KR100269669B1 - 액티브 매트릭스 기판 및 디스플레이 장치 - Google Patents

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미끼오 가따야마
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마찌다 가쯔히꼬
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Abstract

본 발명의 액티브 매트릭스 기판은 기판, 기판 상에 매트릭스로 형성되는 다수의 스위칭 소자 및 다수의 화소 전극, 주사 신호를 공급하고 다수의 스위칭 소자를 제어하기 위한 주사선, 서로 교차하도록 형성되는 다수의 스위칭 소자에 데이터 신호를 공급하는 신호선, 각 주사선 또는 각 신호선에 전기적으로 연결되고 외부 단자에 연결되는 단자를 구비한다. 인접한 단자들간에는 유기막이 형성된다.

Description

액티브 매트릭스 기판 및 디스플레이 장치{ACTIVE MATRIX SUBSTRATE AND DISPLAY DEVICE USING THE SAME}
본 발명은 TFT(Thin Film Transistors:박막 트랜지스터)와 MIM(Metal Insulator Metal:금속 절연체 금속) 소자와 같은 스위칭 소자를 포함하는 액티브 매트릭스 기판에 관한 것으로, 특히 이 액티브 매트릭스 기판을 사용하는 디스플레이 장치에 관한 것이다.
디스플레이 장치는 액정 물질, 일렉트로크로믹 물질, 전계발광 물질 및 플라즈마(plasma)와 같은 디스플레이 매체를 포함하며, 이 디스플레이 매체는 한쌍의 기판 사이에 삽입되는 것으로 알려져 있다. 이러한 디스플레이 장치의 한쌍의 기판들 중의 일례로서, 서로 교차되는 다수의 주사선 (즉, 게이트선) 및 다수의 신호선 (즉, 소스선)을 따라 스위치 소자와 화소 전극이 디스플레이 영역에 매트릭스로 배치되어 있는 소위 액티브 매트릭스 기판들이 알려져 있다. 화소 전극을 구동시키는 TFT 또는 MIM 소자와 같은 스위칭 소자는 비정질 실리콘 및 다결정 실리콘과 같은 반도체로 형성된다.
종래에는, 전술한 액티브 매트릭스 기판에 절연막으로 SiN과 같은 무기물이 사용되었다. 최근에는 절연막에 유기물(organic materials)을 사용하도록 권고되었다(본 출원의 양수인에게 양도된 일본국 특허 출원 제7-206367호 및 제7-254043호). 유기물의 절연막은 예를 들어, 스핀 코팅 등으로 유기물을 함유하는 용제를 도포시키고, 그 다음에 열 등으로 경화시키므로써 형성될 수 있다.
유기물이 포지티브형 감광성 수지인 경우에, 유기물에 자외선과 같은 광으로 조사하여, 광에 노출된 부분이 알카리 수용액에 용해될 수 있게 한다. 예를 들면, 이 수지에는 포지티브형 감광제(예를 들면, 키논다이아자이드(quinonediazide))와 혼합된 메타크릴산 및 글리시딜 메타크릴레이트(glycidyl methacrylate)을 가지는 공중합체를 포함하는 감광성 아크릴 수지가 사용될 수 있다. 스핀 코팅으로 기판에 아크릴 수지 물질을 함유하는 용제를 도포시킨 후, 이 물질은 일반적인 포토패턴화 공정(즉, 사전 베이킹, 패턴화된 노출, 알칼리 현상 및 탈염수(demineralized water)로 세정, 그리고, 광에 전체 기판을 노출시키므로서 수지는 탈색됨(투명해짐))과 유사한 공정을 통하여 패턴화될 수 있다. 따라서, 감광성 유기물을 사용하면 막을 패턴화하는 동시에 막을 형성할 수 있다는 이점이 있다. 이러한 유기 절연막은 높은 개구율을 가지는 액정 디스플레이 장치에 층간 절연막으로 사용된다. 층간 절연막의 두께는 바람직하게 대략 1.5㎛ 보다 크다.
