４が存在する構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１及び電子輸送層１２４を用いずに、画素電極層１１９と対向電極層１２５との間に発光層１２３のみが存在する構成としてもよい。また、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、電子注入層などを備える構成や、これらの複数又は全部を同時に備える構成であってもよい。また、これらの層はすべて有機化合物からなる必要はなく、無機物などで構成されていてもよい。

また、上記実施の形態では、発光層１２３の形成方法としては、印刷法、スピンコート法、インクジェット法などの湿式成膜プロセスを用いる構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、イオンプレーティング法、気相成長法等の乾式成膜プロセスを用いることもできる。さらに、各構成部位の材料には、公知の材料を適宜採用することができる。

上記の形態では、ＥＬ素子部の下部にアノードである画素電極層１１９が配され、ＴＦＴのソース電極１１０に画素電極層１１９を接続する構成を採用したが、ＥＬ素子部の下部に対向電極層、上部にアノードが配された構成を採用することもできる。この場合には、ＴＦＴにおけるドレインに対して、下部に配されたカソードを接続することになる。
また、上記実施の形態では、一つの副画素１００ｓeに対して２つのトランジスタＴｒ₁、Ｔｒ₂が設けられてなる構成を採用したが、本発明はこれに限定を受けるものではない。例えば、一つのサブピクセルに対して一つのトランジスタを備える構成でもよいし、三つ以上のトランジスタを備える構成でもよい。

さらに、上記実施の形態では、トップエミッション型のＥＬ表示パネルを一例としたが、本発明はこれに限定を受けるものではない。例えば、ボトムエミッション型の表示パネルなどに適用することもできる。その場合には、各構成について、適宜の変更が可能である。
≪補足≫
以上で説明した実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、工程、工程の順序などは一例であり、本発明を限定する主旨ではない。また、実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない工程については、より好ましい形態を構成する任意の構成要素として説明される。

また、上記の工程が実行される順序は、本発明を具体的に説明するために例示するためのものであり、上記以外の順序であってもよい。また、上記工程の一部が、他の工程と同時（並列）に実行されてもよい。
また、発明の理解の容易のため、上記各実施の形態で挙げた各図の構成要素の縮尺は実際のものと異なる場合がある。また本発明は上記各実施の形態の記載によって限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。

また、各実施の形態及びその変形例の機能のうち少なくとも一部を組み合わせてもよい。
さらに、本実施の形態に対して当業者が思いつく範囲内の変更を施した各種変形例も本発明に含まれる。

本発明に係る有機ＥＬ表示パネル、及び有機ＥＬ表示装置は、テレビジョンセット、パーソナルコンピュータ、携帯電話などの装置、又はその他表示パネルを有する様々な電子機器に広く利用することができる。

１ 有機ＥＬ表示装置
１０ 有機ＥＬ表示パネル
１００ 有機ＥＬ素子
１００ｅ 単位画素
１００ｓｅ 副画素
１００ａ 自己発光領域
１００ｂ 非自己発光領域
１００ｘ 基板（ＴＦＴ基板）
１１９ 画素電極層
１２０ ホール注入層
１２０Ａ 下部層
１２０Ｂ 上部層
１２１ ホール輸送層
１２２ バンク
１２２Ｘ 行バンク
５２２Ｙ 列バンク
５２２ｚ 間隙
１２３ 発光層
１２４ 電子輸送層
１２５ 対向電極層
１２６ 封止層
１２７ 接合層
１２８ カラーフィルタ層
１３０ 上部基板
１３１ _CＦ基板

Claims (15)

