JPH0980416A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH0980416A JPH0980416A JP23574295A JP23574295A JPH0980416A JP H0980416 A JPH0980416 A JP H0980416A JP 23574295 A JP23574295 A JP 23574295A JP 23574295 A JP23574295 A JP 23574295A JP H0980416 A JPH0980416 A JP H0980416A
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- crystal display
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
Abstract
(57)【要約】
【課題】 液晶表示装置の開口率をアクティブマトリク
ス基板の設計上、最大とすると共に、表示領域の外側周
辺部を遮光する。 【解決手段】ＴＦＴ、ゲート信号線２およびソース信号
線８ａの上部に層間絶縁膜が形成され、その上に画素電
極１１が形成されている。画素電極１１は、層間絶縁膜
を貫くコンタクトホール１０を介してＴＦＴのドレイン
電極と接続されている。対向基板側に設けられる遮光膜
１３は表示領域内には形成されておらず、個々の画素の
分離はゲート信号線２およびソース信号線８ａで行う。
また、遮光膜１３は表示領域の外側周辺部に形成されて
おり、表示領域の外側周辺部は遮光される。貼り合わせ
時のアライメントマージンは、表示領域の外側のゲート
信号線２の部分およびソース信号線８ａの部分で吸収さ
れる。
ス基板の設計上、最大とすると共に、表示領域の外側周
辺部を遮光する。 【解決手段】ＴＦＴ、ゲート信号線２およびソース信号
線８ａの上部に層間絶縁膜が形成され、その上に画素電
極１１が形成されている。画素電極１１は、層間絶縁膜
を貫くコンタクトホール１０を介してＴＦＴのドレイン
電極と接続されている。対向基板側に設けられる遮光膜
１３は表示領域内には形成されておらず、個々の画素の
分離はゲート信号線２およびソース信号線８ａで行う。
また、遮光膜１３は表示領域の外側周辺部に形成されて
おり、表示領域の外側周辺部は遮光される。貼り合わせ
時のアライメントマージンは、表示領域の外側のゲート
信号線２の部分およびソース信号線８ａの部分で吸収さ
れる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜トランジスタ
（以下、ＴＦＴと称する）等のスイッチング素子を備
え、このスイッチング素子にて絵素をオンオフ制御して
表示を行う構成の液晶表示装置に関する。
（以下、ＴＦＴと称する）等のスイッチング素子を備
え、このスイッチング素子にて絵素をオンオフ制御して
表示を行う構成の液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】上述した液晶表示装置として、図５に示
す等価回路からなるものが知られている。この液晶表示
装置は、液晶層を間に挟んで対向配設される一対の基
板、つまりアクティブマトリクス基板と対向基板とを備
え、アクティブマトリクス基板には、スイッチング素子
であるＴＦＴ２３および絵素容量２２がマトリクス状に
形成されている。ＴＦＴ２３のゲート電極にはゲート信
号線２４が接続され、そこに入力される信号によってＴ
ＦＴ２３が駆動される。ＴＦＴ２３のソース電極にはソ
ース信号線２６が接続され、そこからビデオ信号等のデ
ータ信号が入力される。各ゲート信号線２４とソース信
号配線２６とは、互いに交差するように形成されてい
る。ＴＦＴ２３のドレイン電極には画素電極および画素
容量２２の一方の端子が接続されている。各画素容量２
２の他方の端子には画素容量配線２５が接続され、前記
一対の基板の他方である対向基板上に形成された対向電
極と接続されている。
す等価回路からなるものが知られている。この液晶表示
装置は、液晶層を間に挟んで対向配設される一対の基
板、つまりアクティブマトリクス基板と対向基板とを備
え、アクティブマトリクス基板には、スイッチング素子
であるＴＦＴ２３および絵素容量２２がマトリクス状に
形成されている。ＴＦＴ２３のゲート電極にはゲート信
号線２４が接続され、そこに入力される信号によってＴ
ＦＴ２３が駆動される。ＴＦＴ２３のソース電極にはソ
ース信号線２６が接続され、そこからビデオ信号等のデ
ータ信号が入力される。各ゲート信号線２４とソース信
号配線２６とは、互いに交差するように形成されてい
る。ＴＦＴ２３のドレイン電極には画素電極および画素
容量２２の一方の端子が接続されている。各画素容量２
２の他方の端子には画素容量配線２５が接続され、前記
一対の基板の他方である対向基板上に形成された対向電
極と接続されている。
