JP2913653B2 - 酸化物超伝導薄膜構造体 - Google Patents
酸化物超伝導薄膜構造体Info
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- oxide superconducting
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はSQUID、ジョセフソン素子、超伝導トランジ
スタ、電磁波センサー、素子配線、電極等に用いる超伝
導薄膜を備えた構造体に関する。
スタ、電磁波センサー、素子配線、電極等に用いる超伝
導薄膜を備えた構造体に関する。
現在話題の酸化物超伝導物質は結晶構造に起因して異
方性が強い、例えば臨界電流密度を見るとC軸方向はa,
b軸方向の1/5〜1/7となっている。故に高臨界電流密度
を要求する薄膜デバイスに酸化物超伝導物質を応用する
にはエピタキシャル成長をさせることが必要不可欠とい
える。エピタキシャル成長をさせるには基板との格子定
数をマッチングさせる必要があり一般的には応用物理第
57巻第2号(1988)p227−231や公開特許公報昭63−270
395に述べられているように基板にSrTiO3を初めとした
ペロブスカイト型酸化物の単結晶を用いていた。またJa
panese Journal of Applied Physics Vol.27 No.6 1988
ppLl068−1070に述べられている様にシリコンウエハー
上にZrO2層を形成した後酸化物超伝導層を形成する方法
も検討されている。
方性が強い、例えば臨界電流密度を見るとC軸方向はa,
b軸方向の1/5〜1/7となっている。故に高臨界電流密度
を要求する薄膜デバイスに酸化物超伝導物質を応用する
にはエピタキシャル成長をさせることが必要不可欠とい
える。エピタキシャル成長をさせるには基板との格子定
数をマッチングさせる必要があり一般的には応用物理第
57巻第2号(1988)p227−231や公開特許公報昭63−270
395に述べられているように基板にSrTiO3を初めとした
ペロブスカイト型酸化物の単結晶を用いていた。またJa
panese Journal of Applied Physics Vol.27 No.6 1988
ppLl068−1070に述べられている様にシリコンウエハー
上にZrO2層を形成した後酸化物超伝導層を形成する方法
も検討されている。
しかしながら従来の酸化物超伝導薄膜の形成に用いる
ペロブスカイト型酸化物の単結晶基板はベルヌーイ法で
作製されており、結晶の直径が約2cmφ前後以下のもの
に限られていた。そのため大口径化は不可能であり、用
途が限定される(小型素子しか応用できない)、量産性
が無い、基板のコストが高い(例えばSrTiO3の2cmφ単
結晶基板は約2万円/枚である)等の問題を有してい
た。
ペロブスカイト型酸化物の単結晶基板はベルヌーイ法で
作製されており、結晶の直径が約2cmφ前後以下のもの
に限られていた。そのため大口径化は不可能であり、用
途が限定される(小型素子しか応用できない)、量産性
が無い、基板のコストが高い(例えばSrTiO3の2cmφ単
結晶基板は約2万円/枚である)等の問題を有してい
た。
また大口径化の可能な単結晶シリコンウエハーを用い
ZrO2層を形成した後酸化物超伝導薄膜を付ける場合はZr
O2と酸化物超伝導物質の格子定数に大きな差がありエピ
タキシャル成長性が悪いとゆう問題を有していた。
ZrO2層を形成した後酸化物超伝導薄膜を付ける場合はZr
O2と酸化物超伝導物質の格子定数に大きな差がありエピ
タキシャル成長性が悪いとゆう問題を有していた。
本発明はこの様な問題を解決するものであり、その目
的とするところは大口径、高度臨界電流密度で用途の限
定が無く量産性に優れた酸化物超伝導薄膜を低コストで
得んとするものである。
的とするところは大口径、高度臨界電流密度で用途の限
定が無く量産性に優れた酸化物超伝導薄膜を低コストで
得んとするものである。
上記の問題を解決するため本発明によれば、1)基板
に単結晶シリコンウエハを用い酸化物超伝導薄膜を備え
た酸化物超伝導薄膜構造体において、該単結晶シリコン
ウエハ基板と該酸化物超伝導薄膜との中間部に、少なく
ともZrO2、Al2O3、MgO、SrO及びCaOのうちいずれかの酸
化物層と、組成式AxAlyOz(ここでAは希土類元素を示
し、0.9≦x≦1.1、0.85≦y≦1.15、0<zである)の
酸化物層の1層以上とを有する酸化物超伝導薄膜構造
