CN106340531B - 有机发光显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供了一种有机发光显示装置，该有机发光显示装置包括具有第一像素和第二像素的显示区域。多个光传感器布置在显示区域的外部区域中。第一像素包括第一像素电极、具有比第一像素电极的反射率小的反射率的对电极以及位于第一像素电极与对电极之间的第一发射层。第一像素电极、对电极和第一发射层布置在基底上。第二像素包括第二像素电极、具有比第二像素电极的反射率小的反射率的对电极以及位于第二像素电极与对电极之间的第二发射层。第二像素比第一像素靠近于所述多个光传感器。第二像素电极包括平行于基底的第一部分和具有相对于基底的倾斜面的第二部分。

Description

有机发光显示装置
本申请要求于2015年7月10日提交到韩国知识产权局的第10-2015-0098406号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
技术领域
本发明的示例性实施例涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种有机发光显示装置。
背景技术
有机发光显示装置可以是自发射显示装置，自发射显示装置通常包括空穴注入电极、电子注入电极和形成在空穴注入电极与电子注入电极之间的发射层。在有机发光显示装置的操作过程中，从空穴注入电极注入的空穴与从电子注入电极注入的电子可以在发射层中复合，因此可以发射光。
发明内容
本发明的一个或更多个示例性实施例可以提供一种具有相对大的开口率的有机发光显示装置以及一种具有相对高的效率的光传感器。
根据本发明的一个或更多个示例性实施例，有机发光显示装置包括具有第一像素和第二像素的显示区域。多个光传感器布置在显示区域的外部区域中。第一像素包括第一像素电极、具有比第一像素电极的反射率小的反射率的对电极和位于第一像素电极与对电极之间的第一发射层。第一像素电极、对电极和第一发射层布置在基底上。第二像素包括第二像素电极、具有比第二像素电极的反射率小的反射率的对电极和位于第二像素电极与对电极之间的第二发射层。第二像素电极、对电极和第二发射层布置在基底上。第二像素比第一像素靠近所述多个光传感器。第二像素电极包括平行于基底的第一部分和具有相对于基底的倾斜面的第二部分。
第二像素可以邻近于显示区域的外部边缘。
第一薄膜晶体管可以布置在第一像素电极和基底之间。第二薄膜晶体管可以布置在第二像素电极和基底之间。第一有机绝缘层可以布置在第一像素电极和第一薄膜晶体管之间以及第二像素电极和第二薄膜晶体管之间。
第一有机绝缘层的在第二像素中的顶表面可以包括平行于基底的第一部分和具有相对于基底的倾斜面的第二部分。
第二像素电极的第一部分可以布置在第一有机绝缘层的第一部分上，第二像素电极的第二部分可以布置在第一有机绝缘层的第二部分上。
第二发射层的第一部分可以布置在第二像素电极的第一部分上，第二发射层的第二部分可以布置在第二像素电极的第二部分上。
第一有机绝缘层的第二部分的倾斜面可以在第一有机绝缘层的第二部分中与垂直于基底的方向形成等于或大于0度且小于90度的角度。
对电极可以在第一像素和第二像素中形成为一体。
有机发光显示装置可以包括覆盖第一像素电极的两个端部的第二有机绝缘层。第二有机绝缘层可以覆盖第二像素电极的一个端部，且可以不覆盖第二像素电极的另一个端部。
在第二像素中，第二有机绝缘层可以相对于与基底垂直的方向具有不对称的形状。
有机发光显示装置可以包括布置在显示区域中的包封构件。光阻挡层布置在包封构件和第二像素之间。
第二像素电极可以包括多个第一部分和多个第二部分。
第二像素电极的所述多个第一部分均可以具有相对于基底的不同的高度。
第一薄膜晶体管可以布置在第一像素电极和基底之间。第二薄膜晶体管可以布置在第二像素电极和基底之间。第一有机绝缘层可以布置在第一像素电极和第一薄膜晶体管之间以及第二像素电极和第二薄膜晶体管之间。
第一有机绝缘层的在第二像素中的顶表面可以包括平行于基底的多个第一部分和具有相对于基底的倾斜面的多个第二部分。
第二像素电极的所述多个第一部分可以分别布置在第一有机绝缘层的所述多个第一部分上。第二像素电极的所述多个第二部分可以分别布置在第一有机绝缘层的所述多个第二部分上。
第二发射层的多个第一部分可以分别布置在第二像素电极的所述多个第一部分上。第二发射层的多个第二部分可以分别布置在第二像素电极的所述多个第二部分上。
