JPH05163100A - 超伝導装置用基板および超伝導装置の製造方法 - Google Patents
超伝導装置用基板および超伝導装置の製造方法Info
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- JPH05163100A JPH05163100A JP3332208A JP33220891A JPH05163100A JP H05163100 A JPH05163100 A JP H05163100A JP 3332208 A JP3332208 A JP 3332208A JP 33220891 A JP33220891 A JP 33220891A JP H05163100 A JPH05163100 A JP H05163100A
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、超伝導装置用基板または超伝導薄
膜を良好に保護し、長寿命で信頼性の高い超伝導装置を
提供することを目的とする。 【構成】 本発明の超伝導装置用基板では、酸化物単結
晶基板表面をビスマス（Ｂｉ）薄膜で被覆するようにし
ている。また本発明の方法では、チョクラルスキー法等
を用いて酸化物単結晶を形成し、これを酸化物単結晶を
切断し、酸化物単結晶基板を形成したのち、この酸化物
単結晶基板の表面をビスマス薄膜で被覆しておくように
し、超伝導薄膜の形成に先だち、３５０℃以上に加熱し
前記ビスマス薄膜を蒸発せしめ、この後、直ちに超伝導
薄膜を堆積し、超伝導装置を形成するようにしている。
さらに本発明の方法では、酸化物単結晶基板表面に酸化
物単結晶からなる超伝導薄膜を形成し、この酸化物単結
晶薄膜の表面をビスマス薄膜で被覆しておき、この超伝
導薄膜の加工に先だち、３５０℃以上に加熱しビスマス
薄膜を蒸発せしめ、蒸発工程後、直ちに超伝導薄膜を加
工し、超伝導装置を形成するようにしている。
膜を良好に保護し、長寿命で信頼性の高い超伝導装置を
提供することを目的とする。 【構成】 本発明の超伝導装置用基板では、酸化物単結
晶基板表面をビスマス（Ｂｉ）薄膜で被覆するようにし
ている。また本発明の方法では、チョクラルスキー法等
を用いて酸化物単結晶を形成し、これを酸化物単結晶を
切断し、酸化物単結晶基板を形成したのち、この酸化物
単結晶基板の表面をビスマス薄膜で被覆しておくように
し、超伝導薄膜の形成に先だち、３５０℃以上に加熱し
前記ビスマス薄膜を蒸発せしめ、この後、直ちに超伝導
薄膜を堆積し、超伝導装置を形成するようにしている。
さらに本発明の方法では、酸化物単結晶基板表面に酸化
物単結晶からなる超伝導薄膜を形成し、この酸化物単結
晶薄膜の表面をビスマス薄膜で被覆しておき、この超伝
導薄膜の加工に先だち、３５０℃以上に加熱しビスマス
薄膜を蒸発せしめ、蒸発工程後、直ちに超伝導薄膜を加
工し、超伝導装置を形成するようにしている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は超伝導装置用基板および
超伝導装置の製造方法に係り、特に製造途上で長期間放
置する場合の超伝導装置用基板および超伝導薄膜の保護
に関する。
超伝導装置の製造方法に係り、特に製造途上で長期間放
置する場合の超伝導装置用基板および超伝導薄膜の保護
に関する。
【０００２】
【従来の技術】超伝導現象は、物質の示すさまざまな電
磁気的性質の中で最も特異な性質であるといわれてお
り、完全導電性、完全反磁性、磁束の量子化等、夫々の
性質を利用し応用面での今後の発展が期待されている。
磁気的性質の中で最も特異な性質であるといわれてお
り、完全導電性、完全反磁性、磁束の量子化等、夫々の
性質を利用し応用面での今後の発展が期待されている。
【０００３】このような超伝導現象を利用した電子デバ
イスとしては、高速スィッチ、高感度検波素子、高感度
磁束計をはじめ、広範囲の応用が期待されている。
イスとしては、高速スィッチ、高感度検波素子、高感度
