JPH0474714A - Ｔｉ系超伝導材料 - Google Patents
Ｔｉ系超伝導材料Info
- Publication number
- JPH0474714A JPH0474714A JP2181204A JP18120490A JPH0474714A JP H0474714 A JPH0474714 A JP H0474714A JP 2181204 A JP2181204 A JP 2181204A JP 18120490 A JP18120490 A JP 18120490A JP H0474714 A JPH0474714 A JP H0474714A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- mixed
- alkaline earth
- current density
- critical current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 title abstract description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910002480 Cu-O Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 abstract description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 2
- -1 organic acid salt Chemical class 0.000 abstract description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 abstract description 2
- 239000013077 target material Substances 0.000 abstract 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 abstract 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L copper(ii) acetate Chemical compound [Cu+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- ITHZDDVSAWDQPZ-UHFFFAOYSA-L barium acetate Chemical compound [Ba+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O ITHZDDVSAWDQPZ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- VSGNNIFQASZAOI-UHFFFAOYSA-L calcium acetate Chemical compound [Ca+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O VSGNNIFQASZAOI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229960005147 calcium acetate Drugs 0.000 description 2
- 235000011092 calcium acetate Nutrition 0.000 description 2
- 239000001639 calcium acetate Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 229940076286 cupric acetate Drugs 0.000 description 2
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- GICWIDZXWJGTCI-UHFFFAOYSA-I molybdenum pentachloride Chemical compound Cl[Mo](Cl)(Cl)(Cl)Cl GICWIDZXWJGTCI-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- HQOJMTATBXYHNR-UHFFFAOYSA-M thallium(I) acetate Chemical compound [Tl+].CC([O-])=O HQOJMTATBXYHNR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten trioxide Chemical compound O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVTSZOCINPYFDP-UHFFFAOYSA-N [O].[Ar] Chemical compound [O].[Ar] VVTSZOCINPYFDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は配線、電磁波センサー、超伝導トランジスタ、
電流制御素子、超伝導マグネット等に用いる超伝導材料
に関する。
電流制御素子、超伝導マグネット等に用いる超伝導材料
に関する。
［従来の技術］
現在安定性、再現性共にあり世界で公認されている最も
高い臨界温度を持つ超伝導物貿はＡｒｋａｎｓａｓ大学
のＡ、Ｍ、Ｈｅｒｍａｎｎらの発見したＴｌ−Ｍ−Ｃｕ
−０系（ここでＭはアルカリ土類を示す）である。主た
る化合物の組成はＴ１２Ｂａ２Ｃａ２Ｃｕ３０Ｘであり
詳細はＰｈｙｃｉｃａ Ｒｅｖｉｅｗ Ｌｅｔｔｅ
ｒｓ Ｖｏｌ、６０ Ｎｏ１６ ｐｐ１６５７、
ＪａｐａｎｅｓｅＪｏｕｎａｌ Ｏｆ Ａｐｐｌｉ
ｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｖｏｌ、２７ Ｎｏ５
１９８８ ｐｐＬ８０４等に述べられている。この物
質は１２０に以上の臨界温度を持つため液体窒素（７７
Ｋ）を冷却剤として使用した場合Ｙ系やＢｉ系に較べ大
きなマージンがとれ幅広い応用が期待されている。
高い臨界温度を持つ超伝導物貿はＡｒｋａｎｓａｓ大学
のＡ、Ｍ、Ｈｅｒｍａｎｎらの発見したＴｌ−Ｍ−Ｃｕ
−０系（ここでＭはアルカリ土類を示す）である。主た
る化合物の組成はＴ１２Ｂａ２Ｃａ２Ｃｕ３０Ｘであり
詳細はＰｈｙｃｉｃａ Ｒｅｖｉｅｗ Ｌｅｔｔｅ
ｒｓ Ｖｏｌ、６０ Ｎｏ１６ ｐｐ１６５７、
ＪａｐａｎｅｓｅＪｏｕｎａｌ Ｏｆ Ａｐｐｌｉ
ｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｖｏｌ、２７ Ｎｏ５
１９８８ ｐｐＬ８０４等に述べられている。この物
質は１２０に以上の臨界温度を持つため液体窒素（７７
Ｋ）を冷却剤として使用した場合Ｙ系やＢｉ系に較べ大
きなマージンがとれ幅広い応用が期待されている。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら前記超伝導材料の臨界電流密度は■多結晶
になり易い材料であると共に結晶粒界部に電流を阻害す
る第２相が析出し易い。
になり易い材料であると共に結晶粒界部に電流を阻害す
る第２相が析出し易い。
■コヒーレンス長さが短いため粒界部の影響を受は易い
。
。
■異方性が強い。 （結晶を配向させる必要がある）
等の理由により大変低いものであった。その値はコンス
タントに得られる値で薄膜は１０’Ａ／Ｃｍ２台、線材
は１０３Ａ／ｃｍ２台前半が一般的であった。 通常臨
界電流密度は薄膜を主体としたエレクトロニクスへの応
用で１０６Ａ ／ ｃ ｍ ２以上、線材を主体とした
重電機器への応用で１０５Ａ／Ｃｍ２以上必要と言われ
ているがこの様に値はまだ２桁も差がある。これらの対
策として超伝導物質の単結晶化があるが単結晶化は大口
径化が困難であるだけでなくコストが非常に高くなるた
め実用化に向けては多結晶に於て臨界電流密度を上げる
必要がある。
タントに得られる値で薄膜は１０’Ａ／Ｃｍ２台、線材
は１０３Ａ／ｃｍ２台前半が一般的であった。 通常臨
界電流密度は薄膜を主体としたエレクトロニクスへの応
用で１０６Ａ ／ ｃ ｍ ２以上、線材を主体とした
重電機器への応用で１０５Ａ／Ｃｍ２以上必要と言われ
ているがこの様に値はまだ２桁も差がある。これらの対
策として超伝導物質の単結晶化があるが単結晶化は大口
径化が困難であるだけでなくコストが非常に高くなるた
め実用化に向けては多結晶に於て臨界電流密度を上げる
必要がある。
また超伝導トランジスターやジョセフソン素子では数ｎ
ｍと極めて薄い絶縁層を形成しなくてはならないため表
面は平滑であることが必要であるが現状は数十ｎｍの凹
凸を持っていた。
ｍと極めて薄い絶縁層を形成しなくてはならないため表
面は平滑であることが必要であるが現状は数十ｎｍの凹
凸を持っていた。
本発明はこの様な問題を解決するものであり、その目的
とするところは製造コストの安い多結晶体に於て高い臨
界電流密度を持つと共に薄膜ではデバイス化に必要な表
面モホロジーを確保したＴｌ系超伝導材料を得んとする
ものである。
とするところは製造コストの安い多結晶体に於て高い臨
界電流密度を持つと共に薄膜ではデバイス化に必要な表
面モホロジーを確保したＴｌ系超伝導材料を得んとする
ものである。
［課題を解決するための手段］
Ｔ ｌ−Ｍ−Ｃｕ−０系超伝導物質（ここでＭはアルカ
リ土類元素を示す）にＭｏまたはＷを添加したこと、そ
の添加量は好ましくはＭｏとＷをＡで表すときＡ ／
Ｃｕは０．００５〜０．０７の範囲内であること、また
超伝導材料の形態が好ましくは薄膜であることを特徴と
する。
リ土類元素を示す）にＭｏまたはＷを添加したこと、そ
の添加量は好ましくはＭｏとＷをＡで表すときＡ ／
Ｃｕは０．００５〜０．０７の範囲内であること、また
超伝導材料の形態が好ましくは薄膜であることを特徴と
する。
［実施例］
以下実施例に従い本発明の詳細な説明する。
実施例−１
最初にスパッタ法により作製した薄膜を例に説明する。
先ずターゲットを作る。所定量の酢酸第二銅、酢酸タリ
ウム、酢酸バリウム、酢酸カルシューム、五塩化モリブ
デンを純水中に入れ溶解させた後１５０°Ｃに加熱し水
分を除去する。次に２７０°Ｃ空気中で有機を燃焼させ
酸化物の混合粉末を作る。
ウム、酢酸バリウム、酢酸カルシューム、五塩化モリブ
デンを純水中に入れ溶解させた後１５０°Ｃに加熱し水
分を除去する。次に２７０°Ｃ空気中で有機を燃焼させ
酸化物の混合粉末を作る。
ここで純水中に溶解させるのは市販の酸化物粉末を混合
させるものより分散性が良いためである。
させるものより分散性が良いためである。
次にこの粉末を３００ｋｇ／ａｍ２で加圧成形、８００
〜８６５℃アルゴン酸素混合ガス雰酸素中で１時間焼成
、組成ずれの多い表面層除去し２インチ厚さ３ｍｍのタ
ーゲットを得る。
〜８６５℃アルゴン酸素混合ガス雰酸素中で１時間焼成
、組成ずれの多い表面層除去し２インチ厚さ３ｍｍのタ
ーゲットを得る。
次にＲＦマグネトロンスパッタでＭｇ０（１００）単結
晶基板上に上記ターゲットを用い薄膜を形成する。この
時の成膜条件は、初期真空度： ｌ・８〜２．３＊ｌＯ
−’Ｔｏｒｒ、使用ガス： アルゴン（７０％）酸素（
３０％）の混合ガス、出力１００〜１５５Ｗ、スパッタ
時のガス圧：１．５〜３．２＊ｌＯ−”Ｔｏｒｒ、基板
温度＝ １５０°Ｃ１成膜速度： ４ゞ８ｎｍ／ｍｉｎ
、 膜厚３０００〜３５００人である。尚基板は表面
粗さのバラツキによる臨界電流密度への影響を押さえる
ため研磨面ではなくへきかい面を用いた。
晶基板上に上記ターゲットを用い薄膜を形成する。この
時の成膜条件は、初期真空度： ｌ・８〜２．３＊ｌＯ
−’Ｔｏｒｒ、使用ガス： アルゴン（７０％）酸素（
３０％）の混合ガス、出力１００〜１５５Ｗ、スパッタ
時のガス圧：１．５〜３．２＊ｌＯ−”Ｔｏｒｒ、基板
温度＝ １５０°Ｃ１成膜速度： ４ゞ８ｎｍ／ｍｉｎ
、 膜厚３０００〜３５００人である。尚基板は表面
粗さのバラツキによる臨界電流密度への影響を押さえる
ため研磨面ではなくへきかい面を用いた。
次に８８０°Ｃ酸素ガス雰囲気中で５分間アニル処理、
酸素プラズマ中で１５時間酸素導入処理を行い酸化物超
伝導薄膜を得た。ここで酸素プラズマにより酸素を導入
しているのは加熱処理ではＴｌが飛び組成がずれるため
である。
酸素プラズマ中で１５時間酸素導入処理を行い酸化物超
伝導薄膜を得た。ここで酸素プラズマにより酸素を導入
しているのは加熱処理ではＴｌが飛び組成がずれるため
である。
第１表
得られた超伝導薄膜をイオンビームエツチングによりバ
ターニングした後臨界電流密度を４端子法により測定し
た。測定雰囲気はＨｅガス中（Ｈｅは熱伝導が良く試料
温度を均一化出来ると共に不活性であり試料の変質を防
ぐことが出来る）、測定温度は７７にで冷却には極低温
冷凍機（ダイキン工業製）を用いた。結果を比較例（Ｍ
ｏ添加無し、添加量が適正範囲外のもの）と共に第１表
に示した。
ターニングした後臨界電流密度を４端子法により測定し
た。測定雰囲気はＨｅガス中（Ｈｅは熱伝導が良く試料
温度を均一化出来ると共に不活性であり試料の変質を防
ぐことが出来る）、測定温度は７７にで冷却には極低温
冷凍機（ダイキン工業製）を用いた。結果を比較例（Ｍ
ｏ添加無し、添加量が適正範囲外のもの）と共に第１表
