KR100867501B1 - 액정 디스플레이 장치 - Google Patents

액정 디스플레이 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100867501B1
KR100867501B1 KR1020020062489A KR20020062489A KR100867501B1 KR 100867501 B1 KR100867501 B1 KR 100867501B1 KR 1020020062489 A KR1020020062489 A KR 1020020062489A KR 20020062489 A KR20020062489 A KR 20020062489A KR 100867501 B1 KR100867501 B1 KR 100867501B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
display device
liquid crystal
crystal display
resin layer
Prior art date
Application number
KR1020020062489A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20040033413A (ko
Inventor
김기용
최현묵
류재일
김억수
정봉관
Original Assignee
하이디스 테크놀로지 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 하이디스 테크놀로지 주식회사 filed Critical 하이디스 테크놀로지 주식회사
Priority to KR1020020062489A priority Critical patent/KR100867501B1/ko
Publication of KR20040033413A publication Critical patent/KR20040033413A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100867501B1 publication Critical patent/KR100867501B1/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G02F1/13458Terminal pads
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00Electrical equipment
    • B32B2457/20Displays, e.g. liquid crystal displays, plasma displays
    • B32B2457/202LCD, i.e. liquid crystal displays
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/13625Patterning using multi-mask exposure
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/12Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
    • G02F2201/123Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode pixel
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/54Arrangements for reducing warping-twist

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 액정 디스플레이 장치에 관한 것으로, 수지층에 의해 큰 단차를 이루는 패드부를 포함하는 액정 디스플레이 장치에 있어서, 상기 패드부는 게이트 절연막과 패시베이션층 및 수지층이 순차로 적층되어 있는 부분을 포함하며, 상기 게이트 절연막과 패시베이션층 사이에는 활성층이 형성되어 있어 상기 수지층상의 화소전극을 계단 형태를 이루도록 하는 것을 특징으로 하며, 패드부 수지층 개방 영역의 단차부 잔류물에 의한 패드간 단락을 방지할 수 있기 때문에 제품의 신뢰성이 높아지는 효과 뿐만 아니라 픽셀 마스크 프로세스(Pixel Mask Process) 진행시 과도 현상(0ver Exposure)에 의한 택트 타임(Tact Time)이 감소되므로 공정 마진(Process Margin)이 향상되는 효과가 있는 것이다.

