JP3230329B2 - 超電導装置用基板の表面清浄化方法 - Google Patents
超電導装置用基板の表面清浄化方法Info
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- JP3230329B2 JP3230329B2 JP10557393A JP10557393A JP3230329B2 JP 3230329 B2 JP3230329 B2 JP 3230329B2 JP 10557393 A JP10557393 A JP 10557393A JP 10557393 A JP10557393 A JP 10557393A JP 3230329 B2 JP3230329 B2 JP 3230329B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、超電導装置用基板の表
面清浄化方法に関する。
面清浄化方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】超伝導現象は、物質の示すさまざまな電
磁気的性質の中でも極めて特異な性質であるといわれて
おり、完全導電性、完全反磁性、磁束の量子化等、夫々
の性質を利用し応用面での今後の発展が期待されてい
る。
磁気的性質の中でも極めて特異な性質であるといわれて
おり、完全導電性、完全反磁性、磁束の量子化等、夫々
の性質を利用し応用面での今後の発展が期待されてい
る。
【０００３】このような超伝導現象を利用した電子デバ
イスとしては、高速スィッチ、高感度検波素子、高感度
磁束計をはじめ、広範囲の応用が期待されている。
イスとしては、高速スィッチ、高感度検波素子、高感度
磁束計をはじめ、広範囲の応用が期待されている。
【０００４】従来の超伝導デバイスによく用いられる超
伝導体としては、例えば基板上にプラズマスパッタ―法
により形成されるＮｂ3 Ｇｅ薄膜がある。この臨界温度
は高々２３°Ｋであり、液体ヘリウム温度でしか使用で
きないものである。しかしながら、液体ヘリウムの使用
は、液化・冷却付帯設備の必要性に伴う冷却コストおよ
び技術的負担の増大、更にはヘリウム資源が極めて少な
いことなどの理由から、産業および民生分野での超伝導
体の実用化をはばむ大きな問題となっていた。
伝導体としては、例えば基板上にプラズマスパッタ―法
により形成されるＮｂ3 Ｇｅ薄膜がある。この臨界温度
は高々２３°Ｋであり、液体ヘリウム温度でしか使用で
きないものである。しかしながら、液体ヘリウムの使用
は、液化・冷却付帯設備の必要性に伴う冷却コストおよ
び技術的負担の増大、更にはヘリウム資源が極めて少な
いことなどの理由から、産業および民生分野での超伝導
体の実用化をはばむ大きな問題となっていた。
【０００５】そこで、高臨界温度の超伝導体を得るため
にさまざまな試みがなされており、特に、酸化物超伝導
薄膜の最近の研究はめざましく、超伝導臨界温度は７７
°Ｋを上まわり、安価な液体窒素を冷媒として動作させ
ることが可能となった。
にさまざまな試みがなされており、特に、酸化物超伝導
薄膜の最近の研究はめざましく、超伝導臨界温度は７７
°Ｋを上まわり、安価な液体窒素を冷媒として動作させ
ることが可能となった。
【０００６】このような酸化物超伝導薄膜は、従来、主
として、スパッタ法あるいは蒸着法等により、高温に加
熱した単結晶基板上に形成するという方法がとられてい
る。ところで、優れたエピタキシャル膜を生成するため
には、基板材料としては次に示すような条件を持つこと
が必要である。
として、スパッタ法あるいは蒸着法等により、高温に加
熱した単結晶基板上に形成するという方法がとられてい
る。ところで、優れたエピタキシャル膜を生成するため
には、基板材料としては次に示すような条件を持つこと
が必要である。
【０００７】（I ）薄膜結晶との格子整合が良いこと、
（II）エピタキシャル膜成長時における基板との相互拡
散による膜質の劣化がないこと、（III ）基板材料は高
温に加熱されるため、高融点、少なくとも１０００℃以
上の融点を有すること、（IV）結晶性の良好な単結晶が
