JP6789184B2 - 有機ｅｌ表示パネル及び有機ｅｌ表示パネルの製造方法 - Google Patents

Description

本開示は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子を用いた有機ＥＬ表示パネル及びその製造方法に関する。

近年、デジタルテレビ等の表示装置に用いられる表示パネルとして、基板上に有機ＥＬ素子をマトリックス状に複数配列した有機ＥＬ表示パネルが実用化されている。
有機ＥＬ表示パネルでは、一般に各有機ＥＬ素子の発光層と、隣接する有機ＥＬ素子とは絶縁材料からなる絶縁層で仕切られており、カラー表示用の有機ＥＬ表示パネルにおいては、有機ＥＬ素子がＲＧＢ各色に発光する副画素を形成し、隣り合うＲＧＢの副画素が組合わさってカラー表示における単位画素が形成されている。

有機ＥＬ素子は、一対の電極の間に有機発光材料を含む発光層が配設された基本構造を有し、駆動時には、一対の電極対間に電圧を印加し、発光層に注入されるホールと電子との再結合に伴って発光する。
トップエミッション型の有機ＥＬ素子は、基板上に画素電極、有機層（発光層を含む）、及び共通電極が順に設けられた素子構造を有する。発光層からの光は、光反射性材料からなる画素電極にて反射されるとともに、光透光性材料からなる共通電極から上方に出射される。共通電極は、基板上の表示画素部全面にわたって成膜することが多い。テレビ等大画面表示装置への利用に向けた有機ＥＬ表示パネルが大型化に伴い、共通電極の電気抵抗が増加し、給電部から遠い部分では電圧降下により電流が十分に供給されずに発光効率が低下し、これに起因して輝度ムラが発生することが懸念される。

これに対し、例えば、特許文献１では、基板上の画素電極と同層に補助電極層を延伸し、その上に共通電極を重畳させて共通電極との電気的な接続を図ることにより、共通電極の電気抵抗を低減する技術が提案されている。また、補助電極層と共通電極とを金属酸化物からなるホール注入層を介して積層して、補助電極層と共通電極との電気的な接続を図る技術（例えば、特許文献２）や、金属原子を含む電子輸送層を介して積層する技術が提案されている（例えば、特許文献３）。

特開２００２−３１８５５６号公報 特許第５８８４２２４号公報 国際公開特許ＷＯ２０１５／１５１４１５ 特開２００９−２８３３０４号公報

ところが、補助電極層の材料に画素電極と同じ光反射性を有するアルミニウム、銀といった金属を用いた場合、その後の製造工程において補助電極層の表層に酸化膜が形成され、補助電極層と共通電極層と間の接触電気抵抗が高まるという課題があった。
本開示は、上記課題に鑑みてなされたものであり、補助電極層に画素電極と同じ光反射性を有する安価な金属材料を用いた構成において、共通電極層と補助電極層との間の電気的接続における接触電気抵抗の低減を図り、発光効率を向上させるとともに輝度ムラを抑制する有機ＥＬ表示パネル、及びその有機ＥＬ表示パネルの製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、基板上に複数の画素電極が行列状に配され、各画素電極上に有機発光材料を含む発光層が配されてなる有機ＥＬ表示パネルであって、基板と、前記基板の上方に行列状に配された複数の画素電極と、前記基板の上方において、隣接する前記画素電極の間隙のうちの少なくとも１の間隙内に列又は行方向に延伸して配された第１給電補助電極層と、前記第１給電補助電極層に重畳して配された第２給電補助電極層と、前記複数の画素電極上に配された複数の発光層と、前記複数の発光層の上方、前記第１給電補助電極層及び前記第２給電補助電極層を覆って連続して配された共通電極層とを備え、前記第１給電補助電極層と前記共通電極層とは、少なくとも前記第１給電補助電極層の上面に垂直な壁面上の一部領域において接しており、前記第２給電補助電極層は、アルミニウムを主成分として含み、かつ、少なくとも前記第２給電補助電極層の表層にはアルミニウムの酸化物が形成されており、前記第１給電補助電極層は、アルミニウムと異なる金属を主成分として含み、アルミニウムよりも大気中における接触抵抗が低い材料からなることを特徴とする。

本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、補助電極層に画素電極と同じ光反射性を有する安価な金属材料を用いた構成において、共通電極層と補助電極層との間の電気的接続における接触電気抵抗を低減することができる。その結果、発光効率を向上させると共に輝度ムラを抑制することができる。

実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１の回路構成を示す模式ブロック図である。 有機ＥＬ表示装置１に用いる有機ＥＬ表示パネル１０の各副画素１００ｓｅにおける回路構成を示す模式回路図である。 有機ＥＬ表示パネル１０の一部を示す模式平面図である。 図３におけるＡ１−Ａ１で切断した模式断面図である。 図４に示す第２補助電極層２００周辺の断面図である。 （ａ）〜（ｄ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図３におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図３におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。 （ａ）〜（ｄ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図３におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。 （ａ）〜（ｇ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図３におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。 （ａ）〜（ｂ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図３におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。 共通電極層１２５の製造に用いるスパッタ装置６００を示す模式図である。 （ａ）は、変形例１に係る表示パネル１０Ｖ、（ｂ）は、変形例２に係る表示パネル１０Ｗ、（ｃ）は、変形例３に係る表示パネル１０Ｘの、それぞれバンク及び補助電極層の形状を示す模式平面図である。 （ａ）は、図１２（ａ）におけるＡ３−Ａ３で切断した模式断面図、（ｂ）は、図１２（ｂ）におけるＡ４−Ａ４で切断した模式断面図である。 （ａ）は、変形例４に係る表示パネル１０Ｙにおける第２補助電極層２００周辺の断面図、（ｂ）は、表示パネル１０Ｙにおいて第１補助電極層１３５Ｗ上に第２補助電極層２００Ｗ及びホール注入層１２０Ｂを設けない変形例４Ａの断面図である。 （ａ）は、変形例５に係る表示パネル１０Ｚにおける第２補助電極層２００周辺の断面図、（ｂ）は、表示パネル１０Ｚにおいて第１補助電極層１３５Ｗ上に第２補助電極層２００Ｗ及びホール注入層１２０Ｂを設けない変形例５Ａの断面図である。 （ａ）は、変形例６に係る表示パネル１０ＹＺにおける第２補助電極層２００周辺の断面図、（ｂ）は、表示パネル１０ＹＺにおいて第１補助電極層１３５Ｗ上に第２補助電極層２００Ｗ及びホール注入層１２０Ｂを設けない変形例６Ａの断面図である。

≪発明を実施するための形態に至った経緯≫
トップエミッション型の有機ＥＬ素子は、厚みを最適に設定して光共振器構造を採用することにより出射される光の色度を調整し輝度を高めているため、画素電極の表面部が高い光反射性を有することが必要である。そのため、画素電極には、金属層、合金層、透明導電膜層などが選択され、金属層としては、シート抵抗が小さく、高い光反射性を有する材料として、例えば、銀（Ａｇ）又はアルミニウム（Ａｌ）を含む金属材料から構成することができる。このうち、材料コストを考慮すると銀よりも工業的にはアルミニウムを選択することが好ましい。

他方、給電補助電極層は、基板上の画素電極と同時に同層に形成されるために、画素電極と同じ材料により形成される。したがって、補助電極層には、アルミニウムを主成分として含む金属層、合金層を用いることとなる。しかしながら、この場合、補助電極層の製膜後に行われる上層の製造工程において補助電極層の表層に酸化膜が形成され、補助電極層と共通電極層と間の接触電気抵抗が高くなることが発明者らの検討により判明した。その理由は、補助電極層よりも後に形成されるホール注入層やバンクの焼成工程、ウェットプロセスなどにおいて補助電極層のアルミニウムを主成分として含む金属層、又は合金層が酸化するためであると考えられる。

特に、特許文献２に記載されるような金属酸化物（例えば、酸化タングステン：ＷＯｘ）からなるホール注入層を介した状態で補助電極層と共通電極とを積層して、補助電極層と共通電極との電気的な接続を図る場合には、ホール注入層の介在により補助電極層と共通電極との接触電気抵抗が増加するのみならず、補助電極層のアルミニウム合金がより酸化しやすい状態になることが発明者らの検討により判明した。一般に、ＩＴＯに対し良好な接触電機抵抗が得られると報告されているアルミニウム合金を補助電極層の材料に用いた場合でも、アルミの酸化膜被膜が補助電極表面に形成され、共通電極との接触電機抵抗が増加することが発明者らの実験により判明している。その理由は、酸化タングステン自体に含まれる酸素が補助電極層に移動しやすいこと、あるいは、酸化タングステンは空孔密度が他材料に比べて高いことから、ウェット工程や焼成工程において上層からの現像液などの薬液や水の浸透、またはベーク時に酸素を通過させやすいために補助電極層に酸素が進入しやすいことなどが影響、起因していると考えられる。

そして、補助電極層のアルミニウム合金が酸化した場合、補助電極層中に欠陥や異物などの存在により局所的に酸化膜を介さずに補助電極層と共通電極とが電気的に接続された場合、その部位に電流が集中して流れ局所的な発熱や材料劣化などが発生するおそれがあることがわかった。
さらに、特許文献３に記載されるように、発光素子部分におけるキャリア移動度を増加する目的で、高抵抗なフッ化物と金属原子を含む電子輸送層を介して補助電極層と共通電極を積層する構成も提案されている。しかしながら、補助電極層と共通電極間では、画素電極と共通電極間とは電気的極性が逆になることから、高抵抗なフッ化物と金属原子を含むものの金属層そのものではない電子輸送層が介在することにより補助電極層と共通電極との接触電気抵抗がさらに増加することとなる。キャリア移動度をさらなる向上のために電子輸送層の膜厚増加も考慮すべきである。

これに対し、特許文献４では、補助電極層と対向電極間に発光機能層が介在する構成において、断面視したとき補助電極層は側面において電子輸送層を介さずに対向電極と接触する有機ＥＬ素子が提案されている。しかしながら、この構成では、上述のとおり、補助電極層の表層に酸化膜が形成された場合には、補助電極層と対向電極と間の接触電気抵抗が高くなることが懸念される。

そこで、発明者らは、補助電極層に画素電極と同じ光反射性を有する安価な金属材料を用いた構成において、共通電極層と補助電極層との間の電気的接続における接触電気抵抗を低減できる構成について鋭意検討を行い、以下の実施の形態に至った。
≪本発明を実施するための形態の概要≫
本開示の態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、有機ＥＬ表示パネルは、基板上に複数の画素電極が行列状に配され、各画素電極上に有機発光材料を含む発光層が配されてなる有機ＥＬ表示パネルであって、基板と、前記基板の上方に行列状に配された複数の画素電極と、前記基板の上方において、隣接する前記画素電極の間隙のうちの少なくとも１の間隙内に列又は行方向に延伸して配された第１給電補助電極層と、前記第１給電補助電極層に重畳して配されたアルミニウムを主成分として含む第２給電補助電極層と、前記複数の画素電極上に配された複数の発光層と、前記複数の発光層の上方、前記第１給電補助電極層及び前記第２給電補助電極層を覆って連続して配された共通電極層とを備え、前記第１給電補助電極層と前記共通電極層とは、少なくとも前記第１給電補助電極層の上面に垂直な壁面上の一部領域において接触しており、前記第２給電補助電極層は、前記第１給電補助電極層は、アルミニウムと異なる金属を主成分として含み、アルミニウムよりも大気中における接触抵抗が低い材料からなることを特徴とする。

また、別の態様では、上記態様において、前記第２給電補助電極層は、少なくとも前記第２給電補助電極層の表層にはアルミニウムの酸化物が形成されている構成としてもよい。
係る構成により、補助電極層に画素電極と同じ光反射性を有する安価な金属材料を用いた同層で形成した構成においても、共通電極層と補助電極層との間の電気的接続における接触電気抵抗を低減することができる。その結果、発光効率を向上させると共に輝度ムラを抑制することができる。

また、別の態様では、上記何れかの態様において、さらに、前記第２給電補助電極層と前記共通電極層との間には、前記複数の発光層の上方、前記第１給電補助電極層及び前記第２給電補助電極層を覆って連続して配された１層以上からなる機能層を備え、前記第１給電補助電極層の一部領域付近において、前記機能層は欠落又は薄層化しており、前記第１給電補助電極層の厚みは前記発光層上の前記機能層の厚みよりも厚い構成としてもよい。

係る構成により、補助電極層と共通電極とを金属酸化物（ＷＯｘ）からなるホール注入層を介して積層する場合や、発光素子部分におけるキャリア移動度を増加する目的で、金属原子を含む電子輸送層を介して補助電極層と共通電極を積層する場合においても、第１給電補助電極層と共通電極層とを、少なくとも第１給電補助電極層の上面に垂直な壁面上の一部領域において接触させることができる。

また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記第２給電補助電極層の表層付近の抵抗は、前記第１給電補助電極層の表層付近の抵抗より高い構成としてもよい。また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記第１給電補助電極層と前記共通電極層との間の接触抵抗は、前記第２給電補助電極層と前記共通電極層との間の接触抵抗より低い構成としてもよい。また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記材料のシート抵抗は、アルミニウムのシート抵抗より高い構成としてもよい。

また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記アルミニウムと異なる金属は、タングステン、クロム、チタン、モリブデン、ニッケル、銅、ランタン、インジウムから選択される１以上の金属、またはそれらを含む金属の積層構成としてもよい。
係る構成により、これらの金属は、室温では化学的に安定しているので、第１補助電極層の表層部にはアルミニウムに比べて、金属の酸化物が形成されにくい構成とすることができる。

また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記第１給電補助電極層は、ＩＴＯ又はＩＺＯからなる構成としてもよい。
係る構成により、これらの酸化物は、室温では化学的に安定しているので、第１補助電極層の表層部には金属の酸化物が形成されにくい構成とすることができる。または、ＩＴＯ、ＩＺＯなどもとから酸化物でありながら、導電性を有する構成とすることができる。そのため、大気中における接触抵抗がアルミニウムよりも低い。言い換えれば、第２給電補助電極層の表層付近の抵抗は、第１給電補助電極層の表層付近の抵抗より高い構成を実現することができる。

また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記機能層を第１の機能層とするとき、さらに、前記第２給電補助電極層と前記第１の機能層との間には、前記複数の発光層の下方、前記第１給電補助電極層及び前記第２給電補助電極層の上方に不連続に配された第２の機能層を備える構成としてもよい。
係る構成により、補助電極層と共通電極とを金属酸化物（ＷＯｘ）からなるホール注入層を介して積層することができる。

また、別の態様では、上記何れかの態様において、さらに、前記第２給電補助電極層と前記機能層との間には、前記複数の発光層の下方、前記第１給電補助電極層及び前記第２給電補助電極層の上方に不連続に配されたＩＴＯ又はＩＺＯからなる透明導電層を備える構成としてもよい。
係る構成により、画素電極と共通電極との間で光共振器構造に必要な光路長を確保するための光学調整層として透明導電層を利用することができる。

また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記共通電極層は、ＩＴＯ又はＩＺＯからなる透明導電層を含む構成としてもよい。
係る構成により、共通電極層をスパッタリング法により成膜することができ、第１給電補助電極層と共通電極層とを、少なくとも第１給電補助電極層の上面に垂直な壁面上の一部領域において接触させることができる。

また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記共通電極層は、銀を主成分とする金属電極層を含む構成としてもよい。
係る構成により、共通電極層のシート抵抗を低減することができる。
また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記基板上方に樹脂を主成分とする平坦化下部層と平坦化上部層からなる平坦化層を備え、前記平坦化下部層と前記平坦化上部層とのの間には、列又は行方向に延伸して配され、第３給電補助電極層を備え、前記平坦化上部層には前記第３給電補助電極層の上面までを貫通するコンタクトホールが開設されており、前記第１給電補助電極層が前記第３補助電極層とコンタクトホールを介して電気的に接続されており、前記共通電極層は、前記コンタクトホールに内周面と底面とに連続して配されており、前記第３給電補助電極層と前記共通電極層とは前記第１給電補助電極層を介して電気的に接続されている構成としてもよい。

係る構成により、第３給電補助電極層の行方向断面に相当する分だけ補助電極の断面積を増加してシート抵抗を低減することができ、画素密度の増加（高精細化）に伴う光取り出し効率低下抑制できる。また、基板上の平坦化下部層と平坦化上部層との間に補助電極を設ける構成から、基板上の画素電極等による位置的制約が少なく、第３給電補助電極層の平面的なレイアウトの自由度が向上する。

また、別の態様では、さらに、前記コンタクトホールの底面と前記コンタクトホール内の前記共通電極層との間には機能層が配されており、前記コンタクトホールの深さは前記機能層の厚みよりも厚く、前記第１給電補助電極層と前記共通電極層とは、少なくとも前記第１給電補助電極層における前記コンタクトホールに内周面上の一部領域において接触している構成としてもよい。