第二像素电极的多个第二部分中的每个可以在第一有机绝缘层的多个第二部分中的每个中相对于与所述基底垂直的方向而具有等于或大于0度且小于90度的角度。
在第二像素中，第一有机绝缘层可以相对于与基底垂直的方向具有不对称的形状。
有机发光显示装置可以包括覆盖第一像素电极的两个端部的第二有机绝缘层。第二有机绝缘层可以覆盖第二像素电极的一个端部且可以不覆盖第二像素电极的另一个端部。
在第二像素中，第二有机绝缘层可以相对于与基底垂直的方向具有不对称的形状。
附图说明
通过参照附图对本发明的示例性实施例进行详细地描述，本发明的上述和其它特征将变得更加明显，在附图中：
图1示出了根据本发明的示例性实施例的有机发光显示装置的平面图；
图2示出了显示根据本发明的示例性实施例的有机发光显示装置的像素和光传感器的部分的剖视图；
图3示出了显示顶部发射型有机发光显示装置的基底端部处的光路的剖视图；
图4示出了显示底部发射型有机发光显示装置的基底端部处的光路的剖视图；
图5示出了显示根据本发明的示例性实施例的有机发光显示装置的像素和光传感器的部分的剖视图；
图6示出了显示根据本发明的示例性实施例的有机发光显示装置的像素和光传感器的部分的剖视图；以及
图7示出了显示图6中示出的有机发光显示装置的部分A的剖视图。
具体实施方式
下面将参照附图对本发明的示例性实施例进行更详细地描述。就这点而言，示例性实施例可以具有不同的形式并且不应该被理解为受限于在这里描述的本发明的示例性实施例。本发明的示例性实施例可以以许多不同的形式实施并且不应该被理解为受限于在这里阐述的实施例。
下面将参照附图对本发明的一个或更多个示例性实施例进行更详细地描述。在说明书和附图中，同样的附图标记可以指同样的元件。重复的描述可以省略。
将理解的是，虽然可以在这里使用术语“第一”和“第二”来描述各种组件，但是这些组件不应该受这些术语限制。
在本发明的一个或更多个示例性实施例中，单数形式可以包括复数形式。
在本发明的一个或更多个示例性实施例中，还将理解的是，当诸如层、区域或组件的元件被称为“在”另一元件“上”时，所述元件可以直接在另一元件上，或者也可以在这些元件或组件之间设置诸如层、区域或组件的中间元件。
在附图中，为了清楚，可以夸大层和区域的尺寸。
图1示出了根据本发明的示例性实施例的有机发光显示装置的平面图。图2示出了显示根据本发明的示例性实施例的有机发光显示装置的像素和光传感器的部分的剖视图。
参照图1，包括多个第一像素P1和多个第二像素P2的显示区域DA可以布置在基底10上。虽然图1示出了一个第一像素P1和一个第二像素P2，但有机发光显示装置1在显示区域DA中可以包括多个第一像素P1和多个第二像素P2。
多个光传感器PS1、PS2、PS3、PS4、PS5和PS6可以感测从第一像素P1和第二像素P2中的每个发射的光的一部分，并且可以布置在显示区域DA的外部区域中。与第一像素P1相比，第二像素P2可以较靠近于可以布置在显示区域DA的外部区域中的多个光传感器PS1、PS2、PS3、PS4、PS5和PS6。
光传感器PS1、PS2、PS3、PS4、PS5和PS6可以感测从第一像素P1和第二像素P2中的每个发射的光的一部分。
当有机发光显示装置1被驱动相对长的时间时，第一像素P1和第二像素P2中的每个的发射层会劣化，因此会在显示区域DA中出现斑点。包括光传感器PS1、PS2、PS3、PS4、PS5和PS6的有机发光显示装置1基于关于由光传感器PS1、PS2、PS3、PS4、PS5和PS6感测的光的量的数据可以识别显示区域DA的劣化水平，并且可以通过使用校正系统来校正显示区域DA的不均匀亮度，因此，可以减少或消除斑点的出现。
图1示出了6个光传感器PS1、PS2、PS3、PS4、PS5和PS6可以布置在显示区域DA的外部区域中。然而，本发明的示例性实施例不限于此，比光传感器PS1、PS2、PS3、PS4、PS5和PS6更多的光传感器可以布置在显示区域DA的外部区域中，并且光传感器PS1、PS2、PS3、PS4、PS5和PS6的位置可以在显示区域DA的外部区域中改变。
参照图2，第一像素P1和第二像素P2可以设置在基底10上，光传感器PS5可以设置在显示区域DA的外部区域中。
第一像素P1可以包括第一薄膜晶体管TFT1和第一有机发光器件OLED1，第二像素P2可以包括第二薄膜晶体管TFT2和第二有机发光器件OLED2。
根据本发明的示例性实施例，第一薄膜晶体管TFT1和第二薄膜晶体管TFT2关于其尺寸、材料和结构可以基本上彼此相同。可选地，第一薄膜晶体管TFT1和第二薄膜晶体管TFT2关于其尺寸、材料和结构中的至少一项可以彼此不同。
