KR102441559B1 - 유기 발광 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 측면에 따르면, 제1 화소 및 제2 화소를 포함하는 표시 영역과, 상기 표시 영역 외곽에 위치하는 복수의 광센서;를 포함하는 유기 발광 표시 장치에 있어서, 상기 제1 화소는, 기판 상에 위치하고, 제1 화소 전극, 상기 제1 화소 전극보다 반사율이 낮은 대향 전극, 상기 제1 화소 전극과 상기 대향 전극 사이에 위치하는 제1 유기 발광층을 포함하고, 상기 제2 화소는, 상기 기판 상에 위치하고, 제2 화소 전극, 상기 제2 화소 전극보다 반사율이 낮은 대향 전극, 상기 제2 화소 전극과 상기 대향 전극 사이에 위치하는 제2 유기 발광층을 포함하고, 상기 제2 화소는 상기 제1 화소보다 상기 광센서에 더 가깝게 위치하고, 상기 제2 화소 전극은 상기 기판에 평행한 제1 부분 및 상기 기판에 대하여 기울어진 경사면이 형성된 제2 부분을 구비하는 유기 발광 표시 장치를 제공한다.

Description

유기 발광 표시 장치{Organic light-emitting apparatus}
본 발명의 실시예들은 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치(organic light-emitting display apparatus)는 정공 주입 전극과 전자 주입 전극, 그리고 정공 주입 전극과 전자 주입 전극 사이에 형성되어 있는 유기 발광층을 포함하고, 정공 주입 전극에서 주입되는 정공과 전자 주입 전극에서 주입되는 전자가 유기 발광층에서 재결합하고 소멸하면서 빛을 내는 자발광형 표시 장치이다. 유기 발광 표시 장치는 낮은 소비 전력, 높은 휘도 및 높은 반응 속도 등의 고품위 특성을 나타내므로 차세대 표시 장치로 주목 받고 있다.
본 발명의 실시예들은 개구율이 높고, 광센서의 효율이 높은 유기 발광 표시 장치를 제공한다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 제1 화소 및 제2 화소를 포함하는 표시 영역과, 상기 표시 영역 외곽에 위치하는 복수의 광센서;를 포함하는 유기 발광 표시 장치에 있어서, 상기 제1 화소는, 기판 상에 위치하고, 제1 화소 전극, 상기 제1 화소 전극보다 반사율이 낮은 대향 전극, 상기 제1 화소 전극과 상기 대향 전극 사이에 위치하는 제1 유기 발광층을 포함하고, 상기 제2 화소는, 상기 기판 상에 위치하고, 제2 화소 전극, 상기 제2 화소 전극보다 반사율이 낮은 대향 전극, 상기 제2 화소 전극과 상기 대향 전극 사이에 위치하는 제2 유기 발광층을 포함하고, 상기 제2 화소는 상기 제1 화소보다 상기 광센서에 더 가깝게 위치하고, 상기 제2 화소 전극은 상기 기판에 평행한 제1 부분 및 상기 기판에 대하여 기울어진 경사면이 형성된 제2 부분을 구비하는 유기 발광 표시 장치를 제공한다.
또한, 상기 제2 화소는 상기 표시 영역의 최외각에 위치할 수 있다.
또한, 상기 제1 화소 전극과 상기 기판 사이에 제1 박막 트랜지스터가 위치하고, 상기 제2 화소 전극과 상기 기판 사이에 제2 박막 트랜지스터가 위치하고, 상기 제1 화소 전극과 상기 제1 박막 트랜지스터 사이, 및 상기 제2 화소 전극과 상기 제2 박막 트랜지스터 사이에 제1 유기 절연막이 위치할 수 있다.
또한, 상기 제2 화소에 위치하는 상기 제1 유기 절연막의 상부 표면은, 상기 기판에 평행한 제1 부분 및 상기 기판에 대하여 기울어진 경사면이 형성된 제2 부분을 구비할 수 있다.
또한, 상기 제2 화소 전극의 제1 부분은 상기 제1 유기 절연막의 제1 부분 위에 위치하고, 상기 제2 화소 전극의 제2 부분은 상기 제1 유기 절연막의 제2 부분 위에 위치할 수 있다.
또한, 상기 제2 화소 전극의 제1 부분 위에 상기 제2 유기 발광층의 제1 부분이 위치하고, 상기 제2 화소 전극의 제2 부분 위에 상기 제2 유기 발광층의 제2 부분이 위치할 수 있다.
또한, 상기 제1 유기 절연막의 제2 부분의 경사면은, 상기 기판에 수직인 면과 0도 보다 크거나 같고 90도 보다 작은 각으로 형성될 수 있다.
또한, 상기 대향 전극은 상기 제1 화소 및 제2 화소에서 일체형으로 형성될 수 있다.
또한, 상기 유기 발광 표시 장치는, 상기 제1 화소 전극의 양 단부를 덮는 제2 유기 절연막을 더 포함하고, 상기 제2 유기 절연막은 상기 제2 화소 전극의 일 단부를 덮고, 다른 일 단부는 덮지 않을 수 있다.
또한, 상기 제2 화소에서, 상기 제2 유기 절연막은 기판에 수직인 면에 대하여 비대칭적인 형상일 수 있다.
또한, 상기 유기 발광 표시 장치는, 상기 표시 영역을 봉지하는 봉지 부재를 더 포함하고, 상기 봉지 부재와, 상기 제2 화소 사이에 위치하는 광차단층을 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 제2 화소 전극의 제1 부분 및 제2 부분은 복수 개 구비될 수 있다.
또한, 상기 제2 화소 전극의 복수의 제1 부분들은 상기 기판을 기준으로 서로 다른 높이로 형성될 수 있다.