係る構成より、共通電極層と第１給電補助電極層との接触箇所を増加し、第３給電補助電極層への給電経路の断面積を増加することができる。その結果、共通電極層から給電補助電極への接続抵抗を低減できる。また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記基板は、ＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板上方に樹脂を主成分とする絶縁層とを含み、前記基板上方に樹脂を主成分とする平坦化層を備え、前記ＴＦＴ基板と前記絶縁層との間には、列又は行方向に延伸して配された第４給電補助電極層を備え、前記平坦化層には、当該平坦化層上面から前記第４給電補助電極層の下面までを貫通するコンタクトホールが開設されており、前記第１給電補助電極層が前記第４補助電極層と前記コンタクトホールを介して電気的に接続されており、前記共通電極層は、前記コンタクトホールに内周面と底面とに連続して配されており、前記第４給電補助電極層と前記共通電極層とは、前記第１給電補助電極層を介して電気的に接続されている構成としてもよい。

係る構成により、第４給電補助電極層の行方向断面に相当する分だけ補助電極の断面積を増加してシート抵抗を低減することができ、画素密度の増加（高精細化）に伴う光取り出し効率低下抑制できる。また、基板中のチャンネル保護層と無機絶縁層との間に補助電極を設ける構成から、基板上の画素電極等による位置的制約が少なく、第４給電補助電極層の平面的なレイアウトの自由度が向上する。

また、別の態様では、上記何れかの態様において、さらに、前記基板における前記コンタクトホールの底面と前記コンタクトホール内の前記共通電極層との間には機能層が配されており、前記コンタクトホールの深さは前記機能層の厚みよりも厚く、前記第１給電補助電極層と前記共通電極層とは、少なくとも前記第１給電補助電極層における前記コンタクトホールに内周面上の一部領域において接触している構成としてもよい。

係る構成により、共通電極層と第１給電補助電極層との接触箇所を増加し、第４給電補助電極層への給電経路の断面積を増加することができる。その結果、共通電極層から給電補助電極への接続抵抗を低減できる。
また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記基板は、ＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板上方に樹脂を主成分とする絶縁層とを含み、前記基板上方に樹脂を主成分とする平坦下部層と平坦化上部層からなる平坦化層を備え、前記平坦化下部層と前記平坦化上部層との間には、列又は行方向に延伸して配された、第３給電補助電極層を備え、前記ＴＦＴ基板と前記絶縁層との間には、列又は行方向に延伸して配された第４給電補助電極層を備え、前記平坦化下部層、前記平坦化上部層、及び前記絶縁層には前記第４給電補助電極層の上面までを貫通するコンタクトホールが開設されており、前記第１給電補助電極層は前記第３補助電極層と前記コンタクトホールを介して電気的に接続されており、前記第３給電補助電極層は前記第４補助電極層と前記コンタクトホールを介して電気的に接続されており、前記共通電極層は、前記コンタクトホールに内周面と底面とに連続して配されており、前記第３給電補助電極層及び前記第４補助電極層と、前記共通電極層とは、前記第１給電補助電極層を介して電気的に接続されている構成としてもよい。

係る構成により、第１補助電極層を介して共通電極層と第３給電補助電極層、さらに第４給電補助電極層が電気的に接続されるので、第３給電補助電極層及び第４給電補助電極層を共通電極層の給電補助電極として機能させることができる。そのため、より一層シート抵抗を低減することができ高精細化に向けて有効である。
また、別の態様では、上記何れかの態様において、さらに、前記コンタクトホールの底面と前記コンタクトホール内の前記共通電極層との間には機能層が配されており、前記コンタクトホールの深さは前記機能層の厚みよりも厚く、前記第１給電補助電極層と前記共通電極層とは、少なくとも前記第１給電補助電極層における前記コンタクトホールに内周面上の一部領域において接触している構成としてもよい。

係る構成により、共通電極層と第１給電補助電極層との接触箇所を増加し、第３給電補助電極層及び第４給電補助電極層への給電経路の断面積を増加することができ、共通電極層から給電補助電極への接続抵抗を低減できる。 また、本開示の態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、基板上に複数の画素電極が行列状に配され、各画素電極上に有機発光材料を含む発光層が配されてなる有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、基板を準備する工程と、前記基板の上方に行列状に複数の画素電極を形成する工程と、前記基板の上方において、隣接する前記画素電極の間隙のうちの少なくとも１の間隙内に列又は行方向に延伸して、アルミニウムと異なる金属を主成分として含み、アルミニウムよりも大気中における接触抵抗が低い材料からなる第１給電補助電極層を形成する工程と、前記第１給電補助電極層上に前記第１給電補助電極層と同じ方向に延伸して、前記第１給電補助電極層に重畳して、アルミニウムを主成分として含む第２給電補助電極層を形成する工程と、前記複数の画素電極上に複数の発光層を形成する工程と、前記複数の発光層の上方、前記第１給電補助電極層及び前記第２給電補助電極層を覆って連続して、かつ、前記第１給電補助電極層と前記共通電極層とは、少なくとも前記第１給電補助電極層の上面に垂直な壁面上の一部領域において接するように、共通電極層をスパッタリング法により形成する工程とを有することを特徴とする。

係る構成により、共通電極層と補助電極層との電気的接続における電気抵抗の低減を図り、発光効率を向上させると共に輝度ムラを抑制することができる有機ＥＬ表示パネル１０を製造できる。
また、別の態様では、上記何れかの態様において、さらに、前記第２給電補助電極層と前記共通電極層との間に、前記複数の発光層の上方、前記第１給電補助電極層及び前記第２給電補助電極層を覆って連続して１層以上からなり、前記第１給電補助電極層の厚みよりも薄い機能層を真空蒸着法により形成する工程を有する構成としてもよい。

また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記機能層は、前記第１給電補助電極層の一部領域付近において欠落又は薄層化して形成される構成としてもよい。
係る構成により、スパッタリング法により形成された共通電極層を蒸着法により形成された機能層が欠落又は薄層化している第１給電補助電極層の上面に垂直な壁面上の一部領域において確実に接触させることができる。

≪実施の形態１≫
１．１ 表示装置１の回路構成
以下では、実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置１（以後、「表示装置１」と称する）の回路構成について、図１を用い説明する。
図１に示すように、表示装置１は、有機ＥＬ表示パネル１０（以後、「表示パネル１０」と称する）と、これに接続された駆動制御回路部２０とを有して構成されている。

表示パネル１０は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）パネルであって、複数の有機ＥＬ素子が、例えば、マトリクス状に配列され構成されている。駆動制御回路部２０は、４つの駆動回路２１〜２４と制御回路２５とにより構成されている。
なお、表示装置１において、表示パネル１０に対する駆動制御回路部２０の各回路の配置形態については、図１に示した形態に限定されない。

１．２ 表示パネル１０の回路構成
表示パネル１０においては、複数の単位画素１００ｅが行列状に配されて表示領域を構成している。各単位画素１００ｅは、３個の有機ＥＬ素子、つまり、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色に発行する３個の副画素１００ｓｅから構成される。各副画素１００ｓｅの回路構成について、図２を用い説明する。

図２は、表示装置１に用いる表示パネル１０の各副画素１００ｓｅに対応する有機ＥＬ素子１００における回路構成を示す回路図である。
図２に示すように、本実施の形態に係る表示パネル１０では、各副画素１００ｓｅが２つのトランジスタＴｒ１ 、Ｔｒ２ と一つのキャパシタＣ、及び発光部としての有機ＥＬ素子部ＥＬとを有し構成されている。トランジスタＴｒ１ は、駆動トランジスタであり、トランジスタＴｒ２ は、スイッチングトランジスタである。

スイッチングトランジスタＴｒ２ のゲートＧ２ は、走査ラインＶｓｃｎに接続され、ソースＳ２ は、データラインＶｄａｔに接続されている。スイッチングトランジスタＴｒ２ のドレインＤ２ は、駆動トランジスタＴｒ１ のゲートＧ１ に接続されている。
駆動トランジスタＴｒ１ のドレインＤ１ は、電源ラインＶａに接続されており、ソースＳ１ は、有機ＥＬ素子部ＥＬの画素電極（アノード）に接続されている。有機ＥＬ素子部ＥＬにおける共通電極層（カソード）は、接地ラインＶｃａｔに接続されている。また、後述する第１補助電極層１３５及び第２補助電極層２００も、接地ラインＶｃａｔに接続され、共通電極層、第１補助電極層１３５及び第２補助電極層２００は、相互に接続されている。

なお、キャパシタＣの第１端は、スイッチングトランジスタＴｒ２ のドレインＤ２ 及び駆動トランジスタＴｒ１ のゲートＧ１ と接続され、キャパシタＣの第２端は、電源ラインＶａと接続されている。
表示パネル１０においては、隣接する複数の副画素１００ｓｅ（例えば、赤色（Ｒ）と緑色（Ｇ）と青色（Ｂ）の発光色の３つの副画素１００ｓｅ）を組み合せて１つの単位画素１００ｅを構成し、各単位画素１００ｅが分布するように配されて画素領域を構成している。そして、各副画素１００ｓｅのゲートＧ２ からゲートラインが各々引き出され、表示パネル１０の外部から接続される走査ラインＶｓｃｎに接続されている。同様に、各副画素１００ｓｅのソースＳ２ からソースラインが各々引き出され表示パネル１０の外部から接続されるデータラインＶｄａｔに接続されている。

また、各副画素１００ｓｅの電源ラインＶａ及び各副画素１００ｓｅの接地ラインＶｃａｔは集約されて、表示装置１の電源ライン及び接地ラインに接続されている。
１．３ 表示パネル１０の全体構成
本実施の形態に係る表示パネル１０について、図面を用いて説明する。なお、図面は模式図であって、その縮尺は実際とは異なる場合がある。

図３は、実施の形態に係る表示パネルの一部を示す模式平面図である。
表示パネル１０は、有機化合物の電界発光現象を利用した有機ＥＬ表示パネルであり、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が形成された基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）に行列状に配された複数の有機ＥＬ素子１００が、上面より光を発するトップエミッション型の構成を有する。ここで、本明細書では、図３におけるＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向を、それぞれ表示パネル１０における、行方向、列方向、厚み方向とする。

表示パネル１０の表示領域には、複数の有機ＥＬ素子１００から構成される単位画素１００ｅが行列状に配されている。各単位画素１００ｅには、有機化合物により光を発する領域である、赤色に発光する１００ａＲ、緑色に発光する１００ａＧ、青色に発光する１００ａＢ（以後、１００ａＲ、１００ａＧ、１００ａＢを区別しない場合は、「１００ａ」と略称する）の３種類の自己発光領域１００ａが形成されている。すなわち、行方向に並んだ自己発光領域１００ａＲ、１００ａＧ、１００ａＢのそれぞれに対応する３つの副画素１００ｓｅ（以後、区別する場合は、「青色副画素１００ｓｅＢ」、「緑色副画素１００ｓｅＧ」及び「赤色副画素１００ｓｅＲ」とする）が１組となりカラー表示における単位画素１００ｅを構成している。

表示パネル１０には、複数の補助画素電極１５０（後述する図４に図示）及び複数の画素電極１１９が基板１００ｘ上に行及び列方向にそれぞれ所定の距離だけ離れた状態で行列状に配されている。複数の補助画素電極１５０及び画素電極１１９は、平面視において例えば、概矩形形状であり、画素電極１１９は光反射材料からなる。行方向に順に３つ並んだ補助画素電極１５０及び画素電極１１９は、行方向に順に並んだ３つの自己発光領域１００ａＲ、１００ａＧ、１００ａＢに対応する。

また、図３及び図４に示すように、表示パネル１０には、複数の第１給電補助電極層１３５（以後、「第１補助電極層１３５」とする）が基板１００ｘ上の単位画素１００ｅ間に列方向にわたって連続して配されている。第１補助電極層１３５は、画素電極１１９とは異なる光反射材料からなる。また、それぞれの第１補助電極層１３５の上には、第２給電補助電極層２００（以後、「第２補助電極層２００」とする）が基板１００ｘ上の単位画素１００ｅ間に列方向にわたって連続して配されている。第２補助電極層２００は、画素電極１１９と同じ光反射材料からなる。第１補助電極層１３５の行方向の幅は、後述する製造工程の影響により生じる微差を除外した場合、第２補助電極層２００の行方向の幅と同一に構成されている。

隣接する画素電極１１９間には、絶縁層形式のライン状に延伸するバンクが設けられている。また、隣接する画素電極１１９と第１補助電極層１３５との間にも、絶縁層形式のライン状に延伸するバンクが設けられている。
画素電極１１９とこれに隣接する画素電極１１９とは、互いに絶縁されている。また、画素電極１１９とこれに隣接する第２補助電極層２００又は第１補助電極層１３５とは、互いに絶縁されている。

１つの画素電極１１９と、これに行方向に隣接する画素電極１１９との間（１つの画素電極１１９の行方向の外縁１１９ａ３と、この画素電極１１９に行方向に隣接する画素電極１１９の行方向の外縁１１９ａ４との間）、及び、１つの画素電極１１９と、これに行方向に隣接する第１補助電極層１３５との間（１つの画素電極１１９の行方向の外縁１１９ａ３と、この画素電極１１９に行方向に隣接する第１補助電極層１３５の行方向の外縁１３５ａ２との間、及び、１つの画素電極１１９の行方向の外縁１１９ａ４と、この画素電極１１９に行方向に隣接する第１補助電極層１３５の行方向の外縁１３５ａ１との間）に位置する基板１００ｘ上の領域上方には、各条が列方向（図３のＹ方向）に延伸する列バンク５２２Ｙが複数列並設されている。そのため、自己発光領域１００ａの行方向外縁は、列バンク５２２Ｙの行方向外縁により規定される。

一方、１つの画素電極１１９と、これに列方向に隣接する画素電極１１９との間（１つの画素電極１１９の列方向の外縁１１９ａ２と、この画素電極１１９に列方向に隣接する画素電極１１９の列方向の外縁１１９ａ１との間）に位置する基板１００ｘ上の領域上方には、各条が行方向（図３のＸ方向）に延伸する行バンク１２２Ｘが複数行並設されている。行バンク１２２Ｘが形成される領域は、画素電極１１９上方の発光層１２３において有機電界発光が生じないために非自己発光領域１００ｂとなる。そのため、自己発光領域１００ａの列方向における外縁は、行バンク１２２Ｘの列方向外縁により規定される。

隣り合う列バンク５２２Ｙ間を間隙５２２ｚと定義したとき、間隙５２２ｚには、自己発光領域１００ａＲに対応する赤色間隙５２２ｚＲ、自己発光領域１００ａＧに対応する緑色間隙５２２ｚＧ、自己発光領域１００ａＢに対応する青色間隙５２２ｚＢ、第１補助電極層１３５の配される領域に対応する補助間隙５２２ｚＡ（以後、間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＧ、間隙５２２ｚＢ、間隙５２２ｚＡを区別しない場合は、「間隙５２２ｚ」と称する）が存在し、表示パネル１０は、列バンク５２２Ｙと間隙５２２ｚとが交互に多数並んだ構成を採る。

表示パネル１０では、複数の自己発光領域１００ａと非自己発光領域１００ｂとが、間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＧ、間隙５２２ｚＢに沿って列方向に交互に並んで配されている。非自己発光領域１００ｂには、画素電極１１９とＴＦＴのソースＳ１ とを接続する接続凹部（コンタクトホール、不図示）があり、画素電極１１９に対して電気接続するための画素電極１１９上のコンタクト領域（コンタクトウインドウ、不図示）が設けられている。

１つの副画素１００ｓｅにおいて、列方向に設けられた列バンク５２２Ｙと行方向に設けられた行バンク１２２Ｘとは直交し、自己発光領域１００ａは、列方向において行バンク１２２Ｘと、この行バンク１２２Ｘに隣接する行バンク１２２Ｘの間に位置している。
１．４ 表示パネル１０の各部構成
表示パネル１０における有機ＥＬ素子１００の構成を図４及び図５を用いて説明する。図４は、図３におけるＡ１−Ａ１で切断した模式断面図である。図５は、図４に示す第２補助電極層２００周辺の拡大図である。

本実施の形態に係る表示パネル１０においては、Ｚ軸方向下方に薄膜トランジスタが形成された基板（ＴＦＴ基板）が構成され、その上に有機ＥＬ素子部が構成されている。
１．４．１ 基板
（１）基板１００ｘ
基板１００ｘは表示パネル１０の支持部材であり、基材（不図示）と、基材上に形成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）層（不図示）とを有する。

基材は、表示パネル１０の支持部材であり、平板状である。基材の材料としては、電気絶縁性を有する材料、例えば、ガラス材料、樹脂材料、半導体材料、絶縁層をコーティングした金属材料などを用いることができる。
ＴＦＴ層は、基材上面に形成された複数のＴＦＴ及び配線（ＴＦＴのソースＳ１ と、対応する画素電極１１９を接続する）を含む複数の配線からなる。ＴＦＴは、表示パネル１０の外部回路からの駆動信号に応じ、自身に対応する画素電極１１９と外部電源とを電気的に接続するものであり、電極、半導体層、絶縁層などの多層構造からなる。配線は、ＴＦＴ、画素電極１１９、外部電源、外部回路などを電気的に接続している。

