JPH02167820A - Ｔ１系複合酸化物超電導体薄膜の成膜方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は複合酸化物超電導体薄膜の改良された成膜方法
に関するものであり、特に、高い超電導臨界温度（Ｔｃ
）と超電導臨界電流密度（Ｊｃ）とを有するタリウム系
複合酸化物超電導体薄膜、例えば、ＴＩ　−Ｂａ−Ｃａ
−Ｃｕ系の複合酸化物超電導体薄膜の成膜方法の改良に
関するものである。

従来の技術 電子の相転移であるといわれる超電導現象は、特定の条
件下で導体の電気抵抗が零の状態となり完全な反磁性を
示す現象である。即ち、超電導下では、超電導体に電流
を流しても電力損失が全く無く、密度の高い電流が永久
に流れ続ける。例えば、超電導技術を送電に応用すれば
、現在送電に伴って生じているといわれる約７％の送電
損失を大幅に減少できる。また、５ＱＵＩＤを用いた微
弱な磁気を感知する計測分野、π中間子治療を用いた医
療の分野、さらには、高エネルギー物理実膜装置などへ
の利用が期待されている。さらに、核融合、ＭＨＤ発電
、磁気浮上電車、磁気推進船等の強力な磁場の発生が必
要な分野でも超電導体が要求されている。しかし、過去
１０年間、超電導材料の超電導臨界温度ＴｃはＮｂ、Ｇ
ｅの２３Ｋを越えることができなかった。

高温超電導体の存在は、ベドノーツェおよびミューラー
による複合酸化物系高Ｔｃ超電導材料の発見によって明
らかにされた（Ｂｅｄｎｏｒｚ、　Ｍｉｌｌｅｒ。

”　Ｚ、Ｐｈｙｓ、”　８６４．　１９８６年、１８９
　頁）。

ベドノーツおよびミューラーによって発見された酸化物
超電導体は（Ｌａ、　Ｂａ）　２Ｃｕ○４で、これは、
Ｋ２ＮｉＦ、型酸化物と呼ばれるもので、従来から知ら
れていたペロブスカイト型超電導酸化物と結晶構造が似
ているが、そのＴｃは従来の超電導材料に比べて飛躍的
に高い約３０にという値である。その後、数多くの複合
酸化物系高温超電導体が報告され、高温超電導体の実用
化の可能性が出てきた。

チュー達はＹＢａ、Ｃｕ３０７−１ｌで表わされる９０
にクラスの臨界温度を示すＹＢＣ○といわれる別の系の
複合酸化物が報告されている（Ｐｈｙｓｉｃａｌ　Ｒｅ
ｖｉｅｗＬｅｔｔｅｒｓ、　（５８）　　９．９０８頁
１９８７年）。

前田達はＢｉ　−５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−系の別のＢ電導複
合酸化物を報告している（　Ｊａｐａｎｅｓｅ　　Ｊｏ
ｕｒｎａｌ　ｏｆ八へｐｌｉｅｄ　　　Ｐｈｙｓｉｃｓ
、　　（２７）２．　１２０９　〜１２１０頁　）。

タリウム系の複合酸化物も１００に以上の超電導体であ
る。本出願人は特願昭６３−１８５２１６号においてい
くつかのタリウム系複合酸化物を開示しており、また、
パーマン達はＡｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔ
ｔｅｒｓ（５２）２０．１７３８頁においてＴＩ　−Ｂ
ａ　−Ｃａ−Ｃｕ系を報告している。このタリウム系複
合酸化物は上記ＹＢＣＯ系の複合酸化物よりも化学的に
安定であるだけでなく、希土類元素を用いずに１００に
以上のＴＣが実現できる、従って、製造コストを下げる
ことができるという利点がある。

上記の各複合酸化物系の超電導材料は、物理的蒸着法（
ＰＶ［］）または化学的蒸着法（ＣＶＤ）によって基板
上に薄膜の形に成膜することができる。

しかし、タリウム系複合酸化物超電導体の場合には、タ
リウム（ＴＩ）が極めて蒸発し易い元素であり、しかも
、人体に有害であるという特別な問題がある。事実、従
来方法で成膜されたタリウム系複合酸化物の超電導薄膜
は、焼結によって作ったバルクまたはブロックの複合酸
化物に比べてＴｃおよびＪｃが相対的に低くなる。これ
は、タリウムが蒸発し易い元素であるため、十分に結晶
化し得なかったことと、薄膜を形成している複合酸化物
の結晶中の酸素が不足していたためと考えられる。

