JP3299869B2 - 液晶表示装置とその製造方法 - Google Patents

液晶表示装置とその製造方法

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JP3299869B2 JP24951595A JP24951595A JP3299869B2 JP 3299869 B2 JP3299869 B2 JP 3299869B2 JP 24951595 A JP24951595 A JP 24951595A JP 24951595 A JP24951595 A JP 24951595A JP 3299869 B2 JP3299869 B2 JP 3299869B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）等のスイッチング素子を備えたアクティブマ
トリクス型の液晶表示装置とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５（ａ）は、従来の液晶表示装置にお
けるアクティブマトリクス基板の１画素部分の平面図を
示している。
【０００３】図５（ａ）において、アクティブマトリク
ス基板には、複数の画素電極５４がマトリクス状に設け
られており、これらの画素電極５４の周囲を通り、互い
に直交交差するように、各ゲート配線５１とソース配線
５２とが形成されている。これらのゲート配線５１とソ
ース配線５２との交差部近傍には、前記画素電極５４に
コンタクトホールを介して接続されるスイッチング素子
としてのＴＦＴが形成されている。
【０００４】図５（ｂ）は、図５（ａ）の液晶表示装置
におけるアクティブマトリクス基板のＢ−Ｂ´線断面図
を示している。
【０００５】図５（ｂ）において、透明絶縁性基板６０
上に、図５（ａ）のゲート配線５１と枝分かれしたゲー
ト電極５１が設けられ、その上を覆ってゲート絶縁膜５
５が設けられている。その上にはゲート電極５１と重畳
するように半導体層６２が設けられ、その中央部上にチ
ャネル保護層６３が設けられている。この半導体層６２
及びチャネル保護層６３の両端部を覆い、該チャネル保
護層６３上で分断された状態で、ソース電極５２及びド
レイン電極５３が設けられている。このようにして形成
されたＴＦＴ及びゲート配線５１、ソース配線５２の上
部を覆って層間絶縁膜５９が設けられており、該層間絶
縁膜５９上には画素電極５４が設けられ、層間絶縁膜５
９を貫くコンタクトホールを介して前記ＴＦＴと接続さ
れている。
【０００６】このようにして構成されたＴＦＴ基板６０
と対向電極５６を備えた対向基板６１との間に液晶５８
を封入して従来の液晶表示装置は完成する。このとき、
前記ＴＦＴ基板６０と対向基板６１との間隙は、スペー
サ５７を用いて所定の間隔に保たれている。（特開昭６
１−１５６０２５号公報）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記公報に開示された
従来の液晶表示装置においては、層間絶縁膜５９として
ポリイミド樹脂を用いているが、その他にも、例えば透
明度の高いアクリル樹脂やポリスチレン、ポリエステル
等が一般的に用いられている。
【０００８】また、スペーサ５７については特に開示さ
れていないが、通常はガラス等の硬質材料やプラスチッ
クビーズ等が用いられており、プラスチックビーズスペ
ーサの材料としては、ポリイミドやエポキシ、ポリスチ
レン等が一般的に用いられている。
【０００９】しかしながら、上述したようなアクリル系
樹脂を層間絶縁膜５９として用い、スペーサ５７として
エポキシ樹脂を用いて上記液晶表示装置を作製した場
合、液晶を注入封止後に点灯検査を行うと、ニュートン
リング（水に石等を落下させた時に水面に現れるリング
状の波紋のようなもの）が現れた。特に、シール部分で
この現象は多発し、シール部分の下層に層間絶縁膜を設
けた液晶表示装置の場合には特に顕著に現れた。
【００１０】このような現象が現れる原因を調べると、
前記スペーサ５７が前記層間絶縁膜５９に画素電極５４
を挟んでめり込んでしまい、前記ＴＦＴ基板６０と対向
基板６１との間隙が変化したことに起因していることが
分かった。
【００１１】ここで、前記層間絶縁膜５９上にはＩＴＯ
やＡｌ等からなる画素電極５４が形成されているにも拘