に示した。
表より判るように実際の応用にはまだ僅か足りないもの
もあるがＴｌ−Ｍ−Ｃｕ系超伝導材料（こっこでＭはア
ルカリ土類を示す）にＭｏを添加することより顕著に臨
界電流密度が向上している。
もあるがＴｌ−Ｍ−Ｃｕ系超伝導材料（こっこでＭはア
ルカリ土類を示す）にＭｏを添加することより顕著に臨
界電流密度が向上している。
これはＭｏの添加により電流を阻害する第２相の析出を
抑制しているためと薄膜を平滑なものにしているためと
考えられる。尚添加量はＭ ｏ ／ Ｃｕの比で０．０
０５〜０．０７の範囲内が好ましい。
抑制しているためと薄膜を平滑なものにしているためと
考えられる。尚添加量はＭ ｏ ／ Ｃｕの比で０．０
０５〜０．０７の範囲内が好ましい。
添加量は少ないと効果はなく、多すぎると超伝導物質の
構造を破壊す′るため逆に臨界゛電流密度は但下する。
構造を破壊す′るため逆に臨界゛電流密度は但下する。
また臨界電流密度向上の上でも役立っている平滑性向上
は前にも述べたようにデバイス化の上でも良い結果をも
たらす。
は前にも述べたようにデバイス化の上でも良い結果をも
たらす。
実施例−２
実施例−１と同様な方法により酢酸第二銅、酢酸タリウ
ム、酢酸バリウム、酢酸カルシューム、五塩化モリブデ
ンまたは三酸化タングステンから混合酸化物を得る。次
にこれらを白金坩堝中に入１１０５０〜１２００℃酸素
雰囲気中で溶融する。
ム、酢酸バリウム、酢酸カルシューム、五塩化モリブデ
ンまたは三酸化タングステンから混合酸化物を得る。次
にこれらを白金坩堝中に入１１０５０〜１２００℃酸素
雰囲気中で溶融する。
尚蒸発し易い物質は予め仕込Ｉを最終的に化学量論組成
に近くなるように補正する。次にこの？ｇ融物を固相と
液相の混相状態になるまで冷却した後線引き、圧延を繰
り近し行い線材化する。
に近くなるように補正する。次にこの？ｇ融物を固相と
液相の混相状態になるまで冷却した後線引き、圧延を繰
り近し行い線材化する。
次に表面にＡｇを溶射コーティングした後８００〜８８
０ ”Ｃアルゴン−酸素混合ガス雰囲気中で５時間、５
００ ’Ｃ酸素雰囲気中で１０時間熱処理し超伝導線材
を得る。
０ ”Ｃアルゴン−酸素混合ガス雰囲気中で５時間、５
００ ’Ｃ酸素雰囲気中で１０時間熱処理し超伝導線材
を得る。
得られた超伝導線材の臨界電流密度を４端子法により測
定した。測定雰囲気はＨｅガス中、測定温度は７７Ｋ（
液体窒素温度）で冷却には極低温冷凍機（ダイキン工業
製）を用いた。結果を比較例と共に第２表と第３表に示
した。
定した。測定雰囲気はＨｅガス中、測定温度は７７Ｋ（
液体窒素温度）で冷却には極低温冷凍機（ダイキン工業
製）を用いた。結果を比較例と共に第２表と第３表に示
した。
第２表
第３表
表より判るようにバルク材料にＭｏとＷを／土加しても
実施例−１と同様に顕著に臨界電流密度が向上している
。実施例−１の薄膜より効果の少ないのは膜には平滑化
効果が加わったのに対して線材では第２相の析出抑制効
果だけであるためと考えられる。
実施例−１と同様に顕著に臨界電流密度が向上している
。実施例−１の薄膜より効果の少ないのは膜には平滑化
効果が加わったのに対して線材では第２相の析出抑制効
果だけであるためと考えられる。
［発明の効果コ
以上述べたように本発明によれば結晶の粒界部に析出し
電流を阻害する第２相を抑制できるため製造コストの安
い多結晶体でも高い臨界電流密度を得ることが出来る。
電流を阻害する第２相を抑制できるため製造コストの安
い多結晶体でも高い臨界電流密度を得ることが出来る。
また薄膜では膜の平滑化効果が加わるため臨界電流密度
はより顕著に向上すると共にデバイス化に必要な表面モ
ホロジーも良くなる。尚この材料は配線、電磁波センサ
ー、磁束メモリ、ジョセフソン素子、超伝導トランジス
タ、磁気シールド材、送電ケーブル、通信ケーブル、超
伝導モータ、超伝導マグネット等に応用できる。
はより顕著に向上すると共にデバイス化に必要な表面モ
ホロジーも良くなる。尚この材料は配線、電磁波センサ
ー、磁束メモリ、ジョセフソン素子、超伝導トランジス
タ、磁気シールド材、送電ケーブル、通信ケーブル、超
伝導モータ、超伝導マグネット等に応用できる。
以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）Ｔｉ−Ｍ−Ｃｕ−Ｏ系超伝導物質（ここでＭはアル
カリ土類元素を示す）にＭｏまたはＷを添加したことを
特徴とするＴ１系超伝導材料。 ２）ＭｏとＷをＡで表すときＡ／Ｃｕは０．００５〜０
．０７の範囲内であることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載のＴ１系超伝導材料。 ３）超伝導材料が薄膜であることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載のＴ１系超伝導材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2181204A JPH0474714A (ja) | 1990-07-09 | 1990-07-09 | Ｔｉ系超伝導材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2181204A JPH0474714A (ja) | 1990-07-09 | 1990-07-09 | Ｔｉ系超伝導材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0474714A true JPH0474714A (ja) | 1992-03-10 |
Family
ID=16096659
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2181204A Pending JPH0474714A (ja) | 1990-07-09 | 1990-07-09 | Ｔｉ系超伝導材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0474714A (ja) |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5659375A (en) * | 1994-06-15 | 1997-08-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix LCD device having two equal coupling capacitances |