基底10可以包括玻璃基底或者包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或聚酰亚胺的塑料基底。
缓冲层11可以设置在基底10上，以在基底10上形成平坦表面并减少或防止异物的渗透。缓冲层11可以包括具有氮化硅层和/或氧化硅层的单层或多层。
第一薄膜晶体管TFT1和第二薄膜晶体管TFT2可以设置在缓冲层11上。第一薄膜晶体管TFT1和第二薄膜晶体管TFT2中的每个可以包括有源层212、栅电极214、源电极216a和漏电极216b。
有源层212可以设置在缓冲层11上。有源层212可以包括半导体。半导体可以包括非晶硅或多晶硅。有源层212可以包括沟道区212c以及设置在沟道区212c的两侧处并掺杂有杂质的源区212a和漏区212b。有源层212的材料不限于非晶硅或多晶硅，而是可以包括氧化物半导体。
栅极绝缘层13可以设置在有源层212上。栅极绝缘层13可以包括具有氮化硅层和/或氧化硅层的单层或多层。
栅电极214可以设置在栅极绝缘层13上。栅电极214可以包括具有来自铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的至少一种金属材料的单层或多层。
诸如扫描线的布线可以与栅电极214包括在同一材料层中。
层间绝缘层15可以设置在栅电极214上。层间绝缘层15可以包括具有氮化硅层和/或氧化硅层的单层或多层。
源电极216a和漏电极216b可以设置在层间绝缘层15上。源电极216a和漏电极216b中的每个可以包括具有来自Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W、Cu和它们的合金中的至少一种金属材料的单层或多层。
覆盖源电极216a和漏电极216b的第一有机绝缘层17可以设置在源电极216a和漏电极216b上。第一有机绝缘层17可以包括丙烯酰类聚合物、酰亚胺类聚合物、烯丙醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物、具有酚基的聚合物衍生物或它们的组合。
第一有机绝缘层17形成在第一像素P1中并可以覆盖源电极216a和漏电极216b。第一有机绝缘层17可以具有平坦的顶表面。
当第一像素电极120设置在第一有机绝缘层17的平坦的顶表面上时，可以减少或防止由第一像素电极120的不规则表面引起的显示装置的亮度不均匀性。
第一通孔C1可以在形成在第一像素P1中的第一有机绝缘层17中形成。第一有机发光器件OLED1的第一像素电极120可以通过第一通孔C1连接到第一薄膜晶体管TFT1的源电极216a和漏电极216b中的一个。参照图2，第一像素电极120可以连接到漏电极216b，但第一像素电极120可以连接到源电极216a。
形成在第二像素P2中的第一有机绝缘层17的顶表面可以具有第一部分17a和第二部分17b。第一部分17a可以与基底10平行，第二部分17b可以相对于基底10具有倾斜面D1。
形成在第二像素P2中的第一有机绝缘层17的第二部分17b的倾斜面D1可以相对于与基底10垂直的方向形成等于或大于0度并小于90度的角度。倾斜面D1可以相对于与基底10垂直的方向在朝向光传感器PS5的方向上形成预设角θ1。
第二通孔C2可以在形成在第二像素P2中的第一有机绝缘层17中形成。第二有机发光器件OLED2的第二像素电极130可以通过第二通孔C2连接到第二薄膜晶体管TFT2的源电极216a和漏电极216b中的一个。参照图2，第二像素电极130可以连接到漏电极216b，但第二像素电极130可以连接到源电极216a。
数据布线或VDD布线可以与源电极216a和漏电极216b由同一材料层形成。
第一像素电极120和第二像素电极130中的每个的反射率可以比对电极122的反射率大。
第一像素电极120和第二像素电极130中的每个可以包括具有比对电极122的反射率大的反射率的材料。例如，第一像素电极120和第二像素电极130中的每个可以包括银(Ag)或银合金。
当第一像素电极120和第二像素电极130中的每个包括银(Ag)或银合金时，第一透明导电氧化物层可以设置在第一像素电极120和第一有机绝缘层17之间以及第二像素电极130和第一有机绝缘层17之间，第一透明导电氧化物层可以增大第一像素电极120和第一有机绝缘层17之间以及第二像素电极130和第一有机绝缘层17之间的粘附力。