또한, 상기 제1 화소 전극과 상기 기판 사이에 제1 박막 트랜지스터가 위치하고, 상기 제2 화소 전극과 상기 기판 사이에 제2 박막 트랜지스터가 위치하고, 상기 제1 화소 전극과 상기 제1 박막 트랜지스터 사이, 및 상기 제2 화소 전극과 상기 제2 박막 트랜지스터 사이에 제1 유기 절연막이 위치할 수 있다.
또한, 상기 제2 화소에 위치하는 상기 제1 유기 절연막의 상부 표면은, 상기 기판에 평행한 복수의 제1 부분들 및 상기 기판에 대하여 기울어진 경사면이 형성된 복수의 제2 부분들을 구비할 수 있다.
또한, 상기 제2 화소 전극의 복수의 제1 부분들은 상기 제1 유기 절연막의 복수의 제1 부분들 위에 위치하고, 상기 제2 화소 전극의 복수의 제2 부분들은 상기 제1 유기 절연막의 복수의 제2 부분들 위에 위치할 수 있다.
또한, 상기 제2 화소 전극의 복수의 제1 부분들 위에 상기 제2 유기 발광층의 복수의 제1 부분들이 각각 위치하고, 상기 제2 화소 전극의 복수의 제2 부분들 위에 상기 제2 유기 발광층의 복수의 제2 부분들이 각각 위치할 수 있다.
또한, 상기 제2 화소 전극의 복수의 제2 부분들은 상기 기판에 수직인 면과 0도 보다 크거나 같고 90도 보다 작은 각으로 형성될 수 있다.
또한, 상기 제2 화소에서, 상기 제1 유기 절연막은 기판에 수직인 면에 대하여 비대칭적인 형상일 수 있다.
또한, 상기 유기 발광 표시 장치는, 상기 제1 화소 전극의 양 단부를 덮는 제2 유기 절연막을 더 포함하고, 상기 제2 유기 절연막은 상기 제2 화소 전극의 일 단부를 덮고, 다른 일 단부는 덮지 않을 수 있다.
또한, 상기 제2 화소에서, 상기 제2 유기 절연막은 기판에 수직인 면에 대하여 비대칭적인 형상일 수 있다.
또한, 상기 제1 전극은 은(Ag) 또는 은 합금을 포함할 수 있다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 전면 발광형 표시 장치이기 때문에, 배면 발광형 표시 장치에 비하여 표시 장치의 개구율을 높일 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 표시 영역 외곽에 광센서가 위치하고, 표시 영역의 외곽부에 경사 구조의 화소 전극이 형성되어 있기 때문에 전면 발광 표시 장치임에도 불구하고 광센서에 도달하는 광량이 증대되어 광센서의 효율을 높일 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1)를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1)의 화소와 광센서의 일부를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 3은 전면 발광형 유기 발광 표시 장치의 기판 단부에서의 광 경로를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 4는 배면 발광형 유기 발광 표시 장치의 기판 단부에서의 광 경로를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(2)의 화소와 광센서의 일부를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(3)의 화소와 광센서의 일부를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 7은 도 6의 A의 일부를 도시한 단면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1)를 개략적으로 도시한 평면도이고, 도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1)의 화소와 광센서의 일부를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 기판(10) 상에 복수의 제1 화소(P1) 및 복수의 제2 화소(P2)를 포함하는 표시 영역(DA)이 구비된다. 도 1에는 제1 화소(P1) 및 제2 화소(P2)가 편의상 1개씩 도시되어 있으나, 유기 발광 표시 장치(1)는 표시 영역(DA)에 복수의 제1 화소(P1)와 복수의 제2 화소(P2)를 구비한다.
표시 영역(DA) 외곽에는 제1 화소(P1) 및 제2 화소(P2)에서 방출되는 빛의 일부를 센싱하는 복수의 광센서(PS1~PS6)가 구비된다. 제2 화소(P2)는 제1 화소(P1)보다 표시 영역(DA)의 외곽에 위치한 복수의 광센서(PS1~PS6)에 더 가깝게 위치한다.
복수의 광센서(PS1~PS6)는 제1 화소(P1) 및 제2 화소(P2)에서 방출되는 빛의 일부를 센싱한다.
유기 발광 표시 장치(1)는 장시간 구동 시, 제1 화소(P1) 및 제2 화소(P2)의 발광층이 열화되어 표시 영역(DA)에 얼룩이 생길 수 있다. 광센서(PS1~PS6)를 구비한 유기 발광 표시 장치(1)는 광센서(PS1~PS6)가 센싱한 광량 데이터를 기준으로 표시 영역(DA)의 열화 수준을 파악하고, 적절한 보정 시스템을 사용하여 표시 영역(DA)의 불균일한 휘도를 보정하여 얼룩 발생을 줄일 수 있다.
도 1에는 표시 영역(DA) 외곽에 6개의 광센서(PS1~PS6)가 도시되어 있으나, 이는 설명의 편의를 위한 예시이며, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 광센서(PS1~PS6)는 도 1에 도시된 개수보다 많이 배치될 수 있으며, 광센서(PS1~PS6)의 위치도 표시 영역(DA) 외곽에 자유로운 배치가 가능하다.
도 2를 참조하면, 기판(10) 상에 제1 화소(P1) 및 제2 화소(P2)가 구비되고, 표시 영역(10)의 외곽에 광센서(PS5)가 위치한다.
제1 화소(P1)에는 제1 박막 트랜지스터(TFT1) 및 제1 유기 발광 소자(OLED1)가 구비되고, 제2 화소(P2)에는 제2 박막 트랜지스터(TFT2) 및 제2 유기 발광 소자(OLED2)가 구비된다.
제1 박막 트랜지스터(TFT1)와 제2 박막 트랜지스터(TFT2)는 크기, 재료, 구조가 모두 동일한 소자일 수 있다. 또한, 제1 박막 트랜지스터(TFT1)와 제2 박막 트랜지스터(TFT2)는 크기, 재료, 구조 중 적어도 하나가 상이한 소자일 수 있다. 본 실시예에서는 제1 박막 트랜지스터(TFT1)와 제2 박막 트랜지스터(TFT2)의 크기, 재료, 구조가 모두 동일한 소자임을 일 실시예로 설명한다.
