JP2017054601A - 有機ｅｌ素子、それを用いた有機ｅｌ表示パネル、及び有機ｅｌ表示パネルの製造方法 - Google Patents

有機ｅｌ素子、それを用いた有機ｅｌ表示パネル、及び有機ｅｌ表示パネルの製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】有機ＥＬ表示パネルにおいて、外光の照り返しを抑制し、発光効率を向上する。【解決手段】複数の画素が行列状に配された有機ＥＬ表示パネルにおいて、画素電極層１１９上方に隣接する列バンク１２２Ｙ間の間隙に沿って行方向に配された複数の発光層１２３と、複数の発光層１２３上方に配された透光性材料からなる対向電極層１２７と、画素電極層１１９上方において行方向に延伸して列方向に並設された、基板１００ｘの平面視において画素電極層１１９の行方向外縁部と重なる複数の列遮光層１２９Ｙと、画素電極層１１９上方行方向に延伸して列方向に並設された、画素電極層１１９の列方向外縁部と重なり、コンタクト領域１００ｂ内の一部領域とは重ならない行遮光層１２９Ｘとを備えた。【選択図】図３

Description

本開示は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子を用いた、及びそれを用いた有機ＥＬ表示パネルとその製造方法に関する。
近年、デジタルテレビ等の表示装置に用いられる表示パネルとして、基板上に有機ＥＬ素子をマトリックス状に複数配列した有機ＥＬ表示パネルが実用化されている。この有機ＥＬ表示パネルは、各有機ＥＬ素子が自発光を行うので視認性が高い。
有機ＥＬ表示パネルにおいて、各有機ＥＬ素子は、陽極と陰極の一対の電極の間に有機発光材料を含む発光層が配設された基本構造を有し、駆動時には、一対の電極対間に電圧を印加し、陽極から発光層に注入されるホールと、陰極から発光層に注入される電子との再結合に伴って発光する。
この有機ＥＬ表示パネルでは、一般に各有機ＥＬ素子の発光層と、隣接する有機ＥＬ素子とは、絶縁材料からなるバンクで仕切られている。カラー表示用の有機ＥL表示パネルにおいては、このような有機ＥＬ素子が、ＲＧＢ各色の画素を形成し、隣り合うＲＧＢの画素が合わさってカラー表示における単位ピクセルが形成されている。
そして、一般に、有機ＥＬ表示パネルでは、隣接画素間の光の漏れやそれに伴う光の混色を防止するために、バンク上方の隣接する画素間の境界に格子状の遮光層が設けられていた。例えば、特許文献１には、カラーフィルタ基板上の位置により厚みが異なるマトリックス状の遮光部材を設けることにより、隣接画素間における混色を防止しつつ、開口率の低下を抑制する有機ＥＬ素子が開示されている。また、特許文献２には、発光層および遮光部が配置された素子基板と、複数色の着色層および着色層間に画素間遮光部を有するカラーフィルタ層とを有し、遮光部が画素間遮光部より画素の内側に配置されることにより、隣接画素への光漏れによる視差混色を抑制し、且つ高い光取り出し効率を得る有機ＥＬ表示装置が開示されている。
国際公開公報 ＷＯ２０１３１０８７８３ 特開２０１５−７２８２７号公報
ところが、表示パネルの高解像度化に伴い単位画素当りの素子面積は減少するが、隣接画素への光漏れ防止に必要な遮光層の幅は素子面積の減少に係らず維持される。そのため、高解像度化に伴い遮光層の開口率が低下し、単位画素面積に対する発光面積の減少に基づく発光効率の低下が課題となる。これに対し、開口率を上げるために遮光層を削減すると、表示パネルの反射電極による外光の照り返しにより表示のコントラストが低下することが懸念される。
本開示は、上記課題に鑑みてなされたものであって、表示面における外光の照り返しの抑制と発光効率の向上とを実現する有機ＥＬ素子、及びそれを用いた有機ＥＬ表示パネルとその製造方法を提供することを目的とする。
本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、基板と、前記基板上に行列状に配され光反射材料からなる複数の画素電極層と、前記基板及び前記画素電極層上に、前記画素電極層の行方向外縁部を覆う状態で、列方向に延伸して行方向に並設された、前記画素内の自己発光領域の行方向外縁を規定する複数の列バンクと、前記基板及び前記画素電極層上に、前記画素電極層の列方向外縁部と前記列方向外縁部に最も近い前記画素電極層上のコンタクト領域とを覆う状態で、行方向に延伸して列方向に並設された、前記自己発光領域の列方向外縁を規定する複数の行バンクと、前記画素電極層上方に隣接する前記列バンク間の間隙に沿って配された複数の発光層と、前記複数の発光層上方に配された透光性材料からなる対向電極層と、前記画素電極層上方において列方向に延伸して行方向に並設された、前記基板の平面視において前記画素電極層の前記行方向外縁部と重なる複数の列遮光層と、前記画素電極層上方において行方向に延伸して列方向に並設された、前記基板の平面視において前記画素電極層の前記列方向外縁部と重なり、前記コンタクト領域内の一部領域とは重ならない行遮光層とを備えたことを特徴とする。
本開示の一態様に係る有機ＥＬ素子、及びそれを用いた有機ＥＬ表示パネルでは、表示面における外光の照り返しの抑制と発光効率の向上とを実現することができる。
実施の形態に係る表示装置１の構成を示す模式ブロック図である。 表示装置１に用いる有機ＥＬ表示パネル１０の各画素１００eにおける回路構成を示す模式回路図である。 有機ＥＬ表示パネル１０の一部を示す模式平面図である。 図３におけるＡ−Ａで切断した模式断面図である。 図３におけるＢ−Ｂで切断した模式断面図である。 （ａ）〜（ｅ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す模式断面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す模式断面図である。 （ａ）〜（ｆ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す模式断面図である。 （ａ）〜（ｂ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す模式断面図である。 図３におけるＡ部の拡大平面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の画素１００eを上部基板１３０上方から平面視した写真である。 （ａ）〜（ｃ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の画素１００eを発光させた状態で上部基板１３０上方から平面視した写真である。 変形例に係る有機ＥＬ表示パネル１０Ａを図３におけるＡ−Ａと同じ位置で切断した模式断面図である。 変形例に係る有機ＥＬ表示パネル１０Ａを図３におけるＢ−Ｂと同じ位置で切断した模式断面図である。
≪本発明を実施するための形態の概要≫
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルは、複数の画素が行列状に配された有機ＥＬ表示パネルであって、基板と、前記基板上に行列状に配され光反射材料からなる複数の画素電極層と、前記基板及び前記画素電極層上に、前記画素電極層の行方向外縁部を覆う状態で、列方向に延伸して行方向に並設された、前記画素内の自己発光領域の行方向外縁を規定する複数の列バンクと、前記基板及び前記画素電極層上に、前記画素電極層の列方向外縁部と、前記画素電極層上のコンタクト領域とを覆う状態で、行方向に延伸して列方向に並設された、前記自己発光領域の列方向外縁を規定する複数の行バンクと、前記画素電極層上方に隣接する前記列バンク間の間隙に沿って配された複数の発光層と、前記複数の発光層上方に配された透光性材料からなる対向電極層と、前記画素電極層上方において列方向に延伸して行方向に並設された、前記基板の平面視において前記画素電極層の前記行方向外縁部と重なる複数の列遮光層と、前記画素電極層上方において行方向に延伸して列方向に並設された、前記基板の平面視において前記画素電極層の前記列方向外縁部と重なり、前記コンタクト領域内の一部領域とは重ならない行遮光層とを備えたことを特徴とする。
また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記基板には前記複数の画素に対応する位置に複数の薄膜トランジスタが行列状に配されており、前記複数の薄膜トランジスタのソースは、前記コンタクト領域内の前記画素電極層の一部を前記基板方向に凹入させた接続凹部を介して前記複数の画素電極層と各々接続されており、前記基板の平面視において、前記行遮光層は前記接続凹部と重ならない構成としてもよい。
また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記発光層は、前記行バンク上を列方向に連続して延伸している構成としてもよい。
また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記発光層は、前記行バンク上において断続している構成としてもよい。
また、別の態様では、上記何れかの構成において、行方向に隣接する前記列バンク間の間隙に配された前記発光層が発する光の色は互いに異なる構成としてもよい。
また、別の態様では、上記何れかの構成において、列方向に隣接する前記行バンク間の間隙に配された前記発光層が発する光の色は同じである構成としてもよい。
また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記対向電極層上方に透光性材料からなる上部基板を備え、前記行遮光層及び前記列遮光層は、前記上部基板に配されている構成としてもよい。