入手可能であること、（Ｖ）電気的に絶縁性を有するこ
と、等である。
（II）エピタキシャル膜成長時における基板との相互拡
散による膜質の劣化がないこと、（III ）基板材料は高
温に加熱されるため、高融点、少なくとも１０００℃以
上の融点を有すること、（IV）結晶性の良好な単結晶が
入手可能であること、（Ｖ）電気的に絶縁性を有するこ
と、等である。
【０００８】一方、高臨界温度の酸化物超伝導体として
は、ＬｎＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-δ（δ＝0 〜1 ，Ｌｎ：Ｙ
ｂ，Ｅｒ，Ｙ，Ｈｏ，Ｇｄ，Ｅｕ，Ｄｙ）、Ｂｉ−Ｓｒ
−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系の酸化物薄膜、Ｔｌ−Ｂａ−Ｃａ−
Ｃｕ−Ｏ系の酸化物薄膜など、多くの酸化物が報告され
ている。
は、ＬｎＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-δ（δ＝0 〜1 ，Ｌｎ：Ｙ
ｂ，Ｅｒ，Ｙ，Ｈｏ，Ｇｄ，Ｅｕ，Ｄｙ）、Ｂｉ−Ｓｒ
−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系の酸化物薄膜、Ｔｌ−Ｂａ−Ｃａ−
Ｃｕ−Ｏ系の酸化物薄膜など、多くの酸化物が報告され
ている。
【０００９】そして、これらの酸化物の格子定数ａおよ
びｂは全て３．７６〜３．９２オングストロームの範囲
にある。また、座標系を４５°変えて見れば、√２ａお
よび√２ｂを基本格子ともみることができ、この場合は
格子定数ａおよびｂは５．３２〜５．５４オングストロ
ームと表現されている。
びｂは全て３．７６〜３．９２オングストロームの範囲
にある。また、座標系を４５°変えて見れば、√２ａお
よび√２ｂを基本格子ともみることができ、この場合は
格子定数ａおよびｂは５．３２〜５．５４オングストロ
ームと表現されている。
【００１０】このような超伝導薄膜に対する基板とし
て、本発明者はＳｒＬａＧａＯ4 単結晶（特願昭６３−
３２３７３９）およびＳｒＮｄＧａＯ4 単結晶（特願平
２−１００８３６）を提案している。このＳｒＬａＧａ
Ｏ4 焼結体は、Ｋ2 ＮｉＦ4 型の結晶構造を有し、格子
定数ａ＝３．８４３オングストロームであり、すべての
酸化物超伝導薄膜に対して良好な格子整合性を有する。
て、本発明者はＳｒＬａＧａＯ4 単結晶（特願昭６３−
３２３７３９）およびＳｒＮｄＧａＯ4 単結晶（特願平
２−１００８３６）を提案している。このＳｒＬａＧａ
Ｏ4 焼結体は、Ｋ2 ＮｉＦ4 型の結晶構造を有し、格子
定数ａ＝３．８４３オングストロームであり、すべての
酸化物超伝導薄膜に対して良好な格子整合性を有する。
【００１１】前述したように、現在報告されている高温
酸化物超伝導体の格子定数ａおよびｂは３．７６〜３．
９２オングストロームである。
酸化物超伝導体の格子定数ａおよびｂは３．７６〜３．
９２オングストロームである。
【００１２】従って、ＳｒＬａＧａＯ4 の格子定数は、
上記範囲３．７６〜３．９２オングストロームのほぼ中
央値である。また、座標系を４５°回転させてみると、
√２ａを基本格子と見ることもでき、ａ＝５．４０オン
グストロームともみられるが、酸化物超伝導体薄膜の√
２ａを基本格子とみた場合の格子定数５．３２〜５．５
４オングストロームの範囲にも入っている。このように
ＳｒＬａＧａＯ4 単結晶の酸化物超伝導体薄膜に対する
格子定数の差は極めて小さい。また、結晶構造も極めて
近く、ＳｒＬａＧａＯ4 単結晶の酸化物超伝導体薄膜と
の格子整合性は極めて優れており、前述した条件の全て
を具備している。またＳｒＮｄＧａＯ4単結晶も同様の
性質を有している。
上記範囲３．７６〜３．９２オングストロームのほぼ中
央値である。また、座標系を４５°回転させてみると、
√２ａを基本格子と見ることもでき、ａ＝５．４０オン
グストロームともみられるが、酸化物超伝導体薄膜の√
２ａを基本格子とみた場合の格子定数５．３２〜５．５
４オングストロームの範囲にも入っている。このように
ＳｒＬａＧａＯ4 単結晶の酸化物超伝導体薄膜に対する