기판(10)은 유리 기판뿐만 아니라, PET(Polyethylen terephthalate), PEN(Polyethylen naphthalate), 폴리이미드(Polyimide) 등을 포함하는 플라스틱 기판 등으로 구비될 수 있다.
기판(10)의 상부에 평활한 면을 형성하고 불순 원소가 침투하는 것을 차단하기 위한 버퍼층(11)이 더 구비될 수 있다. 버퍼층(11)은 실리콘 질화막 및/또는 실리콘 산화막 등이 단층 또는 복수층으로 형성될 수 있다.
버퍼층(11) 상에 제1 박막 트랜지스터(TFT1)와 제2 박막 트랜지스터(TFT2)가 구비된다. 제1 박막 트랜지스터(TFT1)와 제2 박막 트랜지스터(TFT2)는 활성층(212), 게이트 전극(214), 소스 전극(216a) 및 드레인 전극(216b)를 포함한다.
활성층(212)은 비정질 실리콘 또는 결정질 실리콘을 포함하는 반도체로 형성될 수 있다. 활성층(212)은 채널영역(212c)과, 채널영역(212c) 외측에 이온 불순물이 도핑된 소스 영역(212a) 및 드레인 영역(212b)을 포함할 수 있다. 활성층(212)은 비정질 실리콘 또는 결정질 실리콘에만 한정되지는 않으며, 산화물 반도체를 포함할 수 있다.
활성층(212) 상에 게이트 절연막(13)이 구비된다. 게이트 절연막(13)은 실리콘 질화막 및/또는 실리콘 산화막 등이 단층 또는 복수층으로 형성될 수 있다.
게이트 절연막(13) 상에 게이트 전극(214)이 구비된다. 게이트 전극(214)은, 예를 들어, 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 가운데 선택된 하나 이상의 금속이 단층 또는 복수층으로 형성될 수 있다.
도 2에는 도시되어 있지 않지만, 게이트 전극(214)과 동일층에 게이트 전극(214)과 동일한 재료로 형성된 스캔 라인과 같은 배선이 형성될 수 있다.
게이트 전극(214) 상에 층간 절연막(15)이 위치한다. 층간 절연막(15)은 실리콘 질화막 및/또는 실리콘 산화막 등이 단층 또는 복수층으로 형성될 수 있다
층간 절연막(15) 위에 소스 전극(216a) 및 드레인 전극(216b)이 구비된다. 소스 전극(216a) 및 드레인 전극(216b)은, 예를 들어, 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 및 이들의 합금 가운데 선택된 금속층이 단층 또는 복수층으로 형성할 수 있다.
소스 전극(216a) 및 드레인 전극(216b) 상에는, 소스 전극(216a) 및 드레인 전극(216b)을 덮는 제1 유기 절연막(17)이 위치한다. 제1 유기 절연막(17)은 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자, phenol 그룹을 갖는 고분자 유도체 및 이들의 블렌드 등을 포함할 수 있다.
제1 화소(P1)에 형성된 제1 유기 절연막(17)은 소스 전극(216a) 및 드레인 전극(216b)을 덮고, 제1 유기 절연막(17)의 상부 표면을 평탄하게 할 수 있다.
제1 화소 전극(120)이 평탄한 제1 유기 절연막(17) 상부 표면에 형성되면, 제1 화소 전극(120)의 표면 불균일에 의한 표시 장치의 휘도 불균형을 방지 할 수 있다.
제1 화소(P1)에 형성된 제1 유기 절연막(17)에는 제1 비아홀(C1)이 형성되고, 제1 유기 발광 소자(OLED1)의 제1 화소 전극(120)은 제1 비아홀(C1)을 통하여 제1 박막 트랜지스터(TFT1)의 소스 전극(216a)과 드레인 전극(216b) 중 하나에 접속한다. 도 2는 제1 화소 전극(120)이 드레인 전극(216b)에 접속한 구조를 도시하고 있으나, 제1 화소 전극(120)은 소스 전극(216a)에도 접속할 수 있다.
제2 화소(P2)에 형성된 제1 유기 절연막(17)의 상부 표면은 기판(10)에 평행한 제1 부분(17a)과 기판(10)에 대하여 경사면(D1)이 형성된 제2 부분(17b)을 구비한다.
제2 화소(P2)에 형성된 제1 유기 절연막(17)의 제2 부분(17b)의 경사면(D1)은 기판(10)에 수직인 면과 0도 보다 크거나 같고 90도 보다 작은 각으로 형성된다. 즉, 광센서(PS5)를 바라보는 방향으로 소정 각(θ1)을 이룬다.
제2 화소(P2)에 형성된 제1 유기 절연막(17)에는 제2 비아홀(C2)이 형성되고, 제2 유기 발광 소자(OLED2)의 제2 화소 전극(130)은 제2 비아홀(C2)을 통하여 제2 박막 트랜지스터(TFT2)의 소스 전극(216a)과 드레인 전극(216b) 중 하나에 접속한다. 도 2는 제2 화소 전극(130)이 드레인 전극(216b)에 접속한 구조를 도시하고 있으나, 제2 화소 전극(130)은 소스 전극(216a)에도 접속할 수 있다.
도 2에는 도시되어 있지 않으나, 소스 전극(21a) 및 드레인 전극(216b)과 동일한 층에 소스 전극(216a) 및 드레인 전극(216b)과 동일한 재료로 데이터 배선 또는 VDD 배선이 등이 더 형성될 수 있다.
제1 화소 전극(120) 및 제2 화소 전극(130)의 반사율은 대향 전극(122)의 반사율보다 높을 수 있다.