도 5a는 전술한 층간 절연막을 가지는 액티브 매트릭스 기판을 보여주는 평면도이다. 도 5b는 도 5a의 선 VB-VB를 따라 취한 절단면도이다. 이 액티브 매트릭스 기판은 기판(11)상에 형성된 무기 절연막(17); 매트릭스로 절연막(17)상에 형성되는 TFT(3), 연결 전극(4) 및 (실선내의) 화소 전극(6); 서로 교차하도록 형성되는 게이트선(1)과 소스선(2)을 포함한다. 각 TFT(3)는 비정질 실리콘 반도체층을 포함한다. 전술한 유기물로 형성되는 층간 절연막(16)은 게이트선(1), 소스선(2), TFT(3) 및 연결 전극(4)위에 형성된다. 유기 층간 절연막(16)상에 화소 전극(6)이 제공된다. 각 연결 전극(4)와 각 화소 전극(6)은 층간 절연막(16)에 제공된 접촉홀(5)을 통하여 전기적으로 상호접속된다. 유기 층간 절연막(16)은 화소 전극(6)의 주변부가 게이트선(1) 및/또는 소스선(2) 등과 겹쳐질 수 있게 하므로, 액티브 매트릭스 기판(즉, 액정 디스플레이 장치)의 개구율이 개선된다.
또한, 전술한 액티브 매트릭스 기판은 디스플레이 영역의 주변부에 각종 선들과 외부 회로판을 연결시키기 위한 단자를 포함한다.
도 6은 높은 개구율 구조를 가지는 액티브 매트릭스를 도시하는 평면도이다. 이 액티브 매트릭스 기판은 위에 전술한 무기 절연막이 형성된 기판(11); 전술한 기판(11)위에 서로 교차하도록 형성되는 게이트선(1)과 소스선(2); 각 게이트선(1)에 전기 접속되어 일체로 형성된 게이트선 단자(8)를 위한 넓은 부분(1a); 그리고, 각 소스선(2)에 전기 접속되어 일체로 형성된 소스선 단자(9)를 위한 넓은 부분(2a)을 포함한다.
(도 5b에 도시된 층간 절연막(16)에 대응하는) 유기 층간 절연막(7a)은 게이트선(1) 및 소스선(2)의 모두와 각 넓은 부분(1a) 및 (2a)의 일부를 덮도록 형성된다. 층간 절연막(7a)은 디스플레이 영역의 바깥 주변부에 카운터 기판을 부착하기 위한 (봉함제로 형성되는) 밀봉 부분(34)을 제공하도록 각 넓은 부분(1a) 및 (2a)의 일부와 겹쳐져야만 한다. 밀봉 부분(34) 주위의 장착 영역(35)은 게이트선 단자(8) 및 소스선 단자(9)가 외부 단자(도시되지 않음)에 실질적으로 전기 접속되도록 형성되는 영역을 정의한다.
그러나, 유기막이 장착 영역(35)에 형성되지 않으므로, 전술한 액티브 매트릭스 기판은 다음 문제를 가진다.
전술한 화소 전극으로는 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 물질로 형성된 투명한 도전성막이 사용된다. 구체적으로, ITO막은 기판의 전체 표면에 형성되고 패턴화되어 이들 화소 전극을 형성한다. 그러나, ITO막은 부분적으로는 유기막상에 형성되고, 부분적으로는 무기막상에 형성되므로써, ITO 결정은 아래에 놓인 막의 각각에서 상이한 속도로 성장하게 된다. 그 결과, ITO막의 에칭 속도는 ITO막이 유기막상에 성장하느냐 아니면 무기막상에 성장하느냐에 의존한다. 예를 들면, 유기막상의 ITO막의 에칭 속도는 무기막상의 ITO막의 에칭 속도보다 대략 8배나 빠르다. 따라서, 화소 전극의 패턴화의 정밀도에서 볼 때, ITO막이 유기 층간 절연 박막(7a)상에 형성되는 경우, 에칭 시간은 디스플레이 영역에 요구되는 에칭 시간을 근거로 계산되어야만 한다. 따라서, (층간 절연막(7a)이 형성되지 않으므로) ITO막(12)이 무기 절연막(17)상에 형성될시에 장착 영역(35)에서 인접한 단자(8)들 사이와 인접한 단자(9)들 사이에 에칭되지 않은 ITO막(15)이 필연적으로 남아있게 된다.