（２）平坦化層１１８
基材上及びＴＦＴ層の上面には平坦化層１１８が設けられている。基板１００ｘの上面に位置する平坦化層１１８は、ＴＦＴ層によって凹凸が存在する基板１００ｘの上面を平坦化するものである。また、平坦化層１１８は、配線及びＴＦＴの間を埋め、配線及びＴＦＴの間を電気的に絶縁している。

平坦化層１１８には、画素電極１１９と対応する画素のソースＳ１ に接続される配線とを接続するために、画素電極１１９に対応して、当該配線の上方の一部にコンタクト孔（不図示）が開設されている。
平坦化層１１８の上限膜厚が１０μｍ以上の場合、製造時の膜厚バラツキがより大きくなると共に、ボトム線幅の制御が困難となる。タクト増大による生産性低下の観点から、平坦化層１１８の上限膜厚は、７μｍ以下が望ましい。また、平坦化層１１８の膜厚とボトム線幅とを同程度にする必要があり、平坦化層１１８の膜厚が薄くなると、特に、平坦化層１１８の下限膜厚が１μｍ以下では、解像度の制約により所望のボトム線幅を得ることが困難となる。一般的なフラットパネルディスプレイ用露光機の場合には平坦化層１１８の下限膜厚は、２μｍが限界となる。したがって、平坦化層１１８の厚みは、例えば、１μｍ以上１０μｍ以下、より好ましくは２μｍ以上７μｍ以下であることが好ましい。

１．４．２ 有機ＥＬ素子部
（１）補助画素電極１５０及び画素電極１１９
基板１００ｘの上面に位置する平坦化層１１８上には、図４及び図５に示すように、副画素１００ｓｅ単位で補助画素電極１５０が設けられている。さらに、補助画素電極１５０上には、画素電極１１９が積層されている。

補助画素電極１５０及び画素電極１１９は、発光層１２３へキャリアを供給するためのものであり、例えば陽極として機能した場合は、発光層１２３へホールを供給する。また、表示パネル１０がトップエミッション型であるため、画素電極１１９は光反射性を有する。補助画素電極１５０及び画素電極１１９の形状は、例えば、概矩形形状をした平板状である。補助画素電極１５０及び画素電極１１９は、行方向に、隣接する第１補助電極層１３５との間で、間隔δＸ１をあけて、配されている。また、補助画素電極１５０及び画素電極１１９は、行方向に、隣接する補助画素電極１５０及び画素電極１１９との間で、間隔δＸ２をあけて、配されている。平坦化層１１８のコンタクト孔（不図示）上には、画素電極１１９の一部を基板１００ｘ方向に凹入された画素電極１１９の接続凹部（コンタクト孔；不図示）が形成されており、接続凹部の底で画素電極１１９と対応する画素のソースＳ１ に接続される配線とが接続される。

平坦化層１１８上に、補助画素電極１５０を形成することにより、密着性が高まり、平坦化層１１８より下層に水素が入ることを防ぐことができる。ＴＦＴに酸化物半導体（ＴＡＯＳ：Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ａｍｏｒｐｈｕｓ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）を用いたときに水素によるＴＦＴの劣化を抑制できる。
なお、平坦化層１１８上には、補助画素電極１５０を形成しないとしてもよい。

（２）第１補助電極層１３５及び第２補助電極層２００
第１補助電極層１３５及び第２補助電極層２００は、基板１００ｘ上方においてそれぞれ補助画素電極１５０及び画素電極１１９と同層に延伸し配され、その上に共通電極層１２５を重畳させて共通電極層１２５との電気的な接続を図ることにより、共通電極層１２５の電気抵抗を低減するための補助的な電極層である。基板１００ｘの上面に位置する平坦化層１１８上には、図４及び図５に示すように、第１補助電極層１３５が設けられている。第１補助電極層１３５は、図５に示すように、隣接する画素電極１１９との間に行方向に間隔δＸ１をあけて配されている。また、第１補助電極層１３５は、図５に示すように、隣接するバンク５２２の基部との間に行方向に間隔をあけて配されている。

ここで、 第１補助電極層１３５の厚みは、５ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることが好ましく、本実施の形態では、例えば、５０ｎｍである。
また、第１補助電極層１３５上には、図４及び図５に示すように、第２補助電極層２００が積層されている。第２補助電極層２００の行方向の幅は、第１補助電極層１３５の行方向の幅と同一である。つまり、第２補助電極層２００の上面の面積は、第１補助電極層１３５の上面の面積と等価である。

第２補助電極層２００は、アルミニウムを主成分として含み、かつ、少なくとも第２補助電極層２００の表層２０１にはアルミニウムの自然酸化物層が形成されている。アルミニウムの自然酸化物層の厚みは、概ね約３ｎｍから約４ｎｍである。基板作製工程上で大気にさらされることによる大気中での酸素並びに、第２補助電極層２００の上方に形成されるホール注入層１２０Ｂの成膜後の加熱工程において、ホール注入層１２０Ｂ側から供給される酸素により第２補助電極層２００の表層２０１のアルミニウムが酸化するためである。

（３）ホール注入層１２０
画素電極１１９上及び第２補助電極層２００上には、図４に示すように、ホール注入層１２０が積層されている。ホール注入層１２０は、画素電極１１９から注入されたホールをホール輸送層１２１へ輸送する機能を有する。
ホール注入層１２０は、基板１００ｘ側から順に、画素電極１１９上及び第２補助電極層２００上に形成された金属酸化物からなるホール注入層１２０Ａと、後述する間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＧ、間隙５２２ｚＢ内のホール注入層１２０Ａ上それぞれに積層された有機物からなるホール注入層１２０Ｂとを含む。青色副画素、緑色副画素及び赤色副画素内に設けられたホール注入層１２０Ａを、それぞれホール注入層１２０ＡＢ、ホール注入層１２０ＡＧ及びホール注入層１２０ＡＲ、第２補助電極層２００上に形成されたホール注入層１２０Ａをホール注入層１２０ＡＡとする。また、青色副画素、緑色副画素及び赤色副画素内に設けられたホール注入層１２０Ｂを、それぞれホール注入層１２０ＢＢ、ホール注入層１２０ＢＧ及びホール注入層１２０ＢＲとする。

本実施の形態では、後述する間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＧ、間隙５２２ｚＢ内では、ホール注入層１２０Ｂは列方向に延伸するように線状に設けられている構成を採る。しかしながら、ホール注入層１２０Ｂは、画素電極１１９上に形成されたホール注入層１２０Ａ上にのみ形成され、間隙５２２ｚ内では列方向に断続して設けられている構成としてもよい。

（４）バンク１２２
図４、図５に示すように、画素電極１１９、ホール注入層１２０、第１補助電極層１３５及び第２補助電極層２００の端縁を被覆するように絶縁物からなるバンクが形成されている。バンクには、列方向に延伸して行方向に複数並設されている列バンク５２２Ｙと、行方向に延伸して列方向に複数並設されている行バンク１２２Ｘとがある。図３に示すように、列バンク５２２Ｙは、行バンク１２２Ｘと直交する行方向に沿った状態で設けられており、列バンク５２２Ｙと行バンク１２２Ｘとで格子状をなしている（以後、行バンク１２２Ｘ、列バンク５２２Ｙを区別しない場合は「バンク１２２」と称する）。

行バンク１２２Ｘの形状は、行方向に延伸する線状であり、列方向に平行に切った断面は上方を先細りとする順テーパー台形状である。行バンク１２２Ｘは、各列バンク５２２Ｙを貫通するようにして、列方向と直交する行方向に沿った状態で設けられており、各々が列バンク５２２Ｙの上面５２２Ｙｂよりも低い位置に上面を有する。そのため、行バンク１２２Ｘと列バンク５２２Ｙとにより、自己発光領域１００ａに対応する開口が形成されている。

行バンク１２２Ｘは、発光層１２３の材料となる有機化合物を含んだインクの列方向への流動を制御するためのものである。そのため、行バンク１２２Ｘは、インクに対する親液性が所定の値以上であることが必要である。係る構成により、副画素間のインク塗布量の変動を抑制する。行バンク１２２Ｘにより画素電極１１９は、露出することはなく、行バンク１２２Ｘが存在する領域では発光せず、輝度には寄与しない。

行バンク１２２Ｘは、画素電極１１９の列方向における外縁１１９ａ１、ａ２の上方に存在する。
行バンク１２２Ｘは、共通電極層１２５との間の電気的リークを防止するとともに、列方向における各副画素１００ｓｅの発光領域１００ａの外縁を規定する。
列バンク５２２Ｙの形状は、列方向に延伸する線状であり、行方向に平行に切った断面は、上方を先細りとする順テーパー台形状である。列バンク５２２Ｙは、発光層１２３の材料となる有機化合物を含んだインクの行方向への流動を堰き止めて形成される発光層１２３の行方向外縁を規定するものである。

列バンク５２２Ｙは、画素電極１１９の行方向における外縁１１９ａ３、ａ４上方及び第１補助電極層１３５の行方向における外縁１３５ａ１、ａ２により、行方向の基部が規定されている。列バンク５２２Ｙは、共通電極層１２５との間の電気的リークを防止するとともに、行方向における各副画素１００ｓｅの発光領域１００ａの外縁を規定する。列バンク５２２Ｙはインクに対する撥液性が所定の値以上であることが必要である。

（５）ホール輸送層１２１
図４に示すように、間隙５２２ｚＲ、５２２ｚＧ、５２２ｚＢ内におけるホール注入層１２０上には、ホール輸送層１２１が積層される。また、行バンク１２２Ｘにおけるホール注入層１２０上にも、ホール輸送層１２１が積層される（不図示）。ホール輸送層１２１は、ホール注入層１２０のホール注入層１２０Ｂに接触している。ホール輸送層１２１は、ホール注入層１２０から注入されたホールを発光層１２３へ輸送する機能を有する。間隙５２２ｚＲ、５２２ｚＧ、５２２ｚＢ内に設けられたホール輸送層１２１を、それぞれホール輸送層１２１Ｒ、ホール輸送層１２１Ｇ及びホール輸送層１２１Ｂとする。

本実施の形態では、後述する間隙５２２ｚ内では、ホール輸送層１２１は、ホール注入層１２０Ｂと同様、列方向に延伸するように線状に設けられている構成を採る。しかしながら、ホール輸送層１２１は間隙５２２ｚ内では列方向に断続して設けられている構成としてもよい。
（６）発光層１２３
図４に示すように、ホール輸送層１２１上には、発光層１２３が積層されている。発光層１２３は、有機化合物からなる層であり、内部でホールと電子が再結合することで光を発する機能を有する。列バンク５２２Ｙにより規定された間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＧ、間隙５２２ｚＢ内では、発光層１２３は、列方向に延伸するように線状に設けられている。赤色副画素１００ｓｅＲ内の自己発光領域１００ａＲに対応する赤色間隙５２２ｚＲ、緑色副画素１００ｓｅＧ内の自己発光領域１００ａＧに対応する緑色間隙５２２ｚＧ、青色副画素１００ｓｅＢ内の自己発光領域１００ａＢに対応する青色間隙５２２ｚＢには、それぞれ各色に発光する発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂが形成されている。

発光層１２３は、画素電極１１９からキャリアが供給される部分のみが発光するので、層間に絶縁物である行バンク１２２Ｘが存在する範囲では、有機化合物の電界発光現象が生じない。そのため、発光層１２３は、行バンク１２２Ｘがない部分のみが発光して、この部分が自己発光領域１００ａとなり、自己発光領域１００ａの列方向における外縁は、行バンク１２２Ｘの列方向外縁により規定される。

発光層１２３のうち行バンク１２２Ｘの側面及び上面の上方にある部分は発光せず、この部分は非自己発光領域となる。発光層１２３は、自己発光領域においては、ホール輸送層１２１の上面に位置し、非自己発光領域１００ｂにおいては行バンク１２２Ｘの上面及び側面上のホール輸送層１２１上面に位置する（不図示）。
なお、発光層１２３は、自己発光領域１００ａだけでなく、隣接する非自己発光領域１００ｂまで連続して延伸されている。このようにすると、発光層１２３の形成時に、自己発光領域１００ａに塗布されたインクが、非自己発光領域１００ｂに塗布されたインクを通じて列方向に流動でき、列方向の画素間でその膜厚を平準化することができる。但し、非自己発光領域１００ｂでは、行バンク１２２Ｘによって、インクの流動が程良く抑制される。よって、列方向に大きな膜厚むらが発生しにくく画素毎の輝度むらが改善される。

（７）電子輸送層１２４
図３、図４及び図５に示すように、列バンク５２２Ｙ及び列バンク５２２Ｙにより規定された間隙５２２ｚを被覆するように電子輸送層１２４が積層して形成されている。電子輸送層１２４については、表示パネル１０の少なくとも表示領域全体に連続した状態で形成されている。電子輸送層１２４は、基板１００ｘ側から順に金属酸化物又はフッ化物等からなる電子輸送層１２４Ａと、電子輸送層１２４Ａ上に積層された有機物を主成分とする電子輸送層１２４Ｂとを含む（以後において、電子輸送層１２４Ａ、１２４Ｂを総称する場合は「電子輸送層１２４」と表記する）。

電子輸送層１２４は、図４及び図５に示すように、発光層１２３上に形成されている。電子輸送層１２４は、共通電極層１２５からの電子を発光層１２３へ輸送するとともに、発光層１２３への電子の注入を制限する機能を有する。
電子輸送層１２４は、図４及び図５に示すように、第１補助電極層１３５及び第２補助電極層２００の上方にも形成される。したがって、第２補助電極層２００上にホール輸送層１２１が積層されている本実施の形態の構成では、ホール輸送層１２１上面にも形成される。図５に示すように、電子輸送層１２４は、第１補助電極層１３５の端部及び第２補助電極層２００の端部において、欠落（段切れ）又は薄層化している。

ここで、「欠落」とは、電子輸送層１２４の一部分が途切れて不連続になり下地が見えている状態をさす。欠落によって、電子輸送層３１２４の欠落している部分において、共通電極層１２５と第１補助電極層１３５とが接することにより、両者が電気的に接続される構造を実現することができる。その結果、欠落している部分以外よりも低い電気抵抗にて、共通電極層１２５と第１補助電極層１３５とが接続される。

また、「薄層化」とは、電子輸送層１２４の一部分が欠落するには至らないものの、電子輸送層１２４の一部分が第１補助電極１３５、第２補助電極２００の上平面上よりもその断面部においては薄層化された薄層化部が形成されることをさす。薄層化によって、電子輸送層１２４の薄層化部において、薄層化部以外の部分よりも低い電気抵抗にて、共通電極層１２５が第１補助電極層１３５に電気的に接続される構造を実現することができる。

また、電子輸送層１２４においては、金属酸化物又はフッ化物等からなる電子輸送層１２４Ａの抵抗が大きいため、電子輸送層１２４Ａを欠落、薄膜化することだけで大きな効果を得ることができる。
そのため、電子輸送層１２４が欠落又は薄層化している部分に相当する第２補助電極層２００における側面部において、第２補助電極層２００の表層２０１と共通電極層１２５とが接する構成となる。しかしながら、上述のとおり、第２補助電極層２００は、第２補助電極層２００の表層２０１にはアルミニウムの酸化物が形成されているので、第２補助電極層２００の表層２０１と共通電極層１２５との接触電気抵抗は高いものとなる。

他方、電子輸送層１２４が欠落又は薄層化している部分に相当する第１補助電極層１３５における側面上の一部領域１３５ａ１、１３５ａ２において、第１補助電極層１３５と共通電極層１２５の少なくとも一部とが接触している。ここでは、第１補助電極層１３５の表層部には金属の酸化物が形成されていないので、第１補助電極層１３５側面上の一部領域１３５ａ１、１３５ａ２と共通電極層１２５との接触電気抵抗は低いものとなる。

このとき、第２補助電極層２００と共通電極層１２５との間には１層以上からなる機能層である電子輸送層１２４が配されているが、第１補助電極層１３５の厚みは電子輸送層１２４の層厚よりも厚いことが好ましい。言い換えると、第１補助電極層１３５の厚みは、画素電極１１９（第１補助電極層１３５）形成後に、第１補助電極層１３５に積層して真空蒸着法により形成され、電気的接触において高抵抗成分となる機能層の総厚よりも厚いことが好ましい。