제1 화소 전극(120) 및 제2 화소 전극(130)은 대향 전극(122)보다 반사율이 높은 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 화소 전극(120) 및 제2 화소 전극(130)은 은(Ag) 또는 은 합금을 포함할 수 있다.
제1 화소 전극(120) 및 제2 화소 전극(130)이 은(Ag) 또는 은 합금을 포함할 때, 제1 화소 전극(120) 및 제2 화소 전극(130)과 제1 유기 절연막(17) 사이에는, 제1 화소 전극(120) 및 제2 화소 전극(130)과 제1 유기 절연막(17) 사이의 접착력을 강화하는 제1 투명 도전성 산화물층(미도시)이 더 형성될 수 있다.
제1 화소 전극(120)과 제1 유기 발광층(121) 사이, 및 제2 화소 전극(130)과 제2 유기 발광층(131) 사이에는, 제1 화소 전극(120) 및 제2 화소 전극(130)을 보호하는 제2 투명 도전성 산화물층(미도시)이 더 형성될 수 있다.
제1 및 제2 투명 도전성 산화물층(미도시)은 인듐틴옥사이드(indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(indium zinc oxide), 징크옥사이드(zinc oxide), 인듐옥사이드(indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(indium gallium oxide), 및 알루미늄징크옥사이드(aluminum zinc oxide)을 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다.
제1 화소 전극(120)은 제1 유기 절연막(17)의 상면에 전체적으로 평탄하게 형성될 수 있다.
제2 화소 전극(130)은 제1 유기 절연막(17)의 제1 부분(17a) 위에 형성된 제1 부분(130a)과, 제1 유기 절연막(17)의 제2 부분(17b) 즉 경사면(D1)을 따라 형성된 제2 부분(130b)를 포함한다.
제1 화소(P1)에 형성된 제2 유기 절연막(19)에는 제1 화소 전극(120)의 상부를 노출하도록 개구(C3)가 형성되고, 제2 유기 절연막(19)은 제1 화소 전극(120)의 양 단부를 덮는다. 제2 유기 절연막(19)은 화소의 발광 영역을 정의하는 화소 정의막 역할을 할 수 있다.
제2 화소(P2)에 형성된 제2 유기 절연막(19)에는 제2 화소 전극(130)의 상부를 노출하도록 개구(C4)가 형성된다.
제2 유기 절연막(19)은 제1 유기 절연막(17)의 평탄면에 형성된 제2 화소 전극(130)의 일단부는 덮지만, 경사면(D1)에 형성된 제2 화소 전극(130)의 일단부는 덮지 않는다. 그 결과, 제2 화소(P2)에 형성된 제2 유기 절연막(19)은 기판(10)에 수직인 면에 대하여 비대칭적인 형상을 갖는다.
제2 유기 절연막(19)은 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자, phenol 그룹을 갖는 고분자 유도체 및 이들의 블렌드 등을 포함할 수 있다.
제1 화소(P1)에서, 제2 유기 절연막(19)에 형성된 개구(C3)에 제1 유기 발광층(121)이 형성된다.
제2 화소(P2)에서, 제2 유기 절연막(19)에 형성된 개구(C4)에 제2 유기 발광층(131)이 형성된다.
제1 유기 발광층(121) 및 제2 유기 발광층(131)은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물일 수 있다.
제1 유기 발광층(121) 및 제2 유기 발광층(131)이 저분자 유기물일 경우, 제1 화소 전극(120) 및 제2 화소 전극(130)과, 대향 전극(122) 사이에 홀 수송층(hole transport layer: HTL), 홀 주입층(hole injection layer: HIL), 전자 수송층(electron transport layer: ETL) 및 전자 주입층(electron injection layer: EIL) 등이 더 포함될 수 있다. 이외에도 필요에 따라 다양한 층들이 더 포함될 수 있다. 이때, 사용 가능한 유기 재료로 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N'-디(나프탈렌-1-일)-N(N'-Di(naphthalene-1-yl)-N), N'-디페닐-벤지딘(N'-diphenyl-benzidine: NPB), 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 비롯하여 다양하게 적용 가능하다.
제1 유기 발광층(121) 및 제2 유기 발광층(131)이 고분자 유기물일 경우, 제1 화소 전극(120) 및 제2 화소 전극(130)과, 대향 전극(122) 사이에 홀 수송층이 더 포함될 수 있다. 홀 수송층은 폴리에틸렌 디히드록시티오펜 (PEDOT: poly-(2,4)-ethylene-dihydroxy thiophene)이나, 폴리아닐린(PANI: polyaniline) 등을 사용할 수 있다. 이때, 사용 가능한 유기 재료로 PPV(Poly-Phenylenevinylene)계 및 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 등의 고분자 유기물을 사용할 수 있다.
또한, 제1 화소 전극(120) 및 제2 화소 전극(130)과, 대향 전극(122) 사이에 무기 재료가 더 포함될 수 있다.
도 2에는 제1 화소(P1)에서 제1 유기 발광층(121)이 개구(C3) 안쪽에 위치하는 것으로 도시되어 있으나 이는 설명의 편의를 위한 것이며 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 제1 유기 발광층(121)은 개구(C3)의 안쪽뿐 아니라 개구(C3)의 식각면을 따라 제2 유기 절연막(19)의 상면까지 연장되어 형성될 수 있다.
도 2에는 제2 화소(P2)에서 제2 유기 발광층(131)이 개구(C4) 안쪽에 위치하는 것으로 도시되어 있으나 이는 설명의 편의를 위한 것이며 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 제2 유기 발광층(121)은 개구(C4)의 안쪽뿐 아니라 개구(C4)의 식각면을 따라 제2 유기 절연막(19)의 상면까지 연장되어 형성될 수 있다.