【０００３】図６は液晶表示装置の具体的な構成を示す
断面図である。この液晶表示装置は、液晶層１１３を挟
んでガラス基板１０１、１１１が設けられている。一方
（図の下側）のガラス基板１０１には、ゲート電極１０
３と、ドレイン電極１０５およびソース電極１０４とが
薄膜半導体層１０２にて離隔された構成の薄膜トランジ
スタ（ＴＦＴ）が形成されている。このガラス基板１０
１の上に上記ＴＦＴを覆って絶縁膜１１０が形成され、
この絶縁膜１１０の上に、これを貫通して設けられたコ
ンタクトホールに一部を充填して導体層１０９やソース
信号線１０８が形成されている。上記導体層１０９は、
同じく絶縁膜１１０の上に設けた画素電極１０６と電気
的に接続され、この画素電極１０６はドレイン電極１０
５と導通状態となっている。
断面図である。この液晶表示装置は、液晶層１１３を挟
んでガラス基板１０１、１１１が設けられている。一方
（図の下側）のガラス基板１０１には、ゲート電極１０
３と、ドレイン電極１０５およびソース電極１０４とが
薄膜半導体層１０２にて離隔された構成の薄膜トランジ
スタ（ＴＦＴ）が形成されている。このガラス基板１０
１の上に上記ＴＦＴを覆って絶縁膜１１０が形成され、
この絶縁膜１１０の上に、これを貫通して設けられたコ
ンタクトホールに一部を充填して導体層１０９やソース
信号線１０８が形成されている。上記導体層１０９は、
同じく絶縁膜１１０の上に設けた画素電極１０６と電気
的に接続され、この画素電極１０６はドレイン電極１０
５と導通状態となっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、この従来の
液晶表示装置において、画素電極以外の箇所を遮光すべ
く、各画素毎に開口部を有するブラックマトリクス（遮
光膜）が対向基板側に形成される。このブラックマトリ
クスの形成は、画素電極が形成されたアクティブマトリ
クス基板と、ブラックマトリクスが形成された対向基板
とを貼り合わせるために、アライメントマージンが必要
となり、その結果、画素電極の内側にブラックマトリク
スの開口部の外側端が位置することになる。よって、液
晶表示装置の開口率の向上が制限されるという問題があ
る。
液晶表示装置において、画素電極以外の箇所を遮光すべ
く、各画素毎に開口部を有するブラックマトリクス（遮
光膜）が対向基板側に形成される。このブラックマトリ
クスの形成は、画素電極が形成されたアクティブマトリ
クス基板と、ブラックマトリクスが形成された対向基板
とを貼り合わせるために、アライメントマージンが必要
となり、その結果、画素電極の内側にブラックマトリク
スの開口部の外側端が位置することになる。よって、液
晶表示装置の開口率の向上が制限されるという問題があ
る。
【０００５】一方、対向基板側のブラックマトリクスの
形成を省略し、かつ、遮光を実現しようとすると、各画
素電極の周辺を、アクティブマトリクス基板側の隣合う
ゲート信号線２と隣合うソース信号線８とで囲むことが
考えられる。この構成の場合には、液晶表示装置におけ
る各絵素毎の開口率は、ゲート信号線２およびソース信
号線８で決定されるため、アクティブマトリクス基板の
設計上、最大の開口率を実現することができる。しかし
ながら、ゲート信号線２およびソース信号線８は、マト
リクス状に配された画素電極に対し、一般に、その片側
周辺のみを通るように形成されているため、マトリクス
状に設けられた複数の画素電極を含んでなる表示領域の
外側周辺部を遮光できなくなるという問題があった。
形成を省略し、かつ、遮光を実現しようとすると、各画
素電極の周辺を、アクティブマトリクス基板側の隣合う
ゲート信号線２と隣合うソース信号線８とで囲むことが
考えられる。この構成の場合には、液晶表示装置におけ
る各絵素毎の開口率は、ゲート信号線２およびソース信
号線８で決定されるため、アクティブマトリクス基板の
設計上、最大の開口率を実現することができる。しかし
ながら、ゲート信号線２およびソース信号線８は、マト
リクス状に配された画素電極に対し、一般に、その片側
周辺のみを通るように形成されているため、マトリクス
状に設けられた複数の画素電極を含んでなる表示領域の
外側周辺部を遮光できなくなるという問題があった。
【０００６】本発明は、このような従来技術の課題を解
決すべくなされたものであり、遮光膜を設けた場合であ
っても、開口率をアクティブマトリクス基板の設計上、
最大とすることができると共に表示領域の外側周辺部を
遮光できる液晶表示装置を提供することである。また、
本発明の他の目的は、画素電極と各信号線とをオーバー
ラップさせて液晶表示装置の開口率の向上および液晶の
配向不良の抑制を図り得る液晶表示装置を提供すること
である。
決すべくなされたものであり、遮光膜を設けた場合であ
っても、開口率をアクティブマトリクス基板の設計上、
最大とすることができると共に表示領域の外側周辺部を
遮光できる液晶表示装置を提供することである。また、