体、2)酸化物超伝導薄膜がLn1Ba2Cu3Oy系材料(LnはS
c、Yを含む希土類元素)からなることを特徴とする上
記の酸化物超伝導薄膜構造体、が提供される。x、yの
値が上記組成範囲を外れると酸化物層は安定した結晶構
造をとらなくなる。それは酸化物超伝導薄膜のエピタキ
シャル成長を阻害する原因となる。また値は共に1に近
いほど好ましい。zは薄膜では測定が困難なため確認で
きていないがバルクでは最適組成において3となってい
る。
に単結晶シリコンウエハを用い酸化物超伝導薄膜を備え
た酸化物超伝導薄膜構造体において、該単結晶シリコン
ウエハ基板と該酸化物超伝導薄膜との中間部に、少なく
ともZrO2、Al2O3、MgO、SrO及びCaOのうちいずれかの酸
化物層と、組成式AxAlyOz(ここでAは希土類元素を示
し、0.9≦x≦1.1、0.85≦y≦1.15、0<zである)の
酸化物層の1層以上とを有する酸化物超伝導薄膜構造
体、2)酸化物超伝導薄膜がLn1Ba2Cu3Oy系材料(LnはS
c、Yを含む希土類元素)からなることを特徴とする上
記の酸化物超伝導薄膜構造体、が提供される。x、yの
値が上記組成範囲を外れると酸化物層は安定した結晶構
造をとらなくなる。それは酸化物超伝導薄膜のエピタキ
シャル成長を阻害する原因となる。また値は共に1に近
いほど好ましい。zは薄膜では測定が困難なため確認で
きていないがバルクでは最適組成において3となってい
る。
〔実施例〕 実施例−1 先ず最初に100配向の単結晶シリコンウエハ−基板上
にZrO2(Y安定化)酸化物層を反応蒸着法(電子ビー
ム)により形成する。成膜条件は蒸発源にZrとYペレッ
トを用い、基板温度620℃、真空度2〜6*10-4Torr、
成膜速度7nm/minであり基板への酸素供給は成膜中に基
板周辺に酸素を吹き付けて行なう。得られた酸化物層の
組成は(Y2O3)0.09(ZrO2)0.91でありX線回折とRHEE
D分析によるとC軸配向した極めて単結晶に近い膜であ
り格子定数は5.15〜5.32Å(aθ,bθ)であった。次に
第1表に示した組成の酸化物層をRFマグネトロンスパッ
タ法により形成する。
にZrO2(Y安定化)酸化物層を反応蒸着法(電子ビー
ム)により形成する。成膜条件は蒸発源にZrとYペレッ
トを用い、基板温度620℃、真空度2〜6*10-4Torr、
成膜速度7nm/minであり基板への酸素供給は成膜中に基
板周辺に酸素を吹き付けて行なう。得られた酸化物層の
組成は(Y2O3)0.09(ZrO2)0.91でありX線回折とRHEE
D分析によるとC軸配向した極めて単結晶に近い膜であ
り格子定数は5.15〜5.32Å(aθ,bθ)であった。次に
第1表に示した組成の酸化物層をRFマグネトロンスパッ
タ法により形成する。
使用ターゲットは第1表の組成に近い組成(最終的に
第1表になるよう補正したもの)の酸化物焼結ターゲッ
トである。成膜条件は基板温度450℃〜800℃、真空度3
〜6*10-2Torr、使用ガスO2:Ar比3:1、Power density
3.9(W/cm2)、成膜速度は7〜15nm/minである。また膜
厚は500〜550nmである。次に酸化物層の結晶構造を安定
化させるため750℃酸素雰囲気中で1時間アニール処理
を行う。得られた酸化物膜はX線回折とRHEEDにより分
析したところエピタキシャル成長した膜であった。また
格子定数は3.81〜3.86Å(aθ)でありLn−Ba−Cu−O
(LnはYを含む希土類元素)系酸化物超伝導物質に近い
ものであった。
第1表になるよう補正したもの)の酸化物焼結ターゲッ
トである。成膜条件は基板温度450℃〜800℃、真空度3
〜6*10-2Torr、使用ガスO2:Ar比3:1、Power density
3.9(W/cm2)、成膜速度は7〜15nm/minである。また膜
厚は500〜550nmである。次に酸化物層の結晶構造を安定
化させるため750℃酸素雰囲気中で1時間アニール処理
を行う。得られた酸化物膜はX線回折とRHEEDにより分
析したところエピタキシャル成長した膜であった。また
格子定数は3.81〜3.86Å(aθ)でありLn−Ba−Cu−O
(LnはYを含む希土類元素)系酸化物超伝導物質に近い
ものであった。
次に反応蒸着法により前記酸化物膜上にNd−Ba−Cu−
O超伝導薄膜(1:2:3組成)を150nm形成した。成膜条件
は蒸発源にNd、Ba、Cuの金属を用い、真空度3〜6*10
-5Torr、基板温度650℃、成膜速度20〜35nm/minであ