제1 화소(P1)의 제1 유기 발광층(121) 및 제2 화소(P2)의 제2 유기 발광층(131) 상에 대향 전극(122)이 구비된다.
대향 전극(122)의 반사율은 제1 화소 전극(120) 및 제2 화소 전극(130)의 반사율보다 낮을 수 있다. 대향 전극(122)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 팔라듐(Pt), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 및 이들의 화합물을 포함할 수 있다.
제1 화소(P1)에서 제1 화소 전극(120)의 반사율이 대향 전극(122)의 반사율보다 더 높기 때문에, 제1 유기 발광층(121)에서 방출된 광량 중 다수의 광(L0)이 기판(10)의 반대 면을 향하여 방출된다.
이와 같이 제1 유기 발광층(121)에서 방출된 광이 기판(10)보다 기판(10)의 반대 면으로 더 많이 방출되는 방식을 전면 발광형이라 한다.
한편, 제1 유기 발광층(121)에서 방출된 광이 기판(10) 측으로 더 많이 방출되는 방식을 배면 발광형이라 한다.
배면 발광형 표시 장치는 빛이 방출되는 경로인 기판(10)과 제1 유기 발광 소자(OLED1) 사이에 박막 트랜지스터, 커패시터, 배선 등과 같이 빛의 진행을 차단하는 구조물을 배치할 수 없기 때문에 발광 면적의 확보가 구조적으로 어렵다. 그러나, 본 실시예와 같은 전면 발광형 유기 발광 표시 장치(1)는 기판(10)과 제1 유기 발광 소자(OLED1) 사이에 다양한 구조물을 배치할 수 있기 때문에, 배면 발광형 유기 발광 표시 장치에 비하여 표시 장치의 개구율을 높일 수 있다.
제2 화소(P2)에서 제2 화소 전극(130)의 반사율이 대향 전극(122)의 반사율보다 더 높기 때문에, 유기 발광층(121)에서 방출된 광량 중 다수의 광은 제2 화소 전극(130)에서 대향 전극(122)을 향하여 방출된다.
배면 발광형 표시 장치는 기판(10) 측으로 방출되는 광량이 많기 때문에 표시 영역(DA)의 외곽에 위치하는 광센서(PS5)는 광량 데이터를 충분히 수집할 수 있다. 그러나, 전면 발광형 표시 장치는 기판(10) 측으로 방출되는 량이 적기 때문에 광센서(PS5)는 충분한 광량을 수집하기 어렵다.
도 3은 전면 발광형 유기 발광 표시 장치의 기판 단부(10F)에서의 광 경로를 개략적으로 도시한 단면도이고, 도 4는 배면 발광형 유기 발광 표시 장치의 기판 단부(10B)에서의 광 경로를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 전면 발광형 유기 발광 표시 장치는 배면 발광 형 유기 발광 표시 장치에 비하여, 기판의 단부를 따라 도파되는 광량이 매우 적다. 따라서, 전면 발광형 유기 발광 표시 장치는 표시 영역의 외측에 위치하는 광센서(PS5)에 도달하는 빛이 충분하지 않다.
본 실시예에서 제2 화소(P2)에서 기판(10)에 평행한 제2 화소 전극(130)의 제1 부분(130a)에 위치한 제2 유기 발광층(131)에서 방출된 광(L1)은, 제1 화소(P1)의 광(L0)과 마찬가지로 기판(10)의 반대면으로 더 많이 방출된다.
그러나, 경사면(D1)을 따라 형성된 제2 화소 전극(130)의 제2 부분(130b)에 위치한 제2 유기 발광층(131)에서 방출된 광(L2)은 상당한 양이 표시 영역(DA)의 외곽에 위치한 광센서(PS5)를 향하여 전파된다.
따라서, 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1)는 제2 화소 전극의 제2 부분(130b)이 경사면(D1)에 형성되어 있고, 경사면(D1) 위에 제2 유기 발광층(131)이 형성되어 있기 때문에, 전면 발광 표시 장치임에도 불구하고 광센서(PS5)에 도달하는 광량이 증가된다.
광센서(PS5)는 수집한 광량 데이터를 기준으로 표시 영역(DA)의 열화 수준을 파악하고, 적절한 보정 시스템을 사용하여 표시 영역(DA)의 불균일한 휘도를 보정하여 얼룩 발생을 줄일 수 있다. 따라서, 유기 발광 표시 장치(1)의 표시 품질을 향상시킬 수 있다.
본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1)의 경우, 제1 화소 전극(120) 및 제2 화소 전극(130)은 애노드로 사용되고, 대향 전극(122)은 캐소드로 사용되었다. 물론 전극의 극성은 반대로 적용될 수 있음은 물론이다.
한편, 도 2에는 도시되어 있지 않으나, 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1)는 구동 트랜지스터 외에도, 스위칭 트랜지스터, 보상 트랜지스터 등을 더 포함할 수 있다.
또한, 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1)는 하나 이상의 커패시터(미도시)를 더 포함할 수 있다. 커패시터의 일전극은 게이트 전극(214)과 동일한 층에 게이트 전극(214)과 동일한 재료로 형성될 수 있고, 커패시터의 다른 일 전극은 소스 전극(216a) 및 드레인 전극(216b)과 동일층에, 소스 전극(216a) 및 드레인 전극(216b)과 동일한 재료로 형성될 수 있다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(2)의 화소와 광센서의 일부를 개략적으로 도시한 단면도이다.
이하, 전술한 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1)와 차이점을 중심으로 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(2)의 특징을 설명한다.
본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(2)는, 기판(10) 상에 제1 화소(P1) 및 제2 화소(P2)가 구비되고, 표시 영역(DA)의 외곽에 광센서(PS5)가 위치한다.
제1 화소(P1) 및 제2 화소(P2)의 구조는 전술한 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1)와 동일하다. 다만, 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(2)는 제1 화소(P1)와 제2 화소(P2)를 포함하는 표시 영역(DA, 도 1 참조)을 봉지하는 봉지 부재(20)를 더 포함할 수 있다.