本発明の他の目的は、画素電極と各信号線とをオーバー
ラップさせて液晶表示装置の開口率の向上および液晶の
配向不良の抑制を図り得る液晶表示装置を提供すること
である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、マトリクス状に配された画素電極と、該画素電極の
周辺を通り、かつ、相互に交差して形成されたゲート信
号線およびソース信号線、並びに両信号線に接続された
スイッチング素子とが層間絶縁膜を間に挟んで存在し、
該層間絶縁膜を貫くコンタクトホールを介して該画素電
極とスイッチング素子のドレイン電極とが接続されたア
クティブマトリクス基板を備え、該アクティブマトリク
ス基板に対し、液晶層を間に挟んで対向基板が対向配設
され、該対向基板に設けられた遮光膜が、マトリクス状
の該画素電極を含んでなる表示領域の周辺部のみを覆う
ように形成され、そのことにより上記目的が達成され
る。
は、マトリクス状に配された画素電極と、該画素電極の
周辺を通り、かつ、相互に交差して形成されたゲート信
号線およびソース信号線、並びに両信号線に接続された
スイッチング素子とが層間絶縁膜を間に挟んで存在し、
該層間絶縁膜を貫くコンタクトホールを介して該画素電
極とスイッチング素子のドレイン電極とが接続されたア
クティブマトリクス基板を備え、該アクティブマトリク
ス基板に対し、液晶層を間に挟んで対向基板が対向配設
され、該対向基板に設けられた遮光膜が、マトリクス状
の該画素電極を含んでなる表示領域の周辺部のみを覆う
ように形成され、そのことにより上記目的が達成され
る。
【０００８】本発明の液晶表示装置において、前記遮光
膜が前記表示領域に対応する開口部を有し、該開口部の
外側端が、該表示領域の最外側に位置するゲート信号線
およびソース信号線の上に位置する構成としてもよい。
膜が前記表示領域に対応する開口部を有し、該開口部の
外側端が、該表示領域の最外側に位置するゲート信号線
およびソース信号線の上に位置する構成としてもよい。
【０００９】本発明の液晶表示装置において、前記アク
ティブマトリクス基板の表示領域の周辺部にダミー配線
が形成され、該ダミー配線の上にも遮光膜の開口部の外
側端が位置する構成としてもよい。
ティブマトリクス基板の表示領域の周辺部にダミー配線
が形成され、該ダミー配線の上にも遮光膜の開口部の外
側端が位置する構成としてもよい。
【００１０】本発明の液晶表示装置において、前記スイ
ッチング素子が前記画素電極の周辺部に設けられ、該ス
イッチング素子のドレイン電極から延出させた透明な接
続片と該画素電極とが、該接続片の該ドレイン電極とは
反対側の端部上であって、前記層間絶縁膜に設けたコン
タクトホールを介して接続されている構成としてもよ
い。
ッチング素子が前記画素電極の周辺部に設けられ、該ス
イッチング素子のドレイン電極から延出させた透明な接
続片と該画素電極とが、該接続片の該ドレイン電極とは
反対側の端部上であって、前記層間絶縁膜に設けたコン
タクトホールを介して接続されている構成としてもよ
い。
【００１１】以下、本発明の作用について説明する。
【００１２】本発明にあっては、アクティブマトリクス
基板に対して液晶層を間に挟んで対向配設された対向基
板に、マトリクス状の該画素電極を含んでなる表示領域
の周辺部のみを覆うように遮光膜が形成されている。こ
のため、遮光膜が表示領域の周辺部のみを覆うため、遮
光膜を設けた場合であっても、開口率をアクティブマト
リクス基板の設計上、最大とすることができる。このと
き、画素電極の周端は、隣合うゲート信号線および隣合
うソース信号線の上に存在するようにしておく。
基板に対して液晶層を間に挟んで対向配設された対向基
板に、マトリクス状の該画素電極を含んでなる表示領域
の周辺部のみを覆うように遮光膜が形成されている。こ
のため、遮光膜が表示領域の周辺部のみを覆うため、遮
光膜を設けた場合であっても、開口率をアクティブマト
リクス基板の設計上、最大とすることができる。このと
き、画素電極の周端は、隣合うゲート信号線および隣合
うソース信号線の上に存在するようにしておく。
【００１３】また、遮光膜が前記表示領域に対応する開
口部を有し、該開口部の外側端が、該表示領域の最外側
に位置するゲート信号線およびソース信号線の上に位置
する構成とした場合は、遮光膜とゲート信号線およびソ
ース信号線とが重なった状態となり、その部分からの光
漏れをより防止できる。このとき、遮光膜の開口部にお
ける外側端の残りの部分は、画素電極の端に一致させる
ようにしておくとよい。
口部を有し、該開口部の外側端が、該表示領域の最外側
に位置するゲート信号線およびソース信号線の上に位置
する構成とした場合は、遮光膜とゲート信号線およびソ
ース信号線とが重なった状態となり、その部分からの光
漏れをより防止できる。このとき、遮光膜の開口部にお
ける外側端の残りの部分は、画素電極の端に一致させる