Description

액정 디스플레이 장치{LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE}
도 1은 종래 기술에 따른 액정 디스플레이 장치를 도시한 단면도.
도 2는 종래 기술에 따른 액정 디스플레이 장치에 있어서, 패드부 형성용 마스크를 도시한 평면도.
도 3은 종래 기술에 따른 액정 디스플레이 장치에 있어서, 패드부 일부의 평면도.
도 4는 도 3의 Ⅰ-Ⅰ선의 단면을 도시한 단면도.
도 5는 종래 기술에 따른 액정 디스플레이 장치의 패드부에 있어서 문제점을 설명하기 위한 단면도.
도 6은 본 발명에 따른 액정 디스플레이 장치에 있어서, 패드부를 도시한 단면도.
도 7은 본 발명에 따른 액정 디스플레이 장치에 있어서, 패드부를 도시한 평면도.
- 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 -
100; 기판 102; 게이트
104; 게이트 절연막 110; 패시베이션층
116; 화소전극 120; 수지층
130; 포토레지스트
본 발명은 액정 디스플레이 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 패드간 단락(Short)을 방지할 수 있는 액정 디스플레이 장치에 관한 것이다.
일반적으로 액정 디스플레이 장치(LCD)는 경량, 박형 및 저소비전력 등의 특성을 갖기 때문에 음극선관(CRT)을 대신하여 각종 정보기기의 단말기 또는 비디오 기기 등에 사용되고 있다. 특히, 박막트랜지스터(TFT)가 구비된 TFT-LCD는 응답특성이 우수하고 고화소수에 적합하기 때문에 고화질 및 대형 디스플레이 장치를 실현할 수 있는 디스플레이 장치이다.
특히, 고개구율 LCD를 구현하기 위해선 화소전극(Pixel Electrode)의 면적비를 증가시킬 필요가 있는데, 이를 위해선 화소전극 면적증가에 따른 기생 캐패시턴스 증가를 억제시켜야 했다.
기생 캐패시턴스 증가를 억제시키기 위하여 종래에는 다음과 같이 패시베이션(Passivation)층 상부에 두터운 수지(Resin)층을 형성시켰다.
종래 기술에 따른 액정 디스플레이 장치에 있어서 TFT부는, 도 1에 도시된 바와 같이, 하부기판(1)상에 게이트(2)가 형성되어 있고, 순차로 게이트 절연막(4)과 활성층(6)이 형성되어 있다.
또한, 상기 활성층(6)상에는 소오스/드레인 전극(8a)(8b)이 형성되어 있고, 상기 소오스/드레인 전극(8a)(8b)상에는 패시베이션층(10)이 형성되어 있으며, 비아홀(14)이 형성된 수지층(12)이 형성되어 있다.
또한, 상기 비아홀(14)을 통해 상기 소오스/드레인 전극(8a)(8b)의 일부와 연결되는 화소전극(16)이 형성되어 있다.
이러한 구성을 갖는 종래 액정 디스플레이 장치는, 수지층 자체의 낮은 유전율 및 화소전극과 그 하부의 금속막 사이의 큰 간격을 이유로 기생 캐패시턴스를 효과적으로 감소시킬 수 있었다. 그외 부가적으로 수지층 도포로 인하여 평탄화 효과도 얻을 수 있었다.
그러나, 종래 기술에 따른 액정 디스플레이 장치에 있어서는 다음과 같은 문제점이 있었다.
종래 기술에 있어서 패드부는, 도 2에 도시된 바와 같이, 게이트 패드부(22) 및 데이터 패드(24)에 대응되는 부분에 다수의 홈이 형성된 마스크(20)로 패터닝된 구조이다. 왜냐하면, 어레이 테스트 신뢰성(Array Test Reliability) 향상을 위해 수지 마스크 공정시 패드부를 개방시켜야 하기 때문이다.
도 2의 A영역에 해당하는 구조는 도 3에 도시된 바와 같으며, 도 3의 Ⅰ-Ⅰ선의 단면은 도 4에 도시된 바와 같다.
여기서, 도 4에 도시된 바와 같이, 후속 픽셀 코팅(Pixel Coationg)시 수지층(12)에 따른 높은 단차에 의해 포토레지스트(17)가 높게 형성되어 현상 (Exposure)이 불완전하게 된다. 그결과, 도 5에 도시된 바와 같이, 포토레지스트(17)에 대한 불완전 현상(Under Exposure)에 의하여 화소전극(16)상에 포토레지스트 잔류물 (19;photoresist scum)이 남게 된다. 이에 따라, 패드(Pad)간 단락(Short)이 유발되는 문제점이 있었다.