봉지 부재(20)는 글라스재를 포함하는 기판, 금속 필름, 또는 유기 절연막 및 무기 절연막이 교번하여 배치된 봉지 박막 등으로 형성될 수 있다.
봉지 부재(20)와 제2 화소(P2) 사이에는 광차단층(21)이 위치한다. 광차단층(21)은 제2 화소(P2)의 제2 유기 발광층(131)에서 방출되는 빛이 유기 발광 표시 장치(2)의 외부로 새어나가는 것을 방지하는 빛샘 방지 구조이다.
따라서, 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(2)는 제1 실시예와 마찬가지로 제1 화소 전극(120) 및 제2 화소 전극(130)의 반사율이 대향 전극(122)의 반사율보다 높은 전면 발광형이기 때문에, 배면 발광형 유기 발광 표시 장치에 비하여 표시 장치의 개구율을 높일 수 있다.
또한, 그러나, 경사면(D1)을 따라 형성된 제2 화소 전극(130)의 제2 부분(130b)에 위치한 제2 유기 발광층(131)에서 방출된 광(L2)이 표시 영역(DA)의 외곽에 위치한 광센서(PS5)를 향하여 전파되므로, 광센서의 효율을 높일 수 있다.
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(3)의 화소와 광센서의 일부를 개략적으로 도시한 단면도이고, 도 7은 도 6의 A의 일부를 도시한 단면도이다.
이하, 전술한 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1)와 차이점을 중심으로 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(3)의 특징을 설명한다.
본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(3)는, 기판(10) 상에 제1 화소(P1) 및 제2 화소(P2)가 구비되고, 표시 영역(DA)의 외곽에 광센서(PS5)가 위치한다.
제1 화소(P1)의 구조는 전술한 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1)와 동일하고, 제2 화소(P2)의 구조는 전술한 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1)와 상이하다.
제1 화소(P1)에는 제1 박막 트랜지스터(TFT1) 및 제1 유기 발광 소자(OLED1)가 구비되고, 제2 화소(P2)에는 제2 박막 트랜지스터(TFT2) 및 제2 유기 발광 소자(OLED2)가 구비된다.
제1 박막 트랜지스터(TFT1)와 제2 박막 트랜지스터(TFT2)는 크기, 재료, 구조가 모두 동일한 소자일 수 있다. 또한, 제1 박막 트랜지스터(TFT1)와 제2 박막 트랜지스터(TFT2)는 크기, 재료, 구조 중 적어도 하나가 상이한 소자일 수 있다. 본 실시예에서는 제1 박막 트랜지스터(TFT1)와 제2 박막 트랜지스터(TFT2)의 크기, 재료, 구조가 모두 동일한 소자임을 일 실시예로 설명한다.
기판(10) 상에 버퍼층(11)이 형성되고, 버퍼층(11) 상에는 활성층(212), 게이트 전극(214), 소스 전극(216a) 및 드레인 전극(216b)를 포함하는 제1 박막 트랜지스터(TFT1)와 제2 박막 트랜지스터(TFT2)가 위치한다.
소스 전극(216a) 및 드레인 전극(216b) 상에는, 소스 전극(216a) 및 드레인 전극(216b)을 덮는 제1 유기 절연막(17)이 위치한다.
제1 화소(P1)에 형성된 제1 유기 절연막(17)은 전술한 제1 실시예와 마찬가지로, 상부 표면이 평탄하게 형성되고, 제1 비아홀(C1)이 형성된다. 제1 유기 발광 소자(OLED1)의 제1 화소 전극(120)은 제1 비아홀(C1)을 통하여 제1 박막 트랜지스터(TFT1)에 접속한다.
제2 화소(P2)에 형성된 제1 유기 절연막(17)의 상부 표면은 기판(10)에 평행한 복수의 제1부분(17a, 17c)과 기판(10)에 대하여 경사면(D1)이 형성된 복수의 제2부분(17b, 17d)을 구비한다.
제2 화소(P2)에 형성된 제1 유기 절연막(17)의 제1 부분(17a)은 기판(10)에 평행하게 형성되고, 제2 화소(P2)에 형성된 제1 유기 절연막(17)의 제1 부분(17c)도 기판(10)에 평행하게 형성된다. 제1 부분(17a)과 제1 부분(17c)의 높이는 상이하다.
제2 화소(P2)에 형성된 제1 유기 절연막(17)의 제2 부분(17b)의 경사면(D2)은 상기 기판(10) 수직인 면과 0도 보다 크거나 같고 90도 보다 작은 각으로 형성된다. 즉, 광센서(PS5)를 바라보는 방향으로 소정 각(θ2)을 이룬다.
제2 화소(P2)에 형성된 제1 유기 절연막(17)의 제2 부분(17d)의 경사면(D3)은 상기 기판(10) 수직인 면과 0도 보다 크거나 같고 90도 보다 작은 각으로 형성된다. 즉, 광센서(PS5)를 바라보는 방향으로 소정 각(θ3)을 이룬다.
제2 화소(P2)에 형성된 제1 유기 절연막(17)은 기판(10)에 수직인 면에 대하여 비대칭적인 형상을 갖는다.
제2 화소(P2)에 형성된 제1 유기 절연막(17)에는 제2 비아홀(C2)이 형성되고, 제2 유기 발광 소자(OLED2)의 제2 화소 전극(130)은 제2 비아홀(C2)을 통하여 제2 박막 트랜지스터(TFT2)와 접속한다.
제1 화소 전극(120)은 제1 유기 절연막(17)의 상면에 전체적으로 평탄하게 형성될 수 있다.