また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記対向電極層上方に透光性材料からなる上部基板を備え、前記行遮光層又は前記列遮光層の少なくとも何れか一方は、前記上部基板に配されている構成としてもよい。
また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記対向電極層上方に透光性材料からなる上部基板を備え、前記行遮光層及び前記列遮光層は、前記上部基板に配されている構成としてもよい。
また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記列遮光層は、前記列バンク上面に配されている構成としてもよい。
また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記行遮光層は、前記行バンク上面に配されている構成としてもよい。
また、本実施の形態に係る有機ＥＬ素子は、基板と、前記基板上に配され光反射材料からなる画素電極層と、前記基板及び画素電極層上に配され、前記画素電極層の外縁部と前記外縁部と隣接する前記画素電極層上のコンタクト領域とを覆う絶縁層からなるバンクと、前記画素電極層上方に配された発光層と、前記発光層上方に配された透光性材料からなる対向電極層と、前記画素電極層上方に配された、前記基板の平面視において前記画素電極層の前記外縁部と重なり、前記コンタクト領域内の一部領域とは重ならない遮光層とを備えたことを特徴とする。
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、基板を準備し、前記基板上に行列状に光反射材料からなる複数の画素電極層を配設し、前記基板及び前記画素電極層上に、前記画素電極層の行方向外縁部を覆う状態で、複数の列バンクを列方向に延伸して行方向に並設し、前記基板及び前記画素電極層上に、前記画素電極層の列方向外縁部と、前記画素電極層上のコンタクト領域とを覆う状態で、複数の行バンクを行方向に延伸して列方向に並設し、前記画素電極層上方に隣接する前記列バンク間の間隙に沿って複数の発光層を行方向に配設し、前記複数の発光層上方にで透光性材料からなる対向電極層を配設し、前記画素電極層上方に、前記基板の平面視において前記画素電極層の前記行方向外縁部と重なる複数の列遮光層を、行方向に延伸して列方向に並設し、前記画素電極層上方に、前記基板の平面視において前記画素電極層の前記列方向外縁部と重なり、前記コンタクト領域内の一部領域とは重ならない行遮光層を、行方向に延伸して列方向に並設することを特徴とする。
≪実施の形態≫
１．表示装置１の全体構成
以下では、実施の形態に係る表示装置１の全体構成について、図１を用い説明する。
図１に示すように、本実施の形態に係る表示装置１は、有機ＥＬ表示パネル１０（以後、「表示パネル１０」と略称する）と、これに接続された駆動制御回路部２０とを有し構成されている。
表示パネル１０は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）パネルであって、複数の有機ＥＬ素子が、例えば、マトリクス状に配列され構成されている。駆動制御回路部２０は、４つの駆動回路２１〜２４と制御回路２５とにより構成されている。
なお、表示装置１において、表示パネル１０に対する駆動制御回路部２０の各回路の配置形態については、図１に示した形態に限定されない。
２．表示パネル１０における回路構成
表示パネル１０における各画素を構成する有機ＥＬ素子１００の回路構成について、図２を用い説明する。図２は、表示装置１に用いる有機ＥＬ表示パネル１０の各画素１００eに対応する有機ＥＬ素子１００における回路構成を示す模式回路図である。図２に示すように、本実施の形態に係る表示パネル１０では、各画素１００eを構成する有機ＥＬ素子１００が２つのトランジスタＴｒ1、Ｔｒ2と一つの容量Ｃ、および発光部としてのＥＬ素子部ＥＬとを有し構成されている。２つのトランジスタＴｒ1、Ｔｒ2のうちの一方のトランジスタＴｒ1は、駆動トランジスタであり、他方のトランジスタＴｒ2は、スイッチングトランジスタである。
スイッチングトランジスタＴｒ2のゲートＧ2は、走査ラインＶｓｃｎに接続され、ソースＳ2は、データラインＶｄａｔに接続されている。スイッチングトランジスタＴｒ2のドレインＤ2は、駆動トランジスタＴｒ1のゲートＧ1に接続されている。
駆動トランジスタＴｒ1のドレインＤ1は、電源ラインＶａに接続されており、ソースＳ1は、ＥＬ素子部ＥＬの画素電極層（アノード）に接続されている。ＥＬ素子部ＥＬにおける対向電極層（カソード）は、接地ラインＶｃａｔに接続されている。
なお、容量Ｃは、スイッチングトランジスタＴｒ2のドレインＤ2および駆動トランジスタＴｒ1のゲートＧ1と、電源ラインＶａとを結ぶように設けられている。
表示パネル１０においては、図２に示すような回路構成を有し画素１００ｅを構成する有機ＥＬ素子１００がマトリクス状に配されて表示領域を構成している。
３．有機ＥＬ表示パネル１０の全体構成
本実施の形態に係る表示パネル１０について、図面を用いて説明する。なお、図面は模式図であって、その縮尺は実際とは異なる場合がある。
図３は、実施の形態に係る表示パネルの一部を示す模式平面図である。表示パネル１０は、有機化合物の電界発光現象を利用した有機ＥＬ表示パネルであり、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が形成された基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）に、各々が画素を構成する複数の有機ＥＬ素子１００が行列状に配され、上面より光を発するトップエミッション型の構成を有する。図３に示すように、表示パネル１０は、各画素を構成する有機ＥＬ素子１００がマトリクス状に配されている。
表示パネル１０では、画素１００ｅには、有機化合物により光を発する領域である自己発光領域１００ａが各々形成されている。自己発光領域１００ａには、赤色に発光する１００ａＲ、緑色に発光する１００ａＧ、青色に発光する１００ａＢ（以後、１００ａＲ、１００ａＧ、１００ａＢを区別しない場合は、「１００ａ」と略称する）の３種類がある。そして、行方向に並んだ３つの自己発光領域１００ａＲ、１００ａＧ、１００ａＢが１組となりカラー表示における１ピクセルを構成している。
図３に示すように、表示パネル１０には、複数の画素電極層１１９が基板１００ｘ上に行列状に配されている。画素電極層１１９は、平面視において矩形形状であり、光反射材料からなる。
表示パネル１０では、ライン状のバンクを採用し、各条が列方向（図３Ｙ方向）に延伸する列バンク１２２Ｙが複数行方向に並設されている。各列バンク１２２Ｙは、行方向に隣接する２つの画素電極層１１９の行方向外縁の上方に形成されている。
隣り合う列バンク１２２Ｙ間を間隙１２２ｚと定義したとき、表示パネル１０は、列バンク１２２Ｙと間隙１２２ｚとが交互に多数並んだ構成を有する。間隙１２２ｚには、自己発光領域１００ａＲに対応する赤色間隙１２２ｚＲ、自己発光領域１００ａＧに対応する緑色間隙１２２ｚＧ、自己発光領域１００ａＢに対応する青色間隙１２２ｚＢ（以後、間隙１２２ｚＲ、間隙１２２ｚＧ、間隙１２２ｚＢを区別しない場合は、「間隙１２２ｚ」とする）が存在する。自己発光領域１００ａの行方向外縁は、列バンク１２２Ｙの行方向外縁により規定される。
間隙１２２ｚには、列方向に隣接する２つの画素電極層１１９の列方向外縁及び外縁に隣接する領域の上方には、各条が行方向（図３のＸ方向）に延伸する行バンク１２２Ｘが複数列方向に並設されている。間隙１２２ｚ内において、行バンク１２２Ｘが形成される領域が非自己発光領域１００ｂとなる。そのため、自己発光領域１００ａの列方向における外縁は、行バンク１２２Ｘの列方向外縁により規定される。間隙１２２ｚにおいては、複数の自己発光領域１００ａと非自己発光領域１００ｂとが、列方向に交互に並んで配されている。そして、非自己発光領域１００ｂには、接続電極層１１７を介して画素電極層１１９とＴＦＴのソースＳ1とを接続する接続凹部１１９ｃがあり、画素電極層１１９に対して電気接続するための画素電極層１１９上のコンタクト領域１１９ｂ（コンタクトウインドウ）が設けられている。
列方向に設けられた列バンク１２２Ｙと行方向に設けられた行バンク１２２Ｘとは直交し、行バンク１２２Ｘは自己発光領域１００ａにおいて列方向の同一位置に存在している（以後、行バンク１２２Ｘ、列バンク１２２Ｙを区別しない場合は、「バンク１２２」とする）。また、画素電極層１１９上方には、画素電極層１１９の列行向外縁部と重なる複数の列遮光層１２９Ｙが、画素電極層１１９の列方向外縁部と重なりコンタクト領域１１９ｂ内の一部領域とは重ならない行遮光層１２９Ｘが配されている。
４．表示パネル１０の各部構成
表示パネル１０における有機ＥＬ素子１００の構成を図４及び図５の模式断面図を用いて説明する。図４は、図３におけるＡ−Ａで切断した模式断面図である。図５は、図３におけるＢ−Ｂで切断した模式断面図である。
本実施の形態に係る表示パネル１０は、トップエミッション型の有機ＥＬ表示パネルであって、Ｚ軸方向下方に薄膜トランジスタが形成された基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）が構成され、その上に有機ＥＬ素子部が構成されている。
４．１ 基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）