| US5731855A (en) * | 1995-09-27 | 1998-03-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device having a film for protecting interface between interlayer insulating film and underlying layer and manufacturing method thereof |
| US5771083A (en) * | 1995-10-16 | 1998-06-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate and liquid crystal display device |
| US5798812A (en) * | 1995-09-28 | 1998-08-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate and display device using the same with extending protrusions between gate and source line terminals |
| US5805250A (en) * | 1995-10-31 | 1998-09-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device with contact holes extending through interlayer insulating film between switching elements and pixel electrodes |
| US5831708A (en) * | 1995-09-28 | 1998-11-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display with a scanning line having a ring shaped redundant section and method for fabricating the same |
| US5835170A (en) * | 1996-11-07 | 1998-11-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix LCD with storage capacitors connected between the pixel electrode and gate lines, none of which is a gate line for driving the pixel |
| US5859683A (en) * | 1995-09-29 | 1999-01-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Transmissive liquid crystal display apparatus and method for producing the same |
| US5870157A (en) * | 1995-09-27 | 1999-02-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device having overlapping color filters |
| US5877830A (en) * | 1995-09-13 | 1999-03-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device having a light blocking layer in the periphery |
| US5946065A (en) * | 1995-10-31 | 1999-08-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Transmission type LCD with an organic interlayer insulating film having a plurality of microscopic hollows |
| US5953084A (en) * | 1995-08-11 | 1999-09-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Transmission type liquid crystal display device having capacitance ratio of 10% or less and charging rate difference of 0.6% or less |
| US5995178A (en) * | 1995-10-16 | 1999-11-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix liquid crystal panel and method for repairing defect therein |
| US6034747A (en) * | 1995-09-27 | 2000-03-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate and display device incorporating the same |
| US6072559A (en) * | 1996-03-12 | 2000-06-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix display device having defect repair extension line beneath each pixel |
| US6175393B1 (en) | 1995-09-28 | 2001-01-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active-matrix type liquid crystal display device and method of compensating for defective pixel |
| US6188458B1 (en) | 1995-09-28 | 2001-02-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device with thick interlayer insulating film under pixel electrode |
| US6204907B1 (en) * | 1995-09-27 | 2001-03-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