1. 青色副画素、緑色副画素及び赤色副画素を含む画素が複数配された有機ＥＬ表示パネルであって、
   基板と、
   前記基板上の前記青色副画素の領域に、前記基板側から順に、第１画素電極層、第１ホール注入層、第１ホール輸送層、青色有機発光層と、
   前記基板上の前記緑色副画素の領域に、前記基板側から順に、第２画素電極層、第２ホール注入層、第２ホール輸送層、緑色有機発光層と、
   前記基板上の前記赤色副画素の領域に、前記基板側から順に、第３画素電極層、第３ホール注入層、第３ホール輸送層、赤色有機発光層と、
   前記青色有機発光層、前記緑色有機発光層及び前記赤色有機発光層の上方に対向電極層とを備え、
   前記第１ホール注入層は、金属酸化物からなる第１下部層と、前記第１下部層に積層された有機物からなり塗布膜である第１上部層とを含み、
   前記第２ホール注入層は、前記金属酸化物からなる第２下部層と、前記第２下部層に積層された前記有機物からなり塗布膜である第２上部層とを含み、
   前記第３ホール注入層は、前記金属酸化物からなる第３下部層と、前記第３下部層に積層された前記有機物からなる塗布膜であり、前記第１上部層及び前記第２上部層よりも厚みが大きい第３上部層とを含む
   有機ＥＬ表示パネル。
2. 前記金属酸化物は、タングステン（Ｗ）の酸化物を含む
   請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。
3. 前記第１上部層の厚みは０ｎｍより大きく２５ｎｍ以下であり、前記第２上部層の厚みは０ｎｍより大きく３０ｎｍ以下であり、前記第３上部層の厚みは２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である
   請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示パネル。
4. 前記第１下部層、前記第２下部層、及び前記第３下部層の厚みは同じである
   請求項１から３の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
5. 前記第１下部層、前記第２下部層及び前記第３下部層の厚みは５ｎｍ以上２０ｎｍ以下である
   請求項１から４の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
6. 前記有機物は、ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物を含む
   請求項１から５の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
7. 前記基板上に青色副画素、緑色副画素及び赤色副画素の領域を区画する前記基板上方に配されたバンクを備え、
   前記バンクは、少なくとも前記第１画素電極層、前記第２画素電極層及び前記第３画素電極層の行方向の外縁上方と、行方向外縁間に位置する前記基板上方とに配されてなる複数の列バンクと、
   少なくとも前記第１画素電極層、前記第２画素電極層又は前記第３画素電極層の列方向の外縁上方と、列方向外縁間に位置する前記基板上方とに配されてなる複数の行バンクとを含む
   請求項１から６の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
8. 前記第１上部層、前記第２上部層及び前記第３上部層は、前記行バンク上を列方向に連続して配されている
   請求項７に記載の有機ＥＬ表示パネル。
9. 前記青色有機発光層、前記緑色有機発光層及び前記赤色有機発光層は、前記行バンク上を列方向に連続して配されている
   請求項８に記載の有機ＥＬ表示パネル。
10. さらに、少なくとも前記第１ホール注入層、前記第２ホール注入層又は前記第３ホール注入層上方であって、隣接する前記列バンク間の間隙それぞれに配されているホール輸送層を備えた
    請求項７から９の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
11. 前記ホール輸送層は、前記行バンク上を列方向に連続して配されている
    請求項１０記載の有機ＥＬ表示パネル。
12. 青色副画素、緑色副画素及び赤色副画素を含む画素が複数配された有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、
    基板を準備する工程と、
    前記基板上の前記青色副画素の形成領域に第１画素電極層を、前記緑色副画素の形成領域に第２画素電極層を、前記赤色副画素の形成領域に第３画素電極層を、気相成長法により形成する工程と、
    前記第１画素電極層、前記第２画素電極層及び前記第３画素電極層上に、気相成長法により金属を堆積した後に焼成して、それぞれ第１下部層、第２下部層、及び第３下部層を形成する工程と、
    少なくとも前記第１下部層、前記第２下部層及び前記第３下部層それぞれの上に、有機物を含むインクを塗布した後焼成して、第１上部層、第２上部層、及び、前記第１上部層及び前記第２上部層よりも厚みが大きい第３上部層を形成する工程と、
    少なくとも前記第１上部層、前記第２上部層及び前記第３上部層上に、それぞれ青色有機発光層の材料を含むインク、緑色有機発光層の材料を含むインク、及び赤色有機発光層の材料を含むインクを塗布した後に焼成して、青色有機発光層、緑色有機発光層、及び赤色有機発光層を形成する工程と、
    前記青色有機発光層、前記緑色有機発光層及び前記赤色有機発光層の上方に、対向電極層を形成する工程とを含む、
    有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
13. さらに、前記第１画素電極層、前記第２画素電極層、及び、前記第３画素電極層を形成する工程の後に、
    少なくとも前記第１画素電極層、前記第２画素電極層及び前記第３画素電極層の行方向の外縁上方と、行方向外縁間に位置する前記基板上方とに複数の列バンクと、少なくとも厚み前記第１画素電極層、前記第２画素電極層又は前記第３画素電極層の列方向の外縁上方と、列方向外縁間に位置する前記基板上方とに複数の行バンクを形成する工程を含み、
    前記第１上部層、前記第２上部層及び前記第３上部層を形成する工程では、前記隣接する列バンク間の間隙内において、前記行バンク上に列方向に連続して前記有機物を含むインクを塗布する
    請求項１２に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
14. さらに、前記第１上部層、前記第２上部層、及び、前記第３上部層を形成する工程の後に、少なくとも前記第１上部層、前記第２上部層及び前記第３上部層それぞれの上に、ホール輸送層の材料を含むインクを塗布した後焼成して、第１ホール輸送層、第２ホール輸送層、及び第３ホール輸送層を形成する工程を含む、
    請求項１２又は１３に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
15. 青色副画素、緑色副画素及び赤色副画素を含む画素が複数配された有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、
    基板を準備する工程と、
    前記基板上の前記青色副画素の形成領域に第１画素電極層を、前記緑色副画素の形成領域に第２画素電極層を、前記赤色副画素の形成領域に第３画素電極層を、気相成長法により形成する工程と、
    前記第１画素電極層、前記第２画素電極層及び前記第３画素電極層上に、気相成長法により金属酸化物を堆積して、それぞれ第１下部層、第２下部層、及び第３下部層を形成する工程と、
    少なくとも前記第１下部層、前記第２下部層及び前記第３下部層それぞれの上に、有機物を含むインクを塗布した後焼成して、第１上部層、第２上部層、及び、前記第１上部層及び前記第２上部層よりも厚みが大きい第３上部層を形成する工程と、
    少なくとも前記第１上部層、前記第２上部層及び前記第３上部層上に、それぞれ青色有機発光層の材料を含むインク、緑色有機発光層の材料を含むインク、及び赤色有機発光層の材料を含むインクを塗布した後に焼成して、青色有機発光層、緑色有機発光層、及び赤色有機発光層を形成する工程と、
    前記青色有機発光層、前記緑色有機発光層及び前記赤色有機発光層の上方に、対向電極層を形成する工程とを含む、
    有機ＥＬ表示パネルの製造方法。

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