제2 화소 전극(130)은 제1 유기 절연막(17)의 제1 부분(17a) 위에 형성된 제1 부분(130a)과, 제1 유기 절연막(17)의 제2 부분(17b) 즉 경사면(D2)을 따라 형성된 제2 부분(130b), 1 유기 절연막(17)의 제1 부분(17c) 위에 형성된 제1 부분(130c), 및 제1 유기 절연막(17)의 제2 부분(17d) 즉 경사면(D3)을 따라 형성된 제2 부분(130c)를 포함할 수 있다.
제1 화소(P1)에 형성된 제2 유기 절연막(19)에는 제1 화소 전극(120)의 상부를 노출하도록 개구(C3)가 형성되고, 제2 유기 절연막(19)은 제1 화소 전극(120)의 양 단부를 덮는다.
제2 화소(P2)에 형성된 제2 유기 절연막(19)에는 제2 화소 전극(130)의 상부를 노출하도록 개구(C4)가 형성된다.
제2 유기 절연막(19)은 제1 유기 절연막(17)의 평탄면에 형성된 제2 화소 전극(130)의 일단부는 덮지만, 경사면(D3)에 형성된 제2 화소 전극(130)의 일단부는 덮지 않는다. 그 결과, 제2 화소(P2)에 형성된 제2 유기 절연막(19)은 기판(10)에 수직인 면에 대하여 비대칭적인 형상을 갖는다.
제1 화소(P1)에서, 제2 유기 절연막(19)에 형성된 개구(C3)에 제1 유기 발광층(121)이 형성된다. 제2 화소(P2)에서, 제2 유기 절연막(19)에 형성된 개구(C4)에 제2 유기 발광층(131)이 형성된다. 제1 유기 발광층(121) 및 제2 유기 발광층(131)은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물일 수 있다.
제1 화소(P1)의 제1 유기 발광층(121) 및 제2 화소(P2)의 제2 유기 발광층(131) 상에 대향 전극(122)이 구비된다. 대향 전극(122)의 반사율은 제1 화소 전극(120) 및 제2 화소 전극(130)의 반사율보다 낮을 수 있다.
따라서, 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(3)는 제1 실시예와 마찬가지로 제1 화소 전극(120) 및 제2 화소 전극(130)의 반사율이 대향 전극(122)의 반사율보다 높은 전면 발광형이기 때문에, 배면 발광형 유기 발광 표시 장치에 비하여 표시 장치의 개구율을 높일 수 있다.
제1 화소(P1)에서 제1 화소 전극(120)의 반사율이 대향 전극(122)의 반사율보다 더 높기 때문에, 제1 유기 발광층(121)에서 방출된 광량 중 다수의 광(L0)이 기판(10)의 반대 면을 향하여 방출된다.
제2 화소(P2)에서 기판(10)에 평행한 제2 화소 전극(130)의 제1 부분(130a)에 위치한 제2 유기 발광층(131)에서 방출된 광(L1), 및 제2 화소 전극(130)의 제1 부분(130c)에 위치한 제2 유기 발광층(131)에서 방출된 광(L3)은, 제1 화소(P1)의 광(L0)과 마찬가지로 기판(10)의 반대면으로 더 많이 방출된다.
그러나, 경사면(D2)을 따라 형성된 제2 화소 전극(130)의 제2 부분(130b)에 위치한 제2 유기 발광층(131)에서 방출된 광(L2), 및 경사면(D3)을 따라 형성된 제2 화소 전극(130)의 제2 부분(130d)에 위치한 제2 유기 발광층(131)에서 방출된 광(L4)은 상당한 양이 표시 영역(DA)의 외곽에 위치한 광센서(PS5)를 향하여 전파된다.
따라서, 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(3)는 제2 화소 전극의 제2 부분(130b, 130d)이 경사면(D1, D3)에 형성되어 있고, 경사면(D1, D3) 위에 제2 유기 발광층(131)이 형성되어 있기 때문에, 전면 발광 표시 장치임에도 불구하고 광센서(PS5)에 도달하는 광량이 증가된다.
광센서(PS5)는 수집한 광량 데이터를 기준으로 표시 영역(DA)의 열화 수준을 파악하고, 적절한 보정 시스템을 사용하여 표시 영역(DA)의 불균일한 휘도를 보정하여 얼룩 발생을 줄일 수 있다. 따라서, 유기 발광 표시 장치(3)의 표시 품질을 향상시킬 수 있다.
도 6에는 제3 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(3)의 제2 화소 전극의 제1 부분(130a, 130c) 및 제2 부분(130b, 130d)이 각각 2개씩 형성된 구조를 도시하고 있으나 본 발명은 이에 한정되지 않는다.