ようにしておくとよい。
【００１４】また、アクティブマトリクス基板の表示領
域の周辺部にダミー配線が形成され、該ダミー配線の上
にも遮光膜の開口部の外側端が位置する構成とした場合
には、表示領域の全周辺部において遮光膜と信号線や配
線とが重なった状態となり、表示領域の全周辺部からの
光漏れをより防止できる。
域の周辺部にダミー配線が形成され、該ダミー配線の上
にも遮光膜の開口部の外側端が位置する構成とした場合
には、表示領域の全周辺部において遮光膜と信号線や配
線とが重なった状態となり、表示領域の全周辺部からの
光漏れをより防止できる。
【００１５】また、スイッチング素子が画素電極の周辺
部に設けられ、スイッチング素子のドレイン電極から延
出させた透明な接続片と画素電極とが、接続片のドレイ
ン電極とは反対側の端部上であって、層間絶縁膜に設け
たコンタクトホールを介して接続されている構成とした
場合には、層間絶縁膜の存在により、各信号線や配線に
対して画素電極をオーバーラップさせることができ、開
口率を向上できると共に信号線による液晶の配向不良を
抑制できる。
部に設けられ、スイッチング素子のドレイン電極から延
出させた透明な接続片と画素電極とが、接続片のドレイ
ン電極とは反対側の端部上であって、層間絶縁膜に設け
たコンタクトホールを介して接続されている構成とした
場合には、層間絶縁膜の存在により、各信号線や配線に
対して画素電極をオーバーラップさせることができ、開
口率を向上できると共に信号線による液晶の配向不良を
抑制できる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら説明する。
て、図面を参照しながら説明する。
【００１７】図１は、本発明の一実施形態である液晶表
示装置の平面図であり、図２は図１のＢ−Ｂ’断面図、
図３は図１のＡ−Ａ’断面図、図４はその液晶表示装置
の全体を示す平面図である。この液晶表示装置は、液晶
層１７を挟んで透明絶縁性基板１、１２が設けられてい
る。両基板の一方（図２の下側）の基板１は、アクティ
ブマトリクス基板として用いられている。
示装置の平面図であり、図２は図１のＢ−Ｂ’断面図、
図３は図１のＡ−Ａ’断面図、図４はその液晶表示装置
の全体を示す平面図である。この液晶表示装置は、液晶
層１７を挟んで透明絶縁性基板１、１２が設けられてい
る。両基板の一方（図２の下側）の基板１は、アクティ
ブマトリクス基板として用いられている。
【００１８】この透明絶縁性基板１上には、ゲート信号
線２とソース信号線８ａとが交差して形成され、また、
ゲート信号線２に平行に付加容量配線２ｃが形成されて
いる。上記ゲート信号線２とソース信号線８ａとの交差
部の近傍には、ゲート信号線２から分岐してゲート電極
２ａが形成され、ゲート電極２ａの上にはこれを一部と
してＴＦＴが形成される。上記ゲート電極２ａおよび付
加容量配線２ｃの上を覆い、かつ、基板１の全面上にゲ
ート絶縁膜３が形成されている。
線２とソース信号線８ａとが交差して形成され、また、
ゲート信号線２に平行に付加容量配線２ｃが形成されて
いる。上記ゲート信号線２とソース信号線８ａとの交差
部の近傍には、ゲート信号線２から分岐してゲート電極
２ａが形成され、ゲート電極２ａの上にはこれを一部と
してＴＦＴが形成される。上記ゲート電極２ａおよび付
加容量配線２ｃの上を覆い、かつ、基板１の全面上にゲ
ート絶縁膜３が形成されている。
【００１９】ゲート絶縁膜３の上にはゲート電極２ａと
重畳するように半導体層４が形成され、半導体層４の中
央部の上にチャネル保護層５が形成されている。このチ
ャネル保護層５の端部および半導体層４の一部を覆っ
て、ソース電極およびドレイン電極となるｎ＋Ｓｉ層６
ａ、６ｂが形成されている。ｎ＋Ｓｉ層６ａ、６ｂは、
チャネル保護層５の上で分断されている。
重畳するように半導体層４が形成され、半導体層４の中
央部の上にチャネル保護層５が形成されている。このチ
ャネル保護層５の端部および半導体層４の一部を覆っ
て、ソース電極およびドレイン電極となるｎ＋Ｓｉ層６
ａ、６ｂが形成されている。ｎ＋Ｓｉ層６ａ、６ｂは、
チャネル保護層５の上で分断されている。
【００２０】一方のｎ＋Ｓｉ層６ａ上には、透明導電膜
７ａと、金属からなる前記ソース信号線８ａとが形成さ
れている。他方のｎ＋Ｓｉ層６ｂの上には、透明導電膜
７ｂと金属層８ｂとが形成されている。透明導電膜７ｂ
は、前記付加容量配線２ｃの上方に達するように延長さ
れており、付加容量配線２ｃの上方では付加容量配線２
ｃに沿って長い付加容量電極７ｃとなっている。
７ａと、金属からなる前記ソース信号線８ａとが形成さ
れている。他方のｎ＋Ｓｉ層６ｂの上には、透明導電膜
７ｂと金属層８ｂとが形成されている。透明導電膜７ｂ
は、前記付加容量配線２ｃの上方に達するように延長さ
れており、付加容量配線２ｃの上方では付加容量配線２
ｃに沿って長い付加容量電極７ｃとなっている。
