JP3109674B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JP3109674B2 JP3109674B2 JP15015290A JP15015290A JP3109674B2 JP 3109674 B2 JP3109674 B2 JP 3109674B2 JP 15015290 A JP15015290 A JP 15015290A JP 15015290 A JP15015290 A JP 15015290A JP 3109674 B2 JP3109674 B2 JP 3109674B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、液晶表示装置の構造に関する。
従来の技術としては、日経エレクトロニクス1984年９
月10日号216ページに記載されているように、層間絶縁
膜として二酸化珪素や窒化珪素の堆積膜を用いていた。
月10日号216ページに記載されているように、層間絶縁
膜として二酸化珪素や窒化珪素の堆積膜を用いていた。
しかし、前述の従来技術では層間膜の膜質、膜厚が層
間膜の形成装置に依存し、また基板の位置、例えば中央
と周辺でも不均一な膜が形成されるという問題点を有し
ていた。
間膜の形成装置に依存し、また基板の位置、例えば中央
と周辺でも不均一な膜が形成されるという問題点を有し
ていた。
本発明はこの問題点を解決するもので、その目的は、
均一な層間絶縁膜が形成できる構造を持つ液晶表示装置
の提供にある。
均一な層間絶縁膜が形成できる構造を持つ液晶表示装置
の提供にある。
また前述の従来技術では、層間膜形成の際に基板を片
面から加熱する必要があるが、片面からの加熱により基
板が熱応力を受けて変形してしまうという問題点も持っ
ていた。
面から加熱する必要があるが、片面からの加熱により基
板が熱応力を受けて変形してしまうという問題点も持っ
ていた。
本発明の他の目的は、この問題を解決する構造を持っ
た液晶表示装置の提供にある。
た液晶表示装置の提供にある。
上記課題を解決するため、本発明の液晶表示装置の製
造方法は、基板上に液晶駆動用のスイッチング素子を形
成してなる液晶表示装置の製造方法において、前記スイ
ッチング素子のゲート電極の形成後に、当該ゲート電極
上にポリイミド樹脂を塗布し、前記ポリイミド樹脂にコ
ンタクトホールを開口して前記スイッチング素子につな
がるドレイン電極を前記ポリイミド樹脂上に形成する工
程とを有し、前記ドレイン電極と重なるポリイミド樹脂
は部分的に除去されていることを特徴とする。
造方法は、基板上に液晶駆動用のスイッチング素子を形
成してなる液晶表示装置の製造方法において、前記スイ
ッチング素子のゲート電極の形成後に、当該ゲート電極
上にポリイミド樹脂を塗布し、前記ポリイミド樹脂にコ
ンタクトホールを開口して前記スイッチング素子につな
がるドレイン電極を前記ポリイミド樹脂上に形成する工
程とを有し、前記ドレイン電極と重なるポリイミド樹脂
は部分的に除去されていることを特徴とする。
以下に本発明の実施例を図面をもとづいて説明する。
第１図（ａ）はTFT部の断面図である。図中、１は対向
する一対の基板のうち液晶駆動用スイッチング素子作製
側基板、2,3はスイッチング素子のソース・ドレインと
なるシリコン薄膜層、４はスイッチング素子のチャネル
となるシリコン薄膜層、５はスイッチング素子のゲート
絶縁膜、６はスイッチング素子のゲート電極である。ス
イッチング素子（以下TFTと略す）のゲート電極６を形
成後ポリイミド樹脂層７をスピンコーターにより塗布
し、コンタクトホール形成後にキュアと称する乾燥を行
ない、その上にドレイン電極９と信号線８を形成する。
第１図（ｂ）はTFT基板を垂直に見た図であり、走査線1
0と信号線８は層間絶縁膜を挟んで交差している。
第１図（ａ）はTFT部の断面図である。図中、１は対向
する一対の基板のうち液晶駆動用スイッチング素子作製
側基板、2,3はスイッチング素子のソース・ドレインと
なるシリコン薄膜層、４はスイッチング素子のチャネル
となるシリコン薄膜層、５はスイッチング素子のゲート
絶縁膜、６はスイッチング素子のゲート電極である。ス
イッチング素子（以下TFTと略す）のゲート電極６を形
成後ポリイミド樹脂層７をスピンコーターにより塗布
し、コンタクトホール形成後にキュアと称する乾燥を行
ない、その上にドレイン電極９と信号線８を形成する。
第１図（ｂ）はTFT基板を垂直に見た図であり、走査線1
0と信号線８は層間絶縁膜を挟んで交差している。
ポリイミド樹脂層７の膜厚は、スピンコーターの回転
数を変化させることで任意の値にすることができ、なお
かつその膜質は変化しない。膜厚の決定はポリイミド樹
脂の絶縁耐圧及び段差被覆性、ピンホール発生の有無な
どで行なう。
数を変化させることで任意の値にすることができ、なお
かつその膜質は変化しない。膜厚の決定はポリイミド樹
脂の絶縁耐圧及び段差被覆性、ピンホール発生の有無な
どで行なう。
なお第１図は可視領域に於てほぼ透明な分光特性を持
つポリイミド樹脂を使用した場合であり、この時ドレイ
ン電極９を樹脂層７の上に形成しても基板下からの可視
光は透過してきているのでさしつかえない。