磁束計をはじめ、広範囲の応用が期待されている。
【０００４】従来の超伝導デバイスによく用いられる超
伝導体としては、例えば基板上にプラズマスパッタ―法
によりＮｂ3 Ｇｅ薄膜がある。この臨界温度は高々２３
°Ｋであり、液体ヘリウム温度でしか使用できないもの
である。しかしながら、液体ヘリウムの使用は、液化・
冷却付帯設備の必要性に伴う冷却コストおよび技術的負
担の増大、更には、ヘリウム資源が極めて少ないことな
どの理由から、産業および民生分野での超伝導体の実用
化をはばむ大きな問題となっていた。
伝導体としては、例えば基板上にプラズマスパッタ―法
によりＮｂ3 Ｇｅ薄膜がある。この臨界温度は高々２３
°Ｋであり、液体ヘリウム温度でしか使用できないもの
である。しかしながら、液体ヘリウムの使用は、液化・
冷却付帯設備の必要性に伴う冷却コストおよび技術的負
担の増大、更には、ヘリウム資源が極めて少ないことな
どの理由から、産業および民生分野での超伝導体の実用
化をはばむ大きな問題となっていた。
【０００５】そこで、高臨界温度の超伝導体を得るため
にさまざまな試みがなされており、特に、酸化物超伝導
薄膜の最近の研究はめざましく、超伝導臨界温度は７７
°Ｋを上まわり、安価な液体窒素を冷媒として動作させ
ることが可能となった。
にさまざまな試みがなされており、特に、酸化物超伝導
薄膜の最近の研究はめざましく、超伝導臨界温度は７７
°Ｋを上まわり、安価な液体窒素を冷媒として動作させ
ることが可能となった。
【０００６】このような酸化物超伝導薄膜は、従来、主
として、スパッタ法あるいは蒸着法等により、高温に加
熱したＭｇＯ単結晶基板あるいはＳｒＴｉＯ3 単結晶基
板上に形成するという方法がとられている。
として、スパッタ法あるいは蒸着法等により、高温に加
熱したＭｇＯ単結晶基板あるいはＳｒＴｉＯ3 単結晶基
板上に形成するという方法がとられている。
【０００７】また、その他基板用単結晶としては、サフ
ァイア、ＹＳＺ，シリコン、砒化ガリウム、ＬｉＮｂＯ
3 ，ＧＧＧ、ＬａＧａＯ3 ，ＬａＡｌＯ3 等が、注目さ
れている。
ァイア、ＹＳＺ，シリコン、砒化ガリウム、ＬｉＮｂＯ
3 ，ＧＧＧ、ＬａＧａＯ3 ，ＬａＡｌＯ3 等が、注目さ
れている。
【０００８】しかしながら、酸化物単結晶基板特にＲＭ
Ｘ3 で表されるＳｒＴｉＯ3 等のペロブスカイト構造の
酸化物単結晶は、水蒸気や炭酸ガス中で劣化しやすいと
いう性質がある。通常、基板形成後直ちに超伝導薄膜を
形成しデバイスを完成させる運びとなることは少なく、
このような酸化物単結晶基板は基板形成後、しばらく放
置されることが多い。このため、空気中の水蒸気や炭酸
ガスによって劣化を生じ、この上層に形成される超伝導
薄膜の特性に悪い影響を与えたりすることがあった。
Ｘ3 で表されるＳｒＴｉＯ3 等のペロブスカイト構造の
酸化物単結晶は、水蒸気や炭酸ガス中で劣化しやすいと
いう性質がある。通常、基板形成後直ちに超伝導薄膜を
形成しデバイスを完成させる運びとなることは少なく、
このような酸化物単結晶基板は基板形成後、しばらく放
置されることが多い。このため、空気中の水蒸気や炭酸
ガスによって劣化を生じ、この上層に形成される超伝導
薄膜の特性に悪い影響を与えたりすることがあった。
【０００９】また、この問題は基板のみならず、超伝導
薄膜にもあてはまり、超伝導薄膜形成後、搬送するな
ど、直ぐにデバイスを形成しないで放置しておかねばな
らないような場合、空気中の水蒸気や炭酸ガスによって
劣化を生じ、装置の特性に悪い影響を与えたりすること
があった。ところで、高臨界温度の酸化物超伝導体とし
ては、ＬｎＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x （ｘ＝0 〜1 ，Ｌｎ：Ｙ
ｂ，Ｅｒ，Ｙ，Ｈｏ，Ｇｄ，Ｅｕ，Ｄｙ）、Ｂｉ−Ｓｒ
−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系の酸化物薄膜、Ｔｉ−Ｂａ−Ｃａ−