第二透明导电氧化物层可以设置在第一像素电极120和第一发射层121之间，并可以设置在第二像素电极130和第二发射层131之间。第二透明导电氧化物层可以保护第一像素电极120和第二像素电极130。
第一透明导电氧化物层和第二透明导电氧化物层中的每个可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化锌铝(AZO)中的至少一种。
第一像素电极120可以全部地且均匀地形成在第一有机绝缘层17的顶表面上。
第二像素电极130可以包括第一部分130a和第二部分130b。第一部分130a可以设置在第一有机绝缘层17的第一部分17a上，第二部分130b可以设置在第一有机绝缘层17的第二部分17b上。第二部分130b可以沿倾斜面D1设置。
开口C3可以形成在第一像素P1中的第二有机绝缘层19中，其可以暴露第一像素电极120的顶表面。第二有机绝缘层19可以覆盖第一像素电极120的两个端部。第二有机绝缘层19可以是限定像素的发射区域的像素限定层。
开口C4可以形成在第二像素P2中的第二有机绝缘层19中，其可以暴露第二像素电极130的顶表面。
第二有机绝缘层19可以覆盖第二像素电极130的形成在第一有机绝缘层17的平坦表面上的一个端部，且可以不覆盖第二像素电极130的形成在倾斜面D1上的另一个端部。因此，设置在第二像素P2中的第二有机绝缘层19可以相对于与基底10垂直的方向具有非对称形状。
第二有机绝缘层19可以包括丙烯酰类聚合物、酰亚胺类聚合物、烯丙醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物、具有酚基的聚合物衍生物或它们的组合。
在第一像素P1中，第一发射层121可以设置在形成在第二有机绝缘层19中的开口C3中。
在第二像素P2中，第二发射层131可以设置在形成在第二有机绝缘层19中的开口C4中。
第一发射层121和第二发射层131中的每个可以包括小分子有机材料或聚合物有机材料。
当第一发射层121和第二发射层131中的每个包括小分子有机材料时，空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、电子传输层(ETL)或电子注入层(EIL)可以设置在第一像素电极120和对电极122之间以及第二像素电极130和对电极122之间。然而，本发明的示例性实施例不限于此，各种层可以设置在第一像素电极120和对电极122之间以及第二像素电极130和对电极122之间。例如，包括铜酞菁(CuPc)、N,N′-二(萘-1-基)-N,N′-二苯基-联苯胺(NPB)或三-8-羟基喹啉铝(Alq3)在内的各种有机材料可以设置在第一像素电极120和对电极122之间以及第二像素电极130和对电极122之间。
当第一发射层121和第二发射层131中的每个包括聚合物有机材料时，HTL可以设置在第一像素电极120和对电极122之间以及第二像素电极130和对电极122之间。HTL可以包括聚-(3,4)-乙撑-二氧噻吩(PEDOT)或聚苯胺(PANI)。聚合物有机材料可以包括聚-苯撑乙烯撑(PPV)或聚芴。
无机材料可以设置在第一像素电极120和对电极122之间以及第二像素电极130和对电极122之间。
参照图2，第一发射层121可以设置在第一像素P1中的开口C3中，然而，本发明的示例性实施例不限于此。第一发射层121不仅可以设置在开口C3中，而且还可以沿开口C3的被蚀刻表面延伸到第二有机绝缘层19的顶表面。
参照图2，第二发射层131可以设置在第二像素P2中的开口C4中，然而，本发明的示例性实施例不限于此。第二发射层131不仅可以设置在开口C4中，而且还可以沿开口C4的被蚀刻表面延伸到第二有机绝缘层19的顶表面。
对电极122可以设置在第一像素P1的第一发射层121上和第二像素P2的第二发射层131上。
对电极122的反射率可以比第一像素电极120和第二像素电极130中的每个的反射率小。对电极122可以包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或它们的组合。
在第一像素P1中，第一像素电极120的反射率可以比对电极122的反射率大，因此，来自第一发射层121发射的光的量中的光L0的相对大部分可以在基底10的相对方向上发射。
光从第一发射层121在基底10的相对方向上发射而不是朝向基底10发射的有机发光显示装置可以被称为顶部发射型有机发光显示装置。