り、酸素の供給はマイクロ波で活性化した酸素プラズマ
を基板部に成膜中に照射して行った。
O超伝導薄膜(1:2:3組成)を150nm形成した。成膜条件
は蒸発源にNd、Ba、Cuの金属を用い、真空度3〜6*10
-5Torr、基板温度650℃、成膜速度20〜35nm/minであ
り、酸素の供給はマイクロ波で活性化した酸素プラズマ
を基板部に成膜中に照射して行った。
次にas−depo.状態で良好な膜が得られる場合もある
が必要に応じ500℃酸素雰囲気中においてアニール処理
を行い不足している酸素を補給すると共に(酸素不足は
低臨界温度相の発生を招く)結晶構造を安定化させ酸化
物超伝導薄膜を得る。得られた酸化物超伝導薄膜をX線
回折、RHEEDにより分析したところエピタキシャル成長
した膜であった。
が必要に応じ500℃酸素雰囲気中においてアニール処理
を行い不足している酸素を補給すると共に(酸素不足は
低臨界温度相の発生を招く)結晶構造を安定化させ酸化
物超伝導薄膜を得る。得られた酸化物超伝導薄膜をX線
回折、RHEEDにより分析したところエピタキシャル成長
した膜であった。
実施例−2 実施例−1と同様な条件で単結晶シリコンウエハー基
板上に酸化物層をMgO酸化物層、Nd−Al−o酸化物層の
順に形成する。膜厚はそれぞれ200nm、400nmである。次
にNd−Ba−Cu−O薄膜を100nm形成し酸化物超伝導薄膜
を得る。
板上に酸化物層をMgO酸化物層、Nd−Al−o酸化物層の
順に形成する。膜厚はそれぞれ200nm、400nmである。次
にNd−Ba−Cu−O薄膜を100nm形成し酸化物超伝導薄膜
を得る。
実施例−3 実施例−1と同様な条件で単結晶シリコンウエハー基
板上に酸化物層をAl2O3酸化物層、Nd−Al−O酸化物層
の順にそれぞれ200nm、500nm形成する。次にNd−Ba−Cu
−O薄膜を100nm形成し酸化物超伝導薄膜を得る。
板上に酸化物層をAl2O3酸化物層、Nd−Al−O酸化物層
の順にそれぞれ200nm、500nm形成する。次にNd−Ba−Cu
−O薄膜を100nm形成し酸化物超伝導薄膜を得る。
実施例−4 実施例1と同様な条件で単結晶シリコンウエハー基板
上に酸化物層をSrO酸化物層、La−Al−O酸化物層の順
にそれぞれ350nm、400nm形成する。次にYb−Ba−Cu−O
薄膜を100nm形成し酸化物超伝導薄膜を得る。
上に酸化物層をSrO酸化物層、La−Al−O酸化物層の順
にそれぞれ350nm、400nm形成する。次にYb−Ba−Cu−O
薄膜を100nm形成し酸化物超伝導薄膜を得る。
実施例−5 実施例−1と同様な条件で単結晶シリコンウエハー基
板上に酸化物層をBaO酸化物層、CaO酸化物層、Nd−Al−
O酸化物層の順にそれぞれ150nm、200nm、400nm形成す
る。この時の酸化物の格子定数はBa>Ca>Ndである。次
にNd−Ba−Cu−O薄膜を100nm形成し酸化物超伝導薄膜
を得る。
板上に酸化物層をBaO酸化物層、CaO酸化物層、Nd−Al−
O酸化物層の順にそれぞれ150nm、200nm、400nm形成す
る。この時の酸化物の格子定数はBa>Ca>Ndである。次
にNd−Ba−Cu−O薄膜を100nm形成し酸化物超伝導薄膜
を得る。
上記のように得られた酸化物超伝導薄膜を備えた構造
体における当該超伝導薄膜の臨界温度と臨界電流密度を
4端子法により測定した。測定温度は77K(ダイキン工
業製極低温冷凍機UV204SR使用)で測定雰囲気はヘリウ
ム中である。
体における当該超伝導薄膜の臨界温度と臨界電流密度を
4端子法により測定した。測定温度は77K(ダイキン工
業製極低温冷凍機UV204SR使用)で測定雰囲気はヘリウ
ム中である。
結果を第2表(実施例−1)と第3表(実施例−2、
実施例−3、実施例−4、実施例−5)に比較例と共に
示した。比較例は単結晶シリコンウエハー基板上に直接
Nd−Ba−Cu−O薄膜を100nm形成した場合(G)、ZrO3
酸化物層のみの場合(H)、Nd−Al−O酸化物層のみの
場合(I)と基板にSrTiO3単結晶を用いた場合(J:応用
物理第57巻第2号1988 p227−231 NTTデータによる)で
ある。
実施例−3、実施例−4、実施例−5)に比較例と共に
示した。比較例は単結晶シリコンウエハー基板上に直接
Nd−Ba−Cu−O薄膜を100nm形成した場合(G)、ZrO3
酸化物層のみの場合(H)、Nd−Al−O酸化物層のみの