わらず、前記スペーサ５７がめり込んでしまうのは、前
記画素電極５４の厚さが５００〜２０００オングストロ
ームであるのに対して、前記層間絶縁膜５９の厚さは
１．５〜４μｍであり、該画素電極５４が絶対的に薄い
為であると考えられる。このことは配向膜（図示せず）
についても同様と考えられる。
【００１２】このように、従来の液晶表示装置において
は、スペーサが層間絶縁膜にめり込んでしまうことに起
因して、点灯検査時にニュートンリングが発生してしま
い、良品率、信頼性を著しく損なうという問題を有して
いた。
【００１３】本発明は、このような問題を解決するため
になされたものであって、その目的とするところは、層
間絶縁膜とスペーサとの材料の最適化を図ることによ
り、層間絶縁膜に樹脂を用いた液晶表示装置に発生する
様々な問題点を解決することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置の
製造方法は、基板上に、複数のスイッチング素子をマト
リクス状に形成するとともに、該スイッチング素子と接
続される走査配線及び信号配線を互いに交差するように
形成する工程と、前記スイッチング素子、走査配線、信
号配線の上部に、樹脂よりなる層間絶縁膜を形成する工
程と、前記層間絶縁膜表面の膜質を、灰化処理または光
照射によって改善する工程と、前記層間絶縁膜上に前記
スイッチング素子と接続された画素電極を形成する工程
とを含むことを特徴としており、そのことにより上記目
的が達成される。
【００１５】本発明の液晶表示装置は、前記層間絶縁膜
の膜厚が１．５μｍ以上４μｍ以下であることを特徴と
しており、そのことにより上記目的が達成される。
【００１６】また、前記シール材の内部にスペーサが設
けられている場合、該シール材内部のスペーサが、前記
液晶中のスペーサより大きいほうが望ましい。
【００１７】また、前記シール材の内部にスペーサが設
けられている場合、該シール材内部のスペーサの硬度
が、前記液晶中のスペーサの硬度より大きいほうが望ま
しい。
【００１８】また、前記シール材の下側には、前記層間
絶縁膜が存在しないほうが望ましい。
【００１９】また、前記シール材の下側には、金属膜、
チッ化膜、酸化膜のいずれかが設けられているほうが望
ましい。
【００２０】また、前記層間絶縁膜として透明度が高い
樹脂を用いたほうが望ましい。
【００２１】
【００２２】また、前記層間絶縁膜をパターニングする
前にプリベーク処理して該層間絶縁膜を乾燥させる工程
を含むほうが望ましい。
【００２３】上記構成により、以下、その作用を説明す
る。
【００２４】本発明においては、走査配線と信号配線と
の交差部近傍にスイッチング素子が設けられ、該スイッ
チング素子の上部には層間絶縁膜が設けられ、該層間絶
縁膜の上部には該スイッチング素子と接続された画素電
極が設けられる一方基板が、他方基板と対向配置される
とともに、該対向配置された基板間に該基板間隙を一定
に保つスペーサ及び液晶がシール材により封止されてな
る液晶表示装置において、前記層間絶縁膜の硬度が、前
記スペーサ材の硬度と同じか、もしくは大きいことを特
徴としており、そのことにより層間絶縁膜表面にスペー
サ材がめり込むことが防止でき、表示品位の高い液晶表
示装置が得られる。また、液晶表示装置完成後に、ユー
ザーが表面を拭く等して圧力が加わった場合であって
も、基板間隙を一定に保つことができるため、信頼性が
向上するとともに良品率も向上する。
【００２５】また、走査配線と信号配線との交差部近傍
にスイッチング素子が設けられ、該スイッチング素子の
上部には層間絶縁膜が設けられ、該層間絶縁膜の上部に
は該スイッチング素子と接続された画素電極が設けられ
る一方基板が、他方基板と対向配置されるとともに、該
対向配置された基板間に該基板間隙を一定に保つスペー
サ及び液晶がシール材により封止されてなる液晶表示装
置において、前記層間絶縁膜として、弾性体を用いたこ
とを特徴としており、そのことにより例え液晶表示装置
の表示面表面が加圧され、層間絶縁膜表面にスペーサ材
がめり込み、一時的に基板間隙が変化したとしても、加
圧が取り除かれたときに反発力が起こり、所定の基板間
隙に復元される。つまり、液晶表示装置の基板間隙を一
定に保つことができるため、信頼性が向上するとともに
良品率も向上する。
【００２６】また、前記シール材の内部にスペーサが設