이제, 도 7a 내지 도 7d를 참조하여 전술한 문제를 보다 상세히 기술할 것이다.
도 7a에 도시된 바와 같이, 기판(11)상에 무기 절연막(17)이 형성되고, 소스선 단자(9)가 사전결정된 간격으로 절연막(17)상에 형성된다.
그다음, 전술한 화소 전극(6)이 될 ITO막(6a)이 기판(11)의 전체 표면상에 형성된다(도 7b).
후속하여, 도 7c에서 도시된 바와 같이, 소스선 단자(9)상에 포토레지스트(14)가 형성되고, 소스선 단자(9)들 사이의 도전성 ITO막(6a)이 에칭된다.
도 7d는 전술한 공정의 결과를 도시한다. 특히, 유기 층간 절연막상의 ITO막이 에칭에 의해 전부 제거되는 반면, 무기 절연막(17)상의 ITO막(6a)은 전술한 에칭 속도의 차이로 인하여 완전히 에칭되지 않은 채 남아있다. 그 결과, 남아있는 ITO막(15)이 소스선 단자(9)들간에 누설을 일으킨다. 동일한 문제가 인접한 게이트선 단자(8)들간에도 발생될 수 있다.
전술한 누설을 줄이기 위하여, (에칭 속도가 보다 빠른) 유기막상의 ITO막에 필요한 에칭 시간동안 첫번째 에칭을 하고, 레지스트 등으로 유기막상의 ITO막을 차폐하고, 그리고, 무기막상의 ITO막(12)에 필요한 에칭 시간동안 두번째 에칭을 하는 제조 방법이 요구된다. 이 방법에서, 포토레지스트 형성 및 에칭의 공정 단계가 각각 두 번씩 행해지므로, 제조 공정이 보다 복잡해진다.
본 발명의 한가지 양상에 따르면, 액티브 매트릭스 기판이 기판, 기판 상에 매트릭스로 형성되는 다수의 스위칭 소자 및 다수의 화소 전극, 주사 신호를 공급하고 다수의 스위칭 소자를 제어하기 위한 주사선, 서로 교차하도록 형성되는 다수의 스위칭 소자에 데이터 신호를 공급하기 위한 신호선, 각 주사선 또는 각 신호선에 전기 접속되어 외부 단자에 연결되는 단자를 포함한다. 유기막은 인접한 단자들 사이에 형성된다.
본 발명의 일 실시예에서, 층간 절연막에 유기막을 사용하며, 층간 절연막은 주사선, 신호선 및 스위칭 소자를 덮도록 형성된다.
본 발명의 다른 실시예에서, 다수의 화소 전극은 층간 절연막상에 형성되어 층간 절연막내에 형성된 접촉홀을 통하여 각 스위칭 소자에 연결된다.
본 발명의 또 다른 실시예에서, 인접한 단자들간에 형성된 유기막의 두께는 이들 단자의 두께보다 크다.
본 발명의 또 다른 실시예에서, 유기막은 포지티브형 감광성 수지로 형성된다.
본 발명의 또 다른 실시예에서, 디스플레이 장치는 디스플레이 매체가 개재되는 한쌍의 기판들 중 하나의 기판으로서 액티브 매트릭스 기판을 사용한다.