-
1990
- 1990-07-09 JP JP2181204A patent/JPH0474714A/ja active Pending
Cited By (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5659375A (en) * | 1994-06-15 | 1997-08-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix LCD device having two equal coupling capacitances |
| US6052162A (en) * | 1995-08-11 | 2000-04-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Transmission type liquid crystal display device with connecting electrode and pixel electrode connected via contact hole through interlayer insulating film and method for fabricating |
| US5953084A (en) * | 1995-08-11 | 1999-09-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Transmission type liquid crystal display device having capacitance ratio of 10% or less and charging rate difference of 0.6% or less |
| US6433851B2 (en) | 1995-08-11 | 2002-08-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Transmission type liquid crystal display having a transparent colorless organic interlayer insulating film between pixel electrodes and switching |
| US6097452A (en) * | 1995-08-11 | 2000-08-01 | Sharp Kabushiki Kaishi | Transmission type liquid crystal display having an organic interlayer elements film between pixel electrodes and switching |
| US6195138B1 (en) | 1995-08-11 | 2001-02-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Transmission type liquid crystal display having an organic interlayer elements film between pixel electrodes and switching |
| US5877830A (en) * | 1995-09-13 | 1999-03-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device having a light blocking layer in the periphery |
| US6034747A (en) * | 1995-09-27 | 2000-03-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate and display device incorporating the same |
| US5870157A (en) * | 1995-09-27 | 1999-02-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device having overlapping color filters |
| US5731855A (en) * | 1995-09-27 | 1998-03-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device having a film for protecting interface between interlayer insulating film and underlying layer and manufacturing method thereof |
| US6441879B2 (en) | 1995-09-27 | 2002-08-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
| US6204907B1 (en) * | 1995-09-27 | 2001-03-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
| US5798812A (en) * | 1995-09-28 | 1998-08-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate and display device using the same with extending protrusions between gate and source line terminals |
| US6188458B1 (en) | 1995-09-28 | 2001-02-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device with thick interlayer insulating film under pixel electrode |
| US5831708A (en) * | 1995-09-28 | 1998-11-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display with a scanning line having a ring shaped redundant section and method for fabricating the same |
| US6175393B1 (en) | 1995-09-28 | 2001-01-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active-matrix type liquid crystal display device and method of compensating for defective pixel |
| US6462792B1 (en) | 1995-09-28 | 2002-10-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active-matrix liquid crystal display device and method for compensating for defective display lines |
| US5859683A (en) * | 1995-09-29 | 1999-01-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Transmissive liquid crystal display apparatus and method for producing the same |
| US5995178A (en) * | 1995-10-16 | 1999-11-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix liquid crystal panel and method for repairing defect therein |
| US5771083A (en) * | 1995-10-16 | 1998-06-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate and liquid crystal display device |
| US5986738A (en) * | 1995-10-31 | 1999-11-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Transmission type liquid crystal display device and the method for fabricating the same |
| US5946065A (en) * | 1995-10-31 | 1999-08-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Transmission type LCD with an organic interlayer insulating film having a plurality of microscopic hollows |
| US5805250A (en) * | 1995-10-31 | 1998-09-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device with contact holes extending through interlayer insulating film between switching elements and pixel electrodes |
| US6072559A (en) * | 1996-03-12 | 2000-06-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix display device having defect repair extension line beneath each pixel |
| US5835170A (en) * | 1996-11-07 | 1998-11-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix LCD with storage capacitors connected between the pixel electrode and gate lines, none of which is a gate line for driving the pixel |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0474714A (ja) | Ｔｉ系超伝導材料 | |
| US20060172892A1 (en) | Surface improvement method in fabricating high temperature superconductor devices | |
| KR970005158B1 (ko) | 복합 산화물 초전도박막 또는 선재와 그 제작방법 | |
| JPS63239742A (ja) | 薄膜超電導体の製造方法 | |
| JPH01167221A (ja) | 超電導薄膜の作製方法 | |
| JPH0412017A (ja) | Ｔｉ系超伝導材料 | |
| JPH0467691A (ja) | Ｔｉ系超伝導材料 | |
| JPH0412018A (ja) | Ｔｉ系超伝導材料 | |
| JPH01166419A (ja) | 超電導薄膜の作製方法 | |
| JPH0474718A (ja) | Ｂｉ系超伝導材料 | |
| JPH0474717A (ja) | Ｂｉ系超伝導材料 | |
| JPH0412027A (ja) | Ｂｉ系超伝導材料 | |
| JPH0474716A (ja) | Ｂｉ系超伝導材料 | |
| JPH0412028A (ja) | Ｔｉ系超伝導材料 | |
| JPH0412024A (ja) | Ｂｉ系超伝導材料 | |
| JP2545423B2 (ja) | 複合酸化物超電導薄膜とその作製方法 | |
| JPH01125878A (ja) | 薄膜多層超電導体 | |
| JP2577056B2 (ja) | 複合酸化物超電導薄膜の作製方法 | |
| JPH0292809A (ja) | 酸化物超電導体薄膜の製造方法 | |
| JPH02311396A (ja) | 薄膜超伝導体とその製造方法 | |
| JPH0446098A (ja) | 超電導部材 | |
| JP3230329B2 (ja) | 超電導装置用基板の表面清浄化方法 | |
| JP2501609B2 (ja) | 複合酸化物超電導薄膜の作製方法 | |
| JPH01145329A (ja) | 酸化物超電導体 | |
| Wang et al. | PREPARATION OF SUPERCONDUCTING Bi–Pb–Sr–Ca–Cu–O FILMS BY DC MAGNETRON SPUTTERING METHOD |