けられている場合、該シール材内部のスペーサが、前記
液晶中のスペーサより大きいものを使用することによ
り、特にシール材部分で発生していた基板間隙の変化を
防止することができる。
【００２７】また、前記シール材の内部にスペーサが設
けられている場合、該シール材内部のスペーサの硬度
が、前記液晶中のスペーサの硬度より大きいものを使用
することにより、さらに効果が上がる。
【００２８】また、前記シール材の下側に、前記層間絶
縁膜を存在させないことにより、一層効果が上がる。
【００２９】また、前記シール材の下側に、金属膜、チ
ッ化膜、酸化膜のいずれかを設けることにより、シール
材部分の密着性が向上し、さらに信頼性の高い液晶表示
装置を得ることができる。
【００３０】また、前記層間絶縁膜として透明度の高い
樹脂を用いることにより、特に透過型液晶表示装置とし
て使用する場合には、着色のない美しい画像表示を得る
ことができるとともに、透過率が低下することを防止で
き、バックライトにおける消費電力の増加も発生しな
い。
【００３１】また、基板上に、複数のスイッチング素子
をマトリクス状に形成するとともに、該スイッチング素
子と接続される走査配線及び信号配線を互いに交差する
ように形成する工程と、前記スイッチング素子、走査配
線、信号配線の上部に、樹脂よりなる層間絶縁膜を形成
する工程と、前記層間絶縁膜表面の膜質を、灰化処理ま
たは光照射によって改善する工程と、前記層間絶縁膜上
に前記スイッチング素子と接続された画素電極を形成す
る工程とを含む製造方法を用いることにより、層間絶縁
膜を形成する樹脂として表面密着性の悪い材料を使用す
ることも可能となる。また、このときフォトレジストの
除去を同時に行うことができ、製造工程の削減を図るこ
ともできる。
【００３２】このとき、前記層間絶縁膜をパターニング
する前にプリベーク処理して該層間絶縁膜を乾燥させる
工程を含むことにより、層間絶縁膜を形成する樹脂の粘
度を下げることができ、生産性が向上するとともに、寸
法精度を向上させることができる。
【００３３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。
【００３４】（実施形態１）図１（ａ）は、本発明の実
施形態１の液晶表示装置におけるアクティブマトリクス
基板の１画素部分の構成を示す平面図である。
【００３５】図１（ａ）において、アクティブマトリク
ス基板には、複数の画素電極４がマトリクス状に設けら
れており、これらの画素電極４の周囲を通り、互いに直
交交差するように、走査配線としてのゲート配線１と信
号配線としてのソース配線２とが形成されている。この
とき、これらのゲート配線１とソース配線２とは、その
一部分が前記画素電極４の外周部分とオーバーラップし
て形成されている。また、これらのゲート配線１とソー
ス配線２との交差部近傍には、前記画素電極４にコンタ
クトホールを介して接続されるスイッチング素子として
のＴＦＴが形成されている。これは、ＭＩＭ等のスイッ
チング素子でもかまわない。また、付加容量配線（Ｃｓ
配線）１２が前記画素電極４の中央部分のゲート配線１
と同層に、ゲート配線１と同じプロセスにより形成され
ている。このとき、前記Ｃｓ配線１２は共通配線に接続
されるＣｓ ｏｎ Ｃｏｍ方式となっている。
【００３６】図１（ｂ）は、図１（ａ）の液晶表示装置
におけるアクティブマトリクス基板のＡ−Ａ´線断面図
を示している。
【００３７】図１（ｂ）において、透明絶縁性基板１０
上に、図１（ａ）のゲート配線１と枝分かれしたゲート
電極３１が設けられ、その上を覆ってゲート絶縁膜５が
設けられている。その上にはゲート電極３１と重畳する
ように半導体層３４が設けられ、その中央部上にチャネ
ル保護層３５が設けられている。この半導体層３４の一
部及びチャネル保護層３５の両端部を覆い、該チャネル
保護層３５上で分断された状態で、ソース電極３２及び
ドレイン電極３３となるｎ+ 層３６が設けられている。
【００３８】このようにして形成されたＴＦＴの上部を
覆って層間絶縁膜９が設けられており、該層間絶縁膜９
上には画素電極４が設けられ、該画素電極４は該層間絶
縁膜９を貫くコンタクトホール３７を介して前記ＴＦＴ
のドレイン電極３３と接続されている。そして、前記画
素電極４上及び対向基板１１上に形成された対向電極６