光从第一发射层121朝向基底10发射的有机发光显示装置可以被称为底部发射型有机发光显示装置。
底部发射型显示装置通常不使阻挡光的传播的诸如薄膜晶体管、电容器和布线的元件设置在基底10和第一有机发光器件OLED1之间来形成发射区域。根据本发明的示例性实施例的有机发光显示装置1可以是顶部发射型有机发光显示装置，因此，各种元件可以设置在基底10和第一有机发光器件OLED1之间，并且因此与底部发射型显示装置的开口率相比，有机发光显示装置1的开口率可以增大。
在第二像素P2中，第二像素电极130的反射率可以比对电极122的反射率大，因此，来自第二发射层131发射的光的量中的光的相对大部分可以从第二像素电极130朝向对电极122发射。
在底部发射型显示装置中，相对大量的光可以朝向基底发射，因此设置在显示区域DA的外部区域中的光传感器可以收集关于发射光的量的相对大量的数据。然而，在顶部发射型有机发光显示装置中，相对少量的光可以朝向基底发射，因此，光传感器可以收集关于发射光的量的相对少量的数据。
图3示出了显示顶部发射型有机发光显示装置的基底端部处的光路的剖视图。图4示出了显示底部发射型有机发光显示装置的基底端部处的光路的剖视图。
参照图3，顶部发射型有机发光显示装置可以包括基底端部10F。
参照图4，底部发射型有机发光显示装置可以包括基底端部10B。
参照图2、图3和图4，与底部发射型有机发光显示装置相比，顶部发射型有机发光显示装置可以具有沿着基底端部10F引导的非常少量的光。因此，不足量的光到达位于显示区域的外部区域中的光传感器PS5。
根据本发明的示例性实施例，在第二像素P2中，光L1可以从设置在第二像素电极130的第一部分130a上的第二发射层131发射。第二发射层131可以平行于基底10。光L1可以在基底10的相对方向上发射。
光L2可以从设置在第二像素电极130的可沿着倾斜面D1设置的第二部分130b上的第二发射层131发射。光L2可以朝向设置在显示区域的外部区域中的光传感器PS5漫射。
在根据本发明的示例性实施例的有机发光显示装置1中，第二像素电极130的第二部分130b可以沿倾斜面D1设置，且第二发射层131可以设置在倾斜面D1上，因此，虽然有机发光显示装置1可以是顶部发射型显示装置，但可以增大到达光传感器PS5的光的量。
光传感器PS5可以基于所收集的关于发射光的量的数据来识别显示区域DA的劣化水平，可以通过使用合适的校正系统来校正显示区域DA的不均匀亮度，因此，可以减少或消除斑点的出现。因此，可以提高有机发光显示装置1的显示品质。
在根据本发明的示例性实施例的有机发光显示装置1中，第一像素电极120和第二像素电极130中的每个可以是阳极，且对电极122可以是阴极，但电极的极性可以转换。
虽然在图2中未显示，但根据本发明的示例性实施例的有机发光显示装置1可以包括开关晶体管、补偿晶体管和驱动晶体管。
根据本发明的示例性实施例的有机发光显示装置1可以包括至少一个电容器。电容器的一个电极可以包括与栅电极214相同的材料，且电容器的另一个电极可以包括与源电极216a和漏电极216b相同的材料。
图5示出了显示根据本发明的示例性实施例的有机发光显示装置的像素和光传感器的部分的剖视图。
下面将参照图5对根据本发明的示例性实施例的有机发光显示装置2进行更加详细地描述。可以参照根据本发明的示例性实施例的有机发光显示装置2与有机发光显示装置1之间的差异来描述有机发光显示装置2。
在根据本发明的示例性实施例的有机发光显示装置2中，第一像素P1和第二像素P2可以布置在基底10上，光传感器PS5可以设置在显示区域DA的外部区域中(例如，见图1)。
第一像素P1和第二像素P2中的每个的结构可以与根据本发明的示例性实施例的有机发光显示装置1基本上相同。然而，根据本发明的示例性实施例的有机发光显示装置2可以包括对包括第一像素P1和第二像素P2的显示区域DA包封的包封构件20。
包封构件20可以包括具有玻璃材料、金属膜或包封薄膜的基底。包封薄膜可以包括交替堆叠的有机绝缘膜和无机绝缘膜。
光阻挡层21可以设置在包封构件20和第二像素P2之间。光阻挡层21可以是防漏光结构。光阻挡层21可以减少或消除从第二像素P2的第二发射层131发射的光泄漏到有机发光显示装置2的外部。
根据本发明的示例性实施例的有机发光显示装置2可以是第一像素电极120和第二像素电极130中的每个的反射率比对电极122的反射率大的顶部发射型显示装置，因此，与底部发射型有机发光显示装置的开口率相比，有机发光显示装置2可以具有增大的开口率。