이에 본 발명은 상기 종래기술상의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 수지층 단차부에 활성층을 형성시킴으로써 픽셀 마스크시 잔류물을 억제할 수 있고, 잔류물이 남더라도 쇼트를 억제할 수 있는 액정 디스플레이 장치를 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정 디스플레이 장치는, 수지층에 의해 큰 단차를 이루는 패드부를 포함하는 액정 디스플레이 장치에 있어서, 상기 패드부는 게이트 절연막과 패시베이션층 및 수지층이 순차로 적층되어 있는 부분을 포함하며, 상기 게이트 절연막과 패시베이션층 사이에는 활성층이 형성되어 있어 상기 수지층상의 화소전극을 계단 형태를 이루도록 하는 것을 특징으로 한다.
상기 패드부는 상기 게이트 절연막과 동일층상에 형성된 게이트와 화소전극이 형성된 부분을 포함하며, 상기 패드부는 활성층 패터닝에 대한 식각 선택비를 갖는 공정으로 형성되는 것을 특징으로 하며, 상기 패드부는 소오스/드레인 전극층이 더 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 패드부 수지층 개방 영역의 단차부 잔류물에 의한 패드간 단락을 방지할 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 액정 디스플레이 장치를 첨부한 도면을 참조하여 상세 히 설명한다.
도 6은 본 발명에 따른 액정 디스플레이 장치에 있어서, 패드부를 도시한 단면도이고, 도 7은 본 발명에 따른 액정 디스플레이 장치에 있어서, 패드부를 도시한 평면도이다.
본 발명에 따른 액정 디스플레이 장치는, 도 6에 도시된 바와 같이, 수지층(120)에 의해 큰 단차를 이루는 패드부(200)를 포함하는 액정 디스플레이 장치에 있어서, 기판(100)상에 게이트 절연막(104)과 패시베이션층(112) 및 수지층(120)이 순차로 적층되어 있는 부분을 포함한다. 여기서, 상기 기판(100)상에는 상기 게이트 절연막(104)과 동일층상에 형성된 게이트(102)와 화소전극(116)이 형성된 부분을 포함한다. 또한, 상기 패드부(200)부는 활성층 패터닝에 대한 식각 선택비를 갖는 공정으로 형성된다.
상기 게이트 절연막(104)과 패시베이션층(112) 사이에는 활성층(110)이 더 형성되어 있다. 따라서, 상기 활성층(110)은 수지층(120)상에 형성되어 있어 큰 단차를 이루는 화소전극(116)을 계단 형태로 이루게 한다.
즉, 도 7에 도시된 바와 같이, 수지층이 개방된 영역상에 활성층(110)이 형성되어 있어 화소전극(116)이 계단 형태로 되게끔 한다. 여기서, 도 7의 Ⅱ-Ⅱ선의 단면은 도 6에 도시된 바와 같다.
그 결과, 상기 패드부(200)의 단차 정도가 어느 정도 완화되어 상기 패드부(200)에의 포토레지스트(130)의 도포 및 제거 공정을 진행하여 수지층을 개방시키더라도 화소전극(116)상에는 잔류물이 남지 않게 된다.
한편, 도 6 및 도 7에 도시하지 않았지만, 상기 패드부(200)에 소오스/드레인 전극층(미도시)이 더 형성되어 있으면 수지층(120)에 의한 큰 단차를 더 완화시킬 수 있게 된다.
본 발명의 원리와 정신에 위배되지 않는 범위에서 여러 실시예는 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 뿐만 아니라 용이하게 실시할 수 있다. 따라서, 본원에 첨부된 특허청구범위는 이미 상술된 것에 한정되지 않으며, 하기 특허청구범위는 당해 발명에 내재되어 있는 특허성 있는 신규한 모든 사항을 포함하며, 아울러 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해서 균등하게 처리되는 모든 특징을 포함한다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 액정 디스플레이 장치에 의하면, 패드부 수지층 개방 영역의 단차부 잔류물에 의한 패드간 단락을 방지할 수 있기 때문에 제품의 신뢰성이 높아지는 효과가 있다. 또한, 픽셀 마스크 프로세스(Pixel Mask Process) 진행시 과도 현상(0ver Exposure)에 의한 택트 타임(Tact Time)이 감소되므로 공정 마진(Process Margin)이 향상되는 효과도 있다.