上には、それぞれ図示しない配向膜が形成されており、
該配向膜間には液晶８が封入されている。
【００３９】このとき、前記ＴＦＴ基板１０と前記対向
基板１１との間隙は、スペーサ７により保たれている。
ここでは、層間絶縁膜９としてロックウェル硬度Ｍ９０
のアクリル系樹脂を用い、また、スペーサ７としてはロ
ックウェル硬度Ｍ８０のポリスチレンを用いた。これ
は、透明度の高いアクリル系樹脂を層間絶縁膜９として
用いたことにより、着色が全くない高表示品位の液晶表
示装置を得ることができるとともに、スペーサ７として
層間絶縁膜９よりも柔らかいポリスチレンを用いたこと
により、基板に対してスペーサがめり込まず前記両基板
間隙を一定に保つことができる液晶表示装置を得ること
ができた。
【００４０】以上のように本実施形態１のアクティブマ
トリクス基板が構成され、以下のようにして製造するこ
とができる。
【００４１】まず、ガラス基板等からなる透明絶縁性基
板１０上に、Ａｌ、Ｔａ、Ｃｒ等の金属からなるゲート
配線１（ゲート電極３１）と、ＳｉＮｘ、ＳｉＯ2 等か
らなるゲート絶縁膜５と、Ｓｉ等からなる半導体層３４
と、ＳｉＮｘ等からなるチャネル保護層３５と、ｎ+ 層
３６とを順次成膜パターニングして形成する。ここまで
の作製プロセスは、従来のアクティブマトリクス基板の
製造方法と同様にして行うことができる。
【００４２】次に、Ａｌ、Ｔａ、Ｃｒ等の金属からなる
ソース配線２（ソース電極３２及びドレイン電極３３）
上にＩＴＯを形成して２層配線とした。これは、断線冗
長性を持たせるためと実装端子部分の低抵抗化のためで
ある。
【００４３】さらに、その上に、層間絶縁膜９として感
光性のアクリル系樹脂をスピンコート法により例えば３
μｍの膜厚で形成する。この膜厚は、樹脂等の膜の誘電
率によって決定される。これは、各配線と画素電極４と
が重畳して形成されているために寄生容量ができてしま
うからであり、なるべく誘電率の低い樹脂を用いること
が好ましい。この樹脂に対して、所望のパターンに従っ
て露光し、アルカリ性の溶液にて処理する。これにより
露光された部分のみがアルカリ性の溶液によってエッチ
ングされ、層間絶縁膜９を貫通するコンタクトホール３
７が形成されることになる。
【００４４】このとき、感光性のアクリル樹脂を用いた
ことにより、フォト工程だけでパターニングすることが
できるので、感光性を持たせることができる樹脂には感
光性を持たせる方が好ましい。また、低粘度の樹脂を用
い生産性を向上させるとともにパターニング前にプリベ
ーク処理して乾燥させることにより、本硬化時に寸法が
ずれる等の悪影響を防止することができさらに好まし
い。
【００４５】また、表面の密着性が悪い樹脂について
は、この段階で灰化処理や光照射により表面を荒らして
密着性を改善するとよい。このときフォトレジストも同
時に取除けば工程が増えることもない。
【００４６】その後、画素電極４となるＩＴＯをスパッ
タ法により形成し、パターニングする。これにより画素
電極４は、層間絶縁膜９を貫くコンタクトホール３７を
介して、ＴＦＴ３のドレイン電極３３と接続されること
になる。
【００４７】そして、このようにして作製したＴＦＴ基
板１０と対向電極６が形成された対向基板１１とを貼り
合わせる。このとき、周辺部分をシール材、その他の部
分をスペーサ７により間隙を一定に保った。その後、前
記両基板間に液晶８を封入して本実施形態１の液晶表示
装置を製造した。
【００４８】なお、ここでは、層間絶縁膜９をロックウ
ェル硬度Ｍ９０のアクリル系樹脂を用い、スペーサとし
てロックウェル硬度Ｍ８０のポリスチレンを用いた。
【００４９】したがって、このようにして得られるアク
ティブマトリクス基板は、透過型の液晶表示装置に用い
る場合には、層間絶縁膜９として透明度の高いもの、具
体的には過射光領域の透過率９０％以上のものを用いる
ことが好ましく、例えば、ポリアミドイミド（Ｅ６１〜
７４）、ポリアリレート（Ｍ８７〜９３）、ポリエーテ
ルイミド（Ｍ１０５〜１０９）、エポキシ（Ｍ８０〜１
１０）、透明度の高いポリイミド（Ｅ４５〜５８：例え
ばヘキサフルオロプロピレンを含む酸二無水物とジアミ
ンとの組合わせ）等を用いることができる。また、スペ
ーサ７としては、特に透明である必要は無く、例えば黒
色に着色されたものであってもよい。そのため、前記層