본 발명에 따르면, 외부 단자에 연결될 인접한 단자들 사이 (즉, 장착 영역)에 유기막 패턴이 부가적으로 형성된다. 이 부가적인 유기막 패턴은 유기막이 화소 전극 아래에 (즉, 디스플레이 영역에) 제공되는 경우에 (디스플레이 영역 및 장착 영역상에 제공되는) 두 ITO막이 사실상 동시에 에칭되는 이점을 제공한다. 그 결과, 단자들 사이에 ITO막이 남아있지 않게 된다. 따라서, 제조 공정을 복잡하게 하지 않으면서 단자들간의 좋지 않은 누설을 방지할 수 있다. 또한, ITO막이 유기막상에 형성되므로 본 발명에 따르는 ITO막의 에칭 속도가 신속해진다.
따라서, 본 발명의 이점은 (1) 제조 공정을 복잡하게 하지 않으면서 외부 기판에 연결되는 단자들간의 누설을 방지할 수 있는 액티브 매트릭스 기판을 제공하고, (2) 이 액티브 매트릭스 기판을 사용하는 디스플레이 장치를 제공한다는 것이다.
도 1은 본 발명에 따르는 액티브 매트릭스 기판의 예를 도시한 평면도.
도 2a-2d는 도 1의 선Ⅱ-Ⅱ을 따라 취한 단면도로서, 본 발명의 예에 따르는 액티브 매트릭스 기판의 제조 공정을 도시하는 단면도.
도 3은 도 1의 선Ⅲ-Ⅲ을 따라 취한 단면도로서, 본 발명에 따르는 액정 디스플레이 장치의 예인 단자의 부근을 부분적으로 도시하는 단면도.
도 4는 본 발명에 따르는 액정 디스플레이 장치의 액티브 매트릭스 기판의 단자와 외부 회로의 단자 사이의 전기 접속을 도시하는 부분적인 개략도.
도 5a는 높은 개구율을 가지는 액티브 매트릭스의 디스플레이 영역을 보여주는 평면도.
도 5b는 도 5a의 선VB-VB을 따라 취한 단면도.
도 6은 액티브 매트릭스 기판의 평면도.
도 7a-7d는 도 6의 선Ⅶ-Ⅶ을 따라 취한 단면도로서, 액티브 매트릭스 기판의 제조 공정을 보여주는 단면도.
＜도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명＞
1 : 게이트선
2 : 소스선
3 : TFT
5 : 접촉홀
6 : 화소 전극
10: 유기 박막 돌출부
본 발명의 상기 및 기타 다른 장점들은 첨부도면을 참조한 후속되는 상세한 설명으로부터 명백히 알 수 있을 것이다.
이제, 본 발명은 동일한 기능을 가지는 액티브 매트릭스 기판의 부분들에 동일한 참조번호를 사용하는 첨부 도면을 참조하여 예로써 설명될 것이다.
도 1은 본 발명에 따르는 액티브 매트릭스 기판의 예를 도시하는 평면도이다. 이 액티브 매트릭스 기판은 도 5a에 도시된 방식으로 형성된 각 화소 부분을 가지는 높은 개구율 구조를 가진다. 특히, (주사선인) 게이트선(1) 및 (신호선인) 소스선(2)은 서로 교차하도록 형성되고, 게이트선 단자(8)를 위한 넓은 부분(1a)은 각 게이트선(1)에 일체로 전기 접속되고, 소스선 단자(9)를 위한 넓은 부분(2a)은 소스선(2)에 일체로 전기 접속된다.