从设置在第二像素电极130的可沿着倾斜面D1设置的第二部分130b上的第二发射层131发射的光L2可以朝向设置在显示区域DA的外部区域中的光传感器PS5发射。因此，可以增大光传感器的效率。
图6示出了显示根据本发明的示例性实施例的有机发光显示装置的像素和光传感器的部分的剖视图。图7示出了显示图6中示出的有机发光显示装置3的部分A的剖视图。
下面将参照图6和图7对根据本发明的示例性实施例的有机发光显示装置3进行更加详细地描述。可以参照根据本发明的示例性实施例的有机发光显示装置3与有机发光显示装置1之间的差异来描述有机发光显示装置3。
在根据本发明的示例性实施例的有机发光显示装置3中，第一像素P1和第二像素P2可以布置在基底10上，光传感器PS5可以设置在显示区域DA的外部区域中(例如，见图1)。
第一像素P1的结构可以与根据本发明的示例性实施例的有机发光显示装置1基本上相同，但是第二像素P2的结构可以与根据本发明的示例性实施例的有机发光显示装置1不同。
第一像素P1可以包括第一薄膜晶体管TFT1和第一有机发光器件OLED1，第二像素P2可以包括第二薄膜晶体管TFT2和第二有机发光器件OLED2。
第一薄膜晶体管TFT1和第二薄膜晶体管TFT2可以关于其尺寸、材料和结构基本上彼此相同。可选地，第一薄膜晶体管TFT1和第二薄膜晶体管TFT2可以关于其尺寸、材料和结构中的至少一项彼此不同。在本实施例中，第一薄膜晶体管TFT1和第二薄膜晶体管TFT2可以关于其尺寸、材料和结构基本上彼此相同。
缓冲层11可以设置在基底10上，均可以包括有源层212、栅电极214、源电极216a和漏电极216b的第一薄膜晶体管TFT1和第二薄膜晶体管TFT2可以设置在缓冲层11上。
可以覆盖源电极216a和漏电极216b的第一有机绝缘层17可以设置在源电极216a和漏电极216b上。
第一像素P1中的第一有机绝缘层17可以具有平坦的顶表面，第一通孔C1可以形成在第一有机绝缘层17中。第一有机发光器件OLED1的第一像素电极120可以通过第一通孔C1连接到第一薄膜晶体管TFT1。
第二像素P2中的第一有机绝缘层17的顶表面可以包括与基底10平行的多个第一部分17a和17c以及具有相对于基底10的倾斜面D2和D3的多个第二部分17b和17d。
第二像素P2中的第一有机绝缘层17的第一部分17a可以与基底10平行，形成在第二像素P2中的第一有机绝缘层17的第一部分17c可以与基底10平行。第一部分17a的高度可以与第一部分17c的高度不同。
第二像素P2中的第一有机绝缘层17的第二部分17b的倾斜面D2可以相对于与基底10垂直的方向具有等于或大于0度且小于90度的角度。倾斜面D2可以在朝向光传感器PS5的方向上具有预设角θ2。
形成在第二像素P2中的第一有机绝缘层17的第二部分17d的倾斜面D3相对于与基底10垂直的方向具有等于或大于0度且小于90度的角度。倾斜面D3可以相对于与基底10垂直的方向在朝向光传感器PS5的方向上具有预设角θ3。
设置在第二像素P2中的第一有机绝缘层17可以相对于与基底10垂直的方向具有不对称的形状。
第二通孔C2可以形成在第二像素P2中的第一有机绝缘层17中。第二有机发光器件OLED2的第二像素电极130可以通过第二通孔C2连接到第二薄膜晶体管TFT2。
第一像素电极120可以全部地且均匀地形成在第一有机绝缘层17的顶表面上。
第二像素电极130可以包括设置在第一有机绝缘层17的第一部分17a上的第一部分130a、沿着第一有机绝缘层17的第二部分17b(例如，沿着倾斜面D2)设置的第二部分130b、形成在第一有机绝缘层17的第一部分17c上的第一部分130c和沿着第一有机绝缘层17的第二部分17d(例如，沿着倾斜面D3)形成的第二部分130d。
开口C3可以形成在第一像素P1中的第二有机绝缘层19中。开口C3可以暴露第一像素电极120的顶表面。第二有机绝缘层19可以覆盖第一像素电极120的两个端部。
开口C4可以形成在第二像素P2中的第二有机绝缘层19中。开口C4可以暴露第二像素电极130的顶表面。
第二有机绝缘层19可以覆盖第二像素电极130的可以形成在第一有机绝缘层17的平坦表面上的一个端部。第二有机绝缘层19可以不覆盖第二像素电极130的形成在倾斜面D3上的另一个端部。因此，形成在第二像素P2中的第二有机绝缘层19可以相对于与基底10垂直的方向具有不对称的形状。