Ｃｕ−Ｏ系の酸化物薄膜など、超伝導装置用基板として
はサファイア、ＹＳＺ，シリコン、砒化ガリウム、Ｌｉ
ＮｂＯ3 ，ＧＧＧ等、単結晶基板および薄膜いずれも多
くの酸化物が報告されているが、この問題は、ペロブス
カイト構造の酸化物単結晶のみならず超伝導装置に用い
られる他の酸化物単結晶にも深刻な問題となっている。
薄膜にもあてはまり、超伝導薄膜形成後、搬送するな
ど、直ぐにデバイスを形成しないで放置しておかねばな
らないような場合、空気中の水蒸気や炭酸ガスによって
劣化を生じ、装置の特性に悪い影響を与えたりすること
があった。ところで、高臨界温度の酸化物超伝導体とし
ては、ＬｎＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x （ｘ＝0 〜1 ，Ｌｎ：Ｙ
ｂ，Ｅｒ，Ｙ，Ｈｏ，Ｇｄ，Ｅｕ，Ｄｙ）、Ｂｉ−Ｓｒ
−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系の酸化物薄膜、Ｔｉ−Ｂａ−Ｃａ−
Ｃｕ−Ｏ系の酸化物薄膜など、超伝導装置用基板として
はサファイア、ＹＳＺ，シリコン、砒化ガリウム、Ｌｉ
ＮｂＯ3 ，ＧＧＧ等、単結晶基板および薄膜いずれも多
くの酸化物が報告されているが、この問題は、ペロブス
カイト構造の酸化物単結晶のみならず超伝導装置に用い
られる他の酸化物単結晶にも深刻な問題となっている。
【００１０】そこで従来、このような問題を防ぐため、
表面をＮｉ等の耐酸化性金属で被覆するもの（特開平１
−９６９８７号），炭素膜で被覆するもの（特開平１−
１９７３０８号），アモルファスカーボン膜で被覆する
もの（特開平１−２４２４１５号），金やプラチナで被
覆するもの（特開平２−９７６８４号）が提案されてい
るが、いずれも保護性には優れているが，使用に際して
除去が困難であり、ウエットエッチングで除去しようと
すると、表面の汚染が問題となり、いずれも有効な方法
であるとはいえなかった。
表面をＮｉ等の耐酸化性金属で被覆するもの（特開平１
−９６９８７号），炭素膜で被覆するもの（特開平１−
１９７３０８号），アモルファスカーボン膜で被覆する
もの（特開平１−２４２４１５号），金やプラチナで被
覆するもの（特開平２−９７６８４号）が提案されてい
るが、いずれも保護性には優れているが，使用に際して
除去が困難であり、ウエットエッチングで除去しようと
すると、表面の汚染が問題となり、いずれも有効な方法
であるとはいえなかった。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】このように従来、超伝
導装置用基板および超伝導薄膜の有効な保護方法がな
く、保護はできても保護膜除去工程における汚染等の問
題があり、これらの保護は重大な問題となっていた。
導装置用基板および超伝導薄膜の有効な保護方法がな
く、保護はできても保護膜除去工程における汚染等の問
題があり、これらの保護は重大な問題となっていた。
【００１２】本発明は、前記実情に鑑みてなされたもの
で、超伝導装置用基板または超伝導薄膜を良好に保護
し、長寿命で信頼性の高い超伝導装置を提供することを
目的とする。
で、超伝導装置用基板または超伝導薄膜を良好に保護
し、長寿命で信頼性の高い超伝導装置を提供することを
目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】そこで本発明の超伝導装
置用基板では、酸化物単結晶基板表面をビスマス（Ｂ
ｉ）薄膜で被覆するようにしている。
置用基板では、酸化物単結晶基板表面をビスマス（Ｂ
ｉ）薄膜で被覆するようにしている。
【００１４】また本発明の方法では、チョクラルスキー
法等を用いて酸化物単結晶を形成し、これを酸化物単結
晶を切断し、酸化物単結晶基板を形成したのち、この酸
化物単結晶基板の表面をビスマス薄膜で被覆しておくよ
うにし、超伝導薄膜の形成に先だち、３５０℃以上に加