【００２１】かかる状態の基板１の上には層間絶縁膜９
が形成され、この層間絶縁膜９の上には透明導電膜から
なる画素電極１１が形成されている。画素電極１１は、
隣合うゲート信号線２および隣合うソース信号線８ａの
上方を端として存在する。この画素電極１１と前記付加
容量電極７ｃとは、層間絶縁膜９を貫通するコンタクト
ホール１０を介して電気的に接続されている。これによ
り、画素電極１１は、ドレイン電極６ｂと電気的に接続
される。
が形成され、この層間絶縁膜９の上には透明導電膜から
なる画素電極１１が形成されている。画素電極１１は、
隣合うゲート信号線２および隣合うソース信号線８ａの
上方を端として存在する。この画素電極１１と前記付加
容量電極７ｃとは、層間絶縁膜９を貫通するコンタクト
ホール１０を介して電気的に接続されている。これによ
り、画素電極１１は、ドレイン電極６ｂと電気的に接続
される。
【００２２】上述した層間絶縁膜９を貫くコンタクトホ
ール１０は、付加容量配線２ｃの上方に形成されてい
る。付加容量配線２ｃは、対向基板上に形成された後述
する対向電極１５と図示しない配線を介して接続されて
おり、付加容量配線２ｃと付加容量電極７ｃとの重畳部
が付加容量となっている。
ール１０は、付加容量配線２ｃの上方に形成されてい
る。付加容量配線２ｃは、対向基板上に形成された後述
する対向電極１５と図示しない配線を介して接続されて
おり、付加容量配線２ｃと付加容量電極７ｃとの重畳部
が付加容量となっている。
【００２３】このように構成されたアクティブマトリク
ス基板に対し、液晶層１７を挟んで対向配設された対向
基板は、透明絶縁性基板１２の上に、金属膜等からなる
遮光膜としてのブラックマトリクス１３とカラーフィル
ター１４とが形成され、その上に、透明導電膜からなる
対向電極１５が形成されている。上記ブラックマトリク
ス１３は、図４に示すように、マトリクス状に配された
画素電極１１を全て含む大きさの表示領域の内側には形
成されておらず、表示領域の外側のみに形成されてい
る。この場合、上述したように、画素電極１１が隣合う
ゲート信号線２および隣合うソース信号線８ａの上方を
端として存在するため、表示領域の内側の各画素電極間
の遮光は、ゲート信号線２及びソース信号線８ａにより
なされる。両基板には、さらに配向膜１６が液晶層１７
側に形成されている。また、両基板は、間に液晶層１７
を挟んで貼り合わされて対向配設される。この貼り合わ
せに際して、アライメントマージンを考慮した場合に
は、図１に示すように、ブラックマトリクス１３の開口
部の端を、アクティブマトリクス基板の表示領域の外側
に存在するゲート信号線２の部分およびソース信号線８
ａの部分と対向させる。これにより、アライメントマー
ジンを、そのゲート信号線およびソース信号線が吸収で
きる。このようにすると、ブラックマトリクス１３のみ
の存在による場合より、光漏れ防止をより効率よくでき
る。
ス基板に対し、液晶層１７を挟んで対向配設された対向
基板は、透明絶縁性基板１２の上に、金属膜等からなる
遮光膜としてのブラックマトリクス１３とカラーフィル
ター１４とが形成され、その上に、透明導電膜からなる
対向電極１５が形成されている。上記ブラックマトリク
ス１３は、図４に示すように、マトリクス状に配された
画素電極１１を全て含む大きさの表示領域の内側には形
成されておらず、表示領域の外側のみに形成されてい
る。この場合、上述したように、画素電極１１が隣合う
ゲート信号線２および隣合うソース信号線８ａの上方を
端として存在するため、表示領域の内側の各画素電極間
の遮光は、ゲート信号線２及びソース信号線８ａにより
なされる。両基板には、さらに配向膜１６が液晶層１７
側に形成されている。また、両基板は、間に液晶層１７
を挟んで貼り合わされて対向配設される。この貼り合わ
せに際して、アライメントマージンを考慮した場合に
は、図１に示すように、ブラックマトリクス１３の開口
部の端を、アクティブマトリクス基板の表示領域の外側
に存在するゲート信号線２の部分およびソース信号線８
ａの部分と対向させる。これにより、アライメントマー
ジンを、そのゲート信号線およびソース信号線が吸収で
きる。このようにすると、ブラックマトリクス１３のみ
の存在による場合より、光漏れ防止をより効率よくでき
る。
【００２４】また、図４に示すように、ゲート信号線２
のうちの表示領域の最外側（図の下側）に位置するゲー
ト信号線１８とは反対側にダミー配線２０を形成する。
また、同様に、ソース信号線８ａのうちの表示領域の最
外側（図の左側）に位置するソース信号線１９とは反対
側にダミー配線２１を形成する。そして、上記ゲート信
号線１８、ソース信号線１９および両ダミー配線２０、
２１の上に、ブラックマトリクス１３の開口部の端を対
向させると、アライメントマージンを各信号線およびダ
ミー配線が吸収できる。このようにすると、ブラックマ
トリクス１３のみの存在による場合は当然のこと、アラ