係る構成を採ることにより、図５に示すように、第１補助電極層１３５の側面上の一部領域１３５ａ１、１３５ａ２において、第１補助電極層１３５と共通電極層１２５とを第１補助電極１３５の上面でより、より低抵抗に接触させることができる。
（８）共通電極層１２５
図４及び図５に示すように、電子輸送層１２４上に、共通電極層１２５が形成されている。共通電極層１２５は、各発光層１２３に共通の電極となっている。共通電極層１２５は、基板１００ｘ側から順に金属酸化物からなる共通電極層１２５Ａと、共通電極層１２５Ａ上に積層された金属を主成分とする共通電極層１２５Ｂとを含む（以後において、共通電極層１２５Ａ、１２５Ｂを総称する場合は「共通電極層１２５」と表記する）。

共通電極層１２５は、図４に示すように、電子輸送層１２４上の画素電極１１９上方の領域にも形成される。共通電極層１２５は、画素電極１１９と対になって発光層１２３を挟むことで通電経路を作り、発光層１２３へキャリアを供給するものであり、例えば陰極として機能した場合は、発光層１２３へ電子を供給する。
共通電極層１２５Ａは、図４及び図５に示すように、第１補助電極層１３５及び第２補助電極層２００上方の領域にも形成される。このとき、共通電極層１２５Ａは、電子輸送層１２４が欠落又は薄層化している部分に相当する第１補助電極層１３５の側面上の一部領域１３５ａ１、１３５ａ２と電気的に接する。

他方、共通電極層１２５Ｂは、図４及び図５に示すように、主として共通電極層１２５Ａの上面にのみ形成される。
（９）封止層１２６
共通電極層１２５を被覆するように、封止層１２６が積層形成されている。封止層１２６は、発光層１２３が水分や空気などに触れて劣化することを抑制するためのものである。封止層１２６は、共通電極層１２５の上面を覆うように設けられている。

（１０）接合層１２７
封止層１２６のＺ軸方向上方には、上部基板１３０のＺ軸方向下側の主面にカラーフィルタ層１２８が形成されたカラーフィルタ基板１３１が配されており、接合層１２７により接合されている。接合層１２７は、基板１００ｘから封止層１２６までの各層からなる背面パネルとカラーフィルタ基板１３１とを貼り合わせるとともに、各層が水分や空気に晒されることを防止する機能を有する。

（１１）上部基板１３０
接合層１２７の上に、上部基板１３０にカラーフィルタ層１２８が形成されたカラーフィルタ基板１３１が設置・接合されている。上部基板１３０には、表示パネル１０がトップエミッション型であるため、例えば、カバーガラス、透明樹脂フィルムなどの光透過性材料が用いられる。また、上部基板１３０により、表示パネル１０、剛性向上、水分や空気などの侵入防止などを図ることができる。

（１２）カラーフィルタ層１２８
上部基板１３０には画素の各色自己発光領域１００ａに対応する位置にカラーフィルタ層１２８が形成されている。カラーフィルタ層１２８は、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する波長の可視光を透過させるために設けられる透明層であり、各色画素から出射された光を透過させて、その色度を矯正する機能を有する。例えば、本例では、赤色間隙５２２ｚＲ内の自己発光領域１００ａＲ、緑色間隙５２２ｚＧ内の自己発光領域１００ａＧ、青色間隙５２２ｚＢ内の自己発光領域１００ａＢの上方に、赤色、緑色、青色のフィルタ層１２８Ｒ、１２８Ｇ、１２８Ｂが各々形成されている。

（１３）遮光層１２９
上部基板１３０には、各画素の発光領域１００ａ間の境界に対応する位置に遮光層１２９が形成されている。遮光層１２９は、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する波長の可視光を透過させないために設けられる黒色樹脂層であって、例えば光吸収性及び遮光性に優れる黒色顔料を含む樹脂材料からなる。

１．４．３ 各部の構成材料
図３、図４及び図５に示す各部の構成材料について、一例を示す。
（１）基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）
基材１００ｐとしては、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属基板、ガリウム砒素基などの半導体基板、プラスチック基板等を採用することができる。

可撓性を有するプラスチック材料として、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂いずれの樹脂を用いてもよい。可撓性を有する材料からなるフィルムであってもよい。基材の材料としては、電気絶縁性を有する材料、例えば、樹脂材料を用いることができる。具体的には、基板５０に用いることが可能な材料としては、例えば、ポリイミド、ポリイミドベンゾオキサゾール、ポリイミドベンゾイミダゾールのほかにポリイミドを単位構造として含む共重合体、ポリエステル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンナフタレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、アクリル−スチレン共重合体、ブタジエン−スチレン共重合体、エチレン−ビニルアルコール共重合体、ポリエーテル、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリアセタール、ポリフェニレンオキシド、変形ポリフェニレンオキシド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン等が挙げられる。また、これらの材料のうち１種または２種以上を組み合わせた多層構造であってもよい。

ＴＦＴ層は、基材１００ｐに形成されたＴＦＴ回路と、ＴＦＴ回路上に形成された無機絶縁層１１６、平坦化層１１８とを有する。ＴＦＴ回路は、基材１００ｐ上面に形成された複数のＴＦＴ及び配線からなる。ＴＦＴは、発光素子１００の外部回路からの駆動信号に応じ、自身に対応する画素電極１１９と外部電源とを電気的に接続するものであり、電極、半導体層、絶縁層などの多層構造からなる。配線は、ＴＦＴ、画素電極１２、外部電源、外部回路などを電気的に接続している。

ＴＦＴを構成するゲート電極、ゲート絶縁層、チャネル層、チャネル保護層、ソース電極、ドレイン電極などには公知の材料を用いることができる。ゲート電極としては、例えば、銅（Ｃｕ）とモリブデン（Ｍｏ）との積層体を採用している。
ゲート絶縁層１０３としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）など、電気絶縁性を有する材料であれば、公知の有機材料や無機材料のいずれも用いることができる。チャネル層としては、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）から選択される少なくとも一種を含む酸化物半導体を採用することができる。

チャネル保護層１０６としては、例えば、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、あるいは酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）を用いることができる。ソース電極、ドレイン電極としては、例えば、銅マンガン（ＣｕＭｎ）と銅（Ｃｕ）とモリブデン（Ｍｏ）の積層体を採用することができる。
ＴＦＴ上部の無機絶縁層１１６は、ガスバリア性を有する無機化合物からなる。例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）、窒化シリコン（ＳｉＮ）や酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、酸化シリコン（ＳｉＯ）や酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）を用いることもできる。

ＴＦＴの接続電極層としては、例えば、モリブデン（Ｍｏ）と銅（Ｃｕ）と銅マンガン（ＣｕＭｎ）との積層体を採用することができる。なお、接続電極層の構成に用いる材料としては、これに限定されるものではなく、導電性を有する材料から適宜選択することが可能である。
基板１００ｘの上面に位置する平坦化層１１８の材料としては、例えば、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、シロキサン系樹脂、ノボラック型フェノール系樹脂などの有機化合物を用いることができる。

（２）画素電極１１９、補助画素電極１５０、第２補助電極層２００及び第１補助電極層１３５
画素電極１１９は、金属材料から構成されている。トップエミッション型の本実施の形態に係る表示パネル１０の場合には、厚みを最適に設定して光共振器構造を採用することにより出射される光の色度を調整し輝度を高めているため、画素電極１１９の表面部が高い反射性を有することが必要である。本実施の形態に係る表示パネル１０では、画素電極１１９は、金属層、合金層、透明導電膜の中から選択される複数の膜を積層させた構造であってもよい。金属層としては、シート抵抗が小さく、高い光反射性を有する材料として、例えば、銀（Ａｇ）又はアルミニウム（Ａｌ）を含む金属材料から構成することができる。例えば、アルミニウム（Ａｌ）合金では、反射率が８０〜９５％と高く、電気抵抗率が、２．８２×１０^-8（１０ ｎΩｍ）小さく、第２補助電極層２００の材料として好適である。

アルミニウム合金などの金属層の他、高反射率の観点から、例えば、銀や銀を含む合金等を用いることができる。透明導電層の構成材料としては、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用いることができる。さらに、コスト面からアルミニウムを主成分として含む金属層、合金層を用いることが好ましい。
第２補助電極層２００の厚みは、反射率、シート抵抗の観点から数３０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましく、本実施の形態では、例えば、１００ｎｍである。

なぜなら、第２補助電極層２００は、基板上の画素電極１１９と同時に同層に形成されるために、画素電極１１９と同じ材料により形成されている。したがって、第２補助電極層２００には、アルミニウムを主成分として含む金属層、合金層を用いることが最も好ましい。
第１補助電極層１３５は、第２補助電極層２００を構成する材料と異なる金属を主成分として含み、第２補助電極層２００を構成する材料よりも大気中における接触抵抗が低い材料からなる。具体的には、第１補助電極層１３５は、例えば、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、ランタン（Ｌａ）、インジウム（Ｉｎ）などの金属材料から形成されることが好ましい。例えば、タングステン（Ｗ）は、反射率が５０〜６０％で、電気抵抗率についても、５．２９×１０^-8（１０ ｎΩｍ）程度とアルミニウム（Ａｌ）より劣るものの、第２補助電極２００の上層には第１の補助電極１３５が積層され電気的に接触できている。そのため、補助電極としてのシート抵抗は低抵抗化できるととともに、同層で形成される画素電極１１９としても高い反射も両立できる。このため、下層である第１補助電極層１３５の材料として好適である。また、同じ思想のもと、第２補助電極としては、ＩＴＯ又はＩＺＯなどの導電性を有する金属酸化物を用いることができる。第１補助電極層１３５に、これらの材料を用いることで、第１補助電極だけのシート抵抗としてはアルミニウムには及ばないものの、第２補助電極２００との積層により、シート抵抗を低くすることができるとともに、第１補助電極層１３５の表層部には高抵抗となる金属の酸化物は形成されにくい構成とすることができる。その結果、共通電極層１２５と接触する第１補助電極層１３５の側面上の一部領域１３５ａ１、１３５ａ２と共通電極層１２５との良好な接触電気抵抗をより低くすることができる。

第１補助電極層１３５の厚みは、上述のとおり、５ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることが好ましく、本実施の形態では、例えば、５０ｎｍである。
（３）ホール注入層１２０
ホール注入層１２０Ａは、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化物からなる層である。ホール注入層１２０Ａを遷移金属の酸化物から構成する場合には、複数の酸化数をとるためこれにより複数の準位をとることができ、その結果、ホール注入が容易になり駆動電圧を低減することができる。

本実施の形態では、ホール注入層１２０Ａは、タングステン（Ｗ）の酸化物（組成式ＷＯｘにおいて、ｘは概ね２＜ｘ＜３の範囲における実数）を含む構成とした。このとき、タングステン（Ｗ）の酸化物は、５価タングステン原子の６価タングステン原子の比率（Ｗ⁵⁺／Ｗ⁶⁺）が大きいほど、有機ＥＬ素子の駆動電圧が低くなるため、５価タングステン原子を所定値以上多く含むことが好ましい。ホール注入層１２０Ａは、膜厚が２ｎｍ以上（ここでは一例として１０ｎｍ）３０ｎｍ以下の酸化タングステン層として構成される。ホール注入層１２０Ａは、酸化タングステンから構成されることが望ましいが、通常混入し得る程度の極微量の不純物が含まれていてもよい。膜厚は２ｎｍ以上あると、均一な成膜を行いやすく、また、以下に示す陽極２とホール注入層１２０との間のショットキーオーミック接続を形成しやすいので、好ましい。ショットキーオーミック接続は酸化タングステンの膜厚が２ｎｍ以上で安定して形成されるため、これ以上の膜厚でホール注入層１２０を形成すれば、ショットキーオーミック接続を利用して、画素電極１１９からホール注入層１２０への安定したホール注入効率を期待できる。「ショットキーオーミック接続」とは、画素電極１１９のフェルミレベルと、前述したホール注入層１２０のフェルミ面近傍の占有準位で最も低い結合エネルギーとの差が所定値以下に収まっている接続を言う。

ホール注入層１２０Ｂは、上述のとおり、例えば、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料の有機高分子溶液からなる塗布膜を用いることができる。また、図４に示すように、青色副画素、緑色副画素及び赤色副画素内に設けられたホール注入層１２０Ｂを、それぞれホール注入層１２０ＢＢ、１２０ＢＧ及び１２０ＢＲとしたとき、ホール注入層１２０ＢＲの厚みは、ホール注入層１２０ＢＢの厚み及びホール注入層１２０ＢＧの厚みよりも大きく構成されている。ホール注入層１２０ＢＢの厚みは０ｎｍより大きく２５ｎｍ以下であり、ホール注入層１２０ＢＧの厚みは０ｎｍより大きく３０ｎｍ以下であり、ホール注入層１２０ＢＲの厚みは２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることが好ましい。

（４）バンク１２２
バンク１２２は、樹脂等の有機材料を用い形成されており絶縁性を有する。バンク１２２の形成に用いる有機材料の例としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等があげられる。バンク１２２は、有機溶剤耐性を有することが好ましい。より好ましくは、アクリル系樹脂を用いることが望ましい。屈折率が低くリフレクターとして好適であるからである。

又は、バンク１２２は、無機材料を用いる場合には、屈折率の観点から、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ）を用いることが好ましい。あるいは、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの無機材料を用い形成される。
さらに、バンク１２２は、製造工程中において、エッチング処理、ベーク処理など施されることがあるので、それらの処理に対して過度に変形、変質などをしないような耐性の高い材料で形成されることが好ましい。

また、表面に撥水性をもたせるために、表面をフッ素処理することもできる。また、バンク１２２の形成にフッ素を含有した材料を用いてもよい。また、バンク１２２の表面に撥水性を低くするために、バンク１２２に紫外線照射を行う、低温でベーク処理を行ってもよい。
（５）ホール輸送層１２１
ホール輸送層１２１は、例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはアミン系有機高分子であるポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物、あるいは、ＴＦＢ（ｐｏｌｙ（９、９−ｄｉ−ｎ−ｏｃｔｙｌｆｌｕｏｒｅｎｅ−ａｌｔ−（１、４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ−（（４−ｓｅｃ−ｂｕｔｙｌｐｈｅｎｙｌ）ｉｍｉｎｏ）−１、４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ））などを用いることができる。図４に示すように、青色副画素、緑色副画素及び赤色副画素内に設けられたホール輸送層１２１を、それぞれホール輸送層１２１Ｂ、ホール輸送層１２１Ｇ及びホール輸送層１２１Ｒとしたとき、これらの膜厚は概ね１０ｎｍから３０ｎｍの範囲であることが好ましい。

（６）発光層１２３
発光層１２３は、上述のように、ホールと電子とが注入され再結合されることにより励起状態が生成され発光する機能を有する。発光層１２３の形成に用いる材料は、湿式印刷法を用い製膜できる発光性の有機材料を用いることが必要である。
具体的には、例えば、特許公開公報（日本国・特開平５−１６３４８８号公報）に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質で形成されることが好ましい。

（７）電子輸送層１２４
電子輸送層１２４には、電子輸送性が高い有機材料が用いられる。電子輸送層１２４Ａは、フッ化ナトリウムで形成された層を含んでいてもよい。電子輸送層１２４Ｂに用いられる有機材料としては、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などのπ電子系低分子有機材料が挙げられる。電子輸送層１２４Ａは膜厚が１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲で形成されている。

また、電子輸送層１２４Ｂは、電子輸送性が高い有機材料に、アルカリ金属、又は、アルカリ土類金属から選択されるドープ金属がドープされて形成された層を含んでいてもよい。アルカリ金属は、具体的には、Ｌｉ（リチウム）、Ｎａ（ナトリウム）、Ｋ（カリウム）、Ｒｂ（ルビジウム）、Ｃｓ（セシウム）、Ｆｒ（フランシウム）である。また、アルカリ土類金属は、具体的には、Ｃａ（カルシウム）、Ｓｒ（ストロンチウム）、Ｂａ（バリウム）、Ｒａ（ラジウム）である。実施の形態では、Ｂａがドープされている。Ｂａのドープ濃度は４０ｗｔ％以下であり、２０ｗｔ％以下が好ましく、１５ｗｔ％以下がより好ましい。電子輸送層１２４Ｂは膜厚が少なくとも１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲で形成されている。本実施の形態では、電子輸送層１２４は、約３０ｎｍとした。

（８）共通電極層１２５
共通電極層１２５Ａは、光透過性を有する導電材料が用いられる。例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）若しくは酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用い形成される。
共通電極層１２５Ｂは、銀（Ａｇ）又はアルミニウム（Ａｌ）などを薄膜化した電極を用い形成される。

（９）封止層１２６
封止層１２６は、発光層１２３などの有機層が水分に晒されたり、空気に晒されたりすることを抑制する機能を有し、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの透光性材料を用い形成される。また、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの材料を用い形成された層の上に、アクリル樹脂、シリコン樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層を設けてもよい。

封止層１２６は、トップエミッション型である本実施の形態に係る表示パネル１０の場合においては、光透過性の材料で形成されることが必要となる。
（１０）接合層１２７
接合層１２７の材料は、例えば、樹脂接着剤等からなる。接合層１２７は、アクリル樹脂、シリコン樹脂、エポキシ樹脂などの透光性材料樹脂材料を採用することができる。