熱し前記ビスマス薄膜を蒸発せしめ、この後、直ちに超
伝導薄膜を堆積し、超伝導装置を形成するようにしてい
る。
法等を用いて酸化物単結晶を形成し、これを酸化物単結
晶を切断し、酸化物単結晶基板を形成したのち、この酸
化物単結晶基板の表面をビスマス薄膜で被覆しておくよ
うにし、超伝導薄膜の形成に先だち、３５０℃以上に加
熱し前記ビスマス薄膜を蒸発せしめ、この後、直ちに超
伝導薄膜を堆積し、超伝導装置を形成するようにしてい
る。
【００１５】さらに本発明の方法では、酸化物単結晶基
板表面に酸化物単結晶からなる超伝導薄膜を形成し、こ
の酸化物単結晶薄膜の表面をビスマス薄膜で被覆してお
き、この超伝導薄膜の加工に先だち、３５０℃以上に加
熱しビスマス薄膜を蒸発せしめ、蒸発工程後、直ちに超
伝導薄膜を加工し、超伝導装置を形成するようにしてい
る。
板表面に酸化物単結晶からなる超伝導薄膜を形成し、こ
の酸化物単結晶薄膜の表面をビスマス薄膜で被覆してお
き、この超伝導薄膜の加工に先だち、３５０℃以上に加
熱しビスマス薄膜を蒸発せしめ、蒸発工程後、直ちに超
伝導薄膜を加工し、超伝導装置を形成するようにしてい
る。
【００１６】
【作用】酸化物単結晶表面をＢｉ薄膜で被覆することに
より、水蒸気や炭酸ガスとの反応を防止することがで
き、劣化を防ぐ事が可能となる。そしてこのＢｉ薄膜は
３５０℃以上に加熱することによって容易に蒸発させ、
除去することができるとともに、酸化物単結晶表面の汚
染物質をも蒸発させるため、極めて信頼性の高いものと
なる。
より、水蒸気や炭酸ガスとの反応を防止することがで
き、劣化を防ぐ事が可能となる。そしてこのＢｉ薄膜は
３５０℃以上に加熱することによって容易に蒸発させ、
除去することができるとともに、酸化物単結晶表面の汚
染物質をも蒸発させるため、極めて信頼性の高いものと
なる。
【００１７】本発明によれば、酸化物単結晶基板や超伝
導薄膜形成後、長時間経過してから使用する場合にも、
Ｂｉ薄膜によって水蒸気や炭酸ガスから良好に保護がな
され、使用に際しては加熱により容易かつ良好に除去す
ることができ、さらには基板表面の汚染物質をも除去す
ることができる。
導薄膜形成後、長時間経過してから使用する場合にも、
Ｂｉ薄膜によって水蒸気や炭酸ガスから良好に保護がな
され、使用に際しては加熱により容易かつ良好に除去す
ることができ、さらには基板表面の汚染物質をも除去す
ることができる。
【００１８】このＢｉ薄膜は蒸着法、スパッタリング
法、ＣＶＤ法等によって成膜される。
法、ＣＶＤ法等によって成膜される。
【００１９】
【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
しつつ詳細に説明する。
しつつ詳細に説明する。
【００２０】実施例１ 本発明では、図１に示すように、ＳｒＬａＧａＯ4 が単
結晶基板１の表面をＢｉ薄膜２で被覆しておくように
し、超伝導薄膜の形成に先立ち、４００℃に加熱するこ
とによりこのＢｉ薄膜２を蒸発させ除去するようにした
ことを特徴とするものである。
結晶基板１の表面をＢｉ薄膜２で被覆しておくように
し、超伝導薄膜の形成に先立ち、４００℃に加熱するこ
とによりこのＢｉ薄膜２を蒸発させ除去するようにした
ことを特徴とするものである。
【００２１】まず、出発原料として、ＳｒＣＯ3 ，Ｌａ
2 Ｏ3 ，Ｇａ2 Ｏ3 粉体を用い、これらをモル比がＳ
ｒ：Ｌａ：Ｇａ＝0.94：0.96：1.10となるように混合
し、１０００℃で仮焼し脱炭酸処理を行った後、粉砕し
プレス成形した。
2 Ｏ3 ，Ｇａ2 Ｏ3 粉体を用い、これらをモル比がＳ
ｒ：Ｌａ：Ｇａ＝0.94：0.96：1.10となるように混合
し、１０００℃で仮焼し脱炭酸処理を行った後、粉砕し
プレス成形した。
【００２２】このようにして形成された成形体を大気中
で１３００℃で焼結することによりし、約１４５０ｇの
ＳｒＬａＧａＯ4 焼結体を得た。
で１３００℃で焼結することによりし、約１４５０ｇの