これまでは、蒸着で成膜した薄膜の超電導特性を向上さ
せるために、成膜した薄膜を酸素ガスの存在下で６００
〜９００℃でアニールするのが一般的である。しかし、
タリウム系の超電導薄膜の場合には、タリウムの蒸気圧
が高いため、アニール処理中に薄膜からタリウムが大量
に逃げるため、この方法は有効ではなく、この方法で得
られた薄膜は所望のＴＣおよびＪｃを示さなかった。

発明が解決しようとする課題 本発明の目的は、上記従来方法の欠点のないタリウム系
複合酸化物の超電導発明の改良方法を提供することにあ
る。

課題を解決するための手段 本発明の提供する方法の特徴は、タリウムを含む複合酸
化物の薄膜を物理蒸着法または化学蒸着法によって基板
上に形成し、次いで、得られた薄膜を熱処理する工程に
よって構成されるタリウム系複合酸化物超電導体薄膜の
成膜方法において、上記の熱処理を、８８０℃から９２
０℃の温度で、酸化タリウム蒸気の分圧が上記温度にお
ける酸化タリウムの飽和蒸気圧以上となる条件下で所定
時間待なうことを特徴としている。

上記熱処理を行った薄膜は、さらに、６００℃から９０
０℃の温度で、酸化タリウム蒸気の分圧が上記温度にお
ける酸化タリウムの飽和蒸気圧以下となる条件下で所定
時間さらに二次的に熱処理するのが好ましい。

本発明は、タリウムを含む任意の複合酸化物に適用する
ことができる。本発明が適用可能な典型的なタリウム系
複合酸化物は下記一般式で表わされる： ＴＩ、（Ｃａ、−、、ｒ＋ａｊｍｃｕｈ○、。。

ここで、ｍ、　ｎ、　Ｘおよびｙはそれぞれ下記：６≦
ｍ≦１６．４≦ｎ≦１２． ０．２　　　＜　　　Ｘ　　　＜　　　０．８　、　−
　　２　　　＜　　ｙ　　　＜　　＋２の範囲を満足す
る数を表し、ｐ＝　（６＋ｍ＋ｎ）である。

この系の複合酸化物の例としては下記のものを挙げるこ
とができる： Ｔ１４Ｃａ４Ｂａ４ＣＩＪ６０ｚｏ＋ｙＴ１２Ｃａ２Ｂ
ａ２Ｃｕ３０ＩＯ＋ｙ 本発明は上記以外のクリラム含有複合酸化物にも適用す
ることができる。その例としては、下記のような系を挙
げることができる： ＴＩ　−３ｒ　−Ｃａ−Ｃｕ　−０系（７５〜１００　
Ｋ）ＴＩ　−Ｐｂ−３ｒ−Ｃａ　−Ｃｕ　−０系（８０
〜１２２　Ｋ）ＴＩ　−Ｐｂ−Ｂａ　−Ｃａ−Ｃｕ−○
系（９０〜１２２　Ｋ）（ＴＩ、　Ｌａ、　Ｐｂ）−３
ｒ−Ｃａ−Ｃｕ　−０系（１００Ｋ）ＴＩ−Ｂａ−（Ｙ
、　Ｃａ）−Ｃｕ−○系（９２Ｋ）ＴＩ　−Ｐｂ−Ｃａ
−Ｃｅ−３ｒ−Ｃｕ−〇系（９５Ｋ）Ｔｌ　−Ｂａ　−
Ｃｅ−Ｃｕ−〇系（９０Ｋ）（ＴＩ、　Ｌｎ）−３ｒ　
−Ｃａ−Ｃｕ−○系（８０〜９０Ｋ＞（Ｂｉ、　ＴＩ）
−３ｒ−Ｃｕ−〇系（９０Ｋ）Ｐｂ−ＴＩ　−３ｒ　−
Ｃｕ　−０系（４２Ｋ　）Ｌａ　−Ｔ　−３ｒ−Ｃｕ−
〇系（３２Ｋ）Ｎｄ　−Ｔ　−３ｒ　　Ｃｕ　　Ｏ系（
４４Ｋ＞ＴＩ　−Ｂｉ　−３ｒ　−Ｃａ−［：ｕ−○系
（２５Ｋ）（注）　Ｌｎはランタノイド元素 上記の超電導薄膜は、ＲＦスパッタリング法、真空蒸着
法、イオンブレーティング法、ＭＢＥ等の物理蒸着（Ｐ
ＶＤ）法または熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶ
Ｄ法、Ｍ　ＯＣＶ　Ｄ法等のＣＶＤ法によって基板上に
成膜したものである。