在第一像素P1中，第一发射层121可以设置在形成在第二有机绝缘层19中的开口C3中。在第二像素P2中，第二发射层131可以设置在形成在第二有机绝缘层19中的开口C4中。第一发射层121和第二发射层131中的每个可以包括小分子有机材料或聚合物有机材料。
对电极122可以设置在第一像素P1的第一发射层121上和第二像素P2的第二发射层131上。对电极122的反射率可以比第一像素电极120和第二像素电极130中的每个的反射率小。
根据本发明的示例性实施例的有机发光显示装置3可以是第一像素电极120和第二像素电极130中的每个的反射率可以比对电极122的反射率大的顶部发射型显示装置，因此，与底部发射型有机发光显示装置的开口率相比，有机发光显示装置3可以具有增大的开口率。
在第一像素P1中，第一像素电极120的反射率可以比对电极122的反射率大，因此，来自第一发射层121发射的光的量中的光L0的相对大部分可以在基底10的相对方向上发射。
在第二像素P2中，光L1可以从设置在第二像素电极130的第一部分130a上的第二发射层131发射，光L3可以从设置在第二像素电极130的第一部分130c上的第二发射层131发射。第一部分130a和第一部分130c可以平行于基底10。光L1和光L3可以在基底10的相对方向上发射。
然而，从设置在第二像素电极130的第二部分130b(其可以沿着倾斜面D2设置)上的第二发射层131发射的光L2的相对大部分，以及从设置在第二像素电极130的第二部分130d(其可以沿着倾斜面D3设置)上的第二发射层131发射的光L4的大部分可以朝向设置在显示区域DA的外部区域中的光传感器PS5漫射。
在根据本发明的示例性实施例的有机发光显示装置3中，第二像素电极130的第二部分130b和130d可以分别沿倾斜面D2和D3设置，且第二发射层131可以设置在倾斜面D2和D3上，因此，虽然有机发光显示装置3可以是顶部发射型显示装置，但到达光传感器PS5的光的量可以增大。
光传感器PS5可以基于所收集的关于发射光的量的数据来识别显示区域DA的劣化水平，可以通过使用合适的校正系统来校正显示区域DA的不均匀亮度，因此，可以减少或消除斑点的出现。因此，可以提高有机发光显示装置3的显示品质。
参照图6，在根据本发明的示例性实施例的有机发光显示装置3中，第二像素电极130可以包括两个第一部分130a和130c以及两个第二部分130b和130d，然而，本发明的示例性实施例不限于此。
包括光阻挡层21的包封构件20可以布置在有机发光显示装置3的顶部处。
根据本发明的一个或更多个示例性实施例的有机发光显示装置可以是顶部发射型显示装置，因此可以具有比底部发射型显示装置的开口率更大的开口率。
在根据本发明的一个或更多个示例性实施例的有机发光显示装置中，至少一个光传感器可以设置在显示区域的外部区域中，并且具有倾斜结构的像素电极可以设置在显示区域的侧面区域中。因此，虽然有机发光显示装置可以是顶部发射型显示装置，但到达光传感器的光的量可以增大，因此可以增大光传感器的效率。
应该理解的是，在这里描述的示例性实施例应该以描述性的含义来考虑，而不是为了限制的目的。本发明的每个示例性实施例中的特征或方面的描述可用于本发明的其它示例性实施例中的其它相似的特征或方面。
虽然已经结合本发明的示例性实施例来示出和描述了本发明，但是对于本领域的普通技术人员将明显的是，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以对其做出形式上和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.一种有机发光显示装置，所述有机发光显示装置包括：
显示区域，包括第一像素和第二像素；以及
多个光传感器，布置在所述显示区域的外部区域中，其中，
所述第一像素包括第一像素电极、具有比所述第一像素电极的反射率小的反射率的对电极以及位于所述第一像素电极和所述对电极之间的第一发射层，其中，所述第一像素电极、所述对电极和所述第一发射层布置在基底上，
所述第二像素包括第二像素电极、具有比所述第二像素电极的反射率小的反射率的所述对电极以及位于所述第二像素电极和所述对电极之间的第二发射层，其中，所述第二像素电极、所述对电极和所述第二发射层布置在所述基底上，
所述第二像素比所述第一像素靠近所述多个光传感器，
所述第二像素电极包括平行于所述基底的第一部分和具有相对于所述基底的倾斜面的第二部分，