ＳｒＬａＧａＯ4 焼結体を得た。
【００２３】この焼結体を外形約８０mm、高さ約８０m
m、肉厚２mmの白金るつぼに入れ、高周波加熱によって
溶融せしめた。ここで白金るつぼは、純白金では使用ご
との変形が著しいため、ジルコニア分散強化型白金るつ
ぼを用いるようにすると良い。このようにして融解せし
めたＳｒＬａＧａＯ4 焼結体から、［１００］方位の種
結晶を用いて、チョクラルスキー引上げ法により、Ｓｒ
ＬａＧａＯ4 単結晶を成長させた。
m、肉厚２mmの白金るつぼに入れ、高周波加熱によって
溶融せしめた。ここで白金るつぼは、純白金では使用ご
との変形が著しいため、ジルコニア分散強化型白金るつ
ぼを用いるようにすると良い。このようにして融解せし
めたＳｒＬａＧａＯ4 焼結体から、［１００］方位の種
結晶を用いて、チョクラルスキー引上げ法により、Ｓｒ
ＬａＧａＯ4 単結晶を成長させた。
【００２４】ここで種結晶としては、初回においてはＳ
ｒＴｉＯ3 の［１００］単結晶を用いた。そしてＳｒＬ
ａＧａＯ4 単結晶が得られた後は、当該結晶の［１０
０］方位の単結晶を種結晶として用いた。結晶の引上げ
条件は、引上げ速度１mm/ Ｈｒ、結晶回転速度２５ｒｐ
ｍで、直径３０mm，長さ７０mmの［１００］軸単結晶を
得ることができた。
ｒＴｉＯ3 の［１００］単結晶を用いた。そしてＳｒＬ
ａＧａＯ4 単結晶が得られた後は、当該結晶の［１０
０］方位の単結晶を種結晶として用いた。結晶の引上げ
条件は、引上げ速度１mm/ Ｈｒ、結晶回転速度２５ｒｐ
ｍで、直径３０mm，長さ７０mmの［１００］軸単結晶を
得ることができた。
【００２５】このようにして、形成されたＳｒＬａＧａ
Ｏ4 単結晶をスライスし、超伝導体薄膜形成用基板が得
られる（図１(a) ）。
Ｏ4 単結晶をスライスし、超伝導体薄膜形成用基板が得
られる（図１(a) ）。
【００２６】そしてこのＳｒＬａＧａＯ4 単結晶基板１
表面にスライス後直ちにスパッタリング法を用いて膜厚
１〜１００nmのＢｉ薄膜２を形成する（図１(b) ）。
表面にスライス後直ちにスパッタリング法を用いて膜厚
１〜１００nmのＢｉ薄膜２を形成する（図１(b) ）。
【００２７】この後単結晶基板を、超伝導薄膜形成装置
に設置し、超伝導薄膜の堆積に先立ち、真空引きを行い
ながらヒータＨによって基板を４００℃に加熱し、図１
(c)に示すようにＢｉ薄膜２を除去する。このことは表
面をＲＨＥＥＤ（Refflection High Energy Electron D
iffraction) あるいはＸＰＳ（X-ray Photo SpectroSco
py ）によって観察することにより確認できる。
に設置し、超伝導薄膜の堆積に先立ち、真空引きを行い
ながらヒータＨによって基板を４００℃に加熱し、図１
(c)に示すようにＢｉ薄膜２を除去する。このことは表
面をＲＨＥＥＤ（Refflection High Energy Electron D
iffraction) あるいはＸＰＳ（X-ray Photo SpectroSco
py ）によって観察することにより確認できる。
【００２８】この後図１(d) に示すように組成式Ｂｉ2
Ｓｒ2 Ｃａ2 Ｃｕ3 Ｏ10で示される超伝導薄膜３を成膜
し、所望のパターニングを行い超伝導装置を得ることが
できる。
Ｓｒ2 Ｃａ2 Ｃｕ3 Ｏ10で示される超伝導薄膜３を成膜
し、所望のパターニングを行い超伝導装置を得ることが
できる。
【００２９】この様にして得られた超伝導装置は長寿命
でかつ信頼性の高いものとなっている。
でかつ信頼性の高いものとなっている。
【００３０】実施例２ 次に、本発明の第２の実施例について説明する。
【００３１】この方法では図２に示すように、ＳｒＴｉ
Ｏ3 基板１１表面に高温超伝導薄膜としてＹＢａ2 Ｃｕ
3 Ｏ7-δ（０≦δ≦０．２）薄膜１２を形成し、この上
層にＢｉ薄膜１３を形成して、超伝導薄膜表面を保護す
るようにしたことを特徴とする。