物理蒸着（ＰＶＤ）法としてＲＦマクネトロンスパッタ
リング法、真空蒸着法、イオンブレーティング法を用い
る場合には、蒸発源またはターゲットの金属元素の原子
比は各元素の蒸着速度および基板に対する吸着率の差に
応じて調節する。この蒸発源またはターゲットは金属元
素および／またはその酸化物または炭酸塩の粉末原料を
粉末焼結法によって焼結した焼結体か、この焼結体を粉
砕して得られる焼結粉末にするのが好ましい。また、こ
の蒸発源またはターゲットは複数に分けることもできる
。

分子線エピタキシー（ＭＢＢ）法を用いる場合には溝底
金属元素またはその酸化物をにセルまたは電子銃を用い
て蒸発させる。この場合には、必要に応じて、酸素を蒸
着雰囲気中に別途供給する。

例えば、ＴＩ　−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−○系の複合酸化物
超電導体の薄膜を成膜する場合に用いる蒸発源またはタ
ーゲットは、以下のようにして作るのが好ましい。すな
わち、先ず、Ｂａ、　ＣａおよびＣｕの化合物、特に、
これらの酸化物、炭酸塩またはフッ化物の粉末を所定原
子比となるように混合し、仮焼し、粉砕して得られる仮
焼粉末に、Ｔ１の化合物、特に、ＴＩの酸化物、炭酸塩
またはフッ化物の粉末を添加し、得られた粉末混合物を
焼結する。この焼結体はそのまま、または、切削加工後
に蒸発源またはターゲットとして用いることができる。

さらに、この焼結体を粉砕して得られる粉末を粉末蒸発
源または粉末ターゲットとして用いることもできる。

ＴＩは非常に蒸気圧が高いので、蒸発源またはターゲッ
トの組成比を所定の範囲にするためには、上記のように
ＴＩ含有粉末を別途添加するのが特に好ましい。

いずれにせよ、基板上に蒸着される薄膜の組成は、蒸発
源またはターゲットの組成比を調節すること、および／
または、複数の蒸発源またはターゲットを組み合わせる
ことによって広い範囲でコントロールすることができる
。蒸着雰囲気中への酸素の供給は、一般に、蒸発源また
はターゲットとして酸素含有化合物、例えば、構成元素
の酸化物を用いるか、酸素を別体に供給することによっ
て行うことができる。超電導薄膜の酸素含有量は超電導
特性に大きく影響するファクターであるので、蒸着雰囲
気中の酸素量は所定の範囲となるように正確に制御する
ことが必要である。

超電導薄膜を懲戒する基板は、ＭｇＯ１ＳｒＴｉＯ，、
ＬａＡｌＯ３、ＬａＧａ０．等の単結晶にするのが好ま
しい。

シリコン単結晶を用いる場合には、その表面上に！Ｊｇ
ＯやＺｒＯ□等のバッファー層を懲戒してから上記超電
導薄膜を形成するのが好ましい。本発明の超電導薄膜は
上記各単結晶基板の（００１）面または（１１０）面に
成膜するのが好ましい。蒸着時には、基板を一般に室温
から５００℃の範囲の温度に加熱する。

本発明方法の特徴は、上記の熱処理を、８８０℃から９
２０℃の温度で、酸化タリウム蒸気の分圧が上記温度に
おける酸化タリウムの飽和蒸気圧以上となる条件下で所
定時間行なう点にある。

本発明者達は、本発明の方法によって成膜した薄膜は極
めて平滑で且つ組成が均一であることを確認した。本発
明による薄膜が極めて高いＴｃとＪｃを示す理由はこの
点に起因しているものと考えられる。換言すれば、本発
明方法の熱処理は薄膜からのタリウム蒸気の逃げを抑制
し且つ薄膜の結晶化を促進するのに有効である。