つポリイミド樹脂を使用した場合であり、この時ドレイ
ン電極９を樹脂層７の上に形成しても基板下からの可視
光は透過してきているのでさしつかえない。
一方、非透明型のポリイミド樹脂を使用した場合は、
基板下からの透過光が無いので透過型液晶表示装置には
第１図のままでは使用できない。このとき第２図のよう
に、ドレイン電極９の部分に重なるポリイミド樹脂層７
を除去すれば問題ない。
基板下からの透過光が無いので透過型液晶表示装置には
第１図のままでは使用できない。このとき第２図のよう
に、ドレイン電極９の部分に重なるポリイミド樹脂層７
を除去すれば問題ない。
または基板上側からの入射光を反射電極により反射し
て使用する反射型液晶表示装置ならば電極下のポリイミ
ド樹脂層７の透過率はどうでもよい。
て使用する反射型液晶表示装置ならば電極下のポリイミ
ド樹脂層７の透過率はどうでもよい。
つぎにTFT基板と外部回路との接続部付近を第３図に
示す。TFTから伸びている信号線８は導電型シリコン薄
膜12を介して外部回路接続用の端子線11につながってい
る。当然信号線８、端子線11のそれぞれは前記導電型シ
リコン薄膜12と、接触部以外では絶縁されていなければ
ならない。ポリイミド樹脂層７をこの部分にも使用した
のが第３図である。このポリイミド樹脂層７はTFT部分
の層間絶縁膜を形成したきに同時に作製可能である。
示す。TFTから伸びている信号線８は導電型シリコン薄
膜12を介して外部回路接続用の端子線11につながってい
る。当然信号線８、端子線11のそれぞれは前記導電型シ
リコン薄膜12と、接触部以外では絶縁されていなければ
ならない。ポリイミド樹脂層７をこの部分にも使用した
のが第３図である。このポリイミド樹脂層７はTFT部分
の層間絶縁膜を形成したきに同時に作製可能である。
使用するポリイミド樹脂としては、感光基を含む感光
性ポリイミド樹脂が、フォトレジストを使用することな
くパターニング可能なので、工程を簡略化できいちばん
使いやすい。しかし非感光性ポリイミド樹脂でも、フォ
トレジストの使用により従来の二酸化硅素膜や窒化硅素
膜と同様にパターニングすればよい。
性ポリイミド樹脂が、フォトレジストを使用することな
くパターニング可能なので、工程を簡略化できいちばん
使いやすい。しかし非感光性ポリイミド樹脂でも、フォ
トレジストの使用により従来の二酸化硅素膜や窒化硅素
膜と同様にパターニングすればよい。
ポリイミド樹脂はパターン形成後に、キュアと称する
200℃から350℃程度での乾燥を行なうが、このさいはオ
ーブンの中で乾燥させるから基板の一面のみが加熱され
ることはない。よって基板が熱応力を受けて反ってしま
うことはない。ただポリイミド樹脂の熱膨張係数が基板
に比べ大きい場合は基板の変形がみられる。この時は基
板と同程度の熱膨張係数を持つポリイミド樹脂を選べば
よい。
200℃から350℃程度での乾燥を行なうが、このさいはオ
ーブンの中で乾燥させるから基板の一面のみが加熱され
ることはない。よって基板が熱応力を受けて反ってしま
うことはない。ただポリイミド樹脂の熱膨張係数が基板
に比べ大きい場合は基板の変形がみられる。この時は基
板と同程度の熱膨張係数を持つポリイミド樹脂を選べば
よい。
ポリイミド樹脂を利用することによる他の利点は、従
来の二酸化硅素膜や窒化硅素膜に比べ格段に段差被覆性
がよいことである。つまりポリイミド樹脂層７の上側は
かなり平坦化されるので、信号線８や端子線11の形成時
に於て、段切れと称する配線不良は発生しない。またコ
ンタクトホールのテーパー角は制御可能であるので、な
めらかなテーパーにすることで前記コンタクトホール部
での配線切れもほとんど発生しない。
来の二酸化硅素膜や窒化硅素膜に比べ格段に段差被覆性
がよいことである。つまりポリイミド樹脂層７の上側は
かなり平坦化されるので、信号線８や端子線11の形成時
に於て、段切れと称する配線不良は発生しない。またコ
ンタクトホールのテーパー角は制御可能であるので、な
めらかなテーパーにすることで前記コンタクトホール部
での配線切れもほとんど発生しない。
特に30cm角以上の大面積基板に本発明を適用すれば、
スピンコーティング法で絶縁膜を形成するために均一性
等の制御が容易となり、従来用いられていた二酸化硅素
膜や、窒化硅素膜に比べ有効となる。
スピンコーティング法で絶縁膜を形成するために均一性
等の制御が容易となり、従来用いられていた二酸化硅素
膜や、窒化硅素膜に比べ有効となる。
本発明の液晶表示装置は、以上説明したような層間絶
縁膜にポリイミド樹脂を使用した構造により、容易に均
一な膜質及び膜厚が得られる効果がある。また層間絶縁
膜形成時の基板変形が抑えられる効果もある。
縁膜にポリイミド樹脂を使用した構造により、容易に均
一な膜質及び膜厚が得られる効果がある。また層間絶縁
膜形成時の基板変形が抑えられる効果もある。
またかかる構造を持つことにより配線不良も抑えられ
る。
る。
第１図（ａ）は本発明の液晶表示装置のTFT部の断面
図。第１図（ｂ）は平面図。 第２図はドレイン電極の下のポリイミド層を除去した構
造の断面図。 第３図は信号線と端子線の接続部の断面図。 ６……ゲート電極 ７……ポリイミド樹脂層 ８……信号線 ９……ドレイン電極 10……走査線 11……端子線 12……導電型シリコン薄膜