（１１）上部基板１３０
上部基板１３０としては、例えば、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板等に透光性材料を採用することができる。
（１２）カラーフィルタ層１２８
カラーフィルタ層１２８としては、公知の樹脂材料（例えば市販製品として、ＪＳＲ株式会社製カラーレジスト）等を採用することができる。

（１３）遮光層１２９
遮光層１２９としては、紫外線硬化樹脂（例えば紫外線硬化アクリル樹脂）材料を主成分とし、これに黒色顔料を添加してなる樹脂材料からなる。黒色顔料としては、例えば、カーボンブラック顔料、チタンブラック顔料、金属酸化顔料、有機顔料など遮光性材料を採用することができる。

２ 表示パネル１０の製造方法
表示パネル１０の製造方法について、図６〜１１を用いて説明する。図６〜図１１における各図は、表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図３におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。
（１）基板１００ｘの準備
複数のＴＦＴや配線が形成された基板１００ｘを準備する。基板１００ｘは、公知のＴＦＴの製造方法により製造することができる（図６（ａ））。

（２）平坦化層１１８の形成
基板１００ｘを被覆するように、上述の平坦化層１１８の構成材料（感光性の樹脂材料）をフォトレジストとして塗布し、表面を平坦化することにより平坦化層１１８を形成する（図６（ｂ））。
コンタクト孔（不図示）の形成は、以下のプロセスにより行う。先ず、平坦化層１１８を形成した後、所定の開口部が施されたフォトマスクを重ね、その上から紫外線照射を行い平坦化層１１８を露光し、フォトマスクが有するパターンを転写する。その後、現像によって、コンタクト孔をパターニングした平坦化層１１８を形成する。コンタクト孔の底部において、基板１００ｘ上の配線が露出する。ポジ型のフォトレジストを用いて平坦化層１１８を形成しているが、ネガ型のフォトレジストを用いて平坦化層１１８を形成してもよい。

（３）、補助画素電極１５０、第１補助電極層１３５、画素電極１１９、第２補助電極層２００、ホール注入層１２０Ａの形成
スパッタリング法、真空蒸着法などの気相成長法を用い金属膜を積層して形成した後、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を用いパターニングすることでなされる。
具体的には、先ず、コンタクト孔を開設した平坦化層１１８を形成した後、平坦化層１１８の表面にドライエッチング処理を行い製膜前洗浄を行う。

次に、補助画素電極１５０、第１補助電極層１３５を形成するための第１金属層１５０Ｘをスパッタリング法、又は真空蒸着法などの気相成長法により平坦化層１１８の表面に製膜する（図６（ｃ））。本例では、タングステンをスパッタリング法により製膜する。
さらに、第１金属層１５０Ｘの表面に製膜前洗浄を行った後、画素電極１１９、第２補助電極層２００を形成するための第２金属層１１９Ｘを気相成長法により第１金属層１５０Ｘの表面に製膜する（図６（ｃ））。本例では、アルミニウム又はアルミニウムを主成分とする合金からなる膜をスパッタリング法により製膜する。

さらに、第１金属層１５０Ｘの表面に製膜前洗浄を行った後、ホール注入層１２０Ａを形成するための第３金属層１２０ＡＸを気相成長法により第２金属層１１９Ｘの表面に製膜する（図６（ｃ））。本例では、タングステンをスパッタリング法により製膜する。
その後、感光性樹脂等からなるフォトレジスト層ＦＲを塗布したのち、所定の開口部が施されたフォトマスクＰＭを載置し、その上から紫外線照射を行いフォトレジストを露光し、そのフォトレジストにフォトマスクが有するパターンを転写する（図６（ｄ））。次に、フォトレジスト層ＦＲを現像によってパターニングする。

その後、パターニングされたフォトレジスト層ＦＲを介して、第３金属層１２０ＡＸにドライエッチング処理を施してパターニングを行い、ホール注入層１２０Ａを形成する。
続けて、パターニングされたフォトレジスト層ＦＲ及びホール注入層１２０Ａを介して、第２金属層１１９Ｘにウエットエッチング処理を施ししてパターニングを行い、画素電極１１９及び第２補助電極層２００を形成する。このとき、ウエットエッチング処理によりパターニングされる第２補助電極層２００は、ドライエッチング処理によりパターニンフされる第２金属層１１９Ｘがホール注入層１２０Ａや第１補助電極層１３５よりも、数μｍ程度オーバエッチングされることがある。本開示においては、第２補助電極層２００が第１補助電極層１３５に重畳して配されていることを要件としているが、重畳して配されているという状態が、第２補助電極層２００が第１補助電極層１３５に対し数μｍ程度オーバエッチングされていることを許容するものであることは言うまでもない。

さらに、続けて、パターニングされたフォトレジスト層ＦＲ及びホール注入層１２０Ａ、画素電極１１９及び第２補助電極層２００を介して、第１金属層１３５Ｘにドライエッチング処理を施してパターニングを行い、補助画素電極１５０及び第１補助電極層１３５を形成する。ドライエッチング処理を行う理由は、タングステンや酸化タングステン膜とアルミ系合金とはウェットエッチングレートに大きな差があるため一括に処理することが困難であるため、タングステン、酸化タングステンはアルゴンガス等でのドライエッチングを使用し、アルミ合金はウェットエッチングを本実施の形態では使用したがその限りではない。

本実施の形態では、ホール注入層１２０Ａを所定条件で製膜及び焼成することにより、酸素欠陥構造を持つ酸化タングステンを含む酸化タングステン膜からなるホール注入層１２０を成膜して上述の占有準位を形成する構成としている。
ここでは反応性スパッタ法で成膜することが好適である。成膜ムラの発生が抑制されるからである。具体的には、ターゲットを金属タングステンにして反応性スパッタ法を実施する。スパッタガスとしてアルゴンガス、反応性ガスとして酸素ガスをチャンバー内に導入する。この状態で高電圧によりアルゴンをイオン化し、ターゲットに衝突させる。このとき、スパッタリング現象により放出された金属タングステンが酸素ガスと反応して酸化タングステンとなり成膜される。なお、このときの成膜条件は、いわゆる低レート条件に設定することが好ましい。

さらに、成膜した酸化タングステン膜に対して個別の焼成工程を実施してもよい。このとき、酸化タングステン膜の成膜を形成する膜厚により複数回に分けて行い、各製膜工程の後に焼成工程を行い、製膜工程と焼成工程とを複数回繰り返す構成としてもよい。これにより、膜密度を高め、溶解耐性を付与する。すなわち、ホール注入層１２０Ａを、酸化タングステン成膜後に所定条件の焼成工程（加熱温度２００℃以上２３０℃以内、加熱時間１５分以上４５分以内の条件で大気焼成する工程）で焼き締めを図る。これにより、膜密度を、５．８ｇ／ｃｍ³以上６．０ｇ／ｃｍ³以下の範囲まで増加させる。このように膜密度を増大させることで、製造時のバンク形成工程で用いるエッチング液や洗浄液に対する溶解耐性を付与し膜減りを抑制している。上記焼成条件に基づけば、焼成工程を経ても膜中の酸素欠陥構造は維持されるため、占有準位は温存され、ホール注入特性が低下することはない。このようにして良好なホール注入特性と溶解耐性の両立を高度に両立させる工程を使用したが、タングステン膜を２ｎｍ程度の膜厚でスパッタ成膜し、その後、加熱温度２００℃以上２３０℃以内大気焼成する酸化させた酸化タングステン膜の単層またはこれらのタングステン成膜と焼成を複数回実施し、所望の膜厚の酸化タングステン膜のプロセスを適用しても構わない。

最後に、フォトレジスト層ＦＲを剥離して、同一形状にパターニングされた補助画素電極１５０、画素電極１１９及びホール注入層１２０Ａの積層体と、第１補助電極層１３５、第２補助電極層２００及びホール注入層１２０Ａの積層体とを形成する（図７（ａ））。
このとき、コンタクト孔の内壁に沿って金属膜を形成することにより補助画素電極１５０の接続凹部を形成する。

補助画素電極１５０は、コンタクト孔の底部において露出した基板１００ｘ上の配線と接し、ＴＦＴの電極と電気的に接続された状態となる。
（４）バンク１２２の形成
ホール注入層１２０のホール注入層１２０Ａを形成した後、ホール注入層１２０Ａを覆うようにバンク１２２を形成する。バンク１２２の形成では、先ず行バンク１２２Ｘを形成し、その後、間隙５２２Ｚを形成するように列バンク５２２Ｙを形成する（図７（ｂ））。

バンク１２２の形成は、先ず、ホール注入層１２０Ａ上に、スピンコート法などを用い、バンク１２２の構成材料（例えば、感光性樹脂材料）からなる膜を積層形成する。そして、樹脂膜をパターニングして行バンク１２２Ｘ、列バンク５２２Ｙを順に形成する。行バンク１２２Ｘ、列バンク５２２Ｙのパターニングは、樹脂膜の上方にフォトマスクを利用し露光を行い、現像工程、焼成工程（約２３０℃、約６０分）をすることによりなされる。

具体的には、行バンク１２２Ｘの形成工程では、先ず、有機系の感光性樹脂材料、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等からなる感光性樹脂膜を形成した後、乾燥し、溶媒をある程度揮発させてから、所定の開口部が施されたフォトマスクを重ね、その上から紫外線照射を行い感光性樹脂等からなるフォトレジストを露光し、そのフォトレジストにフォトマスクが有するパターンを転写する。次に、感光性樹脂を現像によって行バンク１２２Ｘをパターニングした絶縁層を形成する。一般にはポジ型と呼ばれるフォトレジストが使用される。ポジ型は露光された部分が現像によって除去される。露光されないマスクパターンの部分は、現像されずに残存する。

ここで、ホール注入層１２０Ａは、上述のとおり、スパッタリング法あるいは真空蒸着法などの気相成長法を用い金属（例えば、タングステン）からなる膜を形成した後、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を用い各画素単位にパターニングされるが、行バンク１２２Ｘ、列バンク５２２Ｙに対する焼成工程において、金属が酸化されホール注入層１２０Ａとして完成する。

列バンク５２２Ｙの形成工程では、先ず、スピンコート法などを用い、列バンク５２２Ｙの構成材料（例えば、感光性樹脂材料）からなる膜を積層形成する。そして、樹脂膜をパターニングして間隙５２２ｚを開設して列バンク５２２Ｙを形成する。間隙５２２ｚの形成は、樹脂膜の上方にマスクを配して露光し、その後で現像することによりなされる。列バンク５２２Ｙは、列方向に延設され、行方向に間隙５２２ｚを介して並設される。

（５）有機機能層の形成
行バンク１２２Ｘ上を含む列バンク５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚ内に形成されたホール注入層１２０のホール注入層１２０Ａ上に対して、ホール注入層１２０のホール注入層１２０Ｂ、ホール輸送層１２１、発光層１２３を順に積層形成する（図７（ｃ））。

ホール注入層１２０Ｂは、インクジェット法を用い、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料を含むインクを列バンク５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚ内に塗布した後、溶媒を揮発除去させる。あるいは、焼成することによりなされる。その後、フォトリソグラフィー法およびエッチング法を用い各画素単位にパターニングしてもよい。

ホール輸送層１２１は、インクジェット法やグラビア印刷法によるウェットプロセスを用い、構成材料を含むインクを列バンク５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚ内に塗布した後、溶媒を揮発除去させる、あるいは、焼成することによりなされる（図８（ａ））。ホール輸送層１２１のインクを間隙５２２ｚ内に塗布する方法は、上述したホール注入層１２０Ｂにおける方法と同じである。あるいは、スパッタリング法を用い金属（例えば、タングステン）からなる膜を堆積し、焼成によって酸化して形成される。その後、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を用い各画素単位にパターニングしてもよい。

発光層１２３の形成は、インクジェット法を用い、構成材料を含むインクを列バンク５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚ内に塗布した後、焼成することによりなされる（図８（ａ））。具体的には、この工程では、副画素形成領域となる間隙５２２ｚに、インクジェット法によりＲ、Ｇ、Ｂいずれかの有機発光層の材料を含むインク１２３ＲＩ、１２３ＧＩ、１２３ＢＩをそれぞれ充填し、充填したインクを減圧下で乾燥させ、ベーク処理することによって、発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂを形成する。このとき、発光層１２３のインクの塗布では、先ず、液滴吐出装置を用いて発光層１２３の形成するための溶液の塗布を行う。基板１００ｘに対して赤色発光層、緑色発光層、青色発光層の何れかを形成するためのインクの塗布が終わると、次に、その基板に別の色のインクを塗布し、次にその基板に３色目のインクを塗布する工程が繰り返し行われ、３色のインクを順次塗布する。これにより、基板１００ｘ上には、赤色発光層、緑色発光層、青色発光層が、図の紙面横方向に繰り返して並んで形成される。発光層１２３のインクを間隙５２２ｚ内に塗布する方法の詳細は、上述したホール注入層１２０Ｂにおける方法と同じである。

ホール注入層１２０のホール注入層１２０Ｂ、ホール輸送層１２１、発光層１２３の形成方法は上記の方法には限定されず、インクジェット法やグラビア印刷法以外の方法、例えばディスペンサー法、ノズルコート法、スピンコート法、凹版印刷、凸版印刷等の公知の方法によりインクを滴下・塗布しても良い。
図３、図４及び図５に示すように、列バンク５２２Ｙ及び列バンク５２２Ｙにより規定された間隙５２２ｚを被覆するように電子輸送層１２４が積層して形成されている。電子輸送層１２４については、表示パネル１０の少なくとも表示領域全体に連続した状態で形成されている。電子輸送層１２４は、基板１００ｘ側から順に金属酸化物又はフッ化物等からなる電子輸送層１２４Ａと、電子輸送層１２４Ａ上に積層された有機物を主成分とする電子輸送層１２４Ｂとを含む（以後において、電子輸送層１２４Ａ、１２４Ｂを総称する場合は「電子輸送層１２４」と表記する）。

（６）電子輸送層１２４の形成
発光層１２３を形成した後、表示パネル１０の発光エリア（表示領域）全面にわたって、真空蒸着法などにより電子輸送層１２４を形成する（図８（ｂ））。真空蒸着法を用いる理由は有機膜である発光層１２３に損傷を与えないためと、高真空化で行う真空蒸着法は成膜対象の分子が基板に向かって垂直方向に直進的に成膜されるため、本実施の形態における第1補助電極１３５、第２補助電極２００の段面上の一部領域１３５ａ１、１３５ａ２においては成膜されにくく、欠陥（段切れ）または薄膜化させることができるためである。電子輸送層１２４は、基板１００ｘ側から順に金属酸化物又はフッ化物等からなる電子輸送層１２４Ａと、電子輸送層１２４Ａ上に積層された有機物を主成分とする電子輸送層１２４Ｂからなる。電子輸送層１２４Ａは、発光層１２３の上に、金属酸化物又はフッ化物を真空蒸着法などにより、例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の膜厚で成膜する。電子輸送層１２４Ａの上に、有機材料と金属材料との共蒸着法により、電子輸送層１２４Ｂを、例えば１０ｎｍ以上、５０ｎｍ以下の膜厚で成膜する。電子輸送層１２４は、第２補助電極層２００及び第１補助電極層１３５（第１補助電極層１３５上において、第２補助電極層２００が形成された部分を除く）の上にも形成される。その際、電子輸送層１２４は、第１補助電極層１３５の端部及び第２補助電極層２００の端部において、欠落（段切れ）又は薄層化して形成される。なお、電子輸送層１２４Ａ、１２４Ｂの膜厚は、一例であり、上記数値に限られるものではなく、光学的な光取り出しとして最も有利となる適切な膜厚とする。

（７）共通電極層１２５の形成
電子輸送層１２４を形成した後、電子輸送層１２４を被覆するように、共通電極層１２５を形成する。共通電極層１２５は、基板１００ｘ側から順に金属酸化物からなる共通電極層１２５Ａと、共通電極層１２５Ａ上に積層された金属を主成分とする共通電極層１２５Ｂとを含む。

このうち、先ず、共通電極層１２５Ａは、電子輸送層１２４を被覆するように、スパッタリング法などにより形成する（図８（ｃ））。本例では、共通電極層１２５Ａはスパッタリング法を用いてＩＴＯ又はＩＺＯなどの透明導電層を形成する構成としている。このとき、共通電極層１２５Ａは、第１補助電極層１３５及び第２補助電極層２００上方の領域にも形成され、スパッタリングによる成膜手法は回り込みによって等方的に成膜されやすく、共通電極層１２５Ａは、図４及び図５に示したように、電子輸送層１２４が欠落又は薄層化している部分に相当する第１補助電極層１３５の側面上の一部領域１３５ａ１、１３５ａ２と接する。電子輸送層１２４は真空蒸着を用いて欠陥（段切れ）や薄膜化させ、共通電極層は被覆性の高いスパッタリング成膜で、回り込み成膜をさせることが重要となる。