格子定数の差は極めて小さい。また、結晶構造も極めて
近く、ＳｒＬａＧａＯ4 単結晶の酸化物超伝導体薄膜と
の格子整合性は極めて優れており、前述した条件の全て
を具備している。またＳｒＮｄＧａＯ4単結晶も同様の
性質を有している。
【００１３】そして、この基板上に酸化物超伝導薄膜を
エピタキシャル成長法により形成するが、エピタキシャ
ル成長に際しては、基板表面に加工歪がなく、原子レベ
ルで平滑でかつ清浄である必要がある。原子レベルで平
滑で加工歪の入らない研磨方法としてはメカノケミカル
研磨が極めて優れており一般に広く用いられている。メ
カノケミカル研磨に用いる研磨液は水溶液であり、これ
を洗い落とすためには純水による洗浄が必要である。そ
こで、従来はメカノケミカル研磨を行った後純水洗浄に
より、研磨液を洗い落とし、適宜種々の有機溶剤で洗浄
を行うという方法がとられている。従来から用いられて
きたＳｒＴｉＯ3 基板やＭｇＯ基板は、水との反応性が
あまり高くないため問題はなかったが、ＳｒＬａＧａＯ
4 単結晶やＳｒＮｄＧａＯ4 単結晶は、メカノケミカル
研磨−純水洗浄により、１〜２nm程度の水酸化物系のア
モルファス層が形成されるのを避けることができず、エ
ピタキシャル成長に対して害をなすことがあった。また
大気中に長時間放置された場合にもアモルファス層が最
表面に形成される傾向がある。そこで、このアモルファ
ス層を除去する方法としてサーマルクリーニング、アル
ゴンイオンエッチング、ＲＦプラズマ等の処理が用いら
れてきた。しかしながらいずれも加熱装置および真空装
置を必要とし、装置に多大なコストを必要とする上、設
計値通り原子レベルで平滑な平面、いわゆる二次元結晶
面をより簡便に出すことができないという問題があっ
た。
エピタキシャル成長法により形成するが、エピタキシャ
ル成長に際しては、基板表面に加工歪がなく、原子レベ
ルで平滑でかつ清浄である必要がある。原子レベルで平
滑で加工歪の入らない研磨方法としてはメカノケミカル
研磨が極めて優れており一般に広く用いられている。メ
カノケミカル研磨に用いる研磨液は水溶液であり、これ
を洗い落とすためには純水による洗浄が必要である。そ
こで、従来はメカノケミカル研磨を行った後純水洗浄に
より、研磨液を洗い落とし、適宜種々の有機溶剤で洗浄
を行うという方法がとられている。従来から用いられて
きたＳｒＴｉＯ3 基板やＭｇＯ基板は、水との反応性が
あまり高くないため問題はなかったが、ＳｒＬａＧａＯ
4 単結晶やＳｒＮｄＧａＯ4 単結晶は、メカノケミカル
研磨−純水洗浄により、１〜２nm程度の水酸化物系のア
モルファス層が形成されるのを避けることができず、エ
ピタキシャル成長に対して害をなすことがあった。また
大気中に長時間放置された場合にもアモルファス層が最
表面に形成される傾向がある。そこで、このアモルファ
ス層を除去する方法としてサーマルクリーニング、アル
ゴンイオンエッチング、ＲＦプラズマ等の処理が用いら
れてきた。しかしながらいずれも加熱装置および真空装
置を必要とし、装置に多大なコストを必要とする上、設
計値通り原子レベルで平滑な平面、いわゆる二次元結晶
面をより簡便に出すことができないという問題があっ
た。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】このようにＳｒＬａＧ
ａＯ4 単結晶やＳｒＮｄＧａＯ4 単結晶は、メカノケミ
カル研磨−純水洗浄時にアモルファス層の形成を避ける
ことができなかった。また大気中に長時間放置された場
合にもアモルファス層が形成される傾向がある。このア
モルファス層を除去しなければならなかったが、基板に
ダメージを与えることなく簡便に除去し、結晶性の良い
原子レベルで平滑な結晶面を得る方法がなかった。
ａＯ4 単結晶やＳｒＮｄＧａＯ4 単結晶は、メカノケミ
カル研磨−純水洗浄時にアモルファス層の形成を避ける
ことができなかった。また大気中に長時間放置された場
合にもアモルファス層が形成される傾向がある。このア
モルファス層を除去しなければならなかったが、基板に
ダメージを与えることなく簡便に除去し、結晶性の良い
原子レベルで平滑な結晶面を得る方法がなかった。