図４に示すように、下部基板１００ｐ上には、ゲート電極１０１、１０２が互いに間隔をあけて形成され、ゲート電極１０１、１０２および基板１００ｘの表面を被覆するように、ゲート絶縁層１０３が形成されている。ゲート絶縁層１０３上には、ゲート電極１０１、１０２のそれぞれに対応してチャネル層１０４、１０５が形成されている。そして、チャネル層１０４、１０５およびゲート絶縁層１０３の表面を被覆するように、チャネル保護層１０６が形成されている。
チャネル保護層１０６上には、ゲート電極１０１およびチャネル層１０４に対応して、ソース電極１０７およびドレイン電極１０８が互いに間隔をあけて形成され、同様に、ゲート電極１０２およびチャネル層１０５に対応して、ソース電極１１０およびドレイン電極１０９が互いに間隔をあけて形成されている。
各ソース電極１０７、１１０および各ドレイン電極１０８、１０９の下部には、チャネル保護層１０６を挿通してソース下部電極１１１、１１５およびドレイン下部電極１１２、１１４が設けられている。ソース下部電極１１１およびドレイン下部電極１１２は、Ｚ軸方向下部において、チャネル層１０４に接触し、ドレイン下部電極１１４およびソース下部電極１１５は、Ｚ軸方向下部において、チャネル層１０５に接触している。
また、ドレイン電極１０８とゲート電極１０２とは、ゲート絶縁層１０３およびチャネル保護層１０６を挿通して設けられたコンタクトプラグ１１３により接続されている。
なお、ゲート電極１０１が図２のゲートＧ2に対応し、ソース電極１０７が図２のソースＳ2に対応し、ドレイン電極１０８が図２のドレインＤ2に対応している。同様に、ゲート電極１０２が図２のゲートＧ1に対応し、ソース電極１１０が図２のソースＳ1に対応し、ドレイン電極１０９が図２のドレインＤ1に対応している。よって、図４におけるＹ軸方向左側にスイッチングトランジスタＴｒ2が形成され、それよりもＹ軸方向右側に駆動トランジスタＴｒ1が形成されている。
ただし、上記した構成は一例であり、各トランジスタＴｒ1、Ｔｒ2の配置形態については、トップゲート式、ボトムゲート式、チャネルエッチ式、エッチストップ式など何れの構成を用いてもよく、図４に示す構成にに限定されるものではない。
ソース電極１０７、１１０およびドレイン電極１０８、１０９およびチャネル保護層１０６の上を被覆するように、パッシベーション層１１６が形成されている。パッシベーション層１１６には、ソース電極１１０の上方の一部にコンタクト孔１１６ａが開設され、コンタクト孔１１６ａの側壁に沿うように接続電極層１１７がこの順に積層されて設けられている。
接続電極層１１７は、Ｚ軸方向下部において、ソース電極１１０に接続され、上部の一部がパッシベーション層１１６の上に乗り上げた状態となっている。接続電極層１１７およびパッシベーション層１１６の上を被覆するように、層間絶縁層１１８が堆積されている。
４．２ 有機ＥＬ素子部
（１）画素電極層１１９
層間絶縁層１１８上には、画素単位で画素電極層１１９が設けられている。画素電極層１１９は、発光層１２３へキャリアを供給するためのものであり、例えば陽極として機能した場合は、発光層１２３へホールを供給する。また、パネル１０がトップエミッション型であるため、画素電極層１１９は、光反射性を有し、画素電極層１１９の形状は、矩形形状をした平板状であり、行方向に間隔δＸをあけて、間隙１２２ｚのそれぞれにおいて列方向に間隔δＹをあけて基板１００ｘ上に配されている。また、層間絶縁層１１８における接続電極層１１７の上方に開設されたコンタクトホール１１８ａを通して、画素電極層１１９の接続凹部１１９ｃと接続電極層１１７とが接続されている。これにより、接続電極層１１７を介して画素電極層１１９とＴＦＴのソースＳ1とが接続される。
接続凹部１１９ｃは、画素電極層１１９の一部を基板１００ｘ方向に凹入された構造であり、底部１１９ｃ１とそれに連なる内周面部１１９ｃ２とからなり、内周面部１１９ｃ２の表面はすり鉢状（テーパ状）の傾斜した斜面となっていることが好ましい。発光層１２３から列方向に漏れ出た光の一部を上方に向けて反射できるからである。
（２）ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１
画素電極層１１９上には、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１が順に積層され、ホール輸送層１２１はホール注入層１２０に接触している。ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１は、画素電極層１１９から注入されたホールを発光層１２３へ輸送する機能を有する。
（３）バンク１２２
画素電極層１１９、ホール注入層１２０及びホール輸送層１２１の端縁を被覆するように絶縁物からなるバンク１２２が形成されている。バンク１２２は、列方向に延伸して行方向に複数並設されている列バンク１２２Ｙと、行方向に延伸して列方向に複数並設されている行バンク１２２Ｘとがあり、列バンク１２２Ｙと行バンク１２２Ｘとで格子状をなしている。
列バンク１２２Ｙは、発光層１２３の材料となる有機化合物を含んだインクの列方向への流動を堰き止めて形成される発光層１２３の行方向外縁を規定するものである。列バンク１２２Ｘは、画素電極層１１９の行方向における外縁部１１９ａ３、ａ４上方に存在し、画素電極層１１９の一部と重なった状態で形成されている。
行バンク１２２Ｘは、発光層１２３の材料となる有機化合物を含んだインクの列方向への流動を制御するためのものである。行バンク１２２Ｘは、画素電極層１１９の列方向における外縁部１１９ａ１、ａ２上方に存在し、画素電極層１１９の一部と重なった状態で形成されている。そのため、上述のとおり列方向における各画素の自己発光領域の外縁を規定している。行バンク１２２Ｘの形状は、行方向に延伸する線状であり、列方向に平行に切った断面は上方を先細りとする順テーパー台形状である。行バンク１２２Ｘは、各列バンク１２２Ｙを貫通するようにして、列方向と直交する行方向に沿った状態で設けられており、各々が列バンク１２２Ｙの上面よりも低い位置に上面を有する。そのため、行バンク１２２Ｘと列バンク１２２Ｙとにより、自己発光領域１００ａに対応する開口が形成されている。
（４）発光層１２３
表示パネル１０は、列バンク１２２Ｙと間隙１２２ｚとが交互に多数並んだ構成を有する。列バンク１２２Ｙにより規定された間隙１２２ｚには、発光層１２３が列方向に延伸して形成されている。自己発光領域１００ａＲに対応する赤色間隙１２２ｚＲ、自己発光領域１００ａＧに対応する緑色間隙１２２ｚＧ、自己発光領域１００ａＢに対応する青色間隙１２２ｚＢには、それぞれ各色に発光する発光層１２３が形成されている。
発光層１２３は、有機化合物からなる層であり、内部でホールと電子が再結合することで光を発する機能を有する。間隙１２２ｚ内では、発光層１２３は列方向に延伸するように線状に設けられている。
発光層１２３は、画素電極層１１９からキャリアが供給される部分のみが発光するので、層間に絶縁物である行バンク１２２Ｘが存在する範囲では、有機化合物の電界発光現象が生じない。そのため、発光層１２３は、行バンク１２２Ｘがない部分のみが発光して、この部分が自己発光領域１００ａとなり、自己発光領域１００ａの列方向における外縁は、行バンク１２２Ｘの列方向外縁により規定される。
発光層１２３のうち行バンク１２２Ｘ上にある部分は発光せず、この部分は非自己発光領域１００ｂとなる。すなわち、非自己発光領域１００ｂとは、行バンク１２２Ｘを平面視方向に投影した領域となる。発光層１２３は、自己発光領域１００ａにおいてはホール輸送層１２１の上面に位置し、非自己発光領域１００ｂにおいては行バンク１２２Ｘの上面及び側面上に位置する。
なお、図４に示すように、発光層１２３は、自己発光領域１００ａだけでなく、隣接する非自己発光領域１００ｂまで連続して延伸されている。このようにすると、発光層１２３の形成時に、自己発光領域１００ａに塗布されたインクが、非自己発光領域１００ｂに塗布されたインクを通じて列方向に流動でき、列方向の画素間でその膜厚を平準化することができる。但し、非自己発光領域１００ｂでは、行バンク１２２Ｘによって、インクの流動が程良く抑制される。よって、列方向に大きな膜厚むらが発生しにくく画素毎の輝度むらが改善される。
（５）電子輸送層１２４
バンク１２２上及びバンク１２２により規定された開口内には、発光層１２３の上に電子輸送層１２４が形成されている。また、本例では、発光層１２３から露出する各列バンク１２２Ｙ上にも配されていている。電子輸送層１２４は、対向電極層１２５から注入された電子を発光層１２３へ輸送する機能を有する。
（６）対向電極層１２５
電子輸送層１２４を被覆するように、対向電極層１２５が積層形成されている。対向電極層１２５については、表示パネル１０全体に連続した状態で形成され、ピクセル単位あるいは数ピクセル単位でバスバー配線に接続されていてもよい（図示を省略）。対向電極層１２５は、画素電極層１１９と対になって発光層１２３を挟むことで通電経路を作り、発光層１２３へキャリアを供給するものであり、例えば陰極として機能した場合は、発光層１２３へ電子を供給する。対向電極層１２５は、電子輸送層１２４の表面に沿って形成され、各発光層１２３に共通の電極となっている。
対向電極層１２５は、表示パネル１０がトップエミッション型であるため、光透過性を有する導電材料が用いられる。例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用いることができる。また、銀（Ａｇ）又はアルミニウム（Ａｌ）などを薄膜化した電極を用いてもよい。