각 게이트선(1) 및 각 소스선(2)의 상호교차 부분의 근처에서, 스위칭 소자로 동작하는 TFT(3)가 도 5a에 도시된 바와 같이 형성된다. TFT(3)는 게이트 절연막을 개재하여 게이트 전극위에 반도체층이 배치되는 역 스태거 구조를 가지고, 소스 전극 및 드레인 전극은 반도체상에 배치되어 서로 전기적으로 분리된다. 각 TFT의 게이트 전극은 대응하는 게이트선(1)에 연결되고, 이 게이트선(1)을 통하여 TFT를 구동시키는 신호가 입력된다. 또한, 각 TFT의 소스 전극은 대응하는 소스선(2)에 연결되고, 이 소스선(2)을 통하여 데이터 신호가 입력된다.
각 TFT(3)의 드레인 전극에 전기적으로 연결되도록 연결 전극(4)이 형성된다(도 5a 및 도 5b를 참조). (후술할) 유기 층간 절연막(16)은 게이트선(1), 소스선(2), TFT(3) 및 연결 전극(4)을 덮도록 형성된다. ITO막으로 만들어진 화소 전극(6)은 층간 절연막(16)의 접촉홀(5)을 통하여 연결 전극(4)에 전기 접속된다. 화소 전극(6)은 층간 절연막(16) 상에 매트릭스 형태로 형성된다. 화소 전극(6)의 형성 영역은 디스플레이 영역을 정의한다.
전술한 층간 절연막(16)은 유기 박막 주 패턴(7)과 유기 박막 돌출부(10)을 포함한다. 유기 박막 주 패턴(7)은 디스플레이 영역, 게이트선 단자(8)를 위한 각 넓은 부분(1a)의 일부 및 소스선 단자(9)를 위한 각 넓은 부분(2a)의 일부 위에 형성된다. 인접한 게이트선 단자(8)들 사이 및/또는 인접한 소스선 단자(9)들 사이에 위치하는 각 유기 박막 돌출부(10)는 유기 박막 주 패턴(7)으로부터 외부로 연장된 부분을 정의한다. 이대신에, 유기 박막 돌출부(10)는 유기 박막 주 패턴(7)의 연장 이외에 인접한 게이트선 단자(8)들 사이 및/또는 인접한 소스선 단자(9)들 사이에 각기 연장되는 개별 스트라이프로서 형성하는 것이 가능하다.
액티브 매트릭스 기판의 제조 공정은 도 1 및 도 2를 참조하여 설명할 것이며, 여기서 도 2는 도 1의 선Ⅱ-Ⅱ를 따라 취한 단면도이다.
먼저, 도 2a에 도시된 바와 같이, 투명한 기판(11)상에 형성된 무기 절연막(17)위에 게이트 전극, 넓은 부분(1a) 및 게이트선(1)이 형성된다. 게이트 절연막(도시되지 않음)이 게이트 전극, 넓은 부분(1a) 및 게이트 선(1)위에 형성되고, 그위에 TFT가 형성된다. 그다음, TFT의 소스 전극에 연결될 소스선(2), 소스선 단자(9)를 위한 넓은 부분(2a) 및 TFT의 드레인 전극에 연결될 연결 전극이 형성된다. 그후, 층간 절연막(즉, 유기 박막 주 패턴(7))이 (게이트선(1), 소스선(2), TFT 및 연결선을 포함하는) 디스플레이 영역을 덮도록 형성되는 동시에, 인접한 게이트선 단자(8)들 사이 및 인접한 소스선 단자(9)들 사이에 층간 절연막의 돌출부(즉, 유기 박막 돌출부(10))가 형성된다.
그다음, 도 2b에 도시된 바와 같이, 화소 전극이 될 ITO막(6a)이 실질적으로 전술한 기판의 전체 표면상에 형성된다. 무기 절연막(17)상에 형성된 ITO막(12)은 비교적 느린 에칭 속도를 가지며, 유기 층간 절연막(16)(즉, 유기 박막 주 패턴(7) 및 유기 박막 돌출부(10))상에 형성된 ITO막(13)은 비교적 빠른 에칭 속도를 가진다.