【００１５】本発明は前記実情に鑑みてなされたもの
で、ＳｒＬａＧａＯ4 単結晶やＳｒＮｄＧａＯ4 単結晶
基板表面の、水酸化物系のアモルファス層を、取り除
き、原子レベルで平滑な２次元結晶面を簡便に得るため
の表面清浄化方法を提供することを目的とする。
で、ＳｒＬａＧａＯ4 単結晶やＳｒＮｄＧａＯ4 単結晶
基板表面の、水酸化物系のアモルファス層を、取り除
き、原子レベルで平滑な２次元結晶面を簡便に得るため
の表面清浄化方法を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】そこで本発明では、Ｓｒ
ＬａＧａＯ4 単結晶やＳｒＮｄＧａＯ4 単結晶基板表面
を、純水で洗浄した後、酸化物超電導薄膜を形成するに
先立ち、０．０５％〜３体積％の酸を含む有機溶剤に浸
漬するようにしている。
ＬａＧａＯ4 単結晶やＳｒＮｄＧａＯ4 単結晶基板表面
を、純水で洗浄した後、酸化物超電導薄膜を形成するに
先立ち、０．０５％〜３体積％の酸を含む有機溶剤に浸
漬するようにしている。
【００１７】望ましくは、この有機溶剤はメチルアルコ
ール（メタノール）、エチルアルコール（エタノール）
またはイソプロピルアルコールとする。
ール（メタノール）、エチルアルコール（エタノール）
またはイソプロピルアルコールとする。
【００１８】また望ましくは酸として硝酸、塩酸、燐
酸、硫酸あるいはフッ酸を用いるようにしている。さら
に望ましくは、ＳｒＬａＧａＯ4 単結晶やＳｒＮｄＧａ
Ｏ4 単結晶基板表面を、メカノケミカル研磨−純水洗浄
した後、あるいは大気中で長時間放置された場合に、酸
化物超電導薄膜を形成するに先立ち、０．０５％〜３体
積％の硝酸を含むメタノールまたはエタノールに浸漬す
るようにしている。
酸、硫酸あるいはフッ酸を用いるようにしている。さら
に望ましくは、ＳｒＬａＧａＯ4 単結晶やＳｒＮｄＧａ
Ｏ4 単結晶基板表面を、メカノケミカル研磨−純水洗浄
した後、あるいは大気中で長時間放置された場合に、酸
化物超電導薄膜を形成するに先立ち、０．０５％〜３体
積％の硝酸を含むメタノールまたはエタノールに浸漬す
るようにしている。
【００１９】
【作用】上記方法によれば、エッチピットがなく表面荒
れのない清浄な二次元結晶面をもつＳｒＬａＧａＯ4 単
結晶やＳｒＮｄＧａＯ4 単結晶基板表面を得ることがで
きる。なお種々の実験の結果、酸の濃度が０．０５体積
％以下であると水酸化物が十分にエッチング除去され
ず、３体積％を越えると表面荒れが生じてしまう。 た
だし、０．０５体積％以下でも、ＲＨＥＥＤパターンは
スポットとなり、やや改善はみられる。しかしながら、
０．０３体積％以下になると、ＲＨＥＥＤ（高速電子線
回折）パターンはハローパターンとなり、効果はみられ
ない。
れのない清浄な二次元結晶面をもつＳｒＬａＧａＯ4 単
結晶やＳｒＮｄＧａＯ4 単結晶基板表面を得ることがで
きる。なお種々の実験の結果、酸の濃度が０．０５体積
％以下であると水酸化物が十分にエッチング除去され
ず、３体積％を越えると表面荒れが生じてしまう。 た
だし、０．０５体積％以下でも、ＲＨＥＥＤパターンは
スポットとなり、やや改善はみられる。しかしながら、
０．０３体積％以下になると、ＲＨＥＥＤ（高速電子線
回折）パターンはハローパターンとなり、効果はみられ
ない。
【００２０】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
つつ詳細に説明する。
つつ詳細に説明する。
【００２１】まず、Ｓｒ1-x Ｃａx Ｌａ1-y Ｎｄy Ｇａ
1-z Ｃｒz Ｏ4 単結晶を製造するための方法について説
明する。
1-z Ｃｒz Ｏ4 単結晶を製造するための方法について説
明する。
【００２２】５７０．１１ｇｒのＳｒＣＯ3 （純度９
９．９９％）と、２０．３４ｇｒのＣａＣＯ3 （純度９
９．９９％）と、６２９．０８ｇｒのＬａ2 Ｏ3 （純度
９９．９９％）と、３４．１９ｇｒのＮｄ2 Ｏ3 （純度
９９．９９％）、３５０．４９ｇｒのＧａ2 Ｏ3 （純度
９９．９９９％）と、２４．７２ｇｒのＣｒ2 Ｏ3 （純