間絶縁膜９よりも材料選択の範囲は広く、該層間絶縁膜
９と同じ材料もしくはそれより柔らかいものを用いれば
よい。
【００５０】また、上述したアクティブマトリクス基板
を反射型の液晶表示装置に用いる場合には、前記透過型
の液晶表示装置に用いる場合よりも層間絶縁膜９の材料
選択の範囲はずっと広くなり、例えば、ポリイミドでは
一般的に良く知られるカプトンのような着色材を用いる
ことができる。
【００５１】（実施形態２）本実施形態２の液晶表示装
置に用いるアクティブマトリクス基板では、弾性率の高
い樹脂、特に反発弾性力の強い樹脂を用いて層間絶縁膜
を形成しており、その他は実施形態１と同様の手法によ
り液晶表示装置を作製した。
【００５２】ここで、上下基板の貼り合わせ時やパネル
完成後等に、指でパネル表面を押したりするような表面
上からの圧力が加わった場合、反発弾性力の強い樹脂を
用いて層間絶縁膜を形成した液晶表示装置であれば、一
時的に層間絶縁膜の表面は凹んでしまうものの、圧力が
解除されるとともに弾性力（反発力）が働いて元の状態
に戻り、それに伴って変化していた基板間隔も所定の状
態に戻るという利点がある。
【００５３】本実施形態２で用いた弾性率の高い樹脂と
しては、透過型の液晶表示装置では、ブタジエンスチレ
ン共重合体、ブチルゴム、フッ素ゴムを、また、反射型
の液晶表示装置としては、ポリオレフィン系ラストマ
ー、ポリウレタンゴム等のゴム状弾性高分子を好適に用
いることができる。
【００５４】（実施形態３）図２、図３、図４は、本発
明の実施形態３の液晶表示装置におけるシール部分の拡
大断面図である。なお、図１と同様の作用を奏する部材
には同一の符号を付けてその説明は省略する。
【００５５】まず、実施形態１と同様の手法によりＴＦ
Ｔ基板を作製後、図２に示すように、層間絶縁膜９のパ
ターニング時にシール１４部分下側の層間絶縁膜９を取
り除いた。つまり、シール１４の下側の透明絶縁性基板
１０上には、ゲート配線１と該ゲート配線１上に形成さ
れたゲート絶縁膜５とが設けられており、該シール１４
よりも内側の透明絶縁性基板１０上には、前記ゲート配
線１とゲート絶縁膜５上に層間絶縁膜９と画素電極４と
が積層された状態となっている。
【００５６】その後、対向電極６が形成された対向基板
１１とＴＦＴ基板１０とを前記シール１４を介して所定
の間隔で貼り合わせた。このとき、スペーサ７及びスペ
ーサ１３により所定の間隙を保っているが、表示領域内
（液晶中）のスペーサ７よりもシール１４内のスペーサ
１３の方に直径が大きいものを用いた。
【００５７】このような構造とすることにより、これま
で問題となっていたシール１４部分近傍での表示の不具
合が解消された。ここで、シール１４内のスペーサ１３
としては、ガラス粒子等の硬質のものを用いるとさらに
効果的である。また、このときの表示領域内のスペーサ
７としては、プラスチックビーズ等を用いることが望ま
しい。なお、液晶表示装置作製時に、前記表示領域内の
スペーサ７がシール１４内に流れ込むことも考えられる
が、このことは特に問題ではない。
【００５８】ここで、上述したようにして形成した液晶
表示装置において、図３に示すように、シール１４の下
側の透明絶縁性基板１０上に、さらにソース配線やＩＴ
Ｏ４０を設けることにより、該シール１４との密着性が
向上するとともに、静電気対策の点においても効果的で
ある。このときのソース配線材料や画素電極材料として
は、金属、チッ化物、酸化物等を用いることが特に好ま
しい。
【００５９】さらに、図４に示すように、前記層間絶縁
膜９の端部を斜めに形成することにより、液晶８の注入
時において気泡等の発生を未然に防ぐことができ、スム
ーズな液晶注入が可能となる。
【００６０】以上のように本実施形態３のアクティブマ
トリクス基板が構成され、以下のようにして製造するこ
とができる。ここでは、実施形態１と同様のプロセスに
ついては省略して説明する。
【００６１】まず、透明絶縁性基板１０上に層間絶縁膜
９を形成する工程までは、実施形態１と同様の手法によ
り行った。次に、コンタクトホール形成のために前記層
間絶縁膜９のパターニングを行う。このときに、表示領
域の周囲部分、つまりシール１４形成部分の下側に位置
する層間絶縁膜９についても、コンタクトホール部分と
同様に取り除いた。その後、前記層間絶縁膜９の表示領