또한, 도면에는 도시되지 않았으나, 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(3)의 상부에도 도 5와 마찬가지로 광차단층(21)을 구비한 봉지 부재(20)을 더 위치시킬 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시 예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
1: 유기 발광 표시 장치
10: 기판 11: 버퍼층
13: 게이트 절연막 15: 층간 절연막
17: 제1 유기 절연막 19: 제2 유기 절연막
120: 제1 화소 전극 130: 제2 화소 전극
121: 유기 발광층 131: 제2 유기 발광층
122: 대향 전극 212: 활성층
212a: 소스 영역 212b: 드레인 영역
212c: 채널 영역 214: 게이트 전극
216a: 소스 전극 216b: 드레인 전극
PS1~PS6: 광센서 DA: 표시 영역
OLED1: 제1 유기 발광 소자 OLED2: 제2 유기 발광 소자
TFT1: 제1 박막 트랜지스터 TFT2: 제2 박막 트랜지스터
P1: 제1 화소 P2: 제2 화소
C1: 제1 비아홀 C2: 제2 비아홀

Claims (20)

  1. 제1 화소 및 제2 화소를 포함하는 표시 영역과, 상기 표시 영역 외곽에 위치하는 복수의 광센서;를 포함하는 유기 발광 표시 장치에 있어서,
    상기 제1 화소는,
    기판 상에 위치하고, 제1 화소 전극, 상기 제1 화소 전극보다 반사율이 낮은 대향 전극, 상기 제1 화소 전극과 상기 대향 전극 사이에 위치하는 제1 유기 발광층을 포함하고,
    상기 제2 화소는,
    상기 기판 상에 위치하고, 제2 화소 전극, 상기 제2 화소 전극보다 반사율이 낮은 대향 전극, 상기 제2 화소 전극과 상기 대향 전극 사이에 위치하는 제2 유기 발광층을 포함하고,
    상기 제2 화소는 상기 제1 화소보다 상기 광센서에 더 가깝게 위치하고,
    상기 제2 화소 전극은 상기 기판에 평행한 제1 부분 및 상기 기판에 대하여 기울어진 경사면이 형성된 제2 부분을 구비하며,
    상기 제1 화소 전극은 제1 비아홀을 통해 상기 제1 화소 전극과 상기 기판 사이에 배치된 제1 박막 트랜지스터에 연결되고, 상기 제2 화소 전극은 제2 비아홀을 통해 상기 제2 화소 전극과 상기 기판 사이에 배치된 제2 박막 트랜지스터와 연결되며,
    상기 제2 화소 전극의 상기 제2 부분은 상기 제2 비아홀 및 상기 제2 화소 전극의 상기 제1 부분보다 상기 복수의 광센서에 더 가까운, 유기 발광 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2 화소는 상기 표시 영역의 최외각에 위치하는 유기 발광 표시 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 화소 전극과 상기 제1 박막 트랜지스터 사이, 및 상기 제2 화소 전극과 상기 제2 박막 트랜지스터 사이에 제1 유기 절연막이 위치하는 유기 발광 표시 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제2 화소에 위치하는 상기 제1 유기 절연막의 상부 표면은,
    상기 기판에 평행한 제1 부분 및 상기 기판에 대하여 기울어진 경사면이 형성된 제2 부분을 구비하는 유기 발광 표시 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제2 화소 전극의 제1 부분은 상기 제1 유기 절연막의 제1 부분 위에 위치하고,
    상기 제2 화소 전극의 제2 부분은 상기 제1 유기 절연막의 제2 부분 위에 위치하는 유기 발광 표시 장치.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 제2 화소 전극의 제1 부분 위에 상기 제2 유기 발광층의 제1 부분이 위치하고,
    상기 제2 화소 전극의 제2 부분 위에 상기 제2 유기 발광층의 제2 부분이 위치하는 유기 발광 표시 장치.
  7. 제 4 항에 있어서,
    상기 제1 유기 절연막의 제2 부분의 경사면은, 상기 기판에 수직인 면과 0도 보다 크거나 같고 90도 보다 작은 각으로 형성된 유기 발광 표시 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 유기 발광 표시 장치는, 상기 제1 화소 전극의 양 단부를 덮는 제2 유기 절연막을 더 포함하고,
    상기 제2 유기 절연막은 상기 제2 화소 전극의 일 단부를 덮고, 다른 일 단부는 덮지 않는 유기 발광 표시 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제2 화소에서, 상기 제2 유기 절연막은 기판에 수직인 면에 대하여 비대칭적인 형상인 유기 발광 표시 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 유기 발광 표시 장치는, 상기 표시 영역을 봉지하는 봉지 부재를 더 포함하고,
    상기 봉지 부재와, 상기 제2 화소 사이에 위치하는 광차단층을 더 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2 화소 전극의 제1 부분 및 제2 부분은 복수 개 구비된 유기 발광 표시 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 제2 화소 전극의 복수의 제1 부분들은 상기 기판을 기준으로 서로 다른 높이로 형성된 유기 발광 표시 장치.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 제1 화소 전극과 상기 제1 박막 트랜지스터 사이, 및 상기 제2 화소 전극과 상기 제2 박막 트랜지스터 사이에 제1 유기 절연막이 위치하는 유기 발광 표시 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 제2 화소에 위치하는 상기 제1 유기 절연막의 상부 표면은,
    상기 기판에 평행한 복수의 제1 부분들 및 상기 기판에 대하여 기울어진 경사면이 형성된 복수의 제2 부분들을 구비하는 유기 발광 표시 장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 제2 화소 전극의 복수의 제1 부분들은 상기 제1 유기 절연막의 복수의 제1 부분들 위에 위치하고,
    상기 제2 화소 전극의 복수의 제2 부분들은 상기 제1 유기 절연막의 복수의 제2 부분들 위에 위치하는 유기 발광 표시 장치
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 제2 화소 전극의 복수의 제1 부분들 위에 상기 제2 유기 발광층의 복수의 제1 부분들이 각각 위치하고,
    상기 제2 화소 전극의 복수의 제2 부분들 위에 상기 제2 유기 발광층의 복수의 제2 부분들이 각각 위치하는 유기 발광 표시 장치.
  17. 제 14 항에 있어서,
    상기 제2 화소 전극의 복수의 제2 부분들은 상기 기판에 수직인 면과 0도 보다 크거나 같고 90도 보다 작은 각으로 형성된 유기 발광 표시 장치.
  18. 제 14 항에 있어서,
    상기 제2 화소에서, 상기 제1 유기 절연막은 기판에 수직인 면에 대하여 비대칭적인 형상인 유기 발광 표시 장치.
  19. 제 14 항에 있어서,
    상기 유기 발광 표시 장치는, 상기 제1 화소 전극의 양 단부를 덮는 제2 유기 절연막을 더 포함하고,
    상기 제2 유기 절연막은 상기 제2 화소 전극의 일 단부를 덮고, 다른 일 단부는 덮지 않는 유기 발광 표시 장치.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 제2 화소에서, 상기 제2 유기 절연막은 기판에 수직인 면에 대하여 비대칭적인 형상인 유기 발광 표시 장치.
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