후속하여, 도 2c에 도시된 바와 같이, 단자(9)위의 ITO막(12)뿐만 아니라 화소 전극이 형성될 디스플레이 영역의 일부를 덮도록 포토리소그래피에 의해 포토레지스트(14)가 형성된다.
그후, 마스크로서 포토레지스트(14)를 사용하여 ITO막이 에칭된다. 그결과, 디스플레이 영역위에 형성된 유기 박막 주 패턴(7)위의 ITO막(13)과 장착 영역(35)에 형성된 유기 박막 돌출부(10)상의 ITO막(13)이 동시에 에칭된다. 전술한 공정은 소스선 단자(8)의 부근에서 유사하게 발생한다.
본 예의 액티브 매트릭스 기판에 따라, 에칭이 유기 박막 주 패턴(7)상의 ITO막(13)에 필요한 비교적 짧은 에칭 시간동안 수행되더라도, 게이트선 단자(8)들 사이 및/또는 소스선 단자(9)들 사이에 ITO막(13)이 남아있지 않게 된다. 따라서, 인접한 게이트선 단자(8)들 사이 및 인접한 소스선 단자(9)들 사이의 누설은 방지된다. 또한, ITO막은 단지 한 번의 포토패턴화 공정 및 한 번의 에칭 공정을 통하여 형성/패턴화된다.
도 3에 도시된 바와 같이, 액티브 매트릭스 기판은 밀봉 부분(34)에서 카운터 기판(42)에 부착되고, 카운터 기판(42)은 그위에 형성된 카운터 전극(41)을 가진다. 액정층(43)이 기판(11)과 (42) 사이에 삽입되므로써, 액정 디스플레이 장치를 형성한다. 참조 부호 36은 게이트 절연층을 가리킨다. 디스플레이 영역의 주변부에서, 게이트선 단자(8)와 소스선 단자(9)가 밀봉 부분(34) 주위의 장착 영역(35)에서 이방성 도전성막(23)을 통하여 TAB(Tape Automated Bonding)(26)에 연결된다. TAB(26)는 (외부 회로의) 베이스 기판(25)과 구리 등으로 형성된 단자(24)를 포함한다. 이방성 도전성막(23)은 절연 수지(22)에 플래스틱 비드 또는 금속 입자(21)를 혼합하므로써 형성되는 막이다. 장착 영역(35)은 전형적으로 대략 3 내지 5㎜ 연장된다. 일단 디스플레이 장치가 완성되면, 도 1에 도시된 바와 같이 단자 (8) 및 단자(9)에 연결되는 짧은 링(31)은 점선(32)을 따라 제거된다.
전술한 예에서는 유기 박막 돌출부(10)가 유기 박막 주 패턴(7)과 동시에 형성되지만 독립적으로 형성될 수도 있다. 유기 박막 주 패턴(7)과 유기 박막 돌출부(10)는 화소 전극 아래에 형성되는 층간 절연막, 에칭 방지층 등의 기능을 한다. 따라서, 유기 박막 주 패턴(7) 및 유기 박막 돌출부(10)를 동시에 형성하여 제조 공정을 단순하게 하는 것이 보다 바람직하다.
전술한 경우, 단자(8) 및 단자(9)의 두께에 대한 유기 박막 돌출부(10)의 두께는 사용되는 특정 절연막에 따라 변한다. 도 4에 도시된 바와 같이, 유기 박막 돌출부(10)가 단자(8) 및 단자(9) 보다 두껍다면, 유기 박막 돌출부(10)가 단자(8) 및 (9)보다 얇은 경우보다 이방성 도전성막(23)에서 도전성 입자(21)가 단자들간의 보다 큰 영역위에 분산되어 있으므로, 단자들간의 누설은 보다 효과적으로 방지될 수 있다.
전술한 유기 박막 주 패턴(7) 및 유기 박막 돌출부(10)에 대한 유기물에는 감광성 아크릴 수지, 투과성을 가지는 불소함유 수지등이 사용될 수 있다.