域に相当する部分に画素電極４を形成して、図示しない
配向膜を形成した。
【００６２】そして、上述したようにして作製したＴＦ
Ｔ基板１０と対向電極６が形成された対向基板１１との
周囲部分を、エポキシ樹脂等の熱硬化樹脂や光硬化樹脂
からなるシール１４で貼り合わせた。このとき、スペー
サ７及びスペーサ１３により前記両基板間隙を一定に保
った。その後、前記シール１４を硬化させ、液晶８を封
入することにより本実施形態３の液晶表示装置を製造す
ることができる。
【００６３】本実施形態３では、前記シール１４形成部
分の下側に前記層間絶縁膜９を設けていないので、該シ
ール１４硬化時に該層間絶縁膜９を形成する樹脂が硬化
収縮熱膨張を起こして前記両基板の間隙が変わってしま
うことも無くなる。また、本実施形態３では、前記シー
ル１４形成部分の下側にゲート絶縁膜５を設けている
が、これは該シール１４との密着性を向上させるためで
ある。このとき、あらかじめスペーサ１３を含み込んだ
シール１４を用いることが生産性向上の点で好ましい。
なお、本発明では、Ｃｓ ｏｎ Ｃｏｍ方式の液晶表示
装置を用いて説明したが、これがＣｓ ｏｎ Ｇａｔｅ
方式の液晶表示装置であっても構わない。
【００６４】
【発明の効果】以上の様に本発明によれば、層間絶縁膜
の硬度がスペーサの硬度と同じか、もしくは大きいこと
により、層間絶縁膜表面にスペーサ材がめり込むことが
防止でき、表示品位の高い液晶表示装置が得られる。ま
た、液晶表示装置完成後に、ユーザーが表面を拭く等し
て圧力が加わった場合であっても、基板間隙を一定に保
つことができるため、信頼性が向上するとともに良品率
も向上する。
【００６５】また、層間絶縁膜として、弾性体を用いる
ことにより、例え液晶表示装置の表示面表面が加圧さ
れ、層間絶縁膜表面にスペーサ材がめり込み、一時的に
基板間隙が変化したとしても、加圧が取り除かれたとき
に反発力が起こり、所定の基板間隙に復元される。つま
り、液晶表示装置の基板間隙を一定に保つことができる
ため、信頼性が向上するとともに良品率も向上する。
【００６６】また、シール材の内部にスペーサが設けら
れている場合、該シール材内部のスペーサが、液晶内の
スペーサより大きいものを使用することにより、特にシ
ール材部分で発生していた基板間隙の変化を防止するこ
とができる。
【００６７】また、シール材の内部にスペーサが設けら
れている場合、該シール材内部のスペーサの硬度が、液
晶内のスペーサの硬度よりも硬いものを使用することに
より、さらに効果が上がる。
【００６８】また、前記シール材の下側に、前記層間絶
縁膜を存在させないことにより、一層効果が上がる。
【００６９】また、前記シール材の下側に、金属膜、チ
ッ化膜、酸化膜のいずれかを設けることにより、シール
材部分の密着性が向上し、さらに信頼性の高い液晶表示
装置を得ることができる。
【００７０】また、前記層間絶縁膜として透明度の高い
樹脂を用いることにより、特に透過型液晶表示装置とし
て使用する場合には、着色のない美しい画像表示を得る
ことができるとともに、透過率が低下することを防止で
き、バックライトにおける消費電力の増加も発生しな
い。
【００７１】また、基板上に、複数のスイッチング素子
をマトリクス状に形成するとともに、該スイッチング素
子と接続される走査配線及び信号配線を互いに交差する
ように形成する工程と、前記スイッチング素子、走査配
線、信号配線の上部に、樹脂よりなる層間絶縁膜を形成
する工程と、前記層間絶縁膜表面の膜質を、灰化処理ま
たは光照射によって改善する工程と、前記層間絶縁膜上
に前記スイッチング素子と接続された画素電極を形成す
る工程とを含む製造方法を用いることにより、層間絶縁
膜を形成する樹脂として表面密着性の悪い材料を使用す
ることも可能となる。また、このときフォトレジストの
除去を同時に行うことができ、製造工程の削減を図るこ
ともできる。
【００７２】また、前記層間絶縁膜をパターニングする
前にプリベーク処理して該層間絶縁膜を乾燥させる工程
を含むことにより、層間絶縁膜を形成する樹脂の粘度を
下げることができ、生産性が向上するとともに、寸法精
度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（ａ）は、本発明の実施形態１の液晶表示
装置におけるアクティブマトリクス基板の１画素部分の