（７）封止層１２６
対向電極層１２５を被覆するように、封止層１２６が積層形成されている。封止層１２６は、発光層１２３が水分や空気などに触れて劣化することを抑制するためのものである。封止層１２６は、対向電極層１２５の上面を覆うように表示パネル１０全面に渡って設けられている。封止層１２６の材料としては、表示パネル１０がトップエミッション型であるため、例えば窒化シリコン、酸窒化シリコンなどの光透過性材料が用いられる。
（８）接合層１２７
封止層１２６のＺ軸方向上方には、上部基板１３０のＺ軸方向下側の主面にカラーフィルタ層１２８および遮光層１２９が形成されたＣＦ基板１３１が配されており、接合層１２７により接合されている。接合層１２７は、基板１００ｘから封止層１２６までの各層からなる背面パネルとＣＦ基板１３１とを貼り合わせるとともに、各層が水分や空気に晒されることを防止する機能を有する。
（９）上部基板１３０
接合層１２７の上に、上部基板１３０にカラーフィルタ層１２８、遮光層１２９が形成されたＣＦ基板１３１が設置・接合されている。上部基板１３０には、表示パネル１０がトップエミッション型であるため、例えば、カバーガラス、透明樹脂フィルムなどの光透過性材料が用いられる。また、上部基板１３０により、表示パネル１０、剛性向上、水分や空気などの侵入防止などを図ることができる。
（１０）カラーフィルタ層１２８
上部基板１３０には画素の各色自己発光領域１００ａに対応する位置にカラーフィルタ層１２８が形成されている。カラーフィルタ層１２８は、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する波長の可視光を透過させるために設けられる透明層であり、各色画素から出射された光を透過させて、その色度を矯正する機能を有する。例えば、本例では、赤色間隙１２２ｚＲ内の自己発光領域１００ａＲ、緑色間隙１２２ｚＧ内の自己発光領域１００ａＧ、青色間隙１２２ｚＢ内の自己発光領域１００ａＢの上方に、赤色、緑色、青色のフィルタ層１２８Ｒ、Ｇ、Ｂが各々形成されている。カラーフィルタ層１２８は、具体的には、例えば、複数の開口部を画素単位に行列状に形成されたカラーフィルタ形成用のカバーガラスからなる上部基板１３０に対し、カラーフィルタ材料および溶媒を含有したインクを塗布する工程により形成される。
（１１）遮光層１２９
上部基板１３０には、各画素の自己発光領域１００ａ間の境界に対応する位置に遮光層１２９が形成されている。
遮光層１２９は、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する波長の可視光を透過させないために設けられる黒色樹脂層であって、例えば光吸収性および遮光性に優れる黒色顔料を含む樹脂材料からなる。表示パネル１０内部への外光の入射を防止したり、上部基板１３０越しに内部部品が透けて見えるのを防止したり、外光の照り返しを抑えて表示パネル１０のコントラストを向上させたりする目的で形成されている。外光の照り返しは、上部基板１３０の上方から表示パネル１０に進入し画素電極層１１９で反射して再び上部基板１３０から出射されることにより生じる現象である。
また、遮光層１２９は、各色画素から出射される光のうち隣接画素に漏れ出る光を遮断することにより、画素境界が不明瞭となることを防止するとともに、画素から出射される光の色純度を高める機能を有する。
遮光層１２９には、列方向に延伸して行方向に複数並設されている列遮光層１２９Ｙと、行方向に延伸して列方向に複数並設されている行遮光層１２９Ｘとがあり、列遮光層１２９Ｙと行遮光層１２９Ｘとは格子状をなしている。
有機ＥＬ素子１００では、列遮光層１２９Ｙは、図４に示すように、画素電極層１１９の列行向外縁部１１９ａ３、ａ４（以後、位置を区別しない場合は「外縁部１１９ａ」とする）と重なる位置に配され、行遮光層１２９Ｘは、図５に示すように、画素電極層１１９の列方向外縁部１１９ａ１、ａ２（以後、位置を区別しない場合は「外縁部１１９ａ」とする）と重なる位置に配されている。そのため、列遮光層１２９Ｙの行方向の幅ＷＸは、同方向における画素電極層１１９間の距離δＸよりも大きく、行遮光層１２９Ｘの列方向の幅ＷＹは、同方向における画素電極層１１９間の距離δＹよりも大きく構成されている。このように、遮光層１２９を画素電極層１１９の外縁部上方に配置することにより、表示パネル１０における外光反射を効果的に抑制することができる。
有機ＥＬ素子１００では、上述のとおり、自己発光領域１００ａと非自己発光領域１００ｂとが、列方向に交互に配置されている。画素電極層１１９の列方向外縁部１１９ａ１、ａ２のうち、接続凹部１１９ｃが存在する側の外縁部１１９ａ２に最も近い画素電極層１１９と行バンク１２２Ｘとが重なる領域を、画素電極層１１９に対して電気接続するための画素電極層１１９上のコンタクト領域１１９ｂと定義したとき、図５に示すように、行遮光層１２９Ｘは、画素電極層１１９におけるコンタクト領域１１９ｂ内の一部領域とは重ならない位置に配されている。係る構成により、有機ＥＬ素子１００の発光効率を向上することができる。発光効率の向上については後述する。
４．３ 各部の構成材料
図４、５に示す各部の構成材料について、一例を示す。
（１）基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）
下部基板１００ｐとしては、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属基板、ガリウム砒素基などの半導体基板、プラスチック基板等を採用することができる。
プラスチック材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂いずれの樹脂を用いてもよい。例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ−（４−メチルベンテン−１）、アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、アクリル−スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリオ共重合体（ＥＶＯＨ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、プリシクロヘキサンテレフタレート（ＰＣＴ）等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリアセタール、ポリフェニレンオキシド、変形ポリフェニレンオキシド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられ、これらのうち１種、または２種以上を積層した積層体を用いることができる。
ゲート電極１０１、１０２としては、例えば、銅（Ｃｕ）とモリブデン（Ｍｏ）との積層体を採用している。ただしこれに限定されず、他の金属材料を採用することも可能である。
ゲート絶縁層１０３としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ2）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）など、電気絶縁性を有する材料であれば、公知の有機材料や無機材料のいずれも用いることができる。
チャネル層１０４、１０５としては、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）から選択される少なくとも一種を含む酸化物半導体を採用することができる。
チャネル保護層１０６としては、例えば、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、あるいは酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）を用いることができる。
ソース電極１０７、１１０、ドレイン電極１０８、１０９としては、例えば、銅マンガン（ＣｕＭｎ）と銅（Ｃｕ）とモリブデン（Ｍｏ）の積層体を採用することができる。
また、ソース下部電極１１１、１１５およびドレイン下部電極１１２、１１４についても、同様の材料を用い構成することができる。
パッシベーション層１１６は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ2）、窒化シリコン（ＳｉＮ）や酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、酸化シリコン（ＳｉＯ）や酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）を用いることもできる。
接続電極層１１７としては、例えば、モリブデン（Ｍｏ）と銅（Ｃｕ）と銅マンガン（ＣｕＭｎ）との積層体（Ｍｏ：約２０［ｎｍ］＋Ｃｕ：約３７５［ｎｍ］＋ＣｕＭｎ：約６５［ｎｍ］）を採用することができる。ただし、各層の層厚は、これに限定されるものではなく、例えば、モリブデン（Ｍｏ）の層厚は、５［ｎｍ］〜２００［ｎｍ］の範囲、銅（Ｃｕ）の層厚は、５０［ｎｍ］〜８００［ｎｍ］の範囲、銅マンガン（ＣｕＭｎ）の層厚は、５［ｎｍ］〜２００［ｎｍ］の範囲とすることができる。なお、接続電極層１１７の構成に用いる材料としては、これに限定されるものではなく、導電性を有する材料から適宜選択することが可能である。
層間絶縁層１１８は、例えば、ポリイミド、ポリアミド、アクリル系樹脂材料などの有機化合物を用い形成されており、層厚が約４０００［ｎｍ］の層である。ただし、層厚は、これに限定されるものではなく、例えば、２０００［ｎｍ］〜８０００［ｎｍ］の範囲とすることができる。