場合(I)と基板にSrTiO3単結晶を用いた場合(J:応用
物理第57巻第2号1988 p227−231 NTTデータによる)で
ある。
表より判るように本発明の酸化物超伝導薄膜は基板に
単結晶シリコンウエハーを用いても高い臨界電流密度を
得ることが出来る。比較例G、H、Iの特性の悪いの
は、(G):シリコンウエハーと酸化物超伝導物質が反
応して酸化物超伝導の結晶構造を壊しているため、
(H):ZrO2酸化物層は単結晶に近いものであるがZrO2
酸化物層と酸化物超伝導物質には格子定数に大きな差が
ありマッチングが悪く酸化物超伝導膜のエピタキシャル
成長が阻害されているため、(I):シリコンウエハー
と酸化物層のマッチングが悪く酸化物層の構造が安定し
ていないためその上に形成される酸化物超伝導膜も安定
したエピタキシャル成長膜にならないためである。これ
らの纏めると本発明は基板と酸化物超伝導層の間に酸化
物超伝導物質よりエピタキシャル成長させ易い酸化物層
を格子定数が少しずつ変化するよう多段に配したことに
より反応がなく且エピタキシャル性の良い酸化物超伝導
膜が出来るようになったといえる。
単結晶シリコンウエハーを用いても高い臨界電流密度を
得ることが出来る。比較例G、H、Iの特性の悪いの
は、(G):シリコンウエハーと酸化物超伝導物質が反
応して酸化物超伝導の結晶構造を壊しているため、
(H):ZrO2酸化物層は単結晶に近いものであるがZrO2
酸化物層と酸化物超伝導物質には格子定数に大きな差が
ありマッチングが悪く酸化物超伝導膜のエピタキシャル
成長が阻害されているため、(I):シリコンウエハー
と酸化物層のマッチングが悪く酸化物層の構造が安定し
ていないためその上に形成される酸化物超伝導膜も安定
したエピタキシャル成長膜にならないためである。これ
らの纏めると本発明は基板と酸化物超伝導層の間に酸化
物超伝導物質よりエピタキシャル成長させ易い酸化物層
を格子定数が少しずつ変化するよう多段に配したことに
より反応がなく且エピタキシャル性の良い酸化物超伝導
膜が出来るようになったといえる。
また実施例の中でBとEが他に比べ臨界電流密度が高
いのは酸化物超伝導側の酸化物層が最適組成に近いこと
により最適結晶構造をとり、それが酸化物超伝導膜のエ
ピタキシャル成長を促しているためである。故に酸化物
の組成はAxAlyOz(ここでAは希土類元素を示す)と表
したとき0.9≦x≦1.1、0.85≦y≦1.15の範囲内である
必要があり、外れると臨界電流密度は急激に低下する。
いのは酸化物超伝導側の酸化物層が最適組成に近いこと
により最適結晶構造をとり、それが酸化物超伝導膜のエ
ピタキシャル成長を促しているためである。故に酸化物
の組成はAxAlyOz(ここでAは希土類元素を示す)と表
したとき0.9≦x≦1.1、0.85≦y≦1.15の範囲内である
必要があり、外れると臨界電流密度は急激に低下する。
これら実施例の値は第3表の比較例に示すSrTiO3単結
晶基板を用いた値(比較例J:NTTデータ)に近いもので
あり十分デバイス等に応用できる値である。
晶基板を用いた値(比較例J:NTTデータ)に近いもので
あり十分デバイス等に応用できる値である。
第4表に単結晶シリコンウエハー基板と従来よく用い
られていたSrTiO3単結晶基板の1枚の値段を示した。単
結晶シリコンウエハー基板は4インチ(約10cmφ)とSr
TiO3単結晶基板の約5倍と大口径であるにも関わらず値
段は約1/10であり大幅な低コスト化が可能となる。
られていたSrTiO3単結晶基板の1枚の値段を示した。単
結晶シリコンウエハー基板は4インチ(約10cmφ)とSr
TiO3単結晶基板の約5倍と大口径であるにも関わらず値
段は約1/10であり大幅な低コスト化が可能となる。
〔発明の効果〕 以上述べたように本発明によれば大口径化の可能な単
結晶シリコンウエハーを基板に用いても酸化物超伝導薄
膜のエピタキシャル成長が可能となり、なお且基板との
反応を抑制できるため高い臨界電流密度をえられる。さ
らに大口径で有るにも関わらず基板の値段が格段に安
い。即ち形状や臨界電流密度による用途の限定が無く、
量産性に優れた酸化物超伝導薄膜を低コストで得ること
が出来る。
結晶シリコンウエハーを基板に用いても酸化物超伝導薄
膜のエピタキシャル成長が可能となり、なお且基板との
反応を抑制できるため高い臨界電流密度をえられる。さ
らに大口径で有るにも関わらず基板の値段が格段に安
い。即ち形状や臨界電流密度による用途の限定が無く、
量産性に優れた酸化物超伝導薄膜を低コストで得ること