ここで、共通電極層１２５の形成方法について、さらに説明する。
まず、図１１を用いて、スパッタ装置６００の概略構成について説明する。スパッタ装置６００は、基板受け渡し室６１０、成膜室６２０、ロードロック室６３０を有し、成膜室６２０内で、マグネトロンスパッタ法によりスパッタリングを行う。成膜室６２０には、スパッタリングガスが導入されている。スパッタリングガスには、Ａｒ（アルゴン）等の不活性ガスが用いられる。本実施形態においては、Ａｒ（アルゴン）が用いられる。

スパッタ装置６００内のキャリア６２１には、成膜対象の基板６２２が設置される。基板６２２は、基板受け渡し室６１０において、基板突き上げ機構６１１によりキャリア６２１に装着される。基板６２２が装着されたキャリア６２１は、基板受け渡し室６１０から成膜室６２０を経由してロードロック室６３０まで、搬送路６０１上を一定の速度で直線移動する。本実施形態においては、キャリア６２１の移動速度は３０ｍｍ／ｓである。なお、基板６２２は加温せず、常温でスパッタリングが行われる。

成膜室６２０内には、搬送路６０１に対して直交する方向に延びる、棒状のターゲット６２３が設置されている。本実施の形態においては、ターゲット６２３は、ＩＴＯ又はＩＺＯである。なお、ターゲット６２３は、棒状である必要はなく、例えば、粉末状であってもよい。
電源６２４は、ターゲット６２３に対して電圧を印加する。なお、図１１では電源６２４は交流電源であるが、直流電源、又は、直流／交流のハイブリッド電源であってもよい。

排気系６３１によりスパッタ装置６００内を排気し、ガス供給系６３２により成膜室６２０内にスパッタリングガスを導入する。電源６２４によりターゲット６２３に電圧を印加すると、スパッタリングガスのプラズマが発生し、ターゲット６２３の表面がスパッタされる。そして、スパッタされたターゲット６２３の原子を基板６２２上に堆積させることにより成膜する。

なお、スパッタリングガスであるＡｒ（アルゴン）のガス圧は、例えば、０．６Ｐａであり、流量は１００ｓｃｃｍである。
次に、共通電極層１２５Ｂは、共通電極層１２５Ａ上にＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、スパッタリング法、又は真空蒸着法により形成する（図８（ｃ））。本例では、共通電極層１２５Ｂを真空蒸着法により銀を堆積することにより形成する構成としている。共通電極層１２５Ｂは、図４及び図５に示すように、主として共通電極層１２５Ａの上面にのみ形成される。ここで、共通電極層１２５Ａを被覆性の高いスパッタ成膜などで、電子輸送層１２４が欠落又は薄層化している部分に相当する第１補助電極層１３５の側面上の一部領域１３５ａ１、１３５ａ２に十分コンタクトできていれば、共通電極総１２５Ｂの成膜方法に関しては、真空蒸着法を適用することもできる。

（８）封止層１２６の形成
共通電極層１２５を形成した後、共通電極層１２５を被覆するように、封止層１２６を形成する（図８（ｄ））。封止層１２６は、ＣＶＤ法、スパッタリング法などを用い形成できる。
（９）カラーフィルタ基板１３１の形成
次に、カラーフィルタ基板１３１の製造工程を例示する。

透明な上部基板１３０を準備し、紫外線硬化樹脂（例えば紫外線硬化アクリル樹脂）材料を主成分とし、これに黒色顔料を添加してなる遮光層１２９の材料を透明な上部基板１３０の一方の面に塗布する（図９（ａ））。
塗布した遮光層１２９の上面に所定の開口部が施されたパターンマスクＰＭを重ね、その上から紫外線照射を行う（図９（ｂ））。

その後、パターンマスクＰＭ及び未硬化の遮光層１２９を除去して現像し、キュアすると、例えば、概矩形状の断面形状の遮光層１２９が完成する（図９（ｃ））。
次に、遮光層１２９を形成した上部基板１３０表面に、紫外線硬化樹脂成分を主成分とするカラーフィルタ層１２８（例えば、Ｇ）の材料１２８Ｇを塗布し（図９（ｄ））、所定のパターンマスクＰＭを載置し、紫外線照射を行う（図９（ｅ））。

その後はキュアを行い、パターンマスクＰＭ及び未硬化のペースト１２８Ｒを除去して現像すると、カラーフィルタ層１２８（Ｇ）が形成される（図９（ｆ））。
この図９（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）の工程を各色のカラーフィルタ材料について同様に繰り返すことで、カラーフィルタ層１２８（Ｒ）、１２８（Ｂ）を形成する（図９（ｇ））。なお、ペースト１２８Ｒを用いる代わりに市販されているカラーフィルタ製品を利用してもよい。

以上でカラーフィルタ基板１３１が形成される。
（１０）カラーフィルタ基板１３１と背面パネルとの貼り合わせ
次に、基板１００ｘから封止層１２６までの各層からなる背面パネルに、アクリル樹脂、シリコン樹脂、エポキシ樹脂などの紫外線硬化型樹脂を主成分とする接合層１２７の材料を塗布する（図１０（ａ））。

続いて、塗布した材料に紫外線照射を行い、背面パネルとカラーフィルタ基板１３１との相対的位置関係を合せた状態で両基板を貼り合わせる。このとき、両者の間にガスが入らないように注意する。その後、両基板を焼成して封止工程を完了すると、表示パネル１０が完成する（図１０（ｂ））。
３．表示パネル１０の効果について
以下、表示パネル１０から得られる効果について説明する。

補助電極層の材料として、金属層としては、シート抵抗が小さく、高い光反射性を有する材料として、銀又はアルミニウムを含む金属材料から構成することができる。このうち、補助電極層を安価なアルミニウムを含む金属材料から構成した場合、補助電極層の表面（表層）に、酸化膜が形成され、補助電極層と共通電極層との接触抵抗が高くなるという課題があった。

係る課題に対し、本実施の形態に係る表示パネル１０は、基板１００ｘ上に複数の画素電極１１９が行列状に配され、各画素電極１１９上に有機発光材料を含む発光層１２３が配されてなる有機ＥＬ表示パネルにおいて、基板１００ｘと、基板１００ｘの上方に行列状に配された複数の画素電極１１９と、基板１００ｘの上方において、隣接する画素電極１１９の間隙のうちの少なくとも１の間隙内に列又は行方向に延伸して配された第１補助電極層１３５と、第１補助電極層１３５に重畳して配されたアルミニウムを主成分として含み第２補助電極層２００と、複数の画素電極１１９上に配された複数の発光層１２３と、複数の発光層１２３の上方と、重畳して配された第１補助電極層１３５及び第２補助電極層２００とを覆って連続して配された共通電極層１２５とを備える。そして、第１補助電極層１３５と共通電極層１２５とは、少なくとも第１補助電極層１３５の上面に垂直な壁面上の一部領域１３５ａ１、ａ２において接しており、第１補助電極層１３５は、アルミニウムと異なる金属を主成分として含み、アルミニウムよりも大気中における接触抵抗が低い材料からなることを特徴とする。また、第２給電補助電極層２００は、少なくとも第２給電補助電極層２００の表層にはアルミニウムの酸化物が形成されている構成であってもよい。

ここで、第２補助電極層２００は、材料面において、アルミニウムを主成分として含み、かつ、少なくとも第２補助電極層２００の表層２０１にはアルミニウムの自然酸化物が形成されている。その上さらに、少なくとも、第２補助電極層２００の上方に形成されるホール注入層１２０Ｂの成膜後の加熱工程において、ホール注入層１２０Ｂ側から供給される酸素により第２補助電極層２００の表層２０１のアルミニウムが酸化するためである。

これに対し、第１補助電極層１３５は、材料面において、第２補助電極層２００を構成する材料と異なる金属、例えば、タングステン、クロム、チタン、モリブデン、ニッケル、銅、ランタン、インジウムから選択される１以上の金属を主成分として含む構成である。あるいは、第１補助電極層１３５はＩＴＯ又はＩＺＯからなる。このように、第１補助電極層１３５は、第２補助電極層２００を構成する材料よりも大気中における接触抵抗が低い材料からなる。これらの金属又は酸化物は、室温では化学的に安定しているので、第１補助電極層１３５の表層部には高抵抗となる金属の酸化物が形成されにくい構成としている。そのため、大気中における接触抵抗がアルミニウムよりも低くなる。言い換えれば、第２補助電極層２００の表層２０１付近の抵抗は、第１補助電極層１３５の表層付近の抵抗より高い構成を実現している。

本実施の形態の構造の効果により、従来断面での段切れによる電気的コンタクトない場合には１０００〜２０００MΩμｍ²程度のコンタクト抵抗であったが、本実施の形態では、５０〜１００ＭΩμｍ²程度に1桁以上低抵抗化できることができた。
他方、構造面では、共通電極層１２５は、重畳して配されている第１補助電極層１３５及び第２補助電極層２００を覆って連続して配されており、第１補助電極層１３５と共通電極層１２５とは、少なくとも第１補助電極層１３５の上面に垂直な壁面上の一部領域１３５ａ１、ａ２において接触している。

その結果、共通電極層１２５と接触する第１補助電極層１３５の側面の一部領域１３５ａ１、１３５ａ２と共通電極層１２５との接触電気抵抗をより低くすることができる。すなわち、第１補助電極層１３５と共通電極層１２５との間の接触抵抗は、第２補助電極層２００と共通電極層１２５との間の接触抵抗より低くすることができる。
また、従来の構成では、上述のとおり、補助電極層のアルミニウム合金が酸化した場合、補助電極層中に欠陥や異物などの存在により局所的に酸化膜を介さずに補助電極層と共通電極が電気的に接触した場合、その部位に電流が集中し局所的な発熱や材料劣化などが発生することが懸念された。しかしながら、表示パネル１０では、共通電極層１２５と接触する第１補助電極層１３５の側面の一部領域１３５ａ１、１３５ａ２と共通電極層１２５との接触電気抵抗をより低くすることができるので、補助電極層と共通電極とが局所的に酸化膜を介さずに接触しても、その部位における局所的な電流集中や、それに伴う局所的な発熱や材料劣化などを防止できる。

以上により、本開示の一態様に係る表示パネル１０は、補助電極層に画素電極と同じ光反射性を有する金属材料を用いた構成において、共通電極層と補助電極層との間の電気的接続における接触電気抵抗を低減することができる。その結果、発光効率を向上させると共に輝度ムラを抑制することができる。
また、上記の態様において、さらに、第２補助電極層２００と共通電極層１２５との間には、複数の発光層１２３の上方、第１補助電極層１３５及び第２補助電極層２００を覆って連続して配された１層以上からなる機能層１２４を備え、第１補助電極層１３５の一部領域１３５ａ１、１３５ａ２付近において、機能層１２４は欠落又は薄層化しており、第１補助電極層１３５の厚みは機能層１２４の厚みよりも厚い構成としてもよい。

さらに、光学的光取り出しを向上させる目的で電子輸送層の膜厚を、例えば、約１００ｎｍ程度まで増加する場合においても同様である。第１補助電極層１３５の厚みを、第２補助電極層２００と共通電極層１２５との間に第１補助電極層１３５及び第２補助電極層２００を覆って連続して配された機能層１２４の総厚よりも厚い構成とすることにより、共通電極層１２５を第１補助電極層１３５の上面に垂直な壁面上の一部領域１３５ａ１、ａ２において確実に接触させることができ、高いキャリア移動度と共通電極層と補助電極層との接触電気抵抗を低減とを両立できることは言うまでもない。

さらに、画素補助電極１５０と第１補助電極１３５ならびに、画素電極１１９と第２補助電極とは同一膜厚とすることで、同一層として同一工程で形成することでプロセスコストを削減することができる。
また、上記の態様において、発光部の光学的設計上、画素電極１１９とホール注入層１２０Ａとの間に光学調整層として、ＩＴＯ又はＩＺＯなどを挿入する際、同一層で形成された補助電極部において第２補助電極層２００と機能層１２４との間に、第１補助電極層１３５及び第２補助電極層２００の上方に不連続に配されたＩＴＯ又はＩＺＯからなる透明導電層を備える構成となっても本開示の効果は発揮される。

また、本実施の形態に係る表示パネル１０の製造方法は、基板１００ｘ上に複数の画素電極１１９が行列状に配され、各画素電極１１９上に有機発光材料を含む発光層１２３が配されてなる有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、基板１００ｘを準備する工程と、基板１００ｘの上方に行列状に複数の画素電極１１９を形成する工程と、基板１００ｘの上方において、隣接する画素電極１１９の間隙のうちの少なくとも１の間隙内に列又は行方向に延伸して、アルミニウムと異なる金属を主成分として含み、アルミニウムよりも大気中における接触抵抗が低い材料からなる第１補助電極層１３５を形成する工程と、第１補助電極層１３５上に第１補助電極層１３５と同じ方向に延伸して、第１補助電極層１３５に重畳して、アルミニウムを主成分として含む第２補助電極層２００を形成する工程と、複数の画素電極１１９上に複数の発光層１２３を形成する工程と、複数の発光層１２３の上方、第１補助電極層１３５及び第２補助電極層２００を覆って連続して、かつ、第１補助電極層１３５と共通電極層１２５とは、少なくとも第１補助電極層１３５の上面に垂直な壁面上の一部領域１３５ａ１、ａ２において接するように、共通電極層１２５をスパッタリング法により形成する工程とを有することを特徴とする。

また、上記態様において、第２補助電極層２００と共通電極層１２５との間に、複数の発光層１２３の上方、第１補助電極層１３５及び第２補助電極層２００を覆って連続して１層以上からなり、第１補助電極層１３５の厚みよりも薄い機能層１２４を真空蒸着法により形成する工程を有する構成としてもよい。このとき、機能層１２４は、第１補助電極層１３５の一部領域ａ１、ａ２付近において欠落又は薄層化して形成される構成としてもよい。

係る構成により、第１補助電極層１３５の厚みを、第２補助電極層２００とスパッタリング法により形成された共通電極層１２５との間に蒸着法により連続して配された機能層１２４の総厚よりも厚い構成とすることにより、スパッタリング法により形成された共通電極層１２５を蒸着法により形成された機能層１２４が欠落又は薄層化している第１補助電極層１３５の上面に垂直な壁面上の一部領域１３５ａ１、ａ２において確実に接触させることができる。

その結果、共通電極層と補助電極層との電気的接続における電気抵抗の低減を図り、発光効率を向上させると共に輝度ムラを抑制することができる表示パネル１０を製造できる。
４． 変形例
実施の形態に係る表示パネル１０を説明したが、本開示は、その本質的な特徴的構成要素を除き、以上の実施の形態に何ら限定を受けるものではない。例えば、実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本開示に含まれる。以下では、そのような形態の一例として、表示パネル１０の変形例を説明する。

（１）変形例１
表示パネル１０では、隣接する画素電極１１９の間隙のうちの少なくとも１の間隙内に列又は行方向に延伸して配された１条の第１補助電極層１３５と、第１補助電極層１３５に重畳して配された１条の第２補助電極層２００とを備え、第１補助電極層１３５と共通電極層１２５とは、少なくとも第１補助電極層１３５の上面に垂直な側面上の一部領域１３５ａ１、ａ２において接触している構成としている。

しかしながら、第１補助電極層１３５及び第２補助電極層２００の平面形状は上記に限られず適宜変更してもよい。
図１２（ａ）は、変形例１に係る表示パネル１０Ｖに係る表示パネル１０Ｘのバンク及び補助電極層の形状を示す模式平面図である。図１３（ａ）は、図１２（ａ）におけるＡ３−Ａ３で切断した模式断面図である。変形例１に係る表示パネル１０Ｖは、図１２（ａ）に示すように、隣接するバンク５２２Ｖの間隙に列方向に延伸して配された２条の第１補助電極層１３５Ｖ１、Ｖ２と、第１補助電極層１３５に重畳して配された２条の第２補助電極層２００Ｖ１、Ｖ２とを備えた構成としている。図１３（ａ）に示すように、２条の第１補助電極層１３５Ｖ１、Ｖ２と２条の第２補助電極層２００Ｖ１、Ｖ２の行方向外側に位置する２本の外縁はそれぞれバンク５２２Ｙに覆われている。すなわち、第１補助電極層１３５は、隣接するバンク５２２の基部と接触している。また、第２補助電極層２００Ｖ１、Ｖ２には表層２０１Ｖ１、Ｖ２に自然酸化物層が形成されている。