イメントマージンをゲート信号線およびソース信号線が
吸収できるようにする場合よりも、光漏れ防止をより効
率よくできる。
のうちの表示領域の最外側（図の下側）に位置するゲー
ト信号線１８とは反対側にダミー配線２０を形成する。
また、同様に、ソース信号線８ａのうちの表示領域の最
外側（図の左側）に位置するソース信号線１９とは反対
側にダミー配線２１を形成する。そして、上記ゲート信
号線１８、ソース信号線１９および両ダミー配線２０、
２１の上に、ブラックマトリクス１３の開口部の端を対
向させると、アライメントマージンを各信号線およびダ
ミー配線が吸収できる。このようにすると、ブラックマ
トリクス１３のみの存在による場合は当然のこと、アラ
イメントマージンをゲート信号線およびソース信号線が
吸収できるようにする場合よりも、光漏れ防止をより効
率よくできる。
【００２５】この液晶表示装置は、例えば以下のように
して作製される。
して作製される。
【００２６】まず、ガラス基板等の透明絶縁性基板１上
に、ゲート信号線２とゲート電極２ａを形成し、同時に
付加容量配線２ｃを形成する。これらの表面には、陽極
酸化膜を形成してもよい。
に、ゲート信号線２とゲート電極２ａを形成し、同時に
付加容量配線２ｃを形成する。これらの表面には、陽極
酸化膜を形成してもよい。
【００２７】次に、ゲート絶縁膜３、半導体層４、チャ
ネル保護層５、ソース電極およびドレイン電極となるｎ
＋Ｓｉ層６ａ、６ｂを順に形成する。さらに、ソース信
号線および接続電極を構成するＩＴＯからなる透明導電
膜および金属層をスパッタ法により順に形成してパター
ニングする。これにより、透明導電膜７ａ、７ｂおよび
ソース信号線８ａ、金属層８ｂが形成される。この時、
同時に付加容量電極７ｃとして透明導電膜を形成する。
このようにソース信号線を２層構造にすることにより、
ソース信号線８ａの一部に欠損があったとしても、透明
導電膜７ｂにより電気的な接続が保持されるため、ソー
ス信号線の断線を少なくすることができるという利点が
ある。
ネル保護層５、ソース電極およびドレイン電極となるｎ
＋Ｓｉ層６ａ、６ｂを順に形成する。さらに、ソース信
号線および接続電極を構成するＩＴＯからなる透明導電
膜および金属層をスパッタ法により順に形成してパター
ニングする。これにより、透明導電膜７ａ、７ｂおよび
ソース信号線８ａ、金属層８ｂが形成される。この時、
同時に付加容量電極７ｃとして透明導電膜を形成する。
このようにソース信号線を２層構造にすることにより、
ソース信号線８ａの一部に欠損があったとしても、透明
導電膜７ｂにより電気的な接続が保持されるため、ソー
ス信号線の断線を少なくすることができるという利点が
ある。
【００２８】さらに、層間絶縁膜９として、感光性のア
クリル樹脂を成膜し、所望のパターンに従って露光、ア
ルカリ現像する。これにより露光された部分のみがエッ
チングされ、層間絶縁膜９を貫通するコンタクトホール
１０が形成される。
クリル樹脂を成膜し、所望のパターンに従って露光、ア
ルカリ現像する。これにより露光された部分のみがエッ
チングされ、層間絶縁膜９を貫通するコンタクトホール
１０が形成される。
【００２９】その後、画素電極となる透明導電膜１１を
スパッタ法により形成し、パターニングする。これによ
り画素電極１１は、層間絶縁膜９を貫くコンタクトホー
ル１０を介して、ＴＦＴのドレイン電極６ｂと接続され
ている透明導電膜７ｂと接続され、同時に付加容量電極
７ｃとも接続される。尚、ダミー配線を形成する場合に
は、ダミー配線２０はゲート信号線２の形成と同時に、
ダミー配線２１はソース信号線８ａの形成と同時に形成
するのが、作業工程上好ましい。
スパッタ法により形成し、パターニングする。これによ
り画素電極１１は、層間絶縁膜９を貫くコンタクトホー
ル１０を介して、ＴＦＴのドレイン電極６ｂと接続され
ている透明導電膜７ｂと接続され、同時に付加容量電極
７ｃとも接続される。尚、ダミー配線を形成する場合に
は、ダミー配線２０はゲート信号線２の形成と同時に、
ダミー配線２１はソース信号線８ａの形成と同時に形成
するのが、作業工程上好ましい。
【００３０】このようにして得られるアクティブマトリ
クス基板においては、ゲート信号線２およびソース信号
配線と、画素電極１１との間に層間絶縁膜９が形成され
ており、各信号配線に対して画素電極をオーバーラップ
させることができる。従って、液晶表示装置の構成とし
た時に、開口率を向上できると共に、各信号配線に起因
する電界をシールドして液晶の配向不良を抑制すること
ができる。また、付加容量配線２ｃの上部にコンタクト
ホール１０が形成されているので、液晶の配向乱れによ
る光漏れが生じても付加容量配線２ｃに遮光され、コン
トラストの低下が生じない。さらに、透明導電膜７ｂに
よりＴＦＴのドレイン電極６ｂと画素電極１１および付
加容量電極７ｃとを接続しているので、コンタクトホー
ル１０を付加容量配線２ｃ上に形成しても開口率の低下