度９９．９９％）を混合し、１０００℃で仮焼し脱炭酸
処理を行った後、粉砕しプレス成形した。
９．９９％）と、２０．３４ｇｒのＣａＣＯ3 （純度９
９．９９％）と、６２９．０８ｇｒのＬａ2 Ｏ3 （純度
９９．９９％）と、３４．１９ｇｒのＮｄ2 Ｏ3 （純度
９９．９９％）、３５０．４９ｇｒのＧａ2 Ｏ3 （純度
９９．９９９％）と、２４．７２ｇｒのＣｒ2 Ｏ3 （純
度９９．９９％）を混合し、１０００℃で仮焼し脱炭酸
処理を行った後、粉砕しプレス成形した。
【００２３】このようにして形成された成形体を大気中
で１３００℃で焼結することによって、約１５００ｇの
Ｓｒ0.95Ｃａ0.05Ｌａ0.95Ｎｄ0.05Ｇａ0.92Ｃｒ0.08Ｏ
4 焼結体を得た。
で１３００℃で焼結することによって、約１５００ｇの
Ｓｒ0.95Ｃａ0.05Ｌａ0.95Ｎｄ0.05Ｇａ0.92Ｃｒ0.08Ｏ
4 焼結体を得た。
【００２４】この焼結体を外形約８０mm、高さ約８０m
m、肉厚２mmのイリジウムるつぼまたは白金るつぼに入
れ、高周波加熱によって溶融せしめた。ここでイリジウ
ムるつぼを用いる場合は、０．５〜２％の酸素を含む窒
素雰囲気を用いた。また、白金るつぼを用いる場合は１
０〜２１％の酸素を含む窒素雰囲気を用いた。なお、こ
こで酸素を添加したのは、ガリウム酸化物の分解蒸発を
防止するためである。
m、肉厚２mmのイリジウムるつぼまたは白金るつぼに入
れ、高周波加熱によって溶融せしめた。ここでイリジウ
ムるつぼを用いる場合は、０．５〜２％の酸素を含む窒
素雰囲気を用いた。また、白金るつぼを用いる場合は１
０〜２１％の酸素を含む窒素雰囲気を用いた。なお、こ
こで酸素を添加したのは、ガリウム酸化物の分解蒸発を
防止するためである。
【００２５】このようにしてＳｒ0.95Ｃａ0.05Ｌａ0.95
Ｎｄ0.05Ｇａ0.92Ｃｒ0.08Ｏ4 焼結体を融解させた後、
チョクラルスキー引上げ法を用い、単結晶を成長させ
た。
Ｎｄ0.05Ｇａ0.92Ｃｒ0.08Ｏ4 焼結体を融解させた後、
チョクラルスキー引上げ法を用い、単結晶を成長させ
た。
【００２６】種結晶としては、ＳｒＬａＧａＯ4 の［１
００］単結晶を用いた。結晶の引上げ条件は、引上げ速
度１mm/ Ｈｒ、結晶回転数２５ｒｐｍで、直径３０mm，
長さ７０mmの［１００］軸単結晶を得ることができた。
００］単結晶を用いた。結晶の引上げ条件は、引上げ速
度１mm/ Ｈｒ、結晶回転数２５ｒｐｍで、直径３０mm，
長さ７０mmの［１００］軸単結晶を得ることができた。
【００２７】このようにして、形成されたＣａ，Ｎｄ，
Ｃｒを不純物として含むＳｒＬａＧａＯ4 単結晶をスラ
イスし、ウェハ状にした（００１）面単結晶基板１を用
い、ｐＨ１０〜１３のＮａＯＨ水溶液を流しつつ粒径
０．１μm 以下のコロイダルシリカを用いたメカノケミ
カル研磨を行い、純水洗浄を行った。この基板表面のＲ
ＨＥＥＤ（高速電子線回折）像は、図４(a) に示すよう
にハローパターンで最表層がアモルファス状態であるこ
とが確認された。さらにＲＢＳ（ラザフォード後方散
乱）測定およびＥＳＣＡ（電子分光化学分析）測定か
ら、アモルファス層の厚さは１〜２nmであることがわか
った。また種々の実験の結果から研磨液や研磨条件をか
えてもアモルファス層の厚さは１〜２nmであることがわ
かった。この基板を図１(a) に示すように、０．１％の
硝酸を含むメタノールに２分間浸漬する。この後、図１
(b) ，(c) に示すように、メタノールに浸漬し、最後に
図１(d) に示すように、イソプロピルアルコールに浸漬
し、窒素ガスブロー乾燥する。こうして得られたＳｒＬ
ａＧａＯ4 結晶表面のＲＨＥＥＤ像は、図４(b) に示す
ようにストリーク状パターンである。これは基板最表層
が、結晶性の良い原子レベルで平滑な結晶面であること
を示している。
Ｃｒを不純物として含むＳｒＬａＧａＯ4 単結晶をスラ
イスし、ウェハ状にした（００１）面単結晶基板１を用
い、ｐＨ１０〜１３のＮａＯＨ水溶液を流しつつ粒径
０．１μm 以下のコロイダルシリカを用いたメカノケミ
カル研磨を行い、純水洗浄を行った。この基板表面のＲ
ＨＥＥＤ（高速電子線回折）像は、図４(a) に示すよう