（２）画素電極層１１９
画素電極層１１９は、金属材料から構成されている。トップエミッション型の本実施の形態に係る表示パネル１０の場合には、その表面部が高い反射性を有することが好ましい。本実施の形態に係る表示パネル１０では、画素電極層１１９は、金属層、合金層、透明導電膜の中から選択される複数の膜を積層させた構造であってもよい。金属層としては、例えば、銀（Ａｇ）またはアルミニウム（Ａｌ）を含む金属材料から構成することができる。合金層としては、例えば、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）、ＡＲＡ（銀、ルビジウム、金の合金）、ＭｏＣｒ（モリブデンとクロムの合金）、ＮｉＣｒ（ニッケルとクロムの合金）等を用いることができる。透明導電層の構成材料としては、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用いることができる。
（３）ホール注入層１２０
ホール注入層１２０は、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化物、あるいは、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料からなる層である。
ホール注入層１２０を遷移金属の酸化物から構成する場合には、複数の酸化数をとるためこれにより複数の準位をとることができ、その結果、ホール注入が容易になり駆動電圧を低減することができる。
（４）ホール輸送層１２１
ホール輸送層１２１は、例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物などを用いることができる。
（５）バンク１２２
バンク１２２は、樹脂等の有機材料を用い形成されており絶縁性を有する。バンク１２２の形成に用いる有機材料の例としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等があげられる。バンク１２２は、有機溶剤耐性を有することが好ましい。さらに、バンク１２２は、製造工程中において、エッチング処理、ベーク処理など施されることがあるので、それらの処理に対して過度に変形、変質などをしないような耐性の高い材料で形成されることが好ましい。また、表面に撥水性をもたせるために、表面をフッ素処理することもできる。また、バンク１２２の形成にフッ素を含有した材料を用いてもよい。
さらに、バンク１２２の構造については、図４に示すような一層構造だけでなく、二層以上の多層構造を採用することもできる。この場合には、層毎に上記材料を組み合わせることもできるし、層毎に無機材料と有機材料とを用いることもできる。
（６）発光層１２３
発光層１２３は、上述のように、ホールと電子とが注入され再結合されることにより励起状態が生成され発光する機能を有する。発光層１２３の形成に用いる材料は、湿式印刷法を用い製膜できる発光性の有機材料を用いることが必要である。
具体的には、例えば、特許公開公報（日本国・特開平５−１６３４８８号公報）に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質で形成されることが好ましい。
（７）電子輸送層１２４
電子輸送層１２４は、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などを用い形成されている。
（８）対向電極層１２５
対向電極層１２５は、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）若しくは酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用い形成される。また、銀（Ａｇ）又はアルミニウム（Ａｌ）などを薄膜化した電極を用いてもよい。
（９）封止層１２６
封止層１２６は、発光層１２３などの有機層が水分に晒されたり、空気に晒されたりすることを抑制する機能を有し、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの透光性材料を用い形成される。また、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの材料を用い形成された層の上に、アクリル樹脂、シリコーン樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層を設けてもよい。
封止層１２６は、トップエミッション型である本実施の形態に係る表示パネル１０の場合においては、光透過性の材料で形成されることが必要となる。
（１０）接合層１２７
接合層１２７の材料は、例えば、樹脂接着剤等からなる。接合層１２７は、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などの透光性材料樹脂材料を採用することができる。
（１１）上部基板１３０
上部基板１３０としては、例えば、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板等を透光性材料を採用することができる。
（１２）カラーフィルタ層１２８
カラーフィルタ層１２８としては、公知の樹脂材料（例えば市販製品として、ＪＳＲ株式会社製カラーレジスト）等を採用することができる。
（１３）遮光層１２９
遮光層１２９としては、紫外線硬化樹脂（例えば紫外線硬化アクリル樹脂）材料を主成分とし、これに黒色顔料を添加してなる樹脂材料からなる。黒色顔料としては、例えば、カーボンブラック顔料、チタンブラック顔料、金属酸化顔料、有機顔料などを遮光性材料を採用することができる。
５．表示パネル１０の製造方法
表示パネル１０の製造方法について、図６から図９を用い説明する。
（１）基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）の形成
先ず、図６（ａ）に示すように、ソース電極１０７、１１０およびドレイン電極１０８、１０９までが形成された基板１００ｘ０を準備する。基板１００ｘ０は、公知のＴＦＴの製造方法により製造することができる。
次に、図６（ｂ）に示すように、ソース電極１０７、１０８およびドレイン電極１０８、１０９およびチャネル保護層１０６を被覆するように、例えば、プラズマＣＶＤ法あるいはスパッタリング法を用いて、パッシベーション層１１６を積層形成する。
次に、図６（ｃ）に示すように、パッシベーション層１１６におけるソース電極１１０上の箇所に、ドライエッチング法を用い、コンタクト孔１１６ａを開設する。コンタクト孔１１６ａは、その底部にソース電極１１０の表面１１０ａが露出するように形成される。
次に、図６（ｄ）に示すように、パッシベーション層１１６に開設されたコンタクトコンタクト孔１１６ａの内壁に沿って接続電極層１１７を形成する。接続電極層１１７の上部は、その一部がパッシベーション層１１６上に配される。接続電極層１１７の形成は、例えば、スパッタリング法を用いることができ、金属膜を成膜した後、ホトリソグラフィー法およびウェットエッチング法を用いパターニングすることがなされる。
さらに、接続電極層１１７およびパッシベーション層１１６を被覆するように、上記有機材料を塗布し、表面を平坦化することにより層間絶縁層１１８を積層形成する。
（２）画素電極層１１９の形成
図６（ｅ）に示すように、層間絶縁層１１８における接続電極層１１７上にコンタクト孔を開設し、画素電極層１１９を形成する。
画素電極層１１９の形成は、スパッタリング法あるいは真空蒸着法などを用い金属膜を形成した後、ホトリソグラフィー法およびエッチング法を用いパターニングすることでなされる。なお、画素電極層１１９は、接続電極層１１７と電気的に接続された状態となる。
（３）ホール注入層１２０およびバンク１２２の形成
図７（ａ）に示すように、画素電極層１１９上に対して、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１を形成し、その縁部を覆うようにバンク１２２を形成する。バンク１２２は、各画素を規定する開口部１２２ａを囲繞し、その底部にホール輸送層１２１の表面が露出するように設けられる。
ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１は、スパッタリング法を用い酸化金属（例えば、酸化タングステン）からなる膜を形成した後、ホトリソグラフィー法およびエッチング法を用い各画素単位にパターニングすることで形成される。
バンク１２２の形成は、先ず、ホール輸送層１２１上に、スピンコート法などを用い、バンク１２２の構成材料（例えば、感光性樹脂材料）からなる膜を積層形成する。そして、樹脂膜をパターニングして開口部１２２ａを開設する。開口部１２２ａの形成は、樹脂膜の上方にマスクを配して露光し、その後で現像することによりなされる。
（４）発光層１２３、および電子輸送層１２４の形成
図７（ｂ）に示すように、バンク１２２で規定された各開口部１２２ａ内に、ホール輸送層１２１側から順に、発光層１２３、および電子輸送層１２４を積層形成する。
発光層１２３の形成は、印刷法を用い、構成材料を含むインクをバンク１２２により規定される開口部１２２ａ内に塗布した後、焼成することによりなされる。
電子輸送層１２４の形成は、スパッタリング法などを用い形成できる。
（５）対向電極層１２５および封止層１２６の形成
図７（ｃ）に示すように、電子輸送層１２４を被覆するように、対向電極層１２５および封止層１２６を順に積層形成する。