Ｏ3 基板１１表面に高温超伝導薄膜としてＹＢａ2 Ｃｕ
3 Ｏ7-δ（０≦δ≦０．２）薄膜１２を形成し、この上
層にＢｉ薄膜１３を形成して、超伝導薄膜表面を保護す
るようにしたことを特徴とする。
【００３２】すなわちまず、図２(a) に示すように、Ｓ
ｒＴｉＯ3基板１１表面に高温超伝導薄膜としてＹＢａ
2 Ｃｕ3 Ｏ7-δ（０≦δ≦０．２）薄膜１２を形成し、
図２(b) に示すようにこの上層に蒸着法によりＢｉ薄膜
１３を形成する。ここで望ましくは超伝導薄膜形成後同
一チャンバー内で真空を破ることなく続いてＢｉ薄膜を
形成するようにするとよい。
ｒＴｉＯ3基板１１表面に高温超伝導薄膜としてＹＢａ
2 Ｃｕ3 Ｏ7-δ（０≦δ≦０．２）薄膜１２を形成し、
図２(b) に示すようにこの上層に蒸着法によりＢｉ薄膜
１３を形成する。ここで望ましくは超伝導薄膜形成後同
一チャンバー内で真空を破ることなく続いてＢｉ薄膜を
形成するようにするとよい。
【００３３】そして搬送等を経た後、デバイス形成のた
めの処理装置に設置し、処理に先立ち真空引きを行いな
がら基板を４００℃に加熱し、図２(c) に示すようにＢ
ｉ薄膜１３を除去する。
めの処理装置に設置し、処理に先立ち真空引きを行いな
がら基板を４００℃に加熱し、図２(c) に示すようにＢ
ｉ薄膜１３を除去する。
【００３４】そして続いて電極１４の形成など所望の処
理がなされ超伝導デバイスが完成する（図２(d) ）。
理がなされ超伝導デバイスが完成する（図２(d) ）。
【００３５】この様にして得られる超伝導デバイスは長
寿命でかつ信頼性の高いものとなっている。
寿命でかつ信頼性の高いものとなっている。
【００３６】なお、前記実施例では酸化物単結晶基板と
してＳｒＬａＧａＯ4単結晶基板およびＳｒＴｉＯ3 基
板を用いたが、これに限定されることなく、ＬａＡｌＯ
3 ，ＮｄＧａＯ3 ，ＮｄＳｒＧａＯ4 ，ＭｇＯ等他の酸
化物単結晶でもよい。また超伝導薄膜としても、Ｂｉ2
Ｓｒ2 Ｃａ2 Ｃｕ3 Ｏ10薄膜やＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ
7-δ（０≦δ≦０．２）薄膜に限定されることなく、Ｂ
ｉ2 Ｓｒ2 Ｃａ2Ｃｕ2 Ｏ8 薄膜やＴｅ2 Ｂａ2 Ｃｕ3
Ｏ10やＴｅ2 Ｂａ2 Ｃｕ2 Ｏ8 などにも同様に適用可能
である。
してＳｒＬａＧａＯ4単結晶基板およびＳｒＴｉＯ3 基
板を用いたが、これに限定されることなく、ＬａＡｌＯ
3 ，ＮｄＧａＯ3 ，ＮｄＳｒＧａＯ4 ，ＭｇＯ等他の酸
化物単結晶でもよい。また超伝導薄膜としても、Ｂｉ2
Ｓｒ2 Ｃａ2 Ｃｕ3 Ｏ10薄膜やＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ
7-δ（０≦δ≦０．２）薄膜に限定されることなく、Ｂ
ｉ2 Ｓｒ2 Ｃａ2Ｃｕ2 Ｏ8 薄膜やＴｅ2 Ｂａ2 Ｃｕ3
Ｏ10やＴｅ2 Ｂａ2 Ｃｕ2 Ｏ8 などにも同様に適用可能
である。
【００３７】またＢｉ薄膜の形成方法については、真空
蒸着法やスパッタリング法のみならずＣＶＤ法やＩＣＢ
法等他の方法でもよいことはいうまでもない。
蒸着法やスパッタリング法のみならずＣＶＤ法やＩＣＢ
法等他の方法でもよいことはいうまでもない。
【００３８】さらに前記実施例では、Ｂｉ薄膜は最終製
品としては除去される例について説明したが、軸受けや
フライホィール、シールド等に用いる場合等、そのまま
保護状態を維持するようにしてもよい。
品としては除去される例について説明したが、軸受けや
フライホィール、シールド等に用いる場合等、そのまま
保護状態を維持するようにしてもよい。
【００３９】加えて前記実施例ではＢｉ薄膜を保護膜と
して用いたが、融点が低く緻密な材料であれば他の材料
でも良い。
して用いたが、融点が低く緻密な材料であれば他の材料
でも良い。
【００４０】
【効果】以上説明してきたように、本発明によれば、Ｂ
ｉ薄膜で被覆することにより、水蒸気や炭酸ガスとの反