が出来る。
本発明により得られた酸化物超伝導薄膜はそのままで
用いたり微細加工、保護膜形成、他物質の積層等を施し
た後SQUID、ジョセフソン素子、超伝導トランジスタ、
電磁波センサー、磁気センサー、素子配線、電流制御素
子、磁束量子メモリ、光スイッチ素子、磁気シールド等
に応用することが出来る。
用いたり微細加工、保護膜形成、他物質の積層等を施し
た後SQUID、ジョセフソン素子、超伝導トランジスタ、
電磁波センサー、磁気センサー、素子配線、電流制御素
子、磁束量子メモリ、光スイッチ素子、磁気シールド等
に応用することが出来る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−270395(JP,A) 特開 昭63−301424(JP,A) Hiroaki Myoren et al.,”Epitaxial Gr owth of Ba▲下2▼YCu▲ 下3▼O▲下X▼Thin Film on Epitaxial Zro▲下 2▼/Si(100)”,Japanes e Journal of Appli ed Physics,(1988)Vo l.27,No.6,p.1068−1070 (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) C23C 14/00 - 14/58 H01L 39/02 H01B 12/06 C04B 41/89 C30B 29/22
Claims (2)
- 【請求項1】基板に単結晶シリコンウエハを用い酸化物
超伝導薄膜を備えた酸化物超伝導薄膜構造体において、
該単結晶シリコンウエハ基板と該酸化物超伝導薄膜との
中間部に、少なくともZrO2、Al2O3、MgO、SrO及びCaOの
うちいずれかの酸化物層と、組成式AxAlyOz(ここでA
は希土類元素を示し、0.9≦x≦1.1、0.85≦y≦1.15、
0<zである)の酸化物層の1層以上とを有する酸化物
超伝導薄膜構造体。 - 【請求項2】前記酸化物超伝導薄膜がLn1Ba2Cu3Oy系材
料(LnはSc、Yを含む希土類元素)からなることを特徴
とする請求項1記載の酸化物超伝導薄膜構造体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1034148A JP2913653B2 (ja) | 1989-02-14 | 1989-02-14 | 酸化物超伝導薄膜構造体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1034148A JP2913653B2 (ja) | 1989-02-14 | 1989-02-14 | 酸化物超伝導薄膜構造体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02213464A JPH02213464A (ja) | 1990-08-24 |
JP2913653B2 true JP2913653B2 (ja) | 1999-06-28 |
Family
ID=12406115
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1034148A Expired - Lifetime JP2913653B2 (ja) | 1989-02-14 | 1989-02-14 | 酸化物超伝導薄膜構造体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2913653B2 (ja) |
-
1989
- 1989-02-14 JP JP1034148A patent/JP2913653B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Hiroaki Myoren et al.,"Epitaxial Growth of Ba▲下2▼YCu▲下3▼O▲下X▼Thin Film on Epitaxial Zro▲下2▼/Si(100)",Japanese Journal of Applied Physics,(1988)Vol.27,No.6,p.1068−1070 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH02213464A (ja) | 1990-08-24 |
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