図。第１図（ｂ）は平面図。 第２図はドレイン電極の下のポリイミド層を除去した構
造の断面図。 第３図は信号線と端子線の接続部の断面図。 ６……ゲート電極 ７……ポリイミド樹脂層 ８……信号線 ９……ドレイン電極 10……走査線 11……端子線 12……導電型シリコン薄膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/1333,1/136
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に液晶駆動用のスイッチング素子を
形成してなる液晶表示装置の製造方法において、前記ス
イッチング素子のゲート電極の形成後に、当該ゲート電
極上にポリイミド樹脂を塗布し、前記ポリイミド樹脂に
コンタクトホールを開口して前記スイッチング素子につ
ながるドレイン電極を前記ポリイミド樹脂上に形成する
工程とを有し、前記ドレイン電極と重なるポリイミド樹
脂は部分的に除去されていることを特徴とする液晶表示
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15015290A JP3109674B2 (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15015290A JP3109674B2 (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0442214A JPH0442214A (ja) | 1992-02-12 |
| JP3109674B2 true JP3109674B2 (ja) | 2000-11-20 |
Family
ID=15490640
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15015290A Expired - Fee Related JP3109674B2 (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3109674B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5424244A (en) | 1992-03-26 | 1995-06-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Process for laser processing and apparatus for use in the same |
| KR940015576A (ko) * | 1992-12-10 | 1994-07-21 | 이헌조 | 액정표시장치 제조방법 |
| KR970011972A (ko) * | 1995-08-11 | 1997-03-29 | 쯔지 하루오 | 투과형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| JP3299869B2 (ja) * | 1995-09-27 | 2002-07-08 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置とその製造方法 |
| JPH0990397A (ja) * | 1995-09-28 | 1997-04-04 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびそれを用いた表示装置 |
| JP3272212B2 (ja) * | 1995-09-29 | 2002-04-08 | シャープ株式会社 | 透過型液晶表示装置およびその製造方法 |
| JP3205501B2 (ja) * | 1996-03-12 | 2001-09-04 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス表示装置およびその修正方法 |
| JP2006065325A (ja) * | 2002-02-01 | 2006-03-09 | Seiko Epson Corp | 回路基板、電気光学装置、及び電子機器 |
| JP2006113598A (ja) * | 2002-02-01 | 2006-04-27 | Seiko Epson Corp | 回路基板、電気光学装置、及び電子機器 |
| JP5352710B2 (ja) * | 2012-05-21 | 2013-11-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電気光学装置 |
-
1990
- 1990-06-08 JP JP15015290A patent/JP3109674B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0442214A (ja) | 1992-02-12 |
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Legal Events
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