は生じない。
クス基板においては、ゲート信号線２およびソース信号
配線と、画素電極１１との間に層間絶縁膜９が形成され
ており、各信号配線に対して画素電極をオーバーラップ
させることができる。従って、液晶表示装置の構成とし
た時に、開口率を向上できると共に、各信号配線に起因
する電界をシールドして液晶の配向不良を抑制すること
ができる。また、付加容量配線２ｃの上部にコンタクト
ホール１０が形成されているので、液晶の配向乱れによ
る光漏れが生じても付加容量配線２ｃに遮光され、コン
トラストの低下が生じない。さらに、透明導電膜７ｂに
よりＴＦＴのドレイン電極６ｂと画素電極１１および付
加容量電極７ｃとを接続しているので、コンタクトホー
ル１０を付加容量配線２ｃ上に形成しても開口率の低下
は生じない。
【００３１】以上は、アクティブマトリクス基板の作製
方法についてであるが、次の対向基板の作製方法とは形
成を順序逆にしてもよい。
方法についてであるが、次の対向基板の作製方法とは形
成を順序逆にしてもよい。
【００３２】対向基板の作製は、まず、透明絶縁性基板
１２上に、スパッタ法により金属膜等を形成し、これを
パターニングしてブラックマトリクス１３を形成する。
ブラックマトリクス１３は、表示領域には形成せず、表
示領域周辺のみに形成されるように、パターニングを行
う。
１２上に、スパッタ法により金属膜等を形成し、これを
パターニングしてブラックマトリクス１３を形成する。
ブラックマトリクス１３は、表示領域には形成せず、表
示領域周辺のみに形成されるように、パターニングを行
う。
【００３３】次に、感光性カラーレジストを塗布し、露
光および現像することにより、赤、緑、青色のカラーフ
ィルター１４を形成した。さらに、透明導電膜であるＩ
ＴＯをスパッタ法により成膜して対向電極１５を形成し
た。
光および現像することにより、赤、緑、青色のカラーフ
ィルター１４を形成した。さらに、透明導電膜であるＩ
ＴＯをスパッタ法により成膜して対向電極１５を形成し
た。
【００３４】その後、アクティブマトリクス基板と対向
基板との双方に、配向膜１６を形成し、双方の基板を貼
り合わせて、基板間の空隙に液晶を注入して液晶層１７
を封止した。これにより液晶表示装置が完成する。
基板との双方に、配向膜１６を形成し、双方の基板を貼
り合わせて、基板間の空隙に液晶を注入して液晶層１７
を封止した。これにより液晶表示装置が完成する。
【００３５】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、アクティブマトリクス基板に対して液晶層を
間に挟んで対向配設された対向基板に、マトリクス状の
該画素電極を含んでなる表示領域の周辺部のみを覆うよ
うに遮光膜が形成されているため、遮光膜が表示領域の
周辺部のみを覆い、遮光膜を設けた場合であっても、開
口率をアクティブマトリクス基板の設計上、最大とする
ことができる。
によれば、アクティブマトリクス基板に対して液晶層を
間に挟んで対向配設された対向基板に、マトリクス状の
該画素電極を含んでなる表示領域の周辺部のみを覆うよ
うに遮光膜が形成されているため、遮光膜が表示領域の
周辺部のみを覆い、遮光膜を設けた場合であっても、開
口率をアクティブマトリクス基板の設計上、最大とする
ことができる。
【００３６】また、遮光膜が前記表示領域に対応する開
口部を有し、該開口部の外側端が、該表示領域の最外郭
に位置するゲート信号線およびソース信号線の上に位置
する構成とした場合は、遮光膜とゲート信号線およびソ
ース信号線とが重なった状態となり、その部分からの光
漏れを防止できる。このとき、遮光膜の開口部における
外側端の残りの部分は、画素電極の端に一致させるよう
にしておくとよい。
口部を有し、該開口部の外側端が、該表示領域の最外郭
に位置するゲート信号線およびソース信号線の上に位置
する構成とした場合は、遮光膜とゲート信号線およびソ
ース信号線とが重なった状態となり、その部分からの光
漏れを防止できる。このとき、遮光膜の開口部における
外側端の残りの部分は、画素電極の端に一致させるよう
にしておくとよい。
【００３７】また、アクティブマトリクス基板の表示領
域の周辺部にダミー配線が形成され、該ダミー配線の上
にも遮光膜の開口部の外側端が位置する構成とした場合
には、表示領域の全周辺部において遮光膜と信号線や配
線とが重なった状態となり、表示領域の全周辺部からの
光漏れを防止できる。
域の周辺部にダミー配線が形成され、該ダミー配線の上
にも遮光膜の開口部の外側端が位置する構成とした場合
には、表示領域の全周辺部において遮光膜と信号線や配
線とが重なった状態となり、表示領域の全周辺部からの
光漏れを防止できる。
【００３８】また、スイッチング素子が画素電極の周辺
部に設けられ、スイッチング素子のドレイン電極から延
出させた透明な接続片と画素電極とが、接続片のドレイ
ン電極とは反対側の端部上であって、層間絶縁膜に設け