係る構成により、表示パネル１０Ｖでは、表示パネル１０に比べて、第１補助電極層１３５Ｖ１及び第２補助電極層２００Ｖ１の行方向断面に相当する分だけ補助電極の断面積を増加してシート抵抗を低減することができる。併せて、表示パネル１０Ｖでは、第１補助電極層１３５と共通電極層１２５とは２条の第１補助電極層１３５Ｖ１の行方向に対向する側面上の一部領域１３５Ｖａ１、Ｖａ２において接触している構成を採ることができ、表示パネル１０と同様の接触抵抗を実現することができる。

なお、２条の第１補助電極層１３５Ｖ１、Ｖ２と、２条の第１補助電極層１３５を設ける代わりに、１条の第１補助電極層１３５と１条の第２補助電極層２００のそれぞれにスリット状の開口を設けてもよい。
（２）変形例２
変形例３に係る表示パネル１０Ｗでは、第２補助電極層２００Ｗに設けられた貫通孔２００Ｘは、略円形の形状の孔が所定の間隔で列方向に一列に配されている。図１２（ｂ）は、変形例２に係る表示パネル１０Ｗに係る表示パネル１０Ｘのバンク及び補助電極層の形状を示す模式平面図である。図１３（ｂ）は、図１２（ｂ）におけるＡ４−Ａ４で切断した模式断面図である。変形例２に係る表示パネル１０Ｗは、図１２（ａ）に示すように、隣接するバンク５２２Ｗの間隙内に列方向に延伸して配された１条の第１補助電極層１３５Ｗと、第１補助電極層１３５に重畳して配された２条の第２補助電極層２００Ｗとを備え、第２補助電極層２００Ｗ及び第１補助電極層１３５を貫通する列方向に並んだ複数の孔２００Ｗａ、１３５Ｗａが開設された構成を採る。図１３（ｂ）に示すように、第２補助電極層２００Ｗ１、Ｗ２には表層２０１Ｗ１、Ｗ２に自然酸化物層が形成されている。

係る構成により表示パネル１０Ｗでは、第１補助電極層１３５と共通電極層１２５とは、第１補助電極層１３５Ｗの上面に垂直な側面上の一部領域１３５ａ１、ａ２に加えて、第１補助電極層１３５に開設された孔１３５Ｗａの内周面上の一部領域１３５Ｗａ１、Ｗａ２においても接する構成を採る。このため、表示パネル１０と比べて接触面積を増加することができ、表示パネル１０に比べて接触抵抗を低減することができる。

（３）変形例３
変形例３に係る表示パネル１０Ｘでは、第２補助電極層２００Ｘに設けられた貫通孔２００Ｘは、略円形の形状の孔が所定の間隔で列方向に二列に配されている。図１２（ｃ）は、変形例３に係る表示パネル１０Ｘのバンク及び補助電極層の形状を示す模式平面図である。具体的には、図１２（ｃ）に示す変形例３に係る表示パネル１０Ｘのように、隣接するバンク５２２Ｙの間隙内に列方向に延伸して配された１条の第１補助電極層１３５Ｘと、第１補助電極層１３５Ｘに重畳して配された１条の第２補助電極層２００Ｘとを備え、第２補助電極層２００Ｘ及び第１補助電極層１３５を貫通する列方向に２列に並んだ複数の孔２００Ｘａ、１３５Ｘａ及び２００Ｘｂ、１３５Ｘｂが開設された構成としてもよい。

係る構成により、表示パネル１０Ｗに比べてさらに接触面積を増加することができ、より一層接触抵抗を低減することができる。
（４）変形例４
表示パネル１０では、第１補助電極層１３５及び第２補助電極層２００は、基板１００ｘ上方、平坦化層１１８の上面においてそれぞれ補助画素電極１５０及び画素電極１１９と同層に延伸し配され、その上に共通電極層１２５を重畳させて共通電極層１２５との電気的な接続を図る構成としている。

しかしながら、基板１００ｘ及びその上方において。第１補助電極層１３５及び第２補助電極層２００を設ける層は上記に限られず適宜変更・追加してもよい。
図１４（ａ）は、変形例４に係る表示パネル１０Ｙにおける第２補助電極層２００周辺の断面図である。表示パネル１０Ｙでは、表示パネル１０Ｗの構成に加えて、さらに、平坦化層１１８Ｙを平坦化下部層１１８ＡＹと平坦化上部層１１８ＢＹからなる２層構成とし、平坦化下部層１１８ＡＹと平坦化上部層１１８ＢＹとの間に第３給電補助電極層１３５Ｙを備えた点に特徴がある。

具体的には、表示パネル１０Ｙは、基板１００ｘ上方に樹脂を主成分とする平坦化下部層１１８ＡＹと平坦化上部層１１８ＢＹとを備え、平坦化下部層１１８ＡＹと平坦化上部層１１８ＢＹとの層間には、列方向に延伸して配された第１補助電極層１３５Ｗと同じ材料からなる第３給電補助電極層１３５Ｙを備える。このとき、第３給電補助電極層１３５Ｙは、行方向において画素電極１１９と重ならない位置まで拡幅されてもよい。また、第１補助電極層１３５Ｗ上には、第２補助電極層２００Ｗ、ホール注入層１２０Ｂ、電子輸送層１２４Ａ、１２４Ｂ、共通電極層１２５Ａ、１２５Ｂ、封止層１２６が順に積層されている。さらに、平坦化上部層１１８ＢＹには、第３給電補助電極層１３５Ｙの上面までを貫通するコンタクトホール１１８ＢＹａが開設されており、第１補助電極層１３５Ｗはコンタクトホール１１８ＢＹａ内周面とコンタクトホール１１８ＢＹａの底面とに連続して配されている。そして、第１補助電極層１３５Ｗは、少なくとも第３給電補助電極層１３５Ｙ上面におけるコンタクトホール１１８ＢＹａ内の一部領域１３５Ｙａにおいて第３給電補助電極層１３５Ｙと接触している。このとき、上述した変形例３と同様に、共通電極層１２５との間には機能層１２４が配されており、第１補助電極層１３５Ｗの厚みは機能層１２４の厚みよりも厚く構成されている。そのため、第１補助電極層１３５Ｗは、側面上の一部領域１３５ａ１、１３５ａ２において共通電極層１２５Ｂと接触している。さらに、上述のとおり、第１補助電極層１３５Ｗは、コンタクトホール１１８ＢＹａ内において第３給電補助電極層１３５Ｙの一部領域１３５Ｙａと接触している。これより、第１補助電極層１３５Ｗ上の第２給電補助電極層２００Ｗの表層２０１Ｗにアルミニウムの自然酸化物層が形成された場合においても、図１４（ａ）中に示した経路Ｃ１、Ｃ２により、第１補助電極層１３５Ｙを介して共通電極層１２５と第３給電補助電極層１３５Ｙとが電気的に接続される構成とすることができ、第３給電補助電極層１３５Ｙを共通電極層１２５の給電補助電極として機能させることができる。

その結果、表示パネル１０Ｙでは、表示パネル１０Ｗに比べて、第３給電補助電極層１３５Ｙの行方向断面に相当する分だけ補助電極の断面積を増加してシート抵抗を低減することができ、画素密度の増加（高精細化）に伴う光取り出し効率低下抑制のための一手段として有効である。また、基板１００ｘ上の平坦化下部層１１８ＡＹと平坦化上部層１１８ＢＹとの間の層に補助電極を設ける構成から、ＴＦＴ配線による位置的制約が少なく、第３給電補助電極層１３５Ｙの平面的なレイアウトの自由度が向上する。

なお、コンタクトホール１１８ＢＹａを設ける位置は、上記した例に限られず、例えば、コンタクトホール１１８ＢＹａを図１４（ａ）と異なる位置に設ける構成としてもよい。
さらに、変形例４Ａでは、変形例４をさらに変形して、成膜工程において第１補助電極層１３５Ｗ上面をマスキングして第２補助電極層２００Ｗ、ホール注入層１２０Ｂを成膜することにより、第１補助電極層１３５Ｗ上には第２補助電極層２００Ｗ、ホール注入層１２０Ｂを設けない構成としてもよい。図１４（ｂ）は、表示パネル１０Ｙにおいて第１補助電極層１３５Ｗ上には第２補助電極層２００Ｗ及びホール注入層１２０Ｂを設けない変形例４Ａの断面図である。係る構成では、第１補助電極層１３５Ｗ上に、電子輸送層１２４Ａ、１２４Ｂ、共通電極層１２５Ａ、１２５Ｂ、封止層１２６が順に積層される。電子輸送層１２４Ａ、１２４Ｂは蒸着で形成される場合には、コンタクトホール１１８ＢＹａの内周面上には形成されない。したがって、コンタクトホール１１８ＢＹａの深さを共通電極層１２５Ａ、１２５Ｂの層厚よりも大きく採ることにより、コンタクトホール１１８ＢＹａの内周面上において第１補助電極層１３５Ｗの一部領域１３５ａ３、１３５ａ４が共通電極層１２５Ｂとが直接接触する構成とすることができる。あるいは、電子輸送層１２４Ａ、１２４Ｂはスパッタリング法やＣＶＤ法で形成される場合には、第１補助電極層１３５Ｗは電子輸送層１２４Ａ、１２４Ｂを介して共通電極層１２５Ｂと電気的に接続される構成とすることができる。

係る構成により、共通電極層１２５と第１給電補助電極層１３５Ｗとの接触箇所を増加し、第３給電補助電極層１３５Ｙへの給電経路の断面積を増加することができる。その結果、共通電極層１２５から給電補助電極への接続抵抗を低減できる。
（５）変形例５
表示パネル１０Ｗの構成に加えて、さらに、基板１００ｘを構成する層と層との間に、第４給電補助電極層１３５Ｚを備えた構成としてもよい。図１５（ａ）は、変形例５に係る表示パネル１０Ｚにおける第２補助電極層２００周辺の断面図である。

図１５（ａ）に示すように、表示パネル１０Ｚにおいて、基板１００ｘは、基材１００ｐと、ＴＦＴ回路を構成するゲート絶縁層１０３、チャンネル保護層１０６、それらの上方に無機材料を主成分とする無機絶縁層１１６とを含む。基板１００ｘ上方には、樹脂を主成分とする平坦化層１１８Ｙが形成されている。平坦化層１１８Ｙは平坦化下部層１１８ＡＹと平坦化上部層１１８ＢＹからなる２層構成でもよく、また、単一の層構成であってもよい。

表示パネル１０Ｚでは、基板１００ｘを構成する複数の層の層間において、例えば、チャンネル保護層１０６と無機絶縁層１１６との層間には、列又は行方向に延伸して配された第４給電補助電極層１３５Ｚを備える。なお、基板１００ｘ中の複数の層の層間において、第４給電補助電極層１３５Ｚを設ける位置は、チャンネル保護層１０６と無機絶縁層１１６との層間には限定されない。また、第４給電補助電極層１３５Ｚは、行方向において画素電極１１９と重ならない位置まで拡幅されてもよい。

第１補助電極層１３５Ｗ上には、第２補助電極層２００Ｗ、ホール注入層１２０Ｂ、電子輸送層１２４Ａ、１２４Ｂ、共通電極層１２５Ａ、１２５Ｂ、封止層１２６が順に積層されている。さらに、平坦化上部層１１８ＢＹ、平坦化下部層１１８ＡＹ、無機絶縁層１１６には、平坦化上部層１１８ＢＹ上面から第４給電補助電極層１３５Ｚの上面までを貫通するコンタクトホール１１６ａが開設されており、第１補助電極層１３５Ｗは、コンタクトホール１１６ａに内周面とコンタクトホール１１６ａの底面とに連続して配されている。そして、第４給電補助電極層１３５Ｚと第１補助電極層１３５Ｗとは、少なくとも第４給電補助電極層１３５Ｚ上面におけるコンタクトホール１１６ａ内の一部領域１３５Ｚａにおいて接触している。このとき、上述した変形例３、４と同様に、第１補助電極層１３５Ｗは、側面上の一部領域１３５ａ１、１３５ａ２において共通電極層１２５Ｂと接触するとともに、コンタクトホール１１６ａ内において第４給電補助電極層１３５Ｚの一部領域１３５Ｚａとも接触している。

これより、第１補助電極層１３５Ｗ上における第２給電補助電極層２００Ｗの表層２０１Ｗにアルミニウムの自然酸化物層が形成された場合でも、図１５（ａ）中に示した経路Ｃ３、Ｃ４により、第１補助電極層１３５Ｗを介して共通電極層１２５と第４給電補助電極層１３５Ｚとが電気的に接続されるので、第４給電補助電極層１３５Ｚを共通電極層１２５の給電補助電極として機能させることができる。

その結果、表示パネル１０Ｚでは、表示パネル１０Ｗに比べて、第４給電補助電極層１３５Ｚの行方向断面に相当する分だけ補助電極の断面積を増加してシート抵抗を低減することができ、画素密度の増加（高精細化）に伴う光取り出し効率低下抑制のための一手段として有効である。また、基板１００ｘ中のチャンネル保護層１０６と無機絶縁層１１６との間に補助電極を設ける構成から、基板１００ｘ上の画素電極１１９等による位置的制約が少なく、第４給電補助電極層１３５Ｚの平面的なレイアウトの自由度が向上する。

ここでも、コンタクトホール１１６ａを設ける位置は、上記した例に限られず、例えば、コンタクトホール１１６ａを図１５（ａ）と異なる位置に設ける構成としてもよい。
なお、変形例５Ａでは、変形例５をさらに変形して、成膜工程において第１補助電極層１３５Ｗ上面をマスキングして第２補助電極層２００Ｗ、ホール注入層１２０Ｂを成膜することにより、第１補助電極層１３５Ｗ上に第２補助電極層２００Ｗ、ホール注入層１２０Ｂを設けない構成としてもよい。

図１５（ｂ）は、表示パネル１０Ｚにおいて第１補助電極層１３５Ｗ上に第２補助電極層２００Ｗ及びホール注入層１２０Ｂを設けない変形例５Ａの断面図である。係る構成では、第１補助電極層１３５Ｗ上に、電子輸送層１２４Ａ、１２４Ｂ、共通電極層１２５Ａ、１２５Ｂ、封止層１２６が順に積層される。電子輸送層１２４Ａ、１２４Ｂは蒸着で形成される場合には、コンタクトホール１１６ａの内周面上には形成されない。したがって、変形例４と同様に、コンタクトホール１１６ａの内周面上において第１補助電極層１３５Ｗの一部領域１３５ａ３、１３５ａ４が共通電極層１２５Ｂとが直接接触するとともに、図１５（ｂ）に示す変形例４と比較して、一部領域１３５ａ３、１３５ａ４の面積を増加することができる。

係る構成により、共通電極層１２５と第４給電補助電極層１３５Ｚとの接触箇所を増加し、第４給電補助電極層１３５Ｚへの給電経路の断面積を増加することができる。その結果、共通電極層１２５から給電補助電極への接続抵抗を低減できる。
（６）変形例６
変形例４に係る表示パネル１０Ｗの構成と変形例５に係る表示パネル１０Ｚの構成とを組み合わせた構成してもよい。

図１６（ａ）は、変形例６に係る表示パネル１０ＹＺにおける第２補助電極層２００周辺の断面図である。表示パネル１０ＹＺでは、平坦化下部層１１８ＡＹと平坦化上部層１１８ＢＹとの間に第３給電補助電極層１３５Ｙを設け、さらに、基板１００ｘを構成する複数の層の層間の何れか、例えば、チャンネル保護層１０６と無機絶縁層１１６との層間に第４給電補助電極層１３５Ｚを備えた点に特徴がある。ここでも、なお、基板１００ｘ中の複数の層の層間において、第４給電補助電極層１３５Ｚを設ける位置は、チャンネル保護層１０６と無機絶縁層１１６との層間には限定されない。変形例３，４と同様に、第１補助電極層１３５Ｗ上には、第２補助電極層２００Ｗ、ホール注入層１２０Ｂ、電子輸送層１２４Ａ、１２４Ｂ、共通電極層１２５Ａ及び１２５Ｂ、封止層１２６が順に積層されている。

また、平坦化下部層１１８ＡＹ、無機絶縁層１１６には、平坦化上部層１１８ＢＹ上面から第４給電補助電極層１３５Ｚの上面までを貫通するコンタクトホール１１６ａが開設されており、第３補助電極層１３５Ｙは、コンタクトホール１１６ａに内周面とコンタクトホール１１６ａの底面とに連続して配されている。そして、第３給電補助電極層１３５Ｙと第４給電補助電極層１３５Ｚとは、少なくとも第４給電補助電極層１３５Ｚ上面におけるコンタクトホール１１６ａ内の一部領域１３５Ｚａにおいて接触している。さらに、平坦化上部層１１８ＢＹには、第３給電補助電極層１３５Ｙの上面までを貫通するコンタクトホール１１８ＢＹａが開設されており、第１補助電極層１３５Ｗは、コンタクトホール１１８ＢＹａに内周面とコンタクトホール１１８ＢＹａの底面とに連続して配されている。そして、第１補助電極層１３５Ｗは、上述した変形例３、４と同様に、側面上の一部領域１３５ａ１、１３５ａ２において共通電極層１２５Ｂと接触するとともに、第１補助電極層１３５Ｗと第３給電補助電極層１３５Ｙとは、少なくとも第３給電補助電極層１３５Ｙ上面におけるコンタクトホール１１８ＢＹａ内の一部領域１３５Ｙａにおいて接触している。