Claims (4)

  1. 수지층에 의해 큰 단차를 이루는 패드부를 포함하는 액정 디스플레이 장치에 있어서,
    상기 패드부는 게이트 절연막과 패시베이션층 및 수지층이 순차로 적층되어 있는 부분을 포함하며, 상기 게이트 절연막과 패시베이션층 사이에는 활성층이 형성되어 있어 상기 수지층상의 화소전극이 계단 형태를 이루도록 하는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 패드부는 상기 게이트 절연막과 동일층상에 형성된 게이트와 화소전극이 형성된 부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 패드부는 활성층 패터닝에 대한 식각 선택비를 갖는 공정으로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 패드부는 소오스/드레인 전극층이 더 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이 장치.
KR1020020062489A 2002-10-14 2002-10-14 액정 디스플레이 장치 KR100867501B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020020062489A KR100867501B1 (ko) 2002-10-14 2002-10-14 액정 디스플레이 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020020062489A KR100867501B1 (ko) 2002-10-14 2002-10-14 액정 디스플레이 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040033413A KR20040033413A (ko) 2004-04-28
KR100867501B1 true KR100867501B1 (ko) 2008-11-06

Family

ID=37332845

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020020062489A KR100867501B1 (ko) 2002-10-14 2002-10-14 액정 디스플레이 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100867501B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106340531A (zh) * 2015-07-10 2017-01-18 三星显示有限公司 有机发光显示装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101304412B1 (ko) 2007-01-24 2013-09-05 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08271923A (ja) * 1995-03-31 1996-10-18 Seiko Epson Corp 液晶表示装置及びその製造方法
JPH11327465A (ja) * 1998-05-13 1999-11-26 Toshiba Corp 表示装置用アレイ基板
KR20020021511A (ko) * 2000-09-15 2002-03-21 구본준, 론 위라하디락사 액정표시소자 패드부의 제조방법
KR20020065785A (ko) * 2001-02-07 2002-08-14 삼성전자 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08271923A (ja) * 1995-03-31 1996-10-18 Seiko Epson Corp 液晶表示装置及びその製造方法
JPH11327465A (ja) * 1998-05-13 1999-11-26 Toshiba Corp 表示装置用アレイ基板
KR20020021511A (ko) * 2000-09-15 2002-03-21 구본준, 론 위라하디락사 액정표시소자 패드부의 제조방법
KR20020065785A (ko) * 2001-02-07 2002-08-14 삼성전자 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106340531A (zh) * 2015-07-10 2017-01-18 三星显示有限公司 有机发光显示装置
CN106340531B (zh) * 2015-07-10 2022-02-08 三星显示有限公司 有机发光显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20040033413A (ko) 2004-04-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5477355A (en) Process for producing the passivation layer of an active matrix substrate by back exposure
KR100269669B1 (ko) 액티브 매트릭스 기판 및 디스플레이 장치
US6204081B1 (en) Method for manufacturing a substrate of a liquid crystal display device
US20030186478A1 (en) Thin film transistor array, fabrication method thereof, and liquid crystal display device employing the same
US20060023138A1 (en) Array substrate for LCD and fabrication method thereof
US5355002A (en) Structure of high yield thin film transistors
US20190094598A1 (en) Display substrate and manufacturing method thereof, and display device
US6511869B2 (en) Thin film transistors with self-aligned transparent pixel electrode
KR100653467B1 (ko) 박막 트랜지스터-액정표시소자의 제조방법
JP2000155335A (ja) 液晶表示装置の製造方法
KR101087398B1 (ko) 액정표시장치의 패드 구조 및 그 제조방법
KR20040040682A (ko) 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법
KR100867501B1 (ko) 액정 디스플레이 장치
US20070004069A1 (en) Liquid crystal display device and fabricating method thereof
KR20050070325A (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
US6940480B2 (en) Pixel structure
KR100764273B1 (ko) 박막트랜지스터 제조방법
KR100527086B1 (ko) 액정표시장치의 제조방법
KR100663288B1 (ko) 박막 트랜지스터 액정표시장치의 제조방법
KR100599958B1 (ko) 고개구율 및 고투과율 액정표시장치의 제조방법
KR100583313B1 (ko) 액정표시장치 및 그 제조 방법
KR940002399B1 (ko) 액정용 박막트랜지스터의 제조방법
KR100619160B1 (ko) 박막 트랜지스터 액정표시장치의 제조방법
US6842201B2 (en) Active matrix substrate for a liquid crystal display and method of forming the same
KR100336893B1 (ko) 박막트랜지스터-액정표시소자의제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120906

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130911

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140919

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150918

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160920

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170921

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181001

Year of fee payment: 11