構成を示す平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）の
液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板のＡ−
Ａ´線断面図を示している。
【図２】図２は、本発明の実施形態３の液晶表示装置に
おけるシール部分の拡大断面図である。
【図３】図３は、本発明の実施形態３の液晶表示装置に
おけるシール部分の拡大断面図である。
【図４】図４は、本発明の実施形態３の液晶表示装置に
おけるシール部分の拡大断面図である。
【図５】図５（ａ）は、従来の液晶表示装置におけるア
クティブマトリクス基板の１画素部分の平面図を示して
いる。図５（ｂ）は、図５（ａ）の液晶表示装置におけ
るアクティブマトリクス基板のＢ−Ｂ´線断面図を示し
ている。
【符号の説明】
１ ゲート配線 ２ ソース配線 ３ ＴＦＴ（スイッチング素子） ４ 画素電極 ５ ゲート絶縁膜 ６ 対向電極 ７ スペーサ ８ 液晶 ９ 層間絶縁膜 １０ 透明絶縁性基板（ＴＦＴ基板） １１ 対向基板 １２ 付加容量配線（Ｃｓ配線） １３ スペーサ １４ シール材 ３１ ゲート電極 ３２ ソース電極 ３３ ドレイン電極 ３４ 半導体層 ３５ チャネル保護層 ３６ ｎ+ 層 ３７ コンタクトホール ４０ ソース配線やＩＴＯ ５１ ゲート配線、ゲート電極 ５２ ソース配線、ソース電極 ５３ ドレイン電極 ５４ 画素電極 ５５ ゲート絶縁膜 ５６ 対向電極 ５７ スペーサ ５８ 液晶 ５９ 層間絶縁膜 ６０ 透明絶縁性基板 ６１ 対向基板 ６２ 半導体層 ６３ チャネル保護層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平７−20475（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−220526（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−110063（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−289915（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−37721（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/1339 500 G02F 1/1368 H01L 29/786

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板上に、複数のスイッチング素子をマ
    トリクス状に形成するとともに、該スイッチング素子と
    接続される走査配線及び信号配線を互いに交差するよう
    に形成する工程と、 前記スイッチング素子、走査配線、信号配線の上部に、
    樹脂よりなる層間絶縁膜を形成する工程と、 前記層間絶縁膜表面の膜質を、灰化処理または光照射に
    よって改善する工程と、 前記層間絶縁膜上に前記スイッチング素子と接続された
    画素電極を形成する工程とを含むことを特徴とする液晶
    表示装置の製造方法。
  2. 【請求項２】 前記画素電極を含むＴＦＴ基板と、対向
    電極が形成された対向基板とを貼り合わせる工程と、 前記貼り合わされた基板の周辺部を予めスペーサを含み
    込んだシール材でシールする工程と、 前記シールされた基板間に液晶を封入する工程と、を含
    んだことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の
    製造方法。
  3. 【請求項３】 前記液晶中のスペーサより径の大きなス
    ペーサを、前記シール材の内部に予め含み込んだことを
    特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置の製造方法。
  4. 【請求項４】 前記液晶中のスペーサより硬度の大きい
    スペーサを、前記シール材の内部に予め含み込んだこと
    を特徴とする請求項２又は３に記載の液晶表示装置の製
    造方法。
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