これより、第１補助電極層１３５Ｗ上における第２給電補助電極層２００Ｗの表層２０１Ｗにアルミニウムの自然酸化物層が形成された場合でも、図１６（ａ）中に示した経路Ｃ５、Ｃ６により、第１補助電極層１３５Ｗを介して共通電極層１２５と第３給電補助電極層１３５Ｙ、さらに第４給電補助電極層１３５Ｚが電気的に接続されるので、第３給電補助電極層１３５Ｙ及び１３５Ｚを共通電極層１２５の給電補助電極として機能させることができる。そのため、より一層シート抵抗を低減することができ高精細化に向けて有効である。また、チャンネル保護層１０６と絶縁層１１６との間の層において、ＴＦＴ回路の配線による位置的制約がない範囲において、第４給電補助電極層１３５Ｚの平面的に自由にレイアウトできる。

なお、変形例６Ａでは、変形例６をさらに変形して、第１補助電極層１３５Ｗ上に第２補助電極層２００Ｗ、ホール注入層１２０Ｂを設けない構成としてもよい。
図１６（ｂ）は、表示パネル１０ＹＺにおいて第１補助電極層１３５Ｗ上に第２補助電極層２００Ｗ及びホール注入層１２０Ｂを設けない変形例６Ａの断面図である。係る構成では、第１補助電極層１３５Ｗ上に、電子輸送層１２４Ａ、１２４Ｂ、共通電極層１２５Ａ、１２５Ｂ、封止層１２６が順に積層される。電子輸送層１２４Ａ、１２４Ｂは蒸着で形成される場合には、コンタクトホール１１６ａの内周面上には形成されない。したがって、変形例４、５と同様に、コンタクトホール１１６ａの内周面上において第１補助電極層１３５Ｗの一部領域１３５ａ３、１３５ａ４が共通電極層１２５Ｂとが直接接触するとともに、図１６（ｂ）に示す変形例４と比較して、一部領域１３５ａ３、１３５ａ４の面積を増加することができる。

係る構成により、共通電極層１２５と第１給電補助電極層１３５Ｗとの接触箇所を増加し、第３給電補助電極層１３５Ｙ及び第４給電補助電極層１３５Ｚへの給電経路の断面積を増加することができ、共通電極層１２５から給電補助電極への接続抵抗を低減できる。
（７）その他の変形例
表示パネル１０では、発光層１２３は、行バンク上を列方向に連続して延伸している構成としている。しかしながら、上記構成において、発光層１２３は、行バンク上において画素ごとに断続している構成としてもよい。

また、表示パネル１０では、行方向に隣接する列バンク５２２Ｙ間の間隙５２２ｚに配された副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色は互いに異なる構成とし、列方向に隣接する行バンク１２２Ｘ間の間隙に配された副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色は同じである構成とした。しかしながら、上記構成において、行方向に隣接する副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色は同じであり、列方向に隣接する副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色が互いに異なる構成としてもよい。また、行列方向の両方において隣接する副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色が互いに異なる構成としてもよい。

実施の形態に係る表示パネル１０では、画素１００ｅには、赤色画素、緑色画素、青色画素の３種類があったが、本発明はこれに限られない。例えば、発光層が１種類であってもよいし、発光層が赤、緑、青、白色などに発光する４種類であってもよい。
また、上記実施の形態では、単位画素１００ｅが、マトリクス状に並んだ構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、画素領域の間隔を１ピッチとするとき、隣り合う間隙同士で画素領域が列方向に半ピッチずれている構成に対しても効果を有する。高精細化が進む表示パネルにおいて、多少の列方向のずれは視認上判別が難しく、ある程度の幅を持った直線上（あるいは千鳥状）に膜厚むらが並んでも、視認上は帯状となる。したがって、このような場合も輝度むらが上記千鳥状に並ぶことを抑制することで、表示パネルの表示品質を向上できる。

また、上記実施の形態では、画素電極１１９と共通電極層１２５の間に、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１、発光層１２３及び電子輸送層１２４が存在する構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１及び電子輸送層１２４を用いずに、画素電極１１９と共通電極層１２５との間に発光層１２３のみが存在する構成としてもよい。また、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、電子注入層などを備える構成や、これらの複数又は全部を同時に備える構成であってもよい。また、これらの層はすべて有機化合物からなる必要はなく、無機物などで構成されていてもよい。

また、上記実施の形態では、発光層１２３の形成方法としては、印刷法、スピンコート法、インクジェット法などの湿式成膜プロセスを用いる構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、イオンプレーティング法、気相成長法等の乾式成膜プロセスを用いることもできる。さらに、各構成部位の材料には、公知の材料を適宜採用することができる。

また、上記の形態では、ＥＬ素子部の下部にアノードである画素電極３１１９が配され、ＴＦＴのソース電極に接続された配線１１０に画素電極３１１９を接続する構成を採用したが、ＥＬ素子部の下部に共通電極層、上部にアノードが配された構成を採用することもできる。この場合には、ＴＦＴにおけるドレインに対して、下部に配されたカソードを接続することになる。

また、上記実施の形態では、一つの副画素１００ｓｅに対して２つのトランジスタＴｒ₁、Ｔｒ₂が設けられてなる構成を採用したが、本発明はこれに限定を受けるものではない。例えば、一つのサブピクセルに対して一つのトランジスタを備える構成でもよいし、三つ以上のトランジスタを備える構成でもよい。
さらに、上記実施の形態では、トップエミッション型のＥＬ表示パネルを一例としたが、本発明はこれに限定を受けるものではない。例えば、ボトムエミッション型の表示パネルなどに適用することもできる。その場合には、各構成について、適宜の変更が可能である。

≪補足≫
以上で説明した実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、工程、工程の順序などは一例であり、本発明を限定する主旨ではない。また、実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない工程については、より好ましい形態を構成する任意の構成要素として説明される。

また、上記の工程が実行される順序は、本発明を具体的に説明するために例示するためのものであり、上記以外の順序であってもよい。また、上記工程の一部が、他の工程と同時（並列）に実行されてもよい。
また、発明の理解の容易のため、上記各実施の形態で挙げた各図の構成要素の縮尺は実際のものと異なる場合がある。また本発明は上記各実施の形態の記載によって限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。

また、各実施の形態及びその変形例の機能のうち少なくとも一部を組み合わせてもよい。
さらに、本実施の形態に対して当業者が思いつく範囲内の変更を施した各種変形例も本発明に含まれる。

本発明に係る有機ＥＬ表示パネル、及び有機ＥＬ表示装置は、テレビジョンセット、パーソナルコンピュータ、携帯電話などの装置、又はその他表示パネルを有する様々な電子機器に広く利用することができる。

１ 有機ＥＬ表示装置
１０、１０Ｖ、１０Ｗ、１０Ｘ、１０Ｙ、１０Ｚ 有機ＥＬ表示パネル
１００ 有機ＥＬ素子
１００ｅ 単位画素
１００ｓｅ 副画素
１００ａ 自己発光領域
１００ｂ 非自己発光領域
１００ｘ 基板（ＴＦＴ基板）
１００ｐ 基台
１０３ ゲート絶縁層
１０６ チャンネル保護層
１１６ 無機絶縁層
１１８ 層間絶縁層
１１９ 画素電極
１３５、１３５Ｗ 第１補助電極層
１３５Ｙ 第３補助電極層
１３５Ｚ 第４補助電極層
１５０ 補助画素電極
２００ 第２補助電極層
１２０、１２０Ａ、１２０Ｂ ホール注入層
１２１ ホール輸送層
１２２ バンク
１２２Ｘ 行バンク
５２２Ｙ 列バンク
１２３ 発光層
１２４、１２４Ａ、１２４Ｂ 電子輸送層
１２５、１２５Ａ、１２５Ｂ 共通電極層
１２６ 封止層
１２７ 接合層
１２８ カラーフィルタ層
１３０ 上部基板
１３１ カラーフィルタ基板

Claims (21)

1. 基板上に複数の画素電極が行列状に配され、各画素電極上に有機発光材料を含む発光層が配されてなる有機ＥＬ表示パネルであって、
   基板と、
   前記基板の上方に行列状に配された複数の画素電極と、
   前記基板の上方において、隣接する前記画素電極の間隙のうちの少なくとも１の間隙内に列又は行方向に延伸して配された第１給電補助電極層と、
   前記第１給電補助電極層の上面に、前記第１給電補助電極層に重畳して配されたアルミニウムを主成分として含む第２給電補助電極層と、
   前記複数の画素電極上に配された複数の発光層と、
   前記複数の発光層の上方、前記第１給電補助電極層及び前記第２給電補助電極層を覆って連続して配された共通電極層とを備え、
   前記第１給電補助電極層と前記共通電極層とは、少なくとも前記第１給電補助電極層の上面に垂直な壁面上の一部領域において接触しており、
   前記第１給電補助電極層は、アルミニウムと異なる金属を主成分として含み、アルミニウムよりも大気中における接触抵抗が低い材料からなる
   有機ＥＬ表示パネル。
2. 前記第２給電補助電極層は、少なくとも前記第２給電補助電極層の表層にはアルミニウムの酸化物が形成されており、当該酸化物が前記共通電極層と接触しており、
   前記第１補助電極層と前記共通電極層との間の接触抵抗は、前記第２補助電極層と前記共通電極層との間の接触抵抗より低い
   請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。
3. さらに、前記第２給電補助電極層と前記共通電極層との間には、前記複数の発光層の上方、前記第１給電補助電極層及び前記第２給電補助電極層を覆って連続して配された１層以上からなる機能層を備え、
   前記第１給電補助電極層の一部領域付近において、前記機能層は欠落又は薄層化しており、
   前記第１給電補助電極層の厚みは前記発光層上の前記機能層の厚みよりも厚い
   請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示パネル。
4. 前記第２給電補助電極層の表層付近の抵抗は、前記第１給電補助電極層の表層付近の抵抗より高い
   請求項１から３の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
5. 前記第１給電補助電極層と前記共通電極層との間の接触抵抗は、前記第２給電補助電極層と前記共通電極層との間の接触抵抗より低い
   請求項１から４の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
6. 前記材料のシート抵抗は、アルミニウムのシート抵抗より高い
   請求項１から４の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
7. 前記アルミニウムと異なる金属は、タングステン、クロム、チタン、モリブデン、ニッケル、銅、ランタン、インジウムから選択される１以上の金属である
   請求項１から６の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
8. 前記第１給電補助電極層は、ＩＴＯ又はＩＺＯからなる
   請求項１から６の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
9. 前記機能層を第１の機能層とするとき、
   さらに、前記第２給電補助電極層と前記第１の機能層との間には、前記複数の発光層の下方、前記第１給電補助電極層及び前記第２給電補助電極層の上方に不連続に配された第２の機能層を備える
   請求項３に記載の有機ＥＬ表示パネル。
10. さらに、前記第２給電補助電極層と前記機能層との間には、前記複数の発光層の下方、前記第１給電補助電極層及び前記第２給電補助電極層の上方に不連続に配されたＩＴＯ又はＩＺＯからなる透明導電層を備える
    請求項３に記載の有機ＥＬ表示パネル。
11. 前記共通電極層は、ＩＴＯ又はＩＺＯからなる透明導電層を含む
    請求項１から１０の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
12. 前記共通電極層は、銀を主成分とする金属電極層を含む
    請求項１から１１の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
13. 前記基板上方に樹脂を主成分とする平坦下部層と平坦化上部層からなる平坦化層を備え、
    前記平坦化下部層と前記平坦化上部層とのとの間には、列又は行方向に延伸して配された、第３給電補助電極層とを備え、
    前記平坦化上部層には前記第３給電補助電極層の上面までを貫通するコンタクトホールが開設されており、前記第１給電補助電極層が前記第３補助電極層と前記コンタクトホールを介して電気的に接続されており、
    前記共通電極層は、前記コンタクトホールに内周面と底面とに連続して配されており、
    前記第３給電補助電極層と前記共通電極層とは、前記第１給電補助電極層を介して電気的に接続されている
    請求項１から１２の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
14. さらに、前記コンタクトホールの底面と前記コンタクトホール内の前記共通電極層との間には機能層が配されており、
    前記コンタクトホールの深さは前記機能層の厚みよりも厚く、前記第１給電補助電極層と前記共通電極層とは、少なくとも前記第１給電補助電極層における前記コンタクトホールに内周面上の一部領域において接触している
    請求項１３に記載の有機ＥＬ表示パネル。
15. 前記基板は、ＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板上方に樹脂を主成分とする絶縁層とを含み、
    前記基板上方に樹脂を主成分とする平坦化層を備え、
    前記ＴＦＴ基板と前記絶縁層との間には、列又は行方向に延伸して配された第４給電補助電極層を備え、
    前記平坦化層には、当該平坦化層上面から前記第４給電補助電極層の下面までを貫通するコンタクトホールが開設されており、前記第１給電補助電極層が前記第４補助電極層と前記コンタクトホールを介して電気的に接続されており、
    前記共通電極層は、前記コンタクトホールに内周面と底面とに連続して配されており、
    前記第４給電補助電極層と前記共通電極層とは、前記第１給電補助電極層を介して電気的に接続されている
    請求項１から１２の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
16. さらに、前記基板における前記コンタクトホールの底面と前記コンタクトホール内の前記共通電極層との間には機能層が配されており、
    前記コンタクトホールの深さは前記機能層の厚みよりも厚く、前記第１給電補助電極層と前記共通電極層とは、少なくとも前記第１給電補助電極層における前記コンタクトホールに内周面上の一部領域において接触している
    請求項１５に記載の有機ＥＬ表示パネル。
17. 前記基板は、ＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板上方に樹脂を主成分とする絶縁層とを含み、
    前記基板上方に樹脂を主成分とする平坦下部層と平坦化上部層からなる平坦化層を備え、
    前記平坦化下部層と前記平坦化上部層との間には、列又は行方向に延伸して配された、第３給電補助電極層を備え、
    前記ＴＦＴ基板と前記絶縁層との間には、列又は行方向に延伸して配された第４給電補助電極層を備え、
    前記平坦化下部層、前記平坦化上部層、及び前記絶縁層には前記第４給電補助電極層の上面までを貫通するコンタクトホールが開設されており、
    前記第１給電補助電極層は前記第３補助電極層と前記コンタクトホールを介して電気的に接続されており、
    前記第３給電補助電極層は前記第４補助電極層と前記コンタクトホールを介して電気的に接続されており、
    前記共通電極層は、前記コンタクトホールに内周面と底面とに連続して配されており、
    前記第３給電補助電極層及び前記第４補助電極層と、前記共通電極層とは、前記第１給電補助電極層を介して電気的に接続されている
    請求項１から１２の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
18. さらに、前記コンタクトホールの底面と前記コンタクトホール内の前記共通電極層との間には機能層が配されており、
    前記コンタクトホールの深さは前記機能層の厚みよりも厚く、前記第１給電補助電極層と前記共通電極層とは、少なくとも前記第１給電補助電極層における前記コンタクトホールに内周面上の一部領域において接触している
    請求項１７に記載の有機ＥＬ表示パネル。
19. 基板上に複数の画素電極が行列状に配され、各画素電極上に有機発光材料を含む発光層が配されてなる有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、
    基板を準備する工程と、
    前記基板の上方に行列状に複数の画素電極を形成する工程と、
    前記基板の上方において、隣接する前記画素電極の間隙のうちの少なくとも１の間隙内に列又は行方向に延伸して、アルミニウムと異なる金属を主成分として含み、アルミニウムよりも大気中における接触抵抗が低い材料からなる第１給電補助電極層を形成する工程と、
    前記第１給電補助電極層上面に前記第１給電補助電極層と同じ方向に延伸して、前記第１給電補助電極層に重畳して、アルミニウムを主成分として含む第２給電補助電極層を形成する工程と、
    前記複数の画素電極上に複数の発光層を形成する工程と、
    前記複数の発光層の上方、前記第１給電補助電極層及び前記第２給電補助電極層を覆って連続して、かつ、前記第１給電補助電極層と前記共通電極層とは、少なくとも前記第１給電補助電極層の上面に垂直な壁面上の一部領域において接するように、共通電極層をスパッタリング法により形成する工程とを有する
    有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
20. さらに、前記第２給電補助電極層と前記共通電極層との間に、前記複数の発光層の上方、前記第１給電補助電極層及び前記第２給電補助電極層を覆って連続して１層以上からなり、前記第１給電補助電極層の厚みよりも薄い機能層を真空蒸着法により形成する工程を有する
    請求項１９に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
21. 前記機能層は、前記第１給電補助電極層の一部領域付近において欠落又は薄層化して形成される
    請求項２０に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。

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