其中，所述第一像素电极通过第一通孔连接到布置在所述第一像素电极和所述基底之间的第一薄膜晶体管，所述第二像素电极通过第二通孔连接到布置在所述第二像素电极和所述基底之间的第二薄膜晶体管，
其中，所述第二像素电极的所述第二部分比所述第二通孔和所述第二像素电极的所述第一部分靠近所述多个光传感器。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第二像素邻近于所述显示区域的外部边缘。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，
第一有机绝缘层布置在所述第一像素电极和所述第一薄膜晶体管之间以及所述第二像素电极和所述第二薄膜晶体管之间。
4.根据权利要求3所述的有机发光显示装置，其中，所述第一有机绝缘层的在所述第二像素中的顶表面包括平行于所述基底的第一部分和具有相对于所述基底的倾斜面的第二部分。
5.根据权利要求4所述的有机发光显示装置，其中，
所述第二像素电极的所述第一部分布置在所述第一有机绝缘层的所述第一部分上，
所述第二像素电极的所述第二部分布置在所述第一有机绝缘层的所述第二部分上。
6.根据权利要求5所述的有机发光显示装置，其中，
所述第二发射层的第一部分布置在所述第二像素电极的所述第一部分上，
所述第二发射层的第二部分布置在所述第二像素电极的所述第二部分上。
7.根据权利要求4所述的有机发光显示装置，其中，所述第一有机绝缘层的所述第二部分的所述倾斜面在所述第一有机绝缘层的所述第二部分中与垂直于所述基底的方向形成等于或大于0度且小于90度的角度。
8.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，所述有机发光显示装置还包括覆盖所述第一像素电极的两个端部的第二有机绝缘层，
其中，所述第二有机绝缘层覆盖所述第二像素电极的一个端部，且不覆盖所述第二像素电极的另一个端部。
9.根据权利要求8所述的有机发光显示装置，其中，在所述第二像素中，所述第二有机绝缘层相对于与所述基底垂直的方向具有不对称的形状。
10.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，所述有机发光显示装置还包括：
包封构件，布置在所述显示区域中；以及
光阻挡层，布置在所述包封构件和所述第二像素之间。
11.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第二像素电极包括多个第一部分和多个第二部分。
12.根据权利要求11所述的有机发光显示装置，其中，所述第二像素电极的所述多个第一部分均具有相对于所述基底的不同的高度。
13.根据权利要求11所述的有机发光显示装置，其中，
第一有机绝缘层布置在所述第一像素电极和所述第一薄膜晶体管之间以及所述第二像素电极和所述第二薄膜晶体管之间。
14.根据权利要求13所述的有机发光显示装置，其中，所述第一有机绝缘层的在所述第二像素中的顶表面包括平行于所述基底的多个第一部分和具有相对于所述基底的倾斜面的多个第二部分。
15.根据权利要求14所述的有机发光显示装置，其中，
所述第二像素电极的所述多个第一部分分别布置在所述第一有机绝缘层的所述多个第一部分上，
所述第二像素电极的所述多个第二部分分别布置在所述第一有机绝缘层的所述多个第二部分上。
16.根据权利要求14所述的有机发光显示装置，其中，
所述第二发射层的多个第一部分分别布置在所述第二像素电极的所述多个第一部分上，
所述第二发射层的多个第二部分分别布置在所述第二像素电极的所述多个第二部分上。
17.根据权利要求14所述的有机发光显示装置，其中，所述第二像素电极的所述多个第二部分中的每个在所述第一有机绝缘层的所述多个第二部分中的每个中相对于与所述基底垂直的方向具有等于或大于0度且小于90度的角度。
18.根据权利要求14所述的有机发光显示装置，其中，在所述第二像素中，所述第一有机绝缘层相对于与所述基底垂直的方向具有不对称的形状。
19.根据权利要求14所述的有机发光显示装置，所述有机发光显示装置还包括覆盖所述第一像素电极的两个端部的第二有机绝缘层，其中，所述第二有机绝缘层覆盖所述第二像素电极的一个端部，且不覆盖所述第二像素电极的另一个端部。
20.根据权利要求19所述的有机发光显示装置，其中，在所述第二像素中，所述第二有机绝缘层相对于与所述基底垂直的方向具有不对称的形状。
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