対向電極層１２５および封止層１２６は、ＣＶＤ法、スパッタリング法などを用い形成できる。
（６）ＣＦ基板１３１の形成
次に、図８（ａ）〜（ｆ）を用いてＣＦ基板１３１の製造工程を例示する。
紫外線硬化樹脂（例えば紫外線硬化アクリル樹脂）材料を主成分とし、これに黒色顔料を添加してなる遮光層１２９の材料を溶媒に分散させ、遮光層ペースト１２９Ｘを調整し、透明な上部基板１３０の一方の面に塗布する（図８（ａ））。
塗布した遮光層ペースト１２９Ｘを乾燥し、溶媒をある程度揮発させてから、所定の開口部が施されたパターンマスクＰＭ１を重ね、その上から紫外線照射を行う（図８（ｂ））。
その後、塗布・溶媒除去した遮光層ペースト１２９Ｘを焼成し、パターンマスクＰＭ１及び未硬化のＢＭペースト１２０Ｘを除去して現像し、キュアすると、矩形状の断面形状の遮光層１２９が完成する（図８（ｃ））。
次に、遮光層１２９を形成した上部基板１３０表面に、紫外線硬化樹脂成分を主成分とするカラーフィルタ層１２８（例えば、Ｇ）の材料を溶媒に分散させ、ペースト１２８Ｘを塗布し、溶媒を一定除去した後、所定のパターンマスクＰＭ２を載置し、紫外線照射を行う（図８（ｄ））。
その後はキュアを行い、パターンマスクＰＭ２及び未硬化のペースト１２８Ｘを除去して現像すると、カラーフィルタ層１２８（Ｇ）が形成される（図８（ｅ））。
この図８（ｄ）、（ｅ）の工程を各色のカラーフィルター材料について同様に繰り返すことで、カラーフィルタ層１２８（Ｒ）、１２８（Ｂ）を形成する。なお、ペースト１２７Ｘを用いる代わりに市販されているカラーフィルター製品を利用してもよい。
以上でＣＦ基板１３１が形成される。
（７）ＣＦ基板１３１と背面パネルとの貼り合わせ
次に、基板１００ｘから封止層１２６までの各層からなる背面パネルに、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などの透光性紫外線硬化型樹脂を主成分とする接合層１２７の材料を塗布する（図９（ａ））。
続いて、塗布した材料に紫外線照射を行い、背面パネルとＣＦ基板１３１との相対的位置関係を合せた状態で両基板を貼り合わせる。このとき、両者の間にガスが入らないように注意する。その後、両基板を焼成して封止工程を完了すると、有機ＥＬ表示パネル１が完成する（図９（ｂ））。
６．表示パネル１０の効果について
６．１ 発光効率の向上
図１０は、図３におけるＡ部の拡大平面図である。有機ＥＬ素子１００では、自己発光領域１００ａと非自己発光領域１００ｂとが、列方向に交互に並んて配置されている。行遮光層１２９Ｘは、図５に示すように、コンタクト領域１１９ｂ内の一部領域とは重ならない位置に配されている。
上述のとおり、有機ＥＬ素子１００では、発光層１２３の画素電極層１１９からキャリアが供給される部分のみが発光する構成であるのに対し、層間に絶縁物である行バンク１２２Ｘが存在する非自己発光領域１００ｂでは有機化合物の電界発光現象が生じない。しかしながら、自己発光領域１００ａにおける発光層１２３で発光する光は微視的には層内のあらゆる方向に向けて出て行くので、発光層１２３から列方向に漏れ出た光は隣接する非自己発光領域１００ｂ内の行バンク１２２Ｘ中を透過する。そして、その光の一部が、非自己発光領域１００ｂ内の画素電極層１１９のコンタクト領域１１９ｂにおいて上方に向けて反射される。
そのため、行遮光層１２９Ｘを非自己発光領域１００ｂ上方を避けて画素電極層１１９におけるコンタクト領域１１９ｂと重ならない位置に配することにより、発光層１２３から列方向に漏れ出た光を非自己発光領域１００ｂ上方に出射することができ、有機ＥＬ素子１００の発光効率を向上することができる。
６．２ 外光の照り返しによる表示パネル面のギラツキの抑制
有機ＥＬ素子１００では、列遮光層１２９Ｙは、図４に示すように、画素電極層１１９の列行向外縁部１１９ａ３、ａ４と重なる位置に配され、行遮光層１２９Ｘは、図５に示すように、画素電極層１１９の列方向外縁部１１９ａ１、ａ２と重なる位置に配されている。
発明者の検討では、画素電極層１１９はスパッタリング法あるいは真空蒸着法などのプロセスにより形成されているのでその上面の表面は平滑であり、画素電極層１１９の外縁部１１９ａ以外の上面での外光の照り返しは比較的目立ちにくい。これに対し、画素電極層１１９の外縁部１１９ａはエッチングによりパターン形成さているので、外縁部のエッジ面の表面粗さは上面に比べて大きく、また、エッジ面は垂直方向から台形状に傾斜した形状をなしている。そのため、表示パネル面内のあらゆる方向に微細にパターンニングされた画素電極層１１９の外縁部に対し外光が当たると乱反射が生じ、何れかの方向に反射された光が観察者の目に入ることにより表示パネル面のギラツキとして認識され、表示画像の品質低下の要因となる。
これに対し、有機ＥＬ素子１００では、遮光層１２９を画素電極層１１９の外縁部上方に配置することにより、画素電極層１１９の外縁部１１９ａへの外交の入射を防止するととともに、外縁部１１９ａからの反射光の出射を遮断することが可能となる。これにより、表示パネル１０における外光の照り返しを効果的に抑制することができる。
また、行遮光層１２９Ｘを非自己発光領域１００ｂ上方には設けない場合でも、行遮光層１２９Ｘを含む遮光層１２９を画素電極層１１９の外縁部上方に配置することにより、最も顕著である画素電極層１１９の外縁部１１９ａからの反射光は遮断されているので、外光の照り返しは問題となることはない。
６．３ その他
遮光層１２９は、上述のとおり、各色画素から出射される光のうち隣接画素に漏れ出る光を遮断することにより、画素境界が不明瞭となることを防止するとともに、画素から出射される光の色純度を高める機能を有する。
有機ＥＬ素子１００では、列遮光層１２９Ｙの行方向の幅ＷＸは、同方向における画素電極層１１９間の距離δＸよりも大きく、行遮光層１２９Ｘの列方向の幅ＷＹは、同方向における画素電極層１１９間の距離δＹよりも各々大きく構成されている。画素電極層１１９間の距離δＸ、δＹは、画素電極層１１９をパターニングする製造工程でのエッチングの精度により定められ、行列方向の画素電極層１１９間のδＸ、δＹは等価となる。
そのため、列遮光層１２９Ｙの行方向の幅ＷＸと行遮光層１２９Ｘの列方向の幅ＷＹも等価とすることができるので、行遮光層１２９Ｘを非自己発光領域１００ｂ上方には設けないことに起因して、画素から出射される光が隣接画素に漏れ出て、結果として画素境界が不明瞭となり隣接画素間で混色が生じて画素から出射される光の色純度が低下するということはない。
６．４ 点灯試験
有機ＥＬ素子１００を備えた表示パネル１０の点灯試験を行い輝度を測定した。
図１１（ａ）〜（ｃ）は、表示パネル１０の画素１００eを上部基板１３０上方から平面視した写真である。有機ＥＬ素子１００を、（ａ）は、赤色間隙１２２ｚＲ内、（ｂ）は緑色間隙１２２ｚＧ内、（ｃ）は青色間隙１２２ｚＢ内のの自己発光領域１００ａと非自己発光領域１００ｂとを示したものである。
図１２（ａ）〜（ｃ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の画素１００eを発光させた状態で上部基板１３０上方から平面視した写真であり、図１１（ａ）〜（ｃ）に示した画素と同一の画素を点灯させた状態で示したものである。赤色間隙１２２ｚＲ、緑色間隙１２２ｚＧ、青色間隙１２２ｚＢともに非自己発光領域１００ｂに微小な輝度が得られることが確認できた。各々の間隙内の非自己発光領域１００ｂの単位面積当たりの輝度は、同じ間隙内の自己発光領域１００ａに対し約８％であった。本実施の形態では、各々の間隙において、非自己発光領域１００ｂの面積は、自己発光領域１００ａの面積に対し約２０％であるので、自己発光領域１００ａのみから光を取り出す従来の構成に比べて、約１．６％（０．２×０．０８）の輝度向上が確認できた。定量的に見て素子レベルでの輝度向上率としては十分に有意な量と考えられる。
また、図１２（ａ）〜（ｃ）によると、非自己発光領域１００ｂ内にある画素電極層１１９上の接続凹部１１９ｃにおいて周囲に比べて顕著に輝度が増加していることがわかる。 上述のとおり、画素電極層１１９の一部を基板１００ｘ方向に凹入された接続凹部１１９ｃは、底部１１９ｃ１とそれに連なる内周面部１１９ｃ２とからなり、内周面部１１９ｃ２の表面はすり鉢状の傾斜した斜面になっている。そのため、発光層１２３から列方向に漏れ出た光が、非自己発光領域１００ｂ上方に向けて効果的に反射されたものと推察される。
したがって、行遮光層１２９Ｘは基板１００ｘの平面視において、薄膜トランジスタのソースと画素電極層１１９とを接続するための画素電極層１１９の接続凹部１１９ｃと重ならない位置に配されることが好ましい。
≪変形例≫
実施の形態では、本実施の形態に係る表示パネル１０を説明したが、本発明は、その本質的な特徴的構成要素を除き、以上の実施の形態に何ら限定を受けるものではない。例えば、各実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。以下では、そのような形態の一例として、パネル１０の変形例を説明する。
（１）実施の形態に係る表示パネル１０では、基板１００ｘから封止層１２６までの各層からなる背面パネルの上に、遮光層１２９Ｘ及び１２９Ｙが配されたＣＦ基板１３１が設置・接合される構成としている。しかしながら、例示した表示パネル１０において、遮光層１２９Ｘ及び１２９Ｙを背面パネルに直接設ける構成としてもよい。