전술한 예에서, 역 스태거 구조를 가지는 TFT가 스위칭 소자로 사용된다. 이 대신에, 본 발명은 스태거 구조의 TFT, 동일 평면 구조의 TFT, MIM 소자 등이 스위칭 소자로 사용되는 경우에도 유사하게 적용될 수 있다.
또한, 전술한 예에서 TAB 회로는 전술한 단자(8) 및 단자(9)에 외부적으로 연결되는 것으로 기술되었다. 이 대신에, 본 발명은 FPC(Flexible Printed Circuit), IC 칩(COG: Chip on Glass) 등이 사용되는 경우에도 적용될 수 있다.
본 발명은 액티브 매트릭스 기판과 대향 기판 사이에 삽입되는 전형적으로 (디스플레이 매체인) 액정을 포함하는 액정 디스플레이 장치로 제한되지 않는다. 본 발명은 이 대신에 일렉트로크로믹 물질, 전계발광 물질, 플라즈마 등을 사용하는 디스플레이 장치에 적용될 수 있다.
본 발명에 따라 화소 전극이 패턴화될 때 ITO막이 단자들간에 남아있지 않으므로 단자들간의 좋지 않은 누설이 방지될 수 있다는 것은 전술한 설명으로부터 명백히 알 수 있었을 것이다. 따라서, 단자들간에 남아있는 ITO막을 제거하기 위한 제2 포토패턴화 공정 또는 제2 에칭 공정을 행할 필요가 없다. 결과적으로, 제조 공정이 단순해지므로 액티브 매트릭스 기판의 생산 비용이 감소될 수 있다. 또한, 액티브 매트릭스 기판을 외부 회로에 연결하는 데 사용되는 도전성막에 함유된 입자를 분산시키므로써 단자들간의 결함이였던 누설이 더욱 감소될 수 있다. 따라서, 이 액티브 매트릭스 기판을 사용하므로써 낮은 비용으로 양질의 디스플레이를 얻을 수 있다.
당업자라면 본 발명의 사상 및 범주를 벗어나지 않고서도 다른 각종 변형이 행해질 수 있음을 명백히 알 수 있을 것이다. 따라서, 특허청구의 범주를 전술한 설명으로 제한하려는 것은 아니다.

Claims (6)

  1. 기판과;
    상기 기판 상에 매트릭스로 형성되는 다수의 스위칭 소자 및 다수의 화소 전극과;
    주사 신호를 공급하고 다수의 스위칭 소자를 제어하기 위한 주사선과;
    서로 교차하도록 형성되는 상기 다수의 스위칭 소자에 데이터 신호를 공급하기 위한 신호선과;
    상기 각 주사선 또는 각 신호선에 전기적으로 연결되며, 외부 단자에 연결되는 단자를 포함하며,
    상기 인접한 단자들간에 유기막이 형성되는 액티브 매트릭스 기판.
  2. 제1항에 있어서, 상기 유기막으로서 층간 절연막이 사용되고, 상기 층간 절연막은 상기 주사선, 상기 신호선 및 상기 스위칭 소자를 덮도록 형성되는 액티브 매트릭스 기판.
  3. 제1항에 있어서, 상기 다수의 화소 전극은 층간 절연막상에 형성되고, 상기 층간 절연막에 형성된 접촉홀을 통하여 상기 각 스위칭 소자에 연결되는 액티브 매트릭스 기판.
  4. 제1항에 있어서, 상기 인접한 단자들간에 형성된 상기 유기막의 두께는 상기 단자들의 두께보다 큰 액티브 매트릭스 기판.
  5. 제1항에 있어서, 상기 유기막은 포지티브형 감광성 수지로 형성되는 액티브 매트릭스 기판.
  6. 디스플레이 매체가 개재되는 한쌍의 기판들 중의 한 기판으로서 청구항 1에 따르는 액티브 매트릭스 기판을 사용하는 디스플레이 장치.
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