応を防止することができ、劣化を防ぐことができまた、
このＢｉ薄膜は加熱により容易に蒸発させ、除去するこ
とができるため、極めて信頼性の高い超伝導装置を得る
ことができる。
ｉ薄膜で被覆することにより、水蒸気や炭酸ガスとの反
応を防止することができ、劣化を防ぐことができまた、
このＢｉ薄膜は加熱により容易に蒸発させ、除去するこ
とができるため、極めて信頼性の高い超伝導装置を得る
ことができる。
【図１】本発明の第１の実施例の超伝導装置の製造工程
図
図
【図２】本発明の第２の実施例の超伝導装置の製造工程
図
図
１ 酸化物単結晶基板 ２ Ｂｉ薄膜 ３ 超伝導薄膜 Ｈ ヒータ １１ 酸化物単結晶基板 １２ 超伝導薄膜 １３ Ｂｉ薄膜 １４ 電極
Claims (3)
- 【請求項１】 酸化物単結晶基板と、 この酸化物単結晶基板表面を被覆するビスマス（Ｂｉ）
薄膜とを具備したことを特徴とする超伝導装置用基板。 - 【請求項２】 チョクラルスキー法等を用いて酸化物単
結晶を形成する単結晶形成工程と前記酸化物単結晶を切
断し、酸化物単結晶基板を形成する切断工程と、 前記酸化物単結晶基板の表面をビスマス薄膜で被覆する
ビスマス薄膜形成工程と、 超伝導薄膜の形成に先だち、３５０℃以上に加熱し前記
ビスマス薄膜を蒸発せしめる蒸発工程と前記蒸発工程
後、直ちに超伝導薄膜を堆積し、超伝導装置を形成する
超伝導装置の製造方法。 - 【請求項３】 酸化物単結晶基板表面に酸化物単結晶か
らなる超伝導薄膜を形成する超伝導薄膜形成工程と前記
酸化物単結晶薄膜の表面をビスマス薄膜で被覆するビス
マス薄膜形成工程と、 前記超伝導薄膜の加工に先だち、３５０℃以上に加熱し
前記ビスマス薄膜を蒸発せしめる蒸発工程と前記蒸発工
程後、直ちに超伝導薄膜を加工し、超伝導装置を形成す
る超伝導装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3332208A JPH05163100A (ja) | 1991-12-16 | 1991-12-16 | 超伝導装置用基板および超伝導装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3332208A JPH05163100A (ja) | 1991-12-16 | 1991-12-16 | 超伝導装置用基板および超伝導装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05163100A true JPH05163100A (ja) | 1993-06-29 |
Family
ID=18252388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3332208A Pending JPH05163100A (ja) | 1991-12-16 | 1991-12-16 | 超伝導装置用基板および超伝導装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05163100A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006051132A (ja) * | 2004-08-10 | 2006-02-23 | Olympus Corp | 滅菌耐久性組成物を用いた内視鏡光学系、及びそれを備えた内視鏡 |
-
1991
- 1991-12-16 JP JP3332208A patent/JPH05163100A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006051132A (ja) * | 2004-08-10 | 2006-02-23 | Olympus Corp | 滅菌耐久性組成物を用いた内視鏡光学系、及びそれを備えた内視鏡 |
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