にハローパターンで最表層がアモルファス状態であるこ
とが確認された。さらにＲＢＳ（ラザフォード後方散
乱）測定およびＥＳＣＡ（電子分光化学分析）測定か
ら、アモルファス層の厚さは１〜２nmであることがわか
った。また種々の実験の結果から研磨液や研磨条件をか
えてもアモルファス層の厚さは１〜２nmであることがわ
かった。この基板を図１(a) に示すように、０．１％の
硝酸を含むメタノールに２分間浸漬する。この後、図１
(b) ，(c) に示すように、メタノールに浸漬し、最後に
図１(d) に示すように、イソプロピルアルコールに浸漬
し、窒素ガスブロー乾燥する。こうして得られたＳｒＬ
ａＧａＯ4 結晶表面のＲＨＥＥＤ像は、図４(b) に示す
ようにストリーク状パターンである。これは基板最表層
が、結晶性の良い原子レベルで平滑な結晶面であること
を示している。
【００２８】このようにして得られた清浄なＳｒＬａＧ
ａＯ4 単結晶基板表面に、アルゴン／酸素（混合比１：
１）の雰囲気下でＲＦマグネトロンスパッタリング法に
より、膜厚１００nmのＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-δ薄膜を堆積
した。ここでターゲットは成膜後の組成比がＹＢａ2 Ｃ
ｕ3 Ｏ7-δとなるように組成比を調整したものを用い
た。また、このときの成膜条件は、ガス圧１０Ｐａ、電
力３００Ｗ、基板温度６００℃とした。
ａＯ4 単結晶基板表面に、アルゴン／酸素（混合比１：
１）の雰囲気下でＲＦマグネトロンスパッタリング法に
より、膜厚１００nmのＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-δ薄膜を堆積
した。ここでターゲットは成膜後の組成比がＹＢａ2 Ｃ
ｕ3 Ｏ7-δとなるように組成比を調整したものを用い
た。また、このときの成膜条件は、ガス圧１０Ｐａ、電
力３００Ｗ、基板温度６００℃とした。
【００２９】堆積後、酸素雰囲気中で９００℃、１時間
のアニールを行った。
のアニールを行った。
【００３０】電極形成用マスクを用いて真空蒸着法によ
り金（Ａｕ）電極を形成する。
り金（Ａｕ）電極を形成する。
【００３１】このようにして作製したＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ
7-δ薄膜のゼロ抵抗温度Ｔc0、および７７°Ｋでの超伝
導臨界電流Ｊｃを、４端子法を用いて測定した結果ゼロ
抵抗温度Ｔおよび７７°Ｋでの超伝導臨界電流Ｊｃが向
上していることがわかった。次に、表面清浄化のために
浸漬する有機溶剤中における硝酸濃度による表面状態の
差を測定した。まず硝酸濃度を０．５％，０．１％，
０．０５％，０．０３％と順次変化させながら、表面の
荒れ状態を測定した。その結果を図２にそれぞれ曲線
ａ，ｂ，ｃ，ｄで示す。この図から、０．０３％では表
面がほとんどエッチングされず、０．０５％〜３％（体
積％）程度硝酸を含有させたとき良好にエッチングさ
れ、良好な表面状態を得ることができることがわかっ
た。
7-δ薄膜のゼロ抵抗温度Ｔc0、および７７°Ｋでの超伝
導臨界電流Ｊｃを、４端子法を用いて測定した結果ゼロ
抵抗温度Ｔおよび７７°Ｋでの超伝導臨界電流Ｊｃが向
上していることがわかった。次に、表面清浄化のために
浸漬する有機溶剤中における硝酸濃度による表面状態の
差を測定した。まず硝酸濃度を０．５％，０．１％，
０．０５％，０．０３％と順次変化させながら、表面の
荒れ状態を測定した。その結果を図２にそれぞれ曲線
ａ，ｂ，ｃ，ｄで示す。この図から、０．０３％では表
面がほとんどエッチングされず、０．０５％〜３％（体
積％）程度硝酸を含有させたとき良好にエッチングさ
れ、良好な表面状態を得ることができることがわかっ
た。
【００３２】次に、硝酸濃度を４％，３％，２％，１
％，０．５％，０．１％，０．０５％，０．０３％と順
次変化させながら、表面清浄化処理後の中心線平均粗さ
（平均レベルからの平均高さ）とＲＨＥＥＤ（高速電子
線回折）パターンとの関係を図３に示す。この結果０．
０５％ではＲＨＥＥＤパターンにスポットが発生し、ま