上記熱処理温度が８８０℃未満であると、平滑な薄膜は
得られず、臨界温度が互いに相違する異なる相の混合物
となるため、薄膜のＴｃが低下する。

逆に、熱処理温度が９２０℃を越えると、タリウム（Ｔ
Ｉ）の蒸発が過剰となるため、薄膜の組成を所望の組成
に維持するのが回能になるだけでなく、超電導に寄与し
ない析出物が増加する。

本発明で行われる最初の熱処理は１分から１０時間の間
の時間桁われる。この時間が１分未満では本発明方法の
熱処理の効果が期待できない。一方、この熱処理時間を
１０時間を越えて行っても、超電導特性を大幅に向上さ
せることはできない。

本発明の好ましい実施例では、上記の熱処理後の薄膜を
さらに二次的に熱処理する。この二次的な熱処理は、６
００℃から９００℃の温度で、酸化タリウム蒸気の分圧
が上記温度における酸化タリウムの飽和蒸気圧以下とな
る条件下で所定時間さらに二次的に熱処理することによ
って行われる。この二次的な熱処理は最初の熱処理で薄
膜中に残留している過剰なタリウム原子を除去・追い出
して、最終製品のタリウムの原子比を所定の化学量論組
成に調節するのに有効である。この二次的な熱処理は一
般に５分から５０時間の間の時間桁われる。

上記の熱処理雰囲気状態はタリウム蒸気と酸素が供給で
きる条件下で行えば容易に実現できる。

最も簡単には、酸化タリウムを蒸発源として用いればよ
い。また、タリウムと他の元素との化合物、例えば、Ｔ
Ｉ　−８ａ　−Ｃａ−Ｃｕ　＝　０の複合酸化物を蒸発
源として用いることも好ましい。さらには、熱処理を行
うチャンバー中にタリウムガスと酸素ガスとを制御下に
供給することもできる。

本発明の好ましい実施例では、上記熱処理が部分的に閉
じられた閉空間内に温度勾配を付けることによって行わ
れる。すなわち、この部分的に閉じられた閉空間中に、
熱処理を行う薄膜を有する基板と、酸化タリウムまたは
タリウム化合物の蒸発源とを配置し、酸素ガスの存在下
に、酸化タリウムまたはタリウム化合物の蒸発源の温度
を基板の温度よりも高くする。この部分的に閉じられた
閉空間は一端がチャンバー内部と連通した開口を有する
銀（Ａｇ）のようなタリウム系超電導材料と反応しない
貴金属のパイプで区画するのが好ましい。

熱処理時には、上記雰囲気中にタリウム蒸気の他に酸素
を供給して、薄膜中の酸素含有率が所望の化学量論比と
なるようにする。

以下、本発明方法を実施するための一実施例を示した添
付図面を用いて本発明を説明する。

第１図に示すように、タリウム系複合酸化物薄膜を有す
る基板１は一端が開いた銀のパイプ４の中に収容される
。この銀パイプ４中には、さらに、酸化タリウムの蒸発
源、例えば、酸化タリウムまたはタリウム化合物２が収
容される。この酸化タリウムの蒸発源２は、基板ｌ上に
薄膜を形成する際に用いたものと同じ焼結体または焼結
粉末にするすることもできる。

基板１と酸化タリウムの蒸発源２とを収容した銀パイプ
４を焼結炉５の内部に収容した後、酸素ガス（０２）を
焼結炉５内部に供給する。この酸素ガスは、銀パイプ４
の一端開口を介して銀パイプ４の内部にも流入すること
ができる。一般に、この酸素ガスの圧力は大気圧（１気
圧〉程度であるが、１気圧以上の圧力で熱処理を行うこ
ともできる。

熱処理時には、焼結炉５内部に温度勾配が付けられ、タ
リウム系複合酸化物薄膜を有する基板１を温度Ｔ２に、
また、酸化タリウムの蒸発？原２を温度Ｔ１にそれぞれ
加熱する。温度Ｔ１は温度Ｔ２よりも高く、例えば、Ｔ
、＝９３０℃、Ｔ２＝　９００℃にする。

この塩度勾配によって、基板よりもｔ目射的に高い温度
に加熱された酸化タリウムの蒸発源２から発生ずる酸化
クリウｌ、ガス雰囲気内で、基板上に形成された薄膜の
熱処理がＴ２＝９００℃で行われる。