図１３、１４は、変形例に係る有機ＥＬ表示パネル１０Ａを各々図３におけるＡ−Ａ、Ｂ−Ｂと同じ位置で切断した模式断面図である。図１３、１４に示すように、変形例に係る有機ＥＬ素子１００Ａでは上部基板１３０に遮光層１２９Ｘ及び１２９Ｙが形成されておらず、列バンク１２２Ｙの頂部１２２Ｙｂ上の封止層１２６上に各々が列方向に延伸するよう配された遮光層１２９ＹＡが形成されている。また、行バンク１２２Ｘの頂部１２２Ｘｂ上の封止層１２６上に各々が行方向に延伸するよう配された遮光層１２９ＹＡが形成されている。
係る変形例１においても、実施の形態と同様に、遮光層１２９ＸＡ、ＹＡは画素電極層１１９の外縁部上方に配置されているので外光の照り返しは抑制される。また、行遮光層１２９ＸＡを非自己発光領域１００ｂ上方には設けず、画素電極層１１９におけるコンタクト領域１１９ｂと重ならない位置に配されているので、発光層１２３から列方向に漏れ出た光を非自己発光領域１００ｂ上方に出射することができ、有機ＥＬ素子１００の発光効率を向上することができる。
さらに、変形例では、背面パネルの画素とＣＦ基板１３１の遮光層１２９との相対的位置関係を合せた状態で両基板を貼り合わせるための高精度な位置調整が不要となる。特に、ＣＦ基板１３１に画素毎に色の異なるカラーフィルタ層１２８が設けない構成においては、背面パネルとＣＦ基板１３１との位置合わせを省略できる。また、変形例では、表示パネル１０Ａが、透明ディスプレイ等、ＣＦ基板１３１を配さない構成であっても、外光の照り返し抑制と発光効率を向上とを実現することができる。
また、対向電極層１２５上方に透光性材料からなる上部基板１３０を備え、行遮光層１２９Ｘを上部基板１３０に配し、列遮光層１２９ＹＡを、列バンク１２２Ｙ上面に配する構成としてもよい。あるいは、列遮光層１２９Ｙを上部基板１３０に配し、行遮光層１２９ＸＡを、行バンク１２２Ｘ上面に配する構成としてもよい。これにより、外光の照り返し抑制と発光効率を向上に加え、製造コストを低減することができる。この構成では、上部基板１３０上の行遮光層１２９Ｘ、又は列遮光層１２９Ｙがストライプ状となるために、例えば、ダイコート法を用いて上部基板１３０に行遮光層１２９Ｘ又は列遮光層１２９Ｙのペーストをストライプ状に塗布し焼成して遮光層を製造することができ、上述した実施の形態における上部基板１３０上に塗布した遮光層ペースト１２９ＸへのパターンマスクＰＭ１を介した紫外線照射等の工程が不要となるからである。
（２）表示パネル１０では、発光層１２３は、行バンク上を列方向に連続して延伸している構成としている。しかしながら、上記構成において、発光層１２３は、行バンク上において画素ごとに断続している構成としてもよい。係る構成によっても、外光の照り返し抑制と発光効率を向上とを実現することができる。
（３）表示パネル１０では、行方向に隣接する列バンク１２２Ｙ間の間隙１２２ｚに配された画素１００eの発光層１２３が発する光の色は互いに異なる構成とし、列方向に隣接する行バンク１２２Ｘ間の間隙１２２ｚに配された画素１００eの発光層１２３が発する光の色は同じである。しかしながら、上記構成において、行方向に隣接する画素１００eの発光層１２３が発する光の色は同じであり、列方向に隣接する画素１００eの発光層１２３が発する光の色が互いに異なる構成としてもよい。また、行列方向の両方において隣接する画素１００eの発光層１２３が発する光の色が互いに異なる構成としてもよい。係る構成によっても、外光の照り返し抑制と発光効率を向上とを実現することができる。また、画素から出射される光が隣接画素に漏れ出る画素境界が不明瞭となり、隣接画素間での混色が生じて画素から出射される光の色純度が低下することはない。
（４）表示パネル１０では、基板１００ｘから封止層１２６までの各層からなる背面パネルの上に、ＣＦ基板１３１を接合層１２７を介して設置・接合される構成としている。さらに、背面パネルの上とＣＦ基板１３１との間に、フォトスペーサを介在させる構成としてもよい。
フォトスペーサ（不図示）は、主としてＣＦ基板１３１と背面パネルとの対向間隔を調整する目的で使用される。例えば、Ｚ方向を軸方向とする円筒形に形成され、Ｚ方向両端部がそれぞれの基板側に当接するように配置される構成としてもよい。なお、フォトスペーサの形状は円筒形に限定されず、直方体や球体等であってもよいし、遮光層１２９ＸＡ又は１２９ＹＡのように長尺状に形成してもよい。このようにＸＹ平面に沿った長尺状にすれば、各有機ＥＬ素子において、隣接する発光層１２３間の光の回り込みを防止する効果も期待できる。フォトスペーサの材料としては公知のものが使用でき、透明性の高い樹脂材料、例えばメタクリル酸エステル類を例示することができる。なお、フォトスペーサは、画素ごとに、遮光層１２９ＸＡ又は１２９ＹＡの交点位置に合わせて配置されているが、これに限定されない。例えば、３色のカラーフィルタ層１２８のセットからなるカラー表示における１ピクセル毎の交点に配置することもできる。
（５）その他の変形例
実施の形態に係る表示パネル１０では、画素１００eには、赤色画素、緑色画素、青色画素の３種類があったが、本発明はこれに限られない。例えば、発光層が１種類であってもよいし、発光層が赤、緑、青、黄色に発光する４種類であってもよい。
また、上記実施の形態では、画素１００eが、マトリクス状に並んだ構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、画素領域の間隔を１ピッチとするとき、隣り合う間隙同士で画素領域が列方向に半ピッチずれている構成に対しても効果を有する。高精細化が進む表示パネルにおいて、多少の列方向のずれは視認上判別が難しく、ある程度の幅を持った直線上（あるいは千鳥状）に膜厚むらが並んでも、視認上は帯状となる。したがって、このような場合も輝度むらが上記千鳥状に並ぶことを抑制することで、表示パネルの表示品質を向上できる。
また、表示パネル１０では、すべての間隙１２２ｚに画素電極層１１９が配されていたが、本発明はこの構成に限られない。例えば、バスバーなどを形成するために、画素電極層１１９が形成されない間隙１２２ｚが存在してもよい。
また、表示パネル１０では、各色画素１００eである間隙１２２ｚの上方に、カラーフィルタ層１２８が形成されている構成とした。しかしながら、例示した表示パネル１０において、間隙１２２ｚの上方にはカラーフィルタ層１２８を設けない構成としてもよい。
また、上記実施の形態では、画素電極層１１９と対向電極層１２５の間に、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１、発光層１２３及び電子輸送層１２４が存在する構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１及び電子輸送層１２４を用いずに、画素電極層１１９と対向電極層１２５との間に発光層１２３のみが存在する構成としてもよい。また、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、電子注入層などを備える構成や、これらの複数又は全部を同時に備える構成であってもよい。また、これらの層はすべて有機化合物からなる必要はなく、無機物などで構成されていてもよい。
また、上記実施の形態では、発光層１２３の形成方法としては、印刷法、スピンコート法、インクジェット法などの湿式成膜プロセスを用いる構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、イオンプレーティング法、気相成長法等の乾式成膜プロセスを用いることもできる。さらに、各構成部位の材料には、公知の材料を適宜採用することができる。
上記の形態では、ＥＬ素子部の下部にアノードである画素電極層１１９が配され、ＴＦＴのソース電極１１０に画素電極層１１９を接続する構成を採用したが、ＥＬ素子部の下部に対向電極層、上部にアノードが配された構成を採用することもできる。この場合には、ＴＦＴにおけるドレインに対して、下部に配されたカソードを接続することになる。
また、上記実施の形態では、一つの画素１００eに対して２つのトランジスタＴｒ1、Ｔｒ2が設けられてなる構成を採用したが、本発明はこれに限定を受けるものではない。例えば、一つのサブピクセルに対して一つのトランジスタを備える構成でもよいし、三つ以上のトランジスタを備える構成でもよい。
さらに、上記実施の形態では、トップエミッション型のＥＬ表示パネルを一例としたが、本発明はこれに限定を受けるものではない。例えば、ボトムエミッション型の表示パネルなどに適用することもできる。その場合には、各構成について、適宜の変更が可能である。
また、上記実施の形態では、表示パネル０がアクティブマトリクス型の構成であったが、本発明はこれに限られず、例えば、パッシブマトリクス型の構成であってもよい。具体的には、列方向と平行な線状の電極と、行方向と平行な線状の電極とを発光層１２３を挟むようにそれぞれ複数並設すればよい。その場合には、各構成について、適宜の変更が可能である。なお、上記実施の形態では、基板１００ｘがＴＦＴ層を有する構成であったが、上記パッシブマトリクス型の例などから分かるように、基板１００ｘはＴＦＴ層を有する構成に限られない。
≪総括≫