たコンタクトホールを介して接続されている構成とした
場合には、層間絶縁膜の存在により、各信号線や配線に
対して画素電極をオーバーラップさせることができ、開
口率を向上できると共に信号線による液晶の配向不良を
抑制できる。
部に設けられ、スイッチング素子のドレイン電極から延
出させた透明な接続片と画素電極とが、接続片のドレイ
ン電極とは反対側の端部上であって、層間絶縁膜に設け
たコンタクトホールを介して接続されている構成とした
場合には、層間絶縁膜の存在により、各信号線や配線に
対して画素電極をオーバーラップさせることができ、開
口率を向上できると共に信号線による液晶の配向不良を
抑制できる。
【図１】本発明の一実施形態である液晶表示装置の平面
図である。
図である。
【図２】図１の液晶表示装置のＢ−Ｂ’線断面図であ
る。
る。
【図３】図１の液晶表示装置のＡ−Ａ’線断面図であ
る。
る。
【図４】図１の液晶表示装置の全体を示す平面図であ
る。
る。
【図５】アクティブマトリクス基板の構成の一例を示す
概略図である。
概略図である。
【図６】従来の液晶表示装置を示す断面図である。
１、１２ 透明絶縁性基板 ２ ゲート配線 １８ 表示領域の最外側のゲート配線 ２ａ ゲート電極 ２ｃ 付加容量配線 ３ ゲート絶縁膜 ４ 半導体層 ５ チャネル保護膜 ６ａ、６ｂ ｎ＋Ｓｉ層 ７ａ、７ｂ、７ｃ 透明導電膜 ８ａ ソース信号線 １９ 表示領域の最外側のソース信号線 ８ｂ 金属層 ９ 層間絶縁膜 １０ コンタクトホール １１ 画素電極 １３ ブラックマトリクス（遮光膜） １４ カラーフィルター １５ 対向電極 １６ 配向膜 １７ 液晶層 ２０、２１ ダミー配線
Claims (4)
- 【請求項１】 マトリクス状に配された画素電極と、該
画素電極の周辺を通り、かつ、相互に交差して形成され
たゲート信号線およびソース信号線、並びに両信号線に
接続されたスイッチング素子とが層間絶縁膜を間に挟ん
で存在し、該層間絶縁膜を貫くコンタクトホールを介し
て該画素電極とスイッチング素子のドレイン電極とが接
続されたアクティブマトリクス基板を備え、 該アクティブマトリクス基板に対し、液晶層を間に挟ん
で対向基板が対向配設され、該対向基板に設けられた遮
光膜が、マトリクス状の該画素電極を含んでなる表示領
域の周辺部のみを覆うように形成されている液晶表示装
置。 - 【請求項２】 前記遮光膜が前記表示領域に対応する開
口部を有し、該開口部の外側端が、該表示領域の最外側
に位置するゲート信号線およびソース信号線の上に位置
する請求項１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記アクティブマトリクス基板の表示領
域の周辺部にダミー配線が形成され、該ダミー配線の上
にも遮光膜の開口部の外側端が位置する請求項２に記載
の液晶表示装置。 - 【請求項４】 前記スイッチング素子が前記画素電極の
周辺部に設けられ、該スイッチング素子のドレイン電極
から延出させた透明な接続片と該画素電極とが、該接続
片の該ドレイン電極とは反対側の端部上であって、前記
層間絶縁膜に設けたコンタクトホールを介して接続され
ている請求項１乃至３のいずれか一つに記載の液晶表示
装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23574295A JPH0980416A (ja) | 1995-09-13 | 1995-09-13 | 液晶表示装置 |
| US08/712,978 US5877830A (en) | 1995-09-13 | 1996-09-12 | Liquid crystal display device having a light blocking layer in the periphery |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23574295A JPH0980416A (ja) | 1995-09-13 | 1995-09-13 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0980416A true JPH0980416A (ja) | 1997-03-28 |
Family
ID=16990556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23574295A Pending JPH0980416A (ja) | 1995-09-13 | 1995-09-13 | 液晶表示装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5877830A (ja) |
| JP (1) | JPH0980416A (ja) |
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