この温度勾配条件下では、基板近傍での酸化タリウムガ
スの蒸気圧は酸化タリウムの飽和蒸気圧よりも高くなる
（過飽和蒸気圧）。この第１段階の熱処理は所定時間、
一般には１時間以上行われる。

この第１段階の熱処理が終了後に、同じ炉中で第２の熱
処理を行うが、この場合には、温度を下げて、Ｔ、＝７
２＝　８５０℃とする。この第２の熱処理も所定時間、
一般には１時間以上行われる。

本発明方法は以下のような利点がある：（１）熱処理が
、揮発し易い酸化タリウムの飽和蒸気圧で行われるので
、薄膜からのタリウム原子の放逸が抑制されて、複合酸
化物薄膜中のタリウムの原子比を所望の値に調節するこ
とができる。

（２）熱処理が酸素リッチな状態で行われるため、薄膜
中の酸素含有率を所望の値に調節することができる。

（３）熱処理が薄膜に対して不活性な貴金属のパイプ中
で行われるため、薄膜が汚染される危険がない。

従って、本発明方法を用いることによって、超電導特性
、特に、臨界電流密度Ｊｃが高い高品質のクリラム含有
複合酸化物の超電導薄膜を安定に製造することが可能に
なる。

以下、本発明を実施例によりさらに詳しく説明するが、
以下の開示は本発明の単なる実施例に過ぎず、本発明の
技術的範囲は何ら制限されるものではない。

実施例１ タリウム系複合酸化物薄膜の成膜 ＲＦマグネトロンスパッタリング法を用いて、ＭｇＯ（
１００）単結晶基板上にタリウム系複合酸化物の薄膜を
作製した。

ターゲットの製造 ＢａＣＯ３粉末とＣｕＯ粉末とを乳鉢で混合して得られ
た粉末混合物を９００℃で８時間仮焼した。得られた焼
結粉末を粉砕し、それに、Ｔｌ２Ｏ，粉末と、Ｃａ　Ｏ
怪’Ｊ末とを加え、均一に混合して原料粉末混合物とし
た。なお、この原料粉末混合物のＴ１：Ｃａ：Ｂａ：Ｃ
ｕの原子比は２．４　　：２．３　　二２．０：３．０
　となるように調節した。

この原料粉末混合物をプレス底形した後、金のフォイル
に包んだ後、焼結炉中で酸素ガス雰囲気下で９０５℃で
３時間焼結した。

スパッタリングによる薄膜の成膜 上記で得られた焼結体を粉砕して得られる焼結体粉末を
粉末ターゲットとして用いて、下記条件でＲＦマグネト
ロンスパッタリングを行った二基板　　　　　　　　＝
　１．ＩｇＯの（１００）白基板温度　　　　　　＝３
５０℃ 高周波電力密度　　　−０，６４（＼Ｖ／　ｃｒｄ）ス
パッタリングガス　−Ａｒ＋０２（０，２０％）スパッ
タリング圧力　＝　５Ｘ１０　’Ｔｏｒｒ得られた薄膜
の組成は、原子比Ｔｌ　：Ｂａ　：Ｃａ　：Ｃｕが２：
　　２：２　　：３であり、成膜しただけの状態では非
晶質で超電導特性を示さなかった。

本発明の熱処理 上記の薄膜を、第１図に示す装置で、本発明の方法に従
って、熱処理を行なった。

すなわち、上記で得られた基板１を一端を閉じたＡｇパ
イプ４中に入れ、さらに、上記の「ターゲットの製造」
の項で記載した方法と同じ方法で作ったＴＩ　−Ｂａ−
Ｃａ−Ｃｕ−〇化合物２をこのＡｇパイプ４中に入れた
。

次いで、Ａｇパイプ４を焼結炉５内に入れ、焼結炉５に
１気圧の０２ガスを供給した。

焼結炉５中には、第１図に示すＴ１〜Ｔ２の温度勾配を
付けて、基板１が９００℃（Ｔ２）に、また、上記ＴＩ
　−Ｂａ　−Ｃａ−Ｃｕ　−０化合物２が９３０℃（’
ｒ＋）になるようにした。

この温度勾配条件下では、基ｉｔの周囲での酸化ＴＩ蒸
気分圧は、９００℃における酸化タリウムの飽和蒸気圧
以上（過飽和蒸気圧〉　となる。この熱処理は１時間行
った。