た０．０３％ではハローが発生して良好な２次元結晶面
を得ることができないということがわかった。
％，０．５％，０．１％，０．０５％，０．０３％と順
次変化させながら、表面清浄化処理後の中心線平均粗さ
（平均レベルからの平均高さ）とＲＨＥＥＤ（高速電子
線回折）パターンとの関係を図３に示す。この結果０．
０５％ではＲＨＥＥＤパターンにスポットが発生し、ま
た０．０３％ではハローが発生して良好な２次元結晶面
を得ることができないということがわかった。
【００３３】以上の結果から０．０５％〜３％程度の濃
度としたときＲＨＥＥＤパターンはストリークになり、
中心線平均粗さＲａは１nm以下となることがわかった。
度としたときＲＨＥＥＤパターンはストリークになり、
中心線平均粗さＲａは１nm以下となることがわかった。
【００３４】なお、ＳｒＬａＧａＯ4 基板の場合にもま
ったく同様の結果を得ることができる。また、前記実施
例に限定されることなく他の酸化物超伝導薄膜の形成に
も適用可能である。また、前記実施例では超伝導酸化物
薄膜を形成するに際し、ＲＦマグネトロンスパッタ法を
用いたが、これに限定されることなく、真空蒸着法、多
元蒸着法、分子線エピタキシ―（ＭＢＥ法）、ＭＳＤ法
等を用いてもよい。
ったく同様の結果を得ることができる。また、前記実施
例に限定されることなく他の酸化物超伝導薄膜の形成に
も適用可能である。また、前記実施例では超伝導酸化物
薄膜を形成するに際し、ＲＦマグネトロンスパッタ法を
用いたが、これに限定されることなく、真空蒸着法、多
元蒸着法、分子線エピタキシ―（ＭＢＥ法）、ＭＳＤ法
等を用いてもよい。
【００３５】さらに、前記実施例では、基準面方位が
（００１）面である場合について説明したが、（１０
０），（１１０）面を用いた場合にも同様の効果を得る
ことができる。
（００１）面である場合について説明したが、（１０
０），（１１０）面を用いた場合にも同様の効果を得る
ことができる。
【００３６】また、前記実施例では、酸として硝酸を用
いたが、硝酸に限定されることなく塩酸、燐酸あるいは
フッ酸など他の酸を用いても良い。さらに、前記実施例
では有機溶剤としてメチルアルコールを用いたが、メチ
ルアルコールの代わりにエチルアルコールなど他の有機
溶剤を用いるようにしてもまったく同様の結果を得るこ
とができる。
いたが、硝酸に限定されることなく塩酸、燐酸あるいは
フッ酸など他の酸を用いても良い。さらに、前記実施例
では有機溶剤としてメチルアルコールを用いたが、メチ
ルアルコールの代わりにエチルアルコールなど他の有機
溶剤を用いるようにしてもまったく同様の結果を得るこ
とができる。
【００３７】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、超伝導薄膜の形成に際し、基板材料として、組成が
ＳｒＬａＧａＯ4 ，ＳｒＮｄＧａＯ4 基板の清浄化処理
に際し、０．０５％〜３％程度の酸を含む有機溶剤を用
いるようにしているため、表面にダメージを与えること
なく極めて良好な表面状態を得ることができる。
ば、超伝導薄膜の形成に際し、基板材料として、組成が
ＳｒＬａＧａＯ4 ，ＳｒＮｄＧａＯ4 基板の清浄化処理
に際し、０．０５％〜３％程度の酸を含む有機溶剤を用
いるようにしているため、表面にダメージを与えること
なく極めて良好な表面状態を得ることができる。
【図１】本発明実施例の表面清浄化工程を示す図
【図２】本発明実施例の表面清浄化工程における硝酸の
濃度とエッチング深さとの関係を示す図
濃度とエッチング深さとの関係を示す図
【図３】本発明実施例の表面清浄化工程における酸の濃
度と中心線平均粗さとＲＨＥＥＤパターンとの関係を示
す表図
度と中心線平均粗さとＲＨＥＥＤパターンとの関係を示
す表図
【図４】本発明実施例の表面清浄化方法を用いない場合
と用いた場合の基板表面のＲＨＥＥＤ像を示す顕微鏡写
真
と用いた場合の基板表面のＲＨＥＥＤ像を示す顕微鏡写
真