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルは、基板１０１ｘと、基板１０１ｘ上に行列状に配され光反射材料からなる複数の画素電極層１１９と、基板１０１ｘ及び画素電極層１１９上に、画素電極層１１９の行方向外縁部１１９ａ３、ａ４を覆う状態で、列方向に延伸して行方向に並設された、画素内の自己発光領域１００ａの行方向外縁を規定する複数の列バンク１２２Ｙと、基板１０１ｘ及び画素電極層１１９上に、画素電極層１１９の列方向外縁部１１９ａ１、ａ２と列方向外縁部に最も近い画素電極層１１９に対して電気接続するための画素電極層１１９上のコンタクト領域１１９ｂとを覆う状態で、行方向に延伸して列方向に並設された、自己発光領域１００ａの列方向外縁を規定する複数の行バンク１２２Ｘと、画素電極層１１９上方に隣接する列バンク１２２Ｙ間の間隙１２２Ｚに沿って配された複数の発光層１２３と、複数の発光層１２３上方に配された透光性材料からなる対向電極層１２５と、画素電極層１１９上方において列方向に延伸して行方向に並設された、基板１００ｘの平面視において画素電極層１１９の行方向外縁部１１９ａ３、ａ４と重なる複数の列遮光層１２９Ｙと、画素電極層１１９上方において行方向に延伸して列方向に並設された、基板の平面視において画素電極層の列方向外縁部１１９ａ１、ａ２と重なり、コンタクト領域１１９ｂ内の一部領域とは重ならない行遮光層１２９Ｘとを備えたことを特徴とする。
係る構成により、表示面における外光の照り返しの抑制と発光効率の向上とを実現する有機ＥＬ素子、及びそれを用いた有機ＥＬ表示パネルを提供することができる。
≪補足≫
以上で説明した実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、工程、工程の順序などは一例であり、本発明を限定する主旨ではない。また、実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない工程については、より好ましい形態を構成する任意の構成要素として説明される。
また、上記の工程が実行される順序は、本発明を具体的に説明するために例示するためのものであり、上記以外の順序であってもよい。また、上記工程の一部が、他の工程と同時（並列）に実行されてもよい。
また、発明の理解の容易のため、上記各実施の形態で挙げた各図の構成要素の縮尺は実際のものと異なる場合がある。また本発明は上記各実施の形態の記載によって限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。
また、各実施の形態及びその変形例の機能のうち少なくとも一部を組み合わせてもよい。
さらに、本実施の形態に対して当業者が思いつく範囲内の変更を施した各種変形例も本発明に含まれる。
本発明に係る有機ＥＬ表示パネル、及び有機ＥＬ表示装置は、テレビジョンセット、パーソナルコンピュータ、携帯電話などの装置、又はその他表示パネルを有する様々な電子機器に広く利用することができる。
１ 有機ＥＬ表示装置
１０ 有機ＥＬ表示パネル
１００ 有機ＥＬ素子
１００ｅ 画素
１００ａ 自己発光領域
１００ｂ 非自己発光領域
１００ｘ 基板（ＴＦＴ基板）
１００ｐ 下部基板
１０１ ゲート電極
１０２ ゲート絶縁層
１０４、１０５ チャネル層
１０６ チャネル保護層
１０７、１１０ ソース電極
１０８、１０９ ドレイン電極
１１１ ソース下部電極
１１２ ドレイン下部電極
１１３ コンタクトプラグ
１１６ パッシベーション層
１１７ 接続電極層
１１８ 層間絶縁層
１１９ 画素電極層
１１９ａ１、ａ２、ａ３、ａ４ 外縁部
１１９ｂ コンタクト領域（コンタクトウインドウ）
１１９ｃ 接続凹部
１２０ ホール注入層
１２１ ホール輸送層
１２２ バンク
１２２Ｘ 行バンク
１２２Ｙ 列バンク
１２２ｚ 間隙
１２３ 発光層
１２４ 電子輸送層
１２５ 対向電極層
１２６ 封止層
１２７ 接合層
１２８ カラーフィルタ層
１２９ 遮光層
１２９Ｘ 行遮光層
１２９Ｙ 列遮光層
１３０ 上部基板
１３１ ＣＦ基板
１３７ 下部接続電極層
ＥＬ．ＥＬ素子部
Ｔｒ1．駆動トランジスタ
Ｔｒ2．スイッチングトランジスタ
Ｃ．容量

Claims (12)

  1. 複数の画素が行列状に配された有機ＥＬ表示パネルであって、
    基板と、
    前記基板上に行列状に配され光反射材料からなる複数の画素電極層と、
    前記基板及び前記画素電極層上に、前記画素電極層の行方向外縁部を覆う状態で、列方向に延伸して行方向に並設された、前記画素内の自己発光領域の行方向外縁を規定する複数の列バンクと、
    前記基板及び前記画素電極層上に、前記画素電極層の列方向外縁部と、前記画素電極層に対して電気接続するための前記画素電極層上のコンタクト領域とを覆う状態で、行方向に延伸して列方向に並設された、前記自己発光領域の列方向外縁を規定する複数の行バンクと、
    前記画素電極層上方に隣接する前記列バンク間の間隙に沿って配された複数の発光層と、
    前記複数の発光層上方に配された透光性材料からなる対向電極層と、
    前記画素電極層上方において列方向に延伸して行方向に並設された、前記基板の平面視において前記画素電極層の前記行方向外縁部と重なる複数の列遮光層と、
    前記画素電極層上方において行方向に延伸して列方向に並設された、前記基板の平面視において前記画素電極層の前記列方向外縁部と重なり、前記コンタクト領域内の一部領域とは重ならない行遮光層とを備えた
    有機ＥＬ表示パネル。
  2. 前記基板には前記複数の画素に対応する位置に複数の薄膜トランジスタが行列状に配されており、
    前記複数の薄膜トランジスタのソース又はドレインは、前記コンタクト領域内の前記画素電極層の一部を前記基板方向に凹入させた接続凹部を介して前記複数の画素電極層と各々接続されており、
    前記基板の平面視において、前記行遮光層は前記接続凹部と重ならない
    請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。
  3. 前記発光層は、前記行バンク上を列方向に連続して延伸している
    請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示パネル。
  4. 前記発光層は、前記行バンク上において断続している
    請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示パネル。
  5. 行方向に隣接する前記列バンク間の間隙に配された前記発光層が発する光の色は互いに異なる
    請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示パネル。
  6. 列方向に隣接する前記行バンク間の間隙に配された前記発光層が発する光の色は同じである
    請求項４に記載の有機ＥＬ表示パネル。
  7. 前記対向電極層上方に透光性材料からなる上部基板を備え、
    前記行遮光層又は前記列遮光層の少なくとも何れか一方は、前記上部基板に配されている
    請求項１から６の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
  8. 前記列遮光層は、前記列バンク上面に配されている
    請求項１から７の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
  9. 前記行遮光層は、前記行バンク上面に配されている
    請求項１から８の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
  10. 基板と、
    前記基板上に配され光反射材料からなる画素電極層と、
    前記基板及び画素電極層上に配され、前記画素電極層の外縁部と前記外縁部に最も近い前記画素電極層に対して電気接続するための前記画素電極層上のコンタクト領域とを覆う絶縁層からなるバンクと、
    前記画素電極層上方に配された発光層と、
    前記発光層上方に配された透光性材料からなる対向電極層と、
    前記画素電極層上方に配された、前記基板の平面視において前記画素電極層の前記外縁部と重なり、前記コンタクト領域内の一部領域とは重ならない遮光層とを備えた
    有機ＥＬ素子。
  11. 前記基板には薄膜トランジスタが配されており、
    前記薄膜トランジスタのソース又はドレインは、前記コンタクト領域内の前記画素電極層の一部を前記基板方向に凹入させた接続凹部を介して前記複数の画素電極層と各々接続されており、
    前記基板の平面視において、前記行遮光層は前記接続凹部と重ならない
    請求項１０に記載の有機ＥＬ素子。
  12. 有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、
    基板を準備し、
    前記基板上に行列状に光反射材料からなる複数の画素電極層を配設し、
    前記基板及び前記画素電極層上に、前記画素電極層の行方向外縁部を覆う状態で、複数の列バンクを列方向に延伸して行方向に並設し、
    前記基板及び前記画素電極層上に、前記画素電極層の列方向外縁部と、前記画素電極層上のコンタクト領域とを覆う状態で、複数の行バンクを行方向に延伸して列方向に並設し、
    前記画素電極層上方に隣接する前記列バンク間の間隙に沿って複数の発光層を行方向に配設し、
    前記複数の発光層上方に透光性材料からなる対向電極層を配設し、
    前記画素電極層上方に、前記基板の平面視において前記画素電極層の前記行方向外縁部と重なる複数の列遮光層を、行方向に延伸して列方向に並設し、
    前記画素電極層上方に、前記基板の平面視において前記画素電極層の前記列方向外縁部と重なり、前記コンタクト領域内の一部領域とは重ならない行遮光層を、行方向に延伸して列方向に並設する
    有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
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