この第１段階の熱処理が終了した後に、同じ焼結炉５中
で第２段階の熱処理を行った。この場合には、温度を下
げて、均一温度’ｒ、　＝Ｔ２　＝　８５０℃とした。

この時の基板１の周囲での酸化タリウム蒸気分圧は、８
５０℃での酸化タリウムの飽和蒸気圧以下であった。こ
の第２段階の熱処理は３時間行った。

以上の熱処理を行なった薄膜の臨界温度Ｔｃと、臨界電
流密度Ｊｃとを測定し、また、表面を走査電子顕微鏡（
ＳＥＭ）で観察した。

臨界温度Ｔｃは通常の四端子法を用いて測定した。

温度はＡｕ　（Ｆｅ）−Ａｇ熱電対で較正した。また、
臨界電流密度Ｊｃは７７にで測定した。

結果を第１表に示す。

第１表 比較例１ 実施例１を繰り返したが、第１段階の熱処理を省略して
、従来法に゛対応する第２段階の熱処理のみを行った。

この場合の結果を第２表に示す。

第２表 実施例と比較例の結果を比較することによって、本発明
の方法によりタリウム系複合酸化物超電導体薄膜の超電
導特性は大幅に向上することが分る。

実施例２ 実施例１と同じ操作を繰り返したが、ターゲット組成を
変えることによって、下記組成の別のタリウム系複合酸
化物薄膜を成膜した： Ｔｌｏ、　７Ｂ１０．　ａｃａ、５ｒ２Ｃｕ３０　、Ｉ
この場合のターゲットは以下のようにして作成した。す
なわ・ち、８１２０３粉末と、Ｃａｎ粉末と、５ｒＣＯ
＋粉末と、ＣｕＯ粉末とを７００℃で１０時間仮焼し、
それを粉砕して得られた仮焼粉末にＴ１□０３粉末を添
加した後、９１０℃で３時間焼結した。これから得られ
た焼結粉末の原子比は以下の通りであった： ＴＩ＋Ｂｉ：Ｃａ：Ｓｒ：Ｃｕ＝　１：０．３　　：２
．１　　：２　　：３本実施例ではこの焼結粉末を粉末
ターゲットとして用いて上記組成の複合酸化物超電導薄
膜を基板上に形成した。

結果は第３表に示す。

第３表 第４表 実施例３ 実施例１と同じ操作を繰り返したが、第１段階の熱処理
において、酸化タリウムの蒸発源として酸化タリウム粉
末を用いた。

本実施例ではこの酸化クリラム粉末を９１０℃に加熱し
、複合酸化物超電導薄膜を９００℃に加熱した。熱処理
時間は３０分とした。

この場合の結果を第５表に示す。

第５表 比較例２ 実施例２を繰り返したが、第１段階の熱処理を省略して
、従来法に対応する第２段階の熱処理のみを行った。

この場合の結果を第４表に示す。

発明の効果 本発明の方法に従うと、ＴＩ　−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ系等
の複合酸化物超電導体薄膜のＴｃおよびＪｃを飛濯的に
向１させることができる。これは本発明の方法に独特な
、Ｔ１蒸気分圧をＴ１の飽和蒸気圧以上にした雰囲気下
で熱処理を行うことにより初めて可能どなったものであ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の方法を実施する装置の一例の概念図
である。 〔主な参照番号〕 １・・・薄膜を有する基板、 ２・・・酸化タリウム蒸発源、 ４・・・Ａｇパイプ、 ５・・・炉

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）タリウムを含む複合酸化物の薄膜を物理蒸着法ま
   たは化学蒸着法によって基板上に形成し、次いで、得ら
   れた薄膜を熱処理する工程よりなるタリウム系複合酸化
   物超電導体薄膜の成膜方法において、 上記の熱処理を、８８０℃から９２０℃の温度で、酸化
   タリウム蒸気の分圧が上記温度における酸化タリウムの
   飽和蒸気圧以上となる条件下で所定時間行なうことを特
   徴とする方法。
2. （２）上記の熱処理を行った薄膜を、６００℃から９０
   ０℃の温度で、酸化タリウム蒸気の分圧が上記温度にお
   ける酸化タリウムの飽和蒸気圧以下となる条件下で所定
   時間行なうことを特徴とする請求項１に記載の方法。