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−172893（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−177932（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−69596（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−102543（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−222328（ＪＰ，Ａ) Ｈｏｎｔｓｕ，Ｓ．＆ Ｋａｗａｉ, Ｓ．Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ｎｏｂｅｍｂｅｒ 1991，ｖｏｌ．59，ｎｏ．22，ｐ．2886 −2888 Ｗｅｎ，Ｚ ＆ Ｉｇｕｃｈｉ，Ｉ. Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｍａｙ 1991，ｖｏ ｌ．69，ｎｏ．10，ｐ．7363−7365 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 39/22 - 39/24 H01L 39/00 H01L 21/308 C01G 1/00 - 23/08 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (1)
- 【請求項１】 ＳｒＬａＧａＯ4 単結晶基板あるいはＮ
ｄＳｒＧａＯ4 単結晶基板に酸化物超電導体薄膜を形成
するに先立ち前記基板表面を、０．０５％〜３体積％の
酸を含む有機溶剤に浸漬する工程を含むことを特徴とす
る超電導装置用基板の表面清浄化方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10557393A JP3230329B2 (ja) | 1993-05-06 | 1993-05-06 | 超電導装置用基板の表面清浄化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10557393A JP3230329B2 (ja) | 1993-05-06 | 1993-05-06 | 超電導装置用基板の表面清浄化方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06318742A JPH06318742A (ja) | 1994-11-15 |
| JP3230329B2 true JP3230329B2 (ja) | 2001-11-19 |
Family
ID=14411270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10557393A Expired - Fee Related JP3230329B2 (ja) | 1993-05-06 | 1993-05-06 | 超電導装置用基板の表面清浄化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3230329B2 (ja) |
-
1993
- 1993-05-06 JP JP10557393A patent/JP3230329B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| Ｈｏｎｔｓｕ，Ｓ．＆ Ｋａｗａｉ，Ｓ．Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ｎｏｂｅｍｂｅｒ １９９１，ｖｏｌ．５９，ｎｏ．２２，ｐ．２８８６−２８８８ |
| Ｗｅｎ，Ｚ ＆ Ｉｇｕｃｈｉ，Ｉ．Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｍａｙ １９９１，ｖｏｌ．６９，ｎｏ．１０，ｐ．７３６３−７３６５ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06318742